專利名稱：基板處理裝置以及顯示元件的制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及基板處理裝置以及顯示元件的制造方法。本申請基于2009年11月26日向日本國提出的特愿2009-268789號主張優(yōu)先權(quán)，并將其內(nèi)容援引至此。
背景技術(shù)：
作為構(gòu)成顯示器裝置等顯示裝置的顯示元件，公知有例如有機電致發(fā)光(有機EL)元件。有機EL元件成為在基板上具有陽極以及陰極，并且具有夾在這些陽極與陰極之間的有機發(fā)光層的構(gòu)成。有機EL兀件形成為從陽極向有機發(fā)光層注入空穴,在有機發(fā)光層中使空穴與電子復(fù)合，通過該復(fù)合時的發(fā)光得到顯示光。有機EL元件在基板上例如形成有 與陽極以及陰極連接的電路等。作為制作有機EL元件的方法之一，公知有例如被稱作卷對卷(roll to roll)方式(以下簡記為“卷方式”)的方法(例如參照專利文獻I)。卷方式是ー邊放出卷在基板供給側(cè)的輥上的I張片材狀的基板并利用基板回收側(cè)的輥卷取被放出的基板，一邊傳送基板，從基板被放出到被卷取的期間，在處理裝置中依次在基板上形成構(gòu)成有機EL元件的發(fā)光層、陽極、陰極、電路等的方法。專利文獻I :國際公開第2006/100868號小冊子但是，在這樣的卷方式中，例如當(dāng)使用板厚小的基板時，存在難以確?；宓钠教剐赃@ー問題。因此，妨礙了發(fā)光層、電極等的形成處理、對準(zhǔn)處理等的處理精度的提高。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明所涉及的方式的目的在于，提供一種處理精度良好的基板處理裝置以及顯示元件的制造方法。本發(fā)明所涉及的方式中的基板處理裝置具備處理部，其相對基板進行規(guī)定的處理；以及基板保持部，其相對該處理部移動，并且在形成基板的被處理面的同時對基板進行保持。本發(fā)明所涉及的方式中的顯示元件的制造方法具有處理工序，對基板的被處理面進行規(guī)定的處理；基板保持エ序，ー邊利用基板保持部形成基板的被處理面ー邊保持基板；以及移動エ序，使配置于環(huán)狀的支承部件的基板保持部向基板的傳送方向移動。根據(jù)本發(fā)明的方式，能夠提供處理精度良好的基板處理裝置以及顯示元件的制造方法。


圖IA是有機EL元件的構(gòu)成圖。圖IB是圖IA中的有機EL元件的b_b剖視圖。圖IC是圖IA中的有機EL元件的c_c剖視圖。
圖2是表示基板處理裝置的構(gòu)成的圖。圖3是表示基板處理部的構(gòu)成的圖。圖4是表示液滴涂敷裝置的構(gòu)成的圖。圖5是表示傳送機構(gòu)的構(gòu)成的圖。圖6是表示傳送機構(gòu)的構(gòu)成的圖。圖7是表示傳送機構(gòu)的構(gòu)成的圖。圖8是表示傳送機構(gòu)的構(gòu)成的圖。圖9是表示傳送機構(gòu)的構(gòu)成的圖。、圖10是表示基板處理部的隔壁形成エ序的圖。圖11是表示片材基板上形成的隔壁的形狀以及配置的圖。圖12是片材基板上形成的隔壁的剖視圖。圖13A是表示液滴的涂敷動作的圖。圖13B是涂敷在隔壁間的液滴的剖視圖。圖14A是形成在隔壁間的薄膜的剖視圖。圖14B是表示形成在隔壁間的薄膜的構(gòu)成的圖。圖15是表示在片材基板上形成柵極絕緣層的エ序的圖。圖16是表示將片材基板的布線切斷的エ序的圖。圖17是表示在源極漏極形成區(qū)域形成薄膜的エ序的圖。圖18是表示形成有機半導(dǎo)體層的エ序的圖。圖19是表示對準(zhǔn)的一例的圖。圖20是表示傳送機構(gòu)的動作的圖。圖21是表示傳送機構(gòu)的變形例的圖。
具體實施例方式[第I實施方式]以下，參照附圖來說明本發(fā)明涉及的第I實施方式。(有機EL元件)圖IA是表示有機EL元件的構(gòu)成的俯視圖。圖IB是圖IA中的b_b剖視圖。圖IC是圖IA中的c-c剖視圖。如圖IA 圖IC所示，有機EL元件50是在片材基板FB上形成了柵電極G以及柵極絕緣層I，進而形成源電極S、漏電極D以及像素電極P之后，形成有機半導(dǎo)體層OS的底部接觸型。如圖IB所示，在柵電極G上形成有柵極絕緣層I。在柵極絕緣層I上形成有源極總線SBL的源電極S，并且形成有與像素電極P連接的漏電極D。在源電極S與漏電極D之間形成有有機半導(dǎo)體層OS。至此，完成了場效應(yīng)型晶體管。另外，如圖IB以及圖IC所示，在像素電極P之上形成發(fā)光層IR，在該發(fā)光層IR上形成透明電極ΙΤ0。如圖IB以及圖IC所示，例如在片材基板FB上形成有隔壁BA (圍堰層)。而且，如圖IC所示，源極總線SBL形成于隔壁BA間。這樣，通過存在隔壁BA，使得源極總線SBL高精度形成，并且像素電極P以及發(fā)光層IR也準(zhǔn)確地形成。此外，在圖IB以及圖IC中雖未圖示，但柵極總線GBL也與源極總線SBL同樣地形成于隔壁BA間。該有機EL元件50適用于例如以顯示器裝置等顯示裝置為代表的電子設(shè)備的顯示部等。該情況下，使用例如將有機EL元件50形成為面板狀的部件。在這樣的有機EL元件50的制造中，需要制成形成了薄膜晶體管(TFT)、像素電極的基板。為了在該基板上的像素電極上精度良好地形成包含發(fā)光層的I層以上有機化合物層(發(fā)光元件層)，希望在像素電極的邊界區(qū)域容易且精度良好地形成隔壁BA(圍堰層)。(基板處理裝置)圖2是表示使用具有可撓性的片材基板FB來進行處理的基板處理裝置100的構(gòu)成的概略圖?；逄幚硌b置100是使用帯狀的片材基板FB來形成圖IA 圖IC所示的有機EL元件50的裝置。如圖2所示，基板處理裝置100具有基板供給部101、基板處理部102、基板回收部103以及控制部104。片材基板FB被從基板供給部101經(jīng)過基板處理部102向基板回收部103傳送?？刂撇?04統(tǒng)ー控制基板處理裝置100的動作。在以下的說明中，設(shè)定了 XYZ正交坐標(biāo)系，參照該XYZ正交坐標(biāo)系對各部件的位置關(guān)系進行說明。將水平面內(nèi)片材基板FB的傳送方向設(shè)為X軸方向，將在水平面內(nèi)與X軸方向正交的方向設(shè)為Y軸方向，將分別與X軸方向以及Y軸方向正交的方向(即鉛垂方向)設(shè)為Z軸方向。另外，將圍繞X軸、Y軸以及Z軸的旋轉(zhuǎn)(傾斜)方向分別設(shè)為θχ、θγ、以及ΘΖ方向。作為片材基板FB，例如可以使用耐熱性的樹脂薄膜、不銹鋼等。例如，樹脂薄膜可以使用聚こ烯樹脂、聚丙烯樹脂、聚酯樹脂、こ烯-こ烯醇共聚物樹脂、聚氯こ烯樹脂、纖維素樹脂、聚酰胺樹脂、聚酰亞胺樹脂、聚碳酸酯樹脂、聚苯こ烯樹脂、こ酸こ烯酯樹脂等材料。片材基板FB的Y方向的尺寸例如被形成為Im 2m左右，X方向的尺寸例如被形成為IOm以上。當(dāng)然，該尺寸只不過是ー個例子，并不限定于此。例如，片材基板FB的Y方向的尺寸也可以是50cm以下，也可以是2m以上。另外，片材基板FB的X方向的尺寸也可以是IOm以下。其中，本實施方式中的可撓性是指例如即使向基板施加至少自重程度的規(guī)定カ也不會斷線、破損，可使該基板彎曲的性質(zhì)。另外，上述可撓性根據(jù)該基板的材質(zhì)、大小、厚度或者溫度等環(huán)境等而變化。優(yōu)選片材基板FB的熱膨脹系數(shù)小，以便即使例如受到200°C左右的熱尺寸也不變化。例如可以將無機填料混合于樹脂薄膜來減小熱膨脹系數(shù)。作為無機填料的例子，可以
舉出氧化鈦、氧化鋅、氧化鋁、氧化硅等?；骞┙o部101與設(shè)置于基板處理部102的供給側(cè)連接部102A連接?；骞┙o部101向基板處理部102供給例如卷成卷狀的片材基板FB。基板回收部103回收在基板處理部102中被處理后的片材基板FB。此外，基板供給部101不限于以卷成卷狀的狀態(tài)收納片材基板FB的構(gòu)成，例如也可以是以多重折疊的狀態(tài)收納片材基板FB的構(gòu)成。其中，該折疊的狀態(tài)也包含不帶折痕地即使對基板施加至少自重程度的規(guī)定カ也不會斷線、破損的狀態(tài)。圖3是表示基板處理部102的構(gòu)成的圖。 如圖3所示，基板處理部102具有傳送部105、元件形成部106、對準(zhǔn)部107以及基板切斷部108?；逄幚聿?02是ー邊傳送由基板供給部101供給的片材基板FB，ー邊在該片材基板FB上形成上述的有機EL元件50的各構(gòu)成要素，并且向基板回收部103送出形成了有機EL元件50后的片材基板FB的部分。元件形成部106具有隔壁形成部91、電極形成部92以及發(fā)光層形成部93。隔壁形成部91、電極形成部92以及發(fā)光層形成部93從片材基板FB的傳送方向的上游側(cè)到下游偵牝按隔壁形成部91、電極形成部92以及發(fā)光層形成部93的順序配置。下面，說明元件形成部106的各構(gòu)成。隔壁形成部91具有壓印輥110以及熱轉(zhuǎn)印輥115。隔壁形成部91對由基板供給部101送出的片材基板FB形成隔壁BA。在隔壁形成部91中，利用壓印輥110按壓片材基板FB，并且為了使按壓成的隔壁BA保持形狀，利用熱轉(zhuǎn)印輥115將片材基板FB加熱至玻璃轉(zhuǎn)化溫度以上。因此，形成在壓印輥110的輥表面上的模形狀會被轉(zhuǎn)印到片材基板FB上。片材基板FB通過熱轉(zhuǎn)印輥115例如被加熱至200°C左右。壓印輥110的輥表面被鏡面拋光，在其輥表面上安裝了由SiC、Ta等材料構(gòu)成的微 細壓印用模具111。微細壓印用模具111形成了薄膜晶體管的布線用的壓模(Stamper)以及彩色濾光片用的壓模。壓印輥110使用微細壓印用模具111對片材基板FB形成對準(zhǔn)標(biāo)記AM。為了在片材基板FB的寬度方向、即Y軸方向的兩側(cè)形成對準(zhǔn)標(biāo)記AM，微細壓印用模具111具有對準(zhǔn)標(biāo)記AM用的壓模。電極形成部92設(shè)置在隔壁形成部91的+X側(cè)，例如形成使用了有機半導(dǎo)體的薄膜晶體管。具體而言，在形成了圖IA 圖IC所示那樣的柵電極G、柵極絕緣層I、源電極S、漏電極D以及像素電極P之后，形成有機半導(dǎo)體層OS。作為薄膜晶體管(TFT)，可以是無機半導(dǎo)體系的薄膜晶體管，也可以是使用了有機半導(dǎo)體的薄膜晶體管。作為無機半導(dǎo)體的薄膜晶體管，公知有非晶硅系的薄膜晶體管，但也可以是使用了有機半導(dǎo)體的薄膜晶體管。如果使用該有機半導(dǎo)體來構(gòu)成薄膜晶體管，則能夠活用印刷技術(shù)、液滴涂敷法技術(shù)來形成薄膜晶體管。另外，在使用了有機半導(dǎo)體的薄膜晶體管中特別優(yōu)選圖IA 圖IC所示那樣的場效應(yīng)型晶體管(FET)。電極形成部92具有液滴涂敷裝置120、熱處理裝置BK、切斷裝置130等。在本實施方式中，作為液滴涂敷裝置120，可以使用例如在形成柵電極G時使用的液滴涂敷裝置120G、在形成柵極絕緣層I時使用的液滴涂敷裝置1201、在形成源電極S、漏電極D以及像素電極P時使用的液滴涂敷裝置120SD、在形成有機半導(dǎo)體OS時使用的液滴涂敷裝置1200S等。圖4是表示液滴涂敷裝置120的構(gòu)成的俯視圖。圖4中表示了從+Z側(cè)觀察液滴涂敷裝置120時的構(gòu)成。液滴涂敷裝置120沿Y軸方向較長地形成。液滴涂敷裝置120中設(shè)置有未圖示的驅(qū)動裝置。液滴涂敷裝置120通過該驅(qū)動裝置例如能夠沿X方向、Y方向以及Θ Z方向移動。在液滴涂敷裝置120中形成有多個噴嘴122。噴嘴122被設(shè)置在液滴涂敷裝置120中的與片材基板FB的對置面。噴嘴122例如沿Y軸方向排列，該噴嘴122的列(噴嘴列)例如形成有2列?？刂撇?04可以使所有噴嘴122 —并涂敷液滴，也可以對各噴嘴122分別調(diào)整涂敷液滴的時機。作為液滴涂敷裝置120，例如可以采用噴墨方式、分液方式等。作為噴墨方式，可舉出帶電控制方式、加壓振動方式、機電轉(zhuǎn)換式、熱電轉(zhuǎn)換方式、靜電吸附方式等。液滴涂敷法在材料的使用上浪費少，并且可以在希望的位置上準(zhǔn)確地配置所希望的量的材料。其中，通過液滴涂敷法涂敷的金屬墨水的一滴的量例如為I 300納克。返回到圖3，液滴涂敷裝置120G向柵極總線GBL的隔壁BA內(nèi)涂敷金屬墨水。液滴涂敷裝置1201向開關(guān)(switching)部涂敷聚酰亞胺系樹脂或者氨基甲酸こ酯系樹脂的電絕緣性墨水。液滴涂敷裝置120SD向源極總線SBL的隔壁BA內(nèi)以及像素電極P的隔壁BA內(nèi)涂敷金屬墨水。液滴涂敷裝置1200S向源電極S與漏電極D之間的開關(guān)部涂敷有機半導(dǎo)體星水。金屬墨水是粒子直徑約5nm左右的導(dǎo)電體在室溫的溶劑中穩(wěn)定分散的液體，可以使用碳、銀(Ag)或者金(Au)等作為導(dǎo)電體。形成有機半導(dǎo)體墨水的化合物可以是單晶材科，也可以是無定形材料，可以是低分子，也可以是高分子。作為形成有機半導(dǎo)體墨水的化合物中特別優(yōu)選的化合物，可以舉出以并五苯、苯并[9，10]菲、蒽等為代表的縮環(huán)系芳香 族烴化合物的單結(jié)晶或者η共軛系高分子等。熱處理裝置BK分別配置在各液滴涂敷裝置120的+X側(cè)(基板傳送方向下游側(cè))。熱處理裝置BK可以對片材基板FB放射例如熱風(fēng)、遠紅外線等。熱處理裝置BK使用這些放射熱來干燥或者燒結(jié)(烤焙)片材基板FB被涂敷的液滴而使其固化。切斷裝置130被設(shè)置在液滴涂敷裝置120SD的+X側(cè)的、液滴涂敷裝置1200S的上游側(cè)。切斷裝置130例如使用激光等來切斷由液滴涂敷裝置120SD形成的源電極S和漏電極D。切斷裝置130具有未圖示的光源、和使來自該光源的激光照射到片材基板FB上的電流計鏡(,galvanometer mirror) 131。作為激光的種類，優(yōu)選對于要進行切斷的金屬膜是可以被吸收的波長的激光，在波長變換激光中，YAG等的2、3、4倍高次諧波較好。另外，通過使用脈沖型激光器可以防止熱擴散，能減少切斷部以外的損傷。當(dāng)材料為鋁時，優(yōu)選采用760nm波長的飛秒激光器。在本實施方式中，采用了例如使用鈦藍寶石激光器作為光源的飛秒激光照射部。該飛秒激光照射部例如以IOKHz 40KHz的脈沖照射激光LL。由于本實施方式中使用飛秒激光器，所以可以進行亞微米級的加工，能夠準(zhǔn)確地切斷決定場效應(yīng)型晶體管的性能的源電極S與漏電極D的間隔。源電極S與漏電極D的間隔例如為3 μ m左右 30 μ m左右。除了上述的飛秒激光器以外，也可以使用例如ニ氧化碳激光器或者綠光激光器等。另外，除了激光器以外，也可以采用通過切割鋸等機械地進行切斷的構(gòu)成。電流計鏡131配置在激光LL的光路上。電流計鏡131使來自光源的激光LL反射到片材基板FB上。電流計鏡131被設(shè)置成例如能夠在ΘΧ方向、ΘΥ方向以及ΘΖ方向旋轉(zhuǎn)。通過電流計鏡131進行旋轉(zhuǎn)，激光LL的照射位置會發(fā)生變化。通過使用上述的隔壁形成部91以及電極形成部92雙方，即使不使用所謂的光刻エ序，也能夠活用印刷技術(shù)、液滴涂敷法技術(shù)來形成薄膜晶體管等。例如在僅使用了采用印刷技術(shù)、液滴涂敷法技術(shù)等的電極形成部92時，存在由于墨水的滲透、擴展而不能精度良好地形成薄膜晶體管等的情況。與此相対，由于通過使用隔壁形成部91來形成隔壁BA，所以可防止墨水的滲透、擴展。另外，決定薄膜晶體管的性能的源電極S與漏電極D的間隔通過激光加工或者機械加工而形成。發(fā)光層形成部93被配置在電極形成部92的+X側(cè)。發(fā)光層形成部93在形成了電極的片材基板FB上形成例如作為有機EL裝置的構(gòu)成要素的發(fā)光層IR、像素電極ITO等。發(fā)光層形成部93具有液滴涂敷裝置140以及熱處理裝置BK。由發(fā)光層形成部93形成的發(fā)光層IR含有主體化合物和磷光性化合物(也稱為磷光發(fā)光性化合物)。主體化合物是發(fā)光層中含有的化合物。磷光性化合物是觀測來自受激三重態(tài)的發(fā)光的化合物，在室溫下產(chǎn)生磷光發(fā)光。在本實施方式中，作為液滴涂敷裝置140，使用了例如形成紅色發(fā)光層的液滴涂敷裝置140Re、形成緑色發(fā)光層的液滴涂敷裝置140Gr、形成藍色發(fā)光層的液滴涂敷裝置 140B1、形成絕緣層的液滴涂敷裝置1401以及形成像素電極ITO的液滴涂敷裝置140IT等。作為液滴涂敷裝置140，與上述的液滴涂敷裝置120同樣，可以采用噴墨方式或者分液方式。例如在設(shè)置空穴傳輸層以及電子傳輸層等作為有機EL兀件50的構(gòu)成要素的情況下，另外設(shè)置形成這些層的裝置(例如液滴涂敷裝置等)。液滴涂敷裝置140Re在像素電極P上涂敷R溶液。液滴涂敷裝置140Re調(diào)整R溶液的噴出量，以使干燥后的膜厚為lOOnm。作為R溶液，例如主體材料的聚こ烯咔唑(PVK)可使用將紅色摻雜劑材料溶解于1，2-ニ氯こ烷中的溶液。液滴涂敷裝置140Gr在像素電極P上涂敷G溶液。作為G溶液，例如主體材料PVK可使用將綠色摻雜劑材料溶解于1，2-ニ氯こ烷中的溶液。 液滴涂敷裝置140B1在像素電極P上涂敷B溶液。作為B溶液，例如主體材料PVK可使用將藍色摻雜劑材料溶解于1，2-ニ氯こ烷中的溶液。液滴涂敷裝置1201向柵極總線GBL或者源極總線SBL的一部分涂敷電絕緣性墨水。作為電絕緣性墨水，例如可以使用聚酰亞胺系樹脂或者氨基甲酸こ酯系樹脂的墨水。液滴涂敷裝置120IT在紅色、綠色以及藍色發(fā)光層之上涂敷ITO(Indium TinOxide :銦錫氧化物)墨水。作為ITO墨水，可使用在氧化銦(In2O3)中添加了幾個百分點的氧化錫(SnO2)的化合物等。另外，也可以使用能夠用IDIXO(In2O3-ZnO)等非晶質(zhì)制作透明導(dǎo)電膜的材料。優(yōu)選透明導(dǎo)電膜的透過率為90%以上。熱處理裝置BK分別配置在各液滴涂敷裝置140的+X側(cè)(基板傳送方向下游側(cè))。熱處理裝置BK與電極形成部92中使用的熱處理裝置BK同樣，可以對片材基板FB放射例如熱風(fēng)、遠紅外線等。熱處理裝置BK使用這些放射熱干燥或者燒結(jié)(烤焙)片材基板FB被涂敷的液滴來使其固化。傳送部105具有配置在沿著X方向的位置的多個輥RR以及傳送機構(gòu)TR。通過輥RR旋轉(zhuǎn)，片材基板FB被沿X軸方向傳送。輥RR可以是從兩面夾持片材基板FB的橡膠輥，如果片材基板FB具有穿孔則也可以是帶棘爪的輥RR。多個輥RR中的一部分輥RR能夠向與傳送方向正交的Y軸方向移動。傳送機構(gòu)TR在X方向上被配置在元件形成部106中的與電極形成部92以及發(fā)光層形成部93對應(yīng)的位置。對準(zhǔn)部107具有沿著X方向設(shè)置的多個對準(zhǔn)相機CA(CAl CA8)。對準(zhǔn)相機CA可以在可見光照明下利用CXD或者CMOS攝像，并處理該攝像圖像來檢測對準(zhǔn)標(biāo)記AM的位置，也可以向?qū)?zhǔn)標(biāo)記AM照射激光，并接收其散射光來檢測對準(zhǔn)標(biāo)記AM的位置。對準(zhǔn)相機CAl被配置在熱轉(zhuǎn)印輥115的+X側(cè)。對準(zhǔn)相機CAl檢測由熱轉(zhuǎn)印輥115在片材基板FB上形成的對準(zhǔn)標(biāo)記AM的位置。對準(zhǔn)相機CA2 CA8分別被配置在熱處理裝置BK的+X側(cè)。對準(zhǔn)相機CA2 CA8檢測經(jīng)過了熱處理裝置BK后的片材基板FB的對準(zhǔn)標(biāo)記AM的位置。由于經(jīng)過熱轉(zhuǎn)印輥115以及熱處理裝置BK，所以片材基板FB有時向X軸方向以及Y軸方向伸縮。這樣，通過在進行熱處理的熱轉(zhuǎn)印輥115的+X側(cè)、熱處理裝置BK的+X側(cè)配置對準(zhǔn)相機CA，能夠檢測因熱變形等引起的片材基板FB的位置偏差。對準(zhǔn)相機CAl CA8的檢測結(jié)果被發(fā)送給控制部104。控制部104基于對準(zhǔn)相機CAl CA8的檢測結(jié)果來進行例如液滴涂敷裝置120、液滴涂敷裝置140的墨水的涂敷位置與時機的調(diào)整、從基板供給部101供給片材基板FB的速度或輥RR的傳送速度的調(diào)整、通過 輥RR向Y方向的移動的調(diào)整、切斷裝置130的切斷位置和時機等的調(diào)整。(傳送機構(gòu))接著，對設(shè)于上述基板處理部102的傳送機構(gòu)TR的構(gòu)成進行說明。圖5是表示傳送機構(gòu)TR的構(gòu)成的圖。上述圖3中表示的多個傳送機構(gòu)TR分別成為相同的構(gòu)成。因此，在圖5中以該多個傳送機構(gòu)TR中的與液滴涂敷裝置120對應(yīng)配置的傳送機構(gòu)TR為例來進行說明。如圖5所示,傳送機構(gòu)TR具有傳送帶機構(gòu)10、傳送帶驅(qū)動機構(gòu)20以及氣墊機構(gòu)40。傳送帶機構(gòu)10以及傳送帶驅(qū)動機構(gòu)20相對片材基板FB被配置在-Z側(cè)。另外，氣墊機構(gòu)40相對片材基板FB被配置在+Z側(cè)。傳送帶機構(gòu)10在傳送帶驅(qū)動機構(gòu)20的周圍沿著ΘΥ方向配置。傳送帶機構(gòu)10具有旋轉(zhuǎn)部11以及吸附保持板(基板保持部)12。旋轉(zhuǎn)部11通過多個支承部件13連接成環(huán)狀而構(gòu)成。具體而言，在Θ Y方向上鄰接的支承部件13彼此通過I個公共的軸部件14連結(jié)成可以轉(zhuǎn)動。該構(gòu)成沿Θ Y方向連續(xù)設(shè)置，旋轉(zhuǎn)部11形成為環(huán)狀。傳送帶機構(gòu)10被設(shè)置成能夠通過傳送帶驅(qū)動機構(gòu)20的驅(qū)動而沿Θ Y方向旋轉(zhuǎn)。吸附保持板12設(shè)置在各支承部件13的外周面上。吸附保持板12例如是形成為矩形的板狀部件。吸附保持板12具有吸附并保持片材基板FB的吸附保持面12a。吸附保持面12a設(shè)在傳送帶機構(gòu)10的外側(cè)。圖6是從+Z側(cè)觀察傳送機構(gòu)TR時的圖。如圖6所示，吸附保持板12形成為相對片材基板FB向Y方向突出。而且，如圖5以及圖6所示，傳送機構(gòu)TR在X方向通過位于中央的4個吸附保持板12 (S)保持片材基板FB。圖7以及圖8是表示I個吸附保持板12的構(gòu)成的圖。圖7是從+Z側(cè)觀察吸附保持板12時的圖，圖8是表示圖7中的k-k'剖面的構(gòu)成的圖。如圖7以及圖8所示，吸附保持板12成為保持部件15以及吸附盤16分別配置在支承板17上的構(gòu)成。保持部件15被配置在支承板17的Y方向的大致中央，以在Y方向覆蓋圖7所示的片材基板FB的被處理部分FBA的尺寸形成。因此，片材基板FB中的至少被處理部分FBA由保持部件15保持。圖7以及圖8中的保持部件15的+Z側(cè)的面成為對片材基板FB進行保持的保持面15a。保持部件15形成為該保持面15a是平坦的。因此，被保持面15a保持的片材基板FB的被處理部分FBA通過保持面15a被平坦地保持。吸附盤16相對保持部件15在Y方向的兩端側(cè)各配置I個。吸附盤16吸附片材基板FB中的從被處理部分FBA向Y方向的端緣側(cè)遠離的位置(例如片材基板FB中的被處理部分FBA以外的位置)。吸附盤16由盤支承部件17b保持，構(gòu)成為在圖7以及圖8中的+Z側(cè)的吸附面16a上形成負壓。吸附盤16通過該吸附面16a對片材基板FB真空吸附。作為ー個例子，吸附盤16的-Z側(cè)與形成在盤支承部件17b以及支承板17內(nèi)的配管16b連接，該配管16b與支承板17的外部配管17c連接。配管17c與圖9所示的泵機構(gòu)18連接，吸附面16a通過該泵機構(gòu)18形成負壓。該吸附面16a形成為與保持部件15的保持面15a之間成為共面狀態(tài)。因此，吸附保持板12的吸附保持面12a由相互形成為共面狀態(tài)的保持面15a與吸附面16a形成。片材基板FB成為在吸附保持面12a中的設(shè)在Y方向的兩端的吸附面16a上被吸附，在Y方向的中央的保持面15a上不被吸附的構(gòu)成。
盤支承部件17b被設(shè)置成可以通過Y方向用致動器17a沿Y方向移動。根據(jù)該構(gòu)成，可使吸附盤16的Y方向的位置在Y方向上移動。根據(jù)該構(gòu)成，例如假設(shè)為在2個吸附盤16上吸附了片材基板FB的狀態(tài)，通過使+Y側(cè)的吸附盤16向+Y方向移動，使-Y側(cè)的吸附盤16向-Y方向移動，能夠維持在保持面15a上的保持狀態(tài)來對片材基板FB向Y方向施加張力。圖9是表示與吸附盤16連接的泵機構(gòu)18的構(gòu)成的剖視圖。如圖9所示，泵機構(gòu)18具有固定圓筒軸30、旋轉(zhuǎn)筒(cylinder) 31以及吸引泵32。固定圓筒軸30從Y方向觀察形成為圓筒狀，以位置固定的狀態(tài)被保持。固定圓筒軸30具有凸部30a、吸引供給ロ 30b以及大氣釋放ロ 30c。凸部30a在固定圓筒軸30的外表面上的+Z側(cè)被設(shè)有2處。凸部30a遍布固定圓筒軸30的Y方向的兩端部間分別沿Y方向設(shè)置。吸弓I供給ロ 30b是在固定圓筒軸30的內(nèi)部沿Y方向形成的開ロ部，與吸引泵32連接。在吸引供給ロ 30b設(shè)置有沿圖中+Z方向形成的分支部30d。該分支部30d形成為連接在上述的2個凸部30a之間。因此，吸引泵32的吸引作用經(jīng)由吸引供給ロ 30b、分支部30d而達到2個凸部30a之間。大氣釋放ロ 30c遍布固定圓筒軸30的Y方向的兩端部間形成，并在該兩端部與大氣連接。大氣釋放ロ 30c具有分支部30e。分支部30e連接在遠離上述2個凸部30a之間的位置。旋轉(zhuǎn)筒31被設(shè)置成包圍固定圓筒軸30。旋轉(zhuǎn)筒31例如通過設(shè)置在Y方向的兩端部等的隔離物33而與固定圓筒軸30之間隔開一定的間隙配置。旋轉(zhuǎn)筒31的內(nèi)表面經(jīng)由隔離物33與固定圓筒軸30的2個凸部30a無間隙地接觸。因此，固定圓筒軸30的外表面與旋轉(zhuǎn)筒31的內(nèi)表面之間的空間成為被2個凸部30a分割成空間SI與空間S2的狀態(tài)。其中，空間SI處于被上述的吸引泵32吸引的狀態(tài)，空間S2通常處于大氣釋放的狀態(tài)。旋轉(zhuǎn)筒31沿著ΘΥ方向設(shè)置有多個開ロ部31a。各開ロ部31a分別與上述的配管16c連接。多個開ロ部31a中的與空間SI連接的開ロ部31a的內(nèi)側(cè)部分被上述的吸引泵32吸引。另外，旋轉(zhuǎn)筒31通過未圖示的旋轉(zhuǎn)機構(gòu)與傳送帶機構(gòu)10的旋轉(zhuǎn)速度對應(yīng)旋轉(zhuǎn)，所吸引的開ロ部31a隨著旋轉(zhuǎn)被切換。在本實施方式中，吸引作用作用干與支承片材基板FB的4個旋轉(zhuǎn)部11連接的開ロ部31a。另外，為了順利進行片材基板FB的收授，優(yōu)選該泵機構(gòu)18形成為在4個吸附保持板12中的最靠-θ Y側(cè)的吸附保持板12到達對片材基板FB進行保持的位置之前開始吸引，當(dāng)最靠+Y側(cè)的吸附保持板12從保持片材基板FB的位置遠離時，同時解除(大氣釋放)吸引。返回到圖5，傳送帶驅(qū)動機構(gòu)20具有基部21、傳送帶按壓部22以及傳送帶按壓致動器23?；?1相對基板處理部102的其他部分(例如底面部、底盤部等)被固定，位置不變動。傳送帶按壓部22被設(shè)置成相對基部21沿Θ Y方向配置有多個，向旋轉(zhuǎn)路徑(例如旋轉(zhuǎn)部11的旋轉(zhuǎn)路徑、旋轉(zhuǎn)的傳送帶機構(gòu)10的外周等)的外側(cè)按壓與傳送帶機構(gòu)10的各吸附保持板12對應(yīng)的旋轉(zhuǎn)部11。傳送帶機構(gòu)10被該多個傳送帶按壓部22支承。傳送帶按壓部22的前端經(jīng)由可以沿Θ Y方向旋轉(zhuǎn)的輥與傳送帶機構(gòu)10抵接。傳送帶按壓部22沿著傳送帶機構(gòu)10的旋轉(zhuǎn)方向設(shè)置有多個。多個傳送帶按壓部22按照吸附保持板12的間距配置。作為一個例子，傳送帶按壓部22在基部21的+Z側(cè)配置有4個，以對保持片材基板FB的4個吸附保持板12逐個按壓。并且，傳送帶按壓部22在基部21的+X側(cè)以及-X側(cè)各配置有4個，以使傳送帶機構(gòu)10不撓曲。多個傳送帶按壓部22中的例如配置在基部21的+Z側(cè)的4個傳送帶按壓部22分別與傳送帶按壓致動器23連接。這些傳送帶按壓部22被設(shè)置成可以通過傳送帶按壓致動器23的驅(qū)動沿圖中Z方向移動。因此，配置在基部21的+Z側(cè)的4個吸附保持板12被向+Z側(cè)按壓。此外，該4個吸附保持板12被配置在由液滴涂敷裝置120進行處理的位置以及其附近。因此，至少在液滴涂敷裝置120的處理位置，吸附保持板12被傳送帶按壓部22按壓。另外，配置在基部21的+X側(cè)以及-X側(cè)的8個傳送帶按壓部22分別相對基部21固定。其中，作為一個例子，傳送帶按壓部22可以由具有較高的剛性的部件構(gòu)成，也可以由彈簧那樣的彈性部件構(gòu)成。氣墊機構(gòu)40 (氣體層形成部)具有盤部件41、氣流調(diào)整機構(gòu)42以及配管43。盤部件41例如在液滴涂敷裝置120的上游側(cè)(+X側(cè))以及下游側(cè)(-X側(cè))各設(shè)置I個。各盤部件41分別設(shè)置有多個向-Z側(cè)噴出氣體(例如空氣、氮氣等非活性氣體等)的氣體噴出口 41a和吸引氣體的氣體吸引口 41b。氣體噴出口 41a以及氣體吸引口 41b經(jīng)由配管43分別與氣流調(diào)整機構(gòu)42連接。氣流調(diào)整機構(gòu)42調(diào)整氣體噴出口 41a的噴出量和氣體吸引口 41b的吸引量。通過利用氣流調(diào)整機構(gòu)42調(diào)整該噴出量以及吸引量，在盤部件41的-Z側(cè)沿Z方向以一定的層厚形成氣體的層(氣體層或者承受部)。此外，如圖3所示，在發(fā)光層形成部93中，傳送機構(gòu)TR被配置成跨越液滴涂敷裝置140RU40G以及140B，但并不限于該構(gòu)成，例如傳送機構(gòu)TR也可以成為相對各液滴涂敷裝置140R、140G以及140B獨立地設(shè)置的構(gòu)成，還可以成為跨越3個液滴涂敷裝置140中的2個配置的構(gòu)成。另外，在圖3的電極形成部92中，傳送機構(gòu)TR相對液滴涂敷裝置120G、120I以及120SD獨立地設(shè)置，但并不限于該構(gòu)成，例如傳送機構(gòu)TR也可以成為跨越這些液滴涂敷裝置120G、120I以及120SD被配置的構(gòu)成，還可以成為跨越3個液滴涂敷裝置120中的2個配置的構(gòu)成。(基板處理裝置的動作)接著，說明如上述那樣構(gòu)成的基板處理裝置100的動作。如圖2所不，基板處理裝直100從基板供給部101向基板處理部102供給片材基板FB，并且在基板處理部102中向該片材基板FB上不斷形成元件。如圖3所示，在基板處理部102中，通過輥RR以及傳送機構(gòu)TR來傳送片材基板FB。控制部104按照由基板供給部101供給的片材基板FB的供給速度來調(diào)整基板處理部102內(nèi)的各輥RR的旋轉(zhuǎn)速度、傳送機構(gòu)TR的傳送帶機構(gòu)10的旋轉(zhuǎn)速度等。而且，控制部104檢測輥RR是否在Y軸方向上偏移，當(dāng)偏移時使輥RR移動來修正位置。另外，控制部104通過使輥RR移動來一并進行片材基板FB的位置修正。由基板供給部101提供給基板處理部102的片材基板FB首先被傳送到隔壁形成部91。在隔壁形成部91中，片材基板FB被壓印輥110和熱轉(zhuǎn)印輥115夾持按壓，通過熱轉(zhuǎn)印在片材基板上形成隔壁BA以及對準(zhǔn)標(biāo)記AM。圖10是表示在片材基板FB上形成了隔壁BA以及對準(zhǔn)標(biāo)記AM的狀態(tài)的圖。圖11是將圖10的一部分放大表示的圖。圖12是表示沿著圖11中的D-Di剖面的構(gòu)成的圖。圖10以及圖11表示了從+Z側(cè)觀察片材基板FB時的樣子。、
如圖10所示，隔壁BA形成于片材基板FB的Y方向中央部的元件形成區(qū)域60。如圖11所示，通過形成隔壁BA，在元件形成區(qū)域60中劃分了形成柵極總線GBL以及柵電極G的區(qū)域(柵極形成區(qū)域52)和形成源極總線SBL、源電極S、漏電極D以及陽極P的區(qū)域(源極漏極形成區(qū)域53)。如圖12所示，柵極形成區(qū)域52剖視下形成為梯形形狀。雖省略了圖示，但源極漏極形成區(qū)域53也成為同樣的形狀。隔壁BA內(nèi)的寬度W(ym)成為柵極總線GBL的線寬。優(yōu)選相對于由液滴涂敷裝置120G涂敷的液滴直徑d ( μ m)，該寬度W為2倍 4倍左右的寬度。此外，對于柵極形成區(qū)域52以及源極漏極形成區(qū)域53的剖面形狀，優(yōu)選剖視下為V字形狀或者U字形狀，以使在微細壓印用模具111按壓了片材基板FB后，片材基板FB易于剝離。作為其他的形狀，例如也可以是剖視下為矩形形狀。另一方面，如圖10所示，對準(zhǔn)標(biāo)記AM在片材基板FB的Y方向兩端部的邊緣區(qū)域61中形成一對。隔壁BA以及對準(zhǔn)標(biāo)記AM由于相互位置關(guān)系較重要，所以被同時形成。如圖11所示，在Y軸方向規(guī)定了對準(zhǔn)標(biāo)記AM與柵極形成區(qū)域52之間的規(guī)定距離PY，在X軸方向規(guī)定了對準(zhǔn)標(biāo)記AM與源極漏極形成區(qū)域53之間的規(guī)定距離PX。因此，可以基于一對對準(zhǔn)標(biāo)記AM的位置來檢測片材基板FB的X軸方向的偏移、Y軸方向的偏移以及Θ旋轉(zhuǎn)。在圖10以及圖11中，對準(zhǔn)標(biāo)記AM按X軸方向的多行隔壁BA設(shè)置了一對，但不限于此，例如也可以按每I行隔壁BA設(shè)置對準(zhǔn)標(biāo)記AM。另外，若片材基板FB上有空間，則除了片材基板FB的邊緣區(qū)域61之外，也可以在元件形成區(qū)域60中設(shè)置對準(zhǔn)標(biāo)記AM。另外，在圖10以及圖11中，對準(zhǔn)標(biāo)記AM表示了十字形狀，但也可以是圓形標(biāo)記、傾斜的直線標(biāo)記等其他標(biāo)記形狀。接下來，片材基板FB通過傳送輥RR被傳送到電極形成部92。在電極形成部92中，進行基于各液滴涂敷裝置120的液滴的涂敷，在片材基板FB上形成電極?？刂撇?04在片材基板FB被傳送到傳送機構(gòu)TR之前，使傳送機構(gòu)TR的氣墊機構(gòu)40工作，并且使泵機構(gòu)18工作。通過該動作，在盤部件41的-Z側(cè)形成一定厚度的空氣層AR(參照圖20)，并且開始旋轉(zhuǎn)部11的吸附盤16的吸引動作。當(dāng)在該狀態(tài)下片材基板FB被傳送到傳送機構(gòu)TR時，片材基板FB通過吸附盤16被吸附在吸附面16a上，并且被保持在保持部件15的保持面15a上。因此，片材基板FB被吸附保持面12a保持?？刂撇?04通過根據(jù)需要使盤支承部件17b向Y方向移動，來對片材基板FB施加張カ而提高片材基板FB的平坦度?？刂撇?04在對片材基板FB施加張カ之后，如圖20所示，使傳送帶按壓部22向+Z側(cè)移動，將片材基板FB壓向形成在盤部件41的-Z側(cè)的氣體層AR。在該動作中，由于反作用，在盤部件41側(cè)也向-Z側(cè)按壓片材基板FB。這樣，通過以氣體層AR的-Z側(cè)的面ARc為基準(zhǔn)面，利用該氣體層AR與吸附保 持面12a夾持片材基板FB，可維持片材基板FB的被處理面FBc的平坦性?？刂撇?04通過維持片材基板FB的被處理面FBc的平坦性并使傳送帶機構(gòu)10旋轉(zhuǎn)，來使片材基板FB向+X方向傳送。以后，控制部104也使基板處理部102的下游側(cè)的傳送機構(gòu)TR進行同樣的動作。這樣，在維持了片材基板FB的被處理面FBc的平坦性的狀態(tài)下，控制部104開始液滴涂敷裝置120的動作。例如，首先在片材基板FB上利用液滴涂敷裝置120G形成柵極總線GBL以及柵電極G。圖13A以及圖13B是表示由液滴涂敷裝置120G進行液滴涂敷的片材基板FB的樣子的圖。如圖13A所示，液滴涂敷裝置120G向形成了隔壁BA的片材基板FB的柵極形成區(qū)域52例如以I 9的順序涂敷金屬墨水。該順序例如是以金屬墨水彼此的張カ被涂敷成直線狀的順序。圖13B是表示例如涂敷了 I滴金屬墨水后的狀態(tài)的圖。如圖13B所示，由于設(shè)置了隔壁BA，所以涂敷于柵極形成區(qū)域52的金屬墨水不擴散地被保持。這樣，液滴涂敷裝置120G向柵極形成區(qū)域52的整體涂敷金屬墨水。在向柵極形成區(qū)域52涂敷了金屬墨水后，按照涂敷了該金屬墨水的部分位于熱處理裝置BK的-Z側(cè)的方式傳送片材基板FB。熱處理裝置BK對涂敷在片材基板FB上的金屬墨水進行熱處理，來使該金屬墨水干燥。圖14A是表示使金屬墨水干燥后的柵極形成區(qū)域52的狀態(tài)的圖。如圖14A所示，通過使金屬墨水干燥，金屬墨水中包含的導(dǎo)電體層疊成薄膜狀。這樣的薄膜狀的導(dǎo)電體形成于柵極形成區(qū)域52的整體，如圖14B所示，在片材基板FB上形成柵極總線GBL以及柵電極G。接著，片材基板FB被傳送到液滴涂敷裝置1201的-Z側(cè)。在液滴涂敷裝置1201中，向片材基板FB涂敷電絕緣性墨水。在液滴涂敷裝置1201中，例如如圖15所示，通過源極漏極形成區(qū)域53的柵極總線GBL上以及柵電極G上被涂敷電絕緣性墨水。在被涂敷了電絕緣性墨水之后，片材基板FB被傳送到熱處理裝置BK的-Z側(cè)，由熱處理裝置BK對該電絕緣性墨水實施熱處理。電絕緣性墨水通過該熱處理而干燥，形成柵極絕緣層I。圖15中表示了柵極絕緣層I按照跨在隔壁BA上的方式形成為圓形形狀的狀態(tài)，但不需要一定跨越隔壁BA來形成。在形成了柵極絕緣層I之后，片材基板FB被傳送到液滴涂敷裝置120SD的-Z側(cè)。在液滴涂敷裝置120SD中，向片材基板FB的源極漏極形成區(qū)域53涂敷金屬墨水。對源極漏極形成區(qū)域53中的跨過柵極絕緣層I的部分，例如以圖16所示的I 9的順序噴出金
屬星水。在被噴出了金屬墨水之后，片材基板FB被傳送到熱處理裝置BK的-Z側(cè)，進行金屬墨水的干燥處理。在該干燥處理之后，金屬墨水所含的導(dǎo)電體被層疊成薄膜狀，形成源極總線SBL、源電極S、漏電極D以及陽極P。但在該階段中，源電極S與漏電極D之間處于連接的狀態(tài)。接著，片材基板FB被傳送到切斷裝置130的-Z側(cè)。在切斷裝置130中，片材基板FB的源電極S與漏電極D之間被切斷。圖17是表示利用切斷裝置130將源電極S與漏電極D的間隔切斷后的狀態(tài)的圖。在切斷裝置130中，ー邊使用電流計鏡131來調(diào)整激光LL向片材基板FB的照射位置，一邊進行切斷。在源電極S與漏電極D之間被切斷后，片材基板FB被傳送到液滴涂敷裝置OS的-Z偵U。在液滴涂敷裝置OS中，在片材基板FB上形成有機半導(dǎo)體層OS。按照跨過源電極S以及漏電極D的方式向片材基板FB上的與柵電極G重疊的區(qū)域噴出有機半導(dǎo)體墨水。在被噴出有機半導(dǎo)體墨水之后，片材基板FB被傳送到熱處理裝置BK的-Z側(cè)，進行有機半導(dǎo)體墨水的干燥處理。在該干燥處理后，有機半導(dǎo)體 墨水中所含的半導(dǎo)體層疊成薄膜狀，如圖18所示，形成有機半導(dǎo)體OS。通過以上的エ序，在片材基板FB上形成場效應(yīng)型晶體管以及連接布線。接下來，片材基板FB被傳送輥RR傳送到發(fā)光層形成部93 (參照圖3)。在發(fā)光層形成部93中，利用液滴涂敷裝置140Re、液滴涂敷裝置140Gr、液滴涂敷裝置140B1以及熱處理裝置BK分別形成紅色、緑色、藍色的發(fā)光層IR。由于在片材基板FB上形成有隔壁BA，所以即使在不利用熱處理裝置BK對紅色、緑色以及藍色的發(fā)光層IR進行熱處理而持續(xù)進行涂敷的情況下，溶液也不會向鄰接的像素區(qū)域溢出而發(fā)生混色。 在形成了發(fā)光層IR之后，片材基板FB經(jīng)過液滴涂敷裝置1401以及熱處理裝置BK形成絕緣層I，經(jīng)過液滴涂敷裝置140IT以及熱處理裝置BK形成透明電極IT。經(jīng)過這樣的エ序，在片材基板FB上形成圖IA 圖IC所示的有機EL元件50。在元件形成動作中，為了在如上述那樣ー邊傳送片材基板FB、ー邊形成有機EL元件50的過程中，防止片材基板FB向X方向、Y方向以及Θ Z方向偏移，進行了對準(zhǔn)動作。以下，參照圖19來說明對準(zhǔn)動作。在對準(zhǔn)動作中，設(shè)于各部的多個對準(zhǔn)相機CA(CAl CA8)檢測適當(dāng)形成在片材基板FB上的對準(zhǔn)標(biāo)記AM，并向控制部104發(fā)送檢測結(jié)果?？刂撇?04基于發(fā)送來的檢測結(jié)果來進行對準(zhǔn)動作。例如，控制部104基于對準(zhǔn)相機CA(CAl CA8)檢測出的對準(zhǔn)標(biāo)記AM的攝像間隔等來檢測片材基板FB的傳送速度，判斷輥RR是否例如以規(guī)定速度旋轉(zhuǎn)。當(dāng)判斷為輥RR未以規(guī)定速度旋轉(zhuǎn)時，控制部104發(fā)出輥RR的旋轉(zhuǎn)速度的調(diào)整指令來施加反饋。另外，例如控制部104基于對準(zhǔn)標(biāo)記AM的攝像結(jié)果，檢測對準(zhǔn)標(biāo)記AM的Y軸方向的位置是否偏移，并檢測片材基板FB是否存在Y軸方向的位置偏移。當(dāng)檢測到位置偏移吋，控制部104檢測在使片材基板FB傳送的狀態(tài)下位置偏移持續(xù)了怎樣程度的時間。若位置偏移的時間為短時間，則通過切換液滴涂敷裝置120的多個噴嘴122中的涂敷液滴的噴嘴122來應(yīng)對。若片材基板FB的Y軸方向的偏移持續(xù)了較長時間，則通過輥RR的移動來進行片材基板FB的Y軸方向的位置修正。另外，例如控制部104基于對準(zhǔn)相機CA檢測出的對準(zhǔn)標(biāo)記AM的X軸以及Y軸方向的位置，來檢測片材基板FB是否向ΘΖ方向偏移。當(dāng)檢測到位置偏移時，控制部104與檢測出Y軸方向的位置偏移時同樣，檢測在傳送片材基板FB的狀態(tài)下位置偏移持續(xù)了怎樣程度的時間。若位置偏移的時間為短時間，則通過切換液滴涂敷裝置120的多個噴嘴122中的涂敷液滴的噴嘴122來應(yīng)對。若偏移持續(xù)了較長時間，則使夾著檢測到該偏移的對準(zhǔn)相機CA的位置上設(shè)置的2個輥RR向X方向或者Y方向移動，來進行片材基板FB的Θ Z方向的位置修正。此外，在本實施方式中，當(dāng)控制部104控制氣墊機構(gòu)40時，優(yōu)選例如將氣體層AR控制成均勻厚度的層，并且根據(jù)對準(zhǔn)動作、電極形成動作、發(fā)光層形成動作、片材基板FB的切斷動作等上述實施方式中的基板處理部102的處理，來控制層厚、氣體層AR的形成范圍、由盤部件41供給的氣體的供給速度或者供給量等。綜上所述，本實施方式中的基板處理裝置100具備液滴涂敷裝置120以及140，其對片材基板FB進行規(guī)定的處理；以及吸附保持板12，其相對該液滴涂敷裝置120以及140移動，并且ー邊形成片材基板FB的被處理面FBc，ー邊保持該片材基板FB。另外，根據(jù) 本實施方式的基板處理裝置100，能夠ー邊確保片材基板FB的被處理面FBc的平坦性，ー邊對片材基板FB進行處理。由此，可以提供對具有可撓性的基板能夠形成高精度的圖案的基板處理裝置100。本發(fā)明的技術(shù)范圍不限于上述實施方式，能夠在不脫離本發(fā)明主g的范圍內(nèi)施以適當(dāng)變更。例如，在上述實施方式中，構(gòu)成為相對于基板處理裝置100的底面部，使傳送機構(gòu)TR以傳送方向(X方向)為長邊方向，以傳送方向的垂直方向(Z方向)為短邊方向,但不限于此，也可以如圖21所示，構(gòu)成為以Z方向為長邊方向。該情況下，片材基板FB沿著Z方向傳送，針對該片材基板FB的處理在X方向上或者Y方向上進行。另外，在上述實施方式中，采用了僅使用傳送機構(gòu)TR中的基部21的+Z側(cè)的吸附保持板12來進行傳送以及被處理面FBc的形成的構(gòu)成，但不限于此，也可以如圖21所示，是使用基部21的-Z側(cè)的吸附保持板12來進行傳送以及被處理面FBc的形成的構(gòu)成。該情況下，例如電極形成部92的液滴涂敷裝置120使用基部21的+Z側(cè)的吸附保持板12對片材基板FB進行上述的處理，發(fā)光層形成部93的液滴涂敷裝置140使用基部21的-Z側(cè)的吸附保持板12對片材基板FB進行上述的處理。由此，基板處理裝置100的裝置自身的大小變小，配置基板處理裝置100的空間被省空間化。另外，在上述實施方式中，傳送機構(gòu)TR僅設(shè)置在與液滴涂敷裝置120、140對應(yīng)的位置，但傳送機構(gòu)TR也可以配置在其他的位置。附圖標(biāo)記說明FB...片材基板；TR...傳送機構(gòu)；FBA...被處理部分；S1...空間；S2...空間；10...傳送帶機構(gòu)；12...吸附保持板；12a...吸附保持面；13...支承部件；14· · ·軸部件；15· · ·保持部件；16· · ·吸附盤；16a...吸附面；17· · ·支承板；17a. . . Y方向用致動器；18...泵機構(gòu)；20...傳送帶驅(qū)動機構(gòu)；22...傳送帶按壓部；23...傳送帶按壓致動器；30...固定圓筒軸；31...旋轉(zhuǎn)筒；40...氣墊機構(gòu)；41...盤部件；43...配管；100. · ·基板處理裝置；104. · ·控制部；105. · ·傳送部。
權(quán)利要求
1.一種基板處理裝置，其特征在于，具備 處理部，其對基板進行規(guī)定的處理；和 基板保持部，其相對所述處理部移動，并且一邊形成所述基板的被處理面，一邊保持所述基板。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的基板處理裝置，其特征在于， 所述基板保持部設(shè)置有多個。
3.根據(jù)權(quán)利要求I或2所述的基板處理裝置，其特征在于， 所述基板保持部具有使所述被處理面平坦的保持面。
4.根據(jù)權(quán)利要求I 3中任意一項所述的基板處理裝置，其特征在于， 所述基板保持部被配置于閉合狀的支承部件。
5.根據(jù)權(quán)利要求I 4中任意一項所述的基板處理裝置，其特征在于， 所述基板保持部在所述處理部進行處理的位置保持所述基板。
6.根據(jù)權(quán)利要求I 5中任意一項所述的基板處理裝置，其特征在于， 還具備將所述基板保持部向所述處理部側(cè)按壓的按壓機構(gòu)。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的基板處理裝置，其特征在于， 還具備承受被所述按壓機構(gòu)按壓的所述基板保持部的承受部。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的基板處理裝置，其特征在于， 還具備在與所述基板保持部之間形成氣體層的氣體層形成部， 所述氣體層作為所述承受部被使用。
9.根據(jù)權(quán)利要求7或8所述的基板處理裝置，其特征在于， 使用所述基板保持部與所述承受部來形成作為所述被處理面的基準(zhǔn)的基準(zhǔn)面。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的基板處理裝置，其特征在于， 所述氣體層形成部被設(shè)置成在所述基板保持部的移動方向夾著所述處理部。
11.根據(jù)權(quán)利要求I 10中任意一項所述的基板處理裝置，其特征在于， 還具備驅(qū)動所述基板保持部的驅(qū)動部。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的基板處理裝置，其特征在于， 還具備傳送所述基板的基板傳送部， 所述驅(qū)動部根據(jù)所述基板的傳送速度來驅(qū)動所述基板保持部。
13.根據(jù)權(quán)利要求I 12中任意一項所述的基板處理裝置，其特征在于， 所述基板保持部具有吸附所述基板的吸附部。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的基板處理裝置，其特征在于， 所述吸附部具有切換所述基板的吸附狀態(tài)的切換機構(gòu)。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的基板處理裝置，其特征在于， 所述切換機構(gòu)根據(jù)所述基板保持部的位置來切換所述吸附狀態(tài)。
16.根據(jù)權(quán)利要求13 15中任意一項所述的基板處理裝置，其特征在于， 所述吸附部與所述基板的邊緣部對應(yīng)配置。
17.根據(jù)權(quán)利要求13 16中任意一項所述的基板處理裝置，其特征在于， 所述基板保持部具有移動所述吸附部的移動機構(gòu)。
18.—種顯示元件的制造方法，其特征在于，具有處理工序，對基板的被處理面進行規(guī)定的處理； 基板保持工序，通過基板保持部形成所述基板的被處理面，并保持所述基板；和 移動工序，使配置于環(huán)狀的支承部件的所述基板保持部向所述基板的傳送方向移動。
19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的顯示元件的制造方法，其特征在于， 具有在所述基板上形成作為所述被處理面的基準(zhǔn)的基準(zhǔn)面的形成工序。
20.根據(jù)權(quán)利要求19所述的顯示元件的制造方法，其特征在于， 所述形成工序包括向所述基板供給氣體，在所述基板上形成氣體層的處理。
21.根據(jù)權(quán)利要求20所述的顯示元件的制造方法，其特征在于， 所述形成工序包括根據(jù)所述規(guī)定的處理來控制所述氣體層的處理。
22.根據(jù)權(quán)利要求18 21中任意一項所述的顯示元件的制造方法，其特征在于， 具有將所述基板保持部向所述基板側(cè)按壓的按壓工序。
23.根據(jù)權(quán)利要求18 22中任意一項所述的顯示元件的制造方法，其特征在于， 所述基板保持工序包括使所述基板保持部吸附所述基板，根據(jù)所述基板保持部的位置來切換所述基板的吸附狀態(tài)的處理。
24.根據(jù)權(quán)利要求18 23中任意一項所述的顯示元件的制造方法，其特征在于， 具有向所述傳送方向傳送具有可撓性的所述基板的傳送工序。
全文摘要
基板處理裝置具備處理部，其對基板進行規(guī)定的處理；和基板保持部，其相對處理部移動，并且在形成基板的被處理面的同時對基板進行保持。
文檔編號H01L21/677GK102666323SQ201080048800
公開日2012年9月12日 申請日期2010年11月26日 優(yōu)先權(quán)日2009年11月26日
發(fā)明者奈良圭, 宮地章, 木內(nèi)徹 申請人:株式會社尼康