專利名稱：發(fā)光二極管光源的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種光源，尤其涉及一種發(fā)光二極管光源。
背景技術(shù)：
發(fā)光二極管作為一種高效的發(fā)光源，具有環(huán)保、省電、壽命長等諸多特點(diǎn)已經(jīng)被廣泛的運(yùn)用于各種領(lǐng)域。發(fā)光二極管可應(yīng)用于光源模組。發(fā)光二極管的出光角度一般為90度至120度，其中央(出光角約為O度至30度)的光線強(qiáng)度較強(qiáng)，周圍的光線強(qiáng) 度較弱，導(dǎo)致整個(gè)光源模組的出光不均勻。并且，設(shè)置在基板上的發(fā)光二極管發(fā)出的光從遠(yuǎn)離基板的出光面出射，而與出光面相對的面并不能出光，從而使得發(fā)光二極管的光萃取效率較低。進(jìn)而使得具有該發(fā)光二極管的光源模組的應(yīng)用受到一定的限制。

發(fā)明內(nèi)容
有鑒于此，有必要提供一種出光均勻且光萃取效率較高的發(fā)光二極管光源?！N發(fā)光二極管光源,包括基板、形成在該基板的上表面的反射杯、收容在該反射杯內(nèi)的發(fā)光二極管芯片、一個(gè)透明體以及一個(gè)反射層。該透明體位于該反射杯內(nèi)。該透明體具有一個(gè)遠(yuǎn)離該基板的第一表面以及與該第一表面相對的第二表面。該發(fā)光二極管芯片設(shè)置在該透明體的第一表面上。該反射層設(shè)置在該透明體的第二表面與基板的上表面之間。該發(fā)光二極管芯片發(fā)出的光部分直接出射，另外一部分經(jīng)過該反射層反射后出射。所述發(fā)光二極管芯片設(shè)置在該透明體上，該發(fā)光二極管芯片發(fā)出的部分光線直接出射，其余部分光可經(jīng)反射層反射后再出射，從而可增加該發(fā)光二極管光源的出光均勻度。并且，由于該發(fā)光二極管芯片的相對兩側(cè)發(fā)出的光線均可出射，從而可增加該發(fā)光二極管的光萃取效率。


圖I是本發(fā)明第一實(shí)施例提供的發(fā)光二極管光源的剖面示意圖。圖2是本發(fā)明第二實(shí)施例提供的發(fā)光二極管光源的剖面示意圖。圖3是本發(fā)明第三實(shí)施例提供的發(fā)光二極管光源的剖面示意圖。圖4是本發(fā)明第四實(shí)施例提供的發(fā)光二極管光源的剖面示意圖。主要元件符號說明發(fā)光二極管光源100、200、300、400基板10、20上表面101、301反射杯11、21、31、41凹槽部111第一引腳12、22、32、42
第二引腳13、23、33、43接觸段121、131接線段122、132、322、332連接段123、133發(fā)光二極管芯片14、24、34、44金線141、142 第一出光面143第二出光面144封裝體15、25、35、45透明體16、26、36、46第一表面161、361第二表面162、262、362、462側(cè)面363反射層17、27、37、47反射體28、48上底面281、481下底面282、482凹槽39第一部分311第二部分31具體實(shí)施例方式下面將結(jié)合附圖對本發(fā)明實(shí)施例作進(jìn)一步的詳細(xì)說明。圖I所示為本發(fā)明第一實(shí)施例提供的發(fā)光二極管光源100。該發(fā)光二極管光源100包括基板10、形成在該基板10上的反射杯11、分別固定于基板10相對兩端的第一引腳12及第二引腳13、收容在該反射杯11內(nèi)的發(fā)光二極管芯片14、覆蓋在該發(fā)光二極管芯片14上的封裝體15、設(shè)置在基板10上的一個(gè)透明體16以及一個(gè)反射層17。在本實(shí)施例中，該基板10為一長方體形，其具有一個(gè)上表面101,該上表面101為平面。該反射杯11形成在該基板10的上表面101上。該反射杯11呈環(huán)狀，其中部形成一凹槽部111。在本實(shí)施例中，該反射杯11的內(nèi)表面形成有反射材料(未標(biāo)不)，如金屬銀層、金屬銅層或者其他光學(xué)反射鍍層等。該基板10與反射杯11可以由LCP (Liquid CrystalPolymer，即液晶高分子)材料一體制成，也可以為不同材料分開制造，比如所述反射杯11由LCP材料制成，而基板10為硅基板、塑料基板或陶瓷基板。另外，在制作中，所述LCP材料中可以混入塑膠(Plastic)粒子、陶瓷(Ceramic)粒子或者高揮發(fā)性溶液。該第一引腳12及第二引腳13均由金屬材料制成，并彎折成U型，分別穿置于基板10的相對兩端。第一引腳12與第二引腳13相互隔開以避免短路。第一引腳12及第二引腳13均包括位于基板10底面的接觸段121、131、位于基板10的上表面101且暴露于反射杯11內(nèi)的接線段122、132及連接接觸段121、131及接線段121、132的連接段123、133。該接觸段121、131用于與外部的電路(圖未示)連接以將電能輸入進(jìn)發(fā)光二極管芯片內(nèi)。該接線段122、132用于與發(fā)光二極管芯片14電連接，以驅(qū)動(dòng)發(fā)光二極管芯片14發(fā)光。該接線段122、132平行于接觸段121、131且垂直于連接段123、133。
該透明體16設(shè)置在該基板10的上表面101上，且位于該第一引腳12與該第二引腳13之間。在本實(shí)施例中，該透明體16位于該反射杯11底部的中心處。該透明體16具有遠(yuǎn)離該基板10的上表面101的第一表面161以及與該第一表面161相對的第二表面162。該透明體16呈長方體形，該第一表面161與該第二表面162為平面。在本實(shí)施例中，該透明體16的高度大于該第一引腳12與第二引腳13的高度。該透明體16為玻璃。當(dāng)然，該透明體16也可以由其他透明材料制成，如硅或者環(huán)氧樹脂。該透明體16在透光的同時(shí)，并可用于散發(fā)發(fā)光二極管芯片14工作時(shí)產(chǎn)生的熱量。該反射層17設(shè)置在該透明體16的第二表面162與基板10的上表面101之間。在本實(shí)施例中，該反射層17的下表面與該基板10的上表面101在同一平面上。該反射層17可以為金屬層，如銀、銅等。該反射層17與第一引腳12、第二引腳13電隔絕設(shè)置。該發(fā)光二極管芯片14設(shè)置在該透明體的第一表面161上。在本實(shí)施例中，該發(fā)光二極管芯片14設(shè)置在該第一表面161的中心處。該發(fā)光二極管芯片14的兩個(gè)電極通過兩個(gè)金線141、142分別連接至第一引腳12及第二引腳13的接線段122、132以實(shí)現(xiàn)電性導(dǎo)通。該發(fā)光二極管芯片14具有一遠(yuǎn)離該透明體16的第一出光面143以及與其相對的第二出光面 144。該封裝體15覆蓋在該發(fā)光二極管芯片14上，且收容于該反射杯11的凹槽部111內(nèi)。該封裝體15由聚碳酸酯或者聚甲基丙烯酸甲酯等透明材料所制成。該發(fā)光二極管芯片14的第一出光面143發(fā)出的光線直接透過封裝體15或者經(jīng)反射杯11的內(nèi)表面反射后出射。該發(fā)光二極管芯片14的第二出光面144發(fā)出的光線先行透過該透明體16再經(jīng)該反射層17反射而出。經(jīng)反射層17反射的光線或透過該透明體16及封裝體15射出，或直接透過封裝體15射出。該發(fā)光二極管芯片14的第一出光面143與第二出光面144發(fā)出的光線均可透過該封裝體15出射，特別是第二出光面144朝向基板10方向的光線亦可經(jīng)由設(shè)置在對應(yīng)位置上的反射層17反射，從而可以增加該發(fā)光二極管的光萃取效率。并且，該發(fā)光二極管光源100包括有透明體16與反射層17，發(fā)光二極管芯片14的第二出光面144發(fā)出的光線可經(jīng)反射層17反射并透過該透明體16向四周出射，從而可使該發(fā)光二極管光源100的出光均勻。請參閱圖2，本發(fā)明第二實(shí)施例提供的發(fā)光二極管光源200。該發(fā)光二極管光源200與該發(fā)光二極管光源100結(jié)構(gòu)基本相同。該發(fā)光二極管光源200包括基板20、形成在該基板20上的反射杯21、分別固定于基板20相對兩端的第一引腳22及第二引腳23、收容在該反射杯21內(nèi)的發(fā)光二極管芯片24、覆蓋在該發(fā)光二極管芯片24上的封裝體25、設(shè)置在基板20上的一個(gè)透明體26以及一個(gè)反射層27。該發(fā)光二極管光源200與該發(fā)光二極管光源100不同之處在于，該發(fā)光二極管光源200進(jìn)一步包括一個(gè)反射體28。該反射體28設(shè)置在該透明體26內(nèi)，且位于該透明體26的第二表面262上。在本實(shí)施例中，該位于該透明體26的第二表面262的中心處。該反射體28呈臺體狀，其具有遠(yuǎn)離該透明體26的第二表面262的上底面281以及與其相對的下底面282，且該上底面的面積小于該下底面。該反射體28的高度小于該透明體26的高度。該反射體28與該反射層27 —體成型，均由具有高反射效率的金屬制成，如銀、銅等。當(dāng)然，該反射體28也可以設(shè)置在該透明體26其他位置，并且也可以與該反射層27分開形成。請參閱圖3，本發(fā)明第三實(shí)施例的發(fā)光二極管光源300。該發(fā)光二極管光源300與該發(fā)光二極管光源100結(jié)構(gòu)基本相同。該發(fā)光二極管光源300包括基板30、形成在該基板30上的反射杯31、分別固定于基板20相對兩端的第一引腳32及第二引腳33、收容在該反射杯31內(nèi)的發(fā)光二極管芯片34、覆蓋在該發(fā)光二極管芯片34上的封裝體35、設(shè)置在基板30上的一個(gè)透明體36以及一個(gè)反射層37。該發(fā)光二極管光源300與該發(fā)光二極管光源100不同之處在于，該發(fā)光二極管光源300的基板30的上表面301包括第一部分311以及第二部分312。該基板30的上表面301上形成有一個(gè)凹槽39，該基板30上表面301的第二部分312為該凹槽39的底面。
該第一引腳32及第二引腳33的接線段322、332設(shè)置于該基板30上表面301的第一部分311且暴露于反射杯31內(nèi)。該透明體36設(shè)置在該基板30的凹槽39內(nèi)，即設(shè)置在該基板30上表面301的第二部分312上。該透明體36包括遠(yuǎn)離該基板30第二部分312的第一表面361、與其相對的第二表面362、以及設(shè)置在該第一表面361與該第二表面362之間的側(cè)面363。在本實(shí)施例中，該透明體36的第一表面361與該基板30上表面301的第一部分311在同一平面上。如此，可減少該發(fā)光二極管光源300的封裝結(jié)構(gòu)的整體厚度。該反射層37設(shè)置在該透明體36的第二表面362以及側(cè)面363上。請參閱圖4，本發(fā)明第四實(shí)施例提供的發(fā)光二極管光源400。該發(fā)光二極管光源400與該發(fā)光二極管光源300結(jié)構(gòu)基本相同。該發(fā)光二極管光源400包括基板40、形成在該基板40上的環(huán)狀反射杯41、分別固定于基板40相對兩端的第一引腳42及第二引腳43、收容在該反射杯41內(nèi)的發(fā)光二極管芯片44、覆蓋在該發(fā)光二極管芯片44上的封裝體45、設(shè)置在基板40上的一個(gè)透明體46以及一個(gè)反射層47。該發(fā)光二極管光源400與該發(fā)光二極管光源300不同之處在于，該發(fā)光二極管光源400進(jìn)一步包括一個(gè)反射體48。該反射體48設(shè)置在該透明體46內(nèi)，且位于該透明體46的第二表面462上。在本實(shí)施例中，該位于該透明體46的第二表面462的中心處。該反射體48呈臺體狀，其具有遠(yuǎn)離該透明體46的第二表面462的上底面481以及與其相對的下底面482，且該上底面的面積小于該下底面。該反射體48的高度小于該透明體46的高度。該反射體48與該反射層47 —體成型，均由具有高反射效率的金屬制成，如銀、銅等。當(dāng)然，該反射體48也可以設(shè)置在該透明體46其他位置，并且也可以與該反射層47分開形成?？梢岳斫獾氖?，本領(lǐng)域技術(shù)人員還可于本發(fā)明精神內(nèi)做其它變化，只要其不偏離本發(fā)明的技術(shù)效果均可。這些依據(jù)本發(fā)明精神所做的變化，都應(yīng)包含在本發(fā)明所要求保護(hù)的范圍之內(nèi)。
權(quán)利要求
1.ー種發(fā)光二極管光源，包括基板、形成在該基板的上表面的反射杯、以及收容在該反射杯內(nèi)的發(fā)光二極管芯片，其特征在干該發(fā)光二極管光源進(jìn)ー步包括ー個(gè)透明體以及ー個(gè)反射層，該透明體位于該反射杯內(nèi)，該透明體具有ー個(gè)遠(yuǎn)離該基板的第一表面以及與該第一表面相對的第二表面，該發(fā)光二極管芯片設(shè)置在該透明體的第一表面上，該反射層設(shè)置在該透明體的第二表面與基板的上表面之間，該發(fā)光二極管芯片發(fā)出的光部分直接出射，另外一部分經(jīng)過該反射層反射后出射。
2.如權(quán)利要求I所述的發(fā)光二極管光源，其特征在于，該透明體為玻璃。
3.如權(quán)利要求I所述的發(fā)光二極管光源，其特征在于該基板的上表面為一平面。
4.如權(quán)利要求I所述的發(fā)光二極管光源，其特征在于，該基板的上表面包括第一部分以及第二部分，該基板上表面上形成有ー個(gè)凹槽，該基板上表面的第二部分為該凹槽的底面，該透明體設(shè)置在該基板的凹槽內(nèi)。
5.如權(quán)利要求4所述的發(fā)光二極管光源，其特征在干，該透明體包括設(shè)置在該第二表 面與該第一表面之間的側(cè)面，該反射層設(shè)置在該透明體的第二表面以及該側(cè)面上。
6.如權(quán)利要求4所述的發(fā)光二極管光源，其特征在干，該透明體的第一表面與該基板上表面的第一部分在同一水平面上。
7.如權(quán)利要求I或4所述的發(fā)光二極管光源，其特征在于，該透明體內(nèi)設(shè)置有反射體。
8.如權(quán)利要求7所述的發(fā)光二極管光源，其特征在于，該反射體位于該透明體的第二表面中心處。
9.如權(quán)利要求I所述的發(fā)光二極管光源，其特征在于，該反射杯的內(nèi)表面設(shè)置有反射材料。
10.如權(quán)利要求I所述的發(fā)光二極管光源，其特征在于，還包括固定于基板相對兩端且相互隔開的第一引腳及第ニ引腳，該透明體位于該第一引腳與該第二引腳之間。
11.如權(quán)利要求10所述的發(fā)光二極管光源，其特征在于，該透明體的高度大于第一、第ニ引腳的厚度。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種發(fā)光二極管光源，包括基板、形成在該基板的上表面的反射杯、收容在該反射杯內(nèi)的發(fā)光二極管芯片、一個(gè)透明體以及一個(gè)反射層。該透明體位于該反射杯內(nèi)。該透明體具有一個(gè)遠(yuǎn)離該基板的第一表面以及與該第一表面相對的第二表面。該發(fā)光二極管芯片設(shè)置在該透明體的第一表面上。該反射層設(shè)置在該透明體的第二表面與基板的上表面之間。該發(fā)光二極管芯片發(fā)出的光部分直接出射，另外一部分經(jīng)過該反射層反射后出射。
文檔編號H01L33/60GK102651442SQ201110040688
公開日2012年8月29日 申請日期2011年2月23日 優(yōu)先權(quán)日2011年2月23日
發(fā)明者張超雄, 林厚德 申請人:展晶科技(深圳)有限公司, 榮創(chuàng)能源科技股份有限公司