專利名稱：晶片封裝體及其形成方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明有關(guān)于晶片封裝體及其形成方法，且特別有關(guān)于采用晶圓級(jí)封裝的晶片封裝體。
背景技術(shù)：
晶片封裝制程是形成電子產(chǎn)品過程中的一重要步驟。晶片封裝體除了將晶片保護(hù)于其中，使免受外界環(huán)境污染外，還提供晶片內(nèi)部電子元件與外界的電性連接通路。如何低成本且有效率地形成品質(zhì)可靠的晶片封裝體成為重要課題。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供一種晶片封裝體，包括一基底，具有一上表面及一下表面，且具有至少一側(cè)表面；至少一溝槽，自該上表面朝該下表面延伸，且自該側(cè)表面朝該基底的一內(nèi)部延伸，其中該溝槽接近該上表面的一口徑不等于該溝槽接近該下表面的一口徑；至少一絕緣層，位于該溝槽的一側(cè)壁上；至少一導(dǎo)電圖案，位于該絕緣層上，且該側(cè)表面與該溝槽中的該導(dǎo)電圖案之間隔有一預(yù)定距離而使部分的該絕緣層露出；以及至少一導(dǎo)電區(qū)，與該導(dǎo)電圖案電性連接。本發(fā)明所述的晶片封裝體，還包括至少一第二溝槽，自該上表面朝該下表面延伸，且自該基底的一第二側(cè)表面朝該基底的該內(nèi)部延伸，其中該第二溝槽接近該上表面的一口徑不等于該第二溝槽接近該下表面的一口徑；至少一第二絕緣層，位于該第二溝槽的一側(cè)壁上；至少一第二導(dǎo)電圖案，位于該第二絕緣層上，且該第二側(cè)表面與該第二溝槽中的該第二導(dǎo)電圖案之間隔有一第二預(yù)定距離而使部分的該第二絕緣層露出；以及至少一第二導(dǎo)電區(qū)，與該第二導(dǎo)電圖案電性連接。本發(fā)明所述的晶片封裝體，還包括一晶片，設(shè)置于該基底之上，且該導(dǎo)電區(qū)及該第二導(dǎo)電區(qū)位于該晶片上。本發(fā)明所述的晶片封裝體，該晶片包括一發(fā)光晶片。本發(fā)明所述的晶片封裝體，還包括至少一第三溝槽，自該上表面朝該下表面延伸，且自該基底的一第三側(cè)表面朝該基底的該內(nèi)部延伸，其中該第三溝槽接近該上表面的一口徑不等于該第三溝槽接近該下表面的一口徑；至少一第三絕緣層，位于該第三溝槽的一側(cè)壁上；至少一第三導(dǎo)電圖案，位于該第三絕緣層上，且該第三側(cè)表面與該第三溝槽中的該第三導(dǎo)電圖案之間隔有一第三預(yù)定距離而使部分的該第三絕緣層露出；以及至少一第三導(dǎo)電區(qū)，與該第三導(dǎo)電圖案電性連接。本發(fā)明所述的晶片封裝體，該基底包括一半導(dǎo)體基底。本發(fā)明所述的晶片封裝體，還包括一漏極區(qū)，位于該半導(dǎo)體基底之中，其中該漏極區(qū)的導(dǎo)電型式為一第一導(dǎo)電型式；一摻雜區(qū)，位于該半導(dǎo)體基底之中，其中該摻雜區(qū)的導(dǎo)電型式為一第二導(dǎo)電型式；一源極區(qū)，位于該摻雜區(qū)之中，該源極區(qū)的導(dǎo)電型式為該第一導(dǎo)電型式；以及一柵極，位于該半導(dǎo)體基底之上或埋于該半導(dǎo)體基底之中，且與該半導(dǎo)體基底之間隔有一柵極介電層，其中該漏極區(qū)包括該導(dǎo)電區(qū)；該源極區(qū)包括該第二導(dǎo)電區(qū)，以及該柵極包括該第三導(dǎo)電區(qū)。本發(fā)明所述的晶片封裝體，該側(cè)表面、該第二側(cè)表面及該第三側(cè)表面的至少其中之二為不同的側(cè)表面或相同的側(cè)表面。本發(fā)明所述的晶片封裝體，該側(cè)表面及該第二側(cè)表面為不同的側(cè)表面或相同的側(cè)表面。本發(fā)明所述的晶片封裝體，還包括一電路板，具有至少一接墊，其中該基底設(shè)置于該電路板之上，且該導(dǎo)電圖案電性連接該接墊。本發(fā)明提供一種晶片封裝體的形成方法，包括提供一晶圓，該晶圓包括由多條預(yù)定切割道所劃分的多個(gè)區(qū)域；于與所述預(yù)定切割道重疊的位置上形成多個(gè)穿孔，貫穿該晶圓的一上表面及一下表面，所述穿孔中其中一穿孔接近該上表面的一口徑不等于該其中一穿孔接近該下表面的一口徑；于所述穿孔的側(cè)壁上形成一絕緣層；于該絕緣層上形成一導(dǎo)電材料層；將該導(dǎo)電材料層圖案化為彼此分離的多個(gè)導(dǎo)電圖案，所述導(dǎo)電圖案不與所述預(yù)定切割道接觸；使每一所述導(dǎo)電圖案分別與對(duì)應(yīng)的一導(dǎo)電區(qū)電性連接；以及沿著所述預(yù)定切割道切割該晶圓以形成多個(gè)晶片封裝體。本發(fā)明所述的晶片封裝體的形成方法，所述導(dǎo)電圖案的形成包括于所述穿孔中的該絕緣層上形成一晶種層；于該晶種層上形成一圖案化電鍍光阻層，該圖案化電鍍光阻層覆蓋部分的該晶種層而使不與所述預(yù)定切割道接觸的部分的該晶種層露出；于露出的該晶種層及該圖案化電鍍光阻層上形成一電鍍導(dǎo)電層；移除該圖案化電鍍光阻層以使該圖案化電鍍光阻層下方的與所述預(yù)定切割道接觸的部分的該晶種層露出；以及在移除該圖案化電鍍光阻層之后，移除露出的該晶種層以形成所述導(dǎo)電圖案。本發(fā)明所述的晶片封裝體的形成方法，該圖案化電鍍光阻層為一負(fù)型光阻。本發(fā)明所述的晶片封裝體的形成方法，該圖案化電鍍光阻層的形成包括于所述穿孔中的該晶種層上形成一電鍍光阻層；分別遮住每一所述穿孔的開口的兩側(cè)，并使所述預(yù)定切割道露出；對(duì)所述穿孔照射一光線以使所述預(yù)定切割道附近的部分的該電鍍光阻層硬化；以及移除未被該光線照射的該電鍍光阻層以形成該圖案化電鍍光阻層。本發(fā)明所述的晶片封裝體的形成方法，于移除該圖案化電鍍光阻層之時(shí)，同時(shí)移除形成于該圖案化電鍍光阻層的正上方的部分的該電鍍導(dǎo)電層。本發(fā)明所述的晶片封裝體的形成方法，于移除露出的該晶種層期間，同時(shí)移除部分的該電鍍導(dǎo)電層而使該電鍍導(dǎo)電層的厚度變薄。本發(fā)明所述的晶片封裝體的形成方法，還包括于該晶圓的所述區(qū)域上設(shè)置多個(gè)晶片，其中每一所述晶片包括該導(dǎo)電區(qū)。本發(fā)明所述的晶片封裝體的形成方法，該晶圓包括一半導(dǎo)體晶圓。本發(fā)明所述的晶片封裝體的形成方法，該半導(dǎo)體晶圓包括多個(gè)功率金屬氧化物場(chǎng)效應(yīng)晶體管元件。本發(fā)明所述的晶片封裝體的形成方法，該晶圓的切割步驟采用一切割刀進(jìn)行，且于沿著所述預(yù)定切割道切割該晶圓期間，該切割刀不與所述導(dǎo)電圖案直接接觸。本發(fā)明通過形成具有傾斜側(cè)壁的穿孔，可使側(cè)邊電極的形成過程更為順利，確保切割晶圓時(shí)穿孔中的導(dǎo)電圖案不受拉扯而脫落。


圖1A-1F顯示本發(fā)明一實(shí)施例的晶片封裝體的一系列制程立體示意圖。圖2A-2E顯示本發(fā)明一實(shí)施例中，于穿孔中形成圖案化導(dǎo)電層的一系列制程上視圖。圖3顯示本發(fā)明一實(shí)施例中，對(duì)穿孔中的光阻層進(jìn)行曝光的剖面示意圖。圖4A-4G顯示本發(fā)明數(shù)個(gè)實(shí)施例的具有側(cè)壁接點(diǎn)的功率金屬氧化物場(chǎng)效應(yīng)晶體管晶片封裝體的立體示意圖。圖5顯示本發(fā)明一實(shí)施例的功率金屬氧化物場(chǎng)效應(yīng)晶體管晶片的立體示意圖。圖6顯示本發(fā)明一實(shí)施例的晶片封裝體的立體示意圖。附圖中的符號(hào)簡(jiǎn)單說明如下100 晶圓；IOOaUOOb 表面；102 穿孔；104,604 絕緣層；106、106a、106b、106c、 106d、606a、6(^b 導(dǎo)電圖案；120、620 封裝體；130、132 線路重布層；140 半導(dǎo)體基底； 140a、140b 表面；160 電路板；162a、162b、162c 接墊；164a、164b、164c 導(dǎo)電結(jié)構(gòu)；170 保護(hù)層；180a、180b、180c、180d、680a、680b 溝槽；190、192、194、690、692 側(cè)表面；202 晶種層；204、2(Ma 光阻層；500 功率金屬氧化物場(chǎng)效應(yīng)晶體管晶片；502 半導(dǎo)體基底； 502a,502b 表面；504 摻雜區(qū)；50 絕緣層；506 源極區(qū)；508 柵極；510 柵極介電層； 512 源極電極層；514 漏極電極層；640 承載基底；640a、640b 表面；660 晶片；660a、 660b 導(dǎo)電區(qū)；dl、d2、d3 距離；g 柵極；s 源極區(qū)；D、G、S 接點(diǎn)；A、R、r 區(qū)域；L 光線； SC 切割道。
具體實(shí)施例方式以下將詳細(xì)說明本發(fā)明實(shí)施例的制作與使用方式。然應(yīng)注意的是，本發(fā)明提供許多可供應(yīng)用的發(fā)明概念，其可以多種特定型式實(shí)施。文中所舉例討論的特定實(shí)施例僅為制造與使用本發(fā)明的特定方式，非用以限制本發(fā)明的范圍。此外，在不同實(shí)施例中可能使用重復(fù)的標(biāo)號(hào)或標(biāo)示。這些重復(fù)僅為了簡(jiǎn)單清楚地?cái)⑹霰景l(fā)明，不代表所討論的不同實(shí)施例及 /或結(jié)構(gòu)之間具有任何關(guān)連性。再者，當(dāng)述及一第一材料層位于一第二材料層上或之上時(shí)， 包括第一材料層與第二材料層直接接觸或間隔有一或更多其他材料層的情形。本發(fā)明一實(shí)施例的晶片封裝體可用以封裝功率金屬氧化物場(chǎng)效應(yīng)晶體管(power M0SFET)晶片。本發(fā)明另一實(shí)施例的晶片封裝體可用以封裝發(fā)光二極管晶片。然其應(yīng)用不限于此，例如在本發(fā)明的晶片封裝體的實(shí)施例中，其可應(yīng)用于各種包含有源元件或無源元件 (active or passive elements)、數(shù)字電路或模擬電路(digital or analog circuits)等集成電路的電子元件(electroniccomponents)，例如是有關(guān)于光電元件(opto electronic devices)、微機(jī)電系統(tǒng)(Micro Electro Mechanical System ;MEMS)、微流體系統(tǒng)(micro fluidic systems)、或利用熱、光線及壓力等物理量變化來測(cè)量的物理感測(cè)器physical Sensor) 0特別是可選擇使用晶圓級(jí)封裝(wafer scale package ；WSP)制程對(duì)影像感測(cè)元件、發(fā)光二極管(light-emitting diodes ；LEDs)、太陽能電池(solar cells)、射頻元件(RF circuits)、力口速計(jì)(accelerators)、陀螺儀(gyroscopes)、微制動(dòng)器(micro actuators)、 表面聲波兀件(surfaceacoustic wave devices)、壓力感測(cè)器(process sensors)噴墨頭(inkprinter heads)、或功率模組(power modules)等半導(dǎo)體晶片進(jìn)行封裝。其中上述晶圓級(jí)封裝制程主要指在晶圓階段完成封裝步驟后，再予以切割成獨(dú)立的封裝體，然而，在一特定實(shí)施例中，例如將已分離的半導(dǎo)體晶片重新分布在一承載晶圓上，再進(jìn)行封裝制程，亦可稱之為晶圓級(jí)封裝制程。另外，上述晶圓級(jí)封裝制程亦適用于藉堆疊(stack)方式安排具有集成電路的多片晶圓，以形成多層集成電路(multi-layer integrated circuit devices)的晶片封裝體。首先，以功率金屬氧化物場(chǎng)效應(yīng)晶體管晶片的封裝為例，說明本發(fā)明一實(shí)施例的具有側(cè)邊電極的晶片封裝體。請(qǐng)先參照?qǐng)D5，其顯示一實(shí)施例的功率金屬氧化物場(chǎng)效應(yīng)晶體管晶片500的立體示意圖。功率金屬氧化物場(chǎng)效應(yīng)晶體管晶片500包括半導(dǎo)體基底502，具有表面50 及相反的表面502b。半導(dǎo)體基底502的導(dǎo)電型式可為N型或P型，一般而言， 以N型的半導(dǎo)體基底居多。以導(dǎo)電型式為N型的半導(dǎo)體基底502為例，其可為摻雜有N型摻質(zhì)的硅基底。半導(dǎo)體基底502中的摻質(zhì)種類與摻雜濃度可為不均一的。例如，半導(dǎo)體基底502下部分所摻雜的N型摻質(zhì)的種類與摻雜濃度可不同于上部分中的N型摻質(zhì)種類與摻雜濃度。半導(dǎo)體基底502本身形成了一漏極區(qū)。因此，標(biāo)號(hào)502亦可代表功率金屬氧化物場(chǎng)效應(yīng)晶體管晶片500中的漏極區(qū)。功率金屬氧化物場(chǎng)效應(yīng)晶體管晶片500中包括摻雜區(qū)504，其例如自表面50 向下延伸。摻雜區(qū)504的導(dǎo)電型式不同于半導(dǎo)體基底502。例如，當(dāng)半導(dǎo)體基底502為N型基底時(shí)，摻雜區(qū)504的導(dǎo)電型式為P型，反之亦然。功率金屬氧化物場(chǎng)效應(yīng)晶體管晶片500包括源極區(qū)506，位于摻雜區(qū)504中。源極區(qū)506的導(dǎo)電型式與半導(dǎo)體基底502相同，例如皆為N型。在此實(shí)施例中，源極區(qū)506自表面50 向下延伸且部分被摻雜區(qū)504圍繞而位于摻雜區(qū)504之中。功率金屬氧化物場(chǎng)效應(yīng)晶體管晶片500包括柵極508，例如可為一多晶硅層。柵極 508與半導(dǎo)體基底502之間隔有柵極介電層510。此外，在另一實(shí)施例中，柵極與柵極介電層可為埋入式結(jié)構(gòu)，形成于基底的凹穴中。在圖5的實(shí)施例中，半導(dǎo)體基底502上形成有源極電極層512，其與源極區(qū)506電性連接，并與柵極508電性絕緣，其中，半導(dǎo)體基底502與源極電極層512之間另間隔有一層絕緣層50 ，而此絕緣層50 亦可由自該摻雜區(qū)504延伸的摻雜區(qū)50 取代，例如P型摻雜區(qū)；在另一實(shí)施例中，柵極介電層可和源極絕緣層50 同時(shí)形成，其余露出的基底表面則可作為漏極接觸區(qū)。源極電極層512與源極區(qū)506之間彼此歐姆接觸。此外，在半導(dǎo)體基底(漏極區(qū))502下方可形成有漏極電極層514。漏極電極層514與漏極區(qū)502之間彼此歐姆接觸。當(dāng)施加電壓于柵極508時(shí)，可使摻雜區(qū)504中產(chǎn)生通道(channel)，再通過電場(chǎng)的施加，可使電子流或電流于源極電極層512、源極區(qū)506、漏極區(qū)502與漏極電極層514之間流動(dòng)。圖1A-1F顯示一實(shí)施例的晶片封裝體的一系列制程立體示意圖，在此實(shí)施例中， 以功率金屬氧化物場(chǎng)效應(yīng)晶體管晶片的封裝為例。如圖IA所示，提供晶圓100，其上形成有多個(gè)功率金屬氧化物場(chǎng)效應(yīng)晶體管。晶圓100上具有多個(gè)預(yù)定的切割道SC，其將晶圓100 分成數(shù)個(gè)區(qū)域，其中一區(qū)域中具有至少一功率金屬氧化物場(chǎng)效應(yīng)晶體管。功率金屬氧化物場(chǎng)效應(yīng)晶體管的形成方式可采用現(xiàn)有的半導(dǎo)體制程，在此不作敘述，其結(jié)構(gòu)可例如相似于(但不限于)圖5所示的結(jié)構(gòu)。圖IB顯示圖IA中區(qū)域A的放大立體圖，用以說明此實(shí)施例的晶片封裝體的后續(xù)制程。應(yīng)注意的是，以下所說明的制程不限于僅對(duì)區(qū)域A的部分進(jìn)行。在此實(shí)施例中，同時(shí)對(duì)晶圓100的數(shù)個(gè)區(qū)域進(jìn)行相似或相同的制程，經(jīng)后續(xù)沿著預(yù)定切割道SC切割晶圓100 后，可形成多個(gè)具有側(cè)壁接點(diǎn)的功率金屬氧化物場(chǎng)效應(yīng)晶體管晶片封裝體。如圖IB所示，切割線SC在區(qū)域A中圍出一區(qū)域R，該區(qū)域R中具有至少一功率金屬氧化物場(chǎng)效應(yīng)晶體管。功率金屬氧化物場(chǎng)效應(yīng)晶體管的結(jié)構(gòu)可類似于(但不限于)圖5 所示結(jié)構(gòu)，其可包括半導(dǎo)體基底，具有第一表面及相反的第二表面，半導(dǎo)體基底的導(dǎo)電型式為第一導(dǎo)電型式(例如是N型)，且半導(dǎo)體基底形成一漏極區(qū)。功率金屬氧化物場(chǎng)效應(yīng)晶體管還包括摻雜區(qū)，自第一表面向下延伸，摻雜區(qū)的導(dǎo)電型式為第二導(dǎo)電型式(例如是PS)。 功率金屬氧化物場(chǎng)效應(yīng)晶體管還包括源極區(qū)，位于摻雜區(qū)中，源極區(qū)的導(dǎo)電型式為第一導(dǎo)電型式(例如是N型)。功率金屬氧化物場(chǎng)效應(yīng)晶體管還包括柵極，形成于第一表面上或埋于第一表面內(nèi)，且與半導(dǎo)體基底之間隔有柵極介電層。為簡(jiǎn)化圖式，漏極區(qū)、源極區(qū)及柵極未于圖IB中繪出，其具體結(jié)構(gòu)可例如參照?qǐng)D5。接著，如圖IC所示，于晶圓100中形成數(shù)個(gè)貫穿晶圓100的穿孔102，且穿孔102 的位置與部分預(yù)定的切割道SC重疊。穿孔102的形成方式例如包括光刻及蝕刻制程。或者，在一實(shí)施例中，可先形成自晶圓100的一表面朝另一相反表面延伸的孔洞，接著自相反表面薄化晶圓100(例如，通過化學(xué)機(jī)械研磨(CMP)或研磨(grinding)等方式)直至露出先前形成的孔洞以形成貫穿晶圓100的穿孔102。在后續(xù)制程中，將于這些穿孔的側(cè)壁上形成導(dǎo)電層以形成數(shù)個(gè)穿基底導(dǎo)電結(jié)構(gòu)，且這些穿基底導(dǎo)電結(jié)構(gòu)將分別與柵極、源極區(qū)及漏極區(qū)電性接觸而可作為功率金屬氧化物場(chǎng)效應(yīng)晶體管的接點(diǎn)。此外，為方便后續(xù)的圖案化制程，穿孔102的側(cè)壁較佳傾斜于晶圓100的表面。換言之，穿孔102接近晶圓100的上表面IOOa的口徑不等于穿孔102接近晶圓100的下表面IOOb的口徑。在圖IC的實(shí)施例中， 穿孔102的上口徑大于下口徑。此外，穿孔的上開口及下開口可為各種適合的形狀，例如是 (但不限于)圓形、橢圓形、或矩形等。請(qǐng)繼續(xù)參照?qǐng)D1C，在這些穿孔102的側(cè)壁上形成絕緣層104，用以使后續(xù)形成的導(dǎo)電層與晶圓100彼此電性絕緣。絕緣層104例如可為氧化層，其形成方式例如為化學(xué)氣相沉積。然，絕緣層104亦可采用其他的制程及/或材料來形成。接著，如圖IC所示，于不同穿孔102中的絕緣層104上形成導(dǎo)電圖案106a、106b、 106c及106d。導(dǎo)電圖案分別與晶圓100上的導(dǎo)電區(qū)電性接觸。例如，這些導(dǎo)電圖案可分別與柵極、源極區(qū)及漏極區(qū)電性接觸。在后續(xù)切割制程后，導(dǎo)電圖案將可作為功率金屬氧化物場(chǎng)效應(yīng)晶體管晶片的側(cè)壁接點(diǎn)或側(cè)邊電極。例如，導(dǎo)電圖案106a可與源極區(qū)電性連接，導(dǎo)電圖案106b可與漏極區(qū)電性連接，而導(dǎo)電圖案106c可與柵極電性連接。在此實(shí)施例中，導(dǎo)電圖案106d與漏極區(qū)電性連接。然而，導(dǎo)電圖案106d與其所在穿孔的形成并非必要。在一實(shí)施例中，僅需形成三個(gè)穿孔及其中的導(dǎo)電圖案。然應(yīng)注意的是，由于本發(fā)明實(shí)施例的功率金屬氧化物場(chǎng)效應(yīng)晶體管晶片封裝體較佳采取晶圓級(jí)封裝，因此雖然導(dǎo)電圖案106d對(duì)于區(qū)域R中的功率金屬氧化物場(chǎng)效應(yīng)晶體管晶片并非必要，然導(dǎo)電圖案106d可作為相鄰的另一功率金屬氧化物場(chǎng)效應(yīng)晶體管晶片的側(cè)壁接點(diǎn)。此外，應(yīng)注意的是，本發(fā)明實(shí)施例不限于用以封裝功率功率金屬氧化物場(chǎng)效應(yīng)晶體管晶片。在其他實(shí)施例中，導(dǎo)電圖案可與其他導(dǎo)電區(qū)電性連接。再者，導(dǎo)電區(qū)不限定位于晶圓100之上。在其他實(shí)施例中，與導(dǎo)電圖案電性連接的導(dǎo)電區(qū)可例如位于設(shè)置于晶圓上的另一晶片中。此外，如圖IC所示，穿孔102中的導(dǎo)電圖案皆僅覆蓋于部分的穿孔側(cè)壁上。這些導(dǎo)電圖案皆不覆蓋于預(yù)定的切割道SC上。因此，在后續(xù)切割晶圓100以分離出多個(gè)功率金屬氧化物場(chǎng)效應(yīng)晶體管晶片封裝體時(shí)，切割刀所切割的部分將不含這些導(dǎo)電圖案。因此，切割刀將不與導(dǎo)電圖案直接接觸，可避免切割刀受損。此外，更重要的是，導(dǎo)電圖案將不會(huì)于切割晶圓的過程中受到切割刀拉扯，可有效避免導(dǎo)電圖案剝落(peeling)。上述穿孔中的導(dǎo)電圖案的形成方式將配合圖2A-2E所示的一系列制程上視圖作說明。然應(yīng)注意的是，圖2A-2E僅舉例說明穿孔中的導(dǎo)電圖案的其中一種形成方式，其形成方式不限于此。如圖2A所示，首先于穿孔102的側(cè)壁上形成絕緣層104，并接著于絕緣層104上形成晶種層202。晶種層202可例如以物理氣相沉積法形成，其材質(zhì)例如為銅。此外，晶種層 202與晶圓100之間較佳形成有擴(kuò)散阻障層(未顯示)，其材質(zhì)例如是TiW或TiCu，可避免銅擴(kuò)散進(jìn)入晶圓100，并可增加晶種層202與晶圓100(或絕緣層104)之間的粘著性。接著，如圖2A所示，于晶種層202上順應(yīng)性形成光阻層204。光阻層204可為可電鍍光阻，因而可通過電鍍的方式(例如，以晶種層202為電極)而順應(yīng)性地形成于晶種層 202之上。接著，如圖2B所示，將光阻層204圖案化以形成圖案化光阻層20 ，例如是圖案化電鍍光阻層。使預(yù)定切割道SC所經(jīng)過的區(qū)域附近的光阻層204保留，而使不與預(yù)定切割道SC接觸的部分的晶種層202露出。在一實(shí)施例中，可電鍍光阻為負(fù)型光阻，因此可以遮蔽物蓋住穿孔102的兩側(cè)而使預(yù)定切割道SC及其所經(jīng)過的部分的光阻層204露出。接著， 對(duì)穿孔102照射光線而使露出的光阻層204固化。接著，可洗去未照光的光阻而形成圖案化光阻層20 。另請(qǐng)參照?qǐng)D3，其顯示圖2A中，沿著預(yù)定切割道SC的剖面圖，用以說明光阻層204 的曝光過程。如圖3所示，由于穿孔102的側(cè)壁傾斜于晶圓100的表面，因此當(dāng)對(duì)穿孔102 照射光線L以固化露出的光阻層204時(shí)，光線L可充分地照射穿孔102中的預(yù)定切割道SC 附近的光阻層204而使之固化。接著，請(qǐng)參照?qǐng)D2B及2C，于露出的晶種層202形成電鍍導(dǎo)電層206，例如可通過電鍍的方式形成電鍍導(dǎo)電層206。由于圖案化光阻層20 —般為負(fù)型電鍍光阻，因此在于晶種層202上電鍍形成電鍍導(dǎo)電層206時(shí)，亦會(huì)于圖案化光阻層20 上形成電鍍導(dǎo)電層206。之后，如圖2D所示，移除圖案化光阻層20 以使其正下方的晶種層202露出。在一實(shí)施例中，于移除圖案化光阻層20 時(shí)，同時(shí)亦將形成于圖案化光阻層20 正上方的部分的電鍍導(dǎo)電層206移除。這是因?yàn)閳D案化光阻層20 正上方的部分的電鍍導(dǎo)電層206 與周圍形成于晶種層202上的另一部分的電鍍導(dǎo)電層206之間的連結(jié)較薄，例如如圖2C的區(qū)域r所示。因此，當(dāng)移除圖案化光阻層20 時(shí)，其正上方的部分的電鍍導(dǎo)電層206可輕易地脫落，如圖2D所示。接著，如圖2E所示，將在移除圖案化光阻層20 之后所露出的晶種層202移除， 例如可通過蝕刻方式移除露出的晶種層202，因而形成出如圖2E所示的導(dǎo)電圖案106。顯示于圖IC的導(dǎo)電圖案106a、106b、106c、及106d皆可采用上述形成導(dǎo)電圖案106的方式而
10形成。此外，在一實(shí)施例中，在移除露出的晶種層202期間，會(huì)同時(shí)移除部分的電鍍導(dǎo)電層 206而使其厚度變薄。在一實(shí)施例，可于晶圓100上形成各種線路布局(例如，形成線路重布層)，使導(dǎo)電圖案可分別與功率金屬氧化物場(chǎng)效應(yīng)晶體管的柵極、源極區(qū)或漏極區(qū)電性連接。請(qǐng)回到圖1C，在于穿孔102中形成導(dǎo)電圖案(106a-d)之后，沿著預(yù)定的切割道SC 切割晶圓100以形成多個(gè)彼此分離的功率金屬氧化物場(chǎng)效應(yīng)晶體管晶片封裝體。由于本形成于預(yù)定切割道SC上的導(dǎo)電層在圖案化步驟之后已移除，因此切割過程中不會(huì)切割到導(dǎo)電圖案，可避免切割刀損壞，并有效防止導(dǎo)電圖案因切割刀的拉扯而剝落，可提升元件的可靠度與良率。圖ID顯示其中一功率金屬氧化物場(chǎng)效應(yīng)晶體管晶片封裝體120的立體示意圖。如圖ID所示，功率金屬氧化物場(chǎng)效應(yīng)晶體管晶片封裝體120包括半導(dǎo)體基底140。 可于半導(dǎo)體基底140上形成線路重布層。例如，線路重布層130用以提供導(dǎo)電圖案106a與預(yù)先形成于半導(dǎo)體基底140中的源極區(qū)s之間的導(dǎo)電通路。線路重布層132用以提供導(dǎo)電圖案106c與預(yù)先形成于半導(dǎo)體基底140中的柵極g之間的導(dǎo)電通路。相似地，亦可于半導(dǎo)體基底140上形成線路重布層(例如，位于半導(dǎo)體基底140的底面上，未顯示于圖中)，用以提供導(dǎo)電圖案106b及/或106d與預(yù)先形成于半導(dǎo)體基底140中的漏極區(qū)(例如，位于半導(dǎo)體基底140的底面上，未顯示于圖中)之間的導(dǎo)電通路。因此，在此實(shí)施例中，位于功率金屬氧化物場(chǎng)效應(yīng)晶體管晶片封裝體120的側(cè)表面上的導(dǎo)電圖案106a、106b (及/或106d) 及106c可分別作為源極接點(diǎn)S、漏極接點(diǎn)D及柵極接點(diǎn)G。這些位于側(cè)壁上的接點(diǎn)可用以與其他電子元件(例如是印刷電路板)整合。在圖ID的實(shí)施例中，功率金屬氧化物場(chǎng)效應(yīng)晶體管晶片封裝體120包括半導(dǎo)體基底140，具有上表面140a及下表面140b。半導(dǎo)體基底140的導(dǎo)電型式為第一導(dǎo)電型式(例如N型)，且半導(dǎo)體基底140包括漏極區(qū)(未顯示于圖中，可參照?qǐng)D5)。功率金屬氧化物場(chǎng)效應(yīng)晶體管晶片封裝體120包括摻雜區(qū)(未顯示于圖中，可參照?qǐng)D5)，位于半導(dǎo)體基底140 之中，摻雜區(qū)的導(dǎo)電型式為第二導(dǎo)電型式(例如P型)。功率金屬氧化物場(chǎng)效應(yīng)晶體管晶片封裝體120包括源極區(qū)s，位于摻雜區(qū)中，源極區(qū)的導(dǎo)電型式為第一導(dǎo)電型式。功率金屬氧化物場(chǎng)效應(yīng)晶體管晶片封裝體120包括柵極g，形成于表面140a上或埋于表面140a內(nèi)，且與半導(dǎo)體基底140之間隔有柵極介電層(未顯示于圖中，可參照?qǐng)D5)。此外，如圖ID所示，功率金屬氧化物場(chǎng)效應(yīng)晶體管晶片封裝體120還包括至少一溝槽180a，自半導(dǎo)體基底140的側(cè)表面190朝半導(dǎo)體基底140的內(nèi)部延伸，且自上表面140a 向下表面140b延伸。此外，溝槽180a接近上表面140a的口徑不等于溝槽180a接近下表面140b的口徑。例如，在圖ID的實(shí)施例中，溝槽180a的上口徑大于下口徑。溝槽180a的側(cè)壁上形成有導(dǎo)電圖案106a，其中導(dǎo)電圖案106a不與側(cè)表面190共平面而與側(cè)表面190隔有預(yù)定距離dl，且導(dǎo)電圖案106a與源極區(qū)s電性連接。換言之，側(cè)表面190與溝槽180a中的導(dǎo)電圖案106a間隔有預(yù)定距離dl而使部分的絕緣層104露出。如圖ID所示，功率金屬氧化物場(chǎng)效應(yīng)晶體管晶片封裝體120還包括溝槽180b，自半導(dǎo)體基底140的側(cè)表面192朝半導(dǎo)體基底140的內(nèi)部延伸，且自上表面140a向下表面 140b延伸。此外，溝槽180b接近上表面140a的口徑不等于溝槽180b接近下表面140b的口徑。例如，在圖ID的實(shí)施例中，溝槽180b的上口徑大于下口徑。溝槽180b的側(cè)壁上形成有導(dǎo)電圖案106b，其中導(dǎo)電圖案106b不與側(cè)表面192共平面而與側(cè)表面192隔有預(yù)定距離d2，且導(dǎo)電圖案106b與漏極區(qū)(未顯示于圖中，可參照?qǐng)D5)電性連接。換言之，側(cè)表面 192與溝槽180b中的導(dǎo)電圖案106b間隔有預(yù)定距離d2而使部分的絕緣層104露出。如圖ID所示，功率金屬氧化物場(chǎng)效應(yīng)晶體管晶片封裝體120還包括溝槽180c，自半導(dǎo)體基底140的側(cè)表面194朝半導(dǎo)體基底140的內(nèi)部延伸，且自上表面140a向下表面 140b延伸。此外，溝槽180c接近上表面140a的口徑不等于溝槽180c接近下表面140b的口徑。例如，在圖ID的實(shí)施例中，溝槽180c的上口徑大于下口徑。溝槽180c的側(cè)壁上形成有導(dǎo)電圖案106c，其中導(dǎo)電圖案106c不與側(cè)表面194共平面而與側(cè)表面194隔有預(yù)定距離d3，且導(dǎo)電圖案106c與柵極g電性連接。換言之，側(cè)表面194與溝槽180c中的導(dǎo)電圖案 106c間隔有預(yù)定距離d3而使部分的絕緣層104露出。如圖ID所示，功率金屬氧化物場(chǎng)效應(yīng)晶體管晶片封裝體120還包括溝槽180d，自半導(dǎo)體基底140的側(cè)表面朝半導(dǎo)體基底140的內(nèi)部延伸，且自上表面140a向下表面140b 延伸。此外，溝槽180d接近上表面140a的口徑不等于溝槽180d接近下表面140b的口徑。 溝槽180d的側(cè)壁上形成有導(dǎo)電圖案106d，其中導(dǎo)電圖案106d不與側(cè)表面共平面而與側(cè)表面隔有預(yù)定距離。換言之，側(cè)表面與溝槽180d中的導(dǎo)電圖案106d間隔有預(yù)定距離而使部分的絕緣層104露出。如圖IE所示，可將功率金屬氧化物場(chǎng)效應(yīng)晶體管晶片封裝體120設(shè)置于電路板 160之上。電路板160上可具有接墊162a、162b、162c及162d。接著，分別于導(dǎo)電圖案106a、 106b (及/或106d)及106c與接墊162a、162b及162c之間的界面上形成導(dǎo)電結(jié)構(gòu)164a、 164b(及/或164d)及16如。導(dǎo)電結(jié)構(gòu)16乜、164b及16 可例如為具導(dǎo)電性的焊料，除了可粘著固定導(dǎo)電圖案與接墊之外，還可形成其間的導(dǎo)電通路。由于導(dǎo)電結(jié)構(gòu)164a、164b及 164c的形成位置位于半導(dǎo)體基底140的側(cè)壁上，因此可較容易地觀察到焊接制程或?qū)w沉積制程是否成功，并可即時(shí)修正與調(diào)整制程條件，可提高制程良率。接著，如圖IF所示，可于功率金屬氧化物場(chǎng)效應(yīng)晶體管晶片封裝體120上形成保護(hù)層170。此外，本發(fā)明實(shí)施例的具有側(cè)壁接點(diǎn)的功率金屬氧化物場(chǎng)效應(yīng)晶體管晶片封裝體不限于上述所舉實(shí)施例。例如，在一實(shí)施例中，可于同一條切割道上形成多個(gè)穿孔(例如兩個(gè)或三個(gè))，如此在切割晶圓之后，配合以相應(yīng)的線路重布層布局，可于同一側(cè)表面上形成多個(gè)側(cè)壁接點(diǎn)。圖4A-4G顯示本發(fā)明數(shù)個(gè)實(shí)施例的具有側(cè)壁接點(diǎn)的功率金屬氧化物場(chǎng)效應(yīng)晶體管晶片封裝體的立體示意圖。其中，源極側(cè)壁接點(diǎn)S(即導(dǎo)電圖案106a)、漏極側(cè)壁接點(diǎn) D(即導(dǎo)電圖案106b)及柵極側(cè)壁接點(diǎn)G(即導(dǎo)電圖案106c)可分別位于半導(dǎo)體基底的不同側(cè)表面上，且可有各種不同的相對(duì)關(guān)系，如圖4A-4C所示。此外，在圖4D-4G所示的實(shí)施例中，半導(dǎo)體基底的同一側(cè)表面上，可形成有多個(gè)側(cè)壁接點(diǎn)。例如，半導(dǎo)體基底的一側(cè)表面上可同時(shí)形成有源極側(cè)壁接點(diǎn)S、漏極側(cè)壁接點(diǎn)D及柵極側(cè)壁接點(diǎn)G?；蛘?，半導(dǎo)體基底的一側(cè)表面上可同時(shí)形成有源極側(cè)壁接點(diǎn)S及漏極側(cè)壁接點(diǎn)D或柵極側(cè)壁接點(diǎn)G?；蛘撸雽?dǎo)體基底的一側(cè)表面上可同時(shí)形成有漏極側(cè)壁接點(diǎn)D及柵極側(cè)壁接點(diǎn)G。在上述實(shí)施例中，側(cè)邊電極形成于晶片本身，例如形成于功率金屬氧化物場(chǎng)效應(yīng)晶體管晶片的側(cè)表面上。然而，本發(fā)明實(shí)施例的實(shí)施方式不限于此。在另一實(shí)施例中，側(cè)邊電極形成于一承載基底上，而晶片設(shè)置于承載基底上，并可例如通過線路重布層而與承載基底的側(cè)表面上的側(cè)邊電極電性連接。
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圖6顯示一實(shí)施例的晶片封裝體620的一系列制程立體示意圖。如圖6所示，可以類似于圖1A-1D所述的方法，將一承載晶圓分切成多個(gè)承載基底640。承載基底640的材質(zhì)例如可為半導(dǎo)體材料或陶瓷材料。承載基底640具有上表面640a及下表面640b，且具有至少一側(cè)表面，例如包括側(cè)表面690及692。晶片封裝體620還包括至少一溝槽(例如包括溝槽680a及680b)，自上表面640a朝下表面640b延伸，且自側(cè)表面朝基底640的內(nèi)部延伸。例如，溝槽680a自側(cè)表面690朝基底640的內(nèi)部延伸，而溝槽680b自側(cè)表面692 朝基底640的內(nèi)部延伸。溝槽680a或680b接近上表面640a的口徑不等于于溝槽680a或 680b接近下表面640b的口徑。晶片封裝體620還包括至少一絕緣層604，位于溝槽的側(cè)壁上。晶片封裝體620還包括至少一導(dǎo)電圖案(例如是導(dǎo)電圖案606a及606b)，位于絕緣層 604上。而且，側(cè)表面與溝槽中的導(dǎo)電圖案之間隔有預(yù)定距離(例如是距離dl或d2)而使部分的絕緣層604露出。即，溝槽的側(cè)壁上的導(dǎo)電圖案相對(duì)于側(cè)表面而內(nèi)縮，因而不致于在切割承載晶圓時(shí)受到切割刀的拉扯，可確保所形成的側(cè)邊電極的品質(zhì)。如圖6所示，可于承載基底640上設(shè)置至少一晶片660，其例如是(但不限于)發(fā)光二極管晶片。晶片660上可具有至少一導(dǎo)電區(qū)，例如是導(dǎo)電區(qū)660a及660b。以發(fā)光二極管晶片為例，導(dǎo)電區(qū)660a及660b可例如分別是發(fā)光二極管晶片的P電極及N電極。在一實(shí)施例中，導(dǎo)電區(qū)660a及660b例如可通過線路重布層或焊線(未顯示)而分別與導(dǎo)電圖案606a及60 電性連接。此外，相似地，晶片封裝體620亦可進(jìn)一步設(shè)置于電路板上，并通過形成于晶片封裝體620上的側(cè)邊電極而與電路板上的接墊電性連接。本發(fā)明實(shí)施例通過形成具有傾斜側(cè)壁的穿孔，可使側(cè)邊電極的形成過程更為順利，確保切割晶圓時(shí)穿孔中的導(dǎo)電圖案不受拉扯而脫落。以上所述僅為本發(fā)明較佳實(shí)施例，然其并非用以限定本發(fā)明的范圍，任何熟悉本項(xiàng)技術(shù)的人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，可在此基礎(chǔ)上做進(jìn)一步的改進(jìn)和變化，因此本發(fā)明的保護(hù)范圍當(dāng)以本申請(qǐng)的權(quán)利要求書所界定的范圍為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1.一種晶片封裝體，其特征在于，包括一基底，具有一上表面及一下表面，且具有至少一側(cè)表面；至少一溝槽，自該上表面朝該下表面延伸，且自該側(cè)表面朝該基底的一內(nèi)部延伸，其中該溝槽接近該上表面的一口徑不等于該溝槽接近該下表面的一口徑； 至少一絕緣層，位于該溝槽的一側(cè)壁上；至少一導(dǎo)電圖案，位于該絕緣層上，且該側(cè)表面與該溝槽中的該導(dǎo)電圖案之間隔有一預(yù)定距離而使部分的該絕緣層露出；以及至少一導(dǎo)電區(qū)，與該導(dǎo)電圖案電性連接。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶片封裝體，其特征在于，還包括至少一第二溝槽，自該上表面朝該下表面延伸，且自該基底的一第二側(cè)表面朝該基底的該內(nèi)部延伸，其中該第二溝槽接近該上表面的一口徑不等于該第二溝槽接近該下表面的一口徑；至少一第二絕緣層，位于該第二溝槽的一側(cè)壁上；至少一第二導(dǎo)電圖案，位于該第二絕緣層上，且該第二側(cè)表面與該第二溝槽中的該第二導(dǎo)電圖案之間隔有一第二預(yù)定距離而使部分的該第二絕緣層露出；以及至少一第二導(dǎo)電區(qū)，與該第二導(dǎo)電圖案電性連接。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的晶片封裝體，其特征在于，還包括一晶片，設(shè)置于該基底之上，且該導(dǎo)電區(qū)及該第二導(dǎo)電區(qū)位于該晶片上。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的晶片封裝體，其特征在于，該晶片包括一發(fā)光晶片。
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的晶片封裝體，其特征在于，還包括至少一第三溝槽，自該上表面朝該下表面延伸，且自該基底的一第三側(cè)表面朝該基底的該內(nèi)部延伸，其中該第三溝槽接近該上表面的一口徑不等于該第三溝槽接近該下表面的一口徑；至少一第三絕緣層，位于該第三溝槽的一側(cè)壁上；至少一第三導(dǎo)電圖案，位于該第三絕緣層上，且該第三側(cè)表面與該第三溝槽中的該第三導(dǎo)電圖案之間隔有一第三預(yù)定距離而使部分的該第三絕緣層露出；以及至少一第三導(dǎo)電區(qū)，與該第三導(dǎo)電圖案電性連接。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的晶片封裝體，其特征在于，該基底包括一半導(dǎo)體基底。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的晶片封裝體，其特征在于，還包括一漏極區(qū)，位于該半導(dǎo)體基底之中，其中該漏極區(qū)的導(dǎo)電型式為一第一導(dǎo)電型式； 一摻雜區(qū)，位于該半導(dǎo)體基底之中，其中該摻雜區(qū)的導(dǎo)電型式為一第二導(dǎo)電型式； 一源極區(qū)，位于該摻雜區(qū)之中，該源極區(qū)的導(dǎo)電型式為該第一導(dǎo)電型式；以及一柵極，位于該半導(dǎo)體基底之上或埋于該半導(dǎo)體基底之中，且與該半導(dǎo)體基底之間隔有一柵極介電層，其中該漏極區(qū)包括該導(dǎo)電區(qū)； 該源極區(qū)包括該第二導(dǎo)電區(qū)，以及該柵極包括該第三導(dǎo)電區(qū)。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的晶片封裝體，其特征在于，該側(cè)表面、該第二側(cè)表面及該第三側(cè)表面的至少其中之二為不同的側(cè)表面或相同的側(cè)表面。
9.根據(jù)權(quán)利要求2所述的晶片封裝體，其特征在于，該側(cè)表面及該第二側(cè)表面為不同的側(cè)表面或相同的側(cè)表面。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶片封裝體，其特征在于，還包括一電路板，具有至少一接墊，其中該基底設(shè)置于該電路板之上，且該導(dǎo)電圖案電性連接該接墊。
11.一種晶片封裝體的形成方法，其特征在于，包括提供一晶圓，該晶圓包括由多條預(yù)定切割道所劃分的多個(gè)區(qū)域； 于與所述預(yù)定切割道重疊的位置上形成多個(gè)穿孔，貫穿該晶圓的一上表面及一下表面，所述穿孔中其中一穿孔接近該上表面的一口徑不等于該其中一穿孔接近該下表面的一口徑；于所述穿孔的側(cè)壁上形成一絕緣層； 于該絕緣層上形成一導(dǎo)電材料層；將該導(dǎo)電材料層圖案化為彼此分離的多個(gè)導(dǎo)電圖案，所述導(dǎo)電圖案不與所述預(yù)定切割道接觸；使每一所述導(dǎo)電圖案分別與對(duì)應(yīng)的一導(dǎo)電區(qū)電性連接；以及沿著所述預(yù)定切割道切割該晶圓以形成多個(gè)晶片封裝體。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的晶片封裝體的形成方法，其特征在于，所述導(dǎo)電圖案的形成包括于所述穿孔中的該絕緣層上形成一晶種層；于該晶種層上形成一圖案化電鍍光阻層，該圖案化電鍍光阻層覆蓋部分的該晶種層而使不與所述預(yù)定切割道接觸的部分的該晶種層露出；于露出的該晶種層及該圖案化電鍍光阻層上形成一電鍍導(dǎo)電層； 移除該圖案化電鍍光阻層以使該圖案化電鍍光阻層下方的與所述預(yù)定切割道接觸的部分的該晶種層露出；以及在移除該圖案化電鍍光阻層之后，移除露出的該晶種層以形成所述導(dǎo)電圖案。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的晶片封裝體的形成方法，其特征在于，該圖案化電鍍光阻層為一負(fù)型光阻。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的晶片封裝體的形成方法，其特征在于，該圖案化電鍍光阻層的形成包括于所述穿孔中的該晶種層上形成一電鍍光阻層；分別遮住每一所述穿孔的開口的兩側(cè)，并使所述預(yù)定切割道露出；對(duì)所述穿孔照射一光線以使所述預(yù)定切割道附近的部分的該電鍍光阻層硬化；以及移除未被該光線照射的該電鍍光阻層以形成該圖案化電鍍光阻層。
15.根據(jù)權(quán)利要求12所述的晶片封裝體的形成方法，其特征在于，于移除該圖案化電鍍光阻層之時(shí)，同時(shí)移除形成于該圖案化電鍍光阻層的正上方的部分的該電鍍導(dǎo)電層。
16.根據(jù)權(quán)利要求12所述的晶片封裝體的形成方法，其特征在于，于移除露出的該晶種層期間，同時(shí)移除部分的該電鍍導(dǎo)電層而使該電鍍導(dǎo)電層的厚度變薄。
17.根據(jù)權(quán)利要求11所述的晶片封裝體的形成方法，其特征在于，還包括于該晶圓的所述區(qū)域上設(shè)置多個(gè)晶片，其中每一所述晶片包括該導(dǎo)電區(qū)。
18.根據(jù)權(quán)利要求11所述的晶片封裝體的形成方法，其特征在于，該晶圓包括一半導(dǎo)體晶圓。
19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的晶片封裝體的形成方法，其特征在于，該半導(dǎo)體晶圓包括多個(gè)功率金屬氧化物場(chǎng)效應(yīng)晶體管元件。
20.根據(jù)權(quán)利要求11所述的晶片封裝體的形成方法，其特征在于，該晶圓的切割步驟采用一切割刀進(jìn)行，且于沿著所述預(yù)定切割道切割該晶圓期間，該切割刀不與所述導(dǎo)電圖案直接接觸。
全文摘要
本發(fā)明提供一種晶片封裝體及其形成方法，該晶片封裝體包括一基底，具有一上表面及一下表面，且具有至少一側(cè)表面；至少一溝槽，自該上表面朝該下表面延伸，且自該側(cè)表面朝該基底的一內(nèi)部延伸，其中該溝槽接近該上表面的一口徑不等于該溝槽接近該下表面的一口徑；至少一絕緣層，位于該溝槽的一側(cè)壁上；至少一導(dǎo)電圖案，位于該絕緣層上，且該側(cè)表面與該溝槽中的該導(dǎo)電圖案之間隔有一預(yù)定距離而使部分的該絕緣層露出；以及至少一導(dǎo)電區(qū)，與該導(dǎo)電圖案電性連接。本發(fā)明通過形成具有傾斜側(cè)壁的穿孔，可使側(cè)邊電極的形成過程更為順利，確保切割晶圓時(shí)穿孔中的導(dǎo)電圖案不受拉扯而脫落。
文檔編號(hào)H01L21/60GK102214623SQ20111008681
公開日2011年10月12日 申請(qǐng)日期2011年4月7日 優(yōu)先權(quán)日2010年4月7日
發(fā)明者劉建宏, 鄭家明 申請(qǐng)人:精材科技股份有限公司