專利名稱：反磁性材料在聚焦磁場(chǎng)線中的用途的制作方法
反磁性材料在聚焦磁場(chǎng)線中的用途本發(fā)明涉及反磁性材料在聚焦磁場(chǎng)線中的用途，還涉及由磁熱材料構(gòu)成的用于冷卻器、熱泵或發(fā)電機(jī)的成型體，其包含反磁性材料。為了產(chǎn)生強(qiáng)大的磁場(chǎng)，常常使用昂貴的磁性材料如NdFeB磁體。為了節(jié)省成本和材料，設(shè)計(jì)磁體以使得用最小量的磁性材料可以產(chǎn)生最大的磁場(chǎng)。通常使用鐵磁性材料以放大磁場(chǎng)特殊區(qū)域中的磁場(chǎng)線。然而，該鐵磁性材料僅可以在磁場(chǎng)不應(yīng)作用于其它材料的地方實(shí)施使用，因?yàn)橛捎谒鼈兊蔫F磁性能，它們聚焦磁場(chǎng)線遠(yuǎn)離這些材料并朝向本身。本發(fā)明的目的是提供使定向磁場(chǎng)的磁場(chǎng)線聚焦在其中需要這樣放大的區(qū)域上的材料或裝置。根據(jù)本發(fā)明，該目的由反磁性材料在引入順磁性材料的磁場(chǎng)中作為聚焦體在順磁性材料中聚焦磁場(chǎng)線的用途實(shí)現(xiàn)。另外，根據(jù)本發(fā)明，該目的由一種由磁熱材料構(gòu)成的用于冷卻器、熱泵或發(fā)電機(jī)的成型體實(shí)現(xiàn)，其具有使熱載體介質(zhì)通過的通道和適于引入磁場(chǎng)中的形式，其中所述成型體至少部分在基本上平行于磁場(chǎng)線運(yùn)行的表面處由反磁性材料包圍。另外，根據(jù)本發(fā)明，該目的由一種由磁熱材料構(gòu)成的用于冷卻器、熱泵或發(fā)電機(jī)的成型體實(shí)現(xiàn)，其具有使熱載體介質(zhì)通過的通道和適于引入磁場(chǎng)中的形式，其中所述成型體具有在磁場(chǎng)線方向運(yùn)行的反磁性材料的包合體。具有在非均勻磁場(chǎng)中從高場(chǎng)強(qiáng)度位點(diǎn)移動(dòng)到低場(chǎng)強(qiáng)度位點(diǎn)性能的材料稱為反磁體或反磁性材料。具有相反行為，特別是具有遷移到更強(qiáng)磁場(chǎng)中傾向的物質(zhì)稱為順磁體。反磁性是由在磁場(chǎng)和移動(dòng)帶電粒子特別是電子之間的相互作用引起的。在數(shù)量方面，它比順磁性小。另一方面，順磁性是由電子的自旋角動(dòng)量和軌道角動(dòng)量引起的。反磁性物質(zhì)是所有其原子或分子緊密占用電子殼的那些，在這種情況下，因?yàn)殡娮拥母鞔帕叵嗷ハ虼丝偞帕貨]有在外部出現(xiàn)。反磁性物質(zhì)例如包括所有稀有氣體和所有具有類似稀有氣體的離子或原子的物質(zhì)。這些例如包括大多數(shù)有機(jī)化合物。本發(fā)明優(yōu)選使用的反磁性材料為塑料、木材、金屬氧化物、陶瓷、皮革、紡織品或其混合物。塑料優(yōu)選選自聚乙烯、聚丙烯、聚氨酯、聚酰胺、聚苯乙烯、聚酯、聚甲基丙烯酸甲酯、聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯、聚對(duì)苯二甲酸丁二醇酯、聚碳酸酯、聚酰亞胺、聚縮醛、聚苯醚、聚乙酸乙烯酯、聚氯乙烯及其混合物。已經(jīng)通過磁體設(shè)計(jì)的常規(guī)方法，例如通過用鐵磁性鞋體集中磁場(chǎng)而放大的磁場(chǎng)可以額外通過將反磁性材料用于不需要磁場(chǎng)的區(qū)域中或包圍磁場(chǎng)區(qū)的區(qū)域中而放大。磁場(chǎng)線被反磁性材料排斥并偏轉(zhuǎn)向材料附近的區(qū)域中。因此反磁性材料外部的磁場(chǎng)放大，并且因此需要磁場(chǎng)區(qū)域內(nèi)的磁場(chǎng)放大。例如若材料A引入磁場(chǎng)以發(fā)揮物理效果，則有利的是將此材料A用反磁性材料B包圍以將磁場(chǎng)線集中在材料A內(nèi)。在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方案中，還可行的是將反磁性材料引入磁場(chǎng)以甚至更強(qiáng)力地將磁場(chǎng)線集中于需要高場(chǎng)強(qiáng)的區(qū)域中。反磁性材料平行于磁場(chǎng)線的排列是特別有利的。根據(jù)本發(fā)明，反磁性材料因此與順磁性材料結(jié)合使用，其結(jié)果是磁場(chǎng)線偏轉(zhuǎn)或聚焦于順磁性材料中，或聚焦其中。在這種情況下，順磁性材料可以由基本上沿著或平行于磁場(chǎng)線的反磁性材料包圍。當(dāng)起點(diǎn)為垂直引入磁場(chǎng)中的立方形順磁性材料時(shí)，該立方體例如可以在四個(gè)表面上由反磁性材料包圍，而對(duì)于磁場(chǎng)線為垂直或基本垂直，面向磁極的表面則沒有被反磁性材料覆蓋。術(shù)語(yǔ)“基本上”沿著或平行于磁場(chǎng)線允許士 10°的角度偏差，優(yōu)選士5°，尤其是士2°。在本發(fā)明的另一實(shí)施方案中，順磁性材料可以包含基本上沿著磁場(chǎng)線的反磁性材料的包合體。這些包合體可以滲透平行于磁場(chǎng)線的順磁性材料的棒狀形式存在。這些棒狀物可以具有圓形、三角形、多邊形、橢圓形或其它橫截面并優(yōu)選以直線、平行線滲透順磁性成型體中。棒狀物可以在順磁性材料中空間相隔均勻分布。在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方案中，在磁場(chǎng)中引入順磁性材料的空間由基本上沿著或平行于磁場(chǎng)線的反磁性材料包圍。這使得基本上所有磁場(chǎng)線可以貫穿順磁性材料。若將順磁性、鐵磁性或反鐵磁性材料用于包圍需要最高場(chǎng)強(qiáng)區(qū)或?qū)⑵浞殖勺訁^(qū)， 則可能帶來相反的效果。順磁性材料優(yōu)選為磁熱材料。該類材料原則上是已知的并例如描述于WO 2004/068512中。在呈現(xiàn)出磁熱效果的材料中，通過外部磁場(chǎng)無規(guī)排列磁力矩的排列導(dǎo)致材料的加熱。該熱量可以通過傳熱從 MCE材料中轉(zhuǎn)移至周圍氣氛中。然后當(dāng)關(guān)閉或除去磁場(chǎng)時(shí)，磁力矩恢復(fù)無規(guī)設(shè)置，這導(dǎo)致材料冷卻至環(huán)境溫度以下。該效果可以開發(fā)用于冷卻目的；還參見Nature，第415卷，2002年 1月10日，第150-152頁(yè)中。通常傳熱介質(zhì)如水用于從磁熱材料除去熱量。因此可以應(yīng)用于熱泵和發(fā)電機(jī)。磁冷卻的典型材料為通常包含至少三種金屬元素和額外任選非金屬元素的多金屬材料。術(shù)語(yǔ)“金屬基材料”表示這些材料的主要比例由金屬或金屬元素形成。通常在整個(gè)材料中比例為至少50重量％，優(yōu)選至少75重量％，尤其是至少80重量％。下面詳細(xì)解釋合適的金屬基材料。磁熱或金屬基材料更優(yōu)選選自(1)通式(I)的化合物(AyBy-i)2+δ CwDxEz (I)，其中A為Mn或Co，B 為 Fe、Cr 或 Ni，C、D和E中的至少兩個(gè)彼此不同，含量不為零且選自P、B、Se、Ge、Ga、Si、Sn、N、As 禾口 Sb，其中C、D和E中的至少一個(gè)為Ge、As或Si，δ 為-0.1 至 0.1，w、x、y、ζ 各自為 0-1，其中 w+x+z = 1 ；(2)通式(II)和/或(III)和/或(IV)的La基和Fe基化合物L(fēng)e (FexAl1J I3Hy 或 La(Fe5xSih) I3Hy (II)，其中χ 為 0. 7-0. 95，y 為 0-3 ；La(FexAlyCoz) 13 或 La(FexSiyCoz) 13 (III)，其中χ 為 0. 7-0. 95，y 為 0. 05 至 l_x，ζ 為 0.005-0. 5;
LaMnxFe2^xGe (IV)，其中χ 為 1. 7-1. 95 ；和(3)MnTP類型的霍斯勒(Heusler)合金，其中T為過渡金屬且P為電子計(jì)數(shù)/原子 e/a為7-8. 5的ρ-摻雜金屬。根據(jù)本發(fā)明，特別合適的材料例如描述于WO 2004/068512, Rare Metals，第25 卷，2006，第 544-549 頁(yè)，J. Appl. Phys. 99，08Q107 (2006)，Nature，第 415 卷，2002 年 1 月 10 日，第 150-152 頁(yè)和 Physica B 327 (2003)，第 431-437 頁(yè)中。在上述通式(I)的化合物中，C、D和E優(yōu)選相同或不同且選自P、Ge、Si、Sn和( 的至少一種。通式(I)的金屬基材料優(yōu)選選自至少四元化合物，其除了 Mn、Fe、P和任選Sb外， 額外包含Ge或Si或As，或者Ge和Si或Ge和As或Si和As，或者Ge、Si和As。優(yōu)選至少90重量％，更優(yōu)選至少95重量％組分A為Mn。優(yōu)選至少90重量％，更優(yōu)選至少95重量％ B為狗。優(yōu)選至少90重量％，更優(yōu)選至少95重量％ C為P。優(yōu)選至少 90重量％，更優(yōu)選至少95重量％ D為Ge。優(yōu)選至少90重量％，更優(yōu)選至少95重量％ E為 Si。該材料優(yōu)選具有通式Mrii^ (PwGexSiz)。χ優(yōu)選為0. 3-0. 7，w為小于或等于l_x和ζ對(duì)應(yīng)于l_x_w。材料優(yōu)選具有結(jié)晶六方體 ^2Ρ結(jié)構(gòu)。合適結(jié)構(gòu)的實(shí)例為Mr^ePa45IpGea55U和 MnFeP0.5_0 7、(Si/Ge)0 5_0 30。合適的化合物也為MrvxFehPhyGey，其中χ為-0. 3至0. 5，y為0. 1-0. 6。同樣合適的是通式Mn1JehPhGvzSbz的化合物，其中χ為-0. 3至0. 5，y為0. 1-0. 6和ζ小于y且小于0. 2。額外合適的是式Mr^FehPnGepSiz的化合物，其中χ為0. 3-0. 5，y為0. 1-0. 66， ζ小于或等于y且小于0.6。優(yōu)選通式(II)和/或(III)和/或(IV)的La基和狗基化合物為 La (Fe0.90Si0. ι。)ι” La (Fe0 89Si0 n) 13> La (Fe0^S80Si0.120) i3> La (Fe0.877Si0.⑵)13、LaFe11 8SiL2> La (Fe0 88Si0.12) 13H0 5、La (Fe0 88Si0.12) 13HL 0> LaFe11 7SiL 3HL LaFe11 S7Si1 43HL 3> La (Fe0 88Si0.12) H1 5、LaFe11 2Co0 7SiL1、LaFe115Al15C01^ LaFe115Al15C0 2^ LaFe115Al15C0 4^ LaFe115Al15Co0 5^ La (Fe0.94〇ο0.06) η. 83AI1.『La (Fe0.92Co0.08) η. 83AI1.17°合適的含錳化合物為MnFeGe、MnFe0.9Co0. ^e、MnFe0.8Co0.2Ge、MnFe0.7Co0.3Ge、 MnFe0 6Co0 4Ge、MnFe0 5Co0 5Ge、MnFe0 4Co0.6Ge、MnFe0 3Co0 7Ge、MnFe0 2Co0 8Ge、MnFe0 15Co0 85Ge、 MnFeaiCo0.9Ge、MnCoGe> Mn5Ge2 5Si0 5> Mn5Ge2Si、Mn5Ge15Si15^ Mn5GeSi2、Mn5Ge3、Mn5Ge2.9Sb0. ” Mn5Ge2 8Sb0 2、Mn5Ge2 7Sb0 3、LaMn1 9Fe01Ge> LaMn1 85Fe015Ge、LaMn1 8Fe0 2Ge、(Fe0 9Mn0》3C、 (Fe0 8Mn0 2) 3C> (Fe0 7Mn0 3) 3C> Mn3GaC> MnAs> (Mn, Fe)As> Mn1+5As0 8Sb0 2> MnAs0 75Sb0 25> Mn1. iAs0.75Sb0.25> Mn1 5_As0.75Sb0.25。根據(jù)本發(fā)明，合適的霍斯勒(Heusler)合金例如為！^2MnSia5Ge0.5、 Ni52.9Mn22.4Ga24.7、Ni50.9Mn24.7Ga24.4、Ni55.2Mn18.6Ga26 2、Ni51.6Mn24.7Ga23 8、Ni52.7Mn23.9Ga23.4、CoMnSb、 CoNbtl.2MnQ.8Sb、CoNbtl.4MnQ.6SB、CoNbtl.6MnQ.4Sb、Ni50Mn35Sn15, Ni50Mn37Sn13, MnFePtl.45As0.55、 MnFeP0 47As0 53> Mn1 !Fe0 9P0 47As0 53> MnFeP0 89-x Si xGe0 n, χ =0.22、χ =0.26、χ =0.30、 x=0. 33。平均晶體尺寸通常為10-400nm，更優(yōu)選20_200nm，尤其是30_80nm。平均晶體尺寸可以通過X射線衍射測(cè)定。當(dāng)晶體尺寸太小時(shí)，最大磁熱效果降低。相反，當(dāng)晶體尺寸太大時(shí)，體系滯后現(xiàn)象產(chǎn)生。常規(guī)材料通過使材料的起始元素或起始合金在球磨機(jī)中固相反應(yīng)，隨后在惰性氣體氣氛下壓制、燒結(jié)和熱處理并隨后緩慢冷卻至室溫而生產(chǎn)。還可以經(jīng)由熔融紡絲加工。這可以使元素分布更均勻，導(dǎo)致改進(jìn)磁熱效果。在其中所述的工藝中，起始元素首先在氬氣氣氛中感應(yīng)熔融并且然后經(jīng)噴嘴以熔化狀態(tài)噴霧在銅質(zhì)轉(zhuǎn)筒上。然后在1000°c下燒結(jié)并緩慢冷卻至室溫。制備用于磁冷卻或熱泵或發(fā)電機(jī)的金屬基材料例如包含如下步驟a)使化學(xué)元素和/或合金以對(duì)應(yīng)于金屬基材料的化學(xué)計(jì)量在固相和/或液相中反應(yīng)，b)合適的話將步驟a)的反應(yīng)產(chǎn)物轉(zhuǎn)化成固體，c)燒結(jié)和/或熱處理步驟a)或b)的固體，d)在至少lOOK/s的冷卻速率下驟冷燒結(jié)和/或熱處理的固體。驟冷可以通過合適的冷卻方法例如通過用水或含水液體如冷卻水或冰/水混合物冷卻固體而實(shí)現(xiàn)。固體例如可以允許放入冰冷卻水中。還可以用過冷氣體如液氮驟冷固體。其它驟冷的方法為本領(lǐng)域技術(shù)人員已知。這里有利的是受控和快速冷卻。在本發(fā)明方法的步驟(a)中，在后期金屬基材料中存在的元素和/或合金以對(duì)應(yīng)于金屬基材料的化學(xué)計(jì)量在固相或液相中轉(zhuǎn)化。優(yōu)選通過將元素和/或合金在密閉容器中或在擠出機(jī)中合并加熱，或通過在球磨機(jī)中固相反應(yīng)而進(jìn)行步驟a)的反應(yīng)。特別優(yōu)選進(jìn)行固相反應(yīng)，尤其是在球磨機(jī)中進(jìn)行。該反應(yīng)原則上是已知的；參見由開頭引用的文獻(xiàn)。通常在后期金屬基材料中存在的各元素的粉末或兩種或更多種各元素合金的粉末以合適的重量比例以粉末形式混合。需要的話，混合物可以額外研磨以得到微晶粉末混合物。此粉末混合物優(yōu)選在球磨機(jī)中加熱，這導(dǎo)致進(jìn)一步粉碎以及良好的混合，還導(dǎo)致在粉末混合物中的固相反應(yīng)?；蛘吒髟匾运x化學(xué)計(jì)量作為粉末混合并然后熔融。在密閉容器中合并加熱允許固定揮發(fā)性元素并控制化學(xué)計(jì)量。尤其是在使用磷的情況下，它在開放體系中容易蒸發(fā)。反應(yīng)之后進(jìn)行固體的燒結(jié)和/或熱處理，為此可以提供一種或多種中間步驟。例如在步驟a)中得到的固體可以在燒結(jié)和/或熱處理之前壓制。這增加了材料的密度，以使得高密度磁熱材料在后期應(yīng)用中存在。這是特別有利的，因?yàn)榇艌?chǎng)現(xiàn)有的體積可以減少，這可以節(jié)省相當(dāng)大的相關(guān)成本。壓制本身是已知的且可以在有或無壓制助劑下進(jìn)行?？梢允褂萌魏魏线m的用于壓制的模具。借助壓制，已經(jīng)可以得到以所需三維結(jié)構(gòu)的成型體。壓制之后可以進(jìn)行步驟c)的燒結(jié)和/或熱處理，隨后進(jìn)行步驟d)的驟冷?；蛘呖梢詫⒃谇蚰C(jī)中得到的固體送入熔融紡絲工藝中。熔融紡絲工藝本身是已知的且例如描述于Rare Metals，第25卷，2006年10月，第544-549頁(yè)中，以及WO 2004/068512 中。在這些方法中，在步驟a)中得到的組合物熔融并噴霧在冷金屬轉(zhuǎn)筒上。此噴霧可以借助噴霧嘴上游的高壓或噴霧嘴下游的減壓而實(shí)現(xiàn)。通常使用銅質(zhì)轉(zhuǎn)鼓或轉(zhuǎn)筒，需要的話這可以額外冷卻。銅鼓優(yōu)選以10-40m/s，尤其是20-30m/s的表面速度旋轉(zhuǎn)。在銅鼓上，液體組合物優(yōu)選以102-107K/s的速率，更優(yōu)選以至少104K/s的速率，尤其是以0. 5至2 X IO6K/ s的速率冷卻。熔融紡絲，如同步驟a)中的反應(yīng)，也可以在減壓下或在惰性氣體氣氛下進(jìn)行。熔融紡絲實(shí)現(xiàn)了高加工率，因?yàn)殡S后的燒結(jié)和熱處理可以縮短。具體在工業(yè)規(guī)模上，金屬基材料的生產(chǎn)因此成為明顯更經(jīng)濟(jì)上可行的。噴霧干燥還導(dǎo)致高加工率。特別優(yōu)選進(jìn)行熔融紡絲。在步驟b)中，或者可以進(jìn)行噴霧冷卻，其中步驟a)組合物的熔體噴入噴霧塔中。 噴霧塔例如可以額外冷卻。在噴霧塔中，通常實(shí)現(xiàn)103-105K/s，尤其是約104K/s的冷卻速率。固體的燒結(jié)和/或熱處理優(yōu)選首先在800-1400 V的溫度下燒結(jié)且然后在 500-750°C的溫度下熱處理在步驟c)中進(jìn)行。這些數(shù)值尤其適用于成型體，而更低的燒結(jié)和熱處理溫度可以用于粉末。例如燒結(jié)然后可以在500-800°C的溫度下進(jìn)行。對(duì)于成型體 /固體，燒結(jié)更優(yōu)選在1000-1300°C，尤其是1100-1300°C的溫度下進(jìn)行。熱處理然后可以在例如600-700°C下進(jìn)行。燒結(jié)優(yōu)選進(jìn)行1-50小時(shí)，更優(yōu)選2-20小時(shí)，尤其是5_15小時(shí)。熱處理優(yōu)選進(jìn)行 10-100小時(shí)，更優(yōu)選10-60小時(shí)，尤其是30-50小時(shí)。準(zhǔn)確的時(shí)間可以根據(jù)材料的實(shí)際需要調(diào)整。在使用熔融紡絲方法的情況下，通常可以省去燒結(jié)，且熱處理可以顯著縮短至例如5分鐘-5小時(shí)，優(yōu)選10分鐘-1小時(shí)。與其它燒結(jié)10小時(shí)和熱處理50小時(shí)的常規(guī)值相比，這導(dǎo)致主要的時(shí)間優(yōu)點(diǎn)。燒結(jié)/熱處理導(dǎo)致顆粒邊界部分熔融，以使得材料進(jìn)一步壓實(shí)。本發(fā)明金屬基材料優(yōu)選用于上述磁冷卻。除了磁體，優(yōu)選永磁體外，對(duì)應(yīng)的制冷機(jī)具有上述金屬基材料。還任選冷卻計(jì)算機(jī)芯片和太陽(yáng)能發(fā)電機(jī)。其它應(yīng)用領(lǐng)域?yàn)闊岜煤涂照{(diào)體系，以及發(fā)電機(jī)。當(dāng)磁熱材料引入磁場(chǎng)中時(shí)，需要將磁場(chǎng)集中在磁熱材料存在的區(qū)域上。因此根據(jù)本發(fā)明，磁熱材料可以由反磁性材料包圍(與磁場(chǎng)線呈直角的末端除外)。例如還可以將反磁性材料棒引入對(duì)應(yīng)的磁熱成型體的縱向孔中，以使得棒狀物平行于磁場(chǎng)線運(yùn)行。這允許磁熱材料中的磁場(chǎng)線密度增加。
權(quán)利要求
1.反磁性材料在引入順磁性材料的磁場(chǎng)中作為聚焦體在順磁性材料中聚焦磁場(chǎng)線的用途。
2.根據(jù)權(quán)利要求1的用途，其中所述順磁性材料由基本上平行于磁場(chǎng)線的反磁性材料包圍。
3.根據(jù)權(quán)利要求1的用途，其中所述順磁性材料包含基本上沿著磁場(chǎng)線的反磁性材料的包合體。
4.根據(jù)權(quán)利要求1的用途，其中在磁場(chǎng)中引入順磁性材料的空間由基本上平行于磁場(chǎng)線的反磁性材料包圍。
5.根據(jù)權(quán)利要求1-4中任一項(xiàng)的用途，其中所述順磁性材料為磁熱材料。
6.根據(jù)權(quán)利要求5的用途，其中所述磁熱材料選自(1)通式⑴的化合物 (AyBrl)2+ δ CwDxEz (I)， 其中A為Mn或Co， B 為 Fe、Cr 或 Ni，C、D和E中的至少兩個(gè)彼此不同，含量不為零且選自P、B、Se、Ge、Ga、Si、Sn、N、As和 Sb，其中C、D和E中的至少一個(gè)為Ge、As或Si， δ 為-0. 1 至 0. 1，w、x、y、ζ 各自為 0-1，其中 w+x+z = 1 ；(2)通式(II)和/或(III)和/或(IV)的La基和Fe基化合物 Le (FexAlLx)13Hy 或 La(FexSi1-X)13Hy (II)，其中 χ 為 0. 7-0. 95， y 為 0-3 ；La(FexAlyCoz) 13 或 La(FexSiyCoz) 13 (III)， 其中 χ 為 0. 7-0. 95， y 為 0. 05 至 Ι-χ, ζ 為 0. 005-0. 5 ； LaMnxFe2^xGe (IV)， 其中χ為1. 7-1. 95 ；和(3)MnTP類型的霍斯勒合金，其中T為過渡金屬且P為電子計(jì)數(shù)/原子e/a為7-8.5的 P-摻雜金屬。
7.根據(jù)權(quán)利要求6的用途，其中所述磁熱材料選自通式(I)的至少四元化合物，其除 7 Mn,Fe,P和任選Sb外，額外包含Ge或Si或As，或者Ge和As或Si和As，或者Ge,Si和 As。
8.根據(jù)權(quán)利要求1-7中任一項(xiàng)的用途，其中所述反磁性材料選自塑料、木材、金屬氧化物、陶瓷、皮革、紡織品或其混合物。
9 一種由磁熱材料構(gòu)成的用于冷卻器、熱泵或發(fā)電機(jī)的成型體，其具有使熱載體介質(zhì)通過的通道和適于引入磁場(chǎng)中的形式，其中所述成型體至少部分在基本上平行于磁場(chǎng)線運(yùn)行的表面處由反磁性材料包圍。
10.一種由磁熱材料構(gòu)成的用于冷卻器、熱泵或發(fā)電機(jī)的成型體，其具有使熱載體介質(zhì)通過的通道和適于引入磁場(chǎng)中的形式，其中所述成型體具有在磁場(chǎng)線方向運(yùn)行的反磁性材料的包合體。
全文摘要
本發(fā)明涉及反磁性材料在引入順磁性材料的磁場(chǎng)中作為聚焦體在順磁性材料中聚焦磁場(chǎng)線的用途。
文檔編號(hào)H01F1/01GK102473497SQ201080032758
公開日2012年5月23日 申請(qǐng)日期2010年7月22日 優(yōu)先權(quán)日2009年7月23日
發(fā)明者F·澤勒, G·德根 申請(qǐng)人:巴斯夫歐洲公司