專利名稱：具有波長(zhǎng)變換層的發(fā)光二級(jí)管芯片及其制造方法，以及包括其的封裝件及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及發(fā)光二級(jí)管芯片及其制造方法，以及包括其的封裝件及其制造方法，尤其涉及具有波長(zhǎng)變換層的發(fā)光二極管芯片及其制造方法，以及包括其的封裝件及其制造方法。
背景技術(shù)：
由于當(dāng)前的發(fā)光二級(jí)管具有能夠?qū)崿F(xiàn)輕薄短小化、節(jié)省能源和長(zhǎng)時(shí)間維持壽命的優(yōu)點(diǎn)，正被利用為包括移動(dòng)電話在內(nèi)的各種顯示裝置的背面光源，且由于貼裝發(fā)光二級(jí)管的發(fā)光元件(即，發(fā)光二級(jí)管封裝)能夠?qū)崿F(xiàn)具有高演色性的白色光，因而期待著取代諸如熒光燈的白色光源而應(yīng)用于普通的照明之中。另外，有各種利用發(fā)光二級(jí)管實(shí)現(xiàn)白色光的方法，然而通常使用通過(guò)組合釋放430nm 470nm的藍(lán)色光的InGaN發(fā) 光二級(jí)管和能夠?qū)⑺鏊{(lán)色光變換為長(zhǎng)波長(zhǎng)的熒光體而實(shí)現(xiàn)白色光的方法。例如，白色光可通過(guò)藍(lán)色發(fā)光二極管和被所述藍(lán)色發(fā)光二極管激發(fā)而釋放黃色的黃色熒光體的組合而實(shí)現(xiàn)，或者可通過(guò)藍(lán)色發(fā)光二極管和綠色熒光體及紅色熒光體的組合而實(shí)現(xiàn)。以往，白色發(fā)光元件通過(guò)將含有熒光體的樹(shù)脂涂布于貼裝有發(fā)光二級(jí)管的封裝件的凹陷區(qū)域內(nèi)而形成。但是，隨著在封裝件內(nèi)涂布樹(shù)脂，具有熒光體無(wú)法在樹(shù)脂內(nèi)均勻地分布，且無(wú)法以均一的厚度形成樹(shù)脂的問(wèn)題。據(jù)此，正在研究在發(fā)光二級(jí)管之上粘貼波長(zhǎng)變換片(sheet)的方式。波長(zhǎng)變換片例如可以將熒光體混合到玻璃等之中而形成。通過(guò)將這種波長(zhǎng)變換片粘貼在發(fā)光二極管的上表面，從而能夠在芯片級(jí)(chip level)實(shí)現(xiàn)白色光。但是，由于波長(zhǎng)變換片粘貼于發(fā)光二級(jí)管的上表面，因此局限于在具有光主要朝發(fā)光二級(jí)管的上表面釋放的結(jié)構(gòu)的發(fā)光二級(jí)管中實(shí)現(xiàn)白色光的情形。在發(fā)光二級(jí)管的側(cè)面，例如在具有朝生長(zhǎng)基板的側(cè)面釋放相當(dāng)量的光的結(jié)構(gòu)的發(fā)光二級(jí)管中，不合適利用波長(zhǎng)變換片的波長(zhǎng)變換。另外，在封裝件中涂布含有熒光體的樹(shù)脂時(shí)，由于在將引線鍵合到發(fā)光二級(jí)管之后涂布樹(shù)脂，因此發(fā)光二級(jí)管的電極被含有熒光體的樹(shù)脂覆蓋也不會(huì)成為問(wèn)題。但是，當(dāng)在芯片級(jí)形成波長(zhǎng)變換層時(shí)，要求在形成波長(zhǎng)變換層之后將引線鍵合到發(fā)光二級(jí)管。據(jù)此，為了通過(guò)波長(zhǎng)變換層鍵合引線，有必要露出電極，而且要求將波長(zhǎng)變換層形成為能夠容易地鍵合引線的技術(shù)。

發(fā)明內(nèi)容
技術(shù)問(wèn)題本發(fā)明所要解決的問(wèn)題在于提供一種能夠在芯片級(jí)執(zhí)行波長(zhǎng)變換等光變換的發(fā)光二極管芯片及其制造方法。
本發(fā)明所要解決的另一問(wèn)題在于提供一種對(duì)于通過(guò)基板的側(cè)面釋放出的光也能夠執(zhí)行波長(zhǎng)變換的發(fā)光二極管芯片及其制造方法。本發(fā)明所要解決的另一問(wèn)題還在于提供一種在能夠執(zhí)行波長(zhǎng)變換等光變換的同時(shí)能夠容易地對(duì)鍵合引線進(jìn)行鍵合的發(fā)光二級(jí)管芯片及其制造方法。本發(fā)明所要解決的另一問(wèn)題還在于提供一種能夠防止在波長(zhǎng)變換層變換的光再次入射到發(fā)光二極管芯片內(nèi)部時(shí)產(chǎn)生的損耗的發(fā)光二極管芯片。本發(fā)明所要解決的另一問(wèn)題還在于提供一種能夠緩和波長(zhǎng)變換層被光損傷的發(fā)光二級(jí)管芯片。技術(shù)方案
根據(jù)本發(fā)明一形態(tài)的發(fā)光二極管芯片包括基板；半導(dǎo)體層疊結(jié)構(gòu)體，該半導(dǎo)體層疊結(jié)構(gòu)體為位于所述基板上的氮化鎵系化合物半導(dǎo)體層疊結(jié)構(gòu)，包括第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層、活性層以及第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層；電極，電連接于所述半導(dǎo)體層疊結(jié)構(gòu)體；附加電極，形成于所述電極上；波長(zhǎng)變換層，覆蓋所述半導(dǎo)體層疊結(jié)構(gòu)體的上部。進(jìn)而，所述附加電極貫穿所述波長(zhǎng)變換層。通過(guò)采用所述附加電極，可提供執(zhí)行波長(zhǎng)變換的同時(shí)能夠容易地鍵合引線的發(fā)光二極管芯片。而且，所述發(fā)光二極管芯片還可以包括介入于所述波長(zhǎng)變換層和所述半導(dǎo)體層疊結(jié)構(gòu)體之間的分隔層。所述分隔層由絕緣層形成。進(jìn)而，所述分隔層可包括分布布拉格反射器，而且還可以包括介入于所述分布布拉格反射器和所述半導(dǎo)體層疊結(jié)構(gòu)體之間的應(yīng)力緩和層。所述分隔層介入于所述波長(zhǎng)變換層和所述半導(dǎo)體層疊結(jié)構(gòu)體之間，使所述波長(zhǎng)變換層從所述半導(dǎo)體層疊結(jié)構(gòu)體隔開(kāi)。所述分隔層防止有可能因因從半導(dǎo)體層疊結(jié)構(gòu)體釋放的光而引起的所述波長(zhǎng)變換層內(nèi)的熒光體的黃變。所述分布布拉格反射器可通過(guò)交替布置折射率不同的多個(gè)絕緣層(例如，SiO2/TiO2或Si02/Nb205)而形成。所述分布布拉格反射器通過(guò)調(diào)整這些絕緣層的光學(xué)厚度，使在所述活性層生成的光透過(guò)，并反射在所述波長(zhǎng)變換層變換的光。另外，所述應(yīng)力緩和層緩和在所述分布布拉格反射器中引發(fā)的應(yīng)力，防止所述分布布拉格反射器從其下方的層(例如，半導(dǎo)體層疊結(jié)構(gòu)體)剝離。所述應(yīng)力緩和層可由旋涂式玻璃層(SOG)或多孔氧化硅膜形成。另外，高硬度透明樹(shù)脂可覆蓋所述波長(zhǎng)變換層。在此，高硬度透明樹(shù)脂是指邵氏硬度值為60A以上的透明樹(shù)脂。在若干實(shí)施例中，所述發(fā)光二極管芯片還可以包括位于所述基板下面的下部分布布拉格反射器。所述下部分布布拉格反射器不僅對(duì)于在活性層中產(chǎn)生的光，對(duì)于可視光區(qū)域的幾乎全部區(qū)域，均可具有相對(duì)高的反射率。例如，所述下部分布布拉格反射器對(duì)于藍(lán)色區(qū)域的光、綠色區(qū)域的光以及紅色區(qū)域的光具有90%以上的反射率。而且，所述下部分布布拉格反射器上可設(shè)置有金屬層。金屬層可由反射金屬形成。另外，所述附加電極可具有相比所述電極更窄的寬度，且離所述電極越遠(yuǎn)，寬度可變得越窄。據(jù)此，可以將所述附加電極穩(wěn)定地粘貼于所述電極，可保證之后鍵合引線的工藝的可靠度。在若干實(shí)施例中，所述波長(zhǎng)變換層的上部面實(shí)際上平坦(flat)。在其他實(shí)施例中，所述波長(zhǎng)變換層的上部面基于半導(dǎo)體層疊結(jié)構(gòu)體的表面結(jié)構(gòu)(topology)均勻地形成。在若干實(shí)施例中，電連接于所述半導(dǎo)體層疊結(jié)構(gòu)體的電極可包括電連接于所述第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層的第一電極、電連接于所述第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層的第二電極。而且，所述附加電極可包括形成于所述第一電極之上的第一附加電極；形成于所述第二電極上的第二附加電極。所述第一附加電極和第二附加電極貫穿所述波長(zhǎng)變換層而露出于外部。而且，所述第一附加電極和第二附加電極的上部面可以與所述波長(zhǎng)變換層的上部面一致。與此不同，電連接于所述半導(dǎo)體層疊結(jié)構(gòu)體的電極可以是電連接于所述第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層。所述第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層位于所述基板和所述第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層之間。此時(shí)，連接于所述第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層的電極上有可能沒(méi)有形成附加電極。進(jìn)而，所述波長(zhǎng)變換層可覆蓋所述基板的側(cè)面。據(jù)此，對(duì)于從基板的側(cè)面釋放的光也能夠執(zhí)行波長(zhǎng)變換。所述基板側(cè)面的波長(zhǎng)變換層的厚度實(shí)質(zhì)上可與所述半導(dǎo)體層疊結(jié)構(gòu)體上部的波長(zhǎng)變換層的厚度相同。 根據(jù)本發(fā)明又一形態(tài)的發(fā)光二極管芯片，包括基板；多個(gè)半導(dǎo)體層疊結(jié)構(gòu)體，位于所述基板上，分別包括第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層、活性層以及第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層；第一電極，電連接于一個(gè)半導(dǎo)體層疊結(jié)構(gòu)體；第二電極，電連接于另一半導(dǎo)體層疊結(jié)構(gòu)體；第一附加電極，形成于所述第一電極上；第二附加電極，形成于所述第二電極上；波長(zhǎng)變換層，覆蓋所述多個(gè)半導(dǎo)體層疊結(jié)構(gòu)體的上部。而且，所述第一附加電極和所述第二附加電極貫穿所述波長(zhǎng)變換層。進(jìn)而，還可以包括相互電連接所述多個(gè)半導(dǎo)體層疊結(jié)構(gòu)體的配線。另外，所述發(fā)光二極管芯片還可以包括介入于所述波長(zhǎng)變換層和所述多個(gè)半導(dǎo)體層疊結(jié)構(gòu)體之間的分隔層。所述分隔層由絕緣層形成。進(jìn)而，所述分隔層進(jìn)一步可包括介入于所述波長(zhǎng)變換層和所述多個(gè)半導(dǎo)體層疊結(jié)構(gòu)體之間的分布布拉格反射器。而且，應(yīng)力緩和層可介入于所述分布布拉格反射器和所述多個(gè)半導(dǎo)體層疊結(jié)構(gòu)體之間。所述第一附加電極和第二附加電極可具有分別比所述第一電極和第二電極更窄的寬度，而且，所述第一附加電極和第二附加電極分別離所述第一電極和第二電極越遠(yuǎn)，寬度變得越窄。另外，所述第一電極可電連接于所述一個(gè)半導(dǎo)體層疊結(jié)構(gòu)體的第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層，所述第二電極可電連接于所述另一個(gè)半導(dǎo)體層疊結(jié)構(gòu)體的第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層。根據(jù)本發(fā)明的又一形態(tài)，提供一種搭載有發(fā)光二極管芯片的發(fā)光二級(jí)管封裝件。該封裝件包括引線端子、發(fā)光二極管芯片以及連接所述引線端子和所述發(fā)光二極管芯片的鍵合引線。所述鍵合弓I線連接所述發(fā)光二極管芯片的附加電極和所述弓丨線端子。根據(jù)本發(fā)明的又一形態(tài)的發(fā)光二極管芯片制造方法包括在支撐基板上排列多個(gè)裸芯片，各個(gè)所述裸芯片包括基板、半導(dǎo)體層疊結(jié)構(gòu)體、電連接于所述半導(dǎo)體層疊結(jié)構(gòu)體的電極，該半導(dǎo)體層疊結(jié)構(gòu)體為位于所述基板上的氮化鎵系化合物半導(dǎo)體層疊結(jié)構(gòu)，包括第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層、活性層以及第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層；；在各個(gè)所述裸芯片的電極上形成附加電極；在所述支撐基板上形成覆蓋所述多個(gè)裸芯片和所述附加電極的透明涂層；去除所述透明涂層的上部，露出所述附加電極；去除所述支撐基板；分離所述透明涂層，以分離為單獨(dú)的發(fā)光二極管芯片。由于在支撐基板上的裸芯片上形成均勻的透明涂層，因此還可以在裸芯片的基板側(cè)面形成均勻的透明涂層。而且，通過(guò)使用附加電極，可以在裸芯片上以均勻的厚度形成透明涂層，且可容易地鍵合引線。進(jìn)而，由于所述支撐基板會(huì)被去除，因此可以減少在活性層中生成的光的散熱路徑。所述透明涂層根據(jù)其使用目的可包含多種材料。例如，所述涂層并不局限于此，可包括熒光體或擴(kuò)散材料。據(jù)此，所述透明涂層可應(yīng)用為波長(zhǎng)變換層或擴(kuò)散層。電連接于所述半導(dǎo)體層疊結(jié)構(gòu)體的電極可包括電連接于所述第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層的第一電極和電連接于所述第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層的第二電極。而且，形成所述附加電極的步驟可包括在所述第一電極上形成第一附加電極，在所述第二電極上形成第二附加電極。所述第一附加電極和第二附加電極的上部面可位于相同高度。據(jù)此，在去除了所述透明涂層的上部之后，透明涂層的上部面和所述第一附加電極和第二附加電極的上部面
可以位于相同的面上。在若干實(shí)施例中，形成所述附加電極的步驟可以在將所述裸芯片排列于支撐基板之前預(yù)先執(zhí)行。在其他實(shí)施例中，形成所述附加電極的步驟可以在將所述裸芯片排列于支撐基板之后執(zhí)行。進(jìn)而，所述方法還可包括在形成所述透明涂層之前形成覆蓋所述支撐基板上所排列的多個(gè)裸芯片的分隔層。所述分隔層可以由單個(gè)絕緣層或多個(gè)絕緣層形成，且可以由透明樹(shù)脂、氧化硅膜或氮化硅膜形成。而且，所述分隔層還可以包括應(yīng)力緩和層，所述分布布拉格反射器可形成于所述應(yīng)力緩和層之上。在若干實(shí)施例中，所述裸芯片還可以包括位于所述半導(dǎo)體層疊結(jié)構(gòu)體上部的分布布拉格反射器。而且，所述裸芯片還可以包括介入于所述分布布拉格反射器和所述半導(dǎo)體層疊結(jié)構(gòu)體之間的應(yīng)力緩和層。另外，去除所述支撐基板的步驟可以在分離所述透明涂層之前執(zhí)行，但并不局限于此，還可以在去除所述透明涂層的上部之前執(zhí)行，或者在分離所述透明涂層之后執(zhí)行。在若干實(shí)施例中，所述裸芯片可以包括位于所述基板上的多個(gè)半導(dǎo)體層疊結(jié)構(gòu)體。進(jìn)而，所述裸芯片還可以包括相互連接所述多個(gè)半導(dǎo)體層疊結(jié)構(gòu)體的多個(gè)配線。而且，所述裸芯片還可包括位于所述多個(gè)半導(dǎo)體層疊結(jié)構(gòu)體上部的分隔層。所述分隔層可以由絕緣層形成，且可包括分布布拉格反射器。并且，所述分隔層可進(jìn)一步包括介入于所述分布布拉格反射器和所述半導(dǎo)體層疊結(jié)構(gòu)體之間的應(yīng)力緩和層。根據(jù)本發(fā)明的又一形態(tài)的發(fā)光二級(jí)管封裝件，包括子底座基板；具備第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層、活性層以及第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層，且具備電連接于所述第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層的第一電極和電連接于所述第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層的第二電極，在上面設(shè)置所述第一電極和第二電極中的至少一個(gè)的、貼裝于所述子底座基板上的裸芯片；露出形成于所述裸芯片上面的所述第一電極和第二電極中的至少一個(gè)，且將所述裸芯片的上面和側(cè)面覆蓋為一體，并至少覆蓋所述子底座基板的上面的一部分的波長(zhǎng)變換層。在此，所述子底座基板可包括沿著所述裸芯片的側(cè)面形成的多個(gè)狹縫。而且，所述多個(gè)狹縫每一個(gè)可具有開(kāi)口形狀。而且，所述波長(zhǎng)變換層可通過(guò)所述多個(gè)狹縫中的至少一部分覆蓋所述子底座基板的內(nèi)部側(cè)面。另外，所述子底座基板和所述裸芯片可進(jìn)行金屬鍵合。而且，所述發(fā)光二級(jí)管封裝件還包括形成有電源供應(yīng)用引線的基板；電連接所述電源供應(yīng)用引線與所述第一電極和所述第二電極的鍵合引線；包封所述裸芯片的透鏡。根據(jù)本發(fā)明的又一形態(tài)的發(fā)光二級(jí)管封裝件的制造方法，包括如下步驟準(zhǔn)備子底座基板；將分別包括第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層、活性層以及第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層的多個(gè)裸芯片貼裝于所述子底座基板上；形成電連接于所 述第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層的第一電極，并形成電連接于所述第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層的第二電極；形成露出形成于所述裸芯片的上面的所述第一電極和第二電極中的至少一個(gè)，將所述裸芯片的上面和側(cè)面覆蓋為一體，且至少覆蓋所述子底座基板的上面的一部分的波長(zhǎng)變換層。在此，形成所述第一電極和第二電極的步驟可包括步驟將所述第一電極和第二電極中的至少一個(gè)形成于所述裸芯片上面。另外，所述發(fā)光二級(jí)管封裝件的制造方法進(jìn)一步可包括步驟利用模具對(duì)所述第一電極和第二電極加壓，以避免所述模具與所述第一電極和第二電極之間產(chǎn)生縫隙。在此，形成所述波長(zhǎng)變換層的步驟可包括步驟在所述模具的內(nèi)部空間注入含有熒光體的樹(shù)脂而進(jìn)行固化。另外，準(zhǔn)備所述子底座基板的步驟可包括步驟沿著貼裝所述裸芯片的區(qū)域形成多個(gè)狹縫。在此，所述多個(gè)狹縫可分別形成開(kāi)口形狀。而且，形成所述波長(zhǎng)變換層的步驟可包括步驟將所述波長(zhǎng)變換層形成為通過(guò)所述多個(gè)狹縫中的一部分狹縫覆蓋所述子底座基板的內(nèi)部側(cè)面。而且，所述發(fā)光二極管封裝件的制造方法還可包括步驟在所述波長(zhǎng)變換層和所述裸芯片之間形成透明樹(shù)脂層。另外，所述發(fā)光二級(jí)管封裝件的制造方法還包括步驟將所述子底座基板以單獨(dú)的發(fā)光二級(jí)管芯片為單位進(jìn)行切割。在此，所述發(fā)光二級(jí)管封裝件的制造方法還可以包括步驟在具有引線的基板上貼裝被切割的所述單獨(dú)的裸芯片；將所述第一電極和第二電極分別與鍵合引線電連接；形成包封所述單獨(dú)的發(fā)光二極管芯片的透鏡。技術(shù)效果根據(jù)本發(fā)明，能夠提供對(duì)于通過(guò)基板的側(cè)面釋放的光也能夠執(zhí)行波長(zhǎng)變換的發(fā)光二極管芯片。而且，能夠提供通過(guò)采用附加電極，在執(zhí)行波長(zhǎng)變換的同時(shí)還可以容易地執(zhí)行引線鍵合的發(fā)光二極管芯片。并且，根據(jù)本發(fā)明，通過(guò)采用分隔層，能夠防止波長(zhǎng)變換層內(nèi)的熒光體因半導(dǎo)體層疊結(jié)構(gòu)體中釋放的光而受到損傷。而且，所述分隔層包括分布布拉格反射器，能夠防止在波長(zhǎng)變換層變換的光再次入射到半導(dǎo)體層疊結(jié)構(gòu)體內(nèi)部,據(jù)此能夠改善光效率。


圖1為用于說(shuō)明本發(fā)明一實(shí)施例提供的發(fā)光二極管芯片的剖視圖。圖2為用于說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例提供的發(fā)光二極管芯片的剖視圖。圖3為用于說(shuō)明本發(fā)明又一實(shí)施例提供的發(fā)光二級(jí)管芯片的剖視圖。圖4為用于說(shuō)明本發(fā)明又一實(shí)施例提供的發(fā)光二極管芯片的剖視圖。圖5為用于說(shuō)明本發(fā)明又一實(shí)施例提供的發(fā)光二級(jí)管芯片的剖視圖?！D6為用于說(shuō)明本發(fā)明又一實(shí)施例提供的發(fā)光二級(jí)管芯片的剖視圖。圖7為用于說(shuō)明本發(fā)明又一實(shí)施例提供的發(fā)光二級(jí)管芯片的剖視圖。圖8為用于說(shuō)明本發(fā)明又一實(shí)施例提供的發(fā)光二級(jí)管芯片的剖視圖。圖9為用于說(shuō)明本發(fā)明又一實(shí)施例提供的發(fā)光二級(jí)管芯片的剖視圖。圖10為用于說(shuō)明本發(fā)明又一實(shí)施例提供的發(fā)光二級(jí)管芯片的剖視圖。圖11為用于說(shuō)明本發(fā)明又一實(shí)施例提供的發(fā)光二級(jí)管芯片的剖視圖。圖12為用于說(shuō)明本發(fā)明又一實(shí)施例提供的發(fā)光二級(jí)管芯片的剖視圖。圖13為用于說(shuō)明本發(fā)明又一實(shí)施例提供的發(fā)光二級(jí)管芯片的剖視圖。圖14為用于說(shuō)明本發(fā)明又一實(shí)施例提供的發(fā)光二級(jí)管芯片的剖視圖。圖15為用于說(shuō)明本發(fā)明又一實(shí)施例提供的發(fā)光二級(jí)管芯片的剖視圖。圖16為用于說(shuō)明本發(fā)明又一實(shí)施例提供的發(fā)光二級(jí)管芯片的剖視圖。圖17為用于說(shuō)明本發(fā)明又一實(shí)施例提供的發(fā)光二級(jí)管芯片的剖視圖。圖18為用于說(shuō)明本發(fā)明又一實(shí)施例提供的發(fā)光二級(jí)管芯片的剖視圖。圖19為用于說(shuō)明搭載本發(fā)明一實(shí)施例提供的發(fā)光二極管芯片的發(fā)光二極管封裝件的剖視圖。圖20為用于說(shuō)明本發(fā)明一實(shí)施例提供的發(fā)光二極管芯片制造方法的多個(gè)剖視圖。圖21為用于說(shuō)明本發(fā)明又一實(shí)施例提供的發(fā)光二級(jí)管的上部平面圖。圖22為示出從C-C'線觀察圖21的發(fā)光二極管的剖面的圖。圖23為示出根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例形成多個(gè)發(fā)光二極管的子安裝基板的圖。圖24為放大圖23中用圓表示的區(qū)域的圖。圖25為用于說(shuō)明本發(fā)明一實(shí)施例提供的發(fā)光二極管封裝件的制造方法的流程圖。圖26為按照步驟分別示出本發(fā)明一實(shí)施例提供的發(fā)光二級(jí)管封裝件的制造方法的圖。圖27為用于說(shuō)明搭載本發(fā)明一實(shí)施例提供的發(fā)光二極管的發(fā)光二級(jí)管封裝件的首1J視圖。圖28為用于說(shuō)明本發(fā)明的另一實(shí)施例提供的發(fā)光二極管的剖視圖。
具體實(shí)施例方式以下，參照附圖詳細(xì)說(shuō)明本發(fā)明的各個(gè)實(shí)施例。以下介紹的實(shí)施例是作為示例而提供的，以將本發(fā)明的思想充分地傳遞給本領(lǐng)域技術(shù)人員。因此，本發(fā)明并不局限于以下說(shuō)明的實(shí)施例，可以具體化為其他形態(tài)。而且，在圖中，構(gòu)成要素的寬度、長(zhǎng)度、厚度等也有可能被夸張地表示，以方便說(shuō)明。在整個(gè)說(shuō)明書(shū)中，相同的附圖標(biāo)記表示相同的構(gòu)成要素。
圖1為用于說(shuō)明本發(fā)明一實(shí)施例提供的發(fā)光二極管芯片101的剖視圖。發(fā)光二極管芯片101包括基板21 ;包括第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層25、活性層27以及第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層29的氮化鎵系半導(dǎo)體層疊結(jié)構(gòu)體30 ;第一電極41 ;第二電極42 ;第一附加電極43 ;第二附加電極44以及透明涂層(例如，波長(zhǎng)變換層50)。而且，第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層25和基板21之間可以介入緩沖層23。基板21具有半導(dǎo)體層疊結(jié)構(gòu)體所處的上表面、與所述上表面方向相反的下表面、連接上表面和下表面的側(cè)面?；?1只要是透明基板則沒(méi)有特別的限制，可以是能夠生長(zhǎng)氮化物半導(dǎo)體層的基板(例如，藍(lán)寶石、碳化硅、尖晶石、或硅等)?；?1可相對(duì)于半導(dǎo)體層疊結(jié)構(gòu)體更厚，半導(dǎo)體層疊結(jié)構(gòu)體上生成的光的一部分可通過(guò)基板21的側(cè)面釋放。所述活性層27、所述第一和第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層25、29可以由II1-N系列的化合物半導(dǎo)體，例如，由(Al,Ga, In)N半導(dǎo)體形成。所述第一和第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層25、29可分別為單層或多層。例如，所述第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層25和/或第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層29可包括接觸層和包覆層(Clad layer)，而且還可以包括超晶格層。而且，所述活性層27可以為 單量子阱結(jié)構(gòu)或多量子阱結(jié)構(gòu)。例如，所述第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層可以是n型，所述第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層可以是P型，但并不局限于此，可以與此相反。緩沖層23在基板21和第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層25之間緩和晶格失配，減少在半導(dǎo)體層25、27、29之內(nèi)產(chǎn)生的缺陷密度。另外，第一電極41接觸于第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層25的暴露的表面而與第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層25電連接。而且，第二電極42位于第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層29的上部而與第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層29電連接。第一電極41和第二電極42例如可包括T1、Cu、N1、Al、Au或Cr，也可以由T1、Cu、N1、Al、Au或Cr中的兩個(gè)以上的物質(zhì)形成。而且，為了電流分散,諸如Ni/Au、IT0、IZ0、Zn0的透明導(dǎo)電層可形成于第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層29之上，第二電極42可連接于所述透明導(dǎo)電層。第一附加電極43和第二附加電極44分別位于第一電極41和第二電極42之上。第一附加電極43和第二附加電極44具有相比第一電極41和第二電極42的寬度更窄的寬度。S卩，第一附加電極43被限定于第一電極41的上部，第二附加電極44被限定于第二電極42的上部。而且，第一附加電極43和第二附加電極44可具有分別距離第一電極41和第二電極42越遠(yuǎn)，則寬度越窄的形狀。基于這種形狀，第一附加電極43和第二附加電極44可分別穩(wěn)定地粘貼于第一電極41和第二電極42而保持，有利于引線鍵合等后續(xù)工藝。為了使第一附加電極43和第二附加電極44能夠分別穩(wěn)定地保持在第一電極41和第二電極42之上，可以將相對(duì)于底面的高度的比率限定在預(yù)定范圍之內(nèi)。波長(zhǎng)變換層50可在環(huán)氧樹(shù)脂或硅膠內(nèi)含入熒光體而形成，或者可以僅由熒光體形成。例如，波長(zhǎng)變換層50可以在環(huán)氧樹(shù)脂或硅膠內(nèi)含入熒光體之后將其涂布而形成。此時(shí)，可以使用模具，以在基板21的側(cè)面形成具有均勻的厚度的波長(zhǎng)變換層50。此時(shí)，可以將模具布置成使第一附加電極43和第二附加電極44的上表面的全部或局部暴露，由此形成波長(zhǎng)變換層50，或者使含有熒光體的樹(shù)脂涂布成覆蓋第一附加電極43和第二附加電極44之后，對(duì)樹(shù)脂進(jìn)行機(jī)械研磨，由此可露出第一附加電極43和第二附加電極44的上表面。據(jù)此，可形成上表面平坦的波長(zhǎng)變換層50，且第一附加電極43和第二附加電極44貫通波長(zhǎng)變換層50而露出到外部。進(jìn)而，波長(zhǎng)變換層50例如可以具有1. 4 2. 0范圍之內(nèi)的折射率，而為了調(diào)整折射率，可以在波長(zhǎng)變換層50之內(nèi)混入Ti02、Si02、Y2O3等粉末。另外，如圖所示，第一附加電極43的上表面可以與第二附加電極44的上表面位于相同的高度。據(jù)此，在去除第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層29和活性層27的一部分而暴露第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層25時(shí)，如圖所示，第一附加電極43可比第二附加電極44更長(zhǎng)。波長(zhǎng)變換層50可覆蓋基板21的側(cè)面和半導(dǎo)體層疊結(jié)構(gòu)體30的上部。據(jù)此，可以提供不僅對(duì)于通過(guò)半導(dǎo)體層疊結(jié)構(gòu)體30的上表面釋放的光，還對(duì)于通過(guò)基板21的側(cè)面釋放的光也能夠進(jìn)行波長(zhǎng)變換的發(fā)光二極管芯片101。圖2為用于說(shuō)明本發(fā)明的另一實(shí)施例提供的發(fā)光二極管芯片102的剖視圖。
參照?qǐng)D2，本實(shí)施例提供的發(fā)光二極管芯片102大致上與圖1的發(fā)光二極管芯片101大致類似，區(qū)別在于進(jìn)一步包括分隔層33、下部分布布拉格反射器45以及金屬層47。而且，透明導(dǎo)電層31介入于所述分隔層33和所述半導(dǎo)體層疊結(jié)構(gòu)體30的第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層29之間。第二電極42可連接于所述透明導(dǎo)電層31。為了避免重復(fù)，對(duì)于與前述說(shuō)明的實(shí)施例的發(fā)光二級(jí)管芯片101相同的構(gòu)成要素將省略詳細(xì)的說(shuō)明。分隔層33可覆蓋所述半導(dǎo)體層疊結(jié)構(gòu)體30和透明導(dǎo)電層31的上部。根據(jù)所述分隔層33，所述波長(zhǎng)變換層50從半導(dǎo)體層疊結(jié)構(gòu)體30隔開(kāi)。分隔層33可由例如氮化硅或氧化硅形成。而且，所述分隔層33可以由交替地層疊折射率不同的絕緣層(例如，SiO2/TiO2或Si02/Nb205)的分布布拉格反射器形成。此時(shí)，通過(guò)調(diào)整折射率不同的絕緣層的光學(xué)厚度，所述分隔層33可使在活性層27生成的光透過(guò)，并反射從外部入射或由波長(zhǎng)變換層50變換的光。這種分布布拉格反射器具有反射可視光區(qū)域中的長(zhǎng)波長(zhǎng)區(qū)域的光，且使在活性層27生成的短波長(zhǎng)可視光或紫外線透過(guò)的反射帶寬。尤其，由于相比TiO2,Nb2O5的光吸收率相對(duì)較小，因此為了防止光損失，更為優(yōu)選的是利用Si02/Nb205形成分布布拉格反射器。另外，在所述基板21的下部設(shè)置有下部分布布拉格反射器45。所述下部分布布拉格反射器45是通過(guò)交替地層疊折射率互不相同的絕緣層而形成，不僅對(duì)于藍(lán)色波長(zhǎng)區(qū)域的光(例如，在活性層27中生成的光)，還對(duì)于黃色波長(zhǎng)區(qū)域的光或綠色和/或紅色波長(zhǎng)區(qū)域的光，也具有相對(duì)高(優(yōu)選為90%以上)的反射率。進(jìn)而，所述下部分布布拉格反射器45也可以例如在400 700nm的波長(zhǎng)范圍之內(nèi)整體上具有90%以上的發(fā)射率。在寬波長(zhǎng)區(qū)域中具有相對(duì)高的反射率的下部分布布拉格反射器45是通過(guò)控制反復(fù)層疊的材料層的各自的光學(xué)厚度而形成的。所述下部分布布拉格反射器45例如可交替地層疊由SiO2構(gòu)成的第一層和由TiO2構(gòu)成的第二層而形成，或者可交替地層疊由SiO2構(gòu)成的第一層和由Nb2O5構(gòu)成的第二層而形成。由于Nb2O5的光吸收率比TiO2相對(duì)較小，因此更為優(yōu)選的是交替布置由SiO2構(gòu)成的第一層和由Nb2O5構(gòu)成的第二層。第一層和第二層的層疊數(shù)越多，分布布拉格反射器45的反射率越穩(wěn)定，例如，分布布拉格反射器40的層疊數(shù)可以是50層以上，即25對(duì)以上。交替地層疊的多個(gè)第一層或第二層無(wú)需都具有相同的厚度，多個(gè)第一層和第二層的厚度選擇為不僅是對(duì)于活性層27中生成的光，對(duì)于可視光區(qū)域的其他波長(zhǎng)也具有相對(duì)高的反射率。而且，對(duì)于特定波長(zhǎng)帶寬，可層疊反射率高的多個(gè)分布布拉格反射器而形成所述下部分布布拉格反射器45。通過(guò)采用所述下部分布布拉格反射器45，當(dāng)在波長(zhǎng)變換層50變換的光再次入射到基板21側(cè)時(shí)，可以再次反射該入射的光而釋放到外部，據(jù)此能夠改善光效率。
另外，所述分布布拉格反射器45的第一層和最后一層可以是Si02。通過(guò)將SiO2布置在分布布拉格反射器45的第一層和最后一層，能夠?qū)⒎植疾祭穹瓷淦?5穩(wěn)定地粘貼于基板21上，且可利用所述最后的SiO2層保護(hù)下部分布布拉格反射器45。金屬層47位于所述下部分布布拉格反射器45的下部。所述金屬層47為了反射透過(guò)了下部分布布拉格反射器4的光而可以由諸如鋁的反射金屬形成，但也可以由反射金屬之外的金屬形成。尤其，金屬層47有助于將層疊結(jié)構(gòu)體30產(chǎn)生的熱量釋放到外部，因此提高發(fā)光二極管芯片102的放熱性能。根據(jù)本實(shí)施例，通過(guò)由對(duì)于長(zhǎng)波長(zhǎng)的可視光具有高反射率的分布布拉格反射器形成分隔層33，可防止在波長(zhǎng)變換層50變換的光再次入射到半導(dǎo)體層疊結(jié)構(gòu)體30之內(nèi)。而且，通過(guò)采用下部分布布拉格反射器45，當(dāng)從外部入射到基板21側(cè)或者在波長(zhǎng)變換層50變換的光入射到基板21側(cè)時(shí)，可以再次將其反射，從而能夠改善光效率。圖3為用于說(shuō)明本發(fā)明的又一實(shí)施例提供的發(fā)光二極管芯片103的剖視圖。參照?qǐng)D3，發(fā)光二極管芯片103與參照?qǐng)D2說(shuō)明的發(fā)光二極管芯片102類似，區(qū)別在于在所述分隔層30上進(jìn)一步設(shè)置或代替所述分隔層30在波長(zhǎng)變換層50和半導(dǎo)體層疊結(jié)構(gòu)體30之間介入應(yīng)力緩和層35和所述分布布拉格反射器37。S卩，應(yīng)力緩和層35可位于半導(dǎo)體層疊結(jié)構(gòu)體30上側(cè)(例如，分隔層33之上)，而在應(yīng)力緩和層35的上側(cè)設(shè)置上部分布布拉格反射器37。所述應(yīng)力緩和層35和所述上部分布布拉格反射器37也起到分隔層的作用。所述上部分布布拉格反射器37可通過(guò)交替層疊折射率不同的多個(gè)絕緣層(例如，Si02/Ti02或Si02/Nb205)而形成。此時(shí)，通過(guò)調(diào)整折射率不同的多個(gè)絕緣層的光學(xué)厚度，所述上部分布布拉格反射器37可使在活性層27生成的光透過(guò)，且反射從外部入射或在波長(zhǎng)變換層50變換的光。所述上部分布布拉格反射器37具有反射可視光區(qū)域中的長(zhǎng)波長(zhǎng)區(qū)域的光，且使在活性層27生成的短波長(zhǎng)可視光或紫外線透過(guò)的反射帶寬。尤其，由于Nb2O5的光吸收率相比TiO2相對(duì)較小，因此為了防止光損失，更為優(yōu)選的是利用Si02/Nb205形成分布布拉格反射器。另外，應(yīng)力緩和層35可由旋涂式玻璃層(SOG)或多孔氧化硅膜形成。所述應(yīng)力緩和層35緩和所述上部分布布拉格反射器37的應(yīng)力，防止上部分布布拉格反射器37的剝離。當(dāng)交替層疊折射率不同的多個(gè)絕緣層(例如，SiO2AiO2或Si02/Nb205)形成上部分布布拉格反射器37時(shí)，由于層疊多個(gè)相對(duì)高密度的層，因此分布布拉格反射器中產(chǎn)生的應(yīng)力變大。據(jù)此，分布布拉格反射器容易從其下側(cè)的層(例如，分隔層33)剝離。因此，通過(guò)將應(yīng)力緩和層35布置在上部分布布拉格反射器37的下側(cè)，可防止上部分布布拉格反射器37的剝離。另外，在本實(shí)施例中，所述分隔層33可以形成為單層(例如，由氮化硅或氧化硅形成)，也可以被省略。圖4為用于說(shuō)明本發(fā)明的又一實(shí)施例提供的發(fā)光二極管芯片104的剖視圖。參照?qǐng)D4，在前面的圖1至圖3中以水平型發(fā)光二極管芯片101、102、103為例進(jìn)行了說(shuō)明，但所述發(fā)光二極管芯片104為垂直型發(fā)光二極管芯片。所述發(fā)光二極管芯片104包括基板51 ;具備第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層25、活性層27以及第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層29的半導(dǎo)體層疊結(jié)構(gòu)30 ;上部電極41 ;附加電極43以及波長(zhǎng)變換層60。所述波長(zhǎng)變換層60可根據(jù)分隔層而從半導(dǎo)體層疊結(jié)構(gòu)體30隔開(kāi)。例如，所述分隔層可以包括如參照?qǐng)D2說(shuō)明的分隔層33，而且還可以如圖3的說(shuō)明，包括分隔層33、應(yīng)力緩和層35和/或上部分布布拉格反射器37。進(jìn)而，所述發(fā)光二極管芯片104可包括反射金屬層55、屏障金屬層57以及鍵合金屬53?；?1區(qū)別于用于生長(zhǎng)半導(dǎo)體層25、27、29的生長(zhǎng)基板，是粘貼于已經(jīng)生長(zhǎng)的化合物半導(dǎo)體層25、27、29的二次基板。所述基板51可以是導(dǎo)電型基板(例如，金屬基板或半導(dǎo)體基板)但不限于此，也可以是諸如藍(lán)寶石的絕緣基板。半導(dǎo)體層疊結(jié)構(gòu)體30位于基板51之上，包括第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層25、活性層27以及第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層29。在此，所述半導(dǎo)體層疊結(jié)構(gòu)體30與一般的垂直型發(fā)光二級(jí) 管相同，P型化合物半導(dǎo)體層29相比n型化合物半導(dǎo)體層25更加靠近基板51側(cè)。所述半導(dǎo)體層疊結(jié)構(gòu)體30可以位于基板51的一部分區(qū)域之上。即，基板51具有相對(duì)于半導(dǎo)體層疊結(jié)構(gòu)體30更寬的面積，半導(dǎo)體層疊結(jié)構(gòu)體30可位于被所述基板51的邊緣包圍的區(qū)域之內(nèi)。由于所述第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層25、活性層27以及第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層29與參照?qǐng)D1說(shuō)明的半導(dǎo)體層類似，因此省略詳細(xì)的說(shuō)明。另外，通過(guò)使電阻相對(duì)小的n型化合物半導(dǎo)體層25位于基板51的相反側(cè)，可在n型化合物半導(dǎo)體層25的上部面上形成粗糙的表面。所述基板51和半導(dǎo)體層疊結(jié)構(gòu)體30之間可以介入反射金屬層55,屏障金屬層57可以介入于基板51和反射金屬層55之間而包圍反射金屬層55。進(jìn)而,所述基板51可通過(guò)鍵合金屬53鍵合于半導(dǎo)體層疊結(jié)構(gòu)體30上。所述反射金屬層55和所述屏障金屬層57可起到電連接于所述第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層29的下部電極的作用。另外，所述半導(dǎo)體層疊結(jié)構(gòu)體30上部設(shè)置有波長(zhǎng)變換層60。所述波長(zhǎng)變換層60的位置可限定于所述半導(dǎo)體層疊結(jié)構(gòu)體30上部，但并不局限于此，還可以設(shè)置在所述半導(dǎo)體層疊結(jié)構(gòu)體30的側(cè)面，進(jìn)而覆蓋所述基板51的側(cè)面。分隔層33覆蓋半導(dǎo)體層疊結(jié)構(gòu)體30的上部面，并在分隔層33的上面可依次設(shè)置應(yīng)力緩和層35和上部分布布拉格反射器37。所述絕緣層33、應(yīng)力緩和層35以及上部分布布拉格反射器37可以采用與參照?qǐng)D3進(jìn)行說(shuō)明的絕緣層、應(yīng)力緩和層以及上部分布布拉格反射器相同的材料，因此為了避免重復(fù)，省略詳細(xì)的說(shuō)明。而且，所述分隔層33也可以被省略。并且，如圖2的實(shí)施例中說(shuō)明的那樣，所述分隔層33可以是分布布拉格反射器，此時(shí)，應(yīng)力緩和層35和上部分布布拉格反射器37可以被省略。另外，上部電極41位于半導(dǎo)體層疊結(jié)構(gòu)體30，例如第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體25之上而與第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層25電連接，附加電極43位于所述上部電極41之上。所述附加電極43可具有與前面參照?qǐng)D1說(shuō)明的第一附加電極43或第二附加電極44相同的形狀和結(jié)構(gòu)。所述附加電極43通過(guò)所述波長(zhǎng)變換層60暴露于外部。圖5為用于說(shuō)明本發(fā)明又一實(shí)施例提供的發(fā)光二極管芯片105的剖視圖。參照?qǐng)D5，發(fā)光二級(jí)管105與參照?qǐng)D1說(shuō)明的發(fā)光二極管芯片101大致類似，區(qū)別在于波長(zhǎng)變換層50從半導(dǎo)體層疊結(jié)構(gòu)體30隔開(kāi)。S卩，在波長(zhǎng)變換層50和半導(dǎo)體層疊結(jié)構(gòu)體30之間介入有分隔層61。隨著波長(zhǎng)變換層50從半導(dǎo)體層疊結(jié)構(gòu)體30隔開(kāi)，可以防止波長(zhǎng)變換層50的樹(shù)脂或熒光體因在活性層27中生成的光而發(fā)生劣化。分隔層61還可以介入于基板21的側(cè)面和波長(zhǎng)變換層50之間。所述分隔層61可以由透明樹(shù)脂、氧化硅膜、氮化硅膜形成。為了減少向熒光體傳遞的熱量，所述分隔層61的導(dǎo)熱率越低越有利，例如可具有小于3W/mK的導(dǎo)熱率。而且，當(dāng)所述分隔層61由透明樹(shù)脂形成時(shí)，為了調(diào)整透明樹(shù)脂的折射率，可以在透明樹(shù)脂內(nèi)混入Ti02、Si02、Y203等粉末。進(jìn)而，所述分隔層61不僅可以形成為單層，還可以形成為多個(gè)層。通過(guò)調(diào)整構(gòu)成所述分隔層61的多個(gè)層的折射率和厚度，可以將分隔層61形成為使在活性層27產(chǎn)生的光透過(guò)，且反射在波長(zhǎng)變換層50變換而入射到發(fā)光二極管芯片105之內(nèi)的光。例如，可通過(guò)反復(fù)層疊折射率不同的多個(gè)層(例如，打02和SiO2),形成選擇性地使在活性層27生成的光透過(guò)或反射在波長(zhǎng)變換層43變換的光的分布布拉格反射器。進(jìn)而，當(dāng)所述分隔層61包括分布布拉格反射器時(shí)，為了防止所述分布布拉格反射器被剝離，可以在半導(dǎo)體層疊結(jié)構(gòu)體30和所述分布布拉格反射器之間介入如同圖6的發(fā)光二級(jí)管芯片106的例的應(yīng)力緩和層62。圖7為用于說(shuō)明本發(fā)明又一實(shí)施例提供的發(fā)光二級(jí)管芯片107的剖視圖。 參照?qǐng)D7，發(fā)光二極管芯片106與參照?qǐng)D5說(shuō)明的發(fā)光二極管芯片105大致類似，區(qū)別在于進(jìn)一步包括分隔層33、下部分布布拉格反射器45以及金屬層47。而且，透明導(dǎo)電層31介入于所述分隔層33和所述半導(dǎo)體層疊結(jié)構(gòu)體30的第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層29之間。第二電極42可連接于所述透明導(dǎo)電層31。所述分隔層61覆蓋分隔層33，使波長(zhǎng)變換層50更加遠(yuǎn)離半導(dǎo)體層疊結(jié)構(gòu)體30。進(jìn)而，當(dāng)所述分隔層61為分布布拉格反射器時(shí)，為了防止所述分隔層61的剝離，可以在分隔層61和半導(dǎo)體層疊結(jié)構(gòu)體30之間介入如圖6所示的應(yīng)力緩和層62。所述分隔層33、下部分布布拉格反射器45以及金屬層47與參照?qǐng)D2進(jìn)行說(shuō)明的分隔層、下部分布布拉格反射器以及金屬層相同，因此為了避免重復(fù)，省略詳細(xì)的說(shuō)明。進(jìn)而，如參照?qǐng)D3說(shuō)明的那樣，上部分布布拉格反射器37以及應(yīng)力緩和層35可位于半導(dǎo)體層疊結(jié)構(gòu)體30的上部，據(jù)此所述波長(zhǎng)變換層50可進(jìn)一步遠(yuǎn)離半導(dǎo)體層疊結(jié)構(gòu)體30。圖8為用于說(shuō)明本發(fā)明的又一實(shí)施例提供的發(fā)光二級(jí)管芯片108的剖視圖。參照?qǐng)D8，發(fā)光二極管芯片107與參照?qǐng)D5說(shuō)明的發(fā)光二級(jí)管芯片105大致類似，區(qū)別在于在波長(zhǎng)變換層50上增加了透明樹(shù)脂63。即，透明樹(shù)脂63覆蓋波長(zhǎng)變換層50。透明樹(shù)脂63保護(hù)熒光體免受外部濕氣的影響。為了防止吸收濕氣，所述透明樹(shù)脂63優(yōu)選為具有高硬度(例如，邵氏硬度值為60A以上)。所述高硬度透明樹(shù)脂63在分隔層61由透明樹(shù)脂形成時(shí)，可具有相比分隔層61更高的硬度值。進(jìn)而，為了調(diào)整所述高硬度透明樹(shù)脂63的折射率，可以在透明樹(shù)脂63之內(nèi)混入TiO2, SiO2, Y2O3 等粉末。圖9為用于說(shuō)明本發(fā)明又一實(shí)施例提供的發(fā)光二極管芯片109的剖視圖。參照?qǐng)D9，所述發(fā)光二級(jí)管芯片109與參照?qǐng)D8說(shuō)明的發(fā)光二極管芯片108大致類似，區(qū)別在于進(jìn)一步包括分隔層33、下部分布布拉格反射器45、金屬層47。而且，在所述分隔層33和所述半導(dǎo)體層疊結(jié)構(gòu)體30的第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層29之間介入有透明導(dǎo)電層31。第二電極42可連接于所述透明導(dǎo)電層31。所述分隔層61覆蓋分隔層33，使得波長(zhǎng)變換層50進(jìn)一步遠(yuǎn)離半導(dǎo)體層疊結(jié)構(gòu)體30。
所述分隔層33、下部分布布拉格反射器45以及金屬層47與前面參照?qǐng)D2說(shuō)明的分隔層、下部分布布拉格反射器以及金屬層相同，因此為了避免重復(fù)，省略詳細(xì)的說(shuō)明。進(jìn)而，如參照?qǐng)D3說(shuō)明的那樣，上部分布布拉格反射器37和應(yīng)力緩和層35可位于半導(dǎo)體層疊結(jié)構(gòu)體30的上部，據(jù)此所述波長(zhǎng)變換層50可進(jìn)一步遠(yuǎn)離半導(dǎo)體層疊結(jié)構(gòu)體30。圖10為用于說(shuō)明本發(fā)明又一實(shí)施例提供的發(fā)光二極管芯片110的剖視圖。參照?qǐng)D10，所述發(fā)光二極管芯片110與參照?qǐng)D1說(shuō)明的發(fā)光二極管芯片101大致相同，區(qū)別在于第一附加電極43的上表面低于第二附加電極44的上表面。據(jù)此，雖然波長(zhǎng)變換層70的上表面大致平坦，但是在第一附加電極43的附近具有階梯差。具有這種結(jié)構(gòu)的波長(zhǎng)變換層70可利用沿著半導(dǎo)體層疊結(jié)構(gòu)體的表面形狀特制的·模具制作。圖11為用于說(shuō)明本發(fā)明又一實(shí)施例提供的發(fā)光二極管芯片111的剖視圖。參照?qǐng)D11，所述發(fā)光二極管芯片111與參照?qǐng)D10說(shuō)明的發(fā)光二極管芯片110大致類似，區(qū)別在于進(jìn)一步包括分隔層33、下部分布布拉格反射器45以及金屬層47。而且，透明導(dǎo)電層31介入于所述絕緣層33和所述半導(dǎo)體層疊結(jié)構(gòu)體30的第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層29之間。第二電極42可連接于所述透明導(dǎo)電層31。所述分隔層33、下部分布布拉格反射器45以及金屬層47與前面參照?qǐng)D2說(shuō)明的分隔層、下部分布布拉格反射器以及金屬層相同，因此為了避免重復(fù)，省略詳細(xì)的說(shuō)明。進(jìn)而，如參照?qǐng)D3說(shuō)明的那樣，在所述波長(zhǎng)變換層70和半導(dǎo)體層疊結(jié)構(gòu)體30之間可介入應(yīng)力緩和層35和上部分布布拉格反射器37。圖12為用于說(shuō)明本發(fā)明又一實(shí)施例提供的發(fā)光二極管芯片112的剖視圖。參照?qǐng)D12，所述發(fā)光二極管芯片112與參照?qǐng)D10說(shuō)明的發(fā)光二極管芯片110大致類似，區(qū)別在于波長(zhǎng)變換層70從半導(dǎo)體層疊結(jié)構(gòu)體30隔開(kāi)。S卩，如參照?qǐng)D5說(shuō)明的那樣，在波長(zhǎng)變換層70和半導(dǎo)體層疊結(jié)構(gòu)體之間介入有分隔層71。隨著波長(zhǎng)變換層70從半導(dǎo)體層疊結(jié)構(gòu)體隔開(kāi)，可以防止波長(zhǎng)變換層70的樹(shù)脂或熒光體因在活性層27生成的光而發(fā)生劣化。分隔層71還可以介入于基板21的側(cè)面和波長(zhǎng)變換層70之間。而且，當(dāng)所述分隔層71包括分布布拉格反射器時(shí)，如參照?qǐng)D6說(shuō)明的那樣的應(yīng)力緩和層62可以介入于分隔層71和半導(dǎo)體層疊結(jié)構(gòu)體30之間。圖13為用于說(shuō)明本發(fā)明又一實(shí)施例提供的發(fā)光二極管芯片113的剖視圖。參照?qǐng)D13，所述發(fā)光二極管芯片113與參照?qǐng)D12說(shuō)明的發(fā)光二極管芯片112大致類似，區(qū)別在于進(jìn)一步包括分隔層33、下部分布布拉格反射器45以及金屬層47。而且，透明導(dǎo)電層31介入于所述絕緣層33和所述半導(dǎo)體層疊結(jié)構(gòu)體30的第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層29之間。第二電極42可連接于所述透明導(dǎo)電層31。所述分隔層71覆蓋絕緣層33使波長(zhǎng)變換層70進(jìn)一步遠(yuǎn)離半導(dǎo)體層疊結(jié)構(gòu)體30。所述分隔層33、下部分布布拉格反射器45以及金屬層47與前面參照?qǐng)D2說(shuō)明的分隔層、下部分布布拉格反射器以及金屬層相同，因此為了避免重復(fù)，省略詳細(xì)的說(shuō)明。進(jìn)而，如參照?qǐng)D3說(shuō)明的那樣，上部分布布拉格反射器37和應(yīng)力緩和層35可位于半導(dǎo)體層疊結(jié)構(gòu)體30的上部，據(jù)此所述波長(zhǎng)變換層70可進(jìn)一步遠(yuǎn)離半導(dǎo)體層疊結(jié)構(gòu)體30。圖14為用于說(shuō)明本發(fā)明的又一實(shí)施例提供的發(fā)光二級(jí)管芯片114的剖視圖。參照?qǐng)D14，發(fā)光二極管芯片114與參照?qǐng)D12說(shuō)明的發(fā)光二級(jí)管芯片大致類似，區(qū)別在于在波長(zhǎng)變換層70上增加了透明樹(shù)脂73。即，透明樹(shù)脂73覆蓋波長(zhǎng)變換層70。透明樹(shù)脂73保護(hù)熒光體免受外部濕氣的影響。為了防止吸收濕氣，所述透明樹(shù)脂73優(yōu)選為具有高硬度(例如，邵氏硬度值為60A以上)。所述高硬度透明樹(shù)脂73在分隔層71由透明樹(shù)脂形成時(shí)，可具有相比分隔層71更高的硬度值。進(jìn)而，為了調(diào)整所述高硬度透明樹(shù)脂73的折射率，可以在透明樹(shù)脂73之內(nèi)混入TiO2, SiO2, Y2O3 等粉末。圖15為用于說(shuō)明本發(fā)明又一 實(shí)施例提供的發(fā)光二極管芯片115的剖視圖。參照?qǐng)D15，所述發(fā)光二極管芯片115與參照?qǐng)D14說(shuō)明的發(fā)光二極管芯片114大致類似，區(qū)別在于進(jìn)一步包括分隔層33、下部分布布拉格反射器45以及金屬層47。而且，透明導(dǎo)電層31介入于所述分隔層33和所述半導(dǎo)體層疊結(jié)構(gòu)體30的第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層29之間。第二電極42可連接于所述透明導(dǎo)電層31。所述分隔層71覆蓋分隔層33使波長(zhǎng)變換層50進(jìn)一步遠(yuǎn)離半導(dǎo)體層疊結(jié)構(gòu)體30。所述分隔層33、下部分布布拉格反射器45以及金屬層47與前面參照?qǐng)D2說(shuō)明的分隔層、下部分布布拉格反射器以及金屬層相同，因此為了避免重復(fù)，省略詳細(xì)的說(shuō)明。進(jìn)而，如參照?qǐng)D3說(shuō)明的那樣，上部分布布拉格反射器37和應(yīng)力緩和層35可位于半導(dǎo)體層疊結(jié)構(gòu)體30的上部，據(jù)此所述波長(zhǎng)變換層70可進(jìn)一步遠(yuǎn)離半導(dǎo)體層疊結(jié)構(gòu)體30。圖16為用于說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明又一實(shí)施例制造的發(fā)光二極管芯片116的剖視圖。參照?qǐng)D16，發(fā)光二極管芯片116與參照?qǐng)D1說(shuō)明的發(fā)光二極管芯片101大致類似，區(qū)別在于在基板21上設(shè)置有多個(gè)半導(dǎo)體層疊結(jié)構(gòu)體30。多個(gè)半導(dǎo)體層疊結(jié)構(gòu)體可通過(guò)多個(gè)配線83彼此電連接。多個(gè)配線83連接一個(gè)半導(dǎo)體層疊結(jié)構(gòu)體30的第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層25和與此相鄰的半導(dǎo)體層疊結(jié)構(gòu)體30的第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層29，由此可以形成串聯(lián)矩陣，而且多個(gè)這種串聯(lián)矩陣可以并聯(lián)或逆并聯(lián)連接。另外，為了防止半導(dǎo)體層疊結(jié)構(gòu)體的第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層25和第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層29因配線39而形成短路，可以在半導(dǎo)體層疊結(jié)構(gòu)體和配線83之間介入絕緣層81。所述絕緣層81還起到使多個(gè)半導(dǎo)體層疊結(jié)構(gòu)體30和波長(zhǎng)變換層50相互隔開(kāi)的分隔層的功倉(cāng)泛。另外，第一電極41和第二電極42可分別位于互不相同的半導(dǎo)體層疊結(jié)構(gòu)體30之上。而且，在本實(shí)施例中，對(duì)于第一電極41和第二電極42的形成位置并沒(méi)有特別的限定。例如，第一電極41和第二電極42可以都形成于基板21之上，也可以形成于第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層25或第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層29之上。此時(shí)，所述第一電極41和第二電極42可通過(guò)配線83分別連接于互不相同的半導(dǎo)體層疊結(jié)構(gòu)體30之上。在所述第一電極41和第二電極42之上分別布置第一附加電極43和第二附加電極44。波長(zhǎng)變換層50覆蓋所述多個(gè)半導(dǎo)體層疊結(jié)構(gòu)體30。波長(zhǎng)變換層50還覆蓋基板21的側(cè)面。如參照?qǐng)D5說(shuō)明的那樣，波長(zhǎng)變換層50根據(jù)分隔層61而可以從半導(dǎo)體層疊結(jié)構(gòu)體隔開(kāi)。圖17為用于說(shuō)明本發(fā)明又一實(shí)施例提供的發(fā)光二極管芯片117的剖視圖。參照?qǐng)D17，發(fā)光二級(jí)管芯片117與參照?qǐng)D16說(shuō)明的發(fā)光二極管芯片115大致類似，區(qū)別在于進(jìn)一步包括第二絕緣層85、下部分布布拉格反射器45以及金屬層47，為了易于形成配線81，所述半導(dǎo)體層疊結(jié)構(gòu)體30的側(cè)面傾斜地形成。而且，在絕緣層81和各個(gè)半導(dǎo)體層疊結(jié)構(gòu)體30之間設(shè)置有透明導(dǎo)電層31，透明導(dǎo)電層31歐姆接觸于第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層29。配線83將一個(gè)半導(dǎo)體層疊結(jié)構(gòu)體30的第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層25連接于與此相鄰的半導(dǎo)體層疊結(jié)構(gòu)體30的第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層29(或者透明導(dǎo)電層31)上，由此可形成串聯(lián)矩陣，而這種串聯(lián)矩陣可以并聯(lián)或逆并聯(lián)連接。另外，絕緣層81可覆蓋透明導(dǎo)電層31，進(jìn)而可以覆蓋半導(dǎo)體層疊結(jié)構(gòu)體30的側(cè)面。而且，為了保護(hù)半導(dǎo)體層疊結(jié)構(gòu)體30和多個(gè)配線83，第二絕緣層85可以覆蓋半導(dǎo)體層疊結(jié)構(gòu)體30和多個(gè)配線83，且第二絕緣層85覆蓋絕緣層83。所述絕緣層81和第二絕緣層85可以由相同的材質(zhì)的物質(zhì)膜(例如，氧化硅膜或氮化硅膜)形成，且可分別形成為單層。此時(shí)，為了防止所述第二絕緣層85從絕緣層81剝離，所述第二絕緣層85可相對(duì)于絕緣層81更薄。與此不同，所述絕緣層81和/或第二絕緣層85與參照?qǐng)D2說(shuō)明的分隔層33類似，可以由交替層疊折射率不同的絕緣層的分布布拉格反射器形成。如在圖2說(shuō)明的那樣，這種分布布拉格反射器使在活性層27生成的光透過(guò),并反射在波長(zhǎng)變換層50變換的光。優(yōu)選地，所述第二絕緣層85由分布布拉格反射器形成，所述絕緣層81可以由SOG或多孔氧化硅膜等的應(yīng)力緩和層形成。所述波長(zhǎng)變換層50位于第二絕緣層85上部，所述絕緣層81和第二絕緣層85具有分隔層的作用。在此基礎(chǔ)上，如參照?qǐng)D5說(shuō)明的那樣的分隔層61可以介入于多個(gè)半導(dǎo)體層疊結(jié)構(gòu)體30和波長(zhǎng)變換層50之間。而且，如參照?qǐng)D8說(shuō)明的那樣，高硬度透明樹(shù)脂63可以覆蓋波長(zhǎng)變換層50。圖18為用于說(shuō)明本發(fā)明又一實(shí)施例提供的發(fā)光二極管芯片118的剖視圖。參照?qǐng)D18，所述發(fā)光二極管芯片118與參照?qǐng)D17說(shuō)明的發(fā)光二極管芯片118大致相同，區(qū)別在于進(jìn)一步包括應(yīng)力緩和層87和上部分布布拉格反射器89。即，上部分布布拉格反射器89可位于多個(gè)半導(dǎo)體層疊結(jié)構(gòu)體30和波長(zhǎng)變換層50之間，在此基礎(chǔ)上，在上部分布布拉格反射器89和多個(gè)半導(dǎo)體層疊結(jié)構(gòu)體30之間可設(shè)置應(yīng)力緩和層87。所述上部分布布拉格反射器89與參照?qǐng)D3說(shuō)明的上部分布布拉格反射器37類似，可以交替層疊折射率不同的絕緣層而形成。而且，所述應(yīng)力緩和層87與圖3的應(yīng)力緩和層35相同，可以由SOG或多孔氧化硅膜形成。所述上部分布布拉格反射器89和應(yīng)力緩和層87還具有使所述波長(zhǎng)變換層50從半導(dǎo)體層疊結(jié)構(gòu)體30隔開(kāi)的分隔層的作用。本實(shí)施例中，所述絕緣層81和第二絕緣層85可以形成單層，且第二絕緣層85可以被省略。在前面說(shuō)明的實(shí)施例中，熒光體可以是YAG或TAG系列的熒光體、硅酸鹽系列的熒光體、氮化物或氮氧化物系列的熒光體。進(jìn)而，波長(zhǎng)變換層50、60或70可以包括相同種類的熒光體，但并不局限于此，還可以包括兩 種以上的熒光體。而且，雖然以單層的波長(zhǎng)變換層50、60或70進(jìn)行了圖示和說(shuō)明，但可以使用多個(gè)波長(zhǎng)變換層，多個(gè)波長(zhǎng)變換層中可以包括互不相同的熒光體。圖19為用于說(shuō)明本發(fā)明一實(shí)施例提供的搭載發(fā)光二極管芯片101的發(fā)光二級(jí)管封裝件的剖視圖。參照?qǐng)D19，發(fā)光二極管封裝件包括用于搭載發(fā)光二級(jí)管芯片101和用于搭載發(fā)光二級(jí)管芯片101的底座91。而且，所述發(fā)光二極管封裝件還可以包含鍵合引線95和透鏡97。所述底座91例如可以是印刷電路基板、引線框架、陶瓷基板，包括多個(gè)引線端子93a、93b。發(fā)光二級(jí)管芯片101的第一附加電極(圖1的43)和第二附加電極(圖1的44)分別通過(guò)鍵合引線95電連接于多個(gè)引線端子93a、93b。另外，透鏡97覆蓋發(fā)光二極管芯片101。透鏡97調(diào)整發(fā)光二極管芯片101釋放出的光的指向角，使光沿所期望的方向釋放。由于發(fā)光二級(jí)管芯片101上形成有波長(zhǎng)變換層50，因此所述透鏡97無(wú)需包含熒光體。在本實(shí)施例中，對(duì)于搭載了發(fā)光二極管芯片101的發(fā)光二極管封裝件進(jìn)行了說(shuō)明，但所述發(fā)光二極管封裝件上還可以搭載前面參照?qǐng)D2至圖17說(shuō)明的發(fā)光二極管芯片101 至 117。以下，對(duì)于本發(fā)明實(shí)施例提供的發(fā)光二極管芯片的制造方法進(jìn)行詳細(xì)的說(shuō)明。 圖20為用于說(shuō)明本發(fā)明一實(shí)施例提供的發(fā)光二極管芯片101的制造方法的剖視圖。參照?qǐng)D20的(a)，在支撐基板121上排列裸芯片150。多個(gè)裸芯片150可以以相同的間距排列于支撐基板121之上。如圖1所示，多個(gè)裸芯片150包括基板21 ;具備第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層25、活性層27和第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層29的氮化鎵系半導(dǎo)體層疊結(jié)構(gòu)體30 ；第一電極41 ;第二電極42。而且,第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層25和基板21之間可以介入緩沖層23。S卩，所述裸芯片150相當(dāng)于在圖1的發(fā)光二極管芯片101中去除第一附加電極43和第二附加電極44以及波長(zhǎng)變換層50的部分，為了避免重復(fù)，省略對(duì)于裸芯片150的各個(gè)構(gòu)成要素的詳細(xì)的說(shuō)明。支撐基板121支撐多個(gè)裸芯片150，且支撐為使多個(gè)裸芯片維持相同的間距。支撐基板121例如可以是玻璃、陶瓷、藍(lán)寶石、GaN、Si等基板。參照?qǐng)D20的(b)，在所述多個(gè)裸芯片150上分別形成第一附加電極43和第二附加電極44。各個(gè)第一附加電極43和第二附加電極44例如可以利用化學(xué)氣相生長(zhǎng)法、濺射、鍍覆或者焊球等形成。所述各個(gè)第一附加電極43和第二附加電極44可以由Au、Ag、Cu、W、N1、Al等具有導(dǎo)電性的物質(zhì)形成。據(jù)此，如同圖1所示的多個(gè)第一附加電極43和第二電極44可形成于多個(gè)裸芯片150之上。參照?qǐng)D20的(C)，在所述支撐基板121上形成覆蓋所述多個(gè)裸芯片150、多個(gè)第一附加電極43和第二附加電極44的波長(zhǎng)變換層50。波長(zhǎng)變換層50可包含熒光體，且為了控制折射率，可包括Ti02、SiO2, Y2O3等粉末。所述波長(zhǎng)變換層50形成為足夠厚，以覆蓋多個(gè)第一附加電極43和第二附加電極44。波長(zhǎng)變換層50可通過(guò)注射成型、傳遞模塑成型、壓縮成型、印刷等多種涂布方法形成。參照?qǐng)D20的(d)，形成波長(zhǎng)變換層50之后，去除支撐基板121。為了容易地去除支撐基板121，可以在支撐基板121上設(shè)置剝離薄膜(未圖示)。這種剝離薄膜例如可以是根據(jù)熱或紫外線等光被剝離的薄膜。據(jù)此，通過(guò)向這種剝離薄膜施加熱或照射紫外線等的光，從而能夠容易地去除支撐基板121。去除支撐基板121之后，所述多個(gè)裸芯片150根據(jù)波長(zhǎng)變換層50相互被固定，且所述多個(gè)裸芯片150可以粘貼于專門(mén)的支撐體之上。參照?qǐng)D20的(e)，所述波長(zhǎng)變換層50的上部被去除而露出多個(gè)第一附加電極43和第二附加電極44。所述波長(zhǎng)變換層50的上部可以通過(guò)研磨、切割或利用激光的物理方法去除，或者可以使用蝕刻等化學(xué)方法去除。進(jìn)而，波長(zhǎng)變換層50的上部可以被去除成使所述第一附加電極43和第二附加電極44和波長(zhǎng)變換層50的上表面形成相同的面。參照?qǐng)D20的(f)，通過(guò)分離(sawing)填充多個(gè)裸芯片150之間的空間的波長(zhǎng)變換層50，從而完成如圖1所示的單獨(dú)的發(fā)光二極管芯片101。所述波長(zhǎng)變換層50可利用刀片或激光而被分離。所述多個(gè)單獨(dú)的發(fā)光二極管芯片101具有使第一附加電極43和第二附加電極44露出，且覆蓋基板21的側(cè)面和半導(dǎo)體層疊結(jié)構(gòu)體的上表面的波長(zhǎng)變換層50。本實(shí)施例中，以第一附加電極43和第二附加電極44形成于支撐基板121之上為例進(jìn)行了說(shuō)明，但并不局限于此，第一附加電極43和第二附加電極44可以在支撐基板121上排列裸芯片之前形成于裸芯片上。 而且，可以在形成第一附加電極43和第二附加電極44之前，在排列于支撐基板121上的裸芯片150上先形成分隔層(圖5的61)，且也可以在形成分隔層之前形成應(yīng)力緩和層(圖6的62)。接著，可以將所述分隔層圖案化而露出第一電極41和第二電極42，且在第一電極41和第二電極42上分別形成第一附加電極43和第二附加電極44。而且，在本實(shí)施例中，以在去除波長(zhǎng)變換層50的上部之前去除支撐基板121為例進(jìn)行了說(shuō)明，但支撐基板可以在去除波長(zhǎng)變換層50的上部之后，或者利用刀片或激光分離波長(zhǎng)變換層50之后去除。另外，所述裸芯片150可以包括參照?qǐng)D2說(shuō)明的那樣的分隔層33、下部分布布拉格反射器45和金屬層47，且可以包括參照?qǐng)D3說(shuō)明的那樣的上部分布布拉格反射器37和應(yīng)力緩和層35。而且，所述裸芯片150可以包括如圖1的單個(gè)的半導(dǎo)體層疊結(jié)構(gòu)體30，但并不局限于此，如參照?qǐng)D16至圖18說(shuō)明的那樣，裸芯片150可以包括多個(gè)半導(dǎo)體層疊結(jié)構(gòu)體30，且可以包括絕緣層81、第二絕緣層85、應(yīng)力緩和層87和分布布拉格反射器89。據(jù)此，可以制造出圖16至圖18的發(fā)光二極管芯片116至118。在本實(shí)施例中，對(duì)于在裸芯片150上形成波長(zhǎng)變換層50而制造發(fā)光二極管芯片的方法進(jìn)行了說(shuō)明，但本發(fā)明還包括以形成波長(zhǎng)變換層50的方法類似的方法在裸芯片150上形成用于變更光學(xué)特性的多種透明涂層，不局限于在裸芯片150上形成波長(zhǎng)變換層50。這種透明涂層可以包含用于改善光學(xué)特性的多種材料，例如可以包括擴(kuò)散材料。以下，參照?qǐng)D21至圖22說(shuō)明本發(fā)明又一實(shí)施例提供的發(fā)光二級(jí)管。圖21為用于說(shuō)明本發(fā)明又一實(shí)施例提供的發(fā)光二級(jí)管的上部平面圖，圖22為示出沿線C-C'觀看圖21的發(fā)光二級(jí)管的剖面的圖。參照?qǐng)D21和圖22，本實(shí)施例提供的發(fā)光二級(jí)管可包括子底座基板1000、裸芯片200、粘接部件300、形成于所述裸芯片200上部的第一電極210和第二電極220、第一附加電極410和第二附加電極420以及波長(zhǎng)變換層500。在此，所述子底座基板1000用于貼裝和移動(dòng)裸芯片200，區(qū)別于后述的用于生長(zhǎng)裸芯片200的半導(dǎo)體層疊結(jié)構(gòu)體的生長(zhǎng)基板，且可以形成電極或不形成電極，雖然沒(méi)有限定，但可以是印刷電路基板、引線框架或陶瓷基板，且由上面和下面以及連接上面和下面的側(cè)面形成。而且，子底座基板100上沿著放置裸芯片200的區(qū)域的周?chē)尚纬傻谝华M縫1110和第二狹縫1120。在考慮所述裸芯片200將要貼裝于子底座基板1000上的位置和裸芯片200的大小的情況下，第一狹縫1110和第二狹縫1120在貼裝裸芯片200之前預(yù)先形成于子底座基板1000上，且第一狹縫1110和第二狹縫1120與裸芯片200之間的間隔保持一定，通過(guò)形成所述狹縫1110、1120，例如將裸芯片200如后述的那樣以金屬鍵合的方式貼裝時(shí)，根據(jù)所述狹縫1110、1120，熔融的金屬的移動(dòng)被限制，其結(jié)果，裸芯片200不會(huì)形成較大的錯(cuò)誤的排列，能夠布置于正確的位置。而且，第一狹縫1110和第二狹縫1120并不局限于此，例如可以形成為貫通子底座基板1000的開(kāi)口形狀，或根據(jù)實(shí)施例，例如可以采用以蝕刻方式形成的凹陷圖案的形狀。將第一狹縫1110和第二狹縫11 20制造為開(kāi)口形狀時(shí)，如圖22的區(qū)域A中示出的那樣，波長(zhǎng)變換層500貫通第一狹縫1110的開(kāi)口部而不僅形成于子底座基板1000的上表面，還形成于內(nèi)部側(cè)面，從而可根據(jù)所述波長(zhǎng)變換層500固定子底座基板1000和裸芯片200。而且，所述第一狹縫1110和第二狹縫1120的開(kāi)口形狀可以相同或不同，可以采用如圖所示的邊角為圓弧形的類似于矩形的形態(tài)，但并不局限于此，可以采用沿著裸芯片200的側(cè)面延伸的形狀。但是，圖21是將第二狹縫1120形成在與切割線1140(參照?qǐng)D24)重疊的位置的情形，示出了以單獨(dú)芯片為單位進(jìn)行切斷的狀態(tài)下的子底座基板1000，因此第二狹縫1120與第一狹縫1110不同，僅示出了一半的結(jié)構(gòu)。據(jù)此，當(dāng)切割線1140的位置被調(diào)整時(shí)，第二狹縫1120可形成為與第一狹縫1110類似。所述接合部件300起到在所述子底座基板1000的上面粘貼裸芯片200的作用，雖然沒(méi)有進(jìn)行限定，但例如在所述裸芯片200具有水平型結(jié)構(gòu)時(shí)，裸芯片200的半導(dǎo)體層可通過(guò)所述接合部件300，使形成于半導(dǎo)體層上部的生長(zhǎng)基板(未圖示)的下表面和子底座基板1000的上表面粘接。所述接合部件300例如可利用硅膠、金屬漿料、環(huán)氧樹(shù)脂漿料等制作。但是，本發(fā)明并不限定于特定的接合部件的種類，裸芯片200還可以通過(guò)利用如AuSn的金屬的金屬鍵合貼裝于子底座基板1000上。為了簡(jiǎn)略化，所述裸芯片200在圖示中被省略，但可以是具備第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層、活性層以及第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層的氮化鎵系半導(dǎo)體層疊結(jié)構(gòu)體的LED芯片。具體來(lái)講，所述半導(dǎo)體層疊結(jié)構(gòu)體例如可以包括由GaN膜形成的n型層和p型層以及介入于n型層和P型層之間的、由InGaN膜形成的活性層。這種半導(dǎo)體層疊結(jié)構(gòu)體通常在生長(zhǎng)基板(未圖示)生長(zhǎng)，所述生長(zhǎng)基板可以使用藍(lán)寶石(Al2O3)基板、碳化硅(SiC)基板、硅(Si)基板、氧化鉛(ZnO)基板、砷化鎵(GaAs)基板或磷化鎵(GaP)基板等形成。但是，當(dāng)所述裸芯片200為垂直型結(jié)構(gòu)時(shí)，所述生長(zhǎng)基板例如可通過(guò)激光剝離技術(shù)(LLO)與所述半導(dǎo)體層疊結(jié)構(gòu)體分離。本發(fā)明并不局限于水平型結(jié)構(gòu)或垂直型結(jié)構(gòu)等特定裸芯片結(jié)構(gòu)，但以下的說(shuō)明以水平型裸芯片為主，而裸芯片200的結(jié)構(gòu)與通常的氮化鎵系發(fā)光二級(jí)管的結(jié)構(gòu)相同，因此省略詳細(xì)的說(shuō)明。所述第一電極210和第二電極220分別與所述裸芯片200的第一和第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層(未圖示)電連接，且例如可以包括Ti，Cu、N1、Al、Au或Cr，也可以由其中的兩個(gè)以上的物質(zhì)形成。而且，所述第一電極210和第二電極220可形成為約10 200 y m的厚度。但是，在圖22中，示出第一電極210和第二電極220分別形成兩個(gè)，但第一電極210和第二電極220的形成數(shù)量或形成位置并不局限于圖示的特定實(shí)施例的情形。即，根據(jù)裸芯片200的種類，在裸芯片200采用水平型結(jié)構(gòu)的情況下，第一電極210和第二電極220都形成于裸芯片200的上面，在裸芯片200采用垂直型結(jié)構(gòu)的情況下，第一電極210和第二電極220中的某一個(gè)電極可以被省略。而且，第一電極210和第二電極220都形成時(shí)，可以與圖示不同，第一電極210和第二電極可以在裸芯片200的上面相互面對(duì)而分別僅形成一個(gè)。即，隨著裸芯片200本身趨于大面積化，如圖所示，第一電極210和第二電極220可分別形成兩個(gè)，但是在通常的情況下，第一電極210和第二電極220僅形成一個(gè)，且這些第一電極210和第二電極220的位置可根據(jù)水平型結(jié)構(gòu)或垂直型結(jié)構(gòu)而變得不同。但是，以下的說(shuō)明以圖22的結(jié)構(gòu)為主。所述第一附加電極410和第二附加電極420分別在第一電極210和第二電極220上形成約IOOiim以上的厚度，且例如可以利用Au、Cu、Ag、Al等導(dǎo)電性金屬材料形成。而且，還可以通過(guò)利用化學(xué)氣相生長(zhǎng)法、電子束(e-beam)、濺射、鍍覆或焊球等的制造方法形成，根據(jù)實(shí)施例，還可以在涂布感光材料之后，進(jìn)行曝光和顯影而制造，因此本發(fā)明并不受特定的電極形成方法的限制。而且，所述第一附加電極410和第二附加電極420可分別具有相比第一電極210
和第二電極220更窄的寬度。即，第一附加電極410和第二附加電極420分別被限定于第一電極210和第二電極220的上部。而且，第一附加電極410和第二附加電極420可以具有越遠(yuǎn)離與第一電極210和第二電極220的接觸面，寬度就越變窄的形狀。根據(jù)這種形狀，第一附加電極410和第二附加電極420分別可以穩(wěn)定地粘貼在第一電極210和第二電極220上而保持，有利于引線鍵合等后續(xù)工藝。而且，可以將第一附加電極410和第二附加電極420的相對(duì)于底面的高度的比率控制在預(yù)定范圍之內(nèi)，以使第一附加電極410和第二附加電極420能夠穩(wěn)定地保持在第一電極210和第二電極220之上。所述波長(zhǎng)變換層500是在環(huán)氧樹(shù)脂或硅膠內(nèi)包含熒光體而形成，或者僅由熒光體形成，起到將在裸芯片200的活性層(未圖示)生成的光作為激發(fā)源而變換波長(zhǎng)之后射出的作用。在此，對(duì)于所述熒光體的種類沒(méi)有特別的限制，公知的波長(zhǎng)變換用物質(zhì)都可以使用，雖然不進(jìn)行限制，但例如可以是由(Ba、Sr、Ca)2Si04:Eu2'YAG((Y、Gd) 3 (Al.Ga) 5012:Ce3+)系列熒光體、TAG((Tb，Gd)3(Al，Ga)5012:Ce3+)系列熒光體、(Ba、Sr、Ca)3SiO5:Eu2+、(Ba、Sr、Ca) MgSi2O6: Eu2+、Mn2+、(Ba、Sr、Ca) 3MgSi208:Eu2+、Mn2+ 及(Ba、Sr、Ca) MgSiO4: Eu2+、Mn2+ 構(gòu)成的群中選擇的一種以上的熒光體。而且，參照本發(fā)明的一實(shí)施例，波長(zhǎng)變換層500不僅可以在裸芯片200的上部(圖21中以點(diǎn)劃線表示的區(qū)域)，還可以在側(cè)面以均勻的厚度形成。此時(shí)，如后述，可利用模具在除了第一附加電極410和第二附加電極420的上面(全部或局部)區(qū)域的區(qū)域上形成上表面平坦的波長(zhǎng)變換層500，而且通過(guò)將第一附加電極410和第二附加電極420貫穿波長(zhǎng)變換層500而露出到外部，從而在封裝作業(yè)時(shí)，可以容易地進(jìn)行引線鍵合，即便芯片級(jí)上形成波長(zhǎng)變換層500，也無(wú)需為進(jìn)行引線鍵合而露出電極的追加工藝。進(jìn)而，波長(zhǎng)變換層500例如可具有1. 4 2. 0范圍之內(nèi)的折射率，為了調(diào)整折射率，TiO2、SiO2、Y2O3等粉末可以混入到波長(zhǎng)變換層500之內(nèi)。另外，如圖所示，第一附加電極410的上表面可以位于與第二附加電極420的上表面相同的高度。據(jù)此，在裸芯片200為水平型發(fā)光二級(jí)管的情況下，去掉第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層和活性層的一部分而露出第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層時(shí)，與第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體電連接的第一附加電極410可相比與第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層電連接的第二附加電極420更長(zhǎng)。根據(jù)本實(shí)施例，由于波長(zhǎng)變換層500不僅覆蓋裸芯片200的上面，還覆蓋裸芯片200的側(cè)面，因此提供不僅對(duì)于通過(guò)半導(dǎo)體層疊結(jié)構(gòu)體的上面釋放的光，還能夠?qū)τ谕ㄟ^(guò)半導(dǎo)體層疊結(jié)構(gòu)體的側(cè)面釋放的光進(jìn)行波長(zhǎng)變換的發(fā)光二級(jí)管。圖23為示出根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例形成有多個(gè)發(fā)光二級(jí)管的子底座基板的圖，圖24為放大圖23中用圓表示的區(qū)域的圖。根據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施例，可以在一個(gè)子底座基板1000上以矩陣結(jié)構(gòu)貼裝多個(gè)裸芯片200之后，利用模具在這些多個(gè)裸芯片200上面同時(shí)形成波長(zhǎng)變換層500，并對(duì)這些以單獨(dú)的芯片為單位進(jìn)行切割。而且，此時(shí)，當(dāng)?shù)诙M縫1120形成在與切割線1140重疊的位置時(shí)，可更加容易地執(zhí)行這種切割工藝。另外，根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的子底座基板1000上，除了前述的第一狹縫1110和第 二狹縫1120之外，還可以形成有芯片分離用狹縫1130。即，順著切割線1140沿橫向(X方向)切斷子底座基板1000時(shí)，借助在子底座基板1000上以一定的間隔沿豎向(Y方向)形成的芯片分離用狹縫1130，發(fā)光二級(jí)管可以以單獨(dú)的芯片為單位被分離。據(jù)此，根據(jù)本發(fā)明，將多個(gè)裸芯片貼裝于一個(gè)基板上之后，通過(guò)同一工藝在所有裸芯片的上部形成波長(zhǎng)變換層，并以單獨(dú)芯片為單位進(jìn)行切斷，從而能夠同時(shí)制造多個(gè)發(fā)光元件，因此能夠縮短制造時(shí)間，通過(guò)大量生產(chǎn)能夠?qū)崿F(xiàn)制造成本的節(jié)省。以下，參照?qǐng)D25和圖26具體說(shuō)明本發(fā)明一實(shí)施例提供的發(fā)光二級(jí)管及包括此的封裝件的制造方法。圖25為用于說(shuō)明本發(fā)明一實(shí)施例提供的發(fā)光二級(jí)管的制造方法的流程圖，圖26為按照步驟分別示出本發(fā)明一實(shí)施例提供的發(fā)光二級(jí)管的制造工藝的圖。但是，圖25的各個(gè)步驟可以同時(shí)或不同時(shí)執(zhí)行，還可以根據(jù)不同的情況變換順序，特定的步驟還可以被省略。據(jù)此，本發(fā)明并不局限于圖示的順序。首先，如圖26的(a)，準(zhǔn)備子底座基板1000(步驟SI)。如前所述，在子底座基板1000(參照?qǐng)D24)上沿著將要置放裸芯片200的區(qū)域的周?chē)尚纬捎卸鄠€(gè)第一狹縫1110和第二狹縫1120，且預(yù)先形成有芯片分離用狹縫1130，從而在之后的切割工藝中僅沿X方向切斷子底座基板1000也能夠以單獨(dú)芯片為單位分離發(fā)光二級(jí)管。之后，如圖26的(b)，可以在準(zhǔn)備的子底座基板1000上以矩陣形態(tài)貼裝多個(gè)裸芯片200 (步驟S2)。在此，裸芯片200可利用接合部件300被粘貼于子底座基板1000的上面，還可以通過(guò)例如利用AuSn等的金屬鍵合方法被粘貼。而且，在貼裝裸芯片200時(shí)，由于第一狹縫1110和第二狹縫1120，裸芯片200不會(huì)被錯(cuò)誤地排列而可排列于所期望的位置。此時(shí)，裸芯片200的上面可形成有分別電連接于第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層(未圖示)和第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層(未圖不)的第一電極210和第二電極220。之后，如圖26的(C)所示，在所述第一電極210和第二電極220的上部分別形成第一附加電極410和第二附加電極420 (步驟S3)。第一附加電極410和第二附加電極420例如可以利用Au、Cu、Ag、Al等導(dǎo)電性金屬材料形成，且可以通過(guò)利用化學(xué)氣相生長(zhǎng)法、電子束(e-beam)、濺射、鍍覆或焊球等的制造方法形成，根據(jù)實(shí)施例，還可以在涂布感光材料之后，進(jìn)行曝光和顯影而制造。之后，在裸芯片200的上面和側(cè)面形成波長(zhǎng)變換層500 (步驟S4)。根據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施例，如圖26的(d)，利用模具650夾住貼裝有裸芯片200的子底座基板1000，在對(duì)于所述第一附加電極410和第二附加電極420的上面施加壓力的同時(shí),使模具650的一面和附加電極410、420的上面相互貼緊而避免產(chǎn)生空間的狀態(tài)下，向模具內(nèi)部空間600注入熒光體和樹(shù)脂混合物之后，可通過(guò)使所述樹(shù)脂硬化而形成波長(zhǎng)變換層500 (圖26的(e))。此時(shí)，由于模具650向附加電極410、420施加的力，附加電極410、420的形狀變形，據(jù)此即便附加電極410、420的高度形成為稍微不同的情況，也能夠通過(guò)模具使高度變得相同，且模具和附加電極410、420之間也不會(huì)產(chǎn)生縫隙。而且，為了使模具650更加有效地對(duì)附加電極加壓，根據(jù)實(shí)施例，模具框的高度不僅可以調(diào)整為與具備附加電極410、420的裸芯片200的整體高度相同，還可以調(diào)整為低于具備附加電極410、420的裸芯片200的整體高度。而且，在圖26的(e)中，僅以單個(gè)裸芯片200作為基準(zhǔn)示出，但實(shí)際中形成波長(zhǎng)變換層500時(shí)，對(duì)于圖23和圖24中以矩陣排列的多個(gè)裸芯片200整體，可以使用單個(gè)模具在這些多個(gè)裸芯片200的上面同時(shí)形成波長(zhǎng)變換層 500。之后，將形成波長(zhǎng)變換層500的子底座基板1000沿切割線1140切斷，以單獨(dú)芯片 為單位分離多個(gè)發(fā)光二級(jí)管(步驟S5)。此時(shí)，如前所述，在芯片和芯片之間的區(qū)域沿Y軸方向較長(zhǎng)地延伸有芯片分離用狹縫1130的開(kāi)口，因此切斷作業(yè)可以僅沿X軸一個(gè)方向?qū)嵤?，從而能夠?jiǎn)化切割工藝，縮短工藝時(shí)間。之后，如圖27所示，將單獨(dú)的發(fā)光二極管貼裝于封裝用基板1500，然后在第一附加電極410和第二附加電極420上分別電連接鍵合引線800，以能夠向發(fā)光二級(jí)管施加電源，并形成包封所述發(fā)光二級(jí)管的透鏡700，以能夠從外部保護(hù)所述發(fā)光二級(jí)管(步驟S6)。S卩，圖27為用于說(shuō)明本發(fā)明一實(shí)施例提供的搭載發(fā)光二級(jí)管的發(fā)光二級(jí)管封裝件的剖視圖。參照?qǐng)D27，發(fā)光二級(jí)管封裝件可包括粘貼搭載了裸芯片200的子底座基板1000的封裝用基板1500、與形成于所述裸芯片200上的第一附加電極410和第二附加電極420電連接的鍵合引線800、包封所述裸芯片200的透鏡700。所述封裝用基板1500與子底座用基板1000不同，是為了向裸芯片200供應(yīng)電源而配備的基板，雖然沒(méi)有限制，但例如可以是印刷電路基板、引線框架、陶瓷基板等，可包括多個(gè)電源供應(yīng)用引線端子(未圖示)。據(jù)此，裸芯片200的第一附加電極410和第二附加電極420可分別通過(guò)鍵合引線800電連接于所述引線端子。另外，透鏡700形成為將形成有所述波長(zhǎng)變換層500的所述子底座基板1000包封為一體，g卩，形成為覆蓋整個(gè)裸芯片200，從而可以調(diào)整從裸芯片200釋放的光的指向角使光朝所期望的方向釋放。根據(jù)本實(shí)施例，由于裸芯片200上形成有波長(zhǎng)變換層500，因此所述透鏡700無(wú)需包含熒光體，但根據(jù)情況，還可以包含與波長(zhǎng)變換層500所包含的熒光體不同的突光體。據(jù)此，根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例，隨著利用貼裝于子底座基板1000的裸芯片200封裝發(fā)光二級(jí)管，能夠更加自由地進(jìn)行封裝件外觀設(shè)計(jì)，封裝作業(yè)變得簡(jiǎn)單，能夠提高作業(yè)效率。以下，參照?qǐng)D28，對(duì)于本發(fā)明的另一實(shí)施例提供的發(fā)光二級(jí)管進(jìn)行說(shuō)明。與前述實(shí)施例不同，例如，圖22的發(fā)光二級(jí)管是波長(zhǎng)變換層500與裸芯片200的半導(dǎo)體層疊結(jié)構(gòu)體相接的結(jié)構(gòu)，但圖28所示的發(fā)光二級(jí)管中，可以形成為在波長(zhǎng)變換層500和半導(dǎo)體層疊結(jié)構(gòu)體之間介入透明樹(shù)脂550，以使波長(zhǎng)變換層500從半導(dǎo)體層疊結(jié)構(gòu)體隔開(kāi)。如此，隨著波長(zhǎng)變換層500從半導(dǎo)體層疊結(jié)構(gòu)體隔開(kāi)，可以防止波長(zhǎng)變換層500的樹(shù)脂或熒光體因活性層(未圖示)中生成的光而發(fā)生劣化。而且，此時(shí)，所述透明樹(shù)脂550還可以介入于子底座基板1000上形成的第一狹縫1110的內(nèi)側(cè)面和波長(zhǎng)變換層500之間(圖28的區(qū)域B)。在此，為了減少傳遞至熒光體的熱，所述透明樹(shù)脂550的導(dǎo)熱率越低越有利，例如可以小于3W/mK。而且，為了調(diào)整透明樹(shù)脂550的折射率，TiO2, SiO2, Y2O3等粉末可以混入到透明樹(shù)脂內(nèi)?！?br> 或者，雖然沒(méi)有圖示，為了使硬度高于所述透明樹(shù)脂550的高硬度透明樹(shù)脂(未圖示)覆蓋波長(zhǎng)變換層500，在所述波長(zhǎng)變換層500的上部還可以進(jìn)一步形成高硬度透明樹(shù)月旨。此時(shí)，所述高硬度透明樹(shù)脂可以保護(hù)熒光體免受外部濕氣的影響，為了防止吸收濕氣，所述高硬度透明樹(shù)脂優(yōu)選為例如邵氏硬度值達(dá)到60A以上。進(jìn)而，為了調(diào)整所述高硬度透明樹(shù)脂的折射率，TiO2> Si02、Y2O3等粉末可以混入到樹(shù)脂之內(nèi)。以上說(shuō)明的本發(fā)明提供的發(fā)光二極管芯片及其制造方法以及包括其的封裝件及其制造方法并不局限于上面所述的實(shí)施例，可應(yīng)用為包含波長(zhǎng)變換物質(zhì)的具有多種結(jié)構(gòu)的發(fā)光兀件。本發(fā)明可以在不脫離本發(fā)明的主旨的范圍之內(nèi)進(jìn)行修改和變形之后實(shí)施，本發(fā)明的范圍根據(jù)權(quán)利要求書(shū)而界定，而不是根據(jù)上述詳細(xì)的說(shuō)明而界定，從權(quán)利要求書(shū)的意義和范圍以及其等同概念導(dǎo)出的所有的變更或經(jīng)變形的形態(tài)都應(yīng)解釋為包含于本發(fā)明的范圍。
權(quán)利要求
1.一種發(fā)光二極管芯片，包括 基板； 半導(dǎo)體層疊結(jié)構(gòu)體，該半導(dǎo)體層疊結(jié)構(gòu)體為位于所述基板上的氮化鎵系化合物半導(dǎo)體層疊結(jié)構(gòu)，包括第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層、活性層以及第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層； 電極，電連接于所述半導(dǎo)體層疊結(jié)構(gòu)體； 附加電極，形成于所述電極上； 波長(zhǎng)變換層，覆蓋所述半導(dǎo)體層疊結(jié)構(gòu)體的上部， 所述附加電極貫穿所述波長(zhǎng)變換層。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管芯片，其中，還包括介入于所述波長(zhǎng)變換層和所述半導(dǎo)體層疊結(jié)構(gòu)體之間的分隔層。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的發(fā)光二極管芯片，其中，所述分隔層由絕緣層形成。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的發(fā)光二極管芯片，其中，所述分隔層包括分布布拉格反射器。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的發(fā)光二極管芯片，其中，所述分隔層還包括介入于所述分布布拉格反射器和所述半導(dǎo)體層疊結(jié)構(gòu)體之間的應(yīng)力緩和層。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的發(fā)光二極管芯片，其中，所述應(yīng)力緩和層由旋涂式玻璃層或多孔氧化硅膜形成。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管芯片，其中，所述附加電極具有相比所述電極更窄的寬度。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的發(fā)光二極管芯片，其中，所述附加電極離所述電極越遠(yuǎn)，寬度變得越窄。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管芯片，其中，電連接于所述半導(dǎo)體層疊結(jié)構(gòu)體的電極包括 第一電極，電連接于所述第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層； 第二電極，電連接于所述第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層， 所述附加電極包括 第一附加電極，形成于所述第一電極上； 第二附加電極，形成于所述第二電極上。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管芯片，其中，所述附加電極的上部面與所述波長(zhǎng)變換層的上部面一致。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管芯片，其中，電連接于所述半導(dǎo)體層疊結(jié)構(gòu)體的電極電連接于所述第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層。
12.—種發(fā)光二極管芯片,包括 基板； 多個(gè)半導(dǎo)體層疊結(jié)構(gòu)體，位于所述基板上，分別包括第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層、活性層以及第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層； 第一電極，電連接于一個(gè)半導(dǎo)體層疊結(jié)構(gòu)體； 第二電極，電連接于另一半導(dǎo)體層疊結(jié)構(gòu)體； 第一附加電極，形成于所述第一電極上； 第二附加電極，形成于所述第二電極上；波長(zhǎng)變換層，覆蓋所述多個(gè)半導(dǎo)體層疊結(jié)構(gòu)體的上部， 所述第一附加電極和所述第二附加電極貫穿所述波長(zhǎng)變換層。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的發(fā)光二極管芯片，其中，還包括相互電連接所述多個(gè)半導(dǎo)體層疊結(jié)構(gòu)體的配線。
14.根據(jù)權(quán)利要求12所述的發(fā)光二極管芯片，其中，還包括介入于所述波長(zhǎng)變換層和所述多個(gè)半導(dǎo)體層疊結(jié)構(gòu)體之間的分隔層。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的發(fā)光二極管芯片，其中，所述分隔層由絕緣層形成。
16.根據(jù)權(quán)利要求14所述的發(fā)光二極管芯片，其中，所述分隔層進(jìn)一步包括介入于所述波長(zhǎng)變換層和所述多個(gè)半導(dǎo)體層疊結(jié)構(gòu)體之間的分布布拉格反射器。
17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的發(fā)光二極管芯片，其中，還包括介入于所述分布布拉格反射器和所述多個(gè)半導(dǎo)體層疊結(jié)構(gòu)體之間的應(yīng)力緩和層。
18.根據(jù)權(quán)利要求12所述的發(fā)光二極管芯片，其中，所述第一附加電極和第二附加電極具有分別比所述第一電極和第二電極更窄的寬度。
19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的發(fā)光二極管芯片，其中，所述第一附加電極和第二附加電極分別離所述第一電極和第二電極越遠(yuǎn)，寬度變得越窄。
20.根據(jù)權(quán)利要求12所述的發(fā)光二極管芯片，其中，所述第一電極電連接于所述一個(gè)半導(dǎo)體層疊結(jié)構(gòu)體的第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層，所述第二電極電連接于所述另一個(gè)半導(dǎo)體層疊結(jié)構(gòu)體的第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層。
21.一種發(fā)光二級(jí)管封裝件，包括引線端子、發(fā)光二極管芯片以及連接所述引線端子和所述發(fā)光二極管芯片的鍵合引線，其中，所述發(fā)光二極管芯片包括 基板； 半導(dǎo)體層疊結(jié)構(gòu)體，該半導(dǎo)體層疊結(jié)構(gòu)體為位于所述基板的上面的氮化鎵系化合物半導(dǎo)體層疊結(jié)構(gòu)，包括第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層、活性層以及第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層； 電極，電連接于所述半導(dǎo)體層疊結(jié)構(gòu)體； 附加電極，形成于所述電極上； 波長(zhǎng)變換層，覆蓋所述半導(dǎo)體層疊結(jié)構(gòu)體的上部， 所述附加電極貫穿所述波長(zhǎng)變換層， 所述鍵合弓I線連接所述附加電極和所述弓I線端子。
22.—種發(fā)光二極管芯片制造方法,包括 在支撐基板上排列多個(gè)裸芯片，各個(gè)所述裸芯片包括基板；半導(dǎo)體層疊結(jié)構(gòu)體，該半導(dǎo)體層疊結(jié)構(gòu)體為位于所述基板上的氮化鎵系化合物半導(dǎo)體層疊結(jié)構(gòu)，包括第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層、活性層以及第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層；電極，電連接于所述半導(dǎo)體層疊結(jié)構(gòu)體；在各個(gè)所述裸芯片的電極上形成附加電極； 在所述支撐基板上形成覆蓋所述多個(gè)裸芯片和所述附加電極的透明涂層； 去除所述透明涂層的上部，露出所述附加電極； 去除所述支撐基板； 分離所述透明涂層，以分離為單獨(dú)的發(fā)光二極管芯片。
23.根據(jù)權(quán)利要求22所述的發(fā)光二極管芯片制造方法，其中，所述透明涂層包括熒光體或擴(kuò)散材料。
24.根據(jù)權(quán)利要求22所述的發(fā)光二極管芯片制造方法，其中，電連接于所述半導(dǎo)體層疊結(jié)構(gòu)體的電極包括電連接于所述第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層的第一電極和電連接于所述第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層的第二電極， 形成所述附加電極的步驟包括在所述第一電極上形成第一附加電極，在第二電極上形成第二附加電極， 所述第一附加電極和第二附加電極的上部面位于相同高度。
25.根據(jù)權(quán)利要求22所述的發(fā)光二極管芯片制造方法，其中，形成所述附加電極的步驟在將所述裸芯片排列于支撐基板上之前預(yù)先執(zhí)行。
26.根據(jù)權(quán)利要求22所述的發(fā)光二極管芯片制造方法，其中，形成所述附加電極的步驟在將所述裸芯片排列于支撐基板之后執(zhí)行。
27.根據(jù)權(quán)利要求22所述的發(fā)光二極管芯片制造方法，其中，還包括在形成所述透明涂層之前形成覆蓋所述半導(dǎo)體層疊結(jié)構(gòu)體的分隔層。
28.根據(jù)權(quán)利要求27所述的發(fā)光二極管芯片制造方法，其中，所述分隔層由單個(gè)絕緣層或多個(gè)絕緣層形成。
29.根據(jù)權(quán)利要求27所述的發(fā)光二極管芯片制造方法，其中，所述分隔層包括分布布拉格反射器。
30.根據(jù)權(quán)利要求29所述的發(fā)光二極管芯片制造方法，其中，所述分隔層進(jìn)一步包括應(yīng)力緩和層，所述分布布拉格反射器形成于所述應(yīng)力緩和層之上。
31.根據(jù)權(quán)利要求22所述的發(fā)光二極管芯片制造方法，其中，所述附加電極具有相比所述電極更窄的寬度。
32.根據(jù)權(quán)利要求31所述的發(fā)光二極管芯片制造方法，其中，所述附加電極離所述電極越遠(yuǎn)，寬度變得越窄。
33.根據(jù)權(quán)利要求22所述的發(fā)光二極管芯片制造方法，其中，去除所述支撐基板的步驟在分離所述透明涂層之前執(zhí)行。
34.根據(jù)權(quán)利要求22所述的發(fā)光二極管芯片制造方法，其中，所述裸芯片進(jìn)一步包括覆蓋所述半導(dǎo)體層疊結(jié)構(gòu)體的分隔層。
35.根據(jù)權(quán)利要求34所述的發(fā)光二極管芯片制造方法，其中，所述分隔層進(jìn)一步包括分布布拉格反射器。
36.根據(jù)權(quán)利要求35所述的發(fā)光二極管芯片制造方法，其中，所述分隔層進(jìn)一步包括介入于所述分布布拉格反射器和所述半導(dǎo)體層疊結(jié)構(gòu)體之間的應(yīng)力緩和層。
37.根據(jù)權(quán)利要求22所述的發(fā)光二極管芯片制造方法，其中，所述裸芯片包括位于所述基板上的多個(gè)半導(dǎo)體層疊結(jié)構(gòu)體。
38.根據(jù)權(quán)利要求37所述的發(fā)光二極管芯片制造方法，其中，所述裸芯片還包括位于所述多個(gè)半導(dǎo)體層疊結(jié)構(gòu)體上的分隔層。
39.一種發(fā)光二級(jí)管封裝件，包括 子底座基板； 具備第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層、活性層以及第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層，且具備電連接于所述第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層的第一電極和電連接于所述第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層的第二電極，在上面設(shè)置所述第一電極和第二電極中的至少一個(gè)的、貼裝于所述子底座基板上的裸芯片；露出形成于所述裸芯片上面的所述第一電極和第二電極中的至少一個(gè)，且將所述裸芯片的上面和側(cè)面覆蓋為一體，并至少覆蓋所述子底座基板的上面的一部分的波長(zhǎng)變換層。
40.根據(jù)權(quán)利要求39所述的發(fā)光二級(jí)管封裝件，其中，所述子底座基板包括沿著所述裸芯片的側(cè)面形成的多個(gè)狹縫。
41.根據(jù)權(quán)利要求40所述的發(fā)光二級(jí)管封裝件，其中，所述多個(gè)狹縫每一個(gè)具有開(kāi)口形狀。
42.根據(jù)權(quán)利要求41所述的發(fā)光二級(jí)管封裝件，其中，所述波長(zhǎng)變換層通過(guò)所述多個(gè)狹縫中的至少一部分覆蓋所述子底座基板的內(nèi)部側(cè)面。
43.根據(jù)權(quán)利要求39所述的發(fā)光二級(jí)管封裝件，其中，所述子底座基板和所述裸芯片進(jìn)行金屬鍵合。
44.根據(jù)權(quán)利要求39所述的發(fā)光二級(jí)管封裝件，其中，還包括 形成有電源供應(yīng)用引線的基板； 電連接所述電源供應(yīng)用弓I線與所述第一電極和所述第二電極的鍵合弓I線； 包封所述裸芯片的透鏡。
45.一種發(fā)光二級(jí)管封裝件的制造方法，包括如下步驟 準(zhǔn)備子底座基板； 將分別包括第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層、活性層以及第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層的多個(gè)裸芯片貼裝于所述子底座基板上； 形成電連接于所述第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層的第一電極，并形成電連接于所述第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層的第二電極； 形成露出形成于所述裸芯片的上面的所述第一電極和第二電極中的至少一個(gè)，將所述裸芯片的上面和側(cè)面覆蓋為一體，且至少覆蓋所述子底座基板的上面的一部分的波長(zhǎng)變換層。
46.根據(jù)權(quán)利要求45所述的發(fā)光二級(jí)管封裝件的制造方法，其中，形成所述第一電極和第二電極的步驟包括步驟將所述第一電極和第二電極中的至少一個(gè)形成于所述裸芯片的上面。
47.根據(jù)權(quán)利要求45所述的發(fā)光二級(jí)管封裝件的制造方法，其中，所述發(fā)光二級(jí)管封裝件的制造方法進(jìn)一步包括步驟利用模具對(duì)所述第一電極和第二電極加壓，以避免所述模具與所述第一電極和第二電極之間產(chǎn)生縫隙。
48.根據(jù)權(quán)利要求47所述的發(fā)光二級(jí)管封裝件的制造方法，其中，形成所述波長(zhǎng)變換層的步驟包括步驟在所述模具的內(nèi)部空間注入含有熒光體的樹(shù)脂而進(jìn)行固化。
49.根據(jù)權(quán)利要求45所述的發(fā)光二級(jí)管封裝件的制造方法，其中，準(zhǔn)備所述子底座基板的步驟包括步驟沿著貼裝所述裸芯片的區(qū)域形成多個(gè)狹縫。
50.根據(jù)權(quán)利要求49所述的發(fā)光二級(jí)管封裝件的制造方法，其中，所述多個(gè)狹縫分別形成開(kāi)口形狀。
51.根據(jù)權(quán)利要求50所述的發(fā)光二級(jí)管封裝件的制造方法，其中，形成所述波長(zhǎng)變換層的步驟包括步驟將所述波長(zhǎng)變換層形成為通過(guò)所述多個(gè)狹縫中的一部分狹縫覆蓋所述子底座基板的內(nèi)部側(cè)面。
52.根據(jù)權(quán)利要求45所述的發(fā)光二級(jí)管封裝件的制造方法，其中，所述發(fā)光二極管封裝件的制造方法包括還包括步驟在所述波長(zhǎng)變換層和所述裸芯片之間形成透明樹(shù)脂層。
53.根據(jù)權(quán)利要求45所述的發(fā)光二級(jí)管封裝件的制造方法，其中，所述發(fā)光二級(jí)管封裝件的制造方法還包括步驟將所述子底座基板以單獨(dú)的發(fā)光二級(jí)管芯片為單位進(jìn)行切割。
54.根據(jù)權(quán)利要求53所述的發(fā)光二級(jí)管封裝件的制造方法，其中，所述發(fā)光二級(jí)管封裝件的制造方法還包括步驟 在具有引線的基板上貼裝被切割的所述單獨(dú)的裸芯片； 將所述第一電極和第二電極分別與鍵合引線電連接； 形成包封所述單獨(dú)的發(fā)光二極管芯片的透鏡。
全文摘要
公開(kāi)具有波長(zhǎng)變換層的發(fā)光二極管芯片、制造此的方法以及具備此的封裝件。根據(jù)一形態(tài)，所述發(fā)光二極管芯片，包括基板；半導(dǎo)體層疊結(jié)構(gòu)體，該半導(dǎo)體層疊結(jié)構(gòu)體為位于所述基板上面的氮化鎵系化合物半導(dǎo)體層疊結(jié)構(gòu)，包括第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層、活性層以及第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層；電極，電連接于所述半導(dǎo)體層疊結(jié)構(gòu)體；附加電極，形成于所述電極上；波長(zhǎng)變換層，覆蓋所述半導(dǎo)體層疊結(jié)構(gòu)體的上部。進(jìn)而，所述附加電極貫穿所述波長(zhǎng)變換層。據(jù)此，可提供能夠執(zhí)行變換光的波長(zhǎng)，且可容易地鍵合引線的發(fā)光二極管芯片。
文檔編號(hào)H01L33/50GK103003966SQ201080068136
公開(kāi)日2013年3月27日 申請(qǐng)日期2010年12月3日 優(yōu)先權(quán)日2010年5月18日
發(fā)明者鄭井和, 金枋顯 申請(qǐng)人:首爾半導(dǎo)體株式會(huì)社