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      發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)及其制造方法

      文檔序號:6998304閱讀:257來源:國知局
      專利名稱:發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)及其制造方法
      技術(shù)領(lǐng)域
      本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu),特別涉及一種發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu),還涉及一種發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的制造方法。
      背景技術(shù)
      發(fā)光二極管(Light Emitting Diode, LED)封裝結(jié)構(gòu)的制作通常是先在一個樹脂或塑料的基板上形成第一電極和第二電極,然后將發(fā)光二極管芯片固定于基板上并與第一電極和第二電極電性連接,最后形成封裝層覆蓋發(fā)光二極管芯片并切割形成多個組件。然而,此種封裝方法要先提供一個基板,再在基板上面形成電極,再進行固晶、封裝,工序繁多。且由于需在基板上形成封裝層,也不利于散熱,從而導(dǎo)致不良品的出現(xiàn),降低產(chǎn)品的合格率。

      發(fā)明內(nèi)容
      有鑒于此,有必要提供一種制造簡單、散熱良好的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)及其制造方法。一種發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu),包括電極、發(fā)光二極管芯片以及絕緣層,所述電極包括第一電極和第二電極,該第一電極和第二電極相互間隔設(shè)置,所述發(fā)光二極管芯片與電極電性連接,所述絕緣層覆蓋該電極和發(fā)光二極管芯片,所述第一電極上設(shè)有凹槽,所述發(fā)光二極管芯片容置于該凹槽中,所述第一電極和第二電極相互間隔處形成通道,該通道與該凹槽連通,所述絕緣層經(jīng)由該通道填充于凹槽中。一種發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的制造方法,包括以下步驟
      提供電極,該電極包括第一電極、第二電極,該第一電極和第二電極相互間隔設(shè)置并在間隔處形成一個通道,該第一電極上設(shè)有一個凹槽,該凹槽與通道連通;
      在所述凹槽中設(shè)置發(fā)光二極管芯片,并使發(fā)光二極管芯片與所述第一電極和第二電極電連接;
      提供一個遮擋罩,覆蓋于第一電極和第二電極之上;
      采用注塑成型方式,將流體狀透明絕緣材料自通道注入該凹槽中,并完全填充于第一電極和第二電極與遮擋罩之間;
      固化流體狀透明材料完成封裝。直接采用相互間隔設(shè)置的第一電極和第二電極,并將發(fā)光二極管芯片固定于第一電極開設(shè)的凹槽內(nèi)。由于該凹槽和第一、第二電極間隔的通道相導(dǎo)通,可通過從通道向上注塑成型等多種方式對發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)進行封裝。此制造方法工序少、簡單易行,且直接將發(fā)光二極管芯片固定在電極上,有利于散熱。


      圖I為本發(fā)明第一實施方式的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的剖視示意圖。
      圖2為圖I中的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的俯視示意圖。圖3為本發(fā)明第二實施方式的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的剖視示意圖。圖4為本發(fā)明第三實施方式的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的剖視示意圖。圖5為圖4中的光發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的俯視示意圖。圖6為本發(fā)明實施方式提供的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的制造方法的流程圖。圖7為本發(fā)明第三實施方式的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的制造過程最后一步所得到
      的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的剖視示意圖。
      主要元件符號說明
      權(quán)利要求
      1.一種發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu),包括電極、發(fā)光二極管芯片以及絕緣層,所述電極包括第一電極和第二電極,該第一電極和第二電極相互間隔設(shè)置,所述發(fā)光二極管芯片與電極電性連接,所述絕緣層覆蓋該電極和發(fā)光二極管芯片,其特征在于所述第一電極上設(shè)有凹槽,所述發(fā)光二極管芯片容置于該凹槽中,所述第一電極和第二電極相互間隔處形成通道,該通道與該凹槽連通,所述絕緣層經(jīng)由該通道填充于凹槽中。
      2.如權(quán)利要求I所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu),其特征在于所述第一電極具有一個頂面,所述凹槽自該頂面向內(nèi)凹陷形成。
      3.如權(quán)利要求2所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu),其特征在于所述凹槽具有一個面向第二電極的開口,所述第二電極具有面向第一電極的另一個凹槽。
      4.如權(quán)利要求I所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu),其特征在于還包括連接電極,該連接電極包括第一連接電極和第二連接電極,所述第一連接電極連接固定于第一電極,第二連接電極固定于第二電極,所述第一連接電極包括固定端和自由端,該固定端固定于第一電極 的頂面,該自由端延伸至凹槽的上方,所述第二連接電極包括固定端和自由端,該固定端固定于第二電極的頂面,該自由端延伸至凹槽的上方,該兩個自由端彼此間隔,發(fā)光二極管芯片與兩自由端連接從而與電極電性連接。
      5.如權(quán)利要求4所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu),其特征在于所述第二連接電極與第一電極之間形成間隙,所述通道經(jīng)由該間隙與凹槽連通。
      6.如權(quán)利要求4所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu),其特征在于還包括透鏡,該透鏡覆蓋所述絕緣層,該透鏡包括出光面,該出光面上形成至少一個凸出部。
      7.如權(quán)利要求6所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu),其特征在于所述透鏡與絕緣層為一體成型,該絕緣層還包括連接絕緣層和出光面的四周并向電極底面延伸的罩體,該絕緣層填充于第一電極與第二電極之間的通道、容置發(fā)光二極管芯片的凹槽內(nèi),以及覆蓋于連接電極和發(fā)光二極管芯片上,該罩體環(huán)繞包覆電極四周的外壁。
      8.一種發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的制造方法,包括以下步驟 提供電極,該電極包括第一電極、第二電極,該第一電極和第二電極相互間隔設(shè)置并在間隔處形成一個通道,該第一電極上設(shè)有一個凹槽,該凹槽與通道連通; 在所述凹槽中設(shè)置發(fā)光二極管芯片,并使發(fā)光二極管芯片與所述第一電極和第二電極電連接; 提供一個遮擋罩,覆蓋于第一電極和第二電極之上; 采用注塑成型方式,將流體狀透明絕緣材料自通道注入該凹槽中,并完全填充于第一電極和第二電極與遮擋罩之間; 固化流體狀透明材料完成封裝。
      9.如權(quán)利要求8所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的制造方法,其特征在于所述遮擋罩為透鏡,該透鏡覆蓋所述電極,該透鏡包括出光面和入光面,該出光面上形成至少一個凸出部,該入光面與電極之間形成空間,所述絕緣層自通道注入凹槽,直至填滿該空間。
      10.如權(quán)利要求8所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的制造方法,其特征在于所述遮擋罩為一個模具,該模具包括容置腔體和凹陷部,該凹陷部自容置腔體向內(nèi)凹陷形成,所述電極收容于該容置腔體內(nèi)。
      全文摘要
      一種發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu),包括電極、發(fā)光二極管芯片以及絕緣層,所述電極包括第一電極和第二電極,該第一電極和第二電極相互間隔設(shè)置,所述發(fā)光二極管芯片與電極電性連接,所述絕緣層覆蓋該電極和發(fā)光二極管芯片,所述第一電極上設(shè)有凹槽,所述發(fā)光二極管芯片容置于該凹槽中,所述第一電極和第二電極相互間隔處形成通道,該通道與該凹槽連通,所述絕緣層經(jīng)由該通道填充于凹槽中。本發(fā)明還涉及一種發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的制造方法。
      文檔編號H01L33/62GK102738351SQ201110083148
      公開日2012年10月17日 申請日期2011年4月2日 優(yōu)先權(quán)日2011年4月2日
      發(fā)明者林厚德, 蔡明達 申請人:展晶科技(深圳)有限公司, 榮創(chuàng)能源科技股份有限公司
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