專利名稱：激光加工裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及激光加工裝置，特別是涉及進(jìn)行激光CVD(Chemical VaporDeposition 化學(xué)氣相沉積)加工的激光加工裝置。
背景技術(shù)：
以往，使用激光 CVD (Chemical Vapor Deposition)法對(duì)用于 LCD (LiquidCrystal Display :液晶顯示器)面板和有機(jī)EL (Electro-Luminescence 電致發(fā)光)面板等顯示器面板的基板的配線的缺陷進(jìn)行修正的激光加工裝置正在普及(例如，參照專利文獻(xiàn)1)。在使用激光CVD法的激光加工裝置中，通過向?qū)迳系呐渚€進(jìn)行修正的部分附近供給原料氣體并且對(duì)其基板上的修正部分照射激光，將利用激光的能力而活性化的原料氣體作為膜而堆積在修正部分，由此，對(duì)基板上的配線進(jìn)行修正。但是，在將原料氣體向基板表面供給時(shí)，在未照射激光的部分，由于原料氣體與基板的溫度差而使原料氣體再結(jié)晶化，由再結(jié)晶化而生成的異物成為配線的缺陷部分，使基板的品質(zhì)下降。因此，為了防止原料氣體中包含的原料物質(zhì)在基板上再結(jié)晶，在規(guī)定的溫度(例如40°C左右)以上將基板溫?zé)岬臓顟B(tài)下進(jìn)行激光CVD加工(以下也簡(jiǎn)稱為CVD加工)。例如，在現(xiàn)有的激光加工裝置中，如圖1所示，在載置基板21的玻璃載物臺(tái)11的背面粘附透明膜加熱器12，使基板21的加工面成為規(guī)定的溫度以上而利用透明膜加熱器12將玻璃載物臺(tái)11整體加熱。并且，在從下方將基板21整體溫?zé)岬臓顟B(tài)下，從上方向基板21照射激光脈沖并進(jìn)行CVD加工。專利文獻(xiàn)1 日本特開2008-279471號(hào)公報(bào)但是，透明膜加熱器12容易發(fā)生斷線，需要在每次發(fā)生斷線時(shí)進(jìn)行修理或交換， 不僅增加費(fèi)用、花費(fèi)工夫，而且直到修理或交換完成為止才停止操作。另一方面，若為了不易發(fā)生斷線而降低透明薄膜加熱器12的溫度的話，原料氣體中包含的原料物質(zhì)容易產(chǎn)生
再結(jié)晶。另外，若通過透明膜加熱器12將玻璃載物臺(tái)11整體加熱，則由于連不需要的部分也被加熱到，故而會(huì)對(duì)玻璃載物臺(tái)11周邊的零件和設(shè)備帶來由熱產(chǎn)生的不良影響。另外，伴隨著顯示器面板的大型化，玻璃載物臺(tái)11以及透明膜加熱器12也具有大型化的傾向，導(dǎo)致成本增加，并且難以確保保管操作和保管場(chǎng)所。另外，具有為了將基板21從玻璃載物臺(tái)11抬起而設(shè)置的升降器用的孔(未圖示) 等、不能將透明膜加熱器12粘貼在玻璃載物臺(tái)11上的部分，會(huì)在該部分產(chǎn)生加熱不足。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明是鑒于上述狀況而作出的，提供能夠更加可靠并有效地將進(jìn)行CVD加工的加工部分附近加熱的激光加工裝置。本發(fā)明第一方面的激光加工裝置包括送風(fēng)裝置，其吹送用于將加工部分附近加熱的熱風(fēng)；供給裝置，其通過對(duì)原料氣體進(jìn)行給氣排氣而將加工部分附近保持在原料氣體環(huán)境中；照射裝置，其對(duì)加工部分照射激光；控制裝置，其對(duì)送風(fēng)裝置、供給裝置以及照射裝置進(jìn)行控制。在本發(fā)明第一方面的激光加工裝置中，利用熱風(fēng)將加工部分附近溫?zé)?，并且將加工部分附近保持在原料氣體環(huán)境中，對(duì)加工部分照射激光并且在加工部分形成薄膜。因此，能夠更加可靠并且有效地將進(jìn)行CVD加工的加工部分附近加熱。該激光加工裝置例如由激光修復(fù)裝置構(gòu)成。該送風(fēng)裝置例如由吹出150°C 300°C熱風(fēng)的空氣加熱器而構(gòu)成。該供給裝置例如由供給羰基鉻氣體(々α Λ力> # 二 > 另卞)構(gòu)成的原料氣體的氣窗等構(gòu)成。該照射裝置例如由射出激光脈沖的激光單元構(gòu)成。 該控制裝置例如由CPU等構(gòu)成的控制裝置構(gòu)成。該控制裝置可以如下地進(jìn)行控制，即，在利用送風(fēng)裝置將加工部分附近加熱規(guī)定時(shí)間之后，通過供給裝置生成原料氣體環(huán)境，通過照射裝置對(duì)加工部分照射激光。由此，能夠?qū)⒓庸げ糠指浇臍怏w環(huán)境保持大致相同，可防止加工不均的產(chǎn)生。來自送風(fēng)裝置的熱風(fēng)和來自供給裝置的原料氣體能夠被從不同位置向加工部分附近供給。由此，能夠?qū)犸L(fēng)以及原料氣體可靠地向加工部分附近供給。本發(fā)明第二方面的激光加工裝置包括送風(fēng)裝置；供給裝置，其設(shè)定成比原料氣體中含有的原料物質(zhì)開始再結(jié)晶的溫度還高的溫度，并且將來自送風(fēng)裝置的風(fēng)向加工部分附近吹送，通過對(duì)原料氣體進(jìn)行給氣排氣而將加工部分附近保持在原料氣體環(huán)境中；照射裝置，其對(duì)加工部分照射激光；控制裝置，其對(duì)送風(fēng)裝置、供給裝置以及照射裝置進(jìn)行控制。在本發(fā)明第二方面的激光加工裝置中，來自送風(fēng)裝置的風(fēng)被加熱并向加工部分附近吹送，將加工部分附近溫?zé)?，并且將加工部分附近保持在原料氣體環(huán)境中，對(duì)加工部分照射激光，在加工部分形成薄膜。因此，能夠更加可靠并且有效地將進(jìn)行CVD加工的加工部分附近加熱。該激光加工裝置例如由激光修復(fù)裝置構(gòu)成。該送風(fēng)裝置例如由風(fēng)扇等送風(fēng)機(jī)或空氣加熱器等構(gòu)成。該供給裝置例如由供給由羰基鉻氣體構(gòu)成的原料氣體的氣窗等構(gòu)成。該照射裝置例如由射出激光脈沖的激光單元構(gòu)成。該控制裝置例如由CPU等構(gòu)成的控制裝置構(gòu)成。該控制裝置可以如下地進(jìn)行控制，S卩，在利用送風(fēng)裝置以及供給裝置向加工部分附近送風(fēng)規(guī)定時(shí)間之后，通過供給裝置生成原料氣體環(huán)境，通過照射裝置對(duì)加工部分照射激光。由此，能夠?qū)⒓庸げ糠指浇臍怏w環(huán)境保持大致相同，可防止加工不均的產(chǎn)生。該送風(fēng)裝置能夠吹送用于將加工部分附近加熱的熱風(fēng)。由此，能夠盡快地將加工部分的附近加熱到規(guī)定溫度以上。根據(jù)本發(fā)明第一方面的裝置或第二方面的裝置，能夠更加可靠且有效地將進(jìn)行 CVD加工的加工部分附近加熱。


圖1是用于說明現(xiàn)有的CVD加工時(shí)的基板的加熱方法的圖；圖2是表示適用本發(fā)明的激光加工裝置的一實(shí)施方式的外觀的構(gòu)成例的立體4
圖3是表示基板的設(shè)置以及撤去方法的例子的圖；圖4是表示激光加工裝置的加工單元的構(gòu)成例的框圖；圖5是從橫向觀察加工單元的氣窗的剖面圖；圖6是加工單元的氣窗的下表面的平面圖；圖7是用于說明利用激光加工裝置進(jìn)行的激光修復(fù)處理的流程圖。符號(hào)說明101 激光加工裝置112a 112d 玻璃載物臺(tái)113a、li;3b 導(dǎo)軌部件114:支柱115:頭部131 基板151 加工單元152 控制部161 氣窗162 激光照射觀察單元163 激光單元164 給排氣單元165 空氣加熱器166 空氣加熱器控制單元201:窗口201A:氣體導(dǎo)入空間部201B-l、201B-2 凈化氣體導(dǎo)入口201C:原料氣體導(dǎo)入口201D-1 201D-3 送風(fēng)口201E、201F 排氣口211:CVD 空間212 氣幕遮蔽部
具體實(shí)施例方式以下，對(duì)用于實(shí)施本發(fā)明的方式(以下，稱為實(shí)施方式)進(jìn)行說明。另外，以如下的順序進(jìn)行說明。1、實(shí)施方式2、變形例實(shí)施方式(激光加工裝置的構(gòu)成例)圖2是表示適用本發(fā)明的激光加工裝置的一實(shí)施方式的外觀的構(gòu)成例的立體圖。圖2的激光加工裝置101是對(duì)IXD面板和有機(jī)EL面板等顯示器面板使用的基板的配線的缺陷等進(jìn)行修正的激光修復(fù)裝置。例如，激光加工裝置101進(jìn)行利用激光感應(yīng)等離子體將基板的多余圖案除去的ZAP加工、以及利用激光CVD法形成基板的缺少的圖案的CVD 加工。激光加工裝置101的構(gòu)成包括基臺(tái)111、玻璃載物臺(tái)11 112d、導(dǎo)軌部件113a、 113b、支柱114以及頭部115。以下，將支柱114的長(zhǎng)度方向稱為χ軸方向或左右方向，將導(dǎo)軌部件113a、li;3b的長(zhǎng)度方向稱為y軸方向或前后方向，將與χ軸及y軸垂直的方向稱為ζ軸方向或上下方向。在基板111上表面的左右兩端設(shè)有導(dǎo)軌部件113a、113b。另外，在導(dǎo)軌部件113a 與導(dǎo)軌部件11 之間，長(zhǎng)度方向與y軸方向一致的板狀玻璃載物臺(tái)11 112d以規(guī)定的間隔設(shè)置在基臺(tái)111的上表面。在玻璃載物臺(tái)11 112d之上，如圖3所示地，載置作為加工對(duì)象的基板131。此時(shí)，如圖3所示，例如通過將搬運(yùn)基板131的自動(dòng)裝卸機(jī)的臂132插入到各玻璃載物臺(tái)之間的槽，能夠容易地將基板131設(shè)置在玻璃載物臺(tái)11 112d上，或能夠容易地將基板131 從玻璃載物臺(tái)11 112d撤去。以下，在無(wú)需個(gè)別地區(qū)別玻璃載物臺(tái)11 112d時(shí)，單稱為玻璃載物臺(tái)112。在導(dǎo)軌部件113a、li;3b的上表面分別設(shè)有在y軸方向上延伸的導(dǎo)軌。另外，在導(dǎo)軌部件113a與導(dǎo)軌部件11 之間架設(shè)有支柱114，支柱114下表面的長(zhǎng)度方向的兩端與導(dǎo)軌部件113a、li;3b上表面的導(dǎo)軌嵌合。并且，使用未圖示的促動(dòng)器等，能夠使支柱14根據(jù)導(dǎo)軌部件113a、11 上表面的導(dǎo)軌而在y軸方向上移動(dòng)。另外，在支柱114的前面以及上表面設(shè)有導(dǎo)軌，反L型的頭部115嵌合在支柱114 的前面以及上表面的導(dǎo)軌上。使用未圖示的促動(dòng)器等，能夠使頭部115根據(jù)支柱114的前面以及上表面的導(dǎo)軌而在χ軸方向上移動(dòng)。參照?qǐng)D4，在頭部115設(shè)有后述的加工單元151。更加具體地，加工單元151的各部?jī)?nèi)設(shè)在頭部115中或安裝在頭部115的下表面。并且，加工單元151通過未圖示的促動(dòng)器等能夠在ζ軸方向上移動(dòng)。另外，如上所述，通過使支柱114在y軸方向上移動(dòng)或使頭部 115在χ軸方向上移動(dòng)，能夠使加工單元151在χ軸方向及y軸方向上移動(dòng)。另外，在基臺(tái)111內(nèi)設(shè)有支柱114、頭部115以及控制加工單元115的移動(dòng)或控制加工單元151的動(dòng)作的控制部152(圖4)。以下，將位置不移動(dòng)的基臺(tái)111、玻璃載置臺(tái)112以及導(dǎo)軌部件113a、11 統(tǒng)稱為固定部101A，將位置移動(dòng)的支柱114以及頭部115統(tǒng)稱為可動(dòng)部101B。(加工單元的構(gòu)成例)圖4是表示加工單元151的構(gòu)成例的框圖。加工單元151的構(gòu)成包括氣窗161、激光照射觀察單元162、激光單元163、給排氣單元164、空氣加熱器165以及空氣加熱器控制單元166。氣窗161與基板131隔開少許間隔而配置在載置于玻璃載物臺(tái)112的基板131的上方。另外，通過使加工單元151在ζ軸方向上移動(dòng)來調(diào)整氣窗161與基板131之間的距離。詳細(xì)地參照?qǐng)D5及圖6進(jìn)行說明，氣窗161具有導(dǎo)入口，通過該導(dǎo)入口將從給排氣單元 164供給的原料氣體及凈化氣體、以及從空氣加熱器165供給的熱風(fēng)向基板131的被激光脈沖照射的部分(以下，稱為激光照射部)附近供給。另外，氣窗161具有使原料氣體及凈化氣體不向外部漏出而將其吸入的吸入口。在氣窗161的正上方設(shè)有激光照射觀察單元162。激光照射觀察單元162具有改變激光脈沖的脈沖能量的衰減器(未圖示)、改變激光脈沖的光束形狀的可變孔徑機(jī)構(gòu)(未圖示)、使物鏡上下移動(dòng)來調(diào)整焦點(diǎn)位置的機(jī)構(gòu)(未圖示)以及用于觀察基板131的激光照射部附近的顯微鏡機(jī)構(gòu)(未圖示)等。激光單元163分別具有射出例如ZAP加工用的激光脈沖(以下稱為ZAP激光脈沖)以及CVD加工用的激光脈沖(以下稱為CVD激光脈沖)的激光光源。從激光單元163 射出的激光脈沖經(jīng)由激光照射觀察單元162以及氣窗161向基板131照射。另外，如上所述，隨著支柱114以及頭部115的動(dòng)作而使加工單元151在χ軸方向以及y軸方向上移動(dòng)， 能夠調(diào)整基板131的激光照射部的位置。例如將Nd: YLF激光的第三高次諧波(波長(zhǎng)35Inm)、反復(fù)頻率為30Hz、時(shí)間幅度20 皮秒的激光脈沖用于ZAP激光脈沖，將Nd:YLF激光的第三高次諧波(波長(zhǎng)349nm)、反復(fù)頻率為4kHz、時(shí)間幅度30納秒的激光脈沖用于CVD激光脈沖。給排氣單元164將原料氣體、凈化氣體在必要的時(shí)刻向氣窗161供給，并且具有對(duì)被從氣窗161吸引的排氣氣體進(jìn)行無(wú)害化處理的機(jī)構(gòu)等。另外，原料氣體例如使用羰基鉻氣體(夕口 Λ力> # 二 >力ι )，凈化氣體例如使用氦氣或氬氣?？諝饧訜崞?65基于空氣加熱器控制單元166的控制，在必要的時(shí)刻經(jīng)由氣窗161 將規(guī)定溫度(例如150 300°C )的熱風(fēng)向基板131的激光照射部附近供給。空氣加熱器控制單元166基于控制部152的控制對(duì)從空氣加熱器165吹出熱風(fēng)的時(shí)刻以及熱風(fēng)的溫度等進(jìn)行控制。另外，控制部152控制激光加工裝置101的可動(dòng)部IOlB的各部的動(dòng)作。例如，控制部152經(jīng)由未圖示的促動(dòng)器等控制支柱114在y軸方向的移動(dòng)、頭部115在χ軸方向的移動(dòng)以及加工單元151在ζ軸方向的移動(dòng)。另外，例如控制部152控制激光照射觀察單元 162的照明、孔徑、衰減器的衰減率等。另外，例如控制部152控制從激光單元163射出的激光脈沖的能量、反復(fù)頻率、時(shí)間寬幅(脈沖寬幅)以及射出時(shí)刻等。另外，例如控制部152 進(jìn)行給排氣單元164的氣體開閉閥(未圖示)的開閉時(shí)刻等的控制。另外，例如控制部152 經(jīng)由空氣加熱器控制單元166對(duì)從空氣加熱器165吹出熱風(fēng)的時(shí)刻以及熱風(fēng)的溫度等進(jìn)行控制。(氣窗的構(gòu)成例)接著，參照?qǐng)D5及圖6說明氣窗161的構(gòu)成例。圖5是從橫向觀察氣窗161的剖面圖，圖6是氣窗161的下表面的平面圖。氣窗161由圓盤狀的窗口 201以及圓盤狀的窗 202構(gòu)成。在氣窗201的中央形成有氣體導(dǎo)入空間部201Α。氣體導(dǎo)入空間部201Α從窗口 201 下表面到規(guī)定高度，其直徑一定，從中途向上表面部，直徑錐狀地?cái)U(kuò)大。另外，在窗口 201的上表面以將氣體導(dǎo)入空間部201Α的上端開口覆蓋的方式設(shè)有用于導(dǎo)入來自激光單元163 的激光脈沖的窗202。在窗202的緊下方，相對(duì)于基板131的上表面平行并且相互相對(duì)而設(shè)有凈化氣體導(dǎo)入口 201Β-1、201Β-2。從給排氣單元164供給的凈化氣體經(jīng)由凈化氣體導(dǎo)入口 201Β-1、 201Β-2從氣體導(dǎo)入空間部201Α的側(cè)面吹出，利用該凈化氣體防止窗202的模糊不清。另外，從氣體導(dǎo)入空間部201Α的側(cè)面吹出的凈化氣體在窗202的正下方分成兩股，朝向氣體導(dǎo)入空間部201Α的下方相對(duì)于基板131的面大致垂直地下降。
在氣體導(dǎo)入空間部201A的直徑大致一定的區(qū)域，與基板131的面平行地設(shè)有原料氣體導(dǎo)入口 201C。從給排氣單元164供給的原料氣體經(jīng)由原料氣體導(dǎo)入口 201C從氣體導(dǎo)入空間部201A的側(cè)面吹出，并且混入到凈化氣體的氣流中而成為向基板131的上表面大致垂直下降的氣流，向氣窗201與基板131之間的CVD空間211擴(kuò)散。該CVD空間211與基板131的激光照射部附近、即通過激光脈沖以及原料氣體在基板131形成薄膜的部分附近相接。在窗口 201下表面的氣體導(dǎo)入空間部201A下端的開口周圍設(shè)有送風(fēng)口 201D-1 201D-3。從空氣加熱器165供給的熱風(fēng)從送風(fēng)口 201D-1 201D-3吹出并在CVD空間211擴(kuò)散。在窗口 201下表面的送風(fēng)口 201D-1 201D-3的外側(cè)以將氣體導(dǎo)入空間部201A 下端的開口周圍包圍的方式形成有環(huán)狀的排氣口 201E。另外，以將排氣口 201E包圍的方式形成有環(huán)狀的排氣口 201F。并且，從氣體導(dǎo)入空間部201A吹出的凈化氣體以及原料氣體、 從送風(fēng)口 201D-1 201D-3吹出的包含熱風(fēng)的空氣被這些排氣口 201E、201F吸入，從在排氣口 201E、201F設(shè)置的未圖示的吸入口向給排氣單元164吹送。這樣，通過從排氣口 201E、 201F吸入空氣，形成從外部將CVD空間211遮斷的環(huán)狀氣幕屏蔽部212，利用氣幕屏蔽部 212防止原料氣體向外部泄漏。CVD空間211被保持在原料氣體環(huán)境中。窗口 201基于控制部152的控制由未圖示的加熱器等設(shè)定為比原料氣體中含有的原料物質(zhì)開始再結(jié)晶的溫度高的溫度(例如65 70°C )。(修復(fù)處理)接著，參照?qǐng)D7的流程圖對(duì)由激光加工裝置101進(jìn)行的修復(fù)處理進(jìn)行說明。另外， 該流程圖表示從基板131的某部分的加工結(jié)束之后到下一部分的加工結(jié)束的處理的流程。在步驟Sl中，控制部152使加工單元151在ζ軸方向上升。例如，在進(jìn)行基板131 的加工時(shí)，基板131與氣窗161之間的距離被設(shè)定為約0. 5mm左右。并且，為了使加工單元 151向下一加工位置移動(dòng)，控制部152使基板131與氣窗161之間的距離擴(kuò)大到2 3mm左右而使加工單元151在ζ軸方向上升。在步驟S2中，給排氣單元164基于控制部152的控制停止原料氣體的供給。另外， 已停止供給原料氣體時(shí)，跳過步驟S2的處理。另外，繼續(xù)供給凈化氣體。在步驟S3中，空氣加熱器165基于控制部152以及空氣加熱器控制單元166的控制開始熱風(fēng)的供給。由此，開始從送風(fēng)口 201D-1 201D-3吹出熱風(fēng)，將基板131的接近送風(fēng)口 201D-1 201D-3的部分加熱。在步驟S4中，激光加工裝置101使加工單元151移動(dòng)。S卩，控制部152控制頭部 115在χ軸方向的位置以及支柱114在y軸方向的位置，使加工單元151移動(dòng)到下一加工位置。在步驟S5中，控制部152使加工單元151在ζ軸方向下降以使基板131與氣窗 161之間的距離接近到0. 5mm左右。在步驟S6中，控制部152對(duì)熱風(fēng)的供給時(shí)間設(shè)置計(jì)時(shí)時(shí)間。即，控制部152對(duì)利用從送風(fēng)口 201D-1 201D-3吹出的熱風(fēng)使含有與CVD空間211相接的區(qū)域的基板131的加工面的區(qū)域的溫度為原料氣體中含有的原料物質(zhì)不再結(jié)晶的溫度(例如40°C左右)以上而需要的時(shí)間設(shè)定計(jì)時(shí)時(shí)間。
在步驟S7中，激光加工裝置100開始加工準(zhǔn)備。例如，激光照射觀察單元162基于控制部152的控制使從激光單元163射出的激光脈沖的焦點(diǎn)位置與基板131的加工面對(duì)齊而調(diào)整物鏡的焦點(diǎn)位置。另外，控制部152獲得激光脈沖的脈沖能量、基于衰減器的脈沖能量的衰減率的值、狹縫的大小等與經(jīng)由未圖示的輸入部由激光輸入的加工條件相關(guān)的設(shè)定，并且基于該設(shè)定控制激光照射觀察單元162以及激光單元163。另外，控制部152獲取經(jīng)由未圖示的輸入部由激光輸入的進(jìn)行CVD加工以及ZAP加工的位置的詳細(xì)信息。在步驟S8中，空氣加熱器165基于控制部152以及空氣加熱器控制單元166的控制，在達(dá)到步驟S6設(shè)定的計(jì)時(shí)時(shí)間的時(shí)刻停止供給熱風(fēng)。這樣，在原料氣體供給之前停止熱風(fēng)，并且在原料氣體供給中不吹送熱風(fēng)，由此能夠?qū)⒓庸ぶ械腃VD空間211中的氣體環(huán)境保持在大致相同，能夠防止加工不均的發(fā)生。在步驟S9中，給排氣單元164基于控制部152的控制開始原料氣體的供給。由此， 原料氣體從氣體導(dǎo)入空間部201A的下端吹出，并且在氣窗201與基板131之間的CVD空間 211擴(kuò)散。在步驟SlO中，激光加工裝置101進(jìn)行CVD加工。具體而言，控制部152控制頭部 115在χ軸方向的位置以及支柱114在y軸方向的位置，并且控制來自激光單元163的激光脈沖的射出，在步驟S7中設(shè)定的基板131進(jìn)行CVD加工的部分照射激光脈沖。由此，在基板131被激光脈沖照射的部分形成由原料氣體含有的原料物質(zhì)形成的薄膜，形成新的圖案。在步驟Sll中，給排氣單元164基于控制部152的控制停止供給原料氣體。在步驟S12中，激光加工裝置101進(jìn)行ZAP加工。具體而言，控制部152控制頭部 115在χ軸方向的位置以及支柱114在y軸方向的位置，并且控制來自激光單元163的激光脈沖的射出，對(duì)步驟S7中設(shè)定的基板131進(jìn)行ZAP加工的部分照射激光脈沖。由此，將基板131的被激光脈沖照射的部分的圖案除去。另外，在無(wú)需進(jìn)行ZAP加工的情況下，將步驟Sll以及步驟S12的處理跳過。另外， 在加工的部分殘留的情況下，從步驟Si開始進(jìn)行處理。以上，能夠更加可靠且有效地將基板進(jìn)行CVD加工的部分附近加熱。即，由于不使用透明膜加熱器，故而無(wú)需進(jìn)行透明膜加熱器由于斷線等導(dǎo)致的修理和交換，能夠削減由此導(dǎo)致的成本增加和繁復(fù)的工夫，可防止操作的停滯。另外，由于僅將進(jìn)行CVD加工的部分附近加熱，故而能夠?qū)⒓訜崴璧哪芰肯鳒p， 并且通過將不需要的部分加熱可防止對(duì)周邊零件和設(shè)備產(chǎn)生熱量導(dǎo)致的不良影響。另外，能夠?qū)⒂糜诩訜峄宓牟考⌒突?，并且無(wú)需根據(jù)作為加工對(duì)象的基板的大小進(jìn)行更換，能夠削減成本并且容易進(jìn)行維修件的保管。另外，只要在加工單元151的移動(dòng)范圍內(nèi)，就能夠?qū)⒒宓娜坎糠植宦┑舳訜?，能夠防止加熱不足的發(fā)生。2、變形例在以上的說明中表示了從空氣加熱器165供給規(guī)定溫度以上的熱風(fēng)的例子。但是，如上所述，由于窗口 201被設(shè)定為高的溫度(65 70°C )，故而僅從空氣加熱器165供給與周圍的溫度相同的風(fēng)并從窗口 201的送風(fēng)口 201D-1 201D-3吹出，就能夠從送風(fēng)空 201D-1 201D-3吹出熱風(fēng)。并且，也能夠利用該熱風(fēng)將基板131加熱。
另外，圖5及圖6所示的凈化氣體導(dǎo)入口、原料氣體導(dǎo)入口以及送風(fēng)空的數(shù)量為一例，可以根據(jù)需要而增減。本發(fā)明的實(shí)施方式不限于上述實(shí)施方式，可以在不脫離本發(fā)明要旨的范圍內(nèi)進(jìn)行各種變更。
權(quán)利要求
1.一種激光加工裝置，其特征在于，包括送風(fēng)裝置，其吹送用于將加工部分附近加熱的熱風(fēng)；供給裝置，其通過對(duì)原料氣體進(jìn)行給氣排氣而將所述加工部分附近保持在所述原料氣體環(huán)境中；照射裝置，其對(duì)所述加工部分照射激光；控制裝置，其對(duì)所述送風(fēng)裝置、所述供給裝置以及所述照射裝置進(jìn)行控制。
2.如權(quán)利要求1所述的激光加工裝置，其特征在于，所述控制裝置進(jìn)行如下地控制， 即，在由所述送風(fēng)裝置將所述加工部分附近加熱規(guī)定時(shí)間之后，通過所述供給裝置生成所述原料氣體環(huán)境，由所述照射裝置對(duì)所述加工部分照射激光。
3.如權(quán)利要求1所述的激光加工裝置，其特征在于，來自所述送風(fēng)裝置的熱風(fēng)和來自所述供給裝置的所述原料氣體被從不同的位置向所述加工部分附近供給。
4.一種激光加工裝置，其特征在于，包括送風(fēng)裝置；供給裝置，其設(shè)定成比原料氣體中含有的原料物質(zhì)開始再結(jié)晶的溫度還高的溫度，并且將來自所述送風(fēng)裝置的風(fēng)向加工部分附近吹送，通過對(duì)所述原料氣體進(jìn)行給氣排氣而將所述加工部分附近保持在所述原料氣體環(huán)境中，照射裝置，其對(duì)所述加工部分照射激光；控制裝置，其對(duì)所述送風(fēng)裝置、所述供給裝置以及所述照射裝置進(jìn)行控制。
5.如權(quán)利要求4所述的激光加工裝置，其特征在于，所述控制裝置進(jìn)行如下的控制， 即，在由所述送風(fēng)裝置以及所述供給裝置向所述加工部分附近進(jìn)行規(guī)定時(shí)間的送風(fēng)之后， 由所述供給裝置生成所述原料氣體環(huán)境，由所述照射裝置對(duì)所述加工部分照射激光。
6.如權(quán)利要求4所述的激光加工裝置，其特征在于，所述送風(fēng)裝置吹送用于將所述加工部分附近加熱的熱風(fēng)。
全文摘要
一種激光加工裝置，將進(jìn)行CVD加工的加工部分附近更加可靠且有效地加熱。在進(jìn)行激光CVD加工的激光加工裝置(101)中，空氣加熱器(165)經(jīng)由氣窗(161)向加工部分附近吹送將在基板(131)上形成薄膜的加工部分附近加熱的熱風(fēng)。氣窗(161)通過對(duì)來自給排氣單元(164)的原料氣體進(jìn)行給氣排氣，將加工部分附近的CVD空間保持在原料氣體環(huán)境中。激光單元(163)經(jīng)由激光照射觀察單元(162)以及氣窗(161)而將激光脈沖向加工部分照射。本發(fā)明能夠適用于例如激光修復(fù)裝置。
文檔編號(hào)H01L21/00GK102191486SQ20111002201
公開日2011年9月21日 申請(qǐng)日期2011年1月20日 優(yōu)先權(quán)日2010年1月20日
發(fā)明者宇田川剛, 巖永康志 申請(qǐng)人:歐姆龍株式會(huì)社