專利名稱：Mofet的掩模層級(jí)減少的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明主要涉及ー種在有源矩陣生產(chǎn)中減少掩模數(shù)目的エ藝。
背景技術(shù)：
在有源矩陣液晶顯示器(AMIXD)和有源矩陣有機(jī)發(fā)光顯示器(AMOLED)中，存在用于不同功能的導(dǎo)電層的需求。例如，對(duì)于掃描線需要ー個(gè)金屬層，而對(duì)于數(shù)據(jù)線需要另ー個(gè)金屬層。這兩種線彼此交叉，并且不能在同一金屬層級(jí)步驟期間形成。用于數(shù)據(jù)線和掃描線的金屬線的電導(dǎo)率是非常關(guān)鍵的，并且因?yàn)殡妼?dǎo)率的要求，不能由電導(dǎo)率相對(duì)低的透明材料制成。而且，需要透明導(dǎo)電層作為透射式LCD或底部發(fā)光OLED的電極。將透明導(dǎo)體與其它金屬線結(jié)合或形成是不容易的。金屬線中的每ー種都需要用分開的光刻步驟構(gòu)圖，并有助于掩模層級(jí)的數(shù)目。而且，在制作AMLCD和AMOLED吋，存在另外的掩模層級(jí)，其用于間隔物(在AMIXD的情況下)或觸排(bank)(在AMOLED的情況下)的形成。應(yīng)該理解，這些觸排或間隔物用來分開完整顯示器中的不同層，例如，底板與發(fā)光層。エ藝中的每個(gè)掩模層級(jí)都?jí)埣恿衰ㄋ嚨膹?fù)雜度和成本。因此，修補(bǔ)現(xiàn)有技術(shù)中固有的上述和其它缺點(diǎn)是非常有利的。從而，本發(fā)明的目的是提供一種新的和改進(jìn)的AMIXD和AMOLED制作エ藝，其中減少了掩模層級(jí)的數(shù)目。

發(fā)明內(nèi)容
簡(jiǎn)要地，根據(jù)當(dāng)前發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例，為了實(shí)現(xiàn)其期望的目的，提供了ー種以減少的掩模操作制作用于有源矩陣顯示器的薄膜晶體管的方法。該方法包括提供具有表面的襯底并在該襯底表面上構(gòu)圖柵極金屬以限定薄膜晶體管柵極(第一掩模層級(jí))的步驟。在該柵極和周邊的襯底表面上方形成柵極電介質(zhì)的層，并且在該柵極電介質(zhì)的層上沉積半導(dǎo)體金屬氧化物的層。在疊蓋該柵極的半導(dǎo)體金屬氧化物上，構(gòu)圖溝道保護(hù)層。構(gòu)圖該溝道保護(hù)層，以在該柵極上方的半導(dǎo)體金屬氧化物中限定溝道區(qū)，并暴露剰余的半導(dǎo)體金屬氧化物 (第二掩模層級(jí))。在該溝道保護(hù)層和暴露的半導(dǎo)體金屬氧化物上沉積至少源極/漏極金屬層的層。單ー蝕刻步驟包括蝕刻穿過在該柵極上方源極/漏極金屬層直到溝道保護(hù)層，以將源極/漏極金屬層分開為薄膜晶體管源極端子和漏極端子，并蝕刻穿過外圍的源極/漏極金屬層和半導(dǎo)體金屬氧化物，以隔絕薄膜晶體管(第三掩模層級(jí))。在該隔絕的薄膜晶體管和周邊的源扱/漏極金屬層上沉積非導(dǎo)電間隔物層，并蝕刻以限定與薄膜晶體管相鄰的光透射區(qū)，并暴露光透射區(qū)中的透明電極(第四掩模層級(jí))。當(dāng)前發(fā)明的期望目的進(jìn)ー步實(shí)現(xiàn)為ー種用減少的掩模操作制作用于有源矩陣顯示器的一對(duì)互連薄膜晶體管的方法。該方法包括提供具有表面的襯底，并在襯底表面上構(gòu)圖柵極金屬，以限定兩個(gè)間隔開的薄膜晶體管柵極。在該柵極上方形成阻擋金屬的層，并在該柵極中的ー個(gè)的上方的阻擋金屬的表面上構(gòu)圖通孔掩模以限定通孔。該通孔掩模用于保護(hù)該阻擋金屬免受蝕刻和陽極化以形成通孔。回流該通孔掩模，以覆蓋通孔側(cè)邊，并陽極化柵極的金屬，以在該柵極的表面上限定陽極化的金屬的層。移除該通孔掩模以暴露通孔。形成與柵極中的每ー個(gè)相關(guān)的溝道和源扱/漏極端子，并通過通孔將柵極中的ー個(gè)連接到另一個(gè)柵極的源扱/漏極端子。


結(jié)合附圖，由下面的本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例的詳細(xì)描述，對(duì)于本領(lǐng)域的技術(shù)人員來說，本發(fā)明的上文和其它以及更具體的目的和優(yōu)點(diǎn)將變得更顯而易見，其中圖1是有源矩陣液晶顯示器(AMIXD)中的單個(gè)IXD元件的示意圖；圖2是有源矩陣有機(jī)發(fā)光顯示器(AMOLED)中的單個(gè)OLED元件的示意圖；圖3至圖6是圖示用于制作有源矩陣顯示器的エ藝中的順序步驟的簡(jiǎn)化截面圖； 和圖7至圖11是圖示用于制作有源矩陣顯示器中的通孔的エ藝中的順序步驟的簡(jiǎn)化截面圖。
具體實(shí)施例方式如上述簡(jiǎn)要說明的，對(duì)于掃描線需要ー個(gè)金屬層，而對(duì)于數(shù)據(jù)線需要另ー個(gè)金屬層。而且，在形成用于AMLCD的間隔物和用于形成AMOLED的觸排時(shí)，使用另外的掩模層級(jí)。 通過結(jié)合S/D金屬層級(jí)掩模和該另外的掩模，可以在不使用另外的掩模的情況下，形成對(duì)于LCD或OLED必需的透明導(dǎo)體。除去該掩模層級(jí)，基本改進(jìn)了エ藝并降低了成本。下面詳細(xì)列出了除去了該掩模層級(jí)的エ藝。具體參考圖1，圖示了 AMLCD中典型單個(gè)元件的示意圖。該單個(gè)元件包括LCD、存儲(chǔ)電容器和薄膜晶體管(TFT)驅(qū)動(dòng)器。該TFT通過連接到柵極的掃描線和連接到源極/漏極(S/D)端子的數(shù)據(jù)線而被激活或控制。雖然可利用AMLCD的其它變形，但是所有變形通常都需要分開的掃描線和數(shù)據(jù)線以及透明導(dǎo)體。除了用于AMLCD，圖1中示出的像素驅(qū)動(dòng)電路也可以用于驅(qū)動(dòng)EPD，并且用于2D圖像陣列中的像素讀出。具體參考圖2，圖示了 AMOLED中典型單個(gè)元件的示意圖。該單個(gè)元件包括0LED、 存儲(chǔ)電容器和(在本實(shí)例中)薄膜晶體管(TFT)控制器和TFT驅(qū)動(dòng)器。該TFT控制器通過連接到柵極的掃描線和連接到源極/漏極(S/D)端子的數(shù)據(jù)線激活。雖然可以利用AMOLED 的其它變形，但是所有變形通常都要求分開的掃描線和數(shù)據(jù)線以及將晶體管和透明導(dǎo)體互連?，F(xiàn)在轉(zhuǎn)到圖3，提供襯底10，其可以是期望用于具體應(yīng)用的任意材料，例如塑料、 玻璃等。作為優(yōu)選エ藝中的第一歩，將柵極金屬層12構(gòu)圖到襯底10的表面上，以形成用于 TFT的柵極。柵極金屬層12的構(gòu)圖需要第一掩模層級(jí)。在該エ藝的第二步驟中，在柵極金屬層12和襯底10的周邊表面上沉積柵極電介質(zhì)層14。由于柵極電介質(zhì)層14的沉積基本是均厚沉積(blanket d印osition)，所以不需要精細(xì)掩模層級(jí)。注意，雖然為了簡(jiǎn)化而在圖 3-6描述的步驟中圖示了單個(gè)薄膜晶體管(TFT)，但是應(yīng)該理解，在AMLCD或AMOLED中，分別制作了 IXD或OLDE的完整陣列。轉(zhuǎn)到圖4，在柵極電介質(zhì)層14上沉積半導(dǎo)體金屬氧化層16。由于半導(dǎo)體金屬氧化物層16的沉積基本是均厚沉積，所以不需要精細(xì)掩模層級(jí)。將溝道保護(hù)層18在金屬氧化物層16的頂部上構(gòu)圖，并且與柵極12成疊蓋關(guān)系，以基本限定該薄膜晶體管的溝道，在下文中稱為晶體管20。溝道保護(hù)層18的形成和定位需要第二掩模層級(jí)。轉(zhuǎn)向圖5，在金屬氧化物層16上沉積透明氧化物導(dǎo)體的任選層22，并在層16的表面上沉積任選阻擋金屬層對(duì)。透明氧化物導(dǎo)體層22，例如，可以是ITO等，并且阻擋金屬例如可以是Mo、W、Cr、Ni等。在阻擋金屬層M上方沉積源扱/漏極(S/D)金屬層沈。層26 的S/D金屬可以是任意適合的導(dǎo)電金屬，諸如鋁等。應(yīng)該理解，層22和M是任選的，并且通常依賴于應(yīng)用和不同層中使用的材料的具體類型。由于層22、M和沈的沉積每個(gè)基本上都是均厚沉積，所以不要求精細(xì)掩模層級(jí)。然后通過S/D掩模，或第三掩模層級(jí)，構(gòu)圖包括層22J4和沈(或者存在的具體層)的多層堆疊。在該步驟中，使用蝕刻掩摸，并且在柵極12上方蝕刻穿過層22、M和沈直到溝道保護(hù)層18，并且在別處(標(biāo)記為30)蝕刻穿過層22J4和沈和金屬氧化物半導(dǎo)體 16。該蝕刻的結(jié)果是標(biāo)記為32的TFT。溝道外部的蝕刻30實(shí)現(xiàn)了金屬氧化物半導(dǎo)體層16 與相鄰構(gòu)件的隔絕。如圖1和/或圖2的示意示的，柵極金屬層12 —般連接到矩陣的掃描線，并且S/D金屬層沈連接到矩陣的數(shù)據(jù)線并且連接到顯示元件的另外的構(gòu)件?，F(xiàn)在轉(zhuǎn)到圖6，在TFT 32和源扱/漏極金屬層周邊的部分上，構(gòu)圖間隔物或觸排層 35 (第四掩模層級(jí))。任選地，該間隔物或觸排層35用作構(gòu)圖或蝕刻掩模，以蝕刻掉標(biāo)記為 37的區(qū)域中的不透明的S/D金屬沈和任選的阻擋金屬對(duì)，成為光透射(即顯示)區(qū)。例如， 在透明顯示器或底部發(fā)光/反射顯示器中，使用該任選步驟。由任選透明導(dǎo)體層38組成的透明電極，沉積在半導(dǎo)體金屬氧化物層16頂部上的區(qū)域37中。應(yīng)該理解，沒有任選透明導(dǎo)體層38，半導(dǎo)體金屬氧化物層16也可用作透明電極。透明導(dǎo)體層38的ー個(gè)優(yōu)點(diǎn)是該材料 (例如，TCO等)與半導(dǎo)體金屬氧化物層相比通常相對(duì)較硬，由此形成了用于列和行驅(qū)動(dòng)電路等連接的良好接觸焊墊。由此，使用三個(gè)掩模來構(gòu)圖或制作TFT 32，并且在該具體實(shí)施例中間隔物構(gòu)圖從濾色器側(cè)轉(zhuǎn)移到TFT側(cè)。該間隔物提供了用于LED填充的固定間隙。間隔物位置的這種轉(zhuǎn)移節(jié)省了一個(gè)掩模層級(jí)。參考圖7-11，圖示了用于在AMOLED元件(圖2中示意性圖示的)中制作兩個(gè)TFT和它們之間的通孔的エ藝。傳統(tǒng)上，通過沉積生成了柵極電介質(zhì)，并通過蝕刻生成了通孔。在本エ藝中，柵極金屬被陽極化成絕緣金屬氧化物，以用作柵極電介質(zhì)。為了實(shí)現(xiàn)這種結(jié)構(gòu)， 優(yōu)選相對(duì)容易陽極化的柵極金屬，諸如鋁(Al)或鉭(Ta)，產(chǎn)生金屬氧化物AW或TaO。應(yīng)該注意，很難在陽極化的金屬氧化物上形成通孔，因?yàn)楹茈y在不蝕刻下面的金屬的情況下蝕刻該氧化物。為了解決這種問題，如下所述，在陽極化工藝期間使用構(gòu)圖掩摸。具體參考圖7，提供襯底50，其可以是期望用于具體應(yīng)用的任何材料，例如塑料、 玻璃等。作為該優(yōu)選エ藝中的第一歩，在襯底50的上表面上沉積柵極金屬層52和阻擋金屬層M，并且被構(gòu)圖，以便為AMOLED元件中兩個(gè)TFT中的每ー個(gè)形成柵極。柵極金屬層52 和阻擋金屬層M的構(gòu)圖需要第一掩模層級(jí)。用于本エ藝中的陽極化的柵極金屬層52通常是反應(yīng)性的，以便其容易陽極化。由此，在電場(chǎng)下，其會(huì)腐蝕諸如ITO的疊蓋的金屬氧化物。為了補(bǔ)償這種問題，提供較低反應(yīng)性的阻擋金屬，諸如Mo、W、Cr或Ni，以防止由于電化學(xué)反應(yīng)造成的腐蝕。該柵極金屬用阻
擋金屬覆蓋。
7
參考圖8，在期望形成通孔的位置在阻擋金屬層M的表面上形成如光致抗蝕劑等的構(gòu)圖掩模56。在本エ藝中，通過光刻限定該柵極圖案。利用掩模56，蝕刻阻擋金屬層M 以移除除通孔之外的層。在該優(yōu)選エ藝中，該蝕刻輕微地底切掩模56。如圖9圖示，然后輕微回流該構(gòu)圖掩模56，使得不僅覆蓋阻擋金屬層M的上表面而且覆蓋側(cè)邊。例如，通過加熱、光照或任何可稍微軟化構(gòu)圖掩模56的特征，可以實(shí)現(xiàn)該回流。如圖10圖示，使柵極金屬層52經(jīng)受陽極化，以形成陽極化或氧化的柵極金屬的層58。如本領(lǐng)域的技術(shù)人員所理解的，容易通過使諸如鋁或鉭的活潑金屬經(jīng)受如蒸汽等的水蒸氣(water vapor)而對(duì)其進(jìn)行陽極化。被構(gòu)圖掩模56覆蓋的區(qū)域沒有陽極化，并且通孔M下面沒有氧化物。在產(chǎn)生期望量的陽極化之后，停止該エ藝，并用任何已知的方式移除構(gòu)圖掩模56，如圖11圖示。在該エ藝中，通孔表面是不會(huì)與疊蓋的金屬氧化物發(fā)生電化學(xué)反應(yīng)的阻擋金屬。 而且，在阻擋金屬上很難形成自然氧化物，并且在不需要任何背面濺射、蝕刻或其它清洗エ 藝的情況下，通孔接觸電阻會(huì)大大提高。由此，兩個(gè)間隔開的柵極通過在該柵極中的ー個(gè)上限定的通孔而形成。一旦完成了通孔的制作，就可以如上所述進(jìn)行該エ藝。該通孔用于連接該通孔在其上面定位的柵極金屬與任意疊蓋導(dǎo)體。由此，公開了ー種新的改進(jìn)的AMIXD和AMOLED的制作エ藝，其中減少了掩模層級(jí)的數(shù)目。而且，公開了在AMOLED中通孔的形成エ藝方面的本質(zhì)提高。通過減少掩模的數(shù)目或需要的掩模步驟，基本簡(jiǎn)化了エ藝，并因此降低了成本。具體地，本發(fā)明公開了ー種在減少了掩模數(shù)目的情況下形成觸排或間隔物的エ藝，和例如通過陽極化柵極絕緣體形成通孔的エ藝。該減少掩模的エ藝和通孔形成エ藝可以用于制作例如連接具有列和行驅(qū)動(dòng)電路的有源顯示器的總線和外圍區(qū)域中的接觸焊墊。還可以用本TFTエ藝和通孔形成エ藝制作集成的掃描驅(qū)動(dòng)器和數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器。由此本發(fā)明中公開的エ藝可以用于制作具有集成列和行驅(qū)動(dòng)器的顯示器背板。以說明為目的而在這里選擇的實(shí)施例的各種變化和修改對(duì)于本領(lǐng)域的技術(shù)人員來說是很容易實(shí)現(xiàn)的。對(duì)于這些修改和變化沒有偏離本發(fā)明的精神的情況下，它們都意圖于包含在本發(fā)明的范圍內(nèi)，本發(fā)明的范圍僅是由所附權(quán)利要求的合理解釋來限定的。已經(jīng)用這種清楚和簡(jiǎn)潔的條款全面描述了本發(fā)明，使得對(duì)于本領(lǐng)域的技術(shù)人員能夠理解和實(shí)踐本發(fā)明。
權(quán)利要求
1.ー種以減少的掩模操作制作用于有源矩陣顯示器的薄膜晶體管的方法，所述方法包括步驟提供具有表面的襯底；在所述襯底的表面上構(gòu)圖柵極金屬，以限定薄膜晶體管柵極；在所述柵極和周邊的襯底表面上方形成柵極電介質(zhì)的層；在所述柵極電介質(zhì)的層上沉積半導(dǎo)體金屬氧化物的層；在疊蓋所述柵極的所述半導(dǎo)體金屬氧化物上構(gòu)圖溝道保護(hù)層，所述溝道保護(hù)層被構(gòu)圖以在所述柵極上方的所述半導(dǎo)體金屬氧化物中限定溝道區(qū)，并暴露剰余的半導(dǎo)體金屬氧化物；在所述溝道保護(hù)層和暴露的半導(dǎo)體金屬氧化物上，沉積至少源極/漏極金屬層；在単一的蝕刻步驟中，蝕刻穿過在所述柵極上方的所述源極/漏極金屬層直到所述溝道保護(hù)層，以將所述源極/漏極金屬層分開為薄膜晶體管源極端子和漏極端子，并蝕刻穿過在外圍的所述源極/漏極金屬層和所述半導(dǎo)體金屬氧化物，以隔絕所述薄膜晶體管；和在隔絕的薄膜晶體管和圍繞源極/漏極金屬層的部分上沉積構(gòu)圖的非導(dǎo)電間隔物層。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，進(jìn)ー步包括利用所述間隔物層作為掩模蝕刻所述源極 /漏極金屬層的步驟，以限定與所述薄膜晶體管相鄰的光透射區(qū)、并暴露所述光透射區(qū)中的透明電極。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中制作所述薄膜晶體管包括制作有源矩陣顯示器中的多個(gè)薄膜晶體管，所述有源矩陣顯示器包括數(shù)據(jù)線和掃描線的矩陣，所述柵極金屬連接到所述掃描線中的一條，并且所述源扱/漏極金屬連接到所述數(shù)據(jù)線中的一條。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述光透射區(qū)中的所述透明電極是所述有源矩陣顯示器中的發(fā)光器件的電極。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，其中所述發(fā)光器件包括液晶發(fā)光器件(LCD)和有機(jī)發(fā)光器件(OLED)中的ー種。
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，其中定位所述間隔物層以使所述襯底和形成在所述襯底上的相關(guān)構(gòu)件與所述有源矩陣顯示器中的相鄰的襯底成形分開。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中沉積至少源扱/漏極金屬層的步驟包括在沉積所述源極/漏極金屬層之前，在所述溝道保護(hù)層和所述暴露的半導(dǎo)體金屬氧化物上沉積透明氧化物的層。
8 根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其中沉積至少源極/漏極金屬層的步驟包括在所述透明氧化物的層上沉積阻擋金屬層。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其中沉積所述阻擋金屬層的步驟包括沉積Mo、W、Cr和 Ni中的ー種。
10.ー種制作有源矩陣顯示器中的薄膜晶體管矩陣的方法，所述有源矩陣顯示器包括數(shù)據(jù)線和掃描線的矩陣，所述方法包括步驟提供具有表面的襯底；在所述襯底的表面上構(gòu)圖柵極金屬，以限定所述矩陣的每個(gè)薄膜晶體管的柵極，并且將所述矩陣的每個(gè)薄膜晶體管的所述柵極連接到所選擇的掃描線；在所述柵極中的每ー個(gè)和周邊的襯底表面上方形成柵極電介質(zhì)的層；在所述柵極電介質(zhì)的層上沉積半導(dǎo)體金屬氧化物的層；在疊蓋每個(gè)柵極的所述半導(dǎo)體金屬氧化物上構(gòu)圖溝道保護(hù)層，所述溝道保護(hù)層被構(gòu)圖以在每個(gè)柵極上方的所述半導(dǎo)體金屬氧化物中限定溝道區(qū)、并暴露剰余的半導(dǎo)體金屬氧化物；在所述溝道保護(hù)層和暴露的半導(dǎo)體金屬氧化物上，沉積至少源極/漏極金屬層；在単一的蝕刻步驟中，蝕刻穿過在每個(gè)柵極上方的所述源極/漏極金屬層直到所述溝道保護(hù)層，以將所述源極/漏極金屬層分開為薄膜晶體管源極端子和漏極端子，并蝕刻穿過在外圍的所述源極/漏極金屬層和所述半導(dǎo)體金屬氧化物，以隔絕所述矩陣的每個(gè)薄膜晶體管，并將所述源極/漏極端子中的每ー個(gè)連接到所述數(shù)據(jù)線中的一條；和在隔絕的薄膜晶體管和周邊的源扱/漏極金屬層的部分上沉積構(gòu)圖的非導(dǎo)電間隔物層。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，進(jìn)ー步包括利用所述間隔物層作為掩模蝕刻所述源扱/漏極金屬層的步驟，以限定與所述薄膜晶體管相鄰的光透射區(qū)、并暴露所述光透射區(qū)中的透明電極。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，其中所述光透射區(qū)中的所述透明電極是所述有源矩陣顯示器中的發(fā)光器件的電極。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，其中所述發(fā)光器件包括液晶發(fā)光器件(LCD)和有機(jī)發(fā)光器件(OLED)中的ー種。
14.根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，其中定位所述間隔物層以使所述襯底和形成在所述襯底上的相關(guān)構(gòu)件與所述有源矩陣顯示器中的相鄰的襯底成形分開。
15.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，其中沉積至少源扱/漏極金屬層的步驟包括在沉積所述源極/漏極金屬層之前，在所述溝道保護(hù)層和所述暴露的半導(dǎo)體金屬氧化物上沉積透明氧化物的層。
16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的方法，其中沉積至少源極/漏極金屬層的步驟包括在所述透明氧化物的層上沉積阻擋金屬層。
17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的方法，其中沉積所述阻擋金屬層的步驟包括沉積Mo、W、Cr 和Ni中的ー種。
18.在以減少的掩模操作制作用于有源矩陣顯示器的一對(duì)互連薄膜晶體管的方法中， 包括步驟提供具有表面的襯底；在所述襯底的表面上構(gòu)圖柵極金屬，以限定兩個(gè)間隔開的薄膜晶體管柵極；在所述柵極上方形成阻擋金屬的層；在所述柵極中的ー個(gè)的上方的所述阻擋金屬的表面上構(gòu)圖通孔掩模以限定通孔，并利用所述通孔掩模蝕刻所述阻擋金屬以形成通孔；回流所述通孔掩模，以覆蓋通孔側(cè)邊；陽極化所述柵極的金屬，以在所述柵極的表面處限定陽極化的金屬的層；去除所述通孔掩模；形成與所述柵極中的每ー個(gè)相關(guān)的溝道和源極/漏極端子；和通過所述通孔將所述柵極中的一個(gè)連接到所述柵極中的另ー個(gè)的所述源極/漏極端子。
19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的方法，其中形成溝道和源極/漏極端子的步驟包括步驟 在柵極電介質(zhì)的層上沉積半導(dǎo)體金屬氧化物的層；在疊蓋兩個(gè)柵極中的每ー個(gè)的半導(dǎo)體金屬氧化物上構(gòu)圖溝道保護(hù)層，所述溝道保護(hù)層被構(gòu)圖，以在所述兩個(gè)柵極中的每ー個(gè)上方的所述半導(dǎo)體金屬氧化物中限定溝道區(qū)、并暴露剰余的半導(dǎo)體金屬氧化物；在所述溝道保護(hù)層和暴露的半導(dǎo)體金屬氧化物上沉積至少源極/漏極金屬層； 在単一的蝕刻步驟中，蝕刻穿過在所述兩個(gè)柵極中的每ー個(gè)的上方的所述源扱/漏極金屬層直到所述溝道保護(hù)層，以將所述源極/漏極金屬層分開為薄膜晶體管源極端子和漏極端子，并蝕刻穿過在所述ー對(duì)薄膜晶體管外圍的所述源極/漏極金屬層和半導(dǎo)體金屬氧化物，以隔絕所述ー對(duì)薄膜晶體管；在隔絕的薄膜晶體管和周邊的源極/漏極金屬層的部分上構(gòu)圖非導(dǎo)電間隔物層；和利用所述非導(dǎo)電間隔物層作為掩模蝕刻所述源極/漏極金屬層，以限定與所述ー對(duì)薄膜晶體管相鄰的光透射區(qū)、并暴露所述光透射區(qū)中的透明電極。
20.根據(jù)權(quán)利要求18中所述的方法，其中構(gòu)圖所述襯底的表面上的柵極金屬的步驟包括構(gòu)圖Al和I1a中的ー種。
21.根據(jù)權(quán)利要求18中所述的方法，其中構(gòu)圖通孔掩模的步驟包括利用光刻構(gòu)圖、并且所述通孔掩模是光致抗蝕劑材料。
22.根據(jù)權(quán)利要求21中所述的方法，其中回流所述通孔掩模的步驟包括軟化所述光致抗蝕劑材料，以部分地流降到所述通孔的側(cè)邊。
全文摘要
一種利用減少的掩模操作制作用于有源矩陣顯示器的薄膜晶體管的方法，包括在襯底上構(gòu)圖柵極。在該柵極上方形成柵極電介質(zhì)，并且在該柵極電介質(zhì)上沉積半導(dǎo)體金屬氧化物。在疊蓋柵極的半導(dǎo)體金屬氧化物上構(gòu)圖溝道保護(hù)層，以限定溝道區(qū)并暴露剩余的半導(dǎo)體金屬氧化物。在該結(jié)構(gòu)上沉積源極/漏極金屬層，并蝕刻穿過到達(dá)柵極上方的溝道保護(hù)層，以將源極/漏極金屬層分開為源極端子和漏極端子，并且在外圍蝕刻貫穿源極/漏極金屬層和半導(dǎo)體金屬氧化物以隔絕該晶體管。在該晶體管和周邊的源極/漏極金屬層的部分上，構(gòu)圖非導(dǎo)電間隔物。
文檔編號(hào)H01L21/336GK102598230SQ201080050111
公開日2012年7月18日 申請(qǐng)日期2010年9月9日 優(yōu)先權(quán)日2009年11月4日
發(fā)明者俞鋼, 謝泉隆, 黃鴻發(fā) 申請(qǐng)人:希百特股份有限公司