国产精品1024永久观看,大尺度欧美暖暖视频在线观看,亚洲宅男精品一区在线观看,欧美日韩一区二区三区视频,2021中文字幕在线观看

  • <option id="fbvk0"></option>
    1. <rt id="fbvk0"><tr id="fbvk0"></tr></rt>
      <center id="fbvk0"><optgroup id="fbvk0"></optgroup></center>
      <center id="fbvk0"></center>

      <li id="fbvk0"><abbr id="fbvk0"><dl id="fbvk0"></dl></abbr></li>

      一種聚光發(fā)電系統的制作方法

      文檔序號:6994008閱讀:122來源:國知局
      專利名稱:一種聚光發(fā)電系統的制作方法
      技術領域
      本發(fā)明屬于太陽能電池技術領域,具體涉及一種聚光發(fā)電系統。
      背景技術
      太陽能是清潔的可再生能源,應用多種技術,可以將太陽能轉換為熱能、電能等。 太陽能的應用范圍跨越住宅、商業(yè)、工業(yè)、農業(yè)及運輸領域,其中最為廣泛的應用是太陽能光伏發(fā)電。但是,目前太陽能發(fā)電成本一般比化石燃料的發(fā)電成本高幾倍,因此,仍然需要更進一步降低太陽能的發(fā)電成本,從而使太陽能成為一種更加合適的能源選擇。一種降低太陽發(fā)電成本的方法是使用折射透鏡或反射鏡將太陽光聚集到光伏電池上。這種系統被稱作為聚光發(fā)電系統。聚光發(fā)電系統能提高太陽電池接受的光照強度, 從而降低電池面積,提高電池的轉換效率,進而降低發(fā)電成本。聚光發(fā)電系統一般包括聚光系統、光電轉換系統、跟蹤系統和散熱系統。聚光系統主要有透射聚光器、反射聚光器等類型;光電轉換系統也即光伏組件,由太陽電池通過一定的連接方式組合而成,它是聚光發(fā)電系統的核心。用于聚光系統的傳統太陽電池都是基于III-V族多結電池,它們擁有較高的轉換效率(30 40% ),但是其發(fā)電成本卻非常高(在10美元/平方厘米量級),因此廣泛應用受到限制。另外傳統聚光電池應用時需要配備昂貴的聚光系統、散熱系統和跟蹤系統,使其成本進一步增加。因此限制了傳統聚光電池同晶硅電池的競爭。目前的成本核算表明 由于III-V族多結電池的昂貴成本,安裝在聚光系統中的III-V族多結電池必須達到至少 400倍的聚光率才能與傳統晶硅電池相競爭。如此高的聚光率要求聚光電池在白天必須極其精確地追蹤太陽光,這又必須要用到非常昂貴的光學系統和雙軸跟蹤系統。因此,傳統的聚光發(fā)電系統由于采用高成本的聚光電池、需要高成本的聚光系統、散熱系統和跟蹤系統, 很難同其他非聚光電池相競爭,限制了它的大范圍應用。

      發(fā)明內容
      本發(fā)明提供了一種聚光發(fā)電系統,采用低成本的薄膜太陽電池,并配備低成本的聚光系統,無需散熱系統,從而使聚光發(fā)電系統的成本大大降低,解決了現有聚光發(fā)電系統高成本的問題?!N聚光發(fā)電系統,包括聚光系統和光電轉換系統,所述的光電轉換系統由若干個薄膜太陽電池串聯連接而成,所述的薄膜太陽電池包括襯底,以及在襯底上依次沉積的背接觸電極、作用層、緩沖層、透明導電和金屬柵線,其中,所述的襯底為導熱襯底,所述的作用層的組分為a_Si:H、CdTe, Cu (InGa) Se2 (CIGS)、有機物光電轉換材料或染料敏化的光電轉換材料,所述的金屬柵線為網狀結構。所述的金屬柵線可以為方形網狀結構、回旋形的網狀結構、圓形網狀結構或橢圓形網狀結構,這樣,金屬柵線在所述的薄膜太陽電池表面排布更均勻,可以更均勻地收集所述的薄膜太陽電池表面不同位置的電流,從而可以實現更有效地收集所述的薄膜太陽電池電流同時不用占據更多的面積。所述的金屬柵線的寬度為90 150 μ m,以收集聚光條件下產生的高電流,這樣, 所述的金屬柵線只是占到所述的薄膜太陽電池總面積的5-6%,所述的薄膜太陽電池效率也至少相對提高15%。所述的作用層的組分為Cu(InGa)k2,其中,Ga占到( 和h總質量的比值(Ga/ (Ga+In))為0.5 0.7,形成高電壓低電流的電池結構,降低電池發(fā)電過程中的熱損失。由于Cdr^e2的帶隙為1. 02eV,而Cufe^e2的帶隙為1. 7eV,因此提高CIGS層中( 的含量,可使電池開路電壓提升。常規(guī)的CIGS薄膜電池中( 占到( 和h總質量的比值(Ga/(Ga+L·!)) 一般在0. 2-0. 3之間,本發(fā)明提高到0. 7時,可以使開路電壓翻番,同時,因為效率只是略微降低,電流可以降到一半以降低3/4的熱損失。所述的導熱襯底為金屬箔或碳化硅,其散熱快,在高聚光率(100 1000)下仍然能維持所述的薄膜太陽電池在相對較低的溫度以防止所述的薄膜太陽電池燒毀。此外,當金屬箔為柔性箔時,可以給所述的薄膜太陽電池更多的空間進行形狀的改變,從而滿足光學設計需要。本發(fā)明中,所述的薄膜太陽電池之間串聯連接,可以避免在并聯中的大電流產生較大的熱量。串聯連接的電池組件,可以通過以下方法制備將背接觸電極、作用層、前接觸電極沉積在襯底上之后迅速由激光刻蝕或機械劃線進行圖案化。該制備過程簡單,具有明顯的成本優(yōu)勢。上述的聚光發(fā)電系統中,同時配置低成本的聚光系統,無需散熱系統,從而實現聚光發(fā)電系統的成本降低。所述的聚光系統可以為反射和/或折射聚光器。所述的折射聚光器可以為菲涅爾透鏡,包括點聚焦菲涅爾透鏡、線聚焦菲涅爾透鏡和彎曲菲涅爾透鏡;所述的反射聚光器可以為反射拋物槽,其反射面為拋物面;或復合反射拋物槽(CPC),其反射面為復合反射拋物面;或反射V型槽,其反射面為V型平面。所述的聚光系統可以為所述的反射、折射聚光器中的一種或多種,在選擇聚光率上有很大的靈活性。優(yōu)選的技術方案中,所述的聚光系統由一個復合反射拋物槽(CPC)和一個反射V 型槽構成,其反射光路中復合反射拋物槽(CPC)作為初級光反射部件,反射V型槽作為二級光反射部件(SOE);或者,其反射光路中反射V型槽作為初級光反射部件,復合反射拋物槽 (CPC)作為二級光反射部件(SOE)。優(yōu)選的技術方案中,所述的聚光系統由兩個復合反射拋物槽(CPC)和一個反射V 型槽構成,其反射光路中第一復合反射拋物槽(CPC)作為初級光反射部件,反射V型槽作為二級光反射部件(SOE),第二復合反射拋物槽(CPC)作為三級光反射部件。優(yōu)選的技術方案中,所述的聚光系統由一個復合反射拋物槽(CPC)和兩個反射V 型槽構成,其反射光路中第一反射V型槽作為初級光反射部件,復合反射拋物槽(CPC)作為二級光反射部件(SOE),第二反射V型槽作為三級光反射部件。優(yōu)選的技術方案中,所述的聚光系統由一個反射拋物槽和一個復合反射拋物槽 (CPC)構成,其反射光路中反射拋物槽作為一級光反射部件,復合反射拋物槽(CPC)作為二級光反射部件(SOE)。本發(fā)明的聚光發(fā)電系統,采用低成本薄膜電池,在較低的聚光率(<40倍)下,不需要追蹤系統,有效降低發(fā)電成本。本發(fā)明的聚光發(fā)電系統結構簡單、成本低。


      圖1為現有技術中CIGS薄膜電池的結構示意圖。圖2為現有技術中CIGS薄膜電池發(fā)電效率隨光照強度的變化曲線。圖3為現有技術中CIGS薄膜電池的金屬柵線的形狀示意圖。圖4為本發(fā)明中將若干個CIGS薄膜電池串聯連接構成組件的制備過程示意圖。圖5為本發(fā)明中CIGS薄膜電池的金屬柵線的第一種實施方式的形狀示意圖。圖6為本發(fā)明中CIGS薄膜電池的金屬柵線的第二種實施方式的形狀示意圖。圖7為本發(fā)明中CIGS薄膜電池的金屬柵線的第三種實施方式的形狀示意圖。圖8㈧和圖8(B)為本發(fā)明聚光發(fā)電系統的第一種實施方式的示意圖和截面示意圖。圖9為本發(fā)明聚光發(fā)電系統的第二種實施方式的截面示意圖。圖10為本發(fā)明聚光發(fā)電系統的第三種實施方式的截面示意圖。圖11為本發(fā)明聚光發(fā)電系統的第四種實施方式的截面示意圖。圖12為本發(fā)明聚光發(fā)電系統的第五種實施方式的截面示意圖。圖13為本發(fā)明聚光發(fā)電系統的第六種實施方式的截面示意圖。圖14為本發(fā)明聚光發(fā)電系統的第七種實施方式的截面示意圖。圖15為本發(fā)明聚光發(fā)電系統的第八種實施方式的截面示意圖。圖16為本發(fā)明聚光發(fā)電系統的第九種實施方式的截面示意圖。圖17為本發(fā)明聚光發(fā)電系統的第十種實施方式的截面示意圖。
      具體實施例方式下面結合實施例和附圖來詳細說明本發(fā)明,但本發(fā)明并不僅限于此。現有技術中,傳統CIGS薄膜電池的結構如圖1所示,包括襯底121,以及在襯底 121上依次沉積的鉬122、CIGS123、CdS124、高阻&ι0125、導電、金屬柵線127和減反射膜MgF2128,背接觸電極129為銦。常規(guī)CIGS薄膜電池發(fā)電效率隨光照射強度變化曲線如圖2所示相比于電池在標準的1個太陽光下的效率,在聚光條件下(直到光強達到15個太陽)電池效率可以得到提升。CIGS薄膜電池在5個太陽下的效率達到8.6%,比在1個太陽下的效率(7.4% )相對提高了 15%。常規(guī)CIGS薄膜電池的金屬柵線127呈梳狀,在電池表面的排布方式如圖3所示, 由于在聚光條件下電池會產生高電流,常規(guī)的CIGS薄膜電池電極不能有效地收集在聚光下得到的大電流,這導致在高聚光率下電池的填充因子降低。另外梳狀電極結構收集電流的均勻性也受到限制。一個典型的高效CIGS薄膜電池的電流密度為35mA/cm2,在10個太陽的聚光條件下,Icm2小面積電池將輸出0. 35A的電流。高電流產生的熱效應將導致金屬柵線的損失,熱損失等于I2R,這里I是電流,R是電阻。以下將以CIGS薄膜電池為例來詳細解釋本發(fā)明的聚光發(fā)電系統的實施和其對現有技術的改進。
      一種聚光發(fā)電系統,包括聚光系統和光電轉換系統。其中,光電轉換系統由若干個薄膜太陽電池串聯連接而成,該薄膜太陽電池包括襯底, 以及在襯底上依次沉積的背接觸電極、作用層、緩沖層、透明導電層和金屬柵線,制備過程如圖4所示,將背接觸電極422、作用層423、前接觸電極(由緩沖層、透明導電層和金屬柵線構成)424依次沉積在襯底421上之后迅速由激光刻蝕或機械劃線進行圖案化。其中,襯底421為金屬箔,其散熱快,在高聚光率(100 1000)下仍然能維持電池在相對較低的溫度以防止電池燒毀;而且本身為柔性箔,可以給電池更多的空間進行形狀的改變,從而滿足光學設計需要。其中,作用層423的組分為Cu (InGa) Se2 (CIGS),Ga占到Ga和In總質量的比值χ (χ =Ga/ (Ga+In))為0. 7,形成高電壓低電流的電池結構。由于CuInSe2的帶隙為1. 02eV,而 CuGaSe2W帶隙為1. 7eV,因此提高CIGS層中Ga的含量,可使電池開路電壓提升。常規(guī)的 CIGS薄膜電池中χ —般在0. 2-0. 3之間,本實施例提高到0. 7時,可以使開路電壓翻番,同時,因為效率只是略微降低,電流可以降到一半以降低3/4的熱損失。這樣不再需要額外的散熱系統。其中,前接觸電極424中金屬柵線為網狀結構,可以為方形網狀結構(如圖5所示)、回旋形的網狀結構(如圖6所示)、圓形網狀結構或橢圓形網狀結構(如圖7所示), 這樣,金屬柵線在電池表面排布更均勻,可以更均勻地收集電池表面不同位置的電流,從而可以實現更有效地收集電池電流同時不用占據更多的面積。金屬柵線的寬度為100 μ m,以收集聚光條件下產生的高電流,這樣,所述的金屬柵線只是占到電池總面積的5-6%,電池效率也至少相對提高15%。在使用上述光電轉換系統的基礎上,聚光系統可以為以下若干種情況中的任一第一種情況聚光系統為線聚焦的彎曲的菲涅爾透鏡21,聚光發(fā)電系統結構如圖 8(A)所示,沿著聚光電池橫軸的截面圖如圖8(B)所示,光14聚集到光電轉換系統中電池 20上。聚光率是線聚焦的彎曲菲涅爾透鏡21的有效面積與光電轉換系統中電池20的面積之比。菲涅爾透鏡21的球形設計降低了來自于色差和彎曲變形的象散,也極大提高了透鏡的剛度。第二種情況聚光系統為反射拋物槽,聚光系統的反射面為拋物面,聚光發(fā)電系統的截面示意圖如圖9所示。光電轉換系統中電池30的中心位于拋物面31的焦點處,同法線軸方向平行的光束14被反射到光電轉換系統中電池30的中心,反射束15以同法線方向成角度b的方向到達電池30的表面。角度a是入射光束能被反射到光電轉換系統中電池30上的允許的角度范圍,在允角a范圍內到達的光束314也被反射到光電轉換系統中電池30的表面。由于反射拋物槽是由上述截面沿著平行軸延伸而成,因此反射拋物槽在光電轉換系統中電池30上的聚光率C可以由下式來確定C = cos (b) · sin (b) /sin (a)。第三種情況聚光系統為復合反射拋物槽(CPC),聚光系統的反射面為復合反射拋物面,聚光發(fā)電系統的截面示意圖如圖10所示。復合反射拋物面41包含兩個拋物面,兩個拋物面的焦點在光電轉換系統中電池 40的相反邊緣。入射光束414先到達第一個拋物面的邊緣被反射,反射光束415再到達光電轉換系統中電池40的邊緣。入射光線與系統中心線之間的夾角為c,聚光率C可以由下式決定C = n/Sin(C),在這里,η是CPC中填充電介質(如土壤)的折射率。在CPC中,在典型的光照條件下,大部分光聚集在光電轉換系統中電池40的邊緣。第四種情況聚光系統為反射V型槽,聚光系統的反射面為V型平面,聚光發(fā)電系統的截面示意圖如圖11所示。入射光束514與V型槽中心軸的夾角為e,以允角e范圍內的角度照射到V型槽邊緣的反射鏡面51,被鏡面51反射到光電轉換系統中電池50上,反射光束為515。若V型槽的反射鏡面51與V型槽中心軸的夾角為d,則聚光率C可以為C = η · {1+2 · sin(d) cos [ (e) +2 · (d) ] / · sin [ (e) + (d) ]},這里,η是填充電介質的折射率。第三種情況聚光系統由一個復合反射拋物槽(CPC)和一個反射V型槽構成,其反射光路中復合反射拋物槽(CPC)作為初級光反射部件,V型槽作為二級光反射部件(SOE), 聚光發(fā)電系統的截面示意圖如圖12所示。

      入射光束614首先入射到復合反射拋物槽(CPC)的一個拋物面上,反射光束615 作為V型槽(SOE)的入射光束,以與V型槽的中心軸成el的角度入射到V型槽邊緣的反射鏡面61上,被鏡面61反射最終到達光電轉換系統中電池60的表面。這里入射光束614與 CPC中心軸之間的夾角是cl,V型槽的反射鏡面61與其中心軸之間的夾角為dl,為保護光路,在CPC的上表面加透明蓋62。整個系統的聚光率可由下式計算C = l/sin(cl)*{l+2 · sin (dl) cos [ (el)+2 · (dl)]/ · sin [ (el) + (dl) ]}第六種情況聚光系統由兩個復合反射拋物槽(CPC)和一個反射V型槽構成,其反射光路中第一 CPC作為初級光反射部件,V型槽作為二級光反射部件(SOE),第二 CPC作為三級光反射部件,聚光發(fā)電系統的截面示意圖如圖13所示。入射光束首先到達第一 CPC的一個拋物面,被拋物面反射到達V型槽邊緣的反射鏡面,被鏡面再次反射到達第二 CPC的拋物面,被拋物面反射后最終到達光電轉換系統中電池表面。其中光束入射到第一個CPC時與聚光系統中心軸的夾角為C2,被反射后入射到 V型槽時與聚光系統中心線之間的夾角為e2,V型槽的反射鏡面與其中心軸之間的夾角為 d2,被V型槽的反射鏡面反射后的光線為進入到第二 CPC的入射光線,它在第二 CPC的拋物面入射時與整個聚光系統的軸線夾角為f。整個聚光系統的聚光率為C = 1/sin (c2) * {1+2 · sin (d2) cos [ (e2) +2 · (d2) ] / · sin [ (e2) + (d2) ]} /sin (f)第七種情況聚光系統由一個復合反射拋物槽(CPC)和一個反射V型槽構成,其反射光路中反射V型槽作為初級光反射部件,CPC作為二級光反射部件(SOE),聚光發(fā)電系統的截面示意圖如圖14所示。入射光線714以與聚光系統中心軸成e3的角度入射到V型槽邊緣的反射鏡面71 上,被鏡面71反射的光線715入射到CPC的拋物面上,被CPC的拋物面再次反射后進入光電轉換系統中電池70。其中V型槽的反射鏡面71邊緣與聚光系統中心軸的夾角為d3,光線715與聚光系統中心軸的夾角為c3。為保護光路,在V型槽的上表面加透明蓋72。整個聚光系統總的聚光率為C= {1+2 · sin (d3) cos [ (e3) +2 · (d3) ] / · sin [ (e3) + (d3) ]} /sin (c3)第八種情況聚光系統由一個復合反射拋物槽(CPC)和兩個反射V型槽構成,其反射光路中第一 V型槽作為初級光反射部件,CPC作為二級光反射部件(SOE),第二 V型槽作為三級光反射部件,聚光發(fā)電系統結構的截面圖如圖15所示。入射光線首先被V型槽的邊緣鏡面反射,反射后的光線入射到CPC的拋物面上,被該拋物面反射后入射到第二 V型槽邊緣的反射鏡面,第二 V型槽的鏡面再次反射后入射到光電轉換系統中電池上。其中入射到第一V型槽的光線與聚光系統中心軸之間的夾角為 e4,第一 V型槽邊緣的反射鏡面與聚光系統中心軸之間的夾角為d4,入射到CPC的拋物面上時光線與聚光系統中心線之間的夾角為c4,入射到第二 V型槽的光線與系統中心軸之間的夾角為g,第二 V型槽邊緣的鏡面與聚光系統中心軸之間的夾角為h。該聚光系統的聚光率為兩個V型槽和一個CPC的聚光率的積,即C = {1 + 2 ‘ sin(d4)cos[(e4)+2 ‘ (d4)] / ‘ sin[(e4) + (d4)]}/ sin (c4)* {1+2 · sin (h) cos [ (g) +2 · (h)] / · sin [ (g) + (h) ]}第九種情況聚光系統由一個反射拋物槽和一個復合反射拋物槽(CPC)構成,其反射光路中反射拋物槽作為一級光反射部件,CPC作為二級光反射部件(SOE),聚光發(fā)電系統結構的截面圖如圖16所示。光線首先入射到反射拋物槽81上,被反射拋物槽81反射后作為入射光線入射到 CPC82內,由CPC82中的拋物槽反射后進入光電轉換系統中電池80。反射拋物槽81的入射光線14與反射光線15之間的夾角為bl,入射光線314的允角范圍為al ;CPC82的入射光線(也即反射拋物槽81的反射光線)315與聚光系統中心線之間的夾角為c5。該聚光系統的聚光率為C= cos (bl) *sin (bl) / {sin (al) *sin (c5)}第十種情況聚光系統由折射菲涅爾透鏡和反射V型槽組合構成。如圖17所示, 在本系統中,光線14首先入射到菲涅爾透鏡11上,被菲涅爾透鏡11折射后的光線15作為入射光線,入射到V型槽邊緣的反射鏡面51上,被鏡面51反射后最終入射到光電轉換系統中電池90上。本系統中聚光率取決于菲涅爾透鏡11與光電轉換系統中電池90的幾何比例,V 型槽作為二級光反射部件(SOE),可以抹平整個電池的光強分布,使電池表面接受光照更均勻。光電轉換系統中電池20、30、40、50、60、70、80、90以及第六種情況和第八種情況
      中的電池均是指上述的光電轉換系統中串聯連接的若干個薄膜太陽電池所形成的組件,在截面圖中顯示為單個電池。
      權利要求
      1.一種聚光發(fā)電系統,包括聚光系統和光電轉換系統,所述的光電轉換系統由若干個薄膜太陽電池串聯連接而成,所述的薄膜太陽電池包括襯底,以及在襯底上依次沉積的背接觸電極、作用層、緩沖層、透明導電層和金屬柵線,其特征在于,所述的襯底為導熱襯底,所述的作用層的組分為a-Si :H、CdTe, Cu (InGa) 、有機物光電轉換材料或染料敏化的光電轉換材料,所述的金屬柵線為網狀結構。
      2.如權利要求1所述的聚光發(fā)電系統,其特征在于,所述的金屬柵線為方形網狀結構、 回旋形的網狀結構、圓形網狀結構或橢圓形網狀結構。
      3.如權利要求1所述的聚光發(fā)電系統,其特征在于,所述的金屬柵線的寬度為90 150 μ m0
      4.如權利要求1所述的聚光發(fā)電系統,其特征在于,所述的作用層的組分為Cu(InGa) %2,其中,Ga占到( 和h的總質量的比值為0. 5 0. 7。
      5.如權利要求1所述的聚光發(fā)電系統,其特征在于,所述的導熱襯底為金屬箔或碳化 娃。
      6.如權利要求1 5任一所述的聚光發(fā)電系統,其特征在于,所述的聚光系統為菲涅爾透鏡、反射拋物槽、復合反射拋物槽和反射V型槽中的一種或多種。
      7.如權利要求6所述的聚光發(fā)電系統,其特征在于,所述的聚光系統由一個復合反射拋物槽和一個反射V型槽構成,其反射光路中復合反射拋物槽作為初級光反射部件,反射V 型槽作為二級光反射部件;或者,其反射光路中反射V型槽作為初級光反射部件,復合反射拋物槽作為二級光反射部件。
      8.如權利要求6所述的聚光發(fā)電系統,其特征在于,所述的聚光系統由兩個復合反射拋物槽和一個反射V型槽構成,其反射光路中第一復合反射拋物槽作為初級光反射部件, 反射V型槽作為二級光反射部件,第二復合反射拋物槽作為三級光反射部件。
      9.如權利要求6所述的聚光發(fā)電系統,其特征在于,所述的聚光系統由一個復合反射拋物槽和兩個反射V型槽構成,其反射光路中第一反射V型槽作為初級光反射部件,復合反射拋物槽作為二級光反射部件,第二反射V型槽作為三級光反射部件。
      10.如權利要求6所述的聚光發(fā)電系統,其特征在于,所述的聚光系統由一個反射拋物槽和一個復合反射拋物槽構成,其反射光路中反射拋物槽作為一級光反射部件,復合反射拋物槽作為二級光反射部件。
      全文摘要
      本發(fā)明公開了一種聚光發(fā)電系統,包括聚光系統和光電轉換系統,所述的光電轉換系統由若干個薄膜太陽電池串聯連接而成,所述的薄膜太陽電池包括襯底,以及在襯底上依次沉積的背接觸電極、作用層、緩沖層、透明導電層和金屬柵線,所述的襯底為導熱襯底,所述的作用層的組分為a-Si:H、CdTe、Cu(InGa)Se2、有機物光電轉換材料或染料敏化的光電轉換材料,所述的金屬柵線為網狀結構。本發(fā)明的聚光發(fā)電系統,采用低成本薄膜電池,在較低的聚光率下,不需要追蹤系統,有效降低發(fā)電成本。本發(fā)明的聚光發(fā)電系統結構簡單、成本低。
      文檔編號H01L31/052GK102157593SQ20111002587
      公開日2011年8月17日 申請日期2011年1月25日 優(yōu)先權日2011年1月25日
      發(fā)明者于平榮, 李學耕, 王東 申請人:普尼太陽能(杭州)有限公司
      網友詢問留言 已有0條留言
      • 還沒有人留言評論。精彩留言會獲得點贊!
      1