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      薄膜晶體管、其制造方法和具有該薄膜晶體管的顯示設(shè)備的制作方法

      文檔序號:6993323閱讀:89來源:國知局
      專利名稱:薄膜晶體管、其制造方法和具有該薄膜晶體管的顯示設(shè)備的制作方法
      技術(shù)領(lǐng)域
      本發(fā)明涉及一種薄膜晶體管,一種制造薄膜晶體管的方法以及具有該薄膜晶體管的顯示設(shè)備,更為具體地,涉及一種具有通過連續(xù)側(cè)向結(jié)晶(SLQ形成的半導(dǎo)體層的薄膜晶體管、一種制造該薄膜晶體管的方法以及一種具有該薄膜晶體管的顯示設(shè)備。
      背景技術(shù)
      利用液晶的光電特性的液晶顯示設(shè)備被分類為無源矩陣型和有源矩陣型。利用薄膜晶體管的有源矩陣型液晶顯示設(shè)備在分辨率和顯示運動圖像的能力方面極好,并且比無源矩陣型應(yīng)用得更加廣泛。有源矩陣型液晶顯示設(shè)備(TFT-LCD)包括在兩個基板之間注入了液晶的顯示面板、布置在顯示面板的后側(cè)且用作光源的背光以及用于驅(qū)動顯示面板的驅(qū)動IC。從背光進入顯示面板的光由根據(jù)驅(qū)動IC提供的信號所定向的液晶進行調(diào)制,并且輸出到外部以便顯示文本和圖像。在有源矩陣型液晶顯示設(shè)備中,薄膜晶體管形成在鄰近背光的基板上。特別地,頂柵結(jié)構(gòu)式薄膜晶體管,具有溝道區(qū)的半導(dǎo)體層鄰近該基板形成。因此,電特性被改變,使得泄漏電流因來自背光的入射光產(chǎn)生的電子空穴對所造成的載流子的增多而增大。結(jié)果,亮度被改變或者存在諸如在以垂直線的形式發(fā)射的光中發(fā)生的垂直串?dāng)_之類的故障,所以圖像質(zhì)量被惡化。隨著背光的亮度增加,這種故障變得更加嚴重。

      發(fā)明內(nèi)容
      因此,本發(fā)明的實施例提供了一種能最小化由電子空穴造成的泄漏電流的薄膜晶體管、一種制造這種薄膜晶體管的方法以及一種包括這種薄膜晶體管的顯示設(shè)備。本發(fā)明的實施例提供了一種用于保持電特性均勻的薄膜晶體管、一種制造這種薄膜晶體管的方法以及一種包括這種薄膜晶體管的顯示設(shè)備。為了實現(xiàn)本發(fā)明的上述和/或其它方面,根據(jù)本發(fā)明的實施例的薄膜晶體管包括半導(dǎo)體層,形成在基板上;柵極絕緣層,形成在包括所述半導(dǎo)體層的基板上;柵電極,形成在所述半導(dǎo)體層上方的所述柵電極上;源電極和漏電極,連接到所述半導(dǎo)體層;以及3. 5 至4. 5個突起,提供在與所述柵電極交疊的半導(dǎo)體層上。根據(jù)本發(fā)明的實施例,一種制造薄膜晶體管的方法包括在基板上形成非晶半導(dǎo)體層;使所述非晶半導(dǎo)體層結(jié)晶;在通過結(jié)晶步驟形成有突起的所述非晶半導(dǎo)體層上形成柵極絕緣層;在柵極絕緣層上形成柵電極;并且形成連接到所述半導(dǎo)體層的源電極和漏電極;其中所述柵電極與3. 5至4. 5個突起交疊。根據(jù)本發(fā)明的實施例,具有薄膜晶體管的顯示設(shè)備包括第一基板,在所述第一基板上形成有薄膜晶體管和連接到所述薄膜晶體管的第一電極;第二基板,在所述第二基板上形成有第二電極;以及注入所述第一電極和所述第二電極之間的密封空間的液晶層; 其中所述薄膜晶體管包括形成在所述第一基板上的半導(dǎo)體層、形成在包括所述半導(dǎo)體層
      4的所述第一基板上的柵極絕緣層、形成在在所述半導(dǎo)體層上方的所述柵極絕緣層上的柵電極、連接到所述半導(dǎo)體層的源電極和漏電極以及在與所述柵電極交疊的半導(dǎo)體層上形成的 3. 5至4. 5個突起。根據(jù)本發(fā)明的實施例的薄膜晶體管包括半導(dǎo)體層包括通過連續(xù)側(cè)向結(jié)晶(SLS) 方法結(jié)晶而成的半導(dǎo)體層,并且與所述柵電極交疊的半導(dǎo)體層包括多個突起。當(dāng)非晶半導(dǎo)體層通過SLS方法進行結(jié)晶時,這些突起形成為垂直于半導(dǎo)體層的縱向。當(dāng)與所述柵電極交疊的半導(dǎo)體層的突起的數(shù)目增加超過預(yù)定的數(shù)目時,由于閾值電壓因短溝道效應(yīng)的降低而被改變?yōu)檎烹妷?,因此可以減小泄漏電流。然而,由于缺陷增加,所以電特性因電流的減小而惡化。另外,當(dāng)與所述柵電極交疊的半導(dǎo)體層的突起的數(shù)目被減少為少于預(yù)定數(shù)目時,由于泄漏電流因短溝道效應(yīng)而增大,所以薄膜晶體管發(fā)生故障。根據(jù)本發(fā)明的實施例,與柵電極交疊的半導(dǎo)體層包括3. 5至4. 5個突起。當(dāng)為了最小化泄漏電流和缺陷而調(diào)整如上所述的所述突起的數(shù)目時,可以保持薄膜晶體管的電特性均勻,并且可以防止由故障造成的顯示設(shè)備的圖像質(zhì)量變差。


      結(jié)合附圖,參照以下詳細的描述,本發(fā)明的完整理解和許多其附加優(yōu)點將容易顯而易見,同時變得更好理解,在附圖中,相同的附圖標記表示相同或類似的元件,其中圖IA是圖示說明根據(jù)本發(fā)明的實施例的薄膜晶體管的剖視圖;圖IB是圖示說明根據(jù)本發(fā)明的實施例的薄膜晶體管的俯視圖;圖2A至圖2E是根據(jù)本發(fā)明的實施例的制造薄膜晶體管的方法的剖視圖;圖3A是圖示說明薄膜晶體管的閾值電壓(Vth)隨突起的數(shù)目的變化的曲線圖;圖;3B是圖示說明薄膜晶體管的泄漏電流隨突起的數(shù)目的變化的曲線圖;圖3C是圖示說明薄膜晶體管的電流隨突起的數(shù)目的變化的曲線圖;圖4是圖示說明根據(jù)本發(fā)明的另一實施例的薄膜晶體管的俯視圖;圖5是圖示說明應(yīng)用了根據(jù)本發(fā)明的實施例的薄膜晶體管的液晶顯示器的透視圖;圖6是更詳細地圖示說明圖5的基板的剖視圖;以及圖7是圖示說明顯示設(shè)備的串?dāng)_(V-CT)相對于突起的數(shù)目的曲線圖。
      具體實施例方式在下列的詳細描述中,僅已通過圖示說明的方式示出并描述了本發(fā)明的某些示范性實施例。如本領(lǐng)域技術(shù)人員將會認識到的,可以以各種不同的方式對所描述的實施例進行修改,而均不脫離本發(fā)明的精神或范圍。相應(yīng)地,這些附圖和描述將被認為在本質(zhì)上是示例性的而非限制性的。另外,當(dāng)元件被稱為在另一元件“上”時,它可以直接在另一元件上, 也可以間接在另一元件上,并且在它們之間插入一個或多個中間元件。同樣,當(dāng)元件被稱為 “連接到”另一元件時,它可以直接連接到另一元件,也可以間接連接到另一元件,并且在它們之間插入一個或多個中間元件。在下文中,相同的附圖標記指示相同的元件。圖IA和圖IB分別是圖示說明根據(jù)本發(fā)明的實施例的薄膜晶體管的剖視圖和俯視圖。圖IA是沿圖IB的線11-12截取的剖視圖。參見圖IA和1B,緩沖層112形成在基板110上,并且半導(dǎo)體層IHa形成在緩沖層 112上。半導(dǎo)體層114a,分別包括源極區(qū)IHc和漏極區(qū)114d,由多晶硅制成并且包括多個形成在表面上的多個突起114b。突起114b可以按例如2 μ m至3 μ m的規(guī)則間隔形成,并且可以垂直于半導(dǎo)體層IHa的縱向,也就是,具有平行于半導(dǎo)體層IHa的縱向的帶形。柵極絕緣層116形成在包括半導(dǎo)體層11 的緩沖層112上,并且柵電極118形成在所述柵極絕緣層116上。柵電極118與突起114b之中形成在半導(dǎo)體層11 上的3. 5至 4. 5個突起114b交疊。表述“突起114b的數(shù)目的0. 5”意味著突起114b與柵電極118的邊緣交疊大約1/2。層間絕緣層120形成在包括柵電極118的柵極絕緣層116上,并且接觸孔120a形成在層間絕緣層120和柵極絕緣層116上以便分別暴露源極區(qū)IHc和漏極區(qū)114d的半導(dǎo)體層114a。源電極12 和漏電極122b形成在層間絕緣層120上,并且通過接觸孔120a連接到源極區(qū)114c和漏極區(qū)114d的半導(dǎo)體層114a。將通過制造薄膜晶體管的方法詳細描述本發(fā)明。圖2A至2E是圖示說明根據(jù)本發(fā)明的實施例的制造薄膜晶體管的剖視圖。參見圖2A,緩沖層112和非晶半導(dǎo)體層114順序形成在基板110上。非晶半導(dǎo)體層114可以通過化學(xué)氣相沉積(CVD)或濺射方法沉積非晶硅來形成。參見圖2B,非晶半導(dǎo)體層114被結(jié)晶。結(jié)晶是將非晶硅(Si)變成單晶硅或多晶硅(晶粒)以便增加載流子的遷移率的工藝,并且可以通過連續(xù)側(cè)向結(jié)晶(SLQ方法來執(zhí)行。當(dāng)利用SLS方法時,結(jié)晶方向可以是均勻的以便增加載流子遷移率,但是在結(jié)晶期間帶狀突起114b形成為垂直于激光束傳播方向。突起114b被形成在結(jié)晶的晶粒所面向的晶界處。因此,非晶半導(dǎo)體層114通過結(jié)晶變成包括多個突起114b的晶體半導(dǎo)體層114a。參見圖2C,晶體半導(dǎo)體層IHa被圖案化。晶體半導(dǎo)體層IHa被用作薄膜晶體管的有源層,并且考慮到源極區(qū)和漏極區(qū)及溝道區(qū)的尺寸而被圖案化為預(yù)定長度Li。參見圖2D,柵極絕緣層116形成在包括其上形成有突起114b的晶體半導(dǎo)體層 114a的緩沖層112上,并且柵電極118形成在柵極絕緣層116上。利用柵電極118作為掩模通過離子注入工藝將N-摻雜離子或P-摻雜離子注入到晶體半導(dǎo)體層11 中以分別形成源極區(qū)114c和漏極區(qū)114d。利用光致抗蝕膜圖案作為掩模通過蝕刻工藝將柵電極118進行圖案化為具有預(yù)定長度L2,也就是,以便與3. 5個至4. 5個突起114b交疊。例如,當(dāng)突起114b之間的距離是2μπι至3μπι時,柵電極118的長度L2可以被圖案化成7μπι至13. 5μπι。參見圖2Ε,層間絕緣層120形成在包括柵電極118的柵極絕緣層116上,并且層間絕緣層120和柵極絕緣層116被圖案化以便形成接觸孔120a,從而分別暴露源極區(qū)IHc和漏極區(qū)114d的半導(dǎo)體層114a。源電極12 和漏電極122b分別被形成為通過接觸孔120a 分別連接到源極區(qū)114c和漏極區(qū)114d的晶體半導(dǎo)體層114a。參見圖2E,當(dāng)在柵電極118被圖案化期間柵電極118與超過4. 5個突起114b交疊時,由于如圖3A所示,閾值電壓Vth由降低的短溝道效應(yīng)而朝正⑴電壓增力Π,因此如圖 3B所示,泄漏電流被減小。然而,由于缺陷增多,因此如圖3C所示,電特性因離子的減少而減小的離子電流而惡化。
      當(dāng)在柵電極118被圖案化期間柵電極118與少于3. 5個突起114b交疊時,由于如圖3A所示,閾值電壓Vth由于短溝道效應(yīng)而降低,所以如圖:3B所示,泄漏電流增大,并且薄膜晶體管可能會發(fā)生故障。在本發(fā)明的實施例中,在與柵電極118交疊的半導(dǎo)體層IHa上設(shè)有3. 5至4. 5個突起114b。為了保持預(yù)定的閾值電壓Vth(見圖3A)并且最小化因泄漏電流(見圖3B)和缺陷造成的變差的電特性(見圖3C),按照如上所述的方式調(diào)整突起114b的數(shù)目以防止薄
      膜晶體管故障。本發(fā)明的實施例可以應(yīng)用于具有雙柵極結(jié)構(gòu)的薄膜晶體管。圖4是圖示說明根據(jù)本發(fā)明的另一實施例的薄膜晶體管的俯視圖,并且示出如圖IA和圖IB所示的柵電極118 被分成兩個。參見圖4,兩個柵電極118a和118b與半導(dǎo)體層IHa交疊,并且與這兩個柵電極 118a和118b交疊的半導(dǎo)體層114a具有3. 5個至4. 5個突起114b。另外,本發(fā)明的實施例可以被應(yīng)用于有源矩陣型液晶顯示設(shè)備。圖5是圖示說明應(yīng)用了根據(jù)本發(fā)明的實施例的薄膜晶體管的液晶顯示設(shè)備的透視圖。將通過集中描述用于顯示圖像的顯示面板1000來描述液晶顯示設(shè)備。顯示面板1000包括兩個彼此面對的基板110和310以及布置在這兩個基板110 和310之間的液晶層400。以矩陣形式排列的多條柵極線130和數(shù)據(jù)線140被布置在基板110上,并且像素 P由柵極線130和數(shù)據(jù)線140來限定。在基板130上柵極線130與數(shù)據(jù)線140交叉的位置處,形成用于控制待供給像素P的信號的薄膜晶體管T,并形成與薄膜晶體管T連接的像素電極126。薄膜晶體管T被連接到用于保持信號的電容器(未示出)。可以將薄膜晶體管T形成為具有如圖IA或IB所示的結(jié)構(gòu),數(shù)據(jù)線140可以分別在形成源電極12 和漏電極122b期間形成,并且柵極線130可以在形成柵電極118期間形成。在基板310上形成濾色片320和公共電極330。在基板110和310的后側(cè)分別形成偏光鏡150和340,并且在基板110的下方布置背光(未示出),以作為光源。另外,在顯示面板1000的像素P周圍安裝有用于驅(qū)動顯示面板1000的IXD驅(qū)動 IC(未示出)。LCD驅(qū)動IC將從外部提供的電信號轉(zhuǎn)換成掃描信號和數(shù)據(jù)信號,并且將轉(zhuǎn)換后的信號供應(yīng)給柵極線130和數(shù)據(jù)線140。圖6是更詳細地圖示說明圖5的基板的剖視圖,并且示出薄膜晶體管T和像素P。參見圖6,薄膜晶體管T包括形成在基板110上的半導(dǎo)體層114a、形成在包括半導(dǎo)體層11 的基板110上的柵極絕緣層116、形成在半導(dǎo)體層11 上方的柵極絕緣層116 上的柵電極118以及分別連接到半導(dǎo)體層11 的源電極12 和漏電極122b。層間絕緣層 120可以形成在包括柵電極118的柵極絕緣層116上,并且源電極12 和漏電極122b可以分別通過形成在層間絕緣層120和柵極絕緣層116中的接觸孔120a連接到半導(dǎo)體層114a。半導(dǎo)體層11 由多晶硅制成并且包括形成表面上的多個突起114b。柵電極118 與突起之中形成在半導(dǎo)體層IHa上的3. 5個至4. 5個突起114b相交疊。絕緣層IM形成在分別包括源電極12 和漏電極122b的層間絕緣層120上,并且通過通孔12 連接到源電極12 或漏電極12 的像素電極1 形成在絕緣層IM上。
      在上述基板110上布置有圖5的基板310,該基板310上形成有面對像素電極1 的公共電極330,并且圖5的液晶層400被注入到基板110與310之間的密封空間中。當(dāng)來自基板110后側(cè)安裝的背光的光進入像素區(qū)的液晶層400,由根據(jù)從IXD驅(qū)動 IC向像素電極1 和公共電極330施加的電壓定向的液晶進行調(diào)制,并通過基板310發(fā)射到外部時,包括圖5的顯示面板1000的液晶顯示設(shè)備顯示文本和圖像。顯示面板1000的每個薄膜晶體管T包括形成在與柵電極118交疊的半導(dǎo)體層 114a上的3. 5個至4. 5個突起。如上所述調(diào)整突起114b的數(shù)目以保持預(yù)定的閾值電壓 Vth(見圖3A)并且最小化因泄漏電流(見圖3B)和缺陷引起的電特性惡化(見圖3C),從而可以有效防止故障。圖7是圖示說明顯示設(shè)備產(chǎn)生的垂直串?dāng)_的測量值相對于背光的亮度和突起 114b的數(shù)目的曲線。背光的亮度分別被增加到11,100cd/m2、12,600cd/m2和14,300cd/m2。參見圖7,在突起的數(shù)目小于3. 5時,會產(chǎn)生巨大的串?dāng)_V-CT,但是在突起的數(shù)目大于3. 5時,串?dāng)_被有效降低。特別地,在14,300cd/m2的高亮度下,約產(chǎn)生1 %的串?dāng)_V-CT, 并且如圖:3B所示,這是泄漏電流減小的結(jié)果。一般而言,小于3%被確定為好的水平。然而,在突起的數(shù)目大于4. 5時,如上所述,由于電特性因缺陷的增加而惡化,所以根據(jù)本發(fā)明,突起114b的數(shù)目可以被調(diào)整在3. 5至4. 5個以內(nèi)。也就是,由于溝道的長度被突起增加,因此即使當(dāng)在來自背光的入射光下產(chǎn)生電子空穴對并且載流子增多時,泄漏電流也會減小,并且諸如串?dāng)_之類的故障也由于這種原理而最小化。盡管已經(jīng)結(jié)合某些示范性實施例描述了本發(fā)明,應(yīng)該理解的是,本發(fā)明并不限于公開的實施例,而是正相反,旨在覆蓋包括在所附權(quán)利要求的精神和范圍內(nèi)的各種修改和等同布置及其等同物。
      權(quán)利要求
      1.一種薄膜晶體管,包括 半導(dǎo)體層,形成在基板上;柵極絕緣層,形成在包括所述半導(dǎo)體層的基板上; 柵電極,形成在所述半導(dǎo)體層上方的所述柵極絕緣層上; 源電極和漏電極,連接到所述半導(dǎo)體層;以及 3. 5至4. 5個突起,提供在與所述柵電極交疊的半導(dǎo)體層上。
      2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管,其中所述半導(dǎo)體層由多晶硅制成。
      3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管,其中所述突起按規(guī)則間隔布置。
      4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的薄膜晶體管,其中所述突起之間的規(guī)則間隔在2μ m至3 μ m 的范圍內(nèi)。
      5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管,其中所述突起以帶形形成在所述半導(dǎo)體層的表面上。
      6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管,其中所述突起被布置為垂直于所述半導(dǎo)體層的縱向。
      7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管,其中所述半導(dǎo)體層通過連續(xù)側(cè)向結(jié)晶被結(jié)晶, 并且所述突起通過所述結(jié)晶來形成。
      8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管,進一步包括絕緣層,形成在包括所述柵電極的柵極絕緣層上;其中所述源電極和所述漏電極通過形成在所述絕緣層和所述柵極絕緣層中的接觸孔連接到所述半導(dǎo)體層。
      9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管,進一步包括緩沖層,形成在所述基板與所述半導(dǎo)體層之間。
      10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管,其中所述柵電極被分成兩個柵電極,所述半導(dǎo)體層與這兩個柵電極交疊,并且包括3. 5至4. 5個突起。
      11.一種制造薄膜晶體管的方法,包括 在基板上形成非晶半導(dǎo)體層;使所述非晶半導(dǎo)體層結(jié)晶;在通過結(jié)晶步驟形成有突起的所述非晶半導(dǎo)體層上形成柵極絕緣層; 在所述柵極絕緣層上形成柵電極;以及形成連接到所述非晶半導(dǎo)體層的源電極和漏電極; 其中所述柵電極與3. 5至4. 5個突起交疊。
      12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的制造薄膜晶體管的方法,其中所述非晶半導(dǎo)體層由非晶硅制成。
      13.根據(jù)權(quán)利要求11所述的制造薄膜晶體管的方法,其中使所述非晶半導(dǎo)體層結(jié)晶通過連續(xù)側(cè)向結(jié)晶來實現(xiàn)。
      14.根據(jù)權(quán)利要求11所述的制造薄膜晶體管的方法,其中所述突起按規(guī)則間隔布置。
      15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的制造薄膜晶體管的方法,其中所述突起之間的規(guī)則間隔在 2μπι至3μπι的范圍內(nèi)。
      16.根據(jù)權(quán)利要求11所述的制造薄膜晶體管的方法,其中所述突起以帶形形成在所述非晶半導(dǎo)體層的表面上。
      17.根據(jù)權(quán)利要求11所述的制造薄膜晶體管的方法,其中所述突起被布置為垂直于所述非晶半導(dǎo)體層的縱向。
      18.根據(jù)權(quán)利要求11的制造薄膜晶體管的方法,進一步包括 在包括所述柵電極的柵極絕緣層上形成絕緣層;以及通過圖案化所述絕緣層和所述柵極絕緣層形成接觸孔以暴露所述非晶半導(dǎo)體層; 其中所述源電極和所述漏電極通過所述接觸孔連接到所述非晶半導(dǎo)體層。
      19.一種顯示設(shè)備,包括第一基板,薄膜晶體管和連接到所述薄膜晶體管的第一電極形成在所述第一基板上;第二基板,第二電極形成在所述第二基板上;以及液晶層,注入所述第一電極和所述第二電極之間的密封空間中;其中所述薄膜晶體管包括半導(dǎo)體層,形成在所述第一基板上;柵極絕緣層,形成在包括所述半導(dǎo)體層的所述第一基板上;柵電極,形成在所述半導(dǎo)體層上方的所述柵極絕緣層上;源電極和漏電極,連接到所述半導(dǎo)體層;以及3. 5至4. 5個突起,形成在與所述柵電極交疊的所述半導(dǎo)體層上。
      20.根據(jù)權(quán)利要求19所述的顯示設(shè)備,進一步包括形成在所述第一基板上的柵極線和數(shù)據(jù)線,其中像素由所述柵極線和所述數(shù)據(jù)線來限定。
      21.根據(jù)權(quán)利要求19所述的顯示設(shè)備,其中所述半導(dǎo)體層由多晶硅制成。
      22.根據(jù)權(quán)利要求19所述的顯示設(shè)備,其中所述突起按規(guī)則間隔布置。
      23.根據(jù)權(quán)利要求22所述的顯示設(shè)備,其中所述突起的規(guī)則間隔在2μ m至3 μ m的范圍內(nèi)。
      24.根據(jù)權(quán)利要求19所述的顯示設(shè)備,其中所述突起以帶形形成在所述半導(dǎo)體層的表面上。
      25.根據(jù)權(quán)利要求19所述的顯示設(shè)備,其中所述突起被布置為垂直于所述半導(dǎo)體層的縱向。
      26.根據(jù)權(quán)利要求19所述的顯示設(shè)備,其中所述半導(dǎo)體層通過連續(xù)側(cè)向結(jié)晶被結(jié)晶, 并且所述突起通過所述結(jié)晶來形成。
      27.根據(jù)權(quán)利要求19所述的顯示設(shè)備,進一步包括絕緣層,形成在包括所述柵電極的柵極絕緣層上;其中所述源電極和所述漏電極通過形成在所述絕緣層和柵極絕緣層中的接觸孔連接到所述半導(dǎo)體層。
      28.根據(jù)權(quán)利要求19所述的顯示設(shè)備,進一步包括緩沖層,形成在所述第一基板與所述半導(dǎo)體層之間。
      29.根據(jù)權(quán)利要求19所述的顯示設(shè)備,其中所述柵電極被分成兩個柵電極,并且所述半導(dǎo)體層與這兩個柵電極交疊并且包括3. 5至4. 5個突起。
      全文摘要
      公開了一種薄膜晶體管、其制造方法和具有該薄膜晶體管的顯示設(shè)備。薄膜晶體管包括形成基板上的半導(dǎo)體層、形成在包括所述半導(dǎo)體層的基板上的柵極絕緣層、形成在所述半導(dǎo)體層上方的柵極絕緣層上的柵電極,連接到所述半導(dǎo)體層的源電極和漏電極,以及形成在與柵電極交疊的半導(dǎo)體層上的3.5至4.5個突起??梢酝ㄟ^調(diào)整突起的數(shù)目以最小化泄漏電流和缺陷來防止薄膜晶體管故障和顯示設(shè)備的圖像質(zhì)量變差。
      文檔編號H01L29/06GK102194886SQ20111000661
      公開日2011年9月21日 申請日期2011年1月10日 優(yōu)先權(quán)日2010年3月10日
      發(fā)明者盧成仁, 姜聲洲, 樸慶珉, 樸志容, 樸真爽 申請人:三星移動顯示器株式會社
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