專(zhuān)利名稱(chēng)：有機(jī)電致發(fā)光器件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種有機(jī)電致發(fā)光器件。
背景技術(shù)：
1987年，美國(guó)Eastman Kodak公司的C. W. Tang和Van Slyke報(bào)道了有機(jī)電致發(fā)光研究中的突破性進(jìn)展。利用超薄薄膜技術(shù)制備出了高亮度，高效率的雙層小分子有機(jī)電致發(fā)光器件。在該雙層結(jié)構(gòu)的器件中，IOV下亮度達(dá)到1000cd/m2，其發(fā)光效率為I. 511m/W、壽命大于100小時(shí)。1990年,英國(guó)劍橋大學(xué)Burronghes等人首次提出用高分子共軛聚合物聚苯撐乙烯(PPV)制成聚合物電致發(fā)光(EL)器件，隨后，美國(guó)加洲大學(xué)Heeger教授領(lǐng)導(dǎo)的實(shí)驗(yàn)組于1991年進(jìn)一步確證了聚合物電致發(fā)光特性，并進(jìn)行了改進(jìn)。從此有機(jī)發(fā)光器件的研究開(kāi)辟了一個(gè)全新的領(lǐng)域-聚合物電致發(fā)光器件(PLED)。自此，有機(jī)發(fā)光二極管在短短的 十幾年內(nèi)得到了迅速的發(fā)展。OLED的發(fā)光原理是基于在外加電場(chǎng)的作用下，電子從陰極注入到有機(jī)物的最低未占有分子軌道(LUMO)，而空穴從陽(yáng)極注入到有機(jī)物的最高占有軌道(HOMO)。電子和空穴在發(fā)光層相遇、復(fù)合、形成激子，激子在電場(chǎng)作用下遷移，將能量傳遞給發(fā)光材料，并激發(fā)電子從基態(tài)躍遷到激發(fā)態(tài)，激發(fā)態(tài)能量通過(guò)輻射失活，產(chǎn)生光子，釋放光能。但是，由于OLED —般都為多層結(jié)構(gòu)，而且電極一般都是采用金屬電極，因此，器件在發(fā)光的時(shí)候，會(huì)因?yàn)楦鞣N光損失而導(dǎo)致發(fā)光效率低下，如發(fā)射損失，材料對(duì)光的吸收損失等。即使電子和空穴的復(fù)合率達(dá)到100%，但是由于存在這些損失，因此，利用在發(fā)光上的光是很少的，研究表明，目前的器件中，真正出射的光最多只占總發(fā)光的25%左右，因此，如何更合理的設(shè)計(jì)器件，使光盡可能的出射出去，是目前研究的熱點(diǎn)之一，如果光的出射問(wèn)題得到解決，那么，OLED的發(fā)光效率將迎來(lái)一次性能上的飛躍。在傳統(tǒng)的發(fā)光器件中，研究最多的就是底發(fā)射器件結(jié)構(gòu)，以ITO玻璃基底為出光面，這種器件制備技術(shù)成熟，研究比較多，但是，由于光的出射會(huì)先經(jīng)過(guò)ITO導(dǎo)電材料的吸收反射，再要進(jìn)行一次玻璃的吸收和反射，因此，光的出射率是很低的，大部分的光都損失掉了，這類(lèi)器件要提高光出射率，則需要對(duì)出射面基底的形狀進(jìn)行改造來(lái)提高發(fā)光效率，工序增多，加工復(fù)雜；同時(shí)，目前對(duì)光的出射研究的最多的是通過(guò)加入不同的增透膜來(lái)提高光的出射，而很少考慮到有機(jī)層之間的折射率匹配問(wèn)題，特點(diǎn)是在多層結(jié)構(gòu)之中，多種有機(jī)層材料對(duì)光的吸收和折射是一個(gè)值得關(guān)注的問(wèn)題；同時(shí)，有機(jī)層越多，器件越厚，層與層之間的反射越多，同時(shí)，影響器件性能的因素增多，每一層的制備缺陷都直接影響器件的性能，使加工帶來(lái)困難，器件重復(fù)性降低。

發(fā)明內(nèi)容基于此，有必要提供一種光出射率較高的有機(jī)電致發(fā)光器件。—種有機(jī)電致發(fā)光器件，包括依次層疊的反射層、玻璃基底、導(dǎo)電膜、金屬陰極、η摻雜的電子傳輸層、ρ-η摻雜的發(fā)光層、P摻雜的空穴傳輸層和金屬陽(yáng)極。
在優(yōu)選的實(shí)施例中，所述反射層的材質(zhì)為銀、鋁或鉬。在優(yōu)選的實(shí)施例中，所述η摻雜的電子傳輸層由具有電子注入能力的材料摻雜到電子傳輸材料中形成，其中所述具有電子注入能力的材料的摻雜比例為5% 20%。在優(yōu)選的實(shí)施例中，所述具有電子注入能力的材料為碳酸銫、氮化銫、氯化銫、氟化銫、氟化鋰或碳酸鋰。在優(yōu)選的實(shí)施例中,所述電子傳輸材料為2-(4-聯(lián)苯基)-5-(4-叔丁基)苯基-I,
3，4-噁二唑、8-羥基喹啉鋁、2，5-二(I-萘基)-1，3，4-二唑、I，2，4-三唑衍生物、N-芳基苯并咪唑或喹喔啉衍生物。

在優(yōu)選的實(shí)施例中，所述ρ-η摻雜的發(fā)光層由發(fā)光材料摻雜到空穴傳輸材料和電子傳輸材料中形成，其中所述空穴傳輸材料與所述電子傳輸材料的質(zhì)量比為I : I I 2，所述發(fā)光材料的摻雜比例為3% 10%。在優(yōu)選的實(shí)施例中，所述空穴傳輸材料為N，N’ -(I-萘基)_Ν，N’ - 二苯基-4，4’-聯(lián)苯二胺、4，4’，4”-三-(3-甲基苯基苯胺基)三苯胺、N，N’- 二苯基-N，N’-雙-(I-萘基-1，1’ -聯(lián)苯)-4，4’ - 二胺或N，N’ - 二(3-甲基苯基)-N，N’ - 二苯基_4，4’ -聯(lián)苯二胺。在優(yōu)選的實(shí)施例中，所述發(fā)光材料為4_( 二腈甲基)-2_ 丁基-6-(1，1，7，7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基)-4Η-吡喃、9，10- 二 - β -亞萘基蒽、二(2-甲基-8-羥基喹啉)-(4-聯(lián)苯酚)鋁、4- ( 二腈甲烯基)-2-異丙基-6- (I，I，7，7-四甲基久洛呢啶_9_乙烯基)-4Η-吡喃、二甲基喹吖啶酮或8-羥基喹啉鋁。在優(yōu)選的實(shí)施例中，所述P摻雜的空穴傳輸層為具有空穴注入能力的材料摻雜到空穴傳輸材料中形成，其中所述具有空穴注入能力的材料的摻雜比例為5% 40%。在優(yōu)選的實(shí)施例中，所述具有空穴注入能力的材料為三氧化鑰、三氧化鎢、V0X、WOx、酞菁銅或酞菁鋅。上述有機(jī)電致發(fā)光器件為反置結(jié)構(gòu)的頂發(fā)射器件，光線從器件頂部發(fā)射，且以設(shè)有導(dǎo)電膜的玻璃基底為背光面，因此，很好的解決了基底對(duì)光的吸收和發(fā)射問(wèn)題。另外，反置結(jié)構(gòu)則使材料的折射率按出光的方向是從小到大排列的，此時(shí)的光不會(huì)出現(xiàn)全反射的，因此，減少了全反射所引起的發(fā)光損失，提高了光出射率。

圖I為一實(shí)施例的有機(jī)電致發(fā)光器件的剖視圖；圖2為一實(shí)施例的有機(jī)電致發(fā)光器件和標(biāo)準(zhǔn)的有機(jī)電致發(fā)光器件的亮度與電壓關(guān)系圖。
具體實(shí)施方式為使本發(fā)明的上述目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能夠更加明顯易懂，下面結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明的具體實(shí)施方式
做詳細(xì)的說(shuō)明。在下面的描述中闡述了很多具體細(xì)節(jié)以便于充分理解本發(fā)明。但是本發(fā)明能夠以很多不同于在此描述的其它方式來(lái)實(shí)施，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以在不違背本發(fā)明內(nèi)涵的情況下做類(lèi)似推廣，因此本發(fā)明不受下面公開(kāi)的具體實(shí)施的限制。其次，本發(fā)明利用示意圖進(jìn)行詳細(xì)描述，在詳述本發(fā)明實(shí)施例時(shí)，為便于說(shuō)明，表示器件結(jié)構(gòu)的剖面圖會(huì)不依一般比例作局部放大，而且所述示意圖只是實(shí)例，其在此不應(yīng)限制本發(fā)明保護(hù)的范圍。此外，在實(shí)際制作中應(yīng)包含長(zhǎng)度、寬度及深度的三維空間尺寸。請(qǐng)參閱圖1，一實(shí)施例的有機(jī)電致發(fā)光器件100，包括依次層疊的反射層10、玻璃基底20、導(dǎo)電膜30、金屬陰極40、η摻雜的電子傳輸層50、ρ-η摻雜的發(fā)光層60、ρ摻雜的空穴傳輸層70和金屬陽(yáng)極80。反射層10的材料優(yōu)選為銀(Ag)、鋁(Al)或鉬(Pt)。玻璃基底20的材料優(yōu)選為市售的普通玻璃。導(dǎo)電膜30的材料優(yōu)選為銦錫氧化物(ITO)、摻氟氧化錫(FTO)、摻鋁的氧化鋅(AZO)或摻銦的氧化鋅(IZO)。金屬陰極40的材料優(yōu)選為鋁(Al)、銀(Ag)、鎂(Mg)、鋇(Ba)或鈣(Ca)。 η摻雜的電子傳輸層50由具有電子注入能力的材料摻雜到電子傳輸材料中形成。其中，具有電子注入能力的材料的摻雜比例為5% 20%。所述的具有電子注入能力的材料優(yōu)選為碳酸銫(Cs2CO3)、氮化銫(CsN3)、氯化銫(CsCl)、氟化銫(CsF)、氟化鋰(LiF)或碳酸鋰(Li2CO3)。所述的電子傳輸材料優(yōu)選為2-(4-聯(lián)苯基)-5_(4-叔丁基)苯基-I, 3, 4_ B,惡二唑(PBD)、8_ 羥基喹啉鋁(Alq3)、2，5-二(I-萘基)_1，3，4_ 二唑(BND)、1，2，4_ 三唑衍生物(如TAZ)、N-芳基苯并咪唑(TPBI)或喹喔啉衍生物(TPQ)。ρ-η摻雜的發(fā)光層60由發(fā)光材料摻雜到空穴傳輸材料和電子傳輸材料中形成?？昭▊鬏敳牧吓c電子傳輸材料的質(zhì)量比為I : I I : 2。發(fā)光材料的摻雜比例為3% 10%。所述的發(fā)光材料優(yōu)選為4_( 二腈甲基)-2_ 丁基-6-(1，1，7，7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基)-4Η-吡喃(DCJTB)、9，10-二-β-亞萘基蒽(AND)、二(2-甲基-8-羥基喹啉)-(4-聯(lián)苯酚)鋁(BALQ)、4_ ( 二腈甲烯基)-2-異丙基-6- (I，I，7，7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基)-4H_吡喃(DCJTI)、二甲基喹吖啶酮(DMQA)或8_羥基喹啉鋁(Alq3)以及一些常用的銥配合物發(fā)光材料。所述的空穴傳輸材料優(yōu)選為N，N’ - (I -萘基)_N，N’ - 二苯基_4，4’ -聯(lián)苯二胺、4，4’，4”-三-(3-甲基苯基苯胺基)三苯胺、N，N’ - 二苯基-N，N’ -雙_(1_萘基_1，1’ -聯(lián)苯)-4，4’ - 二胺或N，N’ -二(3-甲基苯基)-N，N’ - 二苯基-4，4’ -聯(lián)苯二胺。電子傳輸材料如前所述。ρ摻雜的空穴傳輸層70為具有空穴注入能力的材料摻雜到空穴傳輸材料中形成。具有空穴注入能力的材料的摻雜比例為5% 40%。所述的具有空穴注入能力的材料優(yōu)選為三氧化鑰(MoO3)、三氧化鎢(WO3)、VOx,WOx、酞菁銅(CuPc)或酞菁鋅(ZnPc)?？昭▊鬏敳牧先缜八?。金屬陽(yáng)極80優(yōu)選為金(Au)、銀(Ag)、鉬(Pt)或鋁(Al)。上述有機(jī)電致發(fā)光器件100為頂發(fā)射器件，光線從器件頂部發(fā)射，且以設(shè)有導(dǎo)電膜30的玻璃基底20為背光面，因此，很好的解決了基底對(duì)光的吸收和發(fā)射問(wèn)題。同時(shí)，為了減少有機(jī)層層數(shù)太多而對(duì)發(fā)光造成影響，利用P型材料和η型材料對(duì)發(fā)光材料同時(shí)進(jìn)行摻雜，提高電子和空穴的傳輸速率。另外，將空穴傳輸層與電子傳輸層進(jìn)行P摻雜和η摻雜，經(jīng)過(guò)摻雜的有機(jī)層同時(shí)具備了載流子注入和傳輸?shù)牧己眯阅?，最后，為了使光在底部進(jìn)行發(fā)射，本實(shí)施方式在玻璃基底20的背面蒸鍍一層反射層10，使到達(dá)這一端得光可以進(jìn)行反射，再次出射到器件的頂部。上述有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，包括下列步驟(I)先將玻璃基底依次用洗滌劑、丙酮、乙醇和異丙醇各超聲處理15min ；(2)在(I)的玻璃基底上的一面制備一層厚度為50 200nm反射層，制備方法包括各種合適的方式，例如蒸鍍、濺射、噴鍍、化學(xué)蒸發(fā)沉積、電化學(xué)方式等，優(yōu)選為濺射；(3)然后在玻璃基底的另一面制備一層厚度為70 200nm的導(dǎo)電膜，制備方法包括各種合適的方式，例如蒸鍍、濺射、噴鍍、化學(xué)蒸發(fā)沉積、電化學(xué)方式等，優(yōu)選為濺射；(4)在有導(dǎo)電膜的一面依次制備陰極、η型摻雜電子傳輸層、ρ-η型摻雜發(fā)光層、P型空穴傳輸層和陽(yáng)極。其中陰極的厚度為80 200nm ；n型摻雜電子傳輸層的厚度為20 80nm,其中電子注入材料的摻雜比例為5 20%;ρ-η型摻雜發(fā)光層的厚度為10 60nm,其中空穴傳輸材料與電子傳輸材料作為摻雜的主體材料質(zhì)量比控制在I : I I : 2之間，發(fā)光材料的摻雜比例為3% 10% ；p型摻雜空穴傳輸層的厚度為20 80nm，其中空穴注入材料的摻雜比例為5 40% ;陽(yáng)極的厚度為70 150nm。制備方法包括各種合適的方式，例如蒸鍍、濺射、噴鍍、化學(xué)蒸發(fā)沉積、電化學(xué)方式等，優(yōu)選為蒸鍍。在傳統(tǒng)的底發(fā)射發(fā)光器件中，以ITO玻璃基底為出光面，這種器件制備技術(shù)成熟，研究比較多，但是，由于光的出射會(huì)先經(jīng)過(guò)ITO導(dǎo)電材料的吸收反射，再要進(jìn)行一次玻璃的吸收和反射，因此，光的出射率是很低的，大部分的光都損失掉了。這類(lèi)器件要提高光出射率，則需要對(duì)出射面基底的形狀進(jìn)行改造來(lái)提高發(fā)光效率，工序增多，加工復(fù)雜，而本發(fā)明是設(shè)計(jì)出光提取率較高的頂發(fā)射器件，同時(shí)，將器件結(jié)構(gòu)進(jìn)行反置。一般的空穴注入材料和空穴傳輸材料的折射率都比較高，約為2. O左右，而發(fā)光層的折射率一般約為I. 7 I. 9左右，所以經(jīng)過(guò)反置結(jié)構(gòu)，光從發(fā)光層經(jīng)空穴傳輸層出射到外部，此時(shí)，材料的折射率按出光的方向是從小到大排列的，而根據(jù)光的折射定律，此時(shí)的光是不會(huì)出現(xiàn)全反射的，因此，有效避免了全反射所引起的發(fā)光損失。另外，經(jīng)過(guò)摻雜，在提高發(fā)光效率的前提下減少了有機(jī)層的層數(shù)，使器件制備更簡(jiǎn)單。以下通過(guò)具體實(shí)施例來(lái)說(shuō)明。實(shí)施例I :先將玻璃依次用洗滌劑、丙酮、乙醇和異丙醇各超聲15min，然后在玻璃基底上的一面蒸鍍一層厚度為IOOnm的Ag，接著在玻璃的另一面濺射一層厚度為120nm的ITO導(dǎo)電膜，在有導(dǎo)電膜的一面依次蒸鍍150nm的Ag、40nm的η型摻雜TPBi/Cs2C03，其中Cs2CO3的摻雜比例為10%;30nm的摻雜發(fā)光層TPBi/NPB/DCJTB、其中NPB與TPBi的質(zhì)量比為I : 1，發(fā)光材料的摻雜比例為5% ；40nm的ρ型摻雜Μο03/ΝΡΒ，其中MoO3的摻雜比例為30% ;最后蒸鍍一層厚度為120nm的Ag。實(shí)施例2 :先將玻璃依次用洗滌劑、丙酮、乙醇和異丙醇各超聲15min，然后在玻璃基底上的一面蒸鍍一層厚度為50nm的Ag，接著在玻璃的另一面濺射一層厚度為150nm的ITO導(dǎo)電膜，在有導(dǎo)電膜的一面依次蒸鍍200nm的Ag、40nm的η型摻雜TPBi/Cs2C03，其中Cs2CO3的摻雜比例為5% ；30nm的摻雜發(fā)光層TPBi/NPB/DCJTB、其中NPB與TPBi的質(zhì)量比為I : I，發(fā)光材料的摻雜比例為3% ；30nm的ρ型摻雜Μο03/ΝΡΒ，其中MoO3的摻雜比例為25% ;最后蒸鍍一層厚度為IOOnm的Ag。、
實(shí)施例3 :先將玻璃依次用洗滌劑、丙酮、乙醇和異丙醇各超聲15min，然后在玻璃基底上的一面蒸鍍一層厚度為150nm的Ag，接著在玻璃的另一面濺射一層厚度為180nm的ITO導(dǎo)電膜，在有導(dǎo)電膜的一面依次蒸鍍200nm的Ag、50nm的η型摻雜TPBi/Cs2C03，其中Cs2CO3的摻雜比例為5% ；40nm的摻雜發(fā)光層TPBi/NPB/DCJTB、其中NPB與TPBi的質(zhì)量比為I : 1，發(fā)光材料的摻雜比例為7% ；40nm的ρ型摻雜Μο03/ΝΡΒ，其中Μο03的摻雜比例為30% ;最后蒸鍍一層厚度為IOOnm的Ag。實(shí)施例4 :先將玻璃依次用洗滌劑、丙酮、乙醇和異丙醇各超聲15min，然后在玻璃基底上的一面蒸鍍一層厚度為200nm的Ag，接著在玻璃的另一面濺射一層厚度為70nm的ITO導(dǎo)電膜，在有導(dǎo)電膜的一面依次蒸鍍150nm的Ag、40nm的η型 摻雜TAZ/CsF，其中CsF的摻雜比例為10%;40nm的摻雜發(fā)光層TPBi/THVDCJTI、其中TH)與TPBi的質(zhì)量比為I : 1，發(fā)光材料的摻雜比例為5% ；40nm的ρ型摻雜Μο03/ΝΡΒ，其中MoO3的摻雜比例為30% ;最后蒸鍍一層厚度為IOOnm的Ag。實(shí)施例5 :先將玻璃依次用洗滌劑、丙酮、乙醇和異丙醇各超聲15min，然后在玻璃基底上的一面蒸鍍一層厚度為150nm的Al，接著在玻璃的另一面濺射一層厚度為120nm的ITO導(dǎo)電膜，在有導(dǎo)電膜的一面依次蒸鍍200nm的Ag、60nm的η型摻雜TAZ/CsF，其中CsF的摻雜比例為15% ；50nm的摻雜發(fā)光層TAZ/TPD/DCJTB、其中TAZ與TPD的質(zhì)量比為I : 1，發(fā)光材料的摻雜比例為3% ；60nm的ρ型摻雜W03/TPD，其中W03的摻雜比例為40% ;最后蒸鍍一層厚度為80nm的Ag。實(shí)施例6 :先將玻璃依次用洗滌劑、丙酮、乙醇和異丙醇各超聲15min，然后在玻璃基底上的一面蒸鍍一層厚度為IOOnm的Al，接著在玻璃的另一面濺射一層厚度為IOOnm的ITO導(dǎo)電膜，在有導(dǎo)電膜的一面依次蒸鍍200nm的Au、60nm的η型摻雜TAZ/LiF，其中LiF的摻雜比例為5%;60nm的摻雜發(fā)光層TAZ/TPD/DCJTI、其中TAZ與TPD的質(zhì)量比為I : 1，發(fā)光材料的摻雜比例為10% ；20nm的ρ型摻雜W03/TPD，其中WO3的摻雜比例為40% ;最后蒸鍍一層厚度為120nm的Ag。實(shí)施例7 :先將玻璃依次用洗滌劑、丙酮、乙醇和異丙醇各超聲15min，然后在玻璃基底上的一面蒸鍍一層厚度為200nm的Al，接著在玻璃的另一面濺射一層厚度為150nm的ITO導(dǎo)電膜，在有導(dǎo)電膜的一面依次蒸鍍180nm的Au、60nm的η型摻雜Alq3/CsN3，其中CsN3的摻雜比例為10%;50nm的摻雜發(fā)光層TAZ/NPB/DCJTI、其中TAZ與NPB的質(zhì)量比為I : 1，發(fā)光材料的摻雜比例為7% ；50nm的ρ型摻雜MoO/TPD，其中MoO3的摻雜比例為30% ;最后蒸鍍一層厚度為80nm的Ag。實(shí)施例8 :先將玻璃依次用洗滌劑、丙酮、乙醇和異丙醇各超聲15min，然后在玻璃基底上的一面蒸鍍一層厚度為50nm的Ag，接著在玻璃的另一面濺射一層厚度為120nm的ITO導(dǎo)電膜，在有導(dǎo)電膜的一面依次蒸鍍180nm的Al、60nm的η型摻雜Alq3/Cs2C03，其中Cs2CO3的摻雜比例為15% ；40nm的摻雜發(fā)光層TPBi/NPB/BALQ、其中TPBi與NPB的質(zhì)量比為I : I，發(fā)光材料的摻雜比例為5% ；45nm的ρ型摻雜ΜοΟ/TPD，其中MoO3的摻雜比例為25% ;最后蒸鍍一層厚度為150nm的Ag。圖2 是實(shí)施例 I 的結(jié)構(gòu)為=Ag/ 玻璃 /ITO/Ag/TPBi : Cs2C03/TPBi : NPB: DCJTB/MoO3: NPB/Ag的有機(jī)電致發(fā)光器件與傳統(tǒng)的結(jié)構(gòu)為IT0/Mo03/NPB/TPBi : DCJTB/TPBi/Cs2CO3Ag的有機(jī)電致發(fā)光器件的亮度與電壓關(guān)系。
由圖2可知，摻雜的反置頂發(fā)射結(jié)構(gòu)的開(kāi)啟電壓與發(fā)光亮度都得到了明顯的提高，在IOV時(shí)，正置結(jié)構(gòu)的亮度為13056cd/m2，而反置結(jié)構(gòu)的亮度為20899cd/m2，說(shuō)明摻雜的反置頂發(fā)射結(jié)構(gòu)的器件可以很好的提高器件的亮度，穩(wěn)定器件性能，同時(shí)，由于是反置結(jié)構(gòu)，因此光從發(fā)光層經(jīng)過(guò)空穴傳輸層出射出去，由于MoO3的折射率為2. I,而發(fā)光層的折射率約為I. 7左右，根據(jù)反射定律，光線從光疏介質(zhì)(折射率較小)折射到光密介質(zhì)(折射率較大)是不會(huì)發(fā)生全反射的，因此，可避免因?yàn)槿瓷涠斐傻墓鈸p失，增加了光取出率，同時(shí)，在玻璃的底部增加了一層反射層，從底部出射的光到達(dá)反射層后可以反射回頂部，再次減少了光的損失，另外，這種結(jié)構(gòu)由于陰極金屬不易與大氣中的氧氣發(fā)生反應(yīng)，因此，對(duì)提高器件的壽命起到了很大的作用。以上所述實(shí)施例僅表達(dá)了本發(fā)明的幾種實(shí)施方式，其描述較為具體和詳細(xì)，但并 不能因此而理解為對(duì)本發(fā)明專(zhuān)利范圍的限制。應(yīng)當(dāng)指出的是，對(duì)于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來(lái)說(shuō)，在不脫離本發(fā)明構(gòu)思的前提下，還可以做出若干變形和改進(jìn)，這些都屬于本發(fā)明的保護(hù)范圍。因此，本發(fā)明專(zhuān)利的保護(hù)范圍應(yīng)以所附權(quán)利要求為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1.一種有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于包括依次層疊的反射層、玻璃基底、導(dǎo)電膜、金屬陰極、η摻雜的電子傳輸層、p-n摻雜的發(fā)光層、P摻雜的空穴傳輸層和金屬陽(yáng)極。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于所述反射層的材質(zhì)為銀、鋁或鉬。
3.根據(jù)權(quán)利要求I所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于所述η摻雜的電子傳輸層由具有電子注入能力的材料摻雜到電子傳輸材料中形成，其中所述具有電子注入能力的材料的摻雜比例為5 % 20 %。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于所述具有電子注入能力的材料為碳酸銫、氮化銫、氯化銫、氟化銫、氟化鋰或碳酸鋰。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于所述電子傳輸材料為2_(4-聯(lián)苯基)-5-(4-叔丁基)苯基-1，3，4-噁ニ唑、8-羥基喹啉鋁、2，5_ニ(1_萘基)-1，3,4- ニ唑、1，2，4-三唑衍生物、N-芳基苯并咪唑或喹喔啉衍生物。
6.根據(jù)權(quán)利要求I所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于所述P-n摻雜的發(fā)光層由發(fā)光材料摻雜到空穴傳輸材料和電子傳輸材料中形成，其中所述空穴傳輸材料與所述電子傳輸材料的質(zhì)量比為I : I I : 2，所述發(fā)光材料的摻雜比例為3% 10%。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于所述發(fā)光材料為4-(ニ腈甲基)-2_ 丁基-6-(l，l，7，7-四甲基久洛呢啶-9-こ烯基)-4H-吡喃、9，10-ニ-β -亞萘基蒽、ニ(2-甲基-8-羥基喹啉)-(4-聯(lián)苯酚)鋁、4-( ニ腈甲烯基)-2-異丙基-6-(1，1，7，7-四甲基久洛呢啶-9-こ烯基)-4H-吡喃、ニ甲基喹吖啶酮或8-羥基喹啉鋁。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于所述空穴傳輸材料為N，N’ - (I-萘基)-N，N’ - ニ苯基-4，4’ -聯(lián)苯ニ胺、4，4’，4”-三-(3-甲基苯基苯胺基)三苯胺、N，N’ -ニ苯基-N，N’ -雙-(I-萘基-1，I’ -聯(lián)苯)-4，4’ - ニ胺或 N，N’ - ニ(3-甲基苯基)_N, N’ - _■苯基-4,4’ -聯(lián)苯_■胺。
9.根據(jù)權(quán)利要求I所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于所述P摻雜的空穴傳輸層為具有空穴注入能力的材料摻雜到空穴傳輸材料中形成，其中所述具有空穴注入能力的材料的摻雜比例為5 % 40 %。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于所述具有空穴注入能力的材料為三氧化鑰、三氧化鎢、VOx、WOx、酞菁銅或酞菁鋅。
全文摘要
一種有機(jī)電致發(fā)光器件，包括依次層疊的反射層、玻璃基底、導(dǎo)電膜、金屬陰極、n摻雜的電子傳輸層、p-n摻雜的發(fā)光層、p摻雜的空穴傳輸層和金屬陽(yáng)極。上述有機(jī)電致發(fā)光器件為反置結(jié)構(gòu)的頂發(fā)射器件，光線從器件頂部發(fā)射，且以設(shè)有導(dǎo)電膜的玻璃基底為背光面，因此，很好的解決了基底對(duì)光的吸收和發(fā)射問(wèn)題。另外，反置結(jié)構(gòu)則使材料的折射率按出光的方向是從小到大排列的，此時(shí)的光不會(huì)出現(xiàn)全反射的，因此，減少了全反射所引起的發(fā)光損失，提高了光出射率。
文檔編號(hào)H01L51/54GK102694125SQ20111006819
公開(kāi)日2012年9月26日 申請(qǐng)日期2011年3月21日 優(yōu)先權(quán)日2011年3月21日
發(fā)明者周明杰, 王平, 陳吉星, 黃輝 申請(qǐng)人:海洋王照明科技股份有限公司, 深圳市海洋王照明技術(shù)有限公司