專利名稱：具扇出且具堆棧用連接組件的半導(dǎo)體裝置封裝件及其制法的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明是一般上有關(guān)于一種半導(dǎo)體裝置封裝件及其制造方法。更甚者，本發(fā)明是有關(guān)于具有金屬柱及通孔(via hole)的半導(dǎo)體裝置封裝件及其制造方法。
背景技術(shù)：
電子產(chǎn)品已逐步變得更加復(fù)雜，至少某種程度上受增進(jìn)的功能及較小尺寸的需求所驅(qū)策。而增進(jìn)的功能及較小尺寸的益處顯現(xiàn)的同時(shí)，達(dá)到該些益處亦可能產(chǎn)生問(wèn)題。尤其，電子產(chǎn)品通常必須容納高密度半導(dǎo)體裝置于有限的空間中。舉例而言，可用于處理器、 內(nèi)存裝置及其它主動(dòng)或被動(dòng)裝置的空間，該空間能夠相當(dāng)?shù)乇豢s限于手機(jī)、個(gè)人數(shù)字助理、 膝上型計(jì)算機(jī)及其它可攜式消費(fèi)產(chǎn)品之中。在同時(shí)，半導(dǎo)體裝置通常以提供對(duì)抗環(huán)境狀況的保護(hù)及提供輸入及輸出電性連接的方式封裝。于半導(dǎo)體裝置封裝件內(nèi)半導(dǎo)體裝置的封裝可能占據(jù)電子產(chǎn)品內(nèi)額外寶貴的空間。同樣地，具有朝向減縮由半導(dǎo)體裝置封裝件所占據(jù)的行蹤面積(footprint area)的強(qiáng)烈驅(qū)動(dòng)力。對(duì)此相關(guān)的一種制造方法為堆棧半導(dǎo)體裝置封裝件于另一個(gè)的頂端上，以形成一堆棧封裝件組合。不幸的是，由堆棧功能的觀點(diǎn)看來(lái)， 已知的晶圓級(jí)封裝并不能夠適用。此外，于已知的晶圓級(jí)封裝中，晶圓內(nèi)的半導(dǎo)體裝置于晶圓切單之前進(jìn)行封裝。同樣地，已知的晶圓級(jí)封裝可能局限于扇入(fan-in)配制，亦即電性接觸件及完成的半導(dǎo)體裝置封裝件的其它零件局限于由半導(dǎo)體裝置的周圍所定義的區(qū)域中。任何設(shè)置于半導(dǎo)體裝置周圍外側(cè)的零件通常不受支持且通常經(jīng)由切單移除。當(dāng)半導(dǎo)體裝置尺寸日益縮小且欲在小尺寸的半導(dǎo)體裝置進(jìn)行扇入配置時(shí)，其配制限制將是一大挑戰(zhàn)。因此，需要開(kāi)發(fā)出半導(dǎo)體裝置封裝件及其相關(guān)制造方法以克服先前技術(shù)的缺陷。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的一實(shí)施方面與一半導(dǎo)體裝置封裝件有關(guān)。于一實(shí)施例中，半導(dǎo)體裝置封裝件包括(1) 一互連單元，包含上表面及實(shí)質(zhì)上旁側(cè)延伸于互連單元內(nèi)的一第一圖案化導(dǎo)電層；(2) —電性互連件，實(shí)質(zhì)上垂直延伸自第一圖案化導(dǎo)電層，且包含(a) —上表面； 及(b) —下表面，Btt鄰于第一圖案化導(dǎo)電層上表面；(3) —第一半導(dǎo)體裝置，設(shè)置成毗鄰于互連單元的上表面且電性連接至第一圖案化導(dǎo)電層；(4) 一封裝件主體，設(shè)置成實(shí)質(zhì)上覆蓋互連單元的上表面及第一半導(dǎo)體裝置，封裝件主體毗鄰于封裝件主體上表面定義有一第一開(kāi)口而外露電性互連件的上表面；以及(5) —連接組件，電性連接至第一半導(dǎo)體裝置并實(shí)質(zhì)上填滿第一開(kāi)口，且連接組件外露于半導(dǎo)體裝置封裝件的外部周圍。電性互連件的上表面定義出一第一平面于一第二平面之上及于一第三平面之下，第二平面由互連單元的上表面的至少一部分所定義，第三平面由封裝件主體的上表面所定義。本發(fā)明的另一實(shí)施方面與一堆棧裝置組合有關(guān)。于一實(shí)施例中，堆棧裝置組合包括(1) 一半導(dǎo)體裝置封裝件，包含(a) —互連單元，包含上表面；(b) —第一半導(dǎo)體裝置， 設(shè)置成毗鄰于互連單元的上表面且電性連接至互連單元；及(c) 一封裝件主體，設(shè)置成毗鄰于互連單元的上表面且 實(shí)質(zhì)上覆蓋第一半導(dǎo)體裝置，封裝件主體包含上表面且毗鄰于封裝件主體的上表面定義有一開(kāi)口 ；(2) —第二半導(dǎo)體裝置，設(shè)置成毗鄰于封裝件主體的上表面；以及(3) —堆棧組件，延伸經(jīng)過(guò)封裝件主體中的開(kāi)口且電性連接第一半導(dǎo)體裝置及第二半導(dǎo)體裝置，堆棧組件包含(a) —電性互連件，包含上表面且實(shí)質(zhì)上垂直延伸自互連單元 ’及(b) —經(jīng)熔化的導(dǎo)電凸塊(fused conductive bump)，至少通過(guò)電性互連件而電性連接至第一半導(dǎo)體裝置，且實(shí)質(zhì)上填滿該開(kāi)口，該熔化的導(dǎo)電凸塊則外露于堆棧裝置組合的外部周圍。電性互連件的上表面定義出一第一平面于一第二平面之上及于一第三平面之下，第二平面由互連單元的上表面的至少一部分所定義，第三平面由封裝件主體的上表面所定義。本發(fā)明的另一實(shí)施方面與形成一半導(dǎo)體裝置封裝件的方法有關(guān)。該形成一半導(dǎo)體裝置封裝件的方法包括(1)提供一第一半導(dǎo)體裝置；(2)形成一互連結(jié)構(gòu)，互連結(jié)構(gòu)包含 (a) 一上表面；(b) —下表面；及(c)實(shí)質(zhì)上旁側(cè)延伸于互連結(jié)構(gòu)內(nèi)的一圖案化導(dǎo)電層；(3) 形成一電性互連件，電性互連件包含上表面及毗鄰于圖案化導(dǎo)電層上表面的下表面，于此處電性互連件實(shí)質(zhì)上垂直延伸自圖案化導(dǎo)電層；(4)毗鄰于互連結(jié)構(gòu)的上表面設(shè)置第一半導(dǎo)體裝置，以使第一半導(dǎo)體裝置電性連接至圖案化導(dǎo)電層；(5)敷設(shè)一模塑材料(molding material)以形成實(shí)質(zhì)上覆蓋電性互連件的上表面及第一導(dǎo)體裝置的一模造結(jié)構(gòu)；(6)于模造結(jié)構(gòu)中形成一第一開(kāi)口，第一開(kāi)口為毗鄰于模造結(jié)構(gòu)的上表面且外露電性互連件的上表面，于此處從電性互連件上表面至電性互連件下表面間的一第一距離，大于從互連結(jié)構(gòu)上表面至互連結(jié)構(gòu)下表面間的一第二距離；以及(7)形成一第一連接組件，其電性連接至電性互連件且實(shí)質(zhì)上填滿第一開(kāi)口。本發(fā)明亦可具有其它實(shí)施方面及實(shí)施例。前述發(fā)明內(nèi)容及下列特舉實(shí)施例的詳細(xì)描述與配合附圖，并非意圖將本發(fā)明局限于任何特定實(shí)施例，而僅用以描述本發(fā)明的若干實(shí)施例。


為了較佳理解本發(fā)明的若干實(shí)施例的本質(zhì)及對(duì)象，應(yīng)參考上述實(shí)施方式并伴隨下列附加圖式。于圖式中，除了前后文中清楚規(guī)定以外，相似的組件符號(hào)意味著相似組件。圖1繪示依照本發(fā)明的實(shí)施例，半導(dǎo)體裝置封裝件的透視圖。圖2為沿圖1中A-A剖面線所繪制本發(fā)明實(shí)施例的封裝件的剖視圖。圖3繪示依照本發(fā)明的實(shí)施例，堆棧裝置組合的剖視圖。圖4A至4S繪示依照本發(fā)明的實(shí)施例，形成圖2的半導(dǎo)體裝置封裝件的方法。主要組件符號(hào)說(shuō)明100 半導(dǎo)體裝置封裝件；封裝件202、302 半導(dǎo)體裝置204、216、232、254、262a、262b、243、432、443、454 下表面206、218、234、242、252、266a、266b、257a、257b、401、403、404、415、434、442、452、 482 上表面208、210、220、222、236、238、264a、264b 旁側(cè)表面212,212a,212b 連接件
213:底膠層214 封裝件主體 215a、215b、231a、231b、233a、233b、286、286a、286b、408a 至 408e、412a、412b、 416a,416b 開(kāi)口223a、223b、224a、224b 部分225a、225b、226a、226b、275a、275b 寬度230,430 層狀物240 互連單元244,246a,246b,247,248,417,483 平面250、306、450 圖案化導(dǎo)電層；導(dǎo)電層251a、251b、260、260a、260b、451a、451b 電性互連件253a、253b、453a、453b 第一表面256a、256b 電鍍層；表面處理層270a、270b、272、274a、274b 高度284、484 保護(hù)層292,292a,292b 連接組件294a、294b 電性接觸件300 堆棧裝置組合304a,304b 堆棧組件310 上側(cè)312 下側(cè)400:承載件402:導(dǎo)電層402a、402b 次層406,410,414 光阻層434 距離440 互連結(jié)構(gòu)480 模造結(jié)構(gòu)492 切縫
具體實(shí)施例方式定義下列定義適用于描述關(guān)于本發(fā)明的若干實(shí)施例的若干實(shí)施方面。該些定義亦能據(jù)此予以延伸。如使用于此，除了前后文中清楚規(guī)定以外，單數(shù)詞匯「一」、「一個(gè)」及「該(the)」包含數(shù)個(gè)指示物。因此，舉例而言，除了前后文中清楚規(guī)定以外，一電性互連件能包含多重電性互連件。如使用于此，詞匯「組(set)」指的是一個(gè)或多個(gè)零件的匯集。因此，舉例而言，一組層狀物能包含單一層狀物或多重層狀物。一組的零件能指的是該組的構(gòu)成物。一組的零件能是相同的或相異的。于若干范例中，一組的零件能共享一個(gè)或多個(gè)共同的特征。如使用于此，詞匯「啦鄰(adjacent)」指的是附近的(near)或鄰接的 (adjoining) 0毗鄰零件能彼此間隔開(kāi)或者能實(shí)際上或直接彼此接觸。于若干范例中，B比鄰零件能彼此連接或彼此累積形成。如使用于此，比較(relative)詞匯，如「之內(nèi)(inner)」、「內(nèi)部(interior)」、「之外(outer)」、「外部(exterior)」、「頂端(top)」、「底部(bottom)」、「正(front)」、「背 (back)」、「上(upper)」、「朝上(upwardly)」、「下(lower)」、「朝下(downwardly)」、「垂直 (vertical)」、「垂直地(vertically)」、「旁側(cè)(lateral)」、「旁側(cè)的(laterally)」、「之上 (above)」及「之下(below)」，指的是一組零件與另一組之間例如依據(jù)圖式的方位，而并非指于制造或使用期間需要該些零件的特定方位。如使用于此，詞匯「連接(connect)」、「連接的(connected)」、「連接 (connection)」指的是操作上耦合(coupling)或連結(jié)(linking)。連接的零件能彼此直接耦合或能彼此例如通過(guò)另一組零件而非直接耦合。如使用于此，詞匯「實(shí)質(zhì)上地(substantially)」及「實(shí)質(zhì)上(substantial)」指的是值得考慮的程度或幅度。當(dāng)伴隨一事件或情況時(shí)，該詞匯能指的是使該事件或情況恰好發(fā)生的范例，以及使該事件或情況接近近似值發(fā)生的范例，例如描述于此可解釋成制造作業(yè)的通常容許層級(jí)(typical tolerance level)。如使用于此,詞匯「導(dǎo)電(electrically conductive)」及「導(dǎo)電性(electrical conductivity)」指的是傳輸電流的能力。導(dǎo)電材料通常對(duì)應(yīng)于那些呈現(xiàn)極少或無(wú)電流流動(dòng)阻礙的材料。導(dǎo)電性的測(cè)量則以每公尺多少西門(mén)子(Siemens per meter) (「S · πΓ1」)來(lái)表示。通常而言，導(dǎo)電材料為具有大于約IO4S · πΓ1的導(dǎo)電性的材料，例如至少約IO5S · πΓ1 或至少約IO6S ^nT1tj材料的導(dǎo)電性有時(shí)可能隨溫度變化。除非另外指定，否則皆以在室溫的情況下定義材料的導(dǎo)電性。本發(fā)明實(shí)施例的描述首先請(qǐng)參照?qǐng)D1及圖2，該些圖式繪示依照本發(fā)明實(shí)施例實(shí)施的半導(dǎo)體裝置封裝件100。尤其，圖1繪示封裝件100的透視圖，而圖2為沿圖1中A-A剖面線所繪制本發(fā)明實(shí)施例的封裝件100的剖視圖。于所繪示的實(shí)施例中，封裝件100的各側(cè)面實(shí)質(zhì)上為平面且具有實(shí)質(zhì)上正交的方位，以便定義實(shí)質(zhì)上延伸圍繞封裝件100完整周圍的旁側(cè)輪廓。有利地，此正交旁側(cè)輪廓經(jīng)由縮減或最小化封裝件100的行蹤面積而得以縮減整體封裝件尺寸。然而一般而言，封裝件100的旁側(cè)輪廓能考慮為多種形狀的任何形狀，例如彎曲的、傾斜的、階梯的或粗糙質(zhì)地的。請(qǐng)參照?qǐng)D2，半導(dǎo)體裝置封裝件100包含半導(dǎo)體裝置202，半導(dǎo)體裝置202包含下表面204、上表面206以及旁側(cè)表面208及210，該旁側(cè)表面208及210設(shè)置成毗鄰于半導(dǎo)體裝置202的周圍且延伸于下表面204及上表面206之間。于所繪示的實(shí)施例中，該些表面204、206、208及210的每一表面實(shí)質(zhì)上為平面，該些旁側(cè)表面208及210相對(duì)于下表面 204或上表面206具有實(shí)質(zhì)上正交的方位，但該些表面204、206、208及210的形狀及方位亦可能隨其它實(shí)施方式而改變。如圖2所示，上表面206為半導(dǎo)體裝置202的背表面，而下表面204為半導(dǎo)體裝置202的主動(dòng)表面。于一實(shí)施例中，將連接件212a及212b設(shè)置成毗
8鄰于下表面204。連接件212提供用于半導(dǎo)體裝置202的輸入及輸出電性連接以連接至包含于封裝件100的導(dǎo)電結(jié)構(gòu)，例如圖案化導(dǎo)電層250(如下所述)。于一實(shí)施例中，連接件 212為焊料凸塊。于一實(shí)施例中，可選擇性地填充一底膠層213于下表面204及一互連單元 240(如下所述)之間。底膠層213例如是包含環(huán)氧基樹(shù)脂(印oxy)、樹(shù)脂(resin)或其它合適的材料。于所繪示的實(shí)施例中，半導(dǎo)體裝置202為一半導(dǎo)體芯片，但一般而言仍應(yīng)考慮到半導(dǎo)體裝置202能為任何主動(dòng)裝置、任何被動(dòng)裝置或其結(jié)合。而于圖2中雖繪示一個(gè)半導(dǎo)體裝置，對(duì)于其它實(shí)施方式而言亦仍能設(shè)計(jì)成包含額外的半導(dǎo)體裝置。如圖2所示，半導(dǎo)體裝置封裝件100亦包含設(shè)置成毗鄰于半導(dǎo)體裝置202的封裝件主體214。于所繪示的實(shí)施例中，封裝件本體214伴隨底膠層213實(shí)質(zhì)上覆蓋或包覆 (encapsulate)半導(dǎo)體裝置202及互連單元240 (如下所述)的上表面242，以提供機(jī)械穩(wěn)定性及抵抗氧化、濕氣與其它環(huán)境狀況的保護(hù)。于此實(shí)施例中，封裝件主體214實(shí)質(zhì)上覆蓋半導(dǎo)體裝置202的上表面206及旁側(cè)表面208與210，而半導(dǎo)體裝置202的下表面204則實(shí)質(zhì)上外露于或未覆蓋于封裝件本體214。然而，在實(shí)際應(yīng)用時(shí)封裝件本體214的覆蓋幅度亦可設(shè)計(jì)成異于圖2所示。舉例而言，封裝件本體214可設(shè)計(jì)成能實(shí)質(zhì)上覆蓋旁側(cè)表面 208及210，而實(shí)質(zhì)上皆未覆蓋下表面204及上表面206 二者。如圖2所示，封裝件主體214包含下表面216、上表面218及旁側(cè)表面220與222， 該旁側(cè)表面220與222設(shè)置成毗鄰于封裝件本體214的周圍且延伸于下表面216及上表面 218之間。于所繪示的實(shí)施例中，該些表面216、218、220及222的每一表面實(shí)質(zhì)上為平面， 該些旁側(cè)表面220及222相對(duì)于下表面216及上表面218具有實(shí)質(zhì)上正交的方位，但仍應(yīng)考慮到該些表面216、218、220及222的形狀及方位可能隨其它實(shí)施方式而改變。于一實(shí)施例中，封裝件本體214能由模塑材料形成。舉例而言，模塑材料能包含酚醛基(Novolac-based)樹(shù)脂、環(huán)氧基樹(shù)脂、硅基樹(shù)脂或另一合適的包覆料。亦能包含如粉狀二氧化硅的合適的填充劑。該模塑材料能為預(yù)浸(pre-impregnated (pr印reg))材料，例如預(yù)浸介電材料。實(shí)際應(yīng)用時(shí)，亦可設(shè)計(jì)成封裝件主體214能包含伴隨或取代模塑材料的支撐結(jié)構(gòu)。舉例而言，封裝件主體214能包含框架或內(nèi)轉(zhuǎn)接板(interposer)，其能由玻璃、 硅、金屬、金屬合金、聚合物或另一合適的結(jié)構(gòu)材料所形成。如圖2所示，層狀物230包含下表面232、上表面234及旁側(cè)表面236與238，該旁側(cè)表面236與238設(shè)置成毗鄰于該層狀物230周圍，且延伸于下表面232及上表面234之間。于所繪示的實(shí)施例中，該些表面234、236及238的每一表面實(shí)質(zhì)上為平面，旁側(cè)表面 236及238相對(duì)于上表面234具有實(shí)質(zhì)上正交的方位，但實(shí)際應(yīng)用時(shí)，仍可設(shè)計(jì)成該些表面 234,236及238的形狀及方位可能隨其它實(shí)施方式而改變。圖中顯示出下表面232延伸進(jìn)圖案化導(dǎo)電層250 (如下所述)的開(kāi)口內(nèi)，但下表面232的形狀及方位在實(shí)際應(yīng)用時(shí)仍可能隨其它實(shí)施方式而改變。舉例而言，下表面232能實(shí)質(zhì)上為平面。上表面234能毗鄰于封裝件主體214的下表面216。于一實(shí)施例中，層狀物230能由聚酰亞胺(polyimide)、聚苯惡唑 (polybenzoxazole)、苯環(huán)丁烯(benzocyclobutene)或其結(jié)合等的介電材料所形成。對(duì)于特定實(shí)施方式而言，層狀物230能由光顯影(photoimageable)或光活化(photoactive)的介電材料所形成。于另一實(shí)施例中，層狀物230能由防焊屏蔽(solder mask)(防焊阻劑 (solder resist))(例如干膜式可顯影型(dry film imageable)防焊屏蔽)或另一類型的圖案化層或介電層所形成。于一實(shí)施例中，層狀物230的厚度能在10微米(micron)至30 微米的范圍中，例如10微米至20微米的范圍，或20微米至30微米的范圍。雖然圖2中繪示單一層狀物230作為封裝件100的部分，于其它實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置封裝件中應(yīng)考慮到能包含多個(gè)與層狀物230相仿的布局及特征的層狀物。如圖2所示，半導(dǎo)體裝置封裝件100進(jìn)一步包含毗鄰于層狀物230下表面232的圖案化導(dǎo)電層250。圖案化導(dǎo)電層250具有上表面252及下表面254。圖案化導(dǎo)電層250 能包含電性互連件251a及251b。該些電性互連件251a及251b能實(shí)質(zhì)上旁側(cè)延伸于圖案化導(dǎo)電層250之內(nèi)。電性互連件251a及251b分別具有第一表面253a及253b，其能包含于圖案化導(dǎo)電層250的上表面252中。封裝件100進(jìn)一步包含電性互連件260a及260b。電性互連件251a能將電性互連件260a電性連接至一電性接觸件294a或另一電性互連件(未顯示)。于一實(shí)施例中，電性互連件251a能于毗鄰于圖案化導(dǎo)電層250的保護(hù)層284中的開(kāi)口 286a處，與電性接觸件294a或另一電性互連件相毗鄰。電性互連件251b 能將電性互連件260b電性連接至電性接觸件294b或另一電性互連件(未顯示)。于一實(shí)施例中，電性互連件251b能于保護(hù)層284中的開(kāi)口 286b處，與電性接觸件或另一電性互連件相毗鄰。電性互連件260a及260b分別具有下表面262a與262b、旁側(cè)表面264a與264b 及上表面266a與266b。電性互連件260a及260b則是置放成圍繞半導(dǎo)體裝置202，且能實(shí)質(zhì)上分別垂直延伸自第一表面253a及253b。下表面262a及262b能分別毗鄰于第一表面 253a及253b。第一表面253a及253b的至少一部分能實(shí)質(zhì)上由層狀物230所覆蓋。旁側(cè)表面264a與264b的至少一部分能實(shí)質(zhì)上被層狀物230所覆蓋。如圖2所示，能形成層狀物230以便于定義開(kāi)口 233a及233b，該些開(kāi)口 233a及 233b定位對(duì)準(zhǔn)且按一定尺寸制成以便于分別容納該些連接件212a及212b。連接件212a及 212b能毗鄰于圖案導(dǎo)電層250的上表面252?？商娲?，該些連接件212a及212b亦能分別毗鄰于電鍍層256a及256b (或表面處理層(finish layer) 256a及256b)。電鍍層256a 及256b能設(shè)置成毗鄰于圖案化導(dǎo)電層250的上表面252，且能分別設(shè)置于開(kāi)口 233a及233b 中。圖案化導(dǎo)電層250能包含于互連單元240中。此外，電鍍層256a與256b及層狀物230可選擇性地包含于互連單元240中。圖案化導(dǎo)電層250能實(shí)質(zhì)上旁側(cè)延伸于互連單元240之內(nèi)。圖案化導(dǎo)電層250的上表面252能包含于互連單元240的上表面242中。此外，該些電鍍層256a與256b其分別的上表面257a與257b以及層狀物230的上表面234 能包含于互連單元240的上表面242中。該互連單元240亦包含下表面243。圖案化導(dǎo)電層250的下表面254能包含于下表面243中。此外，層狀物230的下表面232的部分能包含于下表面243中。如圖2所示，形成封裝件本體214以便于定義開(kāi)口 215a及215b。形成層狀物230 以便于定義開(kāi)口 231a及231b，其中開(kāi)口 231a及231b能實(shí)質(zhì)上分別對(duì)準(zhǔn)開(kāi)口 215a及215b。 開(kāi)口 215a及215b能從上表面218分別延伸至該些電性互連件260a及260b的上表面266a 及266b，且能外露上表面266a及266b。開(kāi)口 231a及231b能從層狀物230的上表面234延伸至下表面232，且能設(shè)置成毗鄰于圖案化導(dǎo)電層250的上表面252。電性互連件260a的上表面266a能定義平面246a于平面247之上及于平面248之下，該平面247由互連單元240的上表面242的至少一部分所定義(例如電鍍層256a及256b其分別的上表面257a及 257b中的至少一者)，該平面248由封裝件主體214的上表面218所定義。相仿地，電性互連件260b的上表面266b能定義平面246b于平面247之上及于平面248之下。于一實(shí)施例中，電性互連件260a能實(shí)質(zhì)上填滿開(kāi)口 231a，及/或電性互連件260b能實(shí)質(zhì)上填滿開(kāi)口 231b，以使該些平面246a及246b的至少一者位于平面244之上，該平面244由層狀物230 的上表面234所定義。可替代地，該些平面246a及246b的至少一者能分別位于平面247 之上及于平面248之下。如圖2所示，連接組件292a及292b外露于半導(dǎo)體裝置封裝件100的外部周圍。 該些連接組件292a及292b提供用于封裝件100的輸入及輸出電性連接，且連接組件292a 及292b的至少一者通過(guò)圖案化導(dǎo)電層250及電性互連件260的至少一者電性連接至半導(dǎo)體裝置202。于所繪示的實(shí)施例中，連接組件292a及292b為導(dǎo)電凸塊，例如焊料凸塊?？商娲兀B接組件292a及292b能為經(jīng)熔化的導(dǎo)電凸塊，例如已回焊且與其它導(dǎo)電組件(如其它焊料凸塊)結(jié)合的焊料凸塊。經(jīng)熔化的導(dǎo)電凸塊形成以提供于封裝件100及堆棧于封裝件100上的另一半導(dǎo)體裝置(如圖3中所示)及/或半導(dǎo)體封裝件間的導(dǎo)電性。于一實(shí)施例中，可自封裝件100的外側(cè)通過(guò)該些連接組件292a及292b物理性地進(jìn)入封裝件100。 舉例而言，通過(guò)該些連接組件292的可物理性進(jìn)出的能力，可使連接組件292回焊成為于封裝件100上另一半導(dǎo)體裝置及/或封裝件的堆棧的一部分。該些連接組件292能由焊料膏形成，其中焊料膏能包含錫、銅及其它各種合適材料的其中至少一者。有利地，能按一定尺寸制作開(kāi)口 215a及215b，以使連接組件292a及292b能實(shí)質(zhì)上分別填滿開(kāi)口 215a及215b，以達(dá)到最小化及/或避免空隙(void)產(chǎn)生。于開(kāi)口 215a及 215b內(nèi)避免空隙發(fā)生可增進(jìn)電性互連件260及連接組件292的導(dǎo)電性，因而增進(jìn)介于封裝件100及堆棧于該封裝件100上的另一半導(dǎo)體裝置(如圖3中所示)及/或半導(dǎo)體裝置封裝件間的導(dǎo)電性?？刂崎_(kāi)口 215a及215b按一定尺寸制作的進(jìn)一步的優(yōu)點(diǎn)，為促進(jìn)控制形成連接組件292a及292b的導(dǎo)電材料體積。于一實(shí)施例中，能于開(kāi)口 215a及215b內(nèi)經(jīng)由按一定尺寸制作電性互連件260a及260b而達(dá)到最小化及/或避免空隙產(chǎn)生，以使平面246a 及246b位于平面247之上，因而使開(kāi)口 215a及215b的高度270a及270b受到控制。于一實(shí)施例中，對(duì)于該些開(kāi)口 215a及215b其分別的高度270a及270b而言，可為400微米或更小，以達(dá)到最小化及/或避免于開(kāi)口 215a及215b內(nèi)產(chǎn)生空隙。舉例而言，封裝件本體214 的高度272能于200微米至500微米的范圍中，例如200微米至300微米的范圍，300微米至400微米的范圍，或400微米至500微米的范圍。于此范例中，電性互連件260a及260b 其分別的高度274a及274b能足夠大(例如大于100微米)到使開(kāi)口 215a及215b的高度 270a及270b為400微米或更小。高度270a及270b能大于、等于或小于高度274a及274b。于一實(shí)施例中，連接組件292a及292b能突出于封裝件本體214的上表面218之外。連接組件292a及292b的突出部分能增加外露的連接組件292a及292b的接觸面積， 而使封裝件100及堆棧于封裝件100上的另一半導(dǎo)體裝置(如圖3中所示)及/或半導(dǎo)體裝置封裝件間，能有較強(qiáng)的物理接合及較佳的導(dǎo)電性?？商娲兀B接組件292a及292b能不突出于封裝件本體214的上表面218之外。舉例而言，連接組件292a及292b能延伸至但不突出于上表面218之外，以實(shí)質(zhì)上填滿開(kāi)口 215a及215b。于一實(shí)施例，開(kāi)口 215a及215b的部分224a及224b分別毗鄰于電性互連件260a及^Ob的上表面及沈釙。部分22 的寬度226a能小于上表面的寬度27 ， 且部分224b的寬度226b能小于上表面的寬度27恥。于一實(shí)施例中，開(kāi)口 21 及215b的部分223a及223b毗鄰于由封裝件本體214 的上表面218所定義的平面M8。部分223a的寬度22 能大于部分22 的寬度2^a，且部分22 的寬度22 能大于部分224b的寬度226b。有利地，圖案化導(dǎo)電層250能作為用于半導(dǎo)體裝置202的重分配網(wǎng)絡(luò) (redistribution network)。于一實(shí)施例中，半導(dǎo)體裝置封裝件100能提供一扇出 (fan-out)配制，其中圖案化導(dǎo)電層250實(shí)質(zhì)上旁側(cè)延伸至半導(dǎo)體裝置202的周圍外側(cè)。舉例而言，圖2顯示電性互連件251a及251b位于半導(dǎo)體裝置202的周圍外側(cè)。電性互連件 251a及251b能通過(guò)于圖案化導(dǎo)電層250中的其它電性互聯(lián)(未顯示)電性連接至半導(dǎo)體裝置202。封裝件100的扇出配置得使電性接觸件及的安排及隔間具較優(yōu)越的靈活度，而得減少對(duì)于半導(dǎo)體裝置202接觸墊的安排及間隔的依賴。電性互連件^Oa及 260b及連接組件四加及四沘能經(jīng)由從半導(dǎo)體裝置202至封裝件100的上表面設(shè)置電性路徑而促使將其延伸至三維扇出(參見(jiàn)圖3)。電性接觸件及提供用于封裝件100的輸入及輸出電性連接，且電性接觸件四如及^Mb的其中至少一者通過(guò)導(dǎo)電層250電性連接至半導(dǎo)體裝置202。于所繪示的實(shí)施例，電性接觸件四如及^Mb為導(dǎo)電凸塊。例如焊料凸塊?？商娲兀娦越佑|件四如及四仙能為經(jīng)熔化的導(dǎo)電凸塊，例如已回焊且與其它導(dǎo)電組件(如其它焊料凸塊)結(jié)合的焊料凸塊。依據(jù)封裝件100的扇出配置，連接組件四加與及電性接觸件與旁側(cè)設(shè)置于半導(dǎo)體裝置202的周圍外側(cè)，但一般應(yīng)用時(shí)仍亦可設(shè)計(jì)成電性接觸件四如與可旁側(cè)設(shè)置于其周圍、其周圍外側(cè)或二者皆設(shè)置。于此方式中，封裝件100的扇出配置得使電性接觸件四如及^Mb的安排及隔間具較優(yōu)越的靈活度，而得減少對(duì)于半導(dǎo)體裝置202 接觸墊的安排及間隔的依賴。一般而言，圖形化導(dǎo)電層250及電性互連件^Oa及^Ob中的每個(gè)電性互連件能由金屬、金屬合金、具金屬或金屬合金分散于其中的基質(zhì)或另一合適的導(dǎo)電材料所形成。舉例而言，圖形化導(dǎo)電層250及電性互連件^Oa及^Ob中的至少一者能由鋁、銅、鈦或其結(jié)合所形成。圖形化導(dǎo)電層250及電性互連件沈如及^Ob中的每個(gè)電性互連件能由相同導(dǎo)電材料或相異導(dǎo)電材料所形成。電鍍層256a及256b能相仿于如先前所述的圖案化導(dǎo)電層250而形成?？商娲兀?電鍍層256a及25 能以相異方式形成。舉例而言，電鍍層256a及25 能由錫、鎳及金或含錫或含鎳及金的合金中的至少一者所形成。電鍍層256a及256b能由相同導(dǎo)電材料或相異導(dǎo)電材料所形成。保護(hù)層284相仿于如先前所述的層狀物230而形成。保護(hù)層284能使用例如干膜式可顯影型防焊屏蔽的防焊屏蔽(solder mask)(防焊阻劑(solder resist))或另一類型的圖案化層或介電層所形成。雖然圖2中繪示單一保護(hù)層觀4，對(duì)于其它實(shí)施方式而言亦能包含多個(gè)保護(hù)層。于保護(hù)層觀4中的開(kāi)口，例如開(kāi)口觀63及^6b，能外露導(dǎo)電層250的部分，例如電性互連件251a及251b中至少一者的部分。開(kāi)口及能實(shí)質(zhì)上分別與電性互連件^Oa及^Ob的下表面沈加及的至少其中一者對(duì)準(zhǔn)。能圖案化保護(hù)層
12284以形成該些開(kāi)口觀6。該些開(kāi)口 286能具有多種形狀中的任何形狀，該些形狀包含柱形的形狀，例如圓柱形、橢圓柱形、正方柱形或矩形柱形，或者包含非柱形的形狀，例如圓錐形、漏斗形或另一錐形。亦可將該些完成的開(kāi)口的旁側(cè)邊界設(shè)計(jì)為彎曲的或質(zhì)地粗糙的。請(qǐng)參照?qǐng)D3，為繪示依照本發(fā)明實(shí)施例的堆棧裝置組合300剖視圖。于此實(shí)施例， 堆棧裝置組合300包含堆棧于封裝件100上的半導(dǎo)體裝置302。半導(dǎo)體裝置302亦能不予以封裝?？商娲?，堆棧裝置組合能包含另一半導(dǎo)體裝置封裝件(未顯示)堆棧于封裝件 100上。所謂另一半導(dǎo)體裝置封裝件能與封裝件100相仿，能包含相仿于圖案化導(dǎo)電層250 的圖案化導(dǎo)電層，且能包含相仿于半導(dǎo)體裝置202的半導(dǎo)體裝置。半導(dǎo)體裝置302及/或另一半導(dǎo)體裝置封裝件能設(shè)置成毗鄰于封裝件主體214的上表面或位于其上。雖然繪示于圖3中的堆棧裝置組合300包含二層堆棧，對(duì)于其它實(shí)施方式而言此堆棧亦可設(shè)計(jì)成包含超過(guò)二層堆棧。如圖3所示，堆棧裝置組合300能包含堆棧組件30 及304b，其中至少一者通過(guò)圖案化導(dǎo)電層250及圖案化導(dǎo)電層306電性連接半導(dǎo)體裝置202及半導(dǎo)體裝置302。堆棧組件30 包含電性互連件^Oa及連接組件292a，且堆棧組件304b包含電性互連件^Ob及連接組件四213。堆棧組件30 能延伸經(jīng)過(guò)且實(shí)質(zhì)上填滿于封裝件主體中214的開(kāi)口 215a， 且堆棧組件304b能延伸經(jīng)過(guò)且實(shí)質(zhì)上填滿于封裝件主體中214的開(kāi)口 215b。于此實(shí)施例中，連接組件以經(jīng)熔化的導(dǎo)電凸塊形成而外露于堆棧裝置組合300的外部周圍。如前所述，連接組件292可從封裝件100外側(cè)物理性地進(jìn)入。于一實(shí)施例中，能將連接組件四加及熔化至圖案化導(dǎo)電層306，以形成經(jīng)熔化的導(dǎo)電凸塊而外露于堆棧裝置組合300的外部周圍。圖案化導(dǎo)電層306能設(shè)置成毗鄰于封裝件主體214的上表面?？商娲?，能將連接組件四加及熔化至堆棧于封裝件100 上的另一半導(dǎo)體封裝件的電性接觸件(與電性接觸件四如及相仿)，其中電性接觸件電性連接至另一半導(dǎo)體裝置封裝件中的圖案化導(dǎo)電層(與該圖案化導(dǎo)電層250相仿)。如圖3所示，堆棧裝置組合300能包含圖案化導(dǎo)電層306，其能作為用于半導(dǎo)體裝置302的重分配網(wǎng)絡(luò)。于一實(shí)施例中，堆棧裝置組合300能提供一扇出配制，其中圖案化導(dǎo)電層306電性連接至該半導(dǎo)體裝置302且實(shí)質(zhì)上旁側(cè)延伸至半導(dǎo)體裝置302的周圍外側(cè)。 如前所述，封裝件100的電性互連件^Oa及^Ob及連接組件四加及四沘能經(jīng)由從半導(dǎo)體裝置202至封裝件100的上表面設(shè)置電性路徑而促使二維扇出延伸成三維扇出。能經(jīng)由將連接組件電性連接至圖案化導(dǎo)電層306而產(chǎn)生三維扇出配置。就于堆棧裝置組合300的上側(cè)310及下側(cè)312 二者上的電性接觸件的安排及間隔而言，此三維扇出配置能有利增加靈活度更勝于由二維扇出所提供的靈活度。圖4A至4S繪示依照本發(fā)明的實(shí)施例，形成圖2的半導(dǎo)體裝置封裝件100的方法。 為易于說(shuō)明，將參照?qǐng)D2的封裝件100描述下列制造作業(yè)。然而，亦能相仿地依上述實(shí)施例的制造作業(yè)，形成其它能異于封裝件100的內(nèi)部結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體裝置封裝件。首先參照?qǐng)D4A，提供承載件400，將導(dǎo)電層402設(shè)置成毗鄰于承載件400的上表面 401。導(dǎo)電層402具有上表面404，且能包含多重次層40 及40沘。次層40 能由金屬、 金屬合金、具金屬或金屬合金分散于其中的基質(zhì)或另一合適的導(dǎo)電材料所形成。舉例而言， 次層40 能包含由銅或含銅合金所形成的金屬薄層。次層40 能附屬于承載件400，其具有設(shè)置成毗鄰于該承載件400上表面401的膠帶(未顯示)。該膠帶能考慮為單面或雙面黏著膠帶以使零件間彼此以適當(dāng)空間固接，而得使用設(shè)置成毗鄰于承載件400的零件來(lái)實(shí)行后續(xù)的制造作業(yè)。如圖4A所示。次層402b能敷設(shè)于次層40 的上表面403。能使用多種涂層技術(shù)中的任何技術(shù)，例如化學(xué)氣相沉積(chemical vapor d印osition)、無(wú)電電鍍(electroless plating)、電解電鍍(electrolytic plating)、印刷(printing)、紡織(spinning)、噴霧 (spraying)、濺鍍(sputtering)或真空沉積(vacuum exposition)，來(lái)敷設(shè)次層 402b。次層402b能由金屬、金屬合金、具金屬或金屬合金分散于其中的基質(zhì)或另一合適的導(dǎo)電材料所形成。次層402b能由相異于形成次層40 所使用的導(dǎo)電材料所形成。舉例而言，次層 402b能作為蝕刻停止層，且能包含鎳或含鎳合金。接著，如圖4B所示，能將光阻材料敷設(shè)于導(dǎo)電層402的上表面404，以毗鄰于該上表面404形成一光阻層406。該光阻材料能為干膜光阻或另一類型的可圖案化層或介電層。 另能經(jīng)由涂層、印刷或任何其它合適的技術(shù)形成光阻層406。且能光顯影及顯影(develop) 光阻層406的預(yù)定或所選擇的部分，以便于產(chǎn)生包含開(kāi)口 408a至408e的開(kāi)口，而外露導(dǎo)電層402的上表面404。還能使用光屏蔽(未顯示)光化學(xué)定義光阻層406。相較于其它用于在光阻層406中產(chǎn)生開(kāi)口的途徑，光顯影及顯影能具有低成本及減少處理時(shí)間的優(yōu)點(diǎn)。 完成的開(kāi)口能具有多種形狀中的任何形狀，該些形狀包含柱形的形狀，例如圓柱形、橢圓柱形、正方柱形或矩形柱形，或者包含非柱形的形狀，例如圓錐形、漏斗形或另一錐形。亦可依應(yīng)用所需設(shè)計(jì)成完成的開(kāi)口的旁側(cè)邊界為彎曲的或質(zhì)地粗糙的。接著，如圖4C所示，將導(dǎo)電材料敷設(shè)進(jìn)包含由光阻層406定義的開(kāi)口 408a至408e 的該些開(kāi)口內(nèi)，以形成包含電性互連件451a及451b的導(dǎo)電層450。導(dǎo)電層450及電性互連件451a及451b能實(shí)質(zhì)上旁側(cè)延伸，且能使用與前述導(dǎo)電層250及電性互連件251a及 251b(如圖2中所示)相同類型的材料來(lái)形成。圖案化導(dǎo)電層450能使用多種涂層技術(shù)中的任何技術(shù)而形成，例如化學(xué)氣相沉積、無(wú)電電鍍、電解電鍍、印刷、紡織、噴霧、濺鍍或真空沉禾只(vacuum deposition)等技術(shù)。接著，如圖4D所示，去除光阻層406以外露次層402b的部分。接著，如圖4E所示，將層狀物430形成毗鄰于圖案化導(dǎo)電層450及次層402b的外露部分。層狀物430能實(shí)質(zhì)上覆蓋圖案化導(dǎo)電層450的上表面452，以使圖案化導(dǎo)電層450 埋設(shè)于層狀物430中。另能使用多種如印刷、紡織和噴霧的涂層技術(shù)中的任何技術(shù)來(lái)敷設(shè)介電材料。于一實(shí)施例中，能經(jīng)由將介電材料層壓(laminate)于圖案化導(dǎo)電層450的上表面452 (包含第一表面453a及453b，對(duì)應(yīng)于圖2中的第一表面253a及253b)上及次層402b 的外露部分上，而產(chǎn)生層狀物430?？商娲?，能經(jīng)由將呈液態(tài)的介電材料涂布于圖案化導(dǎo)電層450的上表面452 (包含第一表面453a及453b)上及次層402b的外露部分上，而產(chǎn)生該層狀物430。可替代地，層狀物430能由例如干膜式可顯影型防焊屏蔽的防焊屏蔽(防焊阻劑)或另一類型的圖案化層或介電層所形成。層狀物430能使用與前述層狀物230(如圖2中所示)相同類型的材料來(lái)形成。接著，如圖4F所示，于層狀物430中形成開(kāi)口 231a及231b以分別外露電性互連件 451a及451b的第一表面453a及453b。此外，于層狀物430中形成開(kāi)口 233a及233b以分別外露圖案化導(dǎo)電層450的上表面452的額外部分。以此方式中，圖案化該層狀物430以形成該些開(kāi)口 231a、231b、233a及233b。該些開(kāi)口 231a、231b、233a及233b能從層狀物430
14的上表面434延伸至層狀物430的下表面432。能以多種如光微影術(shù)(photolithography)、 化學(xué)蝕刻、激光鉆孔或機(jī)械鉆孔的方式中的任何方式來(lái)實(shí)行圖案化以形成層狀物430，且該些完成的開(kāi)口能具有多種形狀中的任何形狀，例如柱形的形狀，如圓柱形、橢圓柱形、正方柱形或矩形柱形，或者非柱形的形狀，如圓錐形、漏斗形或另一錐形。亦可依應(yīng)用所需設(shè)計(jì)成完成的開(kāi)口的旁側(cè)邊界為彎曲的或質(zhì)地粗糙的。接著，如圖4G所示，能將光阻材料敷設(shè)于層狀物430的上表面434，以毗鄰于上表面434形成光阻層410。光阻材料能為干膜光阻或另一類型的可圖案化層或介電層。能如先前圖4B所述形成光阻層410。亦能如先前圖4B所述，光顯影及顯影該光阻層410的預(yù)定或所選擇的部分，以便于產(chǎn)生包含開(kāi)口 41 及412b的開(kāi)口。該些開(kāi)口 41 及412b能分別對(duì)準(zhǔn)于開(kāi)口 233a及23北，以外露圖案化導(dǎo)電層450的上表面452的部分。開(kāi)口 41 及 412b能具有與開(kāi)口 408a至408e相仿的特征。接著，如圖4H所示，將導(dǎo)電材料敷設(shè)進(jìn)外露圖案化導(dǎo)電層450的上表面452的部分的開(kāi)口 233a及23 內(nèi)。以此方式中，能使用先前圖4C所描述的技術(shù)中的任何技術(shù)，形成電鍍層256a及25 。接著，如圖41所示，去除光阻層410以外露層狀物430的上表面434及電性互連件 451a及451b其分別的第一表面453a及453b。去除光阻層410而外露先前已形成的互連結(jié)構(gòu)440。于此實(shí)施例中，互連結(jié)構(gòu)440包含層狀物430、圖案化導(dǎo)電層450及電鍍層256a 及256b。于其它實(shí)施例中，互連結(jié)構(gòu)440(與互連單元240相仿)能包含圖案化導(dǎo)電層450 及能可選擇性地包含電鍍層256a及256b而不包含層狀物430。如先前所述，圖案化導(dǎo)電層 450的上表面452能包含于互連結(jié)構(gòu)440的上表面442中。此外，電鍍層256a及256b其分別的上表面257a及257b以及層狀物430的上表面434能包含于互連結(jié)構(gòu)440的上表面 442中。圖案化導(dǎo)電層450的下表面妨4能包含于互連結(jié)構(gòu)440的下表面443中。此外，層狀物430的下表面432的部分能包含于下表面443中。接著，如圖4J所示，能將光阻材料敷設(shè)于層狀物430的上表面434及電鍍層256a 及25 ，以毗鄰于上表面434及電鍍層256a及25 形成光阻層414。光阻材料能為干膜光阻或另一類型的可圖案化層或介電層。能如先前圖4B所述形成光阻層414。亦能如先前圖4B所述，光顯影及顯影光阻層414的預(yù)定或所選擇的部分，以便于產(chǎn)生包含開(kāi)口 416a 及416b的開(kāi)口。該些開(kāi)口 416a及416b能分別對(duì)準(zhǔn)于開(kāi)口 231a及231b，以外露第一表面 453a及453b。開(kāi)口 416a及416b能具有與開(kāi)口 408a至408e相仿的特征。接著，如圖4K所示，將導(dǎo)電材料敷設(shè)進(jìn)由光阻層414定義的開(kāi)口 416a及416b內(nèi)以及敷設(shè)進(jìn)開(kāi)口 231a及231b內(nèi)，以分別形成電性互連件^Oa及^K)b。能將電性互連件 260a及^Ob形成為自該導(dǎo)電層402實(shí)質(zhì)上垂直延伸遠(yuǎn)離。電性互連件^Oa能實(shí)質(zhì)上填滿開(kāi)口 416a及231a，且電性互連件洸Ob能實(shí)質(zhì)上填滿開(kāi)口 416b及231b。可替代地，分別由電性互連件^Oa及^Ob的上表面及所定義的平面及M6b，能位于由光阻層414的上表面415所定義的平面417之下。還能使用多種涂層技術(shù)中的任何技術(shù)，例如電解電鍍或塞入由導(dǎo)電材料所組成的膏狀物，形成電性互連件沈如及^K)b。接著，如圖4L所示，去除光阻層414以外露層狀物430的上表面434、電鍍層256a 及25 以及該些電性互連件^Oa及^Ob其分別的旁側(cè)表面沈如及^4b。于連接至任何半導(dǎo)體裝置202之前的此階段中，互連結(jié)構(gòu)440及電性互連件^Oa及^Ob 二者皆已形成。
15再于連接至任何半導(dǎo)體裝置202之前，能先測(cè)試互連結(jié)構(gòu)440及電性互連件^Oa及260b。 因此，半導(dǎo)體裝置202將裝設(shè)(例如圖4M所示)至性能令人滿意的互連結(jié)構(gòu)440及電性互連件沈如及沈此。經(jīng)由移除有缺陷的互連結(jié)構(gòu)，可有利地防止或減少起因于互連結(jié)構(gòu)的制造良率損失而造成的半導(dǎo)體裝置202損失，其中制造良率損失例如是因圖案化失誤而造成的良率損失。接著，如圖4M所示，將半導(dǎo)體裝置202設(shè)置成毗鄰于互連接構(gòu)440的上表面442。 半導(dǎo)體裝置202能以覆晶(flip-chip)方式連結(jié)，以使半導(dǎo)體裝置202通過(guò)連接件21 及 212b電性連接至圖案化導(dǎo)電層450及電性互連件^Oa及^0b。如先前所述，于一實(shí)施例中，可選擇性地填充底膠層213于半導(dǎo)體裝置202的下表面204及層狀物430之間接著，如圖4N所示，能敷設(shè)模塑材料以形成模造結(jié)構(gòu)480。該模造結(jié)構(gòu)480能實(shí)質(zhì)上覆蓋或包覆半導(dǎo)體裝置202的上表面206及旁側(cè)表面208與210。該造結(jié)構(gòu)480亦能實(shí)質(zhì)上覆蓋或包覆該些電性互連件^Oa及^Ob其分別的旁側(cè)表面及及上表面沈6&及^6b。形成模造結(jié)構(gòu)480的模塑材料能例如包含酚醛基樹(shù)脂、環(huán)氧基樹(shù)脂、硅基樹(shù)脂或另一合適的包覆料。亦能包含如粉狀二氧化硅的合適的填充劑。模造結(jié)構(gòu)480能使用多種如射出成型(injection molding)的模塑技術(shù)中的任何技術(shù)來(lái)形成。一經(jīng)敷設(shè)，則硬化或固化該模塑材料，例如經(jīng)由將溫度降低至模塑材料的熔點(diǎn)以下，從而形成模造結(jié)構(gòu)480。 為了于后續(xù)切單作業(yè)期間促成模造結(jié)構(gòu)480恰當(dāng)定位，于模造結(jié)構(gòu)480中形成基準(zhǔn)標(biāo)記，例如使用激光標(biāo)記。接著，如圖40所示，于模造結(jié)構(gòu)480中形成開(kāi)口 21 及215b。該些開(kāi)口 21 及 215b能毗鄰于模造結(jié)構(gòu)480的上表面482，且能外露該些電性互連件^Oa及^Ob其分別的上表面沈6&及沈乩。距離27 指的是從電性互連件^Oa的上表面至下表面沈加間的距離，而距離274b指的是從電性互連件^Ob的上表面至下表面間的距離。 距離434指的是從由互連結(jié)構(gòu)440的上表面442所定義的平面247至互連結(jié)構(gòu)440的下表面443間的距離。于一實(shí)施例中，根據(jù)該些電鍍層256a及256b其分別的上表面257a及 257b的其中至少一者定義平面M7。但是可替代地，距離434亦能為上表面442的不同部分至下表面443間的距離。距離27 及274b的其中至少一者能大于該距離434。毗鄰于模造結(jié)構(gòu)480的上表面482能經(jīng)由鉆孔移除模造結(jié)構(gòu)480的一部分，而形成開(kāi)口 21 及215b。使用激光鉆孔比機(jī)械鉆孔有利，使得因鉆孔而對(duì)由該模造結(jié)構(gòu)480包覆的結(jié)構(gòu)(例如電性互連件沈0、互連結(jié)構(gòu)440及半導(dǎo)體裝置202)造成傷害的可能性達(dá)到最小化。接著，如圖4P所示，形成連接組件四加及四213。該些連接組件四加及能實(shí)質(zhì)上分別填滿開(kāi)口 21 及2Mb。于一實(shí)施例中，連接組件292能突出于由模造結(jié)構(gòu)480 的上表面482定義的平面483之外。該些連接組件四加及能分別電性連接至該些電性互連件^Oa及^K)b。如先前所述，連接組件四加及能由焊料膏形成，其中焊料膏能包含錫、銅及其它各種合適材料的其中至少一者。另能經(jīng)過(guò)印刷、塞入、電鍍或經(jīng)過(guò)其它合適技術(shù)形成連接組件四加及^2b。有利地，連接組件四加及四213形成于鉆入該模造結(jié)構(gòu)480內(nèi)的開(kāi)口 21 及215b 中。如此將省下處理步驟，例如于圖4M之后敷設(shè)及圖案化另一光阻層，于圖案化光阻層中的開(kāi)口中形成連接組件四2，去除光阻層，再敷設(shè)模造結(jié)構(gòu)480。自將開(kāi)口 215鉆入該模造結(jié)構(gòu)480起，于圖4M之后毋需產(chǎn)生額外的光阻層。接著，如圖4Q所示，移除承載件400而外露導(dǎo)電層450。再毗鄰于導(dǎo)電層450形成保護(hù)層484。另能以相仿于如先前所述的保護(hù)層觀4的方式來(lái)形成保護(hù)層484。雖然圖4M 中繪示單一保護(hù)層觀4，對(duì)于其它實(shí)施方式而言應(yīng)考慮到能包含多個(gè)保護(hù)層。于保護(hù)層484 中的開(kāi)口，例如開(kāi)口觀63及觀613，能外露導(dǎo)電層450的部分。還能圖案化保護(hù)層484以形成開(kāi)口觀6&及觀613，此與先前所述的層狀物430圖案化相仿。接下來(lái)如圖4R所示沿虛線實(shí)行切單。于所繪示的實(shí)施例中，能使用形成切縫492 的鋸子(未顯示)實(shí)行切單。于切單期間鋸子能經(jīng)由基準(zhǔn)標(biāo)記輔助其對(duì)準(zhǔn)，當(dāng)形成切縫492 時(shí)該基準(zhǔn)標(biāo)記能使該鋸子恰當(dāng)定位。再者，將切縫492完全延伸穿透模造結(jié)構(gòu)480、互連結(jié)構(gòu)440及保護(hù)層484，從而將模造結(jié)構(gòu)480、互連結(jié)構(gòu)440及保護(hù)層484細(xì)分成分離的單元， 其包含封裝件主體214、互連單元240及保護(hù)層觀4。于切單后，如圖4S所示，如焊料凸塊的外部連接件能電性連接至互連單元對(duì)0，該互連單元240例如分別于開(kāi)口觀6&及觀6匕中的電性接觸件四如及四仙。雖已參照本發(fā)明的特定實(shí)施例描述本發(fā)明，通常知識(shí)者仍應(yīng)理解到，可能在不悖離由權(quán)利要求書(shū)所定義的本發(fā)明的真實(shí)精神及范疇內(nèi)進(jìn)行各種變更以及替換均等物。此外，能進(jìn)行許多修飾以使特殊狀態(tài)、材料、事物的布局、方法或處理適應(yīng)于本發(fā)明的對(duì)象、精神及范疇。所有如此的修飾皆意指落入權(quán)利要求書(shū)的范疇內(nèi)。尤其，雖已參照以特定順序?qū)嵤┑奶囟ㄗ鳂I(yè)于此描述該方法，將理解到能結(jié)合、細(xì)分、重新排序該些作業(yè)，以形成均等方法而不悖離本發(fā)明的教示。因此，除非于此特別指出以外，該些作業(yè)的順序及集合并非本發(fā)明的限制。
權(quán)利要求
1.一種半導(dǎo)體裝置封裝件，包括一互連單元，包括一上表面；及一第一圖案化導(dǎo)電層，實(shí)質(zhì)上旁側(cè)延伸于該互連單元內(nèi)；一電性互連件，實(shí)質(zhì)上垂直延伸自該第一圖案化導(dǎo)電層，且包括(a) —上表面；及(b) 毗鄰于該第一圖案化導(dǎo)電層一上表面的一下表面；一第一半導(dǎo)體裝置，設(shè)置成毗鄰于該互連單元的該上表面且電性連接至該第一圖案化導(dǎo)電層；一封裝件主體，實(shí)質(zhì)上設(shè)置成覆蓋該互連單元與該第一半導(dǎo)體裝置的該上表面，該封裝件主體毗鄰于該封裝件主體的一上表面定義有一第一開(kāi)口而外露該電性互連件的該上表面；以及一連接組件，電性連接至該第一半導(dǎo)體裝置并實(shí)質(zhì)上填滿該第一開(kāi)口，且該連接組件外露于該半導(dǎo)體裝置封裝件的一外部周圍；其中，該電性互連件的該上表面定義出一第一平面于一第二平面之上及于一第三平面之下，該第二平面由該互連單元的該上表面的至少一部分所定義，該第三平面由該封裝件主體的該上表面所定義。
2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置封裝件，其中該互連單元進(jìn)一步包括一第一層狀物，該第一層狀物毗鄰于該第一圖案化導(dǎo)電層的該上表面；該第一層狀物包括一第二開(kāi)口，該第二開(kāi)口毗鄰于該第一圖案化導(dǎo)電層的該上表面；以及該電性互連件實(shí)質(zhì)上填滿該第二開(kāi)口。
3.如權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體裝置封裝件，其中該第一層狀物包括一第三開(kāi)口，該第三開(kāi)口從該第一層狀物的一上表面延伸至該第一層狀物的一下表面；以及該第三開(kāi)口對(duì)準(zhǔn)于該第一半導(dǎo)體裝置的一接觸墊。
4.如權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體裝置封裝件，其中，該互連單元進(jìn)一步包括一表面處理層，該表面處理層毗鄰于該第一圖案化導(dǎo)電層的該上表面且設(shè)置于該第三開(kāi)口中。
5.如權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體裝置封裝件，其中，該第二平面由該表面處理層的一上表面所定義。
6.如權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體裝置封裝件，其中，該第一平面位于一第四表面上方，該第四表面由該第一層狀物的一上表面所定義。
7.如權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體裝置封裝件，其中，該連接組件一經(jīng)熔化的導(dǎo)電凸塊，且電性連接該第一半導(dǎo)體裝置及一第二半導(dǎo)體裝置。
8.如權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體裝置封裝件，其中該第一開(kāi)口包括一第一部分，該第一部分毗鄰于該電性互連件的該上表面；以及該第一開(kāi)口的該第一部分具有一第一寬度，該第一寬度小于該電性互連件的該上表面的一第二寬度。
9.如權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體裝置封裝件，其中該第一開(kāi)口包括一第二部分，該第二部分毗鄰于該第三平面；以及該第一開(kāi)口的該第二部分具有一第三寬度，該第三寬度大于該第一寬度。
10.一種堆棧裝置組合，包括 一半導(dǎo)體裝置封裝件，包括 一互連單元，包括一上表面一第一半導(dǎo)體裝置，設(shè)置成毗鄰于該互連單元的該上表面且電性連接至該互連單元； 及一封裝件主體，設(shè)置成毗鄰于該互連單元的該上表面且實(shí)質(zhì)上覆蓋該第一半導(dǎo)體裝置，該封裝件主體包括一上表面且定義有設(shè)置成毗鄰于該封裝件主體的該上表面的一開(kāi)π ；一第二半導(dǎo)體裝置，設(shè)置成毗鄰于該封裝件主體的該上表面；以及一堆棧組件，延伸經(jīng)過(guò)該封裝件主體中的該開(kāi)口且電性連接該第一半導(dǎo)體裝置及該第二半導(dǎo)體裝置，該堆棧組件包括一電性互連件，包括一上表面且實(shí)質(zhì)上垂直延伸自該互連單元；及一經(jīng)熔化的導(dǎo)電凸塊，至少通過(guò)該電性互連件而電性連接至該第一半導(dǎo)體裝置，且實(shí)質(zhì)上填滿該開(kāi)口，該經(jīng)熔化的導(dǎo)電凸塊則外露于該堆棧裝置組合的一外部周圍；其中，該電性互連件的該上表面定義出一第一平面于一第二平面之上及于一第三平面之下，該第二平面由該互連單元的上表面的至少一部分所定義，該第三平面由該封裝件主體的該上表面所定義。
11.如權(quán)利要求10所述的堆棧裝置組合，其中，該半導(dǎo)體裝置封裝件包括一圖案化導(dǎo)電層，該圖案化導(dǎo)電層設(shè)置成毗鄰于該封裝件主體的該上表面，且其中該第二半導(dǎo)體裝置至少通過(guò)該圖案化導(dǎo)電層而電性連接至該經(jīng)熔化的導(dǎo)電凸塊。
12.如權(quán)利要求10所述的堆棧裝置組合，進(jìn)一步包括一第二半導(dǎo)體封裝件，該第二半導(dǎo)體封裝件包括該第二半導(dǎo)體裝置；以及一圖案化導(dǎo)電層，包括一下表面；其中，該第二半導(dǎo)體裝置至少通過(guò)該圖案化導(dǎo)電層而電性連接至該經(jīng)熔化的導(dǎo)電凸塊。
13.如權(quán)利要求12所述的堆棧裝置組合，其中，該經(jīng)熔化的導(dǎo)電凸塊突出于該封裝件本體的該上表面之外且毗鄰于該圖案化導(dǎo)電層的該下表面。
14.一種形成半導(dǎo)體裝置封裝件的方法，包括 提供一第一半導(dǎo)體裝置；形成一互連結(jié)構(gòu)，該互連結(jié)構(gòu)包括 一上表面； 一下表面；及一圖案化導(dǎo)電層，實(shí)質(zhì)上旁側(cè)延伸于該互連結(jié)構(gòu)內(nèi)；形成一電性互連件，該電性互連件包括一上表面及一下表面，該下表面毗鄰于該圖案化導(dǎo)電層的一上表面，其中該電性互連件實(shí)質(zhì)上垂直延伸自該圖案化導(dǎo)電層；設(shè)置該第一半導(dǎo)體裝置毗鄰于該互連結(jié)構(gòu)的該上表面，以使該第一半導(dǎo)體裝置電性連接至該圖案化導(dǎo)電層；敷設(shè)一模塑材料以形成實(shí)質(zhì)上覆蓋該電性互連件的該上表面及該第一導(dǎo)體裝置的一模造結(jié)構(gòu)；于該模造結(jié)構(gòu)中形成一第一開(kāi)口，該第一開(kāi)口為毗鄰于該模造結(jié)構(gòu)的一上表面且外露該電性互連件的該上表面，其中從該電性互連件的該上表面至該電性互連件的該下表面間的一第一距離，大于從該互連結(jié)構(gòu)的該上表面至該互連結(jié)構(gòu)的該下表面間的一第二距離； 以及形成一第一連接組件，電性連接至該電性互連件且實(shí)質(zhì)上填滿該第一開(kāi)口。
15.如權(quán)利要求14所述的方法，其中，于形成該互連結(jié)構(gòu)及形成該電性互連件之后，設(shè)置該第一半導(dǎo)體裝置。
16.如權(quán)利要求14所述的方法，其中，形成該互連結(jié)構(gòu)包括形成一第一層狀物，包括(a) —下表面，設(shè)置成毗鄰于該圖案化導(dǎo)電層；及(b) —上表面，相對(duì)于該第一層狀物的該下表面；以及形成一第二開(kāi)口，自該第一層狀物的該上表面延伸至該第一層狀物的該下表面，其中該第二開(kāi)口外露該圖案化導(dǎo)電層的該上表面；其中，該第一層狀物包括一介電材料或一防焊阻劑材料。
17.如權(quán)利要求16所述的方法，其中，形成該電性互連件包括將一光阻材料敷設(shè)于該第一層狀物的該上表面，以毗鄰于該第一層狀物形成一光阻層；圖案化該光阻層，以定義一第三開(kāi)口，該第三開(kāi)口外露該圖案化導(dǎo)電層的該上表面；將一導(dǎo)電材料敷設(shè)進(jìn)該光阻層中的該第三開(kāi)口內(nèi)以及敷設(shè)進(jìn)該第一層狀物中的該第二開(kāi)口內(nèi)，以形成該電性互連件；以及去除該光阻層；其中，該光阻層的該上表面定義一第一平面，該第一平面位于一第二平面之上，該第二平面由該電性互連件的該上表面所定義。
18.如權(quán)利要求14所述的方法，其中，于該模造結(jié)構(gòu)中形成該第一開(kāi)口包括以激光鉆孔移除毗鄰于該模造結(jié)構(gòu)的該上表面的該模造結(jié)構(gòu)的一部分。
19.如權(quán)利要求14所述的方法，進(jìn)一步包括經(jīng)由結(jié)合該第一連接組件及電性連接至一第二半導(dǎo)體裝置的一第二連接組件而形成一經(jīng)熔化的導(dǎo)電凸塊，其中該第一連接組件突出于由該模造結(jié)構(gòu)的該上表面所定義的一第三平面。
20.如權(quán)利要求14所述的方法，其中該第一開(kāi)口的一第一高度大于該電性互連件的一第二高度；以及該第一高度實(shí)質(zhì)上小于等于400微米。
全文摘要
本發(fā)明提出了一種具扇出且具堆棧用連接組件的半導(dǎo)體裝置封裝件及其制法。該半導(dǎo)體裝置封裝件的實(shí)施例包括(1)包含一圖案化導(dǎo)電層的一互連單元；(2)實(shí)質(zhì)上垂直延伸自導(dǎo)電層的一電性互連件；(3)毗鄰于互連單元且電性連接至導(dǎo)電層的一半導(dǎo)體裝置；(4)一封裝件主體(a)實(shí)質(zhì)上覆蓋互連單元的上表面及該裝置；以及(b)毗鄰于封裝件主體的上表面定義一開(kāi)口，并外露互連件的上表面；以及(5)電性連接至裝置，實(shí)質(zhì)上填滿開(kāi)口，且外露于裝置封裝件的外部周圍的一連接組件?；ミB件的上表面于一第二平面之上及于一第三平面之下定義出一第一平面，第二平面由互連單元的上表面的至少一部分所定義，第三平面由封裝件主體的上表面所定義。
文檔編號(hào)H01L21/50GK102214615SQ20111004327
公開(kāi)日2011年10月12日 申請(qǐng)日期2011年2月15日 優(yōu)先權(quán)日2010年4月2日
發(fā)明者丁一權(quán), 陳家慶 申請(qǐng)人:日月光半導(dǎo)體制造股份有限公司