專利名稱：晶圓檢測系統(tǒng)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體設(shè)備領(lǐng)域，尤其涉及一種晶圓檢測系統(tǒng)。
背景技術(shù)：
在半導(dǎo)體制造流程中，通常需要將晶圓傳輸設(shè)備與晶圓處理設(shè)備(如晶圓檢測設(shè)備、刻蝕設(shè)備、清洗設(shè)備等)組成系統(tǒng)，并通過相互配合使用對(duì)晶圓進(jìn)行搬運(yùn)、刻蝕、清洗和檢測等操作。晶圓處理設(shè)備主要包括第一控制臺(tái)、第一機(jī)械手和晶圓載臺(tái)；晶圓傳輸設(shè)備主要包括第二控制臺(tái)和第二機(jī)械手。操作人員可操控系統(tǒng)內(nèi)各設(shè)備的控制臺(tái)，控制晶圓傳輸設(shè)備中的第二機(jī)械手將晶圓裝載至晶圓處理設(shè)備的晶圓載臺(tái)上，之后晶圓處理設(shè)備的第一機(jī)械手從所述晶圓載臺(tái)上抓取晶圓進(jìn)行刻蝕、清洗和檢測等操作，操作結(jié)束后，第一機(jī)械手將晶圓放回晶圓載臺(tái)，控制晶圓傳輸設(shè)備中的第二機(jī)械手對(duì)晶圓進(jìn)行卸載。圖1為現(xiàn)有技術(shù)的晶圓檢測系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)示意圖，如圖1所示，該晶圓檢測系統(tǒng)包括晶圓處理設(shè)備10和晶圓傳輸設(shè)備20，所述晶圓處理設(shè)備10包括第一控制臺(tái)101、第一機(jī)械手102和晶圓載臺(tái)103，所述第一控制臺(tái)101適于控制所述第一機(jī)械手102從所述晶圓載臺(tái) 103抓取晶圓進(jìn)行工藝處理或?qū)⒕A放回所述晶圓載臺(tái)103 ；所述第一控制臺(tái)101還包括第一控制信號(hào)輸出端IOla和第二控制信號(hào)輸出端101b，所述第一控制信號(hào)輸出端IOla適于輸出控制所述晶圓傳輸設(shè)備20向所述晶圓載臺(tái)103裝載晶圓的裝載信號(hào)，所述第二控制信號(hào)輸出端IOlb適于輸出控制所述晶圓傳輸設(shè)備20從所述晶圓載臺(tái)103卸載晶圓的卸載信號(hào)；所述晶圓傳輸設(shè)備20包括第二控制臺(tái)201和第二機(jī)械手202，所述第二控制臺(tái)201包括第一接收端201a和第二接收端201b ；所述第一控制臺(tái)101的第一控制信號(hào)輸出端IOla 連接所述第二控制臺(tái)201的第一接收端201a，所述第一控制臺(tái)101的第二控制信號(hào)輸出端 IOlb連接所述第二控制臺(tái)201的第二接收端201b。當(dāng)所述第二控制臺(tái)201的第一接收端201a接收到所述第一控制信號(hào)輸出端IOla 發(fā)送的裝載信號(hào)后，所述第二控制臺(tái)201控制所述第二機(jī)械手202將晶圓裝載至所述晶圓處理設(shè)備10的晶圓載臺(tái)103 ；此時(shí)，操作人員即可操控所述第一控制臺(tái)101使其第二控制信號(hào)輸出端IOlb發(fā)送卸載信號(hào)，所述第二控制臺(tái)201的第二接收端201b接收到卸載信號(hào)后立刻控制所述第二機(jī)械手202卸載晶圓，而不論此時(shí)所述晶圓處理設(shè)備10的第一機(jī)械手 102處于何位置、處于何種操作狀態(tài)。因此，若所述第一機(jī)械手102從所述晶圓載臺(tái)103抓取晶圓或者將晶圓放回至所述晶圓載臺(tái)103時(shí)，所述第二機(jī)械手202卻根據(jù)接收到的卸載信號(hào)對(duì)晶圓進(jìn)行卸載，就很容易造成所述第一機(jī)械手102、第二機(jī)械手202及晶圓之間的相互碰撞，從而導(dǎo)致所述第一機(jī)械手102、第二機(jī)械手202及晶圓的損壞。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明解決的問題是提供一種具有保護(hù)電路的晶圓檢測系統(tǒng)，避免因晶圓處理設(shè)備的第一機(jī)械手、晶圓傳輸設(shè)備的第二機(jī)械手及晶圓之間相互碰撞而導(dǎo)致的第一機(jī)械手、 第二機(jī)械手或晶圓的損壞。
為解決上述問題，本發(fā)明提供了一種晶圓檢測系統(tǒng)，包括晶圓處理設(shè)備、晶圓傳輸設(shè)備和保護(hù)電路，所述晶圓處理設(shè)備包括第一控制臺(tái)、第一機(jī)械手和晶圓載臺(tái)，所述第一控制臺(tái)適于控制所述第一機(jī)械手從所述晶圓載臺(tái)抓取晶圓進(jìn)行工藝處理或?qū)⒕A放回所述晶圓載臺(tái)；所述第一控制臺(tái)還適于輸出裝載信號(hào)和卸載信號(hào)；所述晶圓傳輸設(shè)備包括第二控制臺(tái)和第二機(jī)械手，所述第二控制臺(tái)接收所述第一控制臺(tái)輸出的裝載信號(hào)，控制所述第二機(jī)械手將晶圓裝載至所述晶圓載臺(tái)；所述保護(hù)電路適于檢測所述晶圓處理設(shè)備的第一機(jī)械手的位置，并在所述第一機(jī)械手位于預(yù)設(shè)的安全區(qū)域時(shí)將所述第一控制臺(tái)輸出的卸載信號(hào)傳輸至所述第二控制臺(tái)，所述第二控制臺(tái)接收所述保護(hù)電路傳輸?shù)男遁d信號(hào)，控制所述第二機(jī)械手卸載所述晶圓載臺(tái)上的晶圓?？蛇x的，所述晶圓處理設(shè)備為晶圓檢測設(shè)備，適于對(duì)晶圓進(jìn)行工藝參數(shù)檢測?？蛇x的，所述保護(hù)電路包括電子開關(guān)和檢測電路，所述電子開關(guān)，包括連接所述第一控制臺(tái)的第一端和連接所述第二控制臺(tái)的第二端，以及控制端，所述第一端接收所述卸載信號(hào)；所述檢測電路，連接所述電子開關(guān)的控制端，用于檢測所述晶圓處理設(shè)備的第一機(jī)械手的位置，當(dāng)檢測到所述第一機(jī)械手位于預(yù)設(shè)的安全區(qū)域時(shí)，輸出導(dǎo)通所述電子開關(guān)第一端和第二端的控制信號(hào)至所述電子開關(guān)的控制端；否則輸出斷開所述電子開關(guān)的第一端和第二端的控制信號(hào)至所述電子開關(guān)的控制端?？蛇x的，所述電子開關(guān)為電磁繼電器，所述電磁繼電器的動(dòng)觸點(diǎn)接收所述卸載信號(hào)，常開觸點(diǎn)連接所述第二控制臺(tái)，常閉觸點(diǎn)浮空，控制線圈的第一端連接電源的一極，控制線圈的第二端連接所述檢測電路并接收所述控制信號(hào)?？蛇x的，所述電磁繼電器為直流電磁繼電器?？蛇x的，所述檢測電路包括光發(fā)送單元和光接收單元，所述光發(fā)送單元向所述預(yù)設(shè)的安全區(qū)域發(fā)出檢測光，所述光接收單元在接收到來自預(yù)設(shè)的安全區(qū)域的檢測光線時(shí)產(chǎn)生導(dǎo)通所述電子開關(guān)第一端和第二端的控制信號(hào)至所述電子開關(guān)的控制端，否則輸出斷開所述電子開關(guān)的第一端和第二端的控制信號(hào)至所述電子開關(guān)的控制端?？蛇x的，所述檢測電路還包括反射鏡，所述反射鏡安裝于所述晶圓處理設(shè)備的第一機(jī)械手上，所述光發(fā)送單元發(fā)出的檢測光經(jīng)所述反射鏡反射后的光線由所述光接收單元接收?？蛇x的，所述光接收單元包括光敏電阻，所述光敏電阻的第一端連接所述電源的另一極，第二端連接所述電磁繼電器的控制線圈的第二端?？蛇x的，所述光發(fā)送單元包括發(fā)光二極管?？蛇x的，所述發(fā)光二極管與所述電磁繼電器采用同一電源。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明具有以下優(yōu)點(diǎn)本技術(shù)方案的晶圓檢測系統(tǒng)，所述第一控制臺(tái)和所述第二控制臺(tái)之間設(shè)置有保護(hù)電路，所述保護(hù)電路適于檢測所述晶圓處理設(shè)備的第一機(jī)械手的位置，在檢測到所述第一機(jī)械手位于預(yù)設(shè)的安全區(qū)域時(shí)，將所述第一控制臺(tái)輸出的卸載信號(hào)傳輸至所述第二控制臺(tái)，所述第二控制臺(tái)在接收到所述卸載信號(hào)后控制所述第二機(jī)械手對(duì)所述晶圓載臺(tái)上的晶圓進(jìn)行卸載；否則所述卸載信號(hào)傳輸至所述第二控制臺(tái)的通路被切斷，所述第二機(jī)械手不能對(duì)晶圓進(jìn)行卸載。采用這種保護(hù)電路后，有效地避免了因晶圓處理設(shè)備的第一機(jī)械手、晶圓傳輸設(shè)備的第二機(jī)械手及晶圓之間的相互碰撞而導(dǎo)致的第一機(jī)械手、第二機(jī)械手或晶圓的損壞。


圖1是現(xiàn)有技術(shù)中的一種晶圓檢測系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)示意圖；圖2是本發(fā)明實(shí)施例提供的晶圓檢測系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)示意圖；圖3是本發(fā)明實(shí)施例提供的晶圓檢測系統(tǒng)中保護(hù)電路的結(jié)構(gòu)示意圖；圖4是本發(fā)明實(shí)施例的晶圓檢測系統(tǒng)中保護(hù)電路的詳細(xì)結(jié)構(gòu)示意圖；圖5是本發(fā)明實(shí)施例的晶圓檢測系統(tǒng)中第一機(jī)械手的安全區(qū)域示意圖。
具體實(shí)施例方式現(xiàn)有技術(shù)中的晶圓檢測系統(tǒng)，第一控制臺(tái)的第二控制信號(hào)輸出端與第二控制臺(tái)的第二接收端直接連接，當(dāng)?shù)谝豢刂婆_(tái)的第二控制信號(hào)輸出端發(fā)送卸載信號(hào)至第二控制臺(tái)的第二接收端后，第二機(jī)械手直接進(jìn)行卸載晶圓的操作，而不論晶圓處理設(shè)備的第一機(jī)械手處于何種位置、處于何種操作狀態(tài)。這樣容易發(fā)生晶圓處理設(shè)備的第一機(jī)械手、晶圓傳輸設(shè)備的第二機(jī)械手及晶圓之間的相互碰撞，從而造成第一機(jī)械手、第二機(jī)械手或晶圓的損壞。本技術(shù)方案提供的晶圓檢測系統(tǒng)包括晶圓處理設(shè)備、晶圓傳輸設(shè)備和保護(hù)電路， 所述晶圓處理設(shè)備包括第一控制臺(tái)、第一機(jī)械手和晶圓載臺(tái)，所述第一控制臺(tái)包括第一控制信號(hào)輸出端和第二控制信號(hào)輸出端，所述第一控制信號(hào)輸出端適于輸出控制所述晶圓傳輸設(shè)備向所述晶圓載臺(tái)裝載晶圓的裝載信號(hào)，所述第二控制信號(hào)輸出端適于輸出控制所述晶圓傳輸設(shè)備從所述晶圓載臺(tái)卸載晶圓的卸載信號(hào)；所述晶圓傳輸設(shè)備包括第二控制臺(tái)和第二機(jī)械手，所述第二控制臺(tái)包括第一接收端和第二接收端，所述第一接收端與所述第一控制臺(tái)的第一控制信號(hào)輸出端相連，接收所述裝載信號(hào)；所述保護(hù)電路連接所述第一控制臺(tái)的第二控制信號(hào)輸出端，在所述第一機(jī)械手位于預(yù)設(shè)的安全區(qū)域時(shí)將所述卸載信號(hào)傳輸至所述第二控制臺(tái)的第二接收端。采用這種保護(hù)電路后，只有晶圓處理設(shè)備的第一機(jī)械手位于安全區(qū)域時(shí)，第二機(jī)械手才進(jìn)行晶圓卸載操作，有效地避免了因晶圓處理設(shè)備的第一機(jī)械手、晶圓傳輸設(shè)備的第二機(jī)械手及晶圓之間的相互碰撞而導(dǎo)致的第一機(jī)械手、第二機(jī)械手或晶圓的損壞。本技術(shù)方案中，晶圓處理設(shè)備包括晶圓檢測設(shè)備、刻蝕設(shè)備、淀積設(shè)備、 清洗設(shè)備等各種半導(dǎo)體工藝處理設(shè)備。為使本發(fā)明的上述目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能夠更為明顯易懂，下面結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明的具體實(shí)施方式
做詳細(xì)的說明。在以下描述中闡述了具體細(xì)節(jié)以便于充分理解本發(fā)明。但是本發(fā)明能夠以多種不同于在此描述的其它方式來實(shí)施，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以在不違背本發(fā)明內(nèi)涵的情況下做類似推廣。因此本發(fā)明不受下面公開的具體實(shí)施方式
的限制。圖2示出了本發(fā)明實(shí)施例提供的晶圓檢測系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)示意圖，如圖2所示，本發(fā)明的晶圓檢測系統(tǒng)包括晶圓處理設(shè)備30、晶圓傳輸設(shè)備40和保護(hù)電路50。所述晶圓處理設(shè)備30包括第一控制臺(tái)301、第一機(jī)械手302和晶圓載臺(tái)303，所述第一控制臺(tái)301適于控制所述第一機(jī)械手302從所述晶圓載臺(tái)303抓取晶圓進(jìn)行工藝處理或?qū)⒕A放回所述晶圓載臺(tái)303 ；所述第一控制臺(tái)301還包括第一控制信號(hào)輸出端301a 和第二控制信號(hào)輸出端301b，所述第一控制信號(hào)輸出端301a適于輸出控制所述晶圓傳輸設(shè)備40向所述晶圓載臺(tái)303裝載晶圓的裝載信號(hào)；所述第二控制信號(hào)輸出端301b適于輸出控制所述晶圓傳輸設(shè)備40從所述晶圓載臺(tái)303卸載晶圓的卸載信號(hào)。所述晶圓傳輸設(shè)備40包括第二控制臺(tái)401、第二機(jī)械手402，所述第二控制臺(tái) 401還包括第一接收端401a和第二接收端401b，所述第一接收端401a與所述第一控制臺(tái) 301的第一控制信號(hào)輸出端301a相連，接收裝載信號(hào)并控制所述第二機(jī)械手402將晶圓裝載至所述晶圓載臺(tái)303。所述保護(hù)電路50適于檢測所述晶圓處理設(shè)備30的第一機(jī)械手302的位置，并連接所述第一控制臺(tái)301的第二控制信號(hào)輸出端301b，在檢測到所述晶圓處理設(shè)備30的第一機(jī)械手302位于預(yù)設(shè)的安全區(qū)域時(shí)將卸載信號(hào)傳輸至所述第二控制臺(tái)401的第二接收端 401b，所述第二控制臺(tái)401控制所述第二機(jī)械手402對(duì)所述晶圓載臺(tái)303上的晶圓進(jìn)行卸載。在本實(shí)施例中，所述安全區(qū)域指的是在所述晶圓處理設(shè)備30的第一機(jī)械手302位于該區(qū)域時(shí)，所述第二機(jī)械手402再伸出至所述晶圓載臺(tái)303進(jìn)行晶圓卸載時(shí)并不會(huì)與所述晶圓處理設(shè)備30的第一機(jī)械手302碰撞的區(qū)域。圖3示出了本發(fā)明實(shí)施例提供的晶圓檢測系統(tǒng)中保護(hù)電路的示意圖，如圖3所示， 該保護(hù)電路50包括電子開關(guān)501和檢測電路502。其中，所述電子開關(guān)501包括第一端501a，連接所述第一控制臺(tái)301的第二控制信號(hào)輸出端301b ；第二端501b，連接所述第二控制臺(tái)401的第二接收端401b ；控制端501c。所述檢測電路502連接所述電子開關(guān)501的控制端501c，用于檢測所述晶圓處理設(shè)備30的第一機(jī)械手302的位置，當(dāng)檢測到所述晶圓處理設(shè)備30的第一機(jī)械手302位于預(yù)設(shè)的安全區(qū)域時(shí)，輸出導(dǎo)通所述電子開關(guān)501的第一端501a和第二端501b的控制信號(hào)至所述電子開關(guān)501的控制端501c ；否則，輸出斷開所述電子開關(guān)501的第一端501a和第二端501b的控制信號(hào)至所述電子開關(guān)501的控制端501c。下面對(duì)本實(shí)施例提供的晶圓檢測系統(tǒng)的保護(hù)電路進(jìn)行詳細(xì)說明。圖4是本實(shí)施例的晶圓檢測系統(tǒng)中的保護(hù)電路的詳細(xì)結(jié)構(gòu)示意圖，下面結(jié)合圖2至圖4對(duì)所述保護(hù)電路50 中的電子開關(guān)501和檢測電路502的具體電路結(jié)構(gòu)進(jìn)行詳細(xì)說明。所述電子開關(guān)501在本實(shí)施例中包括電磁繼電器，可選為直流電磁繼電器，所述直流電磁繼電器的動(dòng)觸點(diǎn)即相當(dāng)于所述電子開關(guān)501的第一端501a，與所述第一控制臺(tái) 301的第二控制信號(hào)輸出端301b連接；所述直流電磁繼電器的常開觸點(diǎn)即相當(dāng)于所述電子開關(guān)501的第二端501b，與所述第二控制臺(tái)401的第二接收端401b連接；所述直流電磁繼電器的控制線圈的第一端連接電源(本實(shí)施例中所述電源為MV直流電源)的正極VDD，第二端即相當(dāng)于所述電子開關(guān)501的控制端501c，與所述檢測電路502連接。本實(shí)施例中，在所述直流電磁繼電器的控制線圈未通電即沒有電流流過時(shí)，所述直流電磁繼電器的動(dòng)觸點(diǎn)501a與浮空的常閉觸點(diǎn)501d吸合；在控制線圈通電即有電流流過后，所述直流電磁繼電器的動(dòng)觸點(diǎn)501a被吸合至常開觸點(diǎn)501b，從而將所述第一控制臺(tái) 301的第二控制信號(hào)輸出端301b和所述第二控制臺(tái)401的第二接收端401b導(dǎo)通。
所述檢測電路502在本實(shí)施例中包括光敏傳感器，具體包括光發(fā)送單元5021、光接收單元5022，所述光發(fā)送單元5021適于向所述預(yù)設(shè)的安全區(qū)域發(fā)出檢測光，當(dāng)所述晶圓處理設(shè)備30的第一機(jī)械手302位于所述預(yù)設(shè)的安全區(qū)域時(shí)，所述第一機(jī)械手302將所述檢測光反射至所述光接收單元5022。具體地，在本實(shí)施例中，所述光發(fā)送單元5021包括發(fā)光二極管，所述發(fā)光二極管的一端連接電源正極VDD，另一端連接電源的負(fù)極Com;所述光接收單元5022包括光敏電阻，所述光敏電阻的第一端連接所述電源的負(fù)極Com，第二端連接所述直流電磁繼電器的控制線圈的第二端501c?？蛇x的，為了加強(qiáng)經(jīng)所述第一機(jī)械手302反射后的光線的強(qiáng)度，所述檢測電路502 還可包括反射鏡5023，所述反射鏡5023安裝于所述晶圓處理設(shè)備30的第一機(jī)械手302上， 所述光發(fā)送單元5021發(fā)出的檢測光經(jīng)所述反射鏡5023反射后的光線由所述光接收單元 5022接收。此外，在本實(shí)施例中，為了簡化電路、節(jié)省成本，所述發(fā)光二極管和所述直流電磁繼電器采用同一直流電源進(jìn)行驅(qū)動(dòng)，即都采用24V直流電源進(jìn)行驅(qū)動(dòng)。在實(shí)際生產(chǎn)應(yīng)用中，在確定了安全區(qū)域后，就可以相應(yīng)確定所述光敏傳感器的安裝位置，以確定所述晶圓處理設(shè)備30的第一機(jī)械手302是否位于預(yù)設(shè)的安全區(qū)域內(nèi)。從另外一個(gè)角度講，在所述光敏傳感器的位置確定以后，所述預(yù)設(shè)的安全區(qū)域即由所述光敏傳感器的安裝位置決定。圖5是本實(shí)施例晶圓檢測系統(tǒng)中第一機(jī)械手的安全區(qū)域的示意圖，如圖5所示，晶圓處理設(shè)備30的第一機(jī)械手302相對(duì)于晶圓載臺(tái)303有狀態(tài)1和狀態(tài)2兩種工作狀態(tài)。狀態(tài)1時(shí)，所述晶圓處理設(shè)備30的第一機(jī)械手302收回，處于所述晶圓載臺(tái)303的覆蓋區(qū)域以外；狀態(tài)2時(shí)，所述晶圓處理設(shè)備30的第一機(jī)械手302伸出，處于所述晶圓載臺(tái)303的上方，此時(shí)，如果所述晶圓傳輸設(shè)備40的第二機(jī)械手402對(duì)晶圓進(jìn)行卸載時(shí)，可能會(huì)發(fā)生兩個(gè)機(jī)械手以及機(jī)械手與晶圓的碰撞現(xiàn)象。本實(shí)施例中，預(yù)先設(shè)定所述晶圓載臺(tái)303的上方區(qū)域以外為所述晶圓處理設(shè)備30中第一機(jī)械手302的安全區(qū)域，在所述預(yù)設(shè)的安全區(qū)域內(nèi)安裝光敏傳感器，用于檢測所述晶圓處理設(shè)備30的第一機(jī)械手302的位置，即檢測到晶圓處理設(shè)備30的第一機(jī)械手302在狀態(tài)1時(shí)，則其處于安全區(qū)域，在狀態(tài)2時(shí)，則處于非安全區(qū)域。當(dāng)然，在具體應(yīng)用中所述晶圓處理設(shè)備30的第一機(jī)械手302的安全區(qū)域可根據(jù)實(shí)際情況預(yù)先確定，并不僅限于圖5提供的示意區(qū)域。下面具體介紹本技術(shù)方案的晶圓檢測系統(tǒng)中晶圓傳輸設(shè)備和晶圓處理設(shè)備配合使用時(shí)的工作原理。請(qǐng)結(jié)合圖2、圖3和圖4，所述第一控制臺(tái)301的第一控制信號(hào)輸出端301a首先輸出裝載信號(hào)至所述第二控制臺(tái)401的第一接收端401a，所述第二控制臺(tái)401根據(jù)接收到的裝載信號(hào)控制所述第二機(jī)械手402將晶圓裝載至所述晶圓處理設(shè)備30的晶圓載臺(tái)303 ；之后用戶可以通過第一控制臺(tái)301控制所述第一機(jī)械手302抓取晶圓進(jìn)行參數(shù)檢測等處理， 處理后將晶圓放回晶圓載臺(tái)303 ；此后，用戶通過所述第一控制臺(tái)301的第二控制信號(hào)輸出端301b輸出卸載信號(hào)，同時(shí)，所述保護(hù)電路50檢測所述晶圓處理設(shè)備30的第一機(jī)械手 302是否處于預(yù)設(shè)的安全區(qū)域，若所述第一機(jī)械手302收回至預(yù)設(shè)的安全區(qū)域，則安裝于所述晶圓處理設(shè)備30的第一機(jī)械手302上的反射鏡5023將所述光發(fā)送單元5021發(fā)出的光線反射回所述光接收單元5022，本實(shí)施例中所述光接收單元5022具體為光敏電阻，所述光敏電阻受光后，其阻值銳減，所述直流電磁繼電器的控制線圈第二端501c處的電壓隨之下降，所述直流電磁繼電器的控制線圈通電，使得所述直流電磁繼電器的動(dòng)觸點(diǎn)501a吸合至常開觸點(diǎn)501b，導(dǎo)通所述第一控制臺(tái)301的第二控制信號(hào)輸出端301b與所述第二控制臺(tái) 401的第二接收端401b，將卸載信號(hào)傳輸至所述第二控制臺(tái)401的第二接收端401b，所述第二控制臺(tái)401根據(jù)接收到的卸載信號(hào)控制所述第二機(jī)械手402對(duì)晶圓進(jìn)行卸載；若所述晶圓處理設(shè)備30的第一機(jī)械手302未收回至預(yù)設(shè)的安全區(qū)域，所述光發(fā)送單元5021發(fā)出的光線不會(huì)被反射回所述光敏電阻5022，此時(shí)所述光敏電阻的阻值很大，所述直流電磁繼電器的控制線圈中沒有電流或電流很小，不足以使所述直流電磁繼電器的動(dòng)觸點(diǎn)501a吸合至常開觸點(diǎn)501b，所述第一控制臺(tái)301的第二控制信號(hào)輸出端301b與所述第二控制臺(tái)401 的第二接收端401b被斷開，所述第一控制臺(tái)301第二控制信號(hào)輸出端301b輸出的卸載信號(hào)不能被傳輸至所述第二控制臺(tái)401的第二接收端401b，因而所述第二機(jī)械手402不能對(duì)晶圓進(jìn)行卸載，防止了晶圓處理設(shè)備30的第一機(jī)械手302、晶圓傳輸設(shè)備40的第二機(jī)械手 402以及晶圓之間的碰撞。需要說明的是，在本實(shí)施例中，所述電子開關(guān)501包括直流電磁繼電器，所述檢測電路502包括光敏傳感器，在其他實(shí)施例中，所述電子開關(guān)501也可以采用交流電磁繼電器或者采用其他常用的晶體管、場效應(yīng)管等具有開關(guān)特性的電子器件，以實(shí)現(xiàn)所述第一控制臺(tái)301的第二控制信號(hào)輸出端301b和第二控制臺(tái)401的第二接收端401b之間的導(dǎo)通或斷開；所述檢測電路502也可以采用圖像傳感器等其他常用的電路結(jié)構(gòu)以實(shí)現(xiàn)所述第一機(jī)械手302的位置檢測。綜上，本技術(shù)方案的晶圓檢測系統(tǒng)中，在第一控制臺(tái)的第二控制信號(hào)輸出端與第二控制臺(tái)的第二接收端之間設(shè)置保護(hù)電路，用于檢測所述晶圓處理設(shè)備的第一機(jī)械手的位置，在檢測到晶圓處理設(shè)備的第一機(jī)械手位于預(yù)設(shè)的安全區(qū)域時(shí)，保護(hù)電路將第一控制臺(tái)第二控制信號(hào)輸出端輸出的卸載信號(hào)傳輸至第二控制臺(tái)的第二接收端，從而第二機(jī)械手對(duì)晶圓進(jìn)行卸載；否則，保護(hù)電路并不將第一控制臺(tái)的第二控制信號(hào)輸出端輸出的卸載信號(hào)傳輸至第二控制臺(tái)的第二接收端，第二機(jī)械手不能對(duì)晶圓進(jìn)行卸載。采用這樣的保護(hù)電路后，有效地避免了因晶圓處理設(shè)備的第一機(jī)械手、晶圓傳輸設(shè)備的第二機(jī)械手及晶圓之間的相互碰撞而導(dǎo)致的第一機(jī)械手、第二機(jī)械手或晶圓的損壞。上述實(shí)施例中晶圓檢測系統(tǒng)的保護(hù)電路結(jié)構(gòu)簡單，且易于實(shí)現(xiàn)。本發(fā)明雖然已以較佳實(shí)施例公開如上，但其并不是用來限定本發(fā)明，任何本領(lǐng)域技術(shù)人員在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，都可以利用上述揭示的方法和技術(shù)內(nèi)容對(duì)本發(fā)明技術(shù)方案做出可能的變動(dòng)和修改，因此，凡是未脫離本發(fā)明技術(shù)方案的內(nèi)容，依據(jù)本發(fā)明的技術(shù)實(shí)質(zhì)對(duì)以上實(shí)施例所作的任何簡單修改、等同變化及修飾，均屬于本發(fā)明技術(shù)方案的保護(hù)范圍。
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權(quán)利要求
1.一種晶圓檢測系統(tǒng)，包括晶圓處理設(shè)備和晶圓傳輸設(shè)備，所述晶圓處理設(shè)備包括第一控制臺(tái)、第一機(jī)械手和晶圓載臺(tái)，所述第一控制臺(tái)適于控制所述第一機(jī)械手從所述晶圓載臺(tái)抓取晶圓進(jìn)行工藝處理或?qū)⒕A放回所述晶圓載臺(tái)；所述第一控制臺(tái)還適于輸出裝載信號(hào)和卸載信號(hào)；所述晶圓傳輸設(shè)備包括第二控制臺(tái)和第二機(jī)械手，所述第二控制臺(tái)接收所述第一控制臺(tái)輸出的裝載信號(hào)，控制所述第二機(jī)械手將晶圓裝載至所述晶圓載臺(tái)；其特征在于，還包括保護(hù)電路，所述保護(hù)電路適于檢測所述晶圓處理設(shè)備的第一機(jī)械手的位置，并在所述第一機(jī)械手位于預(yù)設(shè)的安全區(qū)域時(shí)將所述第一控制臺(tái)輸出的卸載信號(hào)傳輸至所述第二控制臺(tái)，所述第二控制臺(tái)接收所述保護(hù)電路傳輸?shù)男遁d信號(hào)，控制所述第二機(jī)械手卸載所述晶圓載臺(tái)上的晶圓。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶圓檢測系統(tǒng)，其特征在于，所述晶圓處理設(shè)備為晶圓檢測設(shè)備，適于對(duì)晶圓進(jìn)行工藝參數(shù)檢測。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶圓檢測系統(tǒng)，其特征在于，所述保護(hù)電路包括電子開關(guān)和檢測電路，所述電子開關(guān)，包括連接所述第一控制臺(tái)的第一端和連接所述第二控制臺(tái)的第二端， 以及控制端，所述第一端接收所述卸載信號(hào)；所述檢測電路，連接所述電子開關(guān)的控制端，用于檢測所述晶圓處理設(shè)備的第一機(jī)械手的位置，當(dāng)檢測到所述第一機(jī)械手位于預(yù)設(shè)的安全區(qū)域時(shí)，輸出導(dǎo)通所述電子開關(guān)第一端和第二端的控制信號(hào)至所述電子開關(guān)的控制端；否則輸出斷開所述電子開關(guān)的第一端和第二端的控制信號(hào)至所述電子開關(guān)的控制端。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的晶圓檢測系統(tǒng)，其特征在于，所述電子開關(guān)為電磁繼電器，所述電磁繼電器的動(dòng)觸點(diǎn)接收所述卸載信號(hào)，常開觸點(diǎn)連接所述第二控制臺(tái)，常閉觸點(diǎn)浮空， 控制線圈的第一端連接電源的一極，控制線圈的第二端連接所述檢測電路并接收所述控制信號(hào)。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的晶圓檢測系統(tǒng)，其特征在于，所述電磁繼電器為直流電磁繼電器。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的晶圓檢測系統(tǒng)，其特征在于，所述檢測電路包括光發(fā)送單元和光接收單元，所述光發(fā)送單元向所述預(yù)設(shè)的安全區(qū)域發(fā)出檢測光，所述光接收單元在接收到來自預(yù)設(shè)的安全區(qū)域的光線時(shí)產(chǎn)生導(dǎo)通所述電子開關(guān)第一端和第二端的控制信號(hào)至所述電子開關(guān)的控制端，否則輸出斷開所述電子開關(guān)的第一端和第二端的控制信號(hào)至所述電子開關(guān)的控制端。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的晶圓檢測系統(tǒng)，其特征在于，所述檢測電路還包括反射鏡，所述反射鏡安裝于所述晶圓處理設(shè)備的第一機(jī)械手上，所述光發(fā)送單元發(fā)出的檢測光經(jīng)所述反射鏡反射后的光線由所述光接收單元接收。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的晶圓檢測系統(tǒng)，其特征在于，所述光接收單元包括光敏電阻， 所述光敏電阻的第一端連接所述電源的另一極，第二端連接所述電磁繼電器的控制線圈的第二端。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的晶圓檢測系統(tǒng)，其特征在于，所述光發(fā)送單元包括發(fā)光二極管。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的晶圓檢測系統(tǒng)，其特征在于，所述發(fā)光二極管與所述電磁繼電器采用同一電源。
全文摘要
一種晶圓檢測系統(tǒng)，包括晶圓處理設(shè)備、晶圓傳輸設(shè)備和保護(hù)電路，所述晶圓處理設(shè)備包括第一控制臺(tái)、第一機(jī)械手和晶圓載臺(tái)，所述第一控制臺(tái)適于控制所述第一機(jī)械手，還適于輸出裝載信號(hào)和卸載信號(hào)；所述晶圓傳輸設(shè)備包括第二控制臺(tái)和第二機(jī)械手，所述第二控制臺(tái)接收所述第一控制臺(tái)輸出的裝載信號(hào)，控制所述第二機(jī)械手將晶圓裝載至所述晶圓載臺(tái)；所述保護(hù)電路適于檢測所述晶圓處理設(shè)備的第一機(jī)械手的位置，并在所述第一機(jī)械手位于預(yù)設(shè)的安全區(qū)域時(shí)將所述卸載信號(hào)傳輸至所述第二控制臺(tái)。這樣，能有效地避免因第一機(jī)械手、第二機(jī)械手及晶圓之間的相互碰撞而導(dǎo)致的第一機(jī)械手、第二機(jī)械手或晶圓的損壞。
文檔編號(hào)H01L21/66GK102222603SQ20111005833
公開日2011年10月19日 申請(qǐng)日期2011年3月10日 優(yōu)先權(quán)日2011年3月10日
發(fā)明者公茂江, 孫光嶠 申請(qǐng)人:上海宏力半導(dǎo)體制造有限公司