專利名稱：一種疊層片式壓敏電阻排的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及壓敏電阻，特別是涉及一種疊層片式壓敏電阻排。
背景技術(shù)：
在同一印刷電路板(Printed Circuit Board，縮略詞為PCB)線路采用多個片式 壓敏電阻時，常常占用過多線路面積，導(dǎo)致電路復(fù)雜化，帶來電路設(shè)計、維護(hù)方面的隱患。 而片式壓敏電阻排作為一種新型壓敏元件，能夠在同一單體上集成多個壓敏電阻并且每 個壓敏電阻與表層電阻層構(gòu)成RC回路，不僅縮小產(chǎn)品體積的優(yōu)勢，還具有壓敏電阻的防 護(hù)靜電放電(Electrc^tatic Discharge，縮略詞為 ESD)和電磁干擾(Electromagnetic hterference，縮略詞為EMI)的效果，正在應(yīng)用于多功能化、微型化的通信、消費類電子產(chǎn) 品上。但是，如何提供結(jié)構(gòu)設(shè)計多樣化的片式壓敏電阻排以滿足各種電路保護(hù)的應(yīng)用要求， 仍然需要進(jìn)一步改進(jìn)與完善。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是彌補(bǔ)上述現(xiàn)有技術(shù)的缺陷，提供一種疊層片式壓敏 電阻排。本發(fā)明的技術(shù)問題通過以下技術(shù)方案予以解決。這種疊層片式壓敏電阻排，呈長方體狀結(jié)構(gòu)，包括側(cè)內(nèi)電極、側(cè)外電極、壓敏陶瓷 基體及其表面絕緣層。這種疊層片式壓敏電阻排的特點是沿長方體的寬度方向集成至少兩個獨立的單體疊層片式壓敏電阻，所述獨立的單 體疊層片式壓敏電阻的側(cè)外電極沿長方體的長度方向并排均勻?qū)ΨQ設(shè)置，每組側(cè)外電極分 別與壓敏陶瓷基體內(nèi)部設(shè)置的一組側(cè)內(nèi)電極相連。所述一組側(cè)內(nèi)電極包括至少一個內(nèi)電極疊層單元，所述側(cè)內(nèi)電極之間以及內(nèi)電極 疊層單元之間的間隙是壓敏陶瓷基體。所述內(nèi)電極疊層單元由則彡1的正整數(shù)}+1個相同參數(shù)的內(nèi)電極組成。本發(fā)明的技術(shù)問題通過以下進(jìn)一步的技術(shù)方案予以解決。如果N是奇數(shù)1，分別與兩個側(cè)外電極連接的內(nèi)電極是在長方體的長度方向平行 且在長方體的高度方向有高度差的相互交錯的兩個內(nèi)電極，且構(gòu)成N = 1個電容。如果N是至少為3的奇數(shù)，分別與兩個側(cè)外電極連接的內(nèi)電極是在長方體的長度 方向平行且在長方體的高度方向有高度差的相互交錯的兩個內(nèi)電極，其它的內(nèi)電極沿長方 體的長度方向與兩側(cè)的內(nèi)電極保持相同的高度差且交替平行均勻?qū)ΨQ，構(gòu)成N個串聯(lián)電 容。如果N是偶數(shù)，分別與兩個側(cè)外電極連接的內(nèi)電極是在長方體的長度方向平行且 在長方體的高度方向無高度差的相互相對的兩個內(nèi)電極，其它的內(nèi)電極沿長方體的長度方 向與兩側(cè)的內(nèi)電極保持在長方體的高度方向有相同的高度差且交替平行均勻?qū)ΨQ，構(gòu)成N個串聯(lián)電容。本發(fā)明的技術(shù)問題通過以下再進(jìn)一步的技術(shù)方案予以解決。所述壓敏陶瓷基體的材料是氧化鋅、碳化硅、鈦酸鋇中的至少一種。所述表面絕緣層是玻璃和高分子樹脂中的一種。所述表面絕緣層厚度為1 20 μ m。所述側(cè)外電極是純銀電極和在銀表面先電鍍一層鎳后電鍍一層錫的銀電極中的一種。所述內(nèi)電極的材料是銀、鈀、鉬中的至少一種。所述內(nèi)電極厚度為1 20 μ m，寬度不超過側(cè)外電極的寬度。
本發(fā)明與現(xiàn)有技術(shù)對比的有益效果是本發(fā)明產(chǎn)品所述疊層片式壓敏電阻排集成了多個獨立的單體疊層片式壓敏電阻 即是多個獨立的單體疊層片式壓敏電阻集成的排列式產(chǎn)品，仍然按照獨立的單體疊層片式 壓敏電阻的方式接入電路中應(yīng)用，并獨自對相應(yīng)的線路或元件進(jìn)行過電壓保護(hù)，可以顯著 減小PCB板占用空間，為電子線路設(shè)計提供更多便利。


圖1是本發(fā)明疊層片式壓敏電阻排的解體結(jié)構(gòu)圖；圖2是本發(fā)明疊層片式壓敏電阻排的局部剖視圖(圖中未畫出表面絕緣層)；圖3是本發(fā)明具體實施方式
一的立體透視結(jié)構(gòu)圖；圖4是圖3的長度方向剖視圖；圖5是本發(fā)明具體實施方式
二的立體透視結(jié)構(gòu)圖；圖6是圖5的長度方向剖視圖；圖7是本發(fā)明具體實施方式
三的立體透視結(jié)構(gòu)圖；圖4是圖3的長度方向剖視圖。
具體實施例方式
下面結(jié)合具體實施方式
并對照附圖對本發(fā)明進(jìn)行說明。
具體實施方式
一一種如圖1 4所示的疊層片式壓敏電阻排，呈長方體狀結(jié)構(gòu)，包括側(cè)內(nèi)電極3、側(cè) 外電極1、壓敏陶瓷基體2及其表面絕緣層4。側(cè)外電極1覆蓋在壓敏陶瓷基體2側(cè)面，并 延展至上、下兩個壓敏陶瓷基體2表面，延伸出的部分電極長度為50 μ m,以增加側(cè)外電極1 與壓敏陶瓷基體2的附著力，有助于進(jìn)行焊接。沿長方體的寬度方向集成四個獨立的單體疊層片式壓敏電阻，獨立的單體疊層片 式壓敏電阻的側(cè)外電極1沿長方體的長度方向并排均勻?qū)ΨQ設(shè)置，每組側(cè)外電極1分別與 壓敏陶瓷基體2內(nèi)部設(shè)置的一組側(cè)內(nèi)電極3相連。一組側(cè)內(nèi)電極3包括至少一個內(nèi)電極疊 層單元，側(cè)內(nèi)電極3之間以及內(nèi)電極疊層單元之間的間隙是壓敏陶瓷基體2。內(nèi)電極疊層單元由N{ = 1}+1個相同參數(shù)的內(nèi)電極組成。分別與兩個側(cè)外電極1 連接的內(nèi)電極3是在長方體的長度方向平行且在高度方向有高度差的相互交錯的兩個內(nèi) 電極，且構(gòu)成N= 1個電容。內(nèi)電極3寬度小于外電極1寬度。
具體實施方式
二—種如圖5、6所示的疊層片式壓敏電阻排，呈長方體狀結(jié)構(gòu)，外觀同具體實施方 式一，區(qū)別在于內(nèi)電極疊層單元由N{ = 3的正整數(shù)}+1個相同參數(shù)的內(nèi)電極組成。分別與兩個 側(cè)外電極1連接的內(nèi)電極3是在長方體的長度方向平行且在長方體的高度方向有高度差的 相互交錯的兩個內(nèi)電極，其它的兩個內(nèi)電極沿長方體的長度方向與兩側(cè)的內(nèi)電極保持相同 的高度差且交替平行均勻?qū)ΨQ，構(gòu)成三個串聯(lián)電容。
具體實施方式
三一種如圖5、6所示的疊層片式壓敏電阻排，呈長方體狀結(jié)構(gòu)，外觀同具體實施方 式一，區(qū)別在于所述內(nèi)電極疊層單元由則=2}+1個相同參數(shù)的內(nèi)電極組成。分別與兩個側(cè)外電 極1連接的內(nèi)電極是在長方體的長度方向平行且在長方體的高度方向無高度差的相互相 對的兩個內(nèi)電極，其它的一個內(nèi)電極沿長方體的長度方向與兩側(cè)的內(nèi)電極保持在長方體的 高度方向有相同的高度差且交替平行均勻?qū)ΨQ，構(gòu)成兩個串聯(lián)電容。以上內(nèi)容是結(jié)合具體的優(yōu)選實施方式對本發(fā)明所作的進(jìn)一步詳細(xì)說明，不能認(rèn)定 本發(fā)明的具體實施只局限于這些說明。對于本發(fā)明所屬技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說，在 不脫離本發(fā)明構(gòu)思的前提下做出若干等同替代或明顯變型，而且性能或用途相同，都應(yīng)當(dāng) 視為屬于本發(fā)明由所提交的權(quán)利要求書確定的專利保護(hù)范圍。
權(quán)利要求
1.一種疊層片式壓敏電阻排，呈長方體狀結(jié)構(gòu)，包括側(cè)內(nèi)電極、側(cè)外電極、壓敏陶瓷基 體及其表面絕緣層，其特征在于沿長方體的寬度方向集成至少兩個獨立的單體疊層片式壓敏電阻，所述獨立的單體疊 層片式壓敏電阻的側(cè)外電極沿長方體的長度方向并排均勻?qū)ΨQ設(shè)置，每組側(cè)外電極分別與 壓敏陶瓷基體內(nèi)部設(shè)置的一組側(cè)內(nèi)電極相連；所述一組側(cè)內(nèi)電極包括至少一個內(nèi)電極疊層單元，所述側(cè)內(nèi)電極之間以及內(nèi)電極疊層 單元之間的間隙是壓敏陶瓷基體；所述內(nèi)電極疊層單元由則^ 1的正整數(shù)}+1個相同參數(shù)的內(nèi)電極組成。
2.如權(quán)利要求1所述的疊層片式壓敏電阻排，其特征在于如果N是奇數(shù)1，分別與兩個側(cè)外電極連接的內(nèi)電極是在長方體的長度方向平行且在 長方體的高度方向有高度差的相互交錯的兩個內(nèi)電極，且構(gòu)成N = 1個電容。
3.如權(quán)利要求1所述的疊層片式壓敏電阻排，其特征在于如果N是至少為3的奇數(shù)，分別與兩個側(cè)外電極連接的內(nèi)電極是在長方體的長度方向 平行且在長方體的高度方向有高度差的相互交錯的兩個內(nèi)電極，其它的內(nèi)電極沿長方體的 長度方向與兩側(cè)的內(nèi)電極保持相同的高度差且交替平行均勻?qū)ΨQ，構(gòu)成N個串聯(lián)電容。
4.如權(quán)利要求1所述的疊層片式壓敏電阻排，其特征在于如果N是偶數(shù)，分別與兩個側(cè)外電極連接的內(nèi)電極是在長方體的長度方向平行且在長 方體的高度方向無高度差的相互相對的兩個內(nèi)電極，其它的內(nèi)電極沿長方體的長度方向與 兩側(cè)的內(nèi)電極保持在長方體的高度方向有相同的高度差且交替平行均勻?qū)ΨQ，構(gòu)成N個串 聯(lián)電容。
5.如權(quán)利要求1或2或3或4所述的疊層片式壓敏電阻排，其特征在于 所述壓敏陶瓷基體的材料是氧化鋅、碳化硅、鈦酸鋇中的至少一種。
6.如權(quán)利要求5所述的疊層片式壓敏電阻排，其特征在于 所述表面絕緣層是玻璃和高分子樹脂中的一種。
7.如權(quán)利要求6所述的疊層片式壓敏電阻排，其特征在于 所述表面絕緣層厚度為1 20 μ m。
8.如權(quán)利要求7所述的疊層片式壓敏電阻排，其特征在于所述側(cè)外電極是純銀電極和在銀表面先電鍍一層鎳后電鍍一層錫的銀電極中的一種。
9.如權(quán)利要求8所述的疊層片式壓敏電阻排，其特征在于 所述內(nèi)電極的材料是銀、鈀、鉬中的至少一種。
10.如權(quán)利要求9所述的疊層片式壓敏電阻排，其特征在于 所述內(nèi)電極厚度為1 20 μ m，寬度不超過側(cè)外電極的寬度。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種疊層片式壓敏電阻排，呈長方體狀結(jié)構(gòu)，包括側(cè)內(nèi)電極、側(cè)外電極、壓敏陶瓷基體及其表面絕緣層，其特征在于沿長方體的寬度方向集成至少兩個獨立的單體疊層片式壓敏電阻，所述獨立的單體疊層片式壓敏電阻的側(cè)外電極沿長方體的長度方向并排均勻?qū)ΨQ設(shè)置，每組側(cè)外電極分別與壓敏陶瓷基體內(nèi)部設(shè)置的一組側(cè)內(nèi)電極相連。所述一組側(cè)內(nèi)電極包括至少一個內(nèi)電極疊層單元，所述側(cè)內(nèi)電極之間以及內(nèi)電極疊層單元之間的間隙是壓敏陶瓷基體。所述內(nèi)電極疊層單元由N{≥1的正整數(shù)}+1個相同參數(shù)的內(nèi)電極組成。本發(fā)明是多個獨立的單體疊層片式壓敏電阻集成的排列式產(chǎn)品，可以顯著減小PCB板占用空間，為電子線路設(shè)計提供更多便利。
文檔編號H01C13/02GK102142308SQ20111000611
公開日2011年8月3日 申請日期2011年1月12日 優(yōu)先權(quán)日2011年1月12日
發(fā)明者馮志剛, 師習(xí)恩, 成學(xué)軍, 毛海波, 王小波, 賈廣平 申請人:深圳順絡(luò)電子股份有限公司