專利名稱：：導(dǎo)電元件及其制造方法、配線元件、信息輸入裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及導(dǎo)電元件、導(dǎo)電元件制造方法、配線元件、信息輸入裝置、顯示裝置和電子設(shè)備。更具體地，本發(fā)明涉及在基板表面上形成導(dǎo)電圖案的導(dǎo)電元件。
背景技術(shù)：
：迄今為止，利用光刻的電路圖案形成方法已經(jīng)被廣泛地用作用于在例如由玻璃或塑料制成的絕緣基板(基底)上以預(yù)定電路圖案形成導(dǎo)電層的方式。這種電路圖案形成方法通常通過使用“步驟和重復(fù)”處理或者與此類似的處理來執(zhí)行。更具體地，根據(jù)“步驟和重復(fù)”處理，通過“金屬層涂覆”、“抗蝕劑涂覆”、“曝光”、“顯影”、“去除”和“抗蝕劑剝離”這些步驟來形成電路圖案。因此，當(dāng)實(shí)際執(zhí)行時(shí)，利用光刻的電路圖案形成方法的產(chǎn)量較低。為了增加產(chǎn)量，提出了利用絲網(wǎng)印刷的電路圖案形成方法。根據(jù)利用絲網(wǎng)印刷的電路圖案形成方法，例如，通過使用橡膠輥并通過掩模在絕緣基板上涂覆金屬漿，然后烘焙所涂覆的金屬漿，以形成預(yù)定電路圖案的導(dǎo)電層。由于利用絲網(wǎng)印刷的電路圖案形成方法提供了高產(chǎn)量，所以已經(jīng)研究了其對(duì)于各種裝置的應(yīng)用。例如，日本未審查專利申請(qǐng)公開第2009-266025號(hào)公開了通過利用絲網(wǎng)印刷形成觸摸面板的電極的方法。此外，日本未審查專利申請(qǐng)公開第2005-149807號(hào)公開了通過利用絲網(wǎng)印刷形成圖像顯示設(shè)備的電極的方法。然而，絲網(wǎng)印刷的問題在于，掩模比較昂貴，以高精度對(duì)準(zhǔn)掩模是復(fù)雜的操作，并且形成在掩模中的孔容易被堵塞。因此，需要能夠代替絲網(wǎng)印刷實(shí)現(xiàn)高產(chǎn)量的電路圖案形成方法。
發(fā)明內(nèi)容因此，期望提供可以實(shí)現(xiàn)極好產(chǎn)量的導(dǎo)電元件、導(dǎo)電元件制造方法、配線元件、信息輸入裝置、顯示裝置和電子設(shè)備。根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式，提供了一種導(dǎo)電元件，包括基板，具有第一波狀面和第二波狀面；以及導(dǎo)電層，形成在第一波狀面上，其中，導(dǎo)電層形成導(dǎo)電圖案，并且第一波狀面和第二波狀面滿足以下關(guān)系，0彡(Ami/λml)<(Am2/λm2)^1.8(其中，Ami是第一波狀面的振動(dòng)的平均振幅，Am2是第二波狀面的振動(dòng)的平均振幅，λml是第一波狀面的平均波長，以及λm2是第二波狀面的平均波長)。根據(jù)本發(fā)明的另一實(shí)施方式，提供了一種導(dǎo)電元件，包括基板，具有第一波狀面和第二波狀面，每一個(gè)波狀面都具有不大于可見光的波長的波長；以及導(dǎo)電層，形成在第一和第二波狀面中的第一波狀面上，其中，導(dǎo)電層形成導(dǎo)電圖案，并且第二波狀面的振動(dòng)的平均振幅Am2大于第一波狀面的振動(dòng)的平均振幅Ami。根據(jù)本發(fā)明的又一實(shí)施方式，提供了一種導(dǎo)電元件制造方法，包括以下步驟在具有第一波狀面和第二波狀面的基板的表面上形成導(dǎo)電層；以及去除形成在基板表面上的導(dǎo)電層，其中，在去除導(dǎo)電層的過程中，由導(dǎo)電層制成的導(dǎo)電圖案形成在第一和第二波狀面中的第一波狀面上，并且第一波狀面和第二波狀面滿足以下關(guān)系，0彡(Ami/λml)<(Am2/λm2)^1.8(其中，Ami是第一波狀面的振動(dòng)的平均振幅，Am2是第二波狀面的振動(dòng)的平均振幅，λml是第一波狀面的平均波長，以及λm2是第二波狀面的平均波長)。根據(jù)本發(fā)明的又一實(shí)施方式，提供了一種導(dǎo)電元件制造方法，包括以下步驟在具有第一波狀面和第二波狀面的基板的表面上形成導(dǎo)電層，每一個(gè)波狀面都具有不大于可見光的波長的波長；以及去除形成在基板表面上的導(dǎo)電層，其中，第二波狀面的振動(dòng)的平均振幅Am2大于第一波狀面的振動(dòng)的平均振幅Ami，第二波狀面的振動(dòng)的平均振幅Am2與第二波狀面的平均波長λπ的比率(Am2/Xm2)為1.8以下，并且在去除導(dǎo)電層的過程中，由導(dǎo)電層制成的導(dǎo)電圖案形成在第一和第二波狀面中的第一波狀面上。在本發(fā)明的實(shí)施方式中，優(yōu)選地，形成在平坦面(表示第一波狀面的一個(gè)實(shí)例)上的導(dǎo)電層的面積大于形成在波狀面(表示第二波狀面的一個(gè)實(shí)例)上的導(dǎo)電層的面積。優(yōu)選地，導(dǎo)電層連續(xù)形成在平坦面上，但導(dǎo)電層不連續(xù)地形成在波狀面上。優(yōu)選地，形成在平坦面上的導(dǎo)電層的厚度大于形成的波狀面上的導(dǎo)電層的厚度。在本發(fā)明的實(shí)施方式中，優(yōu)選地，導(dǎo)電層的表面電阻為5000Ω/口(單位面積)以下。導(dǎo)電層優(yōu)選包含從包括導(dǎo)電高聚物、金屬納米粒子和碳納米管的組中所選擇的至少一種。導(dǎo)電層優(yōu)選包含透明氧化物半導(dǎo)體。透明氧化物半導(dǎo)體優(yōu)選為氧化銦錫或氧化鋅。導(dǎo)電層優(yōu)選為非晶相和多晶相的混合狀態(tài)。導(dǎo)電圖案優(yōu)選為配線圖案。優(yōu)選地，波狀面為通過以一維陣列配置多個(gè)結(jié)構(gòu)所形成的一維波狀面或者通過以二維陣列配置多個(gè)結(jié)構(gòu)所形成的二維波狀面。導(dǎo)電元件可以適用于配線元件、信息輸入裝置、顯示裝置和電子設(shè)備。在本發(fā)明的實(shí)施方式中，優(yōu)選地，第一波狀面和第二波狀面滿足以下關(guān)系，并且第二波狀面的平均波長λπι2不大于可見光的波長，(Ami/λml)=0且0<(Am2/λm2)彡1·8。在本發(fā)明的實(shí)施方式中，優(yōu)選地，第一波狀面和第二波狀面滿足以下關(guān)系，并且第一波狀面的平均波長λml不大于可見光的波長，0<(Ami/λml)<(Am2/λm2)彡1.8。在本發(fā)明的實(shí)施方式中，優(yōu)選地，第一波狀面和第二波狀面滿足以下關(guān)系，并且第二波狀面的平均波長λπι2不小于lOOnm，(Ami/λml)=0且0<(Am2/λm2)彡1·8。在本發(fā)明的實(shí)施方式中，優(yōu)選地，第一波狀面和第二波狀面滿足以下關(guān)系，并且第一波狀面的平均波長λml和第二波狀面的平均波長λπι2都不小于lOOnm，0<(Ami/λml)<(Am2/λm2)彡1.8。在本發(fā)明的實(shí)施方式中，優(yōu)選地，根據(jù)本發(fā)明的導(dǎo)電元件還包括殘留膜，其通過去除涂覆在第一波狀面以及第二波狀面上的導(dǎo)電層而部分地形成在第二波狀面上，并且導(dǎo)電層和殘留膜滿足以下關(guān)系，Sl>S2(其中，Sl是導(dǎo)電層的面積，S2是殘留膜的面積)。在這種情況下，優(yōu)選地，形成在第一波狀面上的導(dǎo)電層連續(xù)地形成在第一波狀面上，而形成在第二波狀面上的殘留膜不連續(xù)地形成在第二波狀面上。在本發(fā)明的實(shí)施方式中，優(yōu)選地，導(dǎo)電元件還包括殘留膜，其通過去除涂覆在第一波狀面以及第二波狀面上的導(dǎo)電層而部分地形成在第二波狀面上，并且導(dǎo)電層和殘留膜滿足以下關(guān)系，dl>d2(其中，dl是導(dǎo)電層的厚度，d2是殘留膜的厚度)。根據(jù)本發(fā)明的上述實(shí)施方式，可以實(shí)現(xiàn)高產(chǎn)量。圖IA是示出根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施方式的導(dǎo)電元件的結(jié)構(gòu)的一個(gè)實(shí)例的平面圖，圖IB是示出根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施方式的導(dǎo)電元件的結(jié)構(gòu)的一個(gè)實(shí)例的沿著圖IA中的線IB-IB截取的截面圖，以及圖IC是示出根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施方式的導(dǎo)電元件的第一區(qū)域中的層結(jié)構(gòu)的截面圖；圖2A是圖IA所示第二區(qū)域的一部分的放大平面圖，圖2B是沿著圖2A中的軌跡Tl、T3等的每一個(gè)截取的截面圖，圖2C是沿著圖2A中的軌跡T2、T4等的每一個(gè)截取的截面圖，圖2D是示出用于形成對(duì)應(yīng)于圖2A中的軌跡Tl、T3等的每一個(gè)的潛像的激光束的調(diào)制波形的示圖，以及圖2E是示出用于形成對(duì)應(yīng)于圖2A中的軌跡T2、T4等的每一個(gè)的潛像的激光束的調(diào)制波形的示圖；圖3是圖IA所示第二區(qū)域的一部分的放大透視圖；圖4A是沿著圖2A所示第二區(qū)域中的軌跡延伸方向截取的截面圖，以及圖4B是沿著圖2A所示第二區(qū)域中的θ方向截取的截面圖；圖5是圖IA所示第二區(qū)域的一部分的放大透視圖；圖6是圖IA所示第二區(qū)域的一部分的放大透視圖；圖7是圖IA所示第二區(qū)域的一部分的放大透視圖；圖8是解釋當(dāng)結(jié)構(gòu)之間的邊界不清楚時(shí)設(shè)置結(jié)構(gòu)的底面的方式的示圖；圖9Α至圖9D示出了當(dāng)改變底面的橢圓率時(shí)結(jié)構(gòu)的底面的形狀；圖IOA示出了每一個(gè)都具有圓錐狀或截頂圓錐狀的結(jié)構(gòu)的陣列的一個(gè)實(shí)例，以及圖IOB示出了每一個(gè)都具有橢圓錐狀或截頂橢圓錐狀的結(jié)構(gòu)的陣列的一個(gè)實(shí)例；圖IlA是示出用于制造基板的輥狀母盤的結(jié)構(gòu)的一個(gè)實(shí)例的透視圖，以及圖IlB是示出圖IlA所示輥狀母盤的一部分的放大透視圖；圖12Α是示出圖IlA所示輥狀母盤的一部分的放大截面圖，以及圖12Β是示出圖IlA所示第二區(qū)域的一部分的放大平面圖；圖13是示出輥狀母盤曝光設(shè)備的結(jié)構(gòu)的一個(gè)實(shí)例的框圖；圖14Α至圖14C示出了解釋用于制造根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施方式的導(dǎo)電元件的方法的一個(gè)實(shí)例的連續(xù)步驟；圖15Α至圖15C示出了解釋用于制造根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施方式的導(dǎo)電元件的方法的一個(gè)實(shí)例的連續(xù)步驟；圖16Α至圖16C示出了解釋用于制造根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施方式的導(dǎo)電元件的方法的一個(gè)實(shí)例的連續(xù)步驟；圖17Α是根據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施方式的導(dǎo)電元件的第二區(qū)域的一部分的放大平面6圖，圖17B是沿著根據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施方式的導(dǎo)電元件的第二區(qū)域中的軌跡Tl、T3等的每一個(gè)所截取的截面圖，圖17C是沿著圖17A中的軌跡T2、T4等的每一個(gè)所截取的截面圖，圖17D是示出用于形成對(duì)應(yīng)于圖17A中的軌跡T1、T3等的每一個(gè)的潛像的激光束的調(diào)制波形的示圖，以及圖17Ε是示出用于形成對(duì)應(yīng)于圖17Α中的軌跡Τ2、Τ4等的每一個(gè)的潛像的激光束的調(diào)制波形的示圖；圖18示出了當(dāng)改變底面的橢圓率時(shí)結(jié)構(gòu)的底面的形狀；圖19Α是示出用于制造基板的輥狀母盤的一部分的放大透視圖，以及圖19Β是示出圖19Α所示第二區(qū)域的放大平面圖；圖20Α是根據(jù)本發(fā)明第三實(shí)施方式的導(dǎo)電元件的結(jié)構(gòu)的一個(gè)實(shí)例的平面圖，圖20Β是示出根據(jù)本發(fā)明第三實(shí)施方式的導(dǎo)電元件的結(jié)構(gòu)的一個(gè)實(shí)例的沿著圖20Α中的線XXB-XXB截取的截面圖，以及圖20C是示出根據(jù)本發(fā)明第三實(shí)施方式的導(dǎo)電元件的第一區(qū)域中的層結(jié)構(gòu)的截面圖；圖21Α是示出用于制造基板的輥狀母盤的結(jié)構(gòu)的一部分的放大透視圖，以及圖21Β是示出用于制造基板的輥狀母盤的一部分的放大截面圖；圖22Α是示出根據(jù)本發(fā)明第四實(shí)施方式的導(dǎo)電元件的結(jié)構(gòu)的一個(gè)實(shí)例的截面圖，以及圖22Β是示出根據(jù)本發(fā)明第四實(shí)施方式的導(dǎo)電元件的變形例的截面圖；圖23Α是示出根據(jù)本發(fā)明第五實(shí)施方式的盤狀母盤的結(jié)構(gòu)的一個(gè)實(shí)例的平面圖，以及圖2是示出圖23A所示盤狀母盤的一部分的放大平面圖；圖M是示出盤狀母盤曝光設(shè)備的結(jié)構(gòu)的一個(gè)實(shí)例的框圖；圖25A是示出根據(jù)本發(fā)明第六實(shí)施方式的導(dǎo)電元件的結(jié)構(gòu)的一個(gè)實(shí)例的截面圖，以及圖25B是是示出根據(jù)本發(fā)明第六實(shí)施方式的導(dǎo)電元件的第二區(qū)域的一部分的放大透視圖；圖^A是示出根據(jù)本發(fā)明第七實(shí)施方式的導(dǎo)電元件的結(jié)構(gòu)的一個(gè)實(shí)例的平面圖，以及圖26B是示出根據(jù)本發(fā)明第七實(shí)施方式的導(dǎo)電元件的結(jié)構(gòu)的一個(gè)實(shí)例的沿著圖26A中的線XXVIB-XXVIB截取的截面圖；圖27是示出根據(jù)本發(fā)明第八實(shí)施方式的液晶顯示裝置的結(jié)構(gòu)的一個(gè)實(shí)例的透視圖；圖觀是示出根據(jù)本發(fā)明第九實(shí)施方式的設(shè)置有觸摸面板的顯示裝置的結(jié)構(gòu)的一個(gè)實(shí)例的透視圖；圖^A是示出根據(jù)本發(fā)明第九實(shí)施方式的觸摸面板的結(jié)構(gòu)的第一實(shí)例的透視圖，以及圖29B是示出本發(fā)明第九實(shí)施方式中的第一基板的結(jié)構(gòu)的一個(gè)實(shí)例的分解透視圖；圖30A是示出本發(fā)明第九實(shí)施方式的觸摸面板的結(jié)構(gòu)的第二實(shí)例的透視圖，以及圖30B是示出第一基板的結(jié)構(gòu)的一個(gè)實(shí)例的分解透視圖；圖31A是根據(jù)本發(fā)明第十實(shí)施方式的IC卡的結(jié)構(gòu)的一個(gè)實(shí)例的平面圖，以及圖31B是示出圖31A所示IC卡的一部分的放大平面圖；圖32A是示出根據(jù)本發(fā)明第十一實(shí)施方式的顯示裝置的結(jié)構(gòu)的一個(gè)實(shí)例的截面圖，圖32B是示出圖32A所示配線區(qū)域的放大截面圖，以及圖32C是示出圖32A所示非配線區(qū)域的放大截面圖；圖33是示出蝕刻之前和之后的用于測試?yán)?的光學(xué)片的光譜反射系數(shù)的圖表；圖34A示出了用于制造根據(jù)實(shí)施例1的透明導(dǎo)電片的石英母盤的成形表面，以及圖34B示出了用于評(píng)估根據(jù)實(shí)施例1的透明導(dǎo)電片的導(dǎo)電-非導(dǎo)電的點(diǎn)；圖35是描繪相對(duì)于初始電阻值和蝕刻時(shí)間的變化率(即，假想厚度的變化)的倒數(shù)之間的關(guān)系的示圖；圖36A是示出根據(jù)變形例的第二區(qū)域的一部分的放大透視圖，以及圖36B是示出圖36A所示第二區(qū)域的一部分的放大平面圖。具體實(shí)施例方式參照附圖以以下順序描述本發(fā)明的實(shí)施方式。1.第一實(shí)施方式(通過利用波狀面的存在或不存在在基板表面上形成配線圖案參見圖1A)2.第二實(shí)施方式(以四方柵格圖案配置結(jié)構(gòu)參見圖17A)3.第三實(shí)施方式(通過利用兩種類型的波狀面之間的差異在基板表面上形成配線圖案參見圖20A)4.第四實(shí)施方式(配線圖案形成在兩個(gè)基板表面上參見圖22A和圖22B)5.第五實(shí)施方式(表示制造盤狀母盤的實(shí)例參見圖23A和圖23B)6.第六實(shí)施方式(結(jié)構(gòu)為凹陷形式參見圖25A和圖25B)7.第七實(shí)施方式(隨機(jī)形成結(jié)構(gòu)參見圖26A和圖^B)8.第八實(shí)施方式(表示對(duì)顯示裝置的應(yīng)用參見圖27)9.第九實(shí)施方式(表示對(duì)信息輸入裝置的應(yīng)用參見圖29A和圖30A)10.第十實(shí)施方式(表示對(duì)IC卡的應(yīng)用參見圖31A和圖31B)11.第^^一實(shí)施方式(表示對(duì)顯示裝置的應(yīng)用參見圖32A至圖32C)<1.第一實(shí)施方式>[導(dǎo)電(光學(xué))元件的結(jié)構(gòu)]圖IA是示出根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施方式的導(dǎo)電元件的結(jié)構(gòu)的一個(gè)實(shí)例的平面圖，圖IB是示出根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施方式的導(dǎo)電元件的結(jié)構(gòu)的一個(gè)實(shí)例的沿著圖IA中的線IB-IB截取的截面圖，以及圖IC是示出根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施方式的導(dǎo)電元件的第一區(qū)域中的層結(jié)構(gòu)的截面圖。在以下描述中，在其上形成電路的包括導(dǎo)電元件1的表面的平面中彼此垂直的兩個(gè)方向被稱為X軸方向和Y軸方向，并且垂直于其上形成電路的表面的方向被稱為Z軸方向。根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施方式的導(dǎo)電元件1包括基板2，具有交替形成在其上的第一區(qū)域R1和第二區(qū)域&；以及導(dǎo)電層4，連續(xù)形成在第一區(qū)域R1和第二區(qū)域&中的一個(gè)R1中以提供配線圖案(導(dǎo)電圖案)。例如，導(dǎo)電層4由具有導(dǎo)電性的單層膜形成。結(jié)合在第一區(qū)域R1中形成配線圖案的情況(作為導(dǎo)電圖案的一個(gè)實(shí)例)進(jìn)行以下描述。然而，導(dǎo)電圖案不限于配線圖案，其可被設(shè)置為具有導(dǎo)電性的各種圖案中適當(dāng)?shù)囊环N。例如，導(dǎo)電圖案可以被形成為電極圖案。從減小表面電阻的觀點(diǎn)來看，如圖IC所示，導(dǎo)電元件1優(yōu)選還包括金屬層5，其以與導(dǎo)電層4垂直相鄰(或堆疊)的關(guān)系形成在第一區(qū)域R1中的基板表面上。導(dǎo)電元件1實(shí)際上被用于構(gòu)成例如印刷電路板、圖像顯示裝置或信息輸入裝置。印刷電路板的實(shí)例包括剛性板、柔性板和剛性-柔性板。圖像顯示裝置的實(shí)例包括液晶顯示裝置和電致發(fā)光(EL)裝置(諸如有機(jī)EL裝置和無機(jī)EL裝置)。(第一區(qū)域R1和第二區(qū)域I)例如，在第二區(qū)域&中的基板表面上形成波長不大于可見光的波長的波狀面Sw2。此外，在波狀面Sw2上，根本沒有形成導(dǎo)電層4，或者以不連續(xù)狀態(tài)形成導(dǎo)電層4。例如，波狀面Sw2是凹凸面，其中，以與不大于可見光波長的波長相對(duì)應(yīng)的排列節(jié)距來形成多個(gè)結(jié)構(gòu)3。另一方面，例如，在第一區(qū)域Rl中的基板表面上形成平坦面Spl，并且在平坦面Spl上連續(xù)形成導(dǎo)電層4。因此，第二區(qū)域民用作建立形成在第二區(qū)域&的兩側(cè)的相鄰第一區(qū)域隊(duì)上的導(dǎo)電層4之間的絕緣的絕緣區(qū)域。相反，連續(xù)形成在第一區(qū)域R1中的導(dǎo)電層4在第一區(qū)域Rl延伸的方向上具有導(dǎo)電性，并且其用作配線圖案(導(dǎo)電圖案)。優(yōu)選地，平坦面Spl和波狀面Sw2滿足以下關(guān)系(Ami/λml)=0.0<(Am2/λm2)^1.8(其中，Ami是平坦面Spl的振動(dòng)(vibration)的平均振幅，Am2是波狀面Sw2的振動(dòng)的平均振幅，λml是平坦面Spl的平均波長，以及λm2是波狀面Sw2的平均波長)。由于平坦面Spl可以被認(rèn)為是其振動(dòng)的平均振幅為“0”的波狀面，所以平坦面Spl的平均振動(dòng)振幅Aml和平均波長λπι以及比率(Aml/λπι)可以如上所述進(jìn)行定義。在比率(Am2/λm2)>1.8的情況下，存在在轉(zhuǎn)印波狀面Sw2的步驟中引起剝離不良且損壞波狀面Sw2的趨勢。例如，波狀面Sw2是一維或二維波狀面，其波長不大于可見光的波長。更具體地，例如，波狀面Sw2是凹凸面，其中，通過以與不大于可見光波長的波長相對(duì)應(yīng)的排列節(jié)距以一維或二維陣列配置形成多個(gè)結(jié)構(gòu)3。波狀面Sw2的平均波長λm2優(yōu)選在不小于IOOnm的范圍內(nèi)。如果平均波長λm2小于lOOnm，則存在在形成波狀面Sw2的過程中難度增加的趨勢。此外，波狀面Sw2的平均波長λm2優(yōu)選在不大于100μm的范圍內(nèi)。如果平均波長λπι2大于ΙΟΟμπι，則會(huì)在印刷(in-printing)和膜形成的過程中發(fā)生階梯覆蓋的問題，由此發(fā)生缺陷。優(yōu)選地，在第二區(qū)域&中根本不存在導(dǎo)電層4。然而，導(dǎo)電層4可以以允許第二區(qū)域&用作絕緣區(qū)域的這種狀態(tài)而存在于第二區(qū)域&上。在后一種情況下，形成在第一區(qū)域R1中的導(dǎo)電層4的面積優(yōu)選大于形成在第二區(qū)域&中的導(dǎo)電層4的面積。更具體地，優(yōu)選地，導(dǎo)電層4連續(xù)形成在第一區(qū)域R1中，而導(dǎo)電層4例如以島狀狀態(tài)不連續(xù)地形成在第二區(qū)域&中。作為可選，形成在第二區(qū)域民中的導(dǎo)電層4的厚度可以以形成在第二區(qū)域&中的導(dǎo)電層4基本沒有顯示出導(dǎo)電性且第二區(qū)域&能夠用作絕緣區(qū)域的這種程度而小于形成在第一區(qū)域R1中的導(dǎo)電層4的厚度。作為另一種方式，導(dǎo)電層4或者其一部分優(yōu)選在第二區(qū)域&中根本沒有作為殘留膜而存在，但是其可以以第二區(qū)域&能夠用作絕緣區(qū)域的這種程度而存在為殘留膜。當(dāng)在第二區(qū)域&中存在殘留膜的情況下，并且形成在第一區(qū)域R1中的導(dǎo)電層4和存在于第二區(qū)域&的殘留膜優(yōu)選滿足以下關(guān)系Sl>S2(其中，Sl是導(dǎo)電層4的面積，S2是殘留膜的面積)。當(dāng)滿足上述關(guān)系時(shí)，優(yōu)選地，導(dǎo)電層4連續(xù)形成在第一區(qū)域Rl中，而殘留膜以例如島狀的狀態(tài)不連續(xù)地存在于第二區(qū)域R2中。此外，當(dāng)在第二區(qū)域R2中存在殘留膜時(shí)，形成在第一區(qū)域隊(duì)中的導(dǎo)電層4和存在于第二區(qū)域&的殘留膜優(yōu)選滿足以下關(guān)系dl>d2(其中，dl是導(dǎo)電層4的厚度，d2是殘留膜的厚度)。當(dāng)滿足上述關(guān)系時(shí)，殘留膜的厚度優(yōu)選以殘留膜基本上不顯示導(dǎo)電性且第二區(qū)域R2能夠用作絕緣區(qū)域的這種程度而小于形成在第一區(qū)域Rl中的導(dǎo)電層4的厚度。雖然圖IA表示了連續(xù)形成在第一區(qū)域R1中的導(dǎo)電層(S卩，配線圖案)具有直線形狀的情況，但配線圖案不限于直線形狀，并且配線圖案可以根據(jù)電路設(shè)計(jì)等具有期望的形狀。注意，例如，當(dāng)導(dǎo)電層4不連續(xù)地形成在第二區(qū)域民中時(shí)，因?yàn)槠湓谶@種情況下不能用作配線圖案，因此從圖中省略導(dǎo)電層4。換句話說，在附圖中沒有示出殘留膜。通過在包括波狀面Sw2的振動(dòng)幅度最大的位置的一個(gè)方向上切割波狀面Sw2獲得的截面具有三角形波形狀、正弦波形狀、重復(fù)二次曲線或二次曲線的一部分的波形狀、與上述形狀近似的形狀等。二次曲線的實(shí)例包括圓、橢圓和拋物線。波狀面Sw2的振動(dòng)的平均振幅Am2及其平均波長λm2的比率(Am2/λm2)優(yōu)選為1.8以下。如果比率(Am2/Xm2)超過1.8，則存在在轉(zhuǎn)印結(jié)構(gòu)3的步驟中引起剝離不良且損壞結(jié)構(gòu)3的趨勢。這里，如下確定波狀面Sw2的平均波長λm2及其振動(dòng)的平均振幅Am2。首先，在包括第二區(qū)域R2中的波狀面Sw2的振動(dòng)幅度最大的位置的一個(gè)方向上切割導(dǎo)電元件1，并通過TEM(透射電子顯微鏡)拍攝所切割截面的照片。然后，根據(jù)所拍攝的TEM照片確定波狀面Sw2的波長λ2及其振動(dòng)的幅度Α2。在從導(dǎo)電元件1中隨機(jī)選擇的10個(gè)點(diǎn)處重復(fù)上述測量之后，簡單地取測量值的平均(算術(shù)平均)以獲得波狀面Sw2的平均波長Xm及其振動(dòng)的平均振幅Am2。然后，通過使用如上所述確定的波狀面Sw2的平均波長λπι及其振動(dòng)的平均振幅Am2獲得波狀面Sw2的比率(Am2/λm2)。以下將一一描述導(dǎo)電元件1的基板2、結(jié)構(gòu)3、導(dǎo)電層4和金屬層5。(基板)例如，基板2是具有透明性或不透明性的基板。例如，基板2可以由諸如塑料材料的有機(jī)材料或者諸如玻璃的無機(jī)材料制成。這里可用的玻璃的實(shí)例包括鈣鈉玻璃、鉛玻璃、硬質(zhì)玻璃、石英玻璃和液晶玻璃(參見“化學(xué)便覽(ChemicalHandbook)”，基礎(chǔ)編，P.1-537，由ChemicalSocietyofJapan編輯)。不僅考慮到諸如透明性、折射率和散射的光學(xué)特性，而且考慮到諸如耐沖擊性、耐熱性和耐久性的各種特性，塑料材料的優(yōu)選實(shí)例包括(甲基)丙烯酸樹脂，例如聚甲基丙烯酸甲酯、甲基丙烯酸甲酯和其他乙烯基單體(諸如烷基(甲基)丙烯酸脂和苯乙烯)的共聚物；聚碳酸酯樹脂，諸如聚碳酸酯和二甘醇雙烯丙烯碳酸酯(CR-39)；熱固性(甲基)丙烯酸樹脂，諸如(溴化)雙酚A二(甲基)丙烯酸酯的均聚物或共聚物，以及(溴化)雙酚A單(甲基)丙烯酸酯的聚氨酯改性單體的聚合物或共聚物；以及聚酯，尤其是聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯和不飽和聚酯，以及丙烯腈-苯乙烯共聚物、聚氯乙烯、聚亞安酯、環(huán)氧樹脂、多芳基化合物、聚醚砜、聚醚酮和環(huán)烯聚合物(商標(biāo)名=ARTON和ZE0N0R)。此外，還可以使用考慮耐熱性的芳族聚酰胺樹脂。當(dāng)塑料基板被用作基板2時(shí)，可以形成下涂層以用于表面處理，以提高塑料表面的表面能、涂覆特性、滑動(dòng)特性、平面性等。用于下涂層的材料實(shí)例包括有機(jī)烷氧基金屬化合物、聚酯、丙烯酸改性聚酯和聚亞安酯?？蛇x地，基板2的表面可以用電暈放電或UV照射來處理，以獲得等效于下涂層所獲得的效果。當(dāng)基板2是塑料膜時(shí)，例如，可以通過拉伸一種上述樹脂的方法或者用溶劑稀釋一種上述樹脂、以膜的形式涂覆所稀釋的樹脂并干燥膜的方法來獲得基板2。例如，基板2的厚度為大約25μm至500μm。例如，基板2可以為膜、板或塊的形式，但是基板2的形式不限于這些特定實(shí)例。這里，所定義的術(shù)語“膜”包括片。(結(jié)構(gòu))圖2A是圖IA所示第二區(qū)域的一部分的放大平面圖。圖2B是沿著圖2A中的軌跡Tl、T3等的每一個(gè)截取的截面圖，以及圖2C是沿著圖2A中的軌跡T2、T4等的每一個(gè)截取的截面圖。圖2D是用于形成對(duì)應(yīng)于圖2A中的軌跡T1、T3等的每一個(gè)的潛像的激光束的調(diào)制波形的示圖，以及圖2Ε是用于形成對(duì)應(yīng)于圖2Α中的軌跡Τ2、Τ4等的每一個(gè)的潛像的激光束的調(diào)制波形的示圖。圖3以及圖5至圖7分別是圖IA所示第二區(qū)域的一部分的放大透視圖。圖4Α是沿著圖2Α所示第二區(qū)域中的軌跡延伸方向所截取的截面圖，以及圖4Β是沿著圖2Α所示第二區(qū)域中的θ方向所截取的截面圖。在第二區(qū)域&中，在基板2的表面上配置具有凸?fàn)畹亩鄠€(gè)結(jié)構(gòu)3。利用凸?fàn)罱Y(jié)構(gòu)3的存在，波狀面Sw2形成在第二區(qū)域&中的基板2的表面上。例如，結(jié)構(gòu)3與基板2獨(dú)立形成或者與基板2—體形成。當(dāng)結(jié)構(gòu)3和基板2彼此獨(dú)立形成時(shí)，根據(jù)需要可以在結(jié)構(gòu)3和基板2之間形成底部基層。底部基層是與結(jié)構(gòu)3的底側(cè)一體形成的層并且例如通過固化與結(jié)構(gòu)3所使用的能量線可固化樹脂組分類似的能量線可固化樹脂組分來形成。底部基層的厚度不限于特定值，并且可以根據(jù)需要任意選擇。結(jié)構(gòu)3的縱橫比(Hm/Pm)優(yōu)選滿足以下關(guān)系0<(Hm/Pm)^1.8(其中，Hm是結(jié)構(gòu)3的平均高度，Pm是結(jié)構(gòu)3的平均排列節(jié)距)。在(Hm/Pm)>1.8的情況下，存在在轉(zhuǎn)印結(jié)構(gòu)3的步驟中引起剝離不良并損壞結(jié)構(gòu)3的趨勢。例如，可以以一維或二維陣列來配置多個(gè)結(jié)構(gòu)3。例如，結(jié)構(gòu)3的陣列可以為規(guī)則或不規(guī)則陣列。優(yōu)選地，根據(jù)母盤制造方法等來選擇規(guī)則或不規(guī)則陣列中適當(dāng)?shù)囊环N。從減少光反射的觀點(diǎn)來看，優(yōu)選地，結(jié)構(gòu)3以與不大于欲減少反射的頻帶中的光的波長的波長相對(duì)應(yīng)的排列節(jié)距(例如，以與不大于可見光的波長的波長相對(duì)應(yīng)的排列節(jié)距)來二維循環(huán)配置結(jié)構(gòu)3。這里，術(shù)語“排列節(jié)距”是指平均排列節(jié)距P。例如，欲減少反射的光的波長帶為紫外線波長帶、可見光波長帶或紅外線波長帶。這里，術(shù)語“紫外線波長帶”是指IOnm以上360nm以下的波長帶。術(shù)語“可見光波長帶”是指360nm以上830nm以下的波長帶。術(shù)語“紅外線波長帶”是指830nm以上Imm以下的波長帶。實(shí)際上，結(jié)構(gòu)3的平均排列節(jié)距優(yōu)選在180nm以上350nm以下的范圍內(nèi)，更優(yōu)選為IOOnm以上320nm以下，更優(yōu)選為IlOnm以上^Onm以下。如果平均排列節(jié)距小于180nm，則存在制造結(jié)構(gòu)3的過程中的難度增加的趨勢。另一方面，如果平均排列節(jié)距超過350nm，則存在引起可見光衍射的趨勢。在導(dǎo)電元件1中，配置結(jié)構(gòu)3以在基板2的表面上形成軌跡T1、T2、T3等(以下統(tǒng)稱為“軌跡Τ”)的多行。在本發(fā)明的申請(qǐng)文件中，術(shù)語“軌跡(track)”是指以直線或曲線連續(xù)形成結(jié)構(gòu)3的區(qū)域。此外，術(shù)語“列方向”是指在基板2的成形面中與軌跡延伸的方向(例如，X軸方向)垂直的方向。在通過彼此相鄰的兩條軌跡T之間的半個(gè)節(jié)距偏移的位置處配置結(jié)構(gòu)3。更具體地，參見彼此相鄰的兩條軌跡T，另一軌跡(例如，T2)中的結(jié)構(gòu)3被配置在一個(gè)軌跡(例如，Tl)中配置的結(jié)構(gòu)3之間的中間位置(偏移一半節(jié)距的位置)。從而，如圖2A所示，在相鄰軌跡(Tl至T3)的每三行中排列結(jié)構(gòu)3，以形成六角形柵格圖案或準(zhǔn)六角形柵格圖案，其中，結(jié)構(gòu)3的中心位于七個(gè)點(diǎn)al至a7處。在該實(shí)施方式中，術(shù)語“六角形柵格圖案”是指規(guī)則的六角形柵格圖案。此外，不同于規(guī)則的六角形柵格圖案，術(shù)語“準(zhǔn)六角形柵格圖案”是指通過在軌跡延伸方向(例如，X軸方向)上延伸而變形的六角形柵格圖案。當(dāng)以準(zhǔn)六角形柵格圖案排列結(jié)構(gòu)3時(shí)，優(yōu)選地，如圖2A所示，相同軌跡(例如，軌跡Tl)中結(jié)構(gòu)3的排列節(jié)距Pl(例如，al和a2之間的距離)大于兩個(gè)相鄰軌跡(例如，Tl和T2)之間的結(jié)構(gòu)3的排列節(jié)距，即相對(duì)于軌跡延伸方向的士θ方向上的結(jié)構(gòu)3的排列節(jié)距Ρ2(例如，al和a7之間的距離以及a2和a7之間的距離)。通過如上所述排列結(jié)構(gòu)3，可以進(jìn)一步增加結(jié)構(gòu)3的充填密度。從形成結(jié)構(gòu)3的容易度的觀點(diǎn)來看，結(jié)構(gòu)3優(yōu)選具有軸對(duì)稱錐形形狀或在軌跡方向上延伸或收縮的錐形形狀。當(dāng)相鄰的結(jié)構(gòu)3彼此結(jié)合時(shí)，除了結(jié)構(gòu)3的與相鄰結(jié)構(gòu)結(jié)合的各自的下部之外，結(jié)構(gòu)3優(yōu)選具有軸對(duì)稱錐形形狀或在軌跡方向上延伸或收縮的錐形形狀。錐形形狀的實(shí)例包括圓錐形狀、截頂圓錐形狀、橢圓錐形狀和截頂橢圓錐形狀。這里，如上所述，術(shù)語“錐形形狀”是指不僅包括圓錐形狀和截頂圓錐形狀而且還包括橢圓錐形狀和截頂橢圓錐形狀的概念。此外，術(shù)語“截頂圓錐形狀”是指通過切掉圓錐形狀的頂部而獲得的形狀，以及術(shù)語“截頂橢圓錐形狀”是指通過切掉橢圓錐形狀的頂部而獲得的形狀。優(yōu)選地，結(jié)構(gòu)3具有錐形形狀，在該錐形形狀的底面中，軌跡延伸方向上的結(jié)構(gòu)3的寬度大于與軌跡延伸方向垂直的列方向上的結(jié)構(gòu)3的寬度。更具體地，如圖3和圖5所示，結(jié)構(gòu)3優(yōu)選具有這樣的橢圓錐形狀，其中，底面是具有長軸和短軸的橢圓形、長圓形(oblong)或卵形，并且頂部具有曲面。作為可選，如圖6所示，結(jié)構(gòu)3優(yōu)選具有這樣的截頂橢圓錐形狀，其中，底面是具有長軸和短軸的橢圓形、長圓形或卵形，并且頂部具有平坦面。結(jié)構(gòu)3均具有可以在列方向上以更大的充填率排列的這種形狀。從提高反射特性的觀點(diǎn)來看，結(jié)構(gòu)3優(yōu)選具有這樣的錐形形狀(參見圖5)，其中，頂部的斜度比較緩和，從中部到底部斜度變得逐漸陡峭。從提高反射特性和透射特性的觀點(diǎn)來看，結(jié)構(gòu)3優(yōu)選具有這樣的錐形形狀(參見圖3)，其中，中部的斜度比底部和頂部的斜度陡峭，或者具有這樣的錐形形狀(參見圖6)，其中，頂部具有平坦面。當(dāng)結(jié)構(gòu)3具有橢圓錐形狀或截頂橢圓錐形狀時(shí)，其底面的長軸的方向優(yōu)選平行于軌跡延伸方向。在圖3等中，結(jié)構(gòu)3具有相同的形狀。然而，結(jié)構(gòu)3的形狀在一個(gè)導(dǎo)電元件1中不限于一種形狀，可以在基板表面上形成具有兩種以上形狀的結(jié)構(gòu)3。此外，結(jié)構(gòu)3可以與基板2—體形成。如圖3以及圖5至圖7所示，優(yōu)選在結(jié)構(gòu)3的外圍處部分或整體地形成突出部6。由于突出部6的存在，即使當(dāng)結(jié)構(gòu)3的填充率較低時(shí)，也可以將反射率保持得較低。更具體地，如圖3以及圖5和圖6所示，突出部6形成在彼此相鄰的結(jié)構(gòu)3之間?？蛇x地，如圖7所示，細(xì)長的突出部6可以部分或整體地形成在結(jié)構(gòu)3的外圍。例如，細(xì)長的突出部6從結(jié)構(gòu)3的頂部延伸到底部。例如，突出部6可以具有三角形或矩形形狀的截面。然而，突出部6的形狀不限于這種特定的形狀，可以考慮例如形成突出部6的容易度來任意選擇其形狀。此外，結(jié)構(gòu)3的外圍表面可以部分地或整體地粗糙化以形成細(xì)微的凹凸部。實(shí)際上，例如，彼此相鄰的結(jié)構(gòu)3之間的表面可以被粗糙化以形成細(xì)微的凹凸部。作為可選，可以在結(jié)構(gòu)3的表面上(例如，在其頂部中)形成細(xì)微的孔。從位于軌跡延伸方向上的底部算起的結(jié)構(gòu)3的高度Hl優(yōu)選小于從位于列方向上的底部算起的結(jié)構(gòu)3的高度H2。換句話說，結(jié)構(gòu)3的高度Hl和H2優(yōu)選滿足Hl<H2的關(guān)系。原因在于，如果以Hl彡H2的關(guān)系排列結(jié)構(gòu)3，則結(jié)構(gòu)3在軌跡延伸方向上的排列節(jié)距Pl增加并且結(jié)構(gòu)3在軌跡延伸方向上的填充率降低。填充率的降低會(huì)引起反射特性的劣化。結(jié)構(gòu)3的平均高度Hm、平均排列節(jié)距Rii和平均縱橫比(Hm/Pm)優(yōu)選分別與波狀面Sw2的平均振動(dòng)振幅Am、平均波長λm和比率(Am/λm)相同。這里，通過以下公式⑴來定義平均縱橫比平均縱橫比=Hm/Rii.··(1)其中，Hm是結(jié)構(gòu)的平均高度，Pm是平均排列節(jié)距(平均周期)。通過以下公式(2)來定義平均排列節(jié)距Rn平均排列節(jié)距Pm=(Ρι+Ρ2+.··+p10)/10...(2)其中，P1,P2...p10分別表示從基板表面上的結(jié)構(gòu)3中隨機(jī)選擇的十組結(jié)構(gòu)3的排列節(jié)距Pl或P2。這里，Pl是軌跡延伸方向上的排列節(jié)距(即，軌跡延伸方向上的周期)，P2是相對(duì)于軌跡延伸方向的士θ方向上的排列節(jié)距(θ=60°-δ，其中，δ優(yōu)選滿足0°<δ^11°，更優(yōu)選地滿足3°彡δ彡6°)(即，θ方向上的周期)。如下確定平均排列節(jié)距Rn、平均高度Hm和平均縱橫比(Hm/Pm)。首先，沿著包括結(jié)構(gòu)3的頂部的截面切割導(dǎo)電元件1，并且通過TEM(透射電子顯微鏡)拍攝所切割截面的照片。然后，根據(jù)所拍攝的TEM照片確定結(jié)構(gòu)3的排列節(jié)距P(排列節(jié)距Pl或P2)和結(jié)構(gòu)3的高度H。在從導(dǎo)電元件1中隨機(jī)選擇的10個(gè)點(diǎn)處重復(fù)上述測量之后，簡單地取測量值的平均(算術(shù)平均)以獲得平均排列節(jié)距Rii和平均高度Hm。然后，通過使用如上所述確定的平均排列節(jié)距Rn和平均高度Hm獲得平均縱橫比(Hm/Pm)?？v橫比對(duì)于所有結(jié)構(gòu)3來說可以不相同，并且結(jié)構(gòu)3可被形成為具有特定的高度分布。利用具有高度分布的結(jié)構(gòu)3，可以減少反射特性對(duì)波長的依存性。因此，可以實(shí)現(xiàn)具有極好抗反射特性的導(dǎo)電元件1。這里，術(shù)語“高度分布”是指具有兩個(gè)以上不同高度(深度)的結(jié)構(gòu)3形成在基板2的表面上。換句話說，術(shù)語“高度分布”是指具有基準(zhǔn)高度的結(jié)構(gòu)3和具有不同于基準(zhǔn)高度的高度的結(jié)構(gòu)3形成在基板2的表面上。例如，在基板2的表面上周期性或非周期性(隨機(jī))地形成具有不同于基準(zhǔn)高度的高度的結(jié)構(gòu)3。在前一種情況下，周期性方向例如為軌跡延伸方向或列方向。足(根)部3a優(yōu)選形成在結(jié)構(gòu)3的外圍。由于足部3a的存在，例如，在制造導(dǎo)電(光學(xué))元件1的處理中可以更加容易地從模具上剝離結(jié)構(gòu)3。這里，足部3a是指形成在結(jié)構(gòu)3的底部外圍處的突出部。從提高剝離特性的觀點(diǎn)來看，足部3a優(yōu)選具有曲面，該曲面具有從結(jié)構(gòu)3的頂部開始在朝向下部的方向上逐漸減小的高度。足部3a可以只形成在結(jié)構(gòu)3的外圍的一部分中。然而，從提高剝離特性的觀點(diǎn)來看，足部3a優(yōu)選形成在結(jié)構(gòu)3的整個(gè)外圍之上。當(dāng)結(jié)構(gòu)3為凹部形式時(shí)，足部被設(shè)置為形成在用作結(jié)構(gòu)3的凹部的開口外圍處的曲面。當(dāng)以六角形柵格圖案或準(zhǔn)六角形柵格圖案排列結(jié)構(gòu)3時(shí)，結(jié)構(gòu)3的高度被定義為從位于列方向上的底部算起的結(jié)構(gòu)3的高度。從位于軌跡延伸方向(X方向)的底部算起的結(jié)構(gòu)3的高度小于從位于列方向(Y方向)上的底部算起的結(jié)構(gòu)3的高度，并且從除軌跡延伸方向之外的區(qū)域中的底部算起的結(jié)構(gòu)3的高度基本上與從位于列方向上的底部算起的結(jié)構(gòu)3的高度相同。因此，通過從位于列方向上的底部算起的高度來表示子波長結(jié)構(gòu)。當(dāng)結(jié)構(gòu)3為凹部形式時(shí)，上述公式(1)中的結(jié)構(gòu)3的高度被設(shè)置為結(jié)構(gòu)3的深度H。假設(shè)同一軌跡中結(jié)構(gòu)3的排列節(jié)距為Pl且兩個(gè)相鄰軌跡之間結(jié)構(gòu)3的排列節(jié)距為P2，則比率P1/P2優(yōu)選滿足關(guān)系1.00(P1/P2<1.2或1.00<P1/P2^1.2,更優(yōu)選地滿足關(guān)系1.00(P1/P2<1.1或1.00<P1/P2<1.1。通過將比率P1/P2設(shè)定為滿足這種數(shù)字范圍，可以增加具有橢圓錐形狀和截頂橢圓錐形狀的結(jié)構(gòu)3的填充率，并且提高抗反射特性。以100%為上限，基底表面中結(jié)構(gòu)3的填充率為65%以上，優(yōu)選為73%以上，更優(yōu)選為86%以上。通過將填充率設(shè)定為落入這種范圍，可以提高抗反射特性。為了增加填充率，優(yōu)選地，通過將相鄰結(jié)構(gòu)3的下部彼此結(jié)合，或者通過調(diào)整結(jié)構(gòu)3的底面的橢圓率來扭曲結(jié)構(gòu)3。這里，如下確定結(jié)構(gòu)3的填充率(平均填充率)。首先，通過使用掃描電子顯微鏡(SEM)拍攝導(dǎo)電元件1的表面的照片作為“頂視圖”。在從所拍攝的SEM照片中隨機(jī)選擇單位柵格Uc之后，測量單位柵格Uc的排列節(jié)距Pl和軌跡節(jié)距Tp(參見圖2A)。此外，通過圖像處理來測量位于相關(guān)單位柵格Uc中心處的結(jié)構(gòu)3的底面的面積S。然后，通過使用所測量的排列節(jié)距P1、軌跡節(jié)距Tp和底面的面積S,根據(jù)以下公式C3)確定填充率填充率=(S(hex.)/S(unit))XlOO···(3)單位柵格的面積S(unit)=Ρ1Χ2Τρ位于單位柵格內(nèi)的結(jié)構(gòu)的底面的面積S(hex.)=2S對(duì)從所拍攝的SEM照片中隨機(jī)選擇的10個(gè)單位柵格執(zhí)行計(jì)算填充率的上述處理。此外，對(duì)所測量的值簡單地取平均(算術(shù)平均)以獲得填充率的平均值，并且平均值被設(shè)置作為基板表面中結(jié)構(gòu)3的填充率。當(dāng)結(jié)構(gòu)3彼此重疊時(shí)，或者當(dāng)諸如突出部6的子結(jié)構(gòu)存在于結(jié)構(gòu)3之間時(shí)，可以通過在處于與結(jié)構(gòu)3的高度的5%相對(duì)應(yīng)的水平處設(shè)置閾值的同時(shí)確定面積比的方法來獲得填充率。圖8是解釋當(dāng)結(jié)構(gòu)3之間的邊界不清楚時(shí)計(jì)算填充率的方式的示圖。當(dāng)結(jié)構(gòu)3之間的邊界不清楚時(shí)，如圖8所示，通過基于利用SEM觀察的截面照片將閾值設(shè)置為與結(jié)構(gòu)3的高度h的5%(=(d/h)X100)相對(duì)應(yīng)的水平，并且通過計(jì)算高度d處結(jié)構(gòu)3的直徑來確定填充率。當(dāng)結(jié)構(gòu)3的底面具有橢圓形狀時(shí)，對(duì)于橢圓形狀的長軸和短軸的每一個(gè)類似地執(zhí)行上述處理。圖9A至圖9D示出了當(dāng)改變底面的橢圓率時(shí)結(jié)構(gòu)3的底面形狀。圖9A至圖9D所示的橢圓分別具有100%、110%、120%和141%的橢圓率。通過以這種方式改變橢圓率，可以改變基板表面中結(jié)構(gòu)3的填充率。當(dāng)以準(zhǔn)六角形柵格圖案形成結(jié)構(gòu)3時(shí)，結(jié)構(gòu)3的底面優(yōu)選具有100%<e(150%范圍內(nèi)的橢圓率e。通過將橢圓率設(shè)定為落入該范圍，可以增加基板3的填充率，并且可以獲得極好的抗反射特性。假設(shè)軌跡方向(X方向)上結(jié)構(gòu)3的底面的軸的長度為a且其在列方向(Y方向)上的軸的長度為b，則橢圓率e被定義為(a/b)X100。如下確定結(jié)構(gòu)3的軸的長度a和b。首先，通過使用掃描電子顯微鏡(SEM)拍攝導(dǎo)電元件1的表面的照片作為“頂視圖”，并且從所拍攝的SEM照片中隨機(jī)提取10個(gè)結(jié)構(gòu)3。然后，測量所提取結(jié)構(gòu)3的每一個(gè)的底面的軸的長度a和b。此外，簡單地分別對(duì)測量值a和b取平均(算術(shù)平均)以獲得長度a和b對(duì)應(yīng)的平均值，并且平均值被設(shè)置作為結(jié)構(gòu)3的軸的長度a和b。圖IOA示出了每一個(gè)都具有圓錐形狀或截頂圓錐形狀的結(jié)構(gòu)3的陣列的一個(gè)實(shí)例，以及圖IOB示出了每一個(gè)都具有橢圓錐形狀或截頂橢圓錐形狀的結(jié)構(gòu)3的陣列的一個(gè)實(shí)例。如圖IOA和圖IOB所示，優(yōu)選排列結(jié)構(gòu)3，使得他們的下部以重疊的關(guān)系相互結(jié)合。更具體地，一個(gè)結(jié)構(gòu)3的下部優(yōu)選與其他相鄰結(jié)構(gòu)3的部分或所有的下部相結(jié)合。更加具體地，相鄰結(jié)構(gòu)3的下部優(yōu)選在軌跡方向或θ方向上或者在這兩個(gè)方向上彼此結(jié)合。圖IOA和圖IOB示出了所有相鄰結(jié)構(gòu)3的下部彼此結(jié)合的實(shí)例。通過以這種方式使結(jié)構(gòu)3彼此結(jié)合，可以增加結(jié)構(gòu)3的填充率。更具體地，結(jié)構(gòu)3優(yōu)選與在考慮了折射率的光程長度的情況下所使用的環(huán)境下的光的波長帶中最大值的1/4以下相對(duì)應(yīng)的下部處相互結(jié)合。結(jié)果，可以獲得極好的抗反射特性。如圖IOB所示，在相同軌跡中彼此相鄰的結(jié)構(gòu)3的下部被重疊以形成第一結(jié)合部a,以及在相鄰軌跡之間彼此相鄰的結(jié)構(gòu)3的下部被重疊以形成第二結(jié)合部b。在第一結(jié)合部a和第二結(jié)合部b之間的交叉處形成交叉部C。例如，交叉部c的位置低于第一結(jié)合部a和第二結(jié)合部b的位置。當(dāng)具有橢圓錐形狀或截頂橢圓錐形狀的結(jié)構(gòu)3的下部彼此結(jié)合時(shí)，例如，第一結(jié)合部a、第二結(jié)合部c和交叉部c的高度順序減小。長度或直徑2r(參見圖8)與排列節(jié)距Pl的比率(即，(2r/Pl)X100)為85%以上，優(yōu)選在90%以上，更加優(yōu)選在95%以上。通過將比率設(shè)定為落入這種范圍，可以增加結(jié)構(gòu)3的填充率，并且可以提高抗反射特性。如果比率((2r/Pl)X100)增加則結(jié)構(gòu)3過度地彼此重疊，則抗反射特性趨于劣化。因此，優(yōu)選設(shè)定比率((2r/Pl)X100)的上限，使得結(jié)構(gòu)3與在考慮了折射率的光程長度的情況下所使用的環(huán)境下的光的波長帶中最大值的1/4以下相對(duì)應(yīng)的下部處相互結(jié)合。這里，排列節(jié)距Pl表示結(jié)構(gòu)3在軌跡方向上的排列節(jié)距，長度2r表示軌跡方向上的結(jié)構(gòu)3的底面的軸的長度。更具體地，當(dāng)結(jié)構(gòu)3的底面為圓形時(shí)，長度2r被設(shè)置為直徑，而當(dāng)結(jié)構(gòu)3的底面為橢圓時(shí)，其被設(shè)置為長軸的長度。(導(dǎo)電層)例如，導(dǎo)電層4為透明導(dǎo)電層。例如，透明導(dǎo)電層為無機(jī)透明導(dǎo)電膜。此外，導(dǎo)電層4例如由單層膜形成。無機(jī)透明導(dǎo)電膜優(yōu)選包含透明氧化物半導(dǎo)體作為主要成分。這里，可使用的透明氧化物半導(dǎo)體的實(shí)例包括二元化合物，諸如Sn02、InO2^ZnO和CdO；三元化合物，包含作為二元化合物的組成元素的Sn、In、ai和Cd中的至少一種；以及多組成(成分)氧化物。透明氧化物半導(dǎo)體的實(shí)際實(shí)例包括氧化銦錫(ITO)、氧化鋅(ZnO)、摻雜鋁的氧化鋅(AZO(Al2O3，SiO))、SZ0、摻雜氟的氧化錫(FTO)、氧化錫(SnO2)、摻雜鎵的氧化鋅(GZO)以及氧化銦鋅(ΙΖ0(In2O3,ZnO))。在這些實(shí)例中，從高可靠性和低電阻的觀點(diǎn)來看，氧化銦錫(ITO)尤其優(yōu)選。此外，從增加導(dǎo)電性的觀點(diǎn)來看，無機(jī)透明導(dǎo)電膜的材料優(yōu)選處于非晶相和多晶相的混合狀態(tài)。導(dǎo)電層4的材料可以包含金屬膜。例如，金屬膜可以由從包括Ag、Al、Au、Pt、Pd、Ni、Cr、Nb、W、Mo、Ti和Cu的組中所選擇的至少一種金屬制成。此外，導(dǎo)電層4可以包含從包括導(dǎo)電高聚物、金屬納米粒子和碳納米管的組中所選擇的至少一種作為主要組成。第一區(qū)域Rl中導(dǎo)電層4的表面電阻優(yōu)選為5000Ω/口(單位面積)以下。如果表面電阻超過5000Ω/口(單位面積)，則存在電阻太高且導(dǎo)電層4不能被用作電極的趨勢。[輥狀母盤(master)的結(jié)構(gòu)]圖IlA是示出用于制造基板的輥狀母盤11的結(jié)構(gòu)的一個(gè)實(shí)例的透視圖，以及圖IlB是示出圖IlA所示輥狀母盤的一部分的放大透視圖。輥狀母盤11是用于在基板表面上形成上述結(jié)構(gòu)3的母盤。例如，輥狀母盤11具有圓柱或圓筒形狀。在輥狀母盤11的圓柱或圓筒表面上交替形成許多第一區(qū)域札和許多第二區(qū)域&。圖IlA和圖IlB示出了以環(huán)狀沿著圓周形成第一區(qū)域R1和第二區(qū)域&的情況。然而，第一區(qū)域R1和第二區(qū)域&的形狀不限于圖中所示，可以根據(jù)配線圖案的期望形狀(即，將形成在第一區(qū)域R1中的導(dǎo)電層4的形狀)來適當(dāng)?shù)剡x擇它們的形狀。例如，輥狀母盤11可以由玻璃制成，但是輥狀母盤11的材料不具體限于玻璃。圖12A是示出圖IlA所示輥狀母盤的一部分的放大截面圖，以及圖12B是示出圖IlA所示第二區(qū)域的一部分的放大平面圖。在輥狀母盤11的第二區(qū)域R2中，例如，以與不大于可見光的波長的波長相對(duì)應(yīng)的排列節(jié)距排列多個(gè)凹部形式的結(jié)構(gòu)12。例如，凹部形式的結(jié)構(gòu)12沒有形成在第一區(qū)域Rl中，從而第一區(qū)域Rl具有平坦面。以六角形柵格圖案或準(zhǔn)六角形柵格圖案在第二區(qū)域R2中排列多個(gè)結(jié)構(gòu)12，其中，結(jié)構(gòu)12的中心位于彼此相鄰的三條軌跡(Tl至B)之上的點(diǎn)al至a7處。可以通過利用稍后描述的輥狀母盤曝光設(shè)備執(zhí)行圖案化來記錄或繪制六角形柵格圖案或準(zhǔn)六角形柵格圖案，從而，通過生成與記錄設(shè)備的旋轉(zhuǎn)控制器同步的每個(gè)軌跡的極性反轉(zhuǎn)格式化信號(hào)，并在恒定角速度(CAV=ConstantAngularVelocity)的條件下以適當(dāng)?shù)酿佀凸?jié)距饋送輥狀母盤，以彼此空間上鏈接二維圖案。因此，通過適當(dāng)?shù)卦O(shè)定極性反轉(zhuǎn)格式化信號(hào)的頻率和輥狀母盤的旋轉(zhuǎn)數(shù)，可以在期望的記錄區(qū)域中形成具有均勻空間頻率的柵格圖案。[曝光設(shè)備的結(jié)構(gòu)]圖13是示出輥狀母盤曝光設(shè)備的結(jié)構(gòu)的一個(gè)實(shí)例的框圖。以下將參照?qǐng)D13描述輥狀母盤曝光設(shè)備的結(jié)構(gòu)。例如，可以基于光盤記錄設(shè)備來構(gòu)造圖13所示的輥狀母盤曝光設(shè)備。激光束源21是對(duì)用作記錄介質(zhì)的母盤11的表面上涂覆的抗蝕劑層進(jìn)行曝光的光源，并且其振蕩例如波長λ=266nm的激光束14以用于記錄的目的。從激光束源21發(fā)射的激光束14直線前進(jìn)同時(shí)保持平行光束的形式，然后進(jìn)入電光調(diào)制器(EOM)22。已經(jīng)穿過EOM22的激光束14被反射鏡23反射并被導(dǎo)向調(diào)制光學(xué)系統(tǒng)25。反射鏡23由偏振分束器構(gòu)成，并具有反射一種偏振分量并透射另一種偏振分量的功能。已經(jīng)穿過反射鏡23的偏振分量被光電二極管(PD)M接收，并且通過根據(jù)從光電二極管M輸出的表示其所接收的光量的信號(hào)控制EOM22來執(zhí)行激光束14的相位調(diào)制。在調(diào)制光學(xué)系統(tǒng)25中，通過聚光透鏡沈?qū)⒓す馐?4會(huì)聚至例如由玻璃(SiO2)制成的聲光調(diào)制器(AOM)27。在經(jīng)過AOM27的強(qiáng)度調(diào)制之后，通過透鏡28將離散激光束14轉(zhuǎn)換為平行光束。從調(diào)制光學(xué)系統(tǒng)25出射的激光束14被反射鏡31反射并作為水平和平行光束被引導(dǎo)至可移動(dòng)光學(xué)臺(tái)32?？梢苿?dòng)光學(xué)臺(tái)32包括光束擴(kuò)展器(BEX)33和物鏡34。被引導(dǎo)至可移動(dòng)光學(xué)臺(tái)32的激光束14通過光束擴(kuò)展器33成形為期望的光束形狀并通過物鏡34傳送以用于照射母盤11上的抗蝕劑層。母盤11被放置在連接至主軸電機(jī)35的轉(zhuǎn)盤36上。在旋轉(zhuǎn)母盤11并在母盤11的高度方向上移動(dòng)激光束14的同時(shí)，通過利用激光束間歇地照射抗蝕劑層來執(zhí)行抗蝕劑層的曝光步驟。在曝光步驟中形成的潛像基本上具有橢圓形狀，其中，長軸在母盤11的圓周方向上延伸。通過在箭頭R的方向上移動(dòng)可移動(dòng)光學(xué)臺(tái)32來移動(dòng)激光束14。曝光設(shè)備包括控制機(jī)構(gòu)37，用于在抗蝕劑層中形成與圖2A所示的六角形柵格或準(zhǔn)六角形柵格的二維圖案相對(duì)應(yīng)的潛像?？刂茩C(jī)構(gòu)37包括格式化器四和驅(qū)動(dòng)器30。格式化器四包括控制利用激光束14照射抗蝕劑層的定時(shí)的極性反轉(zhuǎn)部。驅(qū)動(dòng)器30接收來自極性反轉(zhuǎn)部的輸出并控制AOM27。在上述輥狀母盤曝光設(shè)備中，與用于記錄設(shè)備的旋轉(zhuǎn)控制器同步地生成每個(gè)軌跡的極性反轉(zhuǎn)格式化信號(hào)，并通過AOM27執(zhí)行激光束14的強(qiáng)度調(diào)制，使得二維圖案在空間上彼此鏈接?？梢栽诤愣ń撬俣?CAV)的條件下以適當(dāng)?shù)男D(zhuǎn)數(shù)、適當(dāng)?shù)恼{(diào)制頻率和適當(dāng)?shù)酿佀凸?jié)距對(duì)抗蝕劑層進(jìn)行圖案化來記錄六角形柵格圖案或準(zhǔn)六角形柵格圖案。為了在圓周方向上獲得315nm的圖案周期以及在相對(duì)于圓周方向大約60°的方向(或者大約-60°的方向)上獲得300nm的圖案周期，例如，饋送節(jié)距被設(shè)置為251nm(基于畢達(dá)哥拉斯定理)。根據(jù)輥狀母盤的旋轉(zhuǎn)數(shù)(例如，1800rpm、900rpm、450rpm和225rpm)來改變極性反轉(zhuǎn)格式化信號(hào)的頻率。例如，與輥狀母盤的1800rpm、900rpm、450rpm和225rpm的旋轉(zhuǎn)數(shù)相對(duì)應(yīng)的極性反轉(zhuǎn)格式化信號(hào)的頻率分別為37.70MHz,18.85MHz、9.34MHz和4.7IMHz0實(shí)際上，可以通過可移動(dòng)光學(xué)臺(tái)32上的光束擴(kuò)展器(BEX)33將遠(yuǎn)紫外激光束的光束直徑放大5倍，通過具有0.9數(shù)值孔徑(NA)的物鏡34利用放大的激光束照射母盤11上的抗蝕劑層，以及在期望的記錄區(qū)域中形成細(xì)微的潛像來獲得具有均勻空間頻率的準(zhǔn)六角形柵格圖案(例如，圓周方向上315nm的周期和相對(duì)于圓周方向大約60°的方向(或者大約-60°的方向)上300nm的周期)。[制造導(dǎo)電元件的方法]以下將參照?qǐng)D13至圖16描述根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施方式的導(dǎo)電元件1的制造方法的一個(gè)實(shí)例。(抗蝕劑層形成步驟)首先，如圖14A所示，制備圓柱或圓筒的輥狀母盤11。例如，輥狀母盤11是玻璃制成的母盤。接下來，如圖14B所示，在輥狀母盤11的表面上形成抗蝕劑層13。例如，抗蝕劑層13可以由有機(jī)抗蝕劑或無機(jī)抗蝕劑制成。這里可以使用的有機(jī)抗蝕劑的實(shí)例包括基于酚醛清漆(novolac-based)的抗蝕劑和化學(xué)放大型抗蝕劑。此外，這里可以使用的無機(jī)抗蝕劑的實(shí)例包括金屬化合物，其不僅包含一種金屬，而且還可以包含兩種以上的金屬。(曝光步驟)接下來，如圖14C所示，旋轉(zhuǎn)輥狀母盤11，并通過使用上述輥狀母盤曝光設(shè)備利用激光束(曝光光束)14來照射抗蝕劑層13。此時(shí)，利用激光束14照射抗蝕劑層13，同時(shí)在輥狀母盤11的高度方向上(即，在平行于圓柱或圓筒輥狀母盤11的中心軸的方向上移動(dòng)激光束14。此外，此時(shí)，僅在與兩個(gè)配線圖案區(qū)域之間的絕緣區(qū)域相對(duì)應(yīng)的第二區(qū)域&中形成潛像16，由此被設(shè)置作為曝光區(qū)域。另一方面，與配線圖案區(qū)域相對(duì)應(yīng)的第一區(qū)域R1沒有被曝光，并被設(shè)置作為未曝光區(qū)域。例如，以與不大于可見光波長的波長相對(duì)應(yīng)的節(jié)距，根據(jù)激光束14的軌線來形成潛像16。例如，配置潛像16以在輥狀母盤11的表面上形成多行軌跡，并提供六角形柵格圖案或準(zhǔn)六角形柵格圖案。例如，每個(gè)潛像16都具有橢圓形狀，其具有在軌跡延伸方向上定向的長軸。(顯影步驟)接下來，作為圖15A所示顯影步驟的一個(gè)實(shí)例，顯影溶液被滴在抗蝕劑層13上以對(duì)抗蝕劑層13進(jìn)行顯影，同時(shí)旋轉(zhuǎn)輥狀母盤11。當(dāng)抗蝕劑層13由正性抗蝕劑形成時(shí)，與未曝光區(qū)域相比，經(jīng)受了激光束14曝光的曝光區(qū)域中的顯影溶液的溶解率較高。因此，如圖15A所示，在抗蝕劑層13中形成對(duì)應(yīng)于潛像(曝光區(qū)域)16的圖案。結(jié)果，例如，在第二區(qū)域&中，在抗蝕劑層13中形成六角形柵格圖案或準(zhǔn)六角形柵格圖案的開口。另一方面，沒有在第一區(qū)域R1的抗蝕劑層13中形成開口，并且第一區(qū)域R1整體保持在被抗蝕劑層13覆蓋的狀態(tài)。作為另一種方式，在輥狀母盤11的表面上形成僅在第二區(qū)域&中具有開口圖案的掩模。(蝕刻步驟)接下來，通過將形成在輥狀母盤11上的抗蝕劑13的圖案(抗蝕劑圖案)用作掩模來蝕刻輥狀母盤11的表面。結(jié)果，在輥狀母盤11的表面的第二區(qū)域民中，通過開口進(jìn)行蝕刻。因此，如圖15B所示，在第二區(qū)域&中形成結(jié)構(gòu)(凹部)12，每一個(gè)結(jié)構(gòu)(凹部)12都例如具有橢圓錐形狀和截頂橢圓錐形狀，其中長軸在軌跡延伸方向上定向。另一方面，在輥狀母盤11的表面的第一區(qū)域R1中，由于第一區(qū)域R1完成被抗蝕劑13所覆蓋，所以沒有進(jìn)行蝕刻并且輥狀母盤11的表面保持為平坦面。例如，實(shí)際上可以使用干蝕刻進(jìn)行蝕刻。通過上述步驟，可以獲得目標(biāo)輥狀母盤11。(轉(zhuǎn)印步驟)接下來，作為圖15C所示轉(zhuǎn)印步驟的一個(gè)實(shí)例，使輥狀母盤11與其上涂覆有轉(zhuǎn)印材料15的基板2(例如，膜)相互緊密接觸。在通過例如利用紫外線的照射來固化轉(zhuǎn)印材料15之后，從輥狀母盤11上剝離與固化的轉(zhuǎn)印材料15—體的基板2。例如，轉(zhuǎn)印材料包含紫外線固化材料和引發(fā)劑。根據(jù)需要，轉(zhuǎn)印材料15還可包含填料、功能添加劑等。例如，紫外線固化材料由單官能單體、雙官能單體、多官能單體等制成。更具體地，紫外線固化材料單獨(dú)或以混合形式包含以下材料。單官能單體的實(shí)例包括羧酸(諸如丙烯酸)、羥基化合物(諸如2-羥乙基丙烯酸酯、2-羥丙基丙烯酸酯和4-羥基丁基丙烯酸酯)、烷基基化合物、脂環(huán)化合物(諸如丙烯酸異丁酯、丙烯酸叔丁酯、丙烯酸異辛酯、丙烯酸十二酯、丙烯酸十八酯、丙烯酸異冰片酯和丙烯酸環(huán)己基酯)和其他功能單體(諸如2-甲氧基乙基丙烯酸酯、甲氧基乙烯基乙二醇丙烯酸酯、2-乙氧基乙基丙烯酸酯、四氫化糠基丙烯酸酯、苯甲基丙烯酸酯、乙基卡必醇丙烯酸酯、苯氧基乙基丙烯酸酯、N，N-二甲基氨基丙烯酸酯、N，N-二甲氨基丙基丙烯酰胺、N，N-二甲基丙烯氨化物、丙烯酰嗎啉、N-異丙基丙烯酰胺、N，N-二乙基丙烯醛基酰胺、N-乙烯基吡咯烷酮、2_(全氟辛基)乙基丙烯酸酯、3-(全氟己基)-2-羥基丙基丙烯酸酯、3-(全氟辛基)-2-羥基丙基丙烯酸酯、2-(全氟癸基)甲基丙烯酸酯、2-(全氟-3-甲基丁基)乙基丙烯酸酯、2，4，6_三溴苯酚丙烯酸酯、2，4，6_三溴苯酚丙烯酸甲酯、2-(2，4，6_三溴苯氧基)乙基丙烯酸酯和2-乙基己基丙烯酸酯)。雙官能單體的實(shí)例包括三(丙二醇)二丙烯酸酯、三羥基丙烷二芳基醚和聚氨酯丙烯酸酯。多官能單體的實(shí)例包括三羥甲基丙烷三丙烯酸酯、二季戊四醇戊_/己-丙烯酸酯以及雙三羥甲基丙烷四丙烯酸酯。引發(fā)劑的實(shí)例包括2，2-二甲氧基-1，2-二苯基乙烷-1-酮、1-羥基環(huán)己基苯基酮和2-羥基-2-甲基-1-苯基丙烷-1-酮。例如，這里所使用的填料可以為無機(jī)微?；蛴袡C(jī)微粒。無機(jī)微粒的實(shí)例包括金屬氧化物微粒，諸如SiO2、TiO2、ZrO2、SnO2和Al2O3。功能添加劑的實(shí)例包括均化劑、表面調(diào)整劑和防沫劑。例如，基板2的材料包括甲基丙烯酸甲酯共聚物、聚碳酸酯、苯乙烯共聚物、甲基丙烯酸甲酯-苯乙烯共聚物、二乙酸纖維素、三乙酸纖維素、乙酸丁酸纖維素、聚酯、聚酰胺、聚酰亞胺、聚醚砜、聚砜、聚丙烯、聚甲基戊烯、聚氯乙烯、聚乙烯基縮醛、聚醚酮、聚氨酯和玻璃。形成基板2的方法不限于特定的一種。例如，注射成型處理、擠出成型處理、鑄造處理等可以用于形成基板2。在需要的情況下可以對(duì)基板表面執(zhí)行諸如電暈處理的表面處理。(金屬層形成步驟)接下來，根據(jù)需要，在基板表面的第一區(qū)域Rl和第二區(qū)域R2中形成金屬層5。例如，金屬層5可通過諸如熱CVD、等離子體CVD以及光CVD的CVD(化學(xué)氣相沉積)處理(即，通過利用化學(xué)反應(yīng)從氣相沉淀薄膜的技術(shù))以及諸如真空氣相沉積、等離子體輔助氣相沉積、濺射以及離子電鍍的PVD(物理氣相沉積)處理(即，用于在真空中物理地在基板上聚集氣化材料并形成薄膜的技術(shù))來形成。(形成導(dǎo)電層的步驟)接下來，如圖16B所示，在基板表面的第一區(qū)域R1和第二區(qū)域&中形成導(dǎo)電層4。結(jié)果，在第一區(qū)域R1和第二區(qū)域&中以不同的狀態(tài)形成導(dǎo)電層4。例如，可以通過干式處理或濕式處理來形成導(dǎo)電層4。實(shí)際上，例如，可以通過化學(xué)形成處理或物理形成處理來形成導(dǎo)電層4?；瘜W(xué)形成處理的實(shí)例包括諸如熱CVD、等離子體CVD以及光CVD的CVD(化學(xué)氣相沉積)、噴涂處理、浸漬處理和粉末涂覆處理。物理形成處理的實(shí)例包括真空氣相沉積處理、濺射處理、離子電鍍處理和脈沖激光氣相沉積處理。此外，可以在加熱基板2的同時(shí)形成導(dǎo)電層4。接下來，當(dāng)需要時(shí)，對(duì)導(dǎo)電層4執(zhí)行退火處理。通過退火，導(dǎo)電層4變?yōu)榉蔷嗪投嗑嗟幕旌蠣顟B(tài)。(去除導(dǎo)電層的步驟)接下來，如圖16C所示，對(duì)其上形成有導(dǎo)電層4的基板表面執(zhí)行蝕刻。通過蝕刻，從第二區(qū)域&中去除導(dǎo)電層4，而在第一區(qū)域R1中保留導(dǎo)電層4。因此，形成在第一區(qū)域R1中的導(dǎo)電層4用作配線圖案，而第二區(qū)域&用作配線圖案之間的絕緣區(qū)域。蝕刻可以為濕蝕刻或干蝕刻。此外，實(shí)際可以以濕蝕刻和干蝕刻的組合進(jìn)行蝕刻。例如，用于濕蝕刻的蝕刻劑可以為硫酸、鹽酸、硝酸和氯化鐵中的一種或多種。此外，草酸，磷酸、醋酸和硝酸的混合酸，或者銨鈰(IV)硝酸鹽的水溶液也可以被用作蝕刻劑。干蝕刻實(shí)際上可以為等離子體蝕刻或反應(yīng)離子蝕刻(RIE)。這里，表述“去除”是指以下三種情況中的一種(1)導(dǎo)電層4完全從第二區(qū)域&中消除，(2)導(dǎo)電層4被部分地消除為導(dǎo)電層4在第二區(qū)域&中不顯示出導(dǎo)電性的這種不連續(xù)狀態(tài)(例如，島狀的狀態(tài))，或者C3)導(dǎo)電層4被減薄到導(dǎo)電層4在第二區(qū)域&中不顯示出導(dǎo)電性的這種程度。(清洗步驟)接下來，根據(jù)需要清洗已經(jīng)經(jīng)受了蝕刻的基板表面。通過上述步驟，獲得了目標(biāo)導(dǎo)電元件1。簡而言之，根據(jù)第一實(shí)施方式，導(dǎo)電層4形成在具有平坦面Spl和波狀面Sw2的基板表面上。然后，基于形成在平坦面Spl和波狀面Sw2上的導(dǎo)電層4的各自狀態(tài)之間的差異，通過在平坦面Spl和波狀面Sw2上處理導(dǎo)電層4來形成導(dǎo)電圖案，使得形成在波狀面Sw2上的導(dǎo)電層4被去除，而形成在平坦面Spl上的導(dǎo)電層4保留。因此，可以以高精度和高產(chǎn)量實(shí)現(xiàn)導(dǎo)電元件1。(變形例)圖36A是示出根據(jù)變形例的第二區(qū)域的一部分的放大透視圖，以及圖36B是示出圖36A所示第二區(qū)域的一部分的放大平面圖。如圖36A和圖36B所示，例如，多個(gè)結(jié)構(gòu)3可以一維地排列在第二區(qū)域&中，使得在多行軌跡T中配置結(jié)構(gòu)3以分別沿著軌跡T延伸，從而以一維圖案形成波狀面Sw2。例如，軌跡T可以具有直線或圓弧形狀。此外，可以以擺動(dòng)形式延伸具有直線或圓弧形狀的軌跡T。例如，結(jié)構(gòu)3是在一個(gè)方向上延伸的柱形構(gòu)件，并且其截面形狀例如為三角形、頂部具有曲率R的三角形、多角形、半圓形、半橢圓形或拋物線形。然而，結(jié)構(gòu)3的截面不限于這些形狀。結(jié)構(gòu)3的形狀的實(shí)際實(shí)例包括柱狀透鏡式(lenticular)形狀和棱鏡式形狀，但是結(jié)構(gòu)3的形狀不限于這些形狀。結(jié)構(gòu)3的高度可以沿著軌跡延伸方向改變。此外，結(jié)構(gòu)3可以間歇地形成在軌跡延伸方向上。<2.第二實(shí)施方式〉[導(dǎo)電(光學(xué))元件的結(jié)構(gòu)]圖17A是根據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施方式的導(dǎo)電元件的第二區(qū)域的一部分的放大平面圖。圖17B是沿著根據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施方式的導(dǎo)電元件的第二區(qū)域中的軌跡T1、T3等的每一個(gè)所截取的截面圖，圖17C是沿著圖17Α中的軌跡Τ2、Τ4等的每一個(gè)所截取的截面圖。圖17D是示出用于形成對(duì)應(yīng)于圖17Α中的軌跡Τ1、Τ3等的每一個(gè)的潛像的激光束的調(diào)制波形的示圖，以及圖17E是示出用于形成對(duì)應(yīng)于圖17A中的軌跡T2、T4等的每一個(gè)的潛像的激光束的調(diào)制波形的示圖。根據(jù)第二實(shí)施方式的導(dǎo)電元件1與根據(jù)第一實(shí)施方式的導(dǎo)電元件1的不同之處在于，在每三行相鄰的軌跡中排列形成在第二區(qū)域R2中的多個(gè)結(jié)構(gòu)3，以形成四角形柵格圖案或準(zhǔn)四角形柵格圖案。在第二實(shí)施方式中，不同于規(guī)則的四角形柵格圖案，術(shù)語“準(zhǔn)四角形柵格圖案”是指通過在軌跡延伸方向(X軸方向)上延伸而變形的四角形柵格圖案。同一軌跡中結(jié)構(gòu)3的排列節(jié)距Pl大于兩個(gè)相鄰軌跡之間的結(jié)構(gòu)3的排列節(jié)距。此外，假設(shè)同一軌跡中結(jié)構(gòu)3的排列節(jié)距為Pl且兩個(gè)相鄰軌跡之間結(jié)構(gòu)3的排列節(jié)距為P2，則P1/P2優(yōu)選滿足1.4<P1/P2^1.5的關(guān)系。通過將P1/P2設(shè)定為滿足這種數(shù)字范圍，可以增加具有橢圓錐形狀和截頂橢圓錐形狀的結(jié)構(gòu)3的填充率，并且可以提高抗反射特性。從相對(duì)于軌跡延伸方向位于士θ方向上的底部算起的結(jié)構(gòu)3的高度Η2優(yōu)選小于從位于軌跡延伸方向上的底部算起的結(jié)構(gòu)3的高度HI。換句話說，結(jié)構(gòu)3的高度Hl和H2優(yōu)選滿足Hl>H2的關(guān)系。當(dāng)以四角形柵格圖案或準(zhǔn)四角形柵格圖案排列結(jié)構(gòu)3時(shí)，結(jié)構(gòu)3的高度H被定義為從位于排列結(jié)構(gòu)3的方向(即，軌跡(延伸)方向)上的底部算起的結(jié)構(gòu)3的高度。圖18示出了當(dāng)改變底面的橢圓率時(shí)結(jié)構(gòu)3的底面的形狀。三個(gè)橢圓3^和；33分別具有100%、163.3%和141%的橢圓率。通過以這種方式改變橢圓率，可以改變基板表面中結(jié)構(gòu)3的填充率。當(dāng)以四角形柵格圖案或準(zhǔn)四角形柵格圖案排列結(jié)構(gòu)3時(shí)，結(jié)構(gòu)3的底面的橢圓率e優(yōu)選在e<180%的范圍內(nèi)。通過將橢圓率設(shè)定為落入該范圍，可以增加結(jié)構(gòu)3的填充率，并且可以獲得極好的抗反射特性。以100%為上限，基板表面中結(jié)構(gòu)3的填充率為65%以上，優(yōu)選為73%以上，更優(yōu)選為86%以上。通過將填充率設(shè)定為落入這種范圍，可以提高抗反射特性。這里，如下確定結(jié)構(gòu)3的填充率(平均填充率)。首先，通過使用掃描電子顯微鏡(SEM)拍攝導(dǎo)電元件1的表面的照片作為“頂視圖”。在從所拍攝的SEM照片中隨機(jī)選擇單位柵格Uc之后，測量單位柵格Uc的排列節(jié)距Pl和軌跡節(jié)距Tp(參見圖17Α)。此外，通過圖像處理來測量位于相關(guān)單位柵格Uc內(nèi)的四個(gè)結(jié)構(gòu)3中的一個(gè)的底面面積S。然后，通過使用所測量的排列節(jié)距Ρ1、軌跡節(jié)距Tp和底面的面積S，根據(jù)以下公式(4)確定填充率填充率=(S(tetra)/S(unit))XlOO...(4)單位柵格的面積:S(unit)=2X((PlXTp)X(1/2))=PlXTp位于單位柵格內(nèi)結(jié)構(gòu)的底面的面積S(tetra)=S對(duì)從所拍攝的SEM照片中隨機(jī)選擇的10個(gè)單位柵格執(zhí)行計(jì)算填充率的上述處理。此外，對(duì)所測量的值簡單地取平均(算術(shù)平均)以獲得填充率的平均值，并且平均值被設(shè)置為基板表面中結(jié)構(gòu)3的填充率。長度2r與排列節(jié)距Pl的比率(即，(2r/Pl)X100)為64%以上，優(yōu)選在69%以上，更加優(yōu)選在73%以上。通過將比率設(shè)定為落入這種范圍，可以增加結(jié)構(gòu)3的填充率，并且可以提高抗反射特性。這里，排列節(jié)距Pl表示軌跡方向上結(jié)構(gòu)3的排列節(jié)距，長度2ι表示軌跡方向上結(jié)構(gòu)3的底面的軸的長度。具體地，當(dāng)結(jié)構(gòu)3的底面為圓形時(shí)，長度2r被設(shè)置為直徑，而當(dāng)結(jié)構(gòu)3的底面為橢圓時(shí)，其被設(shè)置為長軸的長度。[輥狀母盤的結(jié)構(gòu)]圖19A是示出用于制造基板的輥狀母盤11的一部分的放大透視圖，以及圖19B是示出圖19A所示第二區(qū)域的放大平面圖。第二實(shí)施方式中使用的輥狀母盤與第一實(shí)施方式中使用的輥狀母盤的不同之處在于，在第二區(qū)域&中，在每三行的相鄰軌跡(例如，軌跡Tl至T3)中排列形成多個(gè)結(jié)構(gòu)12，以形成四角形柵格圖案或準(zhǔn)四角形柵格圖案?？梢酝ㄟ^利用輥狀母盤曝光設(shè)備執(zhí)行圖案化來記錄或繪制四角形柵格圖案或準(zhǔn)四角形柵格圖案，從而，通過生成與記錄設(shè)備的旋轉(zhuǎn)控制器同步的每個(gè)軌跡的極性反轉(zhuǎn)格式化信號(hào)，并在恒定角速度(CAV=ConstantAngularVelocity)的條件下以適當(dāng)?shù)酿佀凸?jié)距饋送輥狀母盤，以彼此空間上鏈接二維圖案。因此，通過適當(dāng)?shù)卦O(shè)定極性反轉(zhuǎn)格式化信號(hào)的頻率和輥狀母盤11的旋轉(zhuǎn)數(shù)，可以通過激光束的照射在輥狀母盤11上的抗蝕劑層的期望記錄區(qū)域中形成具有均勻空間頻率的柵格圖案。第二實(shí)施方式也可以提供與第一實(shí)施方式所獲得優(yōu)點(diǎn)同樣的優(yōu)點(diǎn)。<3.第三實(shí)施方式>[導(dǎo)電元件的結(jié)構(gòu)]圖20A是根據(jù)本發(fā)明第三實(shí)施方式的導(dǎo)電元件的結(jié)構(gòu)的一個(gè)實(shí)例的平面圖。圖20B是示出根據(jù)本發(fā)明第三實(shí)施方式的導(dǎo)電元件的結(jié)構(gòu)的一個(gè)實(shí)例的沿著圖20A中的線XXB-XXB截取的截面圖，以及圖20C是示出根據(jù)本發(fā)明第三實(shí)施方式的導(dǎo)電元件的第一區(qū)域中的層結(jié)構(gòu)的截面圖。根據(jù)第三實(shí)施方式的導(dǎo)電元件1與根據(jù)第一實(shí)施方式的導(dǎo)電元件1的不同之處在于，通過利用形成在第一區(qū)域R1中的第一波狀面Swl和形成在第二區(qū)域&中的第二波狀面Sw2之間的差異(即，振動(dòng)的平均振幅的差異)，通過使形成在第一區(qū)域R1和第二區(qū)域&中的導(dǎo)電層4的蝕刻率彼此不同來形成配線圖案等。(第一區(qū)域和第二區(qū)域)例如，在第二區(qū)域R2中的基板表面上形成波長不大于可見光波長的第二波狀面Sw2。此外，在第二波狀面Sw2上，根本沒有形成導(dǎo)電層4，或者以不連續(xù)狀態(tài)形成導(dǎo)電層4。可選地，形成在第二區(qū)域民中的導(dǎo)電層4可以具有遠(yuǎn)小于形成在第一區(qū)域R1中的導(dǎo)電層4的厚度的厚度，以至形成在第二區(qū)域&中的導(dǎo)電層4基本上不顯示出導(dǎo)電性且第二區(qū)域&用作絕緣區(qū)域的程度。另一方面，例如，在第一區(qū)域R1中的基板表面上形成波長不大于可見光的波長的第一波狀面Swl，并且在第一波狀面Swl上連續(xù)地形成導(dǎo)電層4。因此，第二區(qū)域&用作絕緣區(qū)域，其建立形成在第二區(qū)域&兩側(cè)的相鄰第一區(qū)域R1上的導(dǎo)電層4之間的絕緣。相反，連續(xù)形成在第一區(qū)域R1中的導(dǎo)電層4在第一區(qū)域R1延伸的方向上具有導(dǎo)電性，并且其用作配線圖案(導(dǎo)電圖案)。例如，第一波狀面Swl是凹凸面，其中，以與不大于可見光波長的波長相對(duì)應(yīng)的排列節(jié)距形成多個(gè)第一結(jié)構(gòu)此外，例如，第二波狀面Sw2是凹凸面，其中，以與不大于可見光波長的波長相對(duì)應(yīng)的排列節(jié)距形成多個(gè)第二結(jié)構(gòu)；32。從減小表面電阻的觀點(diǎn)來看，如圖20C所示，優(yōu)選在基板表面上進(jìn)一步形成金屬層5。優(yōu)選地，從不阻礙由第一區(qū)域Rl中的第一結(jié)構(gòu)提供的抗反射效果的觀點(diǎn)來看，跟隨第一結(jié)構(gòu)S1的表面形狀形成導(dǎo)電層4，使得第一結(jié)構(gòu)S1和導(dǎo)電層4具有彼此基本相同的表面形狀。因此，通過以這種方式形成導(dǎo)電層4，可以抑制可能由導(dǎo)電層4的形成所引起的折射率輪廓的變化，并且保持極好的抗反射特性和/或極好的透射特性。導(dǎo)電層4的材料優(yōu)選為非晶相和多晶相的混合狀態(tài)。通過使用這種類型的材料，即使在第一結(jié)構(gòu)S1的高度減小時(shí)，也可以以不阻礙第一結(jié)構(gòu)S1的抗反射效果的膜厚來形成導(dǎo)電層4。換句話說，即使在第一結(jié)構(gòu)S1的高度減小時(shí)，導(dǎo)電層4也可以保持跟隨第一結(jié)構(gòu)S1的形狀的形式。第二波狀面Sw2的振動(dòng)的平均振幅Am2與其平均波長λm2的比率(Am2/λm2)優(yōu)選大于第一波狀面Swl的振動(dòng)的平均振幅Aml與其平均波長λml的比率(Ami/λml)。這樣的條件能夠同時(shí)滿足光學(xué)特性和電選擇性。第二波狀面Sw2的振動(dòng)的平均振幅Am2與其平均波長λm2的比率(Am2/λm2)優(yōu)選為1.8以下。如果比率(Am2/λm2)超過1.8，則存在在轉(zhuǎn)印第二結(jié)構(gòu)\的步驟中引起剝離不良且損壞第二結(jié)構(gòu)\的趨勢。第二波狀面Sw2的振動(dòng)的平均振幅Am2優(yōu)選大于第一波狀面Swl的振動(dòng)的平均振幅Ami。第一波狀面Swl的平均波長λml和第二波狀面Sw2的平均波長λm2優(yōu)選分別在不小于IOOnm的范圍內(nèi)。如果平均波長Aml和平均波長λm2小于lOOnm，則波狀面Swl和Sw2的制造趨于困難。此外，第一波狀面Swl的平均波長λml和第二波狀面Sw2的平均波長λm2優(yōu)選分別在不大于100μm的范圍內(nèi)。如果平均波長λml和平均波長λm2大于ΙΟΟμπι，則會(huì)在印刷(in-printing)和膜形成的處理中發(fā)生階梯覆蓋的問題，由此發(fā)生缺陷。第二結(jié)構(gòu)\的平均縱橫比優(yōu)選大于第一結(jié)構(gòu)S1的平均縱橫比。第一結(jié)構(gòu)S1的平均排列節(jié)距Riil、平均高度Hml和平均縱橫比(Hml/Riil)優(yōu)選分別與第一波狀面Swl的平均波長λπι、平均振動(dòng)幅度Aml和比率(Ami/Xml)相同。此外，第二結(jié)構(gòu)；32的平均排列節(jié)距Rn2、平均高度Hm2和平均縱橫比(Hm2/Rii2)優(yōu)選分別與第二波狀面Sw2的平均波長Am2、平均振動(dòng)幅度Am2和比率(Am2/λm2)相同。實(shí)際上，如上所述，第二波狀面Sw2的振動(dòng)的平均振幅Am2與其平均波長λm2的比率(Am2/Xm2)優(yōu)選大于第一波狀面Swl的振動(dòng)的平均振幅Aml與其平均波長XmI的比率(Ami/λml)。這種條件能夠同時(shí)滿足光學(xué)特性和電選擇性。更具體地，比率(Ami/λml)和比率(Απι2/λπ)優(yōu)選滿足以下條件0<(Ami/λml)<(Am2/λm2)^1.8(其中，Ami是第一波狀面Swl的平均振幅，Am2是第二波狀面Sw2的平均振幅，λml是第一波狀面Swl的平均波長，以及λm2是第二波狀面Sw2的平均波長)。在(Am2/λm2)>1.8的情況下，存在在轉(zhuǎn)印第二波狀面Sw2的步驟中引起剝離不良并損壞第二波狀面Sw2的趨勢。這里，以在第一實(shí)施方式中用于測量波狀面Sw2的比率(Am2/λm2)同樣的方式測量第一波狀面Swl的比率(Ami/λml)。可以彼此獨(dú)立地選擇第一波狀面Swl和第二波狀面Sw2的形狀、波長和振動(dòng)幅度。例如，第一波狀面Swl和第二波狀面Sw2可以分別獨(dú)立形成為一維或二維波狀面。此外，第一波狀面Swl和第二波狀面Sw2的波長和振動(dòng)幅度可以以納米或微米級(jí)別獨(dú)立設(shè)定為適當(dāng)?shù)牟ㄩL或適當(dāng)?shù)恼駝?dòng)幅度。優(yōu)選地，導(dǎo)電層4的一部分完全沒有在第二區(qū)域&中作為殘留膜。然而，導(dǎo)電層4可以以使得第二區(qū)域&用作絕緣區(qū)域的這種狀態(tài)來存在作為殘留膜。在后一種情況下，形成在第一區(qū)域R1中的導(dǎo)電層4的面積優(yōu)選大于形成在第二區(qū)域&中的導(dǎo)電層4或其一部分的面積。更具體地，優(yōu)選地，導(dǎo)電層4連續(xù)形成在第一區(qū)域R1中，而導(dǎo)電層4或其一部分例如以島狀的狀態(tài)不連續(xù)地形成在第二區(qū)域&中。作為可選，形成在第二區(qū)域&中的導(dǎo)電層4或其一部分的厚度可以小于形成在第一區(qū)域R1中的導(dǎo)電層4的厚度，以至形成在第二區(qū)域&中的導(dǎo)電層4或其一部分基本上沒有顯示出導(dǎo)電性并且第二區(qū)域&能夠用作絕緣區(qū)域的這種程度。(結(jié)構(gòu))例如，如同形成在第二區(qū)域R2中的第二結(jié)構(gòu)；32，形成在第一區(qū)域R1中的第一結(jié)構(gòu)也以規(guī)則的柵格形狀(諸如六角形柵格圖案、準(zhǔn)六角形柵格圖案、四角形柵格圖案或準(zhǔn)四角形柵格圖案)進(jìn)行排列。可選地，如后所述，可以隨機(jī)地排列第一結(jié)構(gòu)注意，形成在第一區(qū)域R1中的第一結(jié)構(gòu)S1的排列圖案可以與形成在第二區(qū)域&中的第二結(jié)構(gòu)\的排列圖案不同，并且以不同的排列圖案來配置兩個(gè)區(qū)域中的結(jié)構(gòu)。例如，第一波狀面Swl是凹凸面，其中，以與不大于可見光波長的波長相對(duì)應(yīng)的排列節(jié)距形成多個(gè)第一結(jié)構(gòu)此外，例如，第二波狀面Sw2是凹凸面，其中，以與不大于可見光波長的波長相對(duì)應(yīng)的排列節(jié)距形成多個(gè)第二結(jié)構(gòu)；32。第二結(jié)構(gòu)；32的平均縱橫比(Hm2/Pm2)優(yōu)選大于第一結(jié)構(gòu)S1的平均縱橫比(Hml/Riil)。更具體地，第一結(jié)構(gòu)S1和第二結(jié)構(gòu)\優(yōu)選滿足以下關(guān)系0<(Hml/Pml)<(Hm2/Pm2)^1.8(其中，Hml是第一結(jié)構(gòu)S1的平均高度，Hm2是第二結(jié)構(gòu)\的平均高度，Pml是第一結(jié)構(gòu)S1的平均排列節(jié)距，以及Rii2是第二結(jié)構(gòu)\的平均排列節(jié)距)。在比率(Hm2/Rii2)>1.8的情況下，存在在轉(zhuǎn)印第二結(jié)構(gòu)\的步驟中引起剝離不良并損壞第二結(jié)構(gòu)\的趨勢。這里，以在第一實(shí)施方式中用于測量結(jié)構(gòu)3的比率(Hm/Pm)同樣的方式測量第一結(jié)構(gòu)S1的縱橫比(Hml/Rnl)和第二結(jié)構(gòu)\的縱橫比(Hm2/Rii2)。關(guān)于第一結(jié)構(gòu)S1和第二結(jié)構(gòu)；32，可以以與第一實(shí)施方式中的結(jié)構(gòu)3同樣地方式設(shè)計(jì)除上述方面以外的其他方面。注意，第一結(jié)構(gòu)S1的排列圖案和形狀可以與第二結(jié)構(gòu)\的排列圖案和形狀不同，并且可以以不同的排列圖案和不同的形狀配置兩個(gè)區(qū)域中的結(jié)構(gòu)。[輥狀母盤的結(jié)構(gòu)]圖21A是示出用于制造基板的輥狀母盤11的結(jié)構(gòu)的一部分的放大透視圖，以及圖21B是示出用于制造基板的輥狀母盤的一部分的放大截面圖。用于第三實(shí)施方式的輥狀母盤11與用于第一實(shí)施方式的輥狀母盤的不同之處在于，在第一區(qū)域Rl和第二區(qū)域R2中分別形成第一波狀面Swl和第二波狀面Sw2。例如，以與不大于可見光波長的波長相對(duì)應(yīng)的節(jié)距，通過排列凹陷的第一結(jié)構(gòu)U1來形成輥狀母盤11的第一波狀面Swl。例如，以與不大于可見光波長的波長相對(duì)應(yīng)的節(jié)距，通過排列凹陷的第二結(jié)構(gòu)1來形成輥狀母盤11的第二波狀面Sw2。輥狀母盤11的第一波狀面Swl和第二波狀面Sw2具有分別與基板2的第一波狀面Swl和第二波狀面Sw2相反的凹凸形狀。輥狀母盤11的第一區(qū)域R1和第二區(qū)域&分別對(duì)應(yīng)于基板2的第一區(qū)域R1和第二區(qū)域&。換句話說，形成在輥狀母盤11的第一區(qū)域R1中的凹陷結(jié)構(gòu)1用于形成在基板2的第一區(qū)域R1中形成的凸起結(jié)構(gòu)形成在輥狀母盤11的第二區(qū)域民中的凹陷結(jié)構(gòu)1用于形成在基板2的第二區(qū)域&中形成的凸起結(jié)構(gòu)；32。第二結(jié)構(gòu)1的縱橫比優(yōu)選大于第一結(jié)構(gòu)1的縱橫比。在第三實(shí)施方式的蝕刻步驟中，蝕刻其上形成導(dǎo)電層4的基板表面，使得從第二結(jié)構(gòu)；32去除導(dǎo)電層4，而在第一區(qū)域Rl中保留導(dǎo)電層4。更具體地，優(yōu)選地，執(zhí)行蝕刻以使得通過利用形成在第一波狀面Swl和第二波狀面Sw2上的導(dǎo)電層4之間的膜質(zhì)量、相位狀態(tài)等的差異，基本去除形成在第二波狀面Sw2上的導(dǎo)電層4，而形成在第一波狀面Swl上的導(dǎo)電層4保留為連續(xù)的連接狀態(tài)。結(jié)果，導(dǎo)電圖案可以選擇性地只形成在第一波狀面Swl和第二波狀面Sw2中的第一波狀面Swl上。可選地，優(yōu)選地，執(zhí)行蝕刻以使得通過利用形成在第一波狀面Swl和第二波狀面Sw2上的導(dǎo)電層4之間的膜質(zhì)量、相位狀態(tài)等的差異，形成在第二波狀面Sw2上的導(dǎo)電層4被去除為不連續(xù)狀態(tài)(例如，島狀的狀態(tài))，而形成在第一波狀面Swl上的導(dǎo)電層4保留為連續(xù)的連接狀態(tài)。結(jié)果，導(dǎo)電圖案可以選擇性地只形成在第一波狀面Swl和第二波狀面Sw2中的第一波狀面Swl上。此外，優(yōu)選地，執(zhí)行蝕刻以使得通過利用形成在第一波狀面Swl和第二波狀面Sw2上的導(dǎo)電層4之間的膜質(zhì)量、相位狀態(tài)等的差異，形成在第二波狀面Sw2上的導(dǎo)電層4的厚度被減小為遠(yuǎn)小于形成在第一波狀面Swl上的導(dǎo)電層4的厚度。結(jié)果，導(dǎo)電圖案可以選擇性地只形成在第一波狀面Swl和第二波狀面Sw2中的第一波狀面Swl上。根據(jù)第三實(shí)施方式，由于第一結(jié)構(gòu)S1和第二結(jié)構(gòu)\分別形成在第一區(qū)域R1和第二區(qū)域&中，所以可以提高導(dǎo)電元件1的抗反射特性。在如此構(gòu)造的第三實(shí)施方式中，保留在第一區(qū)域R1中用作配線圖案的導(dǎo)電層4優(yōu)選形成為跟隨形成在第一區(qū)域隊(duì)中的結(jié)構(gòu)S1的形狀的形狀。這種特征在提高抗反射特性和/或透射特性的效果中對(duì)抑制效果降低起到貝獻(xiàn)。通過在基板表面上形成(例如利用幅度調(diào)制和/或頻率調(diào)制)調(diào)制的波狀面以及通過在相關(guān)基板表面上形成導(dǎo)電層，可以根據(jù)施加于基板2的波狀面的調(diào)制的差異來改變導(dǎo)電層的狀態(tài)。因此，可以根據(jù)施加于基板2的波狀面的調(diào)制的差異來改變蝕刻劑對(duì)導(dǎo)電層的溶解率。換句話說，通過利用施加于基板2的波狀面的調(diào)制的差異，可以在基板表面上形成期望的導(dǎo)電圖案。當(dāng)基板表面的波狀面由納米結(jié)構(gòu)形成時(shí)，還可以提高可視性和光學(xué)特性。換句話說，可以實(shí)現(xiàn)期望的電阻而不劣化光學(xué)特性。在現(xiàn)有技術(shù)中的信息輸入裝置(諸如數(shù)字式電阻觸摸面板或電容式觸摸面板)中，由導(dǎo)電層制成的配線圖案形成在基板表面上，由于導(dǎo)電層和基板之間反射率的差異而使得配線圖案出現(xiàn)并在視覺上變得明顯，使得圖像顯示質(zhì)量劣化。相反，利用根據(jù)本發(fā)明實(shí)施方式的信息輸入裝置，由于不管是否存在導(dǎo)電層都實(shí)現(xiàn)了低反射和高透射率，因此可以使配線圖案在視覺上不明顯。<4.第四實(shí)施方式〉圖22A是示出根據(jù)本發(fā)明第四實(shí)施方式的導(dǎo)電元件的結(jié)構(gòu)的一個(gè)實(shí)例的截面圖。根據(jù)第四實(shí)施方式的導(dǎo)電元件1與根據(jù)第一實(shí)施方式的導(dǎo)電元件1的不同之處在于，第一區(qū)域R1和第二區(qū)域&設(shè)置在基板2相對(duì)的主面的每一個(gè)中，并且導(dǎo)電層4連續(xù)地只形成在第一和第二區(qū)域中的第一區(qū)域R1中，從而在基板的兩個(gè)主面上形成配線圖案。如圖22B所示，可以修改第四實(shí)施方式，使得通孔(貫通孔)形成在第一區(qū)域R1中穿透基板2，并且在通孔中填充諸如導(dǎo)電墨水的導(dǎo)電材料以使形成在基板2的兩個(gè)主面上的電路配線圖案等電連接。根據(jù)第四實(shí)施方式，由于配線圖案形成在基板2的兩個(gè)主面上，所以可以以大于第一實(shí)施方式的面積在導(dǎo)電元件1上形成電路。<5.第五實(shí)施方式>[盤狀母盤的結(jié)構(gòu)]圖23A是示出根據(jù)本發(fā)明第五實(shí)施方式的盤狀母盤的結(jié)構(gòu)的一個(gè)實(shí)例的平面圖，以及圖2是示出圖23A所示盤狀母盤的一部分的放大平面圖。第五實(shí)施方式與第一實(shí)施方式的不同之處在于，第一區(qū)域R1和第二區(qū)域&設(shè)置在盤狀母盤41的表面中，并且在第二區(qū)域&中形成多個(gè)凹陷結(jié)構(gòu)12。雖然圖23A和圖2示出了交替形成分別具有環(huán)形的第一區(qū)域R1和第二區(qū)域&，但第一區(qū)域R1和第二區(qū)域&的形狀不限于圖中所示，根據(jù)配線圖案的期望形狀可以將這兩個(gè)區(qū)域任選地設(shè)置為各種形狀中適當(dāng)?shù)囊环N。[曝光設(shè)備的結(jié)構(gòu)]首先，參照?qǐng)DM描述用于制造具有上述結(jié)構(gòu)的盤狀母盤41的曝光設(shè)備?？梢苿?dòng)光學(xué)臺(tái)32包括光束擴(kuò)展器(BEX)33、反射鏡38和物鏡34。導(dǎo)向可移動(dòng)光學(xué)臺(tái)32的激光束14通過光束擴(kuò)展器33被成形為期望的形狀，并且通過反射鏡38和物鏡34傳送，以用于照射盤狀母盤41上的抗蝕劑層。母盤41被放置在與主軸電機(jī)35連接的轉(zhuǎn)臺(tái)(未示出)上。通過利用激光束14照射母盤41上的抗蝕劑層，并且同時(shí)旋轉(zhuǎn)母盤41并在旋轉(zhuǎn)母盤41的半徑方向上移動(dòng)激光束14來執(zhí)行曝光抗蝕劑層的步驟。在曝光步驟中形成的潛像基本上具有橢圓狀，其長軸在母盤41的圓周方向上延伸。通過在箭頭R的方向上移動(dòng)可移動(dòng)光學(xué)臺(tái)32來移動(dòng)激光束14。圖M所示的曝光設(shè)備包括控制機(jī)構(gòu)37，其用于在抗蝕劑層中形成與六角形柵格或準(zhǔn)六角形柵格的二維圖案相對(duì)應(yīng)的潛像?？刂茩C(jī)構(gòu)37包括格式化器(formatter)四和驅(qū)動(dòng)器30。格式化器四包括控制利用激光束14照射抗蝕劑層的定時(shí)的極性反轉(zhuǎn)部。驅(qū)動(dòng)器30接收來自極性反轉(zhuǎn)部的輸出并控制聲光調(diào)制器(AOM)27?？刂茩C(jī)構(gòu)37使每個(gè)軌跡的通過AOM27執(zhí)行的激光束14的強(qiáng)度調(diào)制與主軸電機(jī)35的旋轉(zhuǎn)速度和可移動(dòng)光學(xué)臺(tái)32的移動(dòng)速度彼此同步，使得通過潛像形成的二維圖案空間上相互鏈接。在恒定角速度(CAV)的條件下控制母盤41的旋轉(zhuǎn)。然后，通過利用主軸電機(jī)35設(shè)置母盤41適當(dāng)?shù)男D(zhuǎn)數(shù)、利用AOM27設(shè)置激光束14的強(qiáng)度的適當(dāng)頻率調(diào)制以及利用可移動(dòng)光學(xué)臺(tái)32設(shè)置激光束14適當(dāng)?shù)酿佀凸?jié)距來執(zhí)行圖案化。結(jié)果，在抗蝕劑層中形成六角形柵格圖案或準(zhǔn)六角形柵格圖案的潛像。此外，逐漸改變極性反轉(zhuǎn)部的控制信號(hào)以保持恒定的空間頻率(即，潛像的圖案密度)。更具體地，在每個(gè)軌跡改變利用激光束14照射抗蝕劑層的周期的同時(shí)執(zhí)行曝光步驟，并且通過控制機(jī)構(gòu)37執(zhí)行激光束14的頻率調(diào)制，使得對(duì)于每個(gè)軌跡T來說將排列節(jié)距Pl保持為預(yù)定值(例如，330nm，315nm或300nm)。作為另一種方式，控制調(diào)制以使得，隨著軌跡位置被定位得遠(yuǎn)離盤狀母盤41的中心，利用激光束14以較短的周期照射抗蝕劑層。結(jié)果，可以在整個(gè)基板表面的上方以均勻的空間頻率形成納米圖案。[導(dǎo)電元件的制造方法]除了通過使用具有上述結(jié)構(gòu)的曝光設(shè)備來對(duì)形成在盤狀母盤41上的抗蝕劑層進(jìn)行曝光之外，可以以與第一實(shí)施方式同樣的方式來制造根據(jù)第五實(shí)施方式的導(dǎo)電元件1。第五實(shí)施方式還可以提供與第一實(shí)施方式所獲得的優(yōu)點(diǎn)同樣的優(yōu)點(diǎn)。<6.第六實(shí)施方式>圖25A是示出根據(jù)本發(fā)明第六實(shí)施方式的導(dǎo)電元件1的結(jié)構(gòu)的一個(gè)實(shí)例的截面圖，以及圖25B是示出根據(jù)本發(fā)明第六實(shí)施方式的導(dǎo)電元件的第二區(qū)域的一部分的放大透視圖。根據(jù)第六實(shí)施方式的導(dǎo)電元件1與根據(jù)第一實(shí)施方式的導(dǎo)電元件1的不同之處在于，在基板表面的第二區(qū)域R2中形成凹陷形式的多個(gè)結(jié)構(gòu)3。通過反轉(zhuǎn)第一實(shí)施方式中結(jié)構(gòu)3的凸起形狀來獲得第六實(shí)施方式中結(jié)構(gòu)3的凹陷形狀。當(dāng)如第六實(shí)施方式結(jié)構(gòu)3處于凹陷形式時(shí)，凹陷結(jié)構(gòu)3的開口部分(即，凹陷的入口部分)被定義為底部，而基板2的深度方向上凹陷結(jié)構(gòu)3的最低部分(即，凹陷的最深部分)被定義為頂部。因此，結(jié)構(gòu)3的頂部和底部基于表示結(jié)構(gòu)3的實(shí)際形狀的假想空間來定義。此外，由于在第六實(shí)施方式中結(jié)構(gòu)3處于凹陷形式，所以用結(jié)構(gòu)3的深度H來替代上述公式(1)等中所使用結(jié)構(gòu)3的高度H。第六實(shí)施方式的細(xì)節(jié)在除了上述方面之外的其他方面與第一實(shí)施方式中的相同。因此，由于第一實(shí)施方式中結(jié)構(gòu)3的凸起形狀僅僅被反轉(zhuǎn)為第六實(shí)施方式中的凹陷形狀，所以第六實(shí)施方式也可以提供與第一實(shí)施方式獲得的優(yōu)點(diǎn)同樣的優(yōu)點(diǎn)。<7.第七實(shí)施方式>圖^A是示出根據(jù)本發(fā)明第七實(shí)施方式的導(dǎo)電元件的結(jié)構(gòu)的一個(gè)實(shí)例的平面圖，以及圖26B是示出根據(jù)本發(fā)明第七實(shí)施方式的導(dǎo)電元件的結(jié)構(gòu)的一個(gè)實(shí)例的沿著圖26A中的線XXVIB-XXVIB截取的截面圖。根據(jù)第七實(shí)施方式的導(dǎo)電元件1與根據(jù)第一實(shí)施方式的導(dǎo)電元件1的不同之處在于，隨機(jī)地配置多個(gè)結(jié)構(gòu)3?？梢噪S機(jī)地改變結(jié)構(gòu)3的排列節(jié)距，但是優(yōu)選在與不大于可見光波長的波長相對(duì)應(yīng)的范圍內(nèi)進(jìn)行改變。形成在基板表面上的結(jié)構(gòu)3不限于具有相同的尺寸和/或形狀，而是它們可以具有兩種以上不同的尺寸和/或形狀。優(yōu)選地，二維或三維隨機(jī)地形成結(jié)構(gòu)3。這里，表述“二維隨機(jī)”是指在導(dǎo)電元件1的面內(nèi)方向上隨機(jī)地配置結(jié)構(gòu)3。此外，表述“三維隨機(jī)”是指不僅在導(dǎo)電元件1的面內(nèi)方向上而且在導(dǎo)電元件1的厚度方向上隨機(jī)地配置結(jié)構(gòu)3。<8.第八實(shí)施方式>圖27是示出根據(jù)本發(fā)明第八實(shí)施方式的液晶顯示裝置的結(jié)構(gòu)的一個(gè)實(shí)例的透視圖。如圖27所示，液晶顯示裝置是無源矩陣驅(qū)動(dòng)型(也被稱為簡單矩陣驅(qū)動(dòng)型)的顯示裝置。液晶顯示裝置包括第一基板101和第二基板111，彼此對(duì)向進(jìn)行配置，在它們之間存在預(yù)定空間；以及液晶層121，設(shè)置在第一基板101和第二基板111之間。在第一基板101的相對(duì)主面中的一個(gè)(其被定位為與第二基板111面對(duì))中重復(fù)交替地設(shè)置直線第一區(qū)域隊(duì)和直線第二區(qū)域&。第一基板101的第一區(qū)域R1和第二區(qū)域&中的表面結(jié)構(gòu)分別與根據(jù)上述第一至第七實(shí)施方式中的一個(gè)的導(dǎo)電元件中的基板的第一和第二區(qū)域中的表面結(jié)構(gòu)相同。例如，通過以與不大于例如可見光波長的波長相對(duì)應(yīng)的排列節(jié)距形成多個(gè)結(jié)構(gòu)，第一基板101的第二區(qū)域&中的表面被設(shè)置為波狀面，并且例如以島狀的狀態(tài)不連續(xù)地在波狀面上形成透明導(dǎo)電層。另一方面，第一基板101的第一區(qū)域R1中的表面被設(shè)置為平坦面而不在其中形成結(jié)構(gòu)，并且在第一區(qū)域R1中連續(xù)地形成透明導(dǎo)電層。因此，在第一基板101的相對(duì)主面中的一個(gè)(其被定位為與第二基板111相對(duì))上以條狀圖案形成許多水平(X)電極(第一電極)102(每一個(gè)都由連續(xù)形成的透明導(dǎo)電層制成)。在第二基板111的相對(duì)主面中的一個(gè)(其被定位為與第一基板101相對(duì))上交替重復(fù)地設(shè)置直線第一區(qū)域R1和直線第二區(qū)域&。第二基板111的第一區(qū)域R1和第二區(qū)域&中的表面結(jié)構(gòu)分別與根據(jù)上述第一至第七實(shí)施方式中的一個(gè)的導(dǎo)電元件的基板的第一和第二區(qū)域中的表面結(jié)構(gòu)相同。例如，通過以與不大于例如可見光波長的波長相對(duì)應(yīng)的排列節(jié)距形成多個(gè)結(jié)構(gòu)，第二基板111的第二區(qū)域民中的表面被設(shè)置為波狀面，并且例如以島狀的狀態(tài)不連續(xù)地在波狀面上形成透明導(dǎo)電層。另一方面，第二基板111的第一區(qū)域R1中的表面被設(shè)置為平坦面而不在其中形成結(jié)構(gòu)，并且在第一區(qū)域R1中連續(xù)地形成透明導(dǎo)電層。因此，在第二基板111的相對(duì)主面中的一個(gè)(其被定位為與第一基板101相對(duì))上以條狀圖案形成許多垂直(Y)電極(第二電極)112(每一個(gè)都由連續(xù)形成的透明導(dǎo)電層制成)。第一基板101的第一區(qū)域R1和第二區(qū)域&相對(duì)于第二基板111的第一區(qū)域R1和第二區(qū)域&垂直延伸。換句話說，第一基板101上的水平電極102和第二基板111上的垂直電極112處于正交關(guān)系。根據(jù)第八實(shí)施方式，例如，可以通過利用波狀面的存在或不存在或者結(jié)構(gòu)的存在或不存在來制造液晶顯示裝置的電極。此外，當(dāng)波狀面的波長或者結(jié)構(gòu)的排列節(jié)距被設(shè)置為不大于可見光的波長時(shí)，例如，可以提高液晶顯示裝置的抗反射特性和/或透射特性?？蛇x地，如在上述第三實(shí)施方式中，例如，可以在第一區(qū)域R1和第二區(qū)域&中分別形成縱橫比不同的不同類型的結(jié)構(gòu)。通過在第一和第二區(qū)域中形成不同類型的結(jié)構(gòu)，可以進(jìn)一步提高液晶顯示裝置的抗反射特性和/或透射特性。在這種情況下，形成在各自的第一區(qū)域R1中以分別用作水平電極102和垂直電極112的透明導(dǎo)電層優(yōu)選具有跟隨形成在第一區(qū)域R1中的結(jié)構(gòu)形狀的形狀。這種特征在通過結(jié)構(gòu)的存在所獲得的提高抗反射特性和/或透射特性的效果中對(duì)抑制效果降低起到貢獻(xiàn)。<9.第九實(shí)施方式>圖觀是示出根據(jù)本發(fā)明第九實(shí)施方式的設(shè)置有觸摸面板201的顯示裝置202的結(jié)構(gòu)的一個(gè)實(shí)例的透視圖。如圖觀所示，觸摸面板(信息輸入裝置)201被設(shè)置在顯示裝置202上。例如，通過使用粘合劑將顯示裝置202和觸摸面板201彼此貼合。前面板(表面構(gòu)件)203可以進(jìn)一步設(shè)置在觸摸面板201的表面上。例如，通過使用粘合劑將觸摸面板201和前面板(表面構(gòu)件)203彼此貼合。顯示裝置202可以被構(gòu)造為各種類型的顯示裝置中適當(dāng)?shù)囊环N，包括液晶顯示器、CRT(陰極射線管)顯示器、等離子體顯示面板(PDP)、電致發(fā)光(EL)顯示器和表面?zhèn)鲗?dǎo)型電子發(fā)射顯示器(SED)。例如，觸摸面板201可以被構(gòu)造為電阻膜式或電容式的觸摸面板。電阻膜式的觸摸面板的一個(gè)實(shí)例為矩陣電阻膜式的觸摸面板。電容式的觸摸面板的一個(gè)實(shí)例為采用“線傳感器(Wireknsor)”或“ΙΤ0柵格(ΙΤ0Grid)”的投射式電容量的觸摸面板。圖29A是示出根據(jù)本發(fā)明第九實(shí)施方式的觸摸面板201的結(jié)構(gòu)的第一實(shí)例的透視圖。圖29A所示觸摸面板201是矩陣電阻膜式的觸摸面板，并且其包括第一基板211和第二基板221，它們被配置為彼此相對(duì)并且夾置有點(diǎn)狀間隔件(未示出)以在它們之間保持預(yù)定的空間。圖29B是示出根據(jù)本發(fā)明第九實(shí)施方式的第一基板的結(jié)構(gòu)的第一實(shí)例的分解透視圖。由于第二基板221具有與第一基板211基本相同的結(jié)構(gòu)，所以省略第二基板221的分解透視圖。在第一基板211的相對(duì)主面的一個(gè)(其被定位為與第二基板221相對(duì))中交替重復(fù)地設(shè)置矩形第一區(qū)域R1和矩形第二區(qū)域&。第一基板211的第一區(qū)域R1和第二區(qū)域&中的表面結(jié)構(gòu)分別與根據(jù)上述第一至第七實(shí)施方式中的一個(gè)的導(dǎo)電元件的基板的第一和第二區(qū)域中的表面結(jié)構(gòu)相同。例如，通過以與不大于例如可見光波長的波長相對(duì)應(yīng)的排列節(jié)距形成多個(gè)結(jié)構(gòu)，第一基板211的第二區(qū)域民中的表面被設(shè)置為波狀面，并且例如以島狀的狀態(tài)不連續(xù)地在波狀面上形成透明導(dǎo)電層。另一方面，第一基板211的第一區(qū)域R1中的表面被設(shè)置為平坦面而不在其中形成結(jié)構(gòu)，并且在第一區(qū)域R1中連續(xù)地形成透明導(dǎo)電層。因此，在第一基板211的相對(duì)主面中的一個(gè)(其被定位為與第二基板221相對(duì))上以條狀圖案形成許多水平(X)電極(第一電極)212(每一個(gè)都由連續(xù)形成的透明導(dǎo)電層制成)。在第二基板221的相對(duì)主面的一個(gè)(其被定位為與第一基板211相對(duì))中交替重復(fù)地設(shè)置矩形第一區(qū)域R1和矩形第二區(qū)域&。第二基板221的第一區(qū)域隊(duì)和第二區(qū)域&中的表面結(jié)構(gòu)分別與根據(jù)上述第一至第七實(shí)施方式中的一個(gè)的導(dǎo)電元件的基板的第一和第二區(qū)域中的表面結(jié)構(gòu)相同。例如，通過以與不大于例如可見光波長的波長相對(duì)應(yīng)的排列節(jié)距形成多個(gè)結(jié)構(gòu)，第二區(qū)域民中第二基板221的表面被設(shè)置為波狀面，并且例如以島狀的狀態(tài)不連續(xù)地在波狀面上形成透明導(dǎo)電層。另一方面，第二基板221的第一區(qū)域隊(duì)中的表面被設(shè)置為平坦面而不在其中形成結(jié)構(gòu)，并且在第一區(qū)域R1中連續(xù)地形成透明導(dǎo)電層。因此，在第二基板221的相對(duì)主面中的一個(gè)(其被定位為與第一基板211相對(duì))上以條狀圖案形成許多垂直(Y)電極(第二電極)222(每一個(gè)都由連續(xù)形成的透明導(dǎo)電層制成)。第一基板211的第一區(qū)域R1和第二區(qū)域&相對(duì)于第二基板221的第一區(qū)域R1和第二區(qū)域&垂直延伸。換句話說，第一基板211上的水平電極212和第二基板221上的垂直電極222處于正交關(guān)系。圖30A是示出根據(jù)本發(fā)明第九實(shí)施方式的觸摸面板的結(jié)構(gòu)的第二實(shí)例的透視圖。圖30A所示觸摸面板是采用“ΙΤ0柵格”的投射電容式的觸摸面板，并且其包括彼此堆疊的第一基板231和第二基板Ml。圖30B是示出第一基板231的結(jié)構(gòu)的一個(gè)實(shí)例的分解透視圖。由于第二基板241具有與第一基板231基本相同的結(jié)構(gòu)，所以省略第二基板Ml的分解透視圖。在第一基板231的相對(duì)主面中的一個(gè)(其被定位為與第二基板241相對(duì))中交替重復(fù)地設(shè)置第一區(qū)域R1和第二區(qū)域&，使得相鄰的第一區(qū)域R1利用夾置在其中的第二區(qū)域&而彼此隔開。類似地，在第二基板Ml的相對(duì)主面中的一個(gè)(其被定位為與第一基板231相對(duì))中交替重復(fù)地設(shè)置第一區(qū)域札和第二區(qū)域民，使得相鄰的第一區(qū)域禮利用夾置在其中的第二區(qū)域&而彼此隔開。第一基板231和第二基板Ml的第一區(qū)域R1和第二區(qū)域&中的表面結(jié)構(gòu)分別與根據(jù)上述第一至第七實(shí)施方式中的一個(gè)的導(dǎo)電元件的基板的第一和第二區(qū)域中的表面結(jié)構(gòu)相同。通過在X軸方向上重復(fù)地互連單位區(qū)域C1(每一個(gè)都具有預(yù)定形狀)來形成第一基板231的第一區(qū)域R1,并且通過在X軸方向上重復(fù)地互連單位區(qū)域C2(每一個(gè)都具有預(yù)定形狀)來形成第一基板231的第二區(qū)域&。通過在Y軸方向上重復(fù)地互連單位區(qū)域C1(每一個(gè)都具有預(yù)定形狀)來形成第二基板Ml的第一區(qū)域札，并且通過在Y軸方向上重復(fù)地互連單位區(qū)域C2(每一個(gè)都具有預(yù)定形狀)來形成第二基板Ml的第二區(qū)域民。例如，單位區(qū)域C1和單位區(qū)域C2的每一個(gè)的形狀可以為菱形(斜方形)、三角形或矩形，但是不限于這些實(shí)例。例如，通過以與不大于例如可見光波長的波長相對(duì)應(yīng)的排列節(jié)距形成多個(gè)結(jié)構(gòu)，第一基板231和第二基板Ml的第二區(qū)域&中的表面被分別設(shè)置為波狀面，并且例如以島狀的狀態(tài)不連續(xù)地在波狀面上形成透明導(dǎo)電層。另一方面，第一基板231和第二基板241的第一區(qū)域禮中的表面被分別設(shè)置為平坦面而不在其中形成結(jié)構(gòu)，并且在每個(gè)第一區(qū)域R1中連續(xù)地形成透明導(dǎo)電層。因此，在第一基板231的相對(duì)主面中的一個(gè)(其被定位為與第二基板Ml相對(duì))上排列多個(gè)水平⑴電極(第一電極)232(每一個(gè)都由透明導(dǎo)電層制成)。此外，在第二基板Ml的相對(duì)主面中的一個(gè)(其被定位為與第一基板231相對(duì))上排列多個(gè)垂直⑴電極(第二電極)242(每一個(gè)都由透明導(dǎo)電層制成)。水平電極232和垂直電極242分別具有與第一基板231和第二基板M2的各自的第一區(qū)域Rl相同的形狀。第一基板231上的水平電極232和第二基板241上的垂直電極242處于正交關(guān)系。在第一基板231和第二基板241彼此堆疊的狀態(tài)下，第一基板231的第一區(qū)域R1和第二基板241的第二區(qū)域&以堆疊關(guān)系進(jìn)行定位，并且第一基板231的第二區(qū)域&和第二基板Ml的第一區(qū)域R1以堆疊關(guān)系進(jìn)行定位。因此，當(dāng)從輸入表面?zhèn)扔^看觸摸面板201時(shí)，多個(gè)水平⑴電極(第一電極)232和多個(gè)垂直⑴電極(第二電極)242看起來好像它們以緊密填充的狀態(tài)全部排列在一個(gè)主面之上而沒有互相重疊。根據(jù)第九實(shí)施方式，例如，可以通過利用波狀面的存在或不存在或者結(jié)構(gòu)的存在或不存在來制造觸摸面板201的電極。此外，當(dāng)波狀面的波長或結(jié)構(gòu)的排列節(jié)距被設(shè)置為不大于可見光的波長時(shí)，例如，可以提高觸摸面板201的抗反射特性和/或透射特性。可選地，如在上述第三實(shí)施方式中，例如，可以在第一區(qū)域R1和第二區(qū)域&中分別形成縱橫比不同的不同類型的結(jié)構(gòu)。通過在第一和第二區(qū)域中形成不同類型的結(jié)構(gòu)，可以進(jìn)一步提高觸摸面板201的抗反射特性和/或透射特性。這里，例如，電極可以被制造得在視覺上不易被識(shí)別。在這種情況下，形成在第一區(qū)域隊(duì)中以用作電極的透明導(dǎo)電層優(yōu)選具有跟隨形成在第一區(qū)域R1中的結(jié)構(gòu)的形狀的形狀。這種特征在通過結(jié)構(gòu)的存在所獲得的提高抗反射特性和/或透射特性的效果中對(duì)抑制效果降低起到貢獻(xiàn)。<10.第十實(shí)施方式>圖31A是示出根據(jù)本發(fā)明第十實(shí)施方式的IC卡的結(jié)構(gòu)的一個(gè)實(shí)例的透視圖，以及圖31B是示出圖31A所示IC卡的一部分的放大平面圖。圖31A所示的IC卡是所謂的非接觸式IC卡，并且其包括基板301、天線線圈302和IC芯片303。天線線圈302的兩端都連接至IC芯片302。此外，在基板301的兩個(gè)表面上都設(shè)置有外部涂層或覆蓋物(未示出)?？梢酝ㄟ^使用膜、片或板來形成基板301。然而，用于基板301的材料形式不具體限于這些實(shí)例，而是可以根據(jù)IC卡所需的特性來任選地使用材料的其他形式。從耐久性和使用便利性的觀點(diǎn)來看，基板301優(yōu)選由具有柔性的樹脂材料制成。這里可使用的樹脂材料的實(shí)例包括PEN(聚萘二甲酸乙二醇酯)、PET(聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯)、聚酰亞胺(PI)和聚酯。然而，基板301的材料不具體限于這些實(shí)例，還可以根據(jù)IC卡所需的特性來任選地使用其他普通的樹脂材料。例如以螺旋形狀沿著基板301的一個(gè)主面的外圍邊緣交替形成第一區(qū)域R1和第二區(qū)域&。基板301的第一區(qū)域R1和第二區(qū)域&中的表面結(jié)構(gòu)分別與根據(jù)上述第一至第七實(shí)施方式中的一個(gè)的導(dǎo)電元件的基板的第一和第二區(qū)域中的表面結(jié)構(gòu)相同。例如，通過以細(xì)微節(jié)距形成多個(gè)結(jié)構(gòu)，第二區(qū)域&中的基板表面被設(shè)置為波狀面，并且例如以島狀的狀態(tài)不連續(xù)地在波狀面上形成透明導(dǎo)電層。另一方面，第一區(qū)域R1中的基板表面被設(shè)置為平坦面而不在其中形成結(jié)構(gòu)，并且在第一區(qū)域R1中連續(xù)地形成透明導(dǎo)電層。因此，以跟隨第一區(qū)域札的形狀沿著基板301的一個(gè)主面的外圍邊緣形成由連續(xù)形成的導(dǎo)電層所制成的天線線圈302?？蛇x地，如在上述第三實(shí)施方式中，例如，可以在第一區(qū)域Rl和第二區(qū)域R2中分別形成縱橫比不同的不同類型的結(jié)構(gòu)。外部涂層構(gòu)成IC卡的前表面和后表面，并且包含高分子材料(例如，PET(聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯)、PBT(聚對(duì)苯二甲酸丁二酯)、PEG(聚乙二醇)或定向PET)作為主要組成。然而，外部涂層的材料不具體限于這些實(shí)例，還可以根據(jù)IC卡所需的特性來任選地使用其他普通的樹脂材料。天線線圈302是電磁感應(yīng)線圈，其形成在基板301上以環(huán)形線圈形狀沿著基板301的外圍邊緣延伸多圈。天線線圈302的兩端連接至IC芯片303。天線線圈302接收從讀取器/寫入器發(fā)出的AC磁場以感應(yīng)產(chǎn)生AC電壓，并將感應(yīng)的AC電壓提供給IC芯片303。IC芯片303利用從天線線圈302提供的電能進(jìn)行操作，并且其控制IC卡內(nèi)部的各種部件。例如，IC芯片303經(jīng)由天線線圈302執(zhí)行與讀取器/寫入器的通信。更具體地，IC芯片303執(zhí)行相對(duì)于讀取器/寫入器的相互認(rèn)證并傳送數(shù)據(jù)。根據(jù)第十實(shí)施方式，例如，可以利用波狀面的存在或不存在或者結(jié)構(gòu)的存在或不存在來制造IC卡的天線線圈302。因此，由于可以在不執(zhí)行蝕刻等的情況下制造天線線圈302，所以可以提高IC卡的產(chǎn)量。<11.第i^一實(shí)施方式〉圖32A是示出根據(jù)本發(fā)明第十一實(shí)施方式的顯示裝置400的結(jié)構(gòu)的一個(gè)實(shí)例的截面圖，圖32B是示出圖32A所示配線區(qū)域的放大截面圖，以及圖32C是示出圖32A所示非配線區(qū)域的放大截面圖。在第十一實(shí)施方式中，與第一實(shí)施方式相同或?qū)?yīng)的部件由相同的參考標(biāo)號(hào)來表示。根據(jù)第十一實(shí)施方式的顯示裝置400是所謂的微膠囊電泳型的電子紙。顯示裝置400包括第一導(dǎo)電元件401、被配置為與第一導(dǎo)電元件401相對(duì)的第二導(dǎo)電元件402以及設(shè)置在第一和第二導(dǎo)電元件之間的微膠囊層(介質(zhì)層)403。雖然結(jié)合本發(fā)明應(yīng)用于微膠囊電泳型的電子紙的情況描述了第十一實(shí)施方式，但電子紙的實(shí)例不限于圖中所示，并且本發(fā)明的實(shí)施方式可以應(yīng)用于其他類型的電子紙，只要它們具有在被配置為相互面對(duì)的導(dǎo)電元件之間設(shè)置介質(zhì)層的這種結(jié)構(gòu)即可。這里，介質(zhì)不僅包括液晶或固體，而且還包括氣體(例如，空氣)。此外，可以在介質(zhì)中包括膠囊、顏料、粒子和其他適當(dāng)?shù)牟牧?。除微膠囊電泳型之外，本發(fā)明實(shí)施方式可應(yīng)用的電子紙的實(shí)例包括扭曲球(twistball)型、熱敏可重寫(thermalrewritable)型、色粉顯示(tonerdisplay)型、面內(nèi)電泳(In-Planeelectrophoretic)型、電子粉末禾口顆|立(electronicpowderandgranular)型。微膠囊層403包括大量的微膠囊431。例如，包含分散在其中的黑色顆粒和白色顆粒的透明液體(分散介質(zhì))被密封在每個(gè)微膠囊431中。第一導(dǎo)電元件401包括基板2，具有平坦面Spl和波狀面Sw2，形成在第一導(dǎo)電元件401的面對(duì)第二導(dǎo)電元件402的一側(cè)的表面上；以及導(dǎo)電層4，形成在基板2的平坦面Spl上。根據(jù)需要，基板2可以利用夾置在中間的貼合層411(例如，粘合劑)貼合至例如由玻璃制成的支持體412。第二導(dǎo)電元件402包括基板2，具有平坦面Spl和波狀面Sw2，形成在第二導(dǎo)電元件402的面對(duì)第一導(dǎo)電元件401的一側(cè)的表面上；以及導(dǎo)電層4，形成在基板2的平坦面Spl上。根據(jù)顯示裝置(電子紙)400的驅(qū)動(dòng)類型，以預(yù)定的電極圖案形成設(shè)置在第一導(dǎo)電元件401和第二導(dǎo)電元件402中的每一個(gè)上的導(dǎo)電層4。電子紙的驅(qū)動(dòng)類型的實(shí)例包括簡單矩陣驅(qū)動(dòng)型、有源矩陣驅(qū)動(dòng)型和分段驅(qū)動(dòng)型。第十一實(shí)施方式的細(xì)節(jié)在除了上述方面之外的其他方面與第一實(shí)施方式的相同。[實(shí)施例]雖然將結(jié)合測試?yán)釉敿?xì)地描述本發(fā)明，但本發(fā)明的實(shí)際實(shí)例不限于以下測試?yán)Ｔ谝韵碌臏y試?yán)蛯?shí)施例中，通過使用4端子電阻測量裝置來測量導(dǎo)電片的表面電阻。探針的尖端針的直徑R被設(shè)定為100μm，針節(jié)距被設(shè)定為1mm。(測試?yán)?)(轉(zhuǎn)印步驟)首先，制備包括形成在其成形表面中的凹陷納米結(jié)構(gòu)的石英母盤。接下來，在包括凹陷納米結(jié)構(gòu)的石英母盤上涂覆紫外線固化樹脂，并且使具有可粘附附接層的PET(聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯)片與所涂覆的紫外線固化樹脂緊密接觸。在這種狀態(tài)下，用紫外線照射紫外線固化樹脂使其固化，同時(shí)在進(jìn)行固化步驟時(shí)逐漸剝離PET片。結(jié)果，獲得了包括形成在PET片表面上的多個(gè)凸起納米結(jié)構(gòu)的光學(xué)片。納米結(jié)構(gòu)的排列節(jié)距為270nm，并且納米結(jié)構(gòu)的高度為160nm。(膜形成步驟)接下來，通過濺射在光學(xué)片上形成ITO膜。極限真空度被設(shè)定為0.00015Pa,并且膜形成步驟期間的真空度被設(shè)定為O.MI^a。在膜形成步驟期間，以ArO2=20013的混合比率來引入Ar氣和O2氣。此外，調(diào)整膜形成條件，使得根據(jù)平板換算獲得了30nm的膜厚。注意，平板換算的膜厚基本上等于結(jié)構(gòu)頂部的膜厚。(退火步驟)接下來，包括形成在其上的ITO膜的光學(xué)片在大氣中經(jīng)受30分鐘的150°C的退火。通過退火，進(jìn)行ITO膜到多晶態(tài)的轉(zhuǎn)變。接下來，利用X射線衍射(XRD)測量ITO膜，以確認(rèn)轉(zhuǎn)變?yōu)槎嗑B(tài)的進(jìn)行。結(jié)果，觀察到^2O3的峰值。接下來，通過4端子探針方法來測量ITO膜的表面電阻值。結(jié)果，表面電阻值為350Ω/口(單位面積)。(蝕刻步驟)接下來，已經(jīng)經(jīng)受了退火的光學(xué)片被浸入pH大約為3的溶液中持續(xù)20秒。(清洗步驟)接下來，用純水清洗已經(jīng)經(jīng)受了蝕刻的光學(xué)片。接下來，通過4端子探針方法來測量光學(xué)片的表面電阻值。結(jié)果，確認(rèn)片表面絕緣。通過上述步驟，獲得了目標(biāo)光學(xué)片。(測試?yán)?)除了將納米結(jié)構(gòu)的排列節(jié)距設(shè)置為250nm以及將納米結(jié)構(gòu)的高度設(shè)置為190nm之外，以與測試?yán)?同樣的方式獲得光學(xué)片。在ITO膜的退火步驟之后，以與測試?yán)?同樣的方式測量光學(xué)片的表面電阻值。結(jié)果，表面電阻值為550Ω/口。此外，在清洗步驟之后，以與測試?yán)?同樣的方式測量光學(xué)片的表面電阻值。結(jié)果，確認(rèn)片表面絕緣。(測試?yán)?)除了在PET片的平坦平滑面上形成ITO膜而不在PET片上形成結(jié)構(gòu)之外，以與測試?yán)?同樣的方式獲得光學(xué)片。在ITO膜的退火步驟之后，以與測試?yán)?同樣的方式測量光學(xué)片的表面電阻值。結(jié)果，表面電阻值為200Ω/口。此外，在清洗步驟之后，以與測試?yán)?同樣的方式測量光學(xué)片的表面電阻值。結(jié)果，表面電阻值為200Ω/口。(反射特性的評(píng)價(jià))在上述蝕刻步驟之前和之后，對(duì)根據(jù)測試?yán)?的光學(xué)片測量光譜反射性。在圖33中繪制了測量結(jié)果。表1列出了根據(jù)測試?yán)?至3的光學(xué)片的結(jié)構(gòu)狀態(tài)和評(píng)價(jià)結(jié)果。表權(quán)利要求1.一種導(dǎo)電元件，包括基板，具有第一波狀面和第二波狀面；以及導(dǎo)電層，形成在所述第一波狀面上，其中，所述導(dǎo)電層形成導(dǎo)電圖案，并且所述第一波狀面和所述第二波狀面滿足以下關(guān)系，0彡(Ami/λml)<(Am2/λm2)^1.8其中，Ami是所述第一波狀面的振動(dòng)的平均振幅，Am2是所述第二波狀面的振動(dòng)的平均振幅，λml是所述第一波狀面的平均波長，以及λm2是所述第二波狀面的平均波長。2.一種導(dǎo)電元件，包括基板，具有第一波狀面和第二波狀面，每一個(gè)波狀面都具有不大于可見光的波長的波長；以及導(dǎo)電層，形成在所述第一波狀面和所述第二波狀面中的所述第一波狀面上，其中，所述導(dǎo)電層形成導(dǎo)電圖案，并且所述第二波狀面的振動(dòng)的平均振幅Am2大于所述第一波狀面的振動(dòng)的平均振幅Ami。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的導(dǎo)電元件，其中，所述第一波狀面和所述第二波狀面滿足以下關(guān)系，并且所述第二波狀面的平均波長λm2不大于可見光的波長，(Ami/λml)=0且0<(Am2/λm2)彡1·8。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的導(dǎo)電元件，其中，所述第一波狀面和所述第二波狀面滿足以下關(guān)系，并且所述第一波狀面的平均波長λml不大于可見光的波長，0<(Ami/λml)<(Am2/λm2)彡1·8。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的導(dǎo)電元件，其中，所述第一波狀面和所述第二波狀面滿足以下關(guān)系，并且所述第二波狀面的平均波長λπι2不小于lOOnm，(Ami/λml)=0且0<(Am2/λm2)彡1·8。6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的導(dǎo)電元件，其中，所述第一波狀面和所述第二波狀面滿足以下關(guān)系，并且所述第一波狀面的平均波長λml和所述第二波狀面的平均波長λm2均不小于lOOnm，0<(Ami/λml)<(Am2/λm2)彡1.8。7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的導(dǎo)電元件，還包括殘留膜，所述殘留膜通過去除涂覆在所述第一波狀面以及所述第二波狀面上的所述導(dǎo)電層而部分地形成在所述第二波狀面上，其中，所述導(dǎo)電層和所述殘留膜滿足以下關(guān)系，Sl>S2其中，Sl是所述導(dǎo)電層的面積，S2是所述殘留膜的面積。8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的導(dǎo)電元件，其中，形成在所述第一波狀面上的所述導(dǎo)電層連續(xù)地形成在所述第一波狀面上，并且形成在所述第二波狀面上的所述殘留膜不連續(xù)地形成在所述第二波狀面上。9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的導(dǎo)電元件，還包括殘留膜，所述殘留膜通過去除涂覆在所述第一波狀面以及所述第二波狀面上的所述導(dǎo)電層而部分地形成在所述第二波狀面上，其中，所述導(dǎo)電層和所述殘留膜滿足以下關(guān)系，dl>d2其中，dl是所述導(dǎo)電層的厚度，d2是所述殘留膜的厚度。10.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的導(dǎo)電元件，其中，所述導(dǎo)電層的表面電阻為5000Ω/口以下，其中，□表示單位面積。11.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的導(dǎo)電元件，其中，所述導(dǎo)電層包含從包括導(dǎo)電高聚物、金屬納米粒子和碳納米管的組中所選擇的至少一種。12.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的導(dǎo)電元件，其中，所述導(dǎo)電層包含透明氧化物半導(dǎo)體。13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的導(dǎo)電元件，其中，所述透明氧化物半導(dǎo)體為氧化銦錫或氧化鋅。14.根據(jù)權(quán)利要求12所述的導(dǎo)電元件，其中，所述導(dǎo)電層處于非晶相和多晶相的混合狀態(tài)。15.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的導(dǎo)電元件，其中，所述導(dǎo)電圖案為配線圖案。16.一種配線元件，包括根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的導(dǎo)電元件。17.一種信息輸入裝置，包括根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的導(dǎo)電元件。18.—種顯示裝置，包括根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的導(dǎo)電元件。19.一種電子設(shè)備，包括根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的導(dǎo)電元件。20.一種導(dǎo)電元件制造方法，包括以下步驟在具有第一波狀面和第二波狀面的基板的表面上形成導(dǎo)電層；以及去除形成在所述基板的表面上的所述導(dǎo)電層，其中，在去除所述導(dǎo)電層的過程中，由所述導(dǎo)電層制成的導(dǎo)電圖案形成在所述第一波狀面和所述第二波狀面中的所述第一波狀面上，并且所述第一波狀面和所述第二波狀面滿足以下關(guān)系，0彡(Ami/λml)<(Am2/λm2)^1.8其中，Ami是所述第一波狀面的振動(dòng)的平均振幅，Am2是所述第二波狀面的振動(dòng)的平均振幅，λml是所述第一波狀面的平均波長，以及λm2是所述第二波狀面的平均波長。21.一種導(dǎo)電元件制造方法，包括以下步驟在具有第一波狀面和第二波狀面的基板的表面上形成導(dǎo)電層，每一個(gè)波狀面都具有不大于可見光的波長的波長；以及去除形成在所述基板的表面上的所述導(dǎo)電層，其中，所述第二波狀面的振動(dòng)的平均振幅Am2大于所述第一波狀面的振動(dòng)的平均振幅Ami,所述第二波狀面的振動(dòng)的平均振幅Am2與所述第二波狀面的平均波長λπ的比率Am2/λm2為1.8以下，并且在去除所述導(dǎo)電層的過程中，在所述第一波狀面和所述第二波狀面中的所述第一波狀面上形成由所述導(dǎo)電層制成的導(dǎo)電圖案。全文摘要本發(fā)明公開了導(dǎo)電元件及其制造方法、配線元件、信息輸入裝置，該導(dǎo)電元件包括基板，具有第一波狀面和第二波狀面；以及導(dǎo)電層，形成在第一波狀面上，其中，導(dǎo)電層形成導(dǎo)電圖案，并且第一波狀面和第二波狀面滿足以下關(guān)系，0≤(Am1/λm1)＜(Am2/λm2)≤1.8，其中，Am1是第一波狀面的振動(dòng)的平均振幅，Am2是第二波狀面的振動(dòng)的平均振幅，λm1是第一波狀面的平均波長，以及λm2是第二波狀面的平均波長。文檔編號(hào)H01L21/60GK102237333SQ201110096910公開日2011年11月9日申請(qǐng)日期2011年4月18日優(yōu)先權(quán)日2010年4月28日發(fā)明者林部和彌,梶谷俊一,遠(yuǎn)藤惣銘申請(qǐng)人:索尼公司