專利名稱：Led封裝的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
這里描述的各實施例總地涉及LED (發(fā)光二極管)封裝。
背景技術(shù)：
在傳統(tǒng)的其上安裝有LED芯片的LED封裝中，為了控制光的分布以及加強(qiáng)從LED 封裝提取光的效率，提供了由白色樹脂制成的杯形外殼，LED芯片安裝在該外殼的底面上， 透明的樹脂被填充到該外殼內(nèi)以掩埋LED芯片。該外殼通常由基于聚酰胺的熱塑樹脂制 成。但是，近年來，隨著LED封裝的應(yīng)用范圍擴(kuò)大，對于具有更高耐用性的LED封裝的 需求日益增加。另一方面，LED芯片的輸出功率的增加導(dǎo)致了從LED芯片發(fā)出的光和熱的 增加，這使得密封該LED芯片的樹脂部分更易于劣化。此外，隨著LED封裝的應(yīng)用的增加， 也需要進(jìn)一步降低其成本。


圖1是說明根據(jù)第一實施例的LED封裝的透視圖；圖2A是沿圖1示出的A-A’線的剖面圖，圖2B是沿圖1示出的B-B’線的剖面圖；圖3是說明第一實施例中的引線框架的平面圖；圖4是說明第一實施例中的引線框架等的平面圖；圖5是說明用來制造根據(jù)第一實施例的LED封裝的方法的流程圖；圖6A到8B是說明用于制造根據(jù)第一實施例的LED封裝的方法的過程剖面圖；圖9A是說明第一實施例中的引線框架片的平面圖，圖9B是說明此引線框架片的 元件區(qū)域的部分放大的平面圖；圖10是說明樹脂厚度W與引線框架的板厚度t的比率對于LED封裝的外觀的影 響的視圖，其中比率W/t的值取在水平軸上，而切片之后LED封裝的外觀的確定結(jié)果取在垂 直軸上；圖11A-11H是說明第一實施例的變型中形成引線框架片的方法的過程剖視圖；圖12是說明根據(jù)第二實施例的LED封裝的透視圖；圖13是說明根據(jù)第二實施例的LED封裝的側(cè)視圖；圖14是說明根據(jù)第三實施例的LED封裝的透視圖；圖15是說明根據(jù)第三實施例的LED封裝的剖視圖；圖16是說明根據(jù)第四實施例的LED封裝的透視圖17是說明根據(jù)第四實施例的LED封裝的剖視圖；圖18是說明根據(jù)第五實施例的LED封裝的透視圖；圖19是說明根據(jù)第五實施例的LED封裝的剖視圖；圖20是說明根據(jù)第六實施例的LED封裝的透視圖；圖21是說明根據(jù)第六實施例的LED封裝的剖視圖；圖22是說明根據(jù)第七實施例的LED封裝的平面圖；圖23是說明根據(jù)第七實施例的LED封裝的剖視圖；圖24A是說明根據(jù)第八實施例的LED封裝的平面圖，圖24B是其剖視圖；圖25是說明根據(jù)第八實施例的第一變型的LED封裝的透視圖；圖26A是說明根據(jù)第八實施例的第一變型的LED封裝的引線框架、LED芯片和導(dǎo) 線的平面圖，圖26B是說明該LED封裝的底面視圖，圖26C是說明該LED封裝的剖視圖；圖27是說明根據(jù)第八實施例的第二變型的LED封裝的透視圖；圖28A是說明根據(jù)第八實施例的第三變型的LED封裝的平面圖，圖28B是其剖視 圖；圖29A是說明根據(jù)第八實施例的第四變型的LED封裝的平面圖，圖29B是其剖視 圖；圖30A是說明根據(jù)第八實施例的第五變型的LED封裝的平面圖，圖30B是其剖視 圖；圖31A是說明根據(jù)第八實施例的第六變型的LED封裝的平面圖，圖31B是其剖視 圖；圖32A到32E是說明用在第八實施例的第七變型中的引線框架片的元件區(qū)域的平 面圖；圖33是說明根據(jù)第九實施例的LED封裝的上部透視圖；圖34是說明根據(jù)第九實施例的LED封裝的下部透視圖；圖35是說明根據(jù)第九實施例的LED封裝的頂視圖；圖36是說明根據(jù)第九實施例的LED封裝的底視圖；圖37是說明根據(jù)第九實施例的LED封裝的在X方向看的側(cè)視圖；圖38是說明根據(jù)第九實施例的LED封裝的在Y方向看的側(cè)視圖；圖39是說明第九實施例的引線框架的平面圖。
具體實施例方式總體上，根據(jù)一個實施例，LED封裝包括第一和第二引線框架、LED芯片和樹脂體。 第一和第二引線框架相互分開。LED芯片設(shè)置在第一和第二引線框架上方，并且一個端子連 接到第一引線框架，另一端子連接到第二引線框架。導(dǎo)線將該一個端子連接到第一引線框 架。樹脂體包覆第一和第二引線框架、LED芯片及導(dǎo)線。第一引線框架包括基底部分和多 個延伸部分。如從上面看到的那樣，導(dǎo)線的接合位置位于連接在兩個或更多個延伸部分的 根部之間的多邊形區(qū)域之一的內(nèi)部。樹脂體的外觀是LED封裝的外觀的一部分。下面將參考

實施例。首先說明第一實施例。
圖1是說明根據(jù)此實施例的LED封裝的透視圖。圖2A是沿圖1示出的A-A’線的剖面圖，圖2B是沿圖1示出的B-B’線的剖面圖。圖3是說明此實施例中的引線框架的平面圖。圖4是說明此實施例中的引線框架等的平面圖。如圖1到圖4所示，根據(jù)此實施例的LED封裝1包括一對引線框架11和12。引線 框架11和12的形狀類似于平板，二者齊平且相互分開。引線框架11和12由相同的導(dǎo)電 材料制成，示例性地以這樣的結(jié)構(gòu)形成，即銀鍍敷層被形成在銅板的上表面和下表面上。但 是，在引線框架11和12的邊緣表面上，不形成銀鍍敷層而是使得銅板露出。下面，為了便于說明，這里引入CTZ正交坐標(biāo)系統(tǒng)。在平行于引線框架11和12的 上表面的方向中，從引線框架11到引線框架12的方向定義為+X方向。在垂直于引線框架 11和12的上表面的方向中，從該引線框架來看的向上的方向，即后面說明的LED芯片14要 安裝處的方向定義為+Z方向。此外，正交于+X方向和+Z方向二者的方向之一被定義為+Y 方向。再有，與+X方向、+Y方向和+Z方向相反的方向分別稱為-X方向、-Y方向和-Z方 向。再有，例如“+X方向”和“-X”方向也一并簡單地稱為“X方向”。引線框架11包括一個基底部分11a，該部分在Z方向看是矩形的，從該基底部分 Ila延伸出四個延伸部分lib、11c、Ild和lie。延伸部分lib從基底部分Ila的面向+Y方 向的邊緣的X方向的中心向著+Y方向延伸。延伸部分Ilc從基底部分Ila的面向-Y方向 的邊緣的X方向的中心向著-Y方向延伸。于是，延伸部分Ilb-Ile從基底部分Ila的三個 不同側(cè)延伸。延伸部分lib和Ilc的位置在X方向是相同的。延伸部分Ild和lie從基底 部分Ila的面向-X方向邊緣的兩端向-X方向延伸。與引線框架11相比，引線框架12在X方向的長度較短，在Y方向具有相同的長 度。引線框架12包括一個基底部分12a，該部分在Z方向看是矩形的，從該基底部分1 延 伸出四個延伸部分12b、12c、12d和12e。延伸部分12b基底部分12a的面向+Y方向的邊 緣的-X方向端部朝著+Y方向延伸。延伸部分12c從基底部分12a的面向-Y方向的邊緣 的-X方向的端部朝著-Y方向延伸。延伸部分12d和1 從基底部分12a的面向+X方向 的邊緣的兩端朝著+X方向延伸。于是，延伸部分從基底部分12a的三個不同側(cè)延 伸。引線框架11的延伸部分Ild和lie的寬度可以與引線框架12的延伸部分12d和1 的寬度相同或者不同。但是，如果延伸部分Ild和lie的寬度不同于延伸部分12d和1 的寬度，更易于區(qū)分陽極和陰極。在引線框架11的下表面Ilf上在基底部分Ila的X方向的中心形成突出部llg。 于是，引線框架11具有兩個厚度等級。也就是說，基底部分Ila的X方向的中心，即突出 部Ilg在其上形成的部分，是相對厚板部分?；撞糠諭la的X方向的兩端和延伸部分 Ilb-Ile是相對薄板部分。在圖3中，基底部分Ila的其上未形成突出部Ilg的部分被示出 為薄板部分lit。類似地，在引線框架12的下表面12f上在基底部分12a的X方向的中心 形成突出部12g。因此引線框架12也具有兩個厚度等級?；撞糠?2a的X方向的中心相 對厚，這是因為突出部12g形成在其上并形成厚板部分?；撞糠?2a的X方向的兩端和 延伸部分是相對薄板部分。在圖3中，基底部分12a的其上未形成突出部12g的 部分被示出為薄板部分12t。換句話說，在基底部分Ila和12a的X方向的兩端的下表面上 形成沿基底部分Ila和12a的邊緣在Y方向延伸的凹口。在圖3中，引線框架11和12中相對較薄的部分，即薄板部分和延伸部分以點(diǎn)畫線表示。突出部Ilg和12g在與引線框架11和12的相對邊緣分開的區(qū)域中形成，并且包 含這些邊緣的區(qū)域是薄板部分lit和12t。引線框架11的上表面Ilh和引線框架12的上 表面1 相互齊平，引線框架11的突出部Ilg的下表面和引線框架12的突出部12g的下 表面相互齊平。ζ方向上每個延伸部分的上表面的位置與引線框架11和12的上表面的位 置重合。因此，每個延伸部分都位于相同的XY平面上。引線框架11的上表面Ilh和下表面Ilf以及引線框架12的上表面12h和下表面 12f的粗糙度為1.2或更大?！按植诙取笔侵竿ㄟ^數(shù)盒子法對曲線計算的分維，該曲線出現(xiàn) 在一個包含要評估的表面的法線并且對應(yīng)于此表面的截面中。例如，一個完全平的假設(shè)表 面的粗糙度是“1”。具體地，由原子力顯微鏡測量前述的曲線。應(yīng)用數(shù)盒子法，其中盒的尺 寸范圍是50nm到5 μ m,像素尺寸設(shè)置到1/100或更小。管芯安裝材料13被附著到引線框架11的上表面Ilh中對應(yīng)于基底部分Ila的區(qū) 域部分。在此實施例中，管芯安裝材料13可以是導(dǎo)電的或者絕緣的。在管芯安裝材料13 是導(dǎo)電的情況下，該管芯安裝材料13示例性地由銀膏、焊錫、低熔點(diǎn)焊料等形成。在管芯安 裝材料13是絕緣的情況下，該管芯安裝材料13示例性地由透明樹脂膏形成。LED芯片14被設(shè)置在管芯安裝材料13上。也就是說，管芯安裝材料13將LED芯 片14固定到引線框架11上使得LED芯片14被安裝到引線框架11上。LED芯片14示例 性地包括由堆疊在藍(lán)寶石襯底上的氮化鎵等制成的半導(dǎo)體層，示例性地被形成為長方體形 狀，端子Ha和14b設(shè)置在其上表面上。LED芯片14示例性地通過在端子Ha和端子14b 之間提供一個電壓來發(fā)出藍(lán)光。導(dǎo)線15的一端接合到LED芯片14的端子14a。導(dǎo)線15從端子14a引出到+Z方 向(直接向上)并且朝著-X方向和-Z方向之間的方向彎曲，導(dǎo)線15的另一端接合到引線 框架11的上表面llh。這樣，端子1 經(jīng)導(dǎo)線15連接到引線框架11。另一方面，導(dǎo)線16 的一端接合到端子14b。導(dǎo)線16從端子14b引出到+Z方向并且朝著+X方向和-Z方向之 間的方向彎曲，導(dǎo)線16的另一端接合到引線框架12的上表面12h。這樣，端子14b經(jīng)導(dǎo)線 16連接到引線框架12。導(dǎo)線15和16由金屬，例如金或鋁形成。如圖4所示，導(dǎo)線15的另一端接合到引線框架11的接合位置Xl位于多邊形區(qū)域 Rl的內(nèi)部，該多邊形區(qū)域Rl連接在延伸部分lib的根部和延伸部分lie的根部之間。此 外，接合位置Xl位于多邊形區(qū)域R2的內(nèi)部，該多邊形區(qū)域R2連接在延伸部分IlbUlc和 lie的根部之間。另一方面，導(dǎo)線16的另一端接合到引線框架12的接合位置X2位于多邊 形區(qū)域R3的內(nèi)部，該多邊形區(qū)域R3連接在延伸部分12b、12c和12e的根部之間。此外，接 合位置X2也位于多邊形區(qū)域R4的內(nèi)部，該多邊形區(qū)域R4連接在延伸部分12b、12c和12d 的根部之間。再有，LED封裝1包括透明樹脂體17。透明樹脂體17由透明樹脂，例如硅樹脂形 成。這里，“透明”也包括半透明。透明樹脂體17的外觀是長方體，包覆著引線框架11和 12、管芯安裝材料13、LED芯片14、和導(dǎo)線15和16，并形成LED封裝1的外觀。需要注意， LED封裝1的外觀的其它部分由引線框架11和12的延伸部分和突出部形成。引線框架11 的一部分和引線框架12的一部分在透明樹脂體17的下表面和側(cè)表面上露出。更具體地，在引線框架11的下表面Ilf上，突出部Ilg的下表面在透明樹脂體17的下表面上露出，延伸部分Ilb-Ile的末端邊緣表面在透明樹脂體17的側(cè)表面上露出。另 一方面，引線框架11的整個上表面llh、下表面Ilf的除了突出部Ilg之外的區(qū)域、突出部 Ilg的側(cè)表面和基底部分Ila的邊緣表面被透明樹脂體17包覆。類似地，在引線框架12 中，突出部12g的下表面在透明樹脂體17的下表面上露出，延伸部分12b-12e的末端邊緣 表面在透明樹脂體17的側(cè)表面上露出，整個上表面12h、下表面12f的除了突出部12g之外 的區(qū)域、突出部12g的側(cè)表面和基底部分12a的邊緣表面被透明樹脂體17包覆。在LED封 裝1中，在透明樹脂體17的下表面上露出的突出部Ilg和12g的下表面是外部電極盤。如 上所述，透明樹脂體17從上面看的形狀是矩形的，每個引線框架11和12的前述的多個延 伸部分的末端邊緣表面在透明樹脂體17的三個不同的側(cè)表面中相對應(yīng)的一個上露出。需 要注意，在本說明書中，術(shù)語“包覆(cover) ”是既包括包覆物與被包覆物接觸的情況也包括 二者不互相接觸的情況的概念。此外，如2A和2B所示，從基底部分Ila和12a的邊緣表面到透明樹脂體17的側(cè) 表面的最短距離W是引線框架11和12的最大厚度，即形成突出部Ilg和12g的部分的板 厚度t的50%或更大值。例如，引線框架11和12的板厚度t是100 μ m,距離W是50 μ m 或更大值，例如100 μ m。大量熒光體18分散在透明樹脂體17內(nèi)部。每個熒光體18都是微粒，吸收從LED 芯片14發(fā)出的光并且發(fā)出具有更長波長的光。例如，熒光體18吸收LED芯片14發(fā)出的部 分藍(lán)光并發(fā)出黃色光。這樣，LED封裝1發(fā)出藍(lán)光，該藍(lán)光從LED芯片14發(fā)出而不被熒光 體18吸收，熒光體18發(fā)出黃色光，整體地導(dǎo)致發(fā)出白色光。這樣的熒光體18示例性地可 以為YAG:Ce。為便于說明，圖1，3和后續(xù)的圖沒有示出熒光體18。此外，圖2A和2B中，所 示出的熒光體18比實際中更大且更少。這樣的熒光體18示例性地可以是基于硅酸鹽的熒光體，發(fā)出黃綠色、黃色或者橙 色的光?；诠杷猁}的熒光體可由下列通式表示(2-x-y) SrO · χ (Bau, Cav) 0 · (1-a-b-c—d) SiO2 · aP205bAl203cB203dGe02: yEu2+其中，0 < χ，0· 005 < y < 0. 5,x+y ( 1· 6，0 < a, b，c，d < 0· 5，0 < u，0 < ν，及 u+v = I?？商娲兀赮AG的熒光體也可以用作黃色熒光體?；赮AG的熒光體可以由 下列的通式表示(REhSmx) 3 (AlyGa1^y) 5012 Ce其中0彡x<l，0<y< 1，RE是從Y和Gd中選擇的至少一個元素。可替代地，熒光體18可以是基于硅鋁氧氮聚合材料的紅色熒光體和綠色熒光體。 具體地，熒光體18可以是吸收從LED芯片14發(fā)出的藍(lán)光并發(fā)出綠光的綠色熒光體，以及吸 收藍(lán)光并發(fā)出紅光的紅色熒光體?；诠桎X氧氮聚合材料的紅色熒光體可以例如由下列通 式表不(M1^jRx)alAlSiblOclNdl其中M是除了 Si和Al之外的至少一個金屬元素，特別優(yōu)選的是Ca和Sr至少之 一。R是發(fā)射中心元素，特別優(yōu)選的是Eu。數(shù)量X，al，bl，cl和dl滿足0 < χ彡1，0.6 < al < 0. 95,2 < bl < 3. 9,0. 25 < cl < 0. 45,4 < dl < 5. 7。這樣的基于硅鋁氧氮聚合材料的紅色熒光體的一個具體的例子如下
Sr2Si7Al7ON13: Eu2+基于硅鋁氧氮聚合材料的綠色熒光體可以例如由下列通式表示(M1^jRx)a2AlSib2Oc2Nd2其中M是除了 Si和Al之外的至少一個金屬元素，特別優(yōu)選的是Ca和Sr至少之 一。R是發(fā)射中心元素，特別優(yōu)選的是Eu。數(shù)量X，a2, b2, c2和d2滿足0 < χ彡1，0.93 < a2 < 1. 3,4. 0 < b2 < 5. 8,0. 6 < c2 < 1,6 < d2 < 11。這樣的基于硅鋁氧氮聚合材料的綠色熒光體的一個具體的例子如下Sr3Si13Al3O2N21IEu2+下面將說明根據(jù)此實施例的LED封裝的制造方法。圖5是說明用來制造根據(jù)此實施例的LED封裝的方法的流程圖。圖6A到6D，7A到7C，8A和8B是說明用于制造根據(jù)此實施例的LED封裝的方法的 過程剖面圖。圖9A是說明此實施例中的引線框架片的平面圖，圖9B是說明此引線框架片的元 件區(qū)域的部分放大的平面圖。首先，如圖6A所示，制備由導(dǎo)電材料制成的導(dǎo)電片21。此導(dǎo)電片21示例性地是條 狀銅板21a，其上表面和下表面提供有銀鍍敷層21b。導(dǎo)電片21的上表面和下表面，即銀鍍 敷層21b的表面的粗糙度是1. 20或更大值。銀鍍敷層21b的表面粗糙度可以通過調(diào)整銀 鍍敷層21b的形成條件來控制。例如，在銀鍍敷層21b由電鍍工藝形成時，通常，如果增加 電流強(qiáng)度，如果減緩在電鍍槽中傳送銅板21a的饋送速率，以及如果增加電鍍液體的濃度， 則可增加粗糙度。接下來，在此導(dǎo)電片21的上表面和下表面上形成掩膜2 和22b。選擇性地在掩 膜2 和22b中形成開口 22c。掩膜2 和22b示例性地可以通過印刷工藝來形成。然后，帶有掩膜2 和22b的導(dǎo)電片21被浸入到蝕刻液體中來進(jìn)行濕蝕刻。這樣， 在導(dǎo)電片21中，位于開口 22c中的部分被蝕刻并被選擇性地去除。這里，蝕刻量示例性地 通過調(diào)整浸入時間來控制，使得在從導(dǎo)電片21的上表面?zhèn)群拖卤砻鎮(zhèn)鹊奈g刻分別獨(dú)立地 穿透導(dǎo)電片21之前停止蝕刻。這樣，執(zhí)行了從上下表面?zhèn)鹊陌胛g刻。但是，使得從上表面 側(cè)和下表面?zhèn)冗@兩者蝕刻的部分穿透導(dǎo)電片21。接下來，掩膜2 和22b被去除。因此，如圖5和6B所示，銅板21a和銀鍍敷層21b被選擇性地從導(dǎo)電片21去除來 形成引線框架片23。為便于說明，在圖6B和后續(xù)的圖中，銅板21a和銀鍍敷層21b不加區(qū) 分地被整體示為引線框架片23。如圖9A所示，例如在引線框架片23中定義了三個塊B，每 個塊B中限定大約1000個元件區(qū)域P。如圖9B所示，元件區(qū)域P以矩陣的形式安排，元件 區(qū)域P之間的部分是網(wǎng)格狀的切片區(qū)域D。在每個元件區(qū)域P中，形成包括相互分開的引線 框架11和12的基本圖案。在切片區(qū)域D中，保留有形成導(dǎo)電片21的導(dǎo)電材料以便連接相 鄰的元件區(qū)域P。更具體地，引線框架11和引線框架12在元件區(qū)域P中相互分開。但是，屬于一個 元件區(qū)域P的引線框架11被連接到屬于位于-X方向的相鄰元件區(qū)域P (從前一元件區(qū)域P 來看)的引線框架12，在這些引線框架之間形成一個開口 23a，具有向+X方向突出的形狀。 此外，屬于在Y方向上相鄰的元件區(qū)域P的引線框架11經(jīng)橋接器2 相互連接。類似地， 屬于在Y方向上相鄰的元件區(qū)域P的引線框架12經(jīng)橋接器23c相互連接。因此，從引線框架11和12的基底部分Ila和12a，向三個方向延伸四個導(dǎo)電連接部分。連接部分由導(dǎo)電材 料制成，并且從屬于一個元件區(qū)域P的引線框架11或12的基底部分經(jīng)切片區(qū)域D延伸到 屬于相鄰元件區(qū)域P的引線框架11和12的基底部分。此外，使用半蝕刻來從引線框架片 23的下表面?zhèn)葘ζ溥M(jìn)行蝕刻，以便分別在引線框架11和12的下表面上形成突出部Ilg和 12g(見圖 2A 和 2B)。接下來，如圖5和6C所示，示例性地由聚酰亞胺制成的加強(qiáng)帶M被貼在引線框架 片23的下表面上。然后，將管芯安裝材料13附著在屬于引線框架片23的每個元件區(qū)域P 的引線框架U上。例如，將膏狀的管芯安裝材料13從一個排料器排放到引線框架11，或者 通過機(jī)械裝置傳送到引線框架11。然后，LED芯片14被安裝到管芯安裝材料13上。接下 來，進(jìn)行用于燒結(jié)該管芯安裝材料13的熱處理(安裝硬化)。這樣，在引線框架片23的每 個元件區(qū)域P中，LED芯片14經(jīng)管芯安裝材料13被安裝在引線框架11上。下面，如圖5和6D所示，例如通過超聲接合，導(dǎo)線15的一端被接合到LED芯片14 的端子14a，另一端被接合到引線框架11的上表面。此外，導(dǎo)線16的一端被接合到LED芯 片14的端子14b，另一端被接合到引線框架12的上表面12h。因此，端子14a經(jīng)導(dǎo)線15連 接到引線框架11，端子14b經(jīng)導(dǎo)線16連接到引線框架12。接下來，如圖5和7A所示，制備下部模板101。下部模板101與后續(xù)說明的上部 模板102組合，形成一組模板，在下部模板101的上表面形成一個長方體形狀的凹槽101a。 另一方面，熒光體18 (參見圖2A和2B)在例如硅樹脂的透明樹脂內(nèi)被混合并攪拌來制備液 體或者半液體的含熒光體的樹脂材料26。然后，通過一個分散器103，含熒光體的樹脂材料 26被提供到下部模板101的凹槽IOla中。下面，如圖5和7B所示，前述的其上安裝了 LED芯片14的引線框架片23被附著到 上部模板102的下表面，使得LED芯片14朝下。然后，上部模板102被壓到下部模板101， 兩個模板被夾緊。這樣，引線框架片23被壓到含熒光體的樹脂材料沈。此時，含熒光體的 樹脂材料26包覆住LED芯片14和導(dǎo)線15，16，并且穿透到引線框架片23被蝕刻掉的部分 中。這樣，含熒光體的樹脂材料沈就被模塑。優(yōu)選地，此模塑過程在真空環(huán)境下進(jìn)行。這 可防止含熒光體的樹脂材料沈中產(chǎn)生的氣泡附著到引線框架片23中的半蝕刻部分。下面，如圖5和7C所示，進(jìn)行熱處理(模塑硬化)，引線框架片23的上表面被壓到 含熒光體的樹脂材料26來硬化含熒光體的樹脂材料26。接下來，如圖8A所示，上部模板 102從下部模板101被拉開。這樣，包覆著引線框架片23的整個上表面和部分下表面以及 掩埋著LED芯片14等的透明樹脂板四就形成了。熒光體18 (參見圖2A和2B)分散在透 明樹脂板四內(nèi)。接著，從引線框架片23剝?nèi)ゼ訌?qiáng)帶M。這樣，引線框架11和12的突出部 Ilg和12g(參見圖2A和2B)的下表面在透明樹脂板四的表面上露出。接下來，如圖5和8B所示，通過刀片104，引線框架片23和透明樹脂板四的組合 體被從引線框架片23側(cè)切開，即從-Z方向側(cè)朝向+Z方向。這樣，位于切片區(qū)域D中的引 線框架片23和透明樹脂板四的部分被去除。因此，位于元件區(qū)域P中的引線框架片23和 透明樹脂板四的部分被分割，圖1到2B所示的LED封裝1就制成了。順便提及，引線框架 片23和透明樹脂板四的組件可以從透明樹脂體四的一側(cè)切開。切片后的每個LED封裝1中，引線框架11和12被從引線框架片23分離。此外， 透明樹脂板四被分成透明樹脂體17。在Y方向延伸的切片區(qū)域D部分經(jīng)過引線框架片23的開口 23a，由此在引線框架11和12中形成延伸部分lld，lie，12d，12e。此外，通過橋接 器23b的劃分，在引線框架11中形成延伸部分lib和11c，通過橋接器23c的劃分，在引線 框架12上形成延伸部分12b和12c。延伸部分Ilb-Ile和12b_12e的末端邊緣表面在透明 樹脂體17的側(cè)表面上露出。接下來，如圖5所示，在LED封裝1上進(jìn)行各種測試。此時，延伸部分Ilb-Ile和 12b-12e的末端邊緣表面可以用作測試端子。下面說明此實施例的功能和效果。在此實施例中，引線框架片23與透明樹脂板四的切片表面(dicing surface)直 接形成LED封裝1的側(cè)表面，引線框架11和12的一部分在此側(cè)表面上露出。因此最好采 取措施來使得引線框架不從這個暴露部分開始從透明樹脂體17被剝離。如果引線框架從 透明樹脂體被剝離來形成一個開口，那么LED封裝的特性就劣化了。例如，由于形成在引線 框架和透明樹脂體之間的空氣層，光反射效率降低；由于來自開口處的濕氣等的入侵，引線 框架的腐蝕一直發(fā)生；從開口入侵并到達(dá)導(dǎo)線的濕氣等會腐蝕導(dǎo)線。例如，如果引線框架的 銀鍍敷層被從開口處入侵的氧氣、濕氣等氧化或硫化，那么引線框架的光反射效率就降低。 因此，如果引線框架被從透明樹脂體剝離時，LED封裝的特性和可靠性要劣化。因此，在根據(jù)此實施例的LED封裝1中，透明樹脂體17包覆著引線框架11和12 的下表面的某些部分和邊緣表面的大部分，由此保留了引線框架11和12的外圍部分。于 是，可以加強(qiáng)引線框架11和12的可保持性，同時引線框架11和12的突出部Ilg和12g的 下表面從透明樹脂體17露出以形成外部電極盤。也就是說，在基底部分Ila和12a的X方 向中心形成突出部Ilg和12g，以便在基底部分Ila和1 的下表面的X方向兩端上形成沿 Y方向延伸的凹口。通過使透明樹脂體17穿透到此凹口中，可以牢固地保持住引線框架11 和12。這使得引線框架11和12更不容易在切片的時候從透明樹脂體17被剝離。此外，這 可以防止由于使用LED封裝1中的溫度應(yīng)力導(dǎo)致引線框架11和12從透明樹脂體17分離。此外，在此實施例中，延伸部分從引線框架11和12的基底部分Ila和1 延伸。 這可以防止基底部分自身在透明樹脂體17的側(cè)表面上露出并減少引線框架11和12的暴 露面積。此外，可以使引線框架11和12與透明樹脂體17之間的接觸面積增加。因此，這 可以防止引線框架11和12從透明樹脂體17被剝離。此外，這可以抑制引線框架11和12 的腐蝕。從制造方法的角度看這個效果，如圖9B所示，在引線框架片23中提供開口 23a和 橋接器2 和23c以便插入在切片區(qū)域D中，由此減少插入到切片區(qū)域D中的金屬部分。這 有助于切片過程，并可以抑制切片刀片的磨損。此外，在此實施例中，從每個引線框架11和 12，在三個方向延伸出四個延伸部分。因此，在圖6C所示的安裝LED芯片14的過程中，引 線框架11被相鄰元件區(qū)域P中的引線框架11和12從三個方向可靠地支撐，由此獲得高的 可安裝性。類似地，也在圖6D示出的導(dǎo)線接合過程中，導(dǎo)線接合位置被從三個方向可靠地 支撐。因此，例如應(yīng)用在超聲接合中的超聲波更加不可能逃脫，并且導(dǎo)線可以更好地接合到 引線框架和LED芯片。特別地，在此實施例中，導(dǎo)線接合位置位于在兩個延伸部分的根部之間連接的多 邊形區(qū)域內(nèi)，或者位于在三個延伸部分的根部之間連接的多邊形區(qū)域內(nèi)。因此，導(dǎo)線接合位 置可以被牢固地支撐。也就是說，導(dǎo)線15接合到引線框架11的接合位置Xl位于區(qū)域Rl和區(qū)域R2中，導(dǎo)線16接合到引線框架12的接合位置X2位于區(qū)域R3和R4中。因此，接合 位置Xl和X2可以被穩(wěn)定地支撐。這改善了接合位置Xl和X2處的導(dǎo)線接合性能。這種效果總地可以如下表述。導(dǎo)線接合位置優(yōu)選地位于連接在位于基底部分的不 同側(cè)上的多個延伸部分的根部之間的至少一個多邊形區(qū)域內(nèi)，更優(yōu)選地，位于多個區(qū)域的 交疊部分內(nèi)。另一方面，導(dǎo)線接合位置優(yōu)選地位于不被半蝕刻的區(qū)域內(nèi)，即在其下表面上形 成一個突出部的區(qū)域。也就是說，特別優(yōu)選的情況是，導(dǎo)線接合位置位于多個多邊形區(qū)域的 交疊區(qū)域內(nèi)，在該交疊區(qū)域內(nèi)在其下表面上形成突出部。在此實施例中，接合位置Xi位于 區(qū)域Rl和R2的交疊區(qū)域內(nèi)，在該交疊區(qū)域中在其下表面上形成突出部Ilg ；接合位置X2位 于區(qū)域R3和R4的交疊區(qū)域內(nèi)，在該交疊區(qū)域中在其下表面上形成突出部12g。這特別地改 善了導(dǎo)線接合性能。此外，在根據(jù)此實施例的LED封裝1中，從基底部分Ila和12a的邊緣表面到透明 樹脂體17的側(cè)表面的最短距離W是引線框架11和12的最大厚度t的50%或更大值。于 是，在透明樹脂體17中，位于基底部分Ila和1 周圍的部分在X方向或Y方向具有特定 厚度，由此保證了此部分的強(qiáng)度。因此這可以可靠地防止此部分在切片時脫落。下面，將參照特定的實驗數(shù)據(jù)說明這種效果。圖10的圖表說明樹脂厚度W與引線框架的板厚度t的比率對LED封裝的外觀的 影響，其中在水平軸上取比率W/t的值，在垂直軸上取切片之后的LED封裝的外觀的確定結(jié)^ ο圖10所示的垂直軸代表通過評估所制造出的100個LED封裝的外觀而獲得的非
缺陷比率。如圖10所示，當(dāng)比率W/t為20%時，所觀察到的透明樹脂體17的脫落為100個 LED封裝中有28個，它們被確定為有缺陷的。與之相比，當(dāng)比率W/t為40% ,50^^70%和 100%時，所有的LED封裝都被確定為非缺陷的。因此，比率W/t優(yōu)選地為40%或更大。但 是，考慮到切片條件的變化等因素，比率W/t更優(yōu)選地為50%或更大值。這里，通過由高強(qiáng) 度的樹脂來形成透明樹脂體17，即便對于更低的比率值W/t，也可以防止透明樹脂體17的 脫落。此外，在根據(jù)此實施例的LED封裝1中，導(dǎo)電片21的上下表面的粗糙度是1. 20或 更大。因此，引線框架片23的上下表面的粗糙度為1.20或更大。這增加了引線框架片23 與透明樹脂板四之間的附著度，因此可以防止透明樹脂體17在切片時從引線框架11和12 剝離。再有，在完成后的LED封裝1中，引線框架11的上表面Ilh和下表面llf，引線框架 12的上表面1 和下表面12f的粗糙度為1. 20或更大。這改善了引線框架11和12與透 明樹脂體17之間的附著度。這些都改善了 LED封裝1的可靠性。下面將參照具體的實驗數(shù)據(jù)說明這個效果。制備了多個銅板21a，在這些銅板21a的上下表面上在不同的條件下形成銀鍍敷 層21b。因此，制造出具有不同表面粗糙度的多個導(dǎo)電片21。接下來，使用這些導(dǎo)電片21 來以前述的方法制造LED封裝1。然后，通過加速的測試來評估這些LED封裝1的可靠性。 表1示出了評估結(jié)果。表1
1引線框架的粗糙度LED封裝的可靠性1. 05X1. 10Δ1. 15Δ1. 20〇1. 25〇表1所示的具有粗糙度1. 05的引線框架是通過在通常鍍敷條件下形成銀鍍敷層 21b得到的。另一方面，具有粗糙度為1. 10或更大值的引線框架是通過在增加粗糙度的鍍 敷條件下形成銀鍍敷層21b得到的。這里，如之前說明的，完全平的假設(shè)表面的粗糙度為1。如表1所示，隨著引線框架11和12的上下表面的粗糙度的增加，引線框架與透明 樹脂體之間的附著度也加大，并且LED封裝的可靠性更高。具體地，對于粗糙度1. 05，LED 封裝的可靠性不好(X)。但是，對于粗糙度1. 10或1. 15,LED封裝的可靠性是基本上良好 的(Δ)，對于粗糙度1.20或1.25，LED封裝的可靠性是良好的(O)。因此，引線框架11 和12的上下表面的粗糙度，即導(dǎo)電片21的上下表面的粗糙度優(yōu)選地為1. 20或更大。需注 意，由于表1所示的可靠性評估結(jié)果是加速測試的結(jié)果，即使對于小于1. 20的粗糙度也可 以獲得實際上沒有問題的可靠性。雖然已經(jīng)在引線框架的上下表面粗糙度都是1.20或更大值的情況中說明了此實 施例，當(dāng)只有一個表面，例如上表面的粗糙度為1. 20或更大值時也可以獲得一定的效果。 在此情況下，例如通過在對于銅板21a的上表面和下表面不同條件下形成銀鍍敷層21b，可 以使導(dǎo)電片21的上表面和下表面之間的粗糙度不同。再者，在此實施例中，可以從一個導(dǎo)電片21集體地制造出大量的例如大約數(shù)千個 LED封裝1。因此每個LED封裝的制造成本可以降低。此外，由于不提供外殼，部件的數(shù)量 和工藝數(shù)量都變得更少，于是獲得了低成本。此外，在此實施例中，引線框架片23是通過濕蝕刻形成的。因此，在制造具有新布 局的LED封裝時，僅需要制備一個掩膜原始板。這樣，與通過壓模等方法形成引線框架片23 的情況相比，初始成本可以被抑制在低水平上。此外，在此實施例中，在圖8B所示的切片過程中，從引線框架片23側(cè)開始執(zhí)行切 片。因此形成引線框架11和12的切割端部的金屬材料在透明樹脂體17的側(cè)表面上向+Z 方向延伸。這可避免如果此金屬材料在透明樹脂體17的側(cè)表面上向-Z方向延伸并從LED 封裝1的下表面突出來而可能發(fā)生的毛刺現(xiàn)象。因此，當(dāng)安裝LED封裝1時，不會發(fā)生由于 毛刺引起的安裝失敗。此外，不給根據(jù)此實施例的LED封裝1提供由白色樹脂制成的外殼。因此，沒有由 于吸收從LED芯片14產(chǎn)生的光和熱而導(dǎo)致的外殼的劣化。特別地，雖然在外殼由基于聚酰 胺的熱塑樹脂形成的情況下可能發(fā)生劣化，在此實施例中沒有這樣的風(fēng)險。這樣，根據(jù)此實 施例的LED封裝1具有高的耐用性。因此，根據(jù)此實施例的LED封裝1具有長壽命和高可靠性，適用于廣泛的用途。再者，沒有給根據(jù)此實施例的LED封裝1提供包覆透明樹脂體17的側(cè)表面的外 殼。因此，朝著一個廣角發(fā)光。這樣，根據(jù)此實施例的LED封裝1對于要求廣角光發(fā)射的應(yīng) 用，諸如照明和液晶電視機(jī)的背光是有利的。再者，在根據(jù)此實施例的LED封裝1中，透明樹脂體17由硅樹脂形成。因為硅樹 脂具有對抗光和熱的高耐受性，LED封裝1的耐用性也由于此原因而改善了。再者，在根據(jù)此實施例的LED封裝1中，銀鍍敷層形成在引線框架11和12的上表 面和下表面上。由于銀鍍敷層具有高光反射性，根據(jù)此實施例的LED封裝1具有高的光提 取效率。下面說明此實施例的變型。此變型是形成引線框架片的方法的變型。更具體地，此變型不同于上述第一實施例之處在于形成圖4A所示的引線框架片 的方法。圖IlA到IlH是說明此變型中形成引線框架片的方法的過程剖視圖。首先，如IlA所示，制備和清洗銅板21a。接下來，如圖IlB所示，在銅板21a的兩 個表面上進(jìn)行抗蝕劑涂覆，然后進(jìn)行干燥處理以形成抗蝕劑膜111。然后，如圖1IC所示，掩 膜圖案112被放置到抗蝕劑膜111上并暴露于紫外線輻射。這樣，抗蝕劑膜111的曝光部 分被硬化以形成抗蝕劑掩膜111a。接下來，如圖IlD所示，進(jìn)行顯影處理，抗蝕劑膜111的 未硬化的部分被洗掉。這樣，抗蝕劑圖案Illa留在了銅板21a的上下表面上。接下來，如 圖IlE所示，抗蝕劑圖案Illa被用作一個掩膜來進(jìn)行蝕刻以從兩個表面去除銅板21a的暴 露部分。此時，蝕刻深度設(shè)置為大約銅板21a的板厚度的一半。這樣，僅從一側(cè)蝕刻的區(qū)域 被半蝕刻，而從兩側(cè)蝕刻的區(qū)域被穿透。接下來，如圖IlF所示，去除抗蝕劑圖案111a。然 后，如圖IlG所示，用掩膜113蓋住銅板21a的端部，并且進(jìn)行鍍敷。這樣，就在銅板21a的 除了端部以外的部分的表面上形成銀鍍敷層21b。然后，如圖IlH所示，通過清洗去除掩膜 113。然后，進(jìn)行檢測。這樣就制造出了引線框架片23。此變型的除前述之外的結(jié)構(gòu)、制造 方法和功能及效果類似于上述第一實施例。接下來說明第二實施例。圖12是說明根據(jù)此實施例的LED封裝的透視圖。圖13是說明根據(jù)此實施例的LED封裝的側(cè)視圖。如圖12和13所示，根據(jù)此實施例的LED封裝2不同于根據(jù)所述第一實施例的LED 封裝1(參見圖1)之處在于引線框架11 (參見圖1)在X方向被分成兩個引線框架31和 32。弓丨線框架32位于引線框架31和引線框架12之間。在引線框架31中，形成對應(yīng)于引 線框架11的延伸部分Ild和lie (參見圖1)的延伸部分31d和31e，并且形成從基底部分 31a分別向+Y方向和-Y方向延伸的延伸部分31b和31c。延伸部分31b和31c在X方向 的位置是相同的。此外，導(dǎo)線15接合到引線框架31。另一方面，在引線框架32中，形成對 應(yīng)于引線框架11的延伸部分lib和lie (參見圖1)的延伸部分32b和32c，并且LED芯片 14經(jīng)管芯安裝材料13安裝到其上。此外，對應(yīng)于引線框架11的突出部Ilg的突出部被分 成分別形成在引線框架31和32中的突出部31g和32g。在此實施例中，引線框架31和12用作施加外部電位的外部電極。另一方面，不需要給引線框架32施加一個電位，它可以用作專門用作熱沉的引線框架。這樣，在多個LED封 裝2安裝到一個模塊上的情況下，引線框架32可以連接到一個公共的熱沉。這里，可以給 引線框架32施加地電位，或者可把它置于浮動狀態(tài)。當(dāng)LED封裝2安裝在母板上時，可以 通過將焊錫球接合到每個弓I線框架31、32、和12來抑制所謂的Manhattan現(xiàn)象。Manhattan 現(xiàn)象是這樣的一種現(xiàn)象，即當(dāng)器件等經(jīng)多個焊錫球等安裝到襯底上時，該器件由于焊錫球 在回流爐中的不同熔化時機(jī)和焊料的表面張力而升高。這種現(xiàn)象引起安裝失敗。根據(jù)此實 施例，引線框架的布局在X方向?qū)ΨQ，焊錫球濃密地設(shè)置在X方向。這樣Manhattan現(xiàn)象就 不太可能發(fā)生。此外，在此實施例中，引線框架31從三個方向被延伸部分31b_31e支撐，因此改善 了導(dǎo)線15的接合性能。類似地，引線框架12從三個方向被延伸部分支撐，由此改 善了導(dǎo)線16的接合性能。通過改變上面參考圖6A說明的方法中的引線框架23的每個元件區(qū)域P的基本圖 案可以由類似于上述第一實施例的方法來制造這樣的LED封裝2。也就是，僅通過改變掩膜 22a和22b的圖案，上述第一實施例中說明的制造方法可以制造帶有多種布局的LED封裝。 此實施例的除前述之外的結(jié)構(gòu)、制造方法和功能及效果類似于所述第一實施例。下面說明第三實施例。圖14是說明根據(jù)此實施例的LED封裝的透視圖。圖15是說明根據(jù)此實施例的LED封裝的剖視圖。如圖14和15所示，除了根據(jù)所述第一實施例的LED封裝1 (參見圖1)的結(jié)構(gòu)之 外，根據(jù)此實施例的LED封裝3還包括例如連接在引線框架11和引線框架12間的齊納二 極管芯片36。更具體地，由諸如焊錫或銀膏的導(dǎo)電材料制成的管芯安裝材料37被附著到引 線框架12的上表面上，并在其上提供齊納二極管芯片36。于是齊納二極管芯片36經(jīng)管芯 安裝材料37安裝到引線框架12上，齊納二極管芯片36的下表面端子(未示出)經(jīng)管芯安 裝材料37連接到引線框架12。此外，齊納二極管芯片36的上表面端子36a經(jīng)導(dǎo)線38連接 到引線框架11。也就是說，導(dǎo)線38的一端連接到齊納二極管芯片36的上表面端子36a，導(dǎo) 線38從端子36a抽出到+Z方向，并朝著-Z方向和-X之間的方向彎曲，導(dǎo)線38的另一端 連接到引線框架11的上表面。這樣，在本實施例中，齊納二極管芯片36可以并聯(lián)到LED芯片14。因此這就改善 了 ESD(靜電放電)電阻。此實施例的除前述之外的結(jié)構(gòu)、制造方法和功能及效果類似于上 述第一實施例。下面說明第四實施例。圖16是說明根據(jù)此實施例的LED封裝的透視圖。圖17是說明根據(jù)此實施例的LED封裝的剖視圖。如圖16和17所示，根據(jù)此實施例的LED封裝4不同于根據(jù)所述第三實施例的LED 封裝3(參見圖14)之處在于齊納二極管芯片36安裝在引線框架11上。在此情況中，齊 納二極管芯片36的下表面端子經(jīng)管芯安裝材料37連接到引線框架11，上表面端子經(jīng)導(dǎo)線 38連接到引線框架12。此實施例的除前述之外的結(jié)構(gòu)、制造方法和功能及效果類似于所述
第三實施例。下面說明第五實施例。
圖18是說明根據(jù)此實施例的LED封裝的透視圖。圖19是說明根據(jù)此實施例的LED封裝的剖視圖。如圖18和19所示，根據(jù)此實施例的LED封裝5不同于根據(jù)所述第一實施例的LED 封裝1 (參見圖1)之處在于包括垂直導(dǎo)電LED芯片41而不是具有上表面端子的LED芯片 14。更具體地，在根據(jù)此實施例的LED封裝5中，在引線框架11的上表面上形成由諸如焊 錫或銀膏的導(dǎo)電材料制成的管芯安裝材料42，LED芯片41經(jīng)管芯安裝材料42安裝在其上。 LED芯片41的下表面端子(未示出)經(jīng)管芯安裝材料42連接到引線框架11。另一方面， LED芯片41的上表面端子41a經(jīng)導(dǎo)線43連接到引線框架12。在此實施例中，采用了垂直導(dǎo)電LED芯片41，并且使用了單一導(dǎo)線。這能可靠地防 止導(dǎo)線間的接觸并簡化導(dǎo)線接合工藝。此實施例的除前述之外的結(jié)構(gòu)、制造方法和功能及 效果類似于所述第一實施例。下面說明第六實施例。圖20是說明根據(jù)此實施例的LED封裝的平面圖。圖21是說明根據(jù)此實施例的LED封裝的剖視圖。如圖20和21所示，根據(jù)此實施例的LED封裝6不同于根據(jù)所述第一實施例的LED 封裝1 (參見圖1)之處在于包括倒裝型(flip-type)LED芯片46而不是具有上表面端子 的LED芯片14。更具體地，在根據(jù)此實施例的LED封裝6中，在LED芯片46的下表面上提 供了兩個端子。此外，LED芯片46像橋接器一樣放置以便在引線框架11和引線框架12之 間跨接。LED芯片46的一個下表面端子連接到引線框架11，另一下表面端子連接到引線框 架12。在此實施例中，采用了倒裝型LED芯片46來消除導(dǎo)線。這可以加強(qiáng)向上的光提取 效率和省略導(dǎo)線接合工藝。此外，這也可以防止由于透明樹脂體17的熱應(yīng)力導(dǎo)致的導(dǎo)線斷 裂。此實施例的除前述之外的結(jié)構(gòu)、制造方法和功能及效果類似于所述第一實施例。下面說明第七實施例。圖22是說明根據(jù)此實施例的LED封裝的平面圖。圖23是說明根據(jù)此實施例的LED封裝的剖視圖。如圖22和23所示，根據(jù)此實施例的LED封裝7包括引線框架51和52。引線框 架51包括基底部分51a，基底部分51a從+Z方向看為矩形。在基底部分51a中，延伸部分 51b和51c分別從面向+Y方向的邊緣的+X方向和-X方向端部朝著+Y方向延伸，延伸部 分51d從面向-X方向的邊緣的Y方向的中心朝著-X方向延伸，延伸部分51e和51f分別 從面向-Y方向的邊緣的-X方向和+X方向端部朝著-Y方向延伸。此外，引線框架52包括 基底部分52a，基底部分5 從+Z方向看為矩形。在基底部分5 中，延伸部分52b從整個 面向+Y方向的邊緣朝著+Y方向延伸，延伸部分52c從整個面向-Y方向的邊緣朝著-Y方 向延伸，延伸部分52d從整個面向+X方向的邊緣朝著+X方向延伸。此外，LED芯片14經(jīng) 管芯安裝材料13安裝在引線框架51的主要部分51a上。如從+Z方向看到的那樣，導(dǎo)線15和16接合到LED芯片14的接合位置，即端子 1 和14b的位置，位于連接在延伸部分51b和延伸部分51f的根部之間的多邊形區(qū)域R5 的內(nèi)部。此外，導(dǎo)線15接合到引線框架51的接合位置X3位于連接在延伸部分51c和延伸 部分51e的根部之間的多邊形區(qū)域R6的內(nèi)部。再有，導(dǎo)線16接合到引線框架52的接合位置X4位于連接在延伸部分52b和延伸部分52c的根部之間的多邊形區(qū)域R7的內(nèi)部。根據(jù)此實施例，如從+Z方向看到的那樣，端子1 和14b位于區(qū)域R5內(nèi)部，接合 位置X3位于區(qū)域R6內(nèi)部，接合位置X4位于區(qū)域R7內(nèi)部，因此改善了這些位置處的導(dǎo)線接 合性能。此實施例的除前述之外的結(jié)構(gòu)、制造方法和功能及效果類似于所述第一實施例。下面說明第八實施例。圖24A是說明根據(jù)此實施例的LED封裝的平面圖，圖24B是其剖視圖。如圖24A和24B所示，根據(jù)此實施例的LED封裝8不同于根據(jù)上述第一實施例的 LED封裝1 (參見圖1)之處在于包括多個、例如八個LED芯片14。這八個LED芯片14是 發(fā)出相同顏色的光且符合相同規(guī)范的芯片。八個LED芯片14都安裝在引線框架11上。每個LED芯片14的端子14a(參見圖 1)經(jīng)導(dǎo)線15連接到引線框架11，每個LED芯片14的端子14b (參見圖1)經(jīng)導(dǎo)線16連接 到引線框架12。于是，八個LED芯片14相互并聯(lián)在引線框架11和引線框架12之間。此 外，這八個LED芯片14，兩個沿著X方向，四個沿著Y方向，不是以矩陣來設(shè)置而是Z字形排 列。也就是說，由位于+X方向側(cè)并沿Y方向設(shè)置的四個LED芯片14構(gòu)成的列的設(shè)置相位 相對于由位于-X方向側(cè)并沿Y方向設(shè)置的四個LED芯片14構(gòu)成的列的設(shè)置相位偏移半個 節(jié)距。根據(jù)此實施例，通過在一個LED封裝8上安裝多個LED芯片14可以獲得大量的光。 此外，通過以Z字形排列來設(shè)置LED芯片14，LED封裝8的尺寸可以縮小同時將LED芯片14 之間的最短距離保持在一定的值或更大。將LED芯片14之間的最短距離保持在一定的值 或更大增加了從一個LED芯片14發(fā)出的光在到達(dá)相鄰的LED芯片14之前被熒光體吸收的 可能性，并改善光提取效率。此外，從一個LED芯片14發(fā)出的熱不太可能被相鄰的LED芯 片14吸收，這可以抑制由于LED芯片14的溫度增加導(dǎo)致的光發(fā)射效率的下降。此實施例 的除前述之外的結(jié)構(gòu)、制造方法和功能及效果類似于所述第一實施例。下面說明第八實施例的第一變型。圖25是說明根據(jù)此變型的LED封裝的透視圖。圖26A是說明根據(jù)此變型的LED封裝的引線框架、LED芯片和導(dǎo)線的平面圖，圖 26B是說明此LED封裝的底視圖，圖26C是說明此LED封裝的剖視圖。應(yīng)注意圖25未示出導(dǎo)線。如圖25和26A到26C所示，此變型是組合了前述的第二實施例和第八實施例的例 子。更具體地，根據(jù)此變型的LED封裝8a包括三個相互分開的引線框架61，62和63。在引 線框架61中，從具有Y方向?qū)虻目v向帶形基底部分61a，延伸部分61b向+Y方向延伸，延 伸部分61c向-Y方向延伸，兩個延伸部分61d和61e向-X方向延伸。在引線框架62中， 從具有Y方向?qū)虻目v向帶形基底部分62a，兩個延伸部分62b和62c向+Y方向延伸，兩個 延伸部分62d和62e向-Y方向延伸。引線框架63的形狀基本上是通過在X方向反轉(zhuǎn)引線 框架61獲得的形狀，但是延伸部分63d和63e比延伸部分61d和61e要窄。LED封裝8a包括多個、例如八個LED芯片14。此變型中的LED芯片14的布置類似 于所述第八實施例。更具體地，LED芯片14布置在兩列中，每列包括沿Y方向的四個芯片。 +X方向側(cè)的列的設(shè)置相位相對于-χ方向側(cè)的列偏移半個節(jié)距，并且這些列Z字形排列。每 個LED芯片14經(jīng)管芯安裝材料(未示出)安裝在引線框架62上，端子14a(參見圖1)經(jīng)導(dǎo)線65連接到引線框架61，端子14b (參見圖1)經(jīng)導(dǎo)線66連接到引線框架63。此外，引 線框架61，62和63的突出部61g，62g和63g的下表面分別在透明樹脂體17的下表面上露 出。與之相對照，引線框架61，62和63的薄板部分61t，62t和63t的下表面分別被透明樹 脂體17包覆。在圖^A中，引線框架61，62和63的相對薄的部分，即薄板部分和延伸部分 由點(diǎn)劃線表示。也在此變型中，類似于所述第八實施例，可以通過提供八個LED芯片14獲得大量 的光。此外，類似于所述第二實施例，通過提供三個引線框架，實現(xiàn)了電氣上相互獨(dú)立的熱 沉，并且可以抑制Manhattan現(xiàn)象。再有，通過以Z字形排列來布置LED芯片14，LED封裝 8的尺寸可以縮小而同時確保光發(fā)射效率和提取效率。下面，參照具體的數(shù)值例來說明此效果。例如，LED芯片14在X方向的長度為 0.60mm，Y方向的長度為0.24mm。八個LED芯片14在)(Z平面上的投影中的LED芯片14間 的X方向距離是0. 20mm，在H平面上的投影中的LED芯片14間的Y方向距離是0. 10mm。 于是，如果LED芯片14是Z字形排列的，八個LED芯片14可以放置在一個矩形基底部分4 上，該基底部分4 在X方向的長度是1. 6mm，Y方向的長度是3. 0mm。在此情況下，LED芯 片14間的最短距離是V (0. 102+0. 202) 0.22mm。此變型的除前述之外的結(jié)構(gòu)、制造方法 和功能及效果類似于所述第二實施例。下面說明第八實施例的第二變型。圖27是說明根據(jù)此變型的LED封裝的透視圖。如圖27所示，根據(jù)此變型的LED封裝8b不同于根據(jù)第八實施例的所述第一變型 的LED封裝8a(參見圖25)之處在于屬于+X方向側(cè)的列的每個LED芯片14的端子1 經(jīng)相應(yīng)的導(dǎo)線67連接到屬于-X方向側(cè)的列的相應(yīng)的LED芯片14的端子14b。于是，各自 包括兩個串連的LED芯片14的四個電路被并聯(lián)在引線框架11和引線框架12之間。此變 型的除前述之外的結(jié)構(gòu)、制造方法和功能及效果類似于所述第八實施例的第一變型。下面說明第八實施例的第三變型。圖28A是說明根據(jù)此變型的LED封裝的平面圖，圖28B是其剖視圖。如圖28A和28B所示，根據(jù)此變型的LED封裝8c除了根據(jù)所述第八實施例的LED 封裝8(參見圖24)的結(jié)構(gòu)外還包括一個齊納二極管芯片36。齊納二極管芯片36經(jīng)導(dǎo)電的 管芯安裝材料37安裝在引線框架11上。齊納二極管芯片36的下表面端子(未示出)經(jīng) 管芯安裝材料37連接到引線框架11，上表面端子經(jīng)導(dǎo)線38連接到引線框架12。這樣，在 引線框架11和12之間，齊納二極管芯片36并聯(lián)到八個LED芯片14。此變型的除前述之外 的結(jié)構(gòu)、制造方法和功能及效果類似于所述第八實施例。 下面說明第八實施例的第四變型。圖29A是說明根據(jù)此變型的LED封裝的平面圖，圖29B是其剖視圖。如圖29A和29B所示，根據(jù)此變型的LED封裝8d不同于根據(jù)第八實施例的所述第 三變型的LED封裝8c (參見圖28)之處在于齊納二極管芯片36安裝在引線框架12上。此 變型的除前述之外的結(jié)構(gòu)、制造方法和功能及效果類似于所述第八實施例第三變型。下面說明第八實施例的第五變型。圖30A是說明根據(jù)此變型的LED封裝的平面圖，圖30B是其剖視圖。如圖30A和圖30B所示，此變型是所述第五實施例和第八實施例的組合。更具體地，根據(jù)此變型的LED封裝Se不同于根據(jù)所述第八實施例的LED封裝8 (參見圖24)之處 在于包括八個垂直導(dǎo)電LED芯片41而不是具有上表面端子的八個LED芯片14。此外，類 似于第五實施例，每個LED芯片41的下表面端子(未示出)經(jīng)導(dǎo)電管芯安裝材料42連接 到引線框架11，每個LED芯片41的上表面端子41a經(jīng)導(dǎo)線16連接到引線框架12。此變型 的除前述之外的結(jié)構(gòu)、制造方法和功能效果類似于所述第五和第八實施例。下面說明第八實施例的第六變型。圖31A是說明根據(jù)此變型的LED封裝的平面圖，圖31B是其剖視圖。如圖31A和31B所示，此變型是所述第六實施例和第八實施例的組合。更具體地， 根據(jù)此變型的LED封裝8f不同于所述第八實施例的LED封裝8 (參見圖24)之處在于包 括五個倒裝型LED芯片46而不是具有上表面端子的八個LED芯片14。此外，類似于第六實 施例，每個LED芯片46像橋接器一樣設(shè)置，以便跨接在引線框架11和引線框架12之間，一 個下表面端子連接到引線框架11，另一下表面端子連接到引線框架12。這樣，五個LED芯 片46相互并聯(lián)在引線框架11和引線框架12之間。此變型的除前述之外的結(jié)構(gòu)、制造方法 和功能及效果類似于所述第六實施例和第八實施例。下面說明第八實施例的第七變型。此變型是用于制造所述第八實施例及其變型的方法的例子。圖32A到32E是說明此變型中使用的引線框架片的元件區(qū)域的平面圖，其中圖32A 示出了在一個LED封裝上安裝一個LED芯片的情況，圖32B示出了安裝兩個LED芯片的情 況，圖32C示出了安裝四個LED芯片的情況，圖32D示出了安裝六個LED芯片的情況，圖32E 示出了安裝八個LED芯片的情況。這里，圖32A到32E以相同的標(biāo)度示出。此外，在每個圖中只示出了一個元件區(qū)域 P，但是實際中是很多元件區(qū)域P以矩陣形式安排。此外，未示出切片區(qū)域D。如圖32A到32E所示，隨著安裝在一個LED封裝上的LED芯片數(shù)量增加，一個元件 區(qū)域P的面積也增加，包括在一個塊B中的元件區(qū)域P的數(shù)量減少。但是，即使LED芯片的 數(shù)量改變，引線框架片23的基本構(gòu)造，諸如引線框架片23的尺寸和塊B的設(shè)置是相同的， 形成引線框架片23的方法也是相同的，利用引線框架片23制造LED封裝的方法也是相同 的，只是塊B的布局改變了。于是，根據(jù)此變型，根據(jù)所述第八實施例及其變型的LED封裝可以通過改變引線 框架片23中每個塊B的布局來選擇性形成。這里，安裝在一個LED封裝上的LED芯片的數(shù) 量是任意的，例如可以是七個或九個或更多。下面說明第九實施例。圖33是說明根據(jù)本實施例的LED封裝的上透視圖。圖34是說明根據(jù)本實施例的LED封裝的下透視圖。圖35是說明根據(jù)本實施例的LED封裝的頂視圖。圖36是說明根據(jù)本實施例的LED封裝的底視圖。圖37是說明根據(jù)第九實施例的LED封裝的在X方向看的側(cè)視圖。圖38是說明根據(jù)第九實施例的LED封裝的在Y方向看的側(cè)視圖。如圖33-38所示，根據(jù)此實施例的LED封裝9包括一對引線框架71和72。引線框 架71和72的形狀類似于平板，相互齊平并且分開。與引線框架71相比，引線框架72在X方向長度較短，在Y方向長度相等。引線框架71包括一個基底部分71a。如從Z方向看到的那樣，基底部分71a基本 上為矩形的，-X+Y方向的端部和-X-Y方向的角具有斜切的形狀。六個延伸部分71b、71c、 71d、71e、71f和71g從基底部分71a延伸出來。如從+Z方向看到的那樣，延伸部分71b、 71c、71d、71e、71f和71g以該順序沿逆時針方向圍繞基底部分71a設(shè)置并從基底部分71a 的三個不同側(cè)延伸出來。更具體地，延伸部分71b、71c從靠近基底部分71a的面向+Y方向 的邊緣的X方向兩端朝著+Y方向延伸。延伸部分71d、71e從靠近基底部分71a的面向-X 方向的邊緣的Y方向兩端朝著-X方向延伸。延伸部分71f、71g從基底部分71a的面向-Y 方向的邊緣的X方向兩端朝著-Y方向延伸。突出部71i形成在引線框架71的基底部分71a的下表面上除了 +X方向端部的區(qū) 域內(nèi)。于是，基底部分71a的下表面上沒有形成突出部71i的區(qū)域，即+X方向端部，是薄板 部分71t。其結(jié)果是，引線框架71具有兩個厚度等級，基底部分71a的形成有突出部71i的 部分是相對厚板部分。另一方面，基底部分71a的薄板部分71t和延伸部分71b和71g是 相對薄板部分。也就是說，如從Z方向看到的那樣，引線框架71包括基底部分71a和延伸 部分71b-71g，如從X方向看到的那樣，包括厚板部分和薄板部分。引線框架72包括一個基底部分72a。如從Z方向看到的那樣，基底部分7 基本 上為矩形的，+X+Y方向的端部和+X-Y方向的角被斜著切掉。四個延伸部分72b、72c、72d和 7 從基底部分7 延伸出來。如從+Z方向看到的那樣，延伸部分72b、72c、72d、72e以該 順序沿順時針方向圍繞基底部分7 設(shè)置并從基底部分7 的三個不同側(cè)延伸出來。更具 體地，延伸部分72b從基底部分72a的面向+Y方向的邊緣的X方向端部朝著+Y方向延伸。 延伸部分72c、72d從靠近基底部分72a的面向+X方向的邊緣的Y方向兩端朝著+X方向延 伸。延伸部分7 從基底部分72a的面向-Y方向的邊緣的-X方向端部朝著-Y方向延伸。突出部72i形成在引線框架72的基底部分7 的下表面上除了 -X方向端部的區(qū) 域內(nèi)。于是，基底部分72a的下表面上沒有形成突出部72i的區(qū)域，即-X方向端部，是薄板 部分72t。其結(jié)果是，類似于引線框架71，引線框架72也具有兩個厚度等級，基底部分72a 的形成有突出部72i的部分是相對厚板部分。另一方面，基底部分72a的薄板部分72t和 延伸部分72b到72g是相對薄板部分。也就是說，如從Z方向看到的那樣，引線框架72包 括基底部分7 和延伸部分72b-72e，如從X方向看到的那樣，包括厚板部分和薄板部分。以此方式，在引線框架71的下表面和引線框架72的下表面中的每一個上與相對 的邊緣遠(yuǎn)離的區(qū)域中，形成突出部71i和72i。引線框架71的上表面71h和引線框架72的 上表面7 相互齊平，突出部71i的下表面和突出部72i的下表面相互齊平。Z方向上每個 延伸部分的上表面的位置與引線框架71和72的上表面的位置是重合的。因此，每個延伸 部分都位于同一 XY平面內(nèi)。在X方向，延伸部分71b和延伸部分71g的位置，延伸部分71c 和延伸部分7f的位置，以及延伸部分72b和延伸部分72e的位置是相同的。在Y方向，延 伸部分71d和延伸部分72c的位置和延伸部分71e和延伸部分72d的位置是相同的。在Y方向延伸的線形溝槽74在引線框架71的上表面71h上對應(yīng)于基底部分71a 的區(qū)域，即-X方向的區(qū)域中形成。溝槽74形成在延伸部分71c和延伸部分71f之間的區(qū) 域中。此外，L形溝槽75形成在對應(yīng)于基底部分71a的區(qū)域，即+X-Y方向的區(qū)域中。溝槽 75包括以X方向延伸的部分7 和以Y方向延伸的部分75b，部分75a的-X方向端部與部分75b的+Y方向端部連接。部分7 形成在延伸部分71b和延伸部分71g之間的區(qū)域中。 溝槽74和75不穿透引線框架71。管芯安裝材料76a和76b被附著到引線框架71的上表面中的溝槽74和75之間 夾著的區(qū)域部分。管芯安裝材料76a和76b分別附著到一個矩形區(qū)域。管芯安裝材料76a 位于管芯安裝材料76b的-X方向側(cè)和+Y方向側(cè)。在此實施例中，管芯安裝材料76a和76b 可以是導(dǎo)電的或絕緣的。此外，管芯安裝材料77附著到引線框架72的上表面72h的-Y方 向端部。管芯安裝材料77附著到一個矩形區(qū)域，該矩形區(qū)域的面積小于管芯安裝材料76a 和76b的面積。管芯安裝材料77是導(dǎo)電的。LED芯片81和82分別設(shè)置在管芯安裝材料76a和76b上。也就是說，管芯安裝 材料76a和76b確保LED芯片81和82分別固定到引線框架71上，使得LED芯片81和82 被安裝到引線框架71上。LED芯片81和82具有相同的規(guī)格，示例性地其形狀類似于長方 體并且從Z方向看是方形的。LED芯片81和82的位置使得相應(yīng)的側(cè)表面平行于XY平面或 YZ平面。如從LED芯片81看到的，LED芯片82位于+X-Y方向側(cè)。這樣，LED芯片81的側(cè) 表面不面對著LED芯片82的側(cè)表面。在LED芯片81的上表面設(shè)置有端子8Ia和8lb。端子81a位于LED芯片81的上 表面的-X+Y方向的區(qū)域中，端子81b位于LED芯片81的上表面的+X-Y方向的區(qū)域中。此 外，在LED芯片82的上表面提供有端子8 和82b。端子8 位于LED芯片82的上表面 的-X+Y方向的區(qū)域中，端子82b位于LED芯片82的上表面的+X-Y方向的區(qū)域中。另一方面，在管芯安裝材料77上設(shè)置有齊納二極管芯片83。在齊納二極管芯片 83的上表面設(shè)置有上表面端子83a，下表面上設(shè)置有下表面端子(未示出)。也就是說，管 芯安裝材料77將齊納二極管芯片83固定在引線框架72上，以使得齊納二極管芯片83安 裝在引線框架72上，齊納二極管芯片83的下表面端子連接到引線框架72。導(dǎo)線85a的一端接合到LED芯片81的端子81a。導(dǎo)線8 大致上以-X方向從端 子81a抽取，朝著-Z方向彎曲，導(dǎo)線85a的另一端子大致上以+Z方向接合到引線框架71 的上表面71h。因此，LED芯片81的端子81a經(jīng)導(dǎo)線8 連接到引線框架71。但是，導(dǎo)線 85a也在Y方向迂回，導(dǎo)線85a的中間部分在+Y方向相對于連接導(dǎo)線8 兩端的直線Ll的 緊鄰上部區(qū)域是不對齊的。導(dǎo)線8 的一端接合到LED芯片81的端子81b。導(dǎo)線8 大致上以+X方向從端 子81b抽取，朝著-Z方向彎曲，導(dǎo)線85b的另一端子大致上以+Z方向接合到引線框架72 的上表面72h。因此，LED芯片81的端子81b經(jīng)導(dǎo)線8 連接到引線框架72。但是，導(dǎo)線 85b也在Y方向迂回，導(dǎo)線8 的中間部分在-Y方向相對于連接導(dǎo)線8 兩端的直線L2的 緊鄰上部區(qū)域是不對齊的。導(dǎo)線86a的一端接合到LED芯片82的端子82a。導(dǎo)線86a大致上以-X方向從端 子8 抽取，朝著-Z方向彎曲，導(dǎo)線86a的另一端子大致上以+Z方向接合到引線框架71 的上表面71h。因此，LED芯片82的端子82a經(jīng)導(dǎo)線86a連接到引線框架71。但是，導(dǎo)線 86a也在Y方向迂回，導(dǎo)線86a的中間部分在+Y方向相對于連接導(dǎo)線86a兩端的直線L3的 緊鄰上部區(qū)域是不對齊的。導(dǎo)線86b的一端接合到LED芯片82的端子82b。導(dǎo)線86b大致上以+X方向從端 子82b抽取，朝著-Z方向彎曲，導(dǎo)線86b的另一端子大致上以+Z方向接合到引線框架72的上表面72h。因此，LED芯片82的端子82b經(jīng)導(dǎo)線86b連接到引線框架72。但是，導(dǎo)線 86b也在Y方向迂回，導(dǎo)線86b的中間部分在-Y方向相對于連接導(dǎo)線86b兩端的直線L4的 緊鄰上部區(qū)域是不對齊的。導(dǎo)線87的一端連接到齊納二極管芯片83的上端子83a。導(dǎo)線87大致上以-X方 向從上端子83a抽取，朝著-Z方向彎曲，導(dǎo)線87的另一端子大致上以+Z方向連接到引線 框架71的上表面71h。因此，齊納二極管芯片83的上端子83a經(jīng)導(dǎo)線87連接到引線框架 71。但是，導(dǎo)線87也在Y方向迂回，導(dǎo)線87的中間部分在+Y方向相對于連接導(dǎo)線87兩端 的直線L5的緊鄰上部區(qū)域是不對齊的。導(dǎo)線85a、85b、86a、86b和87由例如金或鋁的金屬 形成。以此方式，當(dāng)從LED端子抽取每個導(dǎo)線時的芯片側(cè)抽取角度θ 1，即引線框架71的 上表面(XY平面)與接合到該端子的導(dǎo)線的一部分所延伸的方向之間的角度，小于XY平面 與接合到該引線框架的導(dǎo)線的一部分所延伸的方向之間的夾角。每個導(dǎo)線的中間部分位于 緊鄰連接兩端的直線之上的區(qū)域的外部。如圖35所示，導(dǎo)線85a的另一端子接合到引線框架71的接合位置Xll位于從溝 槽74看的-X方向側(cè)。類似地，導(dǎo)線86a的另一端子接合到引線框架71的接合位置X12也 位于從溝槽74看的-X方向側(cè)。另一方面，管芯安裝材料76a和76b位于從溝槽74看的+X 方向側(cè)。也就是說，溝槽74形成在LED芯片81和82安裝到引線框架71的上表面71h的 區(qū)域與導(dǎo)線8 和86a接合的位置Xll和X12之間。因此，導(dǎo)線8 和86a接合到引線框 架71的位置Xll和X12與管芯安裝材料76a和76b由溝槽74分開。導(dǎo)線87的另一端子接合到引線框架71的接合位置X13位于從溝槽75的部分7 看的-Y方向側(cè)。另一方面，管芯安裝材料76a和76b位于從部分7 看的+Y方向側(cè)。也 就是說，溝槽75形成在LED芯片81和82安裝到引線框架71的上表面71h的區(qū)域與導(dǎo)線 87接合的位置X13之間。因此，導(dǎo)線87接合到引線框架71的位置X13與管芯安裝材料76a 和76b由溝槽75分開。此外，導(dǎo)線8 的一端所接合的LED芯片81的端子81a、另一端所接合的位置XII、 導(dǎo)線85b的一端所接合的端子81b、導(dǎo)線86a的一端所接合的LED芯片82的端子8 和另 一端所接合的位置X12位于連接在延伸部分71b、71c、71d、71e、71f和71g的根部之間的多 邊形區(qū)域Rll之內(nèi)。特別地，位置Xll也位于一個連接在延伸部分71c的根部和延伸部分 71d的根部之間的方形區(qū)域內(nèi)，位置X12也位于一個連接在延伸部分71c的根部和延伸部 分71e的根部之間的方形區(qū)域內(nèi)。也就是說，位置Xll和X12位于所述多個區(qū)域的重疊區(qū) 域內(nèi)。此外，所述位置Xll到X13和端子81a、81b、8^i和8 位于緊鄰?fù)怀霾?1i上面的 區(qū)域內(nèi)。另一方面，導(dǎo)線8 的另一端接合到引線框架72的位置X14、導(dǎo)線86b的另一端接 合到引線框架72的位置X15、導(dǎo)線87的一端接合的齊納二極管芯片83的上表面端子83a 位于一個連接在延伸部分72b、72c、72d和72e的根部之間的多邊形區(qū)域R12之內(nèi)。位置 X14和X15及上表面端子83a位于緊鄰?fù)怀霾?2i上面的區(qū)域內(nèi)。LED封裝9包括透明樹脂體17。透明樹脂體17的形狀和與其它構(gòu)成部件之間的 關(guān)系類似于所述第一實施例。也就是說，樹脂體的外觀是長方體并且為LED封裝9的外觀。 每個延伸部分的末端邊緣表面在透明樹脂體17的側(cè)表面上露出，突出部71i和72i的下表面在透明樹脂體17的下表面上露出。引線框架71和72的除以上部分以外的部分被透明 樹脂17包覆。也就是說，每個延伸部分的下表面和側(cè)表面、薄板部分71t和72t的下表面、 基底部分71a和72a的側(cè)表面和引線框架71和72的整個表面都被透明樹脂體17包覆。 LED芯片81和82、齊納二極管芯片83、導(dǎo)線8fe、85b、86a、86b和87也都被透明樹脂體包 覆。大量熒光體18 (參見圖2A和2B)分散在透明樹脂體17內(nèi)部。此實施例的除前述之外 的構(gòu)造類似于所述第一實施例。下面說明根據(jù)此實施例的LED封裝的制造方法。圖39是說明此實施例的引線框架片的平面圖。根據(jù)此實施例的LED封裝的制造方法總地來說類似于所述第一實施例或其變型。 但是，與所述第一實施例或其變型相比，其不同處在于在制造引線框架片時從上表面?zhèn)韧?過半蝕刻來形成溝槽74和75。換句話說，如圖9A所示，引線框架片23通過半蝕刻來制造。在引線框架片23中 限定例如三個塊B，在每個塊B中限定大約200個元件區(qū)域P。如圖39所示，元件區(qū)域P以 矩陣形式設(shè)置，元件區(qū)域P之間的區(qū)域是網(wǎng)格狀的切片區(qū)域D。在每個元件區(qū)域P中，形成 包括相互分開的引線框架71和72的基本圖案。此外，在引線框架71的上表面通過從上表 面?zhèn)冗M(jìn)行半蝕刻形成溝槽74和75。薄板部分71t和72t、橋接器91-95在引線框架71和 72的下表面通過從下表面?zhèn)冗M(jìn)行半蝕刻形成，沒有形成薄板部分和橋接器的區(qū)域是突出部 7 “和 72i。更具體地，沿Y方向延伸通過切片區(qū)域D的橋接器91和92設(shè)置在屬于Y方向相 鄰元件區(qū)域P的引線框架71的主要部分71a之間。橋接器91連接主要部分71a的+X方 向的部分，橋接器92連接主要部分71a的-Y方向的部分。類似地，沿Y方向延伸通過切片 區(qū)域D的橋接器93設(shè)置在屬于Y方向相鄰元件區(qū)域P的引線框架72的主要部分7 之 間。再有，沿X方向延伸通過切片區(qū)域D的橋接器94和95設(shè)置在屬于X方向相鄰元件區(qū)域 的引線框架71的主要部分71a和引線框架72的主要部分7 之間。橋接器94將主要部 分71a的+Y方向的部分連接到主要部分72a的+Y方向的部分，橋接器95將主要部分71a 的-Y方向的部分連接到主要部分72a的-Y方向的部分。這樣，一共六個橋接器(連接部 分)以三個方向從引線框架71的主要部分71a延伸出來，一共四個橋接器以三個方向從引 線框架72的主要部分7 延伸出來。在圖8B所示的切片過程中，去除橋接器91-95的位于切片區(qū)域D中的部分，這樣 橋接器91的兩個端部就是延伸部分71b和71g，橋接器92的兩個端部就是延伸部分71c和 71f,橋接器93的兩個端部就是延伸部分72b和72e，橋接器94的兩個端部就是延伸部分 71d和72c，橋接器95的兩個端部就是延伸部分71e和72d。這樣，引線框架片23和透明樹 脂板四位于元件區(qū)域P中的部分被分割，圖33-38所示的LED封裝9就制造出來。本實施 例的除前述之外的制造方法類似于所述第一實施例。下面說明此實施例的功能和效果。在此實施例中，兩個LED芯片81和82并聯(lián)在引線框架71和引線框架72之間，因 此，與僅提供一個LED芯片的情況相比，可以獲得大量的光。此外，在此實施例中，LED芯片 81和82傾斜放置，LED芯片81的側(cè)表面和LED芯片82的側(cè)表面不相對。因此，從一個LED 芯片發(fā)出的光不進(jìn)入另一 LED芯片很多，整個LED封裝9的光提取效率很高。從一個LED芯片發(fā)出的熱不進(jìn)入另一 LED芯片很多，這可以抑制由于另一 LED芯片的溫度升高導(dǎo)致的 光發(fā)射效率的降低。再有，在此實施例中，提供齊納二極管芯片83，因此ESD阻抗很高。此外，在本實施例中，LED芯片81的端子81a和8lb、LED芯片82的端子82a、位置 Xll和X12位于連接在延伸部分71b、71c、71d、71e、71f和71g的相應(yīng)根部之間的多邊形區(qū) 域Rll之內(nèi)。這可以類似于第一實施例那樣穩(wěn)定地支撐導(dǎo)線的接合位置，從而改善導(dǎo)線接 合性能。此外，在本實施例中，溝槽74形成在引線框架71的上表面上，因此導(dǎo)線8 所接 合的位置Xl 1和導(dǎo)線86a所接合的位置X12與管芯安裝材料76a和76b所附著的區(qū)域分開。 導(dǎo)線87所接合的位置X13與管芯安裝材料76a和76b所附著的區(qū)域由溝槽75分開。這可 以防止管芯安裝材料流出到位置X11，X12和X13，并防止要接合到導(dǎo)線的區(qū)域被污染，即便 是管芯安裝材料76a和76b的附著位置和附著量是波動的。結(jié)果是，在此實施例中，導(dǎo)線接 合可靠性很高。此外，在本實施例中，每個導(dǎo)線的芯片側(cè)抽取角θ 1小于框架側(cè)抽取角θ 2。也就 是說，當(dāng)從處于相對較高水平的LED芯片的上表面抽取導(dǎo)線時的角θ 1小于當(dāng)從處于相對 較低水平的引線框架的下表面抽取導(dǎo)線時的角θ 2。這可以減少導(dǎo)線的環(huán)繞高度。因此，可 以抑制由于透明樹脂體17的熱應(yīng)力導(dǎo)致的導(dǎo)線及其接合部分的破損，也可以減小透明樹 脂體17的高度。此外，在本實施例中，每個導(dǎo)線的中間部分位于與緊鄰連接導(dǎo)線兩端的直線上面 的區(qū)域分開的位置。這可以在水平方向使導(dǎo)線松馳，放松從透明樹脂體接收的熱應(yīng)力。因 此，改善了導(dǎo)線的連接可靠性。此外，在本實施例中，基底部分的形狀是長方體，其一角被切掉。因此，具有直角或 銳角的引線框架的該角不設(shè)置在LED封裝的角的周圍。斜切角不會作為透明樹脂體的樹脂 脫落或裂開的起點(diǎn)。結(jié)果是，樹脂脫落或裂開的情況在LED封裝中整體地被抑制。本實施 例的除前述之外的功能和效果類似于所述第一實施例。已經(jīng)參考實施例及其變型說明了本發(fā)明。但是，本發(fā)明不限于這些實施例及其變 型。所述實施例及其變型可以相互組合地加以實施。此外，本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以通過部 件的增加、減少、設(shè)計改變或過程的增加、減少或條件改變來適當(dāng)?shù)匦薷乃鰧嵤├捌渥?型，這些修改只要落入本發(fā)明的精神內(nèi)，都包括在本發(fā)明的范圍內(nèi)。例如，在所述第一實施例中，引線框架片23示例性地由濕蝕刻形成。但是，本發(fā)明 不限于此，而是它可以由諸如按壓加工的機(jī)械方式形成。此外，在引線框架的上表面上，溝 槽可以形成在要形成管芯安裝材料的區(qū)域與要接合導(dǎo)線的區(qū)域之間。替代地，在引線框架 的上表面上，一個凹口可以形成在要形成管芯安裝材料的區(qū)域中。這樣，即使管芯安裝材料 的供應(yīng)數(shù)量或供應(yīng)位置發(fā)生改變，也能防止管芯安裝材料濺到要進(jìn)行導(dǎo)線接合的區(qū)域，以 防止干擾導(dǎo)線接合。此外，在所述第一實施例中，在引線框架中，銀鍍敷層示例性地形成在銅板的上下 表面上。但是，本發(fā)明不限于此。例如，銀鍍敷層可以形成在銅板的上下表面上，銠0 )鍍 敷層可以形成在銀鍍敷層的至少一個上。此外，銅(Cu)鍍敷層可以形成在銅板和銀鍍敷層 之間。此外，鎳(Ni)鍍敷層可以形成在銅板的上下表面上，金-銀合金(Au-iVg合金)鍍敷層可以形成在鎳鍍敷層上。此外，在所述實施例及其變型中，例如LED芯片是發(fā)出藍(lán)光的芯片，熒光體是吸收 藍(lán)光且發(fā)出黃光的熒光體，因此從LED封裝發(fā)出的光的顏色是白色。但是，本發(fā)明不限于 此。LED芯片可以是發(fā)出具有不同于藍(lán)色的顏色的可見光的LED芯片，或者是發(fā)出紫外線或 紅外輻射的LED芯片。熒光體也不限于發(fā)出黃光的熒光體，而可以是發(fā)出例如藍(lán)光、綠光或 紅光的熒光體。發(fā)出藍(lán)光的熒光體示例性地可以包括以下(REhSmx) 3 (AlyGa1^y) 5012 Ce這里，0彡x< 1,0 ^ y ^ 1，RE是從Y和Gd中選擇的至少一個。ZnS: AgSiS Ag+顏料ZnS: Ag, AlZnS:Ag, Cu, Ga, ClZnS:Ag+In203ZnS:Zn+In203(Ba, Eu) MgAl10O17(Sr, Ca, Ba, Mg) 10 (PO4) 6C12 EuSrltl(PO4)6Cl2 = Eu(Ba, Sr, Eu) (Mg, Mn)Al10O1710 (Sr, Ca, Ba, Eu) ‘ 6P04 ‘ Cl2BaMg2Al16O25IEu發(fā)出綠光的熒光體除了所述的基于硅鋁氧氮聚合材料的綠色熒光體外還可以包 括ZnS: Cu, AlSiS Cu，Al+顏料(Zn, Cd) S:Cu, AlZnS:Cu，Au，Al+顏料Y3Al5O12ITbY3(Al, Ga)5012:TbY2Si05:TbZn2SiO4IMn(Zn, Cd) S:CuZnS CuZnS:Cu+Zn2Si04:MnGd2O2SiTb(Zn, Cd) S:AgY2O2SiTbZnS: Cu, Α1+Ιη203(Zn, Cd)S:Ag+In203
(Zn，MrO2SiO4BaAl12O19: Mn(Ba, Sr, Mg)0 · aAl203:MnLaPO4:Ce, Tb3 (Ba, Mg, Eu, Mn) 0 · 8A1203La2O3 · 0. 2Si02 · 0. 9P205:Ce，TbCeMgAl11O19: Tb發(fā)出紅光的熒光體除了所述的基于硅鋁氧氮聚合材料的紅色熒光體外還可以包 括CaAlSiN3: Eu2+Y2O2SiEuY2O2S: Eu+顏料Y2O3 EuZn3 (PO4)2IMn(Zn, Cd)S:Ag+In203(Y, Gd, Eu) BO3(Y, Gd, Eu)203YVO4: EuLa2O2SiEu, Sm除了所述的基于硅酸鹽的熒光體外，發(fā)射黃色光的熒光體可以例如為由通式 MexSi12_(m+n)Al(m+n)OnN16-n:Rely Re2z(這里通式里的x，y，z，m和η是系數(shù))表示的熒光體，其 中溶解在阿爾法硅鋁氧氮聚合材料中的金屬M(fèi)e (Me是Ca和Y之一或二者)部分或全部由 鑭系金屬Rel (Rel是Pr、Eu、Tb、Yb和Er之一或多個)替代用作發(fā)射中心，或者由兩個鑭 系金屬Rel和Re2 (Re2是Dy)替代用作共激活劑。此外，完全從LED封裝發(fā)出的光的顏色不限于白色?？梢酝ㄟ^調(diào)整紅色熒光體、綠 色熒光體和藍(lán)色熒光體的重量比R G B來實現(xiàn)任意的色彩，如上所述。例如，可以通過 設(shè)定R G B重量比為 1 1 1-7 1 1，1 1 1-1 3 1禾口1 1 1-1 1 3 之一來實現(xiàn)范圍從白熾顏色到白色熒光燈顏色的白色光發(fā)射。此外，可以從LED封裝省略熒光體。在此情況下，從LED芯片發(fā)出的光從LED封裝 發(fā)出O此外，在所述實施例中，示出了這樣的例子，即引線框架的基底部分的形狀從上面 看是矩形的。但是，該基底部分可以是其至少一個角被切掉的形狀。由此，具有直角或銳角 的引線框架的該角不設(shè)置在LED封裝的角的周圍。斜切角不作為透明樹脂體的樹脂脫落和 裂開的起點(diǎn)。結(jié)果是，樹脂脫落或裂開的情況在LED封裝中整體地被抑制。根據(jù)所述的實施例，可以實現(xiàn)具有高耐用性和低成本的LED封裝。雖然已經(jīng)說明了特定的實施例，這些實施例僅是以舉例的形式給出的，不是意在 限制本發(fā)明的范圍。實際上，這里說明的新的實施例可以多種其它形式體現(xiàn)；此外，可以做 出這里說明的各實施例的形式的各種省略、替換和改變而不脫離本發(fā)明的精神。后附的權(quán) 利要求書和其等同物意在覆蓋這樣的屬于本發(fā)明的精神和范圍的形式或變型。
權(quán)利要求
1.一種LED封裝，包括第一引線框架和第二引線框架，二者相互分開；LED芯片，設(shè)置在所述第一引線框架和第二引線框架上方，該LED芯片的一個端子連接 到所述第一引線框架，另一端子連接到所述第二引線框架； 導(dǎo)線，將所述一個端子連接到所述第一引線框架；和樹脂體，包覆所述第一引線框架和所述第二引線框架、所述LED芯片和所述導(dǎo)線， 所述第一引線框架包括基底部分，其上表面、邊緣表面和下表面的一部分被所述樹脂體包覆，其余的下表面在 所述樹脂體的下表面上露出；和從所述基底部分延伸出來的多個延伸部分，每個延伸部分的下表面和上表面被所述樹 脂體包覆，邊緣表面在所述樹脂體的側(cè)表面上露出；所述導(dǎo)線的接合位置位于連接在兩個或更多個所述延伸部分的根部之間的多邊形區(qū) 域之一內(nèi)；并且所述樹脂體的外觀是所述LED封裝的外觀的一部分。
2.根據(jù)權(quán)利要求1的LED封裝，其中所述第一引線框架被提供有三個或更多個在三個不同方向上延伸的延伸部分；并且 所述導(dǎo)線的接合位置位于連接在三個延伸部分的根部之間的多邊形區(qū)域之一內(nèi)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1的LED封裝，其中，所述導(dǎo)線的接合位置位于多個多邊形區(qū)域的重疊 區(qū)域內(nèi)，并且所述接合位置位于所述第一引線框架的下表面在所述樹脂體的下表面上露出 的區(qū)域內(nèi)。
4.根據(jù)權(quán)利要求1的LED封裝，還包括將所述另一端子連接到所述第二引線框架的另 一導(dǎo)線，其中所述第二引線框架包括基底部分，其上表面、邊緣表面和下表面的一部分被所述樹脂體包覆，其余的下表面在 所述樹脂體的下表面上露出；和從所述基底部分延伸出來的多個延伸部分，每個延伸部分的下表面和上表面被所述樹 脂體包覆，邊緣表面在所述樹脂體的側(cè)表面上露出；所述另一導(dǎo)線的接合位置位于連接在所述第二引線框架的兩個或更多個延伸部分的 根部之間的多邊形區(qū)域之一內(nèi)。
5.根據(jù)權(quán)利要求1的LED封裝，其中所述第一引線框架的上表面和下表面中的至少一 個表面的粗糙度大致上為1.20或更大值，所述第二引線框架的上表面和下表面中的至少 一個表面的粗糙度大致上為1. 20或更大值。
6.根據(jù)權(quán)利要求1的LED封裝，其中所述基底部分的邊緣表面和所述樹脂體的側(cè)表面 之間的最短距離大致上為所述第一引線框架和第二引線框架的最大厚度的50%或更大值。
7.根據(jù)權(quán)利要求1的LED封裝，其中所述第一引線框架和第二引線框架分別具有第一邊緣和第二邊緣，所述第一邊緣和第 二邊緣相互面對，第一突出部形成在與所述第一邊緣相分開的區(qū)域內(nèi)，第二突出部形成在 與所述第二邊緣相分開的區(qū)域內(nèi)，并且所述第一突出部的下表面和所述第二突出部的下表面在所述樹脂體的下表面上露出，所述第一突出部的側(cè)表面和所述第二突出部的側(cè)表面被所述樹脂體包覆。
8.根據(jù)權(quán)利要求1的LED封裝，還包括位于所述樹脂體內(nèi)的熒光體；所述LED芯片發(fā)出藍(lán)光，所述熒光體是吸收所述藍(lán)光并且發(fā)出綠光的熒光體以及吸收 所述藍(lán)光并且發(fā)出紅光的熒光體。
9.根據(jù)權(quán)利要求1的LED封裝，其中提供多個所述LED芯片，并且所述多個LED芯片以 Z字形排列方式安排。
10.根據(jù)權(quán)利要求1的LED封裝，其中提供兩個所述LED芯片，并且所述兩個LED芯片 被定位成使一個LED芯片的側(cè)表面與另一個LED芯片的側(cè)表面不相互面對。
11.根據(jù)權(quán)利要求1的LED封裝，還包括設(shè)置在所述第一引線框架和第二引線框架上方 的齊納二極管芯片，其一個端子連接到所述第一引線框架，另一端子連接到所述第二引線 框架，所述LED芯片安裝在所述第一引線框架上，并且在安裝有所述LED芯片的區(qū)域和所述第一引線框架的上表面上接合到所述導(dǎo)線的位 置之間形成溝槽。
12.根據(jù)權(quán)利要求1的LED封裝，其中所述一個端子設(shè)置在所述LED芯片的上表面上；所述第一引線框架的上表面與接合到所述一個端子的所述導(dǎo)線的一部分延伸的方向 之間的角度小于所述第一引線框架的上表面與接合到所述第一引線框架的所述導(dǎo)線的一 部分延伸的方向之間的角度。
13.根據(jù)權(quán)利要求1的LED封裝，其中所述基底部分具有矩形形狀，其一角被切掉。
14.一種LED封裝，包括第一引線框架和第二引線框架，二者相互分開；LED芯片，設(shè)置在所述第一引線框架和第二引線框架上方，所述LED芯片的一個端子連 接到所述第一引線框架，另一端子連接到所述第二引線框架；樹脂體，包覆所述第一引線框架、所述第二引線框架和所述LED芯片，所述第一引線框架包括基底部分，其上表面、邊緣表面和下表面的一部分被所述樹脂體包覆，其余的下表面在 所述樹脂體的下表面上露出；和從所述基底部分延伸出來的延伸部分，每個延伸部分的下表面和上表面被所述樹脂體 包覆，邊緣表面在所述樹脂體的側(cè)表面上露出；所述基底部分的邊緣表面和所述樹脂體的側(cè)表面之間的最短距離大致上為所述第一 引線框架的最大厚度的50%或更大值，并且所述樹脂體的外觀是所述LED封裝的外觀的一部分。
15.根據(jù)權(quán)利要求14的LED封裝，其中所述第一引線框架的上表面和下表面中的至少 一個表面的粗糙度大致上是1. 20或更大值，所述第二引線框架的上表面和下表面中的至 少一個表面的粗糙度大致上是1. 20或更大值。
16.根據(jù)權(quán)利要求14的LED封裝，其中所述第一引線框架和第二引線框架分別具有第一邊緣和第二邊緣，所述第一邊緣和第二邊緣相互面對，第一突出部形成在與所述第一邊緣相分開的區(qū)域內(nèi)，第二突出部形成在 與所述第二邊緣相分開的區(qū)域內(nèi)，并且所述第一突出部的下表面和所述第二突出部的下表面在所述樹脂體的下表面上露出， 所述第一突出部的側(cè)表面和所述第二突出部的側(cè)表面被所述樹脂體包覆。
17.根據(jù)權(quán)利要求14的LED封裝，其中提供兩個所述LED芯片，并且所述兩個LED芯片 被定位成使一個LED芯片的側(cè)表面與另一個LED芯片的側(cè)表面不相互面對。
18.根據(jù)權(quán)利要求14的LED封裝，還包括設(shè)置在所述第一引線框架和第二引線框架上 方的齊納二極管芯片，其一個端子連接到所述第一引線框架，另一端子連接到所述第二引 線框架，所述LED芯片安裝在所述第一引線框架上，并且在安裝有所述LED芯片的區(qū)域和所述第一引線框架的上表面上連接到所述導(dǎo)線的位 置之間形成溝槽。
19.根據(jù)權(quán)利要求14的LED封裝，其中所述一個端子設(shè)置在所述LED芯片的上表面上；所述第一引線框架的上表面與接合到所述一個端子的所述導(dǎo)線的一部分延伸的方向 之間的角度小于所述第一引線框架的上表面與接合到所述第一引線框架的所述導(dǎo)線的一 部分延伸的方向之間的角度。
20.根據(jù)權(quán)利要求14的LED封裝，其中所述基底部分具有矩形形狀，其一角被切掉。
全文摘要
本發(fā)明提供一種LED封裝。根據(jù)一個實施例，LED封裝包括第一和第二引線框架、LED芯片和樹脂體。第一和第二引線框架相互分開。LED芯片設(shè)置在第一和第二引線框架上方，其一個端子連接到第一引線框架，另一端子連接到第二引線框架。導(dǎo)線將一個端子連接到第一引線框架。樹脂體包覆第一和第二引線框架、LED芯片和導(dǎo)線。第一引線框架包括基底部分和多個延伸部分。如從上面看到的那樣，導(dǎo)線的接合位置位于連接在兩個或多個延伸部分的根部之間的多邊形區(qū)域之一內(nèi)。樹脂體的外觀是LED封裝的外觀的一部分。
文檔編號H01L33/54GK102142512SQ20111003065
公開日2011年8月3日 申請日期2011年1月28日 優(yōu)先權(quán)日2010年1月29日
發(fā)明者刀禰館達(dá)郎, 小松哲郎, 巖下和久, 押尾博明, 松本巖夫, 清水聰, 渡元, 竹內(nèi)輝雄 申請人:株式會社東芝