專利名稱：光刻裝置和器件制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種光刻投影裝置，該裝置包括-提供輻射投影光束的輻射系統(tǒng)；-支撐構(gòu)圖裝置的支撐結(jié)構(gòu)，該構(gòu)圖裝置用于根據(jù)所需的圖案對(duì)投影光束進(jìn)行構(gòu) 圖；-保持基底的基底臺(tái)；-在基底的目標(biāo)部分投影帶圖案的光束的投影系統(tǒng)；-至少部分的用液體填充所述投影系統(tǒng)的最后元件和定位在所述基底臺(tái)上的目標(biāo) 之間的空間的液體供給系統(tǒng)。
背景技術(shù)：
這里使用的術(shù)語“構(gòu)圖裝置”應(yīng)廣義地解釋為能夠給入射的輻射光束賦予帶圖案 的截面的裝置，其中所述圖案與要在基底的目標(biāo)部分上形成的圖案一致；本文中也使用術(shù) 語“光閥”。一般地，所述圖案與在目標(biāo)部分中形成的器件如集成電路或者其它器件的特殊 功能層相對(duì)應(yīng)(如下文)。這種構(gòu)圖裝置的示例包括■掩模。掩模的概念在光刻中是公知的。它包括如二進(jìn)制型、交替相移型、和衰減 相移型的掩模類型，以及各種混合掩模類型。這種掩模在輻射光束中的布置使入射到掩模 上的輻射能夠根據(jù)掩模上的圖案而選擇性地被透射(在透射掩模的情況下)或者被反射 (在反射掩模的情況下)。在使用掩模的情況下，支撐結(jié)構(gòu)一般是一個(gè)掩模臺(tái)，它能夠保證 掩模被保持在入射光束中的所需位置，并且如果需要該臺(tái)會(huì)相對(duì)光束移動(dòng)?！隹删幊谭瓷溏R陣列。這種設(shè)備的一個(gè)例子是具有一粘彈性控制層和一反射表面 的矩陣可尋址表面。這種裝置的基本原理是(例如)反射表面的已尋址區(qū)域?qū)⑷肷涔夥瓷?為衍射光，而未尋址區(qū)域?qū)⑷肷涔夥瓷錇榉茄苌涔?。用一個(gè)適當(dāng)?shù)臑V光器，從反射的光束中 濾除所述非衍射光，只保留衍射光；按照這種方式，光束根據(jù)矩陣可尋址表面的定址圖案而 產(chǎn)生圖案?？删幊谭瓷溏R降列的另一實(shí)施例利用微小反射鏡的矩陣排列，通過使用適當(dāng)?shù)?局部電場(chǎng)，或者通過使用壓電致動(dòng)器裝置，使得每個(gè)反射鏡能夠獨(dú)立地關(guān)于一軸傾斜。再 者，反射鏡是矩陣可尋址的，由此已尋址反射鏡以不同的方向?qū)⑷肷涞妮椛涔馐瓷涞轿?尋址反射鏡上；按照這種方式，根據(jù)矩陣可尋址反射鏡的定址圖案對(duì)反射光束進(jìn)行構(gòu)圖?？?以用適當(dāng)?shù)碾娮友b置進(jìn)行該所需的矩陣定址。在上述兩種情況中，構(gòu)圖裝置可包括一個(gè)或 者多個(gè)可編程反射鏡陣列。反射鏡陣列的更多信息可以從例如美國專利US5，四6，891、美國 專利US5，523，193、PCT專利申請(qǐng)W098/38597和WO 98/33096中獲得，這些文獻(xiàn)在這里引入 作為參照。在可編程反射鏡陣列的情況中，所述支撐結(jié)構(gòu)可以是框架或者工作臺(tái)，例如所述 結(jié)構(gòu)根據(jù)需要可以是固定的或者是可移動(dòng)的。
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■可編程IXD陣列，例如由美國專利US 5，2 ，872給出的這種結(jié)構(gòu)，它在這里引 入作為參照。如上所述，在這種情況下支撐結(jié)構(gòu)可以是框架或者工作臺(tái)，例如所述結(jié)構(gòu)根據(jù) 需要可以是固定的或者是可移動(dòng)的。為簡單起見，本文的其余部分在一定的情況下具體以掩模和掩模臺(tái)為例；可是，在 這樣的例子中所討論的一般原理應(yīng)適用于上述更寬范圍的構(gòu)圖裝置。光刻投影裝置可以用于例如集成電路(IC)的制造。在這種情況下，構(gòu)圖裝置可產(chǎn) 生對(duì)應(yīng)于IC 一個(gè)單獨(dú)層的電路圖案，該圖案可以成像在已涂敷輻射敏感材料(抗蝕劑)層 的基底(硅晶片)的目標(biāo)部分上(例如包括一個(gè)或者多個(gè)管芯(die))。一般的，單一的晶 片將包含相鄰目標(biāo)部分的整個(gè)網(wǎng)格，該相鄰目標(biāo)部分由投影系統(tǒng)逐個(gè)相繼輻射。在目前采 用掩模臺(tái)上的掩模進(jìn)行構(gòu)圖的裝置中，有兩種不同類型的機(jī)器。一類光刻投影裝置是，通過 將全部掩模圖案一次曝光在目標(biāo)部分上而輻射每一目標(biāo)部分；這種裝置通常稱作晶片步進(jìn) 器。另一種裝置(通常稱作步進(jìn)-掃描裝置)通過在投射光束下沿給定的參考方向(“掃 描”方向)依次掃描掩模圖案、并同時(shí)沿與該方向平行或者反平行的方向同步掃描基底臺(tái)來 輻射每一目標(biāo)部分；因?yàn)橐话銇碚f，投影系統(tǒng)有一個(gè)放大系數(shù)M(通常< 1)，因此對(duì)基底臺(tái) 的掃描速度V是對(duì)掩模臺(tái)掃描速度的M倍。關(guān)于如這里描述的光刻設(shè)備的更多信息可以從 例如美國專利US6，046，792中獲得，該文獻(xiàn)這里作為參考引入。在用光刻投影裝置的制造方法中，(例如在掩模中的)圖案成像在至少部分由一 層輻射敏感材料(抗蝕劑)覆蓋的基底上。在這種成像步驟之前，可以對(duì)基底進(jìn)行各種處 理，如涂底漆，涂敷抗蝕劑和弱烘烤。在曝光后，可以對(duì)基底進(jìn)行其它的處理，如曝光后烘 烤(PEB)，顯影，強(qiáng)烘烤和測(cè)量/檢查成像特征。以這一系列工藝為基礎(chǔ)，對(duì)例如IC的器件 的單層形成圖案。這種圖案層然后可進(jìn)行各種處理，如蝕刻、離子注入(摻雜)、鍍金屬、氧 化、化學(xué)-機(jī)械拋光等完成一單層所需的所有處理。如果需要多層，那么對(duì)每一新層重復(fù)全 部步驟或者其變化。最終，在基底(晶片)上出現(xiàn)器件陣列。然后采用例如切割或者鋸 割技術(shù)將這些器件彼此分開，單個(gè)器件可以安裝在載體上，與管腳等連接。關(guān)于這些處理的 進(jìn)一步信息可從例如Peter van Zant的“微芯片制造半導(dǎo)體加工實(shí)踐入門(Microchip Fabrication :A Practical Guide to Semiconductor Processing)，，一書(第三版,McGraw Hill Publishing Co.，1997，ISBN 0-07-067250-4)中獲得，這里作為參考引入。為了簡單起見，投影系統(tǒng)在下文稱為“鏡頭”；可是，該術(shù)語應(yīng)廣義地解釋為包含各 種類型的投影系統(tǒng)，包括例如折射光學(xué)裝置，反射光學(xué)裝置，和反折射系統(tǒng)。輻射系統(tǒng)還可 以包括根據(jù)這些設(shè)計(jì)類型中任一設(shè)計(jì)的操作部件，用于引導(dǎo)、整形或者控制輻射投射光束， 這種部件在下文還可共同地或者單獨(dú)地稱作“鏡頭”。另外，光刻裝置可以是具有兩個(gè)或者 多個(gè)基底臺(tái)(和/或兩個(gè)或者多個(gè)掩模臺(tái))的類型。在這種“多級(jí)式”器件中，可以并行使 用這些附加臺(tái)，或者可以在一個(gè)或者多個(gè)臺(tái)上進(jìn)行準(zhǔn)備步驟，而一個(gè)或者多個(gè)其它臺(tái)用于 曝光。例如在美國專利US5，969，441和W098/40791中描述的二級(jí)光刻裝置，這里作為參考 引入。建議將光刻投影裝置中的基底浸漬在液體中，該液體具有相對(duì)高的折射率，例如 水，從而填充投影鏡頭的最后光學(xué)元件和基底之間的空間。其出發(fā)點(diǎn)是能夠成像更小的特 征，因?yàn)槠毓廨椛湓谝后w中比在空氣和真空中將具有更短的波長。(液體的效果也可以看作 增加系統(tǒng)的有效NA)。
然而，將基底和基底和基底臺(tái)淹沒在許多液體池(參照例子US4，509，852，這里作 為參考引入)中意味著存在大體積的液體，在掃描曝光時(shí)該液體必須加速。這需要附加的 或更強(qiáng)大的電機(jī)，并且液體中的湍流可以導(dǎo)致不需要的和無法預(yù)測(cè)的效果。對(duì)液體供給系統(tǒng)提出的一個(gè)解決方案是僅在基底的局部區(qū)域，和投影系統(tǒng)的最后 元件和基底(該基底通常具有比投影系統(tǒng)的最后元件大的表面區(qū)域)之間提供液體。已經(jīng) 提出的解決這個(gè)問題的一個(gè)方法在W099/49504中披露，這里作為參考引入。如圖14和15 所述，液體由基底上的至少一個(gè)入口 IN提供，優(yōu)選的沿相對(duì)最后元件的基底的移動(dòng)方向， 并且在經(jīng)過投影系統(tǒng)下后，通過至少一個(gè)出口 OUT移去。即，當(dāng)基底在-X方向在元件下掃描 時(shí)，在元件的+X側(cè)提供液體，并且在-X側(cè)吸取流體。圖15示出了示意性的安置，其中液體 通過入口 IN提供，并且通過出口 OUT在元件的另一側(cè)吸取，該出口 OUT連接到低壓源。在 圖14的描述中，液體沿相對(duì)最后元件的基底的移動(dòng)方向提供，雖然這并不需要。位于最后 元件周圍的各種方向和數(shù)量的入和出口是可能的，一個(gè)例子在圖23中示出，其中在最后元 件周圍的常規(guī)圖案中提供四套在各面帶有出口的入口。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供一種有改善功能的浸漬光刻投影裝置。如開始段落詳細(xì)說明的那樣，這個(gè)和其它目的依據(jù)本發(fā)明在光刻裝置中實(shí)現(xiàn)，其 特征在于通過所述輻射投影光束，至少一個(gè)傳感器定位用于照射，該輻射投影光束經(jīng)過所 述浸漬液。這樣，不需要采取詳細(xì)來來自傳感器的信號(hào)，以考慮由傳感器檢測(cè)的參數(shù)，該傳 感器通過不同的媒介檢測(cè)該參數(shù)，底層通過該媒介成像。然而，需要保證的是當(dāng)由液體浸漬 時(shí)，傳感器的設(shè)計(jì)能兼容使用。本發(fā)明利用的傳感器包括用于相對(duì)投影系統(tǒng)對(duì)準(zhǔn)基底臺(tái)的 對(duì)準(zhǔn)傳感器、透射像傳感器、聚焦傳感器、點(diǎn)或輻射量傳感器、或集成鏡頭干涉計(jì)和掃描器 和對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記。在對(duì)準(zhǔn)傳感器的情況下，對(duì)準(zhǔn)傳感器的測(cè)量柵格具有小于500nm的間距，其改 善了對(duì)準(zhǔn)傳感器的分辨率。依據(jù)本發(fā)明的另一方面，提供一種器件制造方法，該方法包括步驟如下-提供基底，該基底至少部分由輻射敏感材料層覆蓋；-用輻射系統(tǒng)提供輻射投影光束；-用構(gòu)圖裝置給投影光束的截面賦予一定圖案；-投影帶圖案的輻射光束到輻射敏感材料層的目標(biāo)部分上；-提供液體以至少部分填充基底臺(tái)上的物體和用于所述投影步驟的投影系統(tǒng)的最 后元件之間的空間；其特征在于通過所述浸漬液投影所述輻射光束到傳感器上。雖然在本文中，詳細(xì)的參考可以由依據(jù)制造IC的本發(fā)明的裝置實(shí)現(xiàn)，但是應(yīng)該明 確理解這些裝置可能具有其它應(yīng)用。例如，它可用于制造集成光學(xué)系統(tǒng)、用于磁疇存儲(chǔ)器的 引導(dǎo)和檢測(cè)圖案、液晶顯示板、薄膜磁頭等等。本領(lǐng)域的技術(shù)人員將理解，在這種可替換的 用途范圍中，在說明書中任何術(shù)語“初縮掩模版”，“晶片”或者“管芯(die)”的使用應(yīng)認(rèn)為 分別可以由更普通的術(shù)語“掩?！?，“基底”和“目標(biāo)部分”代替。在本文件中，使用的術(shù)語“輻射”和“光束”包含所有類型的電磁輻射，包括紫外輻 射(例如具有365，248，193，157或者126nm的波長)。


現(xiàn)將僅通過舉例的方式，參考附加的示意性附圖描述本發(fā)明的實(shí)施例。圖1示出了依據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的光刻投影裝置；圖2示出了本發(fā)明第一實(shí)施例的液體儲(chǔ)存器；圖3示出了本發(fā)明的第二實(shí)施例；圖4示出了本發(fā)明的第二實(shí)施例的替換形式；圖5示出了本發(fā)明的第二實(shí)施例的細(xì)節(jié)；圖6a示出了本發(fā)明第四實(shí)施例的第一型式；圖6b示出了第四實(shí)施例的第二型式；圖6c示出了第四實(shí)施例的第三型式；圖7詳細(xì)示出了本發(fā)明第四實(shí)施例的第一型式的另外方面；圖8示出了本發(fā)明的第五實(shí)施例；圖9示出了本發(fā)明的第八實(shí)施例；圖10示出了本發(fā)明的第九實(shí)施例；圖11示出了本發(fā)明的第十一實(shí)施例；圖12示出了本發(fā)明的第十二實(shí)施例；圖13示出了本發(fā)明的第十三實(shí)施例；圖14示出了本發(fā)明的替換的液體供給系統(tǒng)；圖15在平面方向示出了圖14的系統(tǒng)；圖16示出了依據(jù)在先申請(qǐng)的ILIAS傳感器模塊；圖17示出了根據(jù)本申請(qǐng)實(shí)施例的帶有伸長的透射板的ILIAS傳感器模塊；圖18示出了根據(jù)本申請(qǐng)實(shí)施例的帶有填片的ILIAS傳感器模塊；圖19a和19b示出了依據(jù)在前申請(qǐng)的基于DUV TIS的發(fā)光。在附圖中，相應(yīng)的附圖標(biāo)記代表相應(yīng)的部件。
具體實(shí)施例方式實(shí)施例1圖1示意性地表示了本發(fā)明一具體實(shí)施方案的一光刻投影裝置。該裝置包括輻射系統(tǒng)Ex，IL，用于提供輻射投射光束PB (例如DUV輻射)；該輻射系統(tǒng)在這個(gè) 具體情況中還包括輻射源LA ；第一物體臺(tái)(掩模臺(tái))MT，設(shè)有用于保持掩模MA(例如初縮掩模版)的掩模保持 器，并與用于將該掩模相對(duì)于物體PL精確定位的第一定位裝置連接；第二物體臺(tái)(基底臺(tái))WT，設(shè)有用于保持基底W(例如涂敷抗蝕劑的硅晶片)的基 底保持器，并與用于將基底相對(duì)于物體PL精確定位的第二定位裝置連接；投射系統(tǒng)(“鏡頭”)PL(例如折射系統(tǒng))，用于將掩模MA的受輻射部分成像在基 底W的目標(biāo)部分C(例如包括一個(gè)或多個(gè)管芯(die))上。如這里指出的，該裝置屬于透射型(例如具有透射掩模)。可是，一般來說，它還可 以是例如反射型(例如具有反射掩模)。另外，該裝置可以利用其它種類的構(gòu)圖裝置，如上
6面提及的可編程反射鏡陣列型。輻射源LA(例如準(zhǔn)分子激光器)產(chǎn)生輻射光束。該光束直接或在橫穿過如擴(kuò)束器 Ex等調(diào)節(jié)裝置后，饋送到照射系統(tǒng)(照射器)IL上。照射器IL包括調(diào)節(jié)裝置AM，用于設(shè)定 光束強(qiáng)度分布的外和/或內(nèi)徑向量(通常分別稱為ο-外和ο-內(nèi))。另外，它一般包括各 種其它部件，如積分器IN和聚光器CO。按照這種方式，照射到掩模MA上的光束PB在其橫 截面具有所需的均勻度和強(qiáng)度分布。應(yīng)該注意，圖1中的輻射源LA可以置于光刻投射裝置的殼體中(例如當(dāng)輻射源LA 是汞燈時(shí)經(jīng)常是這種情況)，但也可以遠(yuǎn)離光刻投射裝置，其產(chǎn)生的輻射光束被(例如通過 合適的定向反射鏡的幫助)引導(dǎo)至該裝置中；當(dāng)光源LA是準(zhǔn)分子激光器時(shí)通常是后面的那 種情況。本發(fā)明和權(quán)利要求包含這兩種方案。光束PB然后與保持在掩模臺(tái)MT上的掩模MA相交。橫向穿過掩模MA后，光束PB 通過鏡頭PL，該鏡頭將光束PB聚焦在基底W的目標(biāo)部分C上。在第二定位裝置(和干涉測(cè) 量裝置IF)的輔助下，基底臺(tái)WT可以精確地移動(dòng)，例如在光束PB的光路中定位不同的目標(biāo) 部分C。類似的，例如在從掩模庫中機(jī)械取出掩模MA后或在掃描期間，可以使用第一定位裝 置PM將掩模MA相對(duì)光束PB的光路進(jìn)行精確定位。一般地，用圖1中未明確顯示的長沖程 模塊(粗略定位)和短行程模塊(精確定位)，可以實(shí)現(xiàn)物體臺(tái)MT、WT的移動(dòng)?？墒牵诰?片步進(jìn)器中(與步進(jìn)-掃描裝置相對(duì))，掩模臺(tái)MT可與短沖程致動(dòng)裝置連接，或者固定。所示的裝置可以按照二種不同模式使用1.在步進(jìn)模式中，掩模臺(tái)MT基本保持不動(dòng)，整個(gè)掩模圖像被一次投射(即單“閃”) 到目標(biāo)部分C上。然后基底臺(tái)WT沿χ和/或y方向移動(dòng)，以使不同的目標(biāo)部分C能夠由光 束PB照射。2.在掃描模式中，基本為相同的情況，但是給定的目標(biāo)部分C沒有曝光在單“閃，， 中。取而代之的是，掩模臺(tái)MT沿給定的方向(所謂的“掃描方向，例如y方向”)以速度ν 移動(dòng)，以使投射光束PB在掩模圖像上掃描；同時(shí)，基底臺(tái)WT沿相同或者相反的方向以速度 V = Mv同時(shí)移動(dòng)，其中M是鏡頭PL的放大率(通常M= 1/4或1/5)。在這種方式中，可以 曝光相當(dāng)大的目標(biāo)部分C，而沒有犧牲分辨率。圖2示出了在投影系統(tǒng)PL和基底W之間的液體儲(chǔ)存器10，該儲(chǔ)存器位于基底臺(tái)WT 上。液體儲(chǔ)存器10由通過入口 /出口管13提供的相對(duì)高折射率，例如水或水中的顆粒懸 浮的液體11填充。該液體起到投影光束的輻射在該液體中比在空氣或真空中有更短的波 長的作用，以允許處理更小的特征。眾所周知，投影系統(tǒng)的分辨率限度和其它參數(shù)由投影光 束的波長和系統(tǒng)的數(shù)值孔徑確定。液體的存在也可以看作是增加有效的數(shù)值孔徑。此外， 在固定的數(shù)值孔徑下，該液體有效增加場(chǎng)的深度。作為優(yōu)選方式，儲(chǔ)存器10在投影鏡頭PL的成像區(qū)周圍形成與基底W的無接觸密 封，從而將該液體限定在填充面對(duì)投影系統(tǒng)PL的基底的主要表面和投影系統(tǒng)PL的最后光 學(xué)元件之間的空間。儲(chǔ)存器由位于投影鏡頭PL的最后元件下并環(huán)繞該鏡頭的密封元件12 形成。從而，液體供給系統(tǒng)僅在基底的局部區(qū)域上提供液體。密封元件12形成液體供給系 統(tǒng)的部分，用于以液體填充投影系統(tǒng)的最后元件和液體的基底之間的空間。該液體注入投 影鏡頭下和密封元件12內(nèi)的空間。作為優(yōu)選方式，密封元件12在投影鏡頭的底部元件上方 延伸少許，并且液體升高到最后元件上方，從而提供液體緩沖器。密封元件12具有內(nèi)邊緣，該內(nèi)邊緣在上端緊密地符合投影系統(tǒng)或其最后元件的形狀，并且可以，例如包圍該形狀。在 底部門該內(nèi)邊緣緊密地符合成像區(qū)域的形狀，例如矩形，雖然這并不必要。密封元件在XY 平面相對(duì)于投影系統(tǒng)是基本固定的，雖然在Z方向上(光軸的方向)可以有一些相對(duì)移動(dòng)。 密封形成于密封元件和基底的表面之間。該密封優(yōu)選為非接觸密封并且可以為氣密封。液體11由密封元件16限定在儲(chǔ)存器10中。如圖2所示，密封元件為非接觸密封， 即氣密封。該氣密封由氣體，即空氣或人造空氣形成，在壓力下通過入口 15提供到密封元 件12和基底W之間的間隙，并且由第一出口 14抽出。安置氣體入口 15處的高壓，真空級(jí) 別和第一出口 14處的低壓和間隙的幾何形狀，從而存在向內(nèi)朝向限定液體11的裝置的光 軸的高速率氣流。如任何密封那樣，一些液體可能溢出，例如在第一出口 14。圖14和15也示出了由一個(gè)或多個(gè)入口 IN、出口 OUT、基底W和投影鏡頭PL的最 后元件限定的液體儲(chǔ)存器。與圖2的液體供給系統(tǒng)相似，圖14和15的液體供給系統(tǒng)包括 一個(gè)或多個(gè)入口 IN和出口 OUT，在投影系統(tǒng)的最后元件和基底之間的局部區(qū)域內(nèi)提供液體 到基底的主要表面，并且能夠在基底邊緣容許液體的損失。因而，如在此使用的實(shí)施例，液體供給系統(tǒng)能夠包括如圖2和圖14和15所示的裝置。實(shí)施例2第二實(shí)施例在圖3到5中示出，并且除下述外，該實(shí)施例與第一實(shí)施例相同或相 似。在圖3和4的實(shí)施例中，邊緣液體供給系統(tǒng)通過口 40提供液體到儲(chǔ)存器30。儲(chǔ)存 器30中的液體與液體供給系統(tǒng)中的浸漬液一樣是任選的。儲(chǔ)存器30在基底W的相反面上 定位到投影鏡頭，并且與基底W的邊緣和邊緣密封裝置17，117的邊緣相鄰。在圖4中，邊 緣密封裝置17由與基底臺(tái)WT分離的元件組成，而在圖3中邊緣密封裝置117由基底臺(tái)WT 的整體部分提供。從圖3中能夠最清楚的看到，基底W在基底臺(tái)WT上由所謂突起臺(tái)20支 撐。突起臺(tái)20包括在其上安置在基底W的很多突起。基底W由例如將基底吸在基底臺(tái)WT 的上表面的真空源保持就位。通過儲(chǔ)存器30的使用，當(dāng)基底的邊緣被成像時(shí)，(即當(dāng)液體 供給系統(tǒng)中的液體在投影鏡頭下穿過基底的邊緣時(shí))，由于該空間已經(jīng)填充液體，該液體不 能從液體供給系統(tǒng)溢出至邊緣密封17，117和基底W間的間隙中。圖4中示出的機(jī)構(gòu)170詳細(xì)地示于圖5中，該裝置用將邊緣密封裝置17相對(duì)基底 臺(tái)WT的其余部分移動(dòng)。移動(dòng)邊緣密封裝置17的原因是這樣，其主要表面能夠與基底W的 主要表面基本共平面。這提供了在基底W的邊緣部分上液體供給系統(tǒng)的平滑移動(dòng)，從而液 體供給系統(tǒng)的底部內(nèi)邊緣能夠移動(dòng)到部分在基底W的主要表面和部分在邊緣密封裝置17 的主要表面的位置。高度傳感器(未示出)用于檢測(cè)基底W和邊緣密封裝置17的的主要表面相對(duì)高 度?；诟叨葌鞲衅鞯慕Y(jié)果，為了調(diào)整邊緣密封裝置17的主要表面的高度，發(fā)送控制信號(hào) 到致動(dòng)器171。閉環(huán)致動(dòng)器也能夠用于這個(gè)目的。致動(dòng)器171是繞軸176旋轉(zhuǎn)的旋轉(zhuǎn)電機(jī)。軸176在電機(jī)171的末端連接到圓盤。 軸176遠(yuǎn)離盤的中心連接，該盤位于楔形部分172的圓形槽中。球軸承可以用于減小圓盤 和楔形部分172中的槽的側(cè)面之間的摩擦量。電機(jī)171由板簧177保持在位。由于軸176 在盤中的偏心位置，在電機(jī)致動(dòng)時(shí)楔形部分如圖所示驅(qū)動(dòng)至左和右(即在楔形部分的斜坡的方向中)。通過彈簧177防止電機(jī)與楔形部分移動(dòng)相同的方向移動(dòng)。如圖6所示，當(dāng)楔形部分172向左和向右移動(dòng)時(shí)，其頂面175(該面為相對(duì)邊緣密 封裝置17的主要表面傾斜的楔形表面)接觸另一楔形元件173的底部斜面，該楔形元件固 定到邊緣密封裝置17的底部。防止邊緣密封裝置17在楔形元件172的移動(dòng)方向移動(dòng)，從 而當(dāng)楔形元件172向左和右移動(dòng)時(shí)，邊緣密封裝置17分別降低和升高?？梢孕枰吘壝芊?裝置17朝基底臺(tái)WT的一些偏置。顯然，附加楔形元件173能夠由替換的外形代替，例如垂直楔形部分172的移動(dòng)方 向定位的桿。如果楔形元件172和附加楔形元件173之間的摩擦系數(shù)大于楔形角的切線， 那么致動(dòng)器170的自制動(dòng)的，這意味著在楔形元件172上不需要保持其在位的力。這有利 于當(dāng)致動(dòng)器171沒有制動(dòng)時(shí)，系統(tǒng)將是穩(wěn)定的。機(jī)構(gòu)170的精確度為幾μ m數(shù)量級(jí)。特別是，在邊緣密封裝置117為基底臺(tái)WT的整體部分的情況中，可以提供機(jī)構(gòu)以 調(diào)整基底W或支撐基底W的元件的高度，從而邊緣密封裝置17，117的主要表面和基底能夠 基本共平面。實(shí)施例3第二實(shí)施例在圖6和7中示出，并且除下述外，該實(shí)施例與第一實(shí)施例相同或相 似。這個(gè)實(shí)施例針對(duì)邊緣密封裝置117描述，該元件是基底臺(tái)WT的整體部分。然而， 這個(gè)實(shí)施例同樣適用于可相對(duì)基底臺(tái)WT移動(dòng)的邊緣密封裝置17。如圖6a所示的這個(gè)實(shí)施例的第一型式中，附加邊緣密封裝置500用于連接邊緣密 封裝置117和基底W之間的間隙。附加邊緣密封裝置附于邊緣密封裝置117。附加邊緣密 封裝置500可移動(dòng)和可附著地靠著相對(duì)主要表面的基底W的表面。在這個(gè)實(shí)施例中，附加 邊緣密封裝置500可以是撓性的邊緣密封裝置，該元件可致動(dòng)以接觸基底W的下表面。當(dāng) 撓性邊緣密封裝置500未制動(dòng)時(shí)，它在重力下從基底離開。這個(gè)方式的實(shí)現(xiàn)在圖7中示出， 并在下面描述。可能的是，附加邊緣密封裝置500將不會(huì)防止所有浸漬液體從液體供給系統(tǒng)進(jìn)入 基底W下的空間，并且在這個(gè)實(shí)施例一些或所有型式中，由于這個(gè)原因連接到低壓源的口 46可以在基底下方鄰近邊緣密封裝置117和基底W的相鄰邊緣下提供。當(dāng)然，基底下的區(qū) 域的設(shè)計(jì)可以和第三實(shí)施例相同。與基底W相反，相同的系統(tǒng)能夠用作傳感器，例如發(fā)射成像傳感器于基底臺(tái)上。在 該傳感器的情況中，當(dāng)傳感器不移動(dòng)時(shí)，邊緣密封裝置500能夠不變地附著到該傳感器， 例如使用膠水。此外，邊緣密封裝置500能夠安置成接合物體的頂面(該面接近投影系統(tǒng))，而不 是接合物體的底面。另外，如圖8a所示，附加邊緣密封裝置500可以附著或接近邊緣密封 裝置117的頂面，該頂面與邊緣密封裝置117下面相反。該實(shí)施例的第二型式示于圖6b，使用兩個(gè)附加邊緣密封裝置500a，500b。第一邊 緣密封裝置500a與第一型式相同。該元件的第二邊緣密封裝置500b附著到基底臺(tái)20，即在 基底W的下面，并且從其附著點(diǎn)放射狀的向外延伸其自由端。第二附加邊緣密封裝置500b 相對(duì)基底W夾住第一附加邊緣密封裝置500a。壓縮氣體能夠用于使第二附加邊緣密封裝置 500b變形或使其移動(dòng)。
該實(shí)施例的第三型式示于圖6c。除第一附加邊緣密封裝置500c夾住第二附加邊 緣密封裝置500d到基底W外，第三型式與第二型式相同。例如，這避免了對(duì)第二型式的壓 縮氣體的需要。應(yīng)該意識(shí)到，該實(shí)施例也將在與真空連接或不連接的情況下僅與第二附加邊緣密 封裝置500b，500d 一起工作。使附加邊緣密封裝置500、500a、500b、500c、500d變形的各種方法現(xiàn)將相對(duì)該實(shí)
施例的第一型式描述。如圖7所示，通道510形成在撓性附加邊緣密封裝置500 (該元件最好是環(huán))的伸 長方向，并且在撓性附加邊緣密封裝置的上表面中提供一個(gè)或多個(gè)預(yù)設(shè)口，該元件面向投 影系統(tǒng)和基底W的下面。通過將真空源515連接到管510，撓性附加邊緣密封裝置能夠通過 吸力鄰接基底W。當(dāng)真空源515脫離或關(guān)閉時(shí)，撓性附加邊緣密封裝置在重力和/或壓力下 從口 46脫離至圖9中虛線所示的預(yù)定位置。在替換的實(shí)施例中，撓性附加邊緣密封裝置500可形成有機(jī)械預(yù)加載，從而當(dāng)基 底位于突起臺(tái)20上時(shí)，該元件接觸基底W，并且撓性附加邊緣密封裝置500彈性變形，從而 該元件在基底W上向上施力，從而形成密封。在附加的變換中，撓性附加邊緣密封裝置500通過由口 46上的壓縮氣產(chǎn)生的過壓 可以對(duì)基底W施加壓力。撓性附加邊緣密封裝置500可以由如下材料形成任何撓性的耐輻射和浸漬液體 的非污染材料，例如鋼、玻璃，例如Al2O3，陶瓷材料，例如SiC、Silicon、Teflon,低膨脹玻璃 (例如krodur (TM)或ULE (TM))，碳纖維或石英環(huán)氧樹脂，并且該材料典型的厚度在10和 500 μ m之間，在該材料為玻璃的情況下，優(yōu)選在30和200 μ m之間或50和150 μ m之間。隨 著這種材料的撓性附加邊緣密封裝置和這些尺寸，需更施加到管510的典型的壓力約為 0. 1 至Ij 0. 6 巴。實(shí)施例4第四實(shí)施例在圖8中示出，并且除下述外，該實(shí)施例與第一實(shí)施例相同或相似。這個(gè)實(shí)施例針對(duì)邊緣密封裝置117描述，該元件是基底臺(tái)WT的整體部分。然而， 這個(gè)實(shí)施例同樣適用于可相對(duì)基底臺(tái)WT移動(dòng)的邊緣密封裝置17。在第四實(shí)施例中，邊緣密封裝置117和基底W之間的間隙由附加邊緣密封裝置50 填充。該附加邊緣密封裝置是具有頂面的撓性附加邊緣密封裝置50，該頂面基本與基底W 的主要表面和邊緣密封裝置117共平面。撓性附加邊緣密封裝置50由柔順材料制造，從而 基底W直徑和基底厚度的少量變化能夠由撓性附加邊緣密封裝置50的撓曲調(diào)整。當(dāng)液體 供給系統(tǒng)中的液體在投影鏡頭下方從基底的邊緣上方經(jīng)過時(shí)，液體不能從基底W、撓性附加 邊緣密封裝置50和邊緣密封裝置117之間溢出，這是由于那些元件的邊緣相互緊密結(jié)合。 此外，由于基底的主要表面和邊緣密封裝置117和撓性附加邊緣密封裝置50的頂面是基本 共平面的，當(dāng)該液體經(jīng)過基底W的邊緣時(shí)，液體供給系統(tǒng)的運(yùn)行不會(huì)混亂，從而在液體供給 系統(tǒng)中不會(huì)產(chǎn)生干擾力。如圖8所示，撓性附加邊緣密封裝置50在邊緣部分接觸與基底W的主要表面相反 的基底W的表面。該接觸有兩個(gè)作用。第一，改善了撓性附加邊緣密封裝置50和基底W之 間的流體密封。第二，撓性附加邊緣密封裝置50在遠(yuǎn)離突起臺(tái)20的方向在基底W上施力。當(dāng)基底W通過，例如真空吸方保持在基底臺(tái)上時(shí)，基底能夠牢固地保持在基底臺(tái)上。然而， 當(dāng)真空源關(guān)閉或脫離時(shí)，有基底W上的撓性附加邊緣密封裝置50產(chǎn)生的力有效地將基底W 推離基底臺(tái)W，從而有助于基底W的裝載和卸載。撓性附加邊緣密封裝置50由耐輻射和浸漬液體的材料如PTFE制作。實(shí)施例5圖9示出了本發(fā)明的第五實(shí)施例，除下述外，該實(shí)施例與第一實(shí)施例相同或相似。這個(gè)實(shí)施例針對(duì)邊緣密封裝置117描述，該元件是基底臺(tái)WT的整體部分。然而， 這個(gè)實(shí)施例同樣適用于可相對(duì)基底臺(tái)WT移動(dòng)的邊緣密封裝置17。如圖9所示，第八實(shí)施例包括用于連通邊緣密封裝置117和基底W之間的間隙的 附加邊緣密封裝置100。在這種情況下，附加邊緣密封裝置100是位于基底W的主要表面和 邊緣密封裝置117上的間隙密封元件，以橫跨基底W和邊緣密封裝置117之間的間隙。從 而，如果基底W是圓形的，間隙密封元件100也將是圓形的(環(huán)形)。間隙密封元件100可以由施加真空105到其下面(即通過邊緣密封裝置117的主 要表面上的真空口曝露的真空源)保持在位。由于基底W和邊緣密封裝置117之間的間隙 由間隙密封元件100覆蓋，液體供給系統(tǒng)能夠不失液的經(jīng)過基底W的邊緣。間隙密封元件 100能夠由基底機(jī)械手放入位置和移動(dòng)，從而能夠使用標(biāo)準(zhǔn)基底和基底搬運(yùn)。作為替換方 式，間隙密封元件100能夠保持在投影系統(tǒng)PL，并且由適當(dāng)?shù)臋C(jī)構(gòu)(例如基底搬運(yùn)機(jī)械手) 放入位置和移動(dòng)。間隙密封元件100應(yīng)該足夠硬以避免由真空源造成的形變。作為有利的 方式，間隙密封元件100的厚度小于50，優(yōu)選為30或20甚至10 μ m,以避免與液體供給系 統(tǒng)的接觸，但是應(yīng)該制作的盡可能薄。作為有利的方式，間隙密封元件100由錐形邊緣110提供，在該邊緣中間隙密封元 件100的厚度向邊緣減少。當(dāng)其在間隙密封元件100的頂部經(jīng)過時(shí)，這個(gè)向間隙密封元件 的完全厚度的逐步轉(zhuǎn)變保證了液體供給系統(tǒng)的混亂的減少。密封的相同方法可以用于其它物體，例如傳感器，例如透射像傳感器。在這種情況 下，當(dāng)物體不需更移動(dòng)時(shí)，間隙密封元件100能夠由膠水粘合就位(在任意端)，該膠水不會(huì) 在浸漬液中溶解。作為替換方式，該膠水能夠位于邊緣密封裝置117、物體和間隙密封元件 100的連接處。此外，間隙密封元件100能夠位于物體和邊緣密封裝置117的懸伸部分的下面。如 需要，該物體也可以形成有懸伸部分。無論在物體的上面或下面，間隙密封元件100能夠從與邊緣密封裝置117接觸的 表面的一個(gè)開口到與物體接觸的表面的另一開口具有通過其提供的通道。通過設(shè)置一個(gè)與 真空105流體連通中的開口，隨后間隙密封元件100能夠牢固地保持在位。實(shí)施例6第六實(shí)施例將參考圖10描述。與基底W地成像邊緣部分相關(guān)的問題由圖10示出 的解決方案解決，并且在基底W的相同情況下，允許透射像傳感器(TIS)由投影鏡頭PL照射。第六實(shí)施例使用關(guān)于第一實(shí)施例描述的液體供給系統(tǒng)。然而，投影鏡頭下面的液 體供給系統(tǒng)中的浸漬液體在其下側(cè)并非由基底W限定，該液體由中間板210限定，該板位于 液體供給系統(tǒng)和基底W之間。中間板210和TIS220及基底W之間的空間222、215也由液
11體111填充。這既可以由兩個(gè)單獨(dú)空間液體供給系統(tǒng)通過所述的相應(yīng)的口 230、240實(shí)現(xiàn)， 也可以由相同空間液體供給系統(tǒng)通過口 230、240實(shí)現(xiàn)。從而基底W和中間板210之間的空 間215和透射像傳感器220和中間板210之間的空間220全都由液體填充，并且基底W和透 射像傳感器全都能夠在相同條件下受照射。部分200為中間板210提供支撐表面或表面， 該中間板可以由真空源保持在位。中間板210制作成其覆蓋所有基底W和透射像傳感器220的尺寸。因此，即使當(dāng) 基底W的邊緣成像時(shí)，或當(dāng)透射像傳感器位于投影鏡頭PL下面時(shí)，沒有邊緣需要由液體供 給系統(tǒng)橫穿。透射像傳感器220的頂面和基底W基本共平面。中間板210可以是可移動(dòng)的。例如，它可以由基底搬運(yùn)機(jī)械手或其它適當(dāng)?shù)臋C(jī)構(gòu) 放入位置或移動(dòng)。所有上述的實(shí)施例可以用于在基底W的邊緣附近的密封?；着_(tái)WT上的其它物 體也可以需要以相似的方式密封，例如包括通過液體由投影光束照射的傳感器和/或標(biāo)記 的傳感器，例如透射像傳感器，集成的鏡頭干涉計(jì)和掃描器(波陣面?zhèn)鞲衅?和點(diǎn)傳感板。 這樣的物體也可以包括由非投影輻射光束照射的傳感器和/或標(biāo)記，例如高度和對(duì)齊傳感 器和/或標(biāo)記。在這種情況下，液體供給系統(tǒng)可以供給液體以覆蓋所有的物體。上述任何 一個(gè)實(shí)施例可以用于這個(gè)目的。在一些例子中，和基底W形成對(duì)比，當(dāng)傳感器不需要從基底 臺(tái)WT移去時(shí)，物體將不需要從基底臺(tái)WT移去。在這種情況下，上述實(shí)施例可以適當(dāng)?shù)母?(例如密封可以不需要移動(dòng))。適當(dāng)時(shí)各實(shí)施例可以與一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例結(jié)合。另外，作為可行的和/或適當(dāng)?shù)?方案，在沒有邊緣密封裝置17、117的條件下，各實(shí)施例(和任一實(shí)施例的適當(dāng)結(jié)合)能夠 簡單地應(yīng)用于圖2和圖11和12液體供給系統(tǒng)。邊緣密封裝置117和傳感器220的頂部的最外邊的形狀可以變化。例如，可以有 利地提供懸伸的邊緣密封裝置117或甚至懸伸的傳感器220的外邊緣。作為替換方式，可 以使用傳感器220的外部上角。實(shí)施例7圖11示出了第七實(shí)施例，除下述外，該實(shí)施例與第一實(shí)施例相同。在第七實(shí)施例中，基底臺(tái)WT上的物體是傳感器220，例如透射像傳感器(TIS)。為 了避免浸漬液滲漏到傳感器220的下面，膠水700的珠滴位于邊緣密封裝置117和傳感器 220之間，該膠水是與浸漬流體不溶解的和不反應(yīng)的。在使用中膠水由浸漬液覆蓋。實(shí)施例8第八實(shí)施例參考圖12和13描述。在第八實(shí)施例中，傳感器20被密封到基底臺(tái)WT 上。在圖12和13示出的兩種型式中，真空46在鄰接間隙處提供有開口通道47和室44，用 于吸走任何浸漬液，該浸漬液通過邊緣密封裝置117和基底220的邊緣之間的間隙會(huì)獲得 通路。在圖12的型式中，在物體220的懸伸部分下的基底臺(tái)WT中提供真空46。在基底 臺(tái)WT的懸垂向內(nèi)懸伸部分中提供通道47。作為可選的方式，膠水700的珠滴位于基底臺(tái) WT和物體220之間的突出部分的最內(nèi)邊緣。如果不提供膠水700的珠滴，從物體220下面 出來的氣流有助于密封傳感器220和基底臺(tái)WT之間的間隙。在圖13的型式中，在向內(nèi)突出的邊緣密封裝置117的物體220的自身內(nèi)提供真空46、間隔44和通道47。此外，作為替換方式，提供在物體220和通道47的徑向外側(cè)的基底 臺(tái)WT之間的膠水的珠滴。高NA檢測(cè)傳感器的實(shí)施例根據(jù)本發(fā)明實(shí)施方式的基底高度傳感器(substrate-level sensor)包括如圖16 中所示的輻射接收元件(1102，1118)和輻射檢測(cè)元件(1108，1124，1140)。曝光輻射從投影 系統(tǒng)PL的最后元件開始被引導(dǎo)通過浸漬液11，該浸漬液至少部分地填充投影系統(tǒng)PL的最 后元件與基底W之間的空間。這些元件中每一個(gè)的詳細(xì)構(gòu)造取決于待檢測(cè)輻射的屬性?；?底高度處的傳感器可以只包括光電管，用于希望光電管直接接收輻射的情況。另外，基底高 度處的傳感器可以包括與光電管結(jié)合的發(fā)光層。在這種裝置中，第一波長處的輻射由發(fā)光 層吸收，并在短時(shí)間之后在第二(較長)波長處再輻射。這種裝置例如在將光電管設(shè)計(jì)為 在第二波長處更有效工作的情況下是有用的。輻射接收元件(1112，1118)可以是具有針孔，光柵或者完成類似功能的另外的衍 射元件，輻射接收元件可支撐在石英傳感器體部1120的頂部，即支撐在體部上與投影系統(tǒng) 相同的一側(cè)。與此相反，輻射檢測(cè)元件(1108，IlM，1140)可以設(shè)置在傳感器體部1120內(nèi) 部，或者在傳感器體部1120的背離投影系統(tǒng)的那一端所形成的凹形區(qū)域內(nèi)。在不同折射率介質(zhì)之間的邊界處，一部分入射輻射被反射，并可能從傳感器處損 失。對(duì)于光學(xué)平滑表面，上述情況發(fā)生的程度取決于輻射的入射角和所討論的介質(zhì)的折射 率之差。對(duì)于以“臨界角”(按照慣例根據(jù)法向入射來測(cè)量)和大于“臨界角”入射的輻射， 發(fā)生全內(nèi)反射，導(dǎo)致對(duì)于傳感器的隨后元件出現(xiàn)嚴(yán)重的信號(hào)損失。這可能是高NA系統(tǒng)中的 一個(gè)特殊問題，這種高NA系統(tǒng)中，輻射具有較大的平均入射角。本發(fā)明提供為了避免高折 射率介質(zhì)與空氣之間的界面而將空氣排除在輻射接收元件(1102,1118)和輻射檢測(cè)元件 (1108，1124，1140)之間的區(qū)域以外的裝置。除了因部分和全內(nèi)反射引起的損失以外，由于輻射從光學(xué)上不平滑的界面上散 射，因此吸收也會(huì)嚴(yán)重降低到達(dá)光電管的輻射強(qiáng)度的強(qiáng)度。圖16示出根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的ILIAS傳感器模塊。該模塊具有作為輻射接收元件的 剪切光柵結(jié)構(gòu)1102，該元件通過可由玻璃或石英制成的透射板支撐。量子轉(zhuǎn)換層1106直接 位于照相機(jī)芯片1108(輻射檢測(cè)元件)上，該芯片又安裝在基底1110上?；?110通過 隔件1112與透射板1104相連，接合線1114使輻射檢測(cè)元件與外部設(shè)備相連?？諝庀段挥?量子轉(zhuǎn)換層1106和透射板1104之間。在例如為157nm輻射設(shè)計(jì)的裝置中，例如，傳感器內(nèi) 部的空氣隙不能被很容易地吹洗，因此該空氣隙含有相當(dāng)多的氧和水，用來吸收輻射。因此 對(duì)于更大的角度來說，由于經(jīng)過空氣的路徑長度更長，因此信號(hào)會(huì)丟失，且效果變差。這樣， 對(duì)于傳感器的動(dòng)態(tài)范圍要求變得更加嚴(yán)格。圖17和18示出根據(jù)本發(fā)明實(shí)施方式的改進(jìn)的ILIAS傳感器模塊。圖17中，通過 改變透射板1104的形狀使其直接安裝在照相機(jī)1108上來去除空氣隙。由于為接合線1114 提供入口的需要，使這種裝置制造起來更加困難，并且其需要伸長的形狀。從工程學(xué)的觀點(diǎn) 來看，圖18示出的另一裝置更易于實(shí)現(xiàn)。這里，在透射板1104和量子轉(zhuǎn)換層1106之間插 入與透射板1104材料相同或者光學(xué)性質(zhì)相似的填充板(filler sheet) 1116。去除空氣隙 減少了傳輸損失，并放寬了動(dòng)態(tài)范圍要求(或者，換句話說，提高了有效的動(dòng)態(tài)范圍)。這兩 種裝置改進(jìn)了折射率的匹配，并降低在與透射板1104的界面處發(fā)生假內(nèi)反射的程度。
13
圖19a示出根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的DUV透射像傳感器。為了清楚起見，圖19b示出了處 理元件的放大圖。在這種情況下構(gòu)成輻射接收元件的透射槽1118的圖案借助于電子束 (e-beam)光刻以及在薄金屬層中的干刻蝕技術(shù)來實(shí)現(xiàn)，所述薄金屬層通過濺射而沉積于基 底上。向槽1118投射的任何DUV光都由透射板1104(可以是石英或者熔融硅石)透射，并 入射到下面的發(fā)光材料1122，或者“磷光體”。發(fā)光材料1122可以由結(jié)晶物質(zhì)的板(slab) 構(gòu)成，該結(jié)晶物質(zhì)摻雜稀土離子，例如摻雜鈰的釔鋁石榴石(YAG:Ce)。發(fā)光材料1122的主 要目的是將DUV輻射轉(zhuǎn)變?yōu)楦子跈z測(cè)的可見光輻射，然后由光電二極管IlM檢測(cè)。沒有 被磷光體1122吸收和轉(zhuǎn)變?yōu)榭梢姽廨椛涞腄UV輻射可以在其到達(dá)光電二極管IlM之前被 濾除(例如通過BG39或者UG濾波器26)。在上面的裝置中，傳感器外殼1125中安裝的部件之間的間隙中存有空氣，產(chǎn)生中 斷輻射傳播的大量空氣/材料/空氣界面。通過考慮DUV輻射的路徑以及由發(fā)光產(chǎn)生的輻 射，可以確定可能損失輻射的區(qū)域。所關(guān)心的第一區(qū)域是透射板1104的后側(cè)1128，DUV輻 射在穿過槽1118和透射板1104之后到達(dá)該區(qū)域。這里，該表面通過機(jī)械設(shè)備形成，如通過 鉆孔，并且按輻射波長的比例來說具有不可避免的粗糙。因此輻射可能由于散射，返回到 透射板1104或者通過發(fā)光材料1122射出而損失掉。第二，在穿過該界面之后，DUV光遇到 光學(xué)上平滑的空氣/YAG:Ce界面，在界面處出現(xiàn)由于折射率不匹配而引起的相當(dāng)大的反射 量，特別是在高NA系統(tǒng)中。第三，發(fā)光材料1122沿隨機(jī)方向發(fā)出輻射。由于其相對(duì)較高的 折射率，因此在YAN:Ce/空氣邊界處全內(nèi)反射的臨界角距離法線大約為33° (在YAN:Ce和 濾波器之間的間隙中存在空氣)，這意味著入射到邊界上的大部分輻射被反射到系統(tǒng)外面， 并通過發(fā)光材料1122的側(cè)壁損失掉。最后，指向光電二極管的發(fā)光部分必須越過二極管表 面上的空氣/石英界面，其中表面粗糙度仍然是被檢測(cè)信號(hào)的損失的原因。盡管上面已經(jīng)描述了本發(fā)明的具體實(shí)施方式
，但是應(yīng)該理解本發(fā)明可以按照不同 于所述的方式實(shí)施。特別是，本發(fā)明還可以應(yīng)用于其他類型的液體供給系統(tǒng)，特別是局部的 液體區(qū)域系統(tǒng)。如果使用密封元件溶液，那么可以使用不同于氣體密封的密封。說明書不 意味著限制本發(fā)明。
權(quán)利要求
1.一種光刻裝置，該裝置包括傳感器，定位成用于通過來自投影系統(tǒng)或?qū)?zhǔn)系統(tǒng)的輻射光束照射；液體供給系統(tǒng)，用于填充在所述投影系統(tǒng)或所述對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)與所述傳感器之間的空間；安裝在臺(tái)上的板，其中所述板定位在所述傳感器與所述投影系統(tǒng)或所述對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)之 間，或其中所述傳感器的至少一部分位于所述板上。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光刻裝置，其中所述板是中間板。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的光刻裝置，其中所述板是透射板。
4.根據(jù)權(quán)利要求1、2或3所述的光刻裝置，其中所述傳感器被配置以感測(cè)所述光束，且 包括透射像傳感器或集成的鏡頭干涉計(jì)。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光刻裝置，其中所述傳感器被配置以感測(cè)所述光束，且包括 波陣面?zhèn)鞲衅?、點(diǎn)或輻射量傳感器、聚焦傳感器或?qū)?zhǔn)標(biāo)記。
6.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的光刻裝置，其中所述傳感器包括對(duì)準(zhǔn)傳感器，所述對(duì)準(zhǔn)傳 感器配置成相對(duì)于所述投影系統(tǒng)或所述對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)或高度傳感器對(duì)準(zhǔn)所述臺(tái)。
7.根據(jù)權(quán)利要求1、2或3所述的光刻裝置，其中所述傳感器包括輻射接收元件，所述輻 射接收元件包括具有針孔、光柵或衍射元件的層。
8.根據(jù)權(quán)利要求1至7中任一項(xiàng)所述的光刻裝置，其中所述板與所述傳感器間隔開，所 述臺(tái)包括配置成支撐所述板的支撐表面。
9.根據(jù)權(quán)利要求1至8中任一項(xiàng)所述的光刻裝置，其中所述臺(tái)還包括邊緣密封元件，該 元件用于至少部分環(huán)繞傳感器的邊緣，和用于提供面向所述投影系統(tǒng)或所述對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)的主 要表面，該表面基本與所述傳感器的主要表面共平面，并且其中所述液體供給系統(tǒng)提供液 體到所述傳感器的局部區(qū)域。
10.根據(jù)權(quán)利要求1至9中任一項(xiàng)所述的光刻裝置，其中所述臺(tái)包括真空口，所述真空 口配置用于從所述臺(tái)和傳感器之間的空間去除液體。
11.根據(jù)權(quán)利要求1至10中任一項(xiàng)所述的光刻裝置，還包括在所述臺(tái)和傳感器之間的 空間中的、配置用于防止液體進(jìn)入的材料。
12.—種光刻裝置，該裝置包括傳感器，定位成用于通過來自投影系統(tǒng)或?qū)?zhǔn)系統(tǒng)的輻射光束進(jìn)行照射，所述傳感器 位于臺(tái)中或臺(tái)上；液體供給系統(tǒng)，用于填充所述投影系統(tǒng)或所述對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)與所述傳感器之間的空間；和邊緣密封元件，該元件用于至少部分環(huán)繞傳感器的邊緣，和用于提供面向所述投影系 統(tǒng)或所述對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)的主要表面，該表面基本與所述傳感器的主要表面共平面，并且其中所 述液體供給系統(tǒng)提供液體到所述傳感器的局部區(qū)域。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種光刻裝置和器件制造方法。在所述裝置中，投影系統(tǒng)的最后元件和傳感器之間的空間填充有液體。
文檔編號(hào)H01L21/027GK102147574SQ20111008333
公開日2011年8月10日 申請(qǐng)日期2004年6月9日 優(yōu)先權(quán)日2003年6月9日
發(fā)明者A·J·登博夫, A·斯特拉艾杰, A·科勒斯辰科, B·斯特里科克, C·A·胡根達(dá)姆, E·R·魯普斯特拉, E·T·M·比拉爾特, F·范沙克, H·J·M·梅杰, H·布特勒, H·范桑坦, J·C·H·穆肯斯, J·J·S·M·梅坦斯, J·J·奧坦斯, J·T·德斯米特, J·洛夫, K·西蒙, M·A·范德科霍夫, M·克魯恩, R·A·S·里特塞馬, S·N·L·當(dāng)?shù)滤? T·F·森格斯 申請(qǐng)人:Asml荷蘭有限公司