專利名稱：引導(dǎo)部件、基板、基板筒、基板處理裝置、引導(dǎo)部件連接方法、顯示元件的制造方法及顯示 ...的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及引導(dǎo)部件、基板、基板筒、基板處理裝置、引導(dǎo)部件連接方法、顯示元件的制造方法以及顯示元件的制造裝置。本申請基于2009年11月19日提出的特愿2009-263752號主張優(yōu)先權(quán)，將其內(nèi)容援引至此。
背景技術(shù)：
作為構(gòu)成顯示器裝置等顯示裝置的顯示元件，公知有例如有機電致發(fā)光(有機EL)元件。有機EL元件成為在基板上具有陽極以及陰極，并且具有夾在這些陽極與陰極之間的有機發(fā)光層的構(gòu)成。有機EL元件形成為從陽極向有機發(fā)光層注入空穴，在有機發(fā)光層中使空穴與電子復(fù)合，通過該復(fù)合時的發(fā)光得到顯示光。有機EL元件在基板上例如形成有與陽極以及陰極連接的電路等。作為制作有機EL元件的方法之一，公知有例如被稱作卷對卷(roll to roll)方式(以下簡記為“卷方式”)的方法(例如參照專利文獻1)。卷方式是一邊放出卷在基板供給側(cè)的輥上的1張片材狀的基板并利用基板回收側(cè)的輥卷取被放出的基板，一邊傳送基板，從基板被放出到被卷取的期間，依次在基板上形成構(gòu)成有機EL元件的發(fā)光層、陽極、陰極、電路等的方法。在專利文獻1所記載的構(gòu)成中，成為例如基板放出用輥以及基板卷取用輥可以相對制造線拆卸的構(gòu)成。拆下的輥例如可以被傳送到其他的制造線，并安裝于其他的制造線而使用。該構(gòu)成中，在輥與制造線之間進行基板的收授，而且制造線內(nèi)的基板的收授頻繁地進行。專利文獻1 國際公開第2006/100868號小冊子但是，在上述構(gòu)成中，沒有進行例如輥與制造線間的傳送、制造線內(nèi)的輥間的傳送等的應(yīng)對措施，從基板的傳送精度的觀點出發(fā)有可能產(chǎn)生問題。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明方式的目的在于，使基板的傳送精度提高。本發(fā)明的第1方式提供一種引導(dǎo)部件，該引導(dǎo)部件具備連接部，其與基板連接；以及位置基準部，其被用于至少上述基板與上述連接部之間的對位。本發(fā)明的第2方式提供一種基板，該基板具備被向規(guī)定方向傳送的基板主體和與該基板主體的端部連接的引導(dǎo)部，使用本發(fā)明的引導(dǎo)部件作為該引導(dǎo)部。本發(fā)明的第3方式提供一種基板筒，該基板筒具備收納基板的筒主體，作為基板，收納本發(fā)明的基板。本發(fā)明的第4方式提供一種基板處理裝置，該基板處理裝置具備處理基板的基板處理部、向該基板處理部搬入基板的基板搬入部和從該基板處理部搬出基板的基板搬出部，使用本發(fā)明的基板筒作為基板搬入部以及基板搬出部中的至少一方。本發(fā)明的第5方式提供一種引導(dǎo)部件連接方法，該引導(dǎo)部件連接方法用于使引導(dǎo)部件與基板連接，包括使基板與引導(dǎo)部件的位置對準的對位工序、和在該對位工序之后將基板與引導(dǎo)部件連接的連接工序。本發(fā)明的第6方式提供一種顯示元件的制造方法，該顯示元件的制造方法包括在基板處理部中處理基板的工序、和使用本發(fā)明的引導(dǎo)部件向該基板處理部供給該基板的工序。本發(fā)明的第7方式提供一種顯示元件的制造裝置，該顯示元件的制造裝置具備傳送單元，其傳送與基板連接的本發(fā)明的引導(dǎo)部件；以及基板處理部，其對該基板進行處理。根據(jù)本發(fā)明的方式，能夠使基板的傳送精度提高。


圖1是表示本發(fā)明的實施方式涉及的引導(dǎo)部件的構(gòu)成的俯視圖。圖2是表示本實施方式涉及的引導(dǎo)部件的構(gòu)成的剖視圖。圖3是表示本實施方式涉及的基板筒的構(gòu)成的立體圖。圖4是表示本實施方式涉及的基板筒的構(gòu)成的剖視圖。圖5A是表示本實施方式涉及的基板筒的一部分構(gòu)成的立體圖。圖5B是表示本實施方式涉及的基板筒的一部分構(gòu)成的剖視圖。圖6A是由本實施方式涉及的基板處理裝置形成的有機EL元件的構(gòu)成圖。圖6B是由本實施方式涉及的基板處理裝置形成的有機EL元件的構(gòu)成圖。圖6C是由本實施方式涉及的基板處理裝置形成的有機EL元件的構(gòu)成圖。圖7是表示本實施方式涉及的基板處理裝置的構(gòu)成的圖。圖8是表示本實施方式涉及的基板處理部的構(gòu)成的圖。圖9是表示本實施方式涉及的液滴涂敷裝置的構(gòu)成的圖。圖10是表示本實施方式涉及的薄膜基板FB的制造過程的圖。圖IlA是表示本實施方式涉及的基板筒的收納動作的圖。圖IlB是表示本實施方式涉及的基板筒的收納動作的圖。圖12是表示本實施方式涉及的基板筒的連接動作的圖。圖13是表示本實施方式涉及的基板筒的連接動作的圖。圖14是表示本實施方式涉及的基板處理部的隔壁形成工序的圖。圖15是表示在本實施方式涉及的薄膜基板(片材基板)上形成的隔壁的形狀以及配置的圖。圖16是表示在本實施方式涉及的薄膜基板(片材基板)上形成的隔壁的剖視圖。圖17A是表示本實施方式涉及的液滴的涂敷動作的圖。圖17B是表示本實施方式涉及的液滴的涂敷動作的圖。圖18A是表示本實施方式涉及的在隔壁間形成的薄膜的構(gòu)成的圖。圖18B是表示本實施方式涉及的在隔壁間形成的薄膜的構(gòu)成的圖。圖19是表示在本實施方式涉及的薄膜基板(片材基板)上形成柵極絕緣層的工序的圖。圖20是表示將本實施方式涉及的薄膜基板(片材基板)的布線切斷的工序的圖。圖21是表示本實施方式涉及的在源極漏極形成區(qū)域中形成薄膜的工序的圖。圖22是表示本實施方式涉及的形成有機半導(dǎo)體層的工序的圖。圖23是表示本實施方式涉及的對準的一例的圖。圖M是表示本實施方式涉及的基板筒的拆卸動作的圖。圖25是表示本實施方式涉及的基板處理裝置的其他構(gòu)成的圖。圖沈是表示本實施方式涉及的基板處理裝置的其他構(gòu)成的圖。圖27是表示本實施方式涉及的基板處理裝置的其他構(gòu)成的圖。圖觀是表示本實施方式涉及的基板處理裝置的其他構(gòu)成的圖。圖四是表示本實施方式涉及的薄膜基板的其他構(gòu)成的圖。
具體實施例方式[第1實施方式]以下，參照附圖來說明本發(fā)明的第1實施方式。(薄膜基板、引導(dǎo)部件)圖1是表示薄膜基板FB的構(gòu)成的俯視圖。圖1是表示薄膜基板FB的俯視構(gòu)成的圖，圖2是表示薄膜基板FB的剖視構(gòu)成的圖。如圖1以及圖2所示，薄膜基板(基板)FB成為具有引導(dǎo)部件(包頭部件)LDR以及薄膜(基板主體)F，且引導(dǎo)部件LDR與薄膜F被粘貼而連接的構(gòu)成。引導(dǎo)部件LDR是俯視下形成為大致矩形的片材狀部件。作為構(gòu)成引導(dǎo)部件LDR的材料，例如可以舉出不銹鋼、塑料等。在引導(dǎo)部件LDR的沿著一邊(圖中左側(cè)的邊)200a的區(qū)域形成有階梯部201。階梯部201形成在引導(dǎo)部件LDR的例如一面(圖2的下面)200b上。引導(dǎo)部件LDR中的形成了階梯部201的部分比其他部分薄。薄膜基板FB成為引導(dǎo)部件LDR的階梯部201例如通過熱熔敷或者借助粘合劑被粘貼在薄膜F的端部1 的構(gòu)成。這樣，引導(dǎo)部件LDR的階梯部201作為與具有可撓性的薄膜F連接的連接部而使用。引導(dǎo)部件LDR被粘貼成在邊200a的延伸方向從薄膜F稍微突出。因此，在邊200a的延伸方向，薄膜F的端部的整體被引導(dǎo)部件LDR覆蓋。在本實施方式中，作為引導(dǎo)部件LDR的連接對象的薄膜F，例如可以舉出具有可撓性并被卷成卷狀而使用的帶狀薄膜等。作為這樣的薄膜的構(gòu)成材料，例如可以使用耐熱性的樹脂薄膜、不銹鋼等。例如樹脂薄膜可以使用聚乙烯樹脂、聚丙烯樹脂、聚酯樹脂、乙烯-乙烯醇共聚物樹脂、聚氯乙烯樹脂、纖維素樹脂、聚酰胺樹脂、聚酰亞胺樹脂、聚碳酸酯樹脂、聚苯乙烯樹脂、乙酸乙烯酯樹脂等材料。薄膜F的短邊方向(圖1的上下方向)的尺寸被形成為例如Im an左右，長邊方向(圖1的左右方向)的尺寸被形成為例如IOm以上。在圖1以及圖2中，表示了引導(dǎo)部件LDR與薄膜F的長邊方向的一端連接的構(gòu)成，本實施方式中，實際上成為引導(dǎo)部件LDR分別與薄膜F的長邊方向的兩端連接的構(gòu)成。此外，上述的尺寸只不過是一個例子，并不限于此。例如薄膜基板(片材基板)FB的Y方向的尺寸也可以為50cm以下，還可以為an以上。另外，薄膜基板(片材基板)FB的X方向的尺寸也可以為IOm以下。另外，本實施方式中的可撓性是指例如即使向基板施加至少自重程度的規(guī)定的力也不會斷線、破損，可以使該基板彎曲的性質(zhì)。上述可撓性根據(jù)該基板的材質(zhì)、大小、厚度或者溫度等環(huán)境等而變化。優(yōu)選薄膜F的熱膨脹系數(shù)小，以便例如受到200°C左右的熱量，尺寸也不變化。例如可以將無機填料混合于樹脂薄膜來減小熱膨脹系數(shù)。作為無機填料的例子，可以舉出氧化鈦、氧化鋅、氧化鋁、氧化硅等。本實施方式涉及的引導(dǎo)部件LDR被形成為比薄膜F的剛性高。作為這樣的構(gòu)成的具體例，例如可以舉出使引導(dǎo)部件LDR的厚度形成得比薄膜F的厚度厚的構(gòu)成、使用比薄膜F的構(gòu)成材料剛性高的材料作為引導(dǎo)部件LDR的構(gòu)成材料的構(gòu)成等。在本實施方式中，如圖2所示，引導(dǎo)部件LDR的厚度tl形成得比薄膜F的厚度t2厚。通過使引導(dǎo)部件LDR的剛性比薄膜F的剛性高，例如薄膜F的端部!^被支承。由此，在傳送薄膜F、進行卷取或放出薄膜F時等對薄膜F進行處理的情況下，薄膜F的端部Fa受到保護而能防止彎折、變形等。如圖2所示，在將薄膜F粘貼到階梯部201的狀態(tài)下，例如薄膜F的圖中下面(面Fe)與引導(dǎo)部件LDR的圖中下面(面200b)幾乎成為共面狀態(tài)。為了得到這樣的構(gòu)成，例如只要預(yù)先求出薄膜F的厚度(在使用了粘合劑的情況下還包括粘合劑的厚度)t2，并按照該厚度t2與階梯部201的高度相等的方式形成該階梯部201即可。在如本實施方式那樣引導(dǎo)部件LDR與薄膜F幾乎為共面狀態(tài)的構(gòu)成中，例如當(dāng)在平坦的臺上載置薄膜基板FB時，能夠?qū)崿F(xiàn)無間隙的載置。如圖1所示，在引導(dǎo)部件LDR中的階梯部201的附近，設(shè)置有成為與薄膜F之間進行對位的基準的位置基準部202。在本實施方式中，該位置基準部202例如形成為矩形的標記(圖中是3根線)。位置基準部202例如在引導(dǎo)部件LDR中的對置的邊200c以及邊200d的邊緣部分各設(shè)置1個。相對該位置基準部202，在薄膜F上形成有薄膜側(cè)位置基準部Fd。薄膜側(cè)位置基準部Fd例如形成為與位置基準部202相同的標記(3根線的標記)。薄膜側(cè)位置基準部Fd例如在薄膜F的短邊方向的兩端各設(shè)置1個。2個薄膜側(cè)位置基準部Fd間的該短邊方向的距離與同一方向上的2個位置基準部202間的距離相等。在本實施方式中，通過將設(shè)于引導(dǎo)部件LDR的位置基準部202的位置與設(shè)于薄膜F的薄膜側(cè)位置基準部Fd的位置對其，在引導(dǎo)部件LDR與薄膜F之間進行對位。因此，可以高精度地進行引導(dǎo)部件LDR與薄膜F之間的對位。在引導(dǎo)部件LDR中的例如俯視下遠離階梯部201的位置設(shè)置有多個開口部203。多個開口部203被配置在與形成了階梯部201的邊200a的延伸方向相同的方向。多個開口部203例如隔開一定的間隔配置。在各開口部203中插入并掛上例如對引導(dǎo)部件LDR進行保持的傳送部件等的一部分。因此，能夠容易地傳送引導(dǎo)部件LDR。此外，作為便于傳送引導(dǎo)部件LDR的構(gòu)成，并不限于多個開口部203，也可以是僅設(shè)置1個開口部203的構(gòu)成。另外，作為開口部203的形狀，不限于圖1所示那樣的矩形，也可以是圓形、三角形、多邊形等其他形狀。另外，也可以將開口部203作為上述的位置基準部202而使用。另外，不限于在引導(dǎo)部件LDR上設(shè)置開口部203的構(gòu)成，例如也可以是設(shè)置了不貫通引導(dǎo)部件LDR的表里那樣的凹部的構(gòu)成。在形成了凹部的情況下，也成為能夠掛住傳送部件等的一部分的構(gòu)成。另外，也可以是在引導(dǎo)部件LDR中的除了形成階梯部201的邊200a之外的邊上形成切口部的構(gòu)成。該情況下，成為可以在該切口部中掛住傳送部件等的一部分的構(gòu)成。在引導(dǎo)部件LDR中的例如位置基準部202與開口部203之間的區(qū)域，設(shè)置有信息保持部204。信息保持部204中例如形成有圖1所示那樣的一維條形碼圖案等。條形碼圖案是能夠通過例如外部的條形碼檢測裝置等檢測出的圖案。作為條形碼圖案中包含的信息，例如可以舉出引導(dǎo)部件LDR的ID、或者與引導(dǎo)部件LDR的連接對象的薄膜F相關(guān)的信息(例如對薄膜F的加工信息、薄膜F的長度、薄膜F的材質(zhì)等規(guī)格值等)等。在本實施方式中，例如將信息保持部204設(shè)置在引導(dǎo)部件LDR中的對置的邊200c以及邊200d各自的邊緣部分，但并不限于此，例如也可以是在引導(dǎo)部件LDR的其他位置(例如中央部等)形成了信息保持部204的構(gòu)成。另外，信息保持部204不限于具有圖1所示那樣的一維條形碼圖案的構(gòu)成，例如也可以是具有二維條形碼圖案的構(gòu)成，還可以是嵌入了 IC標簽等的構(gòu)成、形成了存儲元件的圖案的構(gòu)成。另外，不限于信息保持部204被設(shè)置在2個位置的構(gòu)成，例如也可以是信息保持部204被設(shè)置在1個位置或者3個位置以上的構(gòu)成。(基板筒)接下來，對收納上述薄膜基板FB的基板筒的構(gòu)成進行說明。在以下的說明中，為了便于說明，設(shè)定了 XYZ正交坐標系，參照該XYZ正交坐標系來對各部件的位置關(guān)系進行說明。圖3是表示本實施方式涉及的基板筒1的構(gòu)成的立體圖。圖4是表示沿著圖3中的A-A’截面的構(gòu)成的圖。如圖3以及圖4所示，基板筒1具有筒主體2以及裝配部3。筒主體2是收納薄膜基板FB的部分。如圖4所示，筒主體2具有收納部20、基板傳送部(傳送機構(gòu))21、基板引導(dǎo)部22、第2基板傳送部36以及第2基板引導(dǎo)部37。而且，上述的裝配部3被設(shè)置于筒主體2。另外，例如筒主體2為鋁制或者硬鋁制等。如圖3以及圖4所示，收納部20是收納薄膜基板FB的部分。收納部20形成為圓筒狀，以便能夠收納例如被卷成卷狀的薄膜基板FB，并且被設(shè)置成一部分向+X側(cè)突出(突出部23)。在本實施方式中，以沿圖中Y方向延伸的狀態(tài)配置。收納部20具有蓋部25以及基板驅(qū)動機構(gòu)24。蓋部25被設(shè)置在收納部20的+Y側(cè)端部或者-Y側(cè)端部。蓋部25被設(shè)置成可以相對收納部20裝卸。通過使蓋部25相對收納部20裝卸，可以直接進入收納部20的內(nèi)部。作為蓋部25的開閉機構(gòu)，例如可以是在蓋部25以及收納部20上設(shè)置了相互卡合的螺紋牙的構(gòu)成，也可以是用鉸鏈機構(gòu)將蓋部25與收納部20連接的構(gòu)成?；弪?qū)動機構(gòu)M是進行卷取薄膜基板FB的動作以及放出薄膜基板FB的動作的部分?；弪?qū)動機構(gòu)M被設(shè)置在收納部20的內(nèi)部?；弪?qū)動機構(gòu)M具有輥部(軸部)26以及導(dǎo)向部27。如圖4所示，輥部沈具有旋轉(zhuǎn)軸部件^a、擴徑部^b以及圓筒部^c。旋轉(zhuǎn)軸部件26a例如是由鋁等剛性高的金屬形成的圓柱狀部件。旋轉(zhuǎn)軸部件26a被例如設(shè)置在蓋部25的中央部的開口部25a以及軸承部件2 支承為可以旋轉(zhuǎn)。該情況下，旋轉(zhuǎn)軸部件26a的中心軸例如成為與Y方向平行的狀態(tài)，旋轉(zhuǎn)軸部件^a向θ Y方向旋轉(zhuǎn)。旋轉(zhuǎn)軸部件^a與未圖示的旋轉(zhuǎn)驅(qū)動機構(gòu)連接。通過旋轉(zhuǎn)驅(qū)動機構(gòu)的驅(qū)動控制，旋轉(zhuǎn)軸部件26a以中心軸為中心進行旋轉(zhuǎn)。如圖4所示，旋轉(zhuǎn)驅(qū)動機構(gòu)可以使旋轉(zhuǎn)軸部件26a例如向+ ΘΥ方向以及-ΘΥ方向中的任意一個方向旋轉(zhuǎn)。擴徑部^b以均勻的厚度形成于旋轉(zhuǎn)軸部件^a的表面。擴徑部26b形成為與旋轉(zhuǎn)軸部件26a—體旋轉(zhuǎn)。圓筒部26c在剖視下以均勻的厚度形成于擴徑部^b的表面。圓筒部26c被粘接成覆蓋擴徑部^b的周圍。因此，圓筒部26c與旋轉(zhuǎn)軸部件^a以及擴徑部2 —同一體地旋轉(zhuǎn)。圖5A是表示輥部沈的構(gòu)成的立體圖，圖5B是將輥部沈的構(gòu)成放大表示的剖視圖。如圖5A以及圖5B所示，圓筒部26c在內(nèi)徑部分具有凹部^e。凹部26e例如從圓筒部26c的旋轉(zhuǎn)軸方向(圖中Y方向)的一端到另一端沿著該旋轉(zhuǎn)軸方向形成。在圓筒部^c中的設(shè)置有凹部26e的部分的外面?zhèn)仍O(shè)置有開口部沈(1。開口部26d沿著旋轉(zhuǎn)軸方向配置有多個。在本實施方式中，開口部例如被設(shè)置在薄膜基板FB的與設(shè)于引導(dǎo)部件LDR的開口部203對應(yīng)的位置。優(yōu)選開口部^d的個數(shù)被設(shè)置成與引導(dǎo)部件LDR的開口部203的個數(shù)一致，當(dāng)然也可以是與開口部203的個數(shù)不一致的構(gòu)成。在凹部^e中設(shè)置有插入到引導(dǎo)部件LDR的該開口部203而與之卡合的卡合機構(gòu)28?？ê蠙C構(gòu)觀具有爪部件^a以及按壓部件^b。爪部件28a被設(shè)置成可以相對開口部26d插拔。按壓部件28b是按壓該爪部件以使爪部件28a從開口部26d突出到圓筒部26c的外面上的彈性部件。按壓部件28b通過對爪部件向內(nèi)徑側(cè)作用力而發(fā)生彈性變形。爪部件28a通過該按壓部件^b的彈性變形而被收納在開口部^d內(nèi)。在本實施方式中，當(dāng)沒有卷繞薄膜基板FB時，爪部件28a成為通過按壓部件28b而突出到圓筒部26c的外面上的狀態(tài)。圓筒部26c利用具有使薄膜基板FB粘接的程度的粘著性的材料形成。另外，如圖4所示，導(dǎo)向部27具有轉(zhuǎn)動部件(第1引導(dǎo)部件)27a以及前端部件(第1引導(dǎo)部件)27b。轉(zhuǎn)動部件27a被設(shè)置成例如一端借助軸部27c被安裝于收納部20，能夠以該軸部27c為中心向θ Y方向轉(zhuǎn)動。轉(zhuǎn)動部件27a與未圖示的旋轉(zhuǎn)驅(qū)動機構(gòu)連接。前端部件27b剖視下與轉(zhuǎn)動部件27a的另一端連接。前端部件27b形成為剖視下具有圓弧狀的曲面。薄膜基板FB經(jīng)由設(shè)于前端部件27b的該剖視為圓弧狀的+Z側(cè)的曲面被向輥部26引導(dǎo)。前端部件27b與轉(zhuǎn)動部件27a—體轉(zhuǎn)動。例如當(dāng)轉(zhuǎn)動部件27a向遠離輥部沈的方向(輥部沈的直徑方向的外側(cè)方向)轉(zhuǎn)動時，沿著收納部20的內(nèi)周抵接。因此，可避免前端部件27b與被卷在輥部沈上的薄膜基板FB之間的接觸。裝配部3是與基板處理部102連接的部分。裝配部3例如被設(shè)置在設(shè)于收納部20的突出部23的+X側(cè)端部。裝配部3具有用于與基板處理部102連接的插入部3a。當(dāng)基板筒1作為基板供給部101而使用時，裝配部3與基板處理部102的供給側(cè)連接部102A連接。當(dāng)基板筒1作為基板回收部103而使用時，裝配部3與基板處理部102的回收側(cè)連接部102B連接。裝配部3在與基板處理部102的基板供給部101以及基板回收部103的任意一方連接的情況下，都連接成可以裝卸。裝配部3上設(shè)置有開口部；34以及第2開口部35。開口部；34是設(shè)置在+Z側(cè)的開口部，是在與筒主體2之間出入薄膜基板FB的部分。在筒主體2中收納經(jīng)過該開口部34的薄膜基板FB。筒主體2中收納的薄膜基板FB經(jīng)由該開口部34被送出到筒主體2外部。第2開口部35是設(shè)置在-Z側(cè)的開口部，是在與筒主體2之間出入與薄膜基板FB不同的帶狀第2基板SB的部分。作為這樣的第2基板SB，例如可以舉出對薄膜基板冊的元件形成面進行保護的保護基板等。例如可以使用夾紙(inserting paper)等作為保護基板。第2開口部35被配置成例如與開口部34隔開間隔。第2開口部35被形成例如與開口部34相同的尺寸以及形狀。另外，作為本實施方式中的第2基板SB，也可以使用不銹鋼薄板(例如厚度為0. Imm以下等)等具有導(dǎo)電性的材質(zhì)。該情況下，在第2基板SB與薄膜基板(片材基板)FB —同被收納到筒主體2中時，若第2基板SB與筒主體2電連接，則可以防止薄膜基板(片材基板)FB帶電。如圖4所示，基板傳送部21、基板引導(dǎo)部22、第2基板傳送部36以及第2基板引導(dǎo)部37例如被設(shè)置在突出部23的內(nèi)部?；逡龑?dǎo)部22設(shè)置在開口部34與基板傳送部21之間。基板引導(dǎo)部22是在開口部34與基板傳送部21之間引導(dǎo)薄膜基板FB的部分。基板引導(dǎo)部22具有基板用引導(dǎo)部件22a以及22b?；逵靡龑?dǎo)部件22a以及22b被對置設(shè)置成在Z方向隔開間隙22c，對置面分別與XY平面大致平行。該間隙22c與開口部34連接，薄膜基板FB在開口部34以及間隙22c中移動。第2基板引導(dǎo)部37是在裝配部3與基板傳送部21之間引導(dǎo)第2基板SB的部分。第2基板引導(dǎo)部37具有第2基板用引導(dǎo)部件37a、37b以及37c。第2基板用引導(dǎo)部件37a以及37b被對置設(shè)置成在Z方向隔開間隙37d，對置面分別與XY平面大致平行。第2基板用引導(dǎo)部件37c被傾斜配置成向+Z側(cè)引導(dǎo)第2基板SB。具體而言，以第2基板用引導(dǎo)部件37c的-X側(cè)端部相對+X側(cè)端部向+Z側(cè)傾斜了的狀態(tài)配置。第2基板傳送部36在裝配部3與基板傳送部21之間傳送第2基板SB。第2基板傳送部36被配置在第2基板用引導(dǎo)部件37a以及37b、與第2基板用引導(dǎo)部件37c之間。第2基板傳送部36具有主動輥36a以及從動輥36b。主動輥36a被設(shè)置成例如可以向θ Y方向旋轉(zhuǎn)，并與未圖示的旋轉(zhuǎn)驅(qū)動機構(gòu)連接。從動輥36b被配置成與主動輥36a之間隔開間隙，以便在與主動輥36a之間夾持第2基板SB?；鍌魉筒?1在裝配部3與收納部20之間傳送薄膜基板FB以及第2基板SB。基板傳送部21具有張力輥(張力機構(gòu))21a以及測定輥(測定部)21b。張力輥21a是在與輥部沈之間對薄膜基板FB以及第2基板賦予張力的輥。張力輥21a被設(shè)置成可以向ΘΥ方向旋轉(zhuǎn)。在張力輥21a上連接有例如未圖示的旋轉(zhuǎn)驅(qū)動機構(gòu)。此外，張力輥21a以及測定輥21b也可以被設(shè)置成能夠分別向圖4中的Z方向移動。測定輥21b是具有比張力輥21a小的直徑的輥。測定輥21b被配置成與張力輥21a之間隔開規(guī)定的間隙，以便在與張力輥21a之間可以夾持薄膜基板FB以及第2基板SB。也可以是能夠調(diào)整測定輥21b與張力輥21a之間的間隙的大小的構(gòu)成，以滿足僅夾持薄膜基板FB的情況與一并夾持薄膜基板FB以及第2基板SB的情況。測定輥21b是隨著張力輥21a的旋轉(zhuǎn)而旋轉(zhuǎn)的從動輥。通過在張力輥21a與測定輥21b之間夾著薄膜基板FB的狀態(tài)下使張力輥21a旋轉(zhuǎn)，可以一邊對薄膜基板FB賦予張力，一邊向該薄膜基板FB的卷取方向以及放出方向分別傳送薄膜基板FB。基板傳送部21具有例如對測定輥21b的轉(zhuǎn)速、旋轉(zhuǎn)角度進行檢測的檢測部21c。作為該檢測部21c，例如可以使用編碼器等。利用該檢測部21c例如可以計測經(jīng)由測定輥21b的薄膜基板FB的傳送距離等。例如在經(jīng)由開口部34插入薄膜基板FB，并經(jīng)由第2開口部35插入第2基板SB的情況下，薄膜基板FB以及第2基板SB通過分別被基板引導(dǎo)部22以及第2基板引導(dǎo)部37引導(dǎo)而在匯合部39中匯合。在匯合部39中匯合后的薄膜基板FB以及第2基板SB以匯合的狀態(tài)被基板傳送部21傳送。這時，基板傳送部21按壓薄膜基板冊與第2基板SB而使其密接。因此，基板傳送部21兼作向薄膜基板FB按壓第2基板SB的按壓機構(gòu)。(有機EL元件、基板處理裝置)接著，作為利用上述的薄膜基板FB制造的元件的例子，對有機EL元件的構(gòu)成進行說明。圖6A是表示有機EL元件的構(gòu)成的俯視圖。圖6B是圖6A中的B-B'剖視圖。圖6C是圖6A中的C-C'剖視圖。如圖6A 圖6B所示，有機EL元件50是在薄膜基板FB上形成柵電極G以及柵極絕緣層I，進而形成源電極S、漏電極D以及像素電極P之后，形成了有機半導(dǎo)體層OS的底部接觸型。如圖6B所示，在柵電極G上形成有柵極絕緣層I。在柵極絕緣層I上形成有源極總線SBL的源電極S，并且形成有與像素電極P連接的漏電極D。在源電極S與漏電極D之間形成有有機半導(dǎo)體層OS。至此，完成了場效應(yīng)型晶體管。另外，如圖6B以及圖6C所示，在像素電極P之上形成發(fā)光層IR，在該發(fā)光層頂上形成透明電極ΙΤ0。從圖6B以及圖6C中可知，在薄膜基板FB上形成有隔壁BA (圍堰層)。而且，如圖6C所示，源極總線SBL形成于隔壁BA間。這樣，通過存在隔壁BA，源極總線SBL被高精度形成，并且像素電極P以及發(fā)光層頂也準確地形成。此外，在圖6B以及圖6C中雖未圖示，但柵極總線GBL也與源極總線SBL同樣地形成于隔壁BA間。該有機EL元件50也適用于例如以顯示器裝置等顯示裝置為代表的電子設(shè)備的顯示部等。該情況下，使用例如將有機EL元件50形成為面板狀的部件。在這樣的有機EL元件50的制造中，需要制成形成了薄膜晶體管(TFT)、像素電極的基板。為了在該基板上的像素電極上精度良好地形成包含發(fā)光層的1層以上有機化合物層(發(fā)光元件層)，需要在像素電極的邊界區(qū)域容易且精度良好地形成隔壁BA (圍堰層)。圖7是表示基板處理裝置100的構(gòu)成的概略圖?；逄幚硌b置100是使用上述的薄膜基板FB形成圖6A-圖6C所示的有機EL元件50的裝置。如圖7所示，基板處理裝置100具有基板供給部101、基板處理部102、基板回收部103以及控制部104。薄膜F上連接了引導(dǎo)部件LDR的薄膜基板FB被從基板供給部101經(jīng)過基板處理部102自動地傳送給基板回收部103。另外，該薄膜基板FB例如在基板處理裝置100的各處理部(例如電極形成部92、發(fā)光層形成部93等)之間被自動傳送?；逄幚硌b置100可以通過使用薄膜基板FB的引導(dǎo)部件LDR來高精度或者容易地傳送薄膜基板FB。控制部104統(tǒng)一控制基板處理裝置100的動作。在以下的說明中，參照與圖3 圖5B中使用的CTZ正交坐標系相同的坐標系對各部件的位置關(guān)系進行說明。其中，對于XYZ正交坐標系，將水平面內(nèi)的薄膜基板FB的傳送方向設(shè)為X軸方向，在水平面內(nèi)與X軸方向正交的方向設(shè)為Y軸方向，分別與X軸方向以及Y軸方向正交的方向(即鉛垂方向)設(shè)為Z軸方向。而且，將圍繞X軸、Y軸以及Z軸的旋轉(zhuǎn)(傾斜)方向分別設(shè)為θ χ、θ γ以及θ ζ方向?；骞┙o部101與設(shè)于基板處理部102的供給側(cè)連接部102Α連接。基板供給部101向基板處理部102供給例如被卷成卷狀的薄膜基板FB?；寤厥詹?03對在基板處理部102中進行處理后的薄膜基板FB進行回收。例如可使用上述的基板筒1作為基板供給部101以及基板回收部103。圖8是表示基板處理部102的構(gòu)成的圖。如圖8所示，基板處理部102具有傳送單元105、元件形成部106、對準部107、基板切斷部108、引導(dǎo)部件粘貼裝置300以及信息檢測裝置400?；逄幚聿?02是一邊傳送由基板供給部101供給的薄膜基板FB，一邊在該薄膜基板FB上形成上述的有機EL元件50的各構(gòu)成要素，并向基板回收部103送出形成了有機EL元件50的薄膜基板FB的部分。傳送單元105具有配置于沿著X方向的位置的多個輥RR(傳送部)。通過輥RR旋轉(zhuǎn)，薄膜基板FB也被向X軸方向傳送。輥RR可以是從兩面夾住薄膜基板FB的橡膠輥，若薄膜基板FB具有穿孔，則也可以是帶棘爪的輥RR。這些輥RR中的一部分的輥RR能夠向與傳送方向正交的Y軸方向移動。此外，傳送單元105不限于輥RR，例如也可以是具有至少能夠空氣吸附引導(dǎo)部件LDR的多個傳送帶(傳送部)的構(gòu)成。元件形成部106具有隔壁形成部91、電極形成部92以及發(fā)光層形成部93。隔壁形成部91、電極形成部92以及發(fā)光層形成部93從薄膜基板FB的傳送方向的上游側(cè)到下游側(cè)按該順序被配置。以下，按順序說明元件形成部106的各構(gòu)成。隔壁形成部91具有壓印輥110以及熱轉(zhuǎn)印輥115。隔壁形成部91對由基板供給部101送出的薄膜基板FB形成隔壁BA。在隔壁形成部91中，利用壓印輥110按壓薄膜基板FB，并且為了使按壓成的隔壁BA保持形狀，利用熱轉(zhuǎn)印輥115將薄膜基板FB加熱至玻璃轉(zhuǎn)化溫度以上。因此，形成在壓印輥110的輥表面上的模形狀會被轉(zhuǎn)印到薄膜基板FB上。薄膜基板FB通過熱轉(zhuǎn)印輥115例如被加熱至200°C左右。此外，壓印輥110以及熱轉(zhuǎn)印輥11也可以具有作為上述傳送單元105的傳送部的功能。另外，上述傳送部也可以構(gòu)成為根據(jù)引導(dǎo)部件LDR的傳送方向的長度至少能夠向引導(dǎo)部件LDR的傳送方向(X方向)移動。壓印輥110的輥表面被鏡面拋光，在其輥表面上安裝了由SiC、Ta等材料構(gòu)成的微細壓印用模具111。微細壓印用模具111形成了薄膜晶體管的布線用的壓模(Stamper)以及彩色濾光片用的壓模。壓印輥110使用微細壓印用模具111對薄膜基板FB形成對準標記AM。為了在薄膜基板FB的寬度方向、即Y軸方向的兩側(cè)形成對準標記AM，微細壓印用模具111具有對準標記AM用的壓模。電極形成部92被設(shè)置在隔壁形成部91的+X側(cè)，例如形成使用了有機半導(dǎo)體的薄膜晶體管。具體而言，在形成了圖6A-圖6C所示那樣的柵電極G、柵極絕緣層I、源電極S、漏電極D以及像素電極P后，形成有機半導(dǎo)體層OS。作為薄膜晶體管(TFT)，可以是無機半導(dǎo)體系的薄膜晶體管，也可以是使用了有機半導(dǎo)體的薄膜晶體管。作為無機半導(dǎo)體的薄膜晶體管，公知有非晶硅系的薄膜晶體管，但也可以是使用了有機半導(dǎo)體的薄膜晶體管。如果使用該有機半導(dǎo)體來構(gòu)成薄膜晶體管，則能夠活用印刷技術(shù)、液滴涂敷法技術(shù)來形成薄膜晶體管。另外，在使用了有機半導(dǎo)體的薄膜晶體管中特別優(yōu)選如圖6A-圖6C所示那樣的場效應(yīng)型晶體管(FET)。電極形成部92具有液滴涂敷裝置120、熱處理裝置BK、切斷裝置130等。在本實施方式中，作為液滴涂敷裝置120，可以使用例如在形成柵電極G時使用的液滴涂敷裝置120G、在形成柵極絕緣層I時使用的液滴涂敷裝置1201、在形成源電極S、漏電極D以及像素電極P時使用的液滴涂敷裝置120SD、在形成有機半導(dǎo)體OS時使用的液滴涂敷裝置1200S等。圖9是表示液滴涂敷裝置120的構(gòu)成的俯視圖。圖9中表示了從+Z側(cè)觀察液滴涂敷裝置120時的構(gòu)成。液滴涂敷裝置120沿Y軸方向較長地形成。液滴涂敷裝置120中設(shè)置有未圖示的驅(qū)動裝置。液滴涂敷裝置120通過該驅(qū)動裝置例如能夠沿X方向、Y方向以及θ Z方向移動。在液滴涂敷裝置120中形成有多個噴嘴122。噴嘴122被設(shè)置在液滴涂敷裝置120中的與薄膜基板FB的對置面。噴嘴122例如沿Y軸方向排列，該噴嘴122的列(噴嘴列)例如形成有2列?？刂撇?04可以使所有噴嘴122 —并涂敷液滴，也可以對各噴嘴122分別調(diào)整涂敷液滴的時機。作為液滴涂敷裝置120，例如可以采用噴墨方式、分液方式等。作為噴墨方式，可舉出帶電控制方式、加壓振動方式、機電轉(zhuǎn)換式、熱電轉(zhuǎn)換方式、靜電吸附方式等。液滴涂敷法在材料的使用上浪費少，并且可以在希望的位置上準確地配置所希望的量的材料。其中，通過液滴涂敷法涂敷的金屬墨水的一滴的量例如為1 300納克。另外，如圖8所示，液滴涂敷裝置120G向柵極總線GBL的隔壁BA內(nèi)涂敷金屬墨水。液滴涂敷裝置1201向開關(guān)(switching)部涂敷聚酰亞胺系樹脂或者氨基甲酸乙酯系樹脂的電絕緣性墨水。液滴涂敷裝置120SD向源極總線SBL的隔壁BA內(nèi)以及像素電極P的隔壁BA內(nèi)涂敷金屬墨水。液滴涂敷裝置1200S向源電極S與漏電極D之間的開關(guān)部涂敷有機半導(dǎo)體墨水。金屬墨水是粒子直徑約5nm左右的導(dǎo)電體在室溫的溶劑中穩(wěn)定分散的液體，可以使用碳、銀(Ag)或者金(Au)等作為導(dǎo)電體。形成有機半導(dǎo)體墨水的化合物可以是單晶材科，也可以是無定形材料，可以是低分子，也可以是高分子。作為形成有機半導(dǎo)體墨水的化合物中特別優(yōu)選的化合物，可以舉出以并五苯、苯并[9，10]菲、蒽等為代表的縮環(huán)系芳香族烴化合物的單結(jié)晶或者η共軛系高分子等。熱處理裝置BK分別配置在各液滴涂敷裝置120的+X側(cè)(基板傳送方向下游側(cè))。熱處理裝置BK可以對薄膜基板FB放射例如熱風(fēng)、遠紅外線等。熱處理裝置BK使用這些放射熱來干燥或者燒結(jié)(烤焙)薄膜基板FB被涂敷的液滴而使其固化。切斷裝置130被設(shè)置在液滴涂敷裝置120SD的+X側(cè)的、液滴涂敷裝置1200S的上游側(cè)。切斷裝置130例如使用激光等來切斷由液滴涂敷裝置120SD形成的源電極S和漏電極D。切斷裝置130具有未圖示的光源、和使來自該光源的激光照射到薄膜基板FB上的電流計鏡(galvanometer mirror) 131。作為激光的種類，優(yōu)選對于要進行切斷的金屬膜是可以被吸收的波長的激光，在波長變換激光中，YAG等的2、3、4倍高次諧波較好。另外，通過使用脈沖型激光器可以防止熱擴散，能減少切斷部以外的損傷。當(dāng)材料為鋁時，優(yōu)選采用760nm波長的飛秒激光器。在本實施方式中，采用了例如使用鈦藍寶石激光器作為光源的飛秒激光照射部。該飛秒激光照射部例如以IOKHz 40KHz的脈沖照射激光LL。由于本實施方式中使用飛秒激光器，所以可以進行亞微米級的加工，能夠準確地切斷決定場效應(yīng)型晶體管的性能的源電極S與漏電極D的間隔。源電極S與漏電極D的間隔例如為3 μ m左右 30 μ m左右。
除了上述的飛秒激光器以外，也可以使用例如二氧化碳激光器或者綠光激光器等。另外，除了激光器以外，也可以采用通過切割鋸等機械地進行切斷的構(gòu)成。電流計鏡131配置在激光LL的光路上。電流計鏡131使來自光源的激光LL反射到薄膜基板FB上。電流計鏡131被設(shè)置成例如能夠在ΘΧ方向、ΘΥ方向以及ΘΖ方向旋轉(zhuǎn)。通過電流計鏡131進行旋轉(zhuǎn)，激光LL的照射位置會發(fā)生變化。通過使用上述的隔壁形成部91以及電極形成部92雙方，即使不使用所謂的光刻工序，也能夠活用印刷技術(shù)、液滴涂敷法技術(shù)來形成薄膜晶體管等。例如在僅使用了采用印刷技術(shù)、液滴涂敷法技術(shù)等的電極形成部92時，存在由于墨水的滲透、擴展而不能精度良好地形成薄膜晶體管等的情況。與此相對，由于通過使用隔壁形成部91來形成隔壁BA，所以可防止墨水的滲透、擴展。另外，決定薄膜晶體管的性能的源電極S與漏電極D的間隔通過激光加工或者機械加工而形成。發(fā)光層形成部93被配置在電極形成部92的+X側(cè)。發(fā)光層形成部93在形成了電極的薄膜基板FB上形成例如作為有機EL裝置的構(gòu)成要素的發(fā)光層IR、像素電極ITO等。發(fā)光層形成部93具有液滴涂敷裝置140以及熱處理裝置BK。由發(fā)光層形成部93形成的發(fā)光層頂含有主體化合物和磷光性化合物(也稱為磷光發(fā)光性化合物)。主體化合物是發(fā)光層中含有的化合物。磷光性化合物是觀測來自受激三重態(tài)的發(fā)光的化合物，在室溫下產(chǎn)生磷光發(fā)光。在本實施方式中，作為液滴涂敷裝置140，使用了例如形成紅色發(fā)光層的液滴涂敷裝置140Re、形成綠色發(fā)光層的液滴涂敷裝置140Gr、形成藍色發(fā)光層的液滴涂敷裝置140B1、形成絕緣層的液滴涂敷裝置1401以及形成像素電極ITO的液滴涂敷裝置140IT等。作為液滴涂敷裝置140，與上述的液滴涂敷裝置120同樣，可以采用噴墨方式或者分液方式。例如在設(shè)置空穴傳輸層以及電子傳輸層等作為有機EL元件50的構(gòu)成要素的情況下，另外設(shè)置形成這些層的裝置(例如液滴涂敷裝置等)。液滴涂敷裝置140Re在像素電極P上涂敷R溶液。液滴涂敷裝置140Re調(diào)整R溶液的噴出量，以使干燥后的膜厚為lOOnm。作為R溶液，例如主體材料的聚乙烯咔唑(PVK)可使用將紅色摻雜劑材料溶解于1，2_ 二氯乙烷中的溶液。液滴涂敷裝置140Gr在像素電極P上涂敷G溶液。作為G溶液，例如主體材料PVK可使用將綠色摻雜劑材料溶解于1，2_ 二氯乙烷中的溶液。液滴涂敷裝置140B1在像素電極P上涂敷B溶液。作為B溶液，例如主體材料PVK可使用將藍色摻雜劑材料溶解于1，2_ 二氯乙烷中的溶液。液滴涂敷裝置1201向柵極總線GBL或者源極總線SBL的一部分涂敷電絕緣性墨水。作為電絕緣性墨水，例如可以使用聚酰亞胺系樹脂或者氨基甲酸乙酯系樹脂的墨水。液滴涂敷裝置120IT在紅色、綠色以及藍色發(fā)光層之上涂敷ITOandium TinOxide 銦錫氧化物)墨水。作為ITO墨水，可使用在氧化銦(In2O3)中添加了幾個百分點的氧化錫(SnO2)的化合物等。另外，也可以使用能夠用IDIXOan2O3-SiO)等非晶質(zhì)制作透明導(dǎo)電膜的材料。優(yōu)選透明導(dǎo)電膜的透過率為90%以上。熱處理裝置BK分別配置在各液滴涂敷裝置140的+X側(cè)(基板傳送方向下游側(cè))。熱處理裝置BK與電極形成部92中使用的熱處理裝置BK同樣，可以對薄膜基板FB放射例如熱風(fēng)、遠紅外線等。熱處理裝置BK使用這些放射熱干燥或者燒結(jié)(烤焙)薄膜基板FB被涂敷的液滴來使其固化。對準部107具有沿著X方向設(shè)置的多個對準相機CA (CAl CA8)。對準相機CA可以在可見光照明下利用CXD或者CMOS攝像，并處理該攝像圖像來檢測對準標記AM的位置，也可以向?qū)蕵擞汚M照射激光，并接收其散射光來檢測對準標記AM的位置。對準相機CAl配置在熱轉(zhuǎn)印輥115的+X側(cè)。對準相機CAl檢測由熱轉(zhuǎn)印輥115在薄膜基板FB上形成的對準標記AM的位置。對準相機CA2 CA8分別配置在熱處理裝置BK的+X側(cè)。對準相機CA2 CA8檢測經(jīng)過了熱處理裝置BK的薄膜基板FB的對準標記AM的位置。由于經(jīng)過熱轉(zhuǎn)印輥115以及熱處理裝置BK，所以薄膜基板FB有可能向X軸方向以及Y軸方向伸縮。這樣，通過在進行熱處理的熱轉(zhuǎn)印輥115的+X側(cè)、熱處理裝置BK的+X側(cè)配置對準相機CA，能夠檢測因熱變形等引起的薄膜基板FB的位置偏差。對準相機CAl CA8的檢測結(jié)果被發(fā)送給控制部104?？刂撇?04基于對準相機CAl CA8的檢測結(jié)果來進行例如液滴涂敷裝置120、液滴涂敷裝置140的墨水的涂敷位置與時機的調(diào)整、從基板供給部101供給薄膜基板FB的速度或輥RR的傳送速度的調(diào)整、通過輥RR向Y方向的移動的調(diào)整、切斷裝置130的切斷位置和時機等的調(diào)整。引導(dǎo)部件粘貼裝置300例如是切斷薄膜基板FB的薄膜F、向切斷部分粘貼引導(dǎo)部件LDR的裝置。引導(dǎo)部件粘貼裝置300在基板處理部102內(nèi)設(shè)置有1個或者多個。本實施方式在隔壁形成部91與電極形成部92之間設(shè)置1個弓I導(dǎo)部件粘貼裝置300，在電極形成部92與發(fā)光層形成部93之間設(shè)置1個引導(dǎo)部件粘貼裝置300，共計有2個。引導(dǎo)部件粘貼裝置300例如具有切斷薄膜F的切斷部、對薄膜F形成薄膜側(cè)位置基準部Fd的位置基準形成部、以及進行引導(dǎo)部件LDR的位置基準部與薄膜F的薄膜側(cè)位置基準部Fd的對位的對位部等。信息檢測裝置400例如是對上述引導(dǎo)部件LDR的信息保持部204中保持的信息進行檢測的裝置。由信息檢測裝置400檢測出的信息例如被提供給控制部104。信息檢測裝置400例如被設(shè)置在基板處理部102中的隔壁形成部91的上游側(cè)。通過在隔壁形成部91的上游側(cè)配置信息檢測裝置400，在基板處理部102對薄膜基板FB的實質(zhì)上為最初的處理的隔壁形成處理之前，與該薄膜基板FB相關(guān)的信息被提供給基板處理部102 (或者控制部104)。在基板處理部102中，由于能夠以該信息為基礎(chǔ)進行如隔壁形成處理那樣的各處理，所以可進行與薄膜基板FB的信息對應(yīng)的最佳處理。此外，信息檢測裝置400被配置的位置不限于隔壁形成部91的上游側(cè)，只要是能夠讀取信息保持部204中保持的信息的位置即可，可以是基板處理部102內(nèi)的任意位置。當(dāng)在基板處理部102內(nèi)的處理中活用信息保持部204中保持的信息時，優(yōu)選被設(shè)置在比基板處理部102靠上游側(cè)。此外，在本實施方式中，引導(dǎo)部件粘貼裝置300也可以是配置在比隔壁形成部91靠上游的工序中，向薄膜基板FB的規(guī)定部分粘貼引導(dǎo)部件LDR的裝置。在本實施方式中，當(dāng)例如形成了一維條形碼作為信息保持部204時，使用一維條形碼讀取裝置作為信息檢測裝置400。另外，當(dāng)形成了二維條形碼作為信息保持部204時，使用二維條形碼的讀取裝置作為信息檢測裝置400。同樣，當(dāng)形成了 IC標簽、存儲元件的圖案作為信息保持部204時，使用可以讀取它們中保持的信息的裝置作為信息檢測裝置400。當(dāng)然，也可以使用具有能夠讀取包含上述列舉的種類的至少一部分的多種信息的功能的裝置作為信息檢測裝置400。(薄膜基板的制造動作)接下來，對制造上述薄膜基板FB的工序進行說明。圖10(a) 圖10(d)是表示薄膜基板FB的制造工序的圖。薄膜基板ra的制造例如由具有與上述的引導(dǎo)部件粘貼裝置300同樣的構(gòu)成的裝置來進行。引導(dǎo)部件LDR的粘貼例如在未圖示的工作臺上進行。圖10(a) 圖10(c)所示的虛線部分是引導(dǎo)部件LDR的粘貼預(yù)定位置。首先，如圖10(a)所示，例如利用傳送輥210等按照越過引導(dǎo)部件LDR的粘貼預(yù)定位置的方式配置薄膜F。在圖10(a)中例如表示了從圖中右側(cè)向左側(cè)傳送薄膜F的例子，但傳送方向也可以與之相反。然后，如圖10(b)所示，在薄膜F中的引導(dǎo)部件LDR的粘貼預(yù)定位置的傳送方向上游側(cè)進行切斷，在對傳送輥210側(cè)的切片形成了薄膜側(cè)位置基準部Fd之后，向該傳送輥210側(cè)傳送該薄膜F的端部&。另外，從薄膜F上切掉的切片F(xiàn)O例如固定在被切斷時的位置。然后，如圖10(c)所示，使薄膜F的端部1 配置于連接位置。該連接位置成為例如與引導(dǎo)部件LDR的粘貼預(yù)定位置的階梯部201對應(yīng)的位置。在配置薄膜F時，例如可以一邊通過對準照相機CA300等檢測在薄膜F上形成的薄膜側(cè)位置基準部Fd，一邊調(diào)整位置。然后，如圖10 (d)所示，在薄膜F與引導(dǎo)部件LDR之間進行對位(對位工序)，在該對位后，向薄膜F粘貼引導(dǎo)部件LDR而將兩者連接(連接工序)。在對位工序中，使用設(shè)于薄膜F的薄膜側(cè)位置基準部Fd與設(shè)于引導(dǎo)部件LDR的位置基準部202來檢測薄膜F的圖中上下方向以及圖中左右方向的位置、和引導(dǎo)部件LDR的圖中上下方向以及圖中左右方向的位置(位置檢測工序)，并根據(jù)檢測出的位置來調(diào)整引導(dǎo)部件LDR的粘貼位置。在位置檢測工序中，例如使用對準照相機CA300、CA301等來檢測薄膜側(cè)位置基準部Fd以及位置基準部202的位置。例如在對位工序之前，對引導(dǎo)部件LDR形成位置基準部202。例如如圖10(d)所示，在連接工序中，使用熱壓接輥211等將薄膜F與引導(dǎo)部件LDR熱壓接。也可以在引導(dǎo)部件LDR上預(yù)先涂敷熱熔敷型的粘合劑，通過使該粘合劑熔敷來將薄膜F與引導(dǎo)部件LDR連接。其中，在本實施方式中，由于薄膜F與引導(dǎo)部件LDR對位，所以薄膜F上的形成有機EL元件50的區(qū)域(后述的元件形成區(qū)域60)會間接地與引導(dǎo)部件LDR對位。在本實施方式中，由于引導(dǎo)部件LDR通過傳送單元105被高精度地傳送，所以薄膜F中的元件形成區(qū)域60通過引導(dǎo)部件LDR被高精度地對位。(向基板筒收納薄膜基板的動作)接下來，說明向上述那樣構(gòu)成的基板筒1中收納薄膜基板FB的收納動作。圖IlA以及圖IlB是表示收納動作時的基板筒1的狀態(tài)的圖。為了便于判別圖，在圖IlA及圖IlB中用虛線表示了基板筒1的外形。如圖IlA所示，在向基板筒1中收納薄膜基板FB時，以在支承體HD上保持基板筒1的狀態(tài)，從開口部34插入薄膜基板FB。在插入薄膜基板FB時，預(yù)先處于使張力輥21a以及旋轉(zhuǎn)軸部件^a(輥部26)旋轉(zhuǎn)的狀態(tài)。通過開口部34而插入的薄膜基板FB被基板引導(dǎo)部22引導(dǎo)至基板傳送部21。在基板傳送部21中，薄膜基板FB被夾在張力輥21a與測定輥21b之間而向收納部20側(cè)傳送。向收納部20側(cè)通過了基板傳送部21的薄膜基板FB —邊由于自重而向-Z方向彎曲，一邊被引導(dǎo)。在本實施方式中，由于導(dǎo)向部27被設(shè)置在薄膜基板FB的-Z側(cè)，所以薄膜基板FB沿著導(dǎo)向部27的轉(zhuǎn)動部件27a以及前端部件27b被向輥部沈引導(dǎo)。當(dāng)薄膜基板FB的前端到達輥部沈的圓筒部^c時，從圓筒部26c突出的爪部件28a被插入到薄膜基板FB的設(shè)于引導(dǎo)部件LDR的開口部203內(nèi)。在該狀態(tài)下，由于輥部沈的各部分一體旋轉(zhuǎn)，所以在爪部件28a與引導(dǎo)部件LDR的開口部203卡合的狀態(tài)下，薄膜基板FB被卷在圓筒部26c上。當(dāng)薄膜基板FB相對輥部沈例如被卷了 1圈后，如圖IlB所示，使導(dǎo)向部27退避。通過在該狀態(tài)下使輥部沈旋轉(zhuǎn)，薄膜基板FB漸漸地被卷到輥部沈上。被卷取的薄膜基板FB的厚度逐漸變厚，但由于導(dǎo)向部27已經(jīng)退避，所以薄膜基板FB與導(dǎo)向部27不會接觸。而且，薄膜基板FB被漸漸地卷到圓筒部26c上，爪部件28a被卷取的薄膜基板FB向旋轉(zhuǎn)軸部件26a側(cè)按壓。由于該按壓力使得按壓部件28b彈性變形，爪部件28a被收納到凹部^e內(nèi)。在薄膜基板FB被卷取后，例如一邊調(diào)整張力輥21a的旋轉(zhuǎn)速度與旋轉(zhuǎn)軸部件^a的旋轉(zhuǎn)速度，一邊傳送薄膜基板FB，以使薄膜基板FB在輥部沈與基板傳送部21之間不撓曲。在卷取了所希望的長度的薄膜基板FB之后，例如在薄膜基板FB中的開口部34的外側(cè)的部分進行切斷。這樣，向基板筒1中收納薄膜基板FB。(基板處理裝置的動作)接下來，說明如上述那樣構(gòu)成的基板處理裝置100的動作。在本實施方式中，按順序進行將收納了薄膜基板ra的基板筒1作為基板供給部101與供給側(cè)連接部102A連接的連接動作、基板供給部101執(zhí)行的利用基板筒1供給薄膜基板FB的動作、基板處理部102執(zhí)行的元件形成動作、以及基板筒1的拆卸動作。首先，說明基板筒1的連接動作。圖12是表示基板筒1的連接動作的圖。如圖12所示，對于供給側(cè)連接部102A，預(yù)先將插入口形成為與裝配部3對應(yīng)的形狀。在連接動作中，以使基板筒1保持在支承體(例如與圖IlA所示的支承體HD同樣的構(gòu)成)的狀態(tài)下，進行裝配部3與供給側(cè)連接部102A的對位。在對位之后，使裝配部3向+X側(cè)移動而插入到基板處理部102中。然后，對供給動作進行說明。在向基板處理部102供給薄膜基板FB時，例如使基板筒1的旋轉(zhuǎn)軸部件26a (輥部沈)以及張力輥21a向與收納動作時相反朝向旋轉(zhuǎn)，如圖13所示，經(jīng)由開口部34送出薄膜基板FB。這時，上述的引導(dǎo)部件LDR的開頭被從開口部34送
出ο然后，說明元件形成動作。在元件形成動作中，一邊從基板供給部101向基板處理部102供給薄膜基板FB，一邊在基板處理部102中在該薄膜基板FB上不斷形成元件。在基板處理部102中，通過輥RR來傳送薄膜基板FB。在基板處理部102中，首先利用信息檢測裝置400來檢測引導(dǎo)部件LDR的信息保持部204中保持的信息?？刂撇?04取得例如來自信息檢測裝置400的信息，并且基于該處理信息來控制以后的基板處理部102的動作。而且，控制部104檢測輥RR是否在Y軸方向上偏移，當(dāng)偏移時，使輥RR移動來修正位置。另外，控制部104 —并進行薄膜基板FB的位置修正。從基板供給部101向基板處理部102供給的薄膜基板FB首先被傳送到隔壁形成部91。在隔壁形成部91中，薄膜基板FB被壓印輥110與熱轉(zhuǎn)印輥115夾持并按壓，通過熱轉(zhuǎn)印在薄膜基板上形成隔壁BA以及對準標記AM。圖14是表示在薄膜基板FB上形成了隔壁BA以及對準標記AM的狀態(tài)的圖。圖15是將圖14的一部分放大表示的圖。圖16是表示沿著圖15中的D-D剖面的構(gòu)成的圖。圖14以及圖15表示了從+Z側(cè)觀察薄膜基板FB時的樣子。如圖14所示，隔壁BA形成于薄膜基板FB的Y方向中央部的元件形成區(qū)域60。如圖15所示，通過形成隔壁BA，在元件形成區(qū)域60中劃分出形成柵極總線GBL以及柵電極G的區(qū)域(柵極形成區(qū)域5 、和形成源極總線SBL、源電極S、漏電極D以及陽極P的區(qū)域(源極漏極形成區(qū)域53)。如圖16所示，柵極形成區(qū)域52剖視下形成為梯形形狀。雖省略了圖示，但源極漏極形成區(qū)域53也為同樣的形狀。隔壁BA內(nèi)的寬度W(ym)為柵極總線GBL的線寬。優(yōu)選該寬度W相對由液滴涂敷裝置120G涂敷的液滴直徑d(ym)為2倍 4倍左右。其中，對于柵極形成區(qū)域52以及源極漏極形成區(qū)域53的剖面形狀，優(yōu)選剖視下為V字形狀或者U字形狀，以使微細壓印用模具11按壓了薄膜基板FB后，薄膜基板FB易于剝離。作為其他的形狀，例如也可以是剖視下為矩形形狀。另一方面，如圖14所示，對準標記AM在薄膜基板FB的Y方向兩端部的邊緣區(qū)域61中形成一對。隔壁BA以及對準標記AM由于相互位置關(guān)系較重要，所以被同時形成。如圖15所示，在Y軸方向上規(guī)定了對準標記AM與柵極形成區(qū)域52之間的規(guī)定距離PY，在X軸方向上規(guī)定了對準標記AM與源極漏極形成區(qū)域53之間的規(guī)定距離PX。因此，可以基于一對對準標記AM的位置來檢測薄膜基板FB的X軸方向的偏移、Y軸方向的偏移以及θ旋轉(zhuǎn)。在圖14以及圖15中，對準標記AM按X軸方向的多行隔壁BA設(shè)置了一對，但并不限于此，例如也可以按1行隔壁BA設(shè)置對準標記AM。另外，若有空間，可以不僅在薄膜基板FB的邊緣區(qū)域61中，在元件形成區(qū)域60中也設(shè)置對準標記AM。另外，在圖14以及圖15中，對準標記AM表示成十字形狀，但也可以是圓形標記、傾斜的直線標記等其他標記形狀。接著，薄膜基板FB被傳送輥RR傳送到電極形成部92。在電極形成部92中，由各液滴涂敷裝置120進行液滴的涂敷，在薄膜基板FB上形成電極。首先通過液滴涂敷裝置120G在薄膜基板FB上形成柵極總線GBL以及柵電極G。圖17A以及圖17B是表示利用液滴涂敷裝置120G進行液滴涂敷的薄膜基板FB的樣子的圖。如圖17A所示，液滴涂敷裝置120G在形成了隔壁BA的薄膜基板FB的柵極形成區(qū)域52中例如以1 9的順序涂敷金屬墨水。該順序例如是以金屬墨水彼此的張力涂敷成直線狀的順序。圖17B是表示例如涂敷了 1滴金屬墨水后的狀態(tài)的圖。如圖17A所示，由于設(shè)置了隔壁BA，所以涂敷于柵極形成區(qū)域52的金屬墨水不擴散地被保持。如此向柵極形成區(qū)域52的整體涂敷金屬墨水。在向柵極形成區(qū)域52涂敷了金屬墨水之后，薄膜基板FB被傳送成涂敷了該金屬墨水的部分位于熱處理裝置BK的-Z側(cè)。熱處理裝置BK對薄膜基板FB上涂敷的金屬墨水進行熱處理來使該金屬墨水干燥。圖18A是表示使金屬墨水干燥后的柵極形成區(qū)域52的狀態(tài)的圖。如圖18A所示，通過使金屬墨水干燥，金屬墨水中包含的導(dǎo)電體層疊成薄膜狀。這樣的薄膜狀的導(dǎo)電體形成于柵極形成區(qū)域52的整體，如圖18B所示，在薄膜基板FB上形成柵極總線GBL以及柵電極G。然后，薄膜基板FB被傳送到液滴涂敷裝置1201的-Z側(cè)。在液滴涂敷裝置1201中，向薄膜基板FB涂敷電絕緣性墨水。如圖19所示，在液滴涂敷裝置1201中，通過源極漏極形成區(qū)域53的柵極總線GBL上以及柵電極G上被涂敷電絕緣性墨水。在涂敷了電絕緣性墨水之后，薄膜基板FB被傳送到熱處理裝置BK的-Z側(cè)，由熱處理裝置BK對該電絕緣性墨水施以熱處理。通過該熱處理，電絕緣性墨水干燥，形成柵極絕緣層I。圖19中表示了柵極絕緣層I跨在隔壁BA上而形成為圓形形狀的狀態(tài)，但不需要一定跨越隔壁BA來形成。在形成了柵極絕緣層I之后，薄膜基板FB被傳送到液滴涂敷裝置120SD的-Z側(cè)。在液滴涂敷裝置120SD中，向薄膜基板FB的源極漏極形成區(qū)域53涂敷金屬墨水。對源極漏極形成區(qū)域53中的跨越柵極絕緣層I的部分，例如以圖20所示的1 9的順序噴出金
屬墨水。在噴出金屬墨水之后，薄膜基板FB被傳送到熱處理裝置BK的-Z側(cè)，進行金屬墨水的干燥處理。在該干燥處理之后，金屬墨水中包含的導(dǎo)電體被層疊成薄膜狀，形成源極總線SBL、源電極S、漏電極D以及陽極P。但在該階段，處于源電極S與漏電極D之間被連接的狀態(tài)。然后，薄膜基板FB被傳送到切斷裝置130的-Z側(cè)。在切斷裝置130中，薄膜基板FB的源電極S與漏電極D之間被切斷。圖21是表示利用切斷裝置130切斷了源電極S與漏電極D的間隔的狀態(tài)的圖。在切斷裝置130中，一邊使用電流計鏡131調(diào)整激光LL向薄膜基板FB的照射位置，一邊進行切斷。在源電極S與漏電極D之間被切斷后，薄膜基板FB被傳送到液滴涂敷裝置1200S的-Z側(cè)。在液滴涂敷裝置1200S中，薄膜基板FB上被形成有機半導(dǎo)體層OS。按照跨越源電極S以及漏電極D的方式向薄膜基板FB上的與柵電極G重疊的區(qū)域噴出有機半導(dǎo)體墨水。在噴出了有機半導(dǎo)體墨水之后，薄膜基板FB被傳送到熱處理裝置BK的-Z側(cè)，進行有機半導(dǎo)體墨水的干燥處理。在該干燥處理之后，有機半導(dǎo)體墨水中所含的半導(dǎo)體被層疊成薄膜狀，如圖22所示，形成有機半導(dǎo)體OS。通過以上的工序，在薄膜基板FB上形成場效應(yīng)型晶體管以及連接布線。然后，薄膜基板FB被傳送輥RR傳送到發(fā)光層形成部93。在發(fā)光層形成部93中，利用液滴涂敷裝置140Re、液滴涂敷裝置140Gr、液滴涂敷裝置140B1以及熱處理裝置BK分別形成紅色、綠色、藍色的發(fā)光層頂。由于在薄膜基板FB上形成有隔壁BA，所以即使在不利用熱處理裝置BK對紅色、綠色以及藍色的發(fā)光層頂進行熱處理而持續(xù)涂敷的情況下，溶液也不會向鄰接的像素區(qū)域溢出而產(chǎn)生混色。在形成發(fā)光層頂之后，薄膜基板FB經(jīng)過液滴涂敷裝置1401以及熱處理裝置BK形成絕緣層I，經(jīng)過液滴涂敷裝置140IT以及熱處理裝置BK形成透明電極ΙΤ0。經(jīng)過這樣的工序，在薄膜基板FB上形成圖1所示的有機EL元件50。在元件形成動作中，為了在如上述那樣一邊傳送薄膜基板FB —邊形成有機EL元件50的過程中，防止薄膜基板FB向X方向、Y方向以及θ Z方向偏移，進行了對準動作。以下，參照圖23來說明對準動作。在對準動作中，設(shè)于各部的多個對準照相機CA(CAl CA8)對適當(dāng)形成在薄膜基板FB上的對準標記AM進行檢測，并向控制部104發(fā)送檢測結(jié)果?？刂撇?04基于發(fā)送來的檢測結(jié)果進行對準動作。例如，控制部104基于對準照相機CA (CAl CA8)所檢測的對準標記AM的攝像間隔等來檢測薄膜基板FB的傳送速度，判斷輥RR是否例如以規(guī)定速度旋轉(zhuǎn)。當(dāng)判斷為輥RR未以規(guī)定速度旋轉(zhuǎn)時，控制部104發(fā)出輥RR的旋轉(zhuǎn)速度的調(diào)整指令來加以反饋。另外，例如控制部104基于對準標記AM的攝像結(jié)果來檢測對準標記AM的Y軸方向的位置是否偏移，檢測是否存在薄膜基板FB的Y軸方向的位置偏移。當(dāng)檢測到位置偏移時，控制部104檢測在使薄膜基板FB傳送的狀態(tài)下位置偏移持續(xù)了什么程度的時間。若位置偏移的時間為短時間，則通過切換液滴涂敷裝置120的多個噴嘴122中的涂敷液滴的噴嘴122來應(yīng)對。若薄膜基板FB的Y軸方向的偏移持續(xù)了較長時間，則通過輥RR的移動來進行薄膜基板FB的Y軸方向的位置修正。另外，例如控制部104基于對準照相機CA所檢測的對準標記AM的X軸以及Y軸方向的位置來檢測薄膜基板FB是否向ΘΖ方向偏移。當(dāng)檢測到位置偏移時，控制部104與檢測Y軸方向的位置偏移時同樣，檢測在傳送薄膜基板FB的狀態(tài)下位置偏移持續(xù)了什么程度的時間。若位置偏移的時間為短時間，則通過切換液滴涂敷裝置120的多個噴嘴122中的涂敷液滴的噴嘴122來應(yīng)對。若偏移持續(xù)了較長時間，則使在夾著檢測到該偏移的對準照相機CA的位置上設(shè)置的2個輥RR向X方向或者Y方向移動，來進行薄膜基板FB的θ Z方向的位置修正。接下來，對拆卸動作進行說明。例如在薄膜基板FB上形成有機EL元件50并回收了薄膜基板FB后，從基板處理部102上卸下作為基板供給部101而使用的基板筒1。圖M是表示基板筒1的拆卸動作的圖。在拆卸動作中，通過使裝配部3向-X方向移動而從供給側(cè)連接部102Α上卸下。由此卸下裝配部3。如上所述，由于本實施方式涉及的引導(dǎo)部件LDR具備與具有可撓性的薄膜F連接的連接部(階梯部201)、以及被用于至少薄膜F與上述連接部(階梯部201)之間的對位的位置基準部202，所以可以高精度地與薄膜F的所希望的位置連接。另外，由于本實施方式涉及的薄膜基板FB具備具有可撓性并被向規(guī)定方向傳送的薄膜F、以及與該薄膜F的端部連接的本實施方式的引導(dǎo)部件LDR，所以能夠可靠地保護薄膜F的端部。由此，能夠減少由于薄膜基板ra的傳送而產(chǎn)生的薄膜F的彎曲、歪斜等變形。另外，由于本實施方式涉及的基板筒1具備對具有可撓性的薄膜基板FB進行收納的筒主體2，所以能夠以幾乎不產(chǎn)生彎曲、歪斜等的狀態(tài)收納薄膜基板ra。另外，由于本實施方式收納的基板筒1具備對具有可撓性的薄膜基板FB進行收納的筒主體2，所以能夠送出以幾乎不產(chǎn)生彎曲、歪斜等的狀態(tài)收納的薄膜基板ra。另外，由于本實施方式涉及的基板處理裝置100具備基板處理部102，其處理具板FB ；基板供給部101，其向該基板處理部102搬入薄膜基板FB ；以及基板回收部103，其從該基板處理部102中搬出薄膜基板FB ；并使用本實施方式的基板筒1作為基板供給部101以及基板回收部103中的至少一方，所以能夠?qū)σ詭缀醪淮嬖趶澢?、歪斜等的狀態(tài)被供給的薄膜基板FB進行處理，另外，能夠?qū)μ幚砗蟮谋∧せ錐B進行收納。另外，由于本實施方式涉及的引導(dǎo)部件連接方法是使具有可撓性的薄膜F與引導(dǎo)部件LDR連接的引導(dǎo)部件連接方法，包括使薄膜F與引導(dǎo)部件LDR的位置對準的對位工序、和在該對位工序之后將薄膜F與引導(dǎo)部件LDR連接的連接工序，所以能夠高精度地對薄膜F的所希望的位置連接引導(dǎo)部件LDR。本發(fā)明的技術(shù)范圍并不限定于上述實施方式，可以在不脫離本發(fā)明主旨的范圍內(nèi)加以適當(dāng)變更。在上述實施方式中，可以按照引導(dǎo)部件LDR的尺寸例如比設(shè)于基板處理部102的輥RR中的在傳送方向(X方向)鄰接的輥RR彼此的間隔長的方式，設(shè)定引導(dǎo)部件LDR的X方向的尺寸。由此，由于引導(dǎo)部件LDR在至少由2個以上輥RR支承的狀態(tài)下被傳送，所以可以更可靠地進行傳送。具體而言，可舉出如圖25所示，將基板處理部102的隔壁形成部91、電極形成部92等各處理部的入口側(cè)的輥RR與出口側(cè)的輥RR的間隔形成為Ll以上的長度的構(gòu)成。另外，也可以如圖25所示，將隔壁形成部91、電極形成部92等各處理部的出口側(cè)的輥RR與下一處理部的入口側(cè)的輥RR的間隔形成為L2以上的長度。而且，由于薄膜基板FB至少具有薄膜F以上的剛性，所以各處理部的入口側(cè)的輥RR與出口側(cè)的輥RR的間隔Ll或者各處理部的出口側(cè)的輥RR與下一處理部的入口側(cè)的輥RR的間隔L2能夠比例如不存在引導(dǎo)部件LDR的情況長。此外，本實施方式中的引導(dǎo)部件LDR的傳送方向的長度沒有特別限定，例如可以考慮液滴涂敷裝置120的傳送方向上的長度、各處理部的傳送方向上的間隔、處理部為曝光裝置時曝光視野的傳送方向的寬度等，設(shè)定為30cm以上。此外，當(dāng)如圖25所示，例如上述的隔壁形成部91與電極形成部92作為不同的裝置被納入，并將隔壁形成部91與電極形成部92連結(jié)來組裝基板處理部102時，基板處理裝置100也可以在隔壁形成部91與電極形成部92之間具有橋式導(dǎo)向件BG來作為輔助部。另外，例如在本實施方式中，優(yōu)選各處理部的出口側(cè)的輥RR的配置高度(Z方向的高度)與下一處理部的入口側(cè)的輥RR的配置高度盡可能為相同的高度，從操作性或者視認性的觀點出發(fā)，為50cm IOOcm的程度。其中，當(dāng)各處理部的出口側(cè)的輥RR的配置高度與下一處理部的入口側(cè)的輥RR的配置高度相互不同時，只要使上述的橋式導(dǎo)向件BG沿高度方向(Z方向)傾斜配置即可。另外，例如當(dāng)引導(dǎo)部件LDR的X方向的尺寸L3比基板處理部102的隔壁形成部91、電極形成部92等各處理部的入口側(cè)的輥RR與出口側(cè)的輥RR的間隔Ll小時，也可以如圖26所示，成為設(shè)置滑爪(slide claw)機構(gòu)500或者導(dǎo)向板501等作為輔助部的構(gòu)成。滑爪機構(gòu)500成為具有可以插入到引導(dǎo)部件LDR的開口部203的突出部的爪(claw)部件500a能夠沿著導(dǎo)軌500b在X方向上移動的構(gòu)成。而且，爪部件500a在移動方向的下游側(cè)的端部可以向-Z方向移動，并能夠拔取插入的突出部。另外，如圖沈所示，作為導(dǎo)向板501，在各處理部(這里例示了電極形成部92)的上游側(cè)設(shè)置了 2個(導(dǎo)向板501a以及501b)，在電極形成部92內(nèi)的圖中X方向兩端部各設(shè)置1個(導(dǎo)向板501c以及501d)，在電極形成部92的下游側(cè)設(shè)置2個(導(dǎo)向板501e以及501f)。另外，在如圖27所示，例如隔壁形成部91的構(gòu)成是通過熱轉(zhuǎn)印輥115對薄膜基板FB向+Z側(cè)施加張力的構(gòu)成的情況下，當(dāng)引導(dǎo)部件LDR的X方向的尺寸L3比經(jīng)由熱轉(zhuǎn)印輥115的外面的輥RR間的距離L4小時，也可以是配置導(dǎo)向板502、裝載用輥503、伯努利吸盤(bernoulli pad) 504或者蓋部件505等作為輔助部的構(gòu)成。在圖27中，作為裝載用輥503，可舉出例如被設(shè)置成能夠與配置在熱轉(zhuǎn)印輥115的上游側(cè)的輥RR接近(access)的裝載用輥503a、被設(shè)置成能夠與熱轉(zhuǎn)印輥115接近的裝載用輥50 、被設(shè)置成能夠與配置在熱轉(zhuǎn)印輥115的下游側(cè)的輥RR接近的裝載用輥503c等。伯努利吸盤504具有例如基于薄膜基板FB的移動而產(chǎn)生負壓的伯努利機構(gòu)，使薄膜基板FB接近伯努利吸盤504側(cè)。由于伯努利吸盤504的負壓產(chǎn)生面沿著薄膜基板FB的移動方向設(shè)置，所以可避免薄膜基板FB被熱轉(zhuǎn)印輥115卷入。蓋部件505例如被設(shè)置成空開熱轉(zhuǎn)印輥115的與微細壓印用模具111抵接的區(qū)域，并且覆蓋薄膜基板FB的X方向的兩端部。因此，薄膜基板FB沿著熱轉(zhuǎn)印輥115的外表面移動。另外，例如上述實施方式說明了在基板處理部102內(nèi)保持對薄膜基板FB施加著張力的狀態(tài)來傳送的構(gòu)成，但不限于此，也可以如圖觀(幻 圖28(c)所示，按照使薄膜基板FB撓曲的方式來傳送。該情況下，例如如圖^(a)所示，在使薄膜基板FB撓曲的停留部分510的上游側(cè)配置導(dǎo)向板506a以及上游側(cè)輥508，并且在停留部分510的下游側(cè)配置下游側(cè)輥509以及導(dǎo)向板506b、506c。另外，例如預(yù)先使橋接板507與上游側(cè)輥508連接。橋接板507例如是在上游側(cè)輥508與下游側(cè)輥509之間傳遞薄膜基板FB的板部件。在停留部分510中，首先如圖^(a)以及圖觀(b)所示，從停留部分510的上游側(cè)向下游側(cè)經(jīng)由作為輔助部的橋接板507傳送薄膜基板FB的前端的引導(dǎo)部件LDR。引導(dǎo)部件LDR例如在被停留部分510的下游側(cè)的輥RR支承后，如圖28(c)所示，將橋接板507解除。由于通過將橋接板507解除，上游側(cè)輥508與上游側(cè)輥508之間不被支承，所以以后傳送來的薄膜基板FB的薄膜F沿著停留部分510的形狀而撓曲。這樣，在停留部分510中可以形成為不使引導(dǎo)部件LDR撓曲，但使薄膜F撓曲的構(gòu)成。另外，在上述實施方式中，以形成例如標記等作為引導(dǎo)部件LDR的位置基準部202的構(gòu)成為例進行了說明，但并不限于此。例如也可以如圖四所示，在引導(dǎo)部件LDR的一部分上形成切口部520、530，使用該切口部520、530來進行引導(dǎo)部件LDR與薄膜F之間的對位。在圖四所示的例子中，切口部520以及530被設(shè)置在與薄膜F的連接部(階梯部201)的Y方向兩端部(角部)。切口部520以及530例如形成為被容納于CCD照相機等的攝像區(qū)域M0、550內(nèi)。切口部520以及530如圖四的放大部分所示那樣，分別具有與圖中X方向平行的邊520a、530a。當(dāng)使用該切口部520以及530進行對位時，首先按照切口部520以及530與薄膜F的一部分重疊的方式配置引導(dǎo)部件LDR。在此基礎(chǔ)上，例如對邊520a以及530a分別求出例如與薄膜F的端邊1 之間的距離ΔΧ1以及ΔΧ2。而且，對引導(dǎo)部件LDR的-Y側(cè)的邊520b以及+Y側(cè)的邊530b，分別求出與薄膜F的-Y側(cè)的邊Fg以及+Y側(cè)的邊1 之間的距離ΔΥ1以及ΔΥ2。然后，調(diào)整引導(dǎo)部件LDR的粘貼位置，以使例如ΔΧ1 = ΔΧ2、Δ Yl =Δ Y2。通過該構(gòu)成，可以不在薄膜F側(cè)另形成標記地進行對位。 附圖標記說明FB...薄膜基板；LDR...引導(dǎo)部件；F...薄膜；Fa...端部；Fd...薄膜側(cè)位置基準部；1...基板筒；2...筒主體；26...輥部..旋轉(zhuǎn)軸部件；26b...擴徑部..圓筒部..凹部..開口部；28...卡合機構(gòu)..爪部件..按壓部件；100...基板處理裝置；101...基板供給部；102...基板處理部；103. · ·基板回收部；104. · ·控制部；105. · ·傳送單元；120. · ·液滴涂敷裝置；201. · ·階梯部；202. · ·位置基準部；203...開口部；204. · ·信息保持部；300. · ·引導(dǎo)部件粘貼裝置；400...信息檢測裝置；520、530...切口部。
權(quán)利要求
1.一種引導(dǎo)部件，其特征在于，具備連接部，其與基板連接；和位置基準部，其被用于至少所述基板與所述連接部之間的對位。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的引導(dǎo)部件，其特征在于，所述位置基準部是能夠以非接觸的方式使所述基板與所述連接部對位的位置基準。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的引導(dǎo)部件，其特征在于，所述位置基準部包含切口部。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的引導(dǎo)部件，其特征在于，所述切口部形成于所述連接部。
5.根據(jù)權(quán)利要求1 4中任意一項所述的引導(dǎo)部件，其特征在于，所述位置基準部包含圖案。
6.根據(jù)權(quán)利要求1 5中任意一項所述的引導(dǎo)部件，其特征在于，還具備保持與所述基板有關(guān)的信息的信息保持部。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的引導(dǎo)部件，其特征在于，所述信息保持部包含第2圖案。
8.根據(jù)權(quán)利要求6或7所述的引導(dǎo)部件，其特征在于，所述信息保持部包含半導(dǎo)體芯片。
9.根據(jù)權(quán)利要求6 8中任意一項所述的引導(dǎo)部件，其特征在于，所述信息保持部被作為所述位置基準部使用。
10.根據(jù)權(quán)利要求1 9中任意一項所述的引導(dǎo)部件，其特征在于，還具備1個以上設(shè)置在遠離所述連接部的位置的開口部。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的引導(dǎo)部件，其特征在于，所述開口部中的至少1個被作為所述位置基準部使用。
12.根據(jù)權(quán)利要求1 11中任意一項所述的引導(dǎo)部件，其特征在于，所述基板是顯示元件用的基板。
13.—種基板，其特征在于，具備基板主體，其被向規(guī)定方向傳送；和引導(dǎo)部，其與所述基板主體的端部連接；并使用權(quán)利要求1 12中任意一項所述的引導(dǎo)部件作為所述引導(dǎo)部。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的基板，其特征在于，所述基板主體具有與所述引導(dǎo)部件的所述位置基準部對應(yīng)的基板側(cè)基準部。
15.根據(jù)權(quán)利要求13或14所述的基板，其特征在于，所述引導(dǎo)部件比所述基板主體的剛性高。
16.根據(jù)權(quán)利要求13 15中任意一項所述的基板，其特征在于，所述基板主體與所述引導(dǎo)部件在與所述基板主體的傳送方向正交的方向上的尺寸相
17.根據(jù)權(quán)利要求13 16中任意一項所述的基板，其特征在于，所述引導(dǎo)部件具有切口部作為所述位置基準部，所述基板主體與所述切口部的至少一部分重疊。
18.根據(jù)權(quán)利要求13 17中任意一項所述的基板，其特征在于，所述引導(dǎo)部件在所述連接部中具有階梯部，所述基板主體與所述階梯部連接。
19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的基板，其特征在于，所述階梯部形成為所述引導(dǎo)部件的一個面與所述基板主體的一個面成為共面狀態(tài)。
20.一種基板筒，其特征在于，該基板筒具備收納基板的筒主體，作為所述基板，收納權(quán)利要求13 19中任意一項所述的基板。
21.根據(jù)權(quán)利要求20所述的基板筒，其特征在于，所述筒主體以卷取了所述基板的狀態(tài)對其進行收納。
22.根據(jù)權(quán)利要求20或21所述的基板筒，其特征在于，具有執(zhí)行所述基板的卷取以及送出中的至少一方的基板驅(qū)動機構(gòu)。
23.根據(jù)權(quán)利要求22所述的基板筒，其特征在于，所述基板驅(qū)動機構(gòu)具有設(shè)置有突出部并且被設(shè)置成能夠旋轉(zhuǎn)的軸部件，所述弓I導(dǎo)部件具有卡合于所述軸部件的所述突出部的開口部。
24.根據(jù)權(quán)利要求23所述的基板筒，其特征在于，所述突出部被設(shè)置成能夠相對所述軸部件的旋轉(zhuǎn)面退避。
25.根據(jù)權(quán)利要求23或M所述的基板筒，其特征在于，設(shè)于所述基板的所述引導(dǎo)部件形成為對所述軸部件至少能卷取1圈以上的尺寸。
26.—種基板處理裝置，其特征在于，具備基板處理部，其對基板進行處理；基板搬入部，其向所述基板處理部搬入所述基板；以及基板搬出部，其從所述基板處理部搬出所述基板；并使用權(quán)利要求20 25中任意一項所述的基板筒作為所述基板搬入部以及所述基板搬出部中的至少一方。
27.根據(jù)權(quán)利要求沈所述的基板處理裝置，其特征在于，所述基板處理部具有檢測與所述基板有關(guān)的信息的檢測部。
28.一種引導(dǎo)部件連接方法，用于使引導(dǎo)部件與基板連接，其特征在于，包括對位工序，使所述基板與所述引導(dǎo)部件的位置對準；以及連接工序，在所述對位工序之后將所述基板與所述弓I導(dǎo)部件連接。
29.根據(jù)權(quán)利要求觀所述的引導(dǎo)部件連接方法，其特征在于，所述對位工序具有使用設(shè)于所述基板的基板側(cè)位置基準部與設(shè)于所述引導(dǎo)部件的位置基準部，來檢測所述基板與所述引導(dǎo)部件的位置的位置檢測工序。
30.根據(jù)權(quán)利要求四所述的引導(dǎo)部件連接方法，其特征在于，在所述對位工序之前，對所述弓I導(dǎo)部件形成所述位置基準部。
31.根據(jù)權(quán)利要求四或30所述的引導(dǎo)部件連接方法，其特征在于，在所述對位工序之前，對所述基板形成所述基板側(cè)位置基準部。
32.根據(jù)權(quán)利要求四 31中任意一項所述的引導(dǎo)部件連接方法，其特征在于，所述對位工序使用所述基板的端部作為所述基板側(cè)位置基準部。
33.根據(jù)權(quán)利要求四 32中任意一項所述的引導(dǎo)部件連接方法，其特征在于，所述對位工序使用設(shè)于所述引導(dǎo)部件的切口部作為所述位置基準部。
34.根據(jù)權(quán)利要求觀 33中任意一項所述的引導(dǎo)部件連接方法，其特征在于，所述連接工序?qū)⑺龌宓囊徊糠峙c所述引導(dǎo)部件的一部分粘貼來進行連接。
35.一種顯示元件的制造方法，其特征在于，包括使用權(quán)利要求1 12中任意一項所述的引導(dǎo)部件來傳送基板的工序；以及在基板處理部中處理所述基板的工序。
36.根據(jù)權(quán)利要求35所述的顯示元件的制造方法，其特征在于，所述基板處理部具有至少2個傳送所述基板的傳送部，所述引導(dǎo)部件的傳送方向的長度為所述2個傳送部的配置間隔以上。
37.根據(jù)權(quán)利要求35所述的顯示元件的制造方法，其特征在于，所述基板處理部具有至少2個對所述基板進行處理的處理部，所述引導(dǎo)部件的傳送方向的長度為所述2個處理部的配置間隔以上。
38.根據(jù)權(quán)利要求35 37中任意一項所述的顯示元件的制造方法，其特征在于，具有使用對所述引導(dǎo)部件的傳送進行輔助的輔助部來傳送所述基板的工序。
39.根據(jù)權(quán)利要求35 38中任意一項所述的顯示元件的制造方法，其特征在于，具有對被收納成至少一部分相互重疊的所述基板進行傳送的工序。
40.根據(jù)權(quán)利要求35 39中任意一項所述的顯示元件的制造方法，其特征在于，具有對被收納成卷狀的所述基板進行傳送的工序。
41.根據(jù)權(quán)利要求35 40中任意一項所述的顯示元件的制造方法，其特征在于，所述基板的元件形成區(qū)域與所述引導(dǎo)部件對位。
42.一種顯示元件的制造裝置，其特征在于，具備傳送單元，其傳送與基板連接的權(quán)利要求1 12中任意一項所述的引導(dǎo)部件；以及基板處理部，其對所述基板進行處理。
43.根據(jù)權(quán)利要求42所述的顯示元件的制造裝置，其特征在于，具備按照所述基板的至少一部分相互重疊的方式收納所述基板的基板筒。
44.根據(jù)權(quán)利要求42或43所述的顯示元件的制造裝置，其特征在于，具備將所述基板收納為卷狀的基板筒。
45.根據(jù)權(quán)利要求42 44中任意一項所述的顯示元件的制造裝置，其特征在于，所述傳送單元具有至少2個傳送部，所述引導(dǎo)部件的傳送方向的長度為所述2個傳送部的配置間隔以上。
46.根據(jù)權(quán)利要求42 44中任意一項所述的顯示元件的制造裝置，其特征在于，所述基板處理部具有至少2個對所述基板進行處理的處理部，所述引導(dǎo)部件的傳送方向的長度為所述2個處理部的配置間隔以上。
47.根據(jù)權(quán)利要求42 46中任意一項所述的顯示元件的制造裝置，其特征在于，具備對所述引導(dǎo)部件的傳送進行輔助的輔助部。
全文摘要
引導(dǎo)部件具備與基板連接的連接部、和被用于至少上述基板與上述連接部之間的對位的位置基準部。
文檔編號H01L21/31GK102598863SQ20108004927
公開日2012年7月18日 申請日期2010年11月18日 優(yōu)先權(quán)日2009年11月19日
發(fā)明者木內(nèi)徹, 浜田智秀 申請人:株式會社尼康