專利名稱：絕緣性樹脂薄膜、及使用它的接合體及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及用于電子部件和基板的接合的絕緣性樹脂薄膜，及使用該絕緣性樹脂薄膜的接合體以及接合體的制造方法。
背景技術(shù)：
作為連接IC芯片等的電子部件與環(huán)氧玻璃基板(PCB)等的基板的方法之一，存在倒裝芯片工作法。在該倒裝片工作法中，使前述IC芯片中的凸點(diǎn)與前述PCB中的配線相對(duì)，使其直接接觸或經(jīng)由導(dǎo)電性粒子接觸的同時(shí)，通過加熱加壓而電連接。這里，在經(jīng)由前述導(dǎo)電性粒子的連接中，使用各向異性導(dǎo)電性薄膜(ACF Anisotropic Conductive Film)。 作為該ACF，一般使用使導(dǎo)電性粒子分散在環(huán)氧樹脂類的絕緣性粘接劑層中的ACF，例如， 在前述IC芯片與前述基板之間配置前述ACF，若加熱加壓，則通過前述導(dǎo)電性粒子夾在前述IC芯片的凸點(diǎn)與前述基板中的電極之間并且被壓碎，實(shí)現(xiàn)前述IC芯片的凸點(diǎn)與前述電極的電連接。近年來，伴隨著電子設(shè)備的小型化及高功能化，半導(dǎo)體器件高集成化，因此加速了 IC芯片的凸點(diǎn)間空間的窄間距化及凸點(diǎn)面積的窄小化。然而，前述導(dǎo)電性粒子的粒徑的界限為2 μ m，作為更微細(xì)區(qū)域中的連接法，引人注目的是經(jīng)由非導(dǎo)電性薄膜(NCF =Non Conductive Film)直接接合前述IC芯片中的凸點(diǎn)與前述基板中的配線的NCF接合法。在該NCF接合法中，不使用前述導(dǎo)電性粒子，將柱形凸點(diǎn)作為前述IC芯片的凸點(diǎn)來使用，在前述IC芯片與前述基板壓焊時(shí)，前述柱形凸點(diǎn)與前述基板接觸并壓碎，以此使前述IC芯片與前述基板直接接合。作為現(xiàn)有的NCF，具有高的玻璃化轉(zhuǎn)變溫度的單層結(jié)構(gòu)的產(chǎn)品為主流，在確保連接可靠性這一點(diǎn)上，使用前述玻璃化轉(zhuǎn)變溫度在150°C以上的NCF。然而，若使用該NCF，通過進(jìn)行加熱及加壓，接合前述IC芯片與前述基板，則雖然連接可靠性(連接電阻)良好，但在高壓爐測(cè)試(PCT)中，觀察到二者的粘合力(抗切強(qiáng)度)下降。以此相對(duì)，在由于前述玻璃化轉(zhuǎn)變溫度不足150°C的低固化收縮而帶來的高粘合力類型的NCF中，在前述PCT中，雖然沒有觀察到前述粘合力的下降，但是由于固化速度緩慢，在前述IC芯片與前述基板接合后，在前述NCF中會(huì)產(chǎn)生空隙。這樣，在利用了前述柱形凸點(diǎn)的前述NCF接合法中，雖然具有能夠適應(yīng)精細(xì)間距的優(yōu)點(diǎn)，但是另一方面，由于在前述NCF中產(chǎn)生的空隙或凸點(diǎn)的浮動(dòng)等的缺陷，因此存在前述IC芯片與前述基板容易剝離的問題。例如，在專利文獻(xiàn)1中，公開了若使用加熱固化性樹脂及含有無(wú)機(jī)填充料的連接材料，則前述PCT后的可靠性良好。然而，該連接材料為以單一的材料形成的單層結(jié)構(gòu)，此夕卜，沒有示出關(guān)于前述PCT后的抗切強(qiáng)度下降的問題。此外，在專利文獻(xiàn)2中，提出用具有層疊結(jié)構(gòu)的環(huán)氧樹脂連接IC與基板回路的技術(shù)。在該技術(shù)中，通過采用層疊結(jié)構(gòu)，在熔解粘度上設(shè)置差，雖然改善了老化后的連接可靠性，但是沒有公開關(guān)于前述PCT后的抗切強(qiáng)度的維持的問題。
進(jìn)一步地，在專利文獻(xiàn)3中，公開了在IC芯片的電極中使用接合球，經(jīng)由二層結(jié)構(gòu)的NCF，接合IC芯片與基板的方法。在該技術(shù)中，雖然前述NCF為二層結(jié)構(gòu)，但是該結(jié)構(gòu)在前述NCF的厚度方向上，在單一種類的環(huán)氧樹脂組成物中，僅形成含有無(wú)機(jī)質(zhì)填充劑的層和不含有無(wú)機(jī)質(zhì)填充劑的層，沒有考慮抑制空隙或改善前述半導(dǎo)體芯片與前述基板的粘合力。此外，前述半導(dǎo)體芯片與前述基板的接合中使用了接合球，對(duì)于在使用柱形凸點(diǎn)的情形中產(chǎn)生的凸點(diǎn)的浮動(dòng)等問題，沒有示出任何解決方案。先行技術(shù)文獻(xiàn)專利文獻(xiàn)專利文獻(xiàn)1 特開2001-160568號(hào)公報(bào)專利文獻(xiàn)2 特開2000-178511號(hào)公報(bào)專利文獻(xiàn)3 特開平10-289969號(hào)公報(bào)

發(fā)明內(nèi)容
發(fā)明要解決的問題本發(fā)明的目的在于，提供一種抑制空隙的產(chǎn)生、在電子部件與基板之間賦予充分的粘合力、得到優(yōu)異的連接可靠性的絕緣性樹脂薄膜，及使用該絕緣性樹脂薄膜的、連接可靠性優(yōu)異的接合體及有效率的接合體的制造方法。用于解決問題的手段作為用于解決前述問題的手段如下。艮口，<1> 一種絕緣性樹脂薄膜，其為接合基板與電子部件的絕緣性樹脂薄膜，其特征在于具有被配置在前述基板側(cè)的第一粘接劑層和被配置在前述電子部件側(cè)的第二粘接劑層，前述第一粘接劑層及前述第二粘接劑層含有無(wú)機(jī)填料，前述第二粘接劑層的DSC發(fā)熱峰值溫度比前述第一粘接劑層的DSC發(fā)熱峰值溫度尚，前述第一粘接劑層的厚度為總厚度的50% 90%。<2>如<1>所述的絕緣性樹脂薄膜，其特征在于第一粘接劑層與第二粘接劑層之間具有中間層。<3>如<1> <2>中任一項(xiàng)所述的絕緣性樹脂薄膜，其特征在于第一粘接劑層的玻璃化轉(zhuǎn)變溫度比第二粘接劑層的玻璃化轉(zhuǎn)變溫度高。<4>如<1> <3>中任一項(xiàng)所述的絕緣性樹脂薄膜，其特征在于第一粘接劑層的 DSC發(fā)熱峰值溫度與第二粘接劑層的DSC發(fā)熱峰值溫度之間的差為7°C 10°C。<5>如<1> <4>中任一項(xiàng)所述的絕緣性樹脂薄膜，其特征在于在第一粘接劑層與第二粘接劑層中，線膨脹系數(shù)α 1的差的絕對(duì)值比10小，線膨脹系數(shù)α 2的差的絕對(duì)值比30小。<6>如<1> <5>中任一項(xiàng)所述的絕緣性樹脂薄膜，其特征在于第一粘接劑層及第二粘接劑層含有偶聯(lián)劑。<7> 一種接合體，其特征在于經(jīng)由如<1> <6>中任一項(xiàng)所述的絕緣性樹脂薄膜，接合基板與電子部件，并且使在前述基板中的電極與在前述電子部件中的柱形凸點(diǎn)電連接。<8> 一種接合體的制造方法，其特征在于包括接合步驟，其經(jīng)由<1> <6>中任一項(xiàng)所述的絕緣性樹脂薄膜，使在基板中的電極與在電子部件中的柱形凸點(diǎn)相對(duì)，通過對(duì)前述基板與前述電子部件進(jìn)行加熱加壓，從而接合前述基板與前述電子部件。發(fā)明的效果根據(jù)本發(fā)明，能夠提供一種能夠解決現(xiàn)有的前述各種問題，抑制空隙的產(chǎn)生，在電子部件與基板之間賦予充分的粘合力，得到優(yōu)異的連接可靠性的絕緣性樹脂薄膜，以及使用該絕緣性樹脂薄膜的、連接可靠性優(yōu)異的接合體及有效率的接合體的制造方法。


圖1是示出本發(fā)明的接合體的一個(gè)例子的示意圖。圖2A是示出外觀評(píng)價(jià)為“〇”的狀態(tài)的照片。圖2B是示出外觀評(píng)價(jià)為“Δ”的狀態(tài)的照片。圖2C是示出外觀評(píng)價(jià)為“ X ”的狀態(tài)的照片
具體實(shí)施例方式(絕緣性樹脂薄膜)本發(fā)明的絕緣性樹脂薄膜為接合基板與電子部件的絕緣性樹脂薄膜，至少具有第一粘接劑層及第二粘接劑層，在前述第一粘接劑層與前述第二粘接劑層之間也可以具有中間層，進(jìn)一步具有根據(jù)需要適當(dāng)選擇的其它層。前述第一粘接劑層配置在前述基板側(cè)，前述第二粘接劑層配置在前述電子部件側(cè)。前述第一粘接劑層及前述第二粘接劑層至少含有無(wú)機(jī)填料。若含有前述無(wú)機(jī)填料，則提高尺寸穩(wěn)定性。作為前述無(wú)機(jī)填料，沒有特別限制，可以根據(jù)目的適當(dāng)選擇，例如，二氧化硅、碳酸鈣、鈦、氧化鋁、氮化硅等。這些可以單獨(dú)使用一種，也可以合用兩種以上。作為前述無(wú)機(jī)填料在前述第一粘接劑層及前述第二粘接劑層各自中的含量，沒有特別的限制，可以根據(jù)目的適當(dāng)選擇，但是優(yōu)選為40質(zhì)量％ 60質(zhì)量％。前述含量若不足40質(zhì)量％，則尺寸穩(wěn)定性下降，會(huì)損害連接可靠性，若超過60質(zhì)量％，則薄膜狀態(tài)的維持會(huì)變得困難。此外，前述第二粘接劑層的DSC發(fā)熱峰值溫度比前述第一粘接劑層的DSC發(fā)熱峰值溫度高。若使用該絕緣性樹脂薄膜，通過加熱及加壓接合電子部件與基板，則在前述基板側(cè)配置的前述第一粘接劑層與在前述電子部件側(cè)配置的前述第二粘接劑層以不同的速度固化，固化收縮率不同。進(jìn)一步地，與前述第一粘接劑層相比，因?yàn)榍笆龅诙辰觿拥墓袒徛M(jìn)行，所以壓焊時(shí)，能夠邊固化邊排除殘留在前述第二粘接劑層與IC芯片(LSI)等電子部件之間的空隙，從而能夠抑制前述基板與前述電子部件的剝離，也確保高壓爐測(cè)試 (PCT)后良好的粘合力(抗切強(qiáng)度)。這里，前述DSC發(fā)熱峰值溫度意思是通過DSC (差示掃描熱量)測(cè)定法所得到的發(fā)熱反應(yīng)的峰值的溫度。作為前述第一粘接劑層的DSC發(fā)熱峰值溫度，只要比前述第二粘接劑層的DSC發(fā)熱峰值溫度低就沒有特別的限制，可以根據(jù)目的適當(dāng)選擇，但是優(yōu)選118°C以下。前述第一粘接劑層的前述DSC發(fā)熱峰值溫度若比118°C高，則反應(yīng)性下降，因此在連接時(shí)會(huì)需要較長(zhǎng)時(shí)間，此外，連接部中前述第一粘接劑層過于流動(dòng)，也會(huì)成為連接不良的原因。此外，作為前述第二粘接劑層的DSC發(fā)熱峰值溫度，只要比前述第一粘接劑層的 DSC發(fā)熱峰值溫度高就沒有特別的限制，可以根據(jù)目的適當(dāng)選擇，但是優(yōu)選125°C以上。前述第二粘接劑層的DSC發(fā)熱峰值溫度若不足125°C，則在連接時(shí)前述第二粘接劑層的排除變得不充分，會(huì)損害連接可靠性。進(jìn)一步地，前述第一粘接劑層的厚度必須為總厚度的50% 90%。在此情況下， 前述PCT后的抗切強(qiáng)度的維持率良好。在前述基板側(cè)配置的前述第一粘接劑層的厚度若不足總厚度的50%，則空隙混入，前述PCT后的連接可靠性會(huì)下降，若超過90%，則不能在前述基板與前述電子部件之間充分剩下第二粘接劑層，前述PCT后的連接可靠性會(huì)下降。此外，第一、第二粘接劑層的各自的厚度若不足10 μ m,則制造的再現(xiàn)性會(huì)不良。前述第一粘接劑層與前述第二粘接劑層的總厚度沒有特別的限制、可以根據(jù)目的適當(dāng)選擇，但是優(yōu)選10 μ m 80 μ m，更優(yōu)選20 μ m 60 μ m。另外，在前述第一粘接劑層與前述第二粘接劑層之間具有中間層的情況下，前述第一粘接劑層、前述第二粘接劑層以及前述中間層的總厚度為與上述同樣的數(shù)值范圍。在本發(fā)明的前述絕緣性樹脂薄膜中，前述第一粘接劑層與前述第二粘接劑層優(yōu)選進(jìn)一步示出以下的關(guān)系。即，前述第一粘接劑層的玻璃化轉(zhuǎn)變溫度優(yōu)選比前述第二粘接劑層的玻璃化轉(zhuǎn)變溫度高。在此情況下，在能夠降低與IC芯片(LSI)界面的剩余應(yīng)力這一點(diǎn)上，是有利的。作為前述第一粘接劑層及前述第二粘接劑層的玻璃化轉(zhuǎn)變溫度，只要滿足前述關(guān)系就沒有特別的限制，可以根據(jù)目的適當(dāng)選擇，但是作為前述第一粘接劑層的玻璃化轉(zhuǎn)變溫度，優(yōu)選150°C以上，更優(yōu)選155°C 190°C。前述第一粘接劑層的玻璃化轉(zhuǎn)變溫度若不足150°C，則在實(shí)用環(huán)境中會(huì)損害連接
可靠性。作為前述第二粘接劑層的玻璃化轉(zhuǎn)變溫度，優(yōu)選不足150°C。前述第二粘接劑層的玻璃化轉(zhuǎn)變溫度若在150°C以上，則即使前述絕緣性樹脂薄膜具有二層結(jié)構(gòu)，也不能降低與IC芯片(LSI)界面的剩余應(yīng)力。此外，在前述第一粘接劑層與前述第二粘接劑層是層疊的狀態(tài)下，作為本發(fā)明的前述絕緣性樹脂薄膜的玻璃化轉(zhuǎn)變溫度沒有特別的限制、可以根據(jù)目的適當(dāng)選擇，但是優(yōu)選 148°C 155°C。前述絕緣性樹脂薄膜的玻璃化轉(zhuǎn)變溫度若不足148°C，則在實(shí)用環(huán)境中，會(huì)損害連接可靠性，若超過155°C，則不能降低與IC芯片(LSI)界面的剩余應(yīng)力。此外，作為前述第一粘接劑層的DSC發(fā)熱峰值溫度與前述第二粘接劑層的DSC發(fā)熱峰值溫度之間的差沒有特別的限制，可以根據(jù)目的適當(dāng)選擇，但是優(yōu)選7°C 10°C。
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前述DSC發(fā)熱峰值溫度的差若不足7 V，則在連接時(shí)不能僅使前述第二粘接劑層流動(dòng)，若超過10°c，則在連接時(shí)不能僅使前述第二粘接劑層固化，會(huì)成為缺陷發(fā)生的原因。進(jìn)一步地，在前述第一粘接劑層與前述第二粘接劑層為層疊狀態(tài)下，作為本發(fā)明的前述絕緣性樹脂薄膜的DSC發(fā)熱峰值溫度沒有特別的限制，可以根據(jù)目的適當(dāng)選擇，但優(yōu)選 118°C 125°C。前述絕緣性樹脂薄膜的DSC發(fā)熱峰值溫度若不足118°C，則固化速度變快(促進(jìn)低溫固化)，不能充分排除樹脂，從而成為缺陷發(fā)生的原因，若超過125°C，則在連接時(shí)不能充分固化，從而成為缺陷發(fā)生的原因。此外，在前述第一粘接劑層與前述第二粘接劑層中，優(yōu)選線膨脹系數(shù)α 1的差的絕對(duì)值比10小，線膨脹系數(shù)α 2的差的絕對(duì)值比30小。在此情況下，在能夠維持尺寸穩(wěn)定性這一點(diǎn)上，是有利的。在前述第一粘接劑層及前述第二粘接劑層中，作為線膨脹系數(shù)α 及α 2，只要滿足前述關(guān)系就沒有特別的限制，可以根據(jù)目的適當(dāng)選擇，但是在能夠維持連接可靠性這一點(diǎn)上，作為前述第一粘接劑層及前述第二粘接劑層的線膨脹系數(shù)α 1，優(yōu)選21ppm/°C 40ppm/°C，作為線膨脹系數(shù) α 2，優(yōu)選 100ppm/°C 140ppm/°C。一第一粘接劑層一前述第一粘接劑層配置在前述基板側(cè)。作為前述基板，沒有特別的限制，可以根據(jù)目的適當(dāng)選擇，例如，環(huán)氧玻璃基板、剛性基板、柔性配線板等。前述第一粘接劑層至少含有第一樹脂及前述無(wú)機(jī)填料，優(yōu)選含有偶聯(lián)劑，進(jìn)一步含有根據(jù)需要適當(dāng)選擇的其它成分。作為前述第一樹脂，只要具有與后述第二粘接劑層中的第二樹脂不同的固化速度，就沒有特別的限制，可以根據(jù)目的適當(dāng)選擇，例如，為環(huán)氧樹脂、高分子成分(膜成分) 的有機(jī)樹脂、應(yīng)力緩和劑等。作為前述環(huán)氧樹脂，可以適當(dāng)列舉出例如，萘型環(huán)氧樹脂等。作為成為前述高分子成分(膜成分)的有機(jī)樹脂，可以適當(dāng)列舉出例如，苯氧基樹脂等。作為前述應(yīng)力緩和劑，可以適當(dāng)列舉出例如，PB (聚丁二烯橡膠)、丙烯酸橡膠、丙烯腈橡膠、乙烯-醋酸乙烯共聚物(EVA)或橡膠改性環(huán)氧樹脂等。前述第一樹脂可以單獨(dú)使用一種，也可以合用兩種以上。作為前述第一樹脂在前述第一粘接劑層中的含量，沒有特別的限制，可以根據(jù)目的適當(dāng)選擇，但優(yōu)選在30質(zhì)量％ 60質(zhì)量％。前述含量若不足30質(zhì)量％，則作為熱固化性粘接劑的性能會(huì)下降，若超過60質(zhì)量％，則作為薄膜狀粘接劑供給會(huì)變得困難。此外，前述第一樹脂優(yōu)選與固化劑合用。在此情況下，能夠提高耐回流性。作為與前述第一樹脂合用的前述固化劑，沒有特別的限制，可以根據(jù)目的適當(dāng)選擇，例如，以2-乙基4-甲基咪唑?yàn)榇淼倪溥蝾悺⑵渌袡C(jī)胺類可以作為陰離子類固化劑來使用。此外，锍鹽、錯(cuò)鹽、鋁螯合劑可以作為陽(yáng)離子類固化劑來使用。進(jìn)一步地，也可以適當(dāng)使用以絕緣性樹脂被膜將這些固化劑封裝化了的潛在性固化劑。
作為前述固化劑在前述第一粘接劑層中的含量，沒有特別的限制，可以根據(jù)目的適當(dāng)選擇，但優(yōu)選在5質(zhì)量％ 15質(zhì)量％。若含有前述偶聯(lián)劑，則能夠提高IC及環(huán)氧玻璃基板之間的粘接強(qiáng)度。作為前述偶聯(lián)劑，沒有特別的限制，可以根據(jù)目的適當(dāng)選擇，例如，具有環(huán)氧基的烷氧基硅烷、具有丙烯酸基的烷氧基硅烷等硅烷偶聯(lián)劑。作為前述偶聯(lián)劑在前述第一粘接劑層中的含量，沒有特別的限制，可以根據(jù)目的適當(dāng)選擇，但優(yōu)選在0. 1質(zhì)量％ 5質(zhì)量％。若前述含量不足0. 1質(zhì)量％，則不能提高連接強(qiáng)度，若超過5質(zhì)量％，則在連接時(shí)會(huì)發(fā)生空隙。作為前述其它成分，沒有特別的限制，可以根據(jù)目的適當(dāng)選擇。前述第一粘接劑層可以通過調(diào)制含有例如第一樹脂、無(wú)機(jī)填料、固化劑、應(yīng)力緩和齊U、偶聯(lián)劑、進(jìn)一步根據(jù)需要含有其它成分的第一粘接劑層用涂敷液，在基材上等涂敷該第一粘接劑層用涂敷液而形成。前述涂敷沒有特別的限制，可以根據(jù)目的適當(dāng)選擇，例如棒式涂布法、旋涂法、刮涂法、浸漬涂敷法等。一第二粘接劑層一前述第二粘接劑層配置在前述電子部件側(cè)。作為前述電子部件，沒有特別的限制，可以根據(jù)目的適當(dāng)選擇，例如，半導(dǎo)體芯片、電阻元件、COB (Chip On Board板上芯片)器件、COF (Chip On Film覆晶薄膜)器件、 TAB (Tape Automated Bonding卷帶自動(dòng)結(jié)合)器件等。前述第二粘接劑層至少含有第二樹脂及前述無(wú)機(jī)填料，優(yōu)選含有偶聯(lián)劑，進(jìn)一步含有根據(jù)需要適當(dāng)選擇的其它成分。作為前述第二樹脂，只要具有與在前述第一粘接劑層中的第一樹脂不同的固化速度就沒有特別的限制，可以根據(jù)目的適當(dāng)選擇，但可以適當(dāng)列舉出例如，環(huán)氧樹脂、熱塑性樹脂等。作為前述環(huán)氧樹脂，適宜列舉出例如雙酚A型環(huán)氧樹脂、雙酚F型環(huán)氧樹脂、線型酚醛型環(huán)氧樹脂等。作為前述熱塑性樹脂，可以適宜使用與前述第一樹脂相同的樹脂。前述第二樹脂可以單獨(dú)使用一種，也可以合用兩種以上。作為前述第二樹脂在前述第二粘接劑層中的含量，沒有特別的限制、可以根據(jù)目的適當(dāng)選擇，但優(yōu)選在30質(zhì)量％ 60質(zhì)量％。前述含量若不足30質(zhì)量％，則作為熱固化性粘接劑的性能會(huì)下降，若超過60質(zhì)量％，則作為薄膜狀粘接劑供給會(huì)變得困難。此外，前述第二樹脂優(yōu)選與固化劑合用，可以適宜使用能夠與前述第一樹脂合用的固化劑。進(jìn)一步地，前述第二粘接劑層優(yōu)選含有偶聯(lián)劑，作為該偶聯(lián)劑及其含量，與在前述第一粘接劑層中的偶聯(lián)劑相同。作為前述其它成分，沒有特別的限制，可以根據(jù)目的適當(dāng)選擇。前述第二粘接劑層通過調(diào)制含有例如第二樹脂、無(wú)機(jī)填料、偶聯(lián)劑、固化劑、進(jìn)一步根據(jù)需要含有其它成分的第二粘接劑層用涂敷液，在前述第一粘接劑層上涂敷該第二粘
8接劑層用涂敷液而形成，其結(jié)果是，得到由第一粘接劑層及第二粘接劑層形成的絕緣性樹脂薄膜。此外，在剝離薄膜上涂敷前述第二粘接劑用涂敷液，形成第二粘接劑層。用層合法層壓制作的前述第一粘接劑層與前述第二粘接劑層，從而得到由第一粘接劑層及第二粘接劑層形成的絕緣性樹脂薄膜。前述涂敷沒有特別的限制，可以根據(jù)目的適當(dāng)選擇，例如棒式涂布法、旋涂法、刮涂法、浸漬涂敷法等。一中間層一前述中間層優(yōu)選設(shè)置在前述第一粘接劑層與前述第二粘接劑層之間。前述中間層至少含有第三樹脂及前述無(wú)機(jī)填料，優(yōu)選含有偶聯(lián)劑，進(jìn)一步地含有根據(jù)需要適當(dāng)選擇的其它成分。作為前述第三樹脂、無(wú)機(jī)填料及偶聯(lián)劑，可以使用與前述第二粘接劑層一樣的，它們的含量也與前述第二粘接劑層一樣，可以與第二粘接劑層一樣來制作。作為前述中間層的厚度，沒有特別的限制，可以根據(jù)目的適當(dāng)選擇，但優(yōu)選為前述第二粘接劑層的厚度的10% 90%?！渌鼘右蛔鳛榍笆銎渌鼘?，沒有特別的限制，可以根據(jù)目的適當(dāng)選擇，例如剝離層。作為前述剝離層，針對(duì)其形狀、結(jié)構(gòu)、尺寸、厚度、材料(材質(zhì))等，沒有特別的限制，可以根據(jù)目的適當(dāng)選擇，但優(yōu)選剝離性良好或耐熱性高的剝離層，可以適當(dāng)列舉出例如，涂敷有硅酮等剝離劑的剝離PET ( 工f ^ ^ 7夕^一卜)板等。此外，也可以使用PTFE(水。丨J于卜，7卟才口工子板。本發(fā)明的前述絕緣性樹脂薄膜抑制空隙的產(chǎn)生，對(duì)前述電子部件與前述基板賦予充分的粘合力，得到優(yōu)異的連接可靠性，因此能夠適合使用在各種電子部件與基板之間的接合，尤其適宜于 COB (Chip On Board)用 NCF(Non Conductive Film)。(接合體)本發(fā)明的接合體為，經(jīng)由本發(fā)明的前述絕緣性樹脂薄膜，接合基板與電子部件，并且電連接前述基板中的電極與前述電子部件中的柱形凸點(diǎn)而成。另外，關(guān)于本發(fā)明的前述絕緣性樹脂薄膜、前述基板及前述電子部件的詳細(xì)說明如上前述。這里，使用附圖來說明使用本發(fā)明的前述絕緣性樹脂薄膜的接合體的一個(gè)例子。 例如，如圖1所示，接合體100具有作為基板的環(huán)氧玻璃基板10、電子部件(IC芯片)11以及絕緣性樹脂薄膜12。在絕緣性樹脂薄膜12中，分別在基板10側(cè)配置第一粘接劑層12A、 在IC芯片11側(cè)配置第二粘接劑層12B。然后，通過導(dǎo)通IC芯片11中的柱形凸點(diǎn)IlA和環(huán)氧玻璃基板10中的電極10A，使環(huán)氧玻璃基板10與IC芯片11電連接。在本發(fā)明的前述接合體中，本發(fā)明的前述絕緣性樹脂薄膜是具有各自不同的固化速度的粘接劑層的至少二層結(jié)構(gòu)，從而改善了前述第二粘接劑層的固化收縮率。此外，由于前述第一粘接劑層與前述第二粘接劑層的線膨脹系數(shù)的差較小，在回流處理中，能夠防止前述柱形凸點(diǎn)的浮動(dòng)，抑制前述電子部件的剝離。此外，由于改善了前述第二粘接劑層的固化收縮，能夠確保在PCT后也有良好的粘合力(抗切強(qiáng)度)，從而能夠得到良好的連接可靠性。(接合體的制造方法)本發(fā)明的接合體的制造方法至少含有接合步驟，進(jìn)一步含有根據(jù)需要適當(dāng)選擇的其它步驟?！唇雍喜襟E〉前述接合步驟為，經(jīng)由本發(fā)明的前述絕緣性樹脂薄膜，將基板中的電極與電子部件中的柱形凸點(diǎn)相對(duì)，通過加熱加壓前述基板與前述電子部件，從而接合前述基板與前述電子部件的步驟。另外，關(guān)于前述基板、前述電子部件及前述絕緣性樹脂薄膜的詳細(xì)說明，如上前述。前述加熱以連接時(shí)間20秒左右、加熱溫度170°C 200°C進(jìn)行。前述加壓根據(jù)前述電子部件的種類不同而不同，例如，IC芯片的情形下，以推力 20g/Bump 200g/Bump 進(jìn)行 3 30 秒。另外，也可以通過超聲波和熱量來進(jìn)行接合。通過以上步驟，將前述基板與前述電子部件接合，使前述基板中的電極與前述電子部件中的柱形凸點(diǎn)電連接。在本發(fā)明的前述接合體的制造方法中，由于使用了本發(fā)明的前述絕緣性樹脂薄膜，因此能夠防止前述柱形凸點(diǎn)的浮動(dòng)，在PCT后還具有充分的粘合力(抗切強(qiáng)度)，有效率地制造連接可靠性優(yōu)異的接合體。
實(shí)施例下面，列舉實(shí)施例及比較例對(duì)本發(fā)明進(jìn)行更加具體的說明，但是本發(fā)明不限于下述實(shí)施例中的任何一個(gè)。一粘接劑層用涂敷液的調(diào)制一按表1所示的質(zhì)量份來使用表1所示的各材料，通過在甲苯及醋酸乙基(酢酸-的11混合溶劑中均勻混合來調(diào)制各粘接劑層用涂敷液。[表1-1]
權(quán)利要求
1.一種絕緣性樹脂薄膜，其為接合基板與電子部件的絕緣性樹脂薄膜，其特征在于 具有被配置在前述基板側(cè)的第一粘接劑層和被配置在前述電子部件側(cè)的第二粘接劑層，前述第一粘接劑層及前述第二粘接劑層含有無(wú)機(jī)填料，前述第二粘接劑層的DSC發(fā)熱峰值溫度比前述第一粘接劑層的DSC發(fā)熱峰值溫度高， 前述第一粘接劑層的厚度為總厚度的50% 90%。
2.如權(quán)利要求1所述的絕緣性樹脂薄膜，其特征在于第一粘接劑層與第二粘接劑層之間具有中間層。
3.如權(quán)利要求1 2中任一項(xiàng)所述的絕緣性樹脂薄膜，其特征在于第一粘接劑層的玻璃化轉(zhuǎn)變溫度比第二粘接劑層的玻璃化轉(zhuǎn)變溫度高。
4.如權(quán)利要求1 3中任一項(xiàng)所述的絕緣性樹脂薄膜，其特征在于第一粘接劑層的 DSC發(fā)熱峰值溫度與第二粘接劑層的DSC發(fā)熱峰值溫度之間的差為7V 10°C。
5.如權(quán)利要求1 4中任一項(xiàng)所述的絕緣性樹脂薄膜，其特征在于在第一粘接劑層與第二粘接劑層中，線膨脹系數(shù)α 1的差的絕對(duì)值比10小，線膨脹系數(shù)α 2的差的絕對(duì)值比30小。
6.一種接合體，其特征在于經(jīng)由如權(quán)利要求1 5中任一項(xiàng)所述的絕緣性樹脂薄膜， 接合基板與電子部件，并且使在前述基板中的電極與在前述電子部件中的柱形凸點(diǎn)電連接。
7.一種接合體的制造方法，其特征在于包括接合步驟，其經(jīng)由權(quán)利要求1 5中任一項(xiàng)所述的絕緣性樹脂薄膜，使在基板中的電極與在電子部件中的柱形凸點(diǎn)相對(duì)，通過對(duì)前述基板與前述電子部件進(jìn)行加熱加壓，從而接合前述基板與前述電子部件。
全文摘要
提供了一種絕緣性樹脂薄膜，其為接合基板與電子部件的絕緣性樹脂薄膜，該絕緣性樹脂薄膜具有被配置在前述基板側(cè)的第一粘接劑層與被配置在前述電子部件側(cè)的第二粘接劑層，前述第一粘接劑層及前述第二粘接劑層含有無(wú)機(jī)填料，前述第二粘接劑層的DSC發(fā)熱峰值溫度比前述第一粘接劑層的DSC發(fā)熱峰值溫度高，前述第一粘接劑層的厚度為總厚度的50％～90％。
文檔編號(hào)H01L21/60GK102460669SQ20108002597
公開日2012年5月16日 申請(qǐng)日期2010年5月20日 優(yōu)先權(quán)日2009年6月10日
發(fā)明者佐藤大祐, 小高良介, 西村淳一 申請(qǐng)人:索尼化學(xué)&信息部件株式會(huì)社