專利名稱：包含石墨烯基層的電子裝置和/或其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明的特定的示例實(shí)施方式涉及包含石墨烯的薄膜。更特別地，本發(fā)明的特定的示例實(shí)施方式涉及石墨烯作為透明導(dǎo)電涂層(TCC)的使用。在特定的示例實(shí)施方式中，石墨烯薄膜比如，在催化劑薄膜上，從碳?xì)浠衔餁怏w(比如，CoH2，CH4，或類似的)異質(zhì)外延地大面積増大。特定的示例實(shí)施方式的石墨烯薄膜可以是摻雜的或無(wú)摻雜的。在特定的示例實(shí)施方式中，石墨烯薄膜，一旦形成，可以從它們的載體基板剝離(lifted off)并轉(zhuǎn)移到接收基板，例如，用于包含在中間或最終產(chǎn)品中。
背景技術(shù)：
銦ニ氧化錫(ITO)和摻雜氟的ニ氧化錫(FT0或SnO:F(氧化亞錫氟))涂層在光伏裝置中被廣泛作為窗ロ電極使用。這些透明的導(dǎo)電氧化物(TCO)已經(jīng)在各種應(yīng)用中取 得極大的成功。
然而，可惜的是，由于ー些原因，ITO和FTO的使用正變得越來(lái)越有問(wèn)題。比如，這樣的問(wèn)題包括，在地球上有限數(shù)量的可用的元素銦，TCO存在酸或堿的不穩(wěn)定性，它們從離子導(dǎo)電層離子擴(kuò)散的敏感性，在相鄰的紅外線區(qū)域它們有限的透明度(如，高耗能光譜)，由FTO結(jié)構(gòu)缺陷引起的FTO裝置的高泄漏電流，等。ITO脆弱的性質(zhì)和它的高沉積溫度也能限制它的應(yīng)用。此外，在Sn02:F(ニ氧化錫氟)中表面粗糙可能引起有問(wèn)題的電弧作用。這樣，將注意到在技術(shù)中需要具有好的穩(wěn)定性，高透明度，和極好的導(dǎo)電性的光滑的和可模型化的電極材料。對(duì)具有好的穩(wěn)定性，高透明度，和極好的導(dǎo)電性的新奇的電極材料的尋找正在進(jìn)行。這種尋找的一方面包括識(shí)別對(duì)這樣的傳統(tǒng)的TCO的可行的替代。就這一點(diǎn)而言，當(dāng)前發(fā)明的發(fā)明人已經(jīng)開(kāi)發(fā)了ー種可用的基于碳，尤其是石墨烯的透明導(dǎo)電涂層(TCC)。術(shù)語(yǔ)石墨烯通常指例如，具有単一石墨烯層或可擴(kuò)展為高至n層石墨(如，這里n可以高達(dá)大約10)的ー個(gè)或多個(gè)石墨原子層。當(dāng)電子學(xué)的趨勢(shì)是減少電路元件的大小至毫微米數(shù)值范圍時(shí)，一次在曼徹斯特大學(xué)得到石墨烯的最近的發(fā)現(xiàn)和離析(通過(guò)裂開(kāi)結(jié)晶石墨)。在這方面，石墨烯已經(jīng)出乎意料地引起了ー個(gè)獨(dú)特的光電性能的新世界，在標(biāo)準(zhǔn)的電子材料中沒(méi)有遇到。這從線性色散關(guān)系中出現(xiàn)(E對(duì)k)，其引起運(yùn)載石墨烯中具有靜止質(zhì)量并表現(xiàn)的像相對(duì)論性粒子的載流子。不受繞碳原子移動(dòng)的電子的位置限制的如相對(duì)論性的表現(xiàn)起因于它們與石墨烯的蜂窩晶格周期的電位的相互作用引起新的低能(E < I. 2eV)的準(zhǔn)粒子，其被具有有效光速VF c/300 = 106ms ’的(2+1)-維狄拉克方程式精確地描述。因此，量子電動(dòng)力學(xué)(QED)的良好建立的技術(shù)(其處理光量子)可以運(yùn)用到石墨烯的學(xué)習(xí)中，其具有進(jìn)ー步有利的方面為在石墨烯中通過(guò)300的因數(shù)，這樣的效果被放大。比如，與在真空中為1/137相比，在石墨烯中普適耦合常數(shù)a幾乎為2。見(jiàn)K.S.諾沃肖洛大，“在應(yīng)用原子能的薄碳片中的電氣場(chǎng)效應(yīng)，”科學(xué)，第306卷，第666-69頁(yè)(2004)，在此其內(nèi)容被合并。盡管只有ー個(gè)原子是厚的(在最小值)，石墨烯在化學(xué)上和熱上是穩(wěn)定的(雖然石墨烯可能在300攝氏度表面被氧化)，從而允許成功地制造石墨烯基的裝置抵擋環(huán)境條件。高品質(zhì)石墨烯首先由大塊石墨的微機(jī)械解理制作。相同的技術(shù)被調(diào)整為當(dāng)前提供大小高至lOOym2的高品質(zhì)石墨烯微晶。這個(gè)大小對(duì)于大多數(shù)在微電子中的研究目的是足夠的。因此，目前大多數(shù)主要在大學(xué)發(fā)展的技術(shù)已經(jīng)更 多的集中在微觀樣品和裝置準(zhǔn)備及描述而不是按比例放大。不像大多數(shù)當(dāng)前研究趨勢(shì)，實(shí)現(xiàn)石墨烯的全電位作為可能的TCC，在基板上高品質(zhì)材料的大面積沉積(如，玻璃或塑料基板)是必要的。至今，大多數(shù)大規(guī)模的石墨烯生產(chǎn)流程依靠使用基于濕式化學(xué)品的大塊石墨的剝落并從高序熱解石墨(HOPG)和化學(xué)剝落開(kāi)始。眾所周知，HOPG是具有小于I度的c軸的角展度的熱解石墨的高序形式，且通常在3300K通過(guò)應(yīng)カ退火生產(chǎn)。HOPG表現(xiàn)非常像純金屬因?yàn)樗ǔＪ欠瓷涞牟⑶译妭鲗?dǎo)的，雖然易碎且薄。用這種方式生產(chǎn)的石墨烯被過(guò)濾然后被粘附到表面。然而，用剝落處理有缺點(diǎn)。比如，剝落的石墨烯易折疊和變皺，作為小條存在并且為沉積依靠拼貼/縫合處理，缺乏對(duì)石墨烯層的數(shù)量的內(nèi)在的控制，等。這樣生產(chǎn)的材料經(jīng)常被嵌入污染且，同樣地，具有低級(jí)的電子性能。碳相位圖的深入分析顯示適于不僅生產(chǎn)石墨和金剛石，還有其它同素異形的形式比如，碳納米管(CNT)。納米管的催化劑沉積物在高達(dá)1000攝氏度的溫度下通過(guò)多個(gè)組從氣態(tài)被做出。

發(fā)明內(nèi)容
與這些傳統(tǒng)的研究方向和傳統(tǒng)的技術(shù)相比，本發(fā)明的特定的示例實(shí)施方式涉及異質(zhì)外延増大單晶石墨(n盡可能大到大約15)且將其轉(zhuǎn)變?yōu)楦唠娮蛹?jí)(HEG)石墨烯(n <大約3)的可擴(kuò)展的技術(shù)。特定的示例實(shí)施方式也涉及在透明的(依據(jù)可視的和紅外光譜)，傳導(dǎo)的超薄石墨烯薄膜中的ffiG石墨烯使用，例如，作為普遍采用的用于多個(gè)應(yīng)用(包括，比如固態(tài)太陽(yáng)能電池)的金屬氧化層窗孔電極的替代。特定的示例實(shí)施方式發(fā)展的技術(shù)基于催化驅(qū)動(dòng)異質(zhì)外延CVD處理，其發(fā)生足夠低的適用于玻璃的溫度。比如，熱力學(xué)和動(dòng)力學(xué)原理允許HEG石墨烯薄膜在低于大約700攝氏度的溫度下在種子催化劑層從氣態(tài)被結(jié)晶。特定的示例實(shí)施方式也使用原子氫，其已經(jīng)被證明是用于清除基板上非結(jié)晶的碳質(zhì)污染的有效的原子團(tuán)且能在低的處理溫度下這樣做。它在去除典型地由蝕刻程序留下的氧化物和其它重迭層是非常好的。特定的示例實(shí)施方式涉及ー種太陽(yáng)能電池。該太陽(yáng)能電池包括玻璃基板。第一石墨烯基傳導(dǎo)層直接或間接地位于玻璃基板上。第一半導(dǎo)體層與第一石墨烯基傳導(dǎo)層接觸。至少ー個(gè)吸收層直接或間接地位于第一半導(dǎo)體層上。第二半導(dǎo)體層直接或間接地位于至少ー個(gè)吸收層上。第二石墨烯基的傳導(dǎo)層與第二半導(dǎo)體層接觸。背接觸體直接或間接地位于第二石墨烯基的傳導(dǎo)層上。在特定的示例實(shí)施方式中，第一半導(dǎo)體層是n型半導(dǎo)體層并且第一石墨烯基傳導(dǎo)層是用n型摻雜物摻雜的，且第二半導(dǎo)體層是p型半導(dǎo)體層并且第二石墨烯基的傳導(dǎo)層是用P型摻雜物摻雜的。在特定的示例實(shí)施方式中，摻雜鋅的ニ氧化錫層設(shè)置在玻璃基板和第一石墨烯基傳導(dǎo)層之間。在特定的示例實(shí)施方式中，第一和/或第二半導(dǎo)體層可能包含聚合材料。
特定的示例實(shí)施方式涉及光伏裝置。該光伏裝置包括基板；至少ー個(gè)光伏薄膜層；第一和第二電極；和第一和第二透明的、傳導(dǎo)的石墨烯基層。第一和第二石墨烯基層分別與n和p型摻雜物摻雜。特定的示例實(shí)施方式涉及觸控面板組件。該觸控面板組件包括玻璃基板。直接或間接地在玻璃基板上提供第一透明的，傳導(dǎo)的石墨烯基層。提供可變形箔，該可變形箔實(shí)質(zhì)上相對(duì)于玻璃基板平行并隔開(kāi)放置。直接或間接地在可變形箔上提供第二透明的，傳導(dǎo)的石星稀基層。在特定的示例實(shí)施方式中，第一和/或第二石墨烯基層圖案化。在特定的示例實(shí)施方式中，多個(gè)柱體可以位于可變形箔和玻璃基板之間，且在組件的外圍至少可以提供一個(gè)邊緣密封。特定的示例實(shí)施方式涉及ー種接觸面板設(shè)備包括這樣ー種接觸面板組件。顯示器可以在可變形箔對(duì)面連接接觸面板組件的基板的表面。在特定的示例實(shí)施方式中，該接觸面板設(shè)備可以是電容性的或電阻式的接觸面板設(shè)備。 特定的示例實(shí)施方式涉及數(shù)據(jù)/總線線路，包括由基板支持的石墨烯基層。石墨烯基層的一部分石墨烯基層已經(jīng)暴露用于離子束/等離子體處理和/或用H*蝕刻，從而降低該部分的傳導(dǎo)性。在特定的示例實(shí)施方式中，該部分不是電傳導(dǎo)的。在特定的示例實(shí)施方式中，基板是玻璃基板，硅晶片，或其它基板。在特定的示例實(shí)施方式中，該部分可以通過(guò)暴露用于離子束/等離子體處理和/或用H*蝕刻而被至少部分地移除。特定的示例實(shí)施方式涉及天線。石墨烯基層由基板支持。石墨烯基層的一部分石墨烯基層已經(jīng)暴露用于ー種離子束/等離子體處理和/或用H*蝕刻，從而使得與石墨烯基層的其它部分相比，所述石墨烯基基層的該部分變薄。石墨烯基層作為ー個(gè)整體具有至少80%的可見(jiàn)光透射率，更加較優(yōu)地至少90%。特定的示例實(shí)施方式涉及制作電子裝置的方法。提供基板。石墨烯基層在基板上形成。通過(guò)使用離子束/等離子體暴露或用H*蝕刻選擇性地圖案化該石墨烯基層。圖案化在特定的示例實(shí)施方式中，在圖案化之前轉(zhuǎn)移石墨烯基層到第二基板。在特定的示例實(shí)施方式中，執(zhí)行圖案化以減少傳導(dǎo)性和/或移除石墨烯基層的部分。在此描述的特征，方面，改進(jìn)，和示例實(shí)施方式還可以結(jié)合實(shí)現(xiàn)進(jìn)ー步的實(shí)施方式。


通過(guò)參考以下示范說(shuō)明的實(shí)施例結(jié)合附圖的詳細(xì)描述可以更好地且更完全地理解這些或其他附圖和改進(jìn)，其為圖I是說(shuō)明特定的示例實(shí)施方式的全部的技術(shù)的高層流程圖；圖2是特定的示例實(shí)施方式的催化生長(zhǎng)技術(shù)的示例示意圖，說(shuō)明根據(jù)特定的示例實(shí)施方式碳?xì)浠衔餁怏w的引入，碳溶解，和猝熄的可能的結(jié)果；圖3是說(shuō)明根據(jù)特定的示例實(shí)施方式用于摻雜石墨烯的第一示例技術(shù)的流程圖；圖4是說(shuō)明根據(jù)特定的示例實(shí)施方式用于摻雜石墨烯的第二示例技術(shù)的流程圖；圖5是說(shuō)明根據(jù)特定的示例實(shí)施方式用于摻雜石墨烯的第三示例技術(shù)的示例示意圖；圖6是根據(jù)特定的示例實(shí)施方式涉及石墨烯的摻雜的標(biāo)繪溫度對(duì)時(shí)間的圖表；圖7是在特定的示例實(shí)施方式的石墨烯釋放或剝離技術(shù)中有用的示例層堆；圖8是根據(jù)特定的示例實(shí)施方式在目標(biāo)玻璃基板上可能用于暴露石墨烯的層壓設(shè)備的示例示意圖；
圖9是根據(jù)ー個(gè)示例實(shí)施方式適用于暴露高電子級(jí)(HEG)石墨烯的反應(yīng)器的剖面示意圖；圖10是說(shuō)明特定示例實(shí)施方式的特定的示例催化CVD生長(zhǎng)，剝離，和轉(zhuǎn)移技術(shù)的不例エ序流程圖；圖11是根據(jù)特定的示例實(shí)施方式生產(chǎn)的樣品石墨烯的圖像；圖12是根據(jù)特定的示例實(shí)施方式合并石墨烯基層的太陽(yáng)能光伏裝置的剖面示意圖；圖13是根據(jù)特定的示例實(shí)施方式合并石墨烯基層的觸控屏幕的剖面示意圖；圖14是根據(jù)特定的示例實(shí)施方式說(shuō)明用于形成傳導(dǎo)的數(shù)據(jù)/總線的示例技術(shù)的流程圖；且圖15是根據(jù)特定的示例實(shí)施方式用于形成傳導(dǎo)的數(shù)據(jù)/總線的技術(shù)的示意圖。
具體實(shí)施例方式本發(fā)明的特定的示例實(shí)施方式涉及異質(zhì)外延増大單晶石墨(n盡可能大到大約15)且將其轉(zhuǎn)變?yōu)楦唠娮蛹?jí)(HEG)石墨烯(n<大約3)的可擴(kuò)展的技木。特定的示例實(shí)施方式也涉及在透明的(依據(jù)可視的和紅外光譜)，傳導(dǎo)的超薄石墨烯薄膜中的ffiG石墨烯使用，例如，作為普遍采用的用于多個(gè)應(yīng)用(包括，比如固態(tài)太陽(yáng)能電池)的金屬氧化層窗孔電極的替代。特定的示例實(shí)施方式發(fā)展的技術(shù)基于催化驅(qū)動(dòng)異質(zhì)外延CVD處理，其發(fā)生足夠低的適用于玻璃的溫度。比如，熱力學(xué)和動(dòng)力學(xué)原理允許HEG石墨烯薄膜在低于大約600攝氏度的溫度下在種子催化劑層從氣態(tài)被結(jié)晶。圖I是說(shuō)明特定的示例實(shí)施方式的全部的技術(shù)的高層流程圖；如圖I所示，特定的示例實(shí)施方式的全部的技術(shù)可以歸類為屬于四個(gè)基本步驟之一
在適當(dāng)?shù)谋趁嬷С稚鲜┙Y(jié)晶(步驟S101)，石墨烯釋放或從背面支持剝離(步驟S103)，石墨烯轉(zhuǎn)移到目標(biāo)基板或表面(步驟S105)，且目標(biāo)基板或表面合并入產(chǎn)品(步驟S107)。如以下更詳細(xì)的解釋，將注意到在步驟S107中提及的產(chǎn)品可以是中間產(chǎn)品或最終
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不例石墨烯結(jié)晶技木特定的示例實(shí)施方式的石墨烯結(jié)晶技術(shù)可以認(rèn)為作為涉及“破裂”碳?xì)浠衔餁怏w并且在大范圍上(如，大約I米的范圍，或更大)再組裝碳原子成為熟悉的蜂窩結(jié)構(gòu)，例如，影響(leveraging)表面催化劑路徑。特定的示例實(shí)施方式的石墨烯結(jié)晶技術(shù)發(fā)生在高溫和適度的壓カ下。以下將詳細(xì)描述該示例方法的說(shuō)明性的細(xì)節(jié)。特定的示例實(shí)施方式的催化劑生長(zhǎng)技術(shù)有ー些涉及已經(jīng)用于在異質(zhì)外延區(qū)域生長(zhǎng)石墨的技木。用于石墨烯結(jié)晶的催化劑在適當(dāng)?shù)谋趁嬷С稚咸幚?。背面支持可以是任何適當(dāng)?shù)哪艿挚垢邿岬牟牧?如，溫度上升到大約1000攝氏度)，比如，特定的陶瓷或玻璃產(chǎn)品，含鋯的材料，氮化鋁材料，硅片等。薄膜在結(jié)晶步驟之前被直接或間接地在背面支持上處理，從而保證它的表面大體上不被污染。本發(fā)明的發(fā)明人已經(jīng)發(fā)現(xiàn)當(dāng)催化劑層實(shí)質(zhì)上具有單向晶體結(jié)構(gòu)時(shí)，石墨烯結(jié)晶被促迸。就這一點(diǎn)而言，小的顆粒已經(jīng)確定不太有利，因?yàn)樗鼈兊蔫偳督Y(jié)構(gòu)最后將轉(zhuǎn)移到石墨烯層。無(wú)論如何，如果催化劑層至少在實(shí)質(zhì)部分具有單向晶體結(jié)構(gòu)，晶體結(jié)構(gòu)的特定的定向已經(jīng)發(fā)現(xiàn)很大程度上對(duì)石墨烯結(jié)晶是無(wú)關(guān)緊要的。實(shí)際上，顆粒邊界在催化劑中比較缺乏(或較低)已經(jīng)被發(fā)現(xiàn)導(dǎo)致對(duì)生長(zhǎng)的石墨烯的相同或相似的定向，且已經(jīng)被發(fā)現(xiàn)提供高電極OlEG)石墨烯。催化劑層本身可以通過(guò)任何適當(dāng)?shù)募寄?，比如濺射，氧化氣相沉積(CVD)，火焰裂解等，在背面支持上 處理。催化劑層本身可能包括任何適當(dāng)?shù)慕饘倩蚝饘俨牧?。比如，催化劑層可能包括，比如，如鎳，鈷，鉄，坡莫合?如，鎳鐵合金，通常包括大約20%鐵和80%鎳)，鎳與鉻，銅的合金，和它們的組合。當(dāng)然，結(jié)合特定的示例實(shí)施方式可能使用其它金屬。發(fā)明人已經(jīng)發(fā)現(xiàn)鎳的或包含鎳的催化劑層尤其對(duì)石墨烯結(jié)晶有利，且鎳與鉻的合金還是更有利的。此外，發(fā)明人已經(jīng)發(fā)現(xiàn)在鎳一鉻(nickel-chromium)層(有時(shí)也叫nichrome或NiCr層)鉻的數(shù)量可以最佳化以便促進(jìn)大晶體的形成。特別地，在NiCr層中3-15%的Cr是較優(yōu)的，在NiCr層中5-12%的Cr是進(jìn)ー步較優(yōu)的，且在NiCr層中7_10 %的Cr是更加較優(yōu)的。在金屬薄膜中釩的存在也已經(jīng)被發(fā)現(xiàn)對(duì)促進(jìn)大晶體生產(chǎn)是較優(yōu)的。催化劑層可以相對(duì)較薄或較厚。比如，薄膜可以是50-1000nm厚，進(jìn)ー步較優(yōu)地75_750nm厚，且更加較優(yōu)地100-500nm厚。在特定的示例例子中，“大晶體生長(zhǎng)”包括具有沿長(zhǎng)軸近似10微米的長(zhǎng)度，且有時(shí)甚至更長(zhǎng)的晶體。一旦催化劑薄膜在背面支持上處理，在背面支持和其上處理的催化劑薄膜位于其中的腔體內(nèi)引入碳?xì)浠衔餁怏w(如，C2H2氣,CH4氣等)?？赡茉诜秶鷱拇蠹s5-150毫托，進(jìn)ー步較優(yōu)地10-100毫托的壓強(qiáng)下引入碳?xì)浠衔餁怏w。通常，壓強(qiáng)越高，石墨烯的生長(zhǎng)越快。背面支持和/或腔體作為整體然后被加熱至溶解或“用カ敲破”碳?xì)浠衔餁怏w。比如，背面支持可以被提高到600-1200攝氏度的范圍內(nèi)的溫度，進(jìn)ー步較優(yōu)的700-1000攝氏度，且更加較優(yōu)地800-900攝氏度。加熱可能通過(guò)任何適當(dāng)?shù)募夹g(shù)完成，比如，通過(guò)短波紅外線(IR)加熱器。加熱可能發(fā)生在包括比如氬，氮，氮和氫的混合物的氣體的環(huán)境，或其它適當(dāng)?shù)沫h(huán)境中。換句話說(shuō)，在特定的示例實(shí)施方式中，碳?xì)浠衔餁怏w的加熱可能發(fā)生在包含其它氣體的環(huán)境中。在特定的示例實(shí)施方式中，使用純碳?xì)浠衔餁怏w(比如，用C2H2)可能是可取的，然而使用碳?xì)浠衔餁怏w與另ー種惰性的或其它氣體的混合物是可取的(比如，CH4混合Ar)。石墨烯將在這個(gè)或另ー個(gè)合適的環(huán)境中生長(zhǎng)。為了停止生長(zhǎng)并幫助確定石墨烯生長(zhǎng)在催化劑的表面(如與被嵌入催化劑內(nèi)相反)，特定的示例實(shí)施方式采用猝熄處理。猝熄可以用ー種惰性氣體，比如，氬，氮，其組合等執(zhí)行。為促進(jìn)石墨烯在催化劑層表面生長(zhǎng)，猝熄應(yīng)當(dāng)相當(dāng)快地執(zhí)行。更特別地，已經(jīng)發(fā)現(xiàn)猝熄的太快或太慢導(dǎo)致很少的或沒(méi)有石墨烯在催化劑層表面生長(zhǎng)。通常，在已經(jīng)被發(fā)現(xiàn)通過(guò)化學(xué)吸收作用促進(jìn)好的石墨烯生長(zhǎng)等的幾分鐘的過(guò)程中，猝熄以使背面支持和/或基板的溫度從大約900攝氏度降低至70攝氏度(或更低)。就這一點(diǎn)而言，圖2是特定的示例實(shí)施方式的催化生長(zhǎng)技術(shù)的示例示意圖，說(shuō)明根據(jù)特定的示例實(shí)施方式碳?xì)浠衔餁怏w的引入，碳溶解，和猝熄的可能的結(jié)果。石墨烯的生長(zhǎng)過(guò)程符合嚴(yán)格的薄膜厚度關(guān)系t = nxSLG，其中n包括ー些步驟的離散數(shù)字。如果石墨烯已經(jīng)產(chǎn)生，非常快速地識(shí)別并在薄膜區(qū)域上確定n的值概略地相當(dāng)于以單ー的度量測(cè)量薄膜的質(zhì)量和均勻性。雖然可以通過(guò)原子力和掃描電子顯微鏡看到石墨烯片，但這些技術(shù)是耗時(shí)的且也可能導(dǎo)致石墨烯的污染。因此，特定的示例實(shí)施方式采用相襯技術(shù)提高在預(yù)定的催化劑表面的石墨烯的可見(jiàn)度。這可以考慮到映射在金屬的催化劑薄膜上的沉積表面上的任何n值的變化來(lái)完成。這個(gè)技術(shù)依靠通過(guò)旋轉(zhuǎn)涂布ー種材料到其上可能實(shí)質(zhì)上提高石墨烯的對(duì)比度的事實(shí)。比如，廣泛采用的UV固化光刻膠(如，PMMA)可能以足夠使薄膜可見(jiàn)并連續(xù)(如，大約I微米厚)的厚度在石墨/金屬/背面支持等上被旋轉(zhuǎn)涂布，絲網(wǎng)印刷，凹版印刷，或相反處理。如以下更詳細(xì)的解釋，聚合物光刻膠的夾雜物也可能有利于在石墨烯轉(zhuǎn)移到最終表面之前的剝離處理。也就是說(shuō)，如以下詳細(xì)解釋的，當(dāng)金屬層被釋放或相反地從背面支持脫粘，除了提供關(guān)于石墨烯形成什么時(shí)候完成的指示，聚合物光刻膠也可能提供用于高彈性的石墨烯的支持。
如果ー個(gè)層生長(zhǎng)的太厚(有意地或無(wú)意地)，該層可能比如，用氫原子(H*)蝕刻。這種技術(shù)在大多數(shù)示例情況下可能是較優(yōu)的。比如，在生長(zhǎng)發(fā)生的太迅速，太出乎意料，不均衡，等的地方，H*可以用于改正這樣的問(wèn)題。如另ー個(gè)例子，為確保生長(zhǎng)足夠的石墨烯，可以創(chuàng)造石墨，可以沉積石墨，且如用H*可以將石墨有選擇地蝕刻回期望的n層HEG石墨烯。還如另ー個(gè)示例，H*可以用于有選擇地蝕刻掉石墨烯，如，創(chuàng)造傳導(dǎo)區(qū)域和非傳導(dǎo)區(qū)域。比如，這可以通過(guò)涂合適的掩摸，進(jìn)行蝕刻，然后移除該掩模來(lái)完成。石墨烯的理論研究已經(jīng)表面載流子的移動(dòng)性可以高于200，000cm2/(V-s)。氣相處理異質(zhì)外延生長(zhǎng)的石墨烯的實(shí)驗(yàn)測(cè)量值表明電阻率低至3x 106Q-cm，其比鍍銀薄膜的好。這樣的石墨烯的片電阻已經(jīng)被發(fā)現(xiàn)大約為150歐姆/平方?？赡茏兓末`個(gè)因數(shù)是需要產(chǎn)生最低的電阻率和片電阻的石墨烯的層的數(shù)量，且將注意到石墨烯期望的厚度可以取決于目標(biāo)應(yīng)用而改變。適合于大多數(shù)應(yīng)用的石墨烯可能是n = 1-15石墨烯,進(jìn)ー步較優(yōu)地n =1-10石墨烯,更加較優(yōu)地n = 1-5石墨烯,且有時(shí)是n = 2-3石墨烯。n = I石墨烯層已經(jīng)被發(fā)現(xiàn)導(dǎo)致透射下降大約2. 3-2. 6%。已經(jīng)發(fā)現(xiàn)這個(gè)透射下降通常實(shí)質(zhì)上穿過(guò)所有光譜是線性的，如，范圍從紫外線(UV)，穿過(guò)可見(jiàn)的，且穿過(guò)紅外線(IR)。此外，已經(jīng)發(fā)現(xiàn)透射的損耗實(shí)質(zhì)上隨每個(gè)連續(xù)的n的増量是線性的。
示例摻雜技術(shù)雖然150歐姆/平米的薄片電阻可能適合于特定的示例實(shí)施方式，將注意到不同的示例應(yīng)用可能期望進(jìn)ー步降低片電阻。比如，將注意到特定的示例應(yīng)用可能期望10-20歐姆/平米的片電阻。本發(fā)明的發(fā)明人已經(jīng)確定可以通過(guò)石墨烯的摻雜降低片電阻。就這一點(diǎn)而言，石墨烯呈現(xiàn)在亞微米標(biāo)度上的沖擊傳輸并可以通過(guò)門電壓或分子吸附質(zhì)或在這種情況下n > 2的嵌入大量地?fù)诫s，沒(méi)有重大的遷移率的減少。本發(fā)明的發(fā)明人已經(jīng)確定除供體/受體的區(qū)別之外，石墨烯中的雜質(zhì)通常有兩個(gè)不同的類別，也就是，順磁性的和非磁性的。與普通的半導(dǎo)體對(duì)比，后一種類型的雜質(zhì)通常表現(xiàn)為更弱的摻雜，而順磁性的雜質(zhì)引起強(qiáng)摻雜
由于線性地消失，電子空穴対稱的態(tài)密度(DOS)近似于石墨烯的迪拉克點(diǎn)，定位沒(méi)有自旋極化被牽制到偽隙中心的雜質(zhì)形態(tài)。這樣，石墨烯中的雜質(zhì)形態(tài)強(qiáng)烈區(qū)別于在普通半導(dǎo)體中的相對(duì)物，其中在化學(xué)價(jià)和傳導(dǎo)帶中的DOS是非常不同的且雜質(zhì)能級(jí)通常位于遠(yuǎn)離空隙的中間。雖然可能不希望要求存在定義明確的供體(或受體)的遠(yuǎn)離費(fèi)米能級(jí)的電子伏特的幾十分位能級(jí)的強(qiáng)摻雜效果，但如果雜質(zhì)具有局部的磁性時(shí)刻，它的能級(jí)或多或少對(duì)稱地通過(guò)洪德交換分離，大約leV，隨著比如石墨烯中存在的那些類似迪拉克光譜，在ニ維系統(tǒng)的電子結(jié)構(gòu)上其提供用于強(qiáng)摻雜雜質(zhì)效果的有利的情況。推理的線可以用于引導(dǎo)分子的選擇形成順磁性單分子和反磁性ニ聚物系統(tǒng)去摻雜石墨烯并且將它的傳導(dǎo)性從IO3S/cm提高到105S/cm，且有時(shí)甚至到106S/cm。結(jié)合特定的示例實(shí)施方式，使用的示例摻雜物包括氮，硼，磷，氟化物，鋰，鉀，銨等。結(jié)合特定的示例實(shí)施方式，也可以使用硫磺基摻雜物(如，ニ氧化硫)。比如，在玻璃基板中存在的硫化物可以引起滲出玻璃且從而摻雜石墨烯基層。以下更詳細(xì)地提出多種示例石墨烯摻雜技木。圖3是說(shuō)明根據(jù)特定的示例實(shí)施方式用于摻雜石墨烯的第一示例技術(shù)的流程圖；該圖3示例技術(shù)實(shí)質(zhì)上包括在石墨烯中嵌入摻雜材料的離子束。例如，如上所述，在該示例技術(shù)中，石墨烯在金屬催化劑上生長(zhǎng)(步驟S301)。催化劑和其上形成的石墨烯被暴露 用于包含被用作雜質(zhì)的材料的氣體(有時(shí)也指作為雜質(zhì)氣體)(步驟S303)。然后在包含催化劑及其上形成的石墨烯和雜質(zhì)氣體的腔體內(nèi)激發(fā)等離子(S305)。離子束然后被用于將雜質(zhì)嵌入石墨烯中(S307)。比如，適合于這種摻雜的示例離子束技術(shù)公開(kāi)在美國(guó)專利號(hào)6，602，371 ;6，808，606 ;和美國(guó)再公告專利Re. 38，358，和美國(guó)公開(kāi)號(hào)2008/0199702中，其中每ー個(gè)以此方式在此通過(guò)引用合井。離子束功率可以是大約10-200ev，進(jìn)ー步較優(yōu)地為20-50ev，更加較優(yōu)地為20-40ev。圖4是說(shuō)明根據(jù)特定的示例實(shí)施方式用于摻雜石墨烯的第二示例技術(shù)的流程圖，圖4示例技術(shù)實(shí)質(zhì)上包括在目標(biāo)接收基板預(yù)嵌入固態(tài)雜質(zhì)，并且當(dāng)石墨烯應(yīng)用到接收基板時(shí)然后引起那些固態(tài)雜質(zhì)遷移進(jìn)石墨烯。在該示例技術(shù)中，例如，如上所述，石墨烯在催化劑上生長(zhǎng)(步驟S401)，預(yù)制接收基板以便包含其中的固態(tài)雜質(zhì)(步驟S403)。比如，可以通過(guò)溶于玻璃中的制劑包含固態(tài)雜質(zhì)。大約1-10%原子的，進(jìn)ー步較優(yōu)地1-5%原子的，且更加較優(yōu)地2-3%原子的雜質(zhì)可以包含在玻璃熔體中。比如，使用以下詳細(xì)描述的其中ー個(gè)示例技術(shù)，石墨烯被應(yīng)用于接收基板(步驟S405)。然后，引起在接收基板內(nèi)的固態(tài)雜質(zhì)移入石墨烯。在石墨烯的沉積物中使用的熱將引起雜質(zhì)向正形成的石墨烯層移動(dòng)。相似地，此外摻雜的薄膜可以包含在玻璃上，且其中的雜質(zhì)可以引起通過(guò)熱擴(kuò)散穿過(guò)這些層移動(dòng)，比如，創(chuàng)造摻雜的石墨烯層(n >= 2)。在特定的示例實(shí)施方式中，離子束也可以用于將摻雜物直接嵌入到玻璃中。離子束功率可以是大約10-1000ev，進(jìn)ー步較優(yōu)地20_500ev，進(jìn)ー步較優(yōu)地20_100ev。當(dāng)中間層是摻雜的且用于為石墨烯提供雜質(zhì)，離子束可以在大約10-200ev，進(jìn)ー步較優(yōu)地20-50ev，進(jìn)ー步較優(yōu)地20_40ev下操作。圖5是說(shuō)明根據(jù)特定的示例實(shí)施方式用于摻雜石墨烯的第三示例技術(shù)的示例示意圖。圖5示例技術(shù)實(shí)質(zhì)上包括在金屬催化劑層503內(nèi)的預(yù)嵌入固態(tài)雜質(zhì)507，并且然后當(dāng)石墨烯正在形成時(shí)，引起那些固態(tài)雜質(zhì)507經(jīng)過(guò)催化劑層503遷移，從而在催化劑層503的表面上創(chuàng)造摻雜的石墨烯509。進(jìn)ー步較優(yōu)地，在該示例技術(shù)中，在背面支持505上處理催化劑層503。催化劑層503包括其中的固態(tài)雜質(zhì)507。換句話說(shuō)，催化劑在它的體積內(nèi)具有固態(tài)雜質(zhì)原子(如，從大約1_10%，進(jìn)ー步較優(yōu)地大約1_5%，且更加較優(yōu)地大約1-3% )。在高溫下引入碳?xì)浠衔餁怏w501接近形成的催化劑層503。當(dāng)石墨烯發(fā)生結(jié)晶時(shí)，如通過(guò)這個(gè)高溫，催化劑層503內(nèi)的固態(tài)雜質(zhì)507向其外表面發(fā)生遷移。已經(jīng)發(fā)現(xiàn)雜質(zhì)到達(dá)表面的比率是催化劑厚度和溫度的ー個(gè)函數(shù)。結(jié)晶通過(guò)猝熄停止，并且，最后，在催化劑層503的表面形成摻雜的石墨烯509。隨著摻雜的石墨烯509的形成，催化劑層503現(xiàn)在具有較少的(或沒(méi)有)固態(tài)雜質(zhì)507位于其中。本實(shí)例技術(shù)的ー個(gè)優(yōu)點(diǎn)涉及通過(guò)合理地改變金屬表面溫度，分壓強(qiáng)，和沉積氣體種類的停留時(shí)間，以及用于猝熄比率處理的自由基來(lái)控制生長(zhǎng)的超薄薄膜的可能性。將注意到這些示例摻雜技術(shù)可以單獨(dú)和/或相互之間和/或與進(jìn)ー步的技術(shù)以多種組合及子組合使用。也將注意到特定的示例實(shí)施方式可以包括単一雜質(zhì)材料或多種雜質(zhì) 材料，例如，通過(guò)一次使用特別的示例技術(shù)，重復(fù)使用特別的技術(shù)，或一次或多次各自通過(guò)多種技術(shù)的結(jié)合使用。比如，在特定的示例實(shí)施方式中。P型和n型雜質(zhì)是可能的。圖6是根據(jù)特定的示例實(shí)施方式涉及石墨烯的摻雜的標(biāo)繪溫度對(duì)時(shí)間的圖表。如上所述，比如，冷卻可以使用惰性氣體完成。通常，并且也如上所述，在特定的示例實(shí)施方式中，高溫可以是大約900攝氏度，且低溫可以是大約700攝氏度，且冷卻可以發(fā)生超過(guò)幾分鐘?？梢允褂萌鐖D6所示的相同的加熱/冷卻內(nèi)形曲線，不管石墨烯是否是摻雜的。
示例的石墨烯釋放/剝離和轉(zhuǎn)移技術(shù)—旦石墨烯已經(jīng)被異質(zhì)外延地生長(zhǎng)，它可以從金屬催化劑和/或背面支持釋放或剝離，如，先于被放置在基板上被合并入中間或最終產(chǎn)品。根據(jù)特定的示例實(shí)施方式，可以執(zhí)行各種程序從它們的生長(zhǎng)基板舉起外延薄膜。圖7是在特定的示例實(shí)施方式的石墨烯釋放或剝離技術(shù)中有用的示例層堆。參考圖7，在特定的示例實(shí)施方式中，可以在背面支持505和催化劑層503之間設(shè)置可選擇的釋放層701。該釋放層701可以具有或包括，比如，氧化鋅(如ZnO或其它適當(dāng)?shù)幕瘜W(xué)計(jì)量)?？赡鼙还袒暮笫┏练e物，石墨烯509/金屬催化劑層503/釋放層701堆涂布基板505,如通過(guò)旋轉(zhuǎn)涂布應(yīng)用，由彎月面流(meniscusflow)等分配，可以得到厚的聚合物703的涂層(如，幾微米厚)。如上所提到，該聚合物703可以作為用于石墨烯509在剝離(lift-off和/或debonding)過(guò)程中的支柱或支撐，非常靈活地保持石墨烯薄膜連續(xù)，然而也減少石墨烯薄膜卷起，變皺，或其他變形的可能性。也如上所提到，PMMA可以用作通過(guò)相襯允許石墨烯變得可視的聚合物并且用于在前和/或在剝離過(guò)程中的支持。然而，結(jié)合特定的示例實(shí)施方式，可能在支持階段，和釋放轉(zhuǎn)移階段過(guò)程中使用機(jī)械和化學(xué)性能可以與石墨烯的性能匹配的大范圍的聚合物。通過(guò)對(duì)可以以化學(xué)方法從石墨片狀剝落的石墨烯薄膜進(jìn)行實(shí)驗(yàn)，剝離工作可以與主要的外延生長(zhǎng)分支等同時(shí)執(zhí)行。一旦在母基板上處理催化劑層，可以以化學(xué)方法引起釋放層從母基板結(jié)合石墨烯/金屬。比如，在氧化鋅釋放層的情況下，在醋里浸洗可以引起石墨烯的釋放。氧化鋅釋放層的使用也是有益的，因?yàn)楸旧暾?qǐng)的發(fā)明人已經(jīng)發(fā)現(xiàn)金屬催化劑層也是從具有釋放層的石墨烯移除的。認(rèn)為這是由氧化鋅釋放層連同它與催化劑層內(nèi)的顆粒形成的相互聯(lián)系造成的構(gòu)造的結(jié)果。將注意到這樣減少了(并且有時(shí)甚至消除了)后來(lái)移動(dòng)催化劑層的需要。特定的剝離(lift-off/debonding)和轉(zhuǎn)移技術(shù)實(shí)質(zhì)上將原基板當(dāng)作可再用的外延生長(zhǎng)基板。同樣地，在這樣的示例實(shí)施方式中，選擇性的蝕刻從外延生長(zhǎng)的石墨烯(在上部具有聚合物)切削(undercut)并溶解掉金屬催化劑薄膜可能是可取的。這樣，在特定的示例實(shí)施方式中，催化劑層可能被腐蝕掉，不管是否使用釋放層。比如，合適的蝕刻劑包括鹽酸，磷酸等。可以準(zhǔn)備最終的受體玻璃基板表面以便接收石墨烯層。比如，朗繆爾-布洛杰特薄膜(如，從朗繆爾-布洛杰特酸)可以應(yīng)用于玻璃基板。最終的受體基板可作為選擇地或附加地用光滑的親石墨烯層(graphenophillic layer),如基于娃樹(shù)脂聚合物等涂布,使后者被石墨烯接受。這可以幫助確保靜電鍵，從而優(yōu)先地允許石墨烯轉(zhuǎn)移過(guò)程中的轉(zhuǎn)移。目標(biāo)基板可以附加地或作為選擇地曝露給紫外輻射，如，提高目標(biāo)基板的表面能且從而使它更易被石墨烯接收。在特定的示例實(shí)施方式中，石墨烯可以通過(guò)覆蓋層(blanket)沖壓和/或旋轉(zhuǎn)應(yīng)用到基板。這樣的過(guò)程允許石墨烯預(yù)先生長(zhǎng)并用化學(xué)方法吸收到通過(guò)接觸壓カ轉(zhuǎn)移到受體玻璃上的金屬載體上。如ー個(gè)示例，如圖8所示，石墨烯可以通過(guò)ー個(gè)或更多層壓滾筒(lamination rollers)應(yīng)用到基板。就這一點(diǎn)而言，圖8顯示上部和下部滾筒803a和803b, 其將應(yīng)用壓カ并且引起石墨烯509和聚合物層703被層壓到目標(biāo)基板801。如上所指出，目標(biāo)基板801具有含娃的或其它其上處理的親石墨烯層(graphenophillic layer)促進(jìn)層壓。將注意到聚合物層703將作為最外層應(yīng)用且石墨烯509將靠近目標(biāo)基板801 (或甚至直接在其上)。在特定的示例實(shí)施方式中，可能在石墨烯的應(yīng)用之前在基板上提供一個(gè)或更多層。一旦在目標(biāo)基板上處理石墨烯，可能移動(dòng)聚合物層。在特定的示例實(shí)施方式中，可以用適當(dāng)?shù)娜軇┤芙饩酆衔?。?dāng)使用如PMMA的光敏材料時(shí)，它可以通過(guò)紫外曝光移除。當(dāng)然，其它移除技術(shù)也是可能的。在特定的示例實(shí)施方式中，將注意到在石墨烯已經(jīng)應(yīng)用到目標(biāo)基板后，例如，使用上述一種示例蝕刻劑可能腐蝕掉催化劑薄膜。蝕刻劑的選擇也可能石墨烯基下面的任何層的存在或缺少。特定的示例實(shí)施方式更直接地用電化學(xué)方法陽(yáng)極氧化石墨烯下面的金屬催化劑薄膜。在這樣的示例實(shí)施方式中，石墨烯本身可能作為陰極，因?yàn)橄旅娴慕饘俦魂?yáng)極氧化成透明的氧化物，雖然仍然被結(jié)合到原基板。這樣的示例實(shí)施方式可能在一個(gè)步驟中通過(guò)實(shí)質(zhì)上執(zhí)行剝離和轉(zhuǎn)移過(guò)程，被用于繞開(kāi)使用聚合物涂層。但是，通過(guò)電化學(xué)方法陽(yáng)極化可能影響石墨烯的電子性能且從而需要補(bǔ)償。在特定的示例實(shí)施方式中，可以以其它方式氧化石墨烯下面的催化劑層，使它透明。比如傳導(dǎo)的氧化物可能用于將石墨烯基層“連接”到基板，半導(dǎo)體，或其它層。就這一點(diǎn)而言，鈷，鉻鈷，鎳鉻鈷，和/或類似的可能被氧化。在特定的示例實(shí)施方式中，這可能也減少了石墨烯剝離的需要，使轉(zhuǎn)移，操作，和石墨烯的其它處理更容易。在特定的示例實(shí)施方式中，也可能使用粘合劑或類似膠帶的材料獲得。粘合劑可以放置在目標(biāo)基板上。如，接著加壓應(yīng)用，可以將石墨烯通過(guò)比到膠帶等更強(qiáng)地粘附到基板，轉(zhuǎn)移到目標(biāo)基板。
示例反應(yīng)器設(shè)計(jì)蓮蓬式反應(yīng)器或多或少均勻地在第二平行的平面的加熱表面上典型地采用了穿孔的或多孔的平面的表面分配反應(yīng)氣體。這樣的結(jié)構(gòu)可以用于生長(zhǎng)使用在此描述的示例異質(zhì)外延技術(shù)的石墨烯。蓮蓬式反應(yīng)器對(duì)大的正方形的超光滑玻璃或陶瓷基片的處理是有利的。蓮蓬式反應(yīng)器的基本原理圖是圖9，具有被放大的增壓設(shè)計(jì)。換句話說(shuō)，圖9是根據(jù)一個(gè)示例實(shí)施方式適用于暴露高電子級(jí)OlEG)石墨烯的反應(yīng)器的剖面示意圖。該反應(yīng)器包括具有多個(gè)入口和出口的主體部分901。更特別地，在頂部且在反應(yīng)器的主體部分901的近似水平居中提供氣體入口 903。該氣體入口 903可以從ー個(gè)或更多來(lái)源接收到氣體且從而可以提供多種氣體，包括比如，碳?xì)浠衔餁怏w，用于形成在異質(zhì)外延生長(zhǎng)過(guò)程中的環(huán)境的氣體，猝熄氣體等。以下將更詳細(xì)地描述氣體流和流量，例如，關(guān)于蓮蓬式的增壓設(shè)計(jì)907。可以在反應(yīng)器的主體部分901的底部提供多個(gè)排氣ロ 905。在圖9示例實(shí)施方式中，提供近似于反應(yīng)器的主體部分901的極值的兩個(gè)排氣ロ 905，例如，以便排出氣體入口 903提供的實(shí)質(zhì)上通常會(huì)流經(jīng)整個(gè)主體部分901的氣體。將注意到，在特定的示例實(shí)施方式中，可以提供更多的或更少的排氣ロ 905(例如，可以在反應(yīng)器的主體部分901的近似水平居中，在反應(yīng)器的主體部分901的頂部或側(cè)面提供另外的排氣ロ 905等)。在特定的示例實(shí)施方式中，在通過(guò)加載互鎖機(jī)構(gòu)進(jìn)入反應(yīng)器之前，背面支持基板909可能被清潔并在其上處理催化劑薄膜(例如，通過(guò)物理氣相沉積或PVD，濺射，CVD，火焰裂解或類似的)。根據(jù)承受器設(shè)計(jì)，背面支持基板909的表面可以被快速加熱為(例如，使用RTA加熱器，短波IR加熱器，或其它的能夠誘導(dǎo)地加熱基板和/或其上的層不需要也加熱整個(gè)腔體的適當(dāng)?shù)募訜崞?可控制的溫度水平并且均勻的，其允許(i)金屬薄膜結(jié)晶和激活，和(ii)實(shí)質(zhì)上均勻的石墨烯的優(yōu)先的沉積物和在其表面上的氣相前驅(qū)體的可控制 的厚度。加熱器可以是可控制的以便計(jì)算沉積率參數(shù)/催化劑比率的(溫度*厚度)。背面支持基板909可以沿方向R穿過(guò)反應(yīng)器移動(dòng)或可以靜止的位于蓮蓬頭907下。蓮蓬頭907可以例如，通過(guò)ー個(gè)或更多冷卻劑入口 /出口 913用冷卻流體或氣體冷卻。簡(jiǎn)單的說(shuō)，且如圖9中放大處所示，該增壓設(shè)計(jì)可能包括多個(gè)在蓮蓬頭907底部的孔，每個(gè)這樣的孔都只有幾毫米寬。改變頂(ceiling)間隙He，或蓮蓬頭907的底部表面和背面支持基板909在其上移動(dòng)的頂部表面之間的高度，可能具有多種效果。比如，腔體體積從而和表面積體積比可能被改變，因此影響氣體停留時(shí)間，消耗時(shí)間，和徑向速度。已經(jīng)發(fā)現(xiàn)停留時(shí)間的改變強(qiáng)烈影響氣相反應(yīng)的范圍。如圖9中所示操作的蓮蓬頭結(jié)構(gòu)(在冷卻表面下具有熱表面)，如果在高壓下(例如幾百托)操作，有貝納爾德多種自然對(duì)流的可能性，且這樣的趨勢(shì)通過(guò)瑞利數(shù)被高度強(qiáng)烈影響(與浮力驅(qū)動(dòng)流聯(lián)系的無(wú)量綱數(shù)，也被認(rèn)為是自由對(duì)流或自然對(duì)流；當(dāng)它超過(guò)用于流體的臨界值，首先以對(duì)流的形式熱傳遞)。因此，頂(ceiling)間隙He可以通過(guò)簡(jiǎn)單的硬件變化改變，通過(guò)提供基板電極的可調(diào)節(jié)的安裝等，以便影響石墨烯的異質(zhì)外延生長(zhǎng)。圖9示例實(shí)施方式不一定要在反應(yīng)器內(nèi)操作等離子體。這是因?yàn)橥该鞅∧どL(zhǎng)機(jī)制是通過(guò)異質(zhì)外延表面吸收(通常只發(fā)生在催化劑上)。已經(jīng)發(fā)現(xiàn)從等離子體生長(zhǎng)通常引起非晶型模并且也發(fā)現(xiàn)允許大顆粒的形成或灰塵形成，那可能極大地降低薄膜質(zhì)量并導(dǎo)致將對(duì)一至十原子層薄膜不利的小孔。反而，特定的示例實(shí)施方式可能包含制作石墨(如，單晶體石墨)，將它蝕刻到石墨(例如，具有特定的n值)，且將石墨轉(zhuǎn)變成石墨烯(例如，成為HEG石墨烯)。當(dāng)然，可能采用原位終點(diǎn)技術(shù)作為反饋參數(shù)。在特定的示例實(shí)施方式中，離子束源可能位于在圖9的反應(yīng)器之外的同軸例如，執(zhí)行上述根據(jù)示例技術(shù)的摻雜。但是，在特定的示例實(shí)施方式中，離子束源可能位于反應(yīng)器的本體內(nèi)。示例エ序流程圖10是說(shuō)明特定示例實(shí)施方式的特定的示例催化CVD生長(zhǎng)，剝離，和轉(zhuǎn)移技術(shù)的示例エ序流程圖。圖10中顯示的示例流程開(kāi)始于例如，用傳統(tǒng)的玻璃檢查方法(步驟S1002)檢查并且清洗背面支持玻璃(步驟S1004)。然后該背面支持玻璃可能用離子束清洗，等離子體灰化，或相似的技術(shù)清洗(步驟S1006)。例如，用PVD在背面支持上處理催化劑(例如，金屬催化劑)(步驟S1008)。指出在本發(fā)明的特定的示例實(shí)施方式中，步驟S1006的清洗處理可以在石墨烯涂料器/反應(yīng)器內(nèi)完成。換句話說(shuō)，在特定的示例實(shí)施方式中，具有或不具有在其上形成的金屬催化劑薄膜的背面支持玻璃可以在步驟S1006之前進(jìn)入石墨烯涂料器/反應(yīng)器，例如，取決于金屬催化劑層是否存放在涂料器/反應(yīng)器內(nèi)或在其之前。然后可能發(fā)生n層石墨烯的催化沉積(步驟S1010)。在特定的示例實(shí)施方式中，石墨烯可能被引入的氫原子(H*)蝕刻掉，且石墨烯可以例如，取決于目標(biāo)應(yīng)用有選擇地為摻雜的(步驟S1012)。石墨烯形成的最后被檢測(cè)，例如，通過(guò)判定是否已經(jīng)存放了足夠的石墨烯和/或是否H*蝕刻已經(jīng)充分(步驟S1014)。為停止石墨烯形成，使用快速淬火過(guò)程，且具 有在其內(nèi)形成的石墨烯的背面支持玻璃退出反應(yīng)器/涂料器(步驟S1016)。這時(shí)候可以選擇地進(jìn)行目測(cè)。接著石墨烯形成，例如，通過(guò)旋轉(zhuǎn)，刀具(blade)或其它涂層技木，可能在石墨烯上處理在石墨烯的轉(zhuǎn)移中有用的聚合物(步驟S1018)?？赡苡羞x擇地檢查這個(gè)產(chǎn)品，例如，決定是否發(fā)生必需的變色。如果發(fā)生了，聚合物可能被固化(例如，用加熱，紫外輻射等)(步驟S1020)，且然后再次檢查。例如，為準(zhǔn)備剝離石墨烯(步驟S1024)，金屬催化劑可能被下部蝕刻(under-etched)或相反被釋放(步驟S1022)。一旦已經(jīng)完成剝離，可以可選擇地檢查聚合物和石墨烯并且然后清洗，例如，清除任何剩余的下部蝕刻劑(under-etchants)和/或未固化的聚合物(步驟S1026)。這時(shí)候可以執(zhí)行另ー個(gè)可選擇的檢查步驟。可以應(yīng)用表面活性劑(步驟S1028)，探針(pins)被至少放置入聚合物(步驟S1030)，且薄膜例如借助這些探針被翻動(dòng)(flipped)(步驟S1032)。剝離程序現(xiàn)在已經(jīng)完成，且石墨烯現(xiàn)在準(zhǔn)備被轉(zhuǎn)移到接收基板。例如，在潔凈室準(zhǔn)備接收基板(步驟S1034)。接收基板的表面可以被功能化，例如通過(guò)將其暴露給紫外光以提高其表面能，應(yīng)用另外的親石墨烯涂層等(步驟S1036)。石墨烯/聚合物薄膜然后可以被轉(zhuǎn)移到主基板上(步驟S1038)。一旦完成轉(zhuǎn)移，具有石墨烯和附在其上的聚合物的接收基板可能被送入一個(gè)模件移除聚合物(步驟S1040)。這可以通過(guò)將聚合物暴露給紫外光，高溫，化學(xué)品等完成。具有石墨烯和至少部分溶解的聚合物的基板然后可能被清洗(步驟S1042)，用任何過(guò)度水分或其它材料蒸發(fā)和干燥(步驟S1044)。必要時(shí)，可以重復(fù)該聚合物移除步驟。隨著聚合物的移除，例如，用標(biāo)準(zhǔn)的四點(diǎn)探針，可以測(cè)量基板上的石墨烯的片電阻(步驟S1046)。也可以測(cè)量光傳輸(例如，Tvis，等)(步驟S1048)。假定中間的或最終的產(chǎn)品滿足質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)，它們可以被包裝(S1050)。用這些技術(shù)，準(zhǔn)備樣品薄膜。樣品薄膜表現(xiàn)出15500S/cm的高導(dǎo)電率和超過(guò)80%的越過(guò)500-3000nm波長(zhǎng)的透明度。此外，薄膜顯示好的化學(xué)和熱穩(wěn)定性。圖11是是根據(jù)特定的示例實(shí)施方式生產(chǎn)的樣品石墨烯的圖像。圖11圖像突出異質(zhì)外延生長(zhǎng)的石墨烯從坡莫合金薄膜的剝離。示例包含石墨烯應(yīng)用如上所指，石墨烯基層可能在廣泛的各種應(yīng)用和/或電子設(shè)施中使用。在這樣的示例用于或電子設(shè)施中，ITO和/或其它傳導(dǎo)層可能簡(jiǎn)單地被石墨烯基層替換。制作具有石墨烯的裝置將典型地包含接觸金屬，像ITO的簡(jiǎn)并半導(dǎo)體，太陽(yáng)能電池半導(dǎo)體如其它之間的a-Si和CdTeJP /或類似的。盡管在布里淵區(qū)內(nèi)在K點(diǎn)具有零能帶隙和消沒(méi)的態(tài)密度(D0S)，獨(dú)立的石墨烯表現(xiàn)出金屬性能。然而，在金屬的，半導(dǎo)體的或絕緣的基板上的吸附可以改變它的電子性能。為彌補(bǔ)這一點(diǎn)，附加地，或者替換地，在示例應(yīng)用和/或電子設(shè)施中，石墨烯基層與任何鄰近的另外的半導(dǎo)體層一致可以是摻雜的。即，在特定的示例實(shí)施方式中，如果石墨烯基層接近n型半導(dǎo)體層，石墨烯基層可能是與n型摻雜物摻雜的。同樣的，在特定的示例實(shí)施方式中，如果石墨烯基層接近P型半導(dǎo)體層，石墨烯基層可能是與P型摻雜物摻雜的。當(dāng)然，在石墨烯內(nèi)的費(fèi)米能級(jí)中的關(guān)于錐頂點(diǎn)的移動(dòng)可能例如，用密度功能的理論(DFT)建摸。能帶隙計(jì)算顯示金屬/石墨烯界面可以分類為兩個(gè)寬泛的類別，即，化學(xué)吸附和物理吸附。在后一種情況，向上(向下)移動(dòng)意味著電子(空穴)通過(guò)金屬被轉(zhuǎn)移給石墨烯。這樣，可能 預(yù)知哪種金屬或TCO用干與石墨烯接觸取決于應(yīng)用?？赡苁褂靡粋€(gè)或更多的石墨烯基層的第一示例電子裝置是太陽(yáng)能光伏裝置。這樣的示例裝置可能包括前面電極或背面電極。在這樣的組昂值中，石墨烯基層可以簡(jiǎn)單地替換在此典型地使用的ITO0光伏裝置在比如，美國(guó)專利號(hào)6，784，361，6，288，325，6，613，603和 6，123，824 ;美國(guó)公開(kāi)號(hào) 2008/0169021，2009/0032098，2008/0308147，和 2009/0020157 ；和申請(qǐng)序列號(hào)12/285，374，12/285，890，和12/457，006公開(kāi)，其公開(kāi)在此通過(guò)引用合并。替換地，或此外，在此可能包含摻雜的石墨烯基層以便與鄰近的半導(dǎo)體層匹配。比如，圖12是根據(jù)特定的示例實(shí)施方式合并石墨烯基層的太陽(yáng)能光伏裝置的剖面示意圖。在圖12示例實(shí)施例中，提供玻璃基板1202。比如并沒(méi)有限制，該玻璃基板1202可能具有在任何美國(guó)專利申請(qǐng)?zhí)?1/049，292和/或11/122，218，在此通過(guò)引用合并的公開(kāi)中的任何玻璃。玻璃基板可選擇地可能是納米紋理，例如，提高太陽(yáng)能電池的效率?？赡茉诓ＡЩ?202的外表面上提供抗反射(AR)涂層1204，例如，增強(qiáng)透射。該抗反射(AR)涂層1204可能是單層抗反射(SLAR)涂層(例如，氧化硅抗反射涂層)或多層抗反射(MLAR)涂層?？梢允褂萌魏芜m當(dāng)?shù)募夹g(shù)提供這樣的AR涂層。例如，在背面電極裝置比如在圖12示例實(shí)施方式中顯示的那個(gè)的情況下，可以在玻璃基板1202上在AR涂層1204的對(duì)面提供一個(gè)或更多吸收層1206。吸收層1206可以加在第一和第二半導(dǎo)體中間。在圖12示例實(shí)施方式中，吸收層1206夾在n型半導(dǎo)體層1208(離玻璃基板1202較近)和p型半導(dǎo)體1210(離玻璃基板1202較遠(yuǎn))之間。也可能提供(例如，與鋁的或其它合適材料的)背接觸體1212?？赡芴峁┑谝缓偷诙┗鶎?214和1216，而不是在半導(dǎo)體1208和玻璃基板1202之間和/或在半導(dǎo)體1210和背接觸體1212之間提供ITO或其它傳導(dǎo)材料。石墨烯基層1214和1216可能是摻雜的以便分別匹配鄰近的半導(dǎo)體層1208和1210。這樣，在圖12示例實(shí)施方式中，石墨烯基層1214可能是與n型摻雜物摻雜的且石墨烯基層1216可能是與p型摻雜物摻雜的。因?yàn)殡y以直接構(gòu)成石墨烯，可能在玻璃基板1202和第一石墨烯基層1214之間提供可選層1218。然而，因?yàn)槭┦欠浅Ｈ犴g的，通常它將符合它放置在其上的表面。因此，可能構(gòu)成可選層1218以便那個(gè)層的結(jié)構(gòu)可以被“轉(zhuǎn)移”或相反被反映在通常共形的(conformal)石墨烯基層1214內(nèi)。就這一點(diǎn)而言，可選構(gòu)成層1218可以包括摻雜鋅的ニ氧化錫(ZTO)。在特定的示例實(shí)施方式中，注意到ー個(gè)或半導(dǎo)體1208和1210兩者可能被聚合傳導(dǎo)材料替換。因?yàn)槭┰诮暮椭胁縄R范圍內(nèi)實(shí)質(zhì)上是透明的表明最穿透的長(zhǎng)波長(zhǎng)輻射可能穿透并且生成載體深入?yún)g一的和串聯(lián)的兩者結(jié)合的太陽(yáng)能電池的i層。這表明用石墨烯基層構(gòu)成背部觸點(diǎn)的需要可能不需要，因?yàn)橐呀?jīng)將提高多達(dá)多個(gè)百分點(diǎn)的效率。屏幕印刷，蒸發(fā)，和燒結(jié)技術(shù)及在高溫下CdC12處理當(dāng)前被用在CdS/CdTe太陽(yáng)能電池異質(zhì)結(jié)中。這些電池具有高占空因數(shù)(FF>0. 8)。然而，串聯(lián)電阻Rs是效率限定元件(artifact)。在Rs中，有從CdS層的片電阻分離的部分和與CdTe相聯(lián)系的分立元件及在其上的石墨烯基接觸。一個(gè)或更多的 石墨烯基層的使用可以幫助減少對(duì)Rs的促成，而保留好的異質(zhì)結(jié)性能。通過(guò)在這樣的用于前面和后面兩者的接觸安排的太陽(yáng)能結(jié)構(gòu)中包含石墨烯，可以完成實(shí)質(zhì)的效率推動(dòng)。將注意到，特定的示例實(shí)施方式可能包含單ー接合太陽(yáng)能電池，反之，特定的示例實(shí)施方式可能包含串聯(lián)的太陽(yáng)能電池。特定的示例實(shí)施方式可能是CdS，CdTe, CIS/CIGS，a-Si，和/或其它類型的太陽(yáng)能電池?？赡馨粋€(gè)或更多的石墨烯基層的另ー個(gè)示例實(shí)施方式是觸控面板顯示器。例如，觸控面板顯示器可以是電容的或電阻的包括ITO或其它傳導(dǎo)層的觸控面板顯示器。比如，見(jiàn)美國(guó)專利號(hào) 7, 436，393,7, 372，510,7, 215，331,6, 204，897,6, 177，918，和5，650，597，和申請(qǐng)序列號(hào)12/292，406，其公開(kāi)在此通過(guò)引用合并。ITO和/或其它傳導(dǎo)層在可能被石墨烯基層替換的這樣的觸控面板中可以被替換。比如，圖13是根據(jù)特定的示例實(shí)施方式合并石墨烯基層的觸控屏幕的剖面示意圖。圖13包括下面的顯示器1302，在特定的示例實(shí)施方式中，其可能是LCD，等離子體，或其它平面直角顯示器。光學(xué)空隙粘合劑1304將顯示器1302與薄玻璃基板1306連接。在圖13示例實(shí)施方式中，提供可變形的PET箔1308作為最頂層。PET箔1308通過(guò)(by virtual of)多個(gè)柱狀間隔器1310和邊緣密封1312與薄玻璃基板1306的上表面隔開(kāi)?？梢苑謩e在PET箔1308靠近顯示器1302和薄玻璃基板1306的表面上，在面向PET箔1308的表面上提供第一和第二石墨烯基層1314和1316。ー個(gè)或石墨烯基層1314和1316，兩者可以例如，通過(guò)離子束和/或激光蝕刻圖案化。注意到用PET箔本身可以將PET箔上的石墨烯基層從它的生成位置轉(zhuǎn)移到中間產(chǎn)品。換句話說(shuō)，當(dāng)剝離和/或移動(dòng)石墨烯時(shí)，可以使用PET箔代替光刻膠或其它材料。在類似于圖13中所顯示的實(shí)施方式中，對(duì)于石墨烯基層小于大約500歐姆/平方的片電阻是可接受的，且對(duì)于石墨烯基層小于大約300歐姆/平方的片電阻是有益的。將注意到在顯示器1302中典型地提供的ITO可以用ー個(gè)或更多的石墨烯基層替代。比如，當(dāng)顯示器1302是IXD顯示器，可能提供石墨烯基層作為濾色鏡基板上的普通電極和/或作為所謂的TFT基板上的有圖案的電極。當(dāng)然，石墨烯基層，摻雜的或無(wú)摻雜的，也可能被用干與單個(gè)TFT的設(shè)計(jì)和制造相關(guān)。關(guān)于等離子體和/或其它平面直角顯示器可以提供相似的安排。石墨烯基層也可能用于創(chuàng)造傳導(dǎo)的數(shù)據(jù)/總線線路，母線，天線，和/或類似的?？赡茉诓ＡЩ?，硅片等上形成或應(yīng)用這樣的結(jié)構(gòu)。圖14是根據(jù)特定的示例實(shí)施方式說(shuō)明用于形成傳導(dǎo)的數(shù)據(jù)/總線的示例技術(shù)的流程圖。在步驟S1401中，在適當(dāng)?shù)幕迳闲纬墒┗鶎?。在可選擇的步驟，步驟S1403中，在石墨烯基層上可能提供保護(hù)層。在步驟S1405中，石墨烯基層有選擇地被移動(dòng)或圖案化?？梢酝ㄟ^(guò)激光蝕刻完成該移動(dòng)或圖案形成。在這樣的情況下，假如激光的分辨率足夠好，可能減少保護(hù)層的需要。作為選擇或此外，可能通過(guò)暴露用于離子束/等離子體處理執(zhí)行蝕刻。并且，如上所述，H*可能用于，例如與熱燈絲有夫。當(dāng)離子束/等離子體處理用于蝕刻，保護(hù)層可能是合適的。比如，光刻膠材料可能用于保護(hù)石墨烯的關(guān)注區(qū)域。這樣的光刻膠可能，例如通過(guò)旋轉(zhuǎn)涂布或在步驟S1403中類似的方法應(yīng)用。在這樣的情況下，在另ー個(gè)可選擇的步驟，S1407中，可選擇的保護(hù)層被移動(dòng)。比如，可以用合適的光刻膠暴露用于紫外線。在未顯示的一個(gè)或更多步驟中，如果它不是例如，用任何適當(dāng)?shù)募夹g(shù)(比如，上文描述的那些)已經(jīng)在其上形成，傳導(dǎo)的石墨烯基圖案可能被轉(zhuǎn)移為中間或最終產(chǎn)品。雖然特定的示例實(shí)施方式已經(jīng)被描述為蝕刻掉或移除石墨烯基層，特定的示例實(shí)施方式可能簡(jiǎn)單地改變石墨烯基層的傳導(dǎo)性。在這樣的情況下，ー些或全部石墨烯可能不會(huì)被移除。然而，因?yàn)閭鲗?dǎo)性已經(jīng)被適當(dāng)?shù)馗淖?，只有適當(dāng)?shù)赜袌D案的區(qū)域可能是傳導(dǎo)的。圖15是根據(jù)特定的示例實(shí)施方式用于形成傳導(dǎo)的數(shù)據(jù)/總線的技術(shù)的示意圖。如圖15中所示，通過(guò)暴露用于離子束可選擇地改變石墨烯的傳導(dǎo)性。光刻膠以合適的圖案應(yīng)用，例如，以便保護(hù)石墨烯基層的要求的部分，然而石墨烯基層的其它部分仍然暴露用于離子束/等離子體。在多個(gè)樣品已經(jīng)被存放和蝕刻后，遷移率數(shù)據(jù)顯示在下表中。
權(quán)利要求
1.ー種太陽(yáng)能電池，包括 玻璃基板； 直接或間接地位于玻璃基板上的第一石墨烯基傳導(dǎo)層； 接觸第一石墨烯基傳導(dǎo)層的第一半導(dǎo)體層； 直接或間接地位于第一半導(dǎo)體層上的至少ー個(gè)吸收層； 直接或間接地位于至少一個(gè)吸收層上的第二半導(dǎo)體層； 接觸第二半導(dǎo)體層的第二石墨烯基的傳導(dǎo)層，和 直接或間接地位于第二石墨烯基的傳導(dǎo)層上的背接觸體。
2.權(quán)利要求I的太陽(yáng)能電池，進(jìn)ー步包括在第一石墨烯基傳導(dǎo)層對(duì)面的基板的表面提供抗反射涂層。
3.權(quán)利要求I的太陽(yáng)能電池，其中第一半導(dǎo)體層是n型半導(dǎo)體層并且第一石墨烯基傳導(dǎo)層是用n型摻雜物摻雜的。
4.權(quán)利要求3的太陽(yáng)能電池，其中第二半導(dǎo)體層是p型半導(dǎo)體層并且第二石墨烯基的傳導(dǎo)層是用P型摻雜物摻雜的。
5.權(quán)利要求4的太陽(yáng)能電池，進(jìn)ー步包括設(shè)置在玻璃基板和第一石墨烯基傳導(dǎo)層之間的摻雜鋅的ニ氧化錫層。
6.權(quán)利要求I的太陽(yáng)能電池，第一和/或第二半導(dǎo)體層包含聚合材料。
7.一種光伏裝置，包括 基板； 至少ー個(gè)光伏薄膜層； 第一和第二電極；和 第一和第二透明的、傳導(dǎo)的石墨烯基層； 其中第一和第二石墨烯基層分別與n和p型摻雜物摻雜。
8.—種觸控面板組件,包括 玻璃基板； 直接或間接地在玻璃基板上提供的第一透明的、傳導(dǎo)的石墨烯基層； 可變形箔，所述可變形箔實(shí)質(zhì)上相對(duì)于玻璃基板平行并隔開(kāi)放置；和 直接或間接地在可變形箔上提供的第二透明的、傳導(dǎo)的石墨烯基層。
9.權(quán)利要求8的觸控面板組件，其中第一和/或第二石墨烯基層被圖案化。
10.權(quán)利要求9的觸控面板組件，進(jìn)ー步包括 位于可變形箔和玻璃基板之間的多個(gè)柱體，和 在組件外圍的至少ー個(gè)邊緣密封。
11.權(quán)利要求10的觸控面板組件，其中該可變形箔是PET箔。
12.權(quán)利要求8的觸控面板組件，其中第一和/或第二石墨烯基層具有小于500歐姆/平方的片電阻。
13.權(quán)利要求8的觸控面板組件，其中第一和/或第二石墨烯基層具有小于300歐姆/平方的片電阻。
14.ー種接觸面板設(shè)備,包括 權(quán)利要求8的接觸面板組件；和在可變形箔的對(duì)面連接接觸面板組件的基板表面的顯示器。
15.權(quán)利要求14的接觸面板設(shè)備，其中顯示器是IXD顯示器。
16.權(quán)利要求15的接觸面板設(shè)備，其中接觸面板設(shè)備是電容性的接觸面板設(shè)備。
17.權(quán)利要求15的接觸面板設(shè)備，其中接觸面板設(shè)備是電阻式的接觸面板設(shè)備。
18.一種數(shù)據(jù)/總線線路，包括由基板支持的石墨烯基層，其中 石墨烯基層的一部分已經(jīng)暴露用于離子束/等離子體處理和/或用H*蝕刻，從而降低該部分的傳導(dǎo)性。
19.權(quán)利要求18的數(shù)據(jù)/總線線路，其中該部分不是電傳導(dǎo)的。
20.權(quán)利要求18的數(shù)據(jù)/總線線路，其中基板是玻璃基板。
21.權(quán)利要求18的數(shù)據(jù)/總線線路，其中基板是硅晶片。
22.權(quán)利要求18的數(shù)據(jù)/總線線路，其中該部分通過(guò)暴露用于離子束/等離子體處理和/或用H*蝕刻而被至少部分地移除。
23.一種天線，包括 由基板支持的石墨烯基層，其中 石墨烯基層的一部分已經(jīng)暴露用于ー種離子束/等離子體處理和/或用H*蝕刻，從而使得與石墨烯基層的其它部分相比，所述石墨烯基層的該部分變薄， 其中，所述石墨烯基層作為ー個(gè)整體具有至少80%的可見(jiàn)光透射率。
24.權(quán)利要求23的天線，其中，石墨烯基層作為ー個(gè)整體具有至少90%的可見(jiàn)光透射率。
25.ー種制作電子裝置的方法，該方法包括 提供基板； 在基板上形成石墨稀基層；且 通過(guò)使用離子束/等離子體暴露或用H*蝕刻選擇性地圖案化該石墨烯基層。
26.權(quán)利要求25的方法，進(jìn)ー步包括在圖案化之前將石墨烯基層轉(zhuǎn)移到第二基板。
27.權(quán)利要求26的方法，其中圖案化的執(zhí)行以減少傳導(dǎo)性和/或移除部分石墨烯基層。
28.權(quán)利要求26的方法，進(jìn)ー步包括在圖案化之前在部分石墨烯基層上提供保護(hù)掩模。
29.權(quán)利要求28的方法，其中保護(hù)掩模包含光刻膠材料。
30.權(quán)利要求28的方法，進(jìn)ー步包括移除保護(hù)掩摸。
全文摘要
本發(fā)明的特定示例實(shí)施例涉及石墨烯作為透明導(dǎo)電涂層(TCC)的使用。在特定的示例實(shí)施方式中，石墨烯薄膜比如，在催化劑薄膜上，從碳?xì)浠衔餁怏w(比如，CoH2，CH4，或類似的)異質(zhì)外延地大面積增大。特定的示例實(shí)施方式的石墨烯薄膜可以是摻雜的或無(wú)摻雜的。在特定的示例實(shí)施方式中，石墨烯薄膜，一旦形成，可以從它們的載體基板剝離(lifted off)并轉(zhuǎn)移到接收基板，例如，用于包含在中間或最終產(chǎn)品中。石墨烯以這種方式增大，剝離(lifted)，和轉(zhuǎn)移可以顯示低片電阻(比如，低于150歐姆/平方且低于當(dāng)摻雜時(shí))和高透射值(比如，至少在可見(jiàn)的和紅外光譜內(nèi))。
文檔編號(hào)H01L31/0392GK102656702SQ201080035069
公開(kāi)日2012年9月5日 申請(qǐng)日期2010年7月16日 優(yōu)先權(quán)日2009年8月7日
發(fā)明者維嘉恩·S.·維拉薩米 申請(qǐng)人:格爾德殿工業(yè)公司