專利名稱：薄膜晶體管及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明是有關(guān)于一種薄膜晶體管及其制造方法，且特別是有關(guān)于一種具有氧化物半導(dǎo)體層的薄膜晶體管及其制造方法。
背景技術(shù)：
近來環(huán)保意識抬頭，具有低消耗功率、空間利用效率佳、無輻射、高畫質(zhì)等優(yōu)越特性的液晶顯示面板(Liquid crystal display panels)已成為市場主流。以往，液晶顯示面板大多采用非晶硅(a-Si)薄膜晶體管、或低溫多晶硅 (Low-temperature polysilicon, LTPS)薄膜晶體管作為各個畫素結(jié)構(gòu)的開關(guān)組件。然而， 近年來，已有研究指出相較于非晶硅薄膜晶體管，氧化物半導(dǎo)體(oxide semiconductor) 薄膜晶體管具有較高的載子移動率(mobility)；并且，相較于低溫多晶硅薄膜晶體管，氧化物半導(dǎo)體薄膜晶體管具有較佳的臨界電壓(threshold voltage，Vth)均勻性。因此，氧化物半導(dǎo)體薄膜晶體管有潛力成為下一代平面顯示器的關(guān)鍵組件。一般而言，氧化物半導(dǎo)體薄膜晶體管的制造流程大致會使用到七道光罩制程。首先，使用第一道光罩制程，于基板上形成間極。然后，于基板上全面性地形成間絕緣層以覆蓋閘極。接著，使用第二道光罩制程，于間極上方的間絕緣層上形成氧化物半導(dǎo)體層。再來， 使用第三道光罩制程，于部分的氧化物半導(dǎo)體層上形成蝕刻阻擋層。接著，于閘絕緣層、氧化物半導(dǎo)體層以及蝕刻阻擋層上形成介電層，且對于位于蝕刻阻擋層兩側(cè)的氧化物半導(dǎo)體層進行氫摻雜而使其轉(zhuǎn)變成兩奧姆接觸層。之后，利用第四道光罩制程，于兩奧姆接觸層上方的介電層中形成兩開口，而分別曝露出兩奧姆接觸層。再來，利用第五道光罩制程，于介電層上形成彼此電性絕緣的源極與汲極，且源極與汲極分別填入兩開口中而與兩奧姆接觸層連接。然后，在基板上形成絕緣層以覆蓋源極與汲極。之后，利用第六道光罩制程，于絕緣層上形成接觸窗口以曝露出汲極。最后，利用第七道光罩，于基板上形成畫素電極，此畫素電極填入接觸窗口而與汲極電性連接。于此，便完成習(xí)知氧化物半導(dǎo)體薄膜晶體管的制作。然而，上述的氧化物半導(dǎo)體薄膜晶體管的制作過程繁復(fù)、且制作成本高。

發(fā)明內(nèi)容
有鑒于此，本發(fā)明提供一種薄膜晶體管的制造方法，可簡化薄膜晶體管的制程、并降低制作成本。本發(fā)明還提供一種薄膜晶體管，具有簡單的結(jié)構(gòu)、且制作成本低。本發(fā)明提供一種薄膜晶體管的制造方法。于基板上形成彼此電性絕緣的源極與汲極。于基板上同時形成圖案化氧化物半導(dǎo)體層與畫素半導(dǎo)體層，其中，圖案化氧化物半導(dǎo)體層位于源極與汲極之間，畫素半導(dǎo)體層位于畫素電極預(yù)定區(qū)域。于圖案化氧化物半導(dǎo)體層上形成圖案化蝕刻阻擋層，圖案化蝕刻阻擋層曝露出位于圖案化蝕刻阻擋層兩側(cè)的部分的圖案化氧化物半導(dǎo)體層。于基板上形成閘絕緣層，于形成閘絕緣層的過程中同時使被圖案化蝕刻阻擋層所曝露出的部分圖案化氧化物半導(dǎo)體層形成為兩奧姆接觸層、且使位于畫素
4預(yù)定區(qū)域的畫素半導(dǎo)體層形成為畫素電極，畫素電極與汲極電性連接，而兩奧姆接觸層分別與源極與汲極電性連接。于圖案化氧化物半導(dǎo)體層上方的閘絕緣層上形成閘極。本發(fā)明提供一種薄膜晶體管，包括源極、汲極、圖案化氧化物半導(dǎo)體層、圖案化蝕刻阻擋層、閘絕緣層、閘極以及畫素電極。圖案化氧化物半導(dǎo)體層位于源極與汲極之間，圖案化氧化物半導(dǎo)體層具有兩奧姆接觸層。圖案化蝕刻阻擋層位于圖案化氧化物半導(dǎo)體層上并曝露出奧姆接觸層。間絕緣層覆蓋圖案化蝕刻阻擋層與圖案化氧化物半導(dǎo)體層。間極位于圖案化氧化物半導(dǎo)體層上方的間絕緣層上。畫素電極經(jīng)由奧姆接觸層而電性連接汲極， 其中，畫素電極、圖案化氧化物半導(dǎo)體層與奧姆接觸層為位置相同的膜層，且畫素電極與奧姆接觸層的材質(zhì)相同。在本發(fā)明的一實施例中，上述的畫素半導(dǎo)體層與圖案化氧化物半導(dǎo)體層的材質(zhì)相同、且選自于氧化銦鎵鋅(IGZO)、氧化銦鋅(IZO)、氧化銦鎵(IGO)、氧化錫(ZnO)、氧化鎘、氧化鍺(2Cd0 · GeO2)、氧化鎳鈷(NiCo2O4)及其組合。在本發(fā)明的一實施例中，上述的形成奧姆接觸層與畫素電極的方法包括于形成閘絕緣層的同時，對于圖案化氧化物半導(dǎo)體層以及畫素半導(dǎo)體進行氫摻雜。在本發(fā)明的一實施例中，上述的奧姆接觸層與畫素電極的材質(zhì)是選自于含氫的氧化銦鎵鋅(IGZO)、氧化銦鋅(IZO)、氧化銦鎵(IGO)、氧化錫(ZnO)、氧化鎘、氧化鍺 (2Cd0 · GeO2)、氧化鎳鈷(NiCo2O4)及其組合。在本發(fā)明的一實施例中，上述的薄膜晶體管制造方法更包括于基板上形成彼此電性絕緣的源極與汲極的同時，于基板上形成數(shù)據(jù)線，且數(shù)據(jù)線與源極電性連接。在本發(fā)明的一實施例中，上述的薄膜晶體管制造方法更包括于圖案化氧化物半導(dǎo)體層上方的閘絕緣層上形成閘極的同時，于基板上形成掃描線，且掃描線與閘極電性連接。在本發(fā)明的一實施例中，上述的薄膜晶體管的制造方法更包括于圖案化氧化物半導(dǎo)體層上方的間絕緣層上形成間極之后，于基板上形成圖案化保護層。圖案化保護層具有多個接觸窗開口，接觸窗開口曝露出薄膜晶體管的掃描線的端部與資料線的端部，以使掃描線與數(shù)據(jù)線經(jīng)由接觸窗開口電性連接到外部驅(qū)動訊號提供源。在本發(fā)明的一實施例中，上述的源極、汲極與閘極的材質(zhì)包括單一膜層的金屬、 或復(fù)合膜層的金屬?；谏鲜?，在本發(fā)明的薄膜晶體管及其制造方法中，藉由形成閘絕緣層的同時，一并形成了奧姆接觸層與畫素電極，可在同一道步驟中同時降低圖案化氧化物半導(dǎo)體層與畫素半導(dǎo)體層的電阻值，能夠簡化薄膜晶體管的制程，且使薄膜晶體管具有極佳的電氣特性。為讓本發(fā)明的上述特征和優(yōu)點能更明顯易懂，下文特舉實施例，并配合所附圖式作詳細說明如下。


圖IA至圖IF為本發(fā)明的一實施例的薄膜晶體管制造流程的上視示意圖。圖2A至圖2F為依次對應(yīng)于圖IA至圖IF的線A_A’所繪示的薄膜晶體管制造流程的剖面示意圖。主要組件符號說明
5100 薄膜晶體管 110 基板
122 圖案化氧化物半導(dǎo)體 122a 奧姆接觸層 124 畫素半導(dǎo)體層 124a 畫素電極 130 圖案化蝕刻阻擋層 140 閘絕緣層 150 圖案化保護層 D 汲極
DLt 資料線的端部 DL 資料線 G 閘極 H:開口
PS 外部驅(qū)動訊號提供源 R 畫素電極預(yù)定區(qū)域 S 源極
SLT:掃描線的端部 SL:掃描線。
具體實施例方式[薄膜晶體管的制造方法]
圖IA至圖IF為本發(fā)明一實施例的薄膜晶體管制造流程的上視示意圖。圖2A至圖2F 為根據(jù)圖IA至圖IF的線A-A’所繪示的薄膜晶體管制造流程的剖面示意圖。請參照圖IA及圖2A，首先，于基板110上形成彼此電性絕緣的源極S與汲極D。形成源極S與汲極D的同時，更可于基板110上形成數(shù)據(jù)線DL，且數(shù)據(jù)線DL電性連接到源極 S。源極S、汲極D與數(shù)據(jù)線DL的材質(zhì)可使用金屬材料(如Ti、Mo、Al等)合金、金屬材料的氮化物、金屬材料的氧化物、金屬材料的氮氧化物等，且源極S、汲極D與資料線DL可為單一膜層或復(fù)合堆棧膜層。源極S、汲極D與數(shù)據(jù)線DL的制作方式可采用一般的濺鍍成膜、配合微影蝕刻制程 (亦即光阻涂布、微影、蝕刻、剝膜等步驟)，而形成源極S、汲極D與數(shù)據(jù)線DL的圖案，在此不予詳述。請參照圖IB及圖2B，接著，于基板110上同時形成圖案化氧化物半導(dǎo)體層122與畫素半導(dǎo)體層124，其中，圖案化氧化物半導(dǎo)體層122位于源極S與汲極D之間，畫素半導(dǎo)體層IM位于畫素電極預(yù)定區(qū)域R。更進一步地說，如圖IB所示，圖案化氧化物半導(dǎo)體層122與畫素半導(dǎo)體層IM是以同一道光罩制作的，圖案化氧化物半導(dǎo)體層122覆蓋部份的源極S與汲極D，且圖案化氧化物半導(dǎo)體層122可連接到畫素半導(dǎo)體層124。在另外的實施例中，圖案化氧化物半導(dǎo)體層 122也可不連接到畫素半導(dǎo)體層124，只要圖案化氧化物半導(dǎo)體層122與畫素半導(dǎo)體層IM都有位于汲極D上即可(后續(xù)可經(jīng)由汲極D進行電性連接)。畫素半導(dǎo)體層IM與圖案化氧化物半導(dǎo)體層122的材質(zhì)相同、且可選自于氧化銦鎵鋅(IGZO)、氧化銦鋅(IZO)、氧化銦鎵(IGO)、氧化錫(SiO)、氧化鎘、氧化鍺(2Cd0 -GeO2)、 氧化鎳鈷(NiCo2O4)及其組合，但不以此為限。圖案化氧化物半導(dǎo)體層122與畫素半導(dǎo)體層IM的制作方式可采用一般的濺鍍成膜、配合微影蝕刻制程(亦即光阻涂布、微影、蝕刻、剝膜等步驟)，而形成如圖IB及圖2B所示的圖案化氧化物半導(dǎo)體層122與畫素半導(dǎo)體層124的圖案，在此不予詳述。請參照圖IC及圖2C，接著，于圖案化氧化物半導(dǎo)體層122上形成圖案化蝕刻阻擋層130。圖案化蝕刻阻擋層130曝露出位于圖案化蝕刻阻擋層130兩側(cè)的部分的圖案化氧化物半導(dǎo)體層122。圖案化蝕刻阻擋層130覆蓋部分區(qū)域的圖案化氧化物半導(dǎo)體層122，用以保護圖案化蝕刻阻擋層130下方的圖案化氧化物半導(dǎo)體層122在經(jīng)過后續(xù)制程后仍維持半導(dǎo)體特性(可作為后續(xù)源極S與汲極D之間的信道層)，因此圖案化蝕刻阻擋層130又可稱為通道保護層。圖案化蝕刻阻擋層130的制作方式可采用一般的濺鍍成膜、配合微影蝕刻制程 (亦即光阻涂布、微影、蝕刻、剝膜等步驟)，而形成如圖IC及圖2C所示的圖案化蝕刻阻擋層 130的圖案，在此不予詳述。圖案化蝕刻阻擋層130的材質(zhì)可以是二氧化硅或其它適合的材質(zhì)。請參照圖ID及圖2D，接著，于基板110上全面地形成閘絕緣層140，于形成閘絕緣層140的過程中同時使被圖案化蝕刻阻擋層130所曝露出的部分圖案化氧化物半導(dǎo)體層 122形成為兩奧姆接觸層122a、且使位于畫素預(yù)定區(qū)域R的畫素半導(dǎo)體層IM形成為畫素電極IMa，畫素電極12 與汲極D電性連接，而兩奧姆接觸層12 分別與源極S與汲極D 電性連接。更進一步地說，形成兩奧姆接觸層12 與畫素電極12 的方法包括于形成閘絕緣層140的同時，對于圖案化氧化物半導(dǎo)體層122以及畫素半導(dǎo)體層IM進行氫摻雜，而使未被圖案化蝕刻阻擋層130覆蓋的圖案化氧化物半導(dǎo)體層122形成可導(dǎo)電的奧姆接觸層 122a，畫素半導(dǎo)體124形成可導(dǎo)電的畫素電極12如。舉例而言，可采用電漿輔助化學(xué)氣相沉積法(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition, PECVD )形成閘絕緣層140，電漿輔助化學(xué)氣相沉積法中所使用的氣體是選自于四氫化硅(SiH4)、氧化二氮(N2O)、氦(He)及其組合，本實施例的閘絕緣層140例如是氧化硅(SiOx)。然，本發(fā)明不限于此，在其它實施例中，用以形成閘絕緣層140的氣體可選自于四氫化硅(SiH4)、氫化氮(NH3)、氮(N2)、氫(H2)及其組合，閘絕緣層140亦可為氮化硅 (SiNx)。因此，在形成閘絕緣層140時，露出來的圖案化氧化物半導(dǎo)體層122以及畫素半導(dǎo)體層124 (如氧化銦鎵鋅(IGZO))會曝露于含氫離子的電漿中被氫離子所摻雜，而分別轉(zhuǎn)變?yōu)榫哂袑?dǎo)電特性的材料，即奧姆接觸層12 與畫素電極12如。亦即，奧姆接觸層12 與畫素電極12 的材質(zhì)可選自于含氫的氧化銦鎵鋅 (IGZO)、氧化銦鋅(IZO)、氧化銦鎵(IGO)、氧化錫(SiO)、氧化鎘、氧化鍺(2Cd0 · GeO2)、 氧化鎳鈷(NiCo2O4)及其組合。值得一提的是，由于在圖ID與圖2D的制程步驟中，是利用形成閘絕緣層140的同時一并形成奧姆接觸層12 與畫素電極12 ，因此，不需額外的制程即可降低圖案化氧化物半導(dǎo)體層122與畫素半導(dǎo)體層IM的電阻值，分別轉(zhuǎn)變?yōu)榭蓪?dǎo)電的奧姆接觸層12 與畫素電極12如。如此一來，可簡化此薄膜晶體管的制程。請參照圖IE及圖2E，接著，于圖案化氧化物半導(dǎo)體層122上方的閘絕緣層140上形成閘極G。形成閘極G的同時，更可于基板110上形成掃描線SL，且掃描線SL與閘極G 電性連接。閘極G與掃描線SL的材質(zhì)可使用金屬材料(如Ti、Mo、Al等)合金、金屬材料的氮化物、金屬材料的氧化物、金屬材料的氮氧化物等，且間極G與掃描線SL可為單一膜層或復(fù)合堆棧膜層。間極G與掃描線SL的制作方式可采用一般的濺鍍成膜、配合微影蝕刻制程(亦即光阻涂布、微影、蝕刻、剝膜等步驟)，而形成閘極G與掃描線SL的圖案，在此不予詳述。至此，閘極G、源極S與汲極D可構(gòu)成薄膜晶體管100。請參照圖IF及圖2F，還可于基板110上形成圖案化保護層150。圖案化保護層 150具有多個接觸窗開口 H，接觸窗開口 H曝露出薄膜晶體管的掃描線SL的端部SLt與資料線DL的端部DLT，以使掃描線SL與數(shù)據(jù)線DL經(jīng)由接觸窗開口 H電性連接到外部驅(qū)動訊號提供源PS。圖案化保護層150的材料可為無機材料(例如氮化硅、氧化硅、氮氧化硅、或上述至少二種材料的堆棧層)、有機材料或上述的組合。外部驅(qū)動訊號提供源PS例如為驅(qū)動芯片。綜上所述，薄膜晶體管100的制造方法是藉由形成閘絕緣層140的同時，一并形成了奧姆接觸層12 與畫素電極12 ，因此，不需額外的制程即可降低圖案化氧化物半導(dǎo)體層122與畫素半導(dǎo)體層124的電阻值。整體所需的光罩制程數(shù)量可減少、簡化薄膜晶體管 100的制程，且薄膜晶體管100可具有極佳的電氣特性。[薄膜晶體管]
圖IF為本發(fā)明一實施例的薄膜晶體管的上視示意圖。圖2F為根據(jù)圖IF的線A-A’所繪示的薄膜晶體管的剖面示意圖。請同時參照圖IF及圖2F，薄膜晶體管100可包括源極S、汲極D、圖案化氧化物半導(dǎo)體層122、圖案化蝕刻阻擋層130、閘絕緣層140、閘極G以及畫素電極12如。圖案化氧化物半導(dǎo)體層122位于源極S與汲極D之間，圖案化氧化物半導(dǎo)體層122具有兩奧姆接觸層 122a。圖案化蝕刻阻擋層130位于圖案化氧化物半導(dǎo)體層122上并曝露出奧姆接觸層122a。 閘絕緣層140覆蓋圖案化蝕刻阻擋層130與圖案化氧化物半導(dǎo)體層122。閘極G位于圖案化氧化物半導(dǎo)體層122上方的閘絕緣層140上。畫素電極12 經(jīng)由奧姆接觸層12 而電性連接汲極D，其中，畫素電極IMa、圖案化氧化物半導(dǎo)體層122與奧姆接觸層12 為位置相同的膜層，且畫素電極12 與奧姆接觸層12 的材質(zhì)相同。此外，薄膜晶體管100可進一步包括數(shù)據(jù)線DL與掃描線SL。數(shù)據(jù)線DL與源極S 電性連接。掃描線SL與閘極G電性連接。薄膜晶體管100更可包括圖案化保護層150，圖案化保護層150覆蓋整個薄膜晶體管，圖案化保護層150具有多個接觸窗開口 H，接觸窗開口 H曝露出薄膜晶體管的掃描線SL的端部SLt與資料線DL的端部DLT，以使掃描線SL與數(shù)據(jù)線DL經(jīng)由接觸窗開口 H電性連接到外部驅(qū)動訊號提供源PS。關(guān)于薄膜晶體管100的各組件的材質(zhì)已于上述薄膜晶體管的制造方法敘述過，在此不予以重述。上述的薄膜晶體管100具有簡單的結(jié)構(gòu)、制作成本低與極佳的電氣特性。綜上所述，本發(fā)明的薄膜晶體管及其制造方法至少具有以下優(yōu)點
藉由形成閘絕緣層的同時，對于圖案化氧化物半導(dǎo)體層與畫素半導(dǎo)體層進行氫摻雜而一并形成了奧姆接觸層與畫素電極，因此，不需額外的制程即可降低圖案化氧化物半導(dǎo)體層與畫素半導(dǎo)體層的電阻值，使薄膜晶體管的制程簡化且具有極佳的電氣特性。并且，相對于習(xí)知的氧化物半導(dǎo)體薄膜晶體管的光罩制程而言，上述的薄膜晶體管的制作方法的光罩制程的數(shù)量可減少。雖然本發(fā)明已以實施例揭露如上，然其并非用以限定本發(fā)明，任何所屬技術(shù)領(lǐng)域中具有通常知識者，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，當(dāng)可作些許的更動與潤飾，故本發(fā)明的保護范圍當(dāng)視后附的申請專利范圍所界定者為準。
權(quán)利要求
1.一種薄膜晶體管的制造方法，其特征在于，包括于一基板上形成彼此電性絕緣的一源極與一汲極；于該基板上同時形成一圖案化氧化物半導(dǎo)體層與一畫素半導(dǎo)體層，其中，該圖案化氧化物半導(dǎo)體層位于該源極與該汲極之間，該畫素半導(dǎo)體層位于一畫素電極預(yù)定區(qū)域；于該圖案化氧化物半導(dǎo)體層上形成一圖案化蝕刻阻擋層，曝露出位于該圖案化蝕刻阻擋層兩側(cè)的部分的該圖案化氧化物半導(dǎo)體層；于該基板上形成一閘絕緣層，于形成該閘絕緣層的過程中同時使被該圖案化蝕刻阻擋層所曝露出的部分該圖案化氧化物半導(dǎo)體層形成為兩奧姆接觸層、且使位于該畫素預(yù)定區(qū)域的該畫素半導(dǎo)體層形成為一畫素電極，該畫素電極與該汲極電性連接，而兩該些奧姆接觸層分別與該源極與該汲極電性連接；以及于該圖案化氧化物半導(dǎo)體層上方的該間絕緣層上形成一閘極。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管的制造方法，其特征在于所述畫素半導(dǎo)體層與該圖案化氧化物半導(dǎo)體層的材質(zhì)相同、且選自于氧化銦鎵鋅、氧化銦鋅、氧化銦鎵、氧化錫、氧化鎘、氧化鍺、氧化鎳鈷及其組合。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管的制造方法，其特征在于形成該些奧姆接觸層與該畫素電極的方法包括于形成該閘絕緣層的同時，對于該圖案化氧化物半導(dǎo)體層以及該畫素半導(dǎo)體進行一氫摻雜。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管，其特征在于該些奧姆接觸層與該畫素電極的材質(zhì)是選自于含氫的氧化銦鎵鋅、氧化銦鋅、氧化銦鎵、氧化錫、氧化鎘、氧化鍺、氧化鎳鈷及其組合。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管的制造方法，其特征在于于該基板上形成彼此電性絕緣的該源極與該汲極的同時，更包括于該基板上形成一數(shù)據(jù)線，且該數(shù)據(jù)線與該源極電性連接。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管的制造方法，其特征在于于該圖案化氧化物半導(dǎo)體層上方的該閘絕緣層上形成該閘極的同時，更包括于該基板上形成一掃描線，且該掃描線與該閘極電性連接。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管的制造方法，其特征在于于該圖案化氧化物半導(dǎo)體層上方的該間絕緣層上形成該間極之后，更包括于該基板上形成一圖案化保護層，具有多個接觸窗開口，曝露出該薄膜晶體管的一掃描線的端部與一資料線的端部，以使該掃描線與該數(shù)據(jù)線經(jīng)由該些接觸窗開口電性連接到一外部驅(qū)動訊號提供源。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管的制造方法，其特征在于所述源極、該汲極與該閘極的材質(zhì)包括單一膜層的金屬、或復(fù)合膜層的金屬。
9.一種薄膜晶體管，其特征在于，包括一源極與一汲極；一圖案化氧化物半導(dǎo)體層，位于該源極與該汲極之間，該圖案化氧化物半導(dǎo)體層具有兩奧姆接觸層；一圖案化蝕刻阻擋層，位于該圖案化氧化物半導(dǎo)體層上，曝露出該些奧姆接觸層；一閘絕緣層，覆蓋該圖案化蝕刻阻擋層與該圖案化氧化物半導(dǎo)體層； 一閘極，位于該圖案化氧化物半導(dǎo)體層上方的該間絕緣層上；以及一畫素電極，經(jīng)由該奧姆接觸層而電性連接該汲極，其中，該畫素電極、該圖案化氧化物半導(dǎo)體層與該些奧姆接觸層為位置相同的膜層，且該畫素電極與該些奧姆接觸層的材質(zhì)相同。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的薄膜晶體管，其特征在于所述圖案化氧化物半導(dǎo)體層的材質(zhì)是選自于氧化銦鎵鋅、氧化銦鋅、氧化銦鎵、氧化錫、氧化鎘、氧化鍺、氧化鎳鈷及其組合。
11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的薄膜晶體管，其特征在于所述奧姆接觸層與該畫素電極的材質(zhì)是選自于含氫的氧化銦鎵鋅、氧化銦鋅、氧化銦鎵、氧化錫、氧化鎘、氧化鍺、氧化鎳鈷及其組合。
12.根據(jù)權(quán)利要求9所述的薄膜晶體管，其特征在于，更包括一數(shù)據(jù)線，與該源極電性連接。
13.根據(jù)權(quán)利要求9所述的薄膜晶體管，其特征在于，更包括一掃描線，與該閘極電性連接。
14.根據(jù)權(quán)利要求9所述的薄膜晶體管，其特征在于，更包括一圖案化保護層，覆蓋整個該薄膜晶體管，該圖案化保護層具有多個接觸窗開口，曝露出該薄膜晶體管的一掃描線的端部與一資料線的端部，以使該掃描線與該數(shù)據(jù)線經(jīng)由該些接觸窗開口電性連接到一外部驅(qū)動訊號提供源。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種薄膜晶體管及其制造方法。薄膜晶體管的制造方法，包括于基板上形成彼此電性絕緣的源極與汲極。于基板上同時形成圖案化氧化物半導(dǎo)體層與畫素半導(dǎo)體層。于圖案化氧化物半導(dǎo)體層上形成圖案化蝕刻阻擋層，曝露出位于圖案化蝕刻阻擋層兩側(cè)的部分圖案化氧化物半導(dǎo)體層。于基板上形成閘絕緣層。于形成閘絕緣層的過程中同時使被圖案化蝕刻阻擋層所曝露出的部分圖案化氧化物半導(dǎo)體層形成為兩奧姆接觸層、且使畫素半導(dǎo)體層形成為畫素電極。于圖案化氧化物半導(dǎo)體層上方的閘絕緣層上形成閘極。
文檔編號H01L21/336GK102184865SQ20111009523
公開日2011年9月14日 申請日期2011年4月15日 優(yōu)先權(quán)日2011年4月15日
發(fā)明者張錫明 申請人:中華映管股份有限公司, 福州華映視訊有限公司