專利名稱：處理半導(dǎo)體器件的方法、裝置和系統(tǒng)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及微電子和電力電子技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及處理半導(dǎo)體器件的方法、裝置和系統(tǒng)。
背景技術(shù)：
現(xiàn)代電力電子技術(shù)是節(jié) 能環(huán)保和新能源產(chǎn)業(yè)的關(guān)鍵技術(shù)，而IGBT(InsulatedGate Bipolar Transistor,絕緣柵雙極型晶體管)是公認(rèn)的第三次電力電子技術(shù)革命最具代表性的場控型功率器件，廣泛用于變頻器、伺服控制器、低噪音電源、變頻調(diào)速、家用電器、照明、網(wǎng)絡(luò)通信、計(jì)算機(jī)、汽車電子、國防、航空航天等領(lǐng)域，是現(xiàn)代電力電子器件中應(yīng)用潛力最大的器件之一。IGBT芯片的加工制造是產(chǎn)業(yè)鏈中最重要的核心環(huán)節(jié)。目前，IGBT芯片的加工工藝分為平面工藝和溝槽工藝，可根據(jù)電壓電流等級和應(yīng)用領(lǐng)域的不同而采用不同的工藝。其中平面工藝在高壓大電流IGBT芯片加工中占有主導(dǎo)地位。圖I所示，為IGBT器件的電阻構(gòu)成示意圖，該結(jié)構(gòu)的導(dǎo)通電阻Rdson =Rch+Ra+Rjfet+Repi +Rsub+Rc 其中Rch為該半導(dǎo)體器件中MOS分量的溝道電阻，Ra為該半導(dǎo)體器件中MOS分量的表面積累層電阻，Rjfet為該半導(dǎo)體器件中MOS分量的結(jié)型場效應(yīng)晶體管導(dǎo)通電阻，Repi為該半導(dǎo)體器件中外延層電阻，Rsub為該半導(dǎo)體器件中襯底層電阻，Re為該半導(dǎo)體器件中接觸電阻。對于該該半導(dǎo)體器件的性能來講，導(dǎo)通電阻Rdson越小，則損耗越小、器件性能越好。其中，結(jié)型場效應(yīng)晶體管導(dǎo)通電阻Rjfet是對導(dǎo)通電阻Rdson影響較大的分量之一。如圖2a至圖2f所示，現(xiàn)有技術(shù)中加工半導(dǎo)體器件的流程為a、準(zhǔn)備襯底I ;b、對襯底I進(jìn)行場氧化，形成氧化膜2 ;c、在襯底I的整個上表面涂抹一層光刻膠3，并進(jìn)行深濃硼光刻；d、對光刻后的襯底I進(jìn)行深濃硼注入；e、進(jìn)行深濃硼驅(qū)入，使注入的深濃硼4滲入襯底I ;f、進(jìn)行柵氧化形成氧化層5、多晶濺積形成多晶層6等工序完成半導(dǎo)體器件的加工流程。因此，如何使得在處理半導(dǎo)體器件的過程中，盡可能地減小半導(dǎo)體器件的導(dǎo)通電阻，從而整體提高了半導(dǎo)體器件的性能，是業(yè)界一直努力想要解決的一個問題。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明實(shí)施例提供了一種處理半導(dǎo)體器件的方法、裝置和系統(tǒng)，減小了半導(dǎo)體器件的導(dǎo)通電阻，從而整體提高了半導(dǎo)體器件的性能。本發(fā)明實(shí)施范例提供了一種處理半導(dǎo)體器件的方法，該方法包括對場氧化后的襯底的有源區(qū)進(jìn)行光刻；將第一雜質(zhì)注入到光刻后的有源區(qū)，所述第一雜質(zhì)的類型與所述襯底的雜質(zhì)的類型相同；將所述第一雜質(zhì)驅(qū)入至所述襯底內(nèi)的預(yù)定結(jié)深，所述預(yù)定結(jié)深的位置對應(yīng)在半導(dǎo)體器件的結(jié)型場效應(yīng)晶體管JFET區(qū)中。相應(yīng)的，本發(fā)明實(shí)施范例提供了一種處理半導(dǎo)體器件的裝置，包括光刻模塊，用于控制光刻設(shè)備對場氧化后的襯底的有源區(qū)進(jìn)行光刻；注入模塊，用于控制注入設(shè)備將第一雜質(zhì)注入到光刻后的有源區(qū)，所述第一雜質(zhì)的類型與所述襯底的雜質(zhì)的類型相同；驅(qū)入模塊，用于控制驅(qū)入設(shè)備將所述第一雜質(zhì)驅(qū)入至所述襯底內(nèi)的預(yù)定結(jié)深，所述預(yù)定結(jié)深的位置對應(yīng)在半導(dǎo)體器件的結(jié)型場效應(yīng)晶體管JFET區(qū)中。相應(yīng)的，本發(fā)明實(shí)施例提供了一種處理半導(dǎo) 體器件的系統(tǒng)，包括光刻設(shè)備、雜質(zhì)注入設(shè)備和雜質(zhì)驅(qū)入設(shè)備；所述光刻設(shè)備，用于對場氧化后的襯底的有源區(qū)進(jìn)行光刻；所述雜質(zhì)注入設(shè)備，用于將第一雜質(zhì)注入到光刻后的有源區(qū)，所述第一雜質(zhì)的類型與所述襯底的雜質(zhì)的類型相同；所述雜質(zhì)驅(qū)入設(shè)備，用于將所述第一雜質(zhì)驅(qū)入至所述襯底內(nèi)的預(yù)定結(jié)深，所述預(yù)定結(jié)深的位置對應(yīng)在半導(dǎo)體器件的結(jié)型場效應(yīng)晶體管JFET區(qū)中。本發(fā)明實(shí)施例提供了一種處理處理半導(dǎo)體器件的方法、裝置和系統(tǒng)，用于對場氧化后的襯底的有源區(qū)進(jìn)行光刻；將第一雜質(zhì)注入到光刻后的有源區(qū)，所述第一雜質(zhì)的類型與所述襯底的雜質(zhì)的類型相同；將所述第一雜質(zhì)驅(qū)入至所述襯底內(nèi)的預(yù)定結(jié)深，所述預(yù)定結(jié)深的位置對應(yīng)在半導(dǎo)體器件的結(jié)型場效應(yīng)晶體管JFET區(qū)中。使用本發(fā)明實(shí)施例提供的處理處理半導(dǎo)體器件的方法、裝置和系統(tǒng)，通過向JFET區(qū)驅(qū)入同質(zhì)雜質(zhì)，增加了 JFET區(qū)的雜質(zhì)濃度，減小了半導(dǎo)體器件的導(dǎo)通電阻，從而整體提高了半導(dǎo)體器件的性能。而且，在半導(dǎo)體器件有源區(qū)注入雜質(zhì)，不會減小半導(dǎo)體器件表面承壓層的體電阻和承壓能力。


圖I為IGBT器件的電阻結(jié)構(gòu)示意圖；圖2a至圖2f為現(xiàn)有技術(shù)中加工半導(dǎo)體器件的流程示意圖；圖3為本發(fā)明實(shí)施例中處理半導(dǎo)體器件的方法流程示意圖；圖4為本發(fā)明另一實(shí)施例中處理半導(dǎo)體器件的方法流程示意圖；圖5a至圖5i為本發(fā)明另一實(shí)施例中半導(dǎo)體器件的方法流程示意圖；圖6為本發(fā)明另一實(shí)施例中處理半導(dǎo)體器件的裝置示意圖；圖7為本發(fā)明另一實(shí)施例中處理半導(dǎo)體器件的系統(tǒng)示意圖。
具體實(shí)施例方式下面結(jié)合各個附圖對本發(fā)明實(shí)施例技術(shù)方案的主要實(shí)現(xiàn)原理具體實(shí)施方式
及其對應(yīng)能夠達(dá)到的有益效果進(jìn)行詳細(xì)地闡述。為了提高現(xiàn)有技術(shù)中半導(dǎo)體器件的性能，本發(fā)明實(shí)施例提供了一種處理半導(dǎo)體器件的方法，如圖3所示，包括以下步驟步驟301、對場氧化后的襯底的有源區(qū)進(jìn)行光刻；具體的，對襯底的上表面進(jìn)行場氧化形成氧化膜，然后在該氧化膜的上表面涂光刻膠后，對襯底的有源區(qū)進(jìn)行光刻。其中，襯底包括有源區(qū)和無源區(qū)，該有源區(qū)為襯底制作器件的區(qū)域，通過光刻可以在該有源區(qū)形成半導(dǎo)體器件的圖形區(qū)域。步驟302、將第一雜質(zhì)注入到光刻后的有源區(qū)，該第一雜質(zhì)的類型與襯底的雜質(zhì)的類型相同；具體的，通過注入設(shè)備，將與襯底的雜質(zhì)的類型相同的第一雜質(zhì)，注入到光刻后的有源區(qū)。其中，該第一雜質(zhì)的類型可以包括硼或磷，也就是當(dāng)襯底中的雜質(zhì)為磷時，該第一雜質(zhì)為磷；當(dāng)襯底中的雜質(zhì)為硼時，該第一雜質(zhì)為硼。步驟303、將第一雜質(zhì)驅(qū)入至襯底內(nèi)的預(yù)定結(jié)深，該預(yù)定結(jié)深的位置對應(yīng)在半導(dǎo)體器件的結(jié)型場效應(yīng)晶體管JFET區(qū)中。具體的，本實(shí)施例預(yù)定結(jié)深的確定，需要滿足使得在該襯底上完成半導(dǎo)體器件的 制作后，該預(yù)定結(jié)深的位置恰好對應(yīng)在半導(dǎo)體器件的結(jié)型場效應(yīng)晶體管JFET區(qū)中。實(shí)際應(yīng)用中，可以預(yù)置半導(dǎo)體器件性能參數(shù)與預(yù)定結(jié)深的對應(yīng)關(guān)系，從而根據(jù)獲得的半導(dǎo)體器件性能參數(shù)得到對應(yīng)的預(yù)定結(jié)深，例如半導(dǎo)體器件性能參數(shù)為A時，其對應(yīng)的預(yù)定結(jié)深為a，半導(dǎo)體器件性能參數(shù)為B時，其對應(yīng)的預(yù)定結(jié)深為b，半導(dǎo)體器件性能參數(shù)為C時，其對應(yīng)的預(yù)定結(jié)深為c，則已知設(shè)計(jì)的半導(dǎo)體器件參數(shù)，可以根據(jù)上述對應(yīng)關(guān)系獲知對應(yīng)的預(yù)定結(jié)深。。這樣，通過將第一雜質(zhì)驅(qū)入至襯底內(nèi)的預(yù)定結(jié)深，提高了 JFET區(qū)中的雜質(zhì)濃度，降低了 JFET區(qū)縱向體電阻以及JFET區(qū)的有效橫截面積，有利于提高器件的性能。然后，對注入第一雜質(zhì)后的襯底進(jìn)行光刻、第二雜質(zhì)注入、第二雜質(zhì)驅(qū)入、柵氧化、多晶硅濺積等工藝加工，最終完成半導(dǎo)體器件的加工制作。期中，第二雜質(zhì)的類型與襯底的雜質(zhì)的類型不同，例如當(dāng)襯底的雜質(zhì)為磷時，該第二雜質(zhì)為硼。通過上述描述，可以看出，使用本發(fā)明實(shí)施例提供的處理半導(dǎo)體器件的方法，通過將第一雜質(zhì)驅(qū)入至襯底內(nèi)的預(yù)定結(jié)深，增加了 JFET區(qū)的雜質(zhì)濃度，減小了半導(dǎo)體器件的導(dǎo)通電阻，從而整體提高了半導(dǎo)體器件的性能。而且，在半導(dǎo)體器件有源區(qū)注入雜質(zhì)，不會減小半導(dǎo)體器件表面承壓層的體電阻和承壓能力。以處理IGBT器件為例，對本發(fā)明提供的處理半導(dǎo)體器件的方法進(jìn)行詳細(xì)說明，假設(shè)襯底的雜質(zhì)為磷，如圖4所示，包括以下步驟步驟401、準(zhǔn)備襯底；如圖5a所示，準(zhǔn)備襯底51，該襯底51包括有源區(qū)和無源區(qū)，其中，有源區(qū)為制造半導(dǎo)體器件的區(qū)域。步驟402、對襯底進(jìn)行場氧化；如圖5b所示，對該襯底51進(jìn)行場氧化，形成一層氧化膜52，為光刻過程做準(zhǔn)備。步驟403、對襯底的有源區(qū)進(jìn)行光刻；如圖5c所示，在該氧化膜52的上表面涂抹一層光刻膠53，然后對襯底51的有源區(qū)進(jìn)行光刻，以便在有源區(qū)形成半導(dǎo)體器件的圖形區(qū)域。步驟404、向襯底注入磷；如圖5d所示，為了提高襯底中雜質(zhì)的濃度，向襯底中注入磷。步驟405、將注入的磷驅(qū)入至襯底內(nèi)的預(yù)定結(jié)深，該預(yù)定結(jié)深的位置對應(yīng)在半導(dǎo)體器件的結(jié)型場效應(yīng)晶體管JFET區(qū)中；如圖5e所示，根據(jù)預(yù)置的半導(dǎo)體器件性能參數(shù)與結(jié)深的對應(yīng)關(guān)系，獲得IGBT器件性能參數(shù)對應(yīng)的預(yù)定結(jié)深，然后利用驅(qū)入設(shè)備將注入的磷54驅(qū)入至預(yù)定結(jié)深。由于該預(yù)定結(jié)深的位置對應(yīng)在半導(dǎo)體器件的結(jié)型場效應(yīng)晶體管JFET區(qū)中，這樣增加了 JFET區(qū)內(nèi)的雜質(zhì)濃度，減小了該區(qū)的導(dǎo)通電阻，進(jìn)而減小了 IGBT器件的整體導(dǎo)通電阻，提高了半導(dǎo)體器件的性能。步驟406、對注入磷后的襯底進(jìn)行深濃硼光刻；如圖5f所示，在注入磷的襯底的上表面填涂一層光刻膠55，然后進(jìn)行深濃硼光刻。步驟407、如圖5g所 示，對襯底進(jìn)行深濃硼注入；步驟408、對襯底進(jìn)行深濃硼驅(qū)入，如圖5h所示，使注入的深濃硼56 (黑色部分)滲入襯底51 ；步驟409、對襯底進(jìn)行柵氧化，形成氧化層；步驟410、對襯底進(jìn)行多晶硅濺積等工序，完成IGBT器件的加工。圖5f-圖5i為上述步驟406-410的加工流程示意圖，由于其屬于現(xiàn)有技術(shù)，在此不再贅述。通過上述描述，可以看出，使用本發(fā)明實(shí)施例提供的處理半導(dǎo)體器件的方法，通過將第一雜質(zhì)驅(qū)入至襯底內(nèi)的預(yù)定結(jié)深，增加了 JFET區(qū)的雜質(zhì)濃度，減小了半導(dǎo)體器件的導(dǎo)通電阻，從而整體提高了半導(dǎo)體器件的性能。而且，在半導(dǎo)體器件有源區(qū)注入雜質(zhì)，不會減小半導(dǎo)體器件表面承壓層的體電阻和承壓能力。相應(yīng)的，本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種處理半導(dǎo)體器件的裝置，如圖6所示，包括光刻模塊601,用于控制光刻設(shè)備對場氧化后的襯底的有源區(qū)進(jìn)行光刻；注入模塊602，用控制注入設(shè)備將第一雜質(zhì)注入到光刻后的有源區(qū)，所述第一雜質(zhì)的類型與所述襯底的雜質(zhì)的類型相同；驅(qū)入模塊603，用于控制驅(qū)入設(shè)備將所述第一雜質(zhì)驅(qū)入至所述襯底內(nèi)的預(yù)定結(jié)深，所述預(yù)定結(jié)深的位置對應(yīng)在半導(dǎo)體器件的結(jié)型場效應(yīng)晶體管JFET區(qū)中。較佳的，該光刻模塊601,具體用于襯底上表面形成氧化膜后,控制光刻設(shè)備在所述氧化膜的上表面添涂光刻膠，對所述襯底的有源區(qū)進(jìn)行光刻，在所述有源區(qū)形成半導(dǎo)體器件的圖形區(qū)域。較佳的，該裝置還包括獲取模塊604，用于根據(jù)預(yù)置的半導(dǎo)體器件性能參數(shù)與結(jié)深的對應(yīng)關(guān)系，獲得半導(dǎo)體器件性能參數(shù)對應(yīng)的所述預(yù)定結(jié)深。通過上述描述，可以看出，使用本發(fā)明實(shí)施例提供的處理半導(dǎo)體器件的裝置，通過將第一雜質(zhì)驅(qū)入至襯底內(nèi)的預(yù)定結(jié)深，增加了 JFET區(qū)的雜質(zhì)濃度，減小了半導(dǎo)體器件的導(dǎo)通電阻，從而整體提高了半導(dǎo)體器件的性能。而且，在半導(dǎo)體器件有源區(qū)注入雜質(zhì)，不會減小半導(dǎo)體器件表面承壓層的體電阻和承壓能力。相應(yīng)的，本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種處理半導(dǎo)體器件系統(tǒng)，如圖7所示，包括光刻設(shè)備701、雜質(zhì)注入設(shè)備702和雜質(zhì)驅(qū)入設(shè)備703 ；該光刻設(shè)備701，用于對場氧化后的襯底的有源區(qū)進(jìn)行光刻；該雜質(zhì)注入設(shè)備702，用于將第一雜質(zhì)注入到光刻后的有源區(qū)，所述第一雜質(zhì)的類型與所述襯底的雜質(zhì)的類型相同；該雜質(zhì)驅(qū)入設(shè)備703，用于將所述第一雜質(zhì)驅(qū)入至所述襯底內(nèi)的預(yù)定結(jié)深，所述預(yù)定結(jié)深的位置對應(yīng)在半導(dǎo)體器件的結(jié)型場效應(yīng)晶體管JFET區(qū)中。較佳的，該光刻設(shè)備701，還用于對注入第一雜質(zhì)后的襯底進(jìn)行光刻；該雜質(zhì)注入設(shè)備702，還用于對光刻后的襯底進(jìn)行第二雜質(zhì)注入；該雜質(zhì)驅(qū)入設(shè)備703，還用于對第二雜質(zhì)注入后的襯底進(jìn)行第二雜質(zhì)驅(qū)入；所述第二雜質(zhì)的類型與所述襯底的雜質(zhì)的類型不同。通過上述描述，可以看出，使用本發(fā)明實(shí)施例提供的處理半導(dǎo)體器件的方法、裝置和系統(tǒng)，通過將第一雜質(zhì)驅(qū)入至襯底內(nèi)的預(yù)定結(jié)深，增加了 JFET區(qū)的雜質(zhì)濃度，減小了半導(dǎo)體器件的導(dǎo)通電阻，從而整體提高了半導(dǎo)體器件的性能。而且，在半導(dǎo)體器件有源區(qū)注入雜質(zhì)，不會減小半導(dǎo)體器件表面承壓層的體電阻和承壓能力。顯然，本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以對本發(fā)明進(jìn)行各種改動和變型而不脫離本 發(fā)明的精神和范圍。這樣，倘若本發(fā)明的這些修改和變型屬于本發(fā)明權(quán)利要求及其等同技術(shù)的范圍之內(nèi)，則本發(fā)明也意圖包含這些改動和變型在內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種處理半導(dǎo)體器件的方法，其特征在于，包括 對場氧化后的襯底的有源區(qū)進(jìn)行光刻； 將第一雜質(zhì)注入到光刻后的有源區(qū)，所述第一雜質(zhì)的類型與所述襯底的雜質(zhì)的類型相同； 將所述第一雜質(zhì)驅(qū)入至所述襯底內(nèi)的預(yù)定結(jié)深，所述預(yù)定結(jié)深的位置對應(yīng)在半導(dǎo)體器件的結(jié)型場效應(yīng)晶體管JFET區(qū)中。
2.如權(quán)利要求I所述的方法，其特征在于，所述對場氧化后的襯底的有源區(qū)進(jìn)行光刻，包括 對所述襯底的上表面進(jìn)行場氧化，形成氧化膜； 在所述氧化膜的上表面添涂光刻膠后，對所述襯底的有源區(qū)進(jìn)行光刻，在所述有源區(qū)形成半導(dǎo)體器件的圖形區(qū)域。
3.如權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，所述將第一雜質(zhì)注入到光刻后的有源區(qū)，包括 通過注入設(shè)備，將與所述襯底的雜質(zhì)的類型相同的第一雜質(zhì)，注入到光刻后的有源區(qū)；所述第一雜質(zhì)的類型包括硼或磷。
4.如權(quán)利要求I所述的方法，其特征在于，根據(jù)預(yù)置的半導(dǎo)體器件性能參數(shù)與結(jié)深的對應(yīng)關(guān)系，獲得半導(dǎo)體器件性能參數(shù)對應(yīng)的所述預(yù)定結(jié)深。
5.如權(quán)利要求1-4中任一所述的方法，其特征在于，所述將所述第一雜質(zhì)驅(qū)入至所述襯底內(nèi)的預(yù)定結(jié)深之后，還包括 對注入第一雜質(zhì)后的襯底進(jìn)行光刻、第二雜質(zhì)注入、第二雜質(zhì)驅(qū)入、柵氧化、多晶硅濺積；所述第二雜質(zhì)的類型與所述襯底的雜質(zhì)的類型不同。
6.一種處理半導(dǎo)體器件的裝置，其特征在于，包括 光刻模塊，用于控制光刻設(shè)備對場氧化后的襯底的有源區(qū)進(jìn)行光刻； 注入模塊，用于控制注入設(shè)備將第一雜質(zhì)注入到光刻后的有源區(qū)，所述第一雜質(zhì)的類型與所述襯底的雜質(zhì)的類型相同； 驅(qū)入模塊，用于控制驅(qū)入設(shè)備將所述第一雜質(zhì)驅(qū)入至所述襯底內(nèi)的預(yù)定結(jié)深，所述預(yù)定結(jié)深的位置對應(yīng)在半導(dǎo)體器件的結(jié)型場效應(yīng)晶體管JFET區(qū)中。
7.如權(quán)利要求6所述的裝置，其特征在于，所述光刻模塊，具體用于襯底上表面形成氧化膜后，控制光刻設(shè)備在所述氧化膜的上表面添涂光刻膠，對所述襯底的有源區(qū)進(jìn)行光刻，在所述有源區(qū)形成半導(dǎo)體器件的圖形區(qū)域。
8.如權(quán)利要求6所述的裝置，其特征在于，還包括 獲取模塊，用于根據(jù)預(yù)置的半導(dǎo)體器件性能參數(shù)與結(jié)深的對應(yīng)關(guān)系，獲得半導(dǎo)體器件性能參數(shù)對應(yīng)的所述預(yù)定結(jié)深。
9.一種處理半導(dǎo)體器件的系統(tǒng)，其特征在于，包括光刻設(shè)備、雜質(zhì)注入設(shè)備和雜質(zhì)驅(qū)入設(shè)備； 所述光刻設(shè)備，用于對場氧化后的襯底的有源區(qū)進(jìn)行光刻； 所述雜質(zhì)注入設(shè)備，用于將第一雜質(zhì)注入到光刻后的有源區(qū)，所述第一雜質(zhì)的類型與所述襯底的雜質(zhì)的類型相同； 所述雜質(zhì)驅(qū)入設(shè)備，用于將所述第一雜質(zhì)驅(qū)入至所述襯底內(nèi)的預(yù)定結(jié)深，所述預(yù)定結(jié)深的位置對應(yīng)在半導(dǎo)體器件的結(jié)型場效應(yīng)晶體管JFET區(qū)中。
10.如權(quán)利要求9所述的系統(tǒng)，其特征在于， 所述光刻設(shè)備，還用于對注入第一雜質(zhì)后的襯底進(jìn)行光刻； 所述雜質(zhì)注入設(shè)備，還用于對光刻后的襯底進(jìn)行第二雜質(zhì)注入； 所述雜質(zhì)驅(qū)入設(shè)備，還用于對第二雜質(zhì)注入后的襯底進(jìn)行第二雜質(zhì)驅(qū)入；所述第二雜質(zhì)的類型與所述襯底的雜質(zhì)的類型不同。
全文摘要
本發(fā)明涉及微電子和電力電子技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及處理半導(dǎo)體器件的方法、裝置和系統(tǒng)，該方法包括對場氧化后的襯底的有源區(qū)進(jìn)行光刻；將第一雜質(zhì)注入到光刻后的有源區(qū)，所述第一雜質(zhì)的類型與所述襯底的雜質(zhì)的類型相同；將所述第一雜質(zhì)驅(qū)入至所述襯底內(nèi)的預(yù)定結(jié)深，所述預(yù)定結(jié)深的位置對應(yīng)在半導(dǎo)體器件的結(jié)型場效應(yīng)晶體管JFET區(qū)中。使用本發(fā)明實(shí)施例提供的處理處理半導(dǎo)體器件的方法、裝置和系統(tǒng)，通過向JFET區(qū)注入同質(zhì)雜質(zhì)，增加了JFET區(qū)的雜質(zhì)濃度，減小了半導(dǎo)體器件的導(dǎo)通電阻，從而整體提高了半導(dǎo)體器件的性能。
文檔編號H01L21/00GK102737990SQ20111009080
公開日2012年10月17日 申請日期2011年4月12日 優(yōu)先權(quán)日2011年4月12日
發(fā)明者禹久贏, 趙亞民 申請人:北大方正集團(tuán)有限公司, 深圳方正微電子有限公司