專利名稱：用于處理基片的基片表面的方法和裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種用于處理按照權(quán)利要求I的前序部分所述的基片表面的方法以及一種適合用于實施該方法的裝置。
背景技術(shù)：
文獻(xiàn)DE10 2005 062 527 Al 和 DE 10 2005 062 528 Al 公開了用于在一側(cè)處理
平面的基片、更確切地說是處理基片下側(cè)面或者說朝下指向的基片側(cè)面的方法。在使用這種方法時，盡管在基片下面進(jìn)行抽吸，但是能夠通過反應(yīng)氣體或者說從過程介質(zhì)中釋放出來的氣體、在某種情況下也通過直接的接觸引起基片上側(cè)面的輕微侵蝕。此外，根據(jù)基片的輸送速度、過程介質(zhì)或者說化學(xué)劑的混合以及基片表面的情況會出現(xiàn)過程介質(zhì)的不期望的 邊緣卷邊。由此基片上側(cè)面能夠被侵蝕，以及在外觀上、或者更為嚴(yán)重的是在功能上受到損害。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的任務(wù)在于，提供一種本文開頭所述的方法和一種相應(yīng)的裝置。利用這種方法和裝置可消除現(xiàn)有技術(shù)的問題，并且尤其提供了這樣一種可能性，即能避免基片的朝上指向的基片上側(cè)面受到尤其是以釋放氣體的形式存在的過程介質(zhì)的、不期望的和有害的作用。該任務(wù)通過一種具有權(quán)利要求I的特征的方法和一種具有權(quán)利要求16的特征的裝置來解決。本發(fā)明的有利的和優(yōu)選的設(shè)計方案是其它權(quán)利要求的主題，并且在下面進(jìn)行更加詳細(xì)的說明。下述特征中的某些特征只是用于描述方法的，有些只是用于描述裝置的。然而，它們應(yīng)該彼此獨(dú)立地既適用于方法也適用于裝置。通過明確地參考說明書的內(nèi)容形成權(quán)利要求的條文。本發(fā)明規(guī)定，用通常流體的過程介質(zhì)處理基片表面或者說基片下側(cè)面。過程介質(zhì)對于基片表面具有一種剝蝕的作用或者說腐蝕的作用，例如用于太陽能電池的硅基片的拋光腐蝕(Poliedtzen)或者邊緣絕緣。在此從下面利用過程介質(zhì)潤濕水平放置的基片。這一工序能夠以現(xiàn)有技術(shù)已公開的、不同的類型和方式進(jìn)行。根據(jù)本發(fā)明，利用水或者其它相應(yīng)的保護(hù)液體平面地或者說有利地甚至全表面地潤濕或者覆蓋向上指向的或者說對準(zhǔn)的基片上側(cè)面。這起到保護(hù)作用，防止過程介質(zhì)或者由所述過程介質(zhì)釋放的氣體產(chǎn)生作用到或者說到達(dá)基片上側(cè)面上，也就是說可以防止這種情況的發(fā)生。也就是說水或者保護(hù)液體在基片上側(cè)面上形成一個保護(hù)層，從而所述基片上側(cè)面就能夠不被過程介質(zhì)損害。將例如像水或者其它的保護(hù)液體那樣的液體用作保護(hù)層或者說保護(hù)介質(zhì)的優(yōu)點(diǎn)在于，液體易于涂覆，并且又可以容易地清除掉，并且不會對基片上側(cè)面產(chǎn)生機(jī)械的破壞作用，也就是不會產(chǎn)生劃痕等等。此外，能夠如此有利地選擇水或者通常的保護(hù)液體，從而使得它們絕對不與基片上側(cè)面發(fā)生反應(yīng)，或者產(chǎn)生其它負(fù)面損害。最后能夠使水或者說保護(hù)液體如此與過程介質(zhì)的選擇協(xié)調(diào)一致，從而從基片上側(cè)面流下來的水或者說相應(yīng)的保護(hù)液體能夠到達(dá)過程介質(zhì)中，并且這雖然可能會稀釋過程介質(zhì)。但是由于量小，過程介質(zhì)的、僅僅影響不大的并且甚至沒有負(fù)面的損害的作用通常為腐蝕作用。對此下面還將更詳細(xì)地進(jìn)行說明。有利地，可在利用過程介質(zhì)潤濕基片或者說基片下側(cè)面之前將保護(hù)液體涂覆到基片上側(cè)面上。尤其是甚至在基片移動經(jīng)過在其中裝有過程介質(zhì)的槽上面之前就涂覆保護(hù)液體，也就是說在時間上明顯地在移動到輸送軌道上之前或者說在移動到輸送軌道上大約半米或者更小之前就涂覆保護(hù)液體。通過這一措施可以實現(xiàn)向下流的保護(hù)液體根本就不能到達(dá)在其中裝有過程介質(zhì)的槽中。通常在所述槽上方利用過程介質(zhì)進(jìn)行處理的幾秒種或者幾分鐘的持續(xù)時間可以足夠一次性地將保護(hù)液體涂覆到基片上側(cè)面上。在本發(fā)明的其它設(shè)計方案中，·以連續(xù)方法將保護(hù)液體涂覆到運(yùn)動的基片上或者說所述基片的基片上側(cè)面上。這有利地可利用一種噴嘴或者噴嘴管形式的、固定的涂覆裝置來完成，然而也有利地利用較小的壓力、例如也可借助波峰管來完成?？扇菀椎卣{(diào)節(jié)在基片上側(cè)面上的期望的液量或者說液膜厚度。即使在有些情況中僅僅一次地將保護(hù)液體涂覆到基片上側(cè)面上可能就足夠了，但是也能夠有利地規(guī)定，多次地或者說具有時間間隔地將保護(hù)液體涂覆到基片上側(cè)面上，或者說由此對通過此措施形成的保護(hù)膜進(jìn)行更新。這例如也可以通過下述措施實現(xiàn)在基片在其中裝有過程介質(zhì)的槽上方移動期間將保護(hù)液體涂覆到基片上側(cè)面上?；蛘咴诖丝梢苑浅＞_地進(jìn)行涂覆，從而使到達(dá)槽中的保護(hù)液體盡可能地少；或者可以設(shè)置專門界定的區(qū)域，或者使基片再一次地從中輸送出來，然而這種做法通常過于昂貴。替代地，僅僅唯一一次地將保護(hù)液體涂覆到基片上側(cè)面上、更確切地說，尤其是在基片位于在其中裝有過程介質(zhì)的槽上方之前。其中，可如此控制地將保護(hù)液體涂覆到基片上側(cè)面上，即僅僅將保護(hù)液體涂覆到基片上側(cè)面上。這能夠通過當(dāng)基片位于涂覆裝置的下面時才開始涂覆來實現(xiàn)。以類似的方式當(dāng)基片仍然位于涂覆裝置的下面時停止涂覆。有利地借助基片傳感器求得移近的基片的方位或者說位置，并且根據(jù)所述方位或者說位置控制涂覆裝置。替代地，可以由基片的涂覆計算出所述基片的位置，并且將其輸送到用于涂覆噴嘴的設(shè)備的控制器中。這樣可形成保護(hù)液體的層，所述保護(hù)液體的層不在基片的邊緣上流下，從而就可利用過程介質(zhì)對這些基片進(jìn)行處理。在本發(fā)明的一種設(shè)計方案中利用相應(yīng)地設(shè)計的前述的涂覆裝置將保護(hù)液體以平面分布的輪廓涂覆到基片上側(cè)面上。為此，可如此設(shè)計相應(yīng)的涂覆裝置例如設(shè)計為產(chǎn)生平面分布的噴霧的噴嘴，或者設(shè)計為產(chǎn)生寬的水幕的波峰管(Schallrohr)。這一方面適合于，在移動經(jīng)過裝有過程介質(zhì)的槽上面之前利用保護(hù)液體覆蓋基片上側(cè)面。此外，當(dāng)這種所述保護(hù)液體與過程介質(zhì)不具有負(fù)面的共同作用時，能夠更加容易地涂覆保護(hù)液體。代替這種將保護(hù)液體平面地涂覆到基片上側(cè)面的做法是這種涂覆也可以利用平面分布的輪廓或者說逐點(diǎn)地進(jìn)行。這就是說，由一個或者少數(shù)幾個涂覆裝置將保護(hù)液體相對逐點(diǎn)地噴射或者滴到基片上側(cè)面上，并且然后融化。這樣最后能夠大面積地或全表面地覆蓋基片表面，其中，對于已知的基片上側(cè)面的特性、溫度以及保護(hù)液體的特性來說就可以如此相對精確地確定所述保護(hù)液體的量，從而只有小部分溢出基片，并且向下可到達(dá)過程介質(zhì)中。在本方法中可以規(guī)定，在利用過程介質(zhì)潤濕或者處理基片下側(cè)面時發(fā)生放熱反應(yīng)，伴隨所述放熱反應(yīng)溫度升高了至少10°c。然后能夠有利地將相對較厚的保護(hù)液體層涂覆到基片上側(cè)面上，例如在涂覆水時其厚度大于0. 5mm,或者大于1mm，直到I. 5mm,在涂覆具有更高粘性的保護(hù)液體時其厚度更大。由此通過溫度的提高大部分的保護(hù)液體會蒸發(fā)，并且仍然會留下足夠有效的保護(hù)層。替代地，在利用過程介質(zhì)處理基片下側(cè)面時可以停止提高溫度。那么在基片上側(cè)面上的保護(hù)液體的顯著更小的、例如小于0. 2_，或者甚至小于0. 05mm的層厚，剛好僅僅是一層薄膜就足夠了。但是在這種情況中其也可以具有前述的厚度。在本發(fā)明的另一種設(shè)計方案中可以規(guī)定，在處理時基片下側(cè)面接觸槽中的過程介質(zhì)的液面，而不更深地浸潤基片。然后其甚至可以懸浮在過程介質(zhì)的表面上。在此，在沒有保護(hù)液體的情況下會出現(xiàn)過程介質(zhì)附著在基片的邊緣上，并且甚至可能到達(dá)基片的上側(cè)面，并且引起相應(yīng)負(fù)面的效果的危險。替代地，可利用過程介質(zhì)噴射基片下側(cè)面，其中在此甚至?xí)霈F(xiàn)更大的危險，即向上噴射的過程介質(zhì)從基片的外邊緣旁經(jīng)過向上，并且然后至少在邊緣區(qū)域中沉積在基片上側(cè)面上。在這種利用過程介質(zhì)從下邊噴射基片下側(cè)面時，當(dāng)過多的噴射的保護(hù)液體從基片往下滴時情況不會更嚴(yán)重，因為然后保護(hù)液體并不強(qiáng)制地與、朝向基片下側(cè)面噴射的過程介質(zhì)混合。也就是然后雖然保護(hù)液體可能到達(dá)共同的收集槽，但是在那里可將所述保護(hù)液體分開，或者通過相應(yīng)的處理所述過程介質(zhì)又以期望的濃度存在。在利用過程介質(zhì)對基片進(jìn)行處理之后可對這些基片進(jìn)行沖刷。在此可以規(guī)定，也將保護(hù)液體從基片上側(cè)面沖刷掉或者說去除掉。此外，在此根據(jù)本發(fā)明的另一方面，在對基片的基片下側(cè)面進(jìn)行腐蝕的過程中，在腐蝕作用到達(dá)被穿孔或者說具有缺口(Durchbruch)的基片上側(cè)面之前可以說對這些基片進(jìn)行保護(hù)。這樣首先是缺口周圍的區(qū)域受到損害。也就是說，不僅要能夠保護(hù)基片防止過程介質(zhì)的邊緣卷邊或者防止從上面的沉積，而且也要防止工作介質(zhì)通過缺口、例如由于毛細(xì)管作用而上升。除了水或者說純凈水之外還提供具有更高粘性的液體作為保護(hù)液體。在這方面的例子是具有2至大于3的粘度系數(shù)的、超過水粘度系數(shù)的PEG，或者例如粘度系數(shù)直到3. 8的磷酸用作保護(hù)液體。磷酸也可專門地防止，由于濃度的下降使具有磷酸和HF的腐蝕液在穿孔的基片中不僅僅通過毛細(xì)管作用向上抽吸，而且也由于濃度的下降、如在水中存在的那樣向上抽吸。其它的保護(hù)液體能夠具有對于更加改進(jìn)的保護(hù)作用或者層厚來說的還具有更高的粘性。通過更高的粘性可以說使保護(hù)液體更加黏稠，并且不容易從基片上側(cè)面流出。在大約橫向于基片的連續(xù)軌道的方向上有利地設(shè)置多個涂覆裝置。能夠有利地將基片依次成排地送到連續(xù)軌道上，并且分別準(zhǔn)確地在涂覆裝置的下面通過。在根據(jù)本發(fā)明的裝置中也同樣規(guī)定，在用于基片的連續(xù)軌道上面有利地以噴嘴的形式設(shè)置涂覆裝置。所述涂覆裝置能夠或者僅僅布置在其中裝有過程介質(zhì)的槽的前面、或者布置在所述槽上面、或者既布置在槽前面也布置在槽上面。有利地如此設(shè)計所述涂覆裝置，從而所述涂覆裝置能夠如此在相互并排的基片的尺寸、數(shù)量以及通過速度上進(jìn)行匹配，從而僅僅以所期望的尺度將保護(hù)液體不過多地或者僅僅不顯著過多地涂覆到基片上側(cè)面上。至少一個涂覆裝置有利地布置在其中裝有過程介質(zhì)的槽的前面，其中尤其有利的是，橫向于用于基片的連續(xù)軌道設(shè)置唯一一排涂覆裝置。在此，所述涂覆裝置彼此間隔距離地布置，其中所述涂覆裝置的間距尤其至少為一個基片寬度，
為了給涂覆裝置提供保護(hù)液體，所述涂覆裝置可以連接到儲備箱上。所述儲備箱布置得比涂覆裝置更高。這樣可以簡單地只通過重力就使保護(hù)液體流入到具有保持相同的壓力的涂覆裝置。在本發(fā)明的方案中，沿著連續(xù)軌道看，在涂覆裝置的前面設(shè)置基片傳感器、有利地是光學(xué)的傳感器來識別移近的基片，以及來識別從旁邊移動經(jīng)過的基片。除了從權(quán)利要求中之外也可從說明書和附圖中得出這些特征和其它特征，其中，各個特征分別單獨(dú)地或者以多個子組合的形式在本發(fā)明的實施方式中以及在其它領(lǐng)域中實現(xiàn)，并且示出了有利的以及能夠自我保護(hù)的實施方式，在此為它們提出要求予以保護(hù)。本申請劃分為各個的段落以及小標(biāo)題，這些段落以及小標(biāo)題并不限制在其下所作說明的普遍 有效性。


在附圖中示意性地示出了本發(fā)明的實施例，并且接下來對這些實施例進(jìn)行詳細(xì)解釋。在附圖中不出
圖I是根據(jù)本發(fā)明的、用于處理基片下側(cè)面、同時將水作為保護(hù)膜涂覆在基片上側(cè)面的設(shè)備的側(cè)面的剖面 圖2是圖I的放大示圖；并且
圖3是具有少數(shù)幾個涂覆噴嘴以及在前面具基片傳感器的、根據(jù)本發(fā)明的替代的設(shè)備的俯視圖。
具體實施例方式在圖I中以側(cè)面的剖面圖示出了具有槽13的設(shè)備11作為根據(jù)本發(fā)明的裝置。在所述槽中裝有作為過程介質(zhì)的腐蝕液(Atzl5sung) 15。具有向下指向的基片下側(cè)面21和向上指向的基片上側(cè)面22的基片20在連續(xù)軌道上被輸送滾輪24從左邊輸送到右邊。然后所述基片到達(dá)槽13上方的輸送滾輪24上。如從開頭描述的文獻(xiàn)DE 10 2005 062 527Al和DE 10 2005 062 528 Al中已知的，按照第一可能性借助輸送滾輪24將所述腐蝕液15引導(dǎo)到基片下側(cè)面21上，所述輸送滾輪利用其下部區(qū)域達(dá)到腐蝕液15中。通過供給管16將新的或者說準(zhǔn)備好的腐蝕液15引導(dǎo)到槽13中。代替地或者除了借助輸送滾輪24潤濕基片下表面21外還可以設(shè)置具有向上指向的噴嘴18的噴嘴管17。由此就可以將腐蝕液15噴射到基片下側(cè)面21上。此外，還能夠根據(jù)文獻(xiàn)DE 10 2005 062 527 Al在腐蝕液的表面的上面和基片的輸送平面的下面設(shè)置用于抽吸從腐蝕液15中釋放出來的氣體的裝置。明顯地，在基片20進(jìn)入到槽13上方之前，這些基片被布置在其上方的涂覆噴嘴26噴上水。所述水在基片上側(cè)面22上形成保護(hù)膜29。在此可有利地平面地噴射水27，或者說涂覆噴嘴26可在基片20的整個寬度上延伸。代替這種涂覆噴嘴也可以使用所謂的、具有孔或者縫隙的波峰管(Schwallrohr)，所述涂覆噴嘴的噴嘴彼此可能具有幾厘米的間距。然后，在基片20從涂覆噴嘴26下面經(jīng)過時，利用水27噴射或者說潤濕整個基片上側(cè)面22，并且如此在整個平面上形成保護(hù)膜29。噴射、尤其是在整個平面上的噴射在此的優(yōu)點(diǎn)在于，可以保證整個基片上側(cè)面22由保護(hù)膜29覆蓋。如果水27僅僅從唯一的位置流出來，那么可能發(fā)生如下情況例如在基片上側(cè)面22上的已弄臟的區(qū)域或者類似區(qū)域沒有被潤濕或者說被覆蓋，進(jìn)而得不到保護(hù)。有利地在涂覆噴嘴26上或者說在波峰管上為每個基片設(shè)置三個洞。如果現(xiàn)在以已知的方式和方法在槽13上方將腐蝕液15涂覆到基片下側(cè)面21上，那么基片上側(cè)面22還利用保護(hù)膜29進(jìn)行覆蓋，進(jìn)而受到保護(hù)不受腐蝕液15的作用。為了防止基片上側(cè)面22的區(qū)域外露，或者說在此不再存在保護(hù)膜29，例如因為水27已流過或者在腐蝕時由于高的溫度部分地蒸發(fā)掉，這時可借助另一個涂覆噴嘴26’再次涂覆水27。一方面該附加的涂覆噴嘴26’能夠像槽13前面的涂覆噴嘴26那樣構(gòu)造，更確切地說能夠產(chǎn)生平面的、相對較細(xì)的噴霧，或者說覆蓋基片上側(cè)面22的表面區(qū)域。但是如果如此布置涂覆噴嘴26’，從而在有待實施的腐蝕方法中保護(hù)膜29有可能在某些位置上較薄但還是存在的，那么當(dāng)尤其是以任意一種方式補(bǔ)充水27時就足夠了。這樣就可以避免保護(hù)膜29太薄，或者說在某些位置上被省略。這種根據(jù)第二可能性的更確切 地說點(diǎn)形地將水27涂覆到基片上側(cè)面22的做法的優(yōu)點(diǎn)在于，不必進(jìn)行噴射，因為在這種噴射時有些水27必然從基片20旁經(jīng)過進(jìn)入到槽13中。但是不能防止水從基片20的外邊緣上滴下。然而，因為只有很少量的水往下滴或者說只有少量的水往下滴是不可避免的，所以這么做幾乎不會發(fā)生腐蝕液13的稀釋，進(jìn)而幾乎不會損害腐蝕作用。首先當(dāng)利用噴嘴管17連同噴嘴18涂覆腐蝕液15時可如此供給腐蝕液，從而溶液不會被水27沖淡。在圖2的放大的示圖中一方面可以看出，根據(jù)文獻(xiàn)DE 10 2005 062 528 Al是如何借助左邊的輸送滾輪24將腐蝕液15涂覆到基片下側(cè)面21上的。通過這一措施在基片下側(cè)面21上形成一種具有腐蝕液15的層，所述具有腐蝕液的層在那里產(chǎn)生腐蝕過程。在右邊示出了具有噴嘴18的噴嘴管17。所述噴嘴將腐蝕液15噴射到基片下側(cè)面21上。在此在右邊示出，有些噴射的腐蝕液15是如何噴射經(jīng)過基片20旁邊的，并且可能落到布置在右側(cè)旁邊的或者說移動的、鄰近的基片的基片上側(cè)面22上。但是也存在于該基片上的、由水構(gòu)成的保護(hù)膜可避免負(fù)面的損害。此外示出了，有些水27是如何從基片20的左邊和右邊往下滴的。這些水27到達(dá)槽13中的腐蝕液15中，并且雖然稍微沖淡腐蝕液，但是因為水量尤其是和腐蝕液的量相比可以很少，所以這種情況幾乎可以忽略不計，或者說在混合腐蝕液15時相應(yīng)地予以考慮。此外，從圖2還可以看出，即使將相對較多的水27作為保護(hù)膜29涂覆到基片上側(cè)面22上也不一定必然是有害的，因為那些涂覆到基片下側(cè)面21的腐蝕液15不會強(qiáng)制地直接和這種水27混合?？赡芑?0的邊緣表面沒有保護(hù)膜29，或者說當(dāng)水27沒有剛好流過所述邊緣表面并且沒有蓋住所述邊緣表面時，所述邊緣表面沒有得到保護(hù)。然而在邊緣上的作用，或者說通過腐蝕液15所引起的損失很小，或者說可忽略不計，從而這些邊緣表面就不必進(jìn)行保護(hù)。代替水可將另一種液體用作保護(hù)膜、例如PEG或者說聚乙烯乙二醇(Polyethylenglykol)。這種液體化學(xué)上是惰性的，并且既不以不期望的方式與基片20起反應(yīng)，也不損害腐蝕液15的作用。也可將磷酸作為保護(hù)液體進(jìn)行涂覆，所述磷酸不會對基片、例如像用于太陽能電池的硅晶片造成負(fù)面的損害。當(dāng)基片具有前面所述的缺口(Durchbruch)或者通孔時，它的更高的粘性尤其是對于這種情況是有利的。準(zhǔn)確地構(gòu)造涂覆噴嘴或者波峰管，尤其是在具有腐蝕液15的槽13的上方是否布置、并且布置多少涂覆噴嘴或者說波峰管，以及它們的準(zhǔn)確的位置的布置能夠與相應(yīng)的腐蝕工序或者說處理步驟相匹配。在這方面例如也可以設(shè)置可移動的涂覆噴嘴或者說波峰管，或者相應(yīng)地僅僅使用原則上在結(jié)構(gòu)上設(shè)置的多個中的少數(shù)幾個。在圖3中示出了一種替代的設(shè)備111的俯視圖。其中在具有腐蝕液115的槽113的前面有四排基片120在連續(xù)軌道上運(yùn)行，所述連續(xù)軌道由類似于圖I所示的、在此未示出的輸送滾輪形成。也可設(shè)置更少排或者更多排、例如六排基片。在槽113的前面橫向于連續(xù)軌道設(shè)置有噴嘴管125并且具有四個涂覆噴嘴126。這些噴嘴具有各一個磁閥以及噴嘴開口。然而，所述噴嘴開口對于本領(lǐng)域技術(shù)人員來說是已知的，并且在此不必進(jìn)一步示出。涂覆噴嘴126的寬度比基片120的寬度小。涂覆噴嘴126彼此間的間距也是這樣，但是也不必非得如此。 噴嘴管125流體導(dǎo)通地連接到儲備箱128。在所述儲備箱中裝有用于涂覆到基片上側(cè)面122的水127。通過將儲備箱128在高水平上布置在涂覆噴嘴126上，水127可自動地或者說單獨(dú)地流出，并且通過打開或者關(guān)閉涂覆噴嘴126的磁閥改變水流或者說水量分別相同。也就是說，尤其是當(dāng)涂覆噴嘴126的磁閥彼此移動地操作時就可以避免壓力波動。此外設(shè)置了基片傳感器131，所述傳感器在此示例性地固定在噴嘴管125上，但是也可與所述噴嘴管分開地支承。所述基片傳感器131可識別基片120的到來，通過和從旁邊經(jīng)過。其例如可以是光學(xué)傳感器、尤其也可以是光柵，所述光柵剛好識別基片120的前邊緣的靠近，并且也可以識別后邊緣從旁邊經(jīng)過。所述設(shè)備111的未示出的控制器接收基片傳感器131的信號，然后可如此操作涂覆噴嘴126或者說所述涂覆噴嘴的閥門，從而只有當(dāng)基片上側(cè)面位于它們的下面時才將水127涂覆到基片上側(cè)面122上。這樣就可保證水127實際上只涂覆到基片上側(cè)面122上。這樣做是有意義的，即然后可對水量進(jìn)行如此的限制，從而雖然構(gòu)造成全平面分布的保護(hù)膜129，但是沒有水溢過側(cè)面的邊緣并且往下流。一方面緊接著在槽113的上方腐蝕液115不與水混合或者被稀釋。另一方面，由于晶片120的側(cè)邊緣是裸露的，所以腐蝕液115也可在那里起作用。然后由于水的表面張力形成已在圖I和圖2中示出的、由水127構(gòu)成的墊或者說層。在某些情況下也可以采用具有親水的基片上側(cè)面122的基片120，通過這一措施還可提高這種效應(yīng)。但是只能唯一一次地將水127涂覆到基片上側(cè)面122上。在本發(fā)明的一個容易想象的設(shè)計方案中放棄了基片傳感器131，并且所述設(shè)備111的控制器可由前置的、用于基片的供給裝置的數(shù)據(jù)進(jìn)行計算什么時候這些基片分別準(zhǔn)確地位于所述涂覆噴嘴126的下面。這樣同樣能夠?qū)?zhǔn)目標(biāo)地并且精確靠近地將水127涂覆到基片上側(cè)面122上。同樣可以將明顯更多的涂覆噴嘴126和基片傳感器131并排地布置。然后，對于不同地定位的基片來說，所述基片傳感器能夠借助最好分別在中間定位在其上的涂覆噴嘴將水準(zhǔn)確地涂覆到基片上側(cè)面上。
權(quán)利要求
1.用于利用過程介質(zhì)在基片下側(cè)面上處理平坦的基片的基片表面的方法，其中所述過程介質(zhì)對基片表面具有一種剝蝕的或者說腐蝕的作用，并且其中所述基片水平放置地從下面利用所述過程介質(zhì)潤濕，其特征在于，向上指向的基片上側(cè)面利用水或者相應(yīng)的保護(hù)液體大面積地或者說全表面地潤濕或者覆蓋，從而起到保護(hù)作用防止所述過程介質(zhì)或者其釋放的氣體作用到或者到達(dá)所述基片上側(cè)面上。
2.按照權(quán)利要求I所述的方法，其特征在于，在利用過程介質(zhì)潤濕所述基片或者說基片下側(cè)面之前、尤其是在所述基片運(yùn)動經(jīng)過在其中裝有過程介質(zhì)的槽上方之前將所述保護(hù)液體涂覆到所述基片上側(cè)面上。
3.按照權(quán)利要求I或2所述的方法，其特征在于，優(yōu)選由固定的涂覆裝置或者說噴嘴、或者波峰管以連續(xù)方法將所述保護(hù)液體涂覆到運(yùn)動的基片或者說基片上側(cè)面上。
4.按照上述權(quán)利要求中任一項所述的方法，其特征在于，多次地或者說重新地、尤其是利用時間間隔將所述保護(hù)液體涂覆到所述基片上側(cè)面上，尤其是在所述基片位于在其中裝有過程介質(zhì)的槽上方期間。
5.按照權(quán)利要求I至3中任一項所述的方法，其特征在于，尤其是在所述基片位于在其中裝有過程介質(zhì)的槽上方之前，唯一一次將所述保護(hù)液體涂覆到所述基片上側(cè)面上。
6.按照上述權(quán)利要求中任一項所述的方法，其特征在于，如此進(jìn)行控制地將所述保護(hù)液體體涂覆到所述基片上側(cè)面上，從而通過當(dāng)基片位于涂覆裝置的下面時才開始涂覆，并且通過當(dāng)基片仍然位于涂覆裝置的下面時停止涂覆，將所述保護(hù)液體僅僅涂覆到所述基片上側(cè)面上，其中，優(yōu)選借助基片傳感器求得移近的基片的方位或者說位置，并且根據(jù)所述方位或者說位置觸發(fā)所述涂覆裝置。
7.按照上述權(quán)利要求中任一項所述的方法，其特征在于，利用平面分布的輪廓、尤其是借助噴嘴，將所述保護(hù)液體涂覆到所述基片上側(cè)面上，構(gòu)造所述噴嘴以產(chǎn)生平面分布的噴霧。
8.按照權(quán)利要求I至6中任一項所述的方法，其特征在于，逐點(diǎn)地將所述保護(hù)液體涂覆到所述基片上側(cè)面上并且隨后發(fā)生融解，以便大面積地或者全表面地覆蓋所述基片表面。
9.按照上述權(quán)利要求中任一項所述的方法，其特征在于，在利用過程介質(zhì)潤濕所述基片下側(cè)面時發(fā)生放熱反應(yīng)，伴隨所述放熱反應(yīng)溫度升高了至少10°C，并且將相對較厚的、優(yōu)選大約Imm厚或者更厚的保護(hù)液體層涂覆到所述基片上側(cè)面上。
10.按照權(quán)利要求I至8中任一項所述的方法，其特征在于，在利用過程介質(zhì)潤濕所述基片下側(cè)面時溫度沒有顯著提高，并且在所述基片上側(cè)面上的保護(hù)液體層的厚度相對較小、優(yōu)選大約為50 um到200 u m。
11.按照上述權(quán)利要求中任一項所述的方法，其特征在于，所述基片下側(cè)面接觸到在其中裝有過程介質(zhì)的槽中的過程介質(zhì)的液面，而不更深地浸潤所述基片。
12.按照上述權(quán)利要求中任一項所述的方法，其特征在于，在利用過程介質(zhì)處理之后對基片進(jìn)行沖洗，尤其是也將所述保護(hù)液體從基片上側(cè)面沖洗掉或者說去除掉。
13.按照上述權(quán)利要求中任一項所述的方法，其特征在于，所述保護(hù)液體、尤其是PEG或者磷酸具有比水更高的粘性。
14.按照上述權(quán)利要求中任一項所述的方法，其特征在于，對被穿孔或者說具有缺口的基片進(jìn)行處理，其中，優(yōu)選使用按照權(quán)利要求13所述的、具有比水更高的粘性的保護(hù)液體。
15.按照上述權(quán)利要求中任一項所述的方法，其特征在于，在大約橫向于所述基片的連續(xù)軌道方向上并排地設(shè)置多個涂覆裝置，并且將所述基片依次成排地送到所述連續(xù)軌道上，并且分別準(zhǔn)確地在涂覆裝置的下面通過。
16.用于實施按照上述權(quán)利要求中任一項所述的方法的裝置，其特征在于，在用于所述基片的連續(xù)軌道的上面設(shè)置至少一個涂覆裝置，以將水或者說保護(hù)液體涂覆到朝上指向的基片上側(cè)面上，其中，輸送所述基片以利用過程介質(zhì)在其中裝有過程介質(zhì)的槽的上面對基片下側(cè)面進(jìn)行處理。
17.按照權(quán)利要求16所述的裝置，其特征在于，所述涂覆裝置布置在其中裝有過程介質(zhì)的槽的前面、優(yōu)選僅僅布置在其前面。
18.按照權(quán)利要求16或17所述的裝置，其特征在于，至少一個涂覆裝置布置在其中裝有過程介質(zhì)的槽上方、優(yōu)選另一個涂覆裝置布置在所述槽的前面。
19.按照權(quán)利要求16或17所述的裝置，其特征在于，至少一個涂覆裝置布置在其中裝有過程介質(zhì)的槽的前面，其中，優(yōu)選橫向于用于基片的連續(xù)軌道設(shè)置唯一一排彼此間隔距離的涂覆裝置，其中，尤其是所述涂覆裝置的間距為至少一個基片寬度，其中，所述涂覆裝置連接到儲備箱上，所述儲備箱布置得比所述涂覆裝置更高。
20.按照權(quán)利要求16到19中任一項所述的裝置，其特征在于，沿著連續(xù)軌道看，在所述涂覆裝置的前面設(shè)置基片傳感器、尤其是光學(xué)的基片傳感器來識別移近的基片，以及來識別從旁邊運(yùn)動經(jīng)過的基片。
全文摘要
在利用過程介質(zhì)在基片下側(cè)面上處理平坦的基片的基片表面的方法中，所述過程介質(zhì)對基片表面具有一種剝蝕的或者說腐蝕的作用。所述基片水平放置地從下面利用所述過程介質(zhì)潤濕。向上指向的基片上側(cè)面利用水或者相應(yīng)的保護(hù)液體大面積地或者說全表面地潤濕或者覆蓋，從而起到保護(hù)作用防止所述過程介質(zhì)作用到所述基片上側(cè)面上。
文檔編號H01L31/18GK102754198SQ201080057916
公開日2012年10月24日 申請日期2010年7月28日 優(yōu)先權(quán)日2009年10月19日
發(fā)明者C.施密德 申請人:吉布爾·施密德有限責(zé)任公司