專利名稱：發(fā)光二極管用金屬基板、發(fā)光二極管及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及發(fā)光二極管用金屬基板、發(fā)光二極管及其制造方法。本申請基于在2009年10月7日在日本提出的專利申請2009-233748號要求優(yōu)先權(quán)，將其內(nèi)容援引于本申請中。
背景技術(shù)：
一直以來，作為發(fā)出紅色或者紅外的光的高輸出功率發(fā)光二極管(英文簡稱 LED)，已知具備含有砷化鋁鎵(組成式AlxGai_xAs ；0 ^ X ^ 1)的發(fā)光層的化合物半導(dǎo)體 LED。另一方面，作為發(fā)出紅色、橙色、黃色或者黃綠色的可見光的高輝度發(fā)光二極管(英文簡稱LED)，已知具備含有磷化鋁鎵銦(組成式(AlxGa1^x)γΙηι_γΡ ；0 ^ X ^ 1,0 < Y < 1)的發(fā)光層的化合物半導(dǎo)體LED。這樣的LED —般形成于相對于從發(fā)光層射出的光在光學(xué)上不透明、并且機(jī)械強(qiáng)度不那么高的砷化鎵(GaAs)等的基板材料上。因此，最近，為了得到更高輝度的LED，另外，以元件的機(jī)械強(qiáng)度和散熱性的進(jìn)一步提高作為目的，曾公開了下述技術(shù)在除去了相對于發(fā)光光為不透明的基板材料后，重新接合由透射或者反射發(fā)光光、并且機(jī)械強(qiáng)度和散熱性優(yōu)異的材料形成的支持體層(基板)，構(gòu)成接合型LED (例如，參照專利文獻(xiàn)1 7)?，F(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)專利文獻(xiàn)1 日本特開2001-339100號公報(bào)專利文獻(xiàn)2 日本特開平6-3(^857號公報(bào)專利文獻(xiàn)3 日本特開2002-246640號公報(bào)專利文獻(xiàn)4 日本專利第2588849號公報(bào)專利文獻(xiàn)5 日本特開2001-57441號公報(bào)專利文獻(xiàn)6 日本特開2007-81010號公報(bào)專利文獻(xiàn)7 日本特開2006_3四52號公報(bào)

發(fā)明內(nèi)容
如上述那樣，通過基板接合技術(shù)的開發(fā)，可以作為支持體層適用的基板的自由度增加，因此曾提出了在成本方面、機(jī)械強(qiáng)度或者散熱性等具有較大優(yōu)勢的許多金屬基板。但是，金屬基板與半導(dǎo)體基板、陶瓷基板等相比，存在與制造工藝中使用的化學(xué)藥品反應(yīng)發(fā)生腐蝕從而品質(zhì)劣化的問題。具體地講，存在對于堿或酸的處理發(fā)生溶解、變色、 腐蝕，招致特性不良和收率降低的問題。特別是在除去為了使半導(dǎo)體層生長而使用的砷化鎵基板時，一般采用在堿或酸中長時間浸漬，將砷化鎵基板全部溶解的工序。但是，金屬基板不能夠耐受該長時間的藥品處理。
本發(fā)明是鑒于上述狀況完成的，其目的是提供一種能夠耐受基板除去工序的藥品處理的耐化學(xué)性優(yōu)異的具有新的結(jié)構(gòu)的發(fā)光二極管用金屬基板。另外，其目的是提供一種通過使用該金屬基板，特性穩(wěn)定了的發(fā)光二極管。此外，其目的是提供一種能夠以高的收率制造具有穩(wěn)定的特性的發(fā)光二極管的發(fā)光二極管的制造方法。為了達(dá)到上述目的，本發(fā)明提供以下的(1) (9)。(1) 一種發(fā)光二極管用金屬基板，是用于制造發(fā)光二極管的發(fā)光二極管用金屬基板，上述發(fā)光二極管具備金屬基板和通過接合層接合于所述金屬基板上的含有發(fā)光部的化合物半導(dǎo)體層，該發(fā)光二極管用金屬基板的特征在于，發(fā)光二極管用金屬基板具備金屬板和覆蓋該金屬板的至少上表面和下表面的金屬保護(hù)膜。(2)根據(jù)前項(xiàng)(1)所述的發(fā)光二極管用金屬基板，其特征在于，上述金屬保護(hù)膜還覆蓋上述金屬板的側(cè)面。(3)根據(jù)前項(xiàng)(1)或O)的任一項(xiàng)所述的發(fā)光二極管用金屬基板，其特征在于， 上述金屬板的熱導(dǎo)率為130W/m· K以上，并且，熱膨脹系數(shù)在上述發(fā)光部的熱膨脹系數(shù)的士 1. 5ppm/K 以內(nèi)。(4)根據(jù)前項(xiàng)(1) (3)的任一項(xiàng)所述的發(fā)光二極管用金屬基板，其特征在于，上述金屬板含有選自銅、鉬和鎢中的至少一種。(5)根據(jù)前項(xiàng)(4)所述的發(fā)光二極管用金屬基板，其特征在于，上述金屬板由銅和鉬的疊合結(jié)構(gòu)構(gòu)成。(6)根據(jù)前項(xiàng)(1) (5)的任一項(xiàng)所述的發(fā)光二極管用金屬基板，其特征在于，上述金屬保護(hù)膜含有選自鎳、鉻、鉬和金中的至少一種。(7) 一種發(fā)光二極管，其特征在于，是具備前項(xiàng)(1) (6)的任一項(xiàng)所述的發(fā)光二極管用金屬基板和通過接合層接合于上述金屬基板上的含有發(fā)光部的化合物半導(dǎo)體層的發(fā)光二極管，上述發(fā)光部具備AWaInP層或AlGaAs層。(8) 一種發(fā)光二極管的制造方法，其特征在于，具有在金屬板的全部面形成金屬保護(hù)膜，制作發(fā)光二極管用金屬基板的第1工序；在半導(dǎo)體基板上形成具備發(fā)光部的化合物半導(dǎo)體層的第2工序；在上述化合物半導(dǎo)體層上形成接合層的第3工序；通過上述接合層將形成有上述化合物半導(dǎo)體層的上述半導(dǎo)體基板和上述金屬基板接合的第4工序；和使用蝕刻液除去上述半導(dǎo)體基板的第5工序。(9)根據(jù)前項(xiàng)(8)所述的發(fā)光二極管的制造方法，其特征在于，上述第1工序具有 熱壓接多個金屬薄板來制作金屬板的工序；和通過鍍覆在上述金屬板的全部面形成金屬保護(hù)膜的工序。根據(jù)本發(fā)明，可以提供一種散熱性優(yōu)異、并且能夠耐受基板除去工序的藥品處理的耐化學(xué)性優(yōu)異的具有新的結(jié)構(gòu)的發(fā)光二極管用金屬基板。另外，可以提供一種特性穩(wěn)定的發(fā)光二極管。此外，可以提供一種能夠以高的收率制造具有穩(wěn)定的特性的發(fā)光二極管的發(fā)光二極管的制造方法。


圖IA是表示本發(fā)明的發(fā)光二極管接合用金屬基板和與其接合了的發(fā)光二極管的一實(shí)施方式的平面圖。圖IB是表示本發(fā)明的發(fā)光二極管接合用金屬基板和與其接合了的發(fā)光二極管的一實(shí)施方式的截面模式圖。圖2是表示本發(fā)明的發(fā)光二極管的一實(shí)施方式的截面模式圖。圖3是表示在本發(fā)明的發(fā)光二極管的制造方法中的一工序的一實(shí)施方式的截面模式圖。圖4A是表示以往的發(fā)光二極管用金屬基板和與其接合了的發(fā)光二極管的平面圖。圖4B是表示以往的發(fā)光二極管用金屬基板和與其接合了的發(fā)光二極管的截面模式圖。
具體實(shí)施例方式以下，對于本發(fā)明的發(fā)光二極管用金屬基板、發(fā)光二極管及其制造方法，使用附圖詳細(xì)地說明。再者，為易于明白其特征，在以下的說明中使用的附圖有時為方便起見將成為特征的部分放大地表示，各構(gòu)成要素的尺寸比率等未必與實(shí)際相同。對于同樣的構(gòu)成要素，附帶相同的標(biāo)記省略詳細(xì)的說明。圖1是表示本發(fā)明的發(fā)光二極管的制造方法的第4工序后的狀態(tài)的圖。再者，對于本發(fā)明的發(fā)光二極管的制造方法，以下詳細(xì)地說明。圖1表示本發(fā)明的發(fā)光二極管用金屬基板6和形成于生長基板(半導(dǎo)體基板)20 上的含有發(fā)光部的化合物半導(dǎo)體層2通過接合層3接合了的狀態(tài)。<發(fā)光二極管用金屬基板>如圖1所示，本實(shí)施方式中的金屬基板6，由金屬板4和覆蓋金屬板4的全部面，也就是金屬板4的上表面、下表面和側(cè)面的金屬保護(hù)膜5構(gòu)成。再者，也有金屬保護(hù)膜5僅覆蓋金屬板4的上表面和下表面，不覆蓋側(cè)面的情況。優(yōu)選上述金屬板4的熱導(dǎo)率為130W/m · K以上，并且，熱膨脹系數(shù)在發(fā)光部7的熱膨脹系數(shù)的士 1.5ppm/K以內(nèi)。具體地講，可以由熱導(dǎo)率良好的金屬例如銅、銀、金等、熱膨脹系數(shù)與發(fā)光部7大致相等的金屬例如鉬、鎢等構(gòu)成。另外，也可以由多個金屬薄板形成。其中，優(yōu)選金屬板4 含有選自銅、鉬和鎢中的至少一種。作為金屬板4，特別優(yōu)選如圖1所示那樣層疊銅4B/鉬 4A/銅4B的3枚薄板熱壓接而成的金屬板。通過采用這樣的構(gòu)成，可以使金屬板6的熱膨脹系數(shù)與發(fā)光部7的熱膨脹系數(shù)大致相等。覆蓋金屬板4的至少上表面和下表面的金屬保護(hù)膜5，可以應(yīng)用鎳、鉻、鉬、金等公知的材料。其中，優(yōu)選金屬保護(hù)膜5為組合了粘附性良好的鎳和耐化學(xué)性優(yōu)異的金的層。優(yōu)選基底由鎳形成，表面由化學(xué)上穩(wěn)定的金或鉬形成?？梢酝ㄟ^將金屬板4的全部面進(jìn)行鍍鎳/金而形成。金屬保護(hù)膜5的厚度，沒有特別限制，從耐久性和成本的平衡來看，適當(dāng)?shù)姆秶鸀?0. 2 5μπι，優(yōu)選為0. 5 3μπι。高價(jià)格的金的厚度優(yōu)選為Iym以下。
具備上述構(gòu)成的金屬基板6，如果較薄則引起由強(qiáng)度不足帶來的變形，如果較厚則在切斷為芯片的工序中存在技術(shù)難度變高的不良情況。因此，雖然根據(jù)材料而不同，但金屬基板6的厚度優(yōu)選為50 200 μ m,更優(yōu)選為80 150 μ m?！窗l(fā)光二極管〉接著，對于發(fā)光二極管的構(gòu)成進(jìn)行說明。如圖2所示，本實(shí)施方式的發(fā)光二極管(LED)I是具備本發(fā)明的金屬基板6和通過接合層3接合于金屬基板6上的含有發(fā)光部7的化合物半導(dǎo)體層2的發(fā)光二極管。上述化合物半導(dǎo)體層2，只要是含有pn結(jié)型的發(fā)光部7的化合物半導(dǎo)體層就沒有特別限定。上述發(fā)光部7由能夠在半導(dǎo)體基板、例如GaAs基板上生長的材料構(gòu)成。一般地， 是依次層疊有下部覆蓋層9、發(fā)光層10和上部覆蓋層11的化合物半導(dǎo)體的疊層體。作為該發(fā)光部7，可以使用含有作為例如紅色、黃色和/或黃綠色等的光源的具備 (AlxGa1^x)YIni_YP(0彡X彡1，0 < Y彡1)的發(fā)光層10的化合物半導(dǎo)體層。也可以使用含有發(fā)出紅和紅外的光的具備AlxGa(1_x)AS(0彡X彡1)的發(fā)光層10的化合物半導(dǎo)體層，也可以應(yīng)用其他公知的結(jié)構(gòu)。接合層3配置在化合物半導(dǎo)體層2和金屬基板6之間，牢固地接合(貼合)化合物半導(dǎo)體層2和金屬基板6。既可以是單層也可以是由多層構(gòu)成的。但是，考慮到與金屬保護(hù)膜5的材質(zhì)的組合，優(yōu)選由與和金屬基板6的連接表面相同的材料，也就是說，與金屬保護(hù)膜5相同的材料系形成。例如，在金屬保護(hù)膜5由金形成的情況下，最優(yōu)選形成與金屬保護(hù)膜5的連接面的接合層由金形成。在本實(shí)施方式中，接合層3具備設(shè)置在化合物半導(dǎo)體層2側(cè)的第1金屬膜3A和設(shè)置在金屬基板6側(cè)的第2金屬膜;3B，第2金屬膜;3B由與金屬保護(hù)膜5相同的材料形成。另外，在本實(shí)施方式中，為了高輝度化，接合層3具有反射率高的反射結(jié)構(gòu)，反射從化合物半導(dǎo)體層2側(cè)和金屬基板6側(cè)入射的光。[發(fā)光二極管的制造方法]接著，對于發(fā)光二極管的制造方法，按以下那樣分為第1工序 第5工序進(jìn)行說明。<金屬基板的制作工序(第1工序)>按以下那樣制造發(fā)光二極管用金屬基板6。首先，準(zhǔn)備構(gòu)成發(fā)光二極管用金屬基板6的金屬板4。圖2所示的本實(shí)施方式的金屬板4，以其熱膨脹系數(shù)與發(fā)光部7的熱膨脹系數(shù)成為大致相等的方式，層疊銅4B、鉬4A和銅4B這3枚薄板并進(jìn)行熱壓接來制作。接著，形成覆蓋金屬板的全部面的金屬保護(hù)膜5。金屬保護(hù)膜5可以采用公知的膜形成方法形成，但由于可以在包含側(cè)面在內(nèi)的全部面形成膜，因此最優(yōu)選鍍覆法。在鍍覆法中，可以使用公知的技術(shù)和藥品。在鍍覆法之中，不需要電極的無電解鍍法因簡便而優(yōu)選。鍍層材質(zhì)沒有特別限制，可以應(yīng)用銅、銀、鎳、鉻、鉬和金等公知的材質(zhì)，最合適的是組合了粘附性良好的鎳和耐化學(xué)性優(yōu)異的金的層。
例如，在采用了無電解鍍法的情況下，將金屬板6的上表面、側(cè)面和下表面鍍鎳， 其后進(jìn)行鍍金，由此可以得到具備鎳膜和金膜的金屬保護(hù)膜5。鍍層的厚度沒有特別限制，但按上述那樣，從耐久性和成本的平衡來看，適當(dāng)?shù)姆秶鸀?. 2 5μπι，優(yōu)選為0. 5 3μπι。高價(jià)格的金的厚度優(yōu)選為1 μ m以下。再者，金屬保護(hù)膜5，在進(jìn)行后述的采用蝕刻液的半導(dǎo)體基板除去工序時，覆蓋金屬板4的全部面即可。在半導(dǎo)體基板除去工序后的工序中，金屬保護(hù)膜5的一部分被除去， 在最終制造的發(fā)光二極管中，金屬保護(hù)膜5即使沒有覆蓋金屬板4的全部面也沒關(guān)系。<化合物半導(dǎo)體層形成工序(第2工序)>如圖3所示，在半導(dǎo)體基板20的一面20a上，使多個外延層生長而形成化合物半導(dǎo)體層2。半導(dǎo)體基板20是化合物半導(dǎo)體層2的形成用基板，例如，是摻雜了 Si的η型的 GaAs單晶基板。在半導(dǎo)體基板20的一面20a上形成由摻雜了 Si的η型的GaAs構(gòu)成的緩沖層12a。 接著，在緩沖層1 上形成由摻雜了 Si的η型的AKialnP構(gòu)成的接觸層12b。接著，在接觸層12b上形成由摻雜了 Si的η型的AKialnP構(gòu)成的覆蓋層11。接著，在覆蓋層11上形成由未摻雜的AKialnP/AKialnP的10對的疊層結(jié)構(gòu)構(gòu)成的發(fā)光層10。接著，在發(fā)光層10 上形成由摻雜了 Mg的ρ型的Alfe^nP構(gòu)成的覆蓋層9。接著，在覆蓋層9上形成摻雜了 Mg 的P型的GaP層13。接著，在ρ型的GaP層13的與半導(dǎo)體基板20相反側(cè)的面13a上形成第2電極(歐姆電極)8b。<接合層形成工序(第3工序)>接著，以覆蓋位于ρ型的GaP層13的與半導(dǎo)體基板20相反的一側(cè)的面13a和第 2電極8b的方式形成接合層3 (3A)。接合層的形成可以利用公知的技術(shù)。例如，可以利用共晶金屬和軟釬料等的金屬材料、有機(jī)系粘結(jié)劑、或者直接接合技術(shù)等?！唇饘倩宓慕雍瞎ば?第4工序)>接著，將形成有接合層3以及化合物半導(dǎo)體層2的半導(dǎo)體基板20、和在金屬基板的制造工序中形成的金屬基板6送入減壓裝置內(nèi)，以接合層3的接合面和金屬基板6的接合面相對地重疊的方式配置。接著，將減壓裝置內(nèi)排氣后，將形成有接合層3和化合物半導(dǎo)體層2的半導(dǎo)體基板 20和金屬基板6在加熱的狀態(tài)下加壓，形成接合結(jié)構(gòu)體15。<半導(dǎo)體基板除去工序(第5工序)>接著，利用含有氨和過氧化氫的蝕刻液，從接合結(jié)構(gòu)體15選擇性地溶解除去半導(dǎo)體基板20和緩沖層12a。銅溶解于該蝕刻液中，但由于金屬板的上表面、側(cè)面和下表面的全部面被作為鎳和金膜的金屬保護(hù)膜5覆蓋，因此由銅形成的金屬板4不溶解。通過該工序，形成具有發(fā)光部7的化合物半導(dǎo)體層2。<第1電極形成工序>接著，在位于化合物半導(dǎo)體層2的與金屬基板6相反側(cè)的面加形成第1電極8a。<分離工序>
在除去了切斷的區(qū)域的半導(dǎo)體層后，利用激光以例如350μπι間隔切斷在以上的工序中形成的具備金屬基板6的結(jié)構(gòu)體，制作發(fā)光二極管1。在得到的發(fā)光二極管1中，金屬基板6僅在上表面和下表面具備金屬保護(hù)膜5，在側(cè)面不具備該保護(hù)膜。<發(fā)光二極管側(cè)面保護(hù)膜形成工序>進(jìn)而，也可以在與金屬保護(hù)膜5的形成條件同樣的條件下，對被切斷的金屬基板6 的側(cè)面和下表面進(jìn)行鍍鎳和鍍Au處理，除去樹脂保護(hù)膜，制作發(fā)光二極管。這樣得到的發(fā)光二極管，耐化學(xué)性強(qiáng)，從而優(yōu)選。實(shí)施例以下，使用實(shí)施例具體地說明本發(fā)明和本發(fā)明的效果。再者，本發(fā)明并不限定于以下的實(shí)施例。<金屬基板的制作>用厚度為30 μ m的2枚銅箔夾持厚度為25 μ m的Mo箔，進(jìn)行加熱壓接，制作了厚度為85 μ m的金屬板4。金屬板4的形狀是直徑76mm的圓形。研磨金屬板4的上表面和下表面，使上表面成為光澤面后，用有機(jī)溶劑洗滌，除去污物。金屬板4的熱膨脹系數(shù)為6. lppm/K,熱導(dǎo)率為250W/m · K。采用無電解鍍法，首先對金屬板4鍍M使得鍍M層厚度為約2 μ m,接著，進(jìn)行鍍 Au使得鍍Au層厚度為0. 5 μ m。這樣，在金屬板4的上表面、側(cè)面和下表面形成了均勻的兩層的鍍膜即金屬保護(hù)膜5?！窗l(fā)光部的形成〉準(zhǔn)備直徑為76mm、厚度為450 μ m,主面為(100)偏離15°的GaAs單晶基板20。洗滌表面后，安置在MOCVD裝置中。生長了 0. 2 μ m的GaAs緩沖層12a。其后，形成由摻雜Si的η型的 (Ala5GEta5)a5Ina5P構(gòu)成、載流子濃度為2X1018cm_3、層厚為1.5μπι的接觸層12b。接著，形成由摻雜Si的η型的(Al。. 7Ga0.3) 0.51% 5P構(gòu)成、載流子濃度為8 X IO1W, 層厚為Iym的覆蓋層11。進(jìn)一步地，得到了層厚為0.8μπι的、未摻雜的(Ala2GEia8)a5Ina5P/ (Al0. A. 3)0. Jna5P的10對的層疊結(jié)構(gòu)作為發(fā)光層10。接著，形成由摻雜了 Mg的ρ型的(Ala7Giia3)a5Ina5P構(gòu)成、載流子濃度為 2X1017cm_3、層厚為Iym的覆蓋層。其后，層疊了作為摻雜了 Mg的ρ型GaP層的、載流子濃度為3X 1018cm_3、層厚為；^ 的GaP層13。此外，在得到的ρ型GaP層13的表面形成歐姆電極Sb。進(jìn)而，作為接合層3，采用蒸鍍法形成了厚度為1.5μπι的AuGe的共晶金屬。接著，在該接合層3上重疊金屬基板6，在貼附裝置內(nèi)加熱到380°C進(jìn)行加壓而接合，制作了接合結(jié)構(gòu)體18?！窗雽?dǎo)體基板的除去〉在氨-過氧化氫的混合液中浸漬接合了的接合結(jié)構(gòu)體18，直到GaAs基板20和GaAs緩沖層1 全部溶解?！词章省翟谌芙獬チ?GaAs基板和GaAs緩沖層1 后，測定接合收率。其結(jié)果，相對于理論面積，97%為正常。在此，所謂理論面積(S)，是接合前的實(shí)效的面積，是從圓形整體的面積減去定向平面(Orientation Flat)部分和周邊的倒角(Beveling)區(qū)域的面積后的面積。在76πιπιΦ 晶片的情況下S = 43cm2。另外，接合收率意指在接合后測定的接合部分的面積(X)相對于理論面積S的比例，用接合收率=(X/S)X100(%)算出。再者，接合部的面積，可以例如在除去了接合部分后用面積計(jì)測定等來求得。(比較例)如圖4所示，與實(shí)施例的不同點(diǎn)在于金屬基板6不具備金屬保護(hù)膜5這點(diǎn)。也就是說，在本比較例中，沒有對金屬基板6實(shí)施鍍覆(沒有形成金屬保護(hù)膜幻，利用光致抗蝕劑21來保護(hù)金屬板4的與接合層3相反側(cè)的面，除去了 GaAs基板。光致抗蝕劑以2000rpm 旋涂從而涂布成為2μπι厚度后，在140°C下進(jìn)行熱處理使其固化從而形成了保護(hù)膜?！词章?gt;溶解了 GaAs基板后，測定接合收率。其結(jié)果，相對于理論面積，79%為正常。該收率降低的原因是由于周邊的金屬基板一部分溶解，由此存在不能夠接合的部分。產(chǎn)業(yè)上的利用可能性本發(fā)明的發(fā)光二極管用金屬基板耐化學(xué)性特別優(yōu)異。具備耐化學(xué)性優(yōu)異的金屬基板的本發(fā)明的發(fā)光二極管，由于散熱性優(yōu)異且能夠以高輝度發(fā)光，因此可以在各種的顯示燈、照明器具等中利用，在制造和利用它們的產(chǎn)業(yè)中有利用可能性。另外，本發(fā)明的發(fā)光二極管的制造方法，由于可以制造散熱性優(yōu)異且能夠以高輝度發(fā)光的發(fā)光二極管，因此可以在各種的顯示燈、照明器具等中利用，在制造和利用它們的產(chǎn)業(yè)中有利用可能性。附圖標(biāo)記說明1...發(fā)光二極管；2...化合物半導(dǎo)體層；3...接合層；3A...第1金屬膜； ;3B...第2金屬膜；4...金屬板；5...金屬保護(hù)膜；6...發(fā)光二極管用金屬基板；7...發(fā)光部；8a...第1電極；8b...第2電極；9...覆蓋層；10...發(fā)光層；11...覆蓋層；12a...緩沖層；12b...接觸層；13. . .GaP層；15...接合結(jié)構(gòu)體；20...半導(dǎo)體基板。
權(quán)利要求
1.一種發(fā)光二極管用金屬基板，是用于制造發(fā)光二極管的發(fā)光二極管用金屬基板，所述發(fā)光二極管具備金屬基板和通過接合層接合于所述金屬基板上的含有發(fā)光部的化合物半導(dǎo)體層，其特征在于，所述發(fā)光二極管用金屬基板具備金屬板和覆蓋該金屬板的至少上表面和下表面的金屬保護(hù)膜。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管用金屬基板，其特征在于，所述金屬保護(hù)膜還覆蓋所述金屬板的側(cè)面。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2的任一項(xiàng)所述的發(fā)光二極管用金屬基板，其特征在于，所述金屬板的熱導(dǎo)率為130W/m · K以上，并且，熱膨脹系數(shù)在所述發(fā)光部的熱膨脹系數(shù)的士 1. 5ppm/ K以內(nèi)。
4.根據(jù)權(quán)利要求1 3的任一項(xiàng)所述的發(fā)光二極管用金屬基板，其特征在于，所述金屬板含有選自銅、鉬和鎢中的至少一種。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的發(fā)光二極管用金屬基板，其特征在于，所述金屬板具備銅和鉬的疊合結(jié)構(gòu)。
6.根據(jù)權(quán)利要求1 5的任一項(xiàng)所述的發(fā)光二極管用金屬基板，其特征在于，所述金屬保護(hù)膜含有選自鎳、鉻、鉬和金中的至少一種。
7.一種發(fā)光二極管，其特征在于，是具備權(quán)利要求1 6的任一項(xiàng)所述的發(fā)光二極管用金屬基板和通過接合層接合于所述金屬基板上的含有發(fā)光部的化合物半導(dǎo)體層的發(fā)光二極管，所述發(fā)光部具備AWaInP層或AlGaAs層。
8.一種發(fā)光二極管的制造方法，其特征在于，具有在金屬板的全部面形成金屬保護(hù)膜，制作發(fā)光二極管用金屬基板的第1工序；在半導(dǎo)體基板上形成含有發(fā)光部的化合物半導(dǎo)體層的第2工序；在所述化合物半導(dǎo)體層上形成接合層的第3工序；通過所述接合層將形成有所述化合物半導(dǎo)體層的所述半導(dǎo)體基板和所述金屬基板接合的第4工序；和使用蝕刻液除去所述半導(dǎo)體基板的第5工序。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的發(fā)光二極管的制造方法，其特征在于，所述第1工序具有熱壓接多個金屬薄板來制作金屬板的工序；和通過鍍覆在所述金屬板的全部面形成金屬保護(hù)膜的工序。
全文摘要
本發(fā)明的目的在于提供一種具備優(yōu)異的耐化學(xué)特性的發(fā)光二極管接合用金屬基板、發(fā)光二極管及其制造方法，提供一種發(fā)光二極管用金屬基板，其是用于制造發(fā)光二極管的發(fā)光二極管用金屬基板，所述發(fā)光二極管具備金屬基板和通過接合層接合于所述金屬基板上的含有發(fā)光部的化合物半導(dǎo)體層，該發(fā)光二極管用金屬基板的特征在于，具備金屬板和覆蓋該金屬板的至少上表面和下表面的金屬保護(hù)膜。
文檔編號H01L33/02GK102576781SQ20108004470
公開日2012年7月11日 申請日期2010年9月30日 優(yōu)先權(quán)日2009年10月7日
發(fā)明者松村篤, 竹內(nèi)良一 申請人:昭和電工株式會社