專利名稱:正型光敏組合物的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域:
本發(fā)明涉及一種在半導體制造過程中使用的正型光敏組合物。
背景技術(shù):
一般來說,在半導體制造中使用的光敏組合物大多數(shù)顯示正型,因為被曝光部分 通過紫外線照射在堿水溶液中溶解。所述組合物可包含溶解在所述堿水溶液中的樹脂、在 所述堿水溶液中不溶解而且對紫外線敏感的光敏化合物和其他添加劑。作為在所述堿水溶液中溶解的樹脂的實例,可以提到聚酰胺衍生物。此樹脂可通 過加熱被轉(zhuǎn)化為聚酰胺和聚苯并噁唑,從而顯示耐熱樹脂的特性。在現(xiàn)有技術(shù)中,可使用 不具有光敏性的組合物,然而近年來,為了簡化過程的目的,出現(xiàn)了優(yōu)選具有光敏性的組合 物的趨勢。采用一般的聚酰胺衍生物制成的光敏組合物會表現(xiàn)差的熱穩(wěn)定性,從而會對圖 案形成產(chǎn)生不利影響,或者在約350°C經(jīng)受交聯(lián)處理時出現(xiàn)明顯的體積減縮,因而需要使用 單獨的交聯(lián)劑。在此情況下,由于具有交聯(lián)特性的化合物的特性,所述圖案的分辨率會被降 低,且在交聯(lián)過程中分子間的交聯(lián)程度會嚴重,從而聚酰亞胺樹脂的固有特性的延展性會 降低。當形成所述圖案的時候,這些添加劑會降低光敏性,從而處理時間會被延長。在近期的半導體制造過程中,光敏組合物可被涂在薄片上然后經(jīng)受圖案化,且在 350°C下被加熱1個小時從而在薄膜上進行交聯(lián)。當交聯(lián)溫度升高的時候,在半導體裝置上 會產(chǎn)生不利的影響。相應(yīng)地,需要即使在較低溫度下仍具有高的可靠性的組合物。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明一方面提供了一種具有優(yōu)異的粘附性和耐熱性的高敏感度的光敏樹脂組 合物。根據(jù)本發(fā)明的一方面,提供了一種光敏樹脂組合物,基于100重量份的聚酰胺 衍生物,該光敏樹脂組合物包含0. 1到20重量份的多面體低聚硅倍半氧烷(polygonal oligomeric silsesquioxane)衍生物,和5到30重量份的光致生成酸化合物。本發(fā)明的其它方面、特征和/或優(yōu)點將在接下來的描述中部分地闡述,在所述描 述中將變得清楚,或者可通過本發(fā)明的實踐而領(lǐng)會。效果根據(jù)示例性實施方案,提供了一種光敏樹脂組合物,即使在較低溫度下,該光敏樹 脂組合物也可容易地交聯(lián),可對于基板具有優(yōu)異的粘附性從而減小在顯影過程中的次品比 例,且可具有優(yōu)異的耐熱性從而減小由于熱引起的次品比例。
發(fā)明內(nèi)容
以下,根據(jù)實施例的光敏樹脂組合物將被詳細描述。所述光敏樹脂組合物可基于100重量份的聚酰胺衍生物包含0. 1到20重量份的 多面體低聚硅倍半氧烷衍生物,和5到30重量份的光致生成酸化合物。所述聚酰胺衍生物可通過使例如二羧酸和二氨基苯酚等的聚合體反應(yīng)來生成,且 所述聚合體可包含酸性官能團或者衍生的取代基。所述聚酰胺衍生物可由以下化學式1表示[化學式1]
權(quán)利要求
1.一種光敏樹脂組合物,基于100重量份的聚酰胺衍生物,該光敏樹脂組合物包含0.1 到20重量份的多面體低聚硅倍半氧烷衍生物,和5到30重量份的光致生成酸化合物。
2.如權(quán)利要求1所述的光敏樹脂組合物,其中所述聚酰胺衍生物由以下化學式1表示[化學式1]
3.如權(quán)利要求1所述的光敏樹脂組合物,其中所述聚酰胺衍生物化合物由以下化學式 2表不[化學式2]
4.如權(quán)利要求1所述的光敏樹脂組合物,其中所述多面體低聚硅倍半氧烷衍生物可由 以下化學式3表示[化學式3]
5.如權(quán)利要求1所述的光敏樹脂組合物,其中所述多面體低聚硅倍半氧烷衍生物可由 以下化學式4表示[化學式4](RSiO372) 1 (RXSiO)m,R表示氫原子,具有1到30個碳原子的取代或未取代的脂肪族或芳香族單鍵,以及包含 硅、氧、硫和氮中的一種的有機基中的一個,X表示0 R',R'表示氫原子、烷基、芳基和鹵原 子中的一種,1表示一個4到15的整數(shù),且k表示一個1到5的整數(shù)。
6.如權(quán)利要求1所述的光敏樹脂組合物,其中所述光致生成酸化合物包含重氮萘酚。
7.如權(quán)利要求1所述的光敏樹脂組合物,進一步包括從由防腐蝕制劑、表面活性劑和 防泡劑組成的組中選擇的至少一種添加劑。
8.一種圖案形成方法,包括在基板上施加光敏樹脂組合物,基于100重量份的聚酰胺衍生物,所述光敏樹脂組合 物包含0. 1到20重量份的多面體低聚硅倍半氧烷衍生物,和5到30重量份的光致生成酸 化合物;干燥施加了所述光敏樹脂組合物的基板; 曝光被干燥的所述基板; 顯影經(jīng)曝光的基板;且 熱處理經(jīng)顯影的基板。
9. 一種包含以圖案形成方法形成的圖案層的半導體設(shè)備,所述圖案形成方法包括 在基板上施加光敏樹脂組合物,基于100重量份的聚酰胺衍生物,所述光敏樹脂組合 物包含0. 1到20重量份的多面體低聚硅倍半氧烷衍生物,和5到30重量份的光致生成酸 化合物;干燥施加了所述光敏樹脂組合物的基板; 曝光被干燥的所述基板; 顯影經(jīng)曝光的基板;且 熱處理經(jīng)顯影的基板。
全文摘要
本申請公開了一種正型光敏組合物,基于100重量份的聚酰胺衍生物,所述光敏樹脂組合物包含0.1到20重量份的多面體低聚硅倍半氧烷衍生物,和5到30重量份的光致生成酸化合物。
文檔編號H01L21/027GK102141732SQ20111000426
公開日2011年8月3日 申請日期2011年1月11日 優(yōu)先權(quán)日2010年1月22日
發(fā)明者姜錫燦, 李進翰 申請人:韓國錦湖石油化學株式會社