專利名稱：電子裝置的制造方法、電子裝置、電子裝置封裝體的制造方法、電子裝置封裝體的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及電子裝置的制造方法、電子裝置、電子裝置封裝體的制造方法、電子裝置封裝體。
背景技術(shù)：
伴隨著近年來電子設(shè)備的高功能化以及輕薄短小化的要求，電子部件的高密度集成化、進(jìn)而高密度安裝化發(fā)展起來。作為用于實現(xiàn)高密度安裝的半導(dǎo)體裝置，提出了配置有在基板上搭載第一半導(dǎo)體元件、進(jìn)ー步在第一半導(dǎo)體元件的上方搭載第二半導(dǎo)體元件的基板的封裝體疊層(POP)結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體封裝體。 作為具備在這種POP結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體封裝體中使用的第一半導(dǎo)體元件的半導(dǎo)體裝置，提出了如圖8所示的結(jié)構(gòu)(例如，參照專利文獻(xiàn)I)。圖8的半導(dǎo)體裝置具備基板900和設(shè)置在該基板900上的第一半導(dǎo)體元件901，第一半導(dǎo)體元件901被成型材料902覆蓋。在成型材料902中形成孔，在孔中填充有導(dǎo)電材料 903。專利文獻(xiàn)I :日本特表2009-520366號公報

發(fā)明內(nèi)容
通常成型材料902的孔通過向成型材料902照射激光而形成。但是，在照射激光時，難以正確地調(diào)整激光的強度、照射時間而使基板900表面被激光切削，從而難以獲得可靠性高的半導(dǎo)體封裝體。根據(jù)本發(fā)明提供電子裝置的制造方法，其中包括以下エ序在基材上配置電子部件的エ序；在上述基材的配置有上述電子部件的面上立起設(shè)置含有熱分解性的樹脂而構(gòu)成的立設(shè)部的エ序；以包埋上述電子部件、覆蓋上述立設(shè)部的周圍且從表面露出上述立設(shè)部的一部分的方式設(shè)置密封件的エ序；加熱上述立設(shè)部而分解并除去上述立設(shè)部，從而形成貫通上述密封件的孔的エ序；在上述孔內(nèi)設(shè)置導(dǎo)電體的エ序。在該發(fā)明中，在設(shè)有電子部件的基板上設(shè)置立設(shè)部，以覆蓋立設(shè)部的周圍且從表面露出立設(shè)部的一部分的方式設(shè)置密封件。之后，加熱立設(shè)部來熱分解，由此在密封件中形成孔。因此，能夠不用激光切削基板表面而獲得可靠性高的電子裝置。進(jìn)而，根據(jù)本發(fā)明還能夠提供采用上述制造方法制造的電子裝置。另外，根據(jù)本發(fā)明還能夠提供電子裝置封裝體的制造方法，是層疊有采用上述制造方法制造的電子裝置和其它電子裝置的電子裝置封裝體的制造方法，所述制造方法包括以下エ序以采用上述制造方法制造的上述電子裝置的上述導(dǎo)電體與形成在上述其它電子裝置的電極相接觸的方式，在上述電子裝置上搭載上述其它電子裝置，從而獲得由上述電子裝置和上述其它電子裝置構(gòu)成的層疊體的エ序；通過加熱上述層疊體來將上述導(dǎo)電體與上述其它電子裝置的上述電極接合的エ序。進(jìn)而，還能夠提供采用該電子裝置封裝體的制造方法制造的電子裝置封裝體。根據(jù)本發(fā)明，可以提供能夠獲得可靠性高的電子裝置的電子裝置的制造方法、電子裝置、進(jìn)而電子裝置封裝體的制造方法、電子裝置封裝體。


圖I是表示本發(fā)明的一個實施方式所涉及的電子裝置的制造エ序的エ序截面圖。圖2是表示在電子裝置中使用的立設(shè)部配置的平面圖。圖3是表示電子裝置的制造エ序的エ序截面圖。圖4是表示電子裝置的制造エ序的エ序截面圖。圖5是表示電子裝置的制造エ序的エ序截面圖。圖6是表示電子裝置封裝體的制造エ序的エ序截面圖。圖7是表示本發(fā)明的變形例的截面圖。圖8是表示以往的電子裝置的圖。
具體實施例方式下面，基于圖I 圖6說明本發(fā)明的實施方式。首先，對于本實施方式的概要進(jìn)行說明。本實施方式的電子裝置的制造方法包括以下エ序在基材(基板)11上配置電子部件10的エ序；設(shè)置含有熱分解性的樹脂而構(gòu)成的立設(shè)部13，所述立設(shè)部13在上述基材11的配置有上述電子部件10的面上立起設(shè)置的エ序；以包埋上述電子部件10、覆蓋上述立設(shè)部13的周圍且從表面露出上述立設(shè)部13的一部分的方式設(shè)置密封件14的エ序；加熱上述立設(shè)部13而分解并除去上述立設(shè)部13，從而形成貫通上述密封件14的孔141的エ序；在上述孔141內(nèi)設(shè)置導(dǎo)電體15的エ序。在此，本實施方式中，電子裝置是半導(dǎo)體裝置1，電子部件是半導(dǎo)體芯片10。接著，對于本實施方式的電子裝置的制造方法詳細(xì)地進(jìn)行說明。首先，如圖I (A)所示，在基板11上安裝半導(dǎo)體芯片10?；?1是半導(dǎo)體芯片搭載用的基板，是所謂的兩面電路基板或者多層電路基板。 該基板11可以僅由芯層構(gòu)成，也可以在芯層的表面背面層疊有增層，另外，還可以僅由增層構(gòu)成。增層是絕緣層與導(dǎo)體電路層交替層疊形成的層，芯層是由絕緣層與導(dǎo)體電路層形成的層。在基板11的表面背面沒有圖示，但形成有導(dǎo)體電路層(電路)。半導(dǎo)體芯片10與基板11的導(dǎo)體電路層電連接，本實施方式中，基板11的導(dǎo)體電路層與半導(dǎo)體芯片10介由半導(dǎo)體芯片10背面的焊錫凸點12電連接。焊錫凸點12可以為無鉛焊錫，另外，也可以為含鉛的高熔點焊錫。接著，如圖I (B)所示，在基板11上設(shè)有立設(shè)部13。從基板面?zhèn)扔^察，立設(shè)部13以包圍半導(dǎo)體芯片10的方式設(shè)置，例如可以舉出如圖2 (A)所示，分別設(shè)在基板11的四個角上的情況，另外，如圖2 (B)所示，以包圍半導(dǎo)體芯片10的方式設(shè)置的情況。立設(shè)部13形成柱狀，例如為圓柱形狀、四方柱形狀。立設(shè)部13的自基板11表面的高度比半導(dǎo)體芯片10的自基板表面的高度高，例如為10 1000 μ m。各立設(shè)部13在基板11的導(dǎo)體電路層上直接形成，覆蓋導(dǎo)體電路層的一部分。立設(shè)部13含有熱分解性的樹脂而構(gòu)成。立設(shè)部13優(yōu)選使熱分解性的樹脂為主成分(在立設(shè)部13含有溶劑時，相對于除去了溶劑的總量，熱分解性的樹脂為50wt%以上)，作為構(gòu)成立設(shè)部13的熱分解性的樹脂成分，例如可以舉出聚碳酸酯系樹脂、聚縮醛系樹脂、聚酯系樹脂、聚酰胺系樹脂、聚酰亞胺系樹脂、聚醚系樹脂、聚氨酯系樹脂、(甲基)丙烯酸酯系樹脂等。從熱分解性的觀點考慮，立設(shè)部13優(yōu)選含有共計50wt%以上的選自這些樹脂中的樹脂(在立設(shè)部13含有溶劑時，相對于除去了溶劑的總量，熱分解性的樹脂為50wt%以上)。 在這些樹脂成分之中，為了有效地縮短后述的立設(shè)部13的熱分解時間，優(yōu)選立設(shè)部13以聚碳酸酯系樹脂為主成分。此外，構(gòu)成立設(shè)部13的樹脂組合物可以僅由I種樹脂構(gòu)成，另外，也可以含有2種以上樹脂。在本說明書中，構(gòu)成立設(shè)部13的材料由I種樹脂形成時也稱為樹脂組合物。作為上述聚碳酸酯系樹脂，沒有特別限定，例如可以舉出聚碳酸亞丙酯樹脂、聚碳酸亞こ酯樹脂、1，2-聚碳酸亞丁酯樹脂、I, 3-聚碳酸亞丁酯樹脂、I, 4-聚碳酸亞丁酯樹脂、順-2，3-聚碳酸亞丁酯樹脂、反-2，3-聚碳酸亞丁酯樹脂、α，β -聚碳酸異亞丁酯樹脂、a, Y-聚碳酸異亞丁酯樹脂、順-1，2-聚碳酸亞環(huán)丁酯樹脂、反-1，2-聚碳酸亞環(huán)丁酯樹月旨、順-1，3-聚碳酸亞環(huán)丁酯樹脂、反-1，3-聚碳酸亞環(huán)丁酯樹脂、聚碳酸己烯酯樹脂、聚碳酸環(huán)丙烯酯樹脂、聚碳酸環(huán)己烯酯樹脂、1，3-聚碳酸環(huán)己酯樹脂、聚(碳酸甲基環(huán)己烯酷)樹脂、聚(碳酸こ烯基環(huán)己烯酷)樹脂、聚ニ氫萘碳酸酯樹脂、聚六氫苯こ烯碳酸酯樹月旨、聚環(huán)己烷亞丙基碳酸酯樹脂、聚苯こ烯碳酸酯樹脂、聚(3-苯基亞丙基碳酸酷)樹脂、聚(3-三甲基甲硅氧基亞丙基碳酸酷)樹脂、聚(3-甲基丙烯酰氧基亞丙基酷)樹脂、聚全氟亞丙基碳酸酯樹脂、聚降冰片烯碳酸酯樹脂、聚降冰片烷碳酸酯樹脂以及它們的組合。另外，作為聚降冰片烯碳酸酯樹脂，例如可以舉出外-聚降冰片烯碳酸酯樹脂、內(nèi)-聚降冰片烯碳酸酯樹脂、反-聚降冰片烯碳酸酯樹脂、順-聚降冰片烯碳酸酯樹脂。作為上述聚碳酸酯系樹脂，例如可以進(jìn)一歩舉出聚碳酸亞丙酷/聚環(huán)己烯碳酸酯共聚物、1，3-聚環(huán)己烷碳酸酷/聚降冰片烯碳酸酯共聚物、聚[(氧基羰基氧基-1，1,4, 4-四甲基丁烷)-alt-(氧基羰基氧基-5-降冰片烯-2-內(nèi)-3-內(nèi)-ニ甲燒)]樹脂、聚[(氧基擬基氧基-1,4-ニ甲基丁燒)-alt-(氧基擬基氧基-5-降冰片烯_2_內(nèi)-3-內(nèi)_ ニ甲燒)]樹脂、聚[(氧基擬基氧基_1，I, 4, 4-四甲基丁燒)-alt-(氧基羰基氧基-對ニ甲苯)]樹脂、及聚[(氧基羰基氧基-1，4- ニ甲基丁烷)-alt-(氧基羰基氧基-對ニ甲苯)]樹脂等。另外，作為1，3-聚環(huán)己烷碳酸酯/聚降冰片烯碳酸酯共聚物，例如可以舉出1，3-聚環(huán)己烷碳酸酯/外-聚降冰片烯碳酸酯共聚物、1，3-聚環(huán)己烷碳酸酯/內(nèi)-聚降冰片烯碳酸酯共聚物。作為上述聚碳酸酯系樹脂，也能夠使用具有至少2個環(huán)狀體的聚碳酸酯樹脂。
環(huán)狀體的數(shù)量可以為2個以上，但優(yōu)選為2 5個，更優(yōu)選為2或者3個，進(jìn)一歩優(yōu)選為2個。作為碳酸酯結(jié)構(gòu)単元，通過含有這樣數(shù)量的環(huán)狀體，與基板11的密合性優(yōu)異。多個環(huán)狀體可以形成各自頂點彼此相互連接的連結(jié)多環(huán)系結(jié)構(gòu)，但優(yōu)選形成各自具有的ー邊彼此相互連結(jié)的稠合多環(huán)系結(jié)構(gòu)。由此，能夠兼顧在用密封件14進(jìn)行密封的エ序中的耐熱性與縮短立設(shè)部13的熱分解時間。另外，多個環(huán)狀體優(yōu)選各自為5元環(huán)或者6元環(huán)。由此，保持碳酸酯結(jié)構(gòu)單元的平面性，因此，能夠使對于溶劑的溶解性更穩(wěn)定。 這樣的多個環(huán)狀體優(yōu)選為脂環(huán)式化合物。在各環(huán)狀體為脂環(huán)式化合物時，可以更顯著地發(fā)揮上述的效果。如果考慮這些，則在聚碳酸酯系樹脂中，作為碳酸酯結(jié)構(gòu)單元，例如為下述化學(xué)式(I)表示的結(jié)構(gòu)是特別優(yōu)選的結(jié)構(gòu)。
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:。が_⑴此外，具有上述化學(xué)式(I)表示的碳酸酯結(jié)構(gòu)單元的聚碳酸酯系樹脂能夠通過萘烷ニ醇與碳酸ニ苯酯這樣的碳酸ニ酯的縮聚反應(yīng)而獲得。 另外，在上述化學(xué)式(I)表示的碳酸酯結(jié)構(gòu)單元中，優(yōu)選來自與萘烷ニ醇具有的羥基連結(jié)的碳原子的碳原子分別鍵合在構(gòu)成萘烷(即，形成稠合多環(huán)系結(jié)構(gòu)的2個環(huán)狀體)的碳原子上，并且3個以上原子介干與這些羥基連結(jié)的碳原子之間。由此，能夠控制聚碳酸酯系樹脂的分解性，其結(jié)果，能夠兼顧由密封件14進(jìn)行密封的エ序中的耐熱性與縮短立設(shè)部13的熱分解時間。進(jìn)而，能夠使對于溶劑的溶解性更穩(wěn)定。作為這樣的碳酸酯結(jié)構(gòu)單元，例如可以舉出以下述化學(xué)式(1A)、(IB)表示的結(jié)構(gòu)單元。
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(I B)
(I A)進(jìn)而，多個環(huán)狀體除可以為脂環(huán)式化合物以外，還可以為雜脂環(huán)式化合物。即使各環(huán)狀體為雜脂環(huán)式化合物的情況下，也可以更顯著地發(fā)揮上述的效果。這種情況下，在聚碳酸酯系樹脂中，作為碳酸酯結(jié)構(gòu)単元，例如，下述化學(xué)式(2)表示的結(jié)構(gòu)是特別優(yōu)選的結(jié)構(gòu)。
權(quán)利要求
1.一種電子裝置的制造方法，其中，包括以下エ序 在基材上配置電子部件的エ序； 在所述基材的配置有所述電子部件的面上立起設(shè)置含有熱分解性的樹脂的立設(shè)部的ェ序； 以包埋所述電子部件、覆蓋所述立設(shè)部的周圍且從表面露出所述立設(shè)部的一部分的方式設(shè)置密封件的エ序； 加熱所述立設(shè)部而分解并除去所述立設(shè)部，從而形成貫通所述密封件的孔的エ序； 在所述孔內(nèi)設(shè)置導(dǎo)電體的エ序。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的電子裝置的制造方法，其中，所述電子部件是半導(dǎo)體芯片，所述基材是用于搭載半導(dǎo)體芯片的基板。
3.根據(jù)權(quán)利要求I或2所述的電子裝置的制造方法，其中， 在所述基材的設(shè)置有所述電子部件的所述面上形成電路， 在設(shè)置立起設(shè)置在所述基材的配置有所述電子部件的面上的立設(shè)部的所述エ序中，所述立設(shè)部在所述基材的電路上形成。
4.根據(jù)權(quán)利要求I 3中任一項所述的電子裝置的制造方法，其中，所述立設(shè)部含有共計50wt%以上的熱分解性的樹脂，所述熱分解性的樹脂選自聚碳酸酯系樹脂、聚縮醛系樹月旨、聚酯系樹脂、聚酰胺系樹脂、聚酰亞胺系樹脂、聚醚系樹脂、聚氨酯系樹脂、(甲基)丙烯Ife酷系樹脂。
5.根據(jù)權(quán)利要求I 4中任一項所述的電子裝置的制造方法，其中，所述立設(shè)部以聚碳酸酯系樹脂為主成分。
6.根據(jù)權(quán)利要求I 5中任一項所述的電子裝置的制造方法，其中，在所述基材的配置有所述電子部件的面上設(shè)置立設(shè)部的所述エ序中，通過分配器在所述基材上配置構(gòu)成所述立設(shè)部的樹脂來設(shè)置所述立設(shè)部。
7.根據(jù)權(quán)利要求I 6中任一項所述的電子裝置的制造方法，其中，在設(shè)置密封件的所述エ序中，所述密封件以覆蓋所述基材整面的方式設(shè)置。
8.根據(jù)權(quán)利要求I所述的電子裝置的制造方法，其中，所述熱分解性的樹脂的50%重量減少溫度為400°C以下。
9.根據(jù)權(quán)利要求I所述的電子裝置的制造方法，其中，所述熱分解性的樹脂的5%重量減少溫度為50°C以上。
10.根據(jù)權(quán)利要求I所述的電子裝置的制造方法，其中，所述熱分解性的樹脂的95%重量減少溫度與5%重量減少溫度之差為1°C 300°C。
11.一種電子裝置，采用權(quán)利要求I 10中任一項所述的電子裝置的制造方法制造。
12.一種電子裝置封裝體的制造方法，是層疊有采用權(quán)利要求I 10中任一項所述的電子裝置的制造方法制造的電子裝置和其它電子裝置的電子裝置封裝體的制造方法， 所述制造方法包括以下エ序 以采用權(quán)利要求I 10中任一項所述的電子裝置的制造方法制造的所述電子裝置的所述導(dǎo)電體與形成在所述其它電子裝置的電極相接觸的方式，在所述電子裝置上搭載所述其它電子裝置，從而獲得由所述電子裝置和所述其它電子裝置構(gòu)成的層疊體的エ序； 通過加熱所述層疊體來將所述導(dǎo)電體與所述其它電子裝置的所述電極接合的エ序。
13. 一種電子裝置體，采用權(quán)利要求12所述的電子裝置封裝體的制造方法制造。
全文摘要
一種電子裝置的制造方法，包括以下工序在基材(基板)(11)上配置電子部件(10)的工序；設(shè)置含有熱分解性的樹脂而構(gòu)成的立設(shè)部(13)，所述立設(shè)部(13)立起設(shè)置在基材(11)的配置有電子部件(10)的面上的工序；以包埋上述電子部件(10)、覆蓋上述立設(shè)部(13)的周圍且從表面露出上述立設(shè)部(13)的一部分的方式設(shè)置密封件(14)的工序；加熱上述立設(shè)部(13)而分解并除去上述立設(shè)部(13)，從而形成貫通上述密封件(14)的孔(141)的工序；在上述孔(141)內(nèi)設(shè)置導(dǎo)電體(15)的工序。
文檔編號H01L23/12GK102668065SQ20108005364
公開日2012年9月12日 申請日期2010年11月19日 優(yōu)先權(quán)日2009年11月27日
發(fā)明者川田政和, 杉山廣道, 楠木淳也, 竹內(nèi)江津 申請人:住友電木株式會社