專(zhuān)利名稱(chēng)：一種柔性電子器件薄膜晶體管的制備方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明屬于柔性電子器件制造技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種柔性電子器件薄膜晶體管的溶液化制造方法。
背景技術(shù)：
基于薄膜晶體管(TFT)的玻璃平板基或柔性薄膜基的電子系統(tǒng)不斷趨向大面積集成，尺寸達(dá)到或超過(guò)1米，形成所謂的柔性電子系統(tǒng)，其突出特點(diǎn)為成本低、重量輕、形狀薄、有良好的柔韌性，為了方便攜帶，這些器件經(jīng)常需要卷曲。然而，常規(guī)電子器件是由硅晶片形成的半導(dǎo)體芯片，自身無(wú)法實(shí)現(xiàn)彎曲，在實(shí)際使用過(guò)程中容易損壞。以大面積柔性薄膜為基板構(gòu)造有機(jī)或無(wú)機(jī)電子器件，被視為電子系統(tǒng)未來(lái)發(fā)展的動(dòng)力，這種大面積的柔性電子系統(tǒng)目前最為突出的應(yīng)用包括柔性柔性顯示器、應(yīng)用于電子書(shū)的電子紙、薄膜太陽(yáng)能電池、柔性存儲(chǔ)電路等。未來(lái)主流的柔性電子器件制造工藝必須體現(xiàn)低溫、常氣壓、連續(xù)制作的特征，以達(dá)到大幅面、低成本、高產(chǎn)能的要求。柔性電子制造中最為關(guān)鍵的是微結(jié)構(gòu)的圖案化工藝，所制備圖案的分辨率直接影響到器件的性能。目前國(guó)際上受到較大關(guān)注的圖案化技術(shù)包括 光刻技術(shù)、噴墨打印、微接觸印刷、納米壓印、蘸筆、激光直寫(xiě)等技術(shù)。光刻等能量束技術(shù)在微電子器件圖案化中得到廣泛應(yīng)用，分辨率高，但因其工藝過(guò)程復(fù)雜、設(shè)備昂貴、溶劑和顯影劑無(wú)法用于塑料基板，加之耗時(shí)費(fèi)料、僅適用于小面積圖案化，在刻蝕底層時(shí)環(huán)境要求苛刻，去除光刻膠時(shí)會(huì)破壞有機(jī)電子材料的活性和聚合物基板等，在柔性電子制造應(yīng)用中受限。即使采用，也往往與轉(zhuǎn)移印刷工藝結(jié)合，將硅基上光刻成形后的結(jié)構(gòu)圖案通過(guò)轉(zhuǎn)移印刷工藝轉(zhuǎn)移到柔性基板上。從硅晶片上剝離半導(dǎo)體芯片的步驟和轉(zhuǎn)移到柔性基板步驟的成品率很低，并且增加了制造成本。采用溶液圖案化工藝，可有效避免以上不足。溶液圖案化工藝與柔性電子具有良好的兼容性，并與卷到卷制造結(jié)合，可以實(shí)現(xiàn)高效率低成本的制造，但這些工藝生成的圖案分辨率較低，極大影響了器件的性能。采用微接觸印刷、納米壓印等方法中需要不斷的采用光刻制作高精度圖章，這無(wú)形的增加了使用成本。本發(fā)明將以溶液圖案化工藝中的噴墨打印工藝為例進(jìn)行說(shuō)明。噴墨打印是一種良好的直寫(xiě)工藝，可實(shí)現(xiàn)薄膜沉積與圖案化兩個(gè)工藝過(guò)程一步實(shí)現(xiàn)，可與卷到卷制造結(jié)合，被認(rèn)為是一種高效率、低成本的微結(jié)構(gòu)制造技術(shù)。因而現(xiàn)有的噴墨打印技術(shù)多用于PCB電路板的印刷制造，無(wú)法滿(mǎn)足高性能柔性電子的高分辨率制造的要求。發(fā)明專(zhuān)利CN 1425204A采用傳統(tǒng)的噴墨打印機(jī)在襯底的選擇位置上沉積材料，通過(guò)多個(gè)晶體管溶液制造中，第二表面區(qū)域?qū)τ谶x擇的溶劑事宜地比第一表面區(qū)域大的排斥力，獲得用戶(hù)定義的溝道寬度，但最小寬度僅為5微米。無(wú)法進(jìn)一步降低。因而，現(xiàn)有的噴墨打印技術(shù)無(wú)法滿(mǎn)足高性能柔性電子的高分辨率制造的要求。具體不足如下(1)噴墨打印工藝的分辨率較低，通常在20 50微米，由于溶液表面張力等因素， 難以進(jìn)一步提高打印分辨率，只適用于低性能電子器件；
(2)打印溶液的干燥和固化過(guò)程，使得成形后的微納結(jié)構(gòu)會(huì)出現(xiàn)體積的變化，會(huì)引起結(jié)構(gòu)的內(nèi)應(yīng)力，甚至出現(xiàn)裂紋，降低了結(jié)構(gòu)的可靠性。(3)噴墨打印的金屬納米粒子溶液，干燥固化后形成導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，但是由于溶劑的揮發(fā)，造成結(jié)構(gòu)中存在大量的空隙，難以達(dá)到常規(guī)塊體金屬的導(dǎo)電性能。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是提供一種柔性電子器件薄膜晶體管的制備方法，采用溶液圖案化工藝將溶液沉積到拉伸狀態(tài)下的彈性橡膠基板上，然后釋放基板應(yīng)變，并進(jìn)行熱處理工藝， 可實(shí)現(xiàn)減小薄膜晶體管的溝道尺寸、提高器件性能和結(jié)構(gòu)可靠性的目的。為實(shí)現(xiàn)上述目的所采用的技術(shù)方案為(1)準(zhǔn)備基板單元，所述基板單元可以實(shí)現(xiàn)彎曲和拉伸；(2)拉伸基板，通常拉伸50%以上，在基板單元表面涂覆粘合劑，粘合劑的玻璃態(tài)轉(zhuǎn)化溫度低于橡膠基板單元的玻璃態(tài)轉(zhuǎn)化溫度；(3)橡膠基板單元上沉積若干功能層單元，作為典型TFT器件，功能層單元2包括絕緣層，半導(dǎo)體層、柵極層、源極層、漏極層等，器件的性能取決于器件的溝道長(zhǎng)度等關(guān)鍵尺寸；(4)在沉積源極層和漏極層之后松弛基板，逐步釋放橡膠基板單元的拉伸應(yīng)變，使得橡膠基板單元恢復(fù)原狀。再進(jìn)行熱處理，其中熱處理溫度控制在低于橡膠基板玻璃態(tài)轉(zhuǎn)化溫度，高于粘合劑玻璃態(tài)轉(zhuǎn)化溫度。使得功能層單元與橡膠基板單元之間產(chǎn)生相對(duì)滑移， 減小電子器件微結(jié)構(gòu)的關(guān)鍵尺寸；(5)將前面制備好的整個(gè)器件附著在附加基板單元上，附加基板單元可為塑料基板、柔性薄玻璃基板和柔性不銹鋼薄片基板，用于限制成形后器件的變形，保持尺寸的穩(wěn)定。以上步驟針對(duì)典型TFT結(jié)構(gòu)，如果源極層、漏極層上還有其它功能層，待熱處理后再進(jìn)行沉積。為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明的柔性電子器件的基板為橡膠基板，可實(shí)現(xiàn)較大的彈性拉伸變形(如50%以上)，釋放外部載荷后仍可恢復(fù)原狀。為了實(shí)現(xiàn)上述目的，橡膠基板表面需要涂覆一層非常薄的粘合層，實(shí)現(xiàn)基板與功能層的粘結(jié)。為了實(shí)現(xiàn)上述目的，功能層由溶液圖案化工藝(如噴墨打印工藝)制備而成，要求基板和器件功能層的玻璃態(tài)轉(zhuǎn)化溫度高于粘合層的玻璃態(tài)轉(zhuǎn)化溫度和納米粒子的熔點(diǎn)溫度。為了實(shí)現(xiàn)上述目的，橡膠基板需要有足夠的強(qiáng)度，橡膠基板的厚度取值可參考久，以便橡膠基板沉積功能層之后釋放外部載荷能夠盡可能的恢復(fù)原狀。其中hs和
tS
Es分別為橡膠基板4的厚度和彈性模量，hf和&分別為沉積功能薄膜的厚度和彈性模量。為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明針對(duì)全有機(jī)電子器件，所采用的溶液為絕緣體PVP溶液、導(dǎo)體PEDOTPSS溶液，半導(dǎo)體F8T2溶液；有機(jī)-無(wú)機(jī)混合電子器件中導(dǎo)體采用金屬納米粒子溶液(粒子直徑小于50nm)。
為了實(shí)現(xiàn)上述目的，在功能層沉積完成后，需要逐步釋放橡膠基板的彈性變形，使得橡膠基板能夠部分回縮，在未進(jìn)行熱處理之前可以第一次減小器件的溝道尺寸。為了實(shí)現(xiàn)上述目的，需要進(jìn)一步進(jìn)行熱處理。針對(duì)全有機(jī)電子器件，利用粘合層較低玻璃態(tài)轉(zhuǎn)化溫度的特點(diǎn)，可在150°C條件下進(jìn)行玻璃態(tài)轉(zhuǎn)化，使得器件層和橡膠基板會(huì)產(chǎn)生相對(duì)滑移。針對(duì)有機(jī)-無(wú)機(jī)電子器件，需要增加一個(gè)步驟，在橡膠基板張拉狀態(tài)下，利用納米粒子低熔點(diǎn)的特點(diǎn)，可在150°C _200°C下進(jìn)行熔化，形成良好導(dǎo)電性的導(dǎo)體，提高材料的致密性，提高結(jié)構(gòu)的導(dǎo)電性；然后采用和有機(jī)電子器件一樣熱處理工藝。這可以第二次減小器件的溝道尺寸。為了實(shí)現(xiàn)上述目的，功能層的圖案化工藝還可以采用微接觸印刷等軟刻蝕工藝， 納米壓印工藝，絲網(wǎng)印刷工藝，電液流體動(dòng)力噴印工藝等合適的工藝。為實(shí)現(xiàn)上述目的，如上所述的柔性電子器件溝道縮減量，如圖3計(jì)算。為計(jì)算取拉伸狀態(tài)下的單元長(zhǎng)度器件，即單元長(zhǎng)度L =源極寬度W1+漏極寬度W2+溝道寬度W3。如果原拉伸率為100%，則恢復(fù)未拉伸狀態(tài)下，則單元長(zhǎng)度1 0. 5L ；而由于源極和漏極薄膜承受
一定的壓力，使得橡膠基板回縮后，源極寬度M ，漏極寬度％ 。可得到回縮后的
溝道寬度W3 =I-W1 -W2 K-L--W1 --W2 = -{L-Wl -W2) =-W3
2 2 2 2 2本發(fā)明的制備方法可用于如下電子器件(1)大面積柔性傳感器，如電子皮膚，可感知溫度、壓力等；(2)薄膜太陽(yáng)能電池，可有效的提高傳統(tǒng)硅基薄膜太陽(yáng)能的制造效率，降低生產(chǎn)成本。(3)可變焦鏡頭——電子眼的視網(wǎng)膜制造，可實(shí)現(xiàn)對(duì)動(dòng)態(tài)變化物體的自動(dòng)對(duì)焦，不同于傳統(tǒng)光學(xué)對(duì)焦，可實(shí)現(xiàn)類(lèi)似于眼球的對(duì)焦模式，在精確對(duì)焦的同時(shí)，所占用的空間沒(méi)有變化。本發(fā)明的柔性電子器件薄膜晶體管的制造方法具有類(lèi)似噴墨打印的固有特點(diǎn)，包括(1)是一種無(wú)接觸、無(wú)壓力、無(wú)印版的印刷復(fù)制技術(shù)，它具有無(wú)版數(shù)碼印刷的特征， 在室溫下將溶液直寫(xiě)實(shí)現(xiàn)數(shù)字化柔性印刷，簡(jiǎn)化了制造過(guò)程。(2)對(duì)環(huán)境沒(méi)有苛刻要求，適合于低成本、大面積、批量化工藝、低溫、非接觸式、 “加成”工藝。(3)圖案質(zhì)量不受光刻焦距限制，可在非平面表面甚至深溝結(jié)構(gòu)上進(jìn)行圖案化；(4)直接利用CAD/CAM數(shù)據(jù)加工器件，可實(shí)現(xiàn)大面積動(dòng)態(tài)對(duì)準(zhǔn)和實(shí)時(shí)調(diào)整；(5)無(wú)需物理掩模的按需打印(DOD)技術(shù)；(6)作為非接觸式圖案化技術(shù)，可有效減少瑕疵，并可利用虛擬掩模補(bǔ)償層間變形、錯(cuò)位等缺陷；(7)由于納米金屬粒子形成的結(jié)構(gòu)會(huì)隨著基板一起逐步收縮，進(jìn)過(guò)熱處理后可提高功能層的致密度；(8)如果基板的預(yù)先拉伸率為100%，則通過(guò)本方法實(shí)現(xiàn)的溝道寬度縮小為傳統(tǒng)方法的一半。如果考慮到結(jié)構(gòu)的收縮率會(huì)略小于基板，以及基板和功能層之間的相對(duì)滑移，則本方法實(shí)現(xiàn)的溝道寬度會(huì)小于傳統(tǒng)方法的一半。本方法的優(yōu)點(diǎn)在于通過(guò)一種機(jī)械拉伸基板的方法減小器件的關(guān)鍵尺寸，在噴墨打印工藝分辨率的基礎(chǔ)上進(jìn)一步提高了分辨率。


通過(guò)參考附圖1至4對(duì)本發(fā)明的詳細(xì)說(shuō)明，本發(fā)明以上提到的目的、特點(diǎn)及優(yōu)點(diǎn)將變成更顯而易見(jiàn)。圖1為本發(fā)明的制造原理示意圖；圖2為計(jì)算溝道縮減量的示意圖；圖3為本發(fā)明制造全有機(jī)薄膜晶體管的工藝過(guò)程示意圖；圖4為本發(fā)明制造有機(jī)-無(wú)機(jī)薄膜晶體管的工藝過(guò)程示意圖。圖中標(biāo)號(hào)分別表示1、柔性基板(如塑料基板、柔性薄玻璃基板、柔性不銹鋼箔基板等)；2、微結(jié)構(gòu)1 ；3、微結(jié)構(gòu)2 ；4、橡膠基板；5、附加基板(如塑料基板、柔性薄玻璃基板、 柔性不銹鋼箔基板等)；6、柵極；7、絕緣層；8、源極；9、漏極；10、半導(dǎo)體活性層；11、金屬納米粒子源極；12、金屬納米粒子漏極；111、金屬塊體源極；121、金屬塊體漏極。
具體實(shí)施例方式本發(fā)明的目的是提供一種柔性電子器件薄膜晶體管制備方法，采用噴墨打印工藝將溶液沉積到拉伸狀態(tài)下的彈性橡膠基板上，然后釋放基板應(yīng)變，并進(jìn)行熱處理工藝，可實(shí)現(xiàn)減小電子器件溝道尺寸、提高器件性能和可靠性的目的。實(shí)施例1圖3為本發(fā)明實(shí)施例1的制備全有機(jī)薄膜晶體管(TFT)的工藝過(guò)程示意圖，從圖中可知，本發(fā)明的制備工藝過(guò)程為(1)準(zhǔn)備基板單元4，基板單元為橡膠基板，可以實(shí)現(xiàn)彎曲和拉伸；柔性基板選擇具有較高彈性變形能力的橡膠基板，要求超過(guò)50%的彈性應(yīng)變，釋放外部作用力后仍可恢復(fù)原狀。(2)針對(duì)基板單元進(jìn)行拉伸和表面處理，通常拉伸50%以上，表面涂覆粘合劑；為實(shí)現(xiàn)上述目的，橡膠基板需要有足夠的強(qiáng)度，橡膠基板的厚度取值可參考
夂，以便橡膠基板沉積功能層之后釋放外部載荷能夠盡可能的恢復(fù)原狀。
Es(3)在基板上沉積柵極；在橡膠基板表面涂覆一層較低玻璃態(tài)轉(zhuǎn)化溫度的粘合層，以實(shí)現(xiàn)基板與功能層的粘結(jié)。要求基板和器件功能層的玻璃態(tài)轉(zhuǎn)化溫度高于粘合層的玻璃態(tài)轉(zhuǎn)化溫度。(4)沉積有機(jī)介電層單元7 ；(5)沉積聚合物材料的源極單元8和聚合物材料的漏極單元9 ；按照設(shè)計(jì)的電子器件(薄膜晶體管)結(jié)構(gòu)功能層的順序進(jìn)行噴墨打印，形成圖案。 要求器件功能層的玻璃態(tài)轉(zhuǎn)化溫度高于粘合層的玻璃態(tài)轉(zhuǎn)化溫度。(6)基板松弛進(jìn)行熱處理a)需要逐步釋放原來(lái)作用在基板上的載荷，使得基板可以在自由狀態(tài)下恢復(fù)部分CN 102169960 A
說(shuō)明書(shū)
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變形，此時(shí)功能層承受壓力。在未進(jìn)行熱處理之前可以第一次減小器件的溝道尺寸。b)熱處理過(guò)程。利用粘合層較低玻璃態(tài)轉(zhuǎn)化溫度的特點(diǎn)，熱處理溫度控制在低于基板和器件功能層玻璃態(tài)轉(zhuǎn)化溫度，高于粘合層玻璃態(tài)轉(zhuǎn)化溫度的條件下，使得器件層和橡膠基板會(huì)產(chǎn)生相對(duì)滑移。熱處理一般為退火處理，通過(guò)熱處理可以實(shí)現(xiàn)(i)第二次減小器件的溝道尺寸，提高器件的性能；(ii)可以消除器件-基板的界面應(yīng)力和器件的壓應(yīng)力， 提高器件的結(jié)構(gòu)可靠性。(7)沉積有機(jī)半導(dǎo)體層單元10(8)附加柔性基板單元5，這個(gè)步驟為可選步驟，基板單元5可為塑料基板、柔性薄玻璃基板和柔性不銹鋼薄片基板，用于限制成形后器件的變形，保持尺寸的穩(wěn)定。實(shí)施例2圖4為本發(fā)明實(shí)施例2制造有機(jī)-無(wú)機(jī)薄膜晶體管的工藝過(guò)程示意圖，從圖中可知，本發(fā)明的制作有機(jī)-無(wú)機(jī)薄膜晶體管的工藝過(guò)程為(1)準(zhǔn)備基板單元4，基板單元為橡膠基板，可以實(shí)現(xiàn)彎曲和拉伸；柔性基板選擇具有較高彈性變形能力的橡膠基板，要求超過(guò)50 %的彈性應(yīng)變，釋放外部作用力后仍可恢復(fù)原狀。(2)針對(duì)基板單元進(jìn)行拉伸和表面處理，通常拉伸50%以上，表面涂覆粘合劑；在橡膠基板表面涂覆一層較低玻璃態(tài)轉(zhuǎn)化溫度的粘合層，以實(shí)現(xiàn)基板與功能層的粘結(jié)。要求基板和器件功能層的玻璃態(tài)轉(zhuǎn)化溫度高于粘合層的玻璃態(tài)轉(zhuǎn)化溫度。(3)在基板上沉積柵極6 ；
(4)沉積有機(jī)介電層單元7 ；(5)沉積金屬納米粒子材料的源極單元11和金屬納米粒子材料的漏極單元12 ；要求器件功能層的玻璃態(tài)轉(zhuǎn)化溫度高于粘合層的玻璃態(tài)轉(zhuǎn)化溫度。(6)進(jìn)行第一次熱處理，溫度略高于納米粒子層熔點(diǎn)，低于其它結(jié)構(gòu)層的玻璃態(tài)轉(zhuǎn)化溫度，使納米粒子熔化形成塊體金屬，則源極單元11和漏極單元12轉(zhuǎn)化為源極單元111 和漏極單元121，此時(shí)基板保持拉伸狀態(tài)；(7)基板松弛和熱處理。釋放原來(lái)作用在基板上的載荷，使得基板可以在自由狀態(tài)下恢復(fù)部分變形；逐步釋放橡膠基板單元4的拉伸應(yīng)變，使得基板恢復(fù)原狀，使得器件層和基板之間有相對(duì)滑移，可有效消除界面內(nèi)力，減小溝道尺寸；然后采用和有機(jī)電子器件一樣的熱處理工藝。(8)沉積有機(jī)半導(dǎo)體層單元10 ；(9)附加柔性基板單元5，這個(gè)步驟為可選步驟，基板單元5可為塑料基板、柔性薄玻璃基板和柔性不銹鋼薄片基板，用于限制成形后器件的變形，保持尺寸的穩(wěn)定。上述實(shí)施例1和2中，步驟(3)與步驟(5)和(6)的順序也可以互換，即先在基板上沉積源極單元11和漏極單元12，并熱處理后，再沉積有機(jī)介電層單元7和沉積柵極6。將前面制備好的整個(gè)器件附著在附加基板單元，附加基板可以是塑料基板、柔性薄玻璃基板、柔性不銹鋼箔基板等，可以保持器件幾何尺寸的穩(wěn)定。根據(jù)使用要求，此步驟為可選步驟。
權(quán)利要求
1.一種柔性電子器件薄膜晶體管的制備方法，包括如下步驟(1)準(zhǔn)備可彎曲和拉伸的基板(4)；(2)拉伸所述基板(4)，并在拉伸后的基板(4)表面涂覆粘合劑，其中所述粘合劑的玻璃態(tài)轉(zhuǎn)化溫度低于所述基板(4)的玻璃態(tài)轉(zhuǎn)化溫度；(3 )在所述基板(4 )上沉積柵極(6 )；(4)在經(jīng)步驟(3)處理后的器件上沉積有機(jī)介電層單元(7)；(5 )在所述有機(jī)介電層單元(7 )上分別沉積源極單元層(11)和漏極單元層(12 )；(6)基板松弛，釋放作用在基板上的載荷，并進(jìn)行熱處理，以消除界面應(yīng)力和器件的壓應(yīng)力，其中所述熱處理溫度控制在橡膠基板玻璃態(tài)轉(zhuǎn)化溫度和粘合劑玻璃態(tài)轉(zhuǎn)化溫度之間的范圍內(nèi)；(7)沉積有機(jī)半導(dǎo)體層單元(10);通過(guò)上述過(guò)程，即完成柔性電子器件薄膜晶體管的制備。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述的沉積均通過(guò)直接將相應(yīng)功能層材料溶液噴射到實(shí)現(xiàn)，或通過(guò)采用軟刻蝕工藝、納米壓印工藝、絲網(wǎng)印刷工藝或電液流體動(dòng)力噴印工藝實(shí)現(xiàn)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述的功能層材料溶液為聚合物溶液。
4.根據(jù)權(quán)利要求1-3之一所述的方法，其特征在于，所述的薄膜晶體管為全有機(jī)薄膜晶體管。
5.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的方法，其特征在于，在所述步驟(5)和所述步驟(6)之間還包括一個(gè)熱處理的工藝。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，其特征在于，所述的源極單元層(11)和漏極單元層 (12)的材料溶液為金屬納米粒子溶液。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其特征在于，所述金屬納米粒子為金屬銀納米粒子或金屬銅納米粒子。
8.根據(jù)權(quán)利要求5-7之一所述的方法，其特征在于，所述的薄膜晶體管為有機(jī)-無(wú)機(jī)薄膜晶體管。
9.根據(jù)權(quán)利要求1-8之一所述的方法，其特征在于，該方法還包括將步驟(7)處理的器件附著在附加基板單元(5)上的步驟，用于限制器件的變形，以保持尺寸的穩(wěn)定。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其特征在于，所述附加基板單元(5)可為塑料基板、柔性薄玻璃基板或柔性不銹鋼薄片基板。
全文摘要
本發(fā)明提供一種柔性電子器件薄膜晶體管的制備方法，包括(1)準(zhǔn)備可彎曲和拉伸的基板；(2)拉伸所述基板，并在拉伸后的橡膠基板表面涂覆粘合劑；(3)在所述基板上沉積柵極；(4)在經(jīng)步驟(3)處理后的器件上沉積有機(jī)介電層單元；(5)在所述有機(jī)介電層單元上分別沉積源極單元層和漏極單元層；(6)基板松弛，釋放作用在基板上的載荷，并進(jìn)行熱處理，以消除界面應(yīng)力和器件的壓應(yīng)力；(7)沉積有機(jī)半導(dǎo)體層單元。本方法通過(guò)一種機(jī)械拉伸基板的方法減小器件的溝道寬度，有效提高了制造精度，提升了柔性電子器件的分辨率。
文檔編號(hào)H01L51/40GK102169960SQ201110063328
公開(kāi)日2011年8月31日 申請(qǐng)日期2011年3月16日 優(yōu)先權(quán)日2011年3月16日
發(fā)明者尹周平, 布寧斌, 段永青, 王小梅, 陳建魁, 黃永安 申請(qǐng)人:華中科技大學(xué)