專利名稱：具有包含合成物材料的制?；衔锏碾娮友b置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
一般而言，本發(fā)明是關(guān)于電子裝置及用于電子裝置的制?；衔?。
背景技術(shù)：
半導(dǎo)體芯片及集成電路晶粒通常是封裝在制模化合物中，以產(chǎn)生封裝的集成電路。該封裝的集成電路可耦接至印刷電路板，并鍵接至系統(tǒng)的其它組件。制造者通常測(cè)試印刷電路板，以確保封裝的集成電路及其它組件已適當(dāng)?shù)胤胖糜谠摪迳稀?br>
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供一種具有包含合成物材料的制模化合物的電子裝置。依據(jù)第一態(tài)樣，電子裝置包含封裝的集成電路，該封裝的集成電路包含集成電路晶粒，其具有主要表面；以及，制?；衔?，其在該集成電路晶粒的該主要表面上，其中，該封裝的集成電路包含相對(duì)于該制?；衔?，至少大約5重量百分比(5wt% )鋅。依據(jù)第二態(tài)樣，電子裝置包含封裝的集成電路，該封裝的集成電路包含集成電路晶粒，其具有主要表面；以及，材料，其在該集成電路的主要表面上，該材料具有大約1000 至10，OOOcmVg的X-光質(zhì)量吸收系數(shù)。依據(jù)第三態(tài)樣，電子裝置包含封裝的集成電路，該封裝的集成電路包含集成電路晶粒，其具有主要表面；以及，制模化合物，其在該集成電路晶粒的該主要表面上，其中，該制?；衔锇铣晌锊牧希脕?lái)吸收通過不小于大約10雷得的吸收劑量所特征化的軟 χ-光輻射。依據(jù)該第三態(tài)樣的實(shí)施例，該軟χ-光輻射包含輻射，該輻射具有從大約1奈米至大約10奈米的波長(zhǎng)。依據(jù)第四態(tài)樣，電子裝置包含封裝的集成電路，該封裝的集成電路包含集成電路晶粒，其具有主要表面及復(fù)數(shù)個(gè)內(nèi)存單元；制?；衔?，其在該集成電路晶粒的該主要表面上；以及，其中，在該電子裝置暴露至通過在50KeV下、大約200雷得的吸收劑量所特征化的 X-光輻射后，該集成電路包含不超過大約IOOOppm的內(nèi)存單元，其Vt已經(jīng)被不小于該電子裝置的讀取余裕的安置器所改變。


將了解到，為了簡(jiǎn)化及清楚例示起見，圖式中所例示的組件并沒有依據(jù)比例繪示。 舉例來(lái)說(shuō)，一些該組件的尺寸、角度及變曲度，相對(duì)于其它組件，是夸張地例示。并入有本發(fā)明的教示的實(shí)施例是相對(duì)于本文所呈現(xiàn)的圖式，來(lái)加以顯示及描述，其中圖1至圖4為例示包含制?；衔锏碾娮友b置的特別實(shí)施例的圖式；以及圖5為電子裝置暴露于輻射前、或暴露于輻射后，該電子裝置的閾值電壓分布圖。在不同的圖式中使用相同的參考符號(hào)代表類似或相同的項(xiàng)目。
具體實(shí)施方式
本發(fā)明的多種創(chuàng)新教示將特別參考目前的較佳示范實(shí)施例來(lái)加以描述。然而，應(yīng)了解到，此等級(jí)的實(shí)施例僅提供本文的該創(chuàng)新教示的許多有利用途的一些范例。一般而言， 在本發(fā)明的說(shuō)明書中所作成的陳述并沒有必要限制任何所請(qǐng)求的發(fā)明。再者，一些陳述可能適用于一些發(fā)明特征、但卻不適用于其它的發(fā)明特征。如本文中所使用的，”包含”、“包括”、“具有”等用語(yǔ)或任何其它的變化用語(yǔ)，是用來(lái)涵蓋非排除的包含。舉例來(lái)說(shuō)，包含一系列特征的制程、方法、物品、或裝置，并沒有必要僅限制于那些特征、而是可包含其它沒有明白列在或隱含在這種制程、方法、物品、或裝置中的特征。此外，除非有明白地相反說(shuō)明，否則，“或”是指包含的或、而非排除的或。舉例來(lái)說(shuō)，條件A或B是滿足于A是真(或存在)且B是假(或非存在)、A是假(或不存在) 且B是真(或存在)、及A與B均為真(或存在)。并且，所使用的“一”是用來(lái)描述本文所描述的組件及組件。這樣做只是為了方便起見，并且賦予本發(fā)明一般常識(shí)的范圍。此描述應(yīng)解讀為包含一個(gè)或至少一個(gè)，并且，該單數(shù)用法也包含復(fù)數(shù)，反之亦然，除非在本文中有明確地表示相反的意思。舉例來(lái)說(shuō)，當(dāng)本文所描述的是單一裝置時(shí)，則超過一個(gè)裝置可用來(lái)代替單一裝置。類似地，在本文所描述的超過一個(gè)裝置的地方，單一裝置可被那一個(gè)裝置所替換。除非有相反的定義，否則本文所使用的所有技術(shù)及科學(xué)術(shù)語(yǔ)，均與本發(fā)明所屬的技術(shù)領(lǐng)域中具有通常知識(shí)者所共同了解的，具有相同的意義。雖然類似或等效于本文所揭露的那些方法及材料的其它方法及材料，可用來(lái)實(shí)施或測(cè)試本發(fā)明的實(shí)施例，然而，適當(dāng)?shù)姆椒安牧蠈⒃谙挛闹杏兴枋?。此外，該等材料、方法及范圍僅作為例示之用，而非用來(lái)限制本發(fā)明。閃存及其它封裝的集成電路裝置可耦接至用于計(jì)算系統(tǒng)及其它系統(tǒng)中的印刷電路板。制造者可使用成像技術(shù)，以在集成電路裝置或其它電子裝置耦接至該印刷電路板后， 評(píng)估該集成電路裝置的定位、對(duì)準(zhǔn)、連續(xù)性、焊錫連接品質(zhì)、及其它屬性。在一些案例中，這些成像裝置可較傳統(tǒng)裝置發(fā)射更多的輻射。舉例來(lái)說(shuō)，制造者或其它參予者可使用X-光成像裝置，其可在160KeV峰值下，發(fā)射大于大約10雷得(例如，從大約10雷得至大約500雷得)的劑量。由該成像裝置所發(fā)射的該高劑量的輻射，可在耦接至該印刷電路板的電子裝置中，造成外部產(chǎn)生的故障。舉例來(lái)說(shuō)，包含電荷儲(chǔ)存技術(shù)(鏡位或其它電荷陷捕單元)的集成電路，容易受到外部產(chǎn)生的故障(其包含所儲(chǔ)存的電荷的損失)的影響。當(dāng)X-光輻射或其它輻射中所包含的光子或光子流將電子從該集成電路處的電荷儲(chǔ)存單元移位時(shí)，可發(fā)生電荷損失事件， 從而驅(qū)動(dòng)電荷離開該單元。該電荷損失事件可對(duì)該單元中的程序化的位的閾值電壓(Vt)產(chǎn)生不希望的偏移，因此導(dǎo)致劣化資料可讀性及潛在的系統(tǒng)故障。圖1例示電子裝置的特別實(shí)施例。該電子裝置可為包含集成電路晶粒102或其它微芯片的封裝的集成電路100。該封裝的集成電路100也包含制?；衔?04，其在該集成電路晶粒102的主要表面的作用部分112上。在一個(gè)實(shí)施例中，該制?；衔?04可實(shí)質(zhì)圍繞或封閉該集成電路晶粒102。在特別的實(shí)施例中，該封裝的集成電路100可經(jīng)由復(fù)數(shù)個(gè)安置器(mount)(例如， 球柵數(shù)組或針柵數(shù)組)，而耦接至印刷電路板106。在特別的實(shí)施例中，該集成電路晶粒102 可包含電荷儲(chǔ)存結(jié)構(gòu)(未顯示)，例如，鏡位或其它基于電荷陷捕的內(nèi)存。
在另一個(gè)實(shí)施例中，該集成電路晶粒102可包含浮置柵極結(jié)構(gòu)。在例示實(shí)施例中， 該封裝的集成電路100可包含閃存裝置。在例示實(shí)施例中，該制?；衔?04可為包含硅化合物(例如，二氧化硅)的合成物材料。在特別的實(shí)施例中，該制?；衔?04也可包含有機(jī)材料，例如，樹脂或另一種有機(jī)材料。該制?；衔?04也可包含酚硬化劑、催化劑、染料、脫模劑、阻陷劑、另一種組件、
或其組合。在特別的實(shí)施例中，該合成物材料在從大約IKeV至大約IeV的χ-光能量下，可具有大約2000cm2/g至大約5000cm7g的χ-光質(zhì)量吸收系數(shù)，例如，在從大約IKeV至大約 3KeV的χ-光能量下、大約2000cm2/g至大約5000cm2/g的χ-光質(zhì)量吸收系數(shù)。舉例來(lái)說(shuō)， 該合成物材料在大約^feV的χ-光能量下，具有大約3000cm2/g的χ-光質(zhì)量吸收系數(shù)。在范例中，該封裝的集成電路100可包含鋅材料、鋁材料、另一種材料、或任何其組合，其用來(lái)吸收軟X-光，但允許所使用或成像的硬X-光通過。舉例來(lái)說(shuō)，該材料可用來(lái)傳送具有小于大約1奈米的波長(zhǎng)的X-光輻射。舉例來(lái)說(shuō)，軟X-光可包含具有大約1奈米至大約10奈米的波長(zhǎng)、具有不大于大約IOkeV至大約IkeV的能量的χ-光。在一個(gè)范例中， 包含硅的集成電路晶粒可受到大約IeV、5keV、或^ieVdeV是硅的K-邊緣)的能量的傷害。在例示實(shí)施例中，該材料可用來(lái)吸收通過不小于大約10雷得的吸收劑量所特征化的軟 χ-光。舉例來(lái)說(shuō)，該制?；衔?04可包含氧化鋅、硼酸鋅、另一種鋅材料或任何其組合。在特別的實(shí)施例中，該制?；衔?04可在安置器中包含鋅，該鋅相對(duì)于該制?；衔?04具有不小于2重量百分比Qwt% )，例如至少大約5重量百分比(5wt% )鋅。在一個(gè)范例中，該制模化合物104可包含從大約5重量百分比(5wt% )至大約)鋅， 例如，從大約5重量百分比(5wt% )至大約10重量百分比(IOwt % )鋅、從大約10重量百分比(IOwt^ )至大約15重量百分比(15襯％ )鋅、從大約15重量百分比(15襯％ )至大約20重量百分比(20wt% )鋅、或從大約20重量百分比(20wt% )至大約25重量百分比 (25wt% )鋅。在例示實(shí)施例中，該制?；衔?04可包含大約10重量百分比(10Wt% )鋅。舉例來(lái)說(shuō)，該制?；衔锟砂蠹s80重量百分比(80wt% )氧化硅、10重量百分比(10Wt% ) 有機(jī)材料、及大約10重量百分比(10Wt% )鋅材料。如圖1所例示的，該制?；衔?04可包含實(shí)質(zhì)均勻分布的該材料，用來(lái)吸收軟 X-光。或者，該材料可實(shí)質(zhì)分布，以致于該集成電路晶粒102的該作用表面112是在該鋅 (或其它材料)及該集成電路晶粒102中相對(duì)于該作用表面112的另一表面之間。舉例來(lái)說(shuō)，如圖2所例示的，制?；衔?04可包含一層鋅210，其分布于鄰近該封裝的集成電路 100的表面的區(qū)域，例如上表面216，該上表面216可包含模型記號(hào)217或類似的識(shí)別器。 χ-光輻射可從面對(duì)該上表面216的來(lái)源發(fā)射，并且，該鋅或其它化合物可實(shí)質(zhì)分布于該來(lái)源及該集成電路晶粒102之間的區(qū)域。在另一個(gè)實(shí)施例中，如圖3所例示的，該封裝的集成電路100在該集成電路晶粒 102及χ-光來(lái)源之間的涂層310中，可包含鋅或另一種材料。在另外的實(shí)施例中，該封裝的集成電路100可在該封裝的集成電路100的該上表面416之下、但在該集成電路晶粒的該作用表面之上的層410中，包含鋅或另一種材料。該鋅或其它材料可分布于某區(qū)域中，該區(qū)
7域的寬度W大于該集成電路晶粒102的寬度Y，以致于朝該集成電路晶粒102、成某角度移動(dòng)的軟χ-光，將會(huì)被吸收。在一個(gè)實(shí)施例中，用來(lái)吸收軟χ-光的該化合物的濃度是相對(duì)于該制?；衔?104，該濃度是反比于該集成電路晶粒102的厚度。舉例來(lái)說(shuō)，當(dāng)該集成電路晶粒102的厚度 420增加時(shí)，但該封裝的集成電路100的整體尺寸仍實(shí)質(zhì)相同時(shí)，該鋅或其它材料的濃度可因此減少，只要從大約0. 2 μ mol/cm2至大約0. 5 μ mol/cm2 (例如，大約0. 3 μ mol/cm2)的鋅或其它材料是平行于該集成電路晶粒的該作用表面并且在該作用表面及χ-光或其它輻射來(lái)源之間即可。在其它實(shí)例中，可使用具有小于大約0. 2 μ mol/cm2或大于大約0. 5ymol/ cm2的鋅的安置器。該鋅或其它材料所具有的濃度，會(huì)視需要使得該制?；衔锶允峭该鞯摹胪该鞯?、或不透明的。該等以上實(shí)施例已經(jīng)以范例來(lái)加以描述，其中，輻射來(lái)源是較接近集成電路晶粒的該作用表面，而較遠(yuǎn)離該集成電路晶粒的另一表面。本領(lǐng)域中的熟習(xí)技術(shù)者將理解到，以上所描述的實(shí)施例可予以改變，以應(yīng)付例如當(dāng)輻射是從來(lái)源而發(fā)射至該集成電路晶粒102 的非作用表面(例如，表面114，其為該晶粒102的主要表面)。舉例來(lái)說(shuō)，在χ-光輻射是從堆棧的芯片裝置下方(也就是，靠近集成電路晶粒的非作用表面)發(fā)射的情況下，靠近該輻射來(lái)源的低芯片會(huì)比遠(yuǎn)離于該輻射來(lái)源的上芯片，更多受到輻射的傷害。因此，鋅或另一種具有本文所描述的適當(dāng)?shù)摩?光質(zhì)量吸收性質(zhì)的材料，可分布于該輻射來(lái)源與該集成電路晶粒的該非作用表面之間，以致于軟χ-光會(huì)被吸收。舉例來(lái)說(shuō)，大約0. 3 μ mol/cm2鋅或這種其它適當(dāng)材料，可出現(xiàn)在該集成電路晶粒102的其它表面114與χ-光或其它輻射來(lái)源之間。在例示、非限定的實(shí)施例中，該印刷電路板可包含鋅材料，例如，氧化鋅、硼酸鋅、 另一種鋅材料、鋁材料、另一種用來(lái)吸收軟X-光但允許具有用來(lái)成像的波長(zhǎng)的X-光通過的材料、或任何其組合。圖5為電子裝置暴露于輻射前、或暴露于輻射后，該電子裝置的內(nèi)存單元的閾值電壓分布圖。在一個(gè)范例中，該內(nèi)存單元可包含內(nèi)存單元，其在該集成電路中被邏輯性指定為零(程序化的位)或?yàn)橐?抹除的位)。該圖500包含在該電子裝置暴露于輻射前、復(fù)數(shù)個(gè)內(nèi)存單元的初始Vt分布502。該圖500也包含在熱處理后、該復(fù)數(shù)個(gè)內(nèi)存單元的回焊Vt 分布504。該圖包含在該電子裝置暴露至通過在50KeV下、大約400雷得的吸收劑量所特征化的χ-光輻射后、該復(fù)數(shù)個(gè)內(nèi)存單元的Vt分布506。經(jīng)發(fā)現(xiàn)，在特別的實(shí)施例中，如本文所描述的包含鋅材料的電子裝置的復(fù)數(shù)個(gè)內(nèi)存單元的Vt分布(未顯示)可實(shí)質(zhì)符合該回焊Vt分布504。舉例來(lái)說(shuō)，在包含鋅的該電子裝置中，在暴露至該χ-光輻射后，不超過IOOOppm的該內(nèi)存單元被擾動(dòng)。舉例來(lái)說(shuō)，不超過 700ppm(例如，不超過600ppm或不超過450ppm)被擾動(dòng)。在一個(gè)實(shí)施例中，當(dāng)該電子裝置包含鋅材料時(shí)(如本文所描述的)，在該電子裝置暴露至輻射后，內(nèi)存單元的閾值電壓的改變，是小于讀取余裕(例如，有保護(hù)帶的閾值電壓，以允許從抹除位區(qū)分程序化的位。)相反地，在未包含鋅的該電子裝置中，在暴露至該χ-光輻射后，數(shù)以千計(jì)的該內(nèi)存單元會(huì)被擾動(dòng)，以致于他們可產(chǎn)生讀取錯(cuò)誤。此外，Vt分布504可包含飛行者位(flyer bits)，其中，該Vt分布502可沒有包含飛行者位。再者，該電子裝置中不包含鋅的該內(nèi)存單元可在暴露至該χ-光輻射后，展現(xiàn)有限的讀取錯(cuò)誤率。
許多不同態(tài)樣及實(shí)施例均是可能的，那些態(tài)樣及實(shí)施例中的一些將在下文中加以描述。在閱讀此說(shuō)明書后，熟習(xí)技術(shù)者將理解到，那些態(tài)樣及實(shí)施例僅用作例示、而非用以限制本發(fā)明的范圍。舉例來(lái)說(shuō)，依據(jù)第一態(tài)樣，電子裝置包含封裝的集成電路，該封裝的集成電路包含集成電路晶粒，其具有主要表面；以及，制?；衔铮湓谠摷呻娐肪Я５脑撝饕砻嫔?，其中，該封裝的集成電路包含相對(duì)于該制模化合物，至少大約5重量百分比(5wt% )鋅。依據(jù)該第一態(tài)樣的特定實(shí)施例，該制?；衔锇辽俅蠹s5重量百分比 (5wt%)鋅。依據(jù)另外的實(shí)施例，該集成電路晶粒包含相對(duì)于該主要表面的另一表面，其中，該主要表面是設(shè)置在其它表面與該制?；衔镏袑?shí)質(zhì)所有該鋅之間。依據(jù)該第一態(tài)樣的不同特定實(shí)施例，可包含制?；衔铮浒蠹s10wt%鋅； 大約5wt%至大約25wt%鋅；5wt%至大約；10wt%至大約15胃1%鋅；大約15wt% 至大約20wt%鋅；大約20wt%至大約25wt%鋅。依據(jù)該第一態(tài)樣的另一個(gè)特定實(shí)施例，該鋅是實(shí)質(zhì)均勻地分布整個(gè)該制?；衔?。依據(jù)該第一態(tài)樣的另一個(gè)特定實(shí)施例，該鋅是設(shè)置在該制模化合物中、包含該封裝的集成電路的表面的一層中。依據(jù)額外的實(shí)施例，該鋅是包含在該制模化合物的表面上的涂層中。依據(jù)該第一態(tài)樣的另一個(gè)特定實(shí)施例，該鋅是設(shè)置在該制模化合物中、未包含該封裝的集成電路的表面的一層中。依據(jù)該第一態(tài)樣的另一個(gè)特定實(shí)施例，該制模化合物包含氧化鋅、酸鋅或其組合。依據(jù)該第一態(tài)樣的另一個(gè)特定實(shí)施例，該制?；衔锇铣晌锊牧?，該合成物材料包含氧化硅、有機(jī)材料、環(huán)氧樹脂、酚硬化劑、催化劑、染料、脫模劑、阻陷劑、或其組合。依據(jù)該第一態(tài)樣的另一個(gè)特定實(shí)施例，該制?；衔锇Ｐ陀浱?hào)。依據(jù)第二態(tài)樣，電子裝置包含封裝的集成電路，該封裝的集成電路包含集成電路晶粒，其具有主要表面；以及，材料，其在該集成電路的主要表面上，該材料具有大約1000 至10，OOOcmVg的X-光質(zhì)量吸收系數(shù)。依據(jù)特定的實(shí)施例，該第二態(tài)樣復(fù)包含制?；衔?，該制?；衔锇谠撝饕砻嫔系脑摬牧?，其中，該材料在平行于該集成電路晶粒的該主要表面的區(qū)域中包含大約 0.3ymol/Cm2鋅。依據(jù)另外的實(shí)施例，該鋅是分布于輻射來(lái)源與該集成電路晶粒的該主要表面之間。該鋅也可分布在輻射來(lái)源與除了該集成電路晶粒的該主要表面以外的表面之間。依據(jù)第三態(tài)樣，電子裝置包含封裝的集成電路，該封裝的集成電路包含集成電路晶粒，其具有主要表面；以及，制?；衔?，其在該集成電路晶粒的該主要表面上，其中，該制?；衔锇铣晌锊牧?，用來(lái)吸收通過不小于大約10雷得的吸收劑量所特征化的軟 X-光輻射。依據(jù)該第三態(tài)樣的實(shí)施例，該軟X-光輻射包含輻射，該輻射具有從大約1奈米至大約10奈米的波長(zhǎng)。依據(jù)該第三態(tài)樣的另一個(gè)實(shí)施例，該軟χ-光輻射包含X-光輻射，該X-光輻射所具有的能量不大于大約IOkeV jkeV、大約5keV、或大約^ceV。依據(jù)該第三態(tài)樣的另一個(gè)實(shí)施例，該制?；衔锸怯脕?lái)吸收通過從大約10雷得至大約500雷得的吸收劑量所特征化的軟χ-光輻射。
依據(jù)該第三態(tài)樣的另一個(gè)實(shí)施例，該制?；衔锸怯脕?lái)傳送χ-光輻射，該χ-光輻射具有小于大約1奈米的波長(zhǎng)。依據(jù)該第三態(tài)樣的另一個(gè)實(shí)施例，該制模化合物包含氧化鋅、硼酸鋅或其組合。依據(jù)該第三態(tài)樣的另一個(gè)實(shí)施例，該制模化合物包含大約10wt%鋅、或大約 5wt% 至大約 25wt%。依據(jù)第四態(tài)樣，電子裝置包含封裝的集成電路，該封裝的集成電路包含集成電路晶粒，其具有主要表面及復(fù)數(shù)個(gè)內(nèi)存單元；制?；衔?，其在該集成電路晶粒的該主要表面上；以及，其中，在該電子裝置暴露至通過在50KeV下、大約200雷得的吸收劑量所特征化的 X-光輻射后，該集成電路包含不超過大約IOOOppm的內(nèi)存單元，其Vt已經(jīng)被不小于該電子裝置的讀取余裕的安置器所改變。依據(jù)第四態(tài)樣的實(shí)施例，在該電子裝置暴露至通過在50KeV下、大約200雷得的吸收劑量所特征化的X-光輻射后，該集成電路中的該復(fù)數(shù)個(gè)內(nèi)存單元展現(xiàn)不大于700ppm的擾動(dòng)位的數(shù)目。依據(jù)另外的實(shí)施例，在該電子裝置暴露至通過在50KeV下、大約200雷得的吸收劑量所特征化的χ-光輻射后，該集成電路中的該復(fù)數(shù)個(gè)內(nèi)存單元展現(xiàn)不大于450ppm 的擾動(dòng)位的數(shù)目。依據(jù)第四態(tài)樣的另一個(gè)實(shí)施例，該內(nèi)存單元包含程序化的位。該說(shuō)明書及本文所描述的例示實(shí)施例是用來(lái)提供該等不同實(shí)施例的結(jié)構(gòu)的一般性了解。該說(shuō)明書及例示并非用來(lái)當(dāng)作完全及詳盡描述使用本文所描述的結(jié)構(gòu)及方法的裝置及系統(tǒng)的所有組件及特征。對(duì)于本領(lǐng)域中熟習(xí)技術(shù)者而言，在看過該揭露后，許多其它的實(shí)施例將是明顯的。可從該揭露使用及推衍其它實(shí)施例，以致于可作出結(jié)構(gòu)替換、邏輯替換、或另一種改變，而不致于背離本揭露的范圍。因此，該揭露應(yīng)視為例示、而非限制。為了清楚起見，本文在不同實(shí)施例中所描述的特定特征可在單一實(shí)施例中予以結(jié)合。相反地，為了簡(jiǎn)潔起見，單一實(shí)施例中所描述的不同特征，也可在次組合中分別提供。此夕卜，范圍中所陳述的數(shù)值包含該范圍內(nèi)的每一及所有數(shù)值。好處、其它優(yōu)點(diǎn)、及對(duì)問題的解決方案，已在以上依據(jù)特定的實(shí)施例而加以描述。 然而，好處、優(yōu)點(diǎn)、對(duì)問題的解決方案、及可引起任何好處、優(yōu)點(diǎn)、或解決方案發(fā)生或變得明顯的特征，均不被解讀為任何或所有權(quán)利要求的關(guān)鍵的、必需的、或主要的特征。以上所揭露的標(biāo)的是例示的、且非限制的，并且，該附隨的權(quán)利要求是用來(lái)涵蓋落入本發(fā)明的范圍的任何及所有這種修正、加強(qiáng)、及其它實(shí)施例。因此，就法律所能允許的最大程度而言，本發(fā)明的范圍是由上述的權(quán)利要求及其均等物的最廣可容許解讀來(lái)決定，而并非由先前的詳細(xì)描述所局限或限制。
權(quán)利要求
1.一種電子裝置，包含封裝的集成電路(100)，包含集成電路晶粒(132)，具有主要表面；以及制?；衔?104)，在該集成電路晶粒的該主要表面上；其中，該封裝的集成電路(100)包含相對(duì)于該制?；衔镏辽俅蠹s5重量百分比 (5wt% )鋅。
2.如權(quán)利要求1、10、14-16、21及四-32所述的電子裝置，其中，該制模化合物(104)包含至少大約5重量百分比(5wt% )鋅。
3.如權(quán)利要求2-10、14-16及21-32所述的電子裝置，其中，該集成電路晶粒(102)包含相對(duì)于該主要表面的另一表面，并且其中，該主要表面是設(shè)置于其它表面與實(shí)質(zhì)上該制?；衔镏械乃性撲\O10)之間。
4.如權(quán)利要求1及21所述的電子裝置，其中，該制模化合物(104)包含大約IOwt%鋅。
5.如權(quán)利要求1、14-16及21-32所述的電子裝置，其中，該制?；衔锇瑥拇蠹s 5wt% 至大約 25wt%。
6.如權(quán)利要求5、21及32所述的電子裝置，其中，該制?；衔?104)包含從大約 5wt%至大約IOwt%鋅。
7.如權(quán)利要求5、21及32所述的電子裝置，其中，該制?；衔?104)包含從大約 5wt%至大約15wt%鋅。
8.如權(quán)利要求5、21及32所述的電子裝置，其中，該制?；衔?104)包含從大約 15wt%至大約20wt%鋅。
9.如權(quán)利要求5、21及32所述的電子裝置，其中，該制模化合物包含從大約20wt%至大約25wt%鋅。
10.如權(quán)利要求1、14-16及21-32所述的電子裝置，其中，該鋅是實(shí)質(zhì)均勻地分布整個(gè)該制模化合物(104)。
11.如權(quán)利要求1、14_16及21-32所述的電子裝置，其中，該鋅(210)是設(shè)置于一層該制?；衔镏?，該層制?；衔锇摲庋b的集成電路的表面。
12.如權(quán)利要求11、14-16及21-32所述的電子裝置，其中，該鋅(310)是包含在該制?；衔锏谋砻嫔系耐繉又?。
13.如權(quán)利要求1、14-16及21-32所述的電子裝置，其中，該鋅010)設(shè)置于一層該制?；衔镏?，該層制?；衔镂窗摲庋b的集成電路的表面。
14.如權(quán)利要求1所述的電子裝置，其中，該制?；衔?104)包含氧化鋅、硼酸鋅或其組合。
15.如權(quán)利要求1所述的電子裝置，其中，該制?；衔?104)包含合成物材料，該合成物材料包含氧化硅、有機(jī)材料、環(huán)氧樹脂、酚硬化劑、催化劑、染料、脫模劑、阻陷劑或其組I=I O
16.如權(quán)利要求1所述的電子裝置，其中，該制?；衔锇Ｐ陀浱?hào)。
17.一種電子裝置，包含封裝的集成電路(100)，包含集成電路晶粒(102)，具有主要表面；以及材料(104)，在該集成電路的主要表面上，具有大約1000至10，OOOcmVg的x_光質(zhì)量吸收系數(shù)。
18.如權(quán)利要求17所述的電子裝置，復(fù)包含制?；衔?104)，其包含在該主要表面上的該材料，其中，該材料在與該集成電路晶粒的該主要表面平行的區(qū)域中包含大約 0. 3 μ mol/cm2 鋅。
19.如權(quán)利要求18所述的電子裝置，其中，該鋅是分布于輻射來(lái)源與該集成電路晶粒的該主要表面之間。
20.如權(quán)利要求18所述的電子裝置，其中，該鋅是分布于輻射來(lái)源與除了該集成電路晶粒的該主要表面以外的表面之間。
21.一種電子裝置，包含封裝的集成電路(100)，包含集成電路晶粒(102)，具有主要表面；以及制?；衔?104)，在該集成電路晶粒(10 的該主要表面上，其中，該制?；衔?(104)包含合成物材料，用于吸收通過不小于大約10雷得的劑量所特征化的軟χ-光輻射。
22.如權(quán)利要求21所述的電子裝置，其中，該軟χ-光輻射所包含的輻射具有從大約1 奈米至大約10奈米的波長(zhǎng)。
23.如權(quán)利要求21所述的電子裝置，其中，該軟χ-光輻射所包含的χ-光輻射具有不大于大約IOkeV的能量。
24.如權(quán)利要求21所述的電子裝置，其中，該軟χ-光輻射所包含的χ-光輻射具有不大于大約^eV的能量。
25.如權(quán)利要求21所述的電子裝置，其中，該軟χ-光輻射所包含的χ-光輻射具有不大于大約^eV的能量。
26.如權(quán)利要求21所述的電子裝置，其中，該軟χ-光輻射所包含的χ-光輻射具有不大于大約^eV的能量。
27.如權(quán)利要求21所述的電子裝置，其中，該制?；衔?104)是用于吸收通過從大約 10雷得至大約500雷得的劑量所特征化的軟X-光輻射。
28.如權(quán)利要求21所述的電子裝置，其中，該制?；衔?104)是用來(lái)傳送χ-光輻射， 其具有小于大約1奈米的波長(zhǎng)。
29.一種電子裝置，包含封裝的集成電路(100)，包含集成電路晶粒(102)，具有主要表面及復(fù)數(shù)個(gè)內(nèi)存單元；制模化合物(104)，在該集成電路晶粒(10 的該主要表面上；以及其中，在該電子裝置暴露至通過在50KeV下、大約200雷得的吸收劑量所特征化的 χ-光輻射后，該集成電路包含不超過大約IOOOppm內(nèi)存單元，該內(nèi)存單元的Vt已經(jīng)改變的量不小于該電子裝置的讀取余裕。
30.如權(quán)利要求四所述的電子裝置，其中，該集成電路中的該復(fù)數(shù)個(gè)內(nèi)存單元，在該電子裝置暴露至通過在50KeV下、200雷得的吸收劑量所特征化的χ-光輻射后，所展現(xiàn)的擾動(dòng)位的數(shù)目不大于大約700ppm。
31.如權(quán)利要求30所述的電子裝置，其中，該集成電路中的該復(fù)數(shù)個(gè)內(nèi)存單元，在該電子裝置暴露至通過在50KeV下、200雷得的吸收劑量所特征化的χ-光輻射后，所展現(xiàn)的擾動(dòng)位的數(shù)目不大于大約450ppm。
32.如權(quán)利要求四所述的電子裝置，其中，該內(nèi)存單元包含程序化的位。
全文摘要
一種電子裝置包含封裝的集成電路(100)，該封裝的集成電路(100)具有集成電路晶粒(102)及制?；衔?104)，該集成電路晶粒具有作用表面(112)，該制?；衔?104)在該集成電路晶粒的該作用表面(112)上。在特別的實(shí)施例中，該封裝的集成電路(100)包含相對(duì)于該制?；衔?114)至少大約5重量百分比(5wt％)鋅。在另一個(gè)實(shí)施例中，該封裝的集成電路(100)在與該集成電路晶粒(102)的該作用表面平行的區(qū)域中包含大約0.3μmol/cm2鋅。
文檔編號(hào)H01L23/29GK102484107SQ201080029411
公開日2012年5月30日 申請(qǐng)日期2010年6月23日 優(yōu)先權(quán)日2009年6月29日
發(fā)明者A·D·弗戈?duì)? D·S·萊托尼恩, R·C·布萊什二世 申請(qǐng)人:斯班遜有限公司