專利名稱：電光裝置用基板、電光裝置以及電子設(shè)備的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及電光裝置用基板、具備該電光裝置用基板的電光裝置以及具備該電光裝置的電子設(shè)備的技術(shù)領(lǐng)域。
背景技術(shù)：
作為這種電光裝置用基板的一例，例如有下述有源矩陣基板用于有源矩陣驅(qū)動(dòng)方式的電泳顯示裝置等電光裝置，在基板上具備像素電極、用于進(jìn)行該像素電極的選擇驅(qū)動(dòng)的掃描線、數(shù)據(jù)線以及作為像素開關(guān)元件的薄膜晶體管(TFT:Thin Film Transistor) 0 以上的構(gòu)成要素，在基板上成為層疊結(jié)構(gòu)而形成。各構(gòu)成要素通過層間絕緣膜劃分為各層而配置，并且經(jīng)由形成于層間絕緣膜的接觸孔(或也稱為“通孔”)適宜電連接。此外，用于這種電光裝置的基板，從以往的缺乏柔軟性的(即硬的)玻璃基板變化為輕量且柔軟性優(yōu)異的(即柔性的)塑料基板。因此，期望具備與基板的柔軟性對應(yīng)的TFT 的電光裝置用基板。例如在專利文獻(xiàn)1中，公開了通過使用印刷法在應(yīng)該成膜的區(qū)域限定性地涂敷材料來制造有機(jī)薄膜晶體管的技術(shù)。根據(jù)這樣的技術(shù)，能夠減少用于形成接觸孔的蝕刻工序。專利文獻(xiàn)1特開2009-38337號(hào)公報(bào)但是，在上述的專利文獻(xiàn)1中，由于柵絕緣膜遍及基板整面而形成，所以會(huì)產(chǎn)生以下的問題。第1問題點(diǎn)是由于柵絕緣膜在基板整面形成，所以在使用塑料基板時(shí)基板會(huì)因膜內(nèi)的應(yīng)力而撓曲。第2問題點(diǎn)是由于柵絕緣膜遍及基板整面而存在，所以需要對柵絕緣膜進(jìn)行柵電極與外部電路的連接用或基板上的保護(hù)二極管等電路的制作用的接觸孔的開孔的工序，制造工序變得繁雜。第3問題點(diǎn)是由于遍及基板整面形成柵絕緣膜，所以違背了省資源、低成本的要求。已知若基板存在大的應(yīng)力則不僅最終產(chǎn)品的形狀會(huì)變形，而且若在工序過程中也產(chǎn)生基板的撓曲則不能夠進(jìn)行輸送，極端時(shí)基板會(huì)成為卷狀，在后續(xù)的工序中將不能夠進(jìn)行處理。進(jìn)而，還已知由于應(yīng)力與重復(fù)制膜一同變大，所以工序越往后則問題越大。這些問題在如上所述使用塑料基板時(shí)變得更加顯著。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明是例如鑒于上述的問題之中的至少1個(gè)而實(shí)現(xiàn)的，其目的在于提供能夠適應(yīng)于省資源以及低成本的要求且抑制基板的撓曲的電光裝置用基板、電光裝置以及電子設(shè)備。本發(fā)明的電光裝置用基板，為了解決上述問題，是具有排列有多個(gè)像素的顯示區(qū)域的電光裝置用基板，其具備基板；像素電極，其在前述基板上按前述每一像素而設(shè)置； 像素晶體管，其在前述基板上、比前述像素電極靠下層側(cè)按前述每一像素而設(shè)置，包含選擇性地設(shè)置于前述基板上的預(yù)定的區(qū)域的柵絕緣膜，且其與前述像素電極電連接；層間絕緣膜，其配置于前述像素電極與前述像素晶體管之間，選擇性地設(shè)置于前述基板上的預(yù)定的區(qū)域；周邊晶體管，其在前述基板上設(shè)置在位于前述顯示區(qū)域的周邊的周邊區(qū)域；以及連接線，其在不形成構(gòu)成前述像素晶體管及前述周邊晶體管的柵絕緣膜及前述層間絕緣膜的區(qū)域內(nèi)，與前述像素電極由同一膜形成，且其與前述周邊晶體管電連接。根據(jù)本發(fā)明的電光裝置用基板，例如在矩陣狀地排列有多個(gè)像素的顯示區(qū)域(適宜地，也稱為像素區(qū)域或圖像顯示區(qū)域)，通過對按每一像素設(shè)置的像素電極施加圖像信號(hào)，可以實(shí)現(xiàn)由所謂的有源矩陣方式實(shí)現(xiàn)的圖像顯示。本發(fā)明的“像素晶體管”，按每一像素設(shè)置，與像素電極電連接。像素晶體管，例如排列于矩陣狀地配置有多個(gè)像素的顯示區(qū)域，其通過作為各像素的開關(guān)元件起作用，可以進(jìn)行例如由所謂的有源矩陣方式實(shí)現(xiàn)的圖像顯示。即，通過使與像素電極電連接的像素晶體管以預(yù)定的定時(shí)導(dǎo)通或截止，來控制對于像素電極的圖像信號(hào)的施加定時(shí)。像素電極是例如由IToandium Tin Oxide 氧化銦錫)等透明導(dǎo)電材料構(gòu)成的透明電極或金屬等不透明電極。此外，像素晶體管比像素電極靠下層側(cè)形成。換言之，在像素晶體管與像素電極間存在層間絕緣膜，像素晶體管以及像素電極，經(jīng)由在層間絕緣膜開設(shè)的接觸孔相互電連接， 由此對像素電極進(jìn)行來自像素晶體管的圖像信號(hào)的導(dǎo)通截止控制并進(jìn)行供給。而且，用于將像素晶體管與像素電極電連接的接觸孔，也可以通過在除了應(yīng)該形成該接觸孔的區(qū)域之外的區(qū)域涂敷絕緣材料而形成。像素晶體管，包含選擇性地設(shè)置于基板上的預(yù)定的區(qū)域的柵絕緣膜。在此，所謂 “選擇性地設(shè)置于基板上的預(yù)定的區(qū)域”，意味著僅設(shè)置于基板上的預(yù)定的區(qū)域，換言之，意味著僅設(shè)置于基板上的區(qū)域之中的一部分區(qū)域。例如，柵絕緣膜，通過利用噴墨法等涂敷法，在基板上的適當(dāng)?shù)膮^(qū)域涂敷絕緣材料而形成。這樣選擇性地設(shè)置的柵絕緣膜，與通過在遍及基板整面層疊絕緣材料之后進(jìn)行圖案形成而形成的情況比較，在其形成過程中不會(huì)產(chǎn)生浪費(fèi)的材料。因此，能夠適應(yīng)于省資源以及低成本的要求。此外，由于不在基板整面進(jìn)行柵絕緣膜的制膜，所以能夠抑制基板的應(yīng)力。本發(fā)明的“層間絕緣膜”，配置于像素電極與像素晶體管之間，選擇性地設(shè)置于基板上的預(yù)定的區(qū)域。該層間絕緣膜也與上述的柵絕緣膜同樣，選擇性地設(shè)置。因此，關(guān)于層間絕緣膜，也能夠適應(yīng)于省資源以及低成本的要求，并且能夠抑制基板的應(yīng)力。本發(fā)明的“周邊晶體管”，在周邊區(qū)域形成。在此，所謂周邊區(qū)域，是位于基板上的顯示區(qū)域的周邊的區(qū)域。周邊晶體管例如作為用于構(gòu)成驅(qū)動(dòng)電路的電路元件而使用，該驅(qū)動(dòng)電路是進(jìn)行驅(qū)動(dòng)頻率高的驅(qū)動(dòng)方式下的比較高速的開關(guān)工作和/或進(jìn)而電流放大工作或電流控制工作、整流工作、電壓保持工作等的驅(qū)動(dòng)電路(即X驅(qū)動(dòng)電路和/或Y驅(qū)動(dòng)電路)。而且，作為周邊晶體管的用途，只要與該電光裝置的電光工作有關(guān)，就不進(jìn)行任何限定。而且，像素晶體管以及周邊晶體管，既可以是柵電極在基板上的層疊結(jié)構(gòu)中比半導(dǎo)體層靠上層側(cè)配置的頂柵型，也可以是柵電極在基板上的層疊結(jié)構(gòu)中比半導(dǎo)體層靠下層側(cè)配置的底柵型，進(jìn)而也可以是柵電極配置于半導(dǎo)體層的上層側(cè)以及下層側(cè)雙方的雙柵型。本發(fā)明的“連接線”，在不形成構(gòu)成像素晶體管以及周邊晶體管的柵絕緣膜以及層間絕緣膜的區(qū)域內(nèi)形成。連接線，是用于將周邊晶體管電連接于其他的導(dǎo)電層、例如在基板上形成的用于實(shí)現(xiàn)電光工作的各種布線和/或元件等的布線，其例如由鋁等導(dǎo)電性材料形成。由于形成連接線的區(qū)域不形成柵絕緣膜以及層間絕緣膜，所以成為作為連接線的連接對象的各種布線和/或元件等部分地露出的狀態(tài)。連接線，通過形成于這樣部分地露出的連接對象上，來與連接對象進(jìn)行電連接。即，連接線通過不經(jīng)由接觸孔，而以與連接對象直接(即，在與連接對象之間不隔著其他的層疊結(jié)構(gòu))接觸的方式形成，來實(shí)現(xiàn)電連接。這樣的連接，與經(jīng)由接觸孔電連接的情況相比，由于不需要對柵絕緣膜和/或?qū)娱g絕緣膜通過蝕刻等進(jìn)行開孔的工序，所以能夠以更少的工序數(shù)實(shí)現(xiàn)電連接。此外，在本發(fā)明中，在將連接線電連接于連接對象時(shí)，由于不需要如形成接觸孔的情況那樣遍及基板整面形成絕緣膜，所以也可以有效地抑制完成的電光裝置用基板的撓曲(即結(jié)構(gòu)的變形)。本發(fā)明的“連接線”，與像素電極由同一膜形成。在此，所謂“同一膜”，意味著通過同一成膜工序形成的膜，而不是僅意味著像素電極與連接線完全是同一膜。像素電極與連接線可以不相互電連接，也可以其厚度等各種條件相不同。連接線與像素電極，既可以通過對同一導(dǎo)電膜同時(shí)進(jìn)行圖案形成而形成，也可以用涂敷法同時(shí)形成。在涂敷法的情況下，連接線在要形成的區(qū)域選擇性地形成。特別地，由于像素電極成為TFT制造工序的基本最終工序，所以其在應(yīng)力累積的狀態(tài)下形成。因此，優(yōu)選用不在整面進(jìn)行材料的制膜的涂敷法形成。通過與電連接于像素晶體管的像素電極由同一膜形成連接線，能夠在同一工序中形成像素電極和連接線。因此，能夠削減工序數(shù)，能夠削減制造成本。如以上說明的那樣，根據(jù)本發(fā)明，能夠?qū)崿F(xiàn)可以適應(yīng)于省資源以及低成本的要求且抑制基板的撓曲的電光裝置用基板。在本發(fā)明的電光裝置用基板的一種方式中，前述柵絕緣膜及前述層間絕緣膜，通過在應(yīng)該形成前述柵絕緣膜及前述層間絕緣膜的區(qū)域選擇性地涂敷絕緣材料而形成。根據(jù)該方式，通過利用例如噴墨法等涂敷法，在基板上的適當(dāng)?shù)膮^(qū)域涂敷絕緣材料而形成柵絕緣膜以及層間絕緣膜。在此，所謂“選擇性地涂敷”，意味著僅設(shè)置于基板上的預(yù)定的區(qū)域，換言之，意味著僅設(shè)置于基板上的區(qū)域之中的一部分區(qū)域。這樣，由于不是在基板整面形成一個(gè)膜之后進(jìn)行圖案形成而形成柵絕緣膜及前述層間絕緣膜，而是通過選擇性地涂敷材料而形成柵絕緣膜及前述層間絕緣膜，所以在其形成過程中不會(huì)產(chǎn)生浪費(fèi)的材料。也就是說，可以實(shí)現(xiàn)更加適應(yīng)于省資源以及低成本的要求的電光裝置用基板。進(jìn)而，由于不使用蝕刻工序所以也可以削減工序。此外，由于不在基板整面進(jìn)行絕緣材料的制膜地可以形成柵絕緣膜及前述層間絕緣膜，所以能夠抑制基板的應(yīng)力。特別地，由于層間絕緣膜存在膜厚變厚的傾向，所以能夠通過選擇性地涂敷來形成層間絕緣膜，由此有效地減小應(yīng)力。在本發(fā)明的電光裝置用基板的其他方式中，前述像素電極和前述連接線，通過在應(yīng)該形成前述像素電極及前述連接線的區(qū)域選擇性地涂敷導(dǎo)電材料而形成。根據(jù)該方式，與上述的柵絕緣膜以及層間絕緣膜同樣，關(guān)于作為導(dǎo)電層而形成的像素電極和連接線，也能夠通過選擇性地涂敷材料來形成，由此實(shí)現(xiàn)可以適應(yīng)于省資源以及低成本的要求且抑制基板的撓曲的電光裝置用基板。在本發(fā)明的電光裝置用基板的其他方式中，前述連接線，以將前述周邊晶體管連接為二極管的方式形成。在該方式中，例如通過以將周邊晶體管的源與柵之間電連接的方式形成連接線，能夠使用周邊晶體管在周邊區(qū)域形成二極管電路。在本發(fā)明的電光裝置用基板的其他方式中，前述周邊晶體管，設(shè)置有多個(gè)；該多個(gè)周邊晶體管，通過前述連接線相互連接，由此構(gòu)成倒相器電路。根據(jù)該方式，能夠例如使用多個(gè)周邊晶體管而形成例如靜電保護(hù)電路等周邊電路。本發(fā)明的電光裝置，為了解決上述問題，具備上述的本發(fā)明的電光裝置用基板 (也包含其各種方式)。根據(jù)本發(fā)明的電光裝置，由于具備上述的本發(fā)明的電光裝置用基板，所以能夠?qū)崿F(xiàn)例如可以進(jìn)行高品質(zhì)的顯示的例如電泳顯示裝置、液晶顯示裝置、有機(jī) EL(Electro-Luminescence,電致發(fā)光)顯示裝置等各種顯示裝置。本發(fā)明的電子設(shè)備，為了解決上述問題，具備上述的本發(fā)明的電光裝置(包含其各種方式)。本發(fā)明的電子設(shè)備，由于具備上述的本發(fā)明的電光裝置，所以可以實(shí)現(xiàn)例如可進(jìn)行高品質(zhì)的圖像顯示的例如電子紙等電泳裝置、場致發(fā)射裝置(場發(fā)射顯示器以及傳導(dǎo)電子發(fā)射顯示器)、作為使用了這些電泳裝置、場致發(fā)射裝置的裝置的DLP (Digital Light Processing，數(shù)字變亮處理)等。此外，作為本發(fā)明的電子設(shè)備，還能夠?qū)崿F(xiàn)投影型顯示裝置、電視機(jī)、便攜電話機(jī)、電子記事簿、文字處理機(jī)、取景器型或監(jiān)控器直視型的錄像機(jī)、工作站、電視電話、POS終端、觸摸面板、在人工皮膚的表面形成的傳感器等各種電子設(shè)備。本發(fā)明的作用以及其他的優(yōu)點(diǎn)可從接著說明的具體實(shí)施方式
中得以明確。


圖1是表示第1實(shí)施方式的電泳顯示面板的整體結(jié)構(gòu)的框圖。圖2是圖1的H-H，剖面圖。圖3是表示第1實(shí)施方式的電泳顯示面板所具備的靜電保護(hù)用電路的電結(jié)構(gòu)的框圖。圖4是表示第1實(shí)施方式的電泳顯示面板所具備的靜電保護(hù)用電路的電結(jié)構(gòu)的其他例子的框圖。圖5是第1實(shí)施方式的電泳顯示面板的圖像顯示區(qū)域的像素的放大俯視圖。圖6是圖5的A-A，線剖面圖。圖7是第1實(shí)施方式的電泳顯示面板的靜電保護(hù)用電路的放大俯視圖。圖8是圖7的B-B，線剖面圖。圖9是第1實(shí)施方式的電泳顯示面板的第1晶體管具有頂柵結(jié)構(gòu)的情況的剖面圖。圖10是表示第2實(shí)施方式的電泳顯示面板的設(shè)置于周邊區(qū)域的倒相器電路的電結(jié)構(gòu)的電路圖。圖11是表示第2實(shí)施方式的電泳顯示面板的倒相器電路的放大俯視圖。圖12是表示制造第1實(shí)施方式的電泳顯示面板的一系列制造工序的工序剖面圖。圖13是表示應(yīng)用了本發(fā)明的電泳顯示面板的電子紙的結(jié)構(gòu)的立體圖。圖14是表示應(yīng)用了本發(fā)明的電泳顯示面板的電子記事簿的結(jié)構(gòu)的立體圖。
符號(hào)說明6...數(shù)據(jù)線，9...像素電極，10...元件基板，IOa...圖像顯示區(qū)域，11...掃描線，20...對置基板，21...對置電極，30. ..TFT，14、114...層間絕緣膜，50...電泳元件， 101...數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)電路，102...外部電路連接端子，104...掃描線驅(qū)動(dòng)電路，130...第1 晶體管，140...第2晶體管，132、133、1；35、136...連接線。
具體實(shí)施例方式以下，關(guān)于本發(fā)明的實(shí)施方式參照附圖進(jìn)行說明。在以下的實(shí)施方式中，以作為本發(fā)明的電光裝置的一例的TFT有源矩陣驅(qū)動(dòng)方式的電泳顯示面板為例，該電泳顯示面板具備作為本發(fā)明的電光裝置用基板的一例的有源矩陣基板。<電泳顯示面板>〈第1實(shí)施方式〉首先，關(guān)于本實(shí)施方式的電泳顯示面板的整體結(jié)構(gòu)，參照圖1及圖2進(jìn)行說明。圖1是表示本實(shí)施方式的電泳顯示面板的整體結(jié)構(gòu)的框圖。在以下，只要沒有特別說明，TFT便是η溝道型。在圖1中，本實(shí)施方式的電泳顯示面板1具有m行Xn列的像素60排列為矩陣狀(二維平面)的圖像顯示區(qū)域10a。在圖像顯示區(qū)域10a，m條掃描線11 (即掃描線Y1、
Y2.....Ym)與η條數(shù)據(jù)線6(即數(shù)據(jù)線X1、X2.....Xn)以相互交差的方式設(shè)置。m條掃描
線11在行方向(即X方向)延伸，η條數(shù)據(jù)線6在列方向(即Y方向)延伸。像素60以對應(yīng)于m條掃描線11與η條數(shù)據(jù)線6的交差處的方式配置。電泳顯示面板1具備用于提供為了驅(qū)動(dòng)這些像素60而所需的掃描信號(hào)以及圖像信號(hào)的掃描線驅(qū)動(dòng)電路104以及數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)電路101。掃描線驅(qū)動(dòng)電路104脈沖式地依次對掃描線Y1、Y2.....Ym的各個(gè)供給掃描信號(hào)。
另一方面，數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)電路101，以與來自掃描線驅(qū)動(dòng)電路104的掃描信號(hào)的供給定時(shí)同步
的方式，對數(shù)據(jù)線XI、Χ2.....&!提供圖像信號(hào)。圖像信號(hào)，取高電位電平(以下稱為“高
電平”，例如15V)或者低電位電平(以下稱為“低電平”，例如-15V)這2值的電平。作為其他電壓的例子，掃描線11也可以施加25V而作為選擇電壓，施加-IOV作為非選擇電壓，向?qū)χ秒姌O21施加OV。而且，在本實(shí)施方式中，采用了將掃描線驅(qū)動(dòng)電路104以及數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)電路101內(nèi)置于電泳顯示面板1的方式，但是也可以將其作為貼附于C0F(Chip on Film，覆晶薄膜)等的外裝的IC，而設(shè)置在外部。掃描線11以及數(shù)據(jù)線6，在位于圖像顯示區(qū)域IOa的周圍的周邊區(qū)域與靜電保護(hù)用電路80電連接。靜電保護(hù)用電路80防止高電壓脈沖(所謂的ESD浪涌)輸入至電路。 具體地，靜電保護(hù)用電路80，例如使對電路內(nèi)部輸入的ESD浪涌流向高電位電源線91以及低電位電源線92。因此，ESD浪涌不會(huì)流至電路內(nèi)部。而且，關(guān)于靜電保護(hù)用電路80的具體的結(jié)構(gòu)，后面進(jìn)行詳述。未圖示的電源電路，對高電位電源線91供給高電位電源電位Vdd，對低電位電源線92供給低電位電源電位Vss。圖2是本實(shí)施方式的電泳顯示面板1的圖像顯示區(qū)域IOa的一個(gè)像素60的電路圖。在圖2中，像素60，通過在像素電極9以及對置電極21之間夾持電泳元件50，構(gòu)成為可以進(jìn)行灰度等級(jí)顯示，該像素電極9以及對置電極21分別形成于以相互相對的方式配置的一對基板(即后述的元件基板以及對置基板)的表面。在此，電泳元件50包括多個(gè)微囊，該多個(gè)微囊分別包含電泳微粒而形成。微囊，例如通過在被膜的內(nèi)部封入分散劑、多個(gè)白色微粒、多個(gè)黑色微粒而構(gòu)成。被膜作為微囊的外殼發(fā)揮作用，由聚甲基丙烯酸甲酯、聚甲基丙烯酸乙酯等丙烯酸樹脂、尿素樹脂、阿拉伯膠等具有透光性的高分子樹脂形成。分散劑是使白色微粒以及黑色微粒分散在微囊內(nèi)(換句話說，被膜內(nèi))的媒介，其可以單獨(dú)或者混合使用以下物質(zhì)水；甲醇、乙醇、異丙醇、丁醇、 辛醇、甲基溶纖劑等醇類溶劑；醋酸乙酯、醋酸丁酯等各種酯類；丙酮、甲乙酮、甲基異丁基酮等酮類；戊烷、己烷、辛烷等脂肪族烴；環(huán)己胺、甲基環(huán)己胺等脂環(huán)式烴；苯、甲苯和/或二甲苯、己基苯、庚基苯、辛基苯、壬基苯、癸基苯、十一烷基苯、十二烷基苯、十三烷基苯、十四烷基苯等具有長鏈烷基的苯類等芳香族烴；二氯甲烷、三氯甲烷、四氯化碳、1，2 二氯乙烷等鹵代烴；羥酸鹽；其他的油類等。此外，在分散劑中，也可以混合表面活性劑。白色微粒是包含例如二氧化鈦、鋅華(氧化鋅)、三氧化銻等白色顏料的微粒(高分子或者膠體)，其例如帶負(fù)電。黑色微粒是包含例如苯胺黑、炭黑等黑色顏料的微粒(高分子或者膠體)，其例如帶正電。因此，白色微粒以及黑色微粒，靠因像素電極9與對置電極21之間的電位差產(chǎn)生的電場的作用，能夠在分散劑中移動(dòng)。而且，在這些顏料中，根據(jù)需要，能夠添加包含電解質(zhì)、表面活性劑、金屬皂、樹脂、 橡膠、油、清漆、化合物等的微粒的電荷控制劑、鈦類偶聯(lián)劑、鋁類偶聯(lián)劑、硅烷類偶聯(lián)劑等分散劑、潤滑劑、穩(wěn)定劑等。各個(gè)像素60具備像素開關(guān)用的TFT30和保持電容70。TFT30，其柵電連接于掃描線11，其源電連接于數(shù)據(jù)線6，其漏電連接于像素電極 9。TFT30在與從掃描線驅(qū)動(dòng)電路104(參照圖1)經(jīng)由掃描線11脈沖式地提供的掃描信號(hào)相應(yīng)的定時(shí)，對像素電極9輸出從數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)電路101(參照圖1)經(jīng)由數(shù)據(jù)線6提供的圖
像信號(hào)。保持電容70通過在一對電極之間夾持電容絕緣膜而構(gòu)成。在此，一對電極之中的一個(gè)電極(具體地，后述的中繼層8)與TFT30的漏以及像素電極9電連接，另一個(gè)電極(具體地，后述的電容電極71)與保持為預(yù)定的電位的共用電位線300電連接。在此，共用電位線300的電位既可以是固定值，也可以以固定或不定的周期變化，其從未圖示的電源電路被供給電壓。這樣，通過相對于像素60并列地設(shè)置保持電容70，能夠使像素電極9的對于圖像信號(hào)的保持特性提高。而且，在即使沒有保持電容70也可以充分確保像素的保持特性的情況下，也可以不設(shè)置保持電容70。接著，關(guān)于在周邊區(qū)域形成的靜電保護(hù)用電路80的具體的結(jié)構(gòu)，參照圖3進(jìn)行說明。圖3是表示本實(shí)施方式的電泳顯示面板1所具備的靜電保護(hù)用電路80的電結(jié)構(gòu)的框圖。靜電保護(hù)用電路80具備連接為二極管的第1晶體管130以及第2晶體管140而構(gòu)成。第1晶體管130的源，電連接于數(shù)據(jù)線6，第1晶體管130的柵以及漏相互地電短路。第1晶體管130的柵以及漏通過電連接于低電位電源線92而保持為電位VSS，源電連接于源線6。另一方面，第2晶體管140的源，電連接于高電位電源線91、保持為電位Vdd， 第2晶體管140的柵以及漏相互地電短路，并且電連接于源線6。這樣，通過使連接為二極管的第1晶體管130以及第2晶體管140在相反方向偏置，能夠在不產(chǎn)生靜電時(shí)抑制泄漏電流。并且，在通過靜電放電(ESD)而產(chǎn)生的ESD浪涌施加于數(shù)據(jù)線6、其電位超過了 2條電源線91、92的情況下，能夠經(jīng)由第1晶體管130以及第2晶體管140使ESD浪涌迅速地釋放至2條電源線91、92。因此，靜電保護(hù)用電路80能夠防止由于ESD浪涌施加于數(shù)據(jù)線 6而使內(nèi)部電路(例如圖像顯示區(qū)域IOa的TFT等電路元件和/或周邊區(qū)域的數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)電路101)被靜電破壞的情況。而且，電連接于掃描線40的靜電保護(hù)用電路80，也與上述的電連接于數(shù)據(jù)線6的靜電保護(hù)用電路80同樣，能夠防止由于ESD浪涌施加于掃描線40而使內(nèi)部電路(例如圖像顯示區(qū)域IOa的TFT等電路元件和/或周邊區(qū)域的掃描線驅(qū)動(dòng)電路 104)被靜電破壞的情況。而且，靜電保護(hù)用電路80，也可以具有圖4所示的電路結(jié)構(gòu)。圖4是表示本實(shí)施方式的電泳顯示面板1所具備的靜電保護(hù)用電路80的電結(jié)構(gòu)的其他例子的框圖。圖4的靜電保護(hù)用電路80具有2個(gè)連接端子，一個(gè)連接端子連接于數(shù)據(jù)線6或掃描線11，另一個(gè)連接端子連接于共用線(未圖示)。例如在圖1、3的結(jié)構(gòu)中將高電位電源線91作為共用線， 代替二極管140而使用圖4的電路。此時(shí)，也可以不使用低電位電源線92。對共用線施加共用電位，例如0V。接著，關(guān)于本實(shí)施方式的電泳顯示面板1的圖像顯示區(qū)域IOa的具體的結(jié)構(gòu)，參照圖5以及圖6進(jìn)行說明。圖5是本實(shí)施方式的電泳顯示面板1的圖像顯示區(qū)域IOa的像素60的放大俯視圖。圖6是圖5的A-A’線剖面圖。而且，在圖5以及圖6中，為了使各層、各部件在附圖上成為可以識(shí)別的程度的大小，按各層、各部件使比例尺不同。在元件基板10上形成有TFT30。TFT30按每一像素部60 (參照圖1)而配置。TFT30 包括半導(dǎo)體層30a、柵電極30b以及柵絕緣膜30c。而且，本實(shí)施方式中的TFT30，是從下層側(cè)開始順序?qū)盈B柵電極30b、柵絕緣膜30c以及半導(dǎo)體層30a而成的所謂底柵型的TFT。而且，TFT30是本發(fā)明的“像素晶體管”的一例。柵電極30b以隔著柵絕緣膜30c與半導(dǎo)體層30a相對的方式形成。如圖5所示， 柵電極30b作為在元件基板10上形成的掃描線11的一部分而形成。在本實(shí)施方式中，在主要沿著X方向形成的掃描線11之中、在元件基板10上方俯視地觀察的情況下與半導(dǎo)體層30a重疊的一個(gè)區(qū)域，以在Y方向部分地突出的方式形成的掃描線11的部分作為柵電極 30b而起作用。在柵電極30b的上層側(cè)，設(shè)置柵絕緣膜30c。柵絕緣膜30c僅選擇性地設(shè)置于TFT30的形成區(qū)域以及其周圍的一定范圍內(nèi)的區(qū)域。在元件基板10上方俯視地觀察，半導(dǎo)體層30a之中與柵電極30b重疊的區(qū)域作為溝道區(qū)域起作用。另一方面，除了作為溝道區(qū)域起作用的區(qū)域之外的區(qū)域，作為源區(qū)域以及漏區(qū)域起作用，分別電連接于數(shù)據(jù)線6以及中繼層8。此外，在元件基板10上，形成有掃描線11。在掃描線11與數(shù)據(jù)線6的交點(diǎn)處，在掃描線11的上層側(cè)，選擇性地形成有柵絕緣膜30c，在柵絕緣膜30c的上層側(cè)形成有數(shù)據(jù)線 6。S卩，柵絕緣膜30c在元件基板10上，兼具使數(shù)據(jù)線6以及掃描線11之間電絕緣的功能。
中繼層8，其一端連接于半導(dǎo)體層30a，另一端經(jīng)由在層疊于中繼層8的上層側(cè)的層間絕緣膜14中設(shè)置的接觸孔40電連接于像素電極9。也就是說，中繼層8將半導(dǎo)體層 30a與像素電極9之間電中繼連接。層疊結(jié)構(gòu)被形成為在對柵電極30b供給掃描信號(hào)的定時(shí)(即TFT30被設(shè)定為導(dǎo)通狀態(tài)的定時(shí))，通過從半導(dǎo)體層30a輸出圖像信號(hào)，經(jīng)由中繼層8對像素電極9施加圖像信號(hào)。而且，像素電極9是本發(fā)明的“像素電極”的一例。在形成接觸孔40的區(qū)域，均不形成柵絕緣膜30c、層間絕緣膜14。此外，中繼層8與隔著電容絕緣膜72而形成于下層側(cè)的電容電極71 一起形成保持電容70。電容電極71基于從未圖示的電源電路供給的電位，保持為預(yù)定的電位。由此， 能夠使TFT30的保持特性有效地提高。接著，關(guān)于本實(shí)施方式的電泳顯示面板1的周邊區(qū)域的靜電保護(hù)用電路80的具體結(jié)構(gòu)，參照圖7以及圖8進(jìn)行說明。圖7是本實(shí)施方式的電泳顯示面板1的靜電保護(hù)用電路80的放大俯視圖。圖8是圖7的B-B’線剖面圖。而且，在圖7以及圖8中，為了使各層、 各部件在附圖上成為可以識(shí)別的程度的大小，按各層、各部件使比例尺不同。第1晶體管130通過使柵電極130b以隔著柵絕緣膜130c與半導(dǎo)體層130a相對的方式配置而構(gòu)成。第1晶體管130的源電連接于第1連接線131。第1連接線131進(jìn)一步以第2連接線132為中繼，電連接于低電位電源線92。另一方面，第1晶體管130的柵以及漏共同電連接于數(shù)據(jù)線6。特別地，柵經(jīng)由第3連接線133電連接于數(shù)據(jù)線6。第2以及第3連接線是本發(fā)明的“連接線”的一例。第2晶體管140通過使柵電極140b以隔著柵絕緣膜140c與半導(dǎo)體層140a相對的方式配置而構(gòu)成。第2晶體管140的源電連接于第4連接線141。第4連接線141進(jìn)一步以第5連接線142為中繼，電連接于高電位電源線91。另一方面，第2晶體管140的柵以及漏共同電連接于數(shù)據(jù)線6。特別地，柵經(jīng)由第6連接線143電連接于數(shù)據(jù)線6。第5以及第6連接線是本發(fā)明的“連接線”的一例。如圖8所示，第1晶體管130在元件基板10上隔著基底膜12而形成。第1晶體管130通過從下層側(cè)開始順序設(shè)置柵線130b、柵絕緣膜130c以及半導(dǎo)體層130a而構(gòu)成，具有所謂的底柵型的結(jié)構(gòu)。在第1晶體管130的源電連接著第1連接線131，在第1晶體管 130的漏電連接著數(shù)據(jù)線6。在第1晶體管130上形成有層間絕緣膜114。層間絕緣膜114，以下述方式形成 當(dāng)在元件基板10上方俯視地觀察的情況下，第1連接線131以及數(shù)據(jù)線6的各自的端部與層間絕緣膜114重疊。即，層間絕緣膜114以下述方式形成當(dāng)在元件基板10上從上方俯視地觀察的情況下，第1連接線131以及數(shù)據(jù)線6的各自的端部從層間絕緣膜114部分地露出。具體地，如圖7所示，層間絕緣膜114，僅在虛線114'包圍的區(qū)域形成。因此，第2 連接線132以及第3連接線133在從層間絕緣膜114露出的部分(即第1連接線131以及數(shù)據(jù)線6的端部)上形成。其結(jié)果，為了使第2連接線132與第1連接線131直接接觸，不經(jīng)由接觸孔便實(shí)現(xiàn)了第1連接線131與第2連接線132間的電連接。此外，為了使第3連接線133與數(shù)據(jù)線6直接接觸，不經(jīng)由接觸孔便實(shí)現(xiàn)了第3連接線133與數(shù)據(jù)線6間的電連接。而且，雖然在此主要關(guān)于第1晶體管130的附近的剖面結(jié)構(gòu)進(jìn)行了說明，但是由于第2晶體管140的附近的剖面結(jié)構(gòu)也是同樣的，所以在此省略圖示以及說明。
而且，雖然在本實(shí)施方式中關(guān)于在周邊區(qū)域形成的第1晶體管130具有底柵結(jié)構(gòu)的情況進(jìn)行了說明，但是也可以如圖9所示具有頂柵結(jié)構(gòu)。圖9是本實(shí)施方式的電泳顯示面板1的第1晶體管130具有頂柵結(jié)構(gòu)的情況的剖面圖。在此情況下，由于俯視結(jié)構(gòu)與上述同樣，所以省略詳細(xì)的說明。而且，雖然上述使用了連接線這樣的表述，但與像素電極同時(shí)形成的連接線是第 2、第3、第5、第6連接線132、133、142、143。其他的第1、第4連接線131、141與源線6同時(shí)形成。<第2實(shí)施方式>接著，參照圖10以及圖11關(guān)于第2實(shí)施方式的電泳顯示面板進(jìn)行說明。在上述的第一實(shí)施方式中，例示了在周邊區(qū)域具備靜電保護(hù)用電路80、該靜電保護(hù)用電路80具有連接為二極管的晶體管的情況，但是在本實(shí)施方式中，在周邊區(qū)域具有倒相器電路這一點(diǎn)不同。而且，由于關(guān)于圖像顯示區(qū)域IOa的結(jié)構(gòu)等其他的要素與第1實(shí)施方式相同，所以在此省略詳細(xì)的說明。首先，參照圖10，關(guān)于本實(shí)施方式的電泳顯示面板的設(shè)置于周邊區(qū)域的倒相器電路210的電結(jié)構(gòu)進(jìn)行說明。圖10是表示實(shí)施方式的電泳顯示面板的設(shè)置于周邊區(qū)域的倒相器電路210的電結(jié)構(gòu)的電路圖。而且，雖然在圖10中圖示了多個(gè)同樣的倒相器電路連接起來的形態(tài)，但是以下僅關(guān)于一個(gè)倒相器電路210代表性地進(jìn)行說明，關(guān)于其他的倒相器電路省略說明。圖10中由虛線包圍的電路，是一個(gè)倒相器電路210。倒相器電路210包括第1晶體管230以及第2晶體管對0。第1晶體管230是N溝道型晶體管，第2晶體管240是P溝道型晶體管。第1晶體管230的源電連接于低電位電源線92。另一方面，第2晶體管240的源電連接于高電位電源線91。第1晶體管230的柵以及漏，與第2晶體管240的柵以及漏電短路，并且電連接于輸出線16。接著，關(guān)于本實(shí)施方式的電泳顯示面板的倒相器電路210的具體的結(jié)構(gòu)，參照圖 11進(jìn)行說明。圖11是本實(shí)施方式的電泳顯示面板的倒相器電路210的放大俯視圖。而且， 在圖11中，為了使各層、各部件在附圖上成為可以識(shí)別的程度的大小，按各層、各部件使比例尺不同。第1晶體管230通過使柵電極130b以隔著柵絕緣膜230c與半導(dǎo)體層230a相對的方式配置而構(gòu)成。第2晶體管240通過使柵電極MOb以隔著柵絕緣膜MOc與半導(dǎo)體層 240a相對的方式配置而構(gòu)成。第1晶體管230的源電連接于第1連接線231。第1連接線231進(jìn)一步以第2連接線232為中繼，電連接于低電位電源線92。第1晶體管230的漏經(jīng)由第3連接線233與第2晶體管MO的漏電短路。第1晶體管230的柵經(jīng)由第4連接線234與第2晶體管240 的柵電短路，并且電連接于輸出線16。第2晶體管MO的源電連接于第5連接線235。第 5連接線235進(jìn)一步以第6連接線236為中繼，電連接于高電位電源線91。而且，第2連接線、第4連接線以及第6連接線是本發(fā)明的“連接線”的一例。其他連接線與源線6同時(shí)形成。第2連接線232、第4連接線234以及第6連接線236，在元件基板10上俯視地觀察，配置于未形成層間絕緣膜214的區(qū)域(圖11中由一點(diǎn)劃線包圍的區(qū)域214' )。S卩，層間絕緣膜214，通過在除了由一點(diǎn)劃線214'包圍的區(qū)域之外的區(qū)域廣泛地涂敷而形成。因此，在形成第2連接線232、第4連接線234以及第6連接線236的區(qū)域，形成為由于連接對象從層間絕緣膜214露出，所以將第2連接線232、第4連接線234以及第6連接線236 電連接于連接對象。即，為了使第2連接線232、第4連接線234以及第6連接線236與連接對象直接接觸，不經(jīng)由接觸孔便實(shí)現(xiàn)了電連接。<制造方法>接著，關(guān)于第1實(shí)施方式的電泳顯示面板1的制造方法，參照圖12進(jìn)行說明。圖12是表示制造本實(shí)施方式的電泳顯示面板1的一系列制造工序的工序剖面圖。 而且，在圖12中，為了容易理解地表示圖像顯示區(qū)域IOa的剖面(參照圖6)與周邊區(qū)域的剖面圖(參照圖8)的對應(yīng)關(guān)系，使相互的比例尺一致而進(jìn)行表示。首先，如圖12(a)所示，準(zhǔn)備例如以厚度0.5mm的PET(聚對苯二甲酸乙二醇酯) 基板為基體的元件基板10。接著，用噴墨法形成由厚度500nm的銀膏構(gòu)成的柵電極130b、 30b以及電容電極71。接著，用噴墨法形成由厚度500nm的聚酰亞胺構(gòu)成的柵絕緣膜130c、 30c。進(jìn)而，用噴墨法形成由厚度250nm的丙烯酸樹脂構(gòu)成的電容絕緣膜72。此后，用噴墨法形成由厚度50nm的并五苯構(gòu)成的半導(dǎo)體層130a、30a。柵絕緣膜130c、30c和電容絕緣膜 72僅選擇性地形成于需要的區(qū)域。在圖像顯示區(qū)域IOa的保持電容70中，在電容電極71 上形成電容絕緣膜72。在圖像區(qū)域IOa和周邊區(qū)域的TFT中，形成柵電極、柵絕緣膜、半導(dǎo)體層的層疊。接著，如圖12(b)所示，用噴墨法形成由厚度300nm的銀膏構(gòu)成的數(shù)據(jù)線6、中繼層 8、第1連接線131。在圖像顯示區(qū)域10a，以與半導(dǎo)體層30a的源以及漏電連接的方式形成數(shù)據(jù)線6以及中繼層8。在此，中繼層8以通過覆蓋電容絕緣膜72而形成存儲(chǔ)電容70的方式形成。另一方面，在周邊區(qū)域，以與半導(dǎo)體層130a的源以及漏電連接的方式分別形成第 2連接線132以及數(shù)據(jù)線6。在本實(shí)施方式中，特別地，數(shù)據(jù)線6、中繼層8以及第1連接線 131可以由同一膜形成。在該情況下，由于在同一工序中能夠同時(shí)形成該各種布線，所以能夠?qū)崿F(xiàn)制造工序的削減以及低成本化。接著，如圖12(c)所示，用絲網(wǎng)印刷法形成由厚度700nm的丙烯酸樹脂構(gòu)成的層間絕緣膜114。該層不在基板整面形成，而選擇性地形成于需要的區(qū)域。層間絕緣膜114在圖像顯示區(qū)域10a、在不形成接觸孔40的區(qū)域形成。另一方面，在周邊區(qū)域，在第1晶體管130上形成層間絕緣膜114。在此，層間絕緣膜114，以當(dāng)在元件基板10上方俯視地觀察的情況下，第1連接線131以及數(shù)據(jù)線6的各自的端部與層間絕緣膜114不重疊的方式形成。即，以第1連接線131以及數(shù)據(jù)線6的各自的端部從層間絕緣膜114部分地露出的方式形成層間絕緣膜114。接著，如圖12(d)所示，用噴墨法形成由厚度IOOnm的銅膏構(gòu)成的像素電極9、第2 連接線132、第3連接線133。像素電極9，在圖像顯示區(qū)域10a，以埋入于在層間絕緣膜114開設(shè)的接觸孔40的方式形成，由此與在接觸孔40的底部部分地露出的中繼層8電連接。另一方面，在周邊區(qū)域，以與部分地從層間絕緣膜114露出的第1連接線131以及數(shù)據(jù)線6的端部直接接觸的方式，形成第2連接線132以及第3連接線133。這樣，第2連接線132以及第3連接線133，成膜于從層間絕緣膜114看這樣處于露出的狀態(tài)的連接對象、即第1連接線131以及數(shù)據(jù)線6上，由此能夠?qū)崿F(xiàn)電連接。在本實(shí)施方式中，特別地，圖像顯示區(qū)域IOa的像素電極9與周邊區(qū)域的第2連接線132以及第3連接線133由同一膜形成。在該情況下，由于能夠在同一工序中同時(shí)形成像素電極9、第2連接線132以及第3連接線133，所以能夠?qū)崿F(xiàn)制造工序的削減以及低成本化。雖然未圖示，但是對于連接掃描線11與數(shù)據(jù)線6和/或與它們在同層形成的外部電路的安裝端子，也不設(shè)置柵絕緣膜和/或?qū)娱g絕緣膜。此外，這里在像素電極形成工序中，也可以形成與像素電極相同的材料，用作為進(jìn)行安裝連接的材料。能夠在另一由厚度0. 5mm的PET基板構(gòu)成的基板上，粘接在由厚度50nm的ITO構(gòu)成的透明電極上保持有微囊型的電泳材料的對置基板，并安裝驅(qū)動(dòng)用IC而制成電光裝置。在以上的制造方法中，像素電極、連接線、布線材料也可以使用其他的膏、有機(jī)、無機(jī)導(dǎo)電材料、金屬。半導(dǎo)體層也可以使用其他的有機(jī)半導(dǎo)體材料和/或無機(jī)半導(dǎo)體材料。絕緣膜也可以使用其他的有機(jī)絕緣膜和/或無機(jī)絕緣膜?；逡部梢允褂闷渌挠袡C(jī)材料和 /或薄的無機(jī)材料。薄膜的形成方法也可以使用其他的印刷方法和/或涂敷方法。根據(jù)以上說明的制造方法，能夠制造如上所述構(gòu)成的本實(shí)施方式的電泳顯示裝置?！措娮釉O(shè)備〉接著，關(guān)于應(yīng)用了上述的電泳顯示裝置的電子設(shè)備，參照圖13以及圖14進(jìn)行說明。以下，以將上述的電泳顯示裝置應(yīng)用于電子紙以及電子記事簿的情況為例。圖13是表示電子紙1400的結(jié)構(gòu)的立體圖。如圖13所示，電子紙1400具有上述的實(shí)施方式的電泳顯示裝置作為顯示部1401。 電子紙1400具有撓性，其具備主體1402而構(gòu)成，該主體1402由具有與以往的紙同樣的質(zhì)感以及柔軟性的、可改寫的片構(gòu)成。圖14是表示電子記事簿1500的結(jié)構(gòu)的立體圖。如圖14所示，電子記事簿1500，是裝訂多張圖13中所示的電子紙1400并由封面 1501將之夾持起來的結(jié)構(gòu)。封面1501，例如具備用于輸入從外部的裝置傳送來的顯示數(shù)據(jù)的顯示數(shù)據(jù)輸入單元(未圖示)。由此，與該顯示數(shù)據(jù)相應(yīng)地，電子紙以被裝訂著的狀態(tài)不變，能夠進(jìn)行顯示內(nèi)容的改變、更新等。上述的電子紙1400以及電子記事簿1500，因?yàn)榫邆渖鲜龅膶?shí)施方式的電泳顯示裝置，所以功耗小，并且能夠進(jìn)行高品質(zhì)的圖像顯示。而且，除了這些之外，對于手表、移動(dòng)電話、便攜用音頻設(shè)備等電子設(shè)備的顯示部， 也能夠應(yīng)用上述的本實(shí)施方式的電泳顯示裝置。此外，本發(fā)明除了在上述的實(shí)施方式中所說明的電泳顯示面板以外，還可以應(yīng)用于液晶顯示器(IXD)、等離子體顯示器(PDP)、場致發(fā)射型顯示器(FED、SED)、有機(jī)EL顯示器、數(shù)字微鏡器件(DMD)等。本發(fā)明并不限于上述的實(shí)施方式，而是可以在不違背從權(quán)利要求以及說明書全體所獲知的發(fā)明的主旨或者思想的范圍內(nèi)進(jìn)行適宜改變，伴隨著這樣的改變的電光裝置用基板、電光裝置以及電子設(shè)備也包含在本發(fā)明的技術(shù)范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種電光裝置用基板，其具有排列有多個(gè)像素的顯示區(qū)域，其特征在于，具備 基板；像素電極，其在前述基板上按前述每一像素而設(shè)置；像素晶體管，其在前述基板上、比前述像素電極靠下層側(cè)按前述每一像素而設(shè)置，包含選擇性地設(shè)置于前述基板上的預(yù)定的區(qū)域的柵絕緣膜，且其與前述像素電極電連接；層間絕緣膜，其配置于前述像素電極與前述像素晶體管之間，選擇性地設(shè)置于前述基板上的預(yù)定的區(qū)域；周邊晶體管，其在前述基板上設(shè)置在位于前述顯示區(qū)域的周邊的周邊區(qū)域；以及連接線，其在不形成構(gòu)成前述像素晶體管及前述周邊晶體管的柵絕緣膜及前述層間絕緣膜的區(qū)域內(nèi)，與前述像素電極由同一膜形成，且其與前述周邊晶體管電連接。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電光裝置用基板，其特征在于前述柵絕緣膜及前述層間絕緣膜，通過在應(yīng)該形成前述柵絕緣膜及前述層間絕緣膜的區(qū)域選擇性地涂敷絕緣材料而形成。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的電光裝置用基板，其特征在于前述像素電極和前述連接線，通過在應(yīng)該形成前述像素電極及前述連接線的區(qū)域選擇性地涂敷導(dǎo)電材料而形成。
4.根據(jù)權(quán)利要求1 3中的任意一項(xiàng)所述的電光裝置用基板，其特征在于 前述連接線，以將前述周邊晶體管連接為二極管的方式形成。
5.根據(jù)權(quán)利要求1 4中的任意一項(xiàng)所述的電光裝置用基板，其特征在于 前述周邊晶體管，設(shè)置有多個(gè)；該多個(gè)周邊晶體管，通過前述連接線相互連接，由此構(gòu)成倒相器電路。
6.一種電光裝置，其特征在于具備權(quán)利要求1 5中的任意一項(xiàng)所述的電光裝置用基板。
7.一種電子設(shè)備，其特征在于具備權(quán)利要求6所述的電光裝置。
全文摘要
本發(fā)明提供電光裝置用基板、電光裝置以及電子設(shè)備。電光裝置具備基板；按每一像素設(shè)置的像素電極；與像素電極相比隔著層間絕緣膜靠下層側(cè)按每一像素設(shè)置、與像素電極連接的像素晶體管；設(shè)置于周邊區(qū)域的周邊晶體管；在不形成像素晶體管及周邊晶體管的柵絕緣膜及層間絕緣膜的區(qū)域內(nèi)與像素電極由同一膜形成、與周邊晶體管連接的連接線。
文檔編號(hào)H01L29/786GK102163608SQ20111003509
公開日2011年8月24日 申請日期2011年2月9日 優(yōu)先權(quán)日2010年2月4日
發(fā)明者佐藤尚 申請人:精工愛普生株式會(huì)社