專利名稱：電子器件、尤其是光學(xué)或光電子器件及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
說(shuō)明了一種根據(jù)權(quán)利要求1的電子器件、尤其是光學(xué)或光電子器件。
背景技術(shù)：
光學(xué)或光電子器件的廣泛存在的問(wèn)題是，總是使用具有較高運(yùn)行溫度和較短波長(zhǎng)的較明亮的輻射源，并且由此可能由于例如變黃和粉化現(xiàn)象而對(duì)殼體進(jìn)行損壞。由此可能例如損壞反射器，并且因此使諸如器件的運(yùn)行時(shí)長(zhǎng)或者光效率的重要光學(xué)特性明顯變差以及改變輻照特征。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明實(shí)施方式的任務(wù)在于，提供一種具有改善的變黃表現(xiàn)的電子器件。該任務(wù)通過(guò)根據(jù)權(quán)利要求1的電子器件解決。其他實(shí)施方式是其他的從屬權(quán)利要求的主題。本發(fā)明的實(shí)施方式涉及電子器件、尤其是光學(xué)或者光電子器件，包括具有熱塑性塑料的組件，該組件具有包括核和包裹物的顆粒，其中包裹物設(shè)置在核的表面上，并且其中核包括鋁。所述組件還可以由具有顆粒的熱塑性塑料構(gòu)成。核可以包括元素鋁或者由其構(gòu)成。熱塑性塑料由于其熱機(jī)械特性而具有良好的耐介質(zhì)性以及足夠的熱穩(wěn)定性和尺寸穩(wěn)定性。此外，熱塑性塑料在對(duì)組件施加循環(huán)負(fù)荷和焊浴負(fù)荷時(shí)具有良好的抗裂能力和防破損能力。此外，由于低成本的原因，可以經(jīng)濟(jì)地制造大量的器件。鋁顆粒具有如下有利特性其是無(wú)毒的，可在市場(chǎng)上成本有利地獲得，抗腐蝕并且是耐介質(zhì)的。鋁顆粒具有約220W/mK的高的熱傳導(dǎo)性。如果鋁顆粒具有包裹物(例如表面上的氧化層)，則鋁顆粒在這種情況下由于該包裹物而同時(shí)具有良好的電絕緣特性。在寬波長(zhǎng)范圍(UV至IR)中的良好的金屬反射能力和同時(shí)的高吸收能力使得能夠尤其是在光學(xué)或者光電子器件的組件中使用所述顆粒。本發(fā)明在該申請(qǐng)中代表電子器件地特別著重于對(duì)光學(xué)或光電子器件進(jìn)行描述。因此，關(guān)于光學(xué)或光電子器件的實(shí)施也適用于電子器件。包括這樣的熱塑性塑料的組件具有與例如金屬引線框架的改善的附著性，其中所述熱塑性塑料包括具有核和包裹物的顆粒。由此禁止了潮氣和其他有害物質(zhì)侵入到易受壓力(stressanfailig)的組件-引線框架-界面中。由于通過(guò)在熱塑性塑料中添加顆粒得出的提高的屏障作用，組件的潮氣吸收和穿過(guò)組件的有害氣體擴(kuò)散也得到降低。由于組件的改善的熱傳導(dǎo)性，還可以更有效地引出在器件運(yùn)行時(shí)產(chǎn)生的損耗熱量，由此減小了殼體材料中的組件老化。由此也可以提高所述器件的運(yùn)行溫度。此外，可以
3在較高的溫度下處理所述器件。在另一實(shí)施方式中，包裹物直接設(shè)置在核的表面上。因此，包括鋁的核直接由包裹物包圍。所述包裹物在一個(gè)實(shí)施方式中與核的表面固定連接。例如當(dāng)包裹物通過(guò)化學(xué)反應(yīng)一尤其是固體反應(yīng)(例如形成氧化層)一來(lái)產(chǎn)生或制造時(shí)，包裹物優(yōu)選與所述表面不可分地連接。因此，構(gòu)成包裹物的優(yōu)選是固體材料。在本發(fā)明的另一實(shí)施方式中，所述包裹物包括氧化物、氮化物或者氮氧化物。由這些材料構(gòu)成的包裹物具有與良好的熱傳導(dǎo)性組合的良好的電絕緣特性。所述包裹物此外是無(wú)毒的并且與金屬相比是明顯更抗腐蝕的和更耐介質(zhì)的。所述包裹物優(yōu)選同樣包括鋁，例如作為A10x、AlNx, A10xNy。在本發(fā)明的另一實(shí)施方式中，所述包裹物具有大于IOnm的厚度。通過(guò)這種厚度的包裹物保證了足夠的電絕緣特性以及對(duì)于顆粒的核的足夠的防腐蝕保護(hù)。在本發(fā)明的另一實(shí)施方式中，所述包裹物具有小于ΙΟΟμπι的厚度。100 μ m以下的包裹物厚度已經(jīng)具有了上述有利的特性。<100 μ m的厚度使得顆粒大小能夠保持得小，這尤其是對(duì)于組件的光學(xué)特性來(lái)說(shuō)是重要的。包裹物的厚度優(yōu)選處于 50nm至25μπι的范圍中。對(duì)于輻射的定向反射來(lái)說(shuō)，優(yōu)選使用具有光滑表面的顆粒，相反對(duì)于漫射的反射來(lái)說(shuō)優(yōu)選使用具有粗糙表面的顆粒。在本發(fā)明的另一實(shí)施方式中，所述包裹物使核電絕緣。這使得所述核能夠由導(dǎo)電材料制成并且盡管如此顆粒被指定在這樣的范圍中，在該范圍中顆粒作為整體必須相對(duì)于其周圍環(huán)境電絕緣。這因此也使得顆粒能夠在可以用于針對(duì)光電子器件使用的組件的熱塑性塑料中使用。因此，所述組件例如也可以是澆鑄組件， 該澆鑄組件設(shè)置在光電子器件的導(dǎo)電的、向外不絕緣的組件上，該組件例如是接觸元件。因此，通過(guò)所述顆粒具有電絕緣特性，整個(gè)熱塑性塑料優(yōu)選具有電絕緣特性，由此因此防止了通過(guò)由熱塑性塑料制成的殼體材料短路的風(fēng)險(xiǎn)。在本發(fā)明的另一實(shí)施方式中，所述包裹物在其表面上至少部分地具有涂層。所述涂層可以是例如由助磨劑構(gòu)成的涂層。在一個(gè)實(shí)施方式中，存在包括助磨劑的涂層。所述助磨劑可以例如是動(dòng)物的或植物的潤(rùn)滑劑以及有機(jī)磷酸或磷酸酯。所述動(dòng)物的和植物的潤(rùn)滑劑可以例如是棕櫚酸、硬脂酸或者油酸及其與Zn、Ca或Mg的鹽。在這種情況下可以這樣選擇潤(rùn)滑劑的濃度和類型，即顆粒在置入到熱塑性塑料時(shí)和在隨后制造所述組件時(shí)設(shè)置在組件的表面處以及不那么密集地設(shè)置在組件的內(nèi)部并且提供所期望的反射特性。潤(rùn)滑劑相對(duì)于顆粒的濃度在這種情況下可以例如處于0. 05plm至 3pbw的范圍中，其中0. 05pbw至Ipbw的范圍是優(yōu)選的(pbw=parts by weight(重量份數(shù)))。另一方面，可以這樣選擇潤(rùn)滑劑的濃度和類型，即顆粒尤其是聚積在組件內(nèi)部并且因此尤其是提供良好的熱傳導(dǎo)性。如果顆粒尤其是為了改善熱傳導(dǎo)性而被置入到組件中，則顆粒優(yōu)選在涂層中具有較低的研磨添加劑濃度。此外，所述顆粒優(yōu)選具有薄的包裹物。這具有在制造時(shí)導(dǎo)致顆粒在接觸位置處冷焊的后果。在本發(fā)明的另一實(shí)施方式中，顆粒具有作為d5Q值測(cè)量的IOnm至50 μ m的中等粒子大小。所述顆粒優(yōu)選具有作為d5(1值測(cè)量的IOnm和20 μ m之間的中等粒子大小。通過(guò)顆粒的大小、形狀和粗糙度例如可以優(yōu)化反射能力。同樣可以通過(guò)顆粒的大小來(lái)影響組件的光學(xué)印象。因此例如可以通過(guò)使用大顆粒和高的顆粒濃度將金屬光學(xué)系統(tǒng)賦予給所述組件。所述中等粒子大小在這種情況下可以借助于動(dòng)態(tài)的光散射來(lái)確定。在本發(fā)明的另一實(shí)施方式中，顆粒相對(duì)于熱塑性塑料的濃度為0.001至20 Gew-%，其中從0. 001至5 Gew-%的范圍是優(yōu)選的(Gew_%=重量百分比)。顆粒在熱塑性塑料中的濃度優(yōu)選在0. 001至1 Gew-%之間。通過(guò)顆粒的類型和顆粒在熱塑性塑料中的濃度，包括該熱塑性塑料的組件的反射能力可以得到控制。因此，例如可以將金屬特征賦予給組件表面。在本發(fā)明的另一實(shí)施方式中，顆粒相對(duì)于熱塑性塑料的濃度為10至75 Gew-%。所述電子器件、尤其是光學(xué)或光電子器件在這種情況下例如可以是具有散熱功能的器件。所述器件優(yōu)選包括薄片形狀(Flake-Form)的多模態(tài)(mehrmodal)顆粒。由此可以實(shí)現(xiàn)盡可能高的填料含量。在本發(fā)明的另一實(shí)施方式中，顆粒相對(duì)于熱塑性塑料的濃度為0.001至10
GeW-%ο所述光學(xué)或光電子器件在這種情況下例如可以是具有良好反射特性的器件。如果反射應(yīng)當(dāng)是定向的，則該器件優(yōu)選包括具有光滑表面的球狀顆粒。相反，如果反射應(yīng)當(dāng)是漫射的，則所述器件優(yōu)選包括具有不規(guī)則的粗糙表面的顆粒。在這兩種情況下，微粒都在表面處聚積。在本發(fā)明的另一實(shí)施方式中，所述核具有至少99 mol-% (摩爾百分比)的鋁含量。在一個(gè)實(shí)施方式中，所述核具有100 mol-%的鋁含量，這意味著，所述核完全由鋁和可能少量常見的污染物構(gòu)成。鋁證實(shí)為是無(wú)毒的并且可在市場(chǎng)上相對(duì)成本有利地獲得。 鋁相對(duì)于其他金屬還具有小的密度，這具有所述顆粒相當(dāng)輕的后果。在本發(fā)明的另一實(shí)施方式中，所述顆粒具有球狀、弱橢圓的形狀或者與這些形狀類似的形狀。在弱橢圓形狀的情況下，半徑比以< 1.5存在。在本發(fā)明的另一實(shí)施方式中，所述顆粒具有薄片形狀或者強(qiáng)橢圓形構(gòu)造的形狀。 在強(qiáng)橢圓形形狀的情況下，半徑比以>1. 5存在。在本發(fā)明的另一實(shí)施方式中，所述顆粒具有纖維形狀。對(duì)于所述顆粒具有薄片形狀、纖維形狀或者強(qiáng)橢圓形狀的情況，顆粒優(yōu)選具有作為d5(1值測(cè)量的0. 1 μ m至200 μ m的中等粒子大小。在此情況下，1. 0 μ m至50 μ m的中等粒子大小是優(yōu)選的并且1. 0 μ m至20 μ m的范圍是特別優(yōu)選的。為了實(shí)現(xiàn)所期望的光學(xué)特性以及所期望的熱傳導(dǎo)性，可以使用一種形狀的顆粒以及不同形狀的顆粒的混合物。相應(yīng)的情況也適用于顆粒的大小。這里既可以存在單模態(tài)分布、即所述顆粒具有相似的大小，也可以存在多模態(tài)形式、即所述顆粒在其大小方面具有明顯區(qū)別。通過(guò)所述顆粒的形狀例如可以如下地控制反射能力，即所述反射能力是定向的或漫射的反射。通過(guò)漫射的反射，可以例如在殼壁表面處改善不同波長(zhǎng)的輻射的光混勻。
對(duì)于所述顆粒具有薄片形狀、纖維形狀或者強(qiáng)橢圓形狀的情況，顆粒相對(duì)于熱塑性塑料的濃度為優(yōu)選0. 1至40 Gew-%，其中1. 0至30 Gew-%的范圍是特別優(yōu)選的。在本發(fā)明的另一實(shí)施方式中，所述核包括鋁合金或者由鋁合金構(gòu)成。所述合金可以包括例如Si和/或Mg。所述合金優(yōu)選包括Si。這樣的合金組分使顆粒的核穩(wěn)定。合金組分的濃度在重量百分比上相對(duì)于所加入的鋁量?jī)?yōu)選處于IOppm至 0. 9 Gew-%的范圍中。在本發(fā)明的另一實(shí)施方式中，所述熱塑性塑料附加地包括一種或多種添加料，所述添加料選自玻璃纖維；玻璃組織；玻璃粉末；白色顏料，如TiO2, CaC03> BaSO4、A1203、 SiO2, ZrO2 ；光轉(zhuǎn)換物質(zhì)；染色劑；添加劑，如浸潤(rùn)劑；穩(wěn)定劑；無(wú)機(jī)的和金屬的納米顆粒，如 Zn0、Zr02、Au、Ag、Ti ；有機(jī)磷防火劑。在本發(fā)明的另一實(shí)施方式中，所述熱塑性塑料是選自如下項(xiàng)的塑料聚芳醚、聚苯醚、聚砜、聚芳醚砜、聚芳醚酮、聚醚、聚碳酸酯、聚酰胺、含氟聚合物(如聚四氟乙烯、四氟乙烯一全氟丙烷共聚物、聚偏氟乙烯、聚氟乙烯)、LCP以及不同熱塑性塑料的混合物。在此， 聚酰胺優(yōu)選是聚鄰苯二甲酰胺。聚酰胺在這種情況下可以附加地用玻璃纖維、玻璃組織、炭黑或白色顏料代替。在本發(fā)明的另一實(shí)施方式中，所述組件是殼體。所述殼體可以例如成型為反射器。 所述殼體可以例如在內(nèi)部具有輻射源。所述電子器件、尤其是光學(xué)或光電子器件可以例如在如下領(lǐng)域之一中采用汽車領(lǐng)域、具有光學(xué)功能的冷卻介質(zhì)、光伏設(shè)備中的框架材料和光結(jié)構(gòu)殼體、醫(yī)學(xué)或衛(wèi)生領(lǐng)域。 在這種情況下，所述器件可以是例如投射器、光模塊、信號(hào)設(shè)備或者大面積的光設(shè)計(jì)元件或者是它們的組成部分。這種使用尤其是由于具有顆粒的熱塑性塑料的低的重量和導(dǎo)熱特性而是令人感興趣的。所述電子器件、尤其是光學(xué)或光電子器件此外可以用于具有提高的可靠性的模塊和系統(tǒng)以及在激化的運(yùn)行條件下采用?；蛘咚銎骷梢杂糜诰哂袛U(kuò)展的功能范圍的新的應(yīng)用，例如作為有SMD能力的LED的殼體。本發(fā)明還涉及將上述熱塑性塑料用于制造電子器件、尤其是光學(xué)或光電子器件的組件的使用。所述具有顆粒的熱塑性塑料可以例如用于投射器、光模塊、信號(hào)設(shè)備和大面積的光設(shè)計(jì)元件中的殼體和/或反射器。在這種情況下，熱塑性塑料或包括熱塑性塑料的組件的低重量和導(dǎo)熱效應(yīng)可以是有利的。出于相同的原因，所述具有顆粒的熱塑性塑料適合作為光伏應(yīng)用中的框架材料。所述具有顆粒的熱塑性塑料可以用作為可熱塑加工的復(fù)合材料。在此獲得一種設(shè)計(jì)自由度，即所述熱塑性塑料例如可以用于電子器件、模塊和系統(tǒng)中的價(jià)格有利的散熱通道。除了器件本身，本發(fā)明還涉及一種用于制造電子器件、尤其是光學(xué)或光電子器件的組件的方法。在用于制造電子器件、尤其是光學(xué)或光電子器件的組件的方法的一個(gè)變型中，所述方法包括方法步驟作為方法步驟A)提供熱塑性塑料；作為方法步驟B)嵌入顆粒，所述顆粒包括核和包裹物或者由核和包裹物構(gòu)成，其中包裹物設(shè)置在核的表面上并且其中所述核包括鋁；以及作為方法步驟C)使組件成型。在此情況下，結(jié)合所述器件闡述的優(yōu)點(diǎn)類似地也適用于所述方法。在所述方法的另一變型中，以位于前面的方法制造方法步驟B)中的顆粒，該位于前面的方法包括如下步驟作為方法步驟a)熔化鋁；作為方法步驟b)使來(lái)自方法步驟a) 的熔化物霧化，從而構(gòu)造核。在另一變型中，該位于前面的方法還具有如下步驟作為方法步驟C)研磨來(lái)自方法步驟b)的核。在另一變型中，該位于前面的方法還具有如下步驟作為方法步驟d)處理核，使得在核的表面上構(gòu)造包裹物。方法步驟d)在此情況下可以在方法步驟C)之前或之后進(jìn)行。在此情況下，所述包裹物也可以在核與設(shè)置在核上的涂層之間構(gòu)造。所述涂層在此情況下可以通過(guò)處理被部分地除去。在下面的方案中詳細(xì)描述一個(gè)實(shí)施例。鋁——其例如是具有>99 mol-%含量的高純度鋁——在方法步驟a)中在約700°C的溫度下被熔化。在隨后的方法步驟b)中，所熔化的鋁在高壓下利用空氣或惰性氣體(氮?dú)?、Ar、He)被霧化。霧化系統(tǒng)和霧化參數(shù)對(duì)核的大小和形狀具有影響。由此，還可以已經(jīng)間接地影響例如稍后的包裹物的厚度。在隨后的方法步驟c)中對(duì)核進(jìn)行研磨。所述研磨例如可以是在碳?xì)浠衔?、試?yàn)汽油、石油醚或者甲苯中的濕研磨。這例如可以在直至70°C的溫度下進(jìn)行。所述研磨例如可以在使用所定義的大小和量的球狀研磨體的情況下進(jìn)行。在研磨步驟中可以添加例如蠟、油酸、硬脂酸或者棕櫚酸的助磨劑。顆粒形狀在此情況下非常強(qiáng)地取決于所引入的研磨能量和研磨體的硬度。在另一變型中，利用有機(jī)溶劑通過(guò)洗滌完全地或部分地除去助磨劑。在另一變型中，通過(guò)過(guò)濾過(guò)程來(lái)優(yōu)化粒子大小和顆粒分布。在方法步驟d)中處理核例如可以在爐子中在400°C的溫度下進(jìn)行。所述處理可以在例如1至12個(gè)小時(shí)的時(shí)間段跨度上進(jìn)行。作為氣氛可以在這里使用例如空氣、氧氣、 氮?dú)?、或者氬。例如鈍化的其他表面修改也可以在等離子體(氧氣、空氣、氬及其混合物)中進(jìn)行。在此情況下可以根據(jù)所期望的規(guī)定目標(biāo)調(diào)整等離子體功率和等離子體操作的持續(xù)時(shí)間。這樣獲得的顆粒對(duì)于潮氣是穩(wěn)定的并且還在整個(gè)PH值范圍上是水解穩(wěn)定的。在所述方法的另一變型中，在方法步驟B)之前以及在方法步驟d)之后在方法步驟e)中對(duì)所述顆粒進(jìn)行干燥。所述干燥例如可以在120°C的溫度下在1至2個(gè)小時(shí)的時(shí)間段跨度上進(jìn)行。在此情況下還可以同時(shí)施加真空(< 13mbar )。在所述方法的另一變型中，對(duì)熱塑性塑料的加工包括如下方法步驟制備、干燥、 使原料均勻化以及成型。這些步驟中的每一個(gè)可以與彼此無(wú)關(guān)地在包括空氣或惰性氣體的氣氛中進(jìn)行。惰性氣體氣氛在此情況下可以包括氮、氬或氦并且例如當(dāng)在該方法步驟中不期望構(gòu)成包括AlOx的包裹物時(shí)是合理的。所述方法可以包括附加的濕化學(xué)或干化學(xué)物理過(guò)程。 上述熱塑性塑料例如可以用于光學(xué)或光電子器件的冷卻。因此，該熱塑性塑料可以例如用于SMD器件，該SMD器件例如可以在汽車工業(yè)中采用。 上述熱塑性塑料此外可以用于使例如引線框架中的腐蝕最小化。所述引線框架在此情況下可以例如是鍍銀的引線框架。該引線框架例如可以用硅樹脂或硅樹脂混合物澆鑄。對(duì)此特別良好地適合的是包括顆粒的熱塑性塑料，所述顆粒具有<5 μ m、優(yōu)選<1 μ m的包裹物。所述顆?？梢猿洚?dāng)鋁源，該鋁源可以輸出Al3+離子。


下面將借助于附圖和實(shí)施例詳細(xì)闡述本發(fā)明的變型。圖Ia和Ib分別示出穿過(guò)顆粒的實(shí)施方式的示意性橫截面。圖加和2b分別示出穿過(guò)光電子器件的實(shí)施方式的示意性橫截面。
具體實(shí)施例方式圖Ia示出穿過(guò)顆粒1的示意性橫截面。該顆粒1由核2以及直接設(shè)置在核2的表面上的包裹物3構(gòu)成。圖Ib示出穿過(guò)顆粒1的另一實(shí)施方式的示意性橫截面。該顆粒1與在圖Ia中所示的顆粒相比附加地包括直接設(shè)置在包裹物3的表面上的涂層4。圖加以示意性橫截面示出光電子器件的一個(gè)實(shí)施方式。該光電子器件包括由熱塑性塑料5制成的組件6。該熱塑性塑料5包括顆粒1。組件6在該實(shí)施例中被成型為反射器。在反射器凹處的內(nèi)部設(shè)置有輻射源7。該輻射源7例如可以是無(wú)機(jī)LED或者是有機(jī) LED(OLED)。輻射源7被澆鑄有澆鑄物8，該澆鑄物8在輻射出射面處構(gòu)造了透鏡9。由輻射源7輸出的輻射可以被反射器反射，由此該光電子器件的光效率得到提高。在輻射源運(yùn)行時(shí)產(chǎn)生的熱可以通過(guò)組件6引出到周圍環(huán)境。在此情況下，熱傳導(dǎo)性通過(guò)置入到熱塑性塑料5中的顆粒1得到明顯提高。該實(shí)施方式例如良好地適于組件散熱。顆粒優(yōu)選如在薄片形狀的情況下那樣具有大的表面。LED包括構(gòu)成二極管的半導(dǎo)體。LED常常是所謂的III/V族半導(dǎo)體，即LED由周期表的第3族和第5族元素構(gòu)造。LED此外包括例如位于LED的上側(cè)的陽(yáng)極和可以相應(yīng)地設(shè)置在下側(cè)的陰極。陽(yáng)極可以通過(guò)接合線導(dǎo)電地與引線框架連接，LED可以設(shè)置在該引線框架上。如果施加導(dǎo)通方向上的電壓，則電子在pn結(jié)處朝向復(fù)合層移動(dòng)。在η摻雜側(cè)上，電子聚集成導(dǎo)電帶，以便在超過(guò)界面之后變換成更加能量有利的P摻雜的價(jià)帶。在價(jià)帶處，電子于是與這里存在的空穴重新結(jié)合。OLED包括具有陽(yáng)極和陰極的層堆疊。通過(guò)施加電壓從所述陽(yáng)極和陰極輸出空穴或電子，這些空穴或電子分別朝向另一電極的方向移動(dòng)。在載流子在光發(fā)射層中相遇以前，載流子在此情況下例如首先移動(dòng)穿過(guò)傳輸空穴或傳輸電子的層。在該光發(fā)射層中，電子與空穴構(gòu)成激發(fā)子。所述激發(fā)子可以激勵(lì)位于發(fā)射層中的發(fā)光物質(zhì)以輸出輻射。OLED可以包括有機(jī)功能層，該有機(jī)功能層可以例如是光發(fā)射層、載流子阻擋層或者載流子傳輸層或者是它們的組合。圖2b以示意性橫截面示出光電子器件的另一實(shí)施方式。該光電子器件同樣如在圖加中所示的實(shí)施方式那樣包括由熱塑性塑料5制成的組件6。熱塑性塑料5包括顆粒 1。在這里，組件6也被成型為反射器。在反射器凹處的內(nèi)部中設(shè)置有輻射源7。該輻射源 7可以同樣例如是無(wú)機(jī)LED或者是有機(jī)LED(OLED)。輻射源7被澆鑄有澆鑄物8，該澆鑄物 8在輻射出射面處構(gòu)成透鏡9。與在圖加中示出的實(shí)施方式不同，在該實(shí)施方式中，顆粒1 設(shè)置在組件6的表面處。因此，該表面具有特別高的反射性。如果反射應(yīng)當(dāng)是定向的，則熱塑性塑料優(yōu)選包括具有光滑表面的球狀顆粒。相反，如果反射應(yīng)當(dāng)是漫射的，則熱塑性塑料優(yōu)選包括具有不規(guī)則的粗糙表面的顆粒。 本發(fā)明不受到借助于實(shí)施例的描述的限制。更確切地說(shuō)，本發(fā)明包括每種新的特征以及特征的每種新組合，這尤其是包含權(quán)利要求中特征的每種組合，即使當(dāng)該特征或者該組合本身未在權(quán)利要求或?qū)嵤├忻鞔_說(shuō)明時(shí)也是如此。
權(quán)利要求
1.一種電子器件、尤其是光學(xué)或光電子器件，包括具有熱塑性塑料(5)的組件(6)，該熱塑性塑料(5)具有包括核(2)和包裹物(3)的顆粒(1)，其中所述包裹物(3)設(shè)置在核(2) 的表面上，并且其中所述核(2)包括鋁。
2.根據(jù)權(quán)利要求1的器件，其中所述包裹物(3)直接設(shè)置在所述核(2)的表面上。
3.根據(jù)前述權(quán)利要求之一的器件，其中所述包裹物(3)包括氧化物、氮化物或者氮氧化物。
4.根據(jù)前述權(quán)利要求之一的器件，其中所述包裹物(3)具有大于IOnm的厚度。
5.根據(jù)前述權(quán)利要求之一的器件，其中所述包裹物(3)具有小于100 μ m的厚度。
6.根據(jù)前述權(quán)利要求之一的器件，其中所述包裹物(3)使核(2)電絕緣。
7.根據(jù)前述權(quán)利要求之一的器件，其中所述包裹物(3 )在其表面上具有涂層(4 )。
8.根據(jù)前述權(quán)利要求之一的器件，其中所述顆粒(1)具有作為d5(l值測(cè)量的IOnm至50 μ m的中等粒子大小。
9.根據(jù)前述權(quán)利要求之一的器件，其中顆粒(1)相對(duì)于熱塑性塑料(5)的濃度在0. 001至5 Gew-%之間。
10.根據(jù)前述權(quán)利要求之一的器件，其中所述核(2)具有至少99 mol-%的鋁含量。
11.根據(jù)前述權(quán)利要求之一的器件， 其中所述核(2)包括鋁合金。
12.根據(jù)前述權(quán)利要求之一的器件， 其中所述組件(6)是殼體。
13.一種用于制造電子器件、尤其是光學(xué)或光電子器件的組件(6)的方法， A)提供熱塑性塑料(5)，B )嵌入包括核(2 )和包裹物(3 )的顆粒(1)，其中所述包裹物(3 )設(shè)置在核(2 )的表面上，并且其中所述核(2 )包括鋁， C)使組件(6)成型。
14.根據(jù)權(quán)利要求13的方法，其中以位于前面的方法制造方法步驟B)中的顆粒(1)，該位于前面的方法包括如下步驟a)熔化鋁，b)使來(lái)自方法步驟a)的熔化物霧化，從而構(gòu)造核(2)，c)研磨來(lái)自方法步驟b)的核(2)，d)處理來(lái)自方法步驟c)的核(2)，使得在核(2)的表面上構(gòu)造包裹物(3)。
15.根據(jù)權(quán)利要求14的方法，其中在方法步驟B)之前和在方法步驟d)之后在方法步驟e)中對(duì)顆粒(1)進(jìn)行干燥。
全文摘要
電子器件、尤其是光學(xué)或光電子器件包括具有熱塑性塑料(5)的組件(6)，該熱塑性塑料具有包括核和包裹物的顆粒(1)，其中所述包裹物設(shè)置在核的表面上并且其中所述核包括鋁。
文檔編號(hào)H01L33/48GK102549784SQ201080043989
公開日2012年7月4日 申請(qǐng)日期2010年9月20日 優(yōu)先權(quán)日2009年9月30日
發(fā)明者K.赫恩 申請(qǐng)人:奧斯蘭姆奧普托半導(dǎo)體有限責(zé)任公司