專利名稱：測(cè)試連接器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明關(guān)于一種測(cè)試連接器，尤指一種可滿足高電性需求的高階晶圓測(cè)試的測(cè)試連接器。
背景技術(shù)：
業(yè)界通常采用一種探針測(cè)試連接器進(jìn)行晶圓測(cè)試。晶圓測(cè)試是對(duì)芯片模塊上的每個(gè)晶粒進(jìn)行針測(cè)。測(cè)試連接器一般包括絕緣本體及若干容設(shè)于絕緣本體的端子。絕緣本體用來(lái)承載芯片模塊，端子與芯片模塊的晶粒上的接點(diǎn)接觸以測(cè)試其電氣特性。測(cè)試中不合格的晶粒會(huì)被標(biāo)上記號(hào)，而后當(dāng)芯片模塊依晶粒為單位切割成獨(dú)立的晶粒時(shí)，標(biāo)有記號(hào)的不合格晶粒會(huì)被淘汰，不再進(jìn)行下一個(gè)制程，以免徒增制造成本。美國(guó)專利第6，932，619號(hào)揭示了與本發(fā)明相關(guān)的一種測(cè)試連接器，主要用于電性連接芯片模塊與印刷電路板，以實(shí)現(xiàn)測(cè)試的目的。該測(cè)試連接器包括絕緣本體及容置于絕緣本體內(nèi)的若干端子。該端子包括與芯片模塊的錫球或?qū)щ娖瑢?dǎo)接的接觸部、與印刷電路板導(dǎo)接的端部及用于連接接觸部與端部的呈彎曲設(shè)置的細(xì)長(zhǎng)狀基部。該端子的接觸部突伸出絕緣本體，當(dāng)芯片模塊向下按壓時(shí)，端子會(huì)產(chǎn)生彈性變形，使端子上下伸縮，以達(dá)到與芯片模塊的錫球?qū)Ы踊蚍蛛x的目的。但是，隨著計(jì)算機(jī)速度的提升，要求芯片模塊的速度越來(lái)越高，該測(cè)試連接器的端子排列相應(yīng)地日益趨于高密度化，且相鄰端子之間距要求越來(lái)越小，但是這些端子的結(jié)構(gòu)較小，使得組裝繁瑣，增加了測(cè)試連接器的生產(chǎn)成本。所以，有必要設(shè)計(jì)一種新型的測(cè)試連接器，以克服現(xiàn)有技術(shù)中的上述缺陷。

發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明要解決的技術(shù)問(wèn)題是提供一種測(cè)試連接器，可以減少測(cè)試時(shí)間，降低測(cè)試成本，且能滿足高密度晶圓的測(cè)試需求。為解決所述技術(shù)問(wèn)題，本發(fā)明提供一種測(cè)試連接器，用于測(cè)試芯片模塊，其包括布有若干線路的晶圓，其中，所述測(cè)試連接器還包括設(shè)于晶圓上方的測(cè)試端子以及設(shè)于晶圓下方的導(dǎo)電介質(zhì)，該測(cè)試端子與導(dǎo)電介質(zhì)分別與晶圓內(nèi)的相應(yīng)線路的兩端相連，該測(cè)試端子為奈米碳管端子。所述導(dǎo)電介質(zhì)為錫球或錫膏。所述導(dǎo)電介質(zhì)也可為導(dǎo)電膠。所述奈米碳管端子為直立式圓錐狀結(jié)構(gòu)。所述晶圓上還設(shè)有若干絕緣座體，每一絕緣座體上相應(yīng)設(shè)有收容奈米碳管端子的端子收容孔。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明具有以下優(yōu)點(diǎn)該測(cè)試連接器測(cè)點(diǎn)密度高，一次可檢測(cè)較多晶粒，可以減少測(cè)試時(shí)間，且能滿足高密度晶圓的測(cè)試需求。

圖I是本發(fā)明的測(cè)試連接器連接芯片模塊與印刷電路板的組裝圖。
圖2是圖I圈中所示的局部放大圖。圖3是本發(fā)明的測(cè)試連接器底面朝上的立體圖。圖4是本發(fā)明的測(cè)試連接器連接芯片模塊與印刷電路板的剖視圖。圖5是本發(fā)明測(cè)試連接器的奈米碳管端子直立集束成型方法的示意圖。
具體實(shí)施方式請(qǐng)參閱圖I至圖4所示，其揭示了本發(fā)明的測(cè)試連接器1，可連接相應(yīng)的芯片模塊 2和印刷電路板3，能夠?qū)崿F(xiàn)測(cè)試芯片模塊2的目的。請(qǐng)重點(diǎn)參閱圖2至圖4所示，本發(fā)明的測(cè)試連接器I包括已布好若干線路101的晶圓10、若干設(shè)于晶圓10上方的絕緣座體151、以及若干組設(shè)于絕緣座體151內(nèi)的測(cè)試端子12。該測(cè)試端子12與晶圓10內(nèi)的相應(yīng)線路101的上端相連。該測(cè)試連接器I還包括設(shè)于晶圓10下方的導(dǎo)電介質(zhì)13，該導(dǎo)電介質(zhì)13與晶圓10內(nèi)的相應(yīng)線路101的下端相連。本發(fā)明的測(cè)試端子12為奈米碳管端子，主要是利用「直立式介電泳」來(lái)達(dá)成集成與集束奈米碳管分散液成為直立式的奈米碳管端子。請(qǐng)重點(diǎn)參閱圖5所示，根據(jù)「直立式介電泳」方法，當(dāng)需要得到奈米碳管端子12時(shí)， 首先需要在晶圓10上表面鍍一層金或其它適合材料作為第一電極14。然后在第一電極14 上方設(shè)置一層絕緣基板15。該絕緣基板15上設(shè)置若干用于收容相應(yīng)奈米碳管端子12的端子收容孔150。該端子收容孔150可以依實(shí)際的需要排列成矩陣或任何其它符合實(shí)際使用需求的態(tài)樣。然后在絕緣基板15上方再設(shè)置一第二電極16,且使第一電極14和第二電極 16與相應(yīng)端子收容孔150對(duì)應(yīng)。根據(jù)本發(fā)明的較佳實(shí)施例，該第二電極16為一柱狀或針狀的導(dǎo)體，當(dāng)然也可以為其它任何的形狀，能配合第一電極14形成電場(chǎng)(或電力線)，而其直徑最好較該端子收容孔 150為小，以用于控制與主導(dǎo)被形成的奈米碳管端子12的直徑。需要指出，雖然實(shí)施例揭示的第二電極16僅有一支電極，但在實(shí)際的運(yùn)用中，該第二電極16亦可以配合相應(yīng)端子收容孔150的排列的形狀或數(shù)組來(lái)排配。例如，當(dāng)相應(yīng)端子收容孔150排列成標(biāo)準(zhǔn)的矩陣時(shí)，則該電二電極16亦可以排列成相對(duì)應(yīng)的矩陣，以同時(shí)在每一相對(duì)應(yīng)的端子收容孔150內(nèi)形成奈米碳管端子12。接下來(lái)，則在該端子收容孔150內(nèi)滴設(shè)奈米碳管分散液17。然后在第一電極14和第二電極16之間施加一適當(dāng)交流電壓以穿過(guò)該奈米碳管分散液17，以在該端子收容孔150 內(nèi)形成匯集成束狀的直立式的圓錐狀奈米碳管端子12。的后，通過(guò)后段工序?qū)⒕A10上的鍍金即第一電極14去除，同時(shí)將第二電極16 —并移除，再將絕緣基板15分割成若干絕緣座體151，每一絕緣座體151用于容設(shè)相應(yīng)的奈米碳管端子12。最后，在晶圓10的下表面設(shè)置若干導(dǎo)電介質(zhì)13。該導(dǎo)電介質(zhì)13可以為錫球、錫膏或?qū)щ娔z。在本發(fā)明的較佳實(shí)施例中，該導(dǎo)電介質(zhì)13為若干通過(guò)回焊制程在高溫熔融狀態(tài)下組設(shè)于晶圓10下表面的錫球。該導(dǎo)電介質(zhì)13和相應(yīng)的線路101下端相連，以去電性連接印刷電路板3上的導(dǎo)電接點(diǎn)31。測(cè)試時(shí)，先將測(cè)試連接器I組設(shè)于印刷電路板3上，再將芯片模塊2組設(shè)于測(cè)試連接器I的上方，該測(cè)試連接器I的測(cè)試端子12和芯片模塊2的晶粒21導(dǎo)接，該導(dǎo)電介質(zhì)13 與印刷電路板3上的導(dǎo)電接點(diǎn)31接觸，由此達(dá)成電性導(dǎo)通，實(shí)現(xiàn)測(cè)試芯片模塊2的目的。
本發(fā)明的測(cè)試連接器I通過(guò)在晶圓10上方設(shè)置奈米碳管端子12，在晶圓10下方設(shè)置導(dǎo)電介質(zhì)13，可簡(jiǎn)化測(cè)試連接器I的結(jié)構(gòu)。另外，該測(cè)試連接器I的奈米碳管端子12 可實(shí)現(xiàn)高密度排列，由此減少測(cè)試時(shí)間，可大幅降低測(cè)試成本。該奈米碳管端子12也具有較佳的電性與機(jī)械特性，可滿足高電性需求的高階晶圓的測(cè)試需求。以上所述僅為本發(fā)明的一種實(shí)施方式，不是全部或唯一的實(shí)施方式，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員通過(guò)閱讀本發(fā)明說(shuō)明書(shū)而對(duì)本發(fā)明技術(shù)方案采取的任何等效的變化，均為本發(fā)明的權(quán)利要求所涵蓋。
權(quán)利要求
1.一種測(cè)試連接器，用于測(cè)試芯片模塊，其包括布有若干線路的晶圓，其特征在于，所述測(cè)試連接器還包括設(shè)于晶圓上方的測(cè)試端子以及設(shè)于晶圓下方的導(dǎo)電介質(zhì)，該測(cè)試端子與導(dǎo)電介質(zhì)分別與晶圓內(nèi)的相應(yīng)線路的兩端相連，該測(cè)試端子為奈米碳管端子。
2.如權(quán)利要求I所述的測(cè)試連接器，其特征在于所述導(dǎo)電介質(zhì)為錫球。
3.如權(quán)利要求I所述的測(cè)試連接器，其特征在于所述導(dǎo)電介質(zhì)為錫膏。
4.如權(quán)利要求I所述的測(cè)試連接器，其特征在于所述導(dǎo)電介質(zhì)為導(dǎo)電膠。
5.如權(quán)利要求I所述的測(cè)試連接器，其特征在于所述奈米碳管端子為直立式圓錐狀結(jié)構(gòu)。
6.如權(quán)利要求I所述的測(cè)試連接器，其特征在于所述晶圓上還設(shè)有若干絕緣座體，每一絕緣座體上相應(yīng)設(shè)有收容奈米碳管端子的端子收容孔。
全文摘要
一種測(cè)試連接器，用于測(cè)試芯片模塊，其包括布有若干線路的晶圓。所述測(cè)試連接器還包括設(shè)于晶圓上方的測(cè)試端子以及設(shè)于晶圓下方的導(dǎo)電介質(zhì)。該測(cè)試端子與導(dǎo)電介質(zhì)分別與晶圓內(nèi)的相應(yīng)線路的兩端相連。該測(cè)試端子為奈米碳管端子。該測(cè)試連接器測(cè)點(diǎn)密度高，一次可檢測(cè)較多晶粒，可以減少測(cè)試時(shí)間，且能滿足高密度晶圓的測(cè)試需求。
文檔編號(hào)H01R13/02GK102610941SQ201110021940
公開(kāi)日2012年7月25日 申請(qǐng)日期2011年1月19日 優(yōu)先權(quán)日2011年1月19日
發(fā)明者謝文逸 申請(qǐng)人:富士康(昆山)電腦接插件有限公司, 鴻海精密工業(yè)股份有限公司