專(zhuān)利名稱(chēng)：高壓功率ldmos器件及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造技術(shù)領(lǐng)域，更具體地說(shuō)，涉及一種高壓功率LDMOS器件及其制造方法。
背景技術(shù)：
LDMOS(橫向雙擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管,Lateral Double-diffuseMOS)器件的制造主要是利用雙擴(kuò)散技木，在相同的源/漏區(qū)域相繼進(jìn)行兩次硼磷擴(kuò)散，由兩次硼磷擴(kuò)散的橫向結(jié)深之差來(lái)精確控制溝道的長(zhǎng)度。LDMOS器件中，在源區(qū)和漏區(qū)之間有高阻層，稱(chēng)為漂移區(qū)(drift)。漂移區(qū)的存在提高了器件的擊穿電壓，并減小了源、漏兩極之間的寄生電容，有利于改善頻率特性。同時(shí)，漂移區(qū)在溝道和漏之間起緩沖作用，削弱了 LDMOS器件的短溝道效應(yīng)。
高壓功率LDMOS器件常與低壓功率器件(或電路)集成，實(shí)現(xiàn)高壓功率集成電路(HVIC)的單片集成。傳統(tǒng)的高壓功率LDMOS器件，一般呈現(xiàn)multi-finger (多個(gè)手指)形狀，參考圖1，圖I為現(xiàn)有技術(shù)中高壓功率LDMOS器件的multi-finger形狀結(jié)構(gòu)的俯視圖。這種具有multi-finger形狀的高壓功率LDMOS器件，根據(jù)其局部形狀的不同可分為三類(lèi)第一，如圖中虛線(xiàn)框I所指示部分，此部分結(jié)構(gòu)稱(chēng)為multi-finger的直道部分；第二，如圖中虛線(xiàn)框2所指示部分，此部分結(jié)構(gòu)稱(chēng)為multi-finger彎道靠近末端部分；第三，如圖中虛線(xiàn)框3所指示部分,此部分結(jié)構(gòu)稱(chēng)為multi-finger彎道靠近根部部分。multi-finger彎道靠近末端部分和multi-finger彎道靠近根部部分統(tǒng)稱(chēng)為multi-finger彎道部分,所不同的是，從器件俯視圖上看，前者為源端包圍漏端，后者為漏端包圍源端。傳統(tǒng)エ藝中，無(wú)論要形成上述三類(lèi)中的哪類(lèi)結(jié)構(gòu)，一般均會(huì)形成較深的漂移區(qū)，且在所述漂移區(qū)的頂部采用離子注入エ藝形成與N型漂移區(qū)摻雜類(lèi)型相反的p-top層(對(duì)于N型高壓功率LDMOS器件而言為P型top層，簡(jiǎn)稱(chēng)p-top層)。這種具有p-top層的漂移區(qū)結(jié)構(gòu)，很容易在multi-finger的直道部分實(shí)現(xiàn)電荷的平衡(N型電荷Qn與P型電荷Qp的平衡)，然而對(duì)于multi-finger的彎道部分,尤其是multi-finger彎道靠近根部的部分,常會(huì)出現(xiàn)Qn與Qp電荷的不平衡，即依靠現(xiàn)有エ藝中具有p-top層的漂移區(qū)結(jié)構(gòu)，不能很好地實(shí)現(xiàn)multi-finger彎道部分漂移區(qū)與襯底的Qn與Qp電荷平衡,所述multi-finger彎道部分Qn與Qp電荷的不平衡將直接影響LDMOS器件擊穿電壓的穩(wěn)定性。

發(fā)明內(nèi)容
有鑒于此，本發(fā)明提供一種高壓功率LDMOS器件及其制造方法，該方法能夠提高器件擊穿電壓的穩(wěn)定性。為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供如下技術(shù)方案一種高壓功率LDMOS器件，該器件包括基底；位于基底內(nèi)的埋層區(qū)及漂移區(qū)，所述埋層區(qū)包括主埋層區(qū)和副埋層區(qū)，所述副埋層區(qū)位于漂移區(qū)靠近源端底部且與所述漂移區(qū)相連通。優(yōu)選的，上述高壓功率LDMOS器件中，所述副埋層區(qū)中與主埋層區(qū)相連的一端的深度大于其另一端的深度而使所述副埋層區(qū)成錐狀。優(yōu)選的，上述高壓功率LDMOS器件中，所述埋層區(qū)與漂移區(qū)的摻雜類(lèi)型相反。優(yōu)選的，上述高壓功率LDMOS器件中，所述漂移區(qū)包括相連通的源端阱區(qū)和漏端阱區(qū)，且所述源端阱區(qū)的深度小于漏端阱區(qū)的深度；所述副埋層區(qū)位于源端阱區(qū)底部且與所述源端阱區(qū)相連通。優(yōu)選的，上述高壓功率LDMOS器件中，所述漏端阱區(qū)的長(zhǎng)度與漂移區(qū)的長(zhǎng)度之比為1 : 4 3 : 4。
優(yōu)選的，上述高壓功率LDMOS器件中，所述基底為multi-finger彎道部分所在的 基底。本發(fā)明還提供了一種高壓功率LDMOS器件制造方法，該方法包括提供基底，所述基底包括本體層；在所述基底內(nèi)形成埋層區(qū)及漂移區(qū)，所述埋層區(qū)包括主埋層區(qū)和副埋層區(qū)，所述副埋層區(qū)位于漂移區(qū)靠近源端底部且與所述漂移區(qū)相連通。優(yōu)選的，上述高壓功率LDMOS器件制造方法中，在所述基底內(nèi)形成埋層區(qū)，具體包括在所述基底的本體層上旋涂光刻膠層；以具有主埋層區(qū)和副埋層區(qū)圖案的掩膜版為掩膜在所述本體層上形成具有主埋層區(qū)和副埋層區(qū)圖案的光刻膠層；以所述具有主埋層區(qū)和副埋層區(qū)圖案的光刻膠層為掩膜在所述本體層內(nèi)形成主埋層區(qū)和副埋層區(qū)。優(yōu)選的，上述高壓功率LDMOS器件制造方法中，所述掩膜版中的副埋層區(qū)圖案包括由多個(gè)孔形成的孔群，且所述孔群中距離主埋層區(qū)圖案近的孔的面積大于距離主埋層區(qū)圖案遠(yuǎn)的孔的面積。優(yōu)選的，上述高壓功率LDMOS器件制造方法中，所述掩膜版中的副埋層區(qū)圖案中孔群的面積之和與副埋層區(qū)圖案總面積的百分比為10% 50%。從上述技術(shù)方案可以看出，本發(fā)明所提供的高壓功率LDMOS器件，包括基底；位于基底內(nèi)的埋層區(qū)及漂移區(qū)，所述埋層區(qū)包括主埋層區(qū)和副埋層區(qū)，所述副埋層區(qū)位于漂移區(qū)靠近源端底部且與所述漂移區(qū)相連通。本發(fā)明所提供的高壓功率LDMOS器件，在漂移區(qū)靠近源端底部存在與漂移區(qū)相連通的副埋層區(qū)，而副埋層區(qū)與漂移區(qū)的摻雜類(lèi)型相反，故所述副埋層區(qū)的存在可有助于實(shí)現(xiàn)Qn與Qp電荷的平衡，從而利于提高器件擊穿電壓的穩(wěn)定性。


為了更清楚地說(shuō)明本發(fā)明實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹，顯而易見(jiàn)地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來(lái)講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。
圖I為現(xiàn)有技術(shù)中高壓功率LDMOS器件的multi-finger形狀結(jié)構(gòu)的俯視圖；圖2為本發(fā)明實(shí)施例所提供的一種高壓功率LDMOS器件的剖面結(jié)構(gòu)示意圖；圖3為本發(fā)明實(shí)施例所提供的另ー種高壓功率LDMOS器件的剖面結(jié)構(gòu)示意圖；圖4為本發(fā)明實(shí)施例所提供的又一種高壓功率LDMOS器件的剖面結(jié)構(gòu)示意圖；圖5為本發(fā)明實(shí)施例所提供的一種高壓功率LDMOS器件的制造方法流程示意圖；圖6為本發(fā)明實(shí)施例所提供的一種掩膜版的結(jié)構(gòu)示意圖；圖7為本發(fā)明實(shí)施例所提供的另ー種掩膜版的結(jié)構(gòu)示意圖；
圖8為本發(fā)明實(shí)施例所提供的又一種掩膜版的結(jié)構(gòu)示意圖；圖9 圖17為本發(fā)明實(shí)施例所提供的高壓功率LDMOS器件制造過(guò)程中的剖面結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實(shí)施例方式下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖，對(duì)本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；诒景l(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒(méi)有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。實(shí)施例一參考圖2，圖2為本發(fā)明實(shí)施例所提供的一種高壓功率LDMOS器件的剖面結(jié)構(gòu)示意圖，所述高壓功率LDMOS器件(以N型高壓功率LDMOS器件為例進(jìn)行說(shuō)明，下同)包括基底100 ;位于基底100內(nèi)的埋層區(qū)和漂移區(qū)203，所述埋層區(qū)包括主埋層區(qū)103和副埋層區(qū)104，所述副埋層區(qū)104位于漂移區(qū)203靠近源端底部且與漂移區(qū)203相連通。除此之外，所述高壓功率LDMOS器件還包括位于漂移區(qū)203內(nèi)靠近頂部的p_top層204，所述p-top層204與漂移區(qū)203的摻雜類(lèi)型相反；位于漂移區(qū)203上的場(chǎng)氧化層108 ;位于漂移區(qū)203內(nèi)的漏區(qū)114 ;位于主埋層區(qū)103上且與漂移區(qū)203相連的有源阱區(qū)105 ;位于有源阱區(qū)105內(nèi)的源區(qū)113 ;位于有源阱區(qū)105上的柵極109，所述柵極109延伸至場(chǎng)氧化層108上的一部分稱(chēng)為源端柵場(chǎng)板。所述漂移區(qū)203的摻雜類(lèi)型和埋層區(qū)的摻雜類(lèi)型相反；埋層區(qū)中主埋層區(qū)103和副埋層區(qū)104的摻雜類(lèi)型相同，且所述主埋層區(qū)103和副埋層區(qū)104同時(shí)形成。所述主埋層區(qū)103呈現(xiàn)出各部位深度(即縱向深度)均相同的矩形狀結(jié)構(gòu)，而所述副埋層區(qū)104呈現(xiàn)出各部位深度均不相同的錐狀結(jié)構(gòu)，且所述副埋層區(qū)104中與主埋層區(qū)103相連的一端的深度大于其另一端的深度，即在所述副埋層區(qū)104中，當(dāng)其橫向分布越來(lái)越遠(yuǎn)離主埋層區(qū)103時(shí)，其橫向區(qū)域所對(duì)應(yīng)的縱向深度越來(lái)越小，宏觀來(lái)看，所述副埋層區(qū)104的縱向深度為漸變的，故所述副埋層區(qū)104也可稱(chēng)為漸變埋層區(qū)。由上可知，本發(fā)明所提供的高壓功率LDMOS器件，由于所述埋層區(qū)包括主埋層區(qū)和副埋層區(qū)，且所述副埋層區(qū)位于漂移區(qū)底部并與所述漂移區(qū)相連通，而副埋層區(qū)和漂移區(qū)的摻雜類(lèi)型相反，因此，副埋層區(qū)的存在可以有效地減緩漂移區(qū)與埋層區(qū)交疊部位處Qn與Qp電荷的不平衡，從而使得高壓功率LDMOS器件的擊穿電壓能夠保持較好的穩(wěn)定性。實(shí)施例ニ與實(shí)施例一所不同的是，本實(shí)施例中所提供的高壓功率LDMOS器件，其漂移區(qū)不再是普通的各部位深度均相同的阱區(qū)，而是包括兩個(gè)深度不相同的阱區(qū)。本實(shí)施例中的漂移區(qū)稱(chēng)為漸變漂移區(qū)，且在具有漸變漂移區(qū)的高壓功率LDMOS器件中，去掉了 p-top層，具體如下參考圖3，圖3為本發(fā)明實(shí)施例所提供的另ー種高壓功率LDMOS器件的剖面結(jié)構(gòu)示意圖，所述高壓功率LDMOS器件包括基底100 ;位于基底100內(nèi)的埋層區(qū)和漸變漂移區(qū)；其中，所述埋層區(qū)包括主埋層區(qū)103和副埋層區(qū)104 ;所述漸變漂移區(qū)包括相連通的漏端阱區(qū)202和源端阱區(qū)201，且所述漏端阱區(qū)202的深度大于所述源端阱區(qū)201的深度；所述副埋層區(qū)104位于所述源端阱區(qū)201底部且與所述源端阱區(qū)201相連通。所述高壓功率LDMOS器件還包括位于漸變漂移區(qū)上的場(chǎng)氧化層108 ;位于漏端阱區(qū)202內(nèi)的漏區(qū)114 ;位于主埋層區(qū)103上且與源端阱區(qū)201相連的有源阱區(qū)105 ;位于有源阱區(qū)105內(nèi)的源區(qū)113 ;位于有源阱區(qū)105上的柵極109，所述柵極延伸至場(chǎng)氧化層108上的部分稱(chēng)為源端柵場(chǎng)板。
所述埋層區(qū)與漸變漂移區(qū)的摻雜類(lèi)型相反，但所述埋層區(qū)中主埋層區(qū)103和副埋層區(qū)104的摻雜類(lèi)型相同，所述漸變漂移區(qū)中漏端阱區(qū)202和源端阱區(qū)201的摻雜類(lèi)型相同。所述漸變漂移區(qū)中漏端阱區(qū)202為靠近漏區(qū)114的阱區(qū)，所述源端阱區(qū)201為靠近源區(qū)113的阱區(qū)，且所述漏端阱區(qū)202中各區(qū)域(橫向區(qū)域)的縱向深度均相同，所述源端阱區(qū)201中各區(qū)域的縱向深度也相同，但漏端阱區(qū)202的深度大于源端阱區(qū)201的深度，因此，在漏端阱區(qū)202和源端阱區(qū)201的交界處存在ー個(gè)深度不相同的、漸變的臺(tái)階結(jié)構(gòu)，故由漏端阱區(qū)202和源端阱區(qū)201所組成的漂移區(qū)稱(chēng)為“漸變漂移區(qū)”。本發(fā)明實(shí)施例中所述漸變漂移區(qū)的長(zhǎng)度為漏端阱區(qū)202和源端阱區(qū)201的長(zhǎng)度之和，且所述漏端阱區(qū)202的長(zhǎng)度與漸變漂移區(qū)的長(zhǎng)度之比為1 : 4 3 : 4。在所述漸變漂移區(qū)中，由于漏端阱區(qū)202的深度大于源端阱區(qū)201的深度，故載流子相對(duì)于漏端阱區(qū)202易于在源端阱區(qū)201內(nèi)耗盡，從而使得漏端阱區(qū)202可以承受較高的電壓，因此，本發(fā)明所提供的高壓功率LDMOS器件中，去掉了 p-top層(參見(jiàn)圖I)。去掉所述p-top層，一方面使得エ藝過(guò)程簡(jiǎn)單化，另ー方面避免了因p-top層濃度的波動(dòng)而對(duì)Qn與Qp電荷平衡造成影響，進(jìn)而可使器件的擊穿電壓更加穩(wěn)定。且所述漸變漂移區(qū)中，可以適當(dāng)提高其摻雜劑量，使得所述高壓功率LDMOS器件在具有較高、較穩(wěn)定擊穿電壓的同時(shí)，還具有較低的導(dǎo)通電阻，緩解了常見(jiàn)的高擊穿電壓和低導(dǎo)通電阻之間的矛盾。本實(shí)施例所提供的高壓功率LDMOS器件，所述埋層區(qū)包括主埋層區(qū)和副埋層區(qū)，且所述副埋層區(qū)位于所述漸變漂移區(qū)中源端阱區(qū)的底部并與所述源端阱區(qū)相連通，而副埋層區(qū)與源端阱區(qū)的摻雜類(lèi)型相反，因此，所述副埋層區(qū)的存在可使Qn與Qp電荷趨于平衡，進(jìn)而可提高器件擊穿電壓的穩(wěn)定性。下面結(jié)合圖4更為詳細(xì)地描述實(shí)施例ニ所述的高壓功率LDMOS器件。參考圖4，圖4為本發(fā)明實(shí)施例所提供的又一種高壓功率LDMOS器件的剖面結(jié)構(gòu)示意圖，所述高壓功率LDMOS器件包括基底100 ;位于基底內(nèi)的埋層區(qū)和漸變漂移區(qū)；其中，所述埋層區(qū)包括主埋層區(qū)103和副埋層區(qū)104 ;所述漸變漂移區(qū)包括相連通的源端阱區(qū)201和漏端阱區(qū)202，所述漏端阱區(qū)202的深度大于源端阱區(qū)201的深度；所述副埋層區(qū)104位于源端阱區(qū)201底部并與所述源端阱區(qū)201相連通。所述高壓功率LDMOS器件還包括位于漸變漂移區(qū)上的場(chǎng)氧化層108 ;位于漸變漂移區(qū)中漏端阱區(qū)202內(nèi)的低壓阱區(qū)107，所述低壓阱區(qū)107的存在主要是在エ藝中形成中低壓的MOS管，所述低壓阱區(qū)107又可提高高壓功率LDMOS器件的高壓動(dòng)態(tài)I-V特性；位于所述低壓阱區(qū)107內(nèi)的漏區(qū)114。所述高壓功率LDMOS器件還包括位于所述基底100內(nèi)、且位于埋層區(qū)中主埋層區(qū)103上的有源阱區(qū)105，所述有源阱區(qū)105與源端阱區(qū)201相連；所述有源阱區(qū)105內(nèi)形成有體接觸區(qū)112和源區(qū)113，所述有源阱區(qū)105上形成有柵極109，柵極109延伸至場(chǎng)氧化層108之上的部分稱(chēng)為源端柵場(chǎng)板；位于所述場(chǎng)氧化層108之上且靠近漏區(qū)114的部位設(shè)置有漏端柵場(chǎng)板110，所述漏端柵場(chǎng)板110和柵極109同時(shí)形成。所述漏端柵場(chǎng)板110和源端柵場(chǎng)板的作用為利于載流子在漸變漂移區(qū)中的耗盡，從而利于器件承受高的擊穿電壓。所述漏區(qū)114和漏端柵場(chǎng)板110分別通過(guò)接觸孔內(nèi)的金屬117和118與漏端第一金屬層120相連,漏端第一金屬層120又通過(guò)通孔內(nèi)的鶴塞124和125與漏端第二金屬層 128相連。同理，所述體接觸區(qū)112和源區(qū)113分別通過(guò)接觸孔內(nèi)的金屬115和116與源端第一金屬層119相連，源端第一金屬層119又通過(guò)通孔內(nèi)的鎢塞122和123與源端第二金屬層126相連。各金屬層之間、各通孔內(nèi)的鎢塞之間以及金屬層與通孔內(nèi)的鎢塞之間均通過(guò)金屬間介質(zhì)層127相隔離，源端第一金屬層119、漏端第一金屬層120與柵極109、漏端柵場(chǎng)板110等之間通過(guò)層間介質(zhì)121相隔離。各金屬層延長(zhǎng)到場(chǎng)氧化層108豎直方向上的部分形成金屬場(chǎng)板(包括漏端金屬場(chǎng)板和源端金屬場(chǎng)板)，所述金屬場(chǎng)板的存在也利于載流子在漸變漂移區(qū)內(nèi)的耗盡，進(jìn)而為器件的高擊穿電壓做貢獻(xiàn)。需要說(shuō)明的是，本發(fā)明所提供的高壓功率LDMOS器件，其漸變漂移區(qū)包括了深度不相同的漏端阱區(qū)202和源端阱區(qū)201，且漸變漂移區(qū)上沒(méi)有p-top層，這也使得各場(chǎng)板(包括柵場(chǎng)板和金屬場(chǎng)板)在對(duì)載流子耗盡方面所做的貢獻(xiàn)，較現(xiàn)有技術(shù)來(lái)說(shuō)，有了很大的提聞。上述實(shí)施例一和實(shí)施例ニ所提供的高壓功率LDMOS器件，既可以為multi-finger的直道部分所對(duì)應(yīng)的結(jié)構(gòu)，也可以為multi-finger的彎道部分所對(duì)應(yīng)的結(jié)構(gòu)。不過(guò)，由于采用現(xiàn)有技術(shù)所形成的高壓功率LDMOS器件，其在multi-finger的直道部分一般較容易實(shí)現(xiàn)Qn與Qp電荷的平衡，故所述multi-finger的直道部分仍可按現(xiàn)有技術(shù)來(lái)形成；而對(duì)于multi-finger的彎道部分,尤其是multi-finger彎道靠近根部的部分,則應(yīng)形成本發(fā)明所提供的高壓功率LDMOS器件的結(jié)構(gòu)，只有這樣才能緩解Qn與Qp電荷的不平衡，進(jìn)而穩(wěn)定器件的擊穿電壓。以上詳細(xì)描述了本發(fā)明所提供的高壓功率LDMOS器件，下面介紹高壓功率LDMOS器件的制造方法。實(shí)施例三參考圖5，圖5為本發(fā)明所提供的高壓功率LDMOS器件的制造方法流程示意圖。該方法具體包括步驟SI :提供基底,所述基底包括本體層。本步驟中所提供的基底包括本體層(也可稱(chēng)襯底)，后續(xù)需要在所述本體層上形成外延層，所述本體層和外延層統(tǒng)稱(chēng)為基底。后續(xù)步驟中將涉及到“基底內(nèi)”和“基底上”等相關(guān)概念，所述“基底內(nèi)”是指由基底表面向下延伸的一定深度的區(qū)域，該區(qū)域?qū)儆诨椎囊徊糠?；所述“基底上”是指由基底表面向上的區(qū)域，該區(qū)域不屬于基底本身。本文中其它描述所表示的意思也可以此類(lèi)推。步驟S2 :在所述基底內(nèi)形成埋層區(qū)及漂移區(qū)，所述埋層區(qū)包括主埋層區(qū)和副埋層區(qū)，所述副埋層區(qū)位于漂移區(qū)靠近源端底部且與所述漂移區(qū)相連通。在所述基底內(nèi)形成埋層區(qū)，具體步驟如下在所述基底的本體層上旋涂光刻膠層；利用具有主埋層區(qū)和副埋層區(qū)圖案的掩膜版為掩膜對(duì)所述光刻膠層進(jìn)行曝光，之后顯影，從而在所述本體層上形成具有主埋層區(qū)和副埋層區(qū)圖案的光刻膠層；以所述具有主埋層區(qū)和副埋層區(qū)圖案的光刻膠層為掩膜，采用離子注入エ藝在所述本體層內(nèi)形成埋層區(qū)，所述埋層區(qū)包括主埋層區(qū)和副埋層區(qū)。
相對(duì)現(xiàn)有技術(shù)來(lái)說(shuō)，本發(fā)明實(shí)施例中對(duì)所述光刻膠層進(jìn)行曝光時(shí)所用的掩膜版發(fā)生了變化。現(xiàn)有技術(shù)中，對(duì)于multi-finger直道部分，所用的掩膜版上一般具有矩形圖案；而對(duì)于multi-finger彎道部分，所用的掩膜版上一般具有矩形圖案和與該矩形圖案相連的半圓形圖案。本發(fā)明實(shí)施例中，所述掩膜版上包括主埋層區(qū)圖案和副埋層區(qū)圖案。其中，所述主埋層區(qū)圖案即為現(xiàn)有技術(shù)中所對(duì)應(yīng)的圖案；所述副埋層區(qū)圖案包括由多個(gè)小孔(也可稱(chēng)為“小島”)形成的孔群，所述孔群中各相鄰小孔之間的距離可以相等也可以不等。較優(yōu)的方案中，當(dāng)所述相鄰小孔之間的距離相等時(shí)，一般設(shè)置距離主埋層區(qū)圖案近的小孔的面積較大，距離主埋層區(qū)圖案較遠(yuǎn)的小孔的面積較小，這就使得遠(yuǎn)離主埋層區(qū)圖案的區(qū)域被注入的離子的劑量較小，從而使得其對(duì)應(yīng)的縱向深度較淺，最終使副埋層區(qū)中的縱向深度呈錐狀分布，且副埋層區(qū)中越遠(yuǎn)離主埋層區(qū)的部位，其深度越小；當(dāng)所述相鄰小孔之間的距離不等時(shí)，一般設(shè)置遠(yuǎn)離主埋層區(qū)圖案的小孔之間的間距大于距主埋層區(qū)圖案較近的小孔之間的間距，此時(shí)，各小孔的面積可以相同，也可以不同，當(dāng)所述各小孔的面積不同時(shí)，也應(yīng)該設(shè)計(jì)使得各小孔的面積與各小孔距主埋層區(qū)圖案的距離成反比關(guān)系。無(wú)論如何設(shè)計(jì)副埋層區(qū)圖案，均應(yīng)使得最終形成的副埋層區(qū)的縱向深度成漸變的錐狀結(jié)構(gòu)，且在所述副埋層區(qū)中越遠(yuǎn)離主埋層區(qū)的部位，其對(duì)應(yīng)的縱向深度越小。參考圖6，圖6為本發(fā)明實(shí)施例所提供的一種掩膜版的結(jié)構(gòu)示意圖，該圖對(duì)應(yīng)multi-finger直道部分所用掩膜版。圖中示出了矩形圖案300和多個(gè)小正方形圖案301，所述矩形圖案300即為主埋層區(qū)圖案，所述多個(gè)小正方形圖案301構(gòu)成了副埋層區(qū)圖案，且多個(gè)小正方形的面積不相同。在所述多個(gè)小正方形圖案301中，距離矩形圖案300越遠(yuǎn)，其面積越小，表現(xiàn)在圖中為c < b < a，其中，a、b、c分別為三個(gè)小正方形的邊長(zhǎng)，且邊長(zhǎng)a、
b、c所對(duì)應(yīng)的三個(gè)小正方形距矩形圖案300的距離越來(lái)越遠(yuǎn)。參考圖7,圖7中所示掩膜版為制作multi-finger彎道部分時(shí)所用。圖中沒(méi)有示出主埋層區(qū)圖案中的矩形圖案，僅示出了主埋層區(qū)圖案中的半圓形圖案，圖中所示多個(gè)小正方形構(gòu)成副埋層區(qū)圖案，且所述多個(gè)小正方形的面積不相等，隨著小正方形遠(yuǎn)離半圓形圖案(即主埋層區(qū)圖案)，其面積逐漸減小。所述掩膜版中的副埋層區(qū)圖案中多個(gè)小正方形的面積之和與副埋層區(qū)圖案總面積的百分比(即副埋層區(qū)圖案中透光面積與總面積之比)為10% 50%，優(yōu)選的，可控制上述百分比為30%。圖中半圓形圖案和多個(gè)小正方形圖案均為可透光區(qū)域，S卩當(dāng)使用圖7所示的掩膜版對(duì)本體層上的光刻膠層進(jìn)行曝光，之后顯影，則在所述本體層上形成具有圖7所示圖案的光刻膠層，接著以具有圖7所示圖案的光刻膠層為掩膜，采用離子注入エ藝向所述本體層內(nèi)注入離子。由于主埋層區(qū)圖案包括了矩形和半圓形區(qū)域，故離子可通過(guò)所述矩形和半圓形區(qū)域被注入本體層內(nèi)，從而在所述本體層內(nèi)形成各部位深度均相同的主埋層區(qū)；由于副埋層區(qū)圖案包括多個(gè)小正方形，且各小正方形的面積與距主埋層區(qū)圖案的距離成反比，故當(dāng)離子通過(guò)各小正方形被注入本體層內(nèi)后，在所述本體層內(nèi)形成深度漸變的錐狀的副埋層區(qū)，且所述副埋層區(qū)中與主埋層區(qū)相連的一端的深度大于其另一端的深度。參考圖8，圖8為本發(fā)明實(shí)施例所提供的又一種掩膜版的結(jié)構(gòu)示意圖。該掩膜版同樣在制作multi-finger彎道部分時(shí)所用，圖8與圖7的區(qū)別點(diǎn)在于各小正方形的排列方式不同，圖8中各小正方形整齊排列，相鄰各行、各列之間的間距均相等，圖7中各小正方形所形成的行和列中，相鄰的行與行(或列與列)之間沒(méi)有對(duì)齊，而是交叉相排列，從而使得各奇數(shù)行(或各奇數(shù)列)成等間距排列，各偶數(shù)行(或各偶數(shù)列)成另ー種等間距排列。雖然上述兩圖中各小正方形的排列方式不同，但兩者的共同點(diǎn)在干距離主埋層區(qū)圖案越遠(yuǎn)，小正方形的面積越小，從而可使最終形成的副埋層區(qū)的縱向深度隨著遠(yuǎn)離主 埋層區(qū)而逐漸減小。由于圖7中各小正方形所組成的行和列中，相鄰的行與行、列與列成交叉排列，這就使得最終所形成的副埋層區(qū)中的離子濃度比較均勻，而采用圖8所示的掩膜版所形成的副埋層區(qū)，其內(nèi)的離子濃度相對(duì)來(lái)說(shuō)不如前者均勻。需要說(shuō)明的是，副埋層區(qū)圖案中的小孔可以為正方形形狀，也可以為圓形或菱形等形狀，對(duì)此，本發(fā)明并無(wú)特別限制，且本發(fā)明對(duì)各小孔的排列方式也無(wú)限制，只要本領(lǐng)域技術(shù)人員在不做出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下所獲得的所有實(shí)施例均屬本發(fā)明所保護(hù)的范圍。在基底的本體層內(nèi)形成埋層區(qū)后，接著在所述具有埋層區(qū)的本體層上生長(zhǎng)外延層，然后通過(guò)光刻、刻蝕、離子注入エ藝在所述基底內(nèi)形成與埋層區(qū)摻雜類(lèi)型相反的漂移區(qū)。所述漂移區(qū)位于源端和漏端之間，且所述漂移區(qū)的底部伸入到本體層內(nèi)。除此之外，所述漂移區(qū)靠近源端的部位和埋層區(qū)中的副埋層區(qū)在本體層內(nèi)相交疊，即所述漂移區(qū)靠近源端的部位位于副埋層區(qū)上端并與所述副埋層區(qū)相連通。又由于漂移區(qū)和副埋層區(qū)的摻雜類(lèi)型相反，因此，在漂移區(qū)和副埋層區(qū)相交疊的部位容易使Qn與Qp電荷實(shí)現(xiàn)平衡，所述Qn與Qp電荷的平衡則可提高器件擊穿電壓的穩(wěn)定性。隨后的エ藝過(guò)程中，需要在所述漂移區(qū)上形成場(chǎng)氧化層，在基底的表面形成柵極，并在基底內(nèi)形成相應(yīng)的源區(qū)及漏區(qū)等，此處對(duì)這些エ藝過(guò)程不再進(jìn)行詳細(xì)描述。由上可知，本發(fā)明所提供的高壓功率LDMOS器件制造方法，通過(guò)改變現(xiàn)有エ藝中在形成埋層區(qū)時(shí)所采用的掩膜版的圖案，進(jìn)而在基底的本體層內(nèi)形成包括主埋層區(qū)和副埋層區(qū)的埋層區(qū)，且所述副埋層區(qū)位于后續(xù)形成的漂移區(qū)靠近源端的底部，而漂移區(qū)和埋層區(qū)的摻雜類(lèi)型相反，這就使得副埋層區(qū)與漂移區(qū)的交疊處易于實(shí)現(xiàn)Qn與Qp電荷的平衡，所述Qn與Qp電荷的平衡有助于提高高壓功率LDMOS器件擊穿電壓的穩(wěn)定性。實(shí)施例四與實(shí)施例三所不同的是，本實(shí)施例中所提供的高壓功率LDMOS器件制造方法，在形成漂移區(qū)時(shí)不是采用普通的エ藝步驟，所形成的漂移區(qū)也不是普通的漂移區(qū)，而是形成了由兩個(gè)深度不相同的阱區(qū)所構(gòu)成的“漸變漂移區(qū)”，且所述漸變漂移區(qū)內(nèi)去掉了 top層，具體エ藝過(guò)程如下提供基底，所述基底包括本體層。本實(shí)施例中所述基底為multi-finger彎道靠近根部所對(duì)應(yīng)的基底，所述本體層為P型硅襯底。在基底本體層內(nèi)形成深阱區(qū)及埋層區(qū)。參考圖9，在基底的本體層101內(nèi)采用離子注入エ藝形成深阱區(qū)102，所述深阱區(qū)102的位置靠近后續(xù)將要形成的漏區(qū)，本實(shí)施例中所形成的深阱區(qū)102為N型摻雜深阱區(qū)102 ;接著在所述本體層101內(nèi)采用離子注入エ藝形成埋層區(qū)，在形成埋層區(qū)時(shí)所用掩膜版為圖7中所示，故所形成的埋層區(qū)包括主埋層區(qū)103和副埋層區(qū)104，且所述主埋層區(qū)103位于后續(xù)將要形成的有源阱區(qū)的下方，所述副埋層區(qū)104與深阱區(qū)102之間有一定的距離，本實(shí)施例中所述埋層區(qū)為P型摻雜埋層區(qū)。在埋層區(qū)的離子注入完成后，通過(guò)高溫推阱エ藝實(shí)現(xiàn)摻雜離子在深阱區(qū)102及埋層區(qū)內(nèi)的擴(kuò)散，高溫推阱的溫度約為1100°c左右，時(shí)間約為5h左右。 在基底的本體層上形成外延層。參考圖10，通過(guò)外延生長(zhǎng)技術(shù)在所述P型硅襯底101上生長(zhǎng)低濃度的P型硅外延層200，本實(shí)施例中所形成的外延層104的厚度約為3 6μπι。在外延層200的形成過(guò)程中，深阱區(qū)102及埋層區(qū)中的摻雜離子會(huì)發(fā)生反擴(kuò)散現(xiàn)象，即所述摻雜離子會(huì)向外延層200內(nèi)擴(kuò)散，從而使得所述深阱區(qū)102、主埋層區(qū)103及副埋層區(qū)104延伸至外延層200內(nèi)。在所述外延層內(nèi)形成淺阱區(qū)、低壓阱區(qū)及有源阱區(qū)。參考圖11，首先采用離子注入エ藝在所述外延層內(nèi)形成與深阱區(qū)102摻雜類(lèi)型相同的淺阱區(qū)106，所述淺阱區(qū)106位于后續(xù)形成的源區(qū)和漏區(qū)之間，所述淺阱區(qū)106的深度與外延層的深度大約相同，且一般情況下，形成淺阱區(qū)106時(shí)所注入的離子的劑量大于形成深阱區(qū)102時(shí)所注入的離子劑量。由于在形成外延層時(shí)，所述深阱區(qū)102、主埋層區(qū)103及副埋層區(qū)104均在外延層內(nèi)有反擴(kuò)散部分，故此時(shí)所述淺阱區(qū)106靠近源端部位與副埋層區(qū)104相交疊，淺阱區(qū)106靠近漏端部位與深阱區(qū)102相交疊。所述淺阱區(qū)106與副埋層區(qū)104相交疊的位置利于實(shí)現(xiàn)Qn與Qp電荷的平衡，所述淺阱區(qū)106與深阱區(qū)102相交疊構(gòu)成了漸變漂移區(qū)。在所述漸變漂移區(qū)中，靠近漏端的部分(包括深阱區(qū)102及位于深阱區(qū)102豎直方向上的部分淺阱區(qū))稱(chēng)為漏端阱區(qū)(可參見(jiàn)圖4中202所示部分)，靠近源端的部分(淺阱區(qū)106中除去位于深阱區(qū)102豎直方向上的部分區(qū)域)稱(chēng)為源端阱區(qū)(可參見(jiàn)圖4中201所示部分)。本實(shí)施例中所述漏端阱區(qū)的深度為6 12 μ m，且所述漏端阱區(qū)的橫向長(zhǎng)度與漸變漂移區(qū)的橫向長(zhǎng)度之比為1 : 4 3 : 4。淺阱區(qū)106形成之后，采用離子注入エ藝在所述淺阱區(qū)106內(nèi)靠近漏區(qū)的位置形成低壓阱區(qū)107，所述低壓阱區(qū)107的摻雜類(lèi)型與淺阱區(qū)106相同。該低壓阱區(qū)107的形成有利于提高高壓功率LDMOS器件的高壓動(dòng)態(tài)I-V特性。低壓阱區(qū)107形成之后，采用離子注入エ藝在所述外延層內(nèi)形成有源阱區(qū)105，所述有源阱區(qū)105位于主埋層區(qū)103的上方，本實(shí)施例中所述有源阱區(qū)105為P型阱區(qū)。所述有源阱區(qū)105與淺阱區(qū)106相連接，從而使得所述外延層內(nèi)均為摻雜離子的區(qū)域。在有源阱區(qū)105的離子注入完成后，通過(guò)高溫推阱エ藝實(shí)現(xiàn)摻雜離子在淺阱區(qū)106、低壓阱區(qū)107及有源阱區(qū)105內(nèi)的擴(kuò)散，高溫推阱的溫度約為1100°C左右，時(shí)間約為5h左右。參考圖12，采用LOCOSエ藝在所述淺阱區(qū)106上形成場(chǎng)氧化層108，所述場(chǎng)氧化層108的作用是隔離有源器件。在基底表面形成柵極。
參考圖13，首先在基底的外延層上形成柵介質(zhì)層，接著在所述柵介質(zhì)層上形成柵極材料，然后通過(guò)光刻、刻蝕エ藝在所述有源阱區(qū)105上形成柵極109，同時(shí)，在所述場(chǎng)氧化層108上形成靠近漏區(qū)的漏端柵場(chǎng)板110。所述柵極109中延長(zhǎng)至場(chǎng)氧化層108上的部分稱(chēng)為源端柵場(chǎng)板。源端柵場(chǎng)板和漏端柵場(chǎng)板110的形成有利于使得載流子在漸變漂移區(qū)中的耗盡，從而利于提高器件的擊穿電壓。本實(shí)施例中所述柵介質(zhì)層為ニ氧化硅，所述柵極材料為多晶硅。在基底的外延層內(nèi)形成有源區(qū)。參考圖14，通過(guò)離子注入エ藝分別在所述低壓阱區(qū)107和有源阱區(qū)105內(nèi)形成重?fù)诫s的N型漏區(qū)114和N型源區(qū)113，且通過(guò)離子注入エ藝在所述有源阱區(qū)105內(nèi)形成重?fù)诫s的P型體接觸區(qū)112。參考圖15，在形成源區(qū)及漏區(qū)后，在所述基底表面形成層間介質(zhì)121，本實(shí)施例中所述層間介質(zhì)121為ニ氧化硅。隨后通過(guò)光刻、刻蝕エ藝在所述層間介質(zhì)121內(nèi)形成接觸孔115、116、117和118，這四個(gè)接觸孔分別和體接觸區(qū)112、源區(qū)113、漏端柵場(chǎng)板110和漏區(qū)114相連。參考圖16，在所述層間介質(zhì)121上形成第一金屬層，之后通過(guò)光刻、刻蝕エ藝在所述層間介質(zhì)121上形成源端第一金屬層119和漏端第一金屬層120。所述第一金屬層形成的同時(shí)，接觸孔115、116、117和118內(nèi)也會(huì)填充有金屬，進(jìn)而可使體接觸區(qū)112和源區(qū)113分別通過(guò)接觸孔115和116內(nèi)的金屬與源端第一金屬層119相連，可使漏端柵場(chǎng)板110和漏區(qū)114分別通過(guò)接觸孔117和118內(nèi)的金屬與漏端第一金屬層120相連。所述源端第一金屬層119延伸至場(chǎng)氧化層108之上的部分為源端第一金屬層場(chǎng)板，所述漏端第一金屬層120延伸至場(chǎng)氧化層108之上的部分為漏端第一金屬層場(chǎng)板，這兩個(gè)場(chǎng)板的存在有利于載流子在漸變漂移區(qū)中的耗盡，從而利于提高器件的擊穿電壓。參考圖4，在所述第一金屬層上形成金屬間介質(zhì)層127，然后通過(guò)光刻、刻蝕エ藝在所述金屬間介質(zhì)層127內(nèi)形成通孔，并在各通孔內(nèi)填充鎢塞，填充了鎢塞的通孔分別有122、123、124和125。在金屬間介質(zhì)層127上形成第二金屬層，之后通過(guò)光刻、刻蝕エ藝在所述金屬間介質(zhì)層127上形成源端第二金屬層126和漏端第二金屬層128。源端第一金屬層119可通過(guò)通孔122及123內(nèi)的鎢塞與源端第二金屬層126相連，同樣，漏端第一金屬層120可通過(guò)通孔124及125內(nèi)的鎢塞與漏端第二金屬層128相連。所述漏端第二金屬層128延伸至場(chǎng)氧化層108之上的部分為漏端第二金屬層場(chǎng)板，該場(chǎng)板的存在同樣利于提高器件的擊穿電壓。上面詳細(xì)描述了高壓功率LDMOS器件的制造過(guò)程，且圖4中所示高壓功率LDMOS器件結(jié)構(gòu)對(duì)應(yīng)于multi-finger彎道靠近根部部分，即圖4所示器件的剖面圖可按圖I中BB'箭頭指示剖下去而得，所不同的是，圖4中所示結(jié)構(gòu)為按照本發(fā)明所述的制造方法來(lái)形成，而非按現(xiàn)有エ藝來(lái)形成。對(duì)于multi-finger彎道靠近末端部分,其形成過(guò)程與上述過(guò)程相類(lèi)似,其結(jié)構(gòu)中埋層區(qū)也包括主埋層區(qū)和副埋層區(qū)，故所形成器件的剖面結(jié)構(gòu)和圖4相類(lèi)似。對(duì)于multi-finger直道部分，其埋層區(qū)可按現(xiàn)有エ藝進(jìn)行制造，現(xiàn)有エ藝中在形成埋層區(qū)時(shí)所采用的掩膜版僅包括主埋層區(qū)圖案，因此，后續(xù)形成的埋層區(qū)中沒(méi)有副埋層區(qū)，參考圖17，圖17示出了高壓功率LDMOS器件對(duì)應(yīng)multi-finger直道部分的剖面結(jié)構(gòu)圖，該圖可按圖I中AA'箭頭指示剖下去而得，所不同的是，圖17中所示結(jié)構(gòu)其漂移區(qū)(包括漏端阱區(qū)202和源端阱區(qū)201)的形成過(guò)程按本實(shí)施例中所述來(lái)形成，而埋層區(qū)103的形成過(guò)程仍按現(xiàn)有エ藝來(lái)形成。本發(fā)明實(shí)施例詳細(xì)描述了高壓功率LDMOS器件的制造方法，由該方法制造出來(lái)的高壓功率LDMOS器件，根據(jù)實(shí)際需要可以承受200V 1600V之間的不同的擊穿電壓；且所制造出來(lái)的高壓功率LDMOS器件，尤其對(duì)于multi-finger彎道部分而言，通過(guò)改變形成埋層區(qū)時(shí)所用掩膜版的圖案，可改變最終形成的埋層區(qū)的結(jié)構(gòu)，進(jìn)而可使器件中Qn與Qp電荷達(dá)到平衡，所述Qn與Qp電荷的平衡可提高器件擊穿電壓的穩(wěn)定性。除此之外，本發(fā)明實(shí)施例中所形成的漂移區(qū)為由兩個(gè)深度不相同的阱區(qū)組成了漸 變漂移區(qū)，該漸變漂移區(qū)的形成過(guò)程與普通CMOSエ藝過(guò)程相類(lèi)似，因此該制造方法可與普通CMOSエ藝結(jié)合，加之該制造過(guò)程中不用形成p-top層，因此，エ藝過(guò)程簡(jiǎn)單，成本較低。且此種結(jié)構(gòu)的漸變漂移區(qū)可適當(dāng)提高摻雜劑量，易于控制器件的低導(dǎo)通電阻；又由于器件設(shè)計(jì)沒(méi)有了 p-top層,故不會(huì)因p-top層濃度的波動(dòng)而打破應(yīng)有的Qn與Qp電荷的平衡,進(jìn)而可提高器件擊穿電壓的穩(wěn)定性。本說(shuō)明書(shū)中各個(gè)實(shí)施例采用遞進(jìn)的方式描述，每個(gè)實(shí)施例重點(diǎn)說(shuō)明的都是與其他實(shí)施例的不同之處，相關(guān)之處可互相參考。需要說(shuō)明的是，在本文中，諸如第一和第二等之類(lèi)的關(guān)系術(shù)語(yǔ)僅僅用來(lái)將ー個(gè)實(shí)體或者操作與另ー個(gè)實(shí)體或操作區(qū)分開(kāi)來(lái)，而不一定要求或者暗示這些實(shí)體或操作之間存在任何這種實(shí)際的關(guān)系或者順序。而且，術(shù)語(yǔ)“包括”、“包含”或者其任何其他變體意在涵蓋非排他性的包含，從而使得包括一系列要素的過(guò)程、方法、物品或者設(shè)備不僅包括那些要素，而且還包括沒(méi)有明確列出的其他要素，或者是還包括為這種過(guò)程、方法、物品或者設(shè)備
所固有的要素。在沒(méi)有更多限制的情況下，由語(yǔ)句“包括ー個(gè)......”限定的要素，并不排
除在包括所述要素的過(guò)程、方法、物品或者設(shè)備中還存在另外的相同要素。對(duì)所公開(kāi)的實(shí)施例的上述說(shuō)明，使本領(lǐng)域?qū)I(yè)技術(shù)人員能夠?qū)崿F(xiàn)或使用本發(fā)明。對(duì)這些實(shí)施例的多種修改對(duì)本領(lǐng)域的專(zhuān)業(yè)技術(shù)人員來(lái)說(shuō)將是顯而易見(jiàn)的，本文中所定義的一般原理可以在不脫離本發(fā)明的精神或范圍的情況下，在其它實(shí)施例中實(shí)現(xiàn)。因此，本發(fā)明將不會(huì)被限制于本文所示的這些實(shí)施例，而是要符合與本文所公開(kāi)的原理和新穎特點(diǎn)相一致的最寬的范圍。
權(quán)利要求
1.一種高壓功率LDMOS器件，其特征在于，包括 基底； 位于基底內(nèi)的埋層區(qū)及漂移區(qū)，所述埋層區(qū)包括主埋層區(qū)和副埋層區(qū)，所述副埋層區(qū)位于漂移區(qū)靠近源端底部且與所述漂移區(qū)相連通。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的高壓功率LDMOS器件，其特征在于，所述副埋層區(qū)中與主埋層區(qū)相連的一端的深度大于其另一端的深度而使所述副埋層區(qū)成錐狀。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的高壓功率LDMOS器件，其特征在于，所述埋層區(qū)與漂移區(qū)的摻雜類(lèi)型相反。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的高壓功率LDMOS器件，其特征在于，所述漂移區(qū)包括相連通的源端阱區(qū)和漏端阱區(qū)，且所述源端阱區(qū)的深度小于漏端阱區(qū)的深度；所述副埋層區(qū)位于源端阱區(qū)底部且與所述源端阱區(qū)相連通。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的高壓功率LDMOS器件，其特征在于，所述漏端阱區(qū)的長(zhǎng)度與漂移區(qū)的長(zhǎng)度之比為1 : 4 3 : 4。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的高壓功率LDMOS器件，其特征在干，所述基底為multi-finger彎道部分所在的基底。
7.一種高壓功率LDMOS器件制造方法，其特征在于，包括 提供基底，所述基底包括本體層； 在所述基底內(nèi)形成埋層區(qū)及漂移區(qū)，所述埋層區(qū)包括主埋層區(qū)和副埋層區(qū)，所述副埋層區(qū)位于漂移區(qū)靠近源端底部且與所述漂移區(qū)相連通。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其特征在于，在所述基底內(nèi)形成埋層區(qū)，具體包括 在所述基底的本體層上旋涂光刻膠層； 以具有主埋層區(qū)和副埋層區(qū)圖案的掩膜版為掩膜在所述本體層上形成具有主埋層區(qū)和副埋層區(qū)圖案的光刻膠層； 以所述具有主埋層區(qū)和副埋層區(qū)圖案的光刻膠層為掩膜在所述本體層內(nèi)形成主埋層區(qū)和副埋層區(qū)。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其特征在于，所述掩膜版中的副埋層區(qū)圖案包括由多個(gè)孔形成的孔群，且所述孔群中距離主埋層區(qū)圖案近的孔的面積大于距離主埋層區(qū)圖案遠(yuǎn)的孔的面積。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其特征在于，所述掩膜版中的副埋層區(qū)圖案中孔群的面積之和與副埋層區(qū)圖案總面積的百分比為10% 50%。
全文摘要
本發(fā)明實(shí)施例公開(kāi)了一種高壓功率LDMOS器件及其制造方法。所述高壓功率LDMOS器件，包括基底；位于基底內(nèi)的埋層區(qū)及漂移區(qū)，所述埋層區(qū)包括主埋層區(qū)和副埋層區(qū)，所述副埋層區(qū)位于漂移區(qū)靠近源端底部且與所述漂移區(qū)相連通。本發(fā)明所提供的高壓功率LDMOS器件，由于在漂移區(qū)靠近源端底部存在與漂移區(qū)相連通的副埋層區(qū)，而副埋層區(qū)與漂移區(qū)的摻雜類(lèi)型相反，故所述副埋層區(qū)的存在可有助于實(shí)現(xiàn)Qn與Qp電荷的平衡，從而有利于提高器件擊穿電壓的穩(wěn)定性。
文檔編號(hào)H01L29/78GK102723354SQ201110078690
公開(kāi)日2012年10月10日 申請(qǐng)日期2011年3月30日 優(yōu)先權(quán)日2011年3月30日
發(fā)明者吳孝嘉, 張森, 朱坤峰 申請(qǐng)人:無(wú)錫華潤(rùn)上華半導(dǎo)體有限公司, 無(wú)錫華潤(rùn)上華科技有限公司