專利名稱：基板的面粗化方法、光電動勢裝置的制造方法、光電動勢裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種基板的面粗化方法、光電動勢裝置的制造方法、光電動勢裝置，特別是涉及一種用于通過入射光的散射來降低光的反射從而使光有效地吸收到裝置內(nèi)由此實(shí)現(xiàn)高效化的基板的面粗化方法以及使用該方法的光電動勢裝置的制造方法、光電動勢裝置。
背景技術(shù)：
在作為光電動勢裝置的薄膜硅太陽能電池中，有頂襯(superstrate)型薄膜硅太陽能電池和底襯(substrate)型薄膜硅太陽能電池，在撓性太陽能電池以外的一般的太陽能電池中使用頂襯型薄膜硅太陽能電池的情況較多。在此，頂襯型薄膜硅太陽能電池在與玻璃等的透光性基板的受光面相反的一側(cè)，依次具備透明導(dǎo)電膜、具有Pin結(jié)的一層或多層光發(fā)電層、透明導(dǎo)電膜、以及由金屬材料構(gòu)成的背面整面電極。底襯型薄膜硅太陽能電池在金屬等的基板上具備透明導(dǎo)電膜、具有Pin結(jié)的一層或多層光發(fā)電層、透明導(dǎo)電膜以及柵電極，柵電極側(cè)成為受光面。為了實(shí)現(xiàn)太陽能電池的高效化，需要使光發(fā)電層有效地吸收入射到太陽能電池的光，但是通常在這些薄膜太陽能電池中也以防止所入射的表面處的光反射為目的而形成紋理結(jié)構(gòu)。從耐氣候性的觀點(diǎn)來看，難以在頂襯型薄膜硅太陽能電池的光入射側(cè)形成紋理結(jié)構(gòu)，因此通常在玻璃基板與光發(fā)電層之間形成紋理結(jié)構(gòu)。紋理結(jié)構(gòu)的形成方法有例如專利文獻(xiàn)1所記載那樣將紋理結(jié)構(gòu)形成于玻璃基板的方法、和例如專利文獻(xiàn)2所記載那樣將紋理結(jié)構(gòu)形成于透明導(dǎo)電膜的方法。在專利文獻(xiàn)1中記載了如下方法通過噴鍍法等而在透光性基板上將氧化錫的圖案形成為粒狀，并將該圖案作為蝕刻掩膜而對透光性基板進(jìn)行蝕刻，在該透光性基板的表面形成凹凸形狀。在專利文獻(xiàn)2中記載了如下方法通過蒸鍍而在玻璃基板上形成透明導(dǎo)電膜，之后，對透明導(dǎo)電膜實(shí)施利用酸溶液進(jìn)行的蝕刻，由此使凹凸面形成于透明導(dǎo)電膜。 另外，作為使紋理結(jié)構(gòu)形成于透明導(dǎo)電膜的方法，還有利用透明導(dǎo)電膜的成膜條件來形成凹凸形狀的方法。另外，作為使紋理結(jié)構(gòu)形成于基板的其它方法，例如在專利文獻(xiàn)3、專利文獻(xiàn)4中示出了使用噴砂加工而在透明絕緣性基板的表面形成凹凸形狀的方法。另一方面，在專利文獻(xiàn)5中記載了如下方法作為降低晶體硅太陽能電池中的光反射率的方案，將薄膜作為掩膜并利用激光在硅基板上形成點(diǎn)狀的開口部，進(jìn)而進(jìn)行各向同性濕蝕刻，由此形成半球狀的凹凸形狀。在玻璃基板的光發(fā)電層側(cè)設(shè)置凹凸形狀的情況下，存在如下問題該凹凸形狀的形狀對薄膜硅光發(fā)電層的特性產(chǎn)生較大的影響。在晶體硅太陽能電池中使用的凹凸形狀一般是例如凸部以直線性的斜面形成的金字塔結(jié)構(gòu)、或相反地凹部形成金字塔形狀的倒金字塔結(jié)構(gòu)等。另外，在由曲面形成凹凸形狀的情況下，考慮凸部為圓曲面的突起狀凹凸形狀、或相反地凹部以拋物線狀成為圓曲面的形狀。在任一形狀下都能期待降低光反射率的效果，但是根據(jù)形狀而涉及到特性降低。 艮口，在由平面構(gòu)成凹凸形狀的斜面的情況下、或突起狀的凹凸形狀的情況下，在凹部可形成兩面交叉的鑰匙型部(key-shaped portion)。在薄膜硅太陽能電池中確認(rèn)了以下情形如果在光發(fā)電層的形成面存在兩面交叉的鑰匙型部，則在其上的光發(fā)電層的形成時，產(chǎn)生硅從各面一邊交叉一邊生長的部分，在其交叉部處容易產(chǎn)生缺陷，因此特性降低。因而，在該玻璃基板與光發(fā)電層之間設(shè)置凹凸形狀的情況下，理想的是規(guī)則地排列有拋物線狀的凹凸形狀的結(jié)構(gòu)。專利文獻(xiàn)1 日本特開昭59-123279號公報專利文獻(xiàn)2 日本特開2003-115599號公報專利文獻(xiàn)3 日本特開平9-199745號公報專利文獻(xiàn)4 日本特開平7-122764號公報專利文獻(xiàn)5 日本特開2008-227070號公報

發(fā)明內(nèi)容
然而，如專利文獻(xiàn)1所記載那樣在透光性基板上形成使粒子分散而成的圖案而將該圖案作為蝕刻掩膜對透光性基板進(jìn)行蝕刻的方法中，雖然能夠通過蝕刻將凹部的角弄成圓形，但是無法控制凹凸形狀。另外，在粒子稀疏地分散了的部分中，凹部變得平坦，光反射防止效果變小。另一方面，在粒子稠密地分散了的部分中，在光發(fā)電層的形成時形成硅從各面一邊交叉一邊生長的部分，涉及到特性降低。另外，如專利文獻(xiàn)2所記載那樣使凹凸形狀形成于透明導(dǎo)電膜的方法中，由于無法充分地控制凹凸形狀，因此在形成光發(fā)電層時形成硅從各面一邊交叉一邊生長的部分， 從而形成硅的缺陷，涉及到特性降低。另外，無法形成如相對于凹凸形狀的間距以某一程度的縱橫比具有深度那樣的光反射率的降低效果大的凹凸形狀。另外，在如專利文獻(xiàn)3、專利文獻(xiàn)4所記載那樣使用噴砂在基板的表面形成凹凸形狀的方法中，由于無法充分地控制凹凸形狀，因此在形成光發(fā)電層時形成硅從各面一邊交叉一邊生長的部分，從而形成硅的缺陷，涉及到特性降低。另外，在將如專利文獻(xiàn)5所記載那樣把薄膜作為掩膜而利用激光使點(diǎn)狀的開口部形成于硅基板并進(jìn)一步進(jìn)行各向同性濕蝕刻的方法適用于薄膜太陽能電池的玻璃基板的情況下，有時由于紋理凸部成為銳角，并在形成光發(fā)電層時在作為光發(fā)電層的硅薄膜中容易產(chǎn)生缺陷，因此特性降低。本發(fā)明是鑒于上述情況而完成的，其目的在于得到一種以不引發(fā)形成于上層的半導(dǎo)體層的缺陷的產(chǎn)生的方式能夠均勻地進(jìn)行基板表面的細(xì)微的面粗化的基板的面粗化方法以及使用該方法的光電動勢裝置的制造方法、光電動勢裝置。為了解決上述問題并達(dá)到目的，本發(fā)明所涉及的基板的面粗化方法的特征在于， 包括第一工序，在透光性基板的表面形成保護(hù)膜；第二工序，使以固定的間距有規(guī)則地排列的多個開口形成于所述保護(hù)膜，從而使所述透光性基板的表面露出；第三工序，將形成有所述開口的所述保護(hù)膜作為掩膜，對于所述透光性基板中的形成有所述保護(hù)膜的面，在所述保護(hù)膜具有抗性的條件下實(shí)施各向同性蝕刻，在所述透光性基板的表面形成大致均勻地設(shè)置呈大致半球狀的凹陷而成的拋物線狀的凹凸形狀；以及第四工序，去除所述保護(hù)膜，其中，在所述第四工序中，在形成所述拋物線狀的凹凸形狀之后繼續(xù)進(jìn)行所述各向同性蝕刻， 從所述透光性基板剝離所述保護(hù)膜，并且對所述拋物線狀的凹凸形狀中的凸部的頂端部實(shí)施圓形加工。根據(jù)本發(fā)明，起到如下效果以不引發(fā)形成于上層的半導(dǎo)體層的缺陷的產(chǎn)生的方式，能夠均勻地進(jìn)行基板表面的細(xì)微的面粗化。


圖1是示意性地表示利用本發(fā)明的實(shí)施方式1所涉及的基板的面粗化方法實(shí)施了表面的面粗化的玻璃基板的截面圖。圖2是示意性地表示本發(fā)明的實(shí)施方式1所涉及的薄膜硅太陽能電池的結(jié)構(gòu)的截面圖。圖3是用于說明本發(fā)明的實(shí)施方式1所涉及的薄膜硅太陽能電池的制造方法的流程圖。圖4-1是用于說明本發(fā)明的實(shí)施方式1所涉及的薄膜硅太陽能電池的制造方法的截面圖。圖4-2是用于說明本發(fā)明的實(shí)施方式1所涉及的薄膜硅太陽能電池的制造方法的截面圖。圖4-3是用于說明本發(fā)明的實(shí)施方式1所涉及的薄膜硅太陽能電池的制造方法的截面圖。圖4-4是用于說明本發(fā)明的實(shí)施方式1所涉及的薄膜硅太陽能電池的制造方法的截面圖。圖4-5是用于說明本發(fā)明的實(shí)施方式1所涉及的薄膜硅太陽能電池的制造方法的截面圖。圖4-6是用于說明本發(fā)明的實(shí)施方式1所涉及的薄膜硅太陽能電池的制造方法的截面圖。圖4-7是用于說明本發(fā)明的實(shí)施方式1所涉及的薄膜硅太陽能電池的制造方法的截面圖。圖4-8是用于說明本發(fā)明的實(shí)施方式1所涉及的薄膜硅太陽能電池的制造方法的截面圖。圖5是用于說明本發(fā)明的實(shí)施方式2所涉及的薄膜硅太陽能電池的制造方法的流程圖。圖6-1是用于說明本發(fā)明的實(shí)施方式2所涉及的薄膜硅太陽能電池的制造方法的截面圖。圖6-2是用于說明本發(fā)明的實(shí)施方式2所涉及的薄膜硅太陽能電池的制造方法的截面圖。圖6-3是用于說明本發(fā)明的實(shí)施方式2所涉及的薄膜硅太陽能電池的制造方法的截面圖。圖6-4是用于說明本發(fā)明的實(shí)施方式2所涉及的薄膜硅太陽能電池的制造方法的截面圖。圖6-5是用于說明本發(fā)明的實(shí)施方式2所涉及的薄膜硅太陽能電池的制造方法的截面圖。圖6-6是用于說明本發(fā)明的實(shí)施方式2所涉及的薄膜硅太陽能電池的制造方法的截面圖。圖6-7是用于說明本發(fā)明的實(shí)施方式2所涉及的薄膜硅太陽能電池的制造方法的截面圖。圖6-8是用于說明本發(fā)明的實(shí)施方式2所涉及的薄膜硅太陽能電池的制造方法的截面圖。圖6-9是用于說明本發(fā)明的實(shí)施方式2所涉及的薄膜硅太陽能電池的制造方法的截面圖。附圖標(biāo)記說明1 玻璃基板；Ia 玻璃基板；2 透明電極層；3 第一光發(fā)電層；4 第二光發(fā)電層； 5 背面透明導(dǎo)電膜；6 背面金屬電極層；11 紋理凹陷；12 抗蝕刻性膜；1 細(xì)微開口。
具體實(shí)施例方式下面，根據(jù)附圖詳細(xì)說明本發(fā)明所涉及的基板的面粗化方法、光電動勢裝置的制造方法、光電動勢裝置的實(shí)施方式。此外，本發(fā)明并不限定于以下的記載，在不脫離本發(fā)明的宗旨的范圍內(nèi)能夠適當(dāng)?shù)剡M(jìn)行變更。另外，在以下示出的附圖中，為了便于理解，存在各部件的比例尺與實(shí)際不同的情況。各附圖間也是同樣的。實(shí)施方式1.圖1是適應(yīng)性地表示利用實(shí)施方式1所涉及的基板的面粗化方法實(shí)施了表面的面粗化的玻璃基板1的截面圖。該玻璃基板1是作為光電動勢裝置的薄膜硅太陽能電池用的透光性基板。在該玻璃基板1的一面?zhèn)鹊谋砻?，作為紋理結(jié)構(gòu)大致均勻地設(shè)置有孔間平均間距大約為5 μ m左右的呈大致半球狀的紋理凹陷11，從而形成拋物線狀的凹凸形狀。在此，紋理結(jié)構(gòu)是指設(shè)置于玻璃基板1的表面的凹凸結(jié)構(gòu)，在抑制反射光方面有效。通過形成紋理結(jié)構(gòu)能夠抑制反射光，能夠提高光電轉(zhuǎn)換效率。另外，在該拋物線狀的凹凸形狀中，被設(shè)成凹凸高低差(從凹部的底部到凸部的頂端為止的高度的平均)為孔間間距的一半左右的半球狀。這種拋物線狀的凹凸形狀的紋理結(jié)構(gòu)的光反射率低，形成薄膜硅薄膜太陽能電池時的光封閉效果大。并且，形成于該玻璃基板1的表面的紋理結(jié)構(gòu)為拋物線狀的凹凸形狀，并且拋物線狀的凹凸形狀的凸部的頂端部的形狀成為帶有圓形的平滑的形狀。由此，在使用該玻璃基板1形成薄膜硅薄膜太陽能電池時，能夠防止由在玻璃基板1的上層經(jīng)由透明電極層2 形成的光發(fā)電層中的紋理結(jié)構(gòu)引起的缺陷的產(chǎn)生，能夠防止由紋理結(jié)構(gòu)引起的光電轉(zhuǎn)換特性的降低。圖2是示意性地表示使用圖1所示的玻璃基板1通過本實(shí)施方式所涉及的光電動勢裝置的制造方法而形成的實(shí)施方式1所涉及的薄膜硅太陽能電池的結(jié)構(gòu)的截面圖。如圖 2所示，本實(shí)施方式所涉及的薄膜硅太陽能電池具有依次層疊如下部分而得到的結(jié)構(gòu)作為透光性基板的玻璃基板1 ；形成在玻璃基板1上的成為第一電極層的透明電極層2 ；形成在透明電極層2上的作為第一薄膜半導(dǎo)體層的第一光發(fā)電層3 ；形成在第一光發(fā)電層3上的作為第二薄膜半導(dǎo)體層的第二光發(fā)電層4 ；形成在第二光發(fā)電層4上的背面透明導(dǎo)電膜 5 ；形成在背面透明導(dǎo)電膜5上的成為第二電極層的背面金屬電極層6。透光性基板使用玻璃、透明樹脂、塑料、石英等的各種具有透光性的絕緣基板。在本實(shí)施方式中使用玻璃基板1。透明電極層2由透光性導(dǎo)電材料構(gòu)成，能夠使用氧化錫(SnO2)、氧化鋅(SiO)、氧化銦錫(ITOdndium Tin Oxide)等的透明性導(dǎo)電膜。此外，也可以在膜中添加微量的雜質(zhì)。以沿著玻璃基板1的表面的紋理結(jié)構(gòu)的形狀而形成了透明電極層2，該紋理結(jié)構(gòu)使所入射的陽光散射，具有提高光發(fā)電層3中的光利用效率的功能。這種透明電極層2能夠通過濺射法、電子束堆積法、常壓化學(xué)氣相沉積(CVD Chemical Vapor Deposition)法、低壓CVD法、有機(jī)金屬化學(xué)氣相沉積法(MOCVD :Metal Organic Chemical Vapor Deposition)法、溶膠-凝膠法、印刷法、噴鍍法等各種方法來制作。作為第一光發(fā)電層3、第二光發(fā)電層4，例如使用晶體硅類半導(dǎo)體膜或者非晶硅類半導(dǎo)體膜，從透明電極層2側(cè)起分別包括ρ型-i型-η型的三層結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體膜。即，各光發(fā)電層形成有從透明電極層2側(cè)起層疊作為第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層的ρ型半導(dǎo)體層、作為第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層的i型半導(dǎo)體層、作為第三導(dǎo)電型半導(dǎo)體層的η型半導(dǎo)體層而成的層疊膜。這些光發(fā)電層一般使用等離子體CVD法、熱CVD法等來堆積形成。在本實(shí)施方式中，作為第一光發(fā)電層3，具備分別由非晶硅(α-Si)構(gòu)成的ρ型半導(dǎo)體層、i型半導(dǎo)體層、η型半導(dǎo)體層。另外，作為第二光發(fā)電層4，具備分別由微晶硅構(gòu)成的P型半導(dǎo)體層、i型半導(dǎo)體層、η型半導(dǎo)體層。第一光發(fā)電層3的厚度為500 μ m，第二光發(fā)電層4的厚度為2. 5μπι，設(shè)為具有共計3μπι的厚度的串聯(lián)(tandem)結(jié)構(gòu)的光發(fā)電層。背面透明導(dǎo)電膜5由透光性導(dǎo)電材料構(gòu)成，能夠使用氧化錫(Sn02)、氧化鋅 (ZnO)、ΙΤ0等的透明性導(dǎo)電膜。此外，也可以在背面透明導(dǎo)電膜5的膜中添加微量的雜質(zhì)。 背面透明導(dǎo)電膜5防止元素從背面金屬電極層6向第二光發(fā)電層4擴(kuò)散。關(guān)于背面透明導(dǎo)電膜5的制法，能夠通過濺射法、常壓CVD法、減壓CVD法、MOCVD法、電子束蒸鍍法、溶膠-凝膠法、電結(jié)晶(electrocrystallization)法、噴鍍法等的公知方法來制作。背面金屬電極層6作為背面電極而發(fā)揮功能，并且作為反射未被光電轉(zhuǎn)換層吸收的光而使其再次返回到光電轉(zhuǎn)換層的反射層而發(fā)揮功能，因此有助于提高光電轉(zhuǎn)換效率。 因而，背面金屬電極層6的光反射率越大且導(dǎo)電率越高則越好。背面金屬電極層6例如能夠利用可見光反射率高的銀(Ag)、鋁(Al)、鈦(Ti)或鈀等的金屬材料、或者這些金屬材料的合金、這些金屬材料的氮化物、這些金屬材料的氧化物等來形成。此外，這些背面金屬電極層6的具體材料并非是被特別限定的，而能夠從公知的材料中適當(dāng)?shù)剡M(jìn)行選擇來使用。如上所述，在實(shí)施方式1所涉及的薄膜硅薄膜太陽能電池中，在玻璃基板1的一面?zhèn)鹊谋砻?，作為紋理結(jié)構(gòu)而大致均勻地設(shè)置有孔間平均間距大約為5 μ m左右的呈大致半球狀的紋理凹陷11，從而形成有拋物線狀的凹凸形狀。通過具備這種拋物線狀的凹凸形狀的紋理結(jié)構(gòu)，光反射率低，能夠得到良好的光封閉效果。另外，在該拋物線狀的凹凸形狀中，凹凸形狀的凸部的頂端部的形狀為帶有圓形的平滑的形狀。由此，防止由紋理結(jié)構(gòu)引起的光發(fā)電層的缺陷的產(chǎn)生，防止由紋理結(jié)構(gòu)引起的光電轉(zhuǎn)換特性的降低。因而，根據(jù)實(shí)施方式1所涉及的薄膜硅太陽能電池，實(shí)現(xiàn)了光電轉(zhuǎn)換特性優(yōu)良的薄膜硅太陽能電池。接著，參照圖3和圖4-1 圖4-8來說明如上所述構(gòu)成的本實(shí)施方式所涉及的薄膜硅太陽能電池的制造方法。圖3是用于說明實(shí)施方式1所涉及的薄膜硅太陽能電池的制造方法的流程圖。圖4-1 圖4-8是用于說明實(shí)施方式1所涉及的薄膜硅太陽能電池的制造方法的截面圖。首先，對作為進(jìn)行基板表面的面粗化的對象的玻璃基板Ia進(jìn)行清洗，在一面?zhèn)鹊谋砻嫘纬蓪τ诤笫龅奈g刻具有抗蝕刻性的膜(以下稱為抗蝕刻性膜)12來作為保護(hù)膜(步驟 S10,圖 4-1)。在本實(shí)施方式中，通過使用了硅烷氣體和氫氣的等離子體CVD法來形成非晶硅 (α-Si)薄膜，而作為抗蝕刻性膜12。在后述的蝕刻中使用氫氟酸的情況下，由于非晶硅對于氫氟酸具有良好的抗蝕刻性，因此優(yōu)選作為針對薄膜硅太陽能電池的玻璃基板Ia的蝕刻掩膜。另外，非晶硅能夠通過與之后的形成由硅薄膜構(gòu)成的光發(fā)電層的工藝中使用的裝置相同的裝置形成，因此能夠降低工藝成本。另外，抗蝕刻性膜12的膜厚優(yōu)選為50nm 300·。如果抗蝕刻性膜12的膜厚為 50nm以上，則在之后的工序中對玻璃基板Ia的形成有抗蝕刻性膜12的一側(cè)的一面實(shí)施蝕刻時即使抗蝕刻性膜被去掉一些，也可靠地作為抗蝕刻性膜而發(fā)揮功能。另外，如果抗蝕刻性膜12的膜厚為300nm以下，則在之后的工序中能夠?qū)刮g刻性膜12可靠地實(shí)施細(xì)微孔加工。接著，通過激光加工對抗蝕刻性膜12實(shí)施細(xì)微孔加工。即，通過激光加工，使按照一定的間距有規(guī)則地排列的多個開口形成于抗蝕刻性膜12。在本實(shí)施方式中，對抗蝕刻性膜12照射具有紫外線的波長的激光，在抗蝕刻性膜12中在例如按照5 μ m間距排列的正三角形的頂點(diǎn)處形成直徑大約為Ιμπι的多個細(xì)微開口 12a(步驟S20，圖4-2)。硅類薄膜針對紫外線或可見光線等波長比較短的光的吸收大。因此，優(yōu)選具有紫外線的波長的激光來作為用于形成細(xì)微開口 1 的激光。設(shè)激光的光點(diǎn)系統(tǒng)為1 μ m 5 μ m左右，細(xì)微開口 1 的間距為2μπ ΙΟμπ 左右。例如在激光的光點(diǎn)系統(tǒng)為Iym左右的情況下，為了在后述的蝕刻工序中直至經(jīng)由細(xì)微開口 1 接觸各紋理凹陷11為止進(jìn)行蝕刻來形成拋物線狀的凹凸形狀，優(yōu)選細(xì)微開口 12a 的間距為2μπι以上。為了通過后述的各向同性蝕刻來形成拋物線狀的凹凸形狀，需要從細(xì)微開口 1 向橫向進(jìn)行蝕刻，但由于通常的激光的光點(diǎn)直徑的下限為Iym左右，因此在細(xì)微開口 12a的間距為2 μ m以上時能夠形成適當(dāng)?shù)膾佄锞€狀的凹凸。另外，如果細(xì)微開口 12a 的間距太大，則形成凹凸形狀時花費(fèi)時間，因此細(xì)微開口 12a的間距的上限最大為ΙΟμπ 左右，優(yōu)選為5 μ m左右。接著，將實(shí)施了細(xì)微孔加工的抗蝕刻性膜12作為掩膜，對玻璃基板Ia的形成有抗蝕刻性膜12的一側(cè)的一面實(shí)施蝕刻，形成紋理凹陷11 (步驟S30，圖4-3)。作為蝕刻，實(shí)施例如使用了氫氟酸的濕蝕刻，通過將玻璃基板Ia的形成有抗蝕刻性膜12的一側(cè)的一面浸滯到氫氟酸中來進(jìn)行。通過細(xì)微開口 1 利用氫氟酸對玻璃基板Ia的形成有抗蝕刻性膜 12的一側(cè)的一面中的形成有細(xì)微開口 12a的區(qū)域及其周圍區(qū)域進(jìn)行各向同性蝕刻，形成紋理凹陷11。由此，在玻璃基板Ia的表面形成拋物線狀的凹凸形狀，得到紋理結(jié)構(gòu)。
此外，利用氫氟酸對作為抗蝕刻性膜12的非晶硅薄膜進(jìn)行蝕刻時，在容易引起膜剝離的情況下，也可以預(yù)先通過噴砂等而將玻璃基板Ia的表面進(jìn)行面粗化。之后，進(jìn)行抗蝕刻性膜12的去除以及拋物線狀的凹凸形狀中的凸部的頂端的圓形加工(步驟S40，圖4-4)。在此，在形成拋物線狀的凹凸形狀之后也繼續(xù)利用氫氟酸進(jìn)行各向同性蝕刻從而進(jìn)行過蝕刻(over etching)。進(jìn)行過蝕刻直至如下通過使抗蝕刻性膜 12與玻璃基板Ia的接觸部消失從而使抗蝕刻性膜12從玻璃基板Ia剝離，并且拋物線狀的凹凸形狀中的凸部的頂端部的形狀帶有平滑的圓形而沒有銳利的凸部。由此，抗蝕刻性膜 12從玻璃基板Ia剝離而被去除，得到形成有紋理結(jié)構(gòu)的玻璃基板1。但是，為了防止僅通過過蝕刻無法去除抗蝕刻膜的情形或者剝離膜的產(chǎn)生，也可以在過蝕刻后，一并利用基于氫氟酸與硝酸的混合液進(jìn)行的處理。接著，通過公知的方法，在玻璃基板Ia中的形成有拋物線狀的凹凸形狀的面，形成透明電極層2 (步驟S50，圖4- 。例如，通過濺射法，在玻璃基板Ia上形成由氧化鋅 (ZnO)膜構(gòu)成的透明電極層2。另外，作為成膜方法，也可以使用CVD法等其它成膜方法。接著，例如通過等離子體CVD法，在透明電極層2上依次層疊形成由非晶硅 (α-Si)構(gòu)成的ρ型半導(dǎo)體層、i型半導(dǎo)體層以及η型半導(dǎo)體層而作為第一光發(fā)電層3。接著，例如通過等離子體CVD法，在第一光發(fā)電層3上依次層疊形成由微晶硅構(gòu)成的ρ型半導(dǎo)體層、i型半導(dǎo)體層以及η型半導(dǎo)體層而作為第二光發(fā)電層4(步驟S60，圖4-6)。在本實(shí)施方式中，形成由厚度為500 μ m的第一光發(fā)電層3和厚度為2. 5 μ m的第二光發(fā)電層4構(gòu)成的具有共計3 μ m的厚度的串聯(lián)結(jié)構(gòu)的光發(fā)電層。在此，在玻璃基板1的表面作為紋理結(jié)構(gòu)形成有拋物線狀的凹凸形狀，作為光發(fā)電層的形成面的透明電極層2也具有沿著它的表面形狀。在光發(fā)電層的形成面的紋理結(jié)構(gòu)中以平面構(gòu)成凹凸形狀的斜面的情況、或形成有突起狀的凹凸形狀的情況下，在凹部形成兩面交叉的鑰匙型部。并且，在薄膜硅太陽能電池中，如果在光發(fā)電層的形成面存在兩面交叉的鑰匙型部，則在形成其上的光發(fā)電層時，產(chǎn)生硅從各面一邊交叉一邊生長的部分，在其交叉部容易產(chǎn)生缺陷，因此光電轉(zhuǎn)換特性降低。然而，在本實(shí)施方式中，在玻璃基板1的表面形成有拋物線狀的凹凸形狀，并且對拋物線狀的凹凸形狀中的凸部的頂端部實(shí)施圓形加工使其成為帶有圓形的平滑的形狀。并且，作為光發(fā)電層的形成面的透明電極層2也具有沿著它的表面形狀。由此，防止如上所述的由光發(fā)電層的形成面的紋理結(jié)構(gòu)引起的光發(fā)電層的缺陷的產(chǎn)生，防止由紋理結(jié)構(gòu)引起的光電轉(zhuǎn)換特性的降低。接著，通過公知的方法，在第二光發(fā)電層4上形成背面透明導(dǎo)電膜5(步驟S70，圖 4-7)。例如通過濺射法，在第二光發(fā)電層4上形成由氧化鋅(SiO)膜構(gòu)成的背面透明導(dǎo)電膜5。另外，作為成膜方法，也可以使用CVD法等其它成膜方法。接著，通過公知的方法，在背面透明導(dǎo)電膜5上形成背面金屬電極層6 (步驟S80， 圖4-8)。例如，通過蒸鍍法，在背面透明導(dǎo)電膜5上形成由具有高反射率的銀(Ag)膜構(gòu)成的背面金屬電極層6。通過以上的處理，得到圖2所示的本實(shí)施方式所涉及的薄膜硅太陽能電池。制作經(jīng)過上述的工序來制作的薄膜硅太陽能電池(實(shí)施例1)、和除了不在玻璃基板1上形成紋理結(jié)構(gòu)以外具有與實(shí)施例1的薄膜硅太陽能電池相同的結(jié)構(gòu)的薄膜硅太陽能電池(比較例1)，來比較短路電流密度JSC(mA/cm2)。其結(jié)果，實(shí)施例1的薄膜硅太陽能電池的短路電流密度與比較例1的薄膜硅太陽能電池的短路電流密度相比，提高了大約5%。 由此，確認(rèn)了利用本實(shí)施方式所涉及的薄膜硅太陽能電池的制造方法實(shí)現(xiàn)的光電轉(zhuǎn)換特性的提高效果。如上所述，在實(shí)施方式1所涉及的太陽能電池用基板的面粗化方法中，在玻璃基板1的一面?zhèn)鹊谋砻?，形成作為紋理結(jié)構(gòu)大致均勻地設(shè)置呈大致半球狀的紋理凹陷11而成的拋物線狀的凹凸形狀。這種拋物線狀的凹凸形狀的紋理結(jié)構(gòu)的光反射率低，形成薄膜硅薄膜太陽能電池時的光封閉效果大。另外，以使該拋物線狀的凹凸形狀的凸部的頂端部的形狀帶有圓形的方式通過蝕刻來實(shí)施圓形加工，使得成為帶有平滑的圓形的形狀。由此，在使用該玻璃基板1形成薄膜硅薄膜太陽能電池時，能夠防止由在玻璃基板1的上層經(jīng)由透明電極層2形成的光發(fā)電層中的紋理結(jié)構(gòu)引起的缺陷的產(chǎn)生，能夠防止由紋理結(jié)構(gòu)引起的光電轉(zhuǎn)換特性的降低。因而， 根據(jù)實(shí)施方式1所涉及的太陽能電池用基板的面粗化方法，能夠在玻璃基板1上形成能夠制作光電轉(zhuǎn)換特性優(yōu)良的薄膜硅薄膜太陽能電池的紋理結(jié)構(gòu)。另外，如上所述，在實(shí)施方式1所涉及的薄膜硅薄膜太陽能電池的制造方法中，在玻璃基板1的一面?zhèn)鹊谋砻妫纬勺鳛榧y理結(jié)構(gòu)大致均勻地設(shè)置呈大致半球狀的紋理凹陷 11而成的拋物線狀的凹凸形狀。這種拋物線狀的凹凸形狀的紋理結(jié)構(gòu)的光反射率低，形成薄膜硅薄膜太陽能電池時的光封閉效果大。另外，通過蝕刻進(jìn)行圓形加工，以使該拋物線狀的凹凸形狀中的凸部的頂端部的形狀帶有平滑的圓形。由此，能夠防止由在玻璃基板1的上層經(jīng)由透明電極層2而形成的光發(fā)電層中的紋理結(jié)構(gòu)引起的缺陷的產(chǎn)生，能夠防止由紋理結(jié)構(gòu)引起的光電轉(zhuǎn)換特性的降低。因而，根據(jù)實(shí)施方式1所涉及的薄膜硅薄膜太陽能電池的制造方法，能夠制作光電轉(zhuǎn)換特性優(yōu)良的薄膜硅薄膜太陽能電池。實(shí)施方式2.在上述實(shí)施方式1中，說明了使用激光加工作為使開口形成于抗蝕刻性膜12的方法的情況，但是在實(shí)施方式2中說明使用噴砂作為使開口形成于抗蝕刻性膜12的方法的情況。在實(shí)施方式2中，與實(shí)施方式1的情況同樣地在玻璃基板Ia上形成非晶硅薄膜作為抗蝕刻性膜12，對該非晶硅薄膜實(shí)施干噴砂處理，由此使開口形成于抗蝕刻性膜12。在干噴砂處理中，例如使用#2000號氧化鋁(Al2O3)噴砂磨粒，以噴出壓力0. 5MPa、磨粒流量 10 15mg/min實(shí)施噴砂處理，從而使細(xì)微開口形成于抗蝕刻性膜12。在利用噴砂處理對非晶硅薄膜形成細(xì)微開口之后，與實(shí)施方式1同樣地在玻璃基板Ia上形成拋物線狀的凹凸來形成薄膜硅太陽能電池。按照如上所述的實(shí)施方式2所涉及的薄膜硅太陽能電池的制造方法，形成了實(shí)施例2所涉及的薄膜硅太陽能電池。然后，進(jìn)行了實(shí)施例2所涉及的薄膜硅太陽能電池以及實(shí)施方式1中的比較例1所涉及的薄膜硅太陽能電池的短路電流密度Jsc (mA/cm2)的比較。在實(shí)施例2所涉及的薄膜硅太陽能電池中，與實(shí)施例1所涉及的薄膜硅太陽能電池相比，玻璃基板Ia上的拋物線狀的凹凸存在間距、形狀上的偏差。因此，與實(shí)施方式1所涉及的薄膜硅太陽能電池相比，反射率降低效果小，但是可看出相對于比較例1，短路電流密度增加了大約4%。由此，確認(rèn)了利用實(shí)施方式2所涉及的薄膜硅太陽能電池的制造方法實(shí)現(xiàn)的光電轉(zhuǎn)換特性的提高效果。實(shí)施方式3.在實(shí)施方式3中，說明通過使用了硅烷氣體、氫氣和二氧化碳?xì)怏w的等離子體CVD 法形成氧化硅薄膜來作為抗蝕刻性膜12的情況。此外，在實(shí)施方式3中形成的基板的粗面結(jié)構(gòu)以及薄膜硅太陽能電池的結(jié)構(gòu)與實(shí)施方式1相同。另外，實(shí)施方式3所涉及的制造方法除了形成氧化硅薄膜作為抗蝕刻性膜12的工序以外與實(shí)施方式1相同。在實(shí)施方式3中形成氧化硅薄膜的工序中，例如使用60kHz的VHF(Very High Frequency 甚高頻)等離子體CVD，在基板溫度為170°C、氣壓為0. 5Torr的條件下使包括硅烷氣體、氫氣和二氧化碳?xì)怏w的原料氣體流通來形成氧化硅薄膜。這個類的薄膜形成能夠通過與之后的形成由硅薄膜構(gòu)成的光發(fā)電層的工藝中使用的裝置相同的裝置來形成，因此能夠降低制造設(shè)備的成本，有助于實(shí)現(xiàn)廉價的薄膜硅太陽能電池。另外，在等離子體CVD法中，通過調(diào)整二氧化碳?xì)怏w與硅烷氣體的流量比，能夠形成任意的氧含有量的氧化硅薄膜。在將硅膜用作抗蝕刻性膜的情況下，不含有氧的硅膜或氧含有比例低至幾％以下的氧化硅薄膜針對玻璃基板的粘合性低。因此，在以下說明的激光開口后的玻璃的蝕刻時容易引起剝離。另外，氧含有比例低的氧化硅薄膜不溶解于玻璃蝕刻時的蝕刻液。因此，剝離之后會殘留于蝕刻液中，妨礙連續(xù)處理。相反地，氧含有比例高至50%以上的氧化硅薄膜的激光的透過率大，難以形成開口。因此，通過將氧化硅薄膜中的氧含有比例例如調(diào)整為10 50%的范圍等適當(dāng)?shù)难鹾斜壤?，由此能夠?qū)崿F(xiàn)粘合性(剝離抑制)和激光開口容易的結(jié)構(gòu)。在形成抗蝕刻性膜12以后，與實(shí)施方式1同樣地在玻璃基板Ia上形成拋物線狀的凹凸來形成薄膜硅太陽能電池。按照如上所述的實(shí)施方式3所涉及的薄膜硅太陽能電池的制造方法，形成了實(shí)施例3所涉及的薄膜硅太陽能電池。然后，進(jìn)行了實(shí)施例3所涉及的薄膜硅太陽能電池以及實(shí)施方式1中的比較例1所涉及的薄膜硅太陽能電池的短路電流密度Jsc (mA/cm2)的比較。其結(jié)果，實(shí)施例3所涉及的薄膜硅太陽能電池的短路電流密度與比較例1所涉及的薄膜硅太陽能電池的短路電流密度相比，提高了大約5. 5%。由此，確認(rèn)了利用實(shí)施方式 3所涉及的薄膜硅太陽能電池的制造方法實(shí)現(xiàn)的光電轉(zhuǎn)換特性的提高效果。如上所述，在實(shí)施方式3所涉及的太陽能電池用基板的面粗化方法中，形成適當(dāng)調(diào)節(jié)氧量得到的氧化硅薄膜作為抗蝕刻性膜12。因此，能夠提高抗蝕刻性膜12針對玻璃基板Ia的粘合性，抑制抗蝕刻性膜12的剝離，由此能夠形成更深的凹凸。由此，與在實(shí)施方式1中使用非晶硅的情況相比，能夠提高短路電流密度Jsc。另外，能夠通過適當(dāng)調(diào)節(jié)抗蝕刻性膜12的氧含有量，直至形成良好的紋理為止抑制抗蝕刻性膜12的膜剝離，在紋理形成結(jié)束時使抗蝕刻性膜12幾乎消失。由此，能夠去除蝕刻液中的抗蝕刻性膜12的剝離膜殘?jiān)?，能夠?qū)崿F(xiàn)蝕刻的連續(xù)處理。實(shí)施方式4.在實(shí)施方式4中，作為抗蝕刻性膜12，形成如下結(jié)構(gòu)的組成梯度膜將在玻璃基板 Ia上成膜時的成膜初期的氧含有比例設(shè)定得高而在之后使氧含有比例降低那樣的多層結(jié)構(gòu)、或使氧含有量在玻璃基板Ia中多而隨著遠(yuǎn)離玻璃基板Ia使氧含有量逐漸減少的結(jié)構(gòu)的組成梯度膜。此外，在實(shí)施方式4中形成的基板的粗面結(jié)構(gòu)以及薄膜硅太陽能電池的結(jié)構(gòu)與實(shí)施方式1相同。另外，實(shí)施方式4所涉及的制造方法除了形成氧化硅薄膜作為抗蝕刻性膜12的工序以外與實(shí)施方式1相同。作為組成梯度的一個例子，也可以單純地在下層的玻璃基板Ia側(cè)形成氧化硅膜， 并在其上層形成不含有氧的非晶硅膜。通過在抗蝕刻性膜12中的玻璃基板Ia側(cè)配置氧化硅膜，能夠改善針對玻璃基板Ia的粘合性(剝離抑制)，并在開口后利用氫氟酸形成凹凸時能夠形成更深的凹凸，與此同時，通過在玻璃基板Ia側(cè)配置非晶硅薄膜，能夠?qū)崿F(xiàn)容易進(jìn)行激光開口的結(jié)構(gòu)。在實(shí)施方式4中形成抗蝕刻性膜12的工序中，例如使用60kHz的VHF等離子體 CVD，在基板溫度170°C、氣壓0. 5Torr的條件下，使包括硅烷氣體、氫氣和二氧化碳?xì)怏w的原料氣體流通，并逐漸減少二氧化碳?xì)怏w流量。然后，在成為50nm 300nm的目標(biāo)膜厚時使二氧化碳?xì)怏w流量為0，之后結(jié)束成膜。在形成抗蝕刻性膜12以后，與實(shí)施方式1同樣地在玻璃基板Ia上形成拋物線狀的凹凸來形成薄膜硅太陽能電池。按照如上所述的實(shí)施方式4所涉及的薄膜硅太陽能電池的制造方法，形成了實(shí)施例4所涉及的薄膜硅太陽能電池。然后，進(jìn)行了實(shí)施例4所涉及的薄膜硅太陽能電池以及實(shí)施方式1中的比較例1所涉及的薄膜硅太陽能電池的短路電流密度Jsc (mA/cm2)的比較。其結(jié)果，實(shí)施例4所涉及的薄膜硅太陽能電池的短路電流密度與比較例1所涉及的薄膜硅太陽能電池的短路電流密度相比，提高了大約6%。由此，確認(rèn)了利用實(shí)施方式4 所涉及的薄膜硅太陽能電池的制造方法實(shí)現(xiàn)的光電轉(zhuǎn)換特性的提高效果。實(shí)施方式5.在實(shí)施方式5中，參照圖5和圖6-1 圖6-9來說明實(shí)施方式1和實(shí)施方式2所涉及的薄膜硅薄膜太陽能電池的制造方法的變形例。圖5是用于說明實(shí)施方式5所涉及的薄膜硅太陽能電池的制造方法的流程圖。圖6-1 圖6-9是用于說明實(shí)施方式5所涉及的薄膜硅太陽能電池的制造方法的截面圖。首先，實(shí)施步驟SlO 步驟S50(圖6-1 圖6-5)的工序，通過濺射法而在玻璃基板ι上形成由氧化鋅(aio)膜構(gòu)成的透明電極層2，其中，在該玻璃基板ι的一面?zhèn)鹊谋砻嫘纬捎凶鳛榧y理結(jié)構(gòu)大致均勻地設(shè)置呈大致半球狀的紋理凹陷11而成的拋物線狀的凹凸形狀。這個工序與實(shí)施方式1中的步驟SlO 步驟S50(圖4-1 圖4-5)的工序相同。接著，通過將透明電極層2的表面浸滯到5wt%的草酸水溶液中，在透明電極層2 的表面形成比拋物線狀的凹凸形狀還小的微小凹凸形狀，從而在透明電極層2的表面形成紋理結(jié)構(gòu)(步驟S55，圖6-6)。在此，在形成于透明電極層2表面的微小凹凸形狀中，凹凸高低差(從凹部的底部至凸部的頂端為止的高度的平均)被設(shè)為例如1 μ m以下的亞微米水平。之后，實(shí)施步驟S60 步驟S80 (圖6-6 圖6-9)的工序來制作實(shí)施方式5所涉及的薄膜硅薄膜太陽能電池。在如上所述制作的實(shí)施方式5所涉及的薄膜硅薄膜太陽能電池中，通過將玻璃基板1的表面中的幾μ m水平的紋理結(jié)構(gòu)與透明電極層2的表面中的亞微米水平的紋理結(jié)構(gòu)進(jìn)行組合，能夠得到更良好的入射光的光散射效果，能夠降低光反射率。制作經(jīng)過上述工序制作的薄膜硅太陽能電池(實(shí)施例5)、和除了不在玻璃基板1 以及透明電極層2形成紋理結(jié)構(gòu)以外具有與實(shí)施例5的薄膜硅太陽能電池相同的結(jié)構(gòu)的薄膜硅太陽能電池(比較例2)，比較了短路電流密度Jsc (mA/cm2)。其結(jié)果，實(shí)施例5的薄膜硅太陽能電池的短路電流密度與比較例2的薄膜硅太陽能電池的短路電流密度相比，提高了大約7%。由此，確認(rèn)了利用實(shí)施方式5所涉及的薄膜硅太陽能電池的制造方法實(shí)現(xiàn)的光電轉(zhuǎn)換特性的提高效果。如上所述，在實(shí)施方式5所涉及的薄膜硅薄膜太陽能電池中，在玻璃基板1的一面?zhèn)鹊谋砻?，作為紋理結(jié)構(gòu)大致均勻地設(shè)置有呈大致半球狀的紋理凹陷11而形成拋物線狀的凹凸形狀。通過具備這種拋物線狀的凹凸形狀的紋理結(jié)構(gòu)，光反射率低，得到良好的光封閉效果。另外，在實(shí)施方式5所涉及的薄膜硅薄膜太陽能電池中，在透明電極層2的表面設(shè)置有亞微米水平的紋理結(jié)構(gòu)，因此能夠得到更良好的入射光的光散射效果，能夠降低光反射率。另外，在該拋物線狀的凹凸形狀中，凹凸形狀的凸部的頂端部的形狀為帶有圓形的平滑的形狀。由此，防止由紋理結(jié)構(gòu)引起的光發(fā)電層的缺陷的產(chǎn)生，防止由紋理結(jié)構(gòu)引起的光電轉(zhuǎn)換特性的降低。因而，根據(jù)實(shí)施方式5所涉及的薄膜硅薄膜太陽能電池，實(shí)現(xiàn)了光電轉(zhuǎn)換特性優(yōu)良的薄膜硅薄膜太陽能電池。另外，在實(shí)施方式5所涉及的薄膜硅薄膜太陽能電池的制造方法中，在玻璃基板1 的一面?zhèn)鹊谋砻?，形成作為紋理結(jié)構(gòu)大致均勻地設(shè)置呈大致半球狀的紋理凹陷11而成的拋物線狀的凹凸形狀。這種拋物線狀的凹凸形狀的紋理結(jié)構(gòu)的光反射率低，形成薄膜硅薄膜太陽能電池時的光封閉效果大。另外，在實(shí)施方式5所涉及的薄膜硅薄膜太陽能電池的制造方法中，在透明電極層2的表面設(shè)置有亞微米水平的紋理結(jié)構(gòu)，因此能夠得到更良好的入射光的光散射效果， 能夠降低光反射率。另外，通過蝕刻進(jìn)行圓形加工，以使該拋物線狀的凹凸形狀中的凸部的頂端部的形狀帶有平滑的圓形。由此，能夠防止由在玻璃基板1的上層經(jīng)由透明電極層2形成的光發(fā)電層中的紋理結(jié)構(gòu)引起的缺陷的產(chǎn)生，能夠防止由紋理結(jié)構(gòu)引起的光電轉(zhuǎn)換特性的降低。 因而，根據(jù)實(shí)施方式5所涉及的薄膜硅薄膜太陽能電池的制造方法，能夠制作光電轉(zhuǎn)換特性優(yōu)良的薄膜硅薄膜太陽能電池。產(chǎn)業(yè)上的可利用性如上所述，本發(fā)明所涉及的基板的面粗化方法適用于光電轉(zhuǎn)換效率優(yōu)良的光電動勢裝置的制造。
權(quán)利要求
1.一種基板的面粗化方法，其特征在于，包括 第一工序，在透光性基板的表面形成保護(hù)膜；第二工序，使以固定的間距有規(guī)則地排列的多個開口形成于所述保護(hù)膜，從而使所述透光性基板的表面露出；第三工序，將形成有所述開口的所述保護(hù)膜作為掩膜，對于所述透光性基板中的形成有所述保護(hù)膜的面，在所述保護(hù)膜具有抗性的條件下實(shí)施各向同性蝕刻，在所述透光性基板的表面形成大致均勻地設(shè)置呈大致半球狀的凹陷而成的拋物線狀的凹凸形狀；以及第四工序，去除所述保護(hù)膜，其中，在所述第四工序中，在形成所述拋物線狀的凹凸形狀之后繼續(xù)進(jìn)行所述各向同性蝕刻，從所述透光性基板剝離所述保護(hù)膜，并且對所述拋物線狀的凹凸形狀中的凸部的頂端部實(shí)施圓形加工。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基板的面粗化方法，其特征在于， 所述透光性基板是玻璃基板，所述保護(hù)膜是硅薄膜或硅的化合物薄膜，在所述第二工序中，通過對所述保護(hù)膜照射激光從而使所述開口形成于所述保護(hù)膜。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的基板的面粗化方法，其特征在于， 所述激光加工中使用的激光的光點(diǎn)系統(tǒng)為1 μ m 5 μ m， 所述開口的間距為2 μ m 10 μ m。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基板的面粗化方法，其特征在于， 所述透光性基板是玻璃基板，所述保護(hù)膜是硅薄膜或硅的化合物薄膜，在所述第二工序中，通過對所述保護(hù)膜進(jìn)行噴砂處理從而使所述開口形成于所述保護(hù)膜。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基板的面粗化方法，其特征在于， 所述透光性基板是玻璃基板，所述各向同性蝕刻中使用的蝕刻液是氫氟酸。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基板的面粗化方法，其特征在于， 所述透光性基板是玻璃基板，所述保護(hù)膜是含有氧的硅化合物薄膜。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基板的面粗化方法，其特征在于， 所述透光性基板是玻璃基板，所述保護(hù)膜是從所述玻璃基板側(cè)起層疊含有氧的硅薄膜和不含有氧的非晶硅膜而成的層疊膜。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基板的面粗化方法，其特征在于， 所述透光性基板是玻璃基板，所述保護(hù)膜是氧含有量隨著遠(yuǎn)離所述玻璃基板而減少的硅薄膜。
9.一種光電動勢裝置的制造方法，其特征在于，包括面粗化工序，利用權(quán)利要求1 8中的任一項(xiàng)所述的基板的面粗化方法，將透光性基板的一面?zhèn)冗M(jìn)行面粗化；第一電極層形成工序，在所述透光性基板的一面?zhèn)龋纬捎赏该餍詫?dǎo)電膜構(gòu)成的第一電極層；光發(fā)電層形成工序，在所述第一電極層上，形成由半導(dǎo)體膜構(gòu)成且進(jìn)行光電轉(zhuǎn)換的光發(fā)電層；以及第二電極層形成工序，在所述光發(fā)電層上，形成由使光進(jìn)行反射的導(dǎo)電膜構(gòu)成的第二電極層。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的光電動勢裝置的制造方法，其特征在于，在所述第一電極層形成工序中，在所述第一電極層的表面，形成比所述拋物線狀的凹凸形狀小的凹凸形狀。
11.一種光電動勢裝置，其特征在于，該光電動勢裝置是在透光性基板上將由透明性導(dǎo)電膜構(gòu)成的第一電極層、由半導(dǎo)體膜構(gòu)成且進(jìn)行光電轉(zhuǎn)換的光發(fā)電層、以及由使光進(jìn)行反射的導(dǎo)電膜構(gòu)成的第二電極層按照這個順序進(jìn)行層疊而成的光電動勢裝置，其中，在所述透光性基板中的所述第一電極層側(cè)的主面，形成大致均勻地設(shè)置呈大致半球狀的凹陷而成的拋物線狀的凹凸形狀，并且所述凹凸形狀的凸部的頂端部為帶有圓形的形狀。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的光電動勢裝置，其特征在于，在所述第一電極層的表面，具有比所述拋物線狀的凹凸形狀小的凹凸形狀。
全文摘要
包括第一工序，在透光性基板的表面形成保護(hù)膜；第二工序，使以固定的間距有規(guī)則地排列的多個開口形成于保護(hù)膜而使透光性基板的表面露出；第三工序，將形成有開口的保護(hù)膜作為掩膜，對于透光性基板中的形成有保護(hù)膜的面，在保護(hù)膜具有抗性的條件下實(shí)施各向同性蝕刻，在透光性基板的表面形成大致均勻地設(shè)置呈大致半球狀的凹陷而成的拋物線狀的凹凸形狀；以及第四工序，去除保護(hù)膜，其中，在第四工序中，在形成拋物線狀的凹凸形狀之后繼續(xù)進(jìn)行各向同性蝕刻，從透光性基板剝離保護(hù)膜，并且對拋物線狀的凹凸形狀中的凸部的頂端部實(shí)施圓形加工。
文檔編號H01L31/04GK102473751SQ20108003133
公開日2012年5月23日 申請日期2010年3月30日 優(yōu)先權(quán)日2009年7月14日
發(fā)明者佐藤剛彥, 新延大介, 松野繁, 檜座秀一, 西村邦彥 申請人:三菱電機(jī)株式會社