專利名稱：一種鉑電阻芯片及鉑電阻芯片的制備方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及芯片及制備方法，具體涉及一種鉬電阻芯片及鉬電阻芯片的制備方法。
背景技術(shù)：
PtlOOO鉬電阻芯片是熱量表配對鉬電阻溫度傳感器的核心元件。目前國內(nèi)尚不能生產(chǎn)，大部分生產(chǎn)配對鉬電阻溫度傳感器的廠家均需向日本或德國進(jìn)口，以致國家每年要花大量的外匯，而且進(jìn)口價(jià)格也居高不下，傳統(tǒng)鉬電阻芯片生產(chǎn)工藝是將高純度金屬鉬細(xì)絲用手工纏繞的方式繞在云母或石英玻璃骨架上，然后用電阻焊將細(xì)絲與引線焊接牢固， 外面再封裝玻璃或石英套管，傳統(tǒng)技術(shù)存在生產(chǎn)效率低，成本高，禮(芯片o°c時(shí)的電阻值) 分散性大，不適宜大規(guī)模生產(chǎn)的缺陷。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是提供一種結(jié)構(gòu)簡單，成本低，生產(chǎn)效率高，0°C時(shí)的電阻值分散性小，適合批量大規(guī)模生產(chǎn)的一種鉬電阻芯片。本發(fā)明的另一目的是提供一種鉬電阻芯片的制備方法。為了克服傳統(tǒng)技術(shù)的不足，本發(fā)明的技術(shù)方案是這樣解決的一種鉬電阻芯片包括在陶瓷基片3上沉積有鉬絲電阻體2，所述在鉬絲電阻體2上切割成長方鋸齒形電阻細(xì)絲 1，所述電阻體2設(shè)有引線焊接點(diǎn)4，引線焊接點(diǎn)4 一端與電阻細(xì)絲1連接，另一端與鍍鉬鎳線引線連接，所述陶瓷基片3的長為3. 2士0. 1mm，寬為2. 1 士0. 1mm，厚為1.0士0. 1mm，鍍鉬鎳線引線長度為10士 1mm，引線直徑Φ0. 2士0.02mm。一種鉬電阻芯片的制備方法，按下述步驟進(jìn)行
1 )、按質(zhì)量比稱取50% 55%純金屬鉬粉與45% 50%氫氟酸，經(jīng)充分?jǐn)嚢柚瞥杉兘饘巽f漿料；
2)、采用激光噴濺工藝將純金屬鉬漿料噴濺到陶瓷基片上，形成1.5mm 2mm厚的
純鉬金薄膜層；
3)、用激光切割工藝將陶瓷基片上鉬金層切割成線條寬度為0.08mm 0.13 mm細(xì)絲；其細(xì)絲間隔距離為0. 08mm 0. 13 mm ；
4)、采用激光切割工藝調(diào)整細(xì)絲的阻值，通過激光切割控制細(xì)絲的疏密度以修正電阻 R0,電阻Rtl值為1000歐姆士0. 06歐姆，電阻值采用電橋測量法進(jìn)行測量；
5)、將修正Rtl電阻值后的陶瓷基片細(xì)絲的兩端焊接鍍鉬鎳線作為引線，在溫度 iioo°c i5oo°c的燒結(jié)爐中同時(shí)被燒結(jié)在基片上，薄膜表面覆蓋以燒結(jié)的陶瓷，即制備成 PtlOOO鉬電阻芯片。本發(fā)明與傳統(tǒng)技術(shù)本質(zhì)的區(qū)別在于是將純金屬鉬漿料用激光噴濺方法將金屬鉬噴濺到陶瓷基片上，用激光切割工藝將陶瓷基片上鉬金層切割成線條作為電阻絲，電阻絲兩端焊接鍍鉬鎳線作為引線，并進(jìn)行燒結(jié)，制成PtlOOO鉬電阻芯片。而傳統(tǒng)鉬電阻溫度傳感器的生產(chǎn)工藝是將高純度金屬鉬細(xì)絲用手工纏繞的方式繞在云母或石英玻璃骨架上，然后用電阻焊將細(xì)絲與引線焊接牢固，外面再封裝玻璃或石英套管而成。顯然本發(fā)明具有結(jié)構(gòu)簡單、成本低廉、生產(chǎn)效率高，0°c時(shí)的電阻值Rtl分散性小，長期穩(wěn)定性好，防振動(dòng)和防沖擊性良好，適合批量大規(guī)模生產(chǎn)等優(yōu)點(diǎn)，廣可泛用于制造各種不同規(guī)格及各種不同金屬材質(zhì)的電阻芯片。本發(fā)明的技術(shù)參數(shù)為
1、產(chǎn)品性能符合IEC751-1995和JIS1604標(biāo)準(zhǔn)；
2、測溫范圍-50°C 450°C；
3、公稱壓力0.6mpa ；
4、外形尺寸3，2mmX2.ImmX 1. Omm (長 X 寬 X 高)；
5、精度與等級(jí)
A 級(jí)允許誤差(單位°C) 士( 0. 15+0. 002t)； B 級(jí)允許誤差(單位°C) 士( 0. 30+0. 005t)； 其中t是被測溫度值(單位°C)
6、R0電阻值一致性好、偏差小，95%以上都能達(dá)到A級(jí)士0.06 W的精度； 精度等級(jí)
A 級(jí)1000士0. 06W
B 級(jí)1000士0.12W
7、耐高溫性可長期工作在30(TC，且性能穩(wěn)定；
8、具有良好的防振動(dòng)和防沖擊性
抗振動(dòng)等級(jí)> 40g加速度(10 2000HZ)；
9、具有良好的絕緣性
絕緣電阻20°C時(shí) >100 M ； 500°C時(shí) >2 M ；
10、長期穩(wěn)定性<0.1°C (250 小時(shí) / IOO0C)； 1 1、電阻溫度 / 系數(shù)RlOO / R0=L 3851;
其中Rtl為鉬電阻芯片0°C時(shí)阻值，RlOO為鉬電阻芯片100°C時(shí)阻值。


圖1為本發(fā)明陶瓷基片細(xì)絲放大結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實(shí)施例方式附圖為本發(fā)明的實(shí)施例。下面結(jié)合附圖和實(shí)施例對發(fā)明內(nèi)容作進(jìn)一步說明 實(shí)施例1
參照圖1所示，一種鉬電阻芯片在陶瓷基片3上沉積有鉬絲電阻體2，所述在鉬絲電阻體2上切割成長方鋸齒形電阻細(xì)絲1，所述電阻體2設(shè)有引線焊接點(diǎn)4，引線焊接點(diǎn)4 一端與電阻細(xì)絲1連接，另一端與鍍鉬鎳線引線連接，所述陶瓷基片3的長為3. 2士0. 1mm，寬為 2. 1 士0. 1mm，厚為1. 0士0. 1mm，鍍鉬鎳線引線長度為10士 1_，引線直徑Φ0. 2士0. 02mm。一種鉬電阻芯片的制備方法，按下述步驟進(jìn)行1 )、按質(zhì)量比稱取50% 55%純金屬鉬粉與45% 50%氫氟酸，經(jīng)充分?jǐn)嚢柚瞥杉兘饘巽f漿料；
2)、采用激光噴濺工藝將純金屬鉬漿料噴濺到陶瓷基片上，以形成1.5mm 2mm厚的純鉬金薄膜層；
3)、用激光切割工藝將陶瓷基片上鉬金層切割成線條寬度為0.08mm 0.13 mm細(xì)絲；其細(xì)絲間隔距離為0. 08mm 0. 13 mm ；
4)、采用激光切割工藝調(diào)整細(xì)絲的阻值，通過激光切割控制細(xì)絲的疏密度以修正電阻R0，電阻Rtl值為1000歐姆士0. 06歐姆，電阻值采用電橋測量法進(jìn)行測量；
5)、將修正Rtl電阻值后的陶瓷基片細(xì)絲的兩端焊接鍍鉬鎳線作為引線，在溫度 iioo°c i5oo°c的燒結(jié)爐中同時(shí)被燒結(jié)在基片上，薄膜表面覆蓋以燒結(jié)的陶瓷，即制備成 PtlOOO鉬電阻芯片。實(shí)施例2
一種鉬電阻芯片的制備方法，按下述步驟進(jìn)行
1 )、按質(zhì)量比稱取52% 54%純金屬鉬粉與46% 48%氫氟酸，經(jīng)充分?jǐn)嚢柚瞥杉兘饘巽f漿料；
2)、采用激光噴濺工藝將純金屬鉬漿料噴濺到陶瓷基片上，形成1.5mm 2mm厚的
純鉬金薄膜層；
3)、用激光切割工藝將陶瓷基片上鉬金層切割成線條寬度為0.09mm 0.12 mm細(xì)絲；其細(xì)絲間隔距離為0. 09mm 0. 12 mm ；
4)、采用激光切割工藝調(diào)整細(xì)絲的阻值，通過激光切割控制細(xì)絲的疏密度以修正電阻R。，電阻Rtl值為1000歐姆士0. 06歐姆，電阻值采用電橋測量法進(jìn)行測量；
5)、將修正Rtl電阻值后的陶瓷基片細(xì)絲的兩端焊接鍍鉬鎳線作為引線，在溫度 1150°C 1300°C的燒結(jié)爐中同時(shí)被燒結(jié)在基片上，薄膜表面覆蓋以燒結(jié)的陶瓷，即制備成 PtlOOO鉬電阻芯片。實(shí)施例3
一種鉬電阻芯片的制備方法，按下述步驟進(jìn)行
1)、按質(zhì)量比稱取53%純金屬鉬粉與47%氫氟酸，經(jīng)充分?jǐn)嚢柚瞥杉兘饘巽f漿料；
2)、采用激光噴濺工藝將純金屬鉬漿料噴濺到陶瓷基片上，形成2mm厚的純鉬金
薄膜層；
3)、用激光切割工藝將陶瓷基片上鉬金層切割成線條寬度為0. Imm細(xì)絲；其細(xì)絲間隔距離為0. Imm ；
4)、采用激光切割工藝調(diào)整細(xì)絲的阻值，通過激光切割控制細(xì)絲的疏密度以修正電阻 R。，電阻Rq值為1000歐姆士0. 06歐姆，電阻值采用電橋測量法進(jìn)行測量；
5)、將修正Rtl電阻值后的陶瓷基片細(xì)絲的兩端焊接鍍鉬鎳線作為引線，在溫度1200°C 的燒結(jié)爐中同時(shí)被燒結(jié)在基片上，薄膜表面覆蓋以燒結(jié)的陶瓷，即制備成PtlOOO鉬電阻芯片。實(shí)施例4
一種鉬電阻芯片的制備方法，按下述步驟進(jìn)行
1)、按質(zhì)量比稱取50%純金屬鉬粉與50%氫氟酸，經(jīng)充分?jǐn)嚢柚瞥杉兘饘巽f漿料；2)、采用激光噴濺工藝將純金屬鉬漿料噴濺到陶瓷基片上，形成2mm厚的純鉬金
薄膜層；
3)、用激光切割工藝將陶瓷基片上鉬金層切割成線條寬度為0.Imm細(xì)絲；其細(xì)絲間隔距離為0. Imm ；
4)、采用激光切割工藝調(diào)整細(xì)絲的阻值，通過激光切割控制細(xì)絲的疏密度以修正電阻R。，電阻Rtl值為1000歐姆士0. 06歐姆，電阻值采用電橋測量法進(jìn)行測量；
5)、將修正Rtl電阻值后的陶瓷基片細(xì)絲的兩端焊接鍍鉬鎳線作為引線，在溫度1200°C 的燒結(jié)爐中同時(shí)被燒結(jié)在基片上，薄膜表面覆蓋以燒結(jié)的陶瓷，即制備成PtlOOO鉬電阻芯片。 綜上所述，利用本發(fā)明的技術(shù)方案除了用純金屬鉬制造電阻芯片外，還可用其他純金屬材料與氫氟酸混合制成純金屬漿料，再用步驟2) 步驟5)的方法制造各種不同規(guī)格及各種不同金屬材質(zhì)的電阻芯片，若采用本發(fā)明的技術(shù)方案制造各種不同規(guī)格及各種不同金屬材質(zhì)制造的電阻芯片，同樣屬于本發(fā)明的保護(hù)范圍。
權(quán)利要求
1.一種鉬電阻芯片，其特征在于該鉬電阻芯片包括在陶瓷基片3上沉積有鉬絲電阻體 2，所述在鉬絲電阻體2上切割成長方鋸齒形電阻細(xì)絲1，所述電阻體2設(shè)有引線焊接點(diǎn)4， 引線焊接點(diǎn)4 一端與電阻細(xì)絲1連接，另一端與鍍鉬鎳線引線連接，所述陶瓷基片3的長為 3. 2士0. 1mm，寬為2. 1 士0. 1mm，厚為1.0士0. 1mm，鍍鉬鎳線引線長度為10士 1mm，引線直徑 Φ0. 2 士 0. 02mm。
2.—種權(quán)利要求1所述的鉬電阻芯片的制備方法，其特征在按下述步驟進(jìn)行·1 )、按質(zhì)量比稱取50% 55%純金屬鉬粉與45% 50%氫氟酸，經(jīng)充分?jǐn)嚢柚瞥杉兘饘巽f漿料；·2)、采用激光噴濺工藝將純金屬鉬漿料噴濺到陶瓷基片上，形成1.5mm 2mm厚的純鉬金薄膜層；·3)、用激光切割工藝將陶瓷基片上鉬金層切割成線條寬度為0.08mm 0.13 mm細(xì)絲；其細(xì)絲間隔距離為0. 08mm 0. 13 mm的相應(yīng)結(jié)構(gòu)；·4)、采用激光切割工藝調(diào)整細(xì)絲的阻值，通過激光切割控制細(xì)絲的疏密度以修正電阻R。，電阻Rq值為1000歐姆士0. 06歐姆，電阻值采用電橋測量法進(jìn)行測量； 5)、將修正電阻Rtl值后的陶瓷基片細(xì)絲的兩端焊接鍍鉬鎳線作為引線，在溫度 iioo°c i5oo°c的燒結(jié)爐中同時(shí)被燒結(jié)在基片上，薄膜表面覆蓋以燒結(jié)的陶瓷，即制備成 PtlOOO鉬電阻芯片。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種鉬電阻芯片的制備方法，其特征按下述步驟進(jìn)行·1 )、按質(zhì)量比稱取52% 54%純金屬鉬粉與46% 48%氫氟酸，經(jīng)充分?jǐn)嚢柚瞥杉兘饘巽f漿料；·2)、采用激光噴濺工藝將純金屬鉬漿料噴濺到陶瓷基片上，形成1.5mm 2mm厚的純鉬金薄膜層；·3)、用激光切割工藝將陶瓷基片上鉬金層切割成線條寬度為0.09mm 0.12 mm細(xì)絲；其細(xì)絲間隔距離為0. 09mm 0. 12 mm ；·4)、采用激光切割工藝調(diào)整細(xì)絲的阻值，通過激光切割控制細(xì)絲的疏密度以修正電阻 ，電阻Rq值為1000歐姆士0. 06歐姆，電阻值采用電橋測量法進(jìn)行測量；·5)、將修正Rtl電阻值后的陶瓷基片細(xì)絲的兩端焊接鍍鉬鎳線作為引線，在溫度 1150°C 1300°C的燒結(jié)爐中同時(shí)被燒結(jié)在基片上，薄膜表面覆蓋以燒結(jié)的陶瓷，即制備成 PtlOOO鉬電阻芯片。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種鉑電阻芯片及制備方法。該鉑電阻芯片包括在陶瓷基片3上沉積鉑絲電阻體，鉑絲電阻體上切割成長方鋸齒形電阻細(xì)絲，電阻體設(shè)引線焊接點(diǎn)，引線焊接點(diǎn)一端與電阻細(xì)絲連接，另一端與鍍鉑鎳線引線連接。方法包括按質(zhì)量比稱取純金屬鉑粉與氫氟酸混合，攪拌制成純金屬鉑漿料；采用激光噴濺工藝將純金屬鉑漿料噴射到陶瓷基片上；用激光切割鉑金層成細(xì)絲；用激光調(diào)整細(xì)絲的阻值，細(xì)絲兩端焊接鍍鉑鎳線作為引線，與基片呈一體化獨(dú)石結(jié)構(gòu)，即成ptl000鉑電阻芯片。結(jié)構(gòu)簡單，成本低，生產(chǎn)效率高，電阻值分散性小，測溫范圍-50℃～450℃；耐高溫性可長期工作在300℃，廣泛用于制造各種不同規(guī)格及不同金屬材質(zhì)的電阻芯片。
文檔編號(hào)H01C17/00GK102176356SQ201110048220
公開日2011年9月7日 申請日期2011年3月1日 優(yōu)先權(quán)日2011年3月1日
發(fā)明者吳新潮, 段利慶 申請人:西安天衡計(jì)量儀表有限公司