專利名稱：有機(jī)發(fā)光顯示裝置及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及有機(jī)發(fā)光顯示裝置及其制造方法。
背景技術(shù)：
有機(jī)發(fā)光顯示裝置不僅能做到輕薄，還具有視角廣、響應(yīng)速度快以及電耗低等優(yōu)點(diǎn)，因而，其作為下一代顯示裝置而受人矚目。另外，實(shí)現(xiàn)出全彩(full color)的有機(jī)發(fā)光顯示裝置采用光學(xué)共振結(jié)構(gòu)，所述光學(xué)共振結(jié)構(gòu)使各個波長的光學(xué)長度發(fā)生變化，所述各個波長的光學(xué)長度是從不同顏色的各個像素(例如，紅色像素、綠色像素、藍(lán)色像素)的有機(jī)發(fā)光層射出的。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供一種光特性以及器件特性優(yōu)良，且制造工序簡單的有機(jī)發(fā)光顯示裝置及其制造方法。根據(jù)本發(fā)明一方面，本發(fā)明提供一種有機(jī)發(fā)光顯示裝置，包括緩沖層，設(shè)置于基板上，并包括折射率不同的多個絕緣膜，所述多個絕緣膜中的至少一個在同一面上形成為不同的厚度；薄膜晶體管的活性層，形成于所述緩沖層的厚度較厚的區(qū)域；像素電極，形成于所述緩沖層的厚度較薄的區(qū)域；薄膜晶體管的柵電極、源電極以及漏電極，所述柵電極隔著柵絕緣膜形成于所述活性層上，所述源電極以及漏電極連接于所述活性層；發(fā)光層，形成于所述像素電極上；以及相對電極，隔著所述發(fā)光層，與所述像素電極相對地設(shè)置。根據(jù)本發(fā)明的另一特征，在所述多個絕緣膜中，形成為具有不同厚度的膜可以是所述緩沖層中的最上層膜。根據(jù)本發(fā)明的另一特征，所述緩沖層中的最上層膜氫含量相比于所述最上層膜的下部膜低。根據(jù)本發(fā)明的另一特征，所述活性層包括多晶硅，所述緩沖層中的最上層膜的下部膜，填充至所述多晶硅的缺陷位置，從而可以矯正缺陷。根據(jù)本發(fā)明的另一特征，所述緩沖層中的最上層膜以及所述最上層膜的下部膜， 分別可以是氧化硅以及氮化硅。根據(jù)本發(fā)明的另一特征，所述緩沖層中厚度較厚的區(qū)域的截面形狀，與所述活性層的蝕刻面的截面可以相同。根據(jù)本發(fā)明的另一特征，所述多個絕緣膜中，相互鄰近的膜的折射率可以不同。根據(jù)本發(fā)明的另一特征，所述柵絕緣膜可以包括多個折射率不同的膜。根據(jù)本發(fā)明的另一特征，在所述柵絕緣膜的多個膜可以為，接觸所述活性層的膜的氫含量相比不接觸所述活性層的膜低。根據(jù)本發(fā)明的另一特征，所述活性層包括多晶硅，不接觸于所述活性層的膜填充至所述多晶硅的缺陷位置，從而可以矯正所述缺陷。根據(jù)本發(fā)明的另一特征，在所述柵絕緣膜的多個膜中，接觸所述活性層的膜以及不接觸所述活性層的膜分別可以是氧化硅以及氮化硅。根據(jù)本發(fā)明的另一特征，所述像素電極可以為透明電極，所述相對電極可以為反射電極。根據(jù)本發(fā)明的另一特征，還可包括電容器的下部電極和電容器的上部電極。所述下部電極形成于與所述活性層相同的層中，所述緩沖層的厚度較厚的區(qū)域，所述上部電極形成于與所述柵電極相同的層。根據(jù)本發(fā)明的另一特征，所述下部電極的端部，與所述緩沖層的厚度厚的區(qū)域的端部的蝕刻面形狀可以相同。根據(jù)本發(fā)明的另一特征，所述下部電極包括多晶硅，所述柵絕緣膜的多個膜可以為，接觸所述下部電極的膜的氫含量，相比不接觸于所述下部電極的其他膜低。根據(jù)本發(fā)明的另一特征，接觸于所述下部電極的膜以及不接觸于所述下部電極的膜，分別可以是氧化硅以及氮化硅。根據(jù)本發(fā)明另一方面，本發(fā)明提供一種有機(jī)發(fā)光顯示裝置的制造方法，包括在基板上形成緩沖層，所述緩沖層包括折射率不同的多個絕緣膜；在所述緩沖層上形成半導(dǎo)體層之后圖案化所述半導(dǎo)體層，從而形成活性層，所述緩沖層被形成為形成有所述活性層的區(qū)域相比于未形成有所述活性層的區(qū)域，厚度還厚；形成柵絕緣膜以覆蓋所述活性層，在所述柵絕緣膜上的所述緩沖層厚度薄的區(qū)域中形成像素電極，隔著所述柵絕緣膜，在所述活性層上形成柵電極；形成層間絕緣膜，在所述層間絕緣膜上形成開口，以露出部分所述活性層以及部分像素電極；形成連接于所述活性層的源電極以及漏電極；以及形成覆蓋所述源電極以及所述漏電極且具有開口的像素定義膜，所述開口露出所述像素電極。根據(jù)本發(fā)明的其他特征，在所述基板上形成包括多個折射率不同的絕緣膜的緩沖層時，所述緩沖層中的最上層膜可以形成為比其他膜厚。根據(jù)本發(fā)明的另一其他特征，可將所述緩沖層中的最上層膜，在同一面上形成為不同的厚度。根據(jù)本發(fā)明的另一其他特征，以所述活性層作為遮蓋掩模，可以將緩沖層蝕刻成具有不同的厚度。根據(jù)本發(fā)明的另一其他特征，形成所述活性層時，可伴隨著進(jìn)行非晶硅的結(jié)晶化工序。根據(jù)本發(fā)明的另一其他特征，可以以折射率不同的多個膜形成所述柵絕緣膜。根據(jù)本發(fā)明的另一其他特征，可在與所述活性層相同的層，形成電容器下部電極， 可在與所述柵電極相同的層形成電容器上部電極，其中，所述電容器下部電極包括與所述活性層相同的物質(zhì)，所述電容器上部電極包括與所述柵電極相同的物質(zhì)。根據(jù)本發(fā)明的另一其他特征，將所述下部電極作為遮蓋掩模，可以將緩沖層蝕刻成具有不同的厚度。根據(jù)本發(fā)明的另一其他特征，形成所述源電極以及所述漏電極時，可去除部分所述上部電極，并向所述下部電極摻雜離子雜質(zhì)。如上所述的根據(jù)本發(fā)明的有機(jī)發(fā)光顯示裝置通過以像素區(qū)域和晶體管區(qū)域?yàn)閱挝唬謩e以不同的厚度形成像素電極以及活性層下部的緩沖層，從而可以提高由共振效果所引起的可再現(xiàn)的色度范圍以及由矯正晶粒界面的缺陷所引起的器件特性。
并且，在用于圖案化活性層的掩模工序中，通過不增加另外的掩模工序而蝕刻緩沖層，從而可以簡化制造工序。


圖1至圖8是概略示出根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光顯示裝置的制造過程的截面圖；圖9是概略示出根據(jù)所述制造方法形成的有機(jī)發(fā)光顯示裝置的截面圖；圖10是概略示出根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光顯示裝置的截面圖。附圖標(biāo)記說明1、2 有機(jī)發(fā)光顯示裝置；10:基板；11:緩沖層；12:半導(dǎo)體層；13 柵絕緣膜；16 層間絕緣膜；114:第一像素電極；115:第二像素電極；118 發(fā)光層；119 相對電極；212:活性層；214:第一柵電極；215:第二柵電極；217a、217b 源電極、漏電極；312:下部電極；314:第一上部電極；315 第二上部電極；PXL 像素區(qū)域；TFT:晶體管區(qū)域CAP:電容器區(qū)域。
具體實(shí)施例方式下面參考附圖所圖示的本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例，對本發(fā)明進(jìn)行詳細(xì)說明。首先，如圖1至圖8所示，說明根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光顯示裝置1及其制造方法。圖1至圖8是概略示出根據(jù)本實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光顯示裝置1的制造過程的截面圖，圖9是概略示出根據(jù)所述制造方法形成的有機(jī)發(fā)光顯示裝置1的截面圖。如圖1所示，在基板10上依次形成緩沖層11以及半導(dǎo)體層12，所述緩沖層11包括具有不同折射率的多個絕緣膜11-1、11-2、11_3。由可以使光透過的透明材質(zhì)的玻璃材料或塑料材料形成基板10?；?0上依次形成不同折射率的多個絕緣膜11-1、11-2、11_3，從而形成緩沖層 11。圖1圖示了作為緩沖層11形成有三層膜，但這僅是一實(shí)施例，本發(fā)明并不限于此。艮口， 可以形成最少兩個以上具有不同折射率的膜。可將多個絕緣膜11-1、11-2、11_3中最上層膜11_3的厚度形成為，相比最上層的下部膜11-2以及下部的膜11-1更厚。這是為了蝕刻最上層膜11-3，從而在同一面上分別形成具有不同的厚度的像素區(qū)域PXL、晶體管區(qū)域TFT以及電容器區(qū)域CAP，對此，在后面記述。這種緩沖層11從整體上防止從基板10滲透雜質(zhì)元素并平坦化基板10的表面。并且，通過以不同折射率的多個絕緣膜11-1、11-2、11_3形成緩沖層11，從而，當(dāng)從發(fā)光層118(參考圖9)發(fā)出的光透過基板10時，起到將共振效果最大化的介電布拉格反射體(Dielectric Bragg Reflector :DBR)功能，從而可以提高色再現(xiàn)率。此時，多個絕緣膜 11-1、11-2、11-3的折射率無需均不相同，只要相鄰近的絕緣膜之間的折射率不同就可以。并且，緩沖層11與活性層212的電特性相關(guān)，所述活性層212是指半導(dǎo)體層12將被圖案化而形成的薄膜晶體管的活性層212 (參考圖3)。對此，在后面記述。為了實(shí)現(xiàn)如上所述的功能，形成緩沖層11的多個絕緣膜11-1、11_2、11-3可以以多種物質(zhì)形成。作為一實(shí)施例，可以以氧化硅、氮化硅、氮氧化硅等形成所述緩沖層11。在緩沖層11上形成半導(dǎo)體層12?？赏ㄟ^等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(plasma enhanced chemical vapor deposition :PECVD) ^去、常 J￡ 化學(xué)氣才匿沉禾只(atmospheric pressure CVD =APCVD)法、低壓化學(xué)氣相沉積(low pressure CVD =LPCVD)法等多種沉積方法沉積緩沖層11以及半導(dǎo)體層12。半導(dǎo)體層12可以是非晶硅(amorphous silicon)或多晶硅(poly silicon)。 此時，還可以結(jié)晶化非晶硅來形成多晶硅。結(jié)晶化非晶硅的方法有快速熱退火(rapid thermal annealing :RTA)法、固相晶化(solid phase crystallization :SPC)法、準(zhǔn) ^rf WitWM jX (excimer laser annealing :ELA) ^.MfitRmVC (metal induced crystallization :MIC) ^kM^fIiJ(n|left, (metal inducedlateral crystallization MILC)法、連續(xù)側(cè)向結(jié)晶法(sequential lateral solidification :SLS)法等多種。如圖2所示，在半導(dǎo)體層12上涂布光阻劑P，實(shí)施第一掩模工序，所述第一掩模工序使用具有光阻斷部Mll以及光透射部M12的第一光掩模Ml。雖未在所述圖中詳細(xì)地圖示，但以曝光裝置(未圖示)曝光至第一光掩模Ml之后，經(jīng)過顯影(developing)以及蝕刻(etching)工序。如圖3所示，作為第一掩模工序的結(jié)果，半導(dǎo)體層12被蝕刻從而圖案化為薄膜晶體管的活性層212以及電容器的下部電極312。此時，將殘存于活性層212以及下部電極312上的光阻劑P’、所述活性層212以及下部電極312作為遮蓋掩模，從而以不同的厚度蝕刻緩沖層11的最上層膜11-3。S卩，形成為厚度d2相比厚度dl厚，所述厚度d2是指直接接觸于活性層212的緩沖層11的最上層膜11-3的厚度，和直接接觸于下部電極312的最上層膜11-3的厚度；所述厚度dl是指像素區(qū)域PXL的最上層膜11-3的厚度。另外，形成活性層212的半導(dǎo)體層為多晶硅時，可實(shí)現(xiàn)高分辨率顯示。這是由于多晶硅的載流子(carrior)遷移率高于非晶硅的載流子(carrior)遷移率。然而，多晶硅存在不完整缺陷(defect)，如存在于晶粒界面(crystal grain boundary)中的懸掛鍵 (dangling bond)，該缺陷使如薄膜晶體管的閾值電壓(Vth)等器件的電特性下降?？赏ㄟ^提供氫至活性層的缺陷位置(defect site)來矯正這種缺陷。為了解決如上所述的問題，在根據(jù)本實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光顯示裝置1中，緩沖層11 的多個絕緣膜11-1、11_2、11-3中的至少一個膜形成為氫含量高的絕緣膜，所述緩沖層11 位于活性層212和下部電極312的下部。但是，氫含量高的絕緣膜不形成于與活性層212 以及下部電極312直接接觸的膜上。本實(shí)施例中，下部膜11-2的氫含量高于緩沖層11的最上層膜11-3。例如，以氧化硅形成最上層膜11-3，以氮化硅形成下部膜11-2。氫含量高的物質(zhì)，如氮化硅，可以通過矯正多晶硅的缺陷位置來降低閾值電壓，但是，由于雜質(zhì)多且多孔(porous)，因此，若直接接觸于活性層212，則可能對閾值電壓的穩(wěn)定性產(chǎn)生不良影響。從而，氮化硅和活性層212之間需要保護(hù)膜，可將氫含量相比于氮化硅低的氧化硅作為保護(hù)膜來使用。以適當(dāng)?shù)暮穸刃纬蛇@種保護(hù)膜，至少以1000人以上的厚度形成保護(hù)膜才可以發(fā)揮保護(hù)膜功能。實(shí)施例中，在同一條件下，以厚度分別為700人以及3000 A的氧化硅形成緩沖層 11的最上層膜11-3，在其下部形成氮化硅，測量閾值電壓時，氧化硅的厚度厚的部位相比于厚度薄的部位，閾值電壓的變化量減少了約2倍，從而可確認(rèn)器件的特性穩(wěn)定。如上所述，在本實(shí)施例中，包括氧化硅的緩沖層11，其最上層膜11-3的厚度，在晶體管區(qū)域TFT和電容器區(qū)域CAP中形成得厚，在需要DBR功能的像素區(qū)域PXL中將最上層膜11-3形成得薄，從而可以同時解決顯示裝置的色再現(xiàn)率問題和器件的電特性問題。如上所述，將活性層212和下部電極312作為遮蓋掩模用于蝕刻最上層膜11_3的厚度，因此，在蝕刻最上層膜11-3時無需增加另外的掩模工序。并且，最上層膜11-3和活性層212、以及最上層膜11-3和下部電極312的蝕刻面形成相同的截面形狀。對緩沖層11的蝕刻工序之后，通過如剝離(stripping)或灰化(ashing)等一系列工序來去除殘存于活性層212以及下部電極312上的光阻劑P’。另外，在本實(shí)施例中通過蝕刻緩沖層11的最上層膜11-3來調(diào)整厚度，但本發(fā)明并不限于此。即，根據(jù)需要，可通過蝕刻不是最上層膜11-3的其它膜來調(diào)整厚度。只是，在這種情況下，在形成活性層212和下部電極312之前蝕刻緩沖層11，因此可能會增加另外的掩模工序。圖4是概略示出根據(jù)本實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光顯示裝置1的第二掩模工序結(jié)果的截面圖。如圖4所示，柵絕緣膜13層疊于圖3的第一掩模工序的產(chǎn)物上，柵絕緣膜13上依次層疊包括透明導(dǎo)電物以及金屬的層(未圖示)之后，同時圖案化透明導(dǎo)電物以及包括金
屬的層。圖案化的結(jié)果，柵絕緣膜13上的像素區(qū)域PXL依次形成包括透明導(dǎo)電物的第一像素電極114以及包括金屬的第二像素電極115。S卩，在緩沖層11最上層膜11-3的厚度薄的區(qū)域，形成第一像素電極114以及第二像素電極115。并且，在晶體管區(qū)域TFT中依次形成有包括透明導(dǎo)電物的第一柵電極214以及包括金屬的第二柵電極215，在電容器區(qū)域CAP中同時形成包括透明導(dǎo)電物的電容器第一上部電極314以及包括金屬的第二上部電極315。柵絕緣膜13可以包括選自氧化硅、氮化硅、氮氧化硅的一種以上的物質(zhì)，柵絕緣膜13起到電容器的介電膜的作用。以相同的透明導(dǎo)電物形成第一像素電極114、第一柵電極214以及電容器第一上部電極314。透明導(dǎo)電物可包括選自氧化銦錫(indium tin oxide :ΙΤ0)、氧化銦鋅(indium zink oxide :IZ0)、氧化鋅(zink oxide :ZnO)、氧化銦(indium oxide :ln203)、氧化鎵銦 (indium galium oxide :IG0)以及氧化鋅鋁(aluminium zink oxide :AZ0)的至少一種以上物質(zhì)。以相同的金屬材料形成第二像素電極115、第二柵電極215以及第二上部電極 315，且可以以選自鋁(Al)、鉬(Pt)、鈀(Pd)、銀(Ag)、鎂(Mg)、金(Au)、鎳(Ni)、釹(Nd)、銥 (Ir)、鉻(Cr)、鋰(Li)、鈣(Ca)、鉬(Mo)、鈦(Ti)、鎢(W)、銅(Cu)的一種以上的金屬，以單層或多層形成第二像素電極115、第二柵電極215以及第二上部電極315，這些金屬與所述透明導(dǎo)電物的蝕刻率不同。如上所述的結(jié)構(gòu)物上摻雜離子雜質(zhì)?？梢該诫s的離子雜質(zhì)有B離子或P離子，以薄膜晶體管的活性層212為對象，以lX1015atOmS/Cm2以上的濃度來摻雜Dl。此時，使用第一柵電極214以及第二柵電極215作為自對準(zhǔn)(selfalign)掩模，來摻雜離子雜質(zhì)至活性層212，由此，活性層212具有摻雜離子雜質(zhì)的源區(qū)域212a以及漏區(qū)域 212b、以及在源區(qū)域212a以及漏區(qū)域212b之間的溝道區(qū)域212c。即，使用第一柵電極214 以及第二柵電極215作為自對準(zhǔn)掩模，從而不增加另外的光掩模就可以形成源區(qū)域212a以及漏區(qū)域212b。圖5是概略示出根據(jù)本實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光顯示裝置1的第三掩模工序結(jié)果的截面圖。如圖5所示，圖4的第二掩模工序的產(chǎn)物上層疊有層間絕緣膜16，圖案化層間絕緣膜16形成第一接觸孔Cl以及第二接觸孔C2，所述第一接觸孔Cl以及所述第二接觸孔 C2露出第一像素電極114以及第二像素電極115 ；第三接觸孔C3以及第四接觸孔C4，所述第三接觸孔C3以及第四接觸孔C4露出活性層212的部分源區(qū)域212a以及部分漏區(qū)域 212b ；第五接觸孔C5，所述第五接觸孔C5露出電容器的第一上部電極314以及第二上部電極 315。圖6以及圖7是概略示出根據(jù)本實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光顯示裝置1的第四掩模工序的截面圖。如圖6所示，依次在圖5的第三掩模工序的產(chǎn)物上形成金屬層17、在金屬層17上形成光阻劑P，所述金屬層17是成為源電極以及漏電極的材料。然后，實(shí)施第四掩模工序， 所述第四掩模工序使用具有光阻斷部M41以及光透射部M42的第四光掩模M4。如圖7所示，在層間絕緣膜16上形成源電極217a以及漏電極217b。形成源電極 217a以及漏電極217b的金屬是選自鋁(Al)、鉬(Pt)、鈀(Pd)、銀(Ag)、鎂(Mg)、金(Au)、鎳 (Ni)、釹(Nd)、銥(Ir)、鉻(Cr)、鋰(Li)、鈣(Ca)、鉬(Mo)、鈦(Ti)、鎢(W)、銅(Cu)的一種以上的金屬，可以以單層或多層形成源電極217a以及漏電極217b。形成源電極217a以及漏電極217b時，一同蝕刻第二像素電極115和第二上部電極315。此時，若形成源電極217a以及漏電極217b的金屬和形成第二像素電極115以及第二上部電極315的金屬為相同的材料，則使用相同的蝕刻液進(jìn)行一次蝕刻工序就可以圖案化源電極217a以及漏電極217b。若形成源電極217a以及漏電極217b的金屬和形成第二像素電極115以及第二上部電極315的金屬為相互不同的材料，則形成源電極217a以及漏電極217b的金屬被一次蝕刻液蝕刻，從而形成源電極217a和漏電極217b的圖案，以二次蝕刻液去除第二像素電極115以及第二上部電極315。上述蝕刻工序之后，以電容器下部電極312為對象摻雜離子雜質(zhì)。在摻雜之前，電容器是金屬氧化物半導(dǎo)體(Metal Oxide Semiconductor, MOS) CAP結(jié)構(gòu)，但是在摻雜之后， 電容器形成相比MOSCAP結(jié)構(gòu)靜電容量大的金屬-絕緣體-金屬(Metal-Insulator-Metal， MIM)CAP結(jié)構(gòu)，因此可以使靜電容量最大化。從而，MIMCAP結(jié)構(gòu)以相比MOSCAP結(jié)構(gòu)小的面積也可以實(shí)現(xiàn)相同的靜電容量，因此，以電容器面積所能夠減小的幅度來增大第一像素電極114，從而可以提高開口率。圖8是概略示出根據(jù)本實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光顯示裝置1的第五掩模工序結(jié)果的截面圖。如圖8所示，在圖7的第四掩模工序的產(chǎn)物上層疊絕緣層18，圖案化絕緣層18，從而形成露出第一像素電極114的上部的開口 C6。所述開口 C6除起到定義發(fā)光區(qū)域的作用之外，還擴(kuò)大了第一像素電極114的邊緣和相對電極119(參考圖9)之間的間隔來防止電場集中于第一像素電極114邊緣的現(xiàn)象， 從而起到防止第一像素電極114和相對電極119發(fā)生短路的作用。圖9是概略示出根據(jù)所述制造方法形成的有機(jī)發(fā)光顯示裝置的截面圖。如圖9所示，第一像素電極114上形成有發(fā)光層118。發(fā)光層118可以是低分子有機(jī)物或高分子有機(jī)物。發(fā)光層118為低分子有機(jī)物時，可以以發(fā)光層118為中心層疊空穴傳輸層(hole transport layer :HTL)、空穴注入層(hole injection layer :HIL)、電子 1 專輸層(electron transport layer :ETL)以及電子注人層(electron injection layer EIL)等。除此之外，根據(jù)需求還可層疊多種層。此時，可使用的有機(jī)材料包括但不限于酞菁銅(CuPc :copper phthalocyanine)、N，N，- 二(萘-1-基)-N，N' - 二苯基-聯(lián)苯胺 (N, N' -Di(naphthalene-l-yl)-N,N' -diphenyl-benzidine，簡稱為 NPB)、三-8-羥基喹啉招(tris-8-hydroxyquinoline aluminum) (Alq3)等。另外，發(fā)光層118為高分子有機(jī)物時，除了發(fā)光層118之外還可以包括空穴傳輸層(HTL)。空穴傳輸層可以使用聚_(2，4)_乙烯-二羥基噻吩(PED0T:poly-(2， 4)-ethylene-dihydroxy thiophene)或聚苯胺(PANI :polyaniline)等。此時，可使用的有機(jī)材料有聚亞苯基乙烯(Poly-Phenylenevinylene =PPV)類以及聚芴(Polyfluorene)類等高分子有機(jī)物。發(fā)光層118上沉積相對電極119，所述相對電極119作為公共電極。根據(jù)本實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光顯示裝置1，第一像素電極114作為陽極來使用，將相對電極119作為陰極來使用。當(dāng)然，還可以使用為相反的電極的極性?？梢砸园ǚ瓷湮镔|(zhì)的反射電極構(gòu)成相對電極119。此時，所述相對電極119可以包括選自鋁(Al)、鎂(Mg)、鋰(Li)、鈣(Ca)、LiF/Ca以及LiF/Al的一種以上的物質(zhì)。相對電極119形成為具有反射電極，從而，從發(fā)光層118發(fā)出的光被相對電極119 反射而透過由透明導(dǎo)電物形成的第一像素電極114，向基板10 —側(cè)釋放。此時，如上所述， 形成于第一像素電極114下部且具有不同折射率的多個絕緣膜11-1、11-2、11-3的緩沖層 11起到DBR作用，從而形成共振結(jié)構(gòu)。另外，為了最大化共振效果，起到DBR功能的多個絕緣膜11-1、11-2,1-3的各厚度優(yōu)選為最大不超過700入。然而，如上所示，為了提高以多晶硅形成的活性層212以及下部電極312的器件特性，氫含量高的氮化硅形成于不與活性層212以及下部電極312直接接觸的膜11-2上，作為對其的保護(hù)膜，在晶體管區(qū)域TFT和電容器區(qū)域CAP中，在直接接觸于活性層212和下部電極312的最上層膜11-3上形成氫含量低的氧化硅，所述氧化硅的厚度至少在1000人以上。從而，如本實(shí)施例，通過以不同的厚度形成于像素區(qū)域PXL和晶體管區(qū)域TFT以及電容器區(qū)域CAP，緩沖層11可以起到顯示裝置的DBR作用以及保護(hù)層作用。由此，可以同時解決顯示裝置的色再現(xiàn)率問題和器件的電特性問題。圖10是概略示出根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光顯示裝置2的截面圖。下面， 以與前述實(shí)施例的不同點(diǎn)為主進(jìn)行說明。
如圖10所示，基板10上形成有包括多個絕緣膜11-1、11-2、11_3的緩沖層11。緩沖層11的最上層膜11-3形成為在晶體管區(qū)域TFT以及電容器區(qū)域CAP，其厚度厚，而在像素區(qū)域PXL，其厚度薄，優(yōu)選為在像素區(qū)域PXL中至少以700 A以下的厚度形成、在晶體管區(qū)域TFT以及電容器區(qū)域CAP中至少以1000人以上的厚度形成。緩沖層中的最上層膜11-3上形成活性層212和電容器下部電極312，形成包括多個膜13-1、13-2的絕緣膜13，以覆蓋所述活性層212和所述電容器下部電極312。在本實(shí)施例中，柵絕緣膜13包括折射率不同的多個膜13-1、13_2。由此，在第一像素電極114的下部一同形成有柵絕緣膜13以及緩沖層11，從而增加了共振結(jié)構(gòu)的DBR 功能，由此可以進(jìn)一步提高色再現(xiàn)率。其中，柵絕緣膜13包括折射率不同的多個膜13-1、 13-2 ；緩沖層11包括多個折射率不同的膜11-1、11-2、11-3。另外，在所述圖中圖示了形成兩層膜作為柵絕緣膜13，但是，本發(fā)明并不限于此。 然而，柵絕緣膜13的厚度過于厚時難以形成溝道，且柵絕緣膜13起到電容器的介電膜作用，因此，若柵絕緣膜13厚度變得過厚，則靜電容量可能會減少，因此，將柵絕緣膜13優(yōu)選形成為柵絕緣膜13的整體厚度不宜過厚。在本實(shí)施例中，將柵絕緣膜13形成為接觸于活性層212的膜13-1相比不接觸于活性層212的膜13-2氫含量低。例如，以氧化硅形成直接接觸活性層212的膜13_1，以氮化硅形成不直接接觸活性層212的膜13-2，從而氮化硅可以矯正以多晶硅形成的活性層212 的缺陷，氧化硅可以起到對氮化硅的保護(hù)膜功能。本發(fā)明參考附圖所圖示的實(shí)施例進(jìn)行說明，但這只是示例性的實(shí)施例，所屬技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員應(yīng)該了解本發(fā)明可以有多種變形和等同的其他實(shí)施例。因而，本發(fā)明所要保護(hù)的真正的范圍應(yīng)由權(quán)利要求所要保護(hù)的技術(shù)思想所決定。
權(quán)利要求
1.一種有機(jī)發(fā)光顯示裝置，包括緩沖層，設(shè)置于基板上，并包括折射率不同的多個絕緣膜，所述多個絕緣膜中的至少一個在同一面上形成為不同的厚度；薄膜晶體管的活性層，形成于所述緩沖層的厚度較厚的區(qū)域； 像素電極，形成于所述緩沖層的厚度較薄的區(qū)域；薄膜晶體管的柵電極、源電極以及漏電極，所述柵電極隔著柵絕緣膜形成于所述活性層上，所述源電極以及漏電極連接于所述活性層； 發(fā)光層，形成于所述像素電極上；以及相對電極，隔著所述發(fā)光層，與所述像素電極相對地設(shè)置。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光顯示裝置，其中，在所述多個絕緣膜中，形成為具有不同厚度的膜是所述緩沖層中的最上層膜。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的有機(jī)發(fā)光顯示裝置，其中，所述緩沖層中的最上層膜的氫含量，相比所述最上層膜的下部膜低。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的有機(jī)發(fā)光顯示裝置，其中， 所述活性層包括多晶硅，所述緩沖層中的最上層膜的下部膜，填充至所述多晶硅的缺陷位置，以矯正所述缺陷。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的有機(jī)發(fā)光顯示裝置，其中，所述緩沖層中的最上層膜以及所述最上層膜的下部膜，分別是氧化硅以及氮化硅。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光顯示裝置，其中，所述緩沖層中厚度較厚的區(qū)域的端部形狀，與所述活性層的蝕刻面的端部形狀相同。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光顯示裝置，其中， 所述多個絕緣膜中相互鄰近的膜的折射率不同。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光顯示裝置，其中， 所述柵絕緣膜包括多個折射率不同的膜。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的有機(jī)發(fā)光顯示裝置，其中，在所述柵絕緣膜的多個膜中，接觸于所述活性層的膜的氫含量，相比不接觸于所述活性層的膜低。
10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的有機(jī)發(fā)光顯示裝置，其中， 所述活性層包括多晶硅，不接觸于所述活性層的膜填充至所述多晶硅的缺陷位置，以矯正所述缺陷。
11.根據(jù)權(quán)利要求8所述的有機(jī)發(fā)光顯示裝置，其中，在所述柵絕緣膜的多個膜中，接觸所述活性層的膜以及不接觸所述活性層的膜分別是氧化硅以及氮化硅。
12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光顯示裝置，其中， 所述像素電極為透明電極，所述相對電極為反射電極。
13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光顯示裝置，其中，還包括電容器的下部電極，形成于與所述活性層相同的層中所述緩沖層的厚度較厚的區(qū)域；以及電容器的上部電極，形成于與所述柵電極相同的層。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的有機(jī)發(fā)光顯示裝置，其中，所述下部電極的端部，與所述緩沖層的厚度較厚的區(qū)域的端部的蝕刻面形狀相同。
15.根據(jù)權(quán)利要求13所述的有機(jī)發(fā)光顯示裝置，其中，所述下部電極包括多晶硅，所述柵絕緣膜的多個膜中，接觸于所述下部電極的膜的氫含量，相比不接觸于所述下部電極的其他膜低。
16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的有機(jī)發(fā)光顯示裝置，其中，接觸于所述下部電極的膜以及不接觸于所述下部電極的膜，分別是氧化硅以及氮化娃。
17.一種有機(jī)發(fā)光顯示裝置的制造方法，包括在基板上形成緩沖層，所述緩沖層包括折射率不同的多個絕緣膜； 在所述緩沖層上形成半導(dǎo)體層之后圖案化所述半導(dǎo)體層，以形成活性層，要形成為所述活性層的區(qū)域的緩沖層的厚度，相比不形成所述活性層的區(qū)域的厚度厚；形成柵絕緣膜，所述柵絕緣膜覆蓋所述活性層，在所述柵絕緣膜上的所述緩沖層厚度薄的區(qū)域形成像素電極，隔著所述柵絕緣膜，在所述活性層上形成柵電極；形成層間絕緣膜，在所述層間絕緣膜上形成開口，以露出部分所述活性層以及部分所述像素電極；形成連接于所述活性層的源電極以及漏電極；以及形成覆蓋所述源電極以及所述漏電極且具有開口的像素定義膜，所述開口露出所述像素電極。
18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的有機(jī)發(fā)光顯示裝置的制造方法，其中，在所述基板上形成包括多個折射率不同的絕緣膜的緩沖層時，所述緩沖層中的最上層膜形成為比其他膜厚。
19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的有機(jī)發(fā)光顯示裝置的制造方法，其中， 將所述緩沖層中的最上層膜，在同一面上形成為不同的厚度。
20.根據(jù)權(quán)利要求19所述的有機(jī)發(fā)光顯示裝置的制造方法，其中， 以所述活性層作為遮蓋掩模，將緩沖層蝕刻成具有不同的厚度。
21.根據(jù)權(quán)利要求17所述的有機(jī)發(fā)光顯示裝置的制造方法，其中， 形成所述活性層時，伴隨著進(jìn)行非晶硅的結(jié)晶化工序。
22.根據(jù)權(quán)利要求17所述的有機(jī)發(fā)光顯示裝置的制造方法，其中， 所述柵絕緣膜，由折射率不同的多個膜形成。
23.根據(jù)權(quán)利要求17所述的有機(jī)發(fā)光顯示裝置的制造方法，其中，在與所述活性層相同的層，形成電容器下部電極，并且在與所述柵電極相同的層形成電容器上部電極，其中，所述電容器下部電極包括與所述活性層相同的物質(zhì)，所述電容器上部電極包括與所述柵電極相同的物質(zhì)。
24.根據(jù)權(quán)利要求23所述的有機(jī)發(fā)光顯示裝置的制造方法，其中， 以所述下部電極作為遮蓋掩模，將緩沖層蝕刻成具有不同的厚度。
25.根據(jù)權(quán)利要求23所述的有機(jī)發(fā)光顯示裝置的制造方法，其中，形成所述源電極以及所述漏電極時，去除部分所述上部電極，向所述下部電極摻雜離子雜質(zhì)。
全文摘要
本發(fā)明提供有機(jī)發(fā)光顯示裝置，包括緩沖層，設(shè)置于基板上，并包括折射率不同的多個絕緣膜，所述多個絕緣膜中的至少一個在同一面上形成為不同的厚度；薄膜晶體管的活性層，形成于所述緩沖層的厚度較厚的區(qū)域；像素電極，形成于所述緩沖層的厚度較薄的區(qū)域；薄膜晶體管的柵電極、源電極以及漏電極，所述柵電極隔著柵絕緣膜形成于所述活性層上，所述薄膜晶體管的源電極以及漏電極連接至所述活性層；發(fā)光層，形成于所述像素電極上；以及相對電極，隔著所述發(fā)光層與所述像素電極相對地設(shè)置。
文檔編號H01L51/52GK102456705SQ201110050250
公開日2012年5月16日 申請日期2011年2月28日 優(yōu)先權(quán)日2010年10月25日
發(fā)明者崔埈厚, 崔寶京, 文相皓, 曹圭湜, 樸鍾賢, 樸鮮, 李律圭, 柳春其 申請人:三星移動顯示器株式會社