專(zhuān)利名稱(chēng)：從基底的邊緣去除涂層的系統(tǒng)和方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種光伏裝置及生產(chǎn)方法。
背景技術(shù)：
光伏裝置可包括沉積在基底上的半導(dǎo)體材料，例如，半導(dǎo)體材料具有用作窗口層的第一層及用作吸收層的第二層。半導(dǎo)體窗口層可允許太陽(yáng)輻射穿透到將太陽(yáng)能轉(zhuǎn)換成電的吸收層(例如，碲化鎘層)。光伏裝置還可包括一個(gè)或多個(gè)透明的導(dǎo)電氧化物層，所述一個(gè)或多個(gè)透明的導(dǎo)電氧化物層通常還作為電荷的導(dǎo)體。


圖1是用于從光伏模塊去除材料的系統(tǒng)的示意圖；圖2是用于從光伏模塊去除材料的系統(tǒng)的示意圖；圖3是用于從光伏模塊去除材料的系統(tǒng)的示意圖；圖4是光伏模塊的示意圖；圖5是用于從光伏模塊去除材料的系統(tǒng)的示意圖。
具體實(shí)施例方式光伏裝置可包括靠近基底的透明導(dǎo)電氧化物層以及一個(gè)或多個(gè)半導(dǎo)體材料層。半導(dǎo)體材料層可包括鉍(bi)層，鉍層可包括η型半導(dǎo)體窗口層和ρ型半導(dǎo)體吸收層。η型窗口層和P型吸收層可彼此接觸地布置，以生成電場(chǎng)。光子可以是自由電子-空穴對(duì)，該自由電子-空穴對(duì)與η型窗口層接觸，將電子發(fā)送到η側(cè)以及將空穴發(fā)送到P側(cè)。電子可通過(guò)外部電流路徑回流到P側(cè)。由此產(chǎn)生的電子流提供電流，該電流與來(lái)自電場(chǎng)的由此產(chǎn)生的電壓相結(jié)合而生成電能。結(jié)果是將光子能量轉(zhuǎn)換成電能?？蓮墓夥K的邊緣去除半導(dǎo)體材料和其他涂層的一些部分，光伏模塊包括一系列連接的光伏裝置。例如，工業(yè)規(guī)格規(guī)定光伏模塊保持圍繞它們周邊的最小非導(dǎo)電寬度。從光伏模塊去除涂層的傳統(tǒng)方法需要使用機(jī)械刷子。雖然刷子適于去除不期望的材料，但是刷子會(huì)被磨損，導(dǎo)致許多問(wèn)題，包括在涂層去除過(guò)程中的不均勻性、需要停機(jī)維護(hù)以及重復(fù)出現(xiàn)更換費(fèi)用?？蛇x的方法是完全放棄使用機(jī)械刷子而使用激光劃線(xiàn)來(lái)光學(xué)地去除不期望的材料。因?yàn)楣夥K可包括玻璃基底，所以激光能夠通過(guò)基底層而穿透光伏結(jié)構(gòu)，以去除另一側(cè)上不期望的涂層。本發(fā)明涉及使用激光技術(shù)從光伏模塊的邊緣光學(xué)地去除涂層的系統(tǒng)、裝置和方法。一種用于從基底去除涂層的方法可包括沿著第一路徑將激光束引導(dǎo)到基底的第一表面上的第一位置。第一表面上的第一位置可按照適合于沿著第二路徑再次引導(dǎo)激光束的入射角與基底的邊緣接近。第二路徑可穿過(guò)基底，以到達(dá)基底的第二表面上的位于基底的邊緣處的第二位置。第二表面可包括涂層。所述方法可包括使位于基底的第二表面上的第二位置處的至少一部分涂層消融。所述方法可包括各種可選的特征。例如，沿著第一路徑將激光束引導(dǎo)到第一表面上的第一位置的步驟可包括沿著第一路徑將激光束引導(dǎo)到基底的第一表面上的未涂覆的第一位置。沿著第一路徑將激光束引導(dǎo)到第一表面上的第一位置的步驟可包括沿著第一路徑將激光束朝著基底的基本上平坦的第一表面引導(dǎo)。消融至少一部分涂層的步驟可包括從基本上平坦的表面去除涂層的一部分。消融至少一部分涂層的步驟可包括從彎曲的表面去除涂層的一部分?；卓砂Ａ?。玻璃可以是堿石灰玻璃。所述方法還可包括沿著與基底的邊緣接近的區(qū)域掃描激光束。引導(dǎo)激光束的步驟可包括比較基底折射率、外部折射率、激光出射點(diǎn)以及基底折射率、外部折射率、激光出射點(diǎn)的任何組合，以確定基底的基本上平坦的未涂覆側(cè)的激光入射點(diǎn)以及相對(duì)于法向面的入射角；按照與入射角對(duì)應(yīng)的角度將激光束引導(dǎo)到確定的激光入射點(diǎn)，其中，基底折射率限定基底內(nèi)的折射介質(zhì)，外部折射率限定基底外的且與基底相鄰的折射介質(zhì)，激光出射點(diǎn)表示基底的邊緣上的位置區(qū)域。所述方法可包括配置控制器，以比較基底折射率標(biāo)識(shí)符、外部折射率標(biāo)識(shí)符、激光出射點(diǎn)標(biāo)識(shí)符以及基底折射率標(biāo)識(shí)符、外部折射率標(biāo)識(shí)符、激光出射點(diǎn)標(biāo)識(shí)符的任何組合，以確定基本上平坦的未涂覆側(cè)的激光入射點(diǎn)以及相對(duì)于法向面的入射角；引導(dǎo)激光源按照與入射角對(duì)應(yīng)的角度將光束發(fā)射到確定的激光入射點(diǎn)，其中，基底折射率標(biāo)識(shí)符限定基底內(nèi)的折射介質(zhì)，外部折射率標(biāo)識(shí)符限定基底外部的且與基底相鄰的折射介質(zhì)，激光出射點(diǎn)標(biāo)識(shí)符表示玻璃層的邊緣上的位置區(qū)域。一種涂層去除設(shè)備可包括激光源，位于安裝板上，激光源能夠操作以沿著第一路徑提供激光束。安裝板可被構(gòu)造成在指定區(qū)域部分地圍繞光伏模塊的邊緣，使得第一路徑與指定區(qū)域相交；定位器，被構(gòu)造成對(duì)安裝板進(jìn)行再次定位。所述涂層去除設(shè)備還可包括處理器，該處理器被構(gòu)造成確定光伏模塊的未涂覆側(cè)上的激光入射點(diǎn)，激光入射點(diǎn)與光伏模塊的涂覆邊緣上的期望的激光出射點(diǎn)對(duì)應(yīng)，并且該處理器被構(gòu)造成引導(dǎo)所述激光源將激光束發(fā)射到確定的激光束入射點(diǎn)。所述的涂層去除設(shè)備可包括間隙，使得安裝板的兩部分部分地分開(kāi)并彼此平行地布置，其中，所述間隙限定所述指定區(qū)域。所述涂層去除設(shè)備可包括致動(dòng)器，安裝板被安裝成與致動(dòng)器相鄰，所述致動(dòng)器能夠被操作，以在水平面或豎直面上調(diào)節(jié)安裝板，或者在水平面和豎直面上調(diào)節(jié)安裝板。安裝板可包括間隙，使得安裝板的兩部分部分地分開(kāi)并彼此平行地布置，其中，所述間隙被構(gòu)造成容納光伏模塊。涂層去除設(shè)備可沿著間隙的邊緣被安裝。所述涂層去除設(shè)備可包括致動(dòng)器，安裝板被安裝成與致動(dòng)器相鄰，所述致動(dòng)器能夠被操作，以將安裝板調(diào)節(jié)到新位置。所述致動(dòng)器能夠被操作，以在水平面或豎直面上調(diào)節(jié)安裝板，或者在水平面和豎直面上調(diào)節(jié)安裝板。一種光伏模塊可包括基底；半導(dǎo)體材料，位于基底上，其中，基底的邊緣基本上不包含半導(dǎo)體材料，不包含半導(dǎo)體材料的區(qū)域內(nèi)的基底表面基本上不進(jìn)行表面侵蝕。光伏模塊可包括各種可選的特征。例如，半導(dǎo)體材料可包含鎘。半導(dǎo)體材料可包含硅。半導(dǎo)體材料可包含非晶硅。半導(dǎo)體材料可包含化合物半導(dǎo)體?；衔锇雽?dǎo)體可包含碲化鎘。一種激光劃線(xiàn)(scribing)設(shè)備可包括激光源，提供脈沖激光束，該脈沖激光束在近紅外基頻下具有波長(zhǎng)、具有大約50千赫茲至大約100千赫茲范圍內(nèi)的脈沖頻率、具有大約8納秒至大約70納秒范圍內(nèi)的脈沖持續(xù)時(shí)間。激光源可以是提供脈沖激光束的釩酸釔激光源、摻釹型激光源、Q開(kāi)關(guān)激光源、二極管泵浦激光源，該脈沖激光束在其近紅外基頻下具有大約1064納米的波長(zhǎng)、在大約50千赫茲至大約100千赫茲范圍內(nèi)的脈沖頻率下操作、具有大約8納秒至大約70納秒范圍內(nèi)的脈沖持續(xù)時(shí)間。該脈沖激光束可被一個(gè)或多個(gè)反射鏡反射到引導(dǎo)激光束以執(zhí)行劃線(xiàn)的CTZ檢流計(jì)控制的反射鏡系統(tǒng)。更具體地說(shuō)，乂^檢流計(jì)控制的反射鏡系統(tǒng)可包括檢流計(jì)控制的聚焦裝置，使透鏡水平地運(yùn)動(dòng)，以控制光束沿著Z方向的焦距；檢流計(jì)控制的雙反射鏡組件，沿著XY方向引導(dǎo)光束，從而共同地提供XYZ 控制?？赏ㄟ^(guò)引導(dǎo)激光束通過(guò)基底的無(wú)涂覆表面到達(dá)基底的涂覆表面、到達(dá)用于劃線(xiàn)的不同區(qū)域來(lái)執(zhí)行劃線(xiàn)，使得劃線(xiàn)的層受到用于每個(gè)劃線(xiàn)器的激光的功率級(jí)控制。通過(guò)劃線(xiàn)器從基底的無(wú)涂覆表面進(jìn)行激光劃線(xiàn)，不會(huì)存在由提供劃線(xiàn)的消融形成的氣體煙流，從而該煙流不能防止下一個(gè)激光脈沖通過(guò)涂層以提供每個(gè)下一次消融。激光劃線(xiàn)設(shè)備可包括氣體壓力定位器和真空定位器，氣體壓力定位器和真空定位器使基底在基底的無(wú)涂覆表面上保持平坦且相對(duì)于輸送方向橫向地布置基底，從而被聚焦的脈沖激光束的焦點(diǎn)沿著Z方向位于正被劃線(xiàn)的一層或多層上。這些定位器布置在豎直地延伸的裝置中，位于激光束穿過(guò)玻璃片基底以提供激光劃線(xiàn)的位置的上游和下游。可在劃線(xiàn)位置的上游存在五個(gè)定位器及在劃線(xiàn)位置的下游存在五個(gè)定位器。每個(gè)定位器可具有中央位置，真空從真空源通過(guò)相關(guān)管道施加到該中央位置。每個(gè)定位器的環(huán)形多孔滲透構(gòu)件可在該中央位置的周?chē)由?，并通過(guò)相關(guān)管道從氣源接收增壓氣體。定位器可將無(wú)涂覆的玻璃片表面定位在大約4微米至大約6微米內(nèi)，以為激光束聚焦以及在正被劃線(xiàn)的一層或多層上進(jìn)行的消融提供精確位置。布置在劃線(xiàn)位置的上游的激光檢測(cè)器可提供從無(wú)涂覆表面反射回來(lái)的激光檢測(cè)光束，以檢測(cè)基底的精確位置，且激光檢測(cè)器可響應(yīng)于在運(yùn)動(dòng)范圍內(nèi)檢測(cè)的位置以及使劃線(xiàn)激光束進(jìn)行劃線(xiàn)，通過(guò)連接到檢流計(jì)反射鏡系統(tǒng)的聚焦裝置使脈沖劃線(xiàn)激光束聚焦。該檢測(cè)可適用于基底的任何非平面度，例如，當(dāng)制造玻璃基底時(shí)形成的輥波。激光劃線(xiàn)站輸送器可以在涂覆的基底保持靜止期間，在每個(gè)激光劃線(xiàn)器之間設(shè)置輸送系數(shù)，使得激光束在首先已經(jīng)水平地調(diào)節(jié)以在先前形成的相鄰劃線(xiàn)之間設(shè)置合適的間隔之后，豎直地運(yùn)動(dòng)以執(zhí)行劃線(xiàn)。還可能沿著輸送方向連續(xù)地輸送涂覆的基底，然后，激光劃線(xiàn)的路徑沿著輸送方向和相對(duì)于真實(shí)豎直方向均存在角，在每次劃線(xiàn)完成之后，再次設(shè)置檢流計(jì)控制的反射鏡系統(tǒng)的運(yùn)動(dòng)，使得完整的通道具有大致為蝴蝶結(jié)的構(gòu)造。在輸送到第一劃線(xiàn)站之前，涂覆的基底的兩個(gè)上角被激光標(biāo)刻有通過(guò)一對(duì)相機(jī)檢測(cè)的相應(yīng)基準(zhǔn)，以為面板的精確位置及所述基準(zhǔn)之間的間隔提供信號(hào)，以使得可精確地定位劃線(xiàn)。這允許對(duì)于熱膨脹或收縮所必需的調(diào)節(jié)以及允許在不同基底上的基準(zhǔn)之間存在不同間隔。另外，每個(gè)基底可設(shè)置有通過(guò)條形碼讀取器感測(cè)的條形碼，以提供對(duì)正被劃線(xiàn)的每個(gè)特定基底的識(shí)別。另外，設(shè)備包括排氣罩，該排氣罩接收來(lái)自正被劃線(xiàn)的基底的涂覆側(cè)的排氣。為了確保以合適的功率級(jí)執(zhí)行劃線(xiàn)，檢流計(jì)控制的反射鏡可將激光束周期性地反射到功率計(jì)，然后，可使用功率計(jì)感測(cè)的功率，以提供對(duì)來(lái)自脈沖激光源的功率級(jí)進(jìn)行任何必需的調(diào)節(jié)。為了提供通過(guò)不同層的第一組劃線(xiàn)、第二組劃線(xiàn)、第三組劃線(xiàn)，激光的平均功率級(jí)分別是大約20瓦、大約8瓦至9瓦、大約4瓦至5瓦。參照?qǐng)D1A，用于從光伏模塊100去除涂層120的一些部分的系統(tǒng)可包括可被操作以發(fā)射激光束160的源150。源150可以是涂層去除裝置140的部件。涂層去除裝置140 可通過(guò)激光源150按照發(fā)射角將激光束160朝著光伏模塊100引導(dǎo)。在系統(tǒng)的一個(gè)實(shí)施例中，涂層去除裝置140在激光入射點(diǎn)170將激光束160朝著基底110的表面暴露的基本上平坦的未涂覆(或者，不同地，能夠使激光束波長(zhǎng)通過(guò))的側(cè)部130引導(dǎo)。基底110可包括玻璃。激光束160穿過(guò)基底110，并在激光出射點(diǎn)180出射穿過(guò)邊緣190，從而去除激光出射點(diǎn)180處的邊緣190上的涂層120的一部分，如圖IB所示。邊緣190可包括基底110的頂部邊緣、基底110的側(cè)部和/或基底110的底部邊緣。邊緣190可被局部倒圓。邊緣190 可局部、基本上或者完全被涂覆?；旧掀教沟奈赐扛矀?cè)130可包括涂層的一部分。例如， 基本上平坦的未涂覆側(cè)130可包括接近邊緣190的涂層的一部分。涂層120可包含用于制造光伏模塊的任何合適的涂覆材料，并可包括多層。例如， 涂層120可包含鎘或硅。涂層120可包含非晶硅。涂層120可包含化合物半導(dǎo)體材料。例如，涂層120可包括碲化鎘層和/或硫化鎘層。涂層去除裝置140可被構(gòu)造成從基底110 去除一些涂層120或全部涂層120?？捎?jì)算激光束160通過(guò)基底110的路徑。參照通過(guò)示例的方式給出的圖4，激光束 160在激光入射點(diǎn)170處以相對(duì)于法線(xiàn)450的入射角420進(jìn)入基底110的基本上平坦的未涂覆側(cè)130?；?10的折射率410與光伏模塊100外部的外部折射率400不同，從而一旦激光束160通過(guò)基底110就改變激光束160的速度、角度和路徑。激光束160以相對(duì)于法線(xiàn)450的折射角430延伸通過(guò)玻璃層110，到達(dá)激光出射點(diǎn)180。折射角430通過(guò)下面的等式與入射角420建立關(guān)系niX sin = n2Xsin0 2，其中，Ii1定義了外部折射率400，n2定義了基底的折射率410，Q1定義了入射角420，θ 2定義了折射角430。因此，折射率可用于跟蹤和預(yù)測(cè)激光束160的激光出射點(diǎn)180，從而允許相對(duì)于激光的角度和位置對(duì)光伏模塊進(jìn)行策略性布局?？赏ㄟ^(guò)外部裝置計(jì)算激光束160的路徑，從而使得涂層去除裝置140被相應(yīng)地布置?；蛘?，涂層去除裝置140可自動(dòng)執(zhí)行計(jì)算。參照通過(guò)示例的方式給出的圖5，在一個(gè)實(shí)施例中，涂層去除裝置140可包括與源150通信的微處理器510。微處理器510可被操作以存儲(chǔ)確定激光束160穿過(guò)玻璃層110的路徑所需要的信息。例如，微處理器510可存儲(chǔ)用于基底折射率410、外部折射率400、入射角420、折射角430、激光入射點(diǎn)170和激光出射點(diǎn) 180(來(lái)自圖4)的每個(gè)的值。微處理器510還可通過(guò)數(shù)據(jù)接口 500接收信息。因此，微處理器510可使用激光路徑數(shù)據(jù)被預(yù)先編程，或者可從可選的源接收數(shù)據(jù)。微處理器510可被配置成使用激光路徑數(shù)據(jù)計(jì)算激光束160的優(yōu)選路徑。例如，可通過(guò)將激光出射點(diǎn)180 跟蹤回基本上平坦的未涂覆側(cè)130而將邊緣190上的包含不期望的涂層的位置區(qū)域作為目標(biāo)，以獲得期望的折射角430和激光入射點(diǎn)170。利用折射率，理論上的入射角420由Q1 =sirTH(Ii2Ai1)*sin θ 2)給出。計(jì)算的入射角420可從微處理器510被傳送到源150，以實(shí)現(xiàn)激光束160的合適的角度，從而從邊緣190去除涂層120的一部分?？赏ㄟ^(guò)感觸設(shè)備 (sensory equipment)將數(shù)據(jù)手動(dòng)或者自動(dòng)輸入到微處理器510。
可選實(shí)施例可包括入射點(diǎn)、出射點(diǎn)、入射角和折射角以及它們的任何組合的外部計(jì)算。例如，代替包括微處理器510的涂層去除裝置140，涂層去除裝置140幾乎可包括整個(gè)可調(diào)節(jié)激光源，如圖1所示。可通過(guò)另一裝置或者人在外部執(zhí)行期望的激光入射點(diǎn)170 和入射角420的計(jì)算。接著，涂層去除裝置140可被手動(dòng)調(diào)節(jié)以獲得期望的效果。涂層去除裝置140也可被調(diào)節(jié)以改變激光束160的波長(zhǎng)、功率、速度、脈沖頻率和/或持續(xù)時(shí)間，以便于去除不同的涂層。例如，涂層去除裝置140可被調(diào)節(jié)成發(fā)射紅外頻率。現(xiàn)在參照?qǐng)D2，涂層去除裝置140可被安裝成與安裝板200相鄰。安裝板200可包括間隙210。間隙210可將安裝板200的兩個(gè)部分部分地分開(kāi)，使得安裝板200的兩個(gè)部分部分地分開(kāi)且平行地放置。該間隙210可被構(gòu)造成容納光伏模塊100。涂層去除裝置140 可沿著間隙210的邊緣安裝。參照?qǐng)D1和圖2，當(dāng)光伏模塊100被容納在間隙210中時(shí)，涂層去除裝置140可通過(guò)從激光源150發(fā)出的激光束160從光伏模塊100去除涂層120的一部分。光伏模塊100可按照任何合適的方式被布置或者穿過(guò)間隙210，以使得不期望的涂層被去除。現(xiàn)在參照?qǐng)D3，安裝板200可被安裝成與致動(dòng)器300相鄰。致動(dòng)器300可被構(gòu)造成沿水平方向或豎直方向使得安裝板200移動(dòng)、或者沿水平方向和豎直方向二者使得安裝板 200移動(dòng)。參照?qǐng)D1和圖3，致動(dòng)器300可被構(gòu)造成將安裝板200調(diào)節(jié)到新位置，以使得涂層去除裝置140通過(guò)激光源150將激光束160引導(dǎo)到光伏模塊100的玻璃層110的不同位置。參照通過(guò)示例的方式給出的圖3和圖4，安裝板200的調(diào)節(jié)可使得激光入射點(diǎn)170、激光出射點(diǎn)180、入射角420或者它們的任何組合發(fā)生改變，從而允許激光束160從邊緣190去除涂層120的不同部分。將光伏模塊100在間隙210中再次定位也會(huì)引起激光入射點(diǎn)170、 激光出射點(diǎn)180或者入射角420的改變。圖3中示出的與安裝板200和致動(dòng)器300相關(guān)的方向箭頭不用于進(jìn)行限制。例如，致動(dòng)器300可被構(gòu)造成沿著X、Y和/或Z平面調(diào)節(jié)安裝板 200。使用在此討論的方法制造的光伏裝置/模塊可集成到一個(gè)或多個(gè)光伏陣列中。所述陣列可集成到用于發(fā)電的各種系統(tǒng)中。例如，光伏模塊可利用光束照明，以產(chǎn)生光電流。 可收集光電流，將光電流從直流(DC)轉(zhuǎn)換成交流(AC)，將光電流分配到電網(wǎng)?？梢龑?dǎo)任何合適波長(zhǎng)的光到達(dá)光伏模塊，以產(chǎn)生光電流，例如，所述任何合適波長(zhǎng)的光包括波長(zhǎng)大于 400nm或小于700nm的光(例如，紫外光)。從一個(gè)光伏模塊產(chǎn)生的光電流可與從其他光伏模塊產(chǎn)生的光電流結(jié)合。例如，光伏模塊可以是光伏陣列的一部分，可從該光伏陣列產(chǎn)生并分配聚集的電流。通過(guò)說(shuō)明和示例的方式提供上面描述的實(shí)施例。應(yīng)該理解的是，上面提供的示例可以在一定的方面進(jìn)行改變且仍然落入權(quán)利要求的范圍內(nèi)。應(yīng)該認(rèn)識(shí)到，雖然已經(jīng)參照上述優(yōu)選的實(shí)施例描述了本發(fā)明，但是其他實(shí)施例也在權(quán)利要求的范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種用于從基底去除涂層的方法，所述方法包括按照適合于沿著第二路徑再次引導(dǎo)激光束的入射角，沿著第一路徑將激光束引導(dǎo)到基底的第一表面上接近基底的邊緣的第一位置，引導(dǎo)激光束穿過(guò)基底，將激光束引導(dǎo)到基底的第二表面上的處于基底的邊緣處的第二位置，第二表面包括涂層；使位于基底的第二表面上的第二位置處的至少一部分涂層消融。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，沿著第一路徑將激光束引導(dǎo)到第一表面上的第一位置的步驟包括沿著第一路徑將激光束引導(dǎo)到基底的第一表面上的未涂覆的第一位置。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，沿著第一路徑將激光束引導(dǎo)到第一表面上的第一位置的步驟包括沿著第一路徑將激光束朝著基底的基本上平坦的第一表面引導(dǎo)。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，消融至少一部分涂層的步驟包括從基本上平坦的表面去除涂層的一部分。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，消融至少一部分涂層的步驟包括從彎曲的表面去除涂層的一部分。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，基底包含玻璃。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其中，玻璃是堿石灰玻璃。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，所述方法還包括沿著接近基底的邊緣的區(qū)域掃描激光束。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，引導(dǎo)激光束的步驟包括比較基底折射率、外部折射率、激光出射點(diǎn)以及基底折射率、外部折射率、激光出射點(diǎn)的任何組合，以確定基底的基本上平坦的未涂覆側(cè)的激光入射點(diǎn)以及相對(duì)于法向面的入射角；按照與入射角對(duì)應(yīng)的角度將激光束引導(dǎo)到確定的激光入射點(diǎn)，其中，基底折射率限定基底內(nèi)的折射介質(zhì)，外部折射率限定基底外部的且與基底相鄰的折射介質(zhì)，激光出射點(diǎn)表示基底的邊緣上的位置區(qū)域。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，所述方法還包括配置控制器，以比較基底折射率標(biāo)識(shí)符、外部折射率標(biāo)識(shí)符、激光出射點(diǎn)標(biāo)識(shí)符以及基底折射率標(biāo)識(shí)符、外部折射率標(biāo)識(shí)符、 激光出射點(diǎn)標(biāo)識(shí)符的任何組合，以確定基本上平坦的未涂覆側(cè)的激光入射點(diǎn)以及相對(duì)于法向面的入射角，并引導(dǎo)激光源按照與入射角對(duì)應(yīng)的角度將光束發(fā)射到確定的激光入射點(diǎn)，其中，基底折射率標(biāo)識(shí)符限定基底內(nèi)的折射介質(zhì)，外部折射率標(biāo)識(shí)符限定基底外部的且與基底相鄰的折射介質(zhì)，激光出射點(diǎn)標(biāo)識(shí)符表示玻璃層的邊緣上的位置區(qū)域。
11.一種涂層去除設(shè)備，包括激光源，位于安裝板上，該激光源能夠操作以沿著第一路徑提供激光束，其中，安裝板被構(gòu)造成在指定區(qū)域部分地圍繞光伏模塊的邊緣，使得第一路徑與所述指定區(qū)域相交；定位器，被構(gòu)造成對(duì)安裝板進(jìn)行再次定位。
12.如權(quán)利要求11所述的涂層去除設(shè)備，所述涂層去除設(shè)備還包括處理器，該處理器被構(gòu)造成確定光伏模塊的未涂覆側(cè)上的激光入射點(diǎn)，激光入射點(diǎn)與光伏模塊的涂覆邊緣上的期望的激光出射點(diǎn)對(duì)應(yīng)，并且該處理器被構(gòu)造成引導(dǎo)激光源將激光束發(fā)射到確定的激光束入射點(diǎn)。
13.根據(jù)權(quán)利要求11所述的涂層去除設(shè)備，其中，安裝板包括間隙，使得安裝板的兩部分部分地分開(kāi)并彼此平行地布置，其中，所述間隙限定所述指定區(qū)域。
14.根據(jù)權(quán)利要求11所述的涂層去除設(shè)備，所述涂層去除設(shè)備還包括致動(dòng)器，安裝板被安裝成與致動(dòng)器相鄰，所述致動(dòng)器能夠被操作，以在水平面或豎直面上調(diào)節(jié)安裝板，或者在水平面和豎直面上調(diào)節(jié)安裝板。
15.根據(jù)權(quán)利要求11所述的涂層去除設(shè)備，其中，安裝板包括間隙，使得安裝板的兩部分部分地分開(kāi)并彼此平行地布置，其中，所述間隙被構(gòu)造成容納光伏模塊。
16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的涂層去除設(shè)備，其中，涂層去除設(shè)備沿著間隙的邊緣被安裝。
17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的涂層去除設(shè)備，所述涂層去除設(shè)備還包括致動(dòng)器，安裝板被安裝成與致動(dòng)器相鄰，所述致動(dòng)器能夠被操作，以將安裝板調(diào)節(jié)到新位置。
18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的涂層去除設(shè)備，其中，所述致動(dòng)器能夠被操作，以在水平面或豎直面上調(diào)節(jié)安裝板，或者在水平面和豎直面上調(diào)節(jié)安裝板。
19.一種光伏模塊，包括 基底；半導(dǎo)體材料，位于基底上，其中，基底的邊緣基本上不包含半導(dǎo)體材料，不包含半導(dǎo)體材料的區(qū)域內(nèi)的基底表面基本上不進(jìn)行表面侵蝕。
20.如權(quán)利要求19所述的光伏模塊，其中，半導(dǎo)體材料包含鎘。
21.如權(quán)利要求19所述的光伏模塊，其中，半導(dǎo)體材料包含硅。
22.如權(quán)利要求19所述的光伏模塊，其中，半導(dǎo)體材料包含非晶硅。
23.如權(quán)利要求19所述的光伏模塊，其中，半導(dǎo)體材料包含化合物半導(dǎo)體。
24.如權(quán)利要求23所述的光伏模塊，其中，化合物半導(dǎo)體包含碲化鎘。
全文摘要
一種涂層去除設(shè)備可包括源，所述源位于安裝板上，所述源能夠操作以沿著第一路徑提供激光束，其中，安裝板被構(gòu)造成在與安裝板基本上接近的指定區(qū)域容納光伏模塊的邊緣，使得第一路徑與指定區(qū)域交叉，其中，安裝板還被構(gòu)造成再次布置源，以產(chǎn)生與指定區(qū)域交叉的附加路徑，其中，附加路徑與第一路徑不同。
文檔編號(hào)H01S3/08GK102576972SQ201080042344
公開(kāi)日2012年7月11日 申請(qǐng)日期2010年9月21日 優(yōu)先權(quán)日2009年9月22日
發(fā)明者史蒂芬·P·墨菲, 羅蘭·梅爾霍夫爾, 邁克爾·卡塔拉諾 申請(qǐng)人:第一太陽(yáng)能有限公司