專利名稱：閃存單元及其浮柵的形成方法
技術領域：
本發(fā)明涉及半導體技術領域，特別涉及一種閃存單元及其浮柵的形成方法。
背景技術：
一般來講，半導體存儲器分為易失性存儲器和非易失性存儲器，易失性存儲器易于在斷電時丟失其數據，而非易失性存儲器即使在供電中斷后仍能保持片內信息。非易失存儲器包括電可編程只讀存儲器(EPROM)、電可擦除編程只讀存儲器(EEPROM)和快閃存儲器(flash memory) 0與其它的非易失性存儲器相比，閃存具有存儲數據的非易失性、低功耗、集成度高、較快的存取速度、易于擦除和重寫以及低成本等特性。因此，被廣泛地應用于各個領域。如嵌入式系統(tǒng)，PC及外設、電信交換機、蜂窩電話、網絡互 聯設備、語音、圖像、數據存儲類產品等等。閃存的標準物理結構稱為閃存單元(bit)，閃存單元的結構與常規(guī)MOS晶體管不同，常規(guī)的MOS晶體管的柵極(gate)和導電溝道間由柵極絕緣層隔開，一般為氧化層(oxide),而閃存在控制柵(CG, control gate,相當于常規(guī)的MOS晶體管的柵極)與導電溝道間還具有浮柵(FG，floating gate)，由于浮柵的存在，使閃存可以完成三種基本操作模式讀、寫、擦除。即便在沒有電源供給的情況下，浮柵的存在仍然可以保持存儲數據的完整性，相鄰的閃存單元之間由隔離結構隔開。傳統(tǒng)的閃存其多晶硅浮柵一般為單摻雜，例如對于N管的閃存而言，其多晶硅浮柵則為是N型摻雜。目前，也有文獻提出了可以對浮柵進行雙摻雜來改善閃存性能的理論。就目前而言，現有技術中還未涉及如何形成既具有雙摻雜結構浮柵又具有較小的關鍵尺寸(也稱為特征尺寸，⑶，Critical Dimension)的閃存單元,并且現有技術在形成雙摻雜結構的浮柵時，通常會通過熱處理工藝來加快摻雜離子的擴散，導致在很大程度上增加了工藝成本。此外，現有技術形成的閃存單元編程效率低，數據保持性差。其他有關雙摻雜浮柵的技術還可以參見公開號為CN1700474A的中國專利申請，其公開了一種閃存存儲單元的浮柵及其制備方法和一種閃存存儲單元，提出形成由寬禁帶材料+窄禁帶材料+寬禁帶材料組成浮柵或對浮柵在橫向上分別采用P+N+P+不同摻雜多晶硅。

發(fā)明內容
本發(fā)明解決的是現有技術中無法形成具有雙摻雜結構浮柵且關鍵尺寸較小的閃存單元以及現有的閃存單元編程效率低、數據保持性差、工藝成本高的問題。為解決上述問題，本發(fā)明提供一種閃存單元浮柵的形成方法，包括如下步驟提供襯底，在所述襯底上形成摻有第一型離子的浮柵層；在所述摻有第一型離子的浮柵層上形成圖形化的第一光刻膠；干法刻蝕所述圖形化的第一光刻膠，所述干法刻蝕后的第一光刻膠的圖形的尺寸小于所述干法刻蝕前的第一光刻膠的圖形的尺寸；
以所述干法刻蝕后的第一光刻膠為掩膜對所述摻有第一型離子的浮柵層進行第二型離子注入形成具有雙摻雜結構的浮柵層，所述第一型離子與所述第二型離子反型?？蛇x的，所述干法刻蝕的氣體為CH2F2、O2和HBr的混合氣體，所述CH2F2的流量為2 50sccm,所述O2的流量為2 IOOsccm,所述HBr的流量為10 lOOsccm?？蛇x的，所述干法刻蝕后的第一光刻膠的圖形的尺寸為所述干法刻蝕前的第一光刻膠的圖形的尺寸的45 65%?？蛇x的，所述雙摻雜結構為PNP結構?？蛇x的，所述第一型離子為N型，所述第二型離子為P型。可選的，所述N型離子為磷，注入劑量為I. 0E14 9. 9E 20/cm3，能量為5 40keVo可選的，所述P型離子注入的劑量為所述N型離子注入劑量的10 100倍，能量為 8 18keV?？蛇x的，以所述干法刻蝕后的第一光刻膠為掩膜對所述摻有第一型離子的浮柵層進行第二型離子注入的方式為垂直注入?？蛇x的，所述第一型離子的浮柵層的形成方法為采用原位摻雜形成摻有第一型離子的浮柵層。為解決上述問題，本發(fā)明還提供一種閃存單元的形成方法，包括上述浮柵的形成方法，還包括在形成具有雙摻雜結構的浮柵層后，去除所述干法刻蝕后的第一光刻膠并對所述襯底進行退火；在所述雙摻雜結構的浮柵層上依次形成介質層和控制柵層；刻蝕所述控制柵層、介質層和浮柵層至露出所述襯底。可選的，所述刻蝕所述控制柵層、介質層和浮柵層至露出所述襯底包括在所述控制柵層上依次形成硬掩膜層及圖形化的第二光刻膠；以所述圖形化的第二光刻膠為掩膜刻蝕所述硬掩膜層、控制柵層、介質層和浮柵層至露出所述襯底；去除所述圖形化的第二光刻膠和硬掩膜層?？蛇x的，所述浮柵層、控制柵層的材料為多晶硅或無定形硅?？蛇x的，所述退火的溫度為700-1200°C。與現有技術相比，上述技術方案具有以下優(yōu)點通過對所述圖形化的第一光刻膠進行干法刻蝕，一方面精確地控制了所要形成的閃存單元的CD，可以形成所需的具有小的CD的閃存單元，另一方面由于干法刻蝕后的第一光刻膠的圖形的尺寸小于干法刻蝕前的第一光刻膠的圖形的尺寸，因此增大了后續(xù)進行第二型離子注入時第二型離子的擴散區(qū)域，故無需再通過熱處理工藝來使得第二型離子擴散，降低了制造閃存單元的成本。通過先形成浮柵層，對其進行原位摻雜第一型離子然后形成圖形化的第一光刻膠，干法刻蝕所述圖形化的第一光刻膠，再以干法刻蝕后的第一光刻膠為掩膜進行第二型離子注入形成雙摻雜結構的浮柵，以包括所述雙摻雜結構的浮柵所形成的閃存單元具有較小的CD，且所述閃存單元編程效率高，數據保持能力強。


圖I是本發(fā)明實施方式的閃存單元浮柵的形成方法流程圖；圖2是本發(fā)明實施方式的閃存單元形成方法流程圖；圖3至圖12是本發(fā)明實施例閃存單元的形成方法的剖面結構示意圖。
具體實施例方式為使本發(fā)明的上述目的、特征和優(yōu)點能夠更為明顯易懂，下面結合附圖對本發(fā)明的具體實施方式
做詳細的說明。在以下描述中闡述了具體細節(jié)以便于充分理解本發(fā)明。但是本發(fā)明能夠以多種不 同于在此描述的其它方式來實施，本領域技術人員可以在不違背本發(fā)明內涵的情況下做類似推廣。因此本發(fā)明不受下面公開的具體實施方式
的限制。請參見圖1，圖I為本發(fā)明實施方式的閃存單元浮柵的形成方法流程圖，包括如下步驟SlOl :提供襯底，在所述襯底上形成摻有第一型離子的浮柵層；S102 :在所述摻有第一型離子的浮柵層上形成圖形化的第一光刻膠；S103:干法刻蝕所述圖形化的第一光刻膠，所述干法刻蝕后的第一光刻膠的圖形的尺寸小于所述干法刻蝕前的第一光刻膠的圖形的尺寸；S104 以所述干法刻蝕后的第一光刻膠為掩膜對所述摻有第一型離子的浮柵層進行第二型離子注入形成具有雙摻雜結構的浮柵層，所述第一型離子與所述第二型離子反型。請參見圖2，圖2為本發(fā)明實施方式的閃存單元的形成方法流程圖，包括如下步驟SlOl :提供襯底，在所述襯底上形成摻有第一型離子的浮柵層。S102 :在所述摻有第一型離子的浮柵層上形成圖形化的第一光刻膠。S103:干法刻蝕所述圖形化的第一光刻膠，所述干法刻蝕后的第一光刻膠的圖形的尺寸小于所述干法刻蝕前的第一光刻膠的圖形的尺寸。S104 以所述干法刻蝕后的第一光刻膠為掩膜對所述摻有第一型離子的浮柵層進行第二型離子注入形成具有雙摻雜結構的浮柵層，所述第一型離子與所述第二型離子反型。S105:在形成具有雙摻雜結構的浮柵層后，去除所述干法刻蝕后的第一光刻膠的圖形并對所述襯底進行退火。S106 :在所述雙摻雜結構的浮柵層上依次形成介質層和控制柵層。S107 :刻蝕所述控制柵層、介質層和浮柵層至露出所述襯底。為了能夠更好的說明本發(fā)明的技術方案，以下通過對閃存單元的形成過程來對本發(fā)明的閃存單元浮柵的形成方法及閃存單元的形成方法進行詳細的說明。本實施例中以第一型離子為N型離子，第二型離子為P型離子，形成PNP結構為例進行說明，在其他實施例中所述第一型離子也可以為P型離子、第二型離子可以為N型離子。圖3至圖12示出了本實施例閃存單元的形成方法的剖面結構示意圖，下面結合圖2以及圖3 圖12對本發(fā)明的實施例進行詳細說明。結合圖2和圖3 圖4，執(zhí)行步驟SlOl :提供襯底100，在所述襯底100上形成摻有第一型離子的浮柵層102。本實施例中，所述襯底100的材料可以是單晶硅、多晶硅或非晶硅，也可以是硅、鍺、砷化鎵或硅鍺化合物還可以是其它半導體材料。所述襯底100內可以具有互連層、介質層或STI (圖中未示出)，所述襯底100可以為表面形成有隧穿氧化層101的襯底。本實施例中所述隧穿氧化層101為氧化硅。所述隧穿氧化層101的形成方式可以為化學氣相沉積、熱氧化法等。本實施例中采用化學氣相沉積，形成所述隧穿氧化層101的工藝氣體中包括含硅氣體和含氧氣體，所述含硅氣體為SiH2Cl2或SiH2，所述含氧氣體為N2O0受真空條件的限制，工藝氣體中還包括N2。 具體地，形成所述隧穿氧化層101的工藝參數可以為含硅氣體和含氧氣體的流量為0. 01-0. I標準毫升/分鐘(sccm)，N2流量為5-50標準升/分鐘(slm)，溫度為800-1100°C，壓強為400-760托(Torr)，形成所述隧穿氧化層101的厚度為90-100埃。在所述隧穿氧化層101上形成摻有N型離子的浮柵層102。所述摻有N型離子浮柵層102的形成方式既可以采用先沉積浮柵層再進行N型離子注入的方式，也可以采用一邊沉積浮柵層一邊通入含N型離子氣體的方式，所述N型離子可以為磷、砷等。所述浮柵層102的材料可以為無定形硅、多晶硅。具體地，本實施例中所述浮柵層的材料為無定形硅，摻雜離子為磷離子，所述浮柵層通過低壓化學氣相沉積(LPCVD, Low Pressure ChemicalVapourDeposition)形成,然后再通過離子注入的方式原位摻雜磷離子。本實施例中通過LPCVD形成浮柵層工藝參數可以為硅烷(SiH4)氣體的流量為200-400sccm，氮氣(N2)的流量為 10_70sccm，溫度為 500-600°C，壓強為 0. 2-0. 3Torr，形成所述浮柵層的厚度為500 1500埃。然后注入磷離子，注入劑量為I. 0E14 9. 9E 20/cm3，能量為5-40keV，形成摻有磷離子的浮柵層102。結合圖2和圖5，執(zhí)行步驟S102 :在所述摻有第一型離子的浮柵層102上形成圖形化的第一光刻膠104a。本實施例中在形成所述圖形化的第一光刻膠104a之前，還包括在所述摻有磷離子的浮柵層102上先形成底部抗反射層103，所述底部抗反射層103的材料為SiN，形成方式為LPCVD。然后在底部抗反射層103上旋涂第一光刻膠(圖中未不出)，對所述第一光刻膠曝光顯影后，形成圖形化的第一光刻膠104a。所述圖形化的第一光刻膠104a的尺寸為Dl0結合圖2和圖6，執(zhí)行步驟S103 :干法刻蝕所述圖形化的第一光刻膠104a，所述干法刻蝕后的第一光刻膠的圖形104b的尺寸D2小于所述干法刻蝕前的第一光刻膠的圖形104a的尺寸D1。通過干法刻蝕縮小了第一光刻膠的圖形的尺寸(如寬度、長度、厚度)。結合圖5和圖6，經過步驟S103的干法刻蝕后，第一光刻膠的圖形所構成的圖案基本沒有改變，干法刻蝕縮小了圖形的寬度。本實施例中，所述干法刻蝕采用在射頻功率(RF power)為10 1000W的條件下通入二氟甲燒(CH2F2)、氧氣(O2)和溴化氫(HBr)的混合氣體對圖形化的第一光刻膠104a及底部抗反射層103進行干法刻蝕，其中CH2F2的流量為2 50SCCm，O2的流量為2 lOOsccm, HBr的流量為10 lOOsccm。也即通過干法刻蝕的方式來減小所述第一光刻膠的圖形104a的尺寸Dl。而且，通過干法刻蝕，沒有位于所述圖形化的第一光刻膠104a之下的底部抗反射層103也被去除。本實施例中，由于采用了干法刻蝕所述圖形化的第一光刻膠104a，故可以精確地控制所要形成的閃存單元的CD，可以形成所需的具有小的CD的閃存單元。而且由于干法刻蝕后的第一光刻膠的圖形104b的尺寸D2小于干法刻蝕前的第一光刻膠的圖形104a的尺寸D1，因此增大了在后續(xù)進行P型離子注入時P型離子的擴散區(qū)域，使得后續(xù)工藝中可以不用再通過熱處理工藝來使得P型離子擴散，降低了制造閃存單元的成本。此外，需要說明的是干法刻蝕后的第一光刻膠的圖形104b的厚度應滿足可以防 止后續(xù)對所述摻有N型雜質離子的浮柵層102進行P型離子注入時擊穿所述刻蝕后的第一光刻膠的圖形104b。而且，干法刻蝕后的第一光刻膠的圖形104b的尺寸D2也不能過小，否則會導致無法形成PNP的雙摻雜浮柵結構。本實施例中，所述干法刻蝕前的第一光刻膠的圖形104a的尺寸Dl為最終形成的閃存單元的溝道長度，而干法刻蝕后的第一光刻膠的圖形104b的特征尺寸D2為最終形成的閃存單元的溝道長度的45-65%，最終形成的閃存單元的溝道長度則是由實際的工藝來決定。結合圖2和圖7，執(zhí)行步驟S104 :以所述干法刻蝕后的第一光刻膠104b為掩膜對所述摻有第一型離子的浮柵層102進行第二型離子注入形成具有雙摻雜結構的浮柵層，所述第一型離子與所述第二型離子反型。本實施例中，以所述干法刻蝕后的第一光刻膠104b為掩膜對所述摻有磷離子的浮柵層102進行P型離子注入，形成PNP結構的雙摻雜浮柵。所述P型離子可以為硼、銦等離子。本實施例中采用硼離子。具體地，采用垂直注入的方式注入所述硼離子，注入硼離子的劑量可以為對所述浮柵層進行磷離子注入時的注入劑量的10 100倍，注入能量可以為8-18keV。此外，需要說明的是本實施例中僅給出了注入P型離子為硼時其注入劑量為注入離子為磷時的注入劑量的10 100倍,而在其他實施例中注入P型尚子的劑量也可以為注入N型尚子劑量的10 100倍。且對于注入第一型離子為P型離子，第二型離子為N型離子而言，其N型尚子的注入劑量也可以為P型尚子注入劑量的10 100倍。至此，通過上述的步驟SlOl S104，既可以形成具有雙摻雜結構的浮柵層，本實施例中為PNP結構的浮柵層。以下，對形成有上述雙摻雜結構浮柵的閃存單元的形成方法進行相應的說明。結合圖2、圖7和圖8，執(zhí)行步驟S105 :在形成具有雙摻雜結構的浮柵層105后，去除所述干法刻蝕后的第一光刻膠104b，并對所述襯底100進行退火。本實施例中，先用灰化法去除所述干法刻蝕后的第一光刻膠104b，再通過濕法刻蝕去除灰化后的光刻膠殘渣，及位于所述干法刻蝕后的第一光刻膠104b之下的底部抗反射層103。為了激活晶格中的摻雜離子，對所述襯底100進行退火，所述退火溫度為700-1200C，退火時間為5 120s。結合圖2和圖9，執(zhí)行步驟S106 :在所述雙摻雜結構的浮柵層105上依次形成介質層106和控制柵層107。請參見圖9，在所述PNP結構的浮柵層105上依次形成介質層106和控制柵層107。本實施例中所述介質層106為ONO三層結構，即氧化硅-氮化硅-氧化硅。以其作為絕緣層，有漏電小、低缺陷的優(yōu)點。氧化硅的沉積方法可以為化學氣相沉積(CVD chemical vapordeposition)、等離子體增強型化學氣相淀積(PECVD :plasma enhanced chemical vapordeposition)工藝等,氮化娃的淀積方法可以為等離子體增強型化學氣相淀積(PECVD)、LPCVD等工藝。本實施例中氧化硅采用采用CVD，氮化硅采用LPCVD。在所述介質層106上沉積控制柵層107，本實施例中所述控制柵層107采用LPCVD形成，材料為多晶硅。此外，在沉積所述控制柵層107后還需要對其進行N型或P型的摻雜，以減小浮柵電阻。結合圖2和圖11，執(zhí)行步驟S107 :刻蝕所述控制柵層107、介質層106和浮柵層105至露出所述襯底100。本實施例中，所述刻蝕為干法刻蝕，可以采用等離子體刻蝕或反應離子刻蝕(RIE)方法。所述刻蝕所述控制柵層107、介質層106和浮柵層105至露出所述襯底100具體包 括首先請參見圖10，在所述控制柵層107上依次形成硬掩膜層108及圖形化的第二光刻膠109a。所述硬掩膜層108的形成方法為CVD，所述硬掩膜層108的材料為SiN，此夕卜，采用CVD沉積所述硬掩膜層108時的溫度也有助于上述注入到摻有N型離子的浮柵層102中P型離子的擴散。請仍然參見圖9，所述圖形化的第二光刻膠109a的形成方法為在所述硬掩膜層108上形成第二光刻膠109，對所述第二光刻膠109曝光顯影以形成圖形化的第二光刻膠109ao然后，請參見圖11，以所述圖形化的第二光刻膠109a為掩膜刻蝕所述硬掩膜層108、控制柵層107、介質層106和浮柵層105至露出所述襯底100。本實施例中，由于所述襯底100還包括隧穿氧化層101，故可以以圖形化的第二光刻膠109a為掩膜刻蝕所述硬掩膜層108、控制柵層107、介質層106、PNP結構的浮柵層105至露出隧穿氧化層101，未被刻蝕的隧穿氧化層101還可以用于形成其他的半導體器件。而在其他實施例中，也可以刻蝕去除所述隧穿氧化層101。最后，請參見圖12，去除所述圖形化的第二光刻膠109a和硬掩膜層108。本實施例中所述圖形化的第二光刻膠109a仍采用先灰化法去除，然后再采用濕法刻蝕去除光刻膠殘渣及硬掩膜層108。此外，在形成如圖12中的疊層結構后，后續(xù)還包括形成側墻和在側墻兩側進行源漏注入的工藝以形成閃存單元，此為現有技術，故在此不再贅述。綜上所述，本發(fā)明實施例所提供的閃存單元浮柵的形成方法，由于所述雙摻雜結構的浮柵中P區(qū)和N區(qū)的載流子濃度不相同，形成P-N結，在P-N結處接觸電勢差使電子產生附加靜電勢能，P區(qū)電子能量大于N區(qū)電子能量，阻擋N區(qū)電子向P區(qū)移動導致所述浮柵結構沿橫向方向所形成的能帶發(fā)生彎曲，即摻有P型離子區(qū)域的能帶高，摻有N型離子區(qū)域的能帶低，形成了兩邊能帶高中間能帶低的能帶圖，電子被存儲在能帶低的能谷中。因此不容易通過源端或者漏端的隧穿氧化層中的泄漏通道而丟失，提高了閃存單元的編程效率和數據的保持能力。本發(fā)明實施例通過采用干法刻蝕圖形化的第一光刻膠，精確地控制了所要形成的閃存單元的CD，形成了所需的具有較小的CD的閃存單元。而且由于干法刻蝕后的第一光刻膠的圖形的尺寸小于干法刻蝕前的第一光刻膠的圖形的尺寸，因此增大了后續(xù)進行第二型離子注入時第二型離子的擴散區(qū)域，無需再通過熱處理工藝來使得第二型離子擴散，降低了制造閃存單元的成本。通過先形成具有N型離子摻雜的浮柵層，然后形成圖形化的第一光刻膠，對所述圖形化的第一光刻膠采用干法刻蝕，以所述干法刻蝕后的第一光刻膠為掩膜進行P型離子注入形成了雙摻雜結構的浮柵，具有所述雙摻雜結構的浮柵的閃存單元具有較小的CD，且成本低。本發(fā)明雖然已以較佳實施例公開如上，但其并不是用來限定本發(fā)明，任何本領域技術人員在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內，都可以利用上述揭示的方法和技術內容對本發(fā)明技術方案做出可能的變動和修改，因此，凡是未脫離本發(fā)明技術方案的內容，依據本發(fā)明的技術實質對以上實施例所作的任何簡單修改、等同變 化及修飾，均屬于本發(fā)明技術方案的保護范圍。
權利要求
1.一種閃存単元浮柵的形成方法，其特征在于，包括如下步驟 提供襯底，在所述襯底上形成摻有第一型離子的浮柵層； 在所述摻有第一型離子的浮柵層上形成圖形化的第一光刻膠； 干法刻蝕所述圖形化的第一光刻膠，所述干法刻蝕后的第一光刻膠的圖形的尺寸小于所述干法刻蝕前的第一光刻膠的圖形的尺寸； 以所述干法刻蝕后的第一光刻膠為掩膜對所述摻有第一型離子的浮柵層進行第二型離子注入形成具有雙摻雜結構的浮柵層，所述第一型離子與所述第二型離子反型。
2.如權利要求I所述的閃存單元浮柵的形成方法，其特征在于，所述干法刻蝕的氣體為CH2F2, O2和HBr的混合氣體，所述CH2F2的流量為2 50sCCm，所述O2的流量為2 IOOsccm,所述HBr的流量為10 lOOsccm。
3.如權利要求I所述的閃存單元浮柵的形成方法，其特征在于，所述干法刻蝕后的第一光刻膠的圖形的尺寸為所述干法刻蝕前的第一光刻膠的圖形的尺寸的45 65%。
4.如權利要求I所述的閃存單元浮柵的形成方法，其特征在于，所述雙摻雜結構為PNP結構。
5.如權利要求4所述的閃存單元浮柵的形成方法，其特征在干，所述第一型離子為N型，所述第二型離子為P型。
6.如權利要求5所述的閃存單元浮柵的形成方法，其特征在于，所述N型離子為磷，注入劑量為I. 0E14 9. 9E 20/cm3,能量為5 40keV。
7.如權利要求5所述的閃存單元浮柵的形成方法，其特征在于，所述P型離子注入的劑量為所述N型離子注入劑量的10 100倍，能量為8 18keV。
8.如權利要求I所述的閃存單元浮柵的形成方法，其特征在干，以所述干法刻蝕后的第一光刻膠為掩膜對所述摻有第一型離子的浮柵層進行第二型離子注入的方式為垂直注入。
9.如權利要求I所述的閃存單元浮柵的形成方法，其特征在于，所述第一型離子的浮柵層的形成方法為采用原位摻雜形成摻有第一型離子的浮柵層。
10.一種閃存単元的形成方法，其特征在于，包括權利要求I至9任一項浮柵的形成方法，還包括 在形成具有雙摻雜結構的浮柵層后，去除所述干法刻蝕后的第一光刻膠并對所述襯底進行退火； 在所述雙摻雜結構的浮柵層上依次形成介質層和控制柵層； 刻蝕所述控制柵層、介質層和浮柵層至露出所述襯底。
11.如權利要求10所述的閃存單元的形成方法，其特征在于，所述刻蝕所述控制柵層、介質層和浮柵層至露出所述襯底包括 在所述控制柵層上依次形成硬掩膜層及圖形化的第二光刻膠； 以所述圖形化的第二光刻膠為掩膜刻蝕所述硬掩膜層、控制柵層、介質層和浮柵層至露出所述襯底； 去除所述圖形化的第二光刻膠和硬掩膜層。
12.如權利要求10所述的閃存單元的形成方法，其特征在于，所述浮柵層、控制柵層的材料為多晶娃或無定形娃。
13.如權利要求10所述的閃存單元的形成方法，其特征在于，所述退火的溫度為700-1200°C。
全文摘要
一種閃存單元及其浮柵的形成方法，所述閃存單元浮柵的形成方法包括如下步驟提供襯底，在所述襯底上形成摻有第一型離子的浮柵層；在所述摻有第一型離子的浮柵層上形成圖形化的第一光刻膠；干法刻蝕所述圖形化的第一光刻膠，所述干法刻蝕后的第一光刻膠的圖形的尺寸小于所述干法刻蝕前的第一光刻膠的圖形的尺寸；以所述干法刻蝕后的第一光刻膠為掩膜對所述摻有第一型離子的浮柵層進行第二型離子注入形成具有雙摻雜結構的浮柵層，所述第一型離子與所述第二型離子反型。所述閃存單元浮柵及閃存單元的形成方法，可以形成關鍵尺寸小且具有雙摻雜浮柵結構的閃存單元，且所述閃存單元編程效率高，數據保持能力強，工藝成本低。
文檔編號H01L21/265GK102693905SQ201110069308
公開日2012年9月26日 申請日期2011年3月22日 優(yōu)先權日2011年3月22日
發(fā)明者曾賢成, 李紹彬 申請人:中芯國際集成電路制造(上海)有限公司