專(zhuān)利名稱(chēng)：通過(guò)蝕刻制造自動(dòng)補(bǔ)償天線結(jié)構(gòu)的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種天線結(jié)構(gòu)，該天線結(jié)構(gòu)至少包括非導(dǎo)電基板以及由所述基板支撐的導(dǎo)電天線線路配置，通過(guò)借由蝕刻劑局部蝕刻掉由基板支撐的導(dǎo)電涂層材料而在蝕刻過(guò)程中形成所述導(dǎo)電天線線路配置。另外，本發(fā)明涉及一種通過(guò)蝕刻制造天線結(jié)構(gòu)的方法，該天線結(jié)構(gòu)包括基板和由所述基板支撐的導(dǎo)電天線線路配置，并且在所述方法中，通過(guò)借由蝕刻劑局部蝕刻掉由基板支撐的導(dǎo)電涂層材料而形成所述導(dǎo)電天線線路配置。另外，本發(fā)明涉及一種用于通過(guò)蝕刻制造天線結(jié)構(gòu)的蝕刻掩膜，該天線結(jié)構(gòu)至少包括非導(dǎo)電基板和導(dǎo)電天線線路配置，通過(guò)借由蝕刻劑局部蝕刻掉由基板支撐的導(dǎo)電涂層材料而在蝕刻過(guò)程中形成所述導(dǎo)電天線線路配置，該蝕刻掩膜確定天線結(jié)構(gòu)的導(dǎo)電天線線路配置。另外，本發(fā)明涉及將天線結(jié)構(gòu)用于制造射頻識(shí)別應(yīng)答器或射頻識(shí)別標(biāo)簽。
背景技術(shù)：
一般地，在印刷電路板或其他相應(yīng)的電子部件或電子產(chǎn)品的蝕刻中，蝕刻過(guò)程的變化可在被接連蝕刻的相似蝕刻電路之間引起顯著的電路的電氣特性的偏差。當(dāng)蝕刻諸如天線結(jié)構(gòu)之類(lèi)的射頻結(jié)構(gòu)時(shí)，尤其如此。在例如用于射頻識(shí)別標(biāo)簽(即RFID標(biāo)簽)的天線的蝕刻中，蝕刻中的過(guò)程變化可導(dǎo)致蝕刻天線的頻率性能變化，這進(jìn)一步影響了天線與RFID電路的其他部分之間的電氣匹配。圖1公開(kāi)了一種現(xiàn)有技術(shù)的射頻識(shí)別標(biāo)簽I或RFID標(biāo)簽I，RFID標(biāo)簽I是可以包括天線結(jié)構(gòu)4的產(chǎn)品的一個(gè)示例，其中天線結(jié)構(gòu)4包括通過(guò)蝕刻形成的導(dǎo)電線路配置。RFID標(biāo)簽I包括天線結(jié)構(gòu)2，天線結(jié)構(gòu)2包括基板3和雙極狀天線4或天線圖案4，天線4是天線部件2的導(dǎo)電線路配置。因此，天線結(jié)構(gòu)2形成可以在很多不同類(lèi)型的應(yīng)用中使用的RFID標(biāo)簽I的一部分。RFID標(biāo)簽可以例如附接于在百貨店銷(xiāo)售的不同類(lèi)型的物品，用于存儲(chǔ)涉及這些標(biāo)簽所附接的物品的特定信息。天線4提供了在RFID標(biāo)簽和用于讀取存儲(chǔ)在標(biāo)簽中的信息的裝置或用于發(fā)送要被存儲(chǔ)在標(biāo)簽內(nèi)的信息的裝置之間傳輸信息的手段。RFID標(biāo)簽I還包括布置成與天線4有關(guān)的集成電路5或芯片5，以存儲(chǔ)涉及與RFID標(biāo)簽I所附接的物品的特定信息。天線結(jié)構(gòu)2和附接于天線結(jié)構(gòu)2的集成電路5附接于壓敏粘合劑，即粘著劑6或某種其他類(lèi)型的附接元件，從而提供完成的RFID標(biāo)簽1，該完成的RFID標(biāo)簽I準(zhǔn)備好附接于例如在百貨店內(nèi)待售的物品。在圖1中，通過(guò)具有圍繞天線結(jié)構(gòu)2的虛線的方框示意性地示出了粘著劑6。除了圖1所示的基本元件之外，RFID標(biāo)簽還可以包含層疊于或另外附接于天線結(jié)構(gòu)的其他層。天線4可以包括兩個(gè)諧振電路，即輻射元件4’和單獨(dú)的阻抗匹配元件4’’，這兩個(gè)元件被電磁稱(chēng)合在一起，從而連同集成電路5 —起實(shí)現(xiàn)天線4的期望頻率響應(yīng)。阻抗匹配元件4’’的頻率響應(yīng)受阻抗匹配元件4’’的電感以及連接到阻抗匹配元件4’’的集成電路5的輸入電容和輸入電阻的影響。輻射元件4’的頻率響應(yīng)受輻射元件4’的電感、電容和輻射電阻的影響?；旧?，天線4和集成電路5的阻抗需要被適當(dāng)?shù)仄ヅ?，以使電路具有適當(dāng)?shù)男阅芎皖l率響應(yīng)。特別是在運(yùn)行RFID標(biāo)簽的UHF頻率范圍內(nèi)，阻抗匹配元件4’ ’和輻射元件4’可以通過(guò)耦合元件4’’’物理地彼此連接(即彼此電連接)，但實(shí)際上，阻抗匹配元件4’’和輻射元件4’通過(guò)互感彼此耦合，即，具有特定諧振頻率的阻抗匹配元件4’ ’感應(yīng)地耦合于具有特定諧振頻率的輻射元件4’。阻抗匹配元件4’ ’與輻射元件4’之間的耦合距離D—即阻抗匹配元件4’ ’與輻射元件4’之間的最短距離一影響天線4的頻率響應(yīng)。應(yīng)當(dāng)注意，圖1所示的特定天線結(jié)構(gòu)2僅僅作為示例給出。除了輻射元件4’之外的單獨(dú)的阻抗匹配元件4’’ 一般用于針對(duì)UHF范圍設(shè)計(jì)的RFID標(biāo)簽天線。例如，在運(yùn)行UHF標(biāo)簽的近場(chǎng)(UHF NF)中，阻抗匹配元件4’’的環(huán)結(jié)構(gòu)可用作天線而無(wú)需任何附加的輻射元件。為了將在后面描述的本發(fā)明，主要的重要意義在于理解天線制造中的蝕刻過(guò)程變化可能改變天線4的物理尺寸。天線4的物理尺寸的變化意味著天線圖案尺寸與初始設(shè)計(jì)目標(biāo)有一定的偏差，這種設(shè)計(jì)目標(biāo)取決于所涉及的RFID標(biāo)簽的頻率范圍和類(lèi)型。蝕刻過(guò)程變化可能例如源于蝕刻劑的溫度和組分變化或者源于蝕刻劑對(duì)要被蝕刻的導(dǎo)電涂層的影響時(shí)間。天線的物理尺寸的變化導(dǎo)致天線4的電氣參數(shù)改變，從而改變天線4頻率調(diào)諧，以及與集成電路5進(jìn)行匹配的阻抗。該頻率調(diào)諧改變可被進(jìn)一步看作性能方面的變化，使得天線的最佳性能開(kāi)始劣化。頻率調(diào)諧變化的一個(gè)因素是阻抗匹配元件4’’與輻射元件4’之間的耦合距離D的變化。耦合距離D的變化連同集成電路5 —起進(jìn)一步改變天線4的阻抗匹配和頻率響應(yīng)。通過(guò)某些天線設(shè)計(jì)，蝕刻之后的耦合距離D的變化可以高達(dá)±10%。耦合距離D的這種變化對(duì)天線的性能可能具有顯著的影響，天線的性能開(kāi)始劣化，例如使得天線的頻率響應(yīng)變得明顯地失真。在實(shí)際中，這可以例如通過(guò)RFID標(biāo)簽的讀取距離中的某種損失而觀察到。為了改進(jìn)頻率特性，已知的做法是向天線提供一個(gè)或多個(gè)加載條，所述加載條以間隔距離與天線的元件相鄰地放置。通過(guò)調(diào)節(jié)加載條的長(zhǎng)度、寬度和/或間隔距離和/或加載條的數(shù)量，能夠改變天線的輸入阻抗?？商娲兀炀€可以設(shè)有一個(gè)或多個(gè)調(diào)諧短線，所述調(diào)諧短線用作雙導(dǎo)體傳輸線并且可以以短路或斷路終止。通過(guò)調(diào)整加載條的數(shù)量和物理結(jié)構(gòu)和/或相互間距，天線的調(diào)諧短線和元件以及天線的頻率特性會(huì)受到影響。然而，這些特征必須在天線設(shè)計(jì)過(guò)程中進(jìn)行選擇，并且由于天線蝕刻期間的過(guò)程變化而出現(xiàn)的天線頻率特性偏差不能夠得到補(bǔ)償。美國(guó)公開(kāi)6，535，175公開(kāi)了一種包括天線的RFID標(biāo)簽，該天線包括物理可變以選擇性地改變天線的性能特性的調(diào)諧短線和加載條。加載條和調(diào)諧短線可以各自進(jìn)一步包括可變的可選長(zhǎng)度具有元件，其可以例如通過(guò)沖孔、切割、蝕刻或激光修整而被去除，以提供天線的期望頻率屬性。當(dāng)對(duì)天線進(jìn)行調(diào)諧時(shí)，將測(cè)試信號(hào)發(fā)送至具有初始大小和尺寸的天線。測(cè)量從天線接收的輻射信號(hào)的強(qiáng)度，并且通過(guò)去除天線的加載條的一部分和/或天線的調(diào)諧短線的一部分以改變天線的阻抗來(lái)調(diào)整天線的至少一個(gè)物理特性。這些測(cè)量和調(diào)整步驟可以一直重復(fù)直至獲得輻射信號(hào)的最佳強(qiáng)度。美國(guó)公開(kāi)6，535，175因此公開(kāi)了這樣一種方案:其可以考慮由于天線蝕刻期間的過(guò)程變化而出現(xiàn)的天線頻率特性偏差。然而，上述測(cè)量和調(diào)整步驟產(chǎn)生了增加RFID制造中的總體成本的附加步驟。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是提供一種考慮了導(dǎo)電線路配置的蝕刻期間的過(guò)程變化的新穎方案。本發(fā)明的特征在于獨(dú)立權(quán)利要求的特征。調(diào)諧元件設(shè)計(jì)成在過(guò)度蝕刻或蝕刻不足的情形中影響天線結(jié)構(gòu)的電氣屬性，使得天線結(jié)構(gòu)將在蝕刻過(guò)程之后具有基本對(duì)應(yīng)于所設(shè)計(jì)的目標(biāo)天線結(jié)構(gòu)的頻率響應(yīng)屬性的頻率響應(yīng)屬性。這意味著，調(diào)諧元件將在蝕刻過(guò)程期間至少部分地自動(dòng)補(bǔ)償或自動(dòng)地補(bǔ)償處于蝕刻處理下的實(shí)際天線結(jié)構(gòu)與期望的天線線路配置的蝕刻目標(biāo)階段之間的差異，蝕刻目標(biāo)階段是已經(jīng)用作天線結(jié)構(gòu)的期望頻率響應(yīng)的設(shè)計(jì)計(jì)算的基礎(chǔ)的天線線路配置的空間形狀和外形尺寸。在蝕刻不足的情形中，即在蝕刻期間沒(méi)有足夠的材料被去除并且因此沒(méi)有實(shí)現(xiàn)期望的蝕刻目標(biāo)的情況中，蝕刻不足趨于使天線結(jié)構(gòu)的電磁長(zhǎng)度變長(zhǎng)，然后調(diào)諧元件趨于使該天線結(jié)構(gòu)的電磁長(zhǎng)度變短。另一方面，在過(guò)度蝕刻的情形中，即在蝕刻期間去除了太多的材料并且因此而沒(méi)有實(shí)現(xiàn)期望的蝕刻目標(biāo)的情況中，過(guò)度蝕刻趨于使天線結(jié)構(gòu)的電磁長(zhǎng)度變短，然后調(diào)諧元件趨于使該天線結(jié)構(gòu)的電磁長(zhǎng)度變長(zhǎng)。調(diào)諧元件因此設(shè)計(jì)成在與天線結(jié)構(gòu)中的其他部分相比相反的方向，影響蝕刻不足或過(guò)度蝕刻情形期間的天線結(jié)構(gòu)的電氣屬性。該方案還有助于實(shí)現(xiàn)與現(xiàn)有技術(shù)的設(shè)計(jì)相比對(duì)蝕刻變化感覺(jué)遲鈍多得多的天線結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)。盡管該方案不是必然能夠完全消除所有情形中天線結(jié)構(gòu)的頻率性能的變化，但無(wú)論如何，其有助于使由于過(guò)度蝕刻或蝕刻不足造成的影響減至最小。根據(jù)一個(gè)實(shí)施例，天線結(jié)構(gòu)可以用來(lái)形成射頻識(shí)別應(yīng)答器或射頻識(shí)別標(biāo)簽的一部分，該射頻識(shí)別應(yīng)答器或射頻識(shí)別標(biāo)簽還包括與天線結(jié)構(gòu)電連接的集成電路。該方案在被意在用作射頻識(shí)別應(yīng)答器或射頻識(shí)別標(biāo)簽的一部分的天線結(jié)構(gòu)中的使用是非常有利的，因?yàn)樵赗FID標(biāo)簽中，可以通過(guò)RFID標(biāo)簽的讀取距離中的損失而容易地觀察到從期望的頻率響應(yīng)屬性的偏差。根據(jù)另一個(gè)實(shí)施例，天線結(jié)構(gòu)包括:布置成能夠與集成電路連接的阻抗匹配元件；輻射元件；以及布置在阻抗匹配元件與輻射元件之間的另外的耦合元件，該耦合元件提供用于輻射元件的射頻饋點(diǎn)。調(diào)諧元件可以設(shè)計(jì)成按照隨著天線結(jié)構(gòu)的蝕刻階段改變天線結(jié)構(gòu)中的元件中的至少一個(gè)的有效電磁長(zhǎng)度，由此在一定程度上自動(dòng)補(bǔ)償與蝕刻目標(biāo)階段的偏差。另一方面，調(diào)諧元件可以設(shè)計(jì)成通過(guò)影響由耦合元件提供的射頻饋點(diǎn)來(lái)改變耦合元件與輻射元件之間的電磁匹配。還可能的是，在同一個(gè)天線設(shè)計(jì)中使用若干調(diào)諧元件，從而例如同時(shí)地影響天線線路配置的有效電磁長(zhǎng)度以及天線結(jié)構(gòu)中的兩個(gè)或更多個(gè)元件之間的電磁匹配，如耦合元件與輻射元件之間的電磁匹配。


在下文中，將參照附圖借助于優(yōu)選實(shí)施例來(lái)更詳細(xì)地描述本發(fā)明，在附圖中: 圖1示意性地示出了現(xiàn)有技術(shù)的射頻識(shí)別標(biāo)簽的俯視 圖2示意性地示出了包括天線結(jié)構(gòu)的另一個(gè)射頻識(shí)別標(biāo)簽的俯視 圖3a和3b示意性地示出了天線線路配置以及布置成與天線線路配置的耦合元件有關(guān)的調(diào)諧元件的俯視 圖4a和4b示意性地示出了第二天線以及布置在天線的輻射元件、阻抗匹配元件和耦合元件附近的調(diào)諧元件的俯視 圖5a和5b示意性地示出了第三天線以及布置成與天線的阻抗匹配元件和耦合元件有關(guān)的調(diào)諧結(jié)構(gòu)的俯視 圖6a和6b示意性地示出了第四天線以及布置成與天線的阻抗匹配元件有關(guān)的調(diào)諧元件的俯視 圖7a和7b示意性地示出了第五天線以及布置成與天線的輻射元件有關(guān)的調(diào)諧元件的俯視 圖8示意性地示出了調(diào)諧元件對(duì)包括雙諧振天線的RFID標(biāo)簽的頻率響應(yīng)的影響的示
例；
圖9示意性地示出了調(diào)諧元件對(duì)包括單諧振天線的RFID標(biāo)簽的頻率響應(yīng)的影響的示
例；
圖1Oa示意性地示出了不包括任何調(diào)諧元件的單諧振天線，并且圖1Ob示意性地示出了包括調(diào)諧元件的單諧振天線；以及
圖1la和Ilb示意性地示出了蝕刻掩膜的俯視圖，該蝕刻掩膜能夠用在制造圖4所示的天線和調(diào)諧元件中。
具體實(shí)施例方式圖2示意性地示出了包括天線結(jié)構(gòu)2的另一個(gè)射頻識(shí)別標(biāo)簽I或RFID標(biāo)簽I的俯視圖。天線結(jié)構(gòu)2包括非導(dǎo)電基板3和對(duì)應(yīng)于雙極狀天線4或天線圖案4的導(dǎo)電線路配置。通過(guò)借助于蝕刻劑局部蝕刻掉由基板3所支撐的導(dǎo)電涂層材料來(lái)制造天線4。天線4包括天線線路配置，該天線線路配置包括輻射元件4’、阻抗匹配元件4’ ’及耦合元件4’ ’ ’，耦合元件4’ ’’提供用于輻射元件4’的射頻饋點(diǎn)。根據(jù)圖2的RFID標(biāo)簽I還包括布置成與天線結(jié)構(gòu)2中的天線4有關(guān)的集成電路5或芯片5，以存儲(chǔ)涉及到RFID標(biāo)簽I將被附接到的物品的特定信息。天線結(jié)構(gòu)2和附接于天線結(jié)構(gòu)2的集成電路5被附接到壓敏粘合劑，例如粘著劑6或某種其他類(lèi)型的附接元件，從而提供完成的RFID標(biāo)簽I。通過(guò)以虛線并圍繞天線結(jié)構(gòu)2的框示意性地示出了粘著劑6。除了圖2所示的基本元件之外，RFID標(biāo)簽I還可以包含被層疊到或另外附接到RFID標(biāo)簽I結(jié)構(gòu)的其他層。圖3a示意性地示出了在對(duì)包括天線4的天線結(jié)構(gòu)2進(jìn)行蝕刻之后，圖2所示的天線4的俯視圖。圖3b示出了圖3a中的細(xì)節(jié)的俯視圖。圖2和圖3a所示的天線4是包括天線線路配置的雙極狀天線4，該天線線路配置包括輻射元件4’、阻抗匹配元件4’ ’以及耦合元件4’ ’ ’。關(guān)于耦合元件4’ ’ ’，在耦合元件4’ ’ ’的兩側(cè)都具有一個(gè)調(diào)諧元件7，使得調(diào)諧元件7與耦合元件4’ ’ ’之間具有電連接，調(diào)諧元件7因此與耦合元件4’ ’ ’有關(guān)。這在圖3b中更詳細(xì)地示出。耦合元件4’’’形成從阻抗匹配元件4’’到輻射元件4’的射頻功率的饋點(diǎn)。阻抗匹配元件4’’’提供與集成電路5的適當(dāng)匹配。當(dāng)在用作饋點(diǎn)的耦合元件4’，，的兩側(cè)上添加了調(diào)諧元件7時(shí)，耦合元件4’，，的有效尺寸、特別是耦合元件4’，，的寬度變成在蝕刻期間被對(duì)稱(chēng)地影響。圖3b所示的調(diào)諧元件7包括四個(gè)調(diào)諧部，即調(diào)諧部7a、7b、7c和7d，其中調(diào)諧部7a距離耦合元件4’ ’ ’最近而調(diào)諧部7d距離耦合元件4’ ’ ’最遠(yuǎn)。調(diào)諧部7b和7c位于調(diào)諧部7a和調(diào)諧部7d之間，使得調(diào)諧部7b靠近調(diào)諧部7a而調(diào)諧部7c靠近調(diào)諧部7d。調(diào)諧部7a、7b、7c和7d具有條的形形，并且它們具有在調(diào)諧部7a至7d之間可以不同的特定寬度W和特定長(zhǎng)度L。調(diào)諧部7a、7b、7c和7d在調(diào)諧部的寬度方向上相互連接，即調(diào)諧部7a至7d彼此連續(xù)地串聯(lián)。調(diào)諧部7a、7b、7c和7d因此布置在調(diào)諧元件7中，使得調(diào)諧部7a、7b,7c和7d之間具有電連接，調(diào)諧部7a、7b、7c和7d因此形成統(tǒng)一的或未斷開(kāi)的調(diào)諧元件區(qū)域或調(diào)諧元件圖案。調(diào)諧元件7且因此調(diào)諧元件7的調(diào)諧部7a至7d具有與天線4的導(dǎo)電天線線路配置相同的由基板3支撐的導(dǎo)電涂層材料，并且它們被通過(guò)在與天線4相對(duì)應(yīng)的導(dǎo)電天線線路配置相同的蝕刻過(guò)程中，借由蝕刻劑同時(shí)或同步地局部蝕刻掉導(dǎo)電涂層材料而形成或制造。然而，在蝕刻過(guò)程之后通過(guò)從調(diào)諧元件7中去除一定量的導(dǎo)電涂層材料或通過(guò)向調(diào)諧元件7添加一定量的導(dǎo)電涂層材料來(lái)改變調(diào)諧元件7的形狀和外形尺寸是可能的。在圖3b所示的實(shí)施例中，調(diào)諧部7a至7d中的每個(gè)具有在彼此相比時(shí)不同的長(zhǎng)度L，使得調(diào)諧部7a是最長(zhǎng)的一個(gè)而調(diào)諧部7d是最短的一個(gè)。調(diào)諧部7a、7b、7c和7d中的每一個(gè)與天線4的輻射元件4’之間存在小的間隙8a、Sb、Sc和8d，使得在調(diào)諧部7a至7d與輻射元件4’之間沒(méi)有直接的電連接。類(lèi)似地，調(diào)諧部7a、7b、7c和7d中的每一個(gè)與天線4的阻抗匹配元件4’’之間存在小的間隙8a’、8b’、8c’和8d’，使得在調(diào)諧部7a至7d與阻抗匹配元件4’’之間沒(méi)有直接的電連接。調(diào)諧部7a至7d中的每一個(gè)與輻射元件4’之間的尺寸H以及調(diào)諧部7a至7d中的每個(gè)與阻抗匹配元件4’ ’之間的尺寸H’在調(diào)諧部7a至7d中的每一個(gè)的點(diǎn)處是不同的，尺寸H和H’因此對(duì)應(yīng)于間隙8a至8d的大小和間隙8a’至8d’的大小。在天線4的蝕刻期間，包括由基板3支撐的導(dǎo)電涂層材料的天線結(jié)構(gòu)2受到蝕刻劑的作用，其中，該蝕刻器用于形成天線4的線路配置，即輻射元件4’、阻抗匹配元件4’’及耦合元件4’ ’ ’，并且在根據(jù)圖3a和3b的實(shí)施例的情況下，該蝕刻劑還用于形成調(diào)諧元件
7。在蝕刻期間，蝕刻劑從結(jié)構(gòu)2的在基板3未被所使用的蝕刻掩膜保護(hù)的那些部分上的基板，去除導(dǎo)電涂層材料。蝕刻掩膜包括位于基板3的需要保持所設(shè)計(jì)的導(dǎo)電天線線路配置的那些部分上的阻擋材料。蝕刻過(guò)程本身的基本原理是本領(lǐng)域技術(shù)人員通常所知的，因此本文不對(duì)其進(jìn)行更為詳細(xì)的描述。然而，如上文已經(jīng)描述過(guò)的，在用于RFID標(biāo)簽的天線制造中的蝕刻過(guò)程變化可改變天線線路配置的物理尺寸。天線4物理尺寸的變化意味著天線圖案尺寸與初始設(shè)計(jì)目標(biāo)有一定偏差。蝕刻過(guò)程變化可例如源于蝕刻劑的溫度與組分的變化或蝕刻劑對(duì)要被蝕刻掉的導(dǎo)電涂層材料的作用時(shí)間的變化。天線物理尺寸的變化導(dǎo)致天線4的電氣參數(shù)改變，從而改變天線頻率調(diào)諧特性。頻率調(diào)諧的改變可被進(jìn)一步看作使得天線的最佳性能開(kāi)始劣化的性能改變。通過(guò)使用與天線4有關(guān)的調(diào)諧元件7或在天線4附近的調(diào)諧元件7，由于蝕刻劑對(duì)導(dǎo)電涂層材料的可能的過(guò)度影響或者由于蝕刻劑對(duì)導(dǎo)電涂層材料的可能的太小的影響而造成的可能的頻率調(diào)諧變化，已在天線結(jié)構(gòu)2的蝕刻過(guò)程期間、即在天線4的蝕刻期間，可被補(bǔ)償?shù)街辽倌撤N程度。在蝕刻過(guò)程期間，蝕刻劑不僅在導(dǎo)電涂層材料的要被去除以獲得所設(shè)計(jì)的目標(biāo)天線圖案的那些部分上去除導(dǎo)電涂層材料，而且還從形成與天線4和調(diào)諧元件7相對(duì)應(yīng)的導(dǎo)電天線線路配置的部分中去除導(dǎo)電涂層材料。在圖3a和3b所示的實(shí)施例中，調(diào)諧元件7被用來(lái)通過(guò)按照隨著天線結(jié)構(gòu)(2)的蝕刻階段來(lái)改變耦合元件4’ ’ ’的有效寬度來(lái)補(bǔ)償天線4的射頻饋點(diǎn)處的可能的過(guò)度蝕刻或蝕刻不足(under-etching),從而通過(guò)自動(dòng)補(bǔ)償可能的過(guò)度蝕刻或蝕刻不足的影響來(lái)改善耦合元件4’ ’ ’與輻射元件4’之間的電磁匹配并因此影響整個(gè)天線結(jié)構(gòu)2的電磁性能。圖8、圖9、圖1Oa和圖10示意性地示出了調(diào)諧元件對(duì)天線結(jié)構(gòu)中的已蝕刻天線配置的頻率響應(yīng)的影響的示例。圖4a示意性地示出了第二天線4的俯視圖。圖4b示出了圖4a中的細(xì)節(jié)的俯視圖。圖4a中所示的天線4是包括輻射元件4’、阻抗匹配元件4’’及耦合元件4’’’的雙極狀天線4。關(guān)于耦合元件4’ ’ ’，在耦合元件4’ ’ ’的兩側(cè)處都有一個(gè)調(diào)諧元件7，使得在調(diào)諧元件7與天線4之間沒(méi)有電連接，但是調(diào)諧元件7布置在耦合元件4’ ’ ’附近。圖4b所示的調(diào)諧元件7包括四個(gè)調(diào)諧部，即調(diào)諧部7a、7b、7c和7d，該四個(gè)調(diào)諧部與在圖3b中那樣大約類(lèi)似地關(guān)于輻射元件4’、阻抗匹配元件4’ ’及耦合元件4’ ’ ’布置，但采用這種不同的方式:在圖4b的實(shí)施例中，調(diào)諧部7a至7d彼此分開(kāi)，即，在調(diào)諧部7a至7d之間也不存在電連接。調(diào)諧部7a至7d也具有條的形式并且它們具有在調(diào)諧部7a至7d之間可以不同的特定寬度W和特定長(zhǎng)度L。調(diào)諧部7a至7d因此形成不統(tǒng)一的或者斷開(kāi)的調(diào)諧元件區(qū)域或調(diào)諧元件圖案。在圖4b的實(shí)施例中，調(diào)諧部7a至7d中的每一個(gè)又具有在彼此相比時(shí)不同的長(zhǎng)度L，使得調(diào)諧部7a是最長(zhǎng)的一個(gè)而調(diào)諧部7d是最短的一個(gè)。在調(diào)諧部7a至7d中的每一個(gè)與天線4的輻射元件4’之間，存在小的間隙8a、8b、8c和8d。類(lèi)似地，在調(diào)諧部7a至7d中的每一個(gè)與天線4的阻抗匹配元件4’’之間，存在小的間隙8a’、8b’、8c’和8d’。因此，調(diào)諧部7a至7d中的每一個(gè)與輻射元件4’之間的尺寸H及調(diào)諧部7a至7d中的每一個(gè)與阻抗匹配元件4’’之間的尺寸H’在調(diào)諧部7a至7d中的每一個(gè)的位置處是不同的。蝕刻劑對(duì)調(diào)諧元件7的影響，即對(duì)調(diào)諧部7a至7d的影響與關(guān)于圖3b所論述的基本相似。然而，在圖4b的實(shí)施例中，蝕刻劑將從調(diào)諧元件7的調(diào)諧部7a至7d中的每一個(gè)中去除材料，將使得調(diào)諧部中的每一個(gè)的寬度W減小。用于補(bǔ)償由于蝕刻過(guò)程變化而造成的天線4的頻率調(diào)諧特性的可能的改變的補(bǔ)償效果，與如在圖3a和圖3b的實(shí)施例中是類(lèi)似的類(lèi)型，使得調(diào)諧元件7用來(lái)通過(guò)改變耦合元件4’ ’ ’的有效寬度來(lái)補(bǔ)償天線4的射頻饋點(diǎn)處的可能的過(guò)度蝕刻或蝕刻不足，從而通過(guò)自動(dòng)補(bǔ)償可能的過(guò)度蝕刻或蝕刻不足的影響來(lái)改善耦合元件4’ ’ ’與輻射元件4’之間的電磁匹配并因此影響整個(gè)天線結(jié)構(gòu)2的電磁性倉(cāng)泛。圖5a示意性地示出了第三天線4的俯視圖。圖5b示出了圖5a中的細(xì)節(jié)的俯視圖。圖5a中所示的天線4是同樣包括輻射元件4’、阻抗匹配元件4’’以及耦合元件4’’’的雙極狀天線4。關(guān)于耦合元件4’ ’ ’，在耦合元件4’ ’ ’的兩側(cè)處都具有一個(gè)調(diào)諧元件7，使得在調(diào)諧元件7與阻抗匹配元件4’’之間以及在調(diào)諧元件7與耦合元件4’’’之間具有電連接，調(diào)諧元件7因此布置成與阻抗匹配元件4’ ’和耦合元件4’ ’ ’有關(guān)。
圖5b所示的調(diào)諧元件7包括四個(gè)調(diào)諧部，即調(diào)諧部7a、7b、7c和7d，該四個(gè)調(diào)諧部相互電連接使得調(diào)諧部7a至7d形成統(tǒng)一的或者不斷開(kāi)的調(diào)諧元件區(qū)域或調(diào)諧元件圖案。調(diào)諧部7a至7d也具有條的形式并且它們具有在調(diào)諧部7a至7d之間可以不同的特定寬度W和特定長(zhǎng)度L。在調(diào)諧部7a至7d中的每一個(gè)與天線4的輻射元件4’之間存在小的間隙8a.8b.8c和8d。調(diào)諧部7a至7d中的每一個(gè)與輻射元件4’之間的尺寸H因此在調(diào)諧部7a至7d中的每一個(gè)的位置處是不同的。蝕刻劑對(duì)調(diào)諧元件7的影響，即對(duì)調(diào)諧部7a至7d的影響與關(guān)于圖3b所論述的基本類(lèi)似，使得調(diào)諧元件7被用來(lái)通過(guò)改變耦合元件4’ ’ ’的有效寬度來(lái)補(bǔ)償天線4的射頻饋點(diǎn)處的可能的過(guò)度蝕刻或蝕刻不足，從而通過(guò)自動(dòng)補(bǔ)償可能的過(guò)度蝕刻或蝕刻不足的影響來(lái)改善耦合元件4’ ’ ’與輻射元件4’之間的電磁匹配并因此影響整個(gè)天線結(jié)構(gòu)2的電磁性倉(cāng)泛。圖6a示意性地示出了第四天線4的俯視圖。圖6b示出了圖6a中的細(xì)節(jié)的俯視圖。圖6a中所示的天線4也是包括輻射元件4’、阻抗匹配元件4’’以及耦合元件4’’’的雙極狀天線4。關(guān)于耦合元件4’ ’ ’，在耦合元件4’ ’ ’的兩側(cè)處都具有一個(gè)調(diào)諧元件7，使得在調(diào)諧元件7與天線4的阻抗匹配元件4’ ’之間具有電連接，調(diào)諧元件7因此布置成與阻抗匹配元件4’’有關(guān)，但是非常接近于耦合元件4’’’或者在耦合元件4’’’附近。圖6b所示的調(diào)諧元件7包括四個(gè)調(diào)諧部，即調(diào)諧部7a、7b、7c和7d，該四個(gè)調(diào)諧部與在圖4b中那樣大約類(lèi)似地關(guān)于輻射元件4’、阻抗匹配元件4’ ’及耦合元件4’ ’ ’布置，使得在調(diào)諧部7a至7d之間不具有直接的電連接。調(diào)諧部7a至7d因此形成不統(tǒng)一的或者斷開(kāi)的調(diào)諧元件區(qū)域或調(diào)諧元件圖案。調(diào)諧部7a至7d也具有條的形式并且它們具有在調(diào)諧部7a至7d之間可以不同的特定寬度W和特定長(zhǎng)度L。在圖6b的實(shí)施例中，調(diào)諧部7a至7d中的每一個(gè)具有在彼此相比時(shí)不同的長(zhǎng)度L，使得調(diào)諧部7a是最長(zhǎng)的一個(gè)而調(diào)諧部7d是最短的一個(gè)。在調(diào)諧部7a至7d中的每一個(gè)與天線4的輻射元件4’之間，存在小的間隙8a、8b、8c和8d。調(diào)諧部7a至7d中的每一個(gè)與輻射元件4’和阻抗匹配元件4’ ’之間的尺寸H因此在調(diào)諧部7a至7d中的每一個(gè)的位置處是不同的。蝕刻劑對(duì)調(diào)諧元件7的影響，即對(duì)調(diào)諧部7a至7d的影響與關(guān)于圖4b所論述的基本類(lèi)似，使得調(diào)諧元件7被用來(lái)通過(guò)按照隨著天線結(jié)構(gòu)(2)的蝕刻階段來(lái)改變耦合元件4’ ’ ’的有效寬度來(lái)補(bǔ)償天線4的射頻饋點(diǎn)處的可能的過(guò)度蝕刻或蝕刻不足，從而通過(guò)自動(dòng)補(bǔ)償可能的過(guò)度蝕刻或蝕刻不足的影響來(lái)改善耦合元件4’ ’ ’與輻射元件4’之間的電磁匹配并因此影響整個(gè)天線結(jié)構(gòu)2的電磁性能。圖7a示意性地示出了第五天線4的俯視圖。圖7b示出了圖7a中的細(xì)節(jié)的俯視圖。圖7a中所示的天線4也是包括輻射元件4’、阻抗匹配元件4’’以及耦合元件4’’’的雙極狀天線4。關(guān)于輻射元件4’，在輻射元件4’的兩個(gè)端部處都具有一個(gè)調(diào)諧元件7，使得在調(diào)諧部7a至7d的一端處，調(diào)諧元件7與天線4的輻射元件4’之間不具有電連接。調(diào)諧元件7因此布置成非常接近于天線4的輻射元件4’或在天線4的輻射元件4’的附近。圖7b所示的調(diào)諧元件7包括四個(gè)調(diào)諧部，即調(diào)諧部7a、7b、7c和7d，該四個(gè)調(diào)諧部關(guān)于彼此布置成使得在調(diào)諧部7a至7d之間不具有直接的電連接。調(diào)諧部7a至7d因此形成不統(tǒng)一的或者斷開(kāi)的調(diào)諧元件區(qū)域或調(diào)諧元件圖案。調(diào)諧部7a至7d也具有條的形式并且它們具有在調(diào)諧部7a至7d之間可以不同的特定寬度W和特定長(zhǎng)度L，但是在圖7b的實(shí)施例中，調(diào)諧部7a至7d中的每一個(gè)具有在彼此相比時(shí)相同的長(zhǎng)度L。蝕刻劑在蝕刻期間對(duì)調(diào)諧元件7的影響，即對(duì)調(diào)諧部7a至7d的影響與前面所論述的基本類(lèi)似。然而，在本實(shí)施例中，調(diào)諧元件7被用來(lái)通過(guò)改變輻射元件4’的有效長(zhǎng)度來(lái)補(bǔ)償天線4的輻射元件4’處的可能的過(guò)度蝕刻或蝕刻不足，從而改善輻射元件4’的頻率響應(yīng)特性。在上文所示的實(shí)施例中，調(diào)諧元件7布置成在天線4的福射元件4’或稱(chēng)合元件4’’’的附近或非常接近它們，或者布置成與天線4的耦合元件4’有關(guān)。盡管在上面的示例中沒(méi)有具體地公開(kāi)，但調(diào)諧元件7也可以用來(lái)補(bǔ)償阻抗匹配元件4’ ’的可能的過(guò)度蝕刻或蝕刻不足，以改善天線4與集成電路5之間的電磁匹配。一個(gè)天線結(jié)構(gòu)2也可以包括若干調(diào)諧元件7，使得同一個(gè)天線結(jié)構(gòu)2中可以以任何組合的形式包括用于輻射元件4’、阻抗匹配元件4’’以及耦合元件4’’’的調(diào)諧元件7。通過(guò)選擇調(diào)諧部與輻射元件4’和/或阻抗匹配元件4’ ’之間的間隙8a至8d或8a’至8d’的尺寸H、H’使得它們代表整個(gè)蝕刻過(guò)程容差范圍并通過(guò)選擇調(diào)諧部的位置以代表由蝕刻過(guò)程導(dǎo)致的的整個(gè)頻率變化，由于蝕刻精度變化而導(dǎo)致的改變的影響可被自動(dòng)地有效補(bǔ)償。如果蝕刻劑在蝕刻期間對(duì)導(dǎo)電涂層材料的影響過(guò)度或太強(qiáng)，那么在與所設(shè)計(jì)的目標(biāo)天線的物理尺寸相比時(shí)，天線的物理尺寸、即天線4的有效長(zhǎng)度和/或天線4的天線線路配置的有效寬度將太小，這意味著實(shí)際蝕刻天線4的頻率調(diào)諧特性并不對(duì)應(yīng)于所設(shè)計(jì)的目標(biāo)天線的頻率調(diào)諧特定，即，在天線的頻率調(diào)諧特性方面存在變化。 圖8示意性地示出了在過(guò)度蝕刻的情況下，調(diào)諧元件對(duì)包括雙諧振天線的RFID標(biāo)簽的頻率響應(yīng)的影響的示例。圖8所示的示例基本對(duì)應(yīng)于圖6a和圖6b中呈現(xiàn)的情況，在圖6a和圖6b中所示的天線是產(chǎn)生這種雙諧振頻率響應(yīng)的典型雙諧振設(shè)計(jì)的一個(gè)示例。圖8所示的頻率響應(yīng)在用虛線標(biāo)示的其頻率包絡(luò)的兩端處具有兩個(gè)明顯的諧振峰值。峰值中的第一個(gè)峰值、即在較低頻率處的峰值是由于集成電路5和阻抗匹配元件4’ ’形成的諧振電路而導(dǎo)致的。該電路的諧振頻率用f_loop標(biāo)示。峰值中的第二個(gè)峰值、即在較低頻率處的峰值是由于集成電路5和輻射元件4’形成的諧振電路而導(dǎo)致的。該電路的諧振頻率標(biāo)示為f_radiator。以簡(jiǎn)化的方式來(lái)描述，通過(guò)產(chǎn)生具有所述兩個(gè)諧振峰值的包絡(luò)頻率響應(yīng)的這兩個(gè)諧振電路的組合、耦合影響來(lái)產(chǎn)生RFID標(biāo)簽的頻率響應(yīng)。在圖8所示的示例中，由于過(guò)度蝕刻和由此導(dǎo)致的阻抗匹配元件4’ ’的外形尺寸的變化，相應(yīng)的諧振頻率f_loop減小到明顯小于原始的頻率目標(biāo)值f_loop的f_loop*值。類(lèi)似地，由于輻射元件4’的外形尺寸的變化并且還由于集成電路5與輻射元件4’之間的影響，與福射元件有關(guān)的諧振頻率f_radiator可以變得從其目標(biāo)值f_radiator偏離到低頻f_radiator*。然而,如果和與阻抗匹配元件4’’相關(guān)的諧振頻率f_loop的變化相比，由于過(guò)度蝕刻導(dǎo)致的輻射元件4’的諧振頻率的變化可能相當(dāng)小，并且在圖8中放大了這種變化?，F(xiàn)在，由如圖6a和圖6b示意性示出的用于增加耦合元件4’’’的有效寬度的調(diào)諧元件7提供的自動(dòng)補(bǔ)償?shù)男Ч?將在該補(bǔ)償情形中標(biāo)示為f_loop**和f_radiator**的諧振頻率拉地更靠近彼此，由此，完成的RFID標(biāo)簽的組合頻率響應(yīng)變得更靠近原始目標(biāo)頻率響應(yīng)。如果必需，可以使用如圖7a和圖7b中示意性描述的補(bǔ)償來(lái)提供對(duì)輻射元件4’的附加補(bǔ)償。通過(guò)如圖6a和圖6b中所示的那樣提供對(duì)耦合元件4’’’的補(bǔ)償、或如圖7a和圖7b中所示的那樣提供對(duì)輻射元件4’的補(bǔ)償、或者提供對(duì)它們兩個(gè)的補(bǔ)償，諧振頻率f_loop*和f_radiator*被拉地更靠近彼此并且由諧振頻率f_loop**和f_radiator**確定的補(bǔ)償頻率響應(yīng)更靠近原始目標(biāo)頻率響應(yīng)。圖9所示的第二示例涉及所謂的單諧振天線設(shè)計(jì)。在這種設(shè)計(jì)中，包括這種單諧振天線的RFID標(biāo)簽具有包括僅一個(gè)諧振頻率峰值的頻率響應(yīng)包絡(luò)，該諧振頻率峰值主要源于形成在集成電路5與輻射元件4’之間的諧振電路。圖1Oa示出了產(chǎn)生這種單諧振峰值頻率響應(yīng)的天線設(shè)計(jì)的示例。從圖1Oa中能夠看到，該天線設(shè)計(jì)不包括像例如圖6a中所示的設(shè)計(jì)的位于集成電路5與輻射元件4’之間的類(lèi)似的單獨(dú)阻抗匹配元件結(jié)構(gòu)。在圖9所示的示例中，由于過(guò)度蝕刻，RFID標(biāo)簽諧振頻率f_tag減小到明顯小于原始頻率響應(yīng)的值f_tag*。對(duì)于如圖1Ob示意性示出的福射元件4’，由在福射元件4’端部處的調(diào)諧元件7所提供的自動(dòng)補(bǔ)償將諧振頻率拉得更高或者推得更高直到值f_tag**,因此更靠近原始諧振頻率f_tag。圖8、圖9、圖1Oa和圖1Ob中所示的示例涉及過(guò)度蝕刻的情況。然而，以類(lèi)似的方式，所描述的方案可以用于在蝕刻不足的情況下提供自動(dòng)補(bǔ)償，不同之處主要在于頻率變化或頻率漂移的方向。通過(guò)適當(dāng)?shù)卦O(shè)定調(diào)諧元件的尺寸以及適當(dāng)?shù)剡x擇調(diào)諧元件的位置或地點(diǎn)，可以在蝕刻階段就已經(jīng)自動(dòng)地補(bǔ)償了在對(duì)天線的蝕刻期間蝕刻劑對(duì)導(dǎo)電涂層材料的可能的太強(qiáng)或太弱的影響，使得在蝕刻過(guò)程完成之后，完成的蝕刻天線具有期望的電磁有效長(zhǎng)度和/或?qū)挾?，并且因此具有期望的頻率調(diào)諧特性。因此，已經(jīng)在蝕刻過(guò)程本身期間就能夠消除蝕刻期間蝕刻劑對(duì)導(dǎo)電涂層材料的可能的太強(qiáng)影響或太弱影響的影響。這意味著，不管蝕刻過(guò)程中的變化如何，完成的RFID標(biāo)簽都將具有基本對(duì)應(yīng)于所設(shè)計(jì)的頻率調(diào)諧特性的實(shí)際頻率調(diào)諧特性。這減少了被退回的天線結(jié)構(gòu)2的數(shù)量并加速了 RFID標(biāo)簽I的制造過(guò)程，因?yàn)闊o(wú)需在RFID標(biāo)簽I的最后制造階段之前，在蝕刻過(guò)程之后測(cè)量天線4的頻率響應(yīng)或在蝕刻過(guò)程之后對(duì)天線4的配置進(jìn)行任何調(diào)整。圖1la和圖1lb示意性地示出了蝕刻掩膜9的俯視圖，可在包括圖4a和圖4b中所公開(kāi)的天線的天線結(jié)構(gòu)2的制造中使用蝕刻掩膜9。蝕刻掩膜被用來(lái)控制通過(guò)使用蝕刻劑來(lái)對(duì)導(dǎo)電涂層材料的局部去除和保持。當(dāng)開(kāi)始圖4所示的天線4和調(diào)諧元件7的蝕刻時(shí)，根據(jù)圖11和圖1lb的蝕刻掩膜9被布置在包括導(dǎo)電涂層材料的基板3之上，基板3被示意性地示出在例如圖2中。蝕刻掩膜9包括位于蝕刻掩膜9的第一主要區(qū)域10上、第二主要區(qū)域10’上和第三主要區(qū)域10’’上的蝕刻掩膜材料或阻擋材料，第一主要區(qū)域10的形狀對(duì)應(yīng)于在蝕刻期間要被保持的天線4的輻射元件4’的形狀，第二主要區(qū)域10’的形狀對(duì)應(yīng)于在蝕刻期間要被保持的天線4的阻抗匹配元件4’ ’的形狀，并且第三主要區(qū)域10’ ’的形狀對(duì)應(yīng)于在蝕刻期間要被保持的天線4的耦合元件4’’’的形狀。蝕刻掩膜9進(jìn)一步包括位于第三主要區(qū)域10’ ’的兩側(cè)處的子區(qū)域11上的阻擋材料，子區(qū)域11對(duì)應(yīng)于在圖4a和圖4b中所公開(kāi)的調(diào)諧元件7的區(qū)域。子區(qū)域11包括相對(duì)于彼此具有不同的寬度W和長(zhǎng)度L的阻擋材料的四個(gè)線或條，即條lla、llb、llc和Ild,用于形成對(duì)應(yīng)于圖4a和圖4b中所公開(kāi)的調(diào)諧元件7的調(diào)諧部7a、7b、7c和7d的導(dǎo)電涂層材料的線或條。條lla、llb、llc和Ild的長(zhǎng)度L和/或?qū)挾萕可在條lla、llb、llc和Ild之間變化。一般地，蝕刻掩膜9布置在由基板3支撐的導(dǎo)電涂層材料之上，使得在第一階段，基板的整個(gè)區(qū)域都被掩膜材料或抗蝕材料涂覆。在此之后，掩膜圖案被暴露在掩膜材料中，然后根據(jù)使用的是正光阻掩膜材料還是負(fù)光阻掩膜材料來(lái)通過(guò)蝕刻劑或去除掩膜材料的暴露部分或去除未暴露部分。在天線的蝕刻中，一般使用負(fù)光阻掩膜材料。另外，對(duì)本領(lǐng)域技術(shù)人員而言，通常已知的其他類(lèi)型的方式對(duì)于將蝕刻掩膜9布置在基板3之上是可用的，例如使用不同類(lèi)型的諸如涂料之類(lèi)的抵抗蝕刻劑的保護(hù)性材料。然而，上述基于光刻的方法在精細(xì)圖案或線路配置的蝕刻中是最常用的。在根據(jù)圖1la和圖1lb的蝕刻掩膜9位于天線結(jié)構(gòu)2的面板或坯上之后(面板或坯包含包括導(dǎo)電涂層材料的基板3)，將蝕刻劑敷在天線結(jié)構(gòu)面板上。蝕刻劑去除位于涂層的未被阻擋材料保護(hù)的部分上的導(dǎo)電涂層材料，使得導(dǎo)電涂層材料留在對(duì)應(yīng)于蝕刻掩膜的第一主要區(qū)域10、第二主要區(qū)域10’和第三主要區(qū)域10’’以及兩個(gè)子區(qū)域11的區(qū)域中。因此，在天線4和調(diào)諧元件7的蝕刻的某一時(shí)刻，天線結(jié)構(gòu)2包括至少在一定程度上對(duì)應(yīng)于所設(shè)計(jì)的目標(biāo)天線圖案和調(diào)諧元件兩者的導(dǎo)電天線線路配置。導(dǎo)電涂層材料的其他部分已經(jīng)通過(guò)蝕刻劑從天線結(jié)構(gòu)2去除。在圖1la和圖1lb中，示意性地公開(kāi)了蝕刻掩膜9的俯視圖，在包括在圖4a和圖4b中所公開(kāi)的天線的天線結(jié)構(gòu)2的制造中，可使用蝕刻掩膜9。然而，當(dāng)然明顯的是，第一主要區(qū)域10、第二主要區(qū)域10’和第三主要區(qū)域10’’的存在和形狀取決于具體的天線線路配置，并且蝕刻掩膜中的子區(qū)域11的數(shù)量、形狀和位置可以例如以與上述示例中調(diào)諧元件7的數(shù)量、形狀和位置的變化相同的方式而相應(yīng)地變化。對(duì)本領(lǐng)域技術(shù)人員顯而易見(jiàn)的是，隨著技術(shù)的進(jìn)步，本發(fā)明的概念能夠以多種方式來(lái)實(shí)施。本發(fā)明及其實(shí)施例不局限于上面描述的示例，而是可以在權(quán)利要求的范圍內(nèi)變化。
權(quán)利要求
1.一種天線結(jié)構(gòu)(2)，至少包括非導(dǎo)電基板(3)以及由所述基板(3)支撐的導(dǎo)電天線線路配置(4’，4’’，4’’’)，所述導(dǎo)電天線線路配置(4’，4’’，4’’’)通過(guò)借由蝕刻劑局部蝕刻掉由所述基板(3)支撐的導(dǎo)電涂層材料而在蝕刻過(guò)程中形成，其特征在于，所述天線結(jié)構(gòu)(2 )還包括具有相同的導(dǎo)電涂層材料的至少一個(gè)導(dǎo)電調(diào)諧元件(7 )，所述調(diào)諧元件(7 )至少部分地同時(shí)與所述導(dǎo)電天線線路配置(4’，4’’，4’’’)在同一蝕刻過(guò)程中形成，在蝕刻過(guò)程之后，所述調(diào)諧元件具有至少部分地補(bǔ)償過(guò)度蝕刻或蝕刻不足在所述天線結(jié)構(gòu)(2)的電氣屬性方面的影響的空間形狀和外形尺寸。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的天線結(jié)構(gòu)(2)，其特征在于，所述天線結(jié)構(gòu)(2)布置成形成射頻識(shí)別應(yīng)答器或射頻識(shí)別標(biāo)簽(I)的一部分，所述射頻識(shí)別應(yīng)答器或射頻識(shí)別標(biāo)簽(I)還包括與所述天線結(jié)構(gòu)(2)電連接的集成電路(5)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的天線結(jié)構(gòu)(2)，其特征在于，所述天線結(jié)構(gòu)(2)包括阻抗匹配元件(4’ ’)、輻射元件(4’ )以及布置在所述阻抗匹配元件(4’ ’ )與所述輻射元件(4’ )之間的另外的耦合元件(4 ’’’)，所述阻抗匹配元件(4’’)布置成能夠與集成電路(5)連接，所述耦合元件(4’ ’ ’ )提供用于所述輻射元件(4’ )的射頻饋點(diǎn)。
4.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的天線結(jié)構(gòu)(2)，其特征在于，所述調(diào)諧元件(7)布置成與所述輻射元件(4’ )有關(guān)或在所述輻射元件(4’ )附近。
5.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的天線結(jié)構(gòu)(2)，其特征在于，所述調(diào)諧元件(7)布置成與所述阻抗匹配元件(4’ ’ )有關(guān)或在所述阻抗匹配元件(4’ ’ )附近。
6.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的天線結(jié)構(gòu)(2)，其特征在于，所述調(diào)諧元件(7)布置成與所述耦合元件(4’ ’ ’ )有關(guān)或在所述耦合元件(4’ ’ ’)附近。
7.根據(jù)權(quán)利要求4至6中任一項(xiàng)所述的天線結(jié)構(gòu)(2)，其特征在于，所述調(diào)諧元件(7)布置成按照隨著所述天線結(jié)構(gòu)(2)的蝕刻階段改變所述天線結(jié)構(gòu)(2)的電磁有效長(zhǎng)度。
8.根據(jù)權(quán)利要求4至6中任一項(xiàng)所述的天線結(jié)構(gòu)(2)，其特征在于，所述調(diào)諧元件(7)布置成按照隨著所述天線結(jié)構(gòu)(2)的蝕刻階段，經(jīng)由影響由所述耦合元件(4’ ’ ’ )所提供的射頻饋點(diǎn)來(lái)改變所述耦合元件(4’ ’ ’ )與所述輻射元件(4’ )之間的電磁匹配。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的天線結(jié)構(gòu)(2)，其特征在于，在所述耦合元件(4’’’)的兩側(cè)處都具有調(diào)諧元件(7)，用于影響所述耦合元件(4’ ’ ’ )的有效寬度。
10.根據(jù)權(quán)利要求8或9所述的天線結(jié)構(gòu)(2)，其特征在于，所述調(diào)諧元件(7)包括布置成與所述阻抗匹配元件(4’ ’ )和耦合元件(4’ ’ ’ )中的至少一個(gè)有關(guān)或非常鄰近所述阻抗匹配元件(4’ ’ )和耦合元件(4’ ’ ’)中的至少一個(gè)的多個(gè)分開(kāi)的或相互連接的相鄰調(diào)諧部(7a, 7b, 7c, 7d)。
11.根據(jù)權(quán)利要求3至8中任一項(xiàng)所述的天線結(jié)構(gòu)(2)，其特征在于，在所述調(diào)諧元件(7)與所述輻射元件(4’)、所述阻抗匹配元件(4’ ’ )和所述耦合元件(4’ ’ ’)中的至少一個(gè)之間具有電連接。
12.根據(jù)權(quán)利要求3至8中任一項(xiàng)所述的天線結(jié)構(gòu)(2)，其特征在于，在所述調(diào)諧元件(7)與所述輻射元件(4’)、所述阻抗匹配元件(4’ ’ )和所述耦合元件(4’ ’ ’ )中的任何一個(gè)之間都不具有電連接。
13.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的天線結(jié)構(gòu)(2)，其特征在于，所述調(diào)諧元件(7)包括多個(gè)相鄰的調(diào)諧條(7a，7b, 7c, 7d)。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的天線結(jié)構(gòu)(2)，其特征在于，所述調(diào)諧條(7a，7b,7c, 7d)相對(duì)于彼此具有可變的寬度(W)和/或長(zhǎng)度(L)。
15.一種通過(guò)蝕刻制造天線結(jié)構(gòu)(2)的方法，所述天線結(jié)構(gòu)(2)包括基板(3)以及由所述基板(3)支撐的導(dǎo)電天線線路配置(4’，4’’，4’’’)，并且在所述方法中，所述導(dǎo)電天線線路配置(4’，4’’，4’’’)通過(guò)借由蝕刻劑局部蝕刻掉由所述基板(3)支撐的導(dǎo)電涂層材料而形成，其特征在于，與對(duì)所述導(dǎo)電天線線路配置(4’，4’’，4’’’)進(jìn)行蝕刻的同時(shí)，在同一蝕刻過(guò)程中，通過(guò)蝕刻至少部分地形成具有相同導(dǎo)電涂層材料的至少一個(gè)導(dǎo)電調(diào)諧元件(7)，在蝕刻過(guò)程之后，所述調(diào)諧元件具有至少部分地補(bǔ)償過(guò)度蝕刻或蝕刻不足在所述天線結(jié)構(gòu)(2)的電氣屬性方面的影響的空間形狀和外形尺寸。
16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的方法，其特征在于，與所述天線結(jié)構(gòu)(2)電性有關(guān)地插入至少一個(gè)集成電路(5)，用于提供能夠布置成形成射頻識(shí)別應(yīng)答器或射頻識(shí)別標(biāo)簽(I)的一部分的天線結(jié)構(gòu)(2)。
17.根據(jù)權(quán)利要求15或16所 述的方法，其特征在于，所述天線結(jié)構(gòu)(2)包括阻抗匹配元件(4’ ’)、輻射元件(4’ )以及布置在所述阻抗匹配元件(4’ ’ )與所述輻射元件(4’ )之間的另外的耦合元件(4’’’)，所述阻抗匹配元件(4’’)布置成能夠與集成電路(5)連接，所述耦合元件(4’ ’ ’ )提供用于所述輻射元件(4’ )的射頻饋點(diǎn)。
18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的方法，其特征在于，將所述調(diào)諧元件(7)布置成與所述天線結(jié)構(gòu)(2)的所述輻射元件(4’)、所述阻抗匹配元件(4’ ’ )和所述耦合元件(4’ ’ ’ )中的至少一個(gè)有關(guān)或在所述天線結(jié)構(gòu)(2)的所述輻射元件(4’)、所述阻抗匹配元件(4’’)和所述耦合元件(4’’’)中的至少一個(gè)的附近。
19.一種通過(guò)蝕刻制造天線結(jié)構(gòu)(2)的蝕刻掩膜(9)，所述天線結(jié)構(gòu)(2)至少包括非導(dǎo)電基板(3)和導(dǎo)電天線線路配置(4’，4’’，4’’’)，所述導(dǎo)電天線線路配置(4’，4’’，4’ ’ ’)通過(guò)借由蝕刻劑局部蝕刻掉由所述基板(3)支撐的導(dǎo)電涂層材料而在蝕刻過(guò)程中形成，所述蝕刻掩膜(9)確定所述天線結(jié)構(gòu)(2)的所述導(dǎo)電天線線路配置(4’，4’’，4’’’)，其特征在于，所述蝕刻掩膜(9)包括位于與要在蝕刻期間被保持的所述導(dǎo)電天線線路配置(4’，4’’，4’’’)相對(duì)應(yīng)的至少一個(gè)主要區(qū)域(10，10’，10’’)上的阻擋材料，并且所述蝕刻掩模還包括位于至少一個(gè)子區(qū)域(11)上的阻擋材料，用于與對(duì)所述導(dǎo)電天線線路配置(4’，4’’，4’’’)進(jìn)行蝕刻的同時(shí)，在同一蝕刻過(guò)程中，至少部分地形成具有相同導(dǎo)電涂層材料的至少一個(gè)導(dǎo)電調(diào)諧元件(7)，在蝕刻過(guò)程之后，所述調(diào)諧元件具有至少部分地補(bǔ)償過(guò)度蝕刻或蝕刻不足在所述天線結(jié)構(gòu)(2)的電氣屬性方面的影響的空間形狀和外形尺寸。
20.根據(jù)權(quán)利要求19所述的蝕刻掩膜(9)，其特征在于，所述天線結(jié)構(gòu)(2)用來(lái)形成射頻識(shí)別應(yīng)答器或射頻識(shí)別標(biāo)簽(I)的一部分，所述射頻識(shí)別應(yīng)答器或射頻識(shí)別標(biāo)簽(I)還包括與所述天線結(jié)構(gòu)(2)電連接的集成電路(5)。
21.根據(jù)權(quán)利要求19或20所述的的蝕刻掩膜(9)，其特征在于，所述天線結(jié)構(gòu)(2)包括阻抗匹配元件(4’ ’)、輻射元件(4’ )以及布置在所述阻抗匹配元件(4’ ’ )與所述輻射元件(4’)之間的另外的耦合元件(4’’’)，所述阻抗匹配元件(4’’)布置成能夠與集成電路(5)連接，所述耦合元件(4’ ’ ’ )提供用于所述輻射元件(4’ )的射頻饋點(diǎn)，由此，所述蝕刻掩膜(9)包括對(duì)應(yīng)于所述天線結(jié)構(gòu)(2)的所述輻射元件(4’)的具有阻擋材料的第一主要區(qū)域(10)、對(duì)應(yīng)于所述天線結(jié)構(gòu)(2)的所述阻抗匹配元件(4’’)的具有阻擋材料的第二主要區(qū)域(10’)、以及對(duì)應(yīng)于所述天線結(jié)構(gòu)(2)的所述耦合元件(4’’’)的具有阻擋材料的第三主要區(qū)域(10’’)。
22.根據(jù)權(quán)利要求19至21中任一項(xiàng)所述的蝕刻掩膜(9)，其特征在于，具有阻擋材料的所述子區(qū)域(11)布置成與具有阻擋材料的所述第一主要區(qū)域(10)、所述第二主要區(qū)域(10’)和所述第三主要區(qū)域(10’’)中的至少一個(gè)有關(guān)或在具有阻擋材料的所述第一主要區(qū)域(10)、所述第二主要區(qū)域(10’)和所述第三主要區(qū)域(10’’)中的至少一個(gè)的附近。
23.根據(jù)權(quán)利要求19至22中任一項(xiàng)所述的蝕刻掩膜(9)，其特征在于，包括用于形成所述調(diào)諧元件(7)的 阻擋材料的所述子區(qū)域(11)包括具有用于形成所述調(diào)諧元件(7)的調(diào)諧部(7a，7b, 7c, 7d)的阻擋材料的多個(gè)平行的條(11a，lib, 11c, lid)。
24.根據(jù)權(quán)利要求23所述的蝕刻掩膜(9)，其特征在于，具有用于形成所述調(diào)諧元件(7)的調(diào)諧部(7a，7b, 7c, 7d)的阻擋材料的所述條(11a，lib, 11c, lid)具有在所述條(11a，lib, 11c, lid)之間各不相同的寬度(W)和/或長(zhǎng)度(L)。
25.根據(jù)權(quán)利要求1至14中任一項(xiàng)所述的天線結(jié)構(gòu)(2)用于制造射頻識(shí)別應(yīng)答器或射頻識(shí)別標(biāo)簽(I)的用途。
全文摘要
一種天線結(jié)構(gòu)(2)，至少包括非導(dǎo)電基板(3)以及由基板(3)支撐的導(dǎo)電天線線路配置(4’,4’’,4’’’)，導(dǎo)電天線線路配置(4’,4’’,4’’’)通過(guò)借由蝕刻劑局部蝕刻掉由基板(3)支撐的導(dǎo)電涂層材料而在蝕刻過(guò)程中形成。天線結(jié)構(gòu)(2)還包括具有相同導(dǎo)電涂層材料的至少一個(gè)導(dǎo)電調(diào)諧元件(7)。調(diào)諧元件(7)至少部分地在同一蝕刻過(guò)程中與導(dǎo)電天線線路配置(4’,4’’,4’’’)同時(shí)地形成，在蝕刻過(guò)程之后，調(diào)諧元件具有至少部分地補(bǔ)償過(guò)度蝕刻或蝕刻不足對(duì)天線結(jié)構(gòu)(2)的電氣屬性的影響的空間形狀和外形尺寸。
文檔編號(hào)H01Q1/38GK103181024SQ201080068119
公開(kāi)日2013年6月26日 申請(qǐng)日期2010年6月17日 優(yōu)先權(quán)日2010年6月17日
發(fā)明者A.馬尼南 申請(qǐng)人:斯馬特拉克 Ip 有限公司