專利名稱：基板處理系統(tǒng)、基板支架、基板支架對、基板接合裝置及器件的制造方法
技術領域：
本發(fā)明涉及基板處理系統(tǒng)、基板支架、基板支架對、基板接合裝置及器件的制造方法。
背景技術：
有將分別形成有元件、電路等的半導體基板進行層疊而制造的層疊型半導體裝置。在層疊半導體基板的情況下，將被基板支架保持的一對半導體基板以半導體電路的線寬精度進行精密定位并層疊之后，將基板整體加熱、加壓進行接合。此時，使用定位裝置對一對半導體基板進行定位、以及使用加熱加壓裝置進行加熱加壓來實現(xiàn)永久接合。專利文獻1 日本特開平11161000號公報專利文獻2 日本特開2005-251972號公報專利文獻3 日本特開2007-115978號公報在層疊2張半導體基板的情況下，如果塵埃夾入相互對置的半導體電路區(qū)域之間時，即使很少也會引起電路動作不良。另外，局部的加熱加壓不充分，有時還會導致接合強度不足。

發(fā)明內(nèi)容
因此，在本發(fā)明的一個側面中，以提供能夠解決上述的課題的“基板處理系統(tǒng)、基板支架、基板支架對、基板接合裝置及器件的制造方法”為目的。該目的通過權利要求中的獨立項所述的特征的組合來達成。另外從屬權利要求規(guī)定了本發(fā)明的更有利的具體例。根據(jù)本發(fā)明的第1方式的基板支架，具有塵埃流入抑制機構，其抑制塵埃流入保持基板的區(qū)域。此外，根據(jù)本發(fā)明的第2方式的基板支架具有支架主體，其具有用于保持基板的保持面；和結合部件，其被設置在保持面的基板保持區(qū)域的外周部；在結合部件中的與被結合部件對置的對置面上形成有凸部以與被結合部件點接觸或線接觸。此外，本發(fā)明的第3方式的器件的制造方法，是重合多個基板而制造的器件制造方法，其中，重合多個基板的工序包括在基板支架上載置多個基板中的至少一個基板的步驟，該基板支架具有被設置在保持基板的保持面上的基板保持區(qū)域的外周部的結合部件， 并且在結合部件中與被結合部件對置的對置面上形成有凸部以與被結合部件點接觸或線接觸。本發(fā)明的第4方式中的基板處理系統(tǒng)，是包括使保持第1基板的第1基板支架和保持第2基板的第2基板支架相向來夾持第1基板和第2基板的基板支架系統(tǒng)、和保持基板支架系統(tǒng)的處理裝置的基板處理系統(tǒng)，其中，在基板支架系統(tǒng)及處理裝置的至少一方具有抑制塵埃向夾持第1基板和第2基板的區(qū)域流入的塵埃流入抑制機構。此外，本發(fā)明的第5方式中的基板處理系統(tǒng)，是包括使保持第1基板的第1基板支架和保持第2基板的第2基板支架相向來夾持第1基板和第2基板的基板支架系統(tǒng)、和保持基板支架系統(tǒng)的處理裝置的基板處理系統(tǒng)，具有被設置在第1基板支架上的被結合部件、 以及與被結合部件對置地被設置在第2基板支架上的結合部件，在基板支架系統(tǒng)被保持于處理裝置時，結合部件和被結合部件的接觸面，位于比第1基板和第2基板的接合面在重力方向上更靠下方的位置。此外，本發(fā)明的第6方式的器件的制造方法，是重合多個基板來制造的器件的制造方法，其中，重合多個基板的工序中包括保持第1基板和第2基板的步驟，以在包括使保持多個基板中的第1基板的第1基板支架和保持多個基板中的第2基板的第2基板支架相向來夾持第1基板和第2基板的基板支架系統(tǒng)、和保持基板支架系統(tǒng)的處理裝置的基板處理系統(tǒng)中，在基板支架系統(tǒng)被保持于處理裝置時，被設置在第2基板支架上的結合部件和被設置在第1基板支架上的被結合部件的接觸面，位于比第1基板和第2基板的接合面在重力方向上更靠下方的位置。此外，在本發(fā)明的第7方式的基板支架對具有載置第1基板的第1基板支架、載置第2基板的第2基板支架、在第1基板支架和第2基板支架夾持了第1基板和第2基板時，抑制塵埃向第1基板和第2基板的方向流入的塵埃流入抑制機構。此外，本發(fā)明的第8方式的基板支架對，包括第1基板支架，具有載置第1基板的第1載置區(qū)域、和被設在第1載置區(qū)域的外周部的第1結合部；第2基板支架，其具有載置第2基板的第2載置區(qū)域、和被設在第2載置區(qū)域的外周部的第2結合部；塵埃流入抑制機構，在使第1載置區(qū)域和第2載置區(qū)域?qū)χ茫医Y合第1結合部和第2結合部的狀態(tài)下，抑制塵埃向第1載置區(qū)域及第2載置區(qū)域流入；塵埃流入抑制機構被設置在第1基板支架的第1載置區(qū)域和第1結合部之間、以及第2基板支架的第2載置區(qū)域和第2結合部之間的至少一方。此外，在本發(fā)明的第9方式的器件的制造方法，是重合多個基板來制造的器件的制造方法，重合多個基板的工序包括在具有載置第1基板的第1載置區(qū)域和、被設在第1 載置區(qū)域的外周部的第1結合部的第1基板支架上，載置第1基板的步驟；在具有載置第 2基板的第2載置區(qū)域、和被設在第2載置區(qū)域的外周部的第2結合部的第2基板支架上， 載置第2基板的步驟；以及一邊利用塵埃流入抑制機構抑制塵埃向第1載置區(qū)域及第2載置區(qū)域的流入，一邊結合第1結合部和第2結合部來進行第1基板支架和第2基板支架的一體化的步驟，其中，塵埃流入抑制機構設在第1基板支架的第1載置區(qū)域和第1結合部之間、以及第2基板支架的第2載置區(qū)域和第2結合部之間的至少一方。此外，本發(fā)明的第10方式的基板支架，是載置基板并被搬送的基板支架具有在表面具有載置基板的載置區(qū)域的支架主體；被設置在載置區(qū)域的外周部且與被結合部件結合的結合部件；被埋設在支架主體中的載置區(qū)域和結合部件之間的塵埃捕獲區(qū)域中的、且發(fā)生靜電力來捕獲塵埃的塵埃捕獲電極。此外，本發(fā)明的第11方式的基板支架，是載置基板并被搬送的基板支架，包括在表面具有載置基板的載置區(qū)域的支架主體；被埋設在比支架主體中的載置區(qū)域靠近基板支架的搬送方向側的塵埃捕獲區(qū)域中的、且發(fā)生靜電力來捕獲塵埃的塵埃捕獲電極。此外，在本發(fā)明的第12方式的器件的制造方法，是重合多個基板來制造的器件的制造方法，重合多個基板的工序包括在具有載置第1基板的第1載置區(qū)域、和被設在第1載置區(qū)域的外周部的結合部件的第1基板支架上，載置第1基板的步驟；在具有載置第2基板的第2載置區(qū)域、和被設在第2載置區(qū)域的外周部的被結合部件的第2基板支架上，載置第2基板的步驟；一邊對塵埃捕獲電極通電使之發(fā)生靜電力，一邊結合結合部件和被結合部件來進行第1基板支架和第2基板支架的一體化的步驟，塵埃捕獲電極埋設在第1基板支架的第1載置區(qū)域和結合部件之間、以及第2基板支架的第2載置區(qū)域和被結合部件之間的至少一方。此外，本發(fā)明的第13方式的器件的制造方法，是以基板的狀態(tài)搬送而被制造的器件的制造方法，其中，搬送基板的工序包括在具有載置基板的載置區(qū)域的基板支架上載置基板的步驟；一邊對塵埃捕獲電極通電使之發(fā)生靜電力，一邊連帶基板支架一起搬送基板的步驟，其中塵埃捕獲電極被埋設在比載置區(qū)域靠基板支架的搬送方向側的塵埃捕獲區(qū)域。此外，本發(fā)明的第14方式的器件的制造方法，是重合多個基板制造的器件的制造方法，重合多個基板的工序包括在具有抑制塵埃向保持基板的區(qū)域流入的塵埃流入抑制機構的基板支架上載置多個基板的至少一個基板的步驟。此外，本發(fā)明的第15方式的器件的制造方法，是重合多個基板制造的器件的制造方法，其中，重合多個基板的工序包括在第1基板支架上載置第1基板的步驟；在第2基板支架上載置第2基板的步驟；一邊通過塵埃流入抑制機構抑制塵埃向第1基板和第2基板的方向流入，一邊將第1基板和第2基板夾持在第1基板支架和第2基板支架上的步驟。另外，上述發(fā)明的概要，并未列舉出本發(fā)明的必要的技術特征的全部，這些的特征群的輔助結合也能構成本發(fā)明。


圖1是概略性地表示基板接合裝置的說明圖。圖2是概略性地表示半導體晶片的平面圖。圖3是概略性地表示保持了第1基板的第1基板支架的平面圖。圖4是概略性地表示保持了第2基板的第2基板支架的平面圖。圖5是概略性地表示基板支架對即將形成之前的狀態(tài)的剖面圖。圖6是概略性地表示基板支架對剛形成之后的狀態(tài)的剖面圖。圖7是概略性地表示磁鐵單元的立體圖。圖8是概略性地表示磁鐵單元另外的例子的立體圖。圖9是概略性地表示吸附單元的板彈簧的平面圖。圖10是概略性地表示板彈簧彈性變形的狀態(tài)的立體圖。圖11是在圖10表示的板彈簧的變形狀態(tài)中包含吸附部件表示的立體圖。圖12是概略性地表示在吸附部件上配設了球狀凸體的例子的立體圖。圖13是表示磁鐵單元和吸附單元的結合作用的剖面圖。圖14是表示磁鐵單元和吸附單元的結合作用的剖面圖。圖15是概略性地表示結合限制單元的縱截面圖。圖16是概略性地表示搬送裝置把持基板支架對的狀態(tài)的側視圖。圖17是概略性地表示接合裝置的主要部分的側視圖。
圖18是概略性地表示基板接合裝置的說明圖。圖19是概略性地表示半導體晶片的平面圖。圖20是概略性地表示保持了第1基板的第1基板支架的平面圖。圖21是概略性地表示保持了第2基板的第2基板支架的平面圖。圖22是概略性地表示基板支架對即將形成之前的狀態(tài)的剖面圖。圖23是概略性地表示基板支架對剛形成之后的狀態(tài)的剖面圖。圖M是概略性地表示磁鐵單元的立體圖。圖25是概略性地表示吸附單元的板彈簧的平面圖。圖沈是概略性地表示板彈簧彈性變形的狀態(tài)的立體圖。圖27是在圖10表示的板彈簧的變形狀態(tài)中包含吸附部件表示的立體圖。圖觀是表示磁鐵單元和吸附單元的結合作用的剖面圖。圖四是表示磁鐵單元和吸附單元的結合作用的剖面圖。圖30是概略性地表示結合限制單元的縱截面圖。圖31是概略性地表示搬送裝置把持基板支架對的狀態(tài)的側視圖。圖32是概略性地表示接合裝置的主要部分的側視圖。圖33是概略性地表示具有作為第1變形例的塵埃流入抑制機構的第1基板支架的平面圖。圖34是概略性地表示具有作為第2變形例的塵埃流入抑制機構的第1基板支架的平面圖。圖35是概略性地表示具有作為第2變形例的塵埃流入抑制機構的第2基板支架的平面圖。圖36是概略性地表示作為第2變形例的基板支架對剛形成之后的狀態(tài)的剖面圖。圖37是具有作為第3變形例的塵埃流入機構的磁鐵單元的外觀立體圖。圖38是表示安裝有屏蔽部的磁鐵單元與吸附單元接觸的狀態(tài)的剖面圖。圖39是概略性地表示基板接合裝置的說明圖。圖40是概略性地表示半導體晶片的平面圖。圖41是概略性地表示保持了第1基板的第1基板支架的平面圖。圖42是概略性地表示保持了第2基板的第2基板支架的平面圖。圖43是概略性地表示基板支架對即將形成之前的狀態(tài)的剖面圖。圖44是概略性地表示基板支架對剛形成之后的狀態(tài)的剖面圖。圖45是概略性地表示磁鐵單元的立體圖。圖46是概略性地表示吸附單元的板彈簧的平面圖。圖47是概略性地表示板彈簧彈性變形的狀態(tài)的立體圖。圖48是在圖10表示的板彈簧的變形狀態(tài)中包含吸附部件表示的立體圖。圖49是表示磁鐵單元和吸附單元的結合作用的剖面圖。圖50是表示磁鐵單元和吸附單元的結合作用的剖面圖。圖51是概略性地表示結合限制單元的縱截面圖。圖52是概略性地表示搬送裝置把持基板支架對的狀態(tài)的側視圖。圖53是概略性地表示接合裝置的樞軸部的側視圖。
圖M是概略性地表示具有作為第1變形例的塵埃捕獲區(qū)域的第1基板支架的平面圖。圖55是概略性地表示具有作為第2變形例的塵埃捕獲區(qū)域的第1基板支架的平面圖。圖56是概略性地表示具有作為第3變形例的塵埃捕獲區(qū)域的第1基板支架的平面圖。
具體實施例方式以下，通過發(fā)明的實施的方式說明本發(fā)明的幾個側面，不過，以下的實施方式并不限定權利要求范圍所涉及的發(fā)明，另外，在實施方式中說明的特征組合并非全部都是發(fā)明的解決手段所必須的。(第1實施方式)圖1是概略性地表示第1實施方式涉及的基板接合裝置1010的說明圖?；褰雍涎b置1010具有對作為半導體晶片的第1基板1016、和層疊在其上的作為半導體晶片的第 2基板1017的相對位置進行對準的對準裝置1011。此外，具有將被對準裝置1011對準后的第1基板1016及第2基板1017互相接合的接合裝置1012。第1基板1016被第1基板支架1014保持，第2基板1017被第2基板支架1015保持。在對準裝置1011中，當?shù)?基板1016和第2基板1017被對準時，第1基板支架1014 和第2基板支架1015把它們夾持起來實施一體化，來形成基板支架對1018。關于具體的基板支架對1018的構成將后述。基板接合裝置1010還具有向接合裝置1012搬送被對準裝置1011 —體化的基板支架對1018的搬送裝置1013。此外，搬送裝置1013還能夠在裝置間搬送半導體晶片、基板支架單體。搬送裝置1013具有把持基板支架對1018等的把持物的把持部1019、和通過旋轉(zhuǎn)、伸縮動作使把持物移動到預定的位置的臂部1020。圖2是概略性地表示本實施方式涉及的半導體晶片的平面圖。作為半導體晶片的第1基板1016、第2基板1017，由單一的單結晶硅組成的圓形的薄板部件構成，在其一面設置多個電路區(qū)域1021。在分割形成為矩陣狀的電路區(qū)域1021中，形成晶體管、電阻及電容等的電路元件。電路元件以光刻技術為核心，采用薄膜形成技術、蝕刻技術及雜質(zhì)擴散技術等的成形技術形成。此外，在各電路區(qū)域1021的內(nèi)部設置對準記號。對準記號是作為基板彼此對準所使用的指標。在分別設置于第1基板1016及第2基板1017的多個對準記號， 其設計坐標值被單獨保存到存儲器，并管理。另外，成為層疊對象的半導體晶片，可以是已經(jīng)被層疊且還進一步堆疊其他半導體晶片的半導體晶片。此時，已經(jīng)被層疊的電路層優(yōu)選經(jīng)過薄化工序而除去無用的厚度。圖3是概略性地表示保持了第1基板1016的第1基板支架1014的平面圖。第1基板支架1014具有支架主體1022及吸附單元1030，整體形成比第1基板 1016的直徑大一圈的圓板狀。支架主體1022由陶瓷、金屬等的高剛性材料一體成形。支架主體1022在其表面具有用于保持第1基板1016的區(qū)域。該保持區(qū)域被研磨而具有高度的平坦性。第1基板1016的保持利用了靜電力的吸附。具體而言，借助被設置在支架主體1022里面的電壓施加端子，對被填埋在支架主體1022中的電極施加電壓，使第1基板支架1014和第1基板1016之間產(chǎn)生電位差，從而將第1基板1016吸附在第1基板支架1014上。另外，第1基板1016的吸附面，是與被設置了電路區(qū)域1021的面相反的面。在保持第1基板1016的表面中，將多個吸附單元1030配置在比保持的第1基板 1016還靠外側的外周區(qū)域上。圖示的情況是2個為一組且每隔120度共計配置6個吸附單元1030。關于具體的構成后述。圖4是概略性地表示保持了第2基板1017的第2基板支架1015的平面圖。第2 基板支架1015具有支架主體1023及磁鐵單元1031，整體形成為比第2基板1017的直徑大一圈的圓板狀。支架主體1023由陶瓷、金屬等的高剛性材料一體成形。支架主體1023在其表面具有保持第2基板1017的區(qū)域。該保持區(qū)域被研磨而具有高度的平坦性。第2基板1017的保持利用了靜電力的吸附。具體而言，借助被設置在支架主體1023里面的電壓施加端子，對被填埋在支架主體1023中的電極施加電壓，使第2基板支架1015和第2基板1017之間產(chǎn)生電位差，從而將第2基板1017吸附在第2基板支架 1015上。另外，第2基板1017的吸附面是與被設置了電路區(qū)域1021的面相反的面。在保持第2基板1017的表面中，比所保持的第2基板1017靠外側的外周區(qū)域配置多個磁鐵單元1031。圖示的情況是2個為一組且每隔120度共計配置6個磁鐵單元1031。磁鐵單元1031被配置成與第1基板支架1014的吸附單元1030分別對應。并且， 如果使保持了第ι基板1016的第1基板支架1014與保持了第2基板1017的第2基板支架1015互相相對，使吸附單元1030和磁鐵單元1031發(fā)生作用，則能夠?qū)⒌?基板1016和第2基板1017以重合的狀態(tài)進行夾持固定。這樣被夾持固定的狀態(tài)就是基板支架對1018。 關于具體的構成及吸附的作用等后述。圖5是概略性地表示在對準裝置1011中基板支架對1018即將形成之前的狀態(tài)的剖面圖。具體而言，是保持了第1基板1016的第1基板支架1014被真空吸附固定于對準裝置1011的第1臺1051，保持了第2基板1017的第2基板支架1015被真空吸附固定于對準裝置1011的第2臺1052的狀態(tài)的剖面圖。特別是表示沿著圖3及圖4所示的各A-A線剖開的剖面圖。第1臺1051能夠向?qū)Φ?基板1017層疊第1基板1016的方向即Z軸方向、和與 Z軸分別正交的X軸、Y軸方向移動。對準裝置1011使用為了能夠觀察第1基板1016而配置在對準裝置1011上的第1顯微鏡、和為了能夠觀察第2基板1017而配置在對準裝置 1011上的第2顯微鏡，進行第1基板1016和第2基板1017的對準。具體而言，用各顯微鏡對成為觀察對象的各基板的對準記號進行撮像，通過對所撮像的數(shù)據(jù)進行圖像處理，而檢測出對準記號的精確位置。并且，計算所對應的對準記號彼此的位置偏差量，按照其位置偏差量使第1臺1051移動，從而使第1基板1016和第2基板 1017對置。由此，第1基板1016的各電路區(qū)域1021分別與第2基板1017的對應的各電路區(qū)域1021對置。另外，位置偏差量的計算，例如采用全局對準法等計算，統(tǒng)計性地決定為在第1基板1016的多個對準記號和第2基板1017的多個對準記號重合的時候，使互相的位置偏差量最小。將第1基板1016相對于第2基板1017進行對準的時候，即，使第1臺1051在XY 平面內(nèi)移動的時候，兩者之間形成若干的間隙，以使第1基板1016和第2基板1017不接觸。 第2臺1052具有多個結合限制單元1053，以使吸附單元1030在上述狀態(tài)下不與磁鐵單元1031結合。結合限制單元1053主要由作為柱狀部件的按壓銷IOM、和用于驅(qū)動它的氣缸部 1055構成。按壓銷IOM在處于伸長位置時穿過支架插通孔IOM和磁鐵插通孔1032的內(nèi)部，其前端從磁鐵插通孔1032突出，其中，上述支架插通孔IOM設置在第2基板支架1015 上，上述磁鐵插通孔1032設置在以與上述支架插通孔IOM —致的方式對準配設的磁鐵單元1031上。在處于收納位置時，其一部分被收納到氣缸部1055的內(nèi)部，從各個插通孔退回。 也就是，按壓銷IOM在各個插通孔的內(nèi)部，通過氣缸部1055的驅(qū)動而在Z軸方向進退。如圖5所示，當?shù)?基板1016和第2基板1017能相對地向XY方向移動的時候，按壓銷IOM被控制在伸長位置以接觸吸附單元1030的上表面，阻止吸附單元1030向磁鐵單元1031的結合。S卩，吸附單元1030由吸附部件1033和固定它的板彈簧1034構成，不過， 為了不使板彈簧1034彈性變形后吸附部件1033向磁鐵單元1031結合，而按壓銷IOM從上方按住吸附部件1033，抑制板彈簧1034的彈性變形。另外，由對準裝置1011進行的第1基板1016和第2基板1017的對準，是在最終的微調(diào)整步驟中，用按壓銷IOM的前端能夠在吸附單元1030的上表面滑動的程度的移動量來執(zhí)行。在上述步驟以外的步驟，例如在用顯微鏡觀察對準記號的步驟中，由于第1基板 1016和第2基板1017處于向XYZ軸方向相對較大地離開的狀態(tài)，所以吸附單元1030不會意外地向磁鐵單元1031進行結合。因此，按壓銷IOM在磁鐵單元1031的磁力到達吸附單元1030，且要限制兩者的結合的時候，被控制在伸長位置，除此之外的情況下被控制在收納位置。圖6是概略性地表示在對準裝置1011中在基板支架對1018剛形成之后的狀態(tài)的截面圖。具體而言，表示從圖5的狀態(tài)將第1臺1051向Z軸方向進行驅(qū)動以使第1基板 1016的表面與第2基板1017的表面接觸的狀態(tài)，而且表示按壓銷IOM被控制在收納位置而吸附單元1030與磁鐵單元1031結合后的狀態(tài)。在從圖5的狀態(tài)向圖6的狀態(tài)過渡的過程中，第1基板1016與第2基板1017被對準，作為結合部件的磁鐵單元1031與作為被結合部件的吸附單元1030進行結合。并且， 第1基板支架1014與第2基板支架1015被一體化，形成作為基板支架系統(tǒng)的基板支架對 1018。在對準裝置1011中，Z軸方向是重力方向，第1臺1051位于第2臺1052的下方。 那么，各面相對于重力方向的關系，從上向下依次為第2基板支架1015的第2基板1017的保持面、第2基板1017與第1基板1016的接合面、第1基板支架1014的第1基板1016的
保持面。在從圖5的狀態(tài)向圖6的狀態(tài)過渡的過程中，隨著使按壓銷IOM移動到收納位置的動作，板彈簧1034發(fā)生彈性變形，吸附單元1030與磁鐵單元1031結合。此時，吸附單元 1030的吸附部件1033伴隨著某種程度的沖擊而與磁鐵單元1031結合。因此，此時的吸附部件1033與磁鐵單元1031的接觸面的重力方向的位置，設定成位于第2基板1017與第1 基板1016的接合面的下方。優(yōu)選是，設定成位于比第1基板支架1014的第1基板1016的保持面更靠下方。如果設定成這種位置關系，則能夠期待即使由于吸附單元1030與磁鐵單元1031 的結合沖擊而產(chǎn)生塵埃并飛散，塵埃也因重力而落下，不會進入第1基板1016與第2基板1017之間。即，進入基板間的塵埃對電路動作帶來不良，而且還導致接合強度不足，但是通過采用如上所述的位置關系，就能夠期待避免這種不良。而且，如果設定成位于比第1基板支架1014的第1基板1016的保持面更下方，則還能夠抑制該面中的塵埃的附著。由此，能夠?qū)⒅貜褪褂玫牡?基板支架1014保持為清潔的狀態(tài)，在載置其它第1基板1016的情況下也沒有夾入塵埃的擔憂。因而，能夠期待避免接合裝置1012中的接合不均勻、第1基板1016的傾斜等。此外，形成了基板支架對1018之后，基板支架對1018解除來自第2臺1052的真空吸附，通過第1臺1051拉下該基板支架對1018并通過搬送裝置1013搬送到接合裝置 1012。關于搬送裝置1013的搬送機構以及接合裝置1012的接合工序?qū)⒑笫觥＝又?，說明磁鐵單元1031的結構。圖7是概略性地表示磁鐵單元1031的立體圖。 磁鐵單元1031具備磁鐵1036、收容并支撐磁鐵1036的支撐部1035、以及多個球狀凸體 1041。支撐部1035具有收容磁鐵1036的圓筒狀的收容部，另外具有使固定在第2基板 1017的螺絲貫通的螺孔1037。支撐部1035例如由碳素鋼S25C形成。磁鐵1036是構成嵌入在支撐部1035的收容部的圓柱形的永磁鐵，例如具有8N左右大小的磁力。在磁鐵1036 的中心軸設置有插通按壓銷IOM的插通孔1038，為了連接該插通孔1038，在支撐部1035 上也設置有插通孔1039。通過這2個插通孔來形成磁鐵插通孔1032。支撐部1035具有與吸附部件1033相對置的對置面1040。并且在對置面1040中埋設有至少3個球狀凸體1041。球狀凸體1041是經(jīng)由設置在對置面1040的例如作為環(huán)狀的黃銅的固定部件1042通過壓入來埋設、固定的。或者也可以構成為通過打磨來加工支撐部1035的對置面1040，與支撐部1035 —體地形成球狀凸體1041。通過這樣形成球狀凸體1041，能夠使磁鐵單元1031與吸附部件1033進行點接觸。 即，通過球狀凸體1041而假想地形成的面成為與吸附部件1033的接觸面，因此能夠大幅度地降低兩者的接觸面積，由此能夠極力地抑制塵埃的產(chǎn)生。圖8是概略性地表示磁鐵單元1031的其它例子的立體圖。與圖7的磁鐵單元1031 不同，在對置面1040形成了作為截面形狀構成三角形的凸部的線狀凸體1050。線狀凸體 1050也可以構成為如下通過打磨等來加工支撐部1035的對置面1040并與支撐部1035 — 體地形成、或分開形成來固定在對置面1040。通過這樣形成線狀凸體1050，能夠使磁鐵單元1031與吸附部件1033進行線接觸。 例如，如果截面形狀為三角形，則通過以其頂點為棱的直線來假想地形成的面成為與吸附部件1033的接觸面，因此與面接觸相比，能夠大幅度地降低兩者的接觸面積，由此能夠極力地抑制塵埃的產(chǎn)生。此外，截面形狀不限于三角形，只要實質(zhì)上能夠?qū)崿F(xiàn)線接觸的形狀則可以是任意形狀。另外，即使通過打磨加工等在接觸部殘留若干的平面部，也只要實質(zhì)上視作線接觸即可。接著，說明吸附單元1030的結構。圖9是概略性地表示吸附單元1030的板彈簧 1034的俯視圖。板彈簧1034是在與保持第2基板1017的第2基板支架1015的保持面正交的方向具有彈性的彈性部件，例如由SUS631等的高強度析出硬化型不銹鋼形成。另外，板彈簧1034由中心附近的圓形部1043和突出成耳狀的安裝部1044構成，圓形部43的直徑為22mm，厚度為 0. 1mm。在圓形部1043中形成有相互沿著相同方向延伸、且向與伸長方向正交的方向隔著間隔配置的一對微縫1046。各微縫46離圓形部1043的中心的距離相等。通過這2個微縫1046，在圓形部1043的中心附近形成帶狀部1048。在帶狀部1048中，在成為圓形部 1043的中心的位置設置有固定吸附部件1033的通孔1047。相同地，在安裝部1044中具有使將板彈簧1034固定在第2基板支架1015的螺絲貫通的螺孔1045。板彈簧1034相對于第2基板支架1015以2個螺孔1045沿著第2基板支架1015的周方向、且微縫1046的伸長方向沿著第2基板支架1015的大致徑向的方式，配置在支架主體1023的外周區(qū)域。圖10是概略性地表示板彈簧1034彈性變形的狀態(tài)的立體圖。具體地說，表示固定在板彈簧1034的吸附部件33被磁鐵單元1031吸引而進行結合時的變形狀態(tài)。但是在圖中沒有示出吸附部件1033。板彈簧1034彈性變形成，通過吸附部件1033被磁鐵單元1031的吸弓丨，帶狀部 1048以通孔1047成為頂點的方式浮起，并且伴隨于此，圓形部1043的周邊部中與帶狀部 1048連接的2個部分相互靠近。此時，各微縫1046使開口形狀變形以允許各個變形。圖11是在圖10所示的板彈簧1034的變形狀態(tài)中包含吸附部件1033而表示的立體圖。吸附部件1033經(jīng)由通孔1047通過螺絲等的緊固部件來固定在板彈簧1034。吸附部件1033由鐵磁體形成。例如，由碳素鋼S25C形成。并且，在吸附部件1033 中與磁鐵單元1031的接觸面固定有緩沖板1049。緩沖板1049的硬度比形成磁鐵單元1031 的接觸面的部件的硬度還小。例如，作為緩沖板的材料使用Si系材料或者樹脂系材料。另外，緩沖板1049優(yōu)選是能夠?qū)ξ讲考?033進行更換的結構。緩沖板1049與磁鐵單元1031的接觸面接觸、特別是設置有如球狀凸體1041、線狀凸體1050那樣的凸部的情況下將受到集中的應力，因此由于吸收沖擊有時可能產(chǎn)生凹陷、削落等。因此，每次使用一定期間之后即更換緩沖板1049。緩沖板1049通過嵌入或是使用粘接劑等的粘貼而固定在吸附部件1033上設置的凹部中。另外，以上說明了 在磁鐵單元1031的支撐部1035設置球狀凸體1041等的凸部， 在與其對置的吸附部件1033上設置緩沖板1049的構成?？墒牵鳛榻Y合部件的磁鐵單元 1031和作為被結合部件的吸附單元1030是相對的關系，所以凸部和緩沖板1049的形成場所也可以是相反的。作為其例子，在圖12中表示在吸附部件1033配設了球狀凸體1041的情況的立體圖。與設置在磁鐵單元1031的支撐部1035的情況相同地，將至少3個球狀凸體1041經(jīng)由例如作為環(huán)狀的黃銅的固定部件1042通過壓入進行埋設。或者也可以構成為如下通過打磨等加工，與吸附部件1033—體地形成球狀凸體1041。在這樣構成的情況下，相反，在磁鐵單元1031的支撐部35設置緩沖板1049。但是，即便在使凸部和緩沖板1049的形成位置逆轉(zhuǎn)的情況下，也將吸附部件1033 與磁鐵單元1031的接觸面的重力方向的位置，設定成位于第2基板1017與第1基板1016 的接合面的下方。優(yōu)選是，設定成位于比第1基板支架1014的第1基板1016的保持面更
靠下方。圖13表示磁鐵單元1031與吸附單元1030的結合作用的截面圖。特別是，表示沿著圖3以及圖4中所示的各B-B線剖開的截面圖。但是省略了第1基板1016、第2基板1017以及按壓銷IOM等的記載。圖13表示吸附部件1033與磁鐵單元1031結合前的狀態(tài)。另外，圖14表示在與圖13相同的剖面部中吸附部件33與磁鐵單元1031結合后的狀態(tài)。如圖所示，磁鐵單元1031經(jīng)由螺絲被固定在第2基板支架1015的表面。另外，與構成吸附部件1033的接觸面的緩沖板1049接觸的平面是由球狀凸體1041的頂點構成的假想的平面，該假想的平面位于第1基板支架14的第1基板1016的保持面的下方。S卩，在第1基板支架1014中，與設置吸附單元1030的區(qū)域?qū)?，設置有形成了比第1基板1016的保持面還低一層的面的凹部1025。并且，由球狀凸體1041的頂點構成的假想的平面，在第1基板1016的表面與第2基板1017的表面接觸的狀態(tài)下，位于該凹部 1025的空間內(nèi)。在凹部1025中設置有允許吸附部件1033的上下移動的通孔1026。另外，從第1 基板支架1014中與第1基板1016的保持面相反的面亦即背面?zhèn)?，將凹?027設置在通孔 1026的周圍，以收納在該凹部中的方式配置板彈簧1034、以及將板彈簧1034相對于第1基板支架1014進行固定的螺絲。如從圖13的狀態(tài)向圖14的狀態(tài)的變化所示，固定吸附部件1033的帶狀部1048 由于吸附部件1033被磁鐵1036吸引而進行彈性變形。此時，由于安裝部1044處于被固定在第1基板支架1014的狀態(tài)，因此板彈簧1034向夾持第1基板1016和第2基板1017使第1基板支架1014和第2基板支架1015相互拉近的方向施力來保持平衡。圖15是概略性地表示結合限制單元1053的縱截面圖。結合限制單元1053與磁鐵單元1031對應地在第2基板支架1015上被配置多個。在氣缸部1055連接調(diào)整氣缸部 1055內(nèi)部的氣壓的氣泵1056?？刂撇客ㄟ^控制氣泵1056使按壓銷IOM進退。也就是，控制按壓銷IOM的至少一部分位于氣缸部1055的內(nèi)部的收納位置、和按壓銷IOM的前端 1057按壓緩沖板1049的伸長位置。因而，按壓銷IOM按壓緩沖板1049的按壓力具有抵抗板彈簧1034的彈力的大小。按壓銷IOM的前端1057被加工成球狀以與緩沖板1049進行點接觸?；蛘?，也可以在前端部分體設置像球狀凸體1041那樣的球。圖16是概略性地表示搬送裝置1013把持基板支架對1018的狀態(tài)的側視圖。搬送裝置1013具備臂部1020、以及與該臂部1020連接的把持部1019。把持部1019具有將基板支架對1018從下方進行支撐的支撐板1062、以及從上方按壓的壓板1063。在支撐板 1062中設置有對基板支架對1018進行真空吸附固定的吸氣孔，基板支架對1018通過該作用而固定在支撐板1062上。壓板1063被設置在支撐板3062的端部設置的支柱1064上，能在夾住基板支架對 1018的方向進退。壓板1063通過對固定于支撐板1062的基板支架對1018作用推壓力，從而能用壓板1063和支撐板1062夾持基板支架對1018。搬送裝置1013通過以該狀態(tài)使臂部1020工作，將基板支架對1018從對準裝置1011搬送到接合裝置1012。圖17是概略性地表示接合裝置1012要部的側視圖。接合裝置1012具有被配置在第1基板支架1014下方的下部加壓臺1065、和被配置在第2基板支架1015上方的上部加壓臺1066。上部加壓臺1066為了與下部加壓臺1065協(xié)作來對基板支架對1018加壓，能夠向接近下部加壓臺1065的方向移動。下部加壓臺1065及上部加壓臺1066的內(nèi)部設置加熱器，不僅能對載置的基板支架對1018加壓，還能進行加熱。通過基板支架對1018被加壓、被加熱，第1基板1016和第2基板1017的互相接觸的電極彼此熔接。由此，第1基板 1016和第2基板1017的分別對應的電路區(qū)域1021被接合。如以上說明，通過相對地減少吸附部件1033和磁鐵單元1031的接觸面積，而減少塵埃被夾入的機會。因而，抑制了吸附部件1033或磁鐵單元1031的接觸面所附著的塵埃由于結合時的夾入而被粉碎、被細化而飛散。只要塵埃的細化和飛散被抑制，也就抑制了這些塵埃向基板方向流入。特別是如果塵埃被粉碎而細化，則存在因為在基板支架對1018搬送的時候、裝卸第1基板1016、第2基板1017的時候等的動作時所產(chǎn)生的風壓而容易使被細化的塵埃飛舞的問題，不過，在上述的實施方式中，不易產(chǎn)生這樣的問題。并且，只要能使被夾入的塵埃減少的話，也能抑制在吸附部件1033和磁鐵單元1031的結合時這些接觸面被削減。因此，也有利于防止新的塵埃發(fā)生。(第2實施方式)圖18是概略性地表示第2實施方式涉及的基板接合裝置2010的說明圖。基板接合裝置2010具有對作為半導體晶片的第1基板2016、和層疊在其上的作為半導體晶片的第 2基板2017的相對的位置進行對準的對準裝置2011。此外，具有將被對準裝置2011對準后的第1基板2016及第2基板2017互相接合的接合裝置2012。第1基板2016被第1基板支架2014保持，第2基板2017被第2基板支架2015 保持。在對準裝置2011中，當?shù)?基板2016和第2基板2017 —被對準時，第1基板支架 2014和第2基板支架2015把它們夾持起來實施一體化，來形成基板支架對2018。關于具體的基板支架對2018的構成將后述。基板接合裝置2010還具有向接合裝置2012搬送被對準裝置2011 —體化的基板支架對2018的搬送裝置2013。此外，搬送裝置2013還能夠在裝置間搬送半導體晶片、基板支架單體。搬送裝置2013具有把持基板支架對2018等的把持物的把持部2019、和通過旋轉(zhuǎn)、伸縮動作使把持物移動到預定的位置的的臂部2020。圖19是概略性地表示本實施方式涉及的半導體晶片的平面圖。作為半導體晶片的第1基板2016、第2基板2017，由單一的單結晶硅組成的圓形的薄板部件組成，在其一面設置多個電路區(qū)域2021，在分割形成為矩陣狀的電路區(qū)域2021中，形成晶體管、電阻及電容等的電路元件。電路元件以光刻技術為核心，采用薄膜形成技術、蝕刻技術及雜質(zhì)擴散技術等的成形技術形成。此外，在各電路區(qū)域2021的內(nèi)部設置對準記號。對準記號是作為基板彼此對準所使用的指標。在分別設置于第1基板2016及第2基板2017的多個對準記號， 其設計坐標值被單獨保存到存儲器，并管理。另外，成為層疊對象的半導體晶片，可以是已經(jīng)被層疊且還進一步堆疊其他半導體晶片的半導體晶片。此時，已經(jīng)被層疊的電路層優(yōu)選經(jīng)過薄化工序而除去無用的厚度。圖20是概略性地表示保持了第1基板2016的第1基板支架2014的平面圖。第1 基板支架2014具有支架主體2022及作為結合部的吸附單元2030，整體為比第1基板2016 的直徑大一圈的圓板狀。支架主體2022由陶瓷、金屬等的高剛性材料一體成形。支架主體2022在其表面具有用于保持第1基板2016的區(qū)域。該保持區(qū)域被研磨而具有高度的平坦性。第1基板2016的保持利用了靜電力的吸附。具體而言，借助被設置在支架主體2022里面的電壓施加端子，對被填埋在支架主體2022中的電極施加電壓，使第1基板支架2014和第1基板2016之間產(chǎn)生電位差，從而將第1基板2016吸附在第1基板支架2014上。另外，第1基板2016的吸附面，是與被設置了電路區(qū)域2021的面相反的面。在保持第1基板2016的表面中，將多個吸附單元2030配置在比保持的第1基板 2016還靠外側的外周區(qū)域上。圖示的情況是2個為一組且每隔120度共計配置6個吸附單元2030。關于具體的構成后述。在第1基板支架2014中，在保持第1基板2016的區(qū)域和各吸附單元2030之間的區(qū)域，設置貫通支架主體2022的第1通孔2101。第1通孔2101，如圖所示，在各吸附單元 2030的組和保持第1基板2016的區(qū)域之間分別各設置3個，不過，例如，也可以按照吸附單元2030的個數(shù)設置，可以配合吸附單元2030的組的形狀而設置成長孔形狀。圖21是概略性地表示保持了第2基板2017的第2基板支架2015的平面圖。第 2基板支架2015具有支架主體2023及作為結合部的磁鐵單元2031，整體形成為比第2基板2017的直徑大一圈的圓板狀。支架主體2023由陶瓷、金屬等的高剛性材料一體成形。支架主體2023在其表面具有保持第2基板2017的區(qū)域。該保持區(qū)域被研磨而具有高度的平坦性。第2基板2017的保持利用了靜電力的吸附。具體而言，借助被設置在支架主體2023里面的電壓施加端子，對被填埋在支架主體2023中的電極施加電壓，使第2基板支架2015和第2基板2017之間產(chǎn)生電位差，從而將第2基板2017吸附在第2基板支架 2015上。另外，第2基板2017的吸附面是與被設置了電路區(qū)域2021的面相反的面。在保持第2基板2017的表面中，比所保持的第2基板2017靠外側的外周區(qū)域配置多個磁鐵單元2031。圖示的情況是2個為一組且每隔120度共計配置6個磁鐵單元2031。磁鐵單元2031被配置成與第1基板支架2014的吸附單元2030分別對應。并且， 如果使保持了第1基板2016的第1基板支架2014和保持了第2基板2017的第2基板支架2015互相相對，使吸附單元2030和磁鐵單元2031發(fā)生作用，則能夠?qū)⒌?基板2016和第2基板2017以重合的狀態(tài)進行夾持固定。這樣被夾持固定的狀態(tài)就是基板支架對2018。 關于具體的構成及吸附的作用等后述。在第2基板支架2015中，在保持第2基板2017的區(qū)域和各個磁鐵單元2031之間的區(qū)域，設置貫通支架主體2023的第2通孔2102。第2通孔2102如圖所示，在各磁鐵單元2031的組和保持第2基板2017的區(qū)域之間分別各設置3個，不過，例如，也可以按照磁鐵單元2031的個數(shù)設置，還可以配合磁鐵單元2031的組的形狀設置成長孔形狀。第1通孔2101和第2通孔2102構成塵埃流入抑制機構，不過，關于具體的作用將后述。圖22是概略性地表示在對準裝置2011中基板支架對2018即將形成之前的狀態(tài)的剖面圖。具體而言，是保持了第1基板2016的第1基板支架2014被真空吸附固定于對準裝置2011的第1臺2051，保持了第2基板2017的第2基板支架2015被真空吸附固定于對準裝置2011的第2臺2052的狀態(tài)的剖面圖。特別是表示沿著圖20及圖21所示的各 A-A線剖開的剖面圖。在第1臺2051的內(nèi)部通過并且與表面連通的第1吸氣配管2071，發(fā)揮基于吸氣裝置2075的吸引力，而將第1基板支架2014真空吸附固定在第1臺2051的表面。第1吸氣配管2071相對于第1臺2051的表面被分成多支，廣泛均勻地吸引第1基板支架2014的背面。通過第1閥2073調(diào)整吸氣裝置2075的吸引力，來控制第1基板支架14的裝拆。同樣，在第2臺2052的內(nèi)部通過并且與表面連通的第2吸氣配管2072，發(fā)揮基于吸氣裝置2075的吸引力，而將第2基板支架2015真空吸附固定在第2臺2052的表面。第 2吸氣配管2072相對于第2臺2052的表面被分成多支，廣泛均勻地吸引第2基板支架2015 的背面。通過第2閥2074調(diào)整吸氣裝置2075的吸引力，來控制第2基板支架的15的裝拆。第1臺2051能夠向?qū)Φ?基板2017層疊第1基板2016的方向亦即Z軸方向、與 Z軸分別正交的X軸、Y軸方向移動。對準裝置2011使用為了能夠觀察第1基板2016而配置在對準裝置2011上的第1顯微鏡、和為了能夠觀察第2基板2017而被配置在對準裝置 2011上的第2顯微鏡，進行第1基板2016和第2基板2017的對準。具體而言，用各顯微鏡對成為觀察對象的各基板的對準記號進行撮像，通過對所撮像的數(shù)據(jù)進行圖像處理，而檢測出對準記號的精確位置。并且，計算所對應的對準記號彼此的位置偏差量，按照其位置偏差量使第1臺2051移動，從而使第1基板2016和第2基板 2017對置。由此，第1基板2016的各電路區(qū)域2021分別與第2基板2017的對應的各電路區(qū)域2021對置。另外，位置偏差量的計算，例如采用全局對準法等計算，統(tǒng)計性地決定為在第1基板2016的多個對準記號和第2基板2017的多個對準記號重合的時候，使互相的位置偏差量最小。將第1基板2016相對于第2基板2017進行對準的時候，即，使第1臺2051在XY 平面內(nèi)移動的時候，兩者之間形成若干的間隙，以使第1基板2016和第2基板2017不接觸， 第2臺2052具有多個結合限制單元1053，以使吸附單元2030在上述狀態(tài)下不與磁鐵單元 2031結合。結合限制單元2053主要由作為柱狀部件的按壓銷20M、和用于驅(qū)動它的氣缸部 2055構成。按壓銷20M在處于伸長位置時穿過支架插通孔20M和磁鐵插通孔1032的內(nèi)部，其前端從磁鐵插通孔2032突出，其中，上述支架插通孔20M設置在第2基板支架1015 上，上述磁鐵插通孔2032設置在以與上述支架插通孔IOM —致的方式對準配設的磁鐵單元1031上。在處于收納位置時，其一部分被收納到氣缸部1055的內(nèi)部，從各個插通孔退回。 也就是，按壓銷20M在各個插通孔的內(nèi)部，通過氣缸部2055的驅(qū)動而在Z軸方向進退。如圖22所示，當?shù)?基板2016和第2基板2017能相對地在XY方向移動的時候， 按壓銷20M被控制在伸長位置以接觸吸附單元2030的上表面，阻止吸附單元2030向磁鐵單元2031的結合。即，吸附單元2030由吸附部件2033和固定它的板彈簧2034構成，不過， 為了不使板彈簧2034彈性變形后吸附部件2033向磁鐵單元2031結合，而按壓銷20M從上方按壓吸附部件2033，抑制板彈簧2034的彈性變形。另外，由對準裝置2011進行的第1基板2016和第2基板2017的對準，是在最終的微調(diào)整步驟中，用按壓銷20M的前端能夠在吸附單元2030的上表面滑動的程度的移動量來執(zhí)行。在上述步驟以外的步驟，例如在用顯微鏡觀察對準記號的步驟中，由于第1基板 2016和第2基板2017處于向XYZ軸方向相對較大地離開的狀態(tài)，所以吸附單元2030不會意外地向磁鐵單元2031進行結合。因此，按壓銷20M在磁鐵單元2031的磁力到達吸附單元2030，且要限制兩者的結合的時候，被控制在伸長位置，除此之外的情況下被控制在收納位置。從第1吸氣配管2071分支并與第1臺2051的表面連通的分歧管的一部分，作為第1連通管2111，與被固定在第1臺2051上的第1基板支架2014的第1通孔2101連接。 此外，從第2吸氣配管2072分支并與第2臺2052的表面連通的分歧管的一部分，作為第2連通管2112，與被固定在第2臺2052上的第2基板支架2015的第2通孔2102連接。此外，從第1吸氣配管2071分支并與第1臺2051的表面連通的分歧管的其他部分，作為第3 連通管2113，與被固定在第1臺2051上的第1基板支架2014的板彈簧2034的背面?zhèn)鹊目臻g連接。圖23是概略性地表示在對對準裝置2011中基板支架對2018剛形成之后的狀態(tài)的剖面圖。具體而言，表示從圖22狀態(tài)將第1臺2051向Z軸方向進行驅(qū)動以使第1基板 2016的表面與第2基板2017的表面接觸的狀態(tài)，并且表示按壓銷20M被控制在收納位置而吸附單元2030結合于磁鐵單元2031的狀態(tài)。在從圖22狀態(tài)向圖23的狀態(tài)過渡的過程中，第1基板2016和第2基板2017被對準，作為結合部件的磁鐵單元2031和作為被結合部件的吸附單元2030進行結合。并且， 第1基板支架2014和第2基板支架2015被一體化，形成作為基板支架系統(tǒng)的基板支架對 2018。在對準裝置2011中，Z軸方向是重力方向，第1臺2051位于第2臺2052的下方。 那么，各面相對于重力方向的關系，從上向下依次為第2基板支架2015的第2基板2017的保持面、第2基板2017和第1基板2016的接合面、第1基板支架2014的第1基板2016的
保持面。在從圖22的狀態(tài)向圖23過渡的過程中，隨著使按壓銷20M移動到收納位置的動作，板彈簧2034發(fā)生彈性變形，吸附單元2030與磁鐵單元2031結合。此時，吸附單元2030 的吸附部件2033隨著某種程度的沖擊而與磁鐵單元2031結合。因此，此時的吸附部件2033 與磁鐵單元2031的接觸面的重力方向的位置，設定成位于第2基板2017與第1基板2016 的接合面的下方。優(yōu)選是，設定成位于比第1基板支架2014的第1基板2016的保持面更下方。如果設定成這種位置關系，則能夠期待即使由于吸附單元2030與磁鐵單元2031 的結合沖擊而產(chǎn)生塵埃并飛散，塵埃也會因為重力而落下，不會進入第1基板2016與第2 基板2017之間。盡管如此如果還有一部分塵埃從第1基板支架2014與第2基板支架2015 間的空間朝向第1基板2016及第2基板2017的方向的情況下，也能期待這些塵埃被第1 通孔2101或第2通孔2102回收。具體而言，與第1連通管2111連接的第1通孔2101、以及與第2連通管2112連接的第2通孔2102，均由于吸氣裝置2075的作用而呈吸氣狀態(tài)，吸入其開口附近的環(huán)境氣體。并且，當由吸附單元2030和磁鐵單元2031的結合沖擊而產(chǎn)生的塵埃的一部分試圖通過這些開口附近的時候，連帶周圍的環(huán)境氣體一起都被吸入到任一開口，從而被回收到第1 吸氣配管2071或第2吸氣配管2072。也就是，可以期待將所發(fā)生的塵埃在其跟前進行回收，而防止其進入第1基板2016和第2基板2017之間。進入基板間的塵埃對電路動作帶來不良，而且還導致接合強度不足，但通過采用如上所述的構成，能減少這樣的不良。進一步，在板彈簧2034的背面?zhèn)鹊目臻g連接有第3連通管2113，也能期待從第3 連通管2113回收由吸附單元2030和磁鐵單元2031的結合沖擊而發(fā)生的塵埃。也就是，因為第3連通管2113也因吸氣裝置2075的作用而處于吸氣狀態(tài)，吸入板彈簧2034背面?zhèn)鹊目臻g的環(huán)境氣體，因此所發(fā)生的塵埃與環(huán)境氣體一起被吸引，被回收到第1吸氣配管2071。另外，也可以從吸附單元2030和磁鐵單元2031結合的時刻開始所經(jīng)過的預定的時間段，調(diào)整第1閥2073及第2閥2074而加強第1吸氣配管2071和第2吸氣配管2072 的吸引力。通過這樣加強吸引力能以更高的概率回收塵埃。形成了基板支架對2018之后，基板支架對2018解除來自第2臺2052的真空吸附， 通過第1臺2051拉下該基板支架對2018并通過搬送裝置2013搬送到接合裝置2012。關于搬送裝置2013的搬送機構及接合裝置2012的接合工序?qū)⒑笫?。接著，說明磁鐵單元2031的構成。圖M是概略性地表示磁鐵單元2031的立體圖。 磁鐵單元2031具有磁鐵2036、和收容并支撐磁鐵2036的支撐部2035。支撐部2035具有收容磁鐵2036的圓筒狀的收容部，另外具有使固定在第2基板支架2015上的螺絲貫通的螺孔2037。支撐部2035例如由碳素鋼S25C形成。支撐部2035 具有與吸附部件2033對置的對置面2040。磁鐵2036是嵌入支撐部2035的收容部的圓柱形的永磁鐵，例如具有8N左右大小的磁力。在磁鐵2036的中心軸設置有插通按壓銷20M 的插通孔2038，為了連接該插通孔2038，在支撐部2035上也設置有插通孔2039。通過這2 個插通孔，形成磁鐵插通孔2032。接著，說明吸附單元2030的構成。圖25是概略性地表示吸附單元2030的板彈簧 2034的平面圖。板彈簧2034是在與保持第2基板2017的第2基板支架2015的保持面正交的方向具有彈性的彈性部件，例如由SUS631等高強度析出硬化型不銹鋼形成。此外，板彈簧2034由中心附近的圓形部43和突出成耳狀的安裝部2044構成，中心部的直徑是22mm， 厚度是0. 1mm。在圓形部43中形成有相互沿著相同方向延伸、且向與伸長方向正交的方向隔著間隔配置的一對微縫2046。各微縫2046距圓形部43中心的距離相等。通過這2個微縫 2046在圓形部43的中心附近形成帶狀部2048。在帶狀部2048上，在成為圓形部43的中心的位置設置有固定吸附部件2033的通孔2047。同樣，在安裝部2044上，具有使將板彈簧 2034固定于第2基板支架2015的螺絲貫通的螺孔2045。板彈簧2034相對于第2基板支架2015以2個螺孔2045沿著第2基板支架2015的周方向、且微縫2046的伸長方向沿著第2基板支架2015的大致徑向的方式，配置在支架主體2023的周緣部。圖沈是概略性地表示板彈簧2034彈性變形的狀態(tài)的立體圖。具體而言，表示固定在板彈簧2034的吸附部件2033被磁鐵單元2031吸引而進行結合時的變形狀態(tài)。但是在圖中沒有示出吸附部件2033。板彈簧2034彈性變形成，通過吸附部件2033被磁鐵單元2031的吸弓|，帶狀部 2048以通孔2047成為頂點的方式浮起，并且伴隨于此，圓形部43的周邊部中與帶狀部 2048連接的2個部分為相互靠近。此時，各微縫2046使開口形狀變形以容許各個變形。圖27是在圖沈所示的板彈簧2034的變形狀態(tài)中包含吸附部件2033而表示的立體圖。吸附部件2033借助通孔2047，被螺絲等的緊固部件固定在板彈簧2034上的吸附部件2033由鐵磁體形成。例如，由碳素鋼S25C形成。圖觀是表示磁鐵單元2031和吸附單元2030的結合作用的剖面圖。特別是表示沿著圖20及圖21所示的各B-B線剖開的剖面圖。但省略了第1基板2016、第2基板2017 及按壓銷20M等記載。圖觀表示吸附部件2033與磁鐵單元2031結合前的狀態(tài)。此外， 圖四表示在與圖28相同的剖面部中吸附部件2033與磁鐵單元2031結合后的狀態(tài)。如圖所示，磁鐵單元2031經(jīng)由螺絲被固定在第2基板支架2015的表面。并且，與吸附部件2033對置的對置面2040，位于第1基板支架2014的第1基板2016保持面的下方。即，在第1基板支架2014，與設置吸附單元2030的區(qū)域?qū)?，設置形成了比第1基板 2016的保持面低一層的面的凹部2025。也就是，磁鐵單元2031接觸吸附部件2033的接觸預定面亦即對置面2040，在第1基板2016的表面和第2基板2017的表面接觸的狀態(tài)下，位于這個凹部2025的空間內(nèi)。在凹部2025設置容許吸附部件2033上下移動的通孔2(^6。此外，從第1基板支架2014中與第1基板2016的保持面相反的面亦即背面?zhèn)龋瑢疾?027設置在通孔20 的周圍，以收納在該凹部中的方式配置板彈簧2034、以及將板彈簧2034相對于第1基板支架2014進行固定的螺絲。如從圖28的狀態(tài)向圖四的狀態(tài)變化所示，固定吸附部件2033的帶狀部2048由于吸附部件2033被磁鐵2036吸引而進行彈性變形。此時，因為安裝部2044處于被固定在第1基板支架2014的狀態(tài)，所以板彈簧2034向夾持第1基板2016和第2基板2017使第 1基板支架2014和第2基板支架2015相互拉近的方向施力來保持平衡。圖30是概略性地表示結合限制單元2053的縱截面圖。結合限制單元2053與磁鐵單元2031對應地在第2基板支架2015上被配置多個。在氣缸部2055連接調(diào)整氣缸部 2055內(nèi)部的氣壓的氣泵2056?？刂撇客ㄟ^控制氣泵2056使按壓銷20M進退。也就是，控制按壓銷20M的至少一部分位于氣缸部2055的內(nèi)部的收納位置、和按壓銷20M的前端 2057按壓吸附部件2033的伸長位置。因此，按壓銷20M按壓吸附部件2033的按壓力，具有抵抗板彈簧2034的彈力的大小。另外，按壓銷20M的前端2057被加工成球狀，以與吸附部件2033點接觸。圖31是概略性地表示搬送裝置2013把持基板支架對2018的狀態(tài)的側視圖。搬送裝置2013具有臂部2020、和與該臂部2020連接的把持部2019。把持部2019具有將基板支架對2018從下方進行支撐的支撐板2062、和從上方按壓的壓板2063。在支撐板2062 上設置有對基板支架對2018進行真空吸附固定的吸氣孔，基板支架對2018通過該作用而固定在支撐板2062上。壓板2063被設置在支撐板2062的端部設置的支柱2064上，能在夾住基板支架對 2018的方向進退。壓板2063通過對固定于支撐板2062的基板支架對2018作用推壓力，從而能用壓板2063和支撐板2062夾持基板支架對2018。搬送裝置2013通過以該狀態(tài)使臂部2020工作，將基板支架對2018從對準裝置2011搬送到接合裝置2012。圖32是概略性地表示接合裝置2012要部的側視圖。接合裝置2012具有被配置在第1基板支架2014下方的下部加壓臺2065、和被配置在第2基板支架2015上方的上部加壓臺2066。上部加壓臺2066為了與下部加壓臺2065協(xié)作來對基板支架對2018加壓， 能夠向接近下部加壓臺2065的方向移動。下部加壓臺2065及上部加壓臺2066內(nèi)部設置加熱器，不僅能對載置的基板支架對2018加壓，還能進行加熱。通過基板支架對2018被加壓、被加熱，第1基板2016和第2基板2017的互相接觸的電極彼此熔接。由此，第1基板 2016和第2基板2017的分別對應的電路區(qū)域2021被接合。(第2實施方式的變形例1)圖33是概略性地表示具有作為第2實施方式的第1變形例的塵埃流入抑制機構的第1基板支架2014的平面圖。用圖20說明的第1基板支架2014，在保持第1基板2016的區(qū)域和各個吸附單元2030之間的區(qū)域，設置有貫通支架主體2022的第1通孔2101。與此相對，在本變形例中，除這些第1通孔2101之外，還以對保持第1基板2016的區(qū)域進行包圍的方式設置多個通孔。作為這些通孔全體，在支架主體2022上形成圓環(huán)通孔2121。與第1基板支架2014的圓環(huán)通孔2121對應地，在第2基板支架2015也呈圓環(huán)狀地設置多個通孔。并且，如與第1通孔2101連接的第1連通管2111、與第2通孔2102連接的第2連通管2112那樣，在被真空吸附于第1臺2051或第2臺2052的時候，各個通孔與對應的連通管連接。與連通管連接的通孔，通過吸氣裝置2075的作用，吸收其開口附近的環(huán)境氣體。根據(jù)這樣構成的基板支架對2018，可以期待在其跟前不僅回收由吸附單元2030 和磁鐵單元2031的結合沖擊而發(fā)生的塵埃，還回收周邊環(huán)境氣體中浮游的塵埃，防止它們進入第1基板2016和第2基板2017間。另外，在上述的實施方式中，構成為使用從第1吸氣配管2071或第2吸氣配管 2072分支的連通管來從通孔吸氣?？墒?，可以將與第1基板支架2014的通孔或第2基板支架的通孔連接的各連通管的至少一方，作為與第1吸氣配管2071或第2吸氣配管2072不同的系統(tǒng)設置。并且，如果能控制成一方吸氣、另一方噴氣的話，能在保持基板的區(qū)域的周圍形成氣簾，從而能夠期待防止塵埃從這個區(qū)域的外部侵入。(第2實施方式的變形例2)圖34是概略性地表示具有作為第2實施方式的第2變形例的塵埃流入抑制機構的第1基板支架2014的平面圖。用圖20說明的第1基板支架2014，在保持第1基板2016 的區(qū)域和各吸附單元2030之間的區(qū)域，設置貫通支架主體2022的第1通孔2101。相對于此，在本變形例中，替換第1通孔2101，形成從第1基板2016保持面呈凸狀地突出的第1防塵壁2131。第1防塵壁2131在圖示的情況下與吸附單元2030的組對應地呈圓弧狀地設置 3個。圓弧的圓心角被設定成，比一組吸附單元2030在圓周方向上所占的圓弧的圓心角還大。圖35是概略性地表示具有作為第2變形例的塵埃流入抑制機構的第2基板支架 2015的平面圖。使用圖21說明的第2基板支架2015，在保持第2基板2017的區(qū)域和各磁鐵單元2031之間的區(qū)域，設置有貫通支架主體2023的第2通孔2102。與此相對，在本變形例中，代替第2通孔2102，從第2基板2017的保持面突出成凸狀地形成第2防塵壁2132。 在圖示的情況下，第2防塵壁2132與磁鐵單元2031的組對應地呈圓弧狀地設置3個。圓弧的圓心角被設定成，比一組磁鐵單元2031在圓周方向上所占的圓弧的圓心角還大。圖36是概略性地表示作為第2變形例的基板支架對2018剛形成之后的狀態(tài)的剖面圖。具體而言，是保持了第1基板2016的第1基板支架2014，被對準裝置2011的第1臺 2051真空吸附固定，保持了第2基板2017的第2基板支架2015，被對準裝置2011的第2 臺2052真空吸附固定的狀態(tài)的剖面圖。特別是表示沿著圖34及圖35所示的各C-C線剖開的剖面圖。如圖所示，第1防塵壁2131和第2防塵壁2132在使第1基板支架2014和第2基板支架2015重合的時候，形成為嵌套狀。第1防塵壁2131的高度是如下高度在第1基板支架2014和第2基板支架2015重合的時候，越過第1基板2016與第2基板2017的接觸面而延伸到第2基板支架2015側，并且與保持第2基板2017的第2基板支架2015的保持面不接觸的高度。第2防塵壁2132的高度是如下高度在第1基板支架2014和第2基板支架2015重合的時候，越過第1基板2016與第2基板2017的接觸面而延伸到第1基板支架2014側，并且與保持第1基板2016的第1基板支架2014的保持面不接觸的高度。并且，為了防塵壁彼此不干涉，例如第1防塵壁2131形成在比第2防塵壁2132更靠外周側。 外周側或內(nèi)周側的關系，可以是相反的，可以根據(jù)每個吸附單元2030與磁鐵單元2031的組
合進行變更。根據(jù)這樣構成，即使由于吸附單元2030和磁鐵單元2031的結合沖擊而發(fā)生塵埃， 并飛散，塵埃也不會直接地飛向第1基板2016及第2基板2017方向。即，可以期待飛散的塵埃在到達第1基板2016或第2基板2017之前，侵入被第1防塵壁2131或第2防塵壁 2132阻止，附著在這些上。另外，在將吸附單元2030和磁鐵單元203的接觸面的重力方向的位置，設定在比第1基板支架2014的第1基板2016的保持面還靠下方的位置時，優(yōu)選將第1防塵壁2131 設置在比第2防塵壁2132更靠外周側。由此，能夠形成塵埃更難朝向第1基板2016及第 2基板2017方向的路徑。第1防塵壁2131及第2防塵壁2132的形狀不限定于上述的圓弧形狀。例如，第1 防塵壁2131也可以是以包圍每個吸附單元2030的組的方式，在圓弧形狀上附加形成放射形狀的部分。與其對應，第2防塵壁2132也可以對磁鐵單元2031以包圍每個組的方式，在圓弧形狀上附加形成放射形狀的部分。此外，也可以將第1防塵壁2131以對保持第1基板 2016的區(qū)域的周圍進行包圍的方式形成圓形狀。與其對應，也可以將第2防塵壁2132以對保持第2基板2017的區(qū)域的周圍進行包圍的方式形成圓形狀。由于能夠使由吸附單元 2030和磁鐵單元2031的結合沖擊所發(fā)生的塵埃到達第1基板2016及第2基板2017的路徑變得復雜，所以即使是以上所述的形狀，也能期待獲得和圓弧形狀同樣的防塵效果。(第2實施方式的變形例3)圖37是具有作為第2實施方式的第3變形例的塵埃流入機構的磁鐵單元2031的外觀立體圖。在本變形例中的磁鐵單元，相對于使用圖M說明的磁鐵單元2031還具有屏蔽部2141。屏蔽部2141嵌合安裝在支撐部2035的圓筒外周上，形成如同從外周方向蓋住對置面2040的裙子形狀。圖38是表示安裝了屏蔽部2141的磁鐵單元2031與吸附單元2030接觸的狀態(tài)的剖面圖。吸附單元2030和磁鐵單元2031的接觸面的重力方向的位置，設定在比第1基板支架2014的第1基板2016的保持面更靠下方的位置。因此，當?shù)?基板支架2014和第2 基板支架2015重合的時候，凹部2025擔負作為避讓部的作用，以使屏蔽部2141能夠侵入比第1基板支架2014的第1基板2016的保持面更靠下方的位置。根據(jù)具有這樣的屏蔽部2141的磁鐵單元2031，能在屏蔽部2141的內(nèi)部捕獲由吸附單元2030和磁鐵單元2031的結合沖擊而發(fā)生的塵埃。因此，能期待使到達第1基板2016 及第2基板2017的塵埃極少。另外，屏蔽部2141可以形成為相對磁鐵單元2031自由裝拆。如果能自由裝拆，即使在屏蔽部2141內(nèi)部被塵埃污染也可以更換，保養(yǎng)容易。反過來，也可以和支撐部2035 — 體性地形成屏蔽部2141。如果一體性地形成，能削減零部件個數(shù)，組裝也變的容易。如上所述，在第2基板支架2015的支架主體2023中埋入電極，使第2基板支架 2015和第2基板2017之間產(chǎn)生電位差，從而使第2基板支架2015吸附第2基板2017。因此，也可以在屏蔽部2141設置與該電極連接的帶電部，使屏蔽部2141帶電的構成。因為如果使屏蔽部2141帶電的話，能期待使之吸附塵埃的效果，因此能進一步提高塵埃捕獲的效率。此外，在上述的變形例中，對磁鐵單元2031設置了屏蔽部。可是，也可以是對吸附部件2033安裝屏蔽部2141的構成。即使這樣構成，也能抑制由吸附單元2030和磁鐵單元 2031的結合沖擊而發(fā)生的塵埃的飛散。如以上說明，在任何實施方式中基板支架對2018都能夠在結合了吸附單元2030 和磁鐵單元2031的狀態(tài)下，抑制塵埃向第1基板2016及第2基板2017的載置區(qū)域側的流入。即，能抑制由于吸附單元2030和磁鐵單元2031的結合的時候的沖擊而從兩者發(fā)生的塵埃的流入。此外，還能夠期待抑制結合后作為基板支架對2018被搬送的時候，侵入第1 基板支架2014及第2基板支架2015間的塵埃向第1基板2016及第2基板2017的載置區(qū)域側的流入。因此，對于用基板支架對2018而制造的器件，能夠期待由塵埃的侵入造成的電路不良被抑制的高質(zhì)量。此外，在制造工序中也能期待高成品率。(第3實施方式)圖39是概略性地表示本實施方式涉及的基板接合裝置3010的說明圖?；褰雍涎b置3010具有對作為半導體晶片的第1基板3016、和層疊在其上的作為半導體晶片的第 2基板3017的相對位置進行對準的對準裝置3011。此外，具有將被對準裝置3011對準后的第1基板3016及第2基板3017互相接合的接合裝置3012。接合裝置3012將第1基板 3016和第2基板3017加壓、或加壓及加熱實現(xiàn)恒久性的接合。第1基板3016被第1基板支架3014保持，第2基板3017被第2基板支架3015保持。在對準裝置3011中，當?shù)?基板3016和第2基板3017被對準時，第1基板支架3014 和第2基板支架3015把它們夾持起來實施一體化，來形成基板支架對3018。關于具體的基板支架對3018的構成后述?；褰雍涎b置3010還具有向接合裝置3012搬送被對準裝置3011 —體化的基板支架對3018的搬送裝置3013。此外，搬送裝置3013還能夠在裝置間搬送半導體晶片、基板支架單體。搬送裝置3013具有把持基板支架對3018等的把持物的把持部3019、和通過旋轉(zhuǎn)、伸縮動作使把持物移動到預定的位置的臂部3020。圖40是概略性地表示本實施方式涉及的半導體晶片的平面圖。作為半導體晶片的第1基板3016、第2基板3017，由單一的單結晶硅組成的圓形的薄板部件構成，在其一面設置多個電路區(qū)域3021。在分割形成為矩陣狀的電路區(qū)域3021中，形成晶體管、電阻及電容等的電路元件。電路元件以光刻技術作為核心，采用薄膜形成技術、蝕刻技術及雜質(zhì)擴散技術等的成形技術形成。此外，在各電路區(qū)域3021的內(nèi)部設置對準記號。對準記號是作為基板彼此對準所使用的指標。在分別設置于第1基板3016及第2基板3017的多個對準記號，其設計坐標值被單獨保存到存儲器，并管理。另外，成為層疊對象的半導體晶片，可以是已經(jīng)被層疊且還進一步堆疊其他半導體晶片的半導體晶片。此時，已經(jīng)被層疊的電路層優(yōu)選經(jīng)過薄化工序而除去無用的厚度。圖41是概略性地表示保持了第1基板3016的第1基板支架3014的平面圖。第 1基板支架3014具有支架主體3022及作為結合部的吸附單元3030，整體形成比第1基板 3016的直徑大一圈的圓板狀。支架主體3022由陶瓷、金屬等的高剛性材料一體成形。
支架主體3022在其表面具有用于載置保持第1基板3016的載置區(qū)域。該載置區(qū)域被研磨而具有高度的平坦性。在圖中，大體上被第1基板3016的外周包圍的區(qū)域相當于載置區(qū)域。第1基板3016的保持利用了靜電力的吸附而進行。具體的構成后述。另外，第 1基板3016的吸附面是與被設置了電路區(qū)域1021的面相反的面。在保持第1基板3016的表面中，將多個吸附單元3030配置在比第1基板3016的載置區(qū)域還靠外側的外周區(qū)域。圖示的情況是2個為一組且每隔120度共計配置6個吸附單元3030。關于具體的構成后述。在第1基板支架3014中，在第1基板3016的載置區(qū)域和各吸附單元3030之間， 設置捕獲塵埃的第1塵埃捕獲區(qū)域3101。在圖示的情況下，第1塵埃捕獲區(qū)域3101被分別設置在各吸附單元3030的組和第1基板3016的載置區(qū)域之間，不過，例如也能根據(jù)吸附單元3030的個數(shù)設置。第1塵埃捕獲區(qū)域3101是利用靜電捕獲特別是從吸附單元3030飛散過來的塵埃的區(qū)域。關于具體的構成后述。圖42是概略性地表示保持了第2基板3017的第2基板支架3015的平面圖。第 2基板支架3015具有支架主體3023及作為結合部的磁鐵單元3031，整體形成為比第2基板3017的直徑大一圈的圓板狀。支架主體3023由陶瓷、金屬等的高剛性材料一體成形。支架主體3023在其表面具有載置保持第2基板3017的載置區(qū)域。該保持區(qū)域被研磨而具有高度的平坦性。在圖中，被第2基板3017的外周包圍的區(qū)域大體上相當于載置區(qū)域。第2基板3017的保持利用了靜電力的吸附而進行。具體的構成后述。另外，第2基板3017的吸附面是與被設置了電路區(qū)域3021的面相反的面。在保持第2基板3017的表面中，將多個磁鐵單元3031配置在比第2基板3017的載置區(qū)域還靠外側的外周區(qū)域。圖示的情況是2個為一組且每隔120度共計配置6個磁鐵單元3031。磁鐵單元3031被配置成與第1基板支架3014的吸附單元3030分別對應。并且， 如果使保持了第1基板3016的第1基板支架3014與保持了第2基板3017的第2基板支架3015互相相對，使吸附單元3030和磁鐵單元3031發(fā)生作用，則能夠?qū)⒌?基板3016和第2基板3017以重合的狀態(tài)進行夾持固定。這樣被夾持固定的狀態(tài)就是基板支架對3018。 關于具體的構成及吸附的作用等后述。在第2基板支架3015中，在第2基板3017的載置區(qū)域和各磁鐵單元3031之間， 設置捕獲塵埃的第2塵埃捕獲區(qū)域3102。第2塵埃捕獲區(qū)域3102，在圖示的情況下，分別被設置在各個磁鐵單元3031的組和第2基板3017的載置區(qū)域之間，不過，例如，也可以按照磁鐵單元3031的個數(shù)設置。第2塵埃捕獲區(qū)域3102是利用靜電力捕獲特別是從磁鐵單元3031飛散的塵埃的區(qū)域。關于具體的構成將后述。圖43是概略性地表示在對準裝置3011中基板支架對3018即將形成之前的狀態(tài)的剖面圖。具體而言，是保持了第1基板3016的第1基板支架3014被真空吸附固定在對準裝置3011的第1臺3051，保持了第2基板3017的第2基板支架3015被真空吸附固定在對準裝置3011第2臺3052的狀態(tài)。特別是表示沿著圖41及圖42所示的各A-A線剖開的剖面圖。在第1臺3051的內(nèi)部通過且與表面連通的第1吸氣配管3071發(fā)揮基于吸氣裝置 3075的吸引力，來將第1基板支架3014真空吸附固定在第1臺3051的表面。第1吸氣配管3071相對于第1臺3051的表面被分成多支，廣泛均勻地吸引第1基板支架3014的背面。 通過第1閥3073調(diào)整吸氣裝置3075的吸引力，來控制第1基板支架的14裝卸。同樣，在第2臺3052的內(nèi)部通過且與表面連通的第2吸氣配管3072發(fā)揮基于吸氣裝置3075的吸引力，來將第2基板支架3015真空吸附固定在第2臺3052的表面。第2 吸氣配管3072相對于第2臺3052的表面被分成多支，廣泛均勻地吸引第2基板支架3015 的背面。通過第2閥3074調(diào)整吸氣裝置3075的吸引力，來控制第2基板支架的15的裝卸。第1臺3051能夠向?qū)Φ?基板3017層疊第1基板3016的方向亦即Z軸方向、與 Z軸分別正交的X軸、Y軸方向移動。對準裝置3011使用為了能觀察第1基板3016而配置在對準裝置3011上的第1顯微鏡、和為了能夠觀察第2基板3017而配置在對準裝置3011 上的第2顯微鏡，進行第1基板3016和第2基板3017的對準。具體而言，用各顯微鏡對成為觀察對象的各基板的對準記號進行撮像，通過對所撮像的數(shù)據(jù)進行圖像處理，而檢測出對準記號的精確位置。并且，計算所對應的對準記號彼此的位置偏差量，按照其位置偏差量使第1臺3051移動，從而使第1基板3016和第2基板 3017對置。由此，第1基板3016的各電路區(qū)域3021分別與第2基板3017的對應的各電路區(qū)域3021對置。另外，位置偏差量的計算，例如采用全局對準法等計算，統(tǒng)計性地決定為在第1基板3016的多個對準記號和第2基板3017的多個對準記號重合的時候，使互相的位置偏差量最小。將第1基板3016相對于第2基板3017進行對準的時候，即，使第1臺3051在XY 平面內(nèi)移動的時候，兩者之間形成若干的間隙，以使第1基板3016和第2基板3017不接觸。 第2臺3052具有多個結合限制單元3053，以使吸附單元3030在上述狀態(tài)下不與磁鐵單元 3031結合。結合限制單元3053主要由作為柱狀部件的按壓銷30M、和用于驅(qū)動它的氣缸部 3055構成。按壓銷30M在處于伸長位置時穿過支架插通孔30M和磁鐵插通孔3032的內(nèi)部，其前端從磁鐵插通孔3032突出，其中，上述支架插通孔30M設置在第2基板支架3015 上，上述磁鐵插通孔3032設置在以與上述支架插通孔30M —致的方式對準配設的磁鐵單元3031上。在處于收納位置時，其一部分被收納到氣缸部3055的內(nèi)部，從各個插通孔退回。 也就是，按壓銷30M在各個插通孔的內(nèi)部，通過氣缸部3055的驅(qū)動而在Z軸方向進退。如圖43所示，當?shù)?基板3016和第2基板3017能相對地在XY方向移動的時候， 按壓銷30M被控制在伸長位置以接觸吸附單元3030的上表面，阻止吸附單元3030向磁鐵單元3031的結合。也就是，吸附單元3030由吸附部件3033和固定它的板彈簧3034構成， 不過，為了不使板彈簧3034彈性變形后吸附部件3033向磁鐵單元1031結合，按壓銷30M 從上方按壓住吸附部件3033，抑制板彈簧3034的彈性變形。另外，由對準裝置3011進行的第1基板3016和第2基板3017的對準，是在最終的微調(diào)整步驟中，用按壓銷30M的前端能夠在吸附單元3030的上表面滑動的程度的移動量來執(zhí)行。在上述步驟以外的步驟，例如在用顯微鏡觀察對準記號的步驟中，由于第1基板 3016和第2基板3017處于向XYZ軸方向相對較大地離開的狀態(tài)，所以吸附單元3030不會意外地向磁鐵單元3031結合。因此，按壓銷30M在磁鐵單元3031的磁力到達吸附單元 3030，且要限制兩者的結合的時候，被控制在伸長位置，除此之外的情況下被控制在收納位置。
在第1基板支架3014的支架主體3022中，與第1基板3016的載置區(qū)域?qū)兀?埋入第1基板電極3116。第1基板電極3116通過第1基板線路31 與第1電壓施加端子 3121連接。在第1臺3051上在與第1電壓施加端子3121對應的位置設置第1電壓供給端子3131，當?shù)?基板支架3014被固定于第1臺3051時，將第1電壓施加端子3121和第1 電壓供給端子3131連接。借助穿設于第1臺3051內(nèi)的導線，從外部電源向第1電壓供給端子3131供給電壓。從外部電源向第1電壓供給端子3131的電壓供給被對準裝置3011 的控制部控制。根據(jù)這樣的構成，第1基板3016和第1基板支架3014之間發(fā)生電位差，第 1基板3016被靜電吸附在第1基板支架3014的載置區(qū)域，維持相對第1基板支架3014的姿勢。第2基板支架3015的支架主體3023中，與第2基板3017的載置區(qū)域?qū)?，埋入?基板電極3117。第2基板電極3117通過第2基板線路3127與第2電壓施加端子 3122連接。第2臺3052在與第2電壓施加端子3122對應的位置設置第2電壓供給端子 3132，當?shù)?基板支架3015被固定于第2臺3052時，將第2電壓施加端子3122和第2電壓供給端子3132連接。借助穿設于第2臺3052內(nèi)的導線，從外部電源向第2電壓供給端子3132供給電壓。從外部電源向第2電壓供給端子3132的電壓供給，被對準裝置3011的控制部控制。根據(jù)這樣的構成，在第2基板3017和第2基板支架3015之間發(fā)生電位差，第 2基板3017被靜電吸附在第2基板支架3015載置區(qū)域，維持相對第2基板支架3015的姿勢。在第1基板支架3014的支架主體3022上，還與第1塵埃捕獲區(qū)域3101對應地， 埋入第1塵埃捕獲電極3111。第1塵埃捕獲電極3111通過第1塵埃線路3113與第1電壓施加端子3121連接。因此，當?shù)?基板支架3014被固定在第1臺3051時，第1塵埃捕獲電極3111也被供給電壓。在這樣的構成中，如果對第1塵埃捕獲電極3111供給電壓，第 1塵埃捕獲區(qū)域3101帶有電荷。浮游的塵埃大多數(shù)情況下帶負電，所以只要以使第1塵埃捕獲區(qū)域3101帶正電的方式對第1塵埃捕獲電極3111供給電壓，則能夠使這些塵埃向第 1塵埃捕獲區(qū)域3101靠近、吸附。如上所述，對第1基板電極3116的供給電壓和對第1塵埃捕獲電極3111的供給電壓，通過共通的第1電壓施加端子3121來進行。然而，可以使第1基板線路31 和第1 塵埃線路3113的線路電阻分別不同等，來對第1基板3016的載置區(qū)域的每單位面積的靜電吸附力、和第1塵埃捕獲區(qū)域3101的每單位面積的靜電吸附力設置差值。具體而言，為了更強有力地吸引浮游的塵埃，優(yōu)選構成為第1塵埃捕獲區(qū)域3101的每單位面積的靜電吸附力比第1基板3016的載置區(qū)域的每單位面積的靜電吸附力大。另外，以將第1塵埃捕獲電極3111和第1基板電極3116向載置第1基板3016的方向投影的時候的形狀互相不重合的方式，分別決定第1塵埃捕獲電極3111和第1基板電極3116的外形形狀及向支架主體3022的埋入位置。由此，能分離第1基板3016的載置區(qū)域和第1塵埃捕獲區(qū)域3101，所以能回避所捕獲的塵埃移動到第1基板3016。在第2基板支架3015的支架主體3023上，還與第2塵埃捕獲區(qū)域3102對應地，埋入第2塵埃捕獲電極3112。第2塵埃捕獲電極3112通過第2塵埃線路3114與第2電壓施加端子3122連接。因此，當?shù)?基板支架3015被固定于第2臺3052時，第2塵埃捕獲電極3112也被供給電壓。在這樣的構成中，如果對第2塵埃捕獲電極3112供給電壓，第2塵埃捕獲區(qū)域3102帶有電荷。和第1塵埃捕獲區(qū)域3101同樣，以使第2塵埃捕獲區(qū)域3102 也帶正電的方式對第2塵埃捕獲電極3112供給電壓，能夠使這些塵埃向第2塵埃捕獲區(qū)域 3102吸引、吸附。和第1基板支架3014同樣，優(yōu)選構成為第2塵埃捕獲區(qū)域3102的每單位面積的靜電吸附力比第2基板3017的載置區(qū)域的每單位面積的靜電吸附力大。另外，以將第2塵埃捕獲電極3112和第2基板電極3117向載置第2基板3017的方向投影的時候的形狀互相不重合的方式，分別決定第2塵埃捕獲電極3112和第2基板電極3117的外形形狀及向支架主體3023的埋入位置。圖44是概略性地表示在對準裝置3011中基板支架對3018剛形成之后的狀態(tài)的剖面圖。具體而言，表示從圖43的狀態(tài)向Z軸方向驅(qū)動第1臺3051以使第1基板3016的表面和第2基板3017的表面接觸的狀態(tài)，而且表示按壓銷30M被控制在收納位置而吸附單元3030與磁鐵單元3031結合后的狀態(tài)。在從圖43狀態(tài)向圖44狀態(tài)過渡的過程中，第1基板3016和第2基板3017被對準，作為結合部件的磁鐵單元3031和作為被結合部件的吸附單元3030進行結合。并且， 第1基板支架3014和第2基板支架3015被一體化，形成作為基板支架系統(tǒng)的基板支架對 3018。在板彈簧3034彈性變形，吸附單元3030結合到磁鐵單元3031上的過程中，吸附單元3030的吸附部件3033，伴隨某種程度的沖擊與磁鐵單元3031結合。這個時候，有時因為吸附單元3030和磁鐵單元3031的結合沖擊而發(fā)生塵埃的飛散。這些塵埃如果附著在第 1基板3016、第2基板3017的基板間及近旁，則在此后的接合裝置3012的接合工序中，將導致不均勻的加熱加壓，引起接合強度不足。此外，在完成的半導體器件中也有因為夾入的塵埃而引起電路動作不良的問題。對于這樣的問題，在本實施方式中，至少在吸附單元3030接觸磁鐵單元3031之后的若干時間內(nèi)，控制部對第1塵埃捕獲電極3111和第2塵埃捕獲電極3112施加電壓，用第 1塵埃捕獲區(qū)域3101及第2塵埃捕獲區(qū)域3102捕獲飛散的塵埃。通過采用這樣的構成，能期待將所發(fā)生的塵埃在其跟前進行回收，而不進入第1基板3016和第2基板3017間。形成基板支架對3018之后，基板支架對3018解除來自第2臺3052的真空吸附， 通過第1臺3051拉下該基板支架對1018并通過搬送裝置3013搬送到接合裝置3012。搬送裝置3013的搬送機構及接合裝置3012連接工序?qū)⒑笫?。接著，說明磁鐵單元3031的構成。圖45是概略性地表示磁鐵單元3031的立體圖。 磁鐵單元3031具有磁鐵3036、收容并支撐磁鐵3036的支撐部3035。支撐部3035具有收容磁鐵3036的圓筒狀的收容部，另外具有使固定于第2基板支架3015的螺絲貫通的螺孔3037。支撐部3035例如由碳素鋼S25C形成。支撐部3035 具有與吸附部件3033對置的對置面3040。磁鐵3036是構成嵌入在支撐部3035的收容部的圓柱形的永磁鐵，例如具有8N左右大小的磁力。在磁鐵3036的中心軸，設置插通按壓銷 3054的插通孔3038，為了連接該插通孔3038，在支撐部3035上也設置插通孔3039。通過這2個插通孔，來形成磁鐵插通孔3032。接著，說明吸附單元3030的構成。圖46是概略性地表示吸附單元3030的板彈簧 3034的平面圖。板彈簧3034是在與保持第2基板3017的第2基板支架3015的保持面正交的方向具有彈性的彈性部件，例如，由SUS631等高強度析出硬化型不銹鋼形成。另外，板彈簧3034由中心附近的圓形部43和突出成耳狀的安裝部3044組成，中心部的直徑是22mm， 厚度是0. 1mm。在圓形部43上形成有相互沿著相同方向延伸、且向與伸長方向正交的方向隔著間隔配置的一對微縫3046。各微縫3046自圓形部43的中心的距離相等。通過這2個微縫3046在圓形部43的中心附近形成帶狀部3048。在帶狀部3048中，在成為圓形部43的中心的位置，設置固定吸附部件3033的通孔3047。同樣，在安裝部3044中，具有使將板彈簧3034固定在第2基板支架3015上的螺絲貫通的螺孔3045。板彈簧3034相對于第2基板支架3015，以2個螺孔3045沿著第2基板支架3015的周方向、且微縫3046的伸長方向沿著第2基板支架3015的大致徑向的方式，配置在支架主體3023的周緣部上。圖47是概略性地表示板彈簧3034彈性變形的狀態(tài)的立體圖。具體而言，表示固定在板彈簧3034的吸附部件3033被磁鐵單元3031吸引而進行結合時的變形狀態(tài)。但是在圖中沒示出吸附部件3033。板彈簧3034彈性變形成，通過吸附部件3033被磁鐵單元3031的吸弓丨，帶狀部 3048以通孔3047成為頂點的方式浮起，并且伴隨于此，圓形部43的周邊部中與帶狀部 3048連接的2個部分互相接近。這時，各微縫3046使開口形狀變形以容許各個變形。圖48是在圖47所表示的板彈簧3034的變形狀態(tài)中包含吸附部件3033而表示的立體圖。吸附部件3033借助通孔3047，通過螺絲等的緊固部件被固定在板彈簧3034上的吸附部件3033由鐵磁體形成。例如，由碳素鋼S25C形成。圖49是表示磁鐵單元3031和吸附單元3030的結合作用的剖面圖。特別是表示沿著圖41及圖42所示的各B-B線剖開的剖面圖。但省略了第1基板3016、第2基板3017 及按壓銷30M等的記載。圖49表示吸附部件3033與磁鐵單元3031結合前的狀態(tài)。此外， 圖50表示在與圖49相同的剖面部中，吸附部件3033與磁鐵單元3031結合后的狀態(tài)。如圖所示，磁鐵單元3031通過螺絲被固定在第2基板支架3015的表面。并且，與吸附部件3033對置的對置面3040位于第1基板支架3014的第1基板3016的保持面的下方。即，在第1基板支架3014上與設置吸附單元3030的區(qū)域?qū)?，設置形成了比第1基板3016的保持面低一層的面的凹部3025。也就是，磁鐵單元3031與吸附部件3033接觸的接觸預定面亦即對置面3040，在第1基板3016的表面和第2基板3017的表面接觸的狀態(tài)下，位于這個凹部3025的空間內(nèi)。在凹部3025設置容許吸附部件3033上下移動的通孔3(^6。此外，從第1基板支架3014中與第1基板3016的保持面相反的面亦即背面?zhèn)?，將凹?027設置在通孔30 的周圍，以收納在這個凹部中的方式配置板彈簧3034、和將板彈簧3034相對于第1基板支架3014進行固定的螺絲。如從圖49的狀態(tài)向圖50的狀態(tài)的變化所示，固定吸附部件3033的帶狀部3048 由于吸附部件3033被磁鐵3036吸引而發(fā)生彈性變形。此時，因為安裝部3044處于被固定在第1基板支架3014的狀態(tài)，所以板彈簧3034向夾持第1基板3016和第2基板3017使第1基板支架3014和第2基板支架3015相互拉近的方向施力來保持平衡。圖51是概略性地表示結合限制單元3053的縱截面圖。結合限制單元3053與磁鐵單元3031對應地在第2基板支架3015上被配置多個。在氣缸部3055中連接有調(diào)整氣缸部3055的內(nèi)部的氣壓的氣泵3056?？刂撇客ㄟ^控制氣泵3056來使按壓銷30M進退。 即，控制按壓銷30M的至少一部分位于氣缸部3055的內(nèi)部的收納位置、和按壓銷30M的前端3057按壓吸附部件3033的伸長位置。因而，按壓銷30M按壓吸附部件3033的按壓力，具有抵抗板彈簧3034的彈性力的大小。另外，按壓銷30M的前端3057被加工成球狀以與吸附部件3033點接觸。圖52是概略性地表示搬送裝置3013把持基板支架對3018的狀態(tài)的側視圖。搬送裝置3013具有臂部3020和與該臂部3020連接的把持部3019。把持部3019具有從下方支撐基板支架對3018的支撐板3062、和從上方按壓的壓板3063。在支撐板3062上，設置有對基板支架對3018進行真空吸附固定的吸氣孔，基板支架對3018通過該作用而固定于支撐板3062。壓板3063被設置在支撐板3062的端部設置的支柱3064上，能在夾住基板支架對 3018的方向進退。壓板3063通過對固定于支撐板3062的基板支架對3018作用推壓力， 從而能用壓板3063和支撐板3062夾持基板支架對3018。搬送裝置3013通過以該狀態(tài)使臂部3020工作，將基板支架對3018從對準裝置3011搬送到接合裝置3012。另外，搬送裝置3013構成為在搬送中也能向第1電壓施加端子3121、第2電壓施加端子3122供給電壓。 由此，能使第1基板3016、第2基板3017靜電吸附，即使在搬送中也不必擔心基板和基板支架相對偏離。圖53是概略性地表示接合裝置3012的要部的側視圖。接合裝置3012具有被配置在第1基板支架3014下方的下部加壓臺3065、和被配置在第2基板支架3015上方的上部加壓臺3066。上部加壓臺3066為了與下部加壓臺3065協(xié)作來對基板支架對3018加壓， 能夠向接近下部加壓臺3065的方向移動。下部加壓臺3065及上部加壓臺3066的內(nèi)部設置加熱器，不僅能對載置的基板支架對3018加壓，還能進行加熱。由于基板支架對3018被加壓、被加熱，第1基板3016和第2基板3017的互相接觸的電極彼此熔接。由此，第1基板3016和第2基板3017的分別對應的電路區(qū)域3021被接合。(第3實施方式的變形例1)圖M是概略性地表示具有作為第3實施方式的第1變形例的塵埃捕獲區(qū)域的第 1基板支架3014的平面圖。用圖41說明的第1基板支架3014，在第1基板3016的載置區(qū)域和各吸附單元3030之間，設置捕獲塵埃的第1塵埃捕獲區(qū)域3101。對此，在本變形例中， 以連接這些第1塵埃捕獲區(qū)域3101且包圍第1基板3016的載置區(qū)域的方式設置圓環(huán)狀的塵埃捕獲區(qū)域3161。與該塵埃捕獲區(qū)域3161對應地，也形成圓環(huán)狀的塵埃捕獲電極并埋入支架主體3022。與第1基板支架3014的塵埃捕獲區(qū)域3161對應地，在第2基板支架3015也設置圓環(huán)狀的塵埃捕獲區(qū)域。根據(jù)這樣構成的基板支架對3018，能期待在其跟前不僅捕獲因為吸附單元3030和磁鐵單元3031的結合沖擊而發(fā)生的塵埃，還捕獲周邊環(huán)境氣體中浮游的塵埃，防止它們進入第1基板3016和第2基板3017之間。(第3實施方式的變形例2)圖55是概略性地表示具有作為第3實施方式的第2變形例的塵埃捕獲區(qū)域的第1 基板支架3014的平面圖。用圖41說明的第1基板支架3014，在第1基板3016的載置區(qū)域和各吸附單元3030所夾住的區(qū)域，呈圓弧狀地設置了捕獲塵埃的第1塵埃捕獲區(qū)域3101。對此，在本變形例中，除了這些圓弧狀的區(qū)域，還以包含包圍吸附單元3030的周圍的區(qū)域的方式設定塵埃捕獲區(qū)域3171。與該塵埃捕獲區(qū)域3171對應地，塵埃捕獲電極也形成包圍吸附單元3030的形狀并埋入支架主體3022。與第1基板支架3014的塵埃捕獲區(qū)域3161對應地，在第2基板支架3015上也以包圍磁鐵單元3031的方式設置塵埃捕獲區(qū)域。根據(jù)這樣構成的基板支架對3018，能夠更可靠地捕獲由吸附單元3030和磁鐵單元3031的結合沖擊發(fā)生的塵埃。(第3實施方式的變形例3)圖56是概略性地表示具有作為第3實施方式的第3變形例的塵埃捕獲區(qū)域的第 1基板支架3014的平面圖。用圖41說明的第1基板支架3014，在第1基板3016的載置區(qū)域和各吸附單元3030之間，設置了捕獲塵埃的第1塵埃捕獲區(qū)域3101。對此，在本變形例中，在這些第1塵埃捕獲區(qū)域3101的基礎上追加設置搬送時塵埃捕獲區(qū)域3181。與該搬送時塵埃捕獲區(qū)域3181對應地，將搬送時塵埃捕獲電極埋入支架主體3022。在第1基板支架3014被搬送裝置3013、其他的滑塊機構等搬送的時候，常常預先設定相對于搬送方向的第1基板支架3014的姿勢。因此，在第1基板支架3014中的搬送方向側的區(qū)域設置搬送時塵埃捕獲區(qū)域3181，捕獲自搬送方向前方飛來的塵埃，防止附著到第1基板3016上。也可以在用搬送裝置3013、其他的滑塊機構等搬送第1基板支架3014 的時候，以使搬送時塵埃捕獲區(qū)域3181處于搬送方向側的方式，在搬送裝置側控制第1基板支架3014的姿勢。與第1基板支架3014的搬送時塵埃捕獲區(qū)域3181對應地，在第2基板支架3015 也設置搬送時塵埃捕獲區(qū)域。根據(jù)這樣構成的基板支架對3018，能夠期待在其跟前不僅捕獲由吸附單元3030和磁鐵單元3031的結合沖擊發(fā)生的塵埃，還捕獲搬送時飛來的塵埃，防止它們進入第1基板3016和第2基板3017間。第1塵埃捕獲區(qū)域3101及第2塵埃捕獲區(qū)域3102，是以捕獲因為吸附單元3030 和磁鐵單元3031的結合沖擊而發(fā)生的塵埃為目的，不過，搬送時塵埃捕獲區(qū)域3181，是以捕獲搬送時飛來的塵埃為目的。因此，將各區(qū)域的起作用的期間互相錯開即可。具體而言， 第1塵埃捕獲區(qū)域3101及第2塵埃捕獲區(qū)域3102起作用的期間，是吸附單元3030和磁鐵單元3031接觸之后的若干期間，搬送時塵埃捕獲區(qū)域3181起作用的期間是單獨搬送第1 基板支架3014、第2基板支架3015的期間、或是作為基板支架對3018搬送的期間。搬送時塵埃捕獲電極的線路分開構成，以能夠?qū)Φ?塵埃捕獲電極3111及第2塵埃捕獲電極3112 獨立地施加電壓，控制部根據(jù)狀況選擇性地使塵埃捕獲區(qū)域起作用。如果是因為吸附單元3030和磁鐵單元3031的結合沖擊發(fā)生的塵埃不存在，或是能夠忽略的程度的話，可以省略第1塵埃捕獲區(qū)域3101及第2塵埃捕獲區(qū)域3102。此時， 只設置搬送時塵埃捕獲區(qū)域3181，捕獲搬送時飛來的塵埃。以上說明的本實施方式，含各變形例，說明了分別用第1基板電極3116及第2基板電極3117的靜電吸附，來吸附固定第1基板3016及第2基板3017的情況。可是，基板的吸附不限定于靜電吸附?？梢圆捎迷诟髦Ъ苌显O置吸引孔進行真空吸引，通過真空吸附而吸附固定的構成。即使在這種情況下，也能夠靜電吸附在各塵埃捕獲區(qū)域中浮游的塵埃。此外，用上述的第1基板支架3014及第2基板支架3015，通過基板接合裝置3010 制造器件的時候，作為重合第1基板3016及第2基板的工序，經(jīng)過以下的工序。即，在第1基板支架3014上載置第1基板3016的工序、在第2基板支架3015上載置第2基板3017 的工序、對第1塵埃捕獲電極3111及第2塵埃捕獲電極3112的至少一方通電而使其發(fā)生靜電力、并且結合吸附單元3030和磁鐵單元3031來使第1基板支架3014和第2基板支架 3015 一體化的工序。此外，作為第1基板3016以形成芯片前的基板的狀態(tài)被搬送的工序，經(jīng)過以下工序。即，第1基板3016載置在第1基板支架3014上的工序，對搬送時塵埃捕獲電極通電使其發(fā)生靜電力、并且與第1基板支架3014 —起搬送第1基板3016的工序。由于具有在以上的各實施方式中說明的塵埃流入抑制部，可以期待以下結果抑制在基板接合裝置中的各工藝流程中可能發(fā)生的塵埃及從基板支架本身可能發(fā)生的塵埃的發(fā)生，或者阻礙向夾持基板的區(qū)域流入、附著。以上，通過實施方式說明了本發(fā)明，不過，本發(fā)明的技術范圍不限于上述實施方式所記載的范圍。對上述實施例可以施加多種多樣的變更和改良，對于本領域普通技術人員而言是顯而易見的。根據(jù)權利要求的記載可以明確，實施了這樣的變更和改良的實施方式也包含在本發(fā)明的技術范圍之內(nèi)。應該注意的是，在權利要求、說明書和附圖表示的裝置、系統(tǒng)、程序，和在方法中的動作、次序、步驟，和步驟等的各處理的執(zhí)行順序，只要沒有特別注明“比...先”、“在...之前”等，并且只要不是后邊的處理必須使用前面的處理的輸出，就可以以任意的順序?qū)嵤?有關權利要求、說明書和附圖中的動作流程，為了說明上的方便，說明中使用了“首先”、“接著”、等字樣，但即使這樣也不意味著必須以這個順序?qū)嵤７柕恼f明1010基板接合裝置，1011對準裝置，1012接合裝置，1013搬送裝置，1014第1基板支架，1015第2基板支架，1016第1基板，1017第2基板，1018基板支架對，1019把持部， 1020臂部，1021電路區(qū)域，1022，1023支架主體，1024支架插通孔，1025凹部，1026通孔， 1027凹部，1030吸附單元，1031磁鐵單元，1032磁鐵插通孔，1033吸附部件，1034板彈簧， 1035支撐部，1036磁鐵，1037螺孔，1038、1039插通孔，1040對置面，1041球狀凸體，1042固定部件，1043圓形部，1044安裝部，1045螺孔，1046微縫，1047通孔，1048帶狀部，1049緩沖板，1050線狀凸體，1051第1臺，1052第2臺，1053結合限制單元，1054按壓銷，1055氣缸部，1056氣泵，1057前端，1062支撐板，1063壓板，1064支柱，1065下部加壓臺，1066上部加壓臺，2010基板接合裝置，2011對準裝置，2012接合裝置，2013搬送裝置，2014第1基板支架，2015第2基板支架，2016第1基板，2017第2基板，2018基板支架對，2019把持部，2020 臂部，2021電路區(qū)域，2022，2023支架主體，2024支架插通孔，2025凹部，2026通孔，2027凹部，2030吸附單元，2031磁鐵單元，2032磁鐵插通孔，2033吸附部件，2034板彈簧，2035支撐部，2036磁鐵，2037螺孔，2038，2039插通孔，2040對置面，2044安裝部，2045螺孔，2046 微縫，2047通孔，2048帶狀部，2051第1臺，2052第2臺，2053結合限制單元，2054按壓銷， 2055氣缸部，2056氣泵，2057前端，2062支撐板，2063壓板，2064支柱，2065下部加壓臺， 2066上部加壓臺，2071第1吸氣配管，2072第2吸氣配管，2073第1閥，2074第2閥，2075 吸氣裝置，2101第1通孔，2102第2通孔，2111第1連通管，2112第2連通管，2113第3連通管，2121圓環(huán)通孔，2131第1防塵壁，2132第2防塵壁，2141屏蔽部3010基板接合裝置， 3011對準裝置，3012接合裝置，3013搬送裝置，3014第1基板支架，3015第2基板支架，3016第1基板，3017第2基板，3018基板支架對，3019把持部，3020臂部，3021電路區(qū)域，3022， 3023支架主體，3024支架插通孔，3025凹部，3026通孔，3027凹部，3030吸附單元，3031磁鐵單元，3032磁鐵插通孔，3033吸附部件，3034板彈簧，3035支撐部，3036磁鐵，3037螺孔， 3038，3039插通孔，3040對置面，3044安裝部，3045螺孔，3046微縫，3047通孔，3048帶狀部，3051第1臺，3052第2臺，3053結合限制單元，30 按壓銷，3055氣缸部，3056氣泵， 3057前端，3062支撐板，3063壓板，3064支柱，3065下部加壓臺，3066上部加壓臺，3071第 1吸氣配管，3072第2吸氣配管，3073第1閥，3074第2閥，3075吸氣裝置，3101第1塵埃捕獲區(qū)域，3102第2塵埃捕獲區(qū)域，3111第1塵埃捕獲電極，3112第2塵埃捕獲電極，3113 第1塵埃線路，3114第2塵埃線路，3116第1基板電極，3117第2基板電極，3121第1電壓施加端子，3122第2電壓施加端子，31 第1基板線路，3127第2基板線路，3131第1電壓供給端子，3132第2電壓供給端子，3161塵埃捕獲區(qū)域，3171塵埃捕獲區(qū)域，3181搬送時塵埃捕獲區(qū)域。
權利要求
1.一種基板支架，其中，具有抑制塵埃流入保持基板的區(qū)域的塵埃流入抑制機構。
2.一種基板支架，其中，具有 支架主體，具有保持基板的保持面；結合部件，被設置在所述保持面的基板保持區(qū)域的外周部；在所述結合部件中的與被結合部件對置的對置面上形成有凸部，以與所述被結合部件點接觸或線接觸。
3.根據(jù)權利要求2所述的基板支架，其中，用與所述結合部件不同的部件形成所述凸部。
4.根據(jù)權利要求2或3所述的基板支架，其中，所述凸部是在所述對置面埋設至少3個球部件而形成的。
5.根據(jù)權利要求2至4中任一項所述的基板支架，其中，所述結合部件具有磁鐵、和具有所述對置面且支撐所述磁鐵的支撐部。
6.根據(jù)權利要求2至5中任一項所述的基板支架，其中，所述結合部件具有通孔，該通孔供防止所述被結合部件結合在所述結合部件上的柱部件貫通。
7.根據(jù)權利要求2至4中任一項所述的基板支架，其中， 所述結合部件是鐵磁體。
8.根據(jù)權利要求7所述的基板支架，其中，所述結合部件借助至少在與所述保持面正交的方向具有彈性的彈性部件而被固定于所述支架主體。
9.一種基板接合裝置，其中，具有權利要求1至8中任一項所述的基板支架。
10.一種器件的制造方法，該方法是重合多個基板而制造的器件的制造方法，其中， 重合所述多個基板的工序包括在基板支架上載置所述多個基板的至少一個基板的步驟，該基板支架具有被設置在保持基板的保持面的基板保持區(qū)域的外周部的結合部件，并且在所述結合部件中與被結合部件對置的對置面形成有凸部以與所述被結合部件點接觸或線接觸。
11.一種基板處理系統(tǒng)，包括使保持第1基板的第1基板支架和保持第2基板的第2基板支架相向，來夾持所述第1基板和所述第2基板的基板支架系統(tǒng)；和保持所述基板支架系統(tǒng)的處理裝置；其中， 在所述基板支架系統(tǒng)及所述處理裝置的至少一方，具有抑制塵埃向夾持所述第1基板和所述第2基板的區(qū)域流入的塵埃流入抑制機構。
12.—種基板處理系統(tǒng)，包括使保持第1基板的第1基板支架和保持第2基板的第2基板支架相向，來夾持所述第1基板和所述第2基板的基板支架系統(tǒng)；和保持所述基板支架系統(tǒng)的處理裝置；其中， 該基板處理系統(tǒng)具有被設置在所述第1基板支架上的被結合部件；以及與所述被結合部件對置且被設置在所述第2基板支架上的結合部件；在所述基板支架系統(tǒng)被保持于所述處理裝置時，所述結合部件和所述被結合部件的接觸面，位于在重力方向上比所述第1基板和所述第2基板的接合面更靠下方的位置。
13.根據(jù)權利要求12所述的基板處理系統(tǒng)，其中，在所述處理裝置被保持于所述基板支架系統(tǒng)時，所述結合部件和所述被結合部件的接觸面，位于比在保持所述第1基板的所述第1基板支架的保持面及保持所述第2基板的所述第2基板支架的保持面中的在重力方向上位于下方的保持面更靠下方的位置。
14.一種基板接合裝置，其中，具有權利要求11至13中任一項所述的基板處理系統(tǒng)。
15.一種器件的制造方法，該方法是重合多個基板而制造的器件的制造方法，其中，重合所述多個基板的工序包括保持第1基板和第2基板的步驟，以在包括使保持所述多個基板中的所述第1基板的第1基板支架和保持所述多個基板中的所述第2基板的第2基板支架相向來夾持所述第1基板和所述第2基板的基板支架系統(tǒng)、和保持所述基板支架系統(tǒng)的處理裝置的基板處理系統(tǒng)中，在所述基板支架系統(tǒng)被保持于所述處理裝置時，被設置在所述第2基板支架上的結合部件和被設置在所述第1基板支架上的被結合部件的接觸面，位于比第1基板和第2基板的接合面在重力方向上更靠下方的位置。
16.一種基板支架對，其中，具有載置第1基板的第1基板支架；載置第2基板的第2基板支架；以及在所述第1基板支架和所述第2基板支架夾持了所述第1基板和所述第2基板時，抑制塵埃向所述第1基板和所述第2基板的方向流入的塵埃流入抑制機構。
17.一種基板支架對，其中，具有第1基板支架，具有載置第1基板的第1載置區(qū)域、和被設在所述第1載置區(qū)域的外周部的第1結合部；第2基板支架，具有載置第2基板的第2載置區(qū)域、和被設在所述第2載置區(qū)域的外周部的第2結合部；塵埃流入抑制機構，在使所述第1載置區(qū)域和所述第2載置區(qū)域?qū)χ?，且結合所述第1 結合部和所述第2結合部的狀態(tài)下，抑制塵埃向所述第1載置區(qū)域及所述第2載置區(qū)域流入；所述塵埃流入抑制機構被設置在所述第1基板支架的所述第1載置區(qū)域和所述第1結合部之間、以及所述第2基板支架的所述第2載置區(qū)域和所述第2結合部之間的至少一方。
18.根據(jù)權利要求17所述的基板支架對，其中，所述塵埃流入抑制機構被設置有第1通孔，被設置在所述第1基板支架的所述第1載置區(qū)域和所述第1結合部之間，并且沿載置所述第1基板的載置方向進行貫通；第2通孔，被設置在所述第2基板支架的所述第2載置區(qū)域和所述第2結合部之間，并且沿載置所述第2基板的載置方向進行貫通。
19.根據(jù)權利要求18所述的基板支架對，其中，所述第1通孔及所述第2通孔的至少一方與吸引管連接。
20.根據(jù)權利要求18或19所述的基板支架對，其中，所述第1基板支架，在所述第1載置區(qū)域的外周部，且在與所述第1結合部之間以外的位置具有第3通孔；所述第2基板支架，在所述第2載置區(qū)域的外周部，且在與所述第2結合部之間以外的位置具有第4通孔。
21.根據(jù)權利要求20所述的基板支架對，其中， 所述第3通孔及所述第4通孔的至少一方與吸引管連接。
22.根據(jù)權利要求17所述的基板支架對，其中， 所述塵埃流入抑制機構包括在所述第1基板支架的所述第1載置區(qū)域和所述第1結合部之間，相對于所述第1載置區(qū)域形成為凸狀的第1壁部；以及在所述第2基板支架的所述第2載置區(qū)域和所述第2結合部之間，相對于所述第2載置區(qū)域形成為凸狀的第2壁部。
23.根據(jù)權利要求22所述的基板支架對，其中，所述第1壁部及所述第2壁部被設置成，各自的高度比到所述第1基板和所述第2基板的接觸面為止的高度高，并且在所述第1基板支架和所述第2基板支架進行一體化時互相不干涉。
24.根據(jù)權利要求22或23所述的基板支架對，其中，所述第1壁部以包圍所述第1載置區(qū)域的方式被設置，所述第2壁部以包圍所述第2 載置區(qū)域的方式被設置。
25.根據(jù)權利要求17所述的基板支架對，其中， 所述塵埃流入抑制機構由屏蔽部形成，該屏蔽部被設置在所述第1基板支架的所述第1結合部附近，并且被設置成在所述第 1結合部與所述第2結合部接觸時，將彼此的接觸面從該接觸面的周圍進行覆蓋。
26.根據(jù)權利要求25所述的基板支架對，其中，所述塵埃流入抑制機構還具有避讓部，該避讓部被設置在所述第2基板支架的所述第 2結合部附近，在所述第1結合部與所述第2結合部接觸時供所述屏蔽部侵入。
27.根據(jù)權利要求25或沈所述的基板支架對，其中， 所述屏蔽部與所述第1結合部形成為一體。
28.根據(jù)權利要求25至27中任一項所述的基板支架對，其中， 具有使所述屏蔽部帶電的帶電部。
29.根據(jù)權利要求25至觀中任一項所述的基板支架對，其中， 所述屏蔽部能夠相對于所述第1基板支架進行裝拆。
30.一種基板接合裝置，其中，具有權利要求16至四中任一項所述的基板支架對。
31.一種器件的制造方法，該方法是重合多個基板而制造的器件的制造方法，其中， 重合所述多個基板的工序包括在具有載置第1基板的第1載置區(qū)域、和被設在所述第1載置區(qū)域的外周部的第1結合部的第1基板支架上，載置所述第1基板的步驟；在具有載置第2基板的第2載置區(qū)域、和被設在所述第2載置區(qū)域的外周部的第2結合部的第2基板支架上，載置所述第2基板的步驟；以及一邊利用塵埃流入抑制機構抑制塵埃向所述第1載置區(qū)域及所述第2載置區(qū)域流入， 一邊結合所述第1結合部和所述第2結合部來進行所述第1基板支架和所述第2基板支架的一體化的步驟，其中所述塵埃流入抑制機構設置在所述第1基板支架的所述第1載置區(qū)域和所述第1結合部之間、以及所述第2基板支架的所述第2載置區(qū)域和所述第2結合部之間的至少一方。
32.一種基板支架，該基板支架是載置基板并被搬送的基板支架，其中，具有 支架主體，在表面具有載置基板的載置區(qū)域；結合部件，被設置在所述載置區(qū)域的外周部，與被結合部件結合；以及塵埃捕獲電極，被埋設在所述支架主體中的所述載置區(qū)域和所述結合部件之間的塵埃捕獲區(qū)域中，發(fā)生靜電力而捕獲塵埃。
33.根據(jù)權利要求32所述的基板支架，其中，所述塵埃捕獲區(qū)域還包括包圍所述結合部件的周圍的區(qū)域。
34.根據(jù)權利要求32或33所述的基板支架，其中，所述塵埃捕獲區(qū)域還包括比所述載置區(qū)域靠所述基板支架的搬送方向側的區(qū)域。
35.一種基板支架，該基板支架是載置基板并被搬送的基板支架，其中，包括 支架主體，在表面具有載置基板的載置區(qū)域；以及塵埃捕獲電極，被埋設在比所述支架主體中的所述載置區(qū)域靠所述基板支架的搬送方向側的塵埃捕獲區(qū)域中，發(fā)生靜電力來捕獲塵埃。
36.根據(jù)權利要求32至35中任一項所述的基板支架，其中，具有被埋設在所述支架主體的所述載置區(qū)域，且發(fā)生靜電力來吸附所述基板的基板電極。
37.根據(jù)權利要求36所述的基板支架，其中，所述基板電極和所述塵埃捕獲電極具有向所述基板的載置方向投影得到的形狀互相不重疊的外形。
38.根據(jù)權利要求36或37所述的基板支架，其中，基于所述塵埃捕獲電極的所述塵埃捕獲區(qū)域的靜電吸附力，比基于所述基板電極的所述載置區(qū)域的靜電吸附力大。
39.根據(jù)權利要求36至38中任一項所述的基板支架，其中，具有向所述基板電極和所述塵埃捕獲電極共通地供給電力的電力供給端子。
40.一種基板接合裝置，其中，具有權利要求32至39中任一項所述的基板支架。
41.一種器件的制造方法，該方法是重合多個基板而制造的器件的制造方法，其中， 重合所述多個基板的工序包括在具有載置第1基板的第1載置區(qū)域、和被設在所述第1載置區(qū)域的外周部的結合部件的第1基板支架上，載置所述第1基板的步驟；在具有載置第2基板的第2載置區(qū)域、和被設所述第2載置區(qū)域的外周部的被結合部件的第2基板支架上，載置所述第2基板的步驟；一邊對塵埃捕獲電極通電使之發(fā)生靜電力，一邊結合所述結合部件和所述被結合部件，來進行所述第1基板支架和所述第2基板支架的一體化的步驟，其中所述塵埃捕獲電極埋設在所述第1基板支架的所述第1載置區(qū)域和所述結合部件之間、以及所述第2基板支架的所述第2載置區(qū)域和所述被結合部件之間的至少一方。
42.一種器件的制造方法，該方法是以基板的狀態(tài)搬送而被制造的器件的制造方法，其中，搬送所述基板的工序包括在具有載置所述基板的載置區(qū)域的基板支架上載置所述基板的步驟； 一邊對塵埃捕獲電極通電使之發(fā)生靜電力，一邊連帶所述基板支架一起搬送所述基板的步驟，其中所述塵埃捕獲電極被埋設在比所述載置區(qū)域靠所述基板支架的搬送方向側的塵埃捕獲區(qū)域。
43.一種器件的制造方法，該方法是重合多個基板而制造的器件的制造方法，其中， 重合所述多個基板的工序包括在具有抑制塵埃向保持基板的區(qū)域流入的塵埃流入抑制機構的基板支架上，載置所述多個基板的至少一個基板的步驟。
44.一種器件的制造方法，該方法是重合多個基板而制造的器件的制造方法，其中， 重合所述多個基板的工序包括在第1基板支架上載置第1基板的步驟； 在第2基板支架上載置第2基板的步驟；一邊通過塵埃流入抑制機構抑制塵埃向所述第1基板和所述第2基板的方向流入，一邊將所述第1基板和所述第2基板夾持在所述第1基板支架和所述第2基板支架上的步驟。
全文摘要
提供一種能在用一對基板支架層疊半導體基板時，抑制塵埃流入載置半導體基板的區(qū)域的基板處理系統(tǒng)。該基板處理系統(tǒng)具有使保持第1基板的第1基板支架和保持第2基板的第2基板支架相向來夾持第1基板和第2基板的基板支架系統(tǒng)、和保持基板支架系統(tǒng)的處理裝置，在基板支架系統(tǒng)及處理裝置的至少一方具有抑制塵埃向夾持第1基板和第2基板的區(qū)域流入的塵埃流入抑制機構?；逯Ъ芟到y(tǒng)可以在任一基板支架上設置抑制塵埃向保持基板的區(qū)域流入的塵埃流入抑制機構。
文檔編號H01L21/02GK102576689SQ20108004162
公開日2012年7月11日 申請日期2010年7月21日 優(yōu)先權日2009年7月21日
發(fā)明者保多智之, 前田榮裕, 田中慶一, 菅谷功, 長南純一 申請人:株式會社尼康