專利名稱：肖特基二極管器件及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種肖特基勢(shì)壘 二極管器件(Schottky Barrier Diode, SBD)。
背景技術(shù)：
肖特基勢(shì)壘二極管簡(jiǎn)稱為肖特基二極管，是以金屬為正極，以n型半導(dǎo)體為負(fù)極，利用金屬與輕摻雜的n型半導(dǎo)體材料的接觸面上形成的勢(shì)壘具有整流特性而制成的金屬-半導(dǎo)體器件。請(qǐng)參閱圖I和圖2，這是一種傳統(tǒng)的肖特基二極管器件，其具體結(jié)構(gòu)為在襯底10之上具有n型埋層11和p型埋層12，在n型埋層11和p型埋層12之上為n型外延層13。在n型外延層13的表面具有多個(gè)隔離結(jié)構(gòu)141、142，這些隔離結(jié)構(gòu)均為氧化硅，采用場(chǎng)氧隔離(LOCOS)或淺槽隔離(STI)工藝制造。在n型外延層13中具有高壓n阱15，高壓n阱15的底部與n型埋層11相接觸。在n型外延層13中還具有p阱161，p阱161的底部與p型埋層12相接觸。在高壓n阱15中具有n阱162。在n型外延層13中還具有p阱163。在n阱162的表面具有n型重?fù)诫s區(qū)171。在p阱163的表面具有p型重?fù)诫s區(qū)172。n型重?fù)诫s區(qū)171和p型重?fù)诫s區(qū)172之間由隔離結(jié)構(gòu)142相隔離。在n型重?fù)诫s區(qū)171、p型重?fù)诫s區(qū)172和n型外延層13的表面具有金屬硅化物18。在隔離結(jié)構(gòu)141、142和金屬硅化物18之上具有層間介質(zhì)19，例如硼磷硅玻璃(BPSG)。在層間介質(zhì)19中具有多個(gè)接觸孔，每個(gè)接觸孔的底部和側(cè)壁都具有阻擋層金屬硅化物30，每個(gè)接觸孔的其余部位填充有接觸孔電極20，每個(gè)接觸孔電極20的下方均通過阻擋層金屬硅化物30與金屬硅化物18相接觸。在層間介質(zhì)19之上具有負(fù)極211和正極212，負(fù)極211和正極212均與接觸孔電極20的頂部相接觸。為簡(jiǎn)便起見，在圖I中將接觸孔電極20及其外圍、下方的阻擋層金屬硅化物30簡(jiǎn)化為一個(gè)接觸孔電極20，其詳細(xì)結(jié)構(gòu)如圖2所示。在圖I、圖2所示的肖特基二極管中，金屬硅化物18和n型外延層13之間形成肖特基接觸。現(xiàn)有的肖特基二極管的制造方法包括如下步驟第I步，在襯底10上以離子注入工藝形成n型摻雜區(qū)、p型摻雜區(qū)，并通過推阱(高溫?zé)嵬嘶?工藝使雜質(zhì)擴(kuò)散，所形成的n型摻雜區(qū)作為n型埋層11，所形成的p型摻雜區(qū)作為P型埋層12。第2步，在襯底10上以外延工藝生長(zhǎng)一層n型外延層13。第3步，在n型外延層13的表面以場(chǎng)氧隔離或淺槽隔離工藝制造隔離結(jié)構(gòu)141、142。隔離結(jié)構(gòu)141之間的區(qū)域稱為有源區(qū)。
第4步，在n型外延層13中以離子注入和退火工藝形成高壓n阱15，高壓n阱15的底部接觸n型埋層11。第5步，在n型外延層13中以離子注入和退火工藝形成P阱161、p阱163。在高壓n阱15中以離子注入和退火工藝形成n阱162。p阱161的底部與p型埋層12相接觸。P講163的底部落在n型外延層13中。p講161在最外側(cè)，p講163在最內(nèi)側(cè),高壓n講15在兩者之間。第6步，在n阱162中以離子注入和退火工藝形成n型重?fù)诫s區(qū)171。在p阱163中以離子注入和退火工藝形成P型重?fù)诫s區(qū)172。n型重?fù)诫s區(qū)171和p型重?fù)诫s區(qū)172之間由隔離結(jié)構(gòu)142相隔離。第7步，在硅片表面除隔離結(jié)構(gòu)141、142以外的區(qū)域(此時(shí)即n型重?fù)诫s區(qū)171、P型重?fù)诫s區(qū)172和n型外延層13的表面)淀積一層金屬，例如鈦(Ti)，接著進(jìn)行高溫退火處理形成金屬硅化物18，例如硅化鈦(TiSi2)。第8步，在硅片表面(此時(shí)即隔離結(jié)構(gòu)141、142和金屬硅化物18的表面)淀積一層層間介質(zhì)19,例如硼磷娃玻璃。第9步，在層間介質(zhì)19中以光刻和刻蝕工藝刻蝕多個(gè)接觸孔，然后在這多個(gè)接觸 孔的底部和側(cè)壁淀積阻擋層金屬，接著通過高溫退火處理在這多個(gè)接觸孔的底部和側(cè)壁形成阻擋層金屬硅化物30，最后以物理氣相淀積(PVD)工藝用金屬填充這多個(gè)接觸孔形成接觸孔電極20。每個(gè)接觸孔電極20的底部均通過阻擋層金屬硅化物30與金屬硅化物18相接觸。第10步，在硅片表面(此時(shí)即層間介質(zhì)19的表面)淀積一層金屬，通過光刻和刻蝕工藝形成負(fù)極211和正極212。負(fù)極211的底部與接觸孔電極20相接觸，再往下則是n型重?fù)诫s區(qū)171。正極212的底部與接觸孔電極20相接觸，再往下則是p型重?fù)诫s區(qū)172和n型外延層13。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是提供一種肖特基二極管器件，具有較高的擊穿電壓。為此，本發(fā)明還要提供所述肖特基二極管器件的制造方法。為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明肖特基二極管器件的具體結(jié)構(gòu)為在襯底之上具有n型埋層和p型埋層，在n型埋層和p型埋層之上為n型外延層；在n型外延層的表面具有多個(gè)隔離結(jié)構(gòu)；在n型外延層中具有高壓n阱，高壓n阱的底部與n型埋層相接觸；在n型外延層中還具有P阱一，P阱一的底部與P型埋層相接觸；在高壓n阱中具有n阱二；在n型外延層中還具有P阱二；在n阱二的表面具有n型重?fù)诫s區(qū)；在p阱二的表面具有p型重?fù)诫s區(qū)；n型重?fù)诫s區(qū)和p型重?fù)诫s區(qū)之間由隔離結(jié)構(gòu)相隔離；在隔離結(jié)構(gòu)、n型重?fù)诫s區(qū)、P型重?fù)诫s區(qū)和n型外延層之上具有層間介質(zhì)；在層間介質(zhì)中具有多個(gè)接觸孔，每個(gè)接觸孔的底部和側(cè)壁都具有阻擋層金屬硅化物，每個(gè)接觸孔的其余區(qū)域填充有接觸孔電極，每個(gè)接觸孔電極的下方均通過阻擋層金屬硅化物與n型重?fù)诫s區(qū)、p型重?fù)诫s區(qū)或n型外延層相接觸；在層間介質(zhì)之上具有負(fù)極和正極，負(fù)極和正極均與接觸孔電極的頂部相接觸；負(fù)極下方通過接觸孔電極、阻擋層金屬硅化物和n型重?fù)诫s區(qū)相接觸；正極下方通過接觸孔電極、阻擋層金屬硅化物和P型重?fù)诫s區(qū)或n型外延層相接觸；所述正極下方的接觸孔電極之間的間距小于或等于5 u m。所述肖特基二極管的制造方法包括如下步驟第I步，在襯底上以離子注入和退火工藝形成n型埋層和p型埋層；第2步，在襯底上生長(zhǎng)一層n型外延層；第3步，在n型外延層的表面以場(chǎng)氧隔離或淺槽隔離工藝制造隔離結(jié)構(gòu)；
第4步，在n型外延層中以離子注入和退火工藝形成高壓n阱，高壓n阱的底部接觸n型埋層；第5步，在n型外延層中以離子注入和退火工藝形成P阱一、P阱二 ；在高壓n阱中以離子注入和退火工藝形成n阱二 ；p阱一的底部與p型埋層相接觸；p阱二的底部落在n型外延層中；第6步，在n阱二中以離子注入和退火工藝形成n型重?fù)诫s區(qū)；在p阱二中以離子注入和退火工藝形成P型重?fù)诫s區(qū)；n型重?fù)诫s區(qū)和p型重?fù)诫s區(qū)之 間由隔離結(jié)構(gòu)相隔離；第7步，在隔離結(jié)構(gòu)、n型重?fù)诫s區(qū)、p型重?fù)诫s區(qū)和n型外延層的表面淀積一層層間介質(zhì)；第8步，在層間介質(zhì)中以光刻和刻蝕工藝刻蝕多個(gè)接觸孔，然后在這多個(gè)接觸孔的底部和側(cè)壁淀積阻擋層金屬，接著通過高溫退火處理在這多個(gè)接觸孔的底部和側(cè)壁形成阻擋層金屬硅化物，最后以物理氣相淀積工藝用金屬填充這多個(gè)接觸孔形成接觸孔電極；每個(gè)接觸孔電極的底部均通過阻擋層金屬硅化物與n型重?fù)诫s區(qū)、p型重?fù)诫s區(qū)或n型外延層相接觸。第9步，在層間介質(zhì)的表面淀積一層金屬，通過光刻和刻蝕工藝形成負(fù)極和正極；負(fù)極的底部通過接觸孔電極和阻擋層金屬硅化物與n型重?fù)诫s區(qū)相接觸；正極的底部通過接觸孔電極和阻擋層金屬硅化物與P型重?fù)诫s區(qū)或n型外延層相接觸。本發(fā)明肖特基二極管器件利用接觸孔電極之間的合理間距，以及p型重?fù)诫s區(qū)形成的P型增壓環(huán)，可以確保器件結(jié)構(gòu)的擊穿電壓。本發(fā)明肖特基二極管器件的制造方法，可以簡(jiǎn)化制造工藝，而且不額外增加工藝步驟和制造成本。


圖I是現(xiàn)有的肖特基二極管器件的剖面示意圖；圖2是圖I中A區(qū)域的局部放大圖；圖3是本發(fā)明肖特基二極管器件的剖面示意圖；圖4是圖3中B區(qū)域的局部放大圖；圖5是本發(fā)明肖特基二極管器件的俯視示意圖。圖中附圖標(biāo)記說明10為襯底；11為n型埋層；12為p型埋層；13為n型外延層；141、142均為隔離結(jié)構(gòu)；15為高壓n阱；161為p阱；162為n阱；163為p阱；171為n型重?fù)诫s區(qū)；172為p型重?fù)诫s區(qū)；18為金屬娃化物；19為硼磷娃玻璃；20為接觸孔電極；211為負(fù)極；212為正極；30為阻擋層金屬硅化物。
具體實(shí)施例方式請(qǐng)參閱圖3和圖4，這是本發(fā)明肖特基二極管器件，其具體結(jié)構(gòu)為在襯底10之上具有n型埋層11和p型埋層12，在n型埋層11和p型埋層12之上為n型外延層13。在n型外延層13的表面具有多個(gè)隔離結(jié)構(gòu)141、142，這些隔離結(jié)構(gòu)均為氧化硅，采用場(chǎng)氧隔離或淺槽隔離工藝制造。在n型外延層13中具有高壓n阱15，高壓n阱15的底部與n型埋層11相接觸。在n型外延層13中還具有p阱161，p阱161的底部與p型埋層12相接觸。在高壓n阱15中具有n阱162。在n型外延層13中還具有p阱163。在n阱162的表面具有n型重?fù)诫s區(qū)171。在p阱163的表面具有p型重?fù)诫s區(qū)172。n型重?fù)诫s區(qū)171和p型重?fù)诫s區(qū)172之間由隔離結(jié)構(gòu)142相隔離。在隔離結(jié)構(gòu)141、142和硅片(即n型重?fù)诫s區(qū)171、p型重?fù)诫s區(qū)172和n型外延層13)之上具有層間介質(zhì)19，例如硼磷硅玻璃。在層間介質(zhì)19中具有多個(gè)接觸孔，每個(gè)接觸孔的底部和側(cè)壁都具有阻擋層金屬硅化物30，例如硅化鈦(TiSi2);每個(gè)接觸孔的其余區(qū)域填充有接觸孔電極20，每個(gè)接觸孔電極20的下方均通過阻擋層金屬硅化物30與硅片(即n型重?fù)诫s區(qū)171、p型重?fù)诫s區(qū)172和n型外延層13的表面)相接觸。在層間介質(zhì)19之上具有負(fù)極211和正極212，負(fù)極211和正極212均為金屬，且均與接觸孔電極20的頂部相接觸。負(fù)極211下方通過接觸孔電極20、阻擋層金屬硅化物30和n型重?fù)诫s區(qū)171相接觸。正極212下方通過接觸孔電極20、阻擋層金屬硅化物30和p型重?fù)诫s區(qū)172或n型外延層13相接觸。為簡(jiǎn)便起見，在圖3中將接觸孔電極20及其外圍、下方的阻擋層金屬硅化物30簡(jiǎn)化為一個(gè)接觸孔電極20，其詳細(xì)結(jié)構(gòu)如圖4所示。在圖3、圖4所示的肖特基二極管中，阻 擋層金屬硅化物30和n型外延層13之間形成肖特基接觸。請(qǐng)參閱圖5，這是本發(fā)明肖特基二極管的俯視示意圖。在硅片剖視圖中的中心對(duì)稱結(jié)構(gòu)實(shí)際上均為環(huán)狀結(jié)構(gòu)。圖5中最外圍的方環(huán)表示負(fù)極211，最里面的實(shí)線八邊形表示正極212，在負(fù)極211和正極212的下方具有多個(gè)接觸孔電極20。圖5中兩個(gè)虛線八邊形之間所形成的八邊形環(huán)狀表示P型重?fù)诫s區(qū)172所形成的p型增壓環(huán)。該p型增壓環(huán)172將正極212下方的所有接觸孔電極20包圍在內(nèi)。有部分接觸孔電極20落在該p型增壓環(huán)20的范圍內(nèi)，也視為“包圍在內(nèi)”的情況?，F(xiàn)有的肖特基二極管中，金屬正極212下方的多個(gè)接觸孔電極20之間沒有尺寸要求，僅需使上下層結(jié)構(gòu)互聯(lián)即可。本發(fā)明肖特基二極管中，金屬正極下方的多個(gè)接觸孔電極20之間的間距小于或等于5 u m。本發(fā)明肖特基二極管器件合理地布局接觸孔，選擇合適的接觸孔之間的間距，使相鄰各肖特基勢(shì)壘二極管在反向偏壓下形成的耗盡層連接成片，增加PN結(jié)的曲率半徑，從而提高整個(gè)肖特基二極管器件的耐壓。在n型外延層13外周有p型重?fù)诫s區(qū)172形成的P型增壓環(huán)，在反向偏壓下，該P(yáng)型增壓環(huán)172形成的耗盡層將肖特基勢(shì)壘二極管區(qū)域的耗盡層包圍，從而確保器件結(jié)構(gòu)的擊穿不會(huì)因?yàn)橛斜∪觞c(diǎn)而受限的情況。本發(fā)明肖特基二極管的制造方法包括如下步驟第I步，在襯底10上以離子注入工藝形成n型摻雜區(qū)、p型摻雜區(qū)，并通過推阱(高溫?zé)嵬嘶?工藝使雜質(zhì)擴(kuò)散，所形成的n型摻雜區(qū)作為n型埋層11，所形成的p型摻雜區(qū)作為P型埋層12。第2步，在襯底10上以外延工藝生長(zhǎng)一層n型外延層13。第3步，在n型外延層13的表面以場(chǎng)氧隔離或淺槽隔離工藝制造隔離結(jié)構(gòu)141、142。隔離結(jié)構(gòu)141之間的區(qū)域稱為有源區(qū)。第4步，在n型外延層13中以離子注入和退火工藝形成高壓n阱15，高壓n阱15的底部接觸n型埋層11。第5步，在n型外延層13中以離子注入和退火工藝形成p阱161、p阱163。在高壓n阱15中以離子注入和退火工藝形成n阱162。p阱161的底部與p型埋層12相接觸。P講163的底部落在n型外延層13中。p講161在最外側(cè)，p講163在最內(nèi)側(cè),高壓n講15在兩者之間。第6步，在n阱162中以離子注入和退火工藝形成n型重?fù)诫s區(qū)171。在p阱163中以離子注入和退火工藝形成P型重?fù)诫s區(qū)172。n型重?fù)诫s區(qū)171和p型重?fù)诫s區(qū)172之間由隔離結(jié)構(gòu)142相隔離。第7步，在硅片表面(此時(shí)即隔離結(jié)構(gòu)141、142、n型重?fù)诫s區(qū)171、p型重?fù)诫s區(qū)172和n型外延層13的表面)淀積一層層間介質(zhì)19,例如硼磷娃玻璃。第8步，在層間介質(zhì)19中以光刻和刻蝕工藝刻蝕多個(gè)接觸孔，然后在這多個(gè)接觸孔的底部和側(cè)壁淀積阻擋層金屬，接著通過高溫退火處理在這多個(gè)接觸孔的底部和側(cè)壁形成阻擋層金屬硅化物30，最后以物理氣相淀積(PVD)工藝用金屬填充這多個(gè)接觸孔形成接觸孔電極20。每個(gè)接觸孔電極20的底部均通過阻擋層金屬硅化物30與硅片表面(S卩n型重?fù)诫s區(qū)171、p型重?fù)诫s區(qū)172和n型外延層13的表面)相接觸。第9步，在硅片表面(此時(shí)即層間介質(zhì)19的表面)淀積一層金屬，通過光刻和刻蝕工藝形成負(fù)極211和正極212。負(fù)極211的底部通過接觸孔電極20和阻擋層金屬硅化物30與n型重?fù)诫s區(qū)171相接觸。正極212的底部通過接觸孔電極20和阻擋層金屬硅化物30與p型重?fù)诫s區(qū)172或n型外延層13相接觸?，F(xiàn)有的肖特基二極管的制造方法，需要單獨(dú)地在硅片上(尤其是n型外延層13之上)淀積一層金屬，并通過高溫退火工藝形成金屬硅化物18，最終由金屬硅化物18和下方的n型外延層13形成肖特基接觸。本發(fā)明肖特基二極管的制作方法，則省略了這一步，改由接觸孔底部的阻擋層金屬硅化物30和下方的n型外延層13形成肖特基接觸。由于在填充接觸孔時(shí)，阻擋層金屬硅化物30總是要形成的，本發(fā)明使得這一阻擋層金屬硅化物30不僅起到填充接觸孔時(shí)的阻擋層作用，還起到肖特基接觸的作用。這樣不僅簡(jiǎn)化了制造工藝，還不會(huì)額外增加工藝步驟和制造成本。權(quán)利要求
1.一種肖特基ニ極管器件，其特征是，所述肖特基ニ極管器件的具體結(jié)構(gòu)為在襯底之上具有η型埋層和P型埋層，在η型埋層和P型埋層之上為η型外延層； 在η型外延層的表面具有多個(gè)隔離結(jié)構(gòu)； 在η型外延層中具有高壓η阱，高壓η阱的底部與η型埋層相接觸； 在η型外延層中還具有P阱一，P阱ー的底部與P型埋層相接觸； 在聞壓η講中具有η講_.； 在η型外延層中還具有P阱ニ； 在η阱ニ的表面具有η型重?fù)诫s區(qū)； 在P阱ニ的表面具有P型重?fù)诫s區(qū)； η型重?fù)诫s區(qū)和P型重?fù)诫s區(qū)之間由隔離結(jié)構(gòu)相隔離； 在隔離結(jié)構(gòu)、η型重?fù)诫s區(qū)、P型重?fù)诫s區(qū)和η型外延層之上具有層間介質(zhì)； 在層間介質(zhì)中具有多個(gè)接觸孔，每個(gè)接觸孔的底部和側(cè)壁都具有阻擋層金屬硅化物，每個(gè)接觸孔的其余區(qū)域填充有接觸孔電極，每個(gè)接觸孔電極的下方均通過阻擋層金屬硅化物與η型重?fù)诫s區(qū)、P型重?fù)诫s區(qū)或η型外延層相接觸； 在層間介質(zhì)之上具有負(fù)極和正極，負(fù)極和正極均與接觸孔電極的頂部相接觸； 負(fù)極下方通過接觸孔電極、阻擋層金屬硅化物和η型重?fù)诫s區(qū)相接觸； 正極下方通過接觸孔電極、阻擋層金屬硅化物和P型重?fù)诫s區(qū)或η型外延層相接觸； 所述正極下方的接觸孔電極之間的間距小于或等于5 μ m。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的肖特基ニ極管器件，其特征是，所述P型重?fù)诫s區(qū)形成ー個(gè)環(huán)狀的P型增壓環(huán)，該P(yáng)型增壓環(huán)將正極下方的所有接觸孔電極都包圍在內(nèi)。
3.根據(jù)權(quán)利要求I所述的肖特基ニ極管器件，其特征是，所述阻擋層金屬硅化物為硅化鈦。
4.根據(jù)權(quán)利要求I所述的肖特基ニ極管器件，其特征是，所述隔離結(jié)構(gòu)為氧化硅。
5.根據(jù)權(quán)利要求I所述的肖特基ニ極管器件，其特征是，所述層間介質(zhì)為硼磷硅玻璃。
6.根據(jù)權(quán)利要求I所述的肖特基ニ極管器件，其特征是，所述阻擋層金屬硅化物和η型外延層之間形成肖特基接觸。
7.—種制造如權(quán)利要求I所述的肖特基ニ極管器件的方法，其特征是，包括如下步驟 第I步，在襯底上以離子注入和退火エ藝形成η型埋層和P型埋層； 第2步，在襯底上生長(zhǎng)ー層η型外延層； 第3步，在η型外延層的表面以場(chǎng)氧隔離或淺槽隔離エ藝制造隔離結(jié)構(gòu)； 第4步，在η型外延層中以離子注入和退火エ藝形成高壓η阱，高壓η阱的底部接觸η型埋層； 第5步，在η型外延層中以離子注入和退火エ藝形成P阱一、P阱ニ； 在高壓η阱中以離子注入和退火エ藝形成η阱ニ； P阱ー的底部與P型埋層相接觸； P阱ニ的底部落在η型外延層中； 第6步，在η阱ニ中以離子注入和退火エ藝形成η型重?fù)诫s區(qū)； 在P阱ニ中以離子注入和退火エ藝形成P型重?fù)诫s區(qū)； η型重?fù)诫s區(qū)和P型重?fù)诫s區(qū)之間由隔離結(jié)構(gòu)相隔離；第7步，在隔離結(jié)構(gòu)、η型重?fù)诫s區(qū)、P型重?fù)诫s區(qū)和η型外延層的表面淀積ー層層間介質(zhì)； 第8步，在層間介質(zhì)中以光刻和刻蝕エ藝刻蝕多個(gè)接觸孔，然后在這多個(gè)接觸孔的底部和側(cè)壁淀積阻擋層金屬，接著通過高溫退火處理在這多個(gè)接觸孔的底部和側(cè)壁形成阻擋層金屬硅化物，最后以物理氣相淀積エ藝用金屬填充這多個(gè)接觸孔形成接觸孔電扱； 每個(gè)接觸孔電極的底部均通過阻擋 層金屬硅化物與η型重?fù)诫s區(qū)、P型重?fù)诫s區(qū)或η型外延層相接觸； 第9步，在層間介質(zhì)的表面淀積ー層金屬，通過光刻和刻蝕エ藝形成負(fù)極和正極； 負(fù)極的底部通過接觸孔電極和阻擋層金屬硅化物與η型重?fù)诫s區(qū)相接觸； 正極的底部通過接觸孔電極和阻擋層金屬硅化物與P型重?fù)诫s區(qū)或η型外延層相接觸。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種肖特基二極管器件，利用接觸孔電極之間的合理間距，以及p型重?fù)诫s區(qū)形成的p型增壓環(huán)，可以確保器件結(jié)構(gòu)的擊穿電壓。本發(fā)明還公開了所述肖特基二極管器件的制造方法，可以簡(jiǎn)化制造工藝，而且不額外增加工藝步驟和制造成本。
文檔編號(hào)H01L29/417GK102694033SQ201110022680
公開日2012年9月26日 申請(qǐng)日期2011年1月20日 優(yōu)先權(quán)日2011年1月20日
發(fā)明者張帥, 李冰 申請(qǐng)人:上海華虹Nec電子有限公司