專利名稱：屏蔽電纜的制作方法
技術領域：
本發(fā)明整體涉及包括一個或多個EMI吸收層的電纜。
背景技術：
用于傳輸電信號的電纜是眾所周知的。一種通用型的電纜是同軸電纜。同軸電纜通常包括由絕緣體圍繞的電導線。導線和絕緣體由屏蔽件所圍繞，并且導線、絕緣體和屏蔽件被護套圍繞。另一種通用型的電纜是包括一個或多個例如由金屬箔形成的屏蔽層圍繞的絕緣信號導體的屏蔽電纜。

發(fā)明內(nèi)容
一般來講，本發(fā)明涉及屏蔽電纜。在一個實施例中，屏蔽電纜包括多個導體組，該多個導體組沿著電纜的長度延伸并且沿著電纜的寬度彼此間隔開。每一個導體組包括一個或多個絕緣導體；以及設置在電纜的相對的第一和第二側上的第一和第二屏蔽膜。第一膜和第二膜包括覆蓋部分和壓緊部分，這些部分經(jīng)布置使得在橫截面中，該第一膜和該第二膜的覆蓋部分結合起來基本上圍繞每一個導體組，并且該第一膜和該第二膜的壓緊部分結合起來在每一個導體組的每一側上形成電纜的壓緊部分。每個導體組還包括設置在電纜第一側上的第一 EMI吸收層；以及在電纜的壓緊部分中將第一屏蔽膜粘合到第二屏蔽膜上的第一粘合劑層。該多個導體組包括第一導體組，該第一導體組包括相鄰的第一絕緣導體和第二絕緣導體，并具有第一屏蔽膜和第二屏蔽膜的對應第一覆蓋部分以及在第一導體組的一側上形成電纜的第一壓緊區(qū)域的第一屏蔽膜和第二屏蔽膜的對應第一壓緊部分；該第一屏蔽膜和第二屏蔽膜的第一覆蓋部分之間的最大間距為D。第一屏蔽膜和第二屏蔽膜的第一壓緊部分之間的最小間距為屯。d/D小于0.25。在第一絕緣導體和第二絕緣導體之間的區(qū)域中，第一屏蔽膜和第二屏蔽膜的第一覆蓋部分之間的最小間距為d2。d2/D大于0.33。在一些情況下,d/D小于0.1。在一些情況下，第一 EMI吸收層設置在第一屏蔽膜與多個導體組之間。在一些情況下，第一屏蔽膜設置在第一 EMI吸收層與多個導體組之間。在一些情況下，電纜還包括設置在電纜的第二側上的第二 EMI吸收層。在另一個實施例中，屏蔽電纜包括多個導體組，該多個導體組沿著電纜的長度延伸并沿著電纜的寬度彼此間隔開。每一個導體組包括一個或多個絕緣導體；以及設置在電纜的相對的第一側和第二側上的第一屏蔽膜和第二屏蔽膜。第一膜和第二膜包括覆蓋部分和壓緊部分，這些部分經(jīng)布置使得在橫截面中，該第一膜和該第二膜的覆蓋部分結合起來基本上圍繞每一個導體組，并且該第一膜和該第二膜的壓緊部分結合起來在每一個導體組的每一側上形成電纜的壓緊部分。每個導體組還包括設置在電纜第一側上的第一 EMI吸收層；以及在電纜的壓緊部分中將第一屏蔽膜粘合到第二屏蔽膜上的第一粘合劑層。多個導體組包括第一導體組，該第一導體組包括相鄰的第一絕緣導體和第二絕緣導體，并具有第一屏蔽膜和第二屏蔽膜的對應第一覆蓋部分以及在第一導體組的一側上形成第一壓緊電纜部分的第一屏蔽膜和第二屏蔽膜的對應第一壓緊部分。該第一屏蔽膜和第二屏蔽膜的第一覆蓋部分之間的最大間距為D。第一屏蔽膜和第二屏蔽膜的第一壓緊部分之間的最小間距為屯。(V!)小于0.25。第一絕緣導體相對于第二絕緣導體的高頻電隔離基本上小于第一導體組相對于相鄰的導體組的高頻電隔離。在一些情況下,Cl1/!)小于0.1。在一些情況下，第一絕緣導體相對于第二導體的高頻隔離為在3至15GHz的指定頻率范圍和I米的長度下的第一遠端串擾Cl，第一導體組相對于相鄰的導體組的高頻隔離為指定頻率下的第二遠端串擾C2，并且C2比Cl低至少10dB。在一些情況下，第一屏蔽膜和第二屏蔽膜的覆蓋部分組合起來通過包圍每一個導體組的周邊的至少70%而基本上圍繞每一個導體組。 在另一個實施例中，屏蔽電纜包括多個導體組，該多個導體組沿著電纜的長度延伸并沿著電纜的寬度彼此間隔開。每一個導體組包括一個或多個絕緣導體；以及第一屏蔽膜和第二屏蔽膜，該第一屏蔽膜和第二屏蔽膜包括同心部分、壓緊部分和過渡部分，該同心部分、該壓緊部分和該過渡部分被布置為使得在橫截面中，同心部分與每一個導體組的一個或多個末端導體基本上同心，第一屏蔽膜和第二屏蔽膜的壓緊部分組合起來在導體組的兩側上形成電纜的壓緊部分，并且過渡部分提供同心部分與壓緊部分之間的逐漸過渡。每一個導體組還包括設置在該多個導體組上的第一 EMI吸收層。每一個屏蔽膜包括導電層。過渡部分中的第一過渡部分靠近該一個或多個末端導體中的第一末端導體，并具有橫截面積A1，該面積被定義為第一屏蔽膜和第二屏蔽膜的導電層、同心部分與靠近第一末端導體的壓緊部分中的第一壓緊部分之間的區(qū)域。A1小于第一末端導體的橫截面積。每一個屏蔽膜的橫截面可以用沿著電纜寬度變化的曲率半徑來表征。在電纜的整個寬度上每一個屏蔽膜的曲率半徑為至少100微米。在一些情況下，橫截面積A1包括第一壓緊部分的邊界作為一條邊界。該邊界由沿著第一壓緊部分的位置限定，在該位置處，第一屏蔽膜和第二屏蔽膜之間的間距d為在第一壓緊部分處第一屏蔽膜與第二屏蔽膜之間的最小間距Cl1的約1.2至約1.5倍。在一些情況下,橫截面積A1包括具有在第一屏蔽膜的拐點處的第一端點的線段作為一條邊界。在一些情況下，該線段具有在第二屏蔽膜的拐點處的第二端點。在另一個實施例中，屏蔽電纜包括多個導體組，該多個導體組沿著電纜的長度延伸并沿著電纜的寬度彼此間隔開。每一個導體組包括一個或多個絕緣導體；以及第一屏蔽膜和第二屏蔽膜，該第一屏蔽膜和第二屏蔽膜包括同心部分、壓緊部分和過渡部分，該同心部分、該壓緊部分和該過渡部分被布置為使得在橫截面中，同心部分與每一個導體組的一個或多個末端導體基本上同心，第一屏蔽膜和第二屏蔽膜的壓緊部分組合起來在導體組的兩側上形成電纜的壓緊區(qū)域，并且過渡部分提供同心部分與壓緊部分之間的逐漸過渡。每一個導體組還包括設置在該多個導體組上的第一 EMI吸收層。兩個屏蔽膜中的一者包括同心部分中的第一同心部分、壓緊部分中的第一壓緊部分，以及過渡部分中的第一過渡部分。第一過渡部分將第一同心部分連接至第一壓緊部分。第一同心部分具有曲率半徑R1，過渡部分具有曲率半徑A。札/^在〗至15范圍內(nèi)。


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結合附圖考慮對本發(fā)明的各種實施例所做的以下詳細描述將有利于更完整地理解和體會本發(fā)明，其中:圖1為屏蔽電纜的示例性實施例的透視圖；圖2a_2g為屏蔽電纜的七個示例性實施例的正面剖視圖；圖3a_3d為屏蔽電纜的四個其他示例性實施例的正面剖視圖；圖4a_4c為屏蔽電纜的三個其他示例性實施例的正面剖視圖；圖5a_5e和圖5f_5g分別為示出制備屏蔽電纜的示例性方法的透視圖和正面剖視圖；圖6a_6c為示出制備屏蔽電纜的示例性方法的細節(jié)的正面剖視圖；圖7a_7b分別為根據(jù)本發(fā)明的方面的屏蔽電纜的另一個示例性實施例的正面剖視圖和對應的細部圖；圖8a_8b為根據(jù)本發(fā)明的方面的屏蔽電纜的兩個其他示例性實施例的正面剖視圖；圖9a_9b為屏蔽電纜的兩個其他示例性實施例的正面剖視圖」圖1Oa-1Oc為屏蔽電纜的三個其他示例性實施例的正面剖視圖；圖1la-1lg為示出屏蔽電纜的平行部分的七個示例性實施例的正面剖視細部圖；圖12a_12b為屏蔽電纜的平行部分的另一個示例性實施例的正面剖視細部圖；圖13為成彎曲構型的屏蔽電纜的另一個示例性實施例的正面剖視細部圖；圖14為屏蔽電纜的另一個示例性實施例的正面剖視細部圖；圖15a_15f為示出屏蔽電纜的平行部分的六個其他示例性實施例的正面剖視細部圖；圖16a_16b為屏蔽電纜的兩個其他示例性實施例的正面剖視圖；圖17為屏蔽電纜的另一個示例性實施例的正面剖視圖；圖18為屏蔽電纜的另一個示例性實施例的正面剖視圖；圖19為屏蔽電纜的另一個示例性實施例的正面剖視圖；圖20a_20d為屏蔽電纜的四個其他示例性實施例的正面剖視圖；圖21為屏蔽電纜的另一個示例性實施例的正面剖視圖；圖22a_22d為屏蔽電纜的四個其他示例性實施例的正面剖視圖；圖23a_23d為屏蔽電纜的四個其他示例性實施例的正面剖視圖24a為示例性電纜構造的透視圖；和圖24b為圖24a的示例性電纜構造的剖視圖。在說明書中，多個附圖中使用的相同附圖標記是指具有相同或類似特性和功能的相同或類似元件。
具體實施例方式本發(fā)明整體涉及包括多個間隔開的導體組和一個或多個EMI吸收層的電纜，該EMI吸收層通過主要吸收電磁場來防止或降低相鄰導體組之間的串擾。圖1為屏蔽電纜2的示意性三維視圖，它包括多個導體組4，它們沿著電纜2的沿著I軸的寬度w的全部或一部分彼此間隔開并沿著電纜2的沿著X軸的長度L延伸。電纜2可以大致布置成如圖1中所示的平面構型，或者可以在沿著其長度和/或寬度的一個或多個位置處折疊為折疊構型。在一些情況下，電纜2的一些部分可以布置成平面構型，而電纜的其他部分可以折疊。在一些情況下，電纜2的導體組4中的至少一個包括兩個沿著電纜
2的長度L延伸的絕緣導體6,其中每個絕緣導體包括被絕緣體6b包圍的導體6a。導體組4的兩個絕緣導體6可被布置成沿著電纜2的長度L的全部或一部分基本上平行。絕緣導體6可以包括絕緣的信號線、絕緣的電源線或絕緣的地線。兩個屏蔽膜8設置在電纜2的相對的第一側和第二側。第一屏蔽膜和第二屏蔽膜8被布置為使得在橫截面內(nèi)，電纜2包括覆蓋區(qū)域14和壓緊區(qū)域18。在電纜2的覆蓋區(qū)域14中，第一屏蔽膜和第二屏蔽膜8的覆蓋部分7在橫截面內(nèi)基本上圍繞每一個導體組4。例如，屏蔽膜的覆蓋部分可以共同包圍任何給定導體組的周邊的至少75%、或至少80%、或至少85%或至少90%。第一屏蔽膜和第二屏蔽膜的壓緊部分9在每一個導體組4的每一側上形成電纜2的壓緊區(qū)域18。在電纜2的壓緊區(qū)域18中，屏蔽膜8中的一個或兩個為撓曲的，從而促使屏蔽膜8的壓緊部分9更接近。在一些情況下，如圖1所示，屏蔽膜8中的兩者在壓緊區(qū)域18中均是撓曲的，使得壓緊部分9更靠近。在一些情況下，屏蔽膜中的一者在電纜為平面或未折疊構型時可在壓緊區(qū)域18中保持相對平坦，且電纜相對側上的其他屏蔽膜可以是撓曲的使屏蔽膜的壓緊部分更靠近。導體和/或地線可包含任何合適的導電材料并可具有多種橫截面形狀和尺寸。例如，在橫截面中，導體和/或地線可為圓形、橢圓形、矩形或任何其他形狀。電纜中的一個或多個導體和/或地線可具有與電纜中的其他一個或多個導體和/或地線不同的一種形狀和/或尺寸。導體和/或地線可為實心線或絞合線。電纜中的全部導體和/或地線可為絞合線，全部可為實心線，或一些可為絞合線且一些為實心線。絞合的導體和/或地線可呈現(xiàn)不同的尺寸和/或形狀?？梢栽谶B接器和/或地線上涂布或電鍍多種金屬和/或金屬材料(包括金、銀、錫和/或其他材料)。用于使導體組的導體絕緣的材料可為獲得電纜所需的電氣性能的任何合適的材料。在一些情況下，所使用的絕緣材料可為發(fā)泡絕緣材料(其包括空氣)以減小電纜的介電常數(shù)和總厚度。屏蔽膜中的一者或兩者可以包括導電層和非導電聚合物層。導電層可以含有任何合適的導電材料，包括但不限于銅、銀、鋁、金及其合金。屏蔽膜可以具有在0.01_至0.05mm范圍內(nèi)的厚度,并且電纜的總厚度可以為小于2mm或小于1mm。電纜2也可以包括設置在至少壓緊部分9之間的屏蔽膜8之間的粘合劑層10。粘合劑層10使屏蔽膜8的壓緊部分9在電纜2的壓緊區(qū)域18中彼此粘合。粘合劑層10可以存在或不存在于電纜2的覆蓋區(qū)域14中。在一些情況下，導體組4的橫截面(yz平面)具有基本上曲線形的包層或周邊，并且屏蔽膜8設置在導體組4周圍，從而沿著至少一部分并且優(yōu)選地沿著基本上全部的電纜2的長度L基本上適形于并保持橫截面形狀。通過保持該橫截面形狀，可以保持導體組4中的設計中所預期的導體組4的電特性。其優(yōu)于一些傳統(tǒng)屏蔽電纜的優(yōu)點在于:圍繞導體組設置導電屏蔽件改變了導體組的橫截面形狀。雖然在圖1所示實施例中，每一個導體組4具有兩個絕緣導體6，但在其他實施例中，導體組的一些或全部可以僅包括一個絕緣導體，或者可以包括超過兩個絕緣導體6。例如，設計上與圖1類似的可供選擇的屏蔽電纜可以包括具有八個絕緣導體6的一個導體組，或各自僅具有一個絕緣導體6的八個導體組。導體組和絕緣導體布置的這種靈活性使得本發(fā)明所公開的屏蔽電纜可以采用適用于眾多預期應用的方式而構造。例如，導體組和絕緣導體可被構造用于形成:多雙軸電纜，即，多個導體組各自具有兩個絕緣導體；多同軸電纜，即，多個導體組各自只具有一個絕緣導體；或它們的組合。在一些實施例中，導體組還可以包括圍繞一個或多個絕緣導體設置的導電屏蔽件(未示出)和圍繞導電屏蔽件設置的絕緣護套(未示出)。在圖1所示的實施例中，屏蔽電纜2還包括任選的接地導體12。接地導體12可以包括地線或排擾線。接地導體12可與絕緣導體6間隔開并且在與絕緣導體6基本上相同的方向上延伸。屏蔽膜8可圍繞接地導體12設置。在接地導體12兩側上的壓緊部分9中，粘合劑層10可以使屏蔽膜8彼此粘結。接地導體12可以電接觸屏蔽膜8中的至少一個。屏蔽電纜2還任選地包括設置在電纜2兩側的EMI吸收層15。EMI吸收層15主要通過吸收電磁場使電磁場衰減。屏蔽膜8通過反射電磁場使電磁場衰減。通常，電纜2可以沒有或具有一個或多個屏蔽膜8和/或沒有或具有一個或多個EMI吸收層15。在一些情況下，屏蔽膜8和EMI吸收層15結合起來(但不是單獨地)將相鄰導體組4之間的串擾降至合格和預定的水平。在此類情況下，屏蔽膜8和EMI吸收層15中的每一個將串擾降至大于預定和所需水平的水平，但它們結合起來將串擾降至等于或小于預定和所需水平的水平。EMI吸收層15可以包括能夠主要通過吸收使電磁場衰減的任何類型的材料。例如，在一些情況下，EMI吸收材料可以是在所需頻率范圍內(nèi)具有大于1、或大于2、或大于3的磁導率的電介質(zhì)材料，并且其表現(xiàn)出不可忽略的磁損耗角正切。EMI吸收材料的例子包括EMI吸收劑AB-2000系列或EMI吸收劑AB-5000系列，兩者均可從明尼蘇達州圣保羅3M公司(3M Company, St.Paul, Minn)商購獲得。EMI吸收劑AB-2000系列包括薄的柔性背襯和丙烯酸類壓敏粘合劑,薄的柔性背襯由硅膠和磁性材料制成。EMI吸收劑AB-5000系列包括聚合物樹脂中的柔性的軟金屬薄片填料以及丙烯酸類樹脂粘合劑體系和可移除的離型紙。EMI吸收材料的例子包括鐵磁體材料，如鐵酸鹽材料。鐵酸鹽材料可以由包括Fe2O3和/或Fe3O4以及其他金屬氧化物的非導電鐵、氧化物化合物形成。在一些情況下，EMI吸收材料可被形成為包括鐵磁體粉末的聚合物樹脂。在一些情況下，可以選擇EMI吸收材料的組成和結構來吸收通常與由導體組產(chǎn)生的電磁場相關的一個或多個頻率的電磁波。在一些情況下，復合的EMI吸收材料可以吸收一個頻率范圍內(nèi)的電磁波。
圖2a_2g的剖視圖可以表示各種屏蔽電纜、或電纜的部分。在圖2a中，屏蔽電纜102a包括單個導體組104。導體組104沿著X軸或方向沿著電纜的長度延伸，并只具有單個絕緣導體106。如果需要，可以將電纜102a制成包括沿著y軸沿著電纜102a的整個寬度彼此間隔開并沿著電纜的長度延伸的多個導體組104。兩個屏蔽膜108設置在電纜的相對側上。此外，兩個EMI吸收層115設置在電纜的相對的第一側和第二側上的屏蔽膜上。此夕卜，兩個EMI吸收層115設置在電纜的相對側上的屏蔽膜上。電纜102a包括覆蓋區(qū)域114和壓緊區(qū)域118。在電纜102a的覆蓋區(qū)域114中，屏蔽膜108包括覆蓋導體組104的覆蓋部分107。在yz平面中的橫截面中，覆蓋部分107結合起來基本上圍繞導體組104。在電纜102a的壓緊區(qū)域118中，屏蔽膜108包括導體組104的每一側上的壓緊部分109。在示例性的電纜102a中，屏蔽膜設置在EMI吸收層與導體組之間。在一些情況下，EMI吸收層可以設置在屏蔽膜與導體組之間。在一些情況下，圖2a中未明確示出，屏蔽膜可以設置在電纜同一側上的兩個EMI吸收層之間，或者EMI吸收層可以設置在電纜同一側上的兩個屏蔽膜之間。在一些情況下，電纜可以包括屏蔽膜和EMI吸收層的交替的層。任選的粘合劑層110可以設置在屏蔽膜108之間。屏蔽電纜102a還包括任選的接地導體112。接地導體112與絕緣導體106間隔開并在與絕緣導體112基本上相同的方向上(X軸)延伸。導體組104和接地導體112可以被布置成使得它們大致位于平面內(nèi)，如xy平面，如圖2a所示。屏蔽膜108的第二覆蓋部分113圍繞接地導體112設置并覆蓋接地導體112。在接地導體112的兩側上，粘合劑層110可以使屏蔽膜108彼此粘結。接地導體112可以電接觸屏蔽膜108中的至少一個。在圖2a中，絕緣導體106和屏蔽膜108被有效地布置成在導體組的兩側具有延伸部分的同軸電纜構型。圖2a的同軸電纜構型可用于單端電路布置方式中。如圖2a的橫截面圖所示,屏蔽膜108的覆蓋部分107之間存在最大間距D，屏蔽膜108的壓緊部分109之間存在最小間距屯。圖2a示出了粘合劑層110，其在電纜102a的壓緊區(qū)域118中設置在屏蔽膜108的壓緊部分109之間，以及在電纜102a的覆蓋區(qū)域114中設置在屏蔽膜108的覆蓋部分107和絕緣導體106之間。在該布置方式中，粘合劑層110在電纜的壓緊區(qū)域118中使屏蔽膜108的壓緊部分109粘結在一起，并且在電纜102a的覆蓋區(qū)域114中將屏蔽膜108的覆蓋部分107粘結至絕緣導體106。圖2b的屏蔽電纜102b與圖2a的電纜102a類似，其中類似的元件用類似的附圖標號表示。在圖2b中，在電纜102b的覆蓋區(qū)域114中，屏蔽膜108的覆蓋部分107與絕緣導體106之間不存在任選的粘合劑層110。在該布置方式中，粘合劑層110在電纜的壓緊區(qū)域118中使屏蔽膜108的壓緊部分109粘結在一起，但是粘合劑層110在電纜102b的覆蓋區(qū)域114中不會將屏蔽膜108的覆蓋部分107粘結至絕緣導體106。參見圖2c，屏蔽電纜202c類似于圖2a的屏蔽電纜102a。電纜202c具有單個導體組204，其具有兩個絕緣導體206。如果需要，電纜202c可以被制成包括多個導體組204，該導體組在整個電纜202c的寬度上間隔開，并且沿著電纜的長度延伸。絕緣導體206大致布置在單個平面(xy平面)內(nèi)，并且有效地布置成雙軸構型。圖2c的雙軸電纜構型可用于差分對電路布置方式或單端電路布置方式中。
兩個屏蔽膜208和EMI吸收層115設置在導體組204的相對側上。電纜202c包括覆蓋區(qū)域214和壓緊區(qū)域218。在電纜202c的覆蓋區(qū)域214中，屏蔽膜208包括覆蓋導體組204的覆蓋部分207。在橫截面中，覆蓋部分207組合起來基本上圍繞導體組204。在電纜202c的壓緊區(qū)域218中，屏蔽膜208包括導體組204每一側上的壓緊部分209。任選的粘合劑層210c可以設置在屏蔽膜208之間。屏蔽電纜202c還包括任選的接地導體212。接地導體212與絕緣導體206沿著x軸間隔開，并且在與絕緣導體206基本上相同的方向上延伸。導體組204和接地導體212可以被布置成使得它們大致位于平面內(nèi)，如xy平面，如圖2c所示。如圖2c的橫截面所示，屏蔽膜208的覆蓋部分207之間具有最大間距D ;屏蔽膜208的壓緊部分209之間具有最小間距Cl1 ;并且絕緣導體206之間的屏蔽膜208之間具有最小間距d2。電纜202c可以通過屏蔽膜108的覆蓋部分107之間的最大間距D、屏蔽膜108的覆蓋部分107之間的最小間距d2和屏蔽膜108的壓緊部分109之間的最小間距Cl1來表征。在一些情況下，比率VD小于0.25或小于0.1。在一些情況下，d2/D大于0.33。圖2c示出了粘合劑層210c，其在電纜202的壓緊區(qū)域218中設置在屏蔽膜208的壓緊部分209之間，以及在電纜202c的覆蓋區(qū)域214中設置在屏蔽膜208的覆蓋部分207和絕緣導體206之間。在該布置方式中，粘合劑層210c在電纜202c的壓緊區(qū)域218中使屏蔽膜208的壓緊部分209粘結在一起，并且在電纜202c的覆蓋區(qū)域214中將屏蔽膜208的覆蓋部分207粘結至絕緣導體206。圖2d的屏蔽電纜202d類似于圖2c的電纜202c，其中類似元件用類似附圖標號標識，不同的是在電纜202d中，電纜的覆蓋區(qū)域214中的屏蔽膜208的覆蓋部分207和絕緣導體206之間不存在任選的粘合劑層210d。在該布置方式中，粘合劑層210d在電纜的壓緊區(qū)域218中使屏蔽膜208的壓緊部分209粘結在一起，但是在電纜202d的覆蓋區(qū)域214中不會將屏蔽膜208的覆蓋部分207粘結至絕緣導體206。現(xiàn)在參見圖2e，我們看到，屏蔽電纜302的橫截面圖在許多方面類似于圖2a的屏蔽電纜102a。然而，其中電纜102a包括僅具有單個絕緣導體106的單個導體組104，而電纜302包括具有兩個沿著X軸或方向沿著電纜302的長度延伸的絕緣導體306的單個導體組304。電纜302可以被制成具有多個導體組304，該導體組在整個電纜302的寬度上彼此間隔開，并且沿著電纜302的長度延伸。絕緣導體306有效地布置成纏繞的成對電纜構造，這樣絕緣導體306互相扭絞并沿著X軸或方向沿著電纜302的長度延伸。圖2f示出了另一個屏蔽電纜402，該屏蔽電纜也在許多方面與圖2a的屏蔽電纜102a類似。然而，電纜102a包括僅具有單個絕緣導體106的單個導體組104，而電纜402包括具有沿著X軸或方向沿著電纜402的長度延伸的四個絕緣導體406的單個導體組404?？梢詫㈦娎|402制成具有沿著y軸沿著電纜302的寬度彼此間隔開并沿著x軸沿著電纜302的長度延伸的多個導體組404。絕緣導體406被有效地布置成四芯電纜布置方式，這樣當絕緣導體406沿著x方向沿著電纜402的長度延伸時，絕緣導體406可以互相扭絞也可以不互相扭絞。重新參照圖2a_2f，屏蔽電纜的其他實施例可以包括大致布置在單個平面內(nèi)的多個間隔開的導體組104、204、304、或404、或它們的組合。任選地，屏蔽電纜可以包括多個接地導體112，該接地導體與導體組的絕緣導體間隔開，并且大致在與導體組的絕緣導體相同的方向上延伸。在某些構型中，導體組和接地導體可以大致布置在單個平面內(nèi)。圖2g示出此類屏蔽電纜的示例性實施例。參見圖2g，屏蔽電纜502包括大致布置在xy平面中的多個間隔開的導體組504a、504b，其中每個導體組包括一個或兩個絕緣導體506。屏蔽電纜504還包括設置在導體組504a、504b之間并且位于屏蔽電纜502的兩側或邊緣處的任選的接地導體112。第一屏蔽膜和第二屏蔽膜508設置在電纜502的相對的第一側和第二側上，并且被布置為使得在yz平面中的橫截面中，電纜502包括覆蓋區(qū)域524和壓緊區(qū)域528。在電纜的覆蓋區(qū)域524中，第一屏蔽膜和第二屏蔽膜508的覆蓋部分517在橫截面中基本上圍繞每一個導體組504a、504b。例如，第一屏蔽膜和第二屏蔽膜的覆蓋部分組合起來通過包圍每一個導體組的周邊的至少70%而基本上圍繞每一個導體組。第一屏蔽膜和第二屏蔽膜508的壓緊部分519在每一個導體組504a、504b的兩側上形成壓緊區(qū)域518。屏蔽膜508設置在接地導體112周圍。任選的粘合劑層510設置在屏蔽膜208之間，并且在每一個導體組504a、504b兩側上的壓緊區(qū)域528中使屏蔽膜508的壓緊部分519彼此粘結。屏蔽電纜502包括同軸電纜布置(導體組504a)和雙軸電纜布置(導體組504b)的組合，并且因此可以被稱為混合電纜布置方式。在一些情況下，電纜502可以包括設置在電纜的一側或兩側上的導體組上的一個或多個EMI吸收層，圖2g中未明確示出。本發(fā)明所公開的屏蔽電纜中所用的屏蔽膜可以具有多種構型并可以用多種方法制備。圖7a_7d示出根據(jù)本發(fā)明的方面的屏蔽電纜的四個示例性實施例。圖3a_3d示出屏蔽電纜的屏蔽膜的構造的各種實例。在一方面，至少一個屏蔽膜可以包括導電層和非導電聚合物層。導電層可以含有任何合適的導電材料，包括但不限于銅、銀、鋁、金及其合金。非導電聚合物層可以包括任何合適的聚合物材料，包括但不限于聚酯、聚酰亞胺、聚酰胺-酰亞胺、聚四氟乙烯、聚丙烯、聚乙烯、聚苯硫醚、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚碳酸酯、硅橡膠、乙烯丙烯二烯橡膠、聚氨酯、丙烯酸酯、硅樹脂、天然橡膠、環(huán)氧樹脂和合成橡膠粘合劑。非導電聚合物層可以含有一種或多種添加劑和/或填料，用于提供適于預期應用的特性。在另一方面，至少一個屏蔽膜可以包括設置在導電層和非導電聚合物層之間的層合粘合劑層。對于具有設置在非導電層上的導電層的屏蔽膜，或具有一個導電的主外表面和基本上不導電的相對的主外表面的屏蔽膜而言，可以根據(jù)需要以若干不同的取向將屏蔽膜結合到屏蔽電纜中。在一些情況下，例如，導電表面可以面對絕緣線和地線的導體組，并且在一些情況下，非導電表面可以面對那些元件。如果電纜的相對側上使用兩個屏蔽膜，膜可以被取向為使得它們的導電表面彼此面對，并且各自面對導體組和地線，或者它們可以被取向為使得它們的非導電表面彼此面對并各自面對導體組和地線，或者它們可以被取向為使得一個屏蔽膜的導電表面面對導體組和地線，而另一個屏蔽膜的非導電表面面對電纜另一側的導體組和地線。在一些情況下，屏蔽膜中的至少一者可以包括獨立導電膜，如適形的或柔性的金屬箔。可以基于適于預期應用的多個設計參數(shù)(例如柔性、電性能)和屏蔽電纜的配置(例如，是否存在接地導體和接地導體的位置)來選擇屏蔽膜的構造。在一些情況下，屏蔽膜具有一體地形成的構造。在一些情況下，屏蔽膜可以具有0.0lmm至0.05mm范圍內(nèi)的厚度。屏蔽膜有利地在導體組之間提供絕緣、屏蔽和精確間距，并允許進行自動化更高和成本更低的電纜制造過程。此外，屏蔽膜為導電片材，可防止名為“信號吸出”或共振的現(xiàn)象，從而在特定頻率范圍內(nèi)出現(xiàn)高信號衰減。這種現(xiàn)象通常出現(xiàn)在導電屏蔽件為卷繞在導體組周圍的帶的常規(guī)屏蔽電纜中。圖3a為整個屏蔽電纜802的寬度上的剖視圖，該圖示出了單個導體組804。導體組804包括沿著X軸沿著電纜802的長度延伸的兩個絕緣導體806。電纜802可以包括沿著I軸在電纜802的整個寬度上彼此間隔開的多個導體組804。兩個屏蔽膜808設置在電纜802的相對面上，其中每個屏蔽膜包括設置在非導電聚合物層808b上的導電層808a。非導電聚合物層808b面對絕緣導體806?？梢允褂萌魏魏线m的方法將導電層808a沉積到非導電聚合物層808b上。在yz平面中的橫截面內(nèi)，屏蔽膜808的覆蓋部分807組合起來基本上在電纜802的覆蓋區(qū)域814中圍繞導體組804。例如，第一屏蔽膜和第二屏蔽膜的覆蓋部分組合起來通過包圍每一個導體組的周邊的至少70%而基本上圍繞每一個導體組。屏蔽膜808的壓緊部分809在導體組804的每一側上形成電纜802的壓緊區(qū)域818。屏蔽膜808可以包括任選的粘合劑層810a、810b，該粘合劑層在電纜802的壓緊區(qū)域818內(nèi)使屏蔽膜808的壓緊部分809彼此粘結。粘合劑層810a設置在非導電聚合物層808b中的一者上，并且粘合劑層810b設置在非導電聚合物層808b中的另一者上。粘合劑層810a、810b可以存在或不存在于電纜802的覆蓋區(qū)域814中。如果存在，粘合劑層810a、810b可以完全或部分在屏蔽膜808的覆蓋部分807的整個寬度上延伸，從而使屏蔽膜808的覆蓋部分807粘結到絕緣導體806。 在該實例中，絕緣導體806和屏蔽膜808大致布置在單個平面內(nèi)，如xy平面，并實際上布置成可用于單端電路布置方式或差分對電路布置方式中的雙軸構型。圖3b為整個屏蔽電纜902的寬度上的剖視圖，該圖示出了單個導體組904。導體組904包括沿著X軸沿著電纜902的長度延伸的兩個絕緣導體906。電纜902可以包括多個導體組904，該導體組沿著y軸在整個電纜902的寬度上彼此間隔開，并且沿著電纜902的長度延伸。兩個屏蔽膜908設置在電纜902的相對側上，其中每個屏蔽膜包括設置在非導電聚合物層908b上的導電層908a。導電層908a面對絕緣導體906。可以使用任何合適的方法將導電層908a沉積到非導電聚合物層908b上。在橫截面內(nèi)，屏蔽膜908的覆蓋部分907組合起來基本上在電纜902的覆蓋區(qū)域914中圍繞導體組904。屏蔽膜908的壓緊部分909在導體組904的每一側上形成電纜902的壓緊區(qū)域918。一個或多個任選的粘合劑層910a、910b在導體組904兩側上的壓緊區(qū)域918內(nèi)使屏蔽膜908的壓緊部分909彼此粘結。粘合劑層910a、910b可以完全或部分在整個屏蔽膜908的覆蓋部分907的寬度上延伸。絕緣導體906大致布置在單個平面內(nèi)，并且有效地形成雙軸電纜構型，并且可用于單端電路布置方式或差分對電路布置方式。圖3c為整個屏蔽電纜1002的寬度上的剖視圖，該圖示出了單個導體組1004。導體組1004包括沿著X軸沿著電纜1002的長度延伸的兩個絕緣導體1006。電纜1002可以包括多個導體組1004，該導體組沿著y軸在整個電纜1002的寬度上彼此間隔開，并且沿著電纜1002的長度延伸。兩個屏蔽膜1008設置在電纜1002的相對側上并且包括覆蓋部分1007。在橫截面內(nèi)，覆蓋部分1007組合起來基本上在電纜1002的覆蓋區(qū)域1014中圍繞導體組1004。屏蔽膜1008的壓緊部分1009在導體組1004的每一側上形成電纜1002的壓緊區(qū)域1018。電纜1002包括一個或多個任選的粘合劑層1010a、1010b，它們在導體組1004兩側上的壓緊區(qū)域1018中將屏蔽膜1008的壓緊部分1009彼此粘合。粘合劑層1010a、IOlOb可以完全或部分在整個屏蔽膜1008的覆蓋部分1007的寬度上延伸。絕緣導體1006大致布置在單個平面內(nèi)，如xy平面，并有效地布置成雙軸電纜構型，其可用于單端電路布置方式或差分對電路布置方式。屏蔽膜1008包括獨立式導電膜。圖3d為屏蔽電纜1102的剖視圖，該圖示出了單個導體組1104。導體組1104包括沿著X軸沿著電纜1102的長度延伸的兩個絕緣導體1106。電纜1102可以包括多個導體組1104，該導體組沿著y軸在整個電纜1102的寬度上彼此間隔開，并且沿著電纜1102的長度延伸。兩個屏蔽膜1108設置在電纜1102的相對側上并且包括覆蓋部分1107。在橫截面內(nèi)，覆蓋部分1107組合起來基本上在電纜1102的覆蓋區(qū)域1114中圍繞導體組1104。屏蔽膜1108的壓緊部分1109在導體組1104的每一側上形成電纜1102的壓緊區(qū)域1118。屏蔽膜1108包括一個或多個任選的粘合劑層IllOa和1110b，該粘合劑層在導體組1104兩側上的壓緊區(qū)域1118中使屏蔽膜1108的壓緊部分1109彼此粘結。粘合劑層1010a、IOlOb可以完全或部分在整個屏蔽膜1108的覆蓋部分1107的寬度上延伸。絕緣導體1106被大致布置在單個平面內(nèi)，如xy平面，并有效地布置成雙軸電纜構型。雙軸電纜構型可用于單端電路布置方式或差分電路布置方式中。屏蔽膜1108包括導電層1108a、非導電聚合物層1108b，以及設置在導電層1108a和非導電聚合物層1108b之間的層合粘合劑層1108c，由此將導電層1108a層合至非導電聚合物層1108b。導電層1108a面對絕緣導體1106。如本文其他地方所述，電纜構造中可以使用粘合劑材料在電纜的覆蓋區(qū)域處將一個或兩個屏蔽膜粘合到導體組中的一個、一些或所有，和/或可以用粘合劑材料在電纜的壓緊區(qū)域處將兩個屏蔽膜粘合在一起。粘合劑材料層可以設置在至少一個屏蔽膜上，在電纜的相對側上使用兩個屏蔽膜的情況中，粘合劑材料層可以設置在兩個屏蔽膜上。在后一種情況下，一個屏蔽膜上使用的粘合劑優(yōu)選地與另一個屏蔽膜上使用的粘合劑相同，但如果需要也可以不同。給定的粘合劑層可以包含電絕緣粘合劑，并可以提供兩個屏蔽膜之間的絕緣粘合。此外，給定的粘合劑層可以提供屏蔽膜中的至少一個與導體組中的一個、一些或所有的絕緣導體之間，以及屏蔽膜中的至少一個與接地導體中的一個、一些或所有(如果有的話)之間的絕緣粘合?；蛘撸o定的粘合劑層可以包含導電粘合劑，并可以提供兩個屏蔽膜之間的導電粘合。此外，給定的粘合劑層可以提供屏蔽膜中的至少一個與接地導體中的一個、一些或所有(如果有的話)之間的導電粘合。合適的導電粘合劑包括導電顆粒，從而提供電流的流動。導電顆?？梢允钱斍八褂玫娜魏晤愋偷念w粒，如球體、薄片、棒、立方體、無定形或其它顆粒形狀。它們可以是固體或基本為固體的顆粒，如炭黑、碳纖維、鎳球體、帶鎳涂層的銅球體、帶金屬涂層的氧化物、帶金屬涂層的聚合物纖維或其它類似的導電顆粒。這些導電顆粒可以由被鍍覆或涂覆有諸如銀、鋁、鎳或銦錫氧化物之類的導電材料的電絕緣材料制成。這些帶金屬涂層的絕緣材料可以是基本中空的顆粒，如中空玻璃球體，或者可以包括固體材料，如玻璃微珠或金屬氧化物。導電顆?？梢允羌s數(shù)十微米至納米級的材料，如碳納米管。合適的導電粘合劑還可以包括導電性聚合物基質(zhì)。當用于給定電纜構造時，粘合劑層優(yōu)選地相對于電纜的其他元件在形狀上基本上適形，并適形于電纜的彎曲運動。在一些情況下，給定的粘合劑層可以是基本上連續(xù)的，如沿著給定屏蔽膜的給定主表面的基本上整個長度和寬度延伸。在一些情況下，粘合劑層可以為基本上不連續(xù)的。例如，粘合劑層可以只存在于沿著給定屏蔽膜的長度或寬度的某些部分中。不連續(xù)的粘合劑層可以例如包括多個縱向粘合劑條，它們設置在如每一個導體組兩側上的屏蔽膜的壓緊部分之間和接地導體(如果有的話)旁邊的屏蔽膜之間。給定粘合劑材料可以是或包括壓敏粘合劑、熱熔性粘合劑、熱固性粘合劑和固化性粘合劑中的至少一種。粘合劑層可以被構造用于提供比一個或多個絕緣導體與屏蔽膜之間的粘合顯著更強的屏蔽膜之間的粘合。這可以例如通過適當?shù)剡x擇粘合劑制劑來實現(xiàn)。這種粘合劑構型的優(yōu)點是易于將屏蔽膜從絕緣導體的絕緣部分剝離。在其他情況下，粘合劑層可以被構造用于提供強度基本上相等的屏蔽膜之間的粘合和一個或多個絕緣導體與屏蔽膜之間的粘合。這種粘合劑構型的優(yōu)點是在屏蔽膜之間錨接絕緣導體。當具有該構造的屏蔽電纜彎曲時，允許進行極小的相對運動，從而減小了屏蔽膜翹曲的可能性。可以基于預期應用來選擇合適的粘合強度。在一些情況下，可以使用厚度為小于約0.13mm的適形的粘合劑層。在示例性的實施例中，粘合劑層具有小于約0.05mm的厚度。給定的粘合劑層可以適形，以實現(xiàn)所需的屏蔽電纜的機械性能和電性能特性。例如，粘合劑層可以適形，以便使導體組之間的區(qū)域中的屏蔽膜之間更薄，這可以至少增強屏蔽電纜的橫向柔韌性。這樣可以更易于將屏蔽電纜設置到曲線型外側護套中。在一些情況下，粘合劑層可以適形，以便使緊鄰導體組的區(qū)域中更厚并基本上適形于導體組。這可以提高機械強度并能夠在這些區(qū)域中形成大致曲線形狀的屏蔽膜，從而可以例如在折曲電纜時提高屏蔽電纜的耐久性。另外，這有助于沿著屏蔽電纜的長度保持絕緣導體相對于屏蔽膜的位置和間距，從而可以使屏蔽電纜獲得更均勻的阻抗和更佳的信號完整性。給定的粘合劑層可以適形，以便有效地將其從導體組之間的區(qū)域中(如電纜壓緊區(qū)域中)的屏蔽膜之間部分地或完全移除。因此，在這些區(qū)域中屏蔽膜可以彼此電接觸，這可以提高電纜的電性能。在一些情況下，粘合劑層可以適形，以便有效地將其從屏蔽膜中的至少一個與接地導體之間部分地或完全移除。因此，在這些區(qū)域中，接地導體可以電接觸屏蔽膜中的至少一個，這可以提高電纜的電性能。即使在薄粘合劑層保留在屏蔽膜中的至少一個與給定接地導體之間的情況下，接地導體上的突起物可以穿透薄粘合劑層，從而按照預期建立電接觸。圖4a_4c為屏蔽電纜的三個示例性實施例的剖視圖，示出了屏蔽電纜中的接地導體的布置方式的實例。屏蔽電纜的一個方面是屏蔽件的正確接地，此類接地可以用多種方法實現(xiàn)。在一些情況下，給定接地導體可以與屏蔽膜中的至少一個電接觸，使得將給定接地導體接地也可以使屏蔽膜接地。此類接地導體也可以被稱為“排擾線”。屏蔽膜與接地導體之間的電接觸的特征可在于相對較低的直流電阻，如，小于10 Ω、或小于2 Ω或基本上為0Ω的直流電阻。在一些情況下，給定接地導體不與屏蔽膜電接觸，但可以是電纜構造中的單獨元件，它獨立地端接到任何合適的端接元件的任何合適的單獨的接觸元件上，例如印刷電路板、背板或其他裝置的導電路徑或其他接觸元件。此類接地導體也可以稱為“地線”。圖4a示出了示例性的屏蔽電纜，其中接地導體設置在屏蔽膜的外部。圖4b_4c示出了這樣的實施例，其中接地導體設置在屏蔽膜之間，并可以包含在導體組中?？梢詫⒁粋€或多個接地導體放置在屏蔽膜的外部、屏蔽膜之間或這二者的組合的任何合適的位置上。參見圖4a，屏蔽電纜1202包括沿著x軸沿著電纜1202的長度延伸的單個導體組1204。導體組1204包括兩個絕緣導體1206，即一對絕緣導體。電纜1202可以包括多個導體組1204，該導體組沿著X軸在整個電纜的寬度上彼此間隔開，并且沿著電纜1202的長度延伸。兩個屏蔽膜1208設置在電纜1202的相對的第一側和第二側上，并包括覆蓋部分1207和壓緊部分1209。在橫截面中，覆蓋部分1207組合起來基本上圍繞導體組1204。任選的粘合劑層1210設置在屏蔽膜1208的壓緊部分1209之間，并且使屏蔽膜1208在導體組1204兩側上彼此粘結。絕緣導體1206大致布置在單個平面內(nèi)，如xy平面，并有效地布置成雙軸電纜構型，其可用于單端電路布置方式或差分對電路布置方式。屏蔽電纜1202還包括多個設置在屏蔽膜1208外部的接地導體1212。接地導體1212被設置在導體組1204之上、之下和兩側上?？扇芜x地，屏蔽電纜1202包括圍繞屏蔽膜1208和接地導體1212的保護膜1220。保護膜1220包括保護層1220a和將保護層1220a粘結至屏蔽膜1208和接地導體1212的粘合劑層1220b?；蛘?，可以使用外部導電屏蔽件(例如，導電編織物)和外部絕緣護套(未示出)圍繞屏蔽膜1208和接地導體1212。在一些情況下，至少一個保護層1220a和粘合劑層1220b可以是導電的。參見圖4b，屏蔽電纜1302包括沿著x軸沿著電纜1302的長度延伸的單個導體組1304。導體組1304包括兩個絕緣導體1306。電纜1302可以包括沿著y軸在電纜1302的整個寬度上彼此間隔開并沿著電纜1302的長度延伸的多個導體組1304。兩個屏蔽膜1308設置在電纜1302的相對的第一側和第二側上，并包括覆蓋部分1307和壓緊部分1309。在橫截面中，覆蓋部分組合起來基本上圍繞導體組1304。任選的粘合劑層1310設置在屏蔽膜1308的壓緊部分1309之間，并且使屏蔽膜1308在導體組1304的兩側上彼此粘結。絕緣導體1306大致布置在單個平面內(nèi)并且有效地布置成雙軸或差分對電纜布置方式。屏蔽電纜1302還包括設置在屏蔽膜1308之間的多個接地導體1312。接地導體1312中的兩個被包括在導體組1304中，并且接地導體1312中的兩個與導體組1304間隔開。參見圖4c，屏蔽電纜1402包括沿著x軸沿著電纜1402的長度延伸的單個導體組1404。導體組1404包括兩個絕緣導體1406。電纜1402可以包括沿著y軸在電纜1402的整個寬度上彼此間隔開并沿著電纜1402的長度延伸的多個導體組1304。兩個屏蔽膜1408設置在電纜1402的相對的第一側和第二側上，并包括覆蓋部分1407和壓緊部分1409。在橫截面中，覆蓋部分1407組合起來基本上圍繞導體組1404。任選的粘合劑層1410設置在屏蔽膜1408的壓緊部分1409之間，并且使屏蔽膜1408在導體組1408的兩側上彼此粘結。絕緣導體1406大致布置在單個平面內(nèi)并且有效地布置成雙軸或差分對電纜布置方式。屏蔽電纜1402還包括設置在屏蔽膜1408之間的多個接地導體1412。所有的接地導體1412被包括在導體組1404中。接地導體1412和絕緣導體1406中的兩者被大致布置在單個平面內(nèi)，如xy平面。屏蔽電纜1402還包括設置在電纜兩側上的屏蔽膜1408和導體組1404上的EMI吸收層1450。圖5a_5g示出了制備可基本上與圖1中所示出的屏蔽電纜相同的屏蔽電纜的示例性方法。在圖5a所示的步驟中，使用任何合適的方法(例如擠出)形成絕緣導體6，或者說是提供絕緣導體6。絕緣導體6包括被絕緣體6b圍繞的導體6a并可以具有任何合適長度。然后，可以提供如此的絕緣導體6或者將其切割成期望的長度?？梢允褂妙愃频姆绞叫纬珊吞峁┙拥貙w12 (參見圖5c)。在圖5b所示的步驟中，形成了一個或多個屏蔽膜8?？梢允褂萌魏魏线m的方法例如連續(xù)寬幅材處理法來形成單層或多層幅材。每個屏蔽膜8可以形成為任何合適的長度。然后，可以提供如此的屏蔽膜8或者將其切割成期望的長度和/或寬度?？梢詫⑵帘文?預形成為具有橫向部分折疊，以增強縱向上的柔韌性。屏蔽膜8中的一個或兩個可以包括適形的粘合劑層10，可以用任何合適的方法，例如層合、涂覆或濺射法在屏蔽膜8上形成適形的粘合劑層10。在圖5c所示的步驟中，提供多個絕緣導體6、接地導體12和屏蔽膜8。提供了成形工具24。成形工具24包括一對成形輥26a、26b，這對成形輥具有與屏蔽電纜2的所需橫截面形狀相對應的形狀，成形工具還包括輥縫28。根據(jù)所需屏蔽電纜2(例如本文所示和/或所述的任何電纜)的構型布置絕緣導體6、接地導體12和屏蔽膜8，并且將它們設置在成形輥26a、26b附近，然后將它們同時送入成形輥26a、26b的輥縫28中，并且設置在成形輥26a、26b之間。成形工具24圍繞導體組4和接地導體12形成屏蔽膜8，并且在每一個導體組4和接地導體12的兩側上將屏蔽膜8彼此粘結。可以施加熱以便于進行粘合。盡管在此實施例中，在單次操作中形成圍繞導體組4和接地導體12的屏蔽膜8并使屏蔽膜8在每一個導體組4和接地導體12的兩側上彼此粘結，在其他實施例中，可以以單獨的一些操作來進行這些步驟。送入成形輥26a和26b的輥縫28內(nèi)的構造中可以包括其他層。例如，一個或多個EMI吸收層、一個或多個保護層和/或一個或多個套層可以包括在該布置方式中或者被送入輥縫28內(nèi)。圖5d示出了通過成形工具24形成的屏蔽電纜2。在圖5e所示的任選步驟中，在導體組4之間形成縱向縫隙18?？梢允褂萌魏魏线m的方法在屏蔽電纜2中形成縫隙18，例如使用激光切割或沖壓。在圖5f所示的另一個任選步驟中可以沿著壓緊區(qū)域將屏蔽電纜2的屏蔽膜8多次縱向折疊成束，并且可以用任何合適的方法在折疊的束周圍提供外部導電性屏蔽件30。如在圖5g示意性示出，也可以用任何合適的方法例如擠壓圍繞外部導電屏蔽件30提供外側護套32。在一些實施例中，可以省略外部導電屏蔽件30，并且可以在折疊的屏蔽電纜周圍提供外側護套32。圖6a_6c示出了制備屏蔽電纜的示例性方法的詳情。圖6a_6c示出了在形成和粘合屏蔽膜的過程中可如何將一個或多個粘合劑層適形地成形。在圖6a所示出的步驟中，提供了絕緣導體1606、與絕緣導體1606間隔開的接地導體1612和兩個屏蔽膜1608。屏蔽膜1608各自包括適形的粘合劑層1610。在圖6b_6c所示的步驟中，圍繞絕緣導體1606和接地導體1612形成屏蔽膜1608，并且屏蔽膜彼此粘結。最初，如圖6b所示，粘合劑層1610仍具有其原始厚度。當進行形成并粘結屏蔽膜1608的過程時，適形的粘合劑層1610適形，以實現(xiàn)屏蔽電纜1602期望的機械和電性能特性(圖6c)。如圖6c所示，粘合劑層1610適形，以在絕緣導體1606和接地導體1612兩側上的屏蔽膜1608之間較薄；從這些區(qū)域移走粘合劑層1610的一部分。另外，適形的粘合劑層1610適形，以在緊鄰絕緣導體1606和接地導體1612的區(qū)域中較厚，并且基本上適形于絕緣導體1606和接地導體1612 ;粘合劑層1610的一部分被移入這些區(qū)域。另外，適形的粘合劑層1610適形，以便有效地將其從屏蔽膜1608和接地導體1612之間移除；將適形的粘合劑層1610從這些區(qū)域移除，使得接地導體1612電接觸屏蔽膜1608。
在一些方法中，可使用較厚的金屬或金屬材料作為屏蔽膜來形成半剛性電纜。例如，可在此方法中使用鋁或其他金屬而無需聚合物背襯膜。使鋁(或其他材料)通過成形模以在鋁中產(chǎn)生形成覆蓋部分和壓緊部分的皺褶。將絕緣導體置于形成覆蓋部分的皺褶中。如果使用排擾線，則可形成較小的皺褶以用于排擾線。使絕緣導體和任選的排擾線夾在相對的皺褶鋁層之間。例如，鋁層可用粘合劑結合在一起或焊接。上部和下部的皺褶鋁屏蔽膜之間的連接可穿過不絕緣的排擾線。或者，可壓印、進一步壓緊和/或沖壓穿透鋁的壓緊部分以在皺褶的屏蔽層之間提供正接觸。在示例性的實施例中，屏蔽電纜的覆蓋區(qū)域包括同心區(qū)域和設置在給定導體組一側或兩側上的過渡區(qū)域。同心區(qū)域中的給定屏蔽膜的部分被稱為屏蔽膜的同心部分，過渡區(qū)域中的屏蔽膜的部分被稱為屏蔽膜的過渡部分。過渡區(qū)域可以被構造用于提供屏蔽電纜的高可制造性并消除張力和應力。使過渡區(qū)域沿著屏蔽電纜的長度保持基本上一致的構型(包括，如，尺寸、形狀、容量和曲率半徑等方面)可有助于使屏蔽電纜具有基本上一致的電性能，例如，高頻隔離、阻抗、偏差、插入損耗、反射、模式變換、眼圖張開度和抖動。另外，在某些實施例中，例如在其中導體組包括兩個沿著電纜長度延伸、大致布置在單個平面內(nèi)并且有效地布置成可以差分對電路布置方式連接的雙軸電纜的絕緣導體的實施例中，通過使過渡部分沿著屏蔽電纜的長度保持基本一致的構型，可以有利地為導體組中的兩個導體提供偏離理想同心情況的基本上相同的電磁場偏差。因此，小心控制該過渡部分沿著屏蔽電纜長度的構型能有助于使電纜獲得有利的電性能和特性。圖7a_9b示出了屏蔽電纜的多個示例性實施例，其包括設置在導體組一側或兩側上的屏蔽膜的過渡區(qū)域。圖7a和7b的剖視圖中所示的屏蔽電纜1702包括沿著X軸沿著電纜1702長度延伸的單個導體組1704。屏蔽電纜1702可以被制成具有多個導體組1704，該導體組沿著y軸沿著電纜1702的寬度彼此間隔開，并且沿著電纜1702的長度延伸。雖然圖7a中僅示出了一個絕緣導體1706，但如果需要，導體組1704中可以包括多個絕緣導體。最靠近電纜壓緊區(qū)域的導體組的絕緣導體被視為導體組的末端導體。如圖所示，導體組1704具有單個絕緣導體1706，它也是末端導體，因為它的位置最靠近屏蔽電纜1702的壓緊區(qū)域1718。第一屏蔽膜和第二屏蔽膜1708設置在電纜的相對側上并且包括覆蓋部分1707。在橫截面中，覆蓋部分1707基本上圍繞導體組1704。任選的粘合劑層1710設置在屏蔽膜1708的壓緊部分1709之間，并使屏蔽膜1708在導體組1704兩側上的電纜1702的壓緊區(qū)域1718中彼此粘結。任選的粘合劑層1710可以部分或完全延伸穿過屏蔽膜1708的覆蓋部分1707，如，從導體組1704 —側上的屏蔽膜1708的壓緊部分1709延伸至導體組1704另一側上的屏蔽膜1708的壓緊部分1709。電纜1702還包括設置在電纜兩側上的導體組1704和屏蔽膜1708上的EMI吸收層1750。絕緣導體1706被有效地布置成可以用于單端電路布置方式的同軸電纜。屏蔽膜1708可以包括導電層1708a和非導電聚合物層1708b。在一些實施例中，如圖7a和7b所示，導電層1708a面向絕緣導體?；蛘?，屏蔽膜1708中的一個或兩個的導電層的取向可以反轉，如本文其他地方所述。屏蔽膜1708包括與導體組1704的末端導體1706基本上同心的同心部分。屏蔽電纜1702包括過渡區(qū)域1736。電纜1702的過渡區(qū)域1736中的屏蔽膜1708的部分為屏蔽膜1708的過渡部分1734。在一些實施例中，屏蔽電纜1702包括設置在導體組1704兩側上的過渡區(qū)域1736，并且在一些實施例中，過渡區(qū)域1736可以僅設置在導體組1704的一側上。過渡區(qū)域1736由屏蔽膜1708和導體組1704限定。過渡區(qū)域1736中的屏蔽膜1708的過渡部分1734提供屏蔽膜1708的同心部分1711與壓緊部分1709之間的逐漸過渡。與例如直角過渡或過渡點(與過渡部分相對)的急劇過渡形成對照，逐漸或平滑的過渡(例如大致S形過渡)消除了過渡區(qū)域1736中的屏蔽膜1708的張力和應力，并且防止了當使用屏蔽電纜1702時(例如當橫向或軸向彎曲屏蔽電纜1702時)屏蔽膜1708受損。這種受損可能包括例如導電層1708a的斷裂和/或導電層1708a和非導電聚合物層1708b之間失去粘結。另外，逐漸過渡防止了在制備屏蔽電纜1702的過程中屏蔽膜1708受損，這種受損可能包括例如導電層1708a和/或非導電聚合物層1708b的開裂或斷開。在屏蔽帶狀電纜中的導體組中的一個、一些或所有的一側或兩側上使用本發(fā)明所公開的過渡區(qū)域代表著脫離了常規(guī)的電纜構型，例如，屏蔽件通常連續(xù)地設置在單個絕緣導體周圍的典型同軸電纜，或者屏蔽件連續(xù)設置在一對絕緣導體周圍的典型的常規(guī)雙軸電纜。根據(jù)本發(fā)明所公開的屏蔽電纜中的至少一些的一個方面，通過減小過渡區(qū)域的電沖擊，如，通過減小過渡區(qū)域的尺寸和/或仔細控制過渡區(qū)域沿著屏蔽電纜長度的構型，可以獲得合格的電性能。通過減小過渡區(qū)域的尺寸減小了電容偏差并且減小了多個導體組之間所需的間距，從而減小導體組間距和/或增大導體組之間的電隔離。仔細控制過渡區(qū)域沿著屏蔽電纜長度的構型有助于獲得可預期的電性能和一致性，這可供高速傳輸線使用，從而可以更可靠地傳輸電數(shù)據(jù)。當過渡部分的尺寸接近尺寸下限時，仔細控制過渡區(qū)域沿著屏蔽電纜長度的構型是一個因素。通?？紤]到的電特性是傳輸線的特征阻抗。沿著傳輸線長度的任何阻抗變化可能造成功率反射回到源，而不是被發(fā)送到目標。理想的是，沿著傳輸線的長度，傳輸線將沒有阻抗變化，但是，根據(jù)預期應用，高達5%-10%的變化可能是可接受的。在雙軸電纜(采用不同方式驅動)中通?？紤]的另外的電特性是成對的兩個傳輸線沿著其至少部分長度的有偏差或不相等的傳輸速度。偏差使差分信號轉化為可以被反射回到源的共模信號，降低已發(fā)送信號的強度，產(chǎn)生電磁輻射并且會急劇增加比特誤差率，特別是抖動。理想的是，一對傳輸線將沒有偏差，但是根據(jù)預期應用，高達所關注頻率(例如，6GHz)的小于-25至-30dB的差分S-參數(shù)S⑶21或S⑶12的值(代表傳輸線的一端與另一端的差分-共模轉換)可能是可接受的。作為另外一種選擇，可以在時域中測量偏差并且將其與所需規(guī)格進行比較。例如，本文所述的屏蔽電纜在高達約IOGbps的數(shù)據(jù)傳輸速度下可實現(xiàn)小于約20皮秒/米(ps/m)或小于約10ps/m的偏差值。再次參見圖7a_7b，為了在一定程度上幫助獲得合格的電性能，屏蔽電纜1702的過渡區(qū)域1736各自可包括橫截面過渡區(qū)域1736a。過渡區(qū)域1736a小于絕緣導體1706的橫截面區(qū)域1706a。如圖7b最佳示出的，過渡區(qū)域1736的橫截面過渡區(qū)域1736a由過渡點1734，和 1734” 限定。在屏蔽膜偏離與導體組1704的末端絕緣導體1706基本上同心的位置的地方出現(xiàn)過渡點1734’。過渡點1734’為屏蔽膜1708的拐點，屏蔽膜1708的曲率在該點處改變正負號。例如，參照圖7b，在示為上部過渡點1734’的拐點處，上部屏蔽膜1708的彎曲從向下凹過渡為向上凹。在示為過渡點1734’的下部拐點處，下部屏蔽膜1708的彎曲從向上凹過渡為向下凹。在屏蔽膜1708的壓緊部分1709之間的間距超過壓緊部分1709的最小間距屯預定的系數(shù)(如約1.2至約1.5)的地方出現(xiàn)另一個過渡點1734’’。另外，每個過渡區(qū)域1736a可以包括空隙區(qū)域1736b。導體組1704任一側上的空隙區(qū)域1736b可以基本上相同。另外，粘合劑層1710可以在屏蔽膜1708的同心部分1711處具有厚度Ta。，并在屏蔽膜1708的過渡部分1734處具有大于厚度Tae的厚度。相似地，粘合劑層1710可以在屏蔽膜1708的壓緊部分1709之間具有厚度Tap，以及在屏蔽膜1708的過渡部分1734處具有大于厚度Tap的厚度。粘合劑層1710可以表示橫截面過渡區(qū)域1736a的至少25%。在過渡區(qū)域1736a中，特別是在厚度大于厚度Tae或厚度Tap處存在粘合劑層1710，有助于提高過渡區(qū)域1736中電纜1702的強度。仔細控制屏蔽電纜1702的多個元件的制備工藝和材料特性，可以減少過渡區(qū)域1736中的空隙區(qū)域1736b和適形的粘合劑層1710的厚度的變化，這又可以減少橫截面過渡區(qū)域1736a的電容的變化。屏蔽電纜1702可以包括設置在導體組1704 —側或兩側上的過渡區(qū)域1736，其包括基本上等于或小于導體1706的橫截面區(qū)域1706a的橫截面過渡區(qū)域1736a。屏蔽電纜1702可以包括設置在導體組1704—側或兩側上的過渡區(qū)域1736，其包括沿著導體1706的長度基本上相同的橫截面過渡區(qū)域1736a。例如，橫截面過渡區(qū)域1736a在I米長度內(nèi)的變化可以為小于50%。屏蔽電纜1702可以包括位于導體組1704兩側上的過渡區(qū)域1736，其各自包括橫截面過渡區(qū)域，其中橫截面區(qū)域1734a的總和沿著導體1706的長度基本上相同。例如，橫截面區(qū)域1734a的總和在I米長度內(nèi)的變化可以為小于50%。屏蔽電纜1702可以包括位于導體組1704兩側上的過渡區(qū)域1736，其各自包括橫截面過渡區(qū)域1736a，其中橫截面過渡區(qū)域1736a基本上相同。屏蔽電纜1702可以包括位于導體組1704兩側上的過渡區(qū)域1736，其中過渡區(qū)域1736基本上一致。絕緣導體1706具有絕緣體厚度Ti,并且過渡區(qū)域1736可以具有比絕緣體厚度Ti小的橫向長度Lt。絕緣導體1706的中央導體具有直徑D。，并且過渡區(qū)域1736可以具有比直徑D。小的橫向長度Lt。上述各種構型可以提供保持在所需范圍內(nèi)的特性阻抗，例如在給定長度例如I米內(nèi)的目標阻抗值(例如50歐姆)的5%-10%內(nèi)。舉例來說，可以影響過渡區(qū)域1736沿著屏蔽電纜1702長度的構型的因素包括制備工藝、導電層1708a和非導電聚合物層1708b的厚度、粘合劑層1710、以及絕緣導體1706與屏蔽膜1708之間的粘結強度。在一個方面，導體組1704、屏蔽膜1708和過渡區(qū)域1736按照阻抗控制關系協(xié)同構造。阻抗控制關系意味著，導體組1704、屏蔽膜1708和過渡區(qū)域1736被協(xié)同構造用于控制屏蔽電纜的特性阻抗。圖8a_8b以橫截面示出在導體組中具有兩個絕緣導體的屏蔽電纜的兩個示例性實施例。參見圖8a,屏蔽電纜1802大致位于xy平面內(nèi)并包括單個導體組1804,該導體組包括沿著X軸沿著電纜1802的長度延伸的兩個單獨絕緣導體1806。兩個屏蔽膜1808設置在電纜1802的相對側上，并且組合起來基本上圍繞導體組1804。任選的粘合劑層1810設置在屏蔽膜1808的壓緊部分1809之間，并使屏蔽膜1808在導體組1804兩側上在電纜1802的壓緊區(qū)域1818中彼此粘結。絕緣導體1806可以被大致布置在單個平面內(nèi)，如xy平面，并有效地布置成雙軸電纜構型。雙軸電纜構型可用于差分對電路布置方式或單端電路布置方式。屏蔽膜1808可以包括導電層1808a和非導電聚合物層1808b,或者可以包括導電層1808a，但沒有非導電聚合物層1808b。圖8a示出了面向絕緣導體1806的導電層1808a，但在可供選擇的實施例中，該屏蔽膜中的一個或兩個可以具有顛倒的取向。電纜1802還包括EMI吸收層1850，其設置在電纜兩側上的導體組1804和屏蔽膜1808上。屏蔽膜1808中的至少一個的覆蓋部分1807包括與導體組1804的相應末端導體1806基本上同心的同心部分1811。在電纜1802的過渡區(qū)域1836中，屏蔽膜1808的過渡部分1834在屏蔽膜1808的同心部分1811與壓緊部分1809之間。過渡部分1836設置在導體組1804的兩側上，并且每個此類部分包括橫截面過渡區(qū)域1836a。橫截面過渡區(qū)域1836a的總和優(yōu)選地沿著導體1806的長度基本上相同。例如，橫截面區(qū)域1836a的總和在I米長度內(nèi)的變化可以小于50%。另外，兩個橫截面過渡區(qū)域1836a可以基本上相同和/或基本上一致。過渡區(qū)域的這種構型有助于將每個導體1806 (單端端接)的特性阻抗以及差分阻抗均保持在所需范圍內(nèi)，例如在給定長度(例如，I米)內(nèi)的目標阻抗值的5%-10%內(nèi)。另外，過渡區(qū)域1836的這種構型可以將兩個導體1806沿著其長度的至少一部分的偏差降至最低。當電纜為未折疊的平面構型時，每個屏蔽膜的橫截面可以用在電纜1802的整個寬度上變化的曲率半徑來表征。屏蔽膜1808的最大曲率半徑可以出現(xiàn)在(例如)圖8a中所示的電纜1802的壓緊部分1809處或多導體電纜組1804的覆蓋部分1807的中心點附近。在這些位置處，膜可以是大致平的，并且曲率半徑可以是基本上無窮大。屏蔽膜1808的最小曲率半徑可以出現(xiàn)在(例如)屏蔽膜1808的過渡部分1834處。在一些實施例中I屏蔽膜在電纜的整個寬度上的曲率半徑為至少約50微米，S卩，曲率半徑的大小在電纜的邊緣之間沿著電纜寬度的任何點處都不為小于50微米。在一些實施例中，對于包括過渡部分的屏蔽膜而言，屏蔽膜的過渡部分的曲率半徑相似地為至少約50微米。圖8a中示出，在未折疊的平面構型中，包括同心部分和過渡部分的屏蔽膜1808用同心部分的曲率半徑R1和/或過渡部分的曲率半徑A來表征。在一些實施例中，R1ZV1為在2至15范圍內(nèi)。參見圖8b，屏蔽電纜1902在一些方面與屏蔽電纜1802類似。屏蔽電纜1802具有各個絕緣導體1806，而屏蔽電纜1902具有結合在一起的絕緣導體1906。盡管如此，過渡區(qū)域1936基本上類似于過渡區(qū)域1836，并且為屏蔽電纜1902提供相同有益效果。圖9a_9b示出過渡部分的位置和構型的變化。在這些示例性實施例中，屏蔽膜2008、2108具有不對稱構型，相對于圖8a所示的更對稱的實施例，該圖中的過渡部分的位置有所改變。屏蔽電纜2002 (圖9a)和2102 (圖9b)具有屏蔽膜2008、2108的壓緊部分2009，其位于相對于絕緣導體2006、2106的對稱平面偏移的平面內(nèi)。因此，過渡區(qū)域2036、2136具有相對于其他示出的實施例稍微偏移的位置和構型。然而，通過確保過渡區(qū)域2036,2136的位置相對于對應的絕緣導體2006、2106 (如，相對于導體2006、2106之間的垂直平面)基本上對稱，并確保仔細控制過渡區(qū)域2036、2136沿著屏蔽電纜2002、2102長度的構型，屏蔽電纜2002、2102可以被構造為仍然能提供合格的電性能。電纜2002還包括EMI吸收層2050，其設置在電纜兩側上的導體組2004和屏蔽膜2008上。電纜2102還包括EMI吸收層2150，其設置在電纜兩側上的導體組2104和屏蔽膜2108上。圖10a_10c、13和14示出屏蔽電纜的另外的示例性實施例。圖lla-llg、12a_12b和15a_15f不出屏蔽電纜的壓緊部分的若干不例性實施例。圖10a_15f不出壓緊部分的實例，該壓緊部分被構造為電隔離屏蔽電纜的導體組。導體組可以與相鄰的導體組電隔離(例如，用于使相鄰的導體組之間的串擾最小，圖1Oa-1Oc和lla-llg)或者與屏蔽電纜的外部環(huán)境電隔離(例如，用于使從屏蔽電纜逸出的電磁輻射最小并且使外部源帶來的電磁干擾最小，圖14和圖15a-15f)。在這兩種情況下，壓緊部分均可以包括用于改變電隔離的各種機械結構。舉例來說，這些實例包括屏蔽膜非常靠近，屏蔽膜之間的高介電常數(shù)材料，直接或間接電接觸屏蔽膜中的至少一個的接地導體，相鄰的導體組之間的延伸距離，相鄰的導體組之間的物理斷裂，屏蔽膜彼此直接縱向、橫向或既縱向又橫向地間歇接觸，縮短EMI吸收層之間的間距以及導電粘合劑。在一個方面，屏蔽膜的壓緊部分被限定為沒有覆蓋導體組的屏蔽膜的一部分 。圖1Oa示出了屏蔽電纜2202的剖視圖，其包括兩個沿著y軸在整個電纜2202的寬度上彼此間隔開并沿著X軸沿著電纜2202的長度縱向延伸的導體組2204a、2204b。每一個導體組2204a、2204b包括兩個絕緣導體2206a、2206b。兩個屏蔽膜2208設置在電纜2202的相對側上。此外，兩個EMI吸收層2250設置在電纜2202相對側上的屏蔽膜上。在橫截面內(nèi)，屏蔽膜2208的覆蓋部分2207在電纜2202的覆蓋區(qū)域2214中基本上圍繞導體組2204a、2204b。例如，通過包圍每一個導體組2204a、2204b的周邊的至少70%，屏蔽膜2208的覆蓋部分2207組合起來基本上圍繞每一個導體組2204a、2204b。在導體組2204a、2204b的兩側上的電纜2202的壓緊區(qū)域2218中，屏蔽膜2208包括壓緊部分2209。當電纜2202為平面和/或未折疊布置方式時，在屏蔽電纜2202中，屏蔽膜2208的壓緊部分2209和絕緣導體2206大致布置在單個平面內(nèi)。設置在導體組2204a、2204b之間的壓緊部分2209被構造用于將導體組2204a、2204b彼此電隔離。當布置成大致為平面的未折疊布置方式時，如圖1Oa所示，導體組2204中第一絕緣導體2206a相對于導體組2204中第二絕緣導體2206b的高頻電隔離基本上小于第一導體組2204a相對于第二導體組2204b的高頻電隔離。例如,第一絕緣導體相對于第二導體的高頻隔離為在3至15GHz的指定頻率和I米的長度下的第一遠端串擾Cl，第一導體組相對于相鄰的導體組的高頻隔離為指定頻率下的第二遠端串擾C2，并且其中C2比Cl低至少IOdB0如圖1Oa的剖視圖所示，電纜2202可以通過屏蔽膜2208的覆蓋部分2207之間的最大間距D、屏蔽膜2208的覆蓋部分2207之間的最小間距d2和屏蔽膜2208的壓緊部分2209之間的最小間距Cl1來表征。在一些實施例中，d/D為小于0.25或小于0.1。在一些實施例中，d2/D為大于0.33。如圖所示，屏蔽膜2208的壓緊部分2209之間可以包括任選的粘合劑層2210。粘合劑層2210可以是連續(xù)或不連續(xù)的。在一些實施例中，粘合劑層完全或部分地在電纜2202的覆蓋區(qū)域2214中延伸，如，在屏蔽膜2208的覆蓋部分2207與絕緣導體2206a、2206b之間延伸。粘合劑層2210可以設置在屏蔽膜2208的覆蓋部分2207上，并且可以完全或部分地從導體組2204a、2204b —側上的屏蔽膜2208的壓緊部分2209延伸至導體組2204a、2204b另一側上的屏蔽膜2208的壓緊部分2209。屏蔽膜2208可以通過整個電纜2202寬度上的曲率半徑R和/或通過屏蔽膜的過渡部分2212的曲率半徑Γι和/或通過屏蔽膜的同心部分2211的曲率半徑r2來表征。
在過渡區(qū)域2236中，屏蔽膜2208的過渡部分2212可以被布置用于提供屏蔽膜2208的同心部分2211與屏蔽膜2208的壓緊部分2209之間的逐漸過渡。屏蔽膜2208的過渡部分2212從第一過渡點2221 (其為屏蔽膜2208的拐點并標志著同心部分2211的結束)延伸至第二過渡點2222，在此處，屏蔽膜之間的間距超出壓緊部分2209的最小間距(I1預定的系數(shù)。在一些實施例中，電纜2202包括至少一個屏蔽膜，其在整個電纜的寬度上具有至少約50微米的曲率半徑R和/或屏蔽膜2202的過渡部分2212的最小曲率半徑為至少約50微米。在一些實施例中，同心部分的最小曲率半徑與過渡部分的最小曲率半徑的比率r2/ri為在2至15的范圍內(nèi)。圖1Ob為屏蔽電纜2302的剖視圖，其包括兩個導體組2304，它們沿著y軸在電纜2302的整個寬度上彼此間隔開并沿著X軸沿著電纜2302的長度縱向延伸。每個導體組2304包括一個絕緣導體2306、設置在電纜2302相對側上的兩個屏蔽膜2308和兩個EMI吸收層2350。在橫截面中，屏蔽膜2308的覆蓋部分2307組合起來基本上在電纜2302的覆蓋區(qū)域2314中圍繞導體組2304的絕緣導體2306。在導體組2304兩側上的電纜2302的壓緊區(qū)域2318中，屏蔽膜2308包括壓緊部分2309。當電纜2302為平面和/或未折疊布置方式時，在屏蔽電纜2302中，屏蔽膜2308的壓緊部分2309和絕緣導體2306可大致布置在單個平面內(nèi)。屏蔽膜2308的覆蓋部分2307和/或電纜2302的壓緊部分2309被構造用于將導體組2304彼此電隔離。如圖1Ob的剖視圖所示，電纜2302可以通過屏蔽膜2308的覆蓋部分2307之間的最大間距D和屏蔽膜2308的壓緊部分2309之間的最小間距Cl1來表征。在一些實施例中，d/D為小于0.25或小于0.1。屏蔽膜2308的壓緊部分2309之間可以包括任選的粘合劑層2310。粘合劑層2310可以是連續(xù)或不連續(xù)的。在一些實施例中，粘合劑層2310完全或部分地在電纜的覆蓋區(qū)域2314中延伸，如，在屏蔽膜2308的覆蓋部分2307與絕緣導體2306之間延伸。粘合劑層2310可以設置在屏蔽膜2308的覆蓋部分2307上，并且可以完全或部分地從導體組2304 —側上的屏蔽膜2308的壓緊部分2309延伸至導體組2304另一側上的屏蔽膜2308的壓緊部分 2309。屏蔽膜2308可以通過整個電纜2302寬度上的曲率半徑R和/或通過屏蔽膜2308的過渡部分2312的最小曲率半徑Γι和/或通過屏蔽膜2308的同心部分2311的最小曲率半徑rb來表征。在電纜2302的過渡區(qū)域2236中，屏蔽膜2302的過渡部分2312可被構造用于提供屏蔽膜2308的同心部分2311與屏蔽膜2308的壓緊部分2309之間的逐漸過渡。屏蔽膜2308的過渡部分2312從第一過渡點2321 (其為屏蔽膜2308的拐點并標志著同心部分2311的結束)延伸至第二過渡點2322，在此處，屏蔽膜之間的間距等于壓緊部分2309的最小間距(I1或超出(I1預定的系數(shù)。在一些實施例中，屏蔽膜在電纜的整個寬度上的曲率半徑R為至少約50微米，和/或屏蔽膜的過渡部分中的最小曲率半徑為至少50微米。圖1Oc示出了屏蔽電 纜2402的剖視圖，它包括兩個導體組2404a、2404b，它們沿著I軸在電纜2402的整個寬度上彼此間隔開并沿著X軸沿著電纜2402的長度縱向延伸。每一個導體組2404a、2404b包括兩個絕緣導體2206a、2206b。兩個屏蔽膜2408a、2408b和兩個EMI吸收層2450a、2450b設置在電纜2402的相對側上。在橫截面內(nèi)，屏蔽膜2408a、2408b的覆蓋部分2407組合起來基本上在電纜2402的覆蓋區(qū)域2414中圍繞導體組2404a、2404b。在電纜2402的壓緊區(qū)域2418中，導體組2404a、2404b的兩側上，上部和下部屏蔽膜2408a、2408b包括壓緊部分2409。當電纜2402為平面和/或未折疊布置方式時，在屏蔽電纜2402中，屏蔽膜2408的壓緊部分2409和絕緣導體2406a、2406b大致布置在不同平面內(nèi)。屏蔽膜2408b中的一個基本上為平的。本文將電纜2402的壓緊區(qū)域2418中大致平坦的屏蔽膜2408b部分稱為壓緊部分2409，即使屏蔽膜2408b在壓緊區(qū)域2418存在很小或沒有超過平面偏差。當電纜2402為平面或未折疊構型時，屏蔽膜2408b的同心部分2411、過渡部分2412和壓緊部分2407基本上共面。導體組2404a、2404b之間的電纜2402的覆蓋部分2407和/或壓緊部分2409被構造用于將導體組2404a、2404b彼此電隔離。當布置成大致為平面的未折疊布置方式時，如圖1Oc所示，第一導體組2404a中的第一絕緣導體2406a相對于第一導體組2404a中的第二絕緣導體2406b的高頻電隔離基本上小于第一導體組2404a中的任一導體2406a、2406b相對于第二導體組2404b中的任一導體2406a、2406b的高頻電隔離，如上所述。如圖1Oc的剖視圖所示，電纜2402可以通過屏蔽膜2408a、2408b的覆蓋部分2407之間的最大間距D，屏蔽膜2408a、2408b的覆蓋部分2407之間的最小間距d2和屏蔽膜2408a、2408b的壓緊部分2409之間的最小間距(I1來表征。在一些實施例中，d/D為小于0.25或小于0.1。在一些實施例中，d2/D為大于0.33。任選的粘合劑層2410可以設置在屏蔽膜2408a、2408b的壓緊部分2409之間。粘合劑層2410可以是連續(xù)或不連續(xù)的。在一些實施例中I粘合劑層2410完全或部分地在電纜2402的覆蓋區(qū)域2414中延伸，如，在屏蔽膜2408a、2408b中一者或多者的覆蓋部分2407與絕緣導體2406a、2406b之間延伸。粘合劑層2410可以設置在一個或多個屏蔽膜2408a、2408b的覆蓋部分2407上，并且可以完全或部分地從導體組2404a、2404b —側上的屏蔽膜2408a,2408b的壓緊部分2409延伸至導體組2404a、2404b另一側上的屏蔽膜2408a、2408b的壓緊部分2409。彎曲屏蔽膜2408a的過渡部分2412提供屏蔽膜2408a的同心部分2411與屏蔽膜2408a的壓緊部分2409之間的逐漸過渡。屏蔽膜2408a的過渡部分2412從第一過渡點2421a (其為第一屏蔽膜2408a的拐點)延伸至第二過渡點2422a，在此處，屏蔽膜之間的間距等于壓緊部分2409的最小間距Cl1或超出Cl1預定的系數(shù)?；旧掀教沟钠帘文?808b的過渡部分從第一過渡點2421b延伸至第二過渡點2422b，在此處，屏蔽膜之間的間距等于壓緊部分2409的最小間距Cl1或超出Cl1預定的系數(shù)。第一過渡點2421b由垂直于大致平坦的屏蔽膜2408b，與屏蔽膜2408a的第一過渡點2421a相交的線限定。彎曲屏蔽膜2408a可以通過整個電纜2402寬度上的曲率半徑R和/或通過屏蔽膜2408a的過渡部分2412的最小曲率半徑和/或通過屏蔽膜的同心部分2411的最小曲率半徑1*2來表征。在一些實施例中，電纜2402包括至少一個屏蔽膜2408，其在整個電纜的寬度上具有至少約50微米的曲率半徑和/或具有屏蔽膜的過渡部分的至少約50微米的最小曲率半徑在一些實施例中，屏蔽膜的同心部分的最小曲率半徑1"2與屏蔽膜的過渡部分的最小曲率半徑A之比r2/ri為在2至15的范圍內(nèi)。
在圖1la中，屏蔽電纜2502包括壓緊區(qū)域2518，其中屏蔽膜2508間隔開一定距離。間隔開的屏蔽膜2508，S卩，不使屏蔽膜2508沿著其接縫連續(xù)直接電接觸，增大了壓緊區(qū)域2518的強度。具有相對較薄和易損壞的屏蔽膜的屏蔽電纜在制造過程中如果被迫使沿著其接縫連續(xù)地進行直接電接觸就可能破裂或裂開。如果不使用有效的裝置來降低發(fā)生串擾的可能性，間隔開的屏蔽膜2508會使得相鄰的導體組之間發(fā)生串擾。降低串擾涉及遏制一個導體組的電場和磁場，使得它們不作用于相鄰的導體組。在圖1la所示實施例中，通過在屏蔽膜2508之間提供較低的直流電阻，實現(xiàn)對串擾的有效屏蔽。可通過將屏蔽膜2508定向為非常接近，實現(xiàn)較低的直流電阻。例如，屏蔽膜2508的壓緊部分2509可以在壓緊區(qū)域2518的至少一個位置間隔開小于約0.13mm。所得的屏蔽膜2508之間的直流電阻可以為小于約15 Ω，并且所得的相鄰導體組之間的串擾可以為小于約_25dB。在一些情況下，電纜2502的壓緊區(qū)域2518的最小厚度為小于約0.13mm。屏蔽膜2508可被間距介質(zhì)間隔開。該間距介質(zhì)可以包括適形的粘合劑層2510。例如，間距介質(zhì)可以具有至少1.5的介電常數(shù)。高介電常數(shù)使屏蔽膜2508之間的阻抗減小，由此增強電隔離并減少相鄰的導體組之間的串擾。屏蔽膜2508可以在壓緊區(qū)域2518’的至少一個位置中彼此直接電接觸?？梢栽谶x定位置中迫使屏蔽膜2508壓在一起，從而減小選定位置中適形的粘合劑層2510的厚度?？赏ㄟ^如下方法在選定位置中迫使屏蔽膜壓在一起，例如，用圖案形成工具使這些位置中的屏蔽膜2508之間間歇擠壓接觸?？梢匝乜v向或橫向將這些位置形成圖案。在一些情況下，間距介質(zhì)可以導電，使得屏蔽膜2508之間能夠進行直接電接觸。還可以通過包括設置在電纜2502兩側的屏蔽膜2508上的EMI吸收層2550來降低相鄰導體組之間的串擾。在圖1lb中，屏蔽電纜2602包括壓緊區(qū)域2618，其中壓緊區(qū)域包括設置在屏蔽膜2608之間并沿著X軸沿著電纜2602的長度延伸的接地導體2612。接地導體2612可以與兩個屏蔽膜2608均間接電接觸，如，屏蔽膜2608之間的直流電阻較低但不為O。在一些情況下，接地導體2612可以在壓緊區(qū)域2618的至少一個位置中與屏蔽膜2608中的至少一個直接或間接電接觸。屏蔽電纜2602可以包括適形的粘合劑層2610，該粘合劑層設置在屏蔽膜2608之間并且被構造用于提供屏蔽膜2608中的至少一個和接地導體2612的受控的間距。適形的粘合劑層2610可以具有不均勻的厚度，這種厚度使得接地導體2612在選定位置中與屏蔽膜2608中的至少一個直接或間接電接觸。在一些情況下，接地導體2612可以包括表面粗糙部分或可變形線，例如絞線，以使接地導體2612和屏蔽膜2608中的至少一個之間形成受控的電接觸。還可以通過包括設置在電纜2602兩側的屏蔽膜2608上的EMI吸收層2650來降低相鄰導體組之間的串擾。在圖1lc中，屏蔽電纜2702包括壓緊區(qū)域2718。接地導體2712設置在屏蔽膜2708之間并且與兩個屏蔽膜2708均直接電接觸。在圖1ld中，屏蔽電纜2802包括壓緊區(qū)域2818，其中屏蔽膜2808通過任何合適的裝置如(例如)導電元件2844彼此直接電接觸。舉例來說，導電元件2844可以包括帶導電鍍層的通孔或通道、填充有導電物的通孔或通道、或導電粘合劑。還可以通過包括設置在電纜電纜2802兩側的屏蔽膜2808上的EMI吸收層2850來降低相鄰導體組之間的串擾。在圖1le中，屏蔽電纜2902包括壓緊區(qū)域2918，在壓緊區(qū)域2918的至少一個位置處具有開口 2936，其中開口 2936包括屏蔽膜2908和EMI吸收層2950中的開口。換句話講，壓緊區(qū)域2918是不連續(xù)的。開口 2936可以包括孔、穿孔、狹縫和任何其他合適的元件。開口 2936提供了至少一些水平的物理間距，這有助于壓緊區(qū)域2918的電隔離性能并且至少增強屏蔽電纜2902的橫向柔韌性。該間距可以沿著壓緊區(qū)域2918的長度不連續(xù)，并且可以在整個壓緊區(qū)域2918的寬度上不連續(xù)。在圖1lf中，屏蔽電纜3002包括壓緊區(qū)域3018，在此處，屏蔽膜3008中的至少一個在壓緊區(qū)域3018的至少一個位置中包括斷裂3038。換句話講，屏蔽膜3008中的至少一個為不連續(xù)的。在一些情況下，斷裂3038還包括兩個EMI吸收層3050中的至少一者中的中斷。斷裂3038可以包括孔、穿孔、狹縫和任何其他的合適元件。斷裂3038提供了至少一些水平的物理間距，這有助于壓緊區(qū)域3018的電隔離性能并且至少增強屏蔽電纜3002的橫向柔韌性。這個間距沿著壓緊區(qū)域的長度可以是不連續(xù)的或連續(xù)的，并且在整個壓緊部分3018的寬度上可以是不連續(xù)的。在圖1lg中，屏蔽電纜3102包括壓緊區(qū)域3118，該壓緊區(qū)域是成折疊構型的分段平面。在所有其他條件相等的情況下，分段平坦的壓緊區(qū)域具有比具有相同投影寬度的平坦壓緊區(qū)域大的實際表面積。如果壓緊區(qū)域的表面積遠大于屏蔽膜3108之間的間距，則直流電阻降低，從而提高壓緊區(qū)域3118的電隔離性能。在一個實施例中，小于5Ω至10Ω的直流電阻導致良好的電隔離。在一個實施例中，屏蔽電纜3102的壓緊部分3118的實際寬度與最小間距之比至少為5。在一個實施例中，壓緊區(qū)域3118預先彎曲，由此至少增強了屏蔽電纜3102的橫向柔韌性。壓緊區(qū)域3118可以是成任何其他合適構型的分段平面。在一些情況下，EMI吸收層3150在壓緊區(qū)域3118中也是分段平面。圖12a_12b示出示例性屏蔽電纜的制造過程中與壓緊區(qū)域相關的細節(jié)。屏蔽電纜3202包括兩個屏蔽膜3208和兩個EMI吸收層3250并且包括壓緊區(qū)域3218，其中屏蔽膜3208可以是大致平行的。屏蔽膜3208包括非導電聚合物層3208b、設置在非導電聚合物層3208b上的導電層3208a和設置在導電層3208a上的阻擋層3208d。適形的粘合劑層3210設置在阻擋層3208d上。壓緊區(qū)域3218包括設置在屏蔽膜3208之間的縱向接地導體3212。迫使屏蔽膜一起包圍接地導體后，接地導體3212與屏蔽膜3208的導電層3208a形成間接電接觸。通過由阻擋層3208d提供受控的導體層3208a和接地導體3212的間距，使得能夠進行這種間接電接觸。在一些情況下，阻擋層3208d可以為或包括非導電聚合物層。如圖所示，使用外部壓力(參見圖12a)將導電層3208a壓到一起并迫使適形的粘合劑層3210圍繞接地導體適形(圖12b)。因為阻擋層3208d至少在相同的加工條件下不會適形，所以它可以防止接地導體3212與屏蔽膜3208的導電層3208a之間發(fā)生直接電接觸，但可實現(xiàn)間接電接觸?？梢赃x擇阻擋層3208d的厚度和介電性能，以實現(xiàn)較低的目標直流電阻，即間接型電接觸。在一些實施例中，接地導體與屏蔽膜之間的特性直流電阻可以例如為小于10Ω，或小于5Ω，但大于0Ω，以實現(xiàn)所需的間接電接觸。在一些情況下，希望給定接地導體與一個或兩個屏蔽膜之間形成直接電接觸，因此此類接地導體與此類(多個)屏蔽膜之間的直流電阻可以基本上為OΩ。圖13示出了折疊的屏蔽電纜3302。屏蔽電纜3302包括兩個圍繞間隔開的導體組3304設置的屏蔽膜3308。屏蔽電纜3302還包括EMI吸收層3350，它設置在電纜一側上的導體組3304和屏蔽膜3308上。屏蔽膜3308設置在電纜3302的相對側上并且包括導體組3304每一側上的壓緊區(qū)域3318。壓緊區(qū)域3318被構造為以至少30°的角度α橫向彎曲。壓緊區(qū)域3318的這種橫向柔韌性使得屏蔽電纜3302可以折疊為任何合適的構型，例如可用于圓形電纜的構型(參見(如)圖5g)。在一個實施例中，具有相對薄的單獨層的屏蔽膜3308增強了壓緊區(qū)域3318的橫向柔韌性。為了保持這些單獨層尤其在彎曲條件下的完整性，優(yōu)選地它們間的粘合保持不受損。例如，壓緊區(qū)域3318的最小厚度可以為小于約
0.13mm,并且在加工或使用過程中熱暴露之后單獨層之間的粘合強度為至少17.86g/mm (I磅/英寸)。在一個方面，對屏蔽電纜的電性能有益的是，壓緊區(qū)域在導體組的兩側上具有大致相同的尺寸和形狀。任何尺寸上的改變或不平衡會導致沿著平行部分長度的電容和電感不平衡。這又會造成沿著壓緊區(qū)域長度的阻抗差和相鄰導體組之間的阻抗不平衡。至少出于這些原因，可能需要控制屏蔽膜之間的間距。在一些情況下，導體組兩側上的電纜壓緊區(qū)域中的屏蔽膜的壓緊部分彼此間隔約0.05mm以內(nèi)的距離。在圖14中，屏蔽電纜3402包括:兩個導體組3404，每一個導體組包括兩個絕緣導體3406 ;以及兩個大致平行的屏蔽膜3408和兩個EMI吸收層3450，其圍繞導體組3404設置在電纜3402的相對側上。屏蔽膜3408包括壓緊部分3418。壓緊部分3418設置在屏蔽電纜3402的邊緣處或附近，其被構造用于將導體組3404與外部環(huán)境電隔離。在屏蔽電纜3402中，屏蔽膜3408的壓緊部分3418和絕緣導體3406大致布置在單個平面內(nèi)。在圖15a中，屏蔽電纜3502包括壓緊區(qū)域3518，其中屏蔽膜3508的壓緊部分3509為間隔開的。壓緊區(qū)域3518類似于上文所述和圖1la所示的壓緊區(qū)域2518。壓緊區(qū)域2518設置在導體組之間，而壓緊區(qū)域3518設置在屏蔽電纜3502的邊緣處或附近。在圖15b中，屏蔽電纜3602包括壓緊區(qū)域3618，其包括設置在屏蔽膜3608之間的縱向接地導體3612。壓緊區(qū)域3618類似于上文所述和圖1lb所示的壓緊區(qū)域2618。壓緊區(qū)域2618設置在導體組之間，而壓緊區(qū)域3618設置在屏蔽電纜3602的邊緣處或附近。在圖15c中，屏蔽電纜3702包括壓緊區(qū)域3718，其包括設置在屏蔽膜3708之間的縱向接地導體3712。壓緊區(qū)域3718類似于上文所述和圖1lc所示的壓緊區(qū)域2718。壓緊區(qū)域2718設置在導體組之間，而壓緊區(qū)域3718設置在屏蔽電纜3702的邊緣處或附近。在圖15d中，屏蔽電纜3802包括壓緊區(qū)域3818，其中屏蔽膜3808的壓緊部分3809通過任何合適的裝置如(例如)導電元件3844彼此直接電接觸。舉例來說，導電元件3844可以包括帶導電鍍層的通孔或通道、填充有導電物的通孔或通道、或者導電粘合劑。壓緊區(qū)域3818類似于上文所述和圖1ld所示的壓緊區(qū)域2818。壓緊區(qū)域2818設置在導體組之間，而壓緊區(qū)域3818設置在屏蔽電纜3802的邊緣處或附近。在圖15e中，屏蔽電纜3902包括壓緊區(qū)域3918，該壓緊區(qū)域是成折疊構型的分段平面。壓緊區(qū)域3918類似于上文所述和圖1lg所示的壓緊區(qū)域3118。壓緊區(qū)域3118設置在導體組之間，而壓緊區(qū)域3918設置在屏蔽電纜3902的邊緣處或附近。在圖15f中，屏蔽電纜4002包括壓緊區(qū)域4018，該壓緊區(qū)域為彎曲構型的分段平面并且設置在屏蔽電纜4002的邊緣處或附近。在一些情況下，屏蔽電纜3502-4002中的一者或多者可以包括設置在導體組上的一個或多個EMI吸收層。根據(jù)本發(fā)明的方面的屏蔽電纜可以包括:至少一個縱向接地導體；電制品，其沿著與接地導體基本上相同的方向延伸；以及兩個屏蔽膜和兩個EMI吸收層，其設置在屏蔽電纜的相對側。在橫截面中，屏蔽膜和EMI吸收層基本上圍繞接地導體和電制品。在該構型中，屏蔽膜、EMI吸收層和接地導體被構造用于電隔離電制品。接地導體可以延伸超出屏蔽膜的至少一個端部，例如，以將屏蔽膜端接至任何合適端接點的任何合適的單個接觸元件，如(例如)該端接點是印刷電路板上的接觸元件或電連接器的電觸點。有利地，電纜構造只需要有限數(shù)量的接地導體，這些接地導體可以與屏蔽膜一起完成電制品的電磁屏蔽罩。電制品可以包括沿著電纜的長度延伸的至少一個導體、沿著電纜的長度延伸的至少一個導體組(包括一個或多個絕緣導體)、柔性印制電路或需要電隔離的任何其他合適的電制品。圖16a-16b示出了這種屏蔽電纜構造的兩個示例性實施例。在圖16a中，屏蔽電纜4102包括:兩個間隔開的接地導體4112，其沿著x軸沿著電纜4102的長度延伸；電制品4140，其設置在接地導體4112之間并沿著與接地導體4112大致相同的方向延伸；以及設置在電纜相對側上的兩個屏蔽膜4108和兩個EMI吸收層4150。在橫截面中，屏蔽膜4108和EMI吸收層4150組合起來基本上圍繞接地導體4112和電制品4140。電制品4140包括三個導體組4104，它們沿著y軸在電纜4102的整個寬度上間隔開。每一個導體組4104包括兩個沿著電纜長度延伸的基本上絕緣的導體4106。接地導體4112可以與兩個屏蔽膜4108形成間接電接觸，從而導致接地導體4112與屏蔽膜4108之間的阻抗較低但不為O。在一些情況下，接地導體4112可以在屏蔽膜4108的至少一個位置中與屏蔽膜4108中的至少一個形成直接或間接電接觸。在一些情況下，粘合劑層4110設置在屏蔽膜4108之間，并且使屏蔽膜4108在接地導體4112和電制品4140的兩側上彼此粘結。粘合劑層4110可被構造用于提供屏蔽膜4108中的至少一個與接地導體4112的受控間距。在一個方面，這意味著，粘合劑層4110具有不均勻的厚度，這種厚度使得接地導體4112在所選的位置中直接或間接電接觸屏蔽膜4108中的至少一個。接地導體4112可以包括表面粗糙部分或可變形線，例如絞線，以使接地導體4112和屏蔽膜4108中的至少一個之間形成這種受控的電接觸。在屏蔽膜4108的至少一個位置中，屏蔽膜4108可間隔開最小間距，其中接地導體4112的厚度大于最小間距。例如，屏蔽膜4108可以具有小于約0.025mm的厚度。在圖16b中，屏蔽電纜4202包括:兩個間隔開的接地導體4212，其沿著x軸沿著電纜4202的長度延伸；電制品4240，其設置在接地導體4212之間并沿著與接地導體4212大致相同的方向延伸；以及兩個屏蔽膜4208和兩個EMI吸收層4250，其設置在電纜4202的相對側上。在橫截面中，屏蔽膜和EMI吸收層組合起來基本上圍繞接地導體4212和電制品4240。屏蔽電纜4202在一些方面類似于上文所述和圖16a所示的屏蔽電纜4102。在屏蔽電纜4102中，電制品4140包括三個導體組4104,每一個導體組包括兩個基本上平行的縱向絕緣導體4106，而在屏蔽電纜4202中，電制品4240包括具有三個導體組4242的柔性印刷電路。在一些情況下，單個屏蔽膜可以為給定應用提供可接受的電磁干擾(EMI)隔離水平，并可以減小鄰近效應，從而降低信號衰減。圖17示出了只包括一個屏蔽膜的此類屏蔽電纜的一個例子。圖17中所示的屏蔽電纜4302包括兩個間隔開的導體組4304和單個屏蔽膜4308以及單個EMI吸收層4350。每個導體組4304包括單個絕緣導體4306，其沿著x軸沿著電纜4302的長度延伸。絕緣導體4306大致布置在單個平面內(nèi)，如xy平面，并有效地布置成可用于單端電路布置方式中的同軸電纜構型。電纜4302包括壓緊區(qū)域4318。在壓緊區(qū)域4318中，屏蔽膜4308包括從每一個導體組4304的兩側延伸的壓緊部分4309。壓緊區(qū)域4318協(xié)同限定大致為平面的屏蔽膜。屏蔽膜4308包括兩個覆蓋部分4307，每個覆蓋部分部分地覆蓋導體組4304。每個覆蓋部分4307包括與對應導體4306基本上同心的同心部分4311。屏蔽膜4308包括導電層4308a和非導電聚合物層4308b。導電層4308a面向絕緣導體4306。電纜4302可以任選地包括非導電載體膜4346。載體膜4346包括從每一個導體組4304的兩側延伸的壓緊部分4346’ ’和屏蔽膜4308的相對壓緊部分4309。載體膜4346包括兩個覆蓋部分4346’ ’ ’，每個覆蓋部分在屏蔽膜4308的覆蓋部分4307的相對側部分地覆蓋導體組4304。每個覆蓋部分4346’ ’ ’包括與對應導體4306基本上同心的同心部分4346’。載體膜4346可以包括任何合適的聚合物材料，包括但不限于聚酯、聚酰亞胺、聚酰胺-酰亞胺、聚四氟乙烯、聚丙烯、聚乙烯、聚苯硫醚、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚碳酸酯、硅橡膠、乙烯丙烯二烯橡膠、聚氨酯、丙烯酸酯、硅樹脂、天然橡膠、環(huán)氧樹脂和合成橡膠粘合劑。載體膜4346可以包括一種或多種添加劑和/或填充劑，從而得到適合于預期應用的特性。載體膜4346可用于完成導體組4304的物理覆蓋并增加屏蔽電纜4302的機械穩(wěn)定性。參見圖18，屏蔽電纜4402在一些方面類似于上文所述和圖17所示的屏蔽電纜4302。屏蔽電纜4302包括導體組4304，每一個導體組包括單個絕緣導體4306，而屏蔽電纜4402包括導體組4404，其具有兩個絕緣導體4406。絕緣導體4406大致布置在單個平面內(nèi)，并且有效地布置為雙軸電纜構型，該構型可用于單端或差分對電路布置方式。參見圖19，屏蔽電纜4502在一些方面類似于上文所述和圖18所示的屏蔽電纜4402。屏蔽電纜4402具有單獨的絕緣導體4406，而屏蔽電纜4502具有結合在一起的絕緣導體4506。在一個方面，如在圖17-19中可見，屏蔽膜在相鄰導體組之間內(nèi)曲。換句話講，屏蔽膜包括設置在相鄰導體組之間的壓緊部分。該壓緊部分被構造為將相鄰導體組彼此電隔離。壓緊部分可消除對位于相鄰導體組之間的接地導體的需要，其尤其簡化電纜構造并增強電纜柔韌性。壓緊部分可位于大于絕緣導體的直徑的約三分之一的深度屯(圖17)處。在一些情況下，壓緊部分可位于大于絕緣導體的直徑的約二分之一的深度d3處。根據(jù)相鄰導體組之間的間距、傳輸距離和信號傳輸方案(差分對單端)，屏蔽膜的該內(nèi)曲構型非常充分地將導體組彼此電隔離?？梢詫w組和屏蔽膜按照阻抗控制關系協(xié)同構造。在一個方面，這意味著，在沿著屏蔽電纜的長度的所需的幾何形狀一致性的情況下實現(xiàn)屏蔽膜對導體組的部分覆蓋，以便提供適合于預期應用的可接受的阻抗變化。在一個實施例中，沿著代表性電纜長度(例如，Im),該阻抗變化為小于5 Ω，并優(yōu)選地小于3 Ω。在另一方面，如果絕緣導體被有效地布置成雙軸和/或差分對電纜布置方式，則這意味著在一對中的絕緣導體之間的所需的幾何形狀一致性的情況下實現(xiàn)屏蔽膜對導體組的部分覆蓋，以便提供適合于預期應用的可接受的阻抗變化。在一些情況下，沿著代表性的電纜長度(例如，Im),阻抗變化為小于2 Ω，并優(yōu)選地小于0.5Ω。圖20a_20d示出了用屏蔽膜和/或EMI吸收層部分覆蓋導體組的多個例子。屏蔽膜和EMI吸收層的覆蓋量在不同實施例中有所不同。在圖20a所示的實施例中，導體組具有最多覆蓋率。在圖20d所示的實施例中，導體組具有最少覆蓋率。在圖20a和20b所示的實施例中，導體組周邊的一半以上被屏蔽膜和EMI吸收層覆蓋。在圖20c和20d所示的實施例中，導體組周邊的一半以下被屏蔽膜和EMI吸收層覆蓋。較大的覆蓋量提供更佳的電磁干擾(EMI)隔離和減小的信號衰減(由于鄰近效應的減小)。參見圖20a，屏蔽電纜4602包括導體組4604和屏蔽膜4608以及EMI吸收層4650。導體組4604包括兩個絕緣導體4606，其沿著x軸沿著電纜4602的長度延伸。屏蔽膜4608和EMI吸收層4650包括從導體組4604兩側延伸的壓緊部分4609。壓緊部分4609共同限定大致為平面的屏蔽膜和EMI吸收層。屏蔽膜4608還包括部分覆蓋導體組4604的覆蓋部分4607。覆蓋部分4607包括與導體組4604的對應末端導體4306基本上同心的同心部分4611。屏蔽電纜4602還可以具有任選的非導電載體膜4646。載體膜4646包括壓緊部分4646’ ’，其從導體組4604兩側延伸并設置在與屏蔽膜4608的壓緊部分4609的相對側。載體膜4646還包括覆蓋部分4646’ ’ ’，其在屏蔽膜4608的覆蓋部分4607的相對側部分地覆蓋導體組4604。屏蔽膜4608的覆蓋部分4607覆蓋導體組4604的頂側以及整個左側和右偵U。載體膜4646的覆蓋部分4646’ ’ ’覆蓋導體組4604的底側，從而完成導體組4604的基本封裝。在該實施例中，載體膜4646的壓緊部分4646’ ’和覆蓋部分4646’ ’ ’基本上共面。參見圖20b，屏蔽電纜4702在一些方面類似于上文所述和圖20a所示的屏蔽電纜4602。然而，在屏蔽電纜4702中，屏蔽膜4708和EMI吸收層4750的覆蓋部分4707覆蓋導體組4704的頂側以及左側和右側的一半以上。載體膜4746的覆蓋部分4746’ ’ ’覆蓋導體組4704的底側以及左側和右側的剩余部分(小于一半)，從而完成導體組4704的基本封裝。載體膜4746的覆蓋部分4746’ ’ ’包括與對應導體4706基本上同心的同心部分4746’。參見圖20c，屏蔽電纜4802在一些方面類似于上文所述和圖20a所示的屏蔽電纜4602。在屏蔽電纜4802中，屏蔽膜4808和EMI吸收層4850的覆蓋部分4807覆蓋導體組4804的底側以及左側和右側的不到一半。載體膜4846的覆蓋部分4846’ ’ ’覆蓋導體組4804的頂側以及左側和右側的剩余部分(大于一半)，從而完成導體組4804的封裝。參見圖20d，屏蔽電纜4902類似于上文所述和圖20a所示的屏蔽電纜4602。然而，在屏蔽電纜4902中，屏蔽膜4908和EMI吸收層4950的覆蓋部分4907覆蓋導體組4904的底側。載體膜4946的覆蓋部分4946’ ’ ’覆蓋導體組4904的頂側以及整個左側和右側，從而完成導體組4904的基本封裝。在一些情況下，屏蔽膜4908的壓緊部分4909和覆蓋部分4907基本上共面。類似于包括兩個屏蔽膜和一個或多個EMI吸收層(圍繞導體組和/或圍繞多個間隔開的導體組設置在電纜的相對側)的屏蔽電纜的實施例，包括單個屏蔽膜和單個EMI吸收層的屏蔽電纜的實施例可以包括至少一個縱向接地導體。在一個方面，該接地導體有利于屏蔽膜與任何合適端接點的任何合適的單獨接觸元件(例如，印刷電路板上的接觸元件或電連接器的電接觸點)的電接觸。接地導體可延伸超出屏蔽膜的至少一個末端，以有利于這種電接觸。接地導體可以在沿著其長度的至少一個位置中與屏蔽膜直接或間接電接觸，且可設置在屏蔽電纜的合適位置中。圖21示出了屏蔽電纜5002，它只有一個屏蔽膜5008和EMI吸收層5050。絕緣導體5006被布置在兩個導體組5004中，每一個導體組僅具有一對絕緣導體,但還可以想到如本文所述具有其他數(shù)量的絕緣導體的導體組。示出的屏蔽電纜5002包括在多個示例性位置中的接地導體5012，但如果需要，可以省略接地導體5012中的任何者或全部，或者可以包括另外的接地導體。接地導體5012在與導體組5004的絕緣導體5006基本上相同的方向上延伸，并設置在屏蔽膜5008和載體膜5046之間。屏蔽膜5008和EMI吸收層5050的壓緊部分5009中包括一個接地導體5012，并且導體組5004中包括三個接地導體5012。這三個接地導體5012中的一個設置在絕緣導體5006和屏蔽膜5008之間，并且這三個接地導體5012中的兩個和絕緣導體5006大致布置在單個平面內(nèi)。圖22a_22d示出根據(jù)本發(fā)明的方面的屏蔽電纜的各種示例性實施例的剖視圖。圖22a-22d示出了在不存在載體膜的情況下屏蔽膜和EMI吸收層對導體組的部分覆蓋的多個例子。屏蔽膜和EMI吸收層的覆蓋量在不同實施例中有所不同。在圖22a所示的實施例中，導體組具有最多覆蓋率。在圖22d所示的實施例中，導體組具有最少覆蓋率。在圖22a和22b所示的實施例中，導體組周邊的一半以上被屏蔽膜和EMI吸收層覆蓋。在圖22c所示的實施例中，導體組周邊的大約一半被屏蔽膜和EMI吸收層覆蓋。在圖22d所示的實施例中，導體組周邊的不到一半被屏蔽膜和EMI吸收層覆蓋。較大的覆蓋量提供更佳的電磁干擾(EMI)隔離和減小的信號衰減(由于鄰近效應的減小)。雖然在這些實施例中，導體組包括兩個基本上平行的縱向絕緣導體，但在其他實施例中，導體組可以包括一個或兩個以上的基本上平行的縱向絕緣導體。參見圖22a，屏蔽電纜5102包括導體組5104和屏蔽膜5108以及EMI吸收層5150。導體組5104包括兩個絕緣導體5106，其沿著X軸沿著電纜5102的長度延伸。屏蔽膜5108和EMI吸收層5150包括從導體組5104兩側延伸的壓緊部分5109。壓緊部分5109共同限定xy平面中的大致為平面的屏蔽膜。屏蔽膜5108還包括部分覆蓋導體組5104的覆蓋部分5107。覆蓋部分5107包括與導體5104的對應末端導體5106基本上同心的同心部分5111。在圖22a中，屏蔽膜5108的覆蓋部分5107覆蓋導體組5104的底側以及整個左側和右側。參見圖22b，屏蔽電纜5202在一些方面類似于上文所述和圖22a所示的屏蔽電纜5102。然而，在屏蔽電纜5202中，屏蔽膜5208和EMI吸收層5250的覆蓋部分5207覆蓋導體組5204的底側以及左側和右側的一半以上。參見圖22c，屏蔽電纜5302類似于上文所述和圖22a所示的屏蔽電纜5102。然而，在屏蔽電纜5302中，屏蔽膜5308和EMI吸收層5350的覆蓋部分5307覆蓋導體組5304的底側以及左側和右側的大約一半。參見圖22d，屏蔽電纜5402在一些方面類似于上文所述和圖22a所示的屏蔽電纜5102。然而，在屏蔽電纜5402中，屏蔽膜5408和EMI吸收層5450的覆蓋部分5411覆蓋導體組5404的底側以及左側和右側的不到一半。舉例而言，作為對載體膜的替代，根據(jù)本發(fā)明的方面的屏蔽電纜可包括任選的非導電支承件。該支承件可用于完成對導體組的物理覆蓋，且增加屏蔽電纜的機械穩(wěn)定性。圖23a-23d示出了根據(jù)本發(fā)明的方面的包括非導電支承件的屏蔽電纜的各種示例性實施例的剖視圖。雖然在這些實施例中，非導電支承件是與包括兩個絕緣導體的導體組一起使用，但在其他實施例中，非導電支承件可以與包括一個或兩個以上基本上平行的縱向絕緣導體的導體組一起使用或與接地導體一起使用。支承件可以包含任何合適的聚合物材料，包括但不限于聚酯、聚酰亞胺、聚酰胺-酰亞胺、聚四氟乙烯、聚丙烯、聚乙烯、聚苯硫醚、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚碳酸酯、硅橡膠、乙烯丙烯二烯橡膠、聚氨酯、丙烯酸酯、硅樹脂、天然橡膠、環(huán)氧樹脂和合成橡膠粘合劑。支承件可以包含一種或多種添加劑和/或填充劑，從而得到適合于預期應用的特性。參見圖23a，屏蔽電纜5502類似于上文所述和圖22a所示的屏蔽電纜5102，但還包括非導電支承件5548，該支承件在屏蔽膜5508和EMI吸收層5550的覆蓋部分5507的相對側部分地覆蓋導體組5504。支承件5548可覆蓋導體組5504的頂側，以包封絕緣導體5506。支承件5548包括大致為平面的頂部表面5548a。屏蔽膜5508的頂部表面5548a和壓緊部分5509是基本上共面的。參見圖23b，屏蔽電纜5602類似于上文所述和圖22b所示的屏蔽電纜5202，但還包括非導電支承件5648，該支承件在屏蔽膜5608和EMI吸收層5650的覆蓋部分5607的相對側部分地覆蓋導體組5604。支承件5648僅部分覆蓋導體組5604的頂側，從而使絕緣導體5606部分暴露。參見圖23c，屏蔽電纜5702類似于上文所述和圖22c所示的屏蔽電纜5302，但還包括非導電支承件5748，該支承件在屏蔽膜5708和EMI吸收層5750的覆蓋部分5707的相對側部分地覆蓋導體組5704。支承件5748大致覆蓋導體組5704的整個頂側，從而大致完全包封絕緣導體5706。支承件5748的至少一部分與絕緣導體5706基本上同心。支承件5748的一部分設置在絕緣導體5706和屏蔽膜5708之間。參見圖23d，屏蔽電纜5802類似于上文所述和圖22d所示的屏蔽電纜5402，但還包括非導電支承件5848，該支承件在屏蔽膜5808和EMI吸收層5850的覆蓋部分5807的相對側部分地覆蓋導體組5804。支承件5848僅部分覆蓋導體組5804的頂側，從而使絕緣導體5806部分暴露。支承件5848的一部分設置在絕緣導體5806與屏蔽膜5808之間。現(xiàn)在參見圖24a和24b，其分別以透視圖和剖視圖示出了根據(jù)本發(fā)明的示例性實施例的電纜構造。一般來講，帶狀電纜20102包括一個或多個導體組20104。每一個導體組20104包括兩個或更多個沿著X軸沿著電纜20102的長度從一端延伸至另一端的導體(如，導線)20106。每個導體20106沿著電纜的長度被第一電介質(zhì)20108包圍。導體20106固定到第一膜20110和第二膜20112上，其中第一膜和第二膜從電纜20102的一端延伸至另一端并設置在電纜20102的相對側上。沿著電纜20102的長度在每一個導體組20104的導體20106的第一電介質(zhì)20108之間保持一致的間距20114。第二電介質(zhì)20116設置在間距20114內(nèi)。電介質(zhì)20116可以包括氣隙/空隙和/或某些其他材料?？梢允箤w組20104的構件之間的間距20114足夠一致，使得電纜20102具有與標準包裹雙芯同軸電纜相同或比標準包裹雙芯同軸電纜更佳的電特性，以及更易于端接并具有更好的端接信號完整性。膜20110、20112可以包括屏蔽材料(如金屬箔)和/或EMI吸收材料，并且膜20110、20112可以適形地被成形用于基本上圍繞導體組20104。在示出的實例中，膜20110、20112被壓緊在一起以形成沿著導體組20104外側和/或之間的電纜20102的縱長方向延伸的平坦部分20118。在平坦部分29118中，膜20110、20112基本上圍繞導體組20104，如，圍繞導體組20104的周邊，除了膜20110、20112彼此連接的(如，絕緣體和/或粘合劑的)小層部分。例如，屏蔽膜的覆蓋部分可以總共包圍任何指定的導體組的周邊的至少75%、或至少80%、或至少85%或至少90%。雖然此處(和本文其他地方)示出的膜20110、20112可為單獨塊的膜，但本領域的技術人員將會知道，膜20110、20112也可以替代地由單一薄片的膜形成，如，在縱向路徑/線路周圍折疊，以便包圍導體組20104。
電纜20102還可以包括另外的結構，例如一條或多條排擾線20120。排擾線20120可以沿著電纜20102的長度連續(xù)地或在離散的位置處電連接到屏蔽膜20110、20112。通常排擾線20102在電纜的一端或兩端處提供使屏蔽材料電端接(如，接地)的便利接入。排擾線20120還可以被構造用于在膜20110、20112之間提供一定程度的直流耦合，如，在膜20110、20112均包括屏蔽材料和EMI吸收材料的情況下。項I是屏蔽電纜，其包括:多個導體組，該多個導體組沿著電纜的長度延伸并沿著電纜的寬度彼此間隔開，每一個導體組包括一個或多個絕緣導體；第一屏蔽膜和第二屏蔽膜，該第一屏蔽膜和該第二屏蔽膜設置在電纜的相對的第一側和第二側上，該第一屏蔽膜和該第二屏蔽膜包括覆蓋部分和壓緊部分，該覆蓋部分和該壓緊部分被布置為使得在橫截面中，該第一屏蔽膜和該第二屏蔽膜的覆蓋部分組合起來基本上圍繞每一個導體組，并且該第一屏蔽膜和該第二屏蔽膜的壓緊部分組合起來在每一個導體組的每一側上形成電纜的壓緊部分；第一 EMI吸收層，該第一 EMI吸收層設置在電纜的第一側上；和第一粘合劑層，該第一粘合劑層在電纜的壓緊部分中將第一屏蔽膜粘合至第二屏蔽膜；其中:多個導體組包括第一導體組，該第一導體組包括相鄰的第一絕緣導體和第二絕緣導體，并具有第一屏蔽膜和第二屏蔽膜的對應第一覆蓋部分以及在第一導體組的一側上形成電纜的第一壓緊區(qū)域的第一屏蔽膜和第二屏蔽膜的對應第一壓緊部分；第一屏蔽膜和第二屏蔽膜的第一覆蓋部分之間的最大間距為D ；第一屏蔽膜和第二屏蔽膜的第一壓緊部分之間的最小間距為Cl1 ；d/D 為小于 0.25;在該第一絕緣導體和第二絕緣導體之間的區(qū)域中，該第一屏蔽膜和第二屏蔽膜的第一覆蓋部分之間的最小間距為d2 ;并且(12/1)為大于0.33。項2是根據(jù)項I所述的電纜，其中(VD為小于0.1。項3是根據(jù)項I所述的電纜，其中第一 EMI吸收層設置在第一屏蔽膜和多個導體組之間。項4是根據(jù)項I所述的電纜，其中第一屏蔽膜設置在第一 EMI吸收層和多個導體組之間。項5是根據(jù)項I所述的電纜，還包括設置在電纜的第二側上的第二 EMI吸收層。項6是屏蔽電纜，其包括:多個導體組，該多個導體組沿著電纜的長度延伸并沿著電纜的寬度彼此間隔開，每一個導體組包括一個或多個絕緣導體」第一屏蔽膜和第二屏蔽膜，該第一屏蔽膜和該第二屏蔽膜設置在電纜的相對的第一側和第二側上，該第一屏蔽膜和該第二屏蔽膜包括覆蓋部分和壓緊部分，該覆蓋部分和該壓緊部分被布置為使得在橫截面中，該第一屏蔽膜和該第二屏蔽膜的覆蓋部分組合起來基本上圍繞每一個導體組，并且該第一屏蔽膜和該第二屏蔽膜的壓緊部分組合起來在每一個導體組的每一側上形成電纜的壓緊部分；第一 EMI吸收層，該第一 EMI吸收層設置在電纜的第一側上；和第一粘合劑層，該第一粘合劑層在電纜的壓緊部分中將第一屏蔽膜粘合至第二屏蔽膜；其中:多個導體組包括第一導體組，該第一導體組包括相鄰的第一絕緣導體和第二絕緣導體，并具有該第一屏蔽膜和該第二屏蔽膜的對應第一覆蓋部分以及在該第一導體組的一側上形成電纜的第一壓緊電纜部分的第一屏蔽膜和第二屏蔽膜的對應第一壓緊部分；第一屏蔽膜和第二屏蔽膜的第一覆蓋部分之間的最大間距為D ；第一屏蔽膜和第二屏蔽膜的第一壓緊部分之間的最小間距為Cl1 ；d/D 為小于 0.25 ;和第一絕緣導體相對于第二絕緣導體的高頻電隔離基本上小于第一導體組相對于相鄰的導體組的高頻電隔離。項7是根據(jù)項6所述的電纜，其中(VD為小于0.1。項8是根據(jù)項6所述的電纜，其中第一絕緣導體相對于第二導體的高頻隔離為在3至15GHz的指定頻率范圍和I米的長度下的第一遠端串擾Cl，并且第一導體組相對于相鄰導體組的高頻隔離為在該指定頻率下的第二遠端串擾C2，并且其中C2比Cl低至少10dB。項9是根據(jù)項6所述的電纜，其中第一屏蔽膜和第二屏蔽膜的覆蓋部分組合起來通過包圍每一個導體組周邊的至少70%而基本上圍繞每一個導體組。項10是屏蔽電纜，其包括:多個導體組，該多個導體組沿著電纜的長度延伸并沿著電纜的寬度彼此間隔開，每一個導體組包括一個或多個絕緣導體；第一屏蔽膜和第二屏蔽膜，該第一屏蔽膜和該第二屏蔽膜包括同心部分、壓緊部分和過渡部分，該同心部分、該壓緊部分和該過渡部分被布置為使得在橫截面中，該同心部分與每一個導體組的一個或多個末端導體基本上同心，該第一屏蔽膜和該第二屏蔽膜的壓緊部分組合起來在該導體組的兩側上形成電纜的壓緊部分，并且該過渡部分提供該同心部分與該壓緊部分之間的逐漸過渡；和第一 EMI吸收層，該第一 EMI吸收層設置在多個導體組上；其中每一個屏蔽膜包括導電層；過渡部分中的第一過渡部分靠近一個或多個末端導體中的第一末端導體，并具有被限定為第一屏蔽膜和第二屏蔽膜的導電層、同心部分與靠近第一末端導體的壓緊部分中的第一壓緊部分之間的區(qū)域的橫截面積A1，其中A1小于第一末端導體的橫截面積；并且每一個屏蔽膜的橫截面以在該電纜的整個寬度上改變的曲率半徑來表征，屏蔽膜中的每一個在該電纜的整個寬度上的曲率半徑為至少100微米。項11是根據(jù)項10所述的電纜，其中橫截面積A1包括第一壓緊部分的邊界作為一條邊界，該邊界由沿著第一壓緊部分的位置限定，在該位置處，第一屏蔽膜和第二屏蔽膜之間的間距d為在第一壓緊部分處第一屏蔽膜和第二屏蔽膜之間的最小間距Cl1的約1.2至約1.5倍。項12是根據(jù)項11所述的電纜，其中橫截面積Al包括線段作為一條邊界，該線段具有在第一屏蔽膜的拐點處的第一端點。項13是根據(jù)項11所述的電纜，其中線段具有在第二屏蔽膜的拐點處的第二端點。項14是屏蔽電纜，其包括:多個導體組，該多個導體組沿著電纜的長度延伸并沿著電纜的寬度彼此間隔開，每一個導體組包括一個或多個絕緣導體；第一屏蔽膜和第二屏蔽膜，該第一屏蔽膜和該第二屏蔽膜包括同心部分、壓緊部分和過渡部分，該同心部分、該壓緊部分和該過渡部分被布置為使得在橫截面中，該同心部分與每一個導體組的一個或多個末端導體基本上同心，該第一屏蔽膜和該第二屏蔽膜的壓緊部分組合起來在該導體組的兩側上形成電纜的壓緊區(qū)域，并且該過渡部分提供該同心部分與該壓緊部分之間的逐漸過渡；和第一 EMI吸收層，該第一 EMI吸收層設置在多個導體組上；其中兩個屏蔽膜中的一者包括同心部分中的第一同心部分、壓緊部分中的第一壓緊部分，以及過渡部分中的第一過渡部分，該第一過渡部分將第一同心部分連接至第一壓緊部分；第一同心部分具有曲率半徑R1,過渡部分具有曲率半徑;并且IVr1在2至15范圍內(nèi)。本文出于說明優(yōu)選實施例的目的對本公開所論述的實施例進行了圖示和描述，但本領域的普通技術人員應當理解，在不脫離本發(fā)明的范圍的前提下，各種旨在達到相同目的的替代和/或等同形式的具體實施可以取代圖示和描述的具體實施例。機械、機電以及電氣領域的技術人員將很容易理解到，本發(fā)明可以在眾多實施例中實施。本專利申請旨在涵蓋本文所討論的優(yōu)選實施例的任何修改形式或變型形式。因此，顯而易見，本發(fā)明僅受本發(fā)明權利要求書及其等同物的限制。
權利要求
1.一種屏蔽電纜，包括: 多個導體組，所述多個導體組沿著所述電纜的長度延伸并沿著所述電纜的寬度彼此間隔開，每一個導體組包括一個或多個絕緣導體； 第一屏蔽膜和第二屏蔽膜，所述第一屏蔽膜和所述第二屏蔽膜設置在所述電纜的相對的第一側和第二側上，所述第一屏蔽膜和所述第二屏蔽膜包括覆蓋部分和壓緊部分，所述覆蓋部分和所述壓緊部分被布置為使得在橫截面中，所述第一屏蔽膜和所述第二屏蔽膜的覆蓋部分組合起來基本上圍繞每一個導體組，并且所述第一屏蔽膜和所述第二屏蔽膜的壓緊部分組合起來在每一個導體組的每一側上形成所述電纜的壓緊部分； 第一 EMI吸收層，所述第一 EMI吸收層設置在所述電纜的所述第一側上；和第一粘合劑層，所述第一粘合劑層在所述電纜的壓緊部分中將所述第一屏蔽膜粘合至所述第二屏蔽膜； 其中: 所述多個導體組包括第一導體組，所述第一導體組包括相鄰的第一絕緣導體和第二絕緣導體，并具有所述第一屏蔽膜和所述第二屏蔽膜的對應第一覆蓋部分以及在所述第一導體組的一側上形成所述電纜的第一壓緊區(qū)域的所述第一屏蔽膜和所述第二屏蔽膜的對應第一壓緊部分； 所述第一屏蔽膜和所述第二屏蔽膜的所述第一覆蓋部分之間的最大間距為D ； 所述第一屏蔽膜和所述第二屏蔽膜的所述第一壓緊部分之間的最小間距為Cl1 ； VD為小于0.25 ； 在所述第一絕緣導體和所述第二絕緣導體之間的區(qū)域中，所述第一屏蔽膜和所述第二屏蔽膜的所述第一覆蓋部分之間的最小間距為d2 ;并且d2/D為大于0.33。
2.根據(jù)權利要求1所述的電纜，其中(V!)為小于0.1。
3.根據(jù)權利要求1所述的電纜，其中所述第一EMI吸收層設置在所述第一屏蔽膜和所述多個導體組之間。
4.根據(jù)權利要求1所述的電纜，其中所述第一屏蔽膜設置在所述第一EMI吸收層和所述多個導體組之間。
5.根據(jù)權利要求1所述的電纜，還包括設置在所述電纜的所述第二側上的第二EMI吸收層。
6.一種屏蔽電纜，包括: 多個導體組，所述多個導體組沿著所述電纜的長度延伸并沿著所述電纜的寬度彼此間隔開，每一個導體組包括一個或多個絕緣導體； 第一屏蔽膜和第二屏蔽膜，所述第一屏蔽膜和所述第二屏蔽膜包括同心部分、壓緊部分和過渡部分，所述同心部分、所述壓緊部分和所述過渡部分被布置為使得在橫截面中，所述同心部分與每一個導體組的一個或多個末端導體基本上同心，所述第一屏蔽膜和所述第二屏蔽膜的所述壓緊部分組合起來在所述導體組的兩側上形成所述電纜的壓緊部分，并且所述過渡部分提供所述同心部分與所述壓緊部分之間的逐漸過渡；和 第一 EMI吸收層，所述第一 EMI吸收層設置在所述多個導體組上_l其中 每一個屏蔽膜包括導電層；所述過渡部分中的第一過渡部分靠近所述一個或多個末端導體中的第一末端導體，并具有被限定為所述第一屏蔽膜和所述第二屏蔽膜的所述導電層、所述同心部分與靠近所述第一末端導體的所述壓緊部分中的第一壓緊部分之間的區(qū)域的橫截面積A1，其中A1小于所述第一末端導體的橫截面積；并且 每一個屏蔽膜的橫截面以在所述電纜的整個寬度上改變的曲率半徑來表征，屏蔽膜中的每一個在所述電纜的整個寬度上的曲率半徑為至少100微米。
7.根據(jù)權利要求6所述的電纜，其中所述橫截面積A1包括所述第一壓緊部分的邊界作為一條邊界，所述邊界由沿著所述第一壓緊部分的位置限定，在該位置處，所述第一屏蔽膜和所述第二屏蔽膜之間的間距d為在所述第一壓緊部分處所述第一屏蔽膜和所述第二屏蔽膜之間的最小間距Cl1的約1.2至約1.5倍。
8.根據(jù)權利要求7所述的電纜，其中所述橫截面積A1包括線段作為一條邊界，所述線段具有在所述第一屏蔽膜的拐點處的第一端點。
9.根據(jù)權利要求7所述的電纜，其中所述線段具有在所述第二屏蔽膜的拐點處的第二端點。
10.一種屏蔽電纜,包括: 多個導體組，所述多 個導體組沿著所述電纜的長度延伸并沿著所述電纜的寬度彼此間隔開，每一個導體組包括一個或多個絕緣導體； 第一屏蔽膜和第二屏蔽膜，所述第一屏蔽膜和所述第二屏蔽膜包括同心部分、壓緊部分和過渡部分，所述同心部分、所述壓緊部分和所述過渡部分被布置為使得在橫截面中，所述同心部分與每一個導體組的一個或多個末端導體基本上同心，所述第一屏蔽膜和所述第二屏蔽膜的壓緊部分組合起來在所述導體組的兩側上形成所述電纜的壓緊區(qū)域，并且所述過渡部分提供所述同心部分與所述壓緊部分之間的逐漸過渡；和 第一 EMI吸收層，所述第一 EMI吸收層設置在所述多個導體組上；其中所述兩個屏蔽膜中的一者包括同心部分中的第一同心部分、所述壓緊部分中的第一壓緊部分，以及所述過渡部分中的第一過渡部分，所述第一過渡部分將所述第一同心部分連接至所述第一壓緊部分； 第一同心部分具有曲率半徑R1,過渡部分具有曲率半徑η ;并且 札/^在〗至15范圍內(nèi)。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種屏蔽電纜(2202)，所述屏蔽電纜(2202)包括沿著所述電纜的長度延伸并沿著所述電纜的寬度彼此間隔開的多個導體組(2204a、2204b)。每一個導體組(2204a、2204b)包括一個或多個絕緣導體(2206a、2206b)以及設置在所述電纜的相對的第一側和第二側上的第一屏蔽膜和第二屏蔽膜(2208)。所述第一膜和第二膜(2208)包括覆蓋部分(2207)和壓緊部分(2209)。電纜(2202)還包括EMI吸收層(2250)。所述第一和第二屏蔽膜的所述第一覆蓋部分之間的最大間距為D。所述第一和第二絕緣導體(2206a、2206b)之間的區(qū)域中的所述第一和第二屏蔽膜(2208)的所述第一壓緊部分(2209)之間的最小間距為d2。d2/D大于0.33。
文檔編號H01B7/08GK103119661SQ201080069249
公開日2013年5月22日 申請日期2010年12月16日 優(yōu)先權日2010年9月23日
發(fā)明者道格拉斯·B·貢德爾 申請人:3M創(chuàng)新有限公司