專利名稱：電子器件以及電子器件的制造方法
技術(shù)領域：
本發(fā)明涉及一種具備半導體元件等的電子器件以及該電子器件的制造方法。
背景技術(shù)：
以往，已知一種技術(shù)，其在具備半導體元件等的電子器件中，在通過引線接合技術(shù)在接點之間進行連接之后，為了確保實施了引線接合后的接點的耐濕性，在收容半導體元件的外殼內(nèi)填充凝膠狀的合成樹脂，使用合成樹脂覆蓋接點部。這種結(jié)構(gòu)被指出有可能存在如下問題在所填充的合成樹脂振動時，該振動傳遞到引線而導致斷線。因此，提出了這樣一種方法，其通過減少在上述結(jié)構(gòu)中填充的合成樹脂的量，來防止引線的振動(例如參照專利文獻1)。在專利文獻1中公開了以下方法通過引線接合技術(shù)將連接有金屬線的功率元件收容到外殼，在從外殼的上方注入了硅樹脂之后，裝進吸引噴嘴，保留所需高度而吸引去除硅樹脂。然而，在專利文獻1公開的方法中，由于重新追加吸引臨時注入的硅樹脂的工序， 因此擔心電子器件的制造生產(chǎn)周期延長、由吸引設備的投資而導致制造成本增加。另外，例如由于在大電流用的功率元件中高密度地配置了金屬線，因此當對這種元件應用上述方法時，需要確保避開引線來插入吸引噴嘴的空間，從而擔心電子器件面積變大以及商品尺寸變大。進而，在如專利文獻1所公開的那樣抑制了合成樹脂的量時，不會對引線傳遞振動， 但是有可能引線不被合成樹脂覆蓋。例如在功率元件中高密度地配置引線，因此根據(jù)防止相鄰引線之間的短路的觀點，期望引線由合成樹脂覆蓋。在其它電子器件中也確保引線的抗蝕性、防止引線與其它部件或者引線之間的短路較重要，引線被覆蓋的優(yōu)點較多。專利文獻1 日本專利第3719420號公報

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的一個以上的實施例提供一種使用合成樹脂覆蓋實施了引線接合的電子部件的結(jié)構(gòu)，該結(jié)構(gòu)能夠防止合成樹脂的振動傳遞到引線，并且其引線被合成樹脂所覆蓋。根據(jù)本發(fā)明的一個以上的實施例，電子器件具備外殼；電子部件，其收容到上述外殼；金屬線，其通過引線接合與上述電子部件進行接合；以及合成樹脂，其覆蓋接合了上述金屬線的接合面和上述金屬線。此外，也可以在上述外殼內(nèi)注入使上述金屬線的一部分從合成樹脂的上表面露出的量的上述合成樹脂，將上述外殼放置在減壓條件下，由此使上述合成樹脂的液面上升，使上述合成樹脂附著于在上述合成樹脂之上露出的上述金屬線，由此上述金屬線被上述合成
樹脂覆蓋。根據(jù)上述結(jié)構(gòu)，通過引線接合技術(shù)接合了金屬線的電子部件被收容到外殼內(nèi)，由注入到外殼的合成樹脂覆蓋接合面，并且金屬線在合成樹脂的上面露出。因此，合成樹脂的振動不容易傳遞到金屬線。并且，在減壓條件下合成樹脂的液面上升，由此在合成樹脂的上面露出的金屬線也附著合成樹脂，由此金屬線被合成樹脂覆蓋。因此，提高金屬線的腐蝕性，并且能夠進行絕緣保護。因而，能夠?qū)崿F(xiàn)以下電子器件不導入新設備、不會使電子器件大型化而能夠進行制造，使用合成樹脂覆蓋電子器件的接合面，能夠防止合成樹脂的振動傳遞到金屬線，并且使用合成樹脂覆蓋金屬線。另外，在減壓條件下放置注入了合成樹脂的外殼的期間，能夠進行去除外殼內(nèi)的氣泡、水分的脫泡，因此在使合成樹脂附著于金屬線的工序中一起進行脫泡，從而能夠減少工時。在上述結(jié)構(gòu)中，還可以具備樹脂接收部，其被設置于上述外殼內(nèi)，在所注入的上述合成樹脂的液面到達上述金屬線的上面的情況下，上述合成樹脂流入。根據(jù)該結(jié)構(gòu)，在減壓條件下合成樹脂的液面到達覆蓋金屬線的高度的情況下，合成樹脂流入到樹脂接收部，因此通過檢測流入到樹脂接收部的合成樹脂，來能夠容易地確認金屬線被合成樹脂覆蓋的情況。在上述結(jié)構(gòu)中，上述樹脂接收部可以由上述外殼內(nèi)部的空間露出的凹部構(gòu)成，該凹部的邊緣也可以位于與上述金屬線的上端相同的高度。根據(jù)該結(jié)構(gòu)，在減壓條件下合成樹脂的液面上升至金屬線的上面的情況下，該合成樹脂可靠地流入到樹脂接收部的凹部而被儲存，因此通過檢測積存在凹部內(nèi)的合成樹月旨，能夠容易且迅速地檢測金屬線被合成樹脂覆蓋到上部為止的情況。在上述結(jié)構(gòu)中，上述樹脂接收部通過切缺上述外殼的側(cè)壁而形成，可以具有在上述外殼內(nèi)部的空間露出的凹部，也可以該凹部的邊緣位于與上述金屬線的上端相同的高度。根據(jù)該結(jié)構(gòu)，通過檢測積存在凹部內(nèi)的合成樹脂，能夠容易且迅速地檢測金屬線被合成樹脂覆蓋到上部為止的情況。另外，凹部通過切缺外殼的側(cè)壁而形成，因此不需要確保在外殼內(nèi)設置凹部的空間，因此不需要根據(jù)檢測工序的情況來限制外殼內(nèi)各部的配置， 不會損壞外殼內(nèi)部配置的自由度，就能夠更容易且更迅速地檢測金屬線被合成樹脂覆蓋至上部為止的情況。在上述結(jié)構(gòu)中，還可以具備貫通孔，其被設置于上述外殼的側(cè)壁，在所注入的上述合成樹脂的液面到達與上述電子部件相接合的上述金屬線之上的情況下，使上述合成樹脂向上述外殼外流出，上述樹脂接收部還可以具有凹部，該凹部在上述外殼的外側(cè)面上被設置于上述貫通孔的下方，儲存從上述貫通孔流出的上述合成樹脂。根據(jù)該結(jié)構(gòu)，在減壓條件下合成樹脂的液面上升至金屬線的上面的情況下，該合成樹脂通過貫通孔可靠地流入到樹脂接收部的凹部而被儲存，因此通過檢測積存在凹部內(nèi)的合成樹脂，能夠檢測金屬線被合成樹脂覆蓋到上部為止的情況。另外，樹脂接收部的凹部被設置于上述外殼外，因此不會影響外殼內(nèi)部的電子部件、金屬線的配置狀態(tài)，能夠容易地檢測積存在凹部內(nèi)的合成樹脂。并且，不需要確保在外殼內(nèi)設置凹部的空間。因此，不需要根據(jù)檢測工序的情況來限制外殼內(nèi)各部的配置，不會損壞外殼內(nèi)部配置的自由度，就能夠更容易且更迅速地檢測金屬線被合成樹脂覆蓋至上部為止的情況。另外，根據(jù)本發(fā)明的一個以上的實施例，在電子器件的制造方法中，通過引線接合技術(shù)對收容到外殼的電子部件接合金屬線，接合有上述金屬線的接合面被合成樹脂覆蓋， 該制造方法由以下工序構(gòu)成將上述金屬線的至少一部分從合成樹脂的上面露出的量的上述合成樹脂注入到上述外殼內(nèi)的工序(注入工序)；以及將注入了上述合成樹脂的上述外殼放置在減壓條件下，通過減壓使合成樹脂的液面上升，使用上述合成樹脂來覆蓋在上述合成樹脂的上面露出的上述金屬線的工序(減壓工序)。根據(jù)該方法，能夠制造出以下電子器件通過引線接合技術(shù)接合了金屬線的電子部件被收容到外殼內(nèi)，使用注入到該外殼內(nèi)的合成樹脂覆蓋接合面，并且金屬線露出于合成樹脂的上面，從而合成樹脂的振動不容易傳遞到金屬線。對于金屬線，在減壓工序中使合成樹脂的液面上升，由此不需要將金屬線的整體被浸泡的量的合成樹脂注入到外殼內(nèi)，也使合成樹脂的上面露出的部分附著合成樹脂而能夠進行覆蓋。因而，不導入新設備、不會使電子器件大型化而使用合成樹脂覆蓋電子器件的接合面，能夠防止使金屬線在合成樹脂的上面露出而合成樹脂的振動傳遞到金屬線，并且能夠使用合成樹脂覆蓋金屬線。另外，在減壓工序中，在減壓條件下放置注入了合成樹脂的外殼，因此在此期間能夠進行去除外殼內(nèi)的氣泡、水分的脫泡。因此，使合成樹脂的液面上升而使合成樹脂附著于金屬線的工序中一起進行脫泡，從而能夠減少工時。在此，作為合成樹脂，也可以使用在注入工序中為流體而在減壓工序之后固化的樹脂。另外，在減壓工序之后，還可以設置使合成樹脂固化成固體或者凝膠狀的固化工序， 在該固化工序中，在減壓工序中在附著于金屬線的合成樹脂不從金屬線脫落程度的時間內(nèi)使合成樹脂固化。在上述方法中，也可以將上述金屬線的兩端與上述接合面相接合，將上述金屬線形成為向上的凸形形狀，另外，在將上述合成樹脂注入到上述外殼內(nèi)時，上述金屬線的至少上述凸形形狀的頂部在所注入的上述合成樹脂的上面的向上露出，并且將上述合成樹脂注入至由所注入的上述合成樹脂覆蓋全部上述接合面的高度。根據(jù)該方法，在使形成為向上的凸形形狀的金屬線在合成樹脂的上面露出的狀態(tài)下，使用合成樹脂能夠更可靠地覆蓋接合面。另外，在將上述合成樹脂注入到上述外殼內(nèi)時，也可以使將上述合成樹脂注入到上述外殼的注入噴嘴在上述金屬線之上移動，將上述合成樹脂涂敷到位于上述合成樹脂的液面的上方的上述金屬線。根據(jù)該方法，在注入合成樹脂時從金屬線之上開始涂敷合成樹脂，由此也更可靠地使合成樹脂附著于所注入的合成樹脂的液面的上面露出的金屬線上，能夠使用合成樹脂
覆蓋金屬線。另外，也可以在上述外殼中設置樹脂接收部，在所注入的上述合成樹脂的液面到達上述金屬線之上的情況下上述合成樹脂流入到該樹脂接收部，對流入到上述樹脂接收部的上述合成樹脂進行檢測。根據(jù)該方法，在檢測工序中檢測向樹脂接收部中流入合成樹脂的情況，由此能夠容易地確認金屬線被合成樹脂覆蓋的情況，不會產(chǎn)生金屬線的覆蓋不完全的狀態(tài)。由此，能夠迅速地以高成品率制造使用合成樹脂覆蓋金屬線而能夠提高腐蝕性和金屬線的絕緣保護的電子器件。在上述方法中，可以在上述樹脂接收部中設置儲存上述合成樹脂的凹部，也可以通過對上述凹部照射檢查光，對流入到上述凹部的上述合成樹脂進行光學檢測。根據(jù)上述方法，在減壓工序中合成樹脂的液面上升至金屬線的上面，照射檢查光來對該合成樹脂是否流入到樹脂接收部的凹部進行光學檢測，因此能夠容易地且迅速地通過非接觸的方法金屬線被合成樹脂覆蓋到上部為止的情況。
另外，根據(jù)本發(fā)明的以上一個實施例，在電子器件的制造方法中，通過弓I線接合技術(shù)對收容到外殼的電子部件接合金屬線，使用密封用合成樹脂覆蓋接合有該金屬線的接合面，該制造方法具有以下工序，即使用注入噴嘴從上述電子部件的上方向上述外殼內(nèi)注入上述合成樹脂，在該工序中，使上述注入噴嘴在上述金屬線上移動，使上述合成樹脂從上述金屬線的上方流下而使附著于上述金屬線。根據(jù)該方法，能夠制造出以下電子器件通過引線接合技術(shù)接合了金屬線的電子部件被收容到外殼內(nèi)，使用注入到該外殼內(nèi)的合成樹脂覆蓋接合面，并且金屬線露出于合成樹脂的上面，從而合成樹脂的振動不容易傳遞到金屬線。 在注入合成樹脂的工序中使注入噴嘴移動，由此從上方使合成樹脂流下至金屬線，由此能夠使用合成樹脂覆蓋金屬線。因而，使用合成樹脂覆蓋電子器件的接合面，能夠防止使金屬線在合成樹脂的上面露出而合成樹脂的振動傳遞到金屬線，并且能夠使用合成樹脂覆蓋金屬線。在該方法中，還存在不導入吸引等新設備、不會使電子器件大型化這種優(yōu)點。并且， 通過抑制注入到外殼內(nèi)的合成樹脂的量，來實現(xiàn)低成本化，并且通過縮短用于使該合成樹脂固化的時間，由此能夠縮短生產(chǎn)周期。其它特征以及效果根據(jù)實施例的記載以及追加權(quán)利要求而更清楚。


圖1是表示第一典型實施例的開關(guān)裝置的結(jié)構(gòu)的主要部分截面圖。圖2是注入工序的說明圖。圖3是減壓工序的說明圖。圖4是表示第一典型實施例的開關(guān)裝置的結(jié)構(gòu)的主要部分截面圖。圖5是表示使用于開關(guān)裝置的制造中的注入裝置的結(jié)構(gòu)的示意圖。圖6是第二典型實施例的開關(guān)裝置的制造方法中的注入工序的說明圖。圖7是表示第二典型實施例的開關(guān)裝置的結(jié)構(gòu)的主要部分截面圖。圖8是第三典型實施例的開關(guān)模塊的制造方法中的注入工序的說明圖。圖9是開關(guān)模塊的制造方法中的減壓工序的說明圖。圖10是開關(guān)模塊的制造方法中的檢測工序的說明圖。圖11是第三典型實施例所涉及的開關(guān)裝置的主要部分截面圖。圖12是第四典型實施例所涉及的開關(guān)裝置的主要部分截面圖。圖13是表示第四典型實施例的開關(guān)模塊的制造方法中的檢測工序的說明圖。圖14是第五典型實施例的開關(guān)裝置的主要部分截面圖。圖15是表示第五典型實施例的開關(guān)模塊的制造方法中的檢測工序的說明圖。圖16是第六典型實施例的開關(guān)裝置的主要部分截面圖。圖17是表示第六典型實施例的開關(guān)模塊的制造方法中的檢測工序的說明圖。
具體實施例方式以下，參照

本發(fā)明的典型實施例。[第一典型實施例]圖1是表示應用本發(fā)明的第一典型實施例的開關(guān)模塊102的概要結(jié)構(gòu)的主要部分截面圖。該圖1示出的開關(guān)模塊102構(gòu)成為將安裝有半導體元件111的基板115收容到上表面開口的外殼110內(nèi)。作為電子部件的半導體元件111例如為IGBT、功率M0SFET、晶閘管、二極管等與大電流對應的電流提供用的開關(guān)元件?；?15為在上面絕緣基板115A與下面絕緣基板115B之間夾持絕緣基板115C而通過釬焊材料等進行接合而成的三層結(jié)構(gòu)基板，在上面絕緣基板115A與下面絕緣基板115B上例如形成有構(gòu)成電源提供電路的電路圖案。半導體元件111在形成于上面絕緣基板115A與下面絕緣基板115B上的圖案上通過焊錫118電連接在一起。外殼110由構(gòu)成該外殼110的底面的基底基材112以及固定于基底基材112的周緣部上的大致圓筒形的殼體113構(gòu)成。使用粘接劑等以不漏液體的方式固定殼體113與基底基材112，在外殼110內(nèi)能夠填充液體。在基底基材112的上面使用絕緣性的接合材料 117來固定基板115的下部。另外，在殼體113上設置有向外殼110的外側(cè)突出的外部端子114。外部端子114貫通殼體113以使得跨過外殼110的內(nèi)側(cè)與外側(cè)，外部端子114是與外殼110的外部的電路相連接的金屬制端子。該外部端子114被設置成用于將收容到外殼 110的半導體元件ill與外殼Iio的外部的電路進行連接，在外殼110內(nèi)外部端子114與半導體元件111使用引線119(金屬線)電連接在一起。引線119是通過引線接合技術(shù)形成的金屬線，具體地說，引線119是粗細度為幾十 ym 幾百μ m的金或者鋁制的線材。引線119的一端通過負載和超聲波與半導體元件111 所具備的外部連接用端子(未圖示)的金屬部進行接合，引線119的另一端同樣地與外部端子114相接合，在這些端子之間通過引線119導通。在此，將引線119與半導體元件111 相接合的部位(面)設為接合面121，將引線119與外部端子114相接合的部位(面)設為接合面122。接合面121、122在圖1所示的狀態(tài)下處于金屬在大氣中露出的狀態(tài)。引線 119形成為中央部向上的凸形形狀且與接合面121、122相接合的兩端變得最低。因此，對該圖1所示的開關(guān)模塊102中注入硅樹脂而覆蓋接合面121、122，由此制造出作為電子器件的開關(guān)裝置101。制造開關(guān)裝置的方法包括以下三個工序。1.對開關(guān)模塊102中注入硅樹脂的注入工序。2.將注入了硅樹脂的開關(guān)模塊102放置在減壓條件下的減壓工序。3.使硅樹脂固化的固化工序。注入到外殼110的硅樹脂例如為對主劑中混合固化劑而成的雙組分樹脂，在注入時具有預定的粘性和流動性，之后，在預定的固化條件下固化，而形成凝膠狀或者固體。作為硅樹脂130的固化條件，可舉出光(紫外線)照射、加熱等。在將溫度和時間設為固化條件的熱固性硅樹脂中作為典型的條件，溫度為常溫(根據(jù)JIS標準，20°C 士 15°C) 150°C， 時間為幾十分鐘 三小時左右。在第一典型實施例中，說明使用在80°C、1小時的條件下固化的熱固性硅樹脂130(圖2 圖5)的示例。圖2是表示注入工序的說明圖，與圖1同樣地表示開關(guān)模塊102的主要部分截面。 在注入工序中，在開關(guān)模塊102的外殼110內(nèi)從上方注入硅樹脂130，對硅樹脂130的注入量進行控制使得硅樹脂130的液面到達圖中標號LH所示的高度。硅樹脂130的液面高度 LH與引線119的最上部(引線頂部)的高度相比低很多。高度LH為接合面121、122的金屬被硅樹脂130埋沒且引線119的頂部以及頂部附近高出硅樹脂130的液面的高度。此夕卜，高度LH為在注入工序中注入的硅樹脂130的量的指標。換言之，在注入工序中決定注入量以使得硅樹脂130的液面在靜止狀態(tài)下液面的高度成為LH。因此，在注入工序中由于硅樹脂130的流動而液面混亂，液面高于高度LH也不會有任何問題。該注入工序可以在常壓條件下進行，也可以在減壓條件下進行。即，在通過后述的裝置對開關(guān)模塊102注入硅樹脂130時，將開關(guān)模塊102整體以及注入硅樹脂130的噴嘴收容到腔室內(nèi)，對該腔室內(nèi)部進行減壓，也可以通過所謂真空注入來進行硅樹脂130的注入。當進行真空注入時，具備能夠迅速地注入硅樹脂130等優(yōu)點。在將硅樹脂130注入到外殼110內(nèi)之后，執(zhí)行減壓工序。在減壓工序中，開關(guān)模塊 102在減壓環(huán)境下放置預定時間。在減壓工序中，將注入了硅樹脂130的開關(guān)模塊102收容到能夠密封的室(腔室等)，將該室內(nèi)的真空度設為600 lOOOPa。另外，在減壓工序中， 在上述真空度條件下，將開關(guān)模塊102放置10分鐘 1小時左右。另外，在注入工序中進行上述真空注入的情況下，在硅樹脂130的注入完成之后過渡到減壓工序，將開關(guān)模塊102 繼續(xù)放置在減壓環(huán)境下。在該情況下，可以將收容了減壓工序中的開關(guān)模塊102的腔室內(nèi)的真空度設為高于(壓力低于)注入工序，也可以設為與注入工序相同的真空度。在減壓工序中，在進入到開關(guān)模塊102內(nèi)的半導體元件111下面、基板115與基底基材112之間等間隙中的空氣隨著減壓而膨脹，形成氣泡而漂浮在硅樹脂130內(nèi)。膨脹的該氣泡從外殼110的底部附近起漂浮在硅樹脂130內(nèi)，由此硅樹脂130整體起泡而被吹起， 如圖3所示，硅樹脂130的液面上升。在該狀態(tài)下，硅樹脂130的液面超過高度LH很多而上升，在注入工序中硅樹脂130上露出的引線119的頂部埋沒于硅樹脂130，在引線119整體中附著硅樹脂130。當在開關(guān)模塊102被放置于減壓條件下的狀態(tài)下時間經(jīng)過時，存在于外殼110內(nèi)的間隙中的空氣從硅樹脂130漏掉，氣泡的吹起停止。由此，硅樹脂130的液面下降，而返回到與在注入工序中注入的量相應的高度LH。然而，硅樹脂130具有高粘性，因此在臨時沉浸于硅樹脂130中的部分中，即使硅樹脂130返回到標號LH的高度之后，在其表面附著硅樹脂130的狀態(tài)下，作為覆膜留下。如果將一般的硅樹脂的粘性作為基準，則可知覆膜殘留幾小時至幾十小時。因而，在減壓工序中硅樹脂130被吹起到引線頂部T的位置，由此在引線119整體中形成硅樹脂130的覆膜。在減壓工序中硅樹脂130被吹起的高度根據(jù)收容到外殼110的基板115的大小、 安裝到包括半導體元件111的基板115的元件的數(shù)量、硅樹脂130的特性、減壓工序中的真空度以及從常壓到目標真空度為止的速度等不同而不同，因此考慮這些，決定在注入工序中注入的硅樹脂130的量以使得在減壓工序中硅樹脂130被吹起到引線頂部的位置T為止即可。另外，在減壓工序中放置開關(guān)模塊102的時間能夠充分脫泡即可，因此結(jié)合考慮上述開關(guān)模塊102中的元件的數(shù)量、硅樹脂130的特性以及減壓工序中的真空度來決定即可。一般真空度越高、時間越長則能夠可靠地脫泡，因此考慮脫泡的狀態(tài)以及生產(chǎn)性來決定真空度和時間即可。對注入到開關(guān)模塊102的硅樹脂130中混入固化劑。在固化工序中，在滿足硅樹脂130的固化條件的環(huán)境下開關(guān)模塊102被放置預定時間。例如，在使用熱固性硅樹脂的情況下，開關(guān)模塊102被放置成保持預定以上的溫度(常溫 150°C)的狀態(tài)。另外，在使用光固化性硅樹脂的情況下，使用紫外線燈(未圖示)等照射光。如上所述，在第一典型實施例中，在硅樹脂130固化之前在80°C條件下將開關(guān)模塊102放置1小時。在該固化工序中，如上所述，形成于引線119的硅樹脂130的覆膜由于硅樹脂130的粘性而保持長時間， 因此在固化工序中形成凝膠狀或者固體。因此，引線119被失去流動性的硅樹脂130的覆膜覆蓋。在固化工序中，接著減壓工序可以將開關(guān)模塊102放置在減壓條件下，也可以逐漸降低真空度來放置在常壓條件下，還可以在成為常壓之后過渡到固化工序。經(jīng)過上述注入工序、減壓工序以及固化工序，完成圖4示出的開關(guān)裝置101。圖4 是表示制造出的開關(guān)裝置101的結(jié)構(gòu)的主要部分截面圖。在開關(guān)裝置101的外殼110中， 將硅樹脂130填充到覆蓋接合面121、122兩者的高度LH而固化成凝膠狀，并且，在該硅樹月旨130的上方露出引線119的一部分。引線119中的、在硅樹脂130的上面的上面露出的部分被硅樹脂130固化而得到的樹脂覆膜131覆蓋。圖5是表示用于實現(xiàn)參照圖2 圖4說明的制造方法的注入裝置1100的結(jié)構(gòu)的示意圖。使用該圖5示出的注入裝置1100，能夠?qū)﹂_關(guān)模塊102執(zhí)行注入工序、減壓工序以及固化工序這一系列工序。注入裝置1100是能夠?qū)㈦p組分硅樹脂130注入到開關(guān)模塊102的裝置。注入裝置1100具備收容注入對象的開關(guān)模塊102的真空室1150。真空室1150具備載置臺1153 和多個注入噴嘴1152，使用注入噴嘴1152能夠?qū)Χ鄠€開關(guān)模塊102注入硅樹脂130，其中， 上述載置臺1153能夠排列載置多個開關(guān)模塊102，上述多個注入噴嘴1152從真空室1150 內(nèi)的頂部懸掛設置。真空室1150構(gòu)成為保持氣密性而能夠封閉，通過閥136與真空泵1135相連接。使用該真空泵1135，在注入時和注入后對真空室1150內(nèi)部進行減壓，從而能夠保持為真空狀態(tài)。另外，真空室1150具備能夠?qū)?nèi)部加熱到150°C左右的加熱器(未圖示)以及檢測內(nèi)部溫度的溫度傳感器(未圖示)，按照該溫度傳感器的檢測值來控制向加熱器的通電，由此能夠調(diào)整真空室1150內(nèi)的氣溫。注入裝置1100具有儲存硅樹脂130的主劑130A的主劑儲存器1101以及儲存固化劑130B的固化劑儲存器1111，將這些主劑130A和固化劑130B進行混合來注入到開關(guān)模塊102。主劑儲存器1101具備對主劑130A進行加熱的加熱器1102以及帶式加熱器1103， 并且具備攪拌機構(gòu)1105，該攪拌機構(gòu)1105具備攪拌翼1104，使用未圖示的加熱器來驅(qū)動攪拌機構(gòu)1105，由此攪拌主劑130A。另一方面，固化劑儲存器1111具備對固化劑130B進行加熱的加熱器1112以及帶式加熱器1113。另外，固化劑儲存器1111具備攪拌機構(gòu)1115， 該攪拌機構(gòu)1115具備攪拌翼1114，使用未圖示的馬達來驅(qū)動攪拌機構(gòu)1115，由此攪拌固化劑130B。此外，注入裝置1100具備加熱器1102、1112、帶式加熱器1103,1113以及其它各種加熱器，但是在使用不需要加熱的材料作為主劑130A和固化劑130B的情況下，注入裝置不需要具備加熱器，因此也可以設為沒有加熱器的結(jié)構(gòu)。將主劑儲存器1101內(nèi)的主劑130A經(jīng)過具備加熱器(未圖示)的主劑提供管1121 提供給定量混合部1130。另外，將固化劑儲存器1111內(nèi)的固化劑130B經(jīng)過具備加熱器(未圖示)的固化劑提供管1123供給定量混合部1130。定量混合部1130以預定的混合比對主劑130A與固化劑130B進行混合，一邊進行測量一邊送出混合后的硅樹脂130。將由定量混合部1130混合得到的硅樹脂130經(jīng)過混合樹脂提供管1125發(fā)送到真空室1150的注入噴嘴1152，從注入噴嘴1152注入到開關(guān)模塊102。能夠由定量混合部1130對從注入噴嘴1152注入到開關(guān)模塊102的硅樹脂130的
10量進行測量。因此，根據(jù)定量混合部1130的測量值來關(guān)閉閥1151，由此能夠?qū)⒃O定的量的硅樹脂130注入到開關(guān)模塊102。另外，混合樹脂提供管1125分支而與多個注入噴嘴1152 各自相連接，在分支得到的該管路中按照每個注入噴嘴1152來設置閥1151。在提高真空室1150內(nèi)的真空度的情況下，閥1151關(guān)閉。由此，例如在注入硅樹脂130之后，使用真空泵1135能夠?qū)φ婵帐?150內(nèi)充分進行減壓。另外，主劑儲存器1101和固化劑儲存器1111與真空泵(未圖示)相連接，使用該真空泵能夠?qū)Υ嫫鲀?nèi)部進行減壓。因而，在注入裝置1100中對主劑130A、固化劑 130B以及混合后的硅樹脂130流過的系統(tǒng)內(nèi)整體進行減壓，能夠注入到減壓狀態(tài)的真空室 1150 (真空注入)。通過進行該真空注入，在不容易產(chǎn)生氣泡的狀態(tài)下能夠?qū)⒐铇渲?30注入到開關(guān)模塊102。使用該圖5示出的注入裝置1100，能夠執(zhí)行上述開關(guān)裝置101的制造工序。在注入工序中，在真空室1150中收容開關(guān)模塊102，打開閥1151將混合過的硅樹脂130提供給注入噴嘴1152，使用注入噴嘴1152從上方將硅樹脂130注入到開關(guān)模塊102。在進行真空注入的情況下，打開閥1136，使用真空泵1135將真空室1150內(nèi)的氣壓減壓到預先指定的壓力。在從注入噴嘴1152將設定的量的硅樹脂130注入到開關(guān)模塊102之后，關(guān)閉閥1151 而完成注入工序。在減壓工序中，使用真空泵1135將真空室1150內(nèi)部減壓到預先指定的真空度，保持該真空度預先設定的時間。之后，進行固化工序。在固化工序中，使用真空室1150所具備的加熱器(未圖示)將真空室1150內(nèi)的溫度調(diào)整為設定的溫度。另外，由真空泵1135 調(diào)整真空室1150內(nèi)的真空度，例如在將真空室1150內(nèi)設為常壓的情況下，真空泵1135停止，并且閥1136關(guān)閉，未圖示的泄漏閥被打開，真空室1150內(nèi)的氣壓逐漸恢復到大氣壓。如上所述，在應用了本發(fā)明的第一典型實施例所涉及的開關(guān)裝置101中，通過引線接合技術(shù)將引線接合到作為電子部件的半導體元件111和外部端子114，在使用密封用的硅樹脂130覆蓋接合了該引線119的接合面121、122的開關(guān)裝置101中，將半導體元件 111收容到外殼110，在外殼110內(nèi)注入使引線119的一部分從硅樹脂130的上表面露出的成為預定高度的量的硅樹脂130，將外殼110放置在減壓條件下，由此使硅樹脂130的液面上升，使硅樹脂130附著于在硅樹脂130的上面露出的引線119，由此使用硅樹脂130覆蓋引線119。也就是說，在上述開關(guān)裝置101的制造方法中，具有在外殼110內(nèi)注入硅樹脂130 的注入工序以及將在注入工序中注入了硅樹脂130的外殼110放置在減壓條件下的減壓工序，在注入工序中，注入使引線的至少一部分從硅樹脂130的上面露出的成為預定高度的量的硅樹脂130，在減壓工序中，通過減壓使硅樹脂130的液面上升，在注入工序中使用硅樹脂130覆蓋在硅樹脂130的上面露出的金屬線。根據(jù)該方法，能夠制造出以下開關(guān)裝置110 通過引線接合技術(shù)將接合了金屬線的電子部件收容到外殼110，使用注入到該外殼110內(nèi)的硅樹脂130來覆蓋接合面121、 122，并且金屬線在硅樹脂130的上面露出，硅樹脂130的振動不容易傳遞到金屬線。對于金屬線，在減壓工序中使硅樹脂130的液面上升，由此不需要將硅樹脂130注入到外殼110 直到金屬線整體被沉浸的高度，而也能夠使硅樹脂130附著于硅樹脂130的上面露出的部分而覆蓋。因而，不導入新設備或不使電子器件101大型化，而使用硅樹脂130覆蓋開關(guān)裝置101的接合面121、122，使金屬線在硅樹脂130的上面露出而防止硅樹脂130的振動傳遞CN 102484102 A說明書9/20 頁
到引線，并且能夠使用硅樹脂130覆蓋金屬線。另外，在減壓工序中，在將注入了硅樹脂130 的外殼110放置在減壓條件下的期間能夠進行去除外殼110內(nèi)的氣泡、水分的脫泡，因此能夠減少工時。然后，在開關(guān)裝置101中，接合面121、122被硅樹脂130覆蓋保護，并且硅樹脂130的振動不容易傳遞到引線119。并且，引線119被硅樹脂130覆蓋，因此引線119的耐腐蝕性提高而受絕緣保護。另外，在上述制造方法中，引線119的兩端與接合面121、122相接合，形成為向上的凸形形狀，在注入工序中，注入硅樹脂130直到至少引線119的頂部在所注入的硅樹脂 130的上面露出，并且由所注入的硅樹脂130覆蓋全部接合面121、122的高度，因此能夠更可靠地使用硅樹脂130覆蓋接合面121、122。此外，在上述第一典型實施例中，以使注入噴嘴1152注入的硅樹脂130在減壓工序中吹起從而使硅樹脂130附著于引線119整體的結(jié)構(gòu)為例進行了說明，但是本發(fā)明并不限定于此，在使硅樹脂130向開關(guān)模塊102流下時，還能夠使硅樹脂130附著于引線119整體。以下，將該情況作為第二典型實施例來說明。[第二典型實施例]圖6是表示應用了本發(fā)明第二典型實施例的開關(guān)裝置的制造方法的說明圖，特別是表示注入工序。另外，圖7是表示通過圖6示出的制造方法制造出的開關(guān)裝置IOlA的結(jié)構(gòu)的主要部分截面圖。此外，在該第二典型實施例中對與上述第一典型實施例相同結(jié)構(gòu)的部分附加相同標號而省略說明。在第二典型實施例中，設置有移動機構(gòu)，該移動機構(gòu)使從開關(guān)模塊102的上方使硅樹脂130流下的注入噴嘴1152在開關(guān)模塊102上方于水平方向上移動，從而能夠使注入噴嘴1152移動。注入噴嘴1152的移動方向可以是一個方向，期望是兩個方向以上，優(yōu)選能夠移動至開關(guān)模塊102上方的任意的位置。對于該注入噴嘴1152，如圖中箭頭所示，一邊使硅樹脂130向開關(guān)模塊102流下一邊在開關(guān)模塊102上方移動，由此在配置于外殼110內(nèi)的基板115、半導體元件111上落下硅樹脂130。另外，在引線119中不僅在接合面121、122 也在包括頂部的整體上落下硅樹脂130。并且，在注入噴嘴1152的前端上安裝有使硅樹脂130分散流下的噴嘴頭1巧4。因此，能夠使硅樹脂130帶狀或者樹狀地在更大面積上流下。因而，對使注入噴嘴1152移動的范圍進行調(diào)整，例如還能夠使硅樹脂130流下，使得在殼體113內(nèi)側(cè)整體中無縫地滲透硅樹脂130。另外，如果在引線119的下方等、多個部件上下重疊的位置中使注入噴嘴1152停留固定時間或者放慢注入噴嘴1152的移動速度，則也能夠使硅樹脂130充分滲透到下方的部件。另外，可以將注入噴嘴1152的移動路徑設定為噴嘴頭IlM全部而無遺漏地通過殼體113內(nèi)側(cè)，但是，例如也可以將路徑設定為噴嘴頭IlM僅多次通過引線119或接合面 121,122上等受限的部位上。在通過該圖6示出的注入工序?qū)⒐铇渲?30注入到開關(guān)模塊120之后，當在與上述第一典型實施例相同的條件下執(zhí)行減壓工序和固化工序時，附著于引線119、接合面 121,122以及其它殼體113內(nèi)部的部件上的硅樹脂130固化，由此得到開關(guān)裝置101A。使用噴嘴頭1巧4使硅樹脂130分散。由此硅樹脂130內(nèi)容易進入氣泡，但是之后通過進行減壓工序來脫泡，因此不會產(chǎn)生由使用噴嘴頭IlM引起的缺點。
在圖7示出的開關(guān)裝置IOlA中，收容到外殼110內(nèi)的半導體元件111、基板115、 外部端子114的一部分的表面整體被硅樹脂130覆蓋，在引線119整體上也形成有樹脂覆膜131。期望注入到外殼110內(nèi)的硅樹脂130的量至少設為使引線119的一部分露出程度的高度。這是由于，在硅樹脂130固化后的開關(guān)裝置IOlA中，硅樹脂130的振動不容易傳遞到引線119。在圖7示出的開關(guān)裝置IOlA中，僅將硅樹脂130注入到覆蓋固定于外殼110 的底部的基板115程度的高度。硅樹脂130的液面與引線119的頂部相比非常低，與接合面121、122相比也位于較低位置。因此，在對開關(guān)裝置IOlA施加振動的情況下沒有如下的風險，即凝膠狀的硅樹脂130振動而對引線119施加負載，或者由于該振動的負載而招致斷線。這樣，在第二典型實施例的制造方法中，具有注入工序，在該注入工序中使用注入噴嘴1152使硅樹脂130流下至開關(guān)模塊102而進行注入，在該注入工序中，使注入噴嘴 1152移動使得經(jīng)過引線119或接合面121、122上面，對收容到外殼110的各部從上方流下硅樹脂130，因此使用硅樹脂130覆蓋開關(guān)裝置IOlA的接合面121、122，并且使引線119在硅樹脂130上面露出，防止向引線119傳遞振動，并且能夠使用樹脂覆膜131覆蓋引線119 而實現(xiàn)絕緣性和腐蝕性的提高。另外，注入到外殼110內(nèi)的硅樹脂130的量較少即可，因此能夠?qū)崿F(xiàn)隨著由減少所使用的材料的量引起的成本降低、加壓工序中的脫泡時間的縮短以及固化工序中的硅樹脂130的固化時間的縮短而帶來的生產(chǎn)周期的縮短。此外，在第二典型實施例中，關(guān)于注入到外殼110內(nèi)的硅樹脂130的量，不一定抑制為圖7示出的少量，例如圖2所示，也可以將硅樹脂130注入到接合面121、122完全沉浸于硅樹脂130的高度LH。在該情況下，接合面121、122更可靠地被硅樹脂130覆蓋，并且引線119整體被硅樹脂130覆蓋。另外，在硅樹脂130固化之后，引線119的頂部以及引線 119附近在硅樹脂130上露出，因此在對開關(guān)裝置IOlA施加振動的情況下沒有如下的風險， 即凝膠狀的硅樹脂130振動而對引線119施加負載，或者由于該振動的負載而招致斷線。[第三典型實施例]圖8至圖10是表示本發(fā)明第三典型實施例的開關(guān)裝置1的制造方法的說明圖，詳細地說，圖8是注入工序后的開關(guān)模塊IA的主要部分截面圖，圖9是減壓工序的開關(guān)模塊 IA的主要部分截面圖。另外，圖10是檢測工序中的開關(guān)模塊IA的主要部分截面圖。另外， 圖11是由第三典型實施例的制造方法制造出的開關(guān)裝置1的結(jié)構(gòu)的主要部分截面圖。第三典型實施例的開關(guān)裝置1 (圖11)構(gòu)成為將安裝有半導體元件11的基板15 收容到上面打開開口的外殼10。作為電子部件的半導體元件11例如為IGBT、功率M0SFET、 晶閘管、二極管等與大電流對應的電流提供用的開關(guān)元件。基板15為在上面絕緣基板15A 與下面絕緣基板15B之間夾持絕緣基板15C而通過釬焊材料等進行接合而成的三層結(jié)構(gòu)基板，在上面絕緣基板15A與下面絕緣基板15B上例如形成有構(gòu)成電源提供電路的電路圖案。 半導體元件11在形成于上面絕緣基板15A與下面絕緣基板15B上的圖案上通過焊錫18進行電連接。外殼10構(gòu)成為具備由構(gòu)成外殼10的底面的基底基材12以及固定于基底基材12 的周緣部上、構(gòu)成側(cè)壁的殼體13。殼體13的截面形狀可以是圓形，也可以是方形、其它多邊形，在第三典型實施例中作為一例設為大致圓筒形。殼體13與基底基材12通過粘接劑等以不漏液體的方式進行接合，在外殼10內(nèi)填充液體的情況下，能夠以不漏的方式儲存該液體。在基底基材12的上面使用絕緣性的接合材料17來固定基板15的下部。另外，在殼體 13上設置有向外殼10的外側(cè)突出的外部端子14。外部端子14貫通殼體13以使得跨過外殼10的內(nèi)側(cè)與外側(cè)，外部端子14是與外殼10的外部的電路相連接的金屬制端子。該外部端子14被設置成用于將收容到外殼10的半導體元件11與外殼10的外部電路進行連接， 在外殼10內(nèi)外部端子14與半導體元件11使用引線19 (金屬線)電連接在一起。引線19是通過引線接合技術(shù)形成的金屬線，具體地說，引線19是粗細度為幾十 ym 幾百μ m的金或者鋁制的線材。引線19的一端通過負載和超聲波與半導體元件11 所具備的外部連接用端子(未圖示)的金屬部進行接合，引線19的另一端同樣地與外部端子14相接合，在這些端子之間通過引線19導通。在此，將引線19與半導體元件11相接合的部位(面)設為接合面21，將引線19與外部端子14相接合的部位(面)設為接合面22。 緊接著通過引線接合技術(shù)形成引線19之后，與引線19 一起，接合面21、22的金屬處于在大氣中露出的狀態(tài)。另外，引線19形成為與接合面21、22進行接合的兩端最低而中央部形成向上的凸形形狀(引線19的最高部位位于與接合面21、22相接合的兩端之間)。這樣，將半導體元件11收容到外殼10，基板15通過第一接合材料17與基底基材12相接合，在安裝于基板15上的半導體元件11與外部端子14之間，通過引線接合技術(shù)形成引線19，從而構(gòu)成開關(guān)模塊1A。對該開關(guān)模塊IA注入硅樹脂，從而覆蓋接合面21、22以及引線19，由此制造出作為電子器件的開關(guān)裝置1。由開關(guān)模塊IA制造開關(guān)裝置1的方法包括以下四個工序。1.注入工序，對開關(guān)模塊IA注入硅樹脂；2.減壓工序，將注入了硅樹脂的開關(guān)模塊IA放置在減壓條件下；3.檢測工序，檢測引線19被硅樹脂覆蓋的情況；以及4.固化工序，使硅樹脂固化。注入到外殼10的硅樹脂例如為對主劑中混合固化劑而成的雙組分樹脂，在注入時具有預定的粘性和流動性，之后，在預定的固化條件下固化，形成凝膠狀或者固體。作為硅樹脂30的固化條件，可舉出光(紫外線)照射、加熱等。在將溫度和時間設為固化條件的熱固性硅樹脂中作為典型的條件，溫度為常溫(根據(jù)JIS標準，20°C 士 15°C) 150°C， 時間為幾十分鐘 三小時左右。在第三典型實施例中，說明使用在80°C、1小時的條件下固化的熱固性硅樹脂30(圖9 圖12)的示例。圖8示出在注入工序中對外殼10內(nèi)注入硅樹脂30后的開關(guān)模塊IA的狀態(tài)。在該注入工序中，例如對由主劑與固化劑構(gòu)成的雙組分樹脂進行混合來制備流動狀態(tài)的硅樹脂30，使用從注入噴嘴(未圖示)排出硅樹脂30的注入裝置(未圖示)。在注入工序中，使用注入裝置的注入噴嘴從上方向開關(guān)模塊IA的外殼10內(nèi)注入硅樹脂30。如圖8所示，硅樹脂30的注入量與引線19的最上部(引線頂部)相比低很多，并且接合面21、22的金屬為被埋沒于硅樹脂30的高度。當將硅樹脂30注入到該圖8示出的高度時，確保接合面21、 22的腐蝕性和防濕性，另一方面，與引線19全部被沉浸于硅樹脂30的情況相比，即使在硅樹脂30振動的情況下，該振動也不會傳遞到引線19而招致引線19、接合面21、22的斷線。如圖8所示，在構(gòu)成外殼10的殼體13內(nèi)面設置有樹脂接收部41。樹脂接收部41 是從殼體13向外殼10的內(nèi)部空間突出的突起狀的部分，具有作為能夠儲存硅樹脂30的凹部的樹脂積存部42。樹脂積存部42的邊緣高度為與引線頂部(如上所述，在中央部為向上的凸形形狀的引線19中，該凸形形狀的頂部)大致相同高度或者高于引線。在后述的減壓工序中，當硅樹脂30的液面上升至高于樹脂積存部42的邊緣時，硅樹脂30流入到樹脂積存部42。將注入后的液面高度作為指標來決定在注入工序中注入的硅樹脂30的量。S卩，如上所述，決定硅樹脂30的注入量使得上述那樣接合面21、22被埋沒而引線19的一部分露出的高度。然后，如圖8所示，從殼體13突出的樹脂接收部41的下端形成與在注入工序中注入的硅樹脂30的液面相同高度。因此，在注入工序中，如果視覺觀察至硅樹脂30的液面與樹脂接收部41的下端進行接觸而注入硅樹脂30，則在注入過程中、注入前不需要測量硅樹脂30，而能夠使硅樹脂30的注入量與優(yōu)選量一致。注入工序可以在常壓條件下進行，但是也可以在減壓條件下進行。即，在對開關(guān)模塊IA注入硅樹脂30時，也可以將開關(guān)模塊IA整體以及注入硅樹脂30的噴嘴(未圖示) 收容到減壓室(未圖示)，在對該減壓室內(nèi)部進行減壓的狀態(tài)下進行硅樹脂30的注入(所謂真空注入)。當進行真空注入時，存在能夠迅速地注入硅樹脂30等優(yōu)點。在將硅樹脂30注入到外殼10內(nèi)之后，執(zhí)行減壓工序。在減壓工序中，在減壓環(huán)境下將開關(guān)模塊IA放置預定時間。具體地說，將注入了硅樹脂30的開關(guān)模塊IA收容到能夠密封的減壓室內(nèi)，該減壓室內(nèi)的真空度保持6001 10001 的狀態(tài)繼續(xù)10分鐘 1小時左右。此外，在注入工序中進行上述真空注入的情況下，硅樹脂30的注入完成之后過渡到減壓工序，將開關(guān)模塊IA繼續(xù)放置在減壓環(huán)境下。該情況的放置時間為上述10分鐘 1 小時左右。另外，在該情況下，將減壓工序中的收容了開關(guān)模塊IA的室內(nèi)的真空度可以設為高于(壓力低于)注入工序，也可以設為與注入工序相同的真空度。此外，在減壓工序中放置開關(guān)模塊IA的時間為能夠充分脫泡即可，因此考慮硅樹脂30的粘度、存在于包括硅樹脂30的外殼10內(nèi)部的結(jié)構(gòu)部件內(nèi)部的空氣的量、減壓工序中的真空度、在減壓工序中從常壓到目標真空度為止的速度等來決定即可。通常，真空度越高、時間越長則越能夠可靠地脫泡，因此考慮脫泡的狀態(tài)和生產(chǎn)性來決定真空度和時間即可。在減壓工序中，進入到開關(guān)模塊IA內(nèi)的半導體元件11下、基板15與基底基材12 之間等間隙中的空氣隨著減壓而膨脹，形成氣泡而漂浮在硅樹脂30內(nèi)。膨脹的該氣泡從外殼10的底部附近起漂浮于硅樹脂30內(nèi)，由此硅樹脂30整體起泡而被吹起，如圖9所示，硅樹脂30的液面上升。在該圖9示出的狀態(tài)下，硅樹脂30的液面超過引線頂部的高度，在注入工序中硅樹脂30上面露出的引線19的頂部埋沒于硅樹脂30。另外，在減壓工序中，硅樹脂30的液面超過引線19的最上部高度，因此超過樹脂積存部42的邊緣而硅樹脂30流入到樹脂積存部42。當將開關(guān)模塊IA放置在減壓條件下的狀態(tài)下經(jīng)過時間后，存在于外殼10內(nèi)的間隙中的空氣從硅樹脂30漏掉，停止氣泡吹起。由此，硅樹脂30的液面下降，返回到在注入工序中注入的量相應的高度。然而，硅樹脂30具有高粘性，因此在臨時沉浸于硅樹脂30的部分中，硅樹脂30的液面返回到所注入的高度之后，也在其表面附著硅樹脂30的狀態(tài)下， 形成覆膜而殘留。如果將通常的硅樹脂的粘性為基準，則可知覆膜殘留幾小時至幾十小時。 因而，在減壓工序中硅樹脂30被吹起到引線頂部的高度，由此在引線19整體中形成硅樹脂 30的覆膜。在減壓工序中硅樹脂30被吹起的高度根據(jù)硅樹脂30的粘度、存在于包括硅樹脂 30的外殼10內(nèi)部的結(jié)構(gòu)部件內(nèi)部的空氣的量、減壓工序中的真空度、在減壓工序中從常壓到目標真空度為止的速度等不同而不同。另外，存在于結(jié)構(gòu)部件的間隙中的空氣根據(jù)基板 15的大小、安裝于基板15的元件的數(shù)量、引線19的數(shù)量等不同而不同。因此，考慮這些，決定在注入工序中注入的硅樹脂30的量即液面的高度，以使得在減壓工序中硅樹脂30被吹起到引線頂部的位置。然而，實際上在硅樹脂30被吹起的高度中存在偏差，因此期望液面上升至實際超過引線頂部的高度，確認硅樹脂30附著于引線19的情況。特別是，如果在進行開關(guān)裝置1 的制造方法的固化工序之前進行確認，則例如在弄清楚硅樹脂30向引線19的附著不足的情況下，還能夠使不足量的硅樹脂30附著于引線19。因此，在第三典型實施例中，在減壓工序之后，確認硅樹脂30的液面上升至所需高度的情況，因此進行檢測工序。該檢測工序可以在收容了開關(guān)模塊IA的減壓室的減壓解除之后進行，也可以在開關(guān)模塊IA處于減壓條件的狀態(tài)下、即減壓室內(nèi)的真空度降低之前進行。如圖9所示，當硅樹脂30的液面上升至超過引線頂部的高度時，硅樹脂30流入到樹脂積存部42。如圖10所示，在該情況下，在減壓工序中被吹起的硅樹脂30的液面在脫泡發(fā)生了下降之后，積存在樹脂積存部42中的硅樹脂30也沒有被排出而殘留。因此，在圖 10示出的檢測工序中，通過檢測儲存在樹脂積存部42中的硅樹脂30，來確認在減壓工序中硅樹脂30的液面是否超過引線頂部的高度、即引線19是否被硅樹脂30覆蓋。如圖10所示，在檢測工序中，使用由激光源、LED光源等構(gòu)成的檢查用光源(未圖示)從外殼10的上方照射檢查光L，由受光部(未圖示)接收檢查光L在樹脂積存部42中反射而成的反射光，根據(jù)受光量、所接收的反射光的波長等，判斷硅樹脂30是否積存在樹脂積存部42中。在檢測工序之前，關(guān)于對樹脂積存部42的底面42A (圖8)照射檢查光L 的情況下的反射光以及對積存在樹脂積存部42中的硅樹脂30照射檢查光L的情況下的反射光，求出受光部的接收量、所接收的反射光的波長成分等的差，根據(jù)該差，能夠在檢測工序中可靠地進行判斷。作為具體例，檢查光L波長可以是可見區(qū)域、紫外區(qū)域或者紅外區(qū)域中的任一區(qū)域，但是如果是由硅樹脂30容易吸收的波長，則在硅樹脂30積存在樹脂積存部42中的情況下反射光的光量明顯降低，因此容易可靠地判斷硅樹脂30是否存在。也就是說，通過將檢查光L的波長設為存在于硅樹脂30的吸收光譜中的吸收峰值的波長，能夠可靠地檢測硅樹脂30。在該情況下，底面42A優(yōu)選為以高反射率反射檢查光L的狀態(tài)。另外，相反，還能夠使用以高于硅樹脂30的反射率進行反射的檢查光L，在該情況下，如果底面42A為幾乎不反射檢查光L的狀態(tài)，則反射光的差變得明顯，因此能夠更可靠地檢測硅樹脂30。這樣，在檢測工序中，通過從開關(guān)模塊IA的上方照射檢查光L，能夠檢測硅樹脂30 積存于樹脂積存部42的情況，根據(jù)其檢測結(jié)果，能夠判斷硅樹脂30是否附著于引線19整體。在該檢測工序中判斷為硅樹脂30附著于引線19整體的情況下，進行固化工序。對注入了開關(guān)模塊IA的硅樹脂30中混入固化劑。在固化工序中，將開關(guān)模塊IA 在滿足硅樹脂30的固化條件的環(huán)境下放置預定時間。例如，在使用熱固性硅樹脂的情況下，將開關(guān)模塊IA放置在保持在預定以上溫度(常溫 150°C)的狀態(tài)。另外，在使用光固化性硅樹脂的情況下，使用紫外線燈(未圖示)等來照射光。在第三典型實施例中，如上所述，在80°C的條件下將開關(guān)模塊IA放置1小時直到硅樹脂30固化為止。在該固化工序中，如上所述，形成于引線19上的硅樹脂30的覆膜根據(jù)硅樹脂30的粘性而長時間保持，因此在固化工序中形成凝膠狀或者固體。因此，引線19被失去流動性的硅樹脂30的覆膜覆蓋。在固化工序中，接著減壓工序可以將開關(guān)模塊IA放置在減壓條件下，也可以使真空度逐漸下降而放置在常壓條件下，還可以在形成常壓之后過渡到固化工序。圖11是表示通過上述制造方法制造出的開關(guān)裝置1的結(jié)構(gòu)的主要部分截面圖。在開關(guān)裝置1的外殼10內(nèi)，將硅樹脂30填充到覆蓋接合面21、22兩者的高度而凝膠狀地固化，引線19的一部分在硅樹脂30的上方露出。引線19在接合面21、22中被硅樹脂30覆蓋。并且，引線19的、在硅樹脂30上面的上面露出的部分被在減壓工序中附著的硅樹脂30 的薄膜即樹脂覆膜31覆蓋。根據(jù)在檢測工序中是否檢測出樹脂積存部42的硅樹脂30，能夠容易地確認該樹脂覆膜31是否整體形成于引線19的引線頂部為止。因而，在減壓工序中硅樹脂30的液面沒有上升至引線頂部為止而引線19整體沒有被硅樹脂30覆蓋的情況下，在檢測工序中能夠?qū)ζ溥M行檢測。因此，能夠可靠地檢測出產(chǎn)品缺陷。另外，在固化工序前進行檢測工序，因此通過將硅樹脂30附著于引線19，能夠?qū)z測為缺陷的開關(guān)模塊IA 作為合格產(chǎn)品。如上所述，應用了本發(fā)明第三典型實施例的開關(guān)裝置1具有以下結(jié)構(gòu)通過引線接合技術(shù)將引線19與半導體元件11進行接合，使用密封用硅樹脂30覆蓋接合了該引線19 的接合面21、22，具備收納半導體元件11而注入了硅樹脂30的外殼10，在該外殼10中設置樹脂接收部41，該樹脂接收部41在所注入的硅樹脂30的液面到達引線19的上面的情況下被流入硅樹脂30，將半導體元件11收納于外殼10內(nèi)，在外殼10內(nèi)注入引線19的一部分從硅樹脂30的上面露出的形成預定高度的量的硅樹脂30，通過將外殼10放置在減壓條件下，使硅樹脂30的液面上升，使硅樹脂30附著于硅樹脂30的上面露出的引線19，由此使用硅樹脂30覆蓋引線19，因此能夠?qū)崿F(xiàn)不進行吸引去除臨時注入的硅樹脂30的作業(yè)等而使用硅樹脂30覆蓋引線19的結(jié)構(gòu)。另外，在減壓工序中硅樹脂30的液面到達覆蓋引線19的高度的情況下硅樹脂30 流入到樹脂接收部41。能夠通過使用了檢查光L的光學方法來容易地檢測流入到樹脂接收部41的硅樹脂30，因此能夠容易地確認引線19被硅樹脂30覆蓋到最上部為止的情況。 由此，通過使用硅樹脂30覆蓋引線19來能夠能夠?qū)崿F(xiàn)引線19的耐腐蝕性的提高以及引線 19的絕緣保護，從而能夠提供一種不導入包括吸引用噴嘴的新設備、不會使電子器件大型化而能夠制造且能夠容易地確認引線19完全被覆蓋的情況的開關(guān)裝置1。然后，在包括上述注入工序、減壓工序、檢測工序以及固化工序的開關(guān)裝置1的制造方法中，在減壓工序中使硅樹脂30的液面上升，由此使用硅樹脂30覆蓋引線19，在檢測工序中檢測硅樹脂30的液面上升至充分高度的情況，因此可靠地使用硅樹脂30覆蓋引線 19，并且，能夠容易地確認引線19被覆蓋的情況。因此，不會在引線19的覆蓋不完全的狀態(tài)下放置，能夠迅速且高成品率地制造開關(guān)裝置1。另外，在開關(guān)裝置1中，樹脂接收部41具有在外殼10內(nèi)部的空間露出的樹脂積存部42，該樹脂積存部42的邊緣位于與引線19的上端相同高度，因此在減壓工序中硅樹脂 30的液面上升至引線19的上面的情況下，該硅樹脂30可靠地流入到樹脂接收部41的樹脂積存部42而儲存。因此，硅樹脂30的液面上升停止之后檢測積存在樹脂積存部42中的硅樹脂30，由此能夠容易地且迅速地檢測引線19被硅樹脂30覆蓋至上部為止的情況。并且， 照射檢查光L來光學地檢測硅樹脂30是否流入到樹脂接收部41的樹脂積存部42，因此能夠容易地且迅速地以非接觸的方法來檢測引線19被硅樹脂30覆蓋至上部為止的情況。因此，關(guān)于多個開關(guān)裝置1，能夠連續(xù)地且高速地檢測樹脂積存部42的硅樹脂30。另外，還能夠在減壓室內(nèi)照射檢查光L來進行檢測。[第四典型實施例]圖12是表示應用了本發(fā)明第四典型實施例的開關(guān)裝置2的結(jié)構(gòu)的主要部分截面圖。在第四典型實施例中，對具有與上述第三典型實施例相同的結(jié)構(gòu)的各部附加相同標號而省略說明。開關(guān)裝置2與上述第三典型實施例中所說明的開關(guān)裝置1同樣地，將安裝有半導體元件11的基板15收容到外殼24內(nèi)，使用引線19對設置于外殼24的外部端子14 與半導體元件11進行連接。開關(guān)裝置2所具備的外殼24構(gòu)成為在基底基材12的周緣部接合殼體23。殼體23的截面形狀可以是與殼體13相同的圓，也可以是方形、其它多邊形。 殼體23與基底基材12通過粘接劑等以不漏液體的方式進行接合，在對外殼24填充液體的情況下，能夠以不漏的方式儲存該液體。殼體23的一部分被切缺，而形成樹脂接收部45。樹脂接收部45將殼體23內(nèi)面的上端部的周邊的一部分切缺而形成，在底部形成有儲存硅樹脂30的樹脂積存部46。樹脂積存部46是在外殼24的內(nèi)部空間露出的凹部，樹脂積存部46的邊緣的高度高于與引線 19的引線頂部(如上所述，在中央部向上的凸形形狀的引線19中，該凸形形狀的頂部)大致相同的高度或者引線頂部。在開關(guān)裝置2的制造工序的減壓工序中，當硅樹脂30的液面上升至高于樹脂積存部46的邊緣時，硅樹脂30流入到樹脂積存部46。通過與上述第三典型實施例的開關(guān)裝置1相同的制造方法來制造該圖12示出的開關(guān)裝置2。即，具有以下工序注入工序，其將硅樹脂30注入到外殼24中預定高度為止； 減壓工序，其在注入工序之后放置減壓條件下來使硅樹脂30的液面上升而脫泡；檢測工序，其對在減壓工序中硅樹脂30的液面上升的情況進行檢測；以及固化工序，其使硅樹脂 30固化。在注入工序中注入的硅樹脂30與上述第三典型實施例相同，硅樹脂30的注入量為接合面21、22沉于硅樹脂30且引線19的至少一部分從硅樹脂30的液面露出的量。在將硅樹脂30注入到該高度為止的狀態(tài)下，樹脂接收部45沒有與硅樹脂30進行接觸，硅樹脂30沒有流入到樹脂積存部46。在接著進行的減壓工序中，在放置于減壓條件下的外殼24內(nèi)硅樹脂30與氣泡一起被推上去，硅樹脂30的液面上升至超過引線19的引線頂部的高度。此時，引線19整體附著硅樹脂30，另一方面，在樹脂接收部45中，硅樹脂30流入到樹脂積存部46。之后，在放置在減壓條件下的期間或者在減壓解除后進行檢測工序。圖13是開關(guān)裝置2的制造工序中的檢測工序的說明圖。如該圖13所示，在檢測工序中，使用未圖示的光源從外殼24的上方向樹脂積存部46照射檢查光L。檢查光L在積存于樹脂積存部46的底面或者樹脂積存部46中的硅樹脂30上反射，因此使用未圖示的受光部來接收該反射光，由此能夠檢測積存于樹脂積存部46中的硅樹脂30。該檢查光L與在第三典型實施例中說明的檢查光L相同，設為樹脂積存部46底面中的檢查光L的反射率較高的結(jié)構(gòu)，檢查光L可以使用由硅樹脂30容易吸收的波長的光，將樹脂積存部46底面的反射率設為較低，也可以將檢查光L的波長設為硅樹脂30表面上的反射率較高的波長的光。這樣，開關(guān)裝置2具有對基底基材12接合殼體23而構(gòu)成的外殼24，外殼24內(nèi)面的一部分被切缺而形成樹脂接收部45，在樹脂接收部45中形成有能夠儲存硅樹脂30的樹
18脂積存部46，在減壓工序中硅樹脂30的液面上升至引線19的引線頂部的高度為止的情況下，硅樹脂30流入到樹脂積存部46。能夠通過在檢測工序中照射檢查光L的光學方法來容易地檢測流入到該樹脂積存部46的硅樹脂30，因此能夠容易地確認在減壓工序中在硅樹脂30的上面露出的引線19整體中是否附著有硅樹脂30。并且，在開關(guān)裝置2中，通過切缺殼體23的一部分來形成樹脂接收部45，因此不存在外殼24內(nèi)部突出的部分而在外殼24內(nèi)部配置基板15的工序、在形成引線19的工序中樹脂接收部45不會礙事。因此，能夠容易地檢測外殼24內(nèi)的結(jié)構(gòu)部件的配置、不對其它工序帶來影響而硅樹脂30附著于引線19的情況。[第五典型實施例]圖14是表示應用了本發(fā)明第五典型實施例的開關(guān)裝置3的結(jié)構(gòu)的主要部分截面圖。在第五典型實施例中，對具有與上述第三典型實施例相同的結(jié)構(gòu)的各部附加相同標號而省略說明。開關(guān)裝置3與上述第三典型實施例中所說明的開關(guān)裝置1同樣地，將安裝有半導體元件11的基板15收容到外殼26內(nèi)，使用引線19對設置于外殼26的外部端子14 與半導體元件11進行連接。開關(guān)裝置3所具備的外殼26構(gòu)成為在基底基材12的周緣部接合殼體25。殼體25的截面形狀可以是與殼體13相同的圓，也可以是方形、其它多邊形。 殼體25與基底基材12通過粘接劑等進行接合以避免漏出液體，在對外殼26內(nèi)填充液體的情況下，能夠以不漏的方式儲存該液體。在殼體25上形成有貫通外殼26內(nèi)外的貫通孔48，當積存于外殼26內(nèi)部的液體的液面變得高于貫通孔48時，該液體通過該貫通孔48向外殼26外流出。貫通孔48下端的高度高于與引線19的引線頂部(如上所述，在中央部向上的凸形形狀的引線19中，該凸形形狀的頂部)大致相同的高度或者引線頂部。在貫通孔48的下方在殼體25的外側(cè)面設置有樹脂接收部49。樹脂接收部49具有作為儲存從貫通孔48流出的液體的凹部的樹脂積存部50。樹脂積存部50的高度位置低于貫通孔48即可，但是優(yōu)選樹脂積存部50的邊緣的高度處于貫通孔48的上面，使得液體不會向樹脂接收部49外溢出。通過與上述第三典型實施例所涉及的開關(guān)裝置1相同的制造方法來制造該圖14 示出的開關(guān)裝置3。即，具有以下工序注入工序，其將硅樹脂30注入到外殼26中預定高度為止；減壓工序，其在注入工序之后放置減壓條件下來使硅樹脂30的液面上升而脫泡； 檢測工序，其對在減壓工序中硅樹脂30的液面上升的情況進行檢測；以及固化工序，其使硅樹脂30固化。在注入工序中注入的硅樹脂30與上述第三典型實施例相同，硅樹脂30的注入量為接合面21、22沉于硅樹脂30且引線19的至少一部分從硅樹脂30的液面露出的量。在將硅樹脂30注入到該高度為止的狀態(tài)下，硅樹脂30不到達貫通孔48，因此硅樹脂30不會從貫通孔48流出。在接著進行的減壓工序中，在放置于減壓條件下的外殼26內(nèi)硅樹脂30與氣泡一起被推上去，硅樹脂30的液面上升至超過引線19的引線頂部的高度。此時，引線19整體附著硅樹脂30，另一方面，硅樹脂30的液面到達形成于高于殼體25內(nèi)的貫通孔48的位置，因此硅樹脂30從貫通孔48向外殼26外流出，該硅樹脂30積存于樹脂積存部50內(nèi)。之后， 在放置在減壓條件下的期間或者在減壓解除之后進行檢測工序。圖15是開關(guān)裝置3的制造工序中的檢測工序的說明圖。如該圖15所示，在檢測
19工序中，使用未圖示的光源從外殼26的上方向樹脂積存部50照射檢查光L。檢查光L在積存于樹脂積存部50的底面或者樹脂積存部50中的硅樹脂30上反射，因此使用未圖示的受光部來接收該反射光，由此能夠檢測積存于樹脂積存部50中的硅樹脂30。該檢查光L與在第三典型實施例中說明的檢查光L相同，設為樹脂積存部50底面中的檢查光L的反射率較高的結(jié)構(gòu)，檢查光L可以使用由硅樹脂30容易吸收的波長的光，將樹脂積存部50底面的反射率設為較低，也可以將檢查光L的波長設為硅樹脂30表面上的反射率較高的波長的光。這樣，開關(guān)裝置3具有對基底基材12接合殼體25而構(gòu)成的外殼26，在構(gòu)成外殼 26的側(cè)面的殼體25中形成貫通孔48，在外殼26的外面在貫通孔48的下方形成能夠儲存硅樹脂30的樹脂積存部50，在減壓工序中硅樹脂30的液面上升至引線19的引線頂部的高度為止的情況下，硅樹脂30通過貫通孔48流入到樹脂積存部50。能夠通過在檢測工序中照射檢查光L的光學方法來容易地檢測流入到該樹脂積存部50的硅樹脂30，因此能夠容易地確認在減壓工序中在硅樹脂30的上面露出的引線19整體中是否附著有硅樹脂30。并且，在開關(guān)裝置3中，樹脂接收部49被設置于外殼26外，在樹脂接收部49的樹脂積存部50中，硅樹脂30通過貫通孔48流出，因此不存在外殼26內(nèi)部突出的部分而在外殼26內(nèi)部配置基板15的工序、在形成引線19的工序中樹脂接收部49不會礙事。因此，能夠容易地檢測外殼26內(nèi)的結(jié)構(gòu)部件的配置、不對其它工序帶來影響而硅樹脂30附著于引線19的情況。另外，不需要確保在外殼26內(nèi)設置樹脂接收部49的空間，因此不會由于檢測工序的情況而對外殼26內(nèi)的各部的配置進行限制，從而具備不會損壞外殼26內(nèi)部的配置自由度這種優(yōu)點。[第六典型實施例]圖16是表示應用了本發(fā)明第六典型實施例的開關(guān)裝置4的結(jié)構(gòu)的主要部分截面圖。在第六典型實施例中，對具有與上述第三典型實施例相同的結(jié)構(gòu)的各部附加相同標號而省略說明。開關(guān)裝置4與上述第三典型實施例中所說明的開關(guān)裝置1同樣地，將安裝有半導體元件11的基板15收容到外殼28內(nèi)，使用引線19對設置于外殼28的外部端子14 與半導體元件11進行連接。開關(guān)裝置4所具備的外殼28構(gòu)成為在基底基材12的周緣部接合殼體27。殼體27的截面形狀可以是與殼體13相同的圓，也可以是方形、其它多邊形。 殼體27與基底基材12通過粘接劑等以不漏液體的方式進行接合，在對外殼28內(nèi)填充液體的情況下，能夠以不漏的方式儲存該液體。在殼體27的一部分被切缺而形成樹脂接收部53。樹脂接收部53是切缺殼體27 的上部而形成，是貫通外殼28內(nèi)外的貫通孔。樹脂接收部53的底部呈由兩個斜面55、56 形成的截面V字形狀的凹部，該凹部形成能夠儲存硅樹脂30的樹脂積存部54。外殼28內(nèi)側(cè)的樹脂接收部53下端的高度高于與引線19的引線頂部(如上所述，在中央部向上的凸形形狀的引線19中，該凸形形狀的頂部)大致相同的高度或者引線頂部。在開關(guān)裝置4的制造工序的減壓工序中，當硅樹脂30的液面上升至高于樹脂接收部53的邊緣時，硅樹脂30 流入到樹脂積存部54。構(gòu)成樹脂接收部53的底部的兩個斜面中的、位于外殼28外側(cè)的斜面55的上端變得高于外殼28內(nèi)側(cè)的斜面56的上端。因此，形成流入到樹脂積存部54的硅樹脂30不容易從樹脂接收部53向外殼28外溢出的結(jié)構(gòu)。通過與上述第三典型實施例所涉及的開關(guān)裝置1相同的制造方法來制造該圖16示出的開關(guān)裝置4。即，具有以下工序注入工序，其將硅樹脂30注入到外殼28中預定高度為止；減壓工序，其在注入工序之后放置減壓條件下來使硅樹脂30的液面上升而脫泡； 檢測工序，其對在減壓工序中硅樹脂30的液面上升的情況進行檢測；以及固化工序，其使硅樹脂30固化。在注入工序中注入的硅樹脂30與上述第三典型實施例相同，硅樹脂30的注入量為接合面21、22沉于硅樹脂30且引線19的至少一部分從硅樹脂30的液面露出的量。在將硅樹脂30注入到該高度為止的狀態(tài)下，硅樹脂30不到達斜面56的上端，因此硅樹脂30 不會流入到樹脂積存部54。在接著進行的減壓工序中，在放置在減壓條件下的外殼28內(nèi)硅樹脂30與氣泡一起被推上去，硅樹脂30的液面上升至超過引線19的引線頂部的高度。此時，引線19整體附著硅樹脂30，另一方面，硅樹脂30的液面到達高于斜面56的上端的位置，因此硅樹脂30 流入到樹脂接收部53，該硅樹脂30積存于樹脂積存部54內(nèi)。之后，在放置在減壓條件下期間或者減壓解除之后進行檢測工序。圖17是開關(guān)裝置4的制造工序中的檢測工序的說明圖。如該圖17所示，在檢測工序中，從外殼28的傾斜上方起在圖17的示例中從外殼28內(nèi)側(cè)向外側(cè)的方向上，使用未圖示的光源向樹脂積存部54照射檢查光L。在樹脂積存部54中沒有積存硅樹脂30的情況下，檢查光L照射到斜面55，向檢查光L的入射側(cè)、S卩外殼28內(nèi)側(cè)反射。與此相對，在硅樹脂30積存在樹脂積存部54的情況下，檢查光L在硅樹脂30的上面反射。在固化工序之前硅樹脂30具有流動性，因此硅樹脂30的上面形成水平。因此，如圖17所示，檢查光L向殼體27外側(cè)反射。因此，在檢測工序中，通過檢測檢查光L的反射光的方向，能夠光學地檢測積存于樹脂積存部54內(nèi)的硅樹脂30。該檢查光L與在第三典型實施例中說明的檢查光L相同。 在發(fā)出檢查光L的光源側(cè)配置受光部(未圖示)，當使用該受光部接收反射光時，在樹脂積存部54中沒有積存硅樹脂30的情況下，受光量較大，在積存硅樹脂30的情況下，受光量較小。根據(jù)該受光量的差來能夠檢測積存于樹脂積存部54內(nèi)的硅樹脂30。在該情況下，設為斜面55中的檢查光L的反射率較高的結(jié)構(gòu)，將檢查光L的波長設為由硅樹脂30容易吸收的波長，則受光量的差變得更明顯。另外，在圖17的箭頭所示的反射光的方向上設置受光部(未圖示)，當使用該受光部接收反射光時，在樹脂積存部54中沒有積存硅樹脂30的情況下，受光量較小，在積存硅樹脂30的情況下，受光量較大。在該情況下，如果將斜面55的反射率設為較低而將檢查光L的波長設為硅樹脂30的表面的反射率較高的波長的光，則受光量的差變得更明顯，能夠更容易地進行可靠的檢測。這樣，開關(guān)裝置4具有對基底基材12接合殼體27而構(gòu)成的外殼28，形成貫通構(gòu)成外殼28的側(cè)面的殼體27的樹脂接收部53，樹脂接收部53具有由兩個斜面55、56構(gòu)成的截面V字型的樹脂積存部54。在硅樹脂30的液面在減壓工序上升至引線19的引線頂部為止的情況下硅樹脂30流入到樹脂積存部54。能夠通過在檢測工序中照射檢查光L的光學方法來容易地檢測流入到該樹脂積存部54的硅樹脂30，因此能夠容易地確認在減壓工序中在硅樹脂30的上面露出的引線19整體中是否附著有硅樹脂30。并且，在開關(guān)裝置4中，在殼體27中穿設有樹脂接收部53，對流入到該樹脂接收部53內(nèi)的硅樹脂30進行檢測，因此不存在外殼28內(nèi)部突出的部分而在外殼28內(nèi)部配置基板15的工序、在形成引線19的工序中樹脂接收部53不會礙事。因此，能夠容易地檢測外殼28內(nèi)的結(jié)構(gòu)部件的配置、不對其它工序帶來影響而硅樹脂30附著于引線19的情況。 另外，不需要確保在外殼28內(nèi)設置樹脂接收部53的空間，因此不會由于檢測工序的情況而對外殼28內(nèi)的各部的配置進行限制，從而存在不會損壞外殼28內(nèi)部的配置自由度這種優(yōu)點。另外，在硅樹脂30積存于樹脂積存部54中的情況與沒有積存的情況中，在固定位置接收到檢查光L的反射光時的受光量明顯不同，因此能夠可靠地檢測硅樹脂30。此外，上述典型實施例始終表示本發(fā)明的方式，能夠在本發(fā)明的范圍內(nèi)任意地進行變形和應用。例如，在上述典型實施例中，作為覆蓋接合面21、22、121、122以及引線19、 119的合成樹脂，例舉將雙組分的硅樹脂30、130注入到開關(guān)模塊6、102的情況來進行了說明，但是本發(fā)明并不限定于此，注入到外殼內(nèi)的合成樹脂并不限于硅樹脂30、130。也就是說，是在注入時具有流動性而之后固化而形成凝膠狀或者固體的合成樹脂即可。另外，作為上述合成樹脂，期望具有絕緣性和耐久性而不會使引線19、119以及接合面21、22、121、122 的金屬腐蝕的合成樹脂，更優(yōu)選在嚴酷的環(huán)境下也能夠保持覆蓋引線19、119以及接合面 21、22、121、122的金屬的狀態(tài)的具有耐光性、耐熱性、耐水性的合成樹脂。具體地說，并不限于硅樹脂，還能夠使用環(huán)氧樹脂等，可以是光固化性和熱固性中的任一個，也可以包含添加劑等。例如，在使用光固化性硅樹脂的情況下，當使用激光作為檢查光L時，在檢測對象的樹脂積存部42、46、50、54以外光擴散而不照射，因此存在不會使外殼10、24、26、28內(nèi)的合成樹脂固化而能夠進行檢測這種優(yōu)點。并且，在上述典型實施例中，說明了對具備安裝有作為電子部件的半導體元件11、111的基板15、115的開關(guān)模塊注入硅樹脂30、130來制造開關(guān)裝置的情況，但是本發(fā)明作為電子部件還能夠應用于使用了電容器、電阻器等各種電路元件或者各種集成電路的裝置中，外殼的形狀也可以是任意的，例如也可以使用具備覆蓋上面的蓋子的外殼，在該情況下，在注入工序中打開蓋子即可。另外，能夠?qū)﹂_關(guān)裝置和注入裝置的具體細部結(jié)構(gòu)任意地進行變更。工業(yè)實用性本發(fā)明能夠用于具備半導體元件等的電子器件以及該電子器件的制造方法。附圖標記的說明1、2、3、4開關(guān)裝置(電子器件)IA開關(guān)模塊10夕卜殼11半導體元件(電子部件)15 基板19引線(金屬線)21、22 接合面30硅樹脂(合成樹脂)31樹脂覆膜101、IOlA開關(guān)裝置(電子器件)102開關(guān)模塊110夕卜殼111半導體元件(電子部件)
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115 基板119引線(金屬線)121、122 接合面130硅樹脂(合成樹脂)131樹脂覆膜1100注入裝置1150 真空室1152注入噴嘴
權(quán)利要求
1.一種電子器件，具備 外殼(10、24、26、28、110)；電子部件(11、111)，其被收容到上述外殼(10,24,26,28,110)中； 金屬線(19、119)，其通過引線接合與上述電子部件(11、111)接合在一起；以及合成樹脂(30、130)，其覆蓋接合了上述金屬線(19、119)的接合面Ql、22、121、122)以及上述金屬線(19,119) 0
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子器件，其特征在于，將上述合成樹脂(30、130)注入到上述外殼(10、24J6、28、110)內(nèi)，注入的合成樹脂的量是使得上述金屬線的一部分從合成樹脂的上表面露出的量，將上述外殼(10、對、26、觀、 110)放置在減壓條件下，由此使上述合成樹脂(30、130)的液面上升，使上述合成樹脂(30、 130)附著于在上述合成樹脂(30、130)之上露出的上述金屬線(19、119)，由此上述金屬線 (119)被上述合成樹脂(30、130)覆蓋。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的電子器件，其特征在于，還具備樹脂接收部01、45、49、53)，其被設置于上述外殼(10、24、沈、28)上，在所注入的上述合成樹脂(30)的液面到達上述金屬線(19)之上的情況下，上述合成樹脂(30)流入。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的電子器件，其特征在于，上述樹脂接收部Gl)由在上述外殼內(nèi)部的空間中露出的凹部G2)構(gòu)成， 該凹部02)的邊緣位于與上述金屬線(19)的上端相同的高度。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的電子器件，其特征在于，上述樹脂接收部(45、5；3)通過切缺上述外殼Q4J8)的側(cè)壁(23、27)而形成，具有在上述外殼04J8)內(nèi)部的空間露出的凹部0654)，該凹部(46、54)的邊緣位于與上述金屬線的上端相同的高度。
6.根據(jù)權(quán)利要求3所述的電子器件，其特征在于，還具備貫通孔(48)，其被設置于上述外殼06)的側(cè)壁(25)，在所注入的上述合成樹月旨(30)的液面到達與上述電子部件相接合的上述金屬線之上的情況下，使上述合成樹脂 (30)向上述外殼(26)外流出，上述樹脂接收部G9)具有凹部(50)，該凹部(50)在上述外殼06)的外側(cè)面上被設置于上述貫通孔G8)的下方，儲存從上述貫通孔G8)流出的上述合成樹脂(30)。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子器件，其特征在于，還具備在上述外殼(10)的內(nèi)部的空間露出的凹部02)， 上述金屬線(19)的兩端與上述接合面(21、2幻相接合，呈向上的凸形形狀， 上述金屬線的上述凸形形狀的頂部位于高于上述接合面01、22)的位置， 上述凹部G2)位于與上述凸形形狀的頂部相同的高度、或者位于高于上述凸形形狀的上述頂部的位置。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子器件，其特征在于，還具備凹部0654)，其切缺上述外殼Q4J8)的側(cè)壁(23、27)而形成，在上述外殼 (24,28)內(nèi)部的空間露出，上述金屬線(19)的兩端與上述接合面(21、2幻相接合，呈向上的凸形形狀，上述金屬線的上述凸形形狀的頂部位于高于上述接合面01、22)的位置，上述凹部(46、54)位于與上述凸形形狀的頂部相同的高度或者位于高于上述凸形形狀的上述頂部的位置。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子器件，其特征在于，還具備貫通上述外殼06)的側(cè)壁05)的貫通孔08)，上述金屬線(19)的兩端與上述接合面(21、2幻相接合，呈向上的凸形形狀，上述金屬線的上述凸形形狀的頂部位于高于上述接合面01、22)的位置，上述貫通孔G8)位于與上述凸形形狀的頂部相同的高度、或者位于高于上述凸形形狀的上述頂部的位置。
10.一種電子器件的制造方法，通過引線接合對收容到外殼(10、24J6、28、110)中的電子部件(11、111)接合金屬線(19、119)，接合有上述金屬線(19、119)的接合面01、22、 121,122)被合成樹脂(30、130)覆蓋，其中，將使上述金屬線(19、119)的至少一部分從合成樹脂(30、130)的上表面露出的量的上述合成樹脂(30、130)注入到上述外殼(10,24,26,28,110)內(nèi)，將注入了上述合成樹脂(30、130)的上述外殼(10、24J6、28、110)放置在減壓條件下， 通過減壓使合成樹脂(30、130)的液面上升，通過上述合成樹脂(30、130)來覆蓋在上述合成樹脂(30、130)之上露出的上述金屬線(19、119)。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的電子器件的制造方法，其特征在于，將上述金屬線(19、119)的兩端與上述接合面(21、22、121、122)相接合，將上述金屬線 (19,119)形成為向上的凸形形狀，在將上述合成樹脂(30、130)注入到上述外殼(10、24J6、28、110)內(nèi)時，注入上述合成樹脂(30、130)，直到上述金屬線(19、119)的至少上述凸形形狀的頂部在所注入的上述合成樹脂(30、130)的上表面之上露出、并且由所注入的上述合成樹脂(30、130)覆蓋全部上述接合面(21、22、121、122)的高度為止。
12.根據(jù)權(quán)利要求10或者11所述的電子器件的制造方法，其特征在于，在將上述合成樹脂(30、130)注入到上述外殼(110)內(nèi)時，使將上述合成樹脂注入到上述外殼的注入噴嘴(115 在上述金屬線(119)之上移動，將上述合成樹脂(130)涂敷到位于上述合成樹脂(130)的液面的上方的上述金屬線(119)。
13.根據(jù)權(quán)利要求10或者11所述的電子器件的制造方法，其特征在于，在上述外殼(10、24、沈、28)中設置樹脂接收部01、45、49、53)，在所注入的上述合成樹脂(30)的液面到達上述金屬線(19)之上的情況下上述合成樹脂流入到該樹脂接收部 (41、45、49、53)，對流入到上述樹脂接收部01、45、49、53)的上述合成樹脂(30)進行檢測。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的電子器件的制造方法，其特征在于，在上述樹脂接收部01、45、49、53)中設置儲存上述合成樹脂(30)的凹部02、46、50、54),通過對上述凹部(42、46、50、54)照射檢查光，對流入到上述凹部02、46、50、54)的上述合成樹脂(30)進行光學檢測。
全文摘要
本發(fā)明提供一種電子器件以及電子器件的制造方法，將上述金屬線(119)的至少一部分從合成樹脂(130)的上面露出的量的上述合成樹脂(130)注入到上述外殼(110)內(nèi)，將注入了上述合成樹脂(130)的上述外殼(110)放置在減壓條件下，通過減壓使合成樹脂(130)的液面上升，使用上述合成樹脂(30、130)來覆蓋在上述合成樹脂(130)之上露出的上述金屬線(119)，由此制造出電子器件，該電子器件通過引線接合技術(shù)對收容到外殼(110)內(nèi)的電子部件(111)接合金屬線(119)，接合有上述金屬線(119)的接合面(121、122)被合成樹脂(130)覆蓋。
文檔編號H01L23/24GK102484102SQ20108003771
公開日2012年5月30日 申請日期2010年8月24日 優(yōu)先權(quán)日2009年8月24日
發(fā)明者梅村博和, 福家憲一 申請人:本田技研工業(yè)株式會社