專利名稱：有機(jī)發(fā)光器件顯示器及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
實(shí)施例涉及有機(jī)發(fā)光器件顯示器及其制造方法。
背景技術(shù)：
一般而言，有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)具有形成為功能性薄膜的有機(jī)發(fā)光層被布置在陽極與陰極之間的結(jié)構(gòu)。在工作中，空穴通過陽極插入，并且電子通過陰極插入，然后電子和空穴在有機(jī)發(fā)光層中彼此結(jié)合，使得當(dāng)電子與空穴彼此復(fù)合時(shí)在有機(jī)發(fā)光層中形成激子并發(fā)光。在全彩色OLED顯示器中，可以使用獨(dú)立的發(fā)光方法、濾色方法或色彩轉(zhuǎn)換方法等。在獨(dú)立的發(fā)光方法中，通過使用具有精細(xì)圖案的金屬陰影掩膜熱沉積紅(R)光發(fā)射材料、綠(G)光發(fā)射材料和藍(lán)(B)光發(fā)射材料中的每一個(gè)，以實(shí)現(xiàn)R、G和B顏色。在濾色方法中，形成白光發(fā)射層，然后對(duì)R、G和B濾色器進(jìn)行圖案化，以實(shí)現(xiàn)R、G和B顏色。在顏色轉(zhuǎn)換方法中，形成藍(lán)光發(fā)射層，然后使用顏色轉(zhuǎn)換層將藍(lán)色轉(zhuǎn)換為綠色和紅色，以實(shí)現(xiàn)R、G和 B顏色。

發(fā)明內(nèi)容
實(shí)施例的特征在于提供一種具有改善的壽命特性和發(fā)光效率同時(shí)減小制造期間改變精細(xì)金屬掩膜(FMM)的次數(shù)的有機(jī)發(fā)光器件顯示器及制造有機(jī)發(fā)光器件顯示器的方法。以上及其它特性和優(yōu)點(diǎn)中的至少一個(gè)可以通過提供一種有機(jī)發(fā)光器件顯示器來實(shí)現(xiàn)，所述有機(jī)發(fā)光器件顯示器包括位于基板上的紅色子像素、綠色子像素和藍(lán)色子像素中的第一電極；位于所述基板上覆蓋所述第一電極的空穴注入層；位于所述空穴注入層上的空穴傳輸層；位于所述紅色子像素中所述空穴注入層與所述空穴傳輸層之間的輔助層； 位于所述紅色子像素和綠色子像素中所述空穴傳輸層上的紅光發(fā)射層和綠光發(fā)射層，所述紅光發(fā)射層位于所述綠光發(fā)射層與所述空穴傳輸層之間；以及位于所述藍(lán)色子像素中所述空穴傳輸層上的藍(lán)光發(fā)射層。所述紅光發(fā)射層可以具有空穴傳輸能力，并且所述綠光發(fā)射層可以具有電子傳輸能力。所述輔助層可以具有空穴傳輸能力。所述輔助層可以包括與所述空穴傳輸層相同的材料。所述輔助層的厚度可以在大約300A與大約1500人之間。所述紅光發(fā)射層的厚度可以在大約500人與大約2000人之間，并且所述綠光發(fā)射層的厚度可以在大約IOOA與大約1000A之間。所述藍(lán)光發(fā)射層可以位于所述綠光發(fā)射層上，因而所述藍(lán)光發(fā)射層至少對(duì)于所述藍(lán)色子像素和所述綠色子像素是公共的。所述藍(lán)光發(fā)射層的厚度可以在大約IOOA與大約500人之間。
以上及其它特征和優(yōu)點(diǎn)還可以通過提供一種制造有機(jī)發(fā)光器件顯示器的方法來實(shí)現(xiàn)，該方法包括在基板上形成用于紅色子像素、綠色子像素和藍(lán)色子像素中每一個(gè)的第一電極；在所述基板上形成覆蓋所述第一電極的空穴注入層；在所述紅色子像素中所述空穴注入層上形成輔助層；在所述空穴注入層上形成覆蓋所述輔助層的空穴傳輸層；以及在所述紅色子像素和所述綠色子像素中所述空穴傳輸層上順序形成紅光發(fā)射層和綠光發(fā)射層。所述紅光發(fā)射層可以具有空穴傳輸能力，并且所述綠光發(fā)射層可以具有電子傳輸能力。所述輔助層可以具有空穴傳輸能力。所述輔助層可以包括與所述空穴傳輸層相同的材料。所述輔助層的厚度可以在大約300A與大約1500A之間。所述紅光發(fā)射層的厚度可以在大約500A與大約2000A之間，并且所述綠光發(fā)射層的厚度可以在大約IOOA與大約1000A之間。所述方法可以進(jìn)一步包括在所述藍(lán)色子像素中所述空穴傳輸層上形成藍(lán)光發(fā)射層。所述藍(lán)光發(fā)射層可以通過使用精細(xì)金屬掩膜進(jìn)行圖案化而形成。所述方法可以進(jìn)一步包括在所述綠光發(fā)射層和所述空穴傳輸層上形成藍(lán)光發(fā)射層，以便將所述藍(lán)光發(fā)射層作為公共層形成在所述基板的前表面上。所述藍(lán)光發(fā)射層的厚度可以在大約IOOA與大約500A之間。所述輔助層、所述紅光發(fā)射層和所述綠光發(fā)射層可以通過使用精細(xì)金屬掩膜進(jìn)行圖案化而形成。所述藍(lán)光發(fā)射層可以通過使用開口掩膜進(jìn)行圖案化而形成。


對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來說，以上及其它特征和優(yōu)點(diǎn)將通過結(jié)合附圖對(duì)示例性實(shí)施例進(jìn)行的詳細(xì)描述而變得更加明顯，附圖中圖1示出根據(jù)第一示例實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光器件顯示器的截面圖；圖2示出根據(jù)第二示例實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光器件顯示器的截面圖；圖3和圖4分別示出根據(jù)一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)和OLED的比較示例的電壓-電流曲線圖和電流效率-亮度曲線圖；以及圖5(a)_(d)示出可以應(yīng)用于根據(jù)一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例的OLED的濾色器的圖案類型。
具體實(shí)施例方式通過引用將2010年1月27日遞交至韓國知識(shí)產(chǎn)權(quán)局的名稱為“Organic Light Emitting Diode Display Apparatus and Method of Manufacturing the Same (有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置及其制造方法)”的韓國專利申請(qǐng)No. 10-2010-0007444整體合并于此。以下結(jié)合附圖更充分地描述示例實(shí)施例，然而，這些實(shí)施例可以不同的形式體現(xiàn)， 并且不應(yīng)當(dāng)被理解為限于這里所給出的實(shí)施例。相反，提供這些實(shí)施例的目的在于使該公開全面完整，并且向本領(lǐng)域普通技術(shù)人員充分地傳達(dá)本發(fā)明的范圍。在附圖中，層和區(qū)域的尺寸可能為了圖示的清晰而被放大。還可以理解，當(dāng)提及一層或元件位于另一層或基板“上”時(shí)，該層或元件可以直接位于另一層或基板上，也可以存在中間層。進(jìn)一步地，應(yīng)當(dāng)理解，當(dāng)提及一層位于另一層“下”時(shí)，該層可以直接位于另一層下，也可以存在一個(gè)或多個(gè)中間層。另外，也可以理解，當(dāng)提及一層位于兩層“之間”時(shí)，該層可以是這兩層之間僅有的層，也可以存在一個(gè)或多個(gè)中間層。相同的附圖標(biāo)記始終指代相同的元件。在以下描述中，公知的功能或架構(gòu)不會(huì)詳細(xì)描述，因?yàn)檫@會(huì)以不必要的細(xì)節(jié)而使本發(fā)明晦澀。此外，當(dāng)一部分“包括”一個(gè)元件時(shí)，除非有與此相反的特別描述，否則該部分可以進(jìn)一步包括其它元件，而不排除其它元件。這里所使用的詞語“和/或”包括相關(guān)聯(lián)的所列項(xiàng)目中的一個(gè)或多個(gè)的任意或所有組合。圖1示出根據(jù)第一示例實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光器件顯示器的截面圖。在圖1所示的第一示例實(shí)施例中，OLED顯示器包括基板100和形成在基板100上的紅色(R)、綠色(G)和藍(lán)色(B)子像素區(qū)域?；?00可以由例如透明玻璃材料、塑料材料或金屬箔形成。如OLED顯示器中通常使用的那樣，基板100可以具有好的機(jī)械強(qiáng)度、熱穩(wěn)定性、透明度、表面平滑度、易使用和防水性。盡管圖1中未示出，但是基板100的R、G和B子像素中的每一個(gè)可以包括至少一個(gè)薄膜晶體管(TFT)和/或電容器，并且像素電路可以通過使用TFT和電容器實(shí)現(xiàn)。第一電極120和第二電極140可以彼此面對(duì)地布置在基板100之上?？梢葬槍?duì)R、 G和B子像素中的每一個(gè)對(duì)第一電極120進(jìn)行圖案化，并且第一電極120可以是陽極或陰極。第二電極140對(duì)應(yīng)于第一電極120，并且可以是陰極或陽極。第二電極140可以通過執(zhí)行例如真空蒸發(fā)操作或?yàn)R射操作形成在電子注入層136上。包括OLED的OLED顯示器可以實(shí)施為朝向基板100實(shí)現(xiàn)圖像的底部發(fā)射型OLED 顯示器。在這種情況下，第一電極120可以是透明電極，而第二電極140可以是反射電極。 第一電極120可以由諸如氧化銦錫(ITO)、氧化銦鋅(IZO)、氧化鋅(SiO)或氧化銦(In2O3) 之類的具有高功函數(shù)的材料形成，而第二電極140可以由諸如銀(Ag)、鎂(Mg)、鋁(Al)、鉬 (Pt)、鈀(Pd)、金(Au)、鎳(Ni)、釹(Nd)、銥(Ir)、鉻(Cr)、鋰(Li)和 / 或鈣(Ca)之類的具有低功函數(shù)的金屬形成。包括OLED的OLED顯示器可以實(shí)施為朝向第二電極140實(shí)現(xiàn)圖像的頂部發(fā)射型 OLED顯示器。在這種情況下，第一電極120可以是反射電極，而第二電極140可以是透明電極。這里，與第一電極120相對(duì)應(yīng)的反射電極可以通過包括例如形成諸如Ag、Mg、Al、Pt、 Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、Li、Ca和/或其化合物之類的材料的反射層，然后在反射層上形成諸如ΙΤ0、IZO、ZnO或In2O3之類的具有高功函數(shù)的材料的層的工藝形成。與第二電極140相對(duì)應(yīng)的透明電極可以通過包括例如沉積諸如Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、Li、Ca 和/或其化合物之類的具有低功函數(shù)的金屬，然后在金屬上形成包括諸如ITO、IZO、ZnO或 In2O3之類的透明導(dǎo)電材料的輔助電極層或匯流電極線的工藝形成。包括OLED的OLED顯示器可以實(shí)施為雙側(cè)發(fā)射型OLED顯示器。在這種情況下，第一電極120和第二電極140可以形成為透明電極。
如果基板100如上所述包括TFT，則第一電極120可以針對(duì)R、G和B子像素被圖案化，并且電連接至R、G和B子像素的每一個(gè)中的TFT。在這種情況下，第二電極140可以形成為在R、G和B子像素上延伸以覆蓋所有的R、G和B子像素的公共電極。如果基板100不包括針對(duì)R、G和B子像素中每一個(gè)的TFT，則第一電極120和第二電極140可以圖案化為交叉的條紋圖案，因此可以執(zhí)行無源矩陣(PM)驅(qū)動(dòng)。在圖1所示的第一示例實(shí)施例中，有機(jī)層130介于第一電極120與第二電極140 之間，有機(jī)層130包括順序布置的空穴注入層131、輔助層132R、空穴傳輸層133、紅光發(fā)射層134R、綠光發(fā)射層134G、藍(lán)光發(fā)射層134B、電子傳輸層135和電子注入層136。盡管在圖1中未示出，但是可以在第一電極120上形成覆蓋第一電極120端部和側(cè)部的像素限定層。像素限定層可以由例如有機(jī)材料、無機(jī)材料或有機(jī)-無機(jī)材料的多層形成。無機(jī)材料可以是諸如二氧化硅(SiO2)、氮化硅(SiNx)和/或氮氧化硅(SiON)之類的材料。有機(jī)材料可以是諸如是有機(jī)絕緣材料的丙烯基有機(jī)化合物、聚酰胺和/或聚酰亞胺之類的材料?？昭ㄗ⑷雽?31可以通過使用開口掩膜形成為相對(duì)于R、G和B子像素的公共層， 其中該公共層位于其上形成有第一電極120的基板100上?？昭ㄗ⑷雽?31可以具有大約 300 A與大約800 A之間的厚度，用于平滑的空穴注入，盡管其厚度可以根據(jù)其它層的材料而變化。空穴注入層131可以包括諸如4，4'，4〃 -三(N-(2-萘基)-N-苯基-氨基)三苯胺Q-TNATA)、酞菁銅(CuPc)、作為星芒(starburst)型胺的三(4-咔唑基-9-基苯基) 胺(TCTA) ,4,4'，4〃 -三(3-甲基苯基苯基氨基)-三苯胺(m-MTDATA)和/或IDE406 (由出光興產(chǎn)株式會(huì)社制造)，或者可以使用提供平滑空穴注入的其它材料。具有高的空穴遷移率并提供平滑空穴傳輸?shù)目昭▊鬏攲?33可以形成在空穴注入層131上。空穴傳輸層133可以通過使用開口掩膜形成為相對(duì)于R、G和B子像素的公共層。空穴傳輸層133的厚度可以在大約300 A與大約800A之間，盡管其厚度可以根據(jù)其它層的材料而變化?？昭▊鬏攲?33的沉積條件和涂覆條件可以根據(jù)所使用的化合物而變化。在示例實(shí)施方式中，沉積條件和涂覆條件可以與用于形成空穴注入層131的沉積條件和涂覆條件類似地選擇?？昭▊鬏攲?33的材料可以包括例如包括N-苯基咔唑、聚乙烯咔唑等的咔唑衍生物、4，4'-雙[N-(1-萘基)-N-苯氨基]聯(lián)苯(NPB)、N，N'-雙(3-甲基苯基)-N，N-聯(lián)苯-[1，1'-聯(lián)苯]_4，4' -二胺(TPD)、N，N'-聯(lián)苯-N，N-雙(1-萘基)-1，1聯(lián)苯-4，4- 二胺(α -NPD)、IDE320 (由出光興產(chǎn)株式會(huì)社制造)等。在圖1所示的第一示例實(shí)施例中，輔助層132R布置在紅色(R)子像素區(qū)域中空穴注入層131與空穴傳輸層133之間。輔助層132R可以調(diào)節(jié)R子像素的有機(jī)層的厚度，從而調(diào)節(jié)紅光的共振周期。共振周期通過使用微腔效應(yīng)來調(diào)節(jié)。輔助層132R可以具有大約 300Α與大約1500Α之間的厚度，以提高紅光的發(fā)光效率、色純度等。在一種實(shí)施方式中， 輔助層132R可以通過使用FMM僅形成在紅色(R)子像素區(qū)域中。在一種實(shí)施方式中，輔助層132R的材料可以與空穴傳輸層133的材料相同，或者可以包括空穴傳輸層133的材料。在圖1所示的第一示例實(shí)施例中，發(fā)光層134形成在空穴傳輸層133上。發(fā)光層 134包括順序堆疊在紅色(R)子像素區(qū)域和綠色(G)子像素區(qū)域中的紅光發(fā)射層134R和綠光發(fā)射層134G以及布置在藍(lán)色(B)子像素區(qū)域中的藍(lán)光發(fā)射層134Β。紅光發(fā)射層134R和綠光發(fā)射層134G可以通過執(zhí)行堆疊操作公共地布置在紅色(R)子像素區(qū)域和綠色(G)子像素區(qū)域中。紅光發(fā)射層134R、綠光發(fā)射層134G和藍(lán)光發(fā)射層134B可以通過使用FMM形成在空穴傳輸層133上。這里，紅光發(fā)射層134R和綠光發(fā)射層134G作為公共層順序堆疊在紅色(R)子像素區(qū)域和綠色(G)子像素區(qū)域中。因此，可以使用具有較大開口的掩膜，從而與在每個(gè)子像素中形成發(fā)光層的情況相比，使大顯示面板的制造更有利。在一種實(shí)施方式中， 藍(lán)光發(fā)射層134B可以通過使用FMM僅堆疊在藍(lán)色(B)子像素區(qū)域中。輔助層132R可以布置在紅色(R)子像素區(qū)域中以調(diào)節(jié)紅光的共振周期，并且紅光發(fā)射層134R可以布置在紅色(R)子像素區(qū)域和綠色(G)子像素區(qū)域中以調(diào)節(jié)綠光的共振周期。因此，紅光發(fā)射層134R可以同時(shí)充當(dāng)紅光的發(fā)射層以及綠色子像素(R)的輔助層。 在一種實(shí)施方式中，紅光發(fā)射層134R可以具有空穴傳輸能力，并且綠光發(fā)射層134G可以具有電子傳輸能力。紅光發(fā)射層134R以及綠光發(fā)射層134G和藍(lán)光發(fā)射層134B可以通過使用各種已知的發(fā)光材料形成，并且可以通過使用已知的宿主和雜質(zhì)形成。雜質(zhì)可以包括已知的熒光雜質(zhì)和/或已知的磷光雜質(zhì)。具體來說，紅光發(fā)射層134R可以包括具有高空穴傳輸特性的宿主和紅色雜質(zhì)，而綠光發(fā)射層134G可以包括具有高電子傳輸特性的宿主和綠色雜質(zhì)。發(fā)光層134的宿主可以包括例如三-8-羥基喹啉鋁(Alq3)、4，4' -二(N-咔唑) 聯(lián)苯(CBP)、聯(lián)苯乙烯(DSA)、作為紅色磷光宿主的⑶11403(由GRACEL株式會(huì)社制造)等。基于100重量份的發(fā)光層形成材料(即宿主和雜質(zhì)的總重量為100份)，光發(fā)射層134的雜質(zhì)含量可以在0. 1至20重量份之間，例如在0. 5至15重量份之間。如果雜質(zhì)含量小于0. 1重量份，則由添加雜質(zhì)引起的效果會(huì)很小，而如果雜質(zhì)含量大于20重量份，則會(huì)對(duì)熒光和磷光引起諸如濃縮猝滅的濃縮消光?？紤]發(fā)光效率時(shí)，紅光發(fā)射層134R的厚度可以在大約500人與大約2000人之間， 綠光發(fā)射層134G的厚度可以在大約100人與大約1000A之間，例如在大約200A與大約 1000A之間，并且藍(lán)光發(fā)射層134B的厚度可以在大約200A與大約1000A之間。在圖1所示的第一示例實(shí)施例中，電子傳輸層135被形成在發(fā)光層134上。電子傳輸層135可以通過使用開口掩膜形成在綠光發(fā)射層134G和藍(lán)光發(fā)射層134B上以及基板100的前側(cè)上。電子傳輸層135的厚度可以在大約200 A與大約500 A之間，并且可以根據(jù)其它層的材料而變化。電子傳輸層135可以促進(jìn)電子傳輸，從而允許高效的電子傳輸。電子傳輸層135的材料可以是例如包括Alq3的喹啉衍生物材料、3_ (4_聯(lián)苯基)_4_苯基-5-(4-叔丁基苯基)-1，2，4_三唑(TAD，或可以使用類似材料。在圖1所示的第一示例實(shí)施例中，電子注入層136形成在電子傳輸層135上和基板100的前側(cè)上。電子注入層136可以通過使用開口掩膜形成。電子注入層136的厚度可以在大約5A與大約50人之間，并且可以根據(jù)其它層的材料而變化。電子傳輸層136可以由促進(jìn)電子從第二電極140注入的材料形成，例如氟化鋰(LiF)、NaCl、氟化銫(CsF)、氧化鋰 (Li2O)、氧化鋇(BaO)和 / 或 Liq。盡管在圖1中未示出，但是可以通過使用空穴阻擋層形成材料在發(fā)光層134與電子傳輸層135之間選擇性地形成空穴阻擋層?？昭ㄗ钃鯇有纬刹牧峡梢蕴峁┛昭▊鬏斈芰Γ⑶揖哂斜劝l(fā)光化合物高的電離電勢(shì)。空穴阻擋層形成材料的示例包括雙O-甲基-8-羥基喹啉)(4-羥基)鋁(BAlq)、浴銅靈(BCP)、N_芳基苯并咪唑三聚體(TPBI)等。
如以上結(jié)合第一示例實(shí)施例所述，紅光發(fā)射層134R和綠光發(fā)射層134G公共地堆疊在紅色(R)子像素區(qū)域和綠色(G)子像素區(qū)域中。因此，并不需要另外使用FMM以在綠色(G)子像素區(qū)域中形成輔助層。相應(yīng)地，通過使用FMM四次，可以簡(jiǎn)化制造工藝。圖2示出根據(jù)第二示例實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光器件顯示器的截面圖。與圖1的OLED顯示器類似，根據(jù)圖2所示的第二示例實(shí)施例的OLED顯示器包括基板200和形成在基板200上的紅色(R)、綠色(G)和藍(lán)色(B)子像素區(qū)域。圖2所示的 OLED顯示器與圖1所示的OLED顯示器的不同之處在于，圖2中藍(lán)光發(fā)射層234B被形成為公共層。以下省略與圖1的OLED顯示器相同的結(jié)構(gòu)和針對(duì)相同結(jié)構(gòu)的制造工藝的詳細(xì)描述。在圖2所示的第二示例實(shí)施例中，第一電極220和與第一電極220面對(duì)的第二電極240布置在基板200上。有機(jī)層230介于第一電極220與第二電極240之間，有機(jī)層230 包括空穴注入層231、輔助層232R、空穴傳輸層233、紅光發(fā)射層234R、綠光發(fā)射層234G、藍(lán)光發(fā)射層234B、電子傳輸層235和電子注入層236。在圖2所示的第二示例實(shí)施例中，第一電極220針對(duì)紅色(R)、綠色(G)和藍(lán)色(B) 子像素分立形成。盡管在圖2中未示出，但是可以在第一電極220上形成覆蓋第一電極220 的端部和側(cè)部的像素限定層?？昭ㄗ⑷雽?31和空穴傳輸層233可以通過使用開口掩膜順序堆疊于第一電極220上。在圖2所示的第二示例實(shí)施例中，輔助層232R布置在紅色(R)子像素區(qū)域中空穴注入層231與空穴傳輸層233之間。輔助層232R可以調(diào)節(jié)紅光的共振周期。輔助層232R 可以通過使用FMM形成在空穴注入層231上。在圖2所示的第二示例實(shí)施例中，發(fā)光層234形成在空穴傳輸層233上。發(fā)光層 234包括紅光發(fā)射層234R、綠光發(fā)射層234G和藍(lán)光發(fā)射層234B。紅光發(fā)射層234R可以通過使用FMM在紅色(R)子像素區(qū)域和綠色(G)子像素區(qū)域中形成在空穴傳輸層233上。綠光發(fā)射層234G可以通過使用FMM在紅色(R)子像素區(qū)域和綠色(G)子像素區(qū)域中形成在紅光發(fā)射層234R上。因此，紅光發(fā)射層234R和綠光發(fā)射層234G作為公共層形成在紅色(R)子像素區(qū)域和綠色(G)子像素區(qū)域中。紅光發(fā)射層 234R可以充當(dāng)紅色(R)子像素區(qū)域中的發(fā)光層，同時(shí)充當(dāng)輔助層，并且在綠色(G)子像素區(qū)域中傳輸空穴。在圖2所示的第二示例實(shí)施例中，藍(lán)光發(fā)射層234B在紅色(R)子像素區(qū)域和綠色 (G)子像素區(qū)域中形成在綠光發(fā)射層234G之上，并且在藍(lán)色(B)子像素區(qū)域中形成在空穴傳輸層233之上。藍(lán)光發(fā)射層234B可以通過使用開口掩膜作為公共層形成在基板200的前側(cè)上。開口掩膜具有覆蓋至少發(fā)光區(qū)域，例如覆蓋整個(gè)面板的一個(gè)開口單元，而精細(xì)金屬掩膜(FMM)具有各自對(duì)應(yīng)于各個(gè)子像素或者各自對(duì)應(yīng)于兩個(gè)以上子像素的一個(gè)以上開口單元。當(dāng)使用FMM時(shí)，可以以至少一個(gè)沉積工藝形成彩色。因此，當(dāng)制造藍(lán)光發(fā)射層234B 時(shí)，由于可以代替FMM而使用具有較大開口的開口掩膜，所以與圖1的OLED顯示器相比，使用FMM的次數(shù)可以減小到三次，從而可以進(jìn)一步簡(jiǎn)化制造工藝。藍(lán)光發(fā)射層234B可以具有在大約IOOA與大約500A之間的厚度。紅光發(fā)射層234R的厚度可以在大約500人與大約 2000A之間，并且綠光發(fā)射層234G的厚度可以在大約IOOA與大約1OOOA之間，例如在大約200人與大約1OOOA之間。
電子傳輸層235可以通過使用開口掩膜形成在發(fā)光層234上和基板200的前側(cè)上。盡管在圖2中未示出，但是可以通過使用空穴阻擋層形成材料在發(fā)光層234與電子傳輸層235之間選擇性地形成空穴阻擋層。電子注入層236可以通過使用開口掩膜形成在電子傳輸層235上和基板200的前側(cè)上。在圖2所示的第二示例實(shí)施例中，第二電極240形成在電子注入層236上。第二電極240可以形成為在R、G和B子像素上延伸并連接R、G和B子像素的公共電極。在圖2所示的第二示例實(shí)施例中，藍(lán)光發(fā)射層形成在紅色(R)、綠色(G)和藍(lán)色 (B)子像素區(qū)域中，從而使得藍(lán)光發(fā)射層可以至少對(duì)綠色(G)和藍(lán)色(B)子像素是公共的。圖3和圖4分別示出根據(jù)一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)和OLED的比較示例的電壓-電流曲線圖和電流效率-亮度曲線圖。圖3和圖4示出與圖2所示具有紅光發(fā)射層和綠光發(fā)射層形成為堆疊結(jié)構(gòu)(RG堆疊)且藍(lán)光發(fā)射層布置為藍(lán)色公共層(BCL)的結(jié)構(gòu)的第二示例實(shí)施例相對(duì)應(yīng)的數(shù)據(jù)，以及在具有RG堆疊和BCL的結(jié)構(gòu)上添加綠色輔助層(G輔助層)的比較性示例的數(shù)據(jù)。參見圖3和圖4，根據(jù)一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例制造的RG堆疊OLED可以提供需要低驅(qū)動(dòng)電壓、隨亮度升高而具有小的色彩改變并且在長時(shí)間驅(qū)動(dòng)之后不會(huì)尖銳劣化的高效、質(zhì)優(yōu)且穩(wěn)定的器件。紅光發(fā)射通過使用紅光發(fā)射層而在紅色子像素中發(fā)生，并且紅光發(fā)射層被用作綠色子像素中的G輔助層，從而與具有獨(dú)立G輔助層的比較性示例相比，在效率和電壓方面沒有很大差別。因此，可以簡(jiǎn)化制造工藝。圖5(a)_(d)示出可以應(yīng)用于根據(jù)一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例的OLED的濾色器的圖案類型。參見圖5，在一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例的OLED顯示器中，紅光發(fā)射層和綠光發(fā)射層可以被堆疊為使得紅光濾波器圖案和綠光濾波器圖案可以如圖5(a)至圖(d)那樣相鄰。在根據(jù)濾色器方法形成的一般OLED顯示器中，發(fā)射白光的效率在穿過濾色器時(shí)降低，因此需要高效率的白光發(fā)射材料，并且與使用金屬陰影掩膜的精細(xì)圖案化方法相比， 總體效率較低。進(jìn)一步地，對(duì)于涉及通過使用精細(xì)金屬陰影掩膜沉積并圖案化R、G和B發(fā)光材料的獨(dú)立發(fā)光方法，在顯示器的尺寸和分辨率增大時(shí)，由于制造精細(xì)金屬陰影掩膜中的困難，而很難增大有機(jī)發(fā)光面板。并且，為了沉積輔助層以及R、G和B發(fā)光材料，可能需要精細(xì)對(duì)準(zhǔn)設(shè)備。就這一點(diǎn)來說，當(dāng)使薄膜晶體管(TFT)基板的像素與精細(xì)金屬陰影掩膜對(duì)準(zhǔn)時(shí)，可能會(huì)對(duì)先前沉積的有機(jī)材料造成損傷，從而形成缺陷像素。并且，大的精細(xì)金屬陰影掩膜難以制造且非常昂貴，這對(duì)大的精細(xì)金屬陰影掩膜的使用造成了限制。比較而言，根據(jù)一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例的制造OLED顯示器的方法，與一般的R、G和B 獨(dú)立圖案化方法相比，可以減少使用FMM的次數(shù)，從而提供了簡(jiǎn)單的工藝，并且降低了制造成本。一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例在制造具有獨(dú)立光發(fā)射的前后表面共振結(jié)構(gòu)的有機(jī)發(fā)光二極管 (OLED)顯示器時(shí)，提供通過堆疊具有改善的壽命特性和發(fā)光效率的紅光發(fā)射層和綠光發(fā)射層，來減小使用精細(xì)金屬掩膜(FMM)的次數(shù)的方法。根據(jù)一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例的OLED顯示器可以提供需要低驅(qū)動(dòng)電壓、隨亮度升高而具有小的色彩改變并且在長時(shí)間驅(qū)動(dòng)之后不會(huì)尖銳劣化的高效、質(zhì)優(yōu)且穩(wěn)定的器件。OLED顯示器可以在減小其制造期間改變精細(xì)金屬掩膜 (FMM)的次數(shù)的同時(shí)具有改善的壽命和發(fā)光效率。盡管在示例性實(shí)施例中描述了通過使用RGB子像素形成OLED顯示器，但是本發(fā)明實(shí)施例不限于這種實(shí)施例。也就是說，OLED顯示器可以由RGB顏色或例如橙色和青色的其它顏色形成全白色。 這里已經(jīng)公開了示例實(shí)施例，并且盡管采用了特定術(shù)語，但應(yīng)以廣義和描述的意義上使用并解釋它們，而并不用于限定的目的。因此，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員會(huì)理解，可以在不超出所附權(quán)利要求記載的本發(fā)明的精神和范圍的情況下，進(jìn)行各種形式上和細(xì)節(jié)上的改變。
權(quán)利要求
1.一種有機(jī)發(fā)光器件顯示器，包括位于基板上的紅色子像素、綠色子像素和藍(lán)色子像素中的第一電極； 位于所述基板上覆蓋所述第一電極的空穴注入層； 位于所述空穴注入層上的空穴傳輸層；位于所述紅色子像素中所述空穴注入層與所述空穴傳輸層之間的輔助層； 位于所述紅色子像素和所述綠色子像素中所述空穴傳輸層上的紅光發(fā)射層和綠光發(fā)射層，所述紅光發(fā)射層位于所述綠光發(fā)射層與所述空穴傳輸層之間；以及位于所述藍(lán)色子像素中所述空穴傳輸層上的藍(lán)光發(fā)射層。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光器件顯示器，其中所述紅光發(fā)射層具有空穴傳輸能力，并且所述綠光發(fā)射層具有電子傳輸能力。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光器件顯示器，其中所述輔助層具有空穴傳輸能力。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的有機(jī)發(fā)光器件顯示器，其中所述輔助層包括與所述空穴傳輸層相同的材料。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光器件顯示器，其中所述輔助層的厚度在300人與 1500人之間。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光器件顯示器，其中所述紅光發(fā)射層的厚度在500人與2000人之間，并且所述綠光發(fā)射層的厚度在100人與1000人之間。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光器件顯示器，其中所述藍(lán)光發(fā)射層位于所述綠光發(fā)射層上，因而所述藍(lán)光發(fā)射層至少對(duì)于所述藍(lán)色子像素和所述綠色子像素是公共的。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的有機(jī)發(fā)光器件顯示器，其中所述藍(lán)光發(fā)射層的厚度在100人與500A之間。
9.一種制造有機(jī)發(fā)光器件顯示器的方法，該方法包括在基板上形成用于紅色子像素、綠色子像素和藍(lán)色子像素中每一個(gè)的第一電極； 在所述基板上形成覆蓋所述第一電極的空穴注入層； 在所述紅色子像素中所述空穴注入層上形成輔助層； 在所述空穴注入層上形成覆蓋所述輔助層的空穴傳輸層；以及在所述紅色子像素和所述綠色子像素中所述空穴傳輸層上順序形成紅光發(fā)射層和綠光發(fā)射層。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的制造有機(jī)發(fā)光器件顯示器的方法，其中所述紅光發(fā)射層具有空穴傳輸能力，并且所述綠光發(fā)射層具有電子傳輸能力。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的制造有機(jī)發(fā)光器件顯示器的方法，其中所述輔助層具有空穴傳輸能力。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的制造有機(jī)發(fā)光器件顯示器的方法，其中所述輔助層包括與所述空穴傳輸層相同的材料。
13.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其中所述輔助層的厚度在300人與1500人之間。
14.根據(jù)權(quán)利要求9所述的制造有機(jī)發(fā)光器件顯示器的方法，其中所述紅光發(fā)射層的厚度在500人與2000人之間，并且所述綠光發(fā)射層的厚度在100人與1000人之間。
15.根據(jù)權(quán)利要求9所述的制造有機(jī)發(fā)光器件顯示器的方法，進(jìn)一步包括在所述藍(lán)色子像素中所述空穴傳輸層上形成藍(lán)光發(fā)射層。
16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的制造有機(jī)發(fā)光器件顯示器的方法，其中所述藍(lán)光發(fā)射層通過使用精細(xì)金屬掩膜進(jìn)行圖案化而形成。
17.根據(jù)權(quán)利要求9所述的制造有機(jī)發(fā)光器件顯示器的方法，進(jìn)一步包括在所述綠光發(fā)射層和所述空穴傳輸層上形成藍(lán)光發(fā)射層，以便將所述藍(lán)光發(fā)射層作為公共層形成在所述基板的前表面上。
18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的制造有機(jī)發(fā)光器件顯示器的方法，其中所述藍(lán)光發(fā)射層的厚度在IOOA與500A之間。
19.根據(jù)權(quán)利要求17所述的制造有機(jī)發(fā)光器件顯示器的方法，其中所述輔助層、所述紅光發(fā)射層和所述綠光發(fā)射層通過使用精細(xì)金屬掩膜進(jìn)行圖案化而形成。
20.根據(jù)權(quán)利要求19所述的制造有機(jī)發(fā)光器件顯示器的方法，其中所述藍(lán)光發(fā)射層通過使用開口掩膜進(jìn)行圖案化而形成。
全文摘要
本發(fā)明公開有機(jī)發(fā)光器件顯示器及其制造方法。所述有機(jī)發(fā)光器件顯示器包括位于基板上的紅色子像素、綠色子像素和藍(lán)色子像素中的第一電極；位于所述基板上覆蓋所述第一電極的空穴注入層；位于所述空穴注入層上的空穴傳輸層；位于所述紅色子像素中所述空穴注入層與所述空穴傳輸層之間的輔助層；位于所述紅色子像素和所述綠色子像素中所述空穴傳輸層上的紅光發(fā)射層和綠光發(fā)射層，所述紅光發(fā)射層位于所述綠光發(fā)射層與所述空穴傳輸層之間；以及位于所述藍(lán)色子像素中所述空穴傳輸層上的藍(lán)光發(fā)射層。
文檔編號(hào)H01L51/50GK102163615SQ20111003238
公開日2011年8月24日 申請(qǐng)日期2011年1月27日 優(yōu)先權(quán)日2010年1月27日
發(fā)明者宋正培, 宋泳錄, 崔凡洛, 李相泌 申請(qǐng)人:三星移動(dòng)顯示器株式會(huì)社