專利名稱：顯示裝置接觸孔形成方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及顯示裝置制造技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種顯示裝置接觸孔形成方法。
背景技術(shù)：
在TFT (Thin Film Transistor，薄膜晶體管)制造工藝過程中，TFT各組成結(jié)構(gòu)及其面積被最佳化，其中，金屬配線分為D(data，數(shù)據(jù))配線和G(gate柵)配線兩種，金屬配線之間以及金屬配線與透明電極層之間沉積有絕緣層和鈍化層。為了最小化對(duì)經(jīng)由配線元件所傳送的信號(hào)的干擾，絕緣層通常由低介電材料形成，接觸孔形成于鈍化層及絕緣層中，且傳輸相同信號(hào)的金屬配線通常經(jīng)由數(shù)個(gè)接觸孔而相互連接，其中連接D配線和透明電極層的接觸孔定義為淺孔接觸孔，連接G配線和透明電極層的接觸孔定義為深孔接觸孔。目前業(yè)界通常采用兩次蝕刻工藝形成上述淺孔接觸孔和深孔接觸孔，第一步蝕刻 中，同時(shí)蝕刻深孔處鈍化層以及絕緣層的一部分、淺孔處的光刻膠以及鈍化層一部分；第二步蝕刻中，蝕刻去除深孔處保留的絕緣層和淺孔處保留的鈍化層。由于深孔處保留的絕緣層和淺孔處保留的鈍化層的膜質(zhì)不一樣，其蝕刻速度不一樣，因此對(duì)第一次蝕刻后深孔處保留的絕緣層和淺孔處保留的鈍化層的均一性有較高的要求，如果均一性不好，為保證深孔和淺孔處完全蝕刻，需要比較大的過刻；另外，在第一步蝕刻中，在保證鈍化層和絕緣層與光刻膠的蝕刻選擇比的同時(shí)，要求較大蝕刻速度，工藝較難控制。如圖IA所示，形成接觸孔的兩次蝕刻工藝中，涂覆光刻膠顯影以后，在淺孔上方形成半色調(diào)(half tone)光刻膠18A。第一次蝕刻過程為,在第一金屬層12A上方,依次蝕刻鈍化層16以及部分的絕緣層14，以形成深孔20A其中未被移除、且殘留于深孔20A底層內(nèi)的絕緣層14的厚度約為50埃至500埃；同時(shí)，在第二金屬層12B上方，蝕刻移除半色調(diào)光刻膠18A和部分鈍化層16，其中未被移除、且殘留于淺孔20B底層內(nèi)的鈍化層厚度約為50埃至500埃，如圖IB所示。第二次蝕刻過程為，采用較第一次蝕刻氧氣含量更少的蝕刻氣體進(jìn)行蝕刻，分別移除深孔20A內(nèi)剩余的絕緣層和淺孔20B內(nèi)剩余的鈍化層，深孔20A和淺孔20B內(nèi)都形成上下兩個(gè)不同的傾斜角α I和α 2，其中深孔20Α和淺孔20Β內(nèi)的α I相等，并且α I > ct2，如圖IC所不。以上兩步蝕刻中，由于淺孔上方圖案化光刻膠厚度和均一性較差，造成后續(xù)的第一次和第二次蝕刻中間的時(shí)間節(jié)點(diǎn)和第二步蝕刻結(jié)束的時(shí)間節(jié)點(diǎn)都較難控制，蝕刻速度也由于蝕刻氣體的選擇比而更難調(diào)節(jié)，因此，蝕刻后容易出現(xiàn)較大的金屬配線過刻量。

發(fā)明內(nèi)容
為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明的目的在于提供一種顯示裝置接觸孔形成方法，以在保留并改進(jìn)兩步蝕刻工藝的良好接觸孔蝕刻形貌的前提下，優(yōu)化蝕刻工藝，使蝕刻工藝更好控制，減小蝕刻時(shí)對(duì)金屬配線的過刻量。為此，本發(fā)明實(shí)施例提供了如下技術(shù)方案一種顯示裝置接觸孔形成方法，包括
提供基板，基板上形成有第一金屬層，第一金屬層和基板上覆蓋有絕緣層，絕緣層上形成有第二金屬層，且第二金屬層和第一金屬層在垂直于基板的方向上不重合，第二金屬層和絕緣層上覆蓋有鈍化層，鈍化層上覆蓋有圖案化光刻膠層，其中圖案化光刻膠層包括設(shè)置在第二金屬層上方對(duì)應(yīng)位置的半色調(diào)光刻膠區(qū)域；以所述圖案化光刻膠層為掩模，執(zhí)行第一蝕刻步驟，去除第一金屬層上方對(duì)應(yīng)的全部厚度的鈍化層以及部分厚度的絕緣層，形成深孔，同時(shí)去除第二金屬層上方對(duì)應(yīng)的部分厚度的半色調(diào)光刻膠，形成淺孔；執(zhí)行灰化步驟，完全去除第二金屬層上方對(duì)應(yīng)的半色調(diào)光刻膠；以所述圖案化光刻膠層為掩模，執(zhí)行第二蝕刻步驟，去除第一金屬層上方深孔內(nèi)保留的絕緣層，曝露出第一金屬層表面，同時(shí)去除第二金屬層上方淺孔內(nèi)對(duì)應(yīng)的鈍化層，曝露出第二金屬層表面。優(yōu)選的，第一蝕刻步驟使用的蝕刻氣體為含氟氣體、含氟氣體和氧氣的混合氣體、含氟氣體和氦氣的混合氣體、或者含氟氣體和氧氣以及氦氣三種氣體的混合氣體。 優(yōu)選的，第二蝕刻步驟和第一蝕刻步驟中使用相同或不同的蝕刻氣體。優(yōu)選的，灰化步驟采用含氟氣體和氧氣的混合氣體、或者僅采用氧氣為灰化氣體。優(yōu)選的，所述含氟氣體包括SF6、CF4或CHF3。優(yōu)選的，所述顯示裝置接觸孔形成方法，還包括在第二蝕刻步驟執(zhí)行完畢后，采用剝離的方式移除鈍化層上方的圖案化光刻膠層。優(yōu)選的，所述顯示裝置接觸孔形成方法，還包括移除圖案化光刻膠層之后，在鈍化層上方形成覆蓋鈍化層的電極層，所述電極層覆蓋于深孔以及淺孔內(nèi)。優(yōu)選的，在第二蝕刻步驟執(zhí)行完畢后，深孔內(nèi)形成有上下兩個(gè)傾角，分別為上傾角和下傾角，淺孔內(nèi)形成有一個(gè)傾角。優(yōu)選的，當(dāng)?shù)诙g刻步驟中使用的蝕刻氣體選擇比大于第一蝕刻步驟中使用的蝕刻氣體選擇比時(shí)，所述上傾角度大于、等于或者小于所述下傾角度。優(yōu)選的，當(dāng)?shù)诙g刻步驟中使用的蝕刻氣體選擇比小于第一蝕刻步驟中使用的蝕刻氣體選擇比時(shí)，所述上傾角度小于所述下傾角度。與現(xiàn)有技術(shù)相比，上述技術(shù)方案具有以下優(yōu)點(diǎn)本發(fā)明實(shí)施例所提供的顯示裝置接觸孔形成方法中，在現(xiàn)有的兩步刻蝕制程之間，增加了一步灰化過程，可以去除光刻膠殘膜均一性不好控制的缺陷，優(yōu)化了蝕刻工藝，兩步蝕刻過程可以用同一種蝕刻氣體，這樣控制蝕刻速度的工藝簡單，同時(shí)可以最大程度的避免金屬配線的過度蝕刻。


為了更清楚地說明本發(fā)明實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。
圖1A、IB和IC為現(xiàn)有技術(shù)中的接觸孔形成過程示意圖；圖2為本申請(qǐng)實(shí)施例一提供的顯示裝置接觸孔形成方法流程示意圖；圖3A、3B、3C、3D和3E為本申請(qǐng)實(shí)施例一提供的接觸孔形成過程中的結(jié)構(gòu)示意圖；圖3F、3G和3H為本申請(qǐng)實(shí)施例一提供最終得到的接觸孔結(jié)構(gòu)示意圖。上述圖中，10為基板、12A為第一金屬層、12B為第二金屬層、14為絕緣層、16為鈍化層、18為圖案化光刻膠層、18A為半色調(diào)光刻膠區(qū)域、20A為深刻、20B為淺孔。
具體實(shí)施例方式為了在顯示裝置接觸孔形成過程中，優(yōu)化蝕刻工藝，使蝕刻工藝更好控制，減小蝕刻時(shí)對(duì)金屬配線的過刻量，本發(fā)明實(shí)施例提供了一種顯示裝置接觸孔形成方法，該方法包 括以下步驟提供基板，基板上形成有第一金屬層，第一金屬層和基板上覆蓋有絕緣層，絕緣層上形成有第二金屬層，且第二金屬層和第一金屬層在垂直于基板的方向上不重合，第二金屬層和絕緣層上覆蓋有鈍化層，鈍化層上覆蓋有圖案化光刻膠層，其中圖案化光刻膠層包括設(shè)置在第二金屬層上方對(duì)應(yīng)位置的半色調(diào)光刻膠區(qū)域；以所述圖案化光刻膠層為掩模，執(zhí)行第一蝕刻步驟，去除第一金屬層上方對(duì)應(yīng)的全部厚度的鈍化層以及部分厚度的絕緣層，形成深孔，同時(shí)去除第二金屬層上方對(duì)應(yīng)的部分厚度的半色調(diào)光刻膠，形成淺孔；執(zhí)行灰化步驟，完全去除第二金屬層上方對(duì)應(yīng)的半色調(diào)光刻膠；以所述圖案化光刻膠層為掩模，執(zhí)行第二蝕刻步驟，去除第一金屬層上方深孔內(nèi)保留的絕緣層，曝露出第一金屬層表面，同時(shí)去除第二金屬層上方淺孔內(nèi)對(duì)應(yīng)的鈍化層，曝露出第二金屬層表面。應(yīng)用本實(shí)施例提供的顯示裝置接觸孔形成方法，在現(xiàn)有的兩步刻蝕制程之間，增加了一步灰化過程，可以去除光刻膠殘膜均一性不好控制的缺陷，優(yōu)化了蝕刻工藝，兩步蝕刻過程可以用同一種蝕刻氣體，這樣控制蝕刻速度的工藝簡單，同時(shí)可以最大程度的避免金屬配線的過度蝕刻。以上是本申請(qǐng)的核心思想，下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖，對(duì)本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；诒景l(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。在下面的描述中闡述了很多具體細(xì)節(jié)以便于充分理解本發(fā)明，但是本發(fā)明還可以采用其他不同于在此描述的其它方式來實(shí)施，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以在不違背本發(fā)明內(nèi)涵的情況下做類似推廣，因此本發(fā)明不受下面公開的具體實(shí)施例的限制。其次，本發(fā)明結(jié)合示意圖進(jìn)行詳細(xì)描述，在詳述本發(fā)明實(shí)施例時(shí)，為便于說明，表示器件結(jié)構(gòu)的剖面圖會(huì)不依一般比例作局部放大，而且所述示意圖只是示例，其在此不應(yīng)限制本發(fā)明保護(hù)的范圍。此外，在實(shí)際制作中應(yīng)包含長度、寬度及深度的三維空間尺寸。實(shí)施例一本實(shí)施例提供了一種顯示裝置接觸孔形成方法，以優(yōu)化蝕刻工藝，使蝕刻工藝更好控制，減小蝕刻時(shí)對(duì)金屬配線的過刻量，如圖2所示的方法流程示意圖，該方法包括以下步驟步驟S201,提供基板10,基板上形成有第一金屬層12A,第一金屬層12A和基板10上覆蓋有絕緣層14，絕緣層14上形成有第二金屬層12B，且第二金屬層12B和第一金屬層12A在垂直于基板10的方向上不重合，可參見圖3A所示的形成第二金屬層12B后的裝置結(jié)構(gòu)示意圖，第二金屬層12B和絕緣層14上覆蓋有鈍化層16，可參見圖3B所示的結(jié)構(gòu)示意圖，鈍化層16上覆蓋有圖案化光刻膠層18，其中圖案化光刻膠層18包括設(shè)置在第二金屬層12B上方對(duì)應(yīng)位置的半色調(diào)光刻膠區(qū)域18A，可參見圖3C所示的結(jié)構(gòu)示意圖。其中，第一金屬層12A及第二金屬層12B可以為單層金屬，其材料可以是銅(Cu)、鑰(Mo)、鋁(Al)或銅合金(Cu alloy)等；第一金屬層12A及第二金屬層12B還可以為雙層金屬，其下層金屬為銅、鑰(Mo)、鋁(Al)或銅合金，上層金屬則可以是鑰(Mo)、鈦(Ti)、坦(Ta)、鎳(Ni)、銅(Cu)或上述金屬的金屬氮化物、金屬氧化物、或合金等。步驟S202，以所述圖案化光刻膠層18為掩模，執(zhí)行第一蝕刻步驟，去除第一金屬 層12A上方對(duì)應(yīng)的全部厚度的鈍化層16以及部分厚度的絕緣層14，形成深孔20A，同時(shí)去除第二金屬層12B上方對(duì)應(yīng)的部分厚度的半色調(diào)光刻膠18A，形成淺孔。參見圖3D所示，為第一步蝕刻后的結(jié)構(gòu)示意圖。本步驟中，采用蝕刻比盡量大的含氟氣體和氧氣的混合氣體、或者純含氟氣體、或者含氟氣體和氦氣的混合氣體、或者含氟氣體、氦氣和氧氣三種氣體的混合氣體作為蝕刻氣體(蝕刻等離子體)，其中，所述含氟氣體包括SF6、CF4或CHF3,本實(shí)施例優(yōu)選的使用SF6和氧氣的混合氣體。本步驟中，其中未被移除、且保留于深孔20A底層內(nèi)的絕緣層14的厚度由第二步蝕刻步驟中蝕刻氣體的選擇比和鈍化層16的厚度以及鈍化層16的蝕刻速度決定；同時(shí)，第一次蝕刻后，在第二金屬層12B上方，保留盡量薄的半色調(diào)光刻膠，使半色調(diào)光刻膠能完全覆蓋第二金屬層12B上方，參照?qǐng)D3D所示的結(jié)構(gòu)示意圖。本步驟中，理想的蝕刻結(jié)果為半色調(diào)光刻膠區(qū)域18A的全部半色調(diào)光刻膠被完全刻蝕去除，此時(shí)無需執(zhí)行灰化步驟，可以直接執(zhí)行第二蝕刻步驟，然而受到現(xiàn)有工藝水平的限制，本刻蝕步驟中，為了保證不對(duì)半色調(diào)光刻膠區(qū)域18A下方的鈍化層16造成刻蝕，需要保留部分厚度的半色調(diào)光刻膠。步驟S203，執(zhí)行灰化步驟，完全去除第二金屬層12B上方對(duì)應(yīng)的半色調(diào)光刻膠；本步驟中可以使用比例較低的含氟氣體和氧氣的混合氣體、或者純氧氣進(jìn)行灰化，以消除第一次蝕刻后殘留的半色調(diào)光刻膠，避免半色調(diào)光刻膠膜厚不均造成的第二次蝕刻對(duì)金屬配線的過刻。灰化步驟結(jié)束后，第二金屬層12B上方對(duì)應(yīng)的半色調(diào)光刻膠被完全蝕刻掉，可參照?qǐng)D3E所示的結(jié)構(gòu)示意圖。此外，本步驟中，在灰化淺孔內(nèi)的半色調(diào)光刻膠的同時(shí)，深孔側(cè)邊的光刻膠也會(huì)被灰化掉一部分。步驟S204，以所述圖案化光刻膠層18為掩模，執(zhí)行第二蝕刻步驟，去除第一金屬層12A上方深孔內(nèi)保留的絕緣層14，曝露出第一金屬層12A表面，得到最終的深孔20A的結(jié)構(gòu)；同時(shí)去除第二金屬層12B上方淺孔內(nèi)對(duì)應(yīng)的鈍化層16，曝露出第二金屬層12A表面，得到最終的淺孔20B的結(jié)構(gòu)。第二蝕刻步驟和第一蝕刻步驟中可以使用相同或不同的蝕刻氣體，具體的其所使用的SF6 O2氣體比例可以與第一步蝕刻氣體相同或者不同。如果第二蝕刻步驟使用的SF6 02氣體比例較第一蝕刻步驟中偏大，由于絕緣層14和鈍化層16的蝕刻選擇比不同，所以移除殘留在第一金屬層12A上方的絕緣層14，以及蝕刻位于第二金屬層12B上方的鈍化層16，同時(shí)也會(huì)蝕刻深孔20A內(nèi)的側(cè)邊，使得深孔20A內(nèi)形成上下兩個(gè)傾斜角α I和α 2及淺孔20Β內(nèi)形成α 3，且灰化步驟中會(huì)對(duì)深孔20Α上方光刻膠產(chǎn)生一定的側(cè)刻，則可能α I > α2，參照?qǐng)D3F所示；可能α I < α2，參照?qǐng)D3G所示，還可能α I = α2，參照?qǐng)D3Η所示。同理，如果第二蝕刻步驟使用的SF6 02氣體比例較第一蝕刻步驟中偏小，則α I< α2，參照?qǐng)D3G所示。此外，由于淺孔20Β對(duì)應(yīng)的鈍化層16是在第二蝕刻步驟中一次蝕刻去除的，因此無論第二蝕刻步驟中蝕刻氣體選擇比如何變化，淺孔20Β內(nèi)只會(huì)形成一個(gè)傾斜角ct 3。本實(shí)施例提供的顯示裝置接觸孔形成方法中，在鈍化層和絕緣層兩步蝕刻中間，增加一步灰化過程，去除了光刻膠殘膜均一性不好控制的缺陷，同時(shí)淺孔位置對(duì)應(yīng)的鈍化層只在第二步蝕刻過程中蝕刻，由于深孔上部鈍化層與淺孔鈍化層經(jīng)歷不同的蝕刻過程，所以，形成的蝕刻角度不同。兩步蝕刻鈍化層的工藝過程中，只要保證鈍化層和光刻膠的蝕刻氣體選擇比盡量大即可，兩步蝕刻過程可以用同一種蝕刻氣體，這樣控制蝕刻速度的工藝也更簡單，同時(shí)也能夠減小蝕刻時(shí)對(duì)金屬配線的過刻量。
此外，本實(shí)施例提供的顯示裝置接觸孔形成方法中，在步驟S204中所述的第二蝕刻步驟完成以后，還可以包括步驟S205(圖2中未示出)，利用剝離(stripping)的方式,移除位于鈍化層16上方的圖案化光刻膠18。同時(shí)，在步驟S205之后，還可以包括步驟S206(圖2中未示出)，在鈍化層上方形成覆蓋鈍化層16的電極層，所述電極層覆蓋于深刻以及淺孔內(nèi)。其中，所述電極層的材料可以為透明氧化物層，例如氧化銦錫(ITO)等。應(yīng)用本實(shí)施例提供的顯示裝置接觸孔形成方法中的優(yōu)點(diǎn)在于兩步蝕刻過程可以用同一種蝕刻氣體，這樣控制蝕刻速度的工藝簡單，同時(shí)可以最大程度的避免第一金屬層12A及第二金屬層12B的過度蝕刻。另外，可以改善透明電極層與暴露于深孔20A的第一金屬層12A，及暴露于淺孔20B的第二金屬層12B的接觸電阻(contact resistance),其電阻值可以降低1-2個(gè)數(shù)量級(jí)。本說明書中各個(gè)部分采用遞進(jìn)的方式描述，每個(gè)部分重點(diǎn)說明的都是與其他部分的不同之處，各個(gè)部分之間相同相似部分互相參見即可。對(duì)所公開的實(shí)施例的上述說明，使本領(lǐng)域?qū)I(yè)技術(shù)人員能夠?qū)崿F(xiàn)或使用本發(fā)明。對(duì)這些實(shí)施例的多種修改對(duì)本領(lǐng)域的專業(yè)技術(shù)人員來說將是顯而易見的，本文中所定義的一般原理可以在不脫離本發(fā)明的精神或范圍的情況下，在其它實(shí)施例中實(shí)現(xiàn)。因此，本發(fā)明將不會(huì)被限制于本文所示的實(shí)施例，而是要符合與本文所公開的原理和新穎特點(diǎn)相一致的最寬的范圍。
權(quán)利要求
1.一種顯示裝置接觸孔形成方法，其特征在于，包括 提供基板，基板上形成有第一金屬層，第一金屬層和基板上覆蓋有絕緣層，絕緣層上形成有第二金屬層，且第二金屬層和第一金屬層在垂直于基板的方向上不重合，第二金屬層和絕緣層上覆蓋有鈍化層，鈍化層上覆蓋有圖案化光刻膠層，其中圖案化光刻膠層包括設(shè)置在第二金屬層上方對(duì)應(yīng)位置的半色調(diào)光刻膠區(qū)域； 以所述圖案化光刻膠層為掩模，執(zhí)行第一蝕刻步驟，去除第一金屬層上方對(duì)應(yīng)的全部厚度的鈍化層以及部分厚度的絕緣層，形成深孔，同時(shí)去除第二金屬層上方對(duì)應(yīng)的部分厚度的半色調(diào)光刻膠，形成淺孔； 執(zhí)行灰化步驟，完全去除第二金屬層上方對(duì)應(yīng)的半色調(diào)光刻膠； 以所述圖案化光刻膠層為掩模，執(zhí)行第二蝕刻步驟，去除第一金屬層上方深孔內(nèi)保留的絕緣層，曝露出第一金屬層表面，同時(shí)去除第二金屬層上方淺孔內(nèi)對(duì)應(yīng)的鈍化層，曝露出第二金屬層表面。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的顯示裝置接觸孔形成方法，其特征在于 第一蝕刻步驟使用的蝕刻氣體為含氟氣體、含氟氣體和氧氣的混合氣體含氟氣體和氦氣的混合氣體、或者含氟氣體和氧氣以及氦氣三種氣體的混合氣體。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的顯示裝置接觸孔形成方法，其特征在于 第二蝕刻步驟和第一蝕刻步驟中使用相同或不同的蝕刻氣體。
4.根據(jù)權(quán)利要求I所述的顯示裝置接觸孔形成方法，其特征在于 灰化步驟采用含氟氣體和氧氣的混合氣體、或者僅采用氧氣為灰化氣體。
5.根據(jù)權(quán)利要求2至4任一項(xiàng)所述的顯示裝置接觸孔形成方法，其特征在于 所述含氟氣體包括SF6、CF4或CHF3。
6.根據(jù)權(quán)利要求I所述的顯示裝置接觸孔形成方法，其特征在于，還包括 在第二蝕刻步驟執(zhí)行完畢后，采用剝離的方式移除鈍化層上方的圖案化光刻膠層。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的顯示裝置接觸孔形成方法，其特征在于，還包括 移除圖案化光刻膠層之后，在鈍化層上方形成覆蓋鈍化層的電極層，所述電極層覆蓋于深孔以及淺孔內(nèi)。
8.根據(jù)權(quán)利要求I所述的顯示裝置接觸孔形成方法，其特征在于 在第二蝕刻步驟執(zhí)行完畢后，深孔內(nèi)形成有上下兩個(gè)傾角，分別為上傾角和下傾角，淺孔內(nèi)形成有ー個(gè)傾角。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的顯示裝置接觸孔形成方法，其特征在于 當(dāng)?shù)诙g刻步驟中使用的蝕刻氣體選擇比大于第一蝕刻步驟中使用的蝕刻氣體選擇比時(shí)，所述上傾角度大于、等于或者小于所述下傾角度。
10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的顯示裝置接觸孔形成方法，其特征在于 當(dāng)?shù)诙g刻步驟中使用的蝕刻氣體選擇比小于第一蝕刻步驟中使用的蝕刻氣體選擇比時(shí)，所述上傾角度小于所述下傾角度。
全文摘要
本發(fā)明實(shí)施例公開了一種顯示裝置接觸孔形成方法，包括提供基板，基板上依次形成有第一金屬層、絕緣層、第二金屬層、鈍化層和圖案化光刻膠層；執(zhí)行第一蝕刻步驟去除第一金屬層上方對(duì)應(yīng)的全部厚度的鈍化層以及部分厚度的絕緣層，同時(shí)去除第二金屬層上方對(duì)應(yīng)的部分厚度的半色調(diào)光刻膠；執(zhí)行灰化步驟，完全去除第二金屬層上方對(duì)應(yīng)的半色調(diào)光刻膠；執(zhí)行第二蝕刻步驟，去除第一金屬層上方深孔內(nèi)保留的絕緣層，曝露出第一金屬層表面，同時(shí)去除第二金屬層上方淺孔內(nèi)對(duì)應(yīng)的鈍化層，曝露出第二金屬層表面。該方案可以去除光刻膠殘膜均一性不好控制的缺陷，優(yōu)化了蝕刻工藝，控制蝕刻速度的工藝簡單，可以最大程度的避免金屬配線的過度蝕刻。
文檔編號(hào)H01L21/311GK102683266SQ20111006393
公開日2012年9月19日 申請(qǐng)日期2011年3月16日 優(yōu)先權(quán)日2011年3月16日
發(fā)明者康亮, 張容, 張建強(qiáng), 李延輝 申請(qǐng)人:上海中航光電子有限公司