專利名稱：電子器件及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本公開內(nèi)容主要涉及一種電子器件及其制造方法，更具體地涉及包含提(bank) 結(jié)構(gòu)的有機(jī)發(fā)光二極管及其制造方法；還涉及包含具有導(dǎo)電線的提結(jié)構(gòu)的電子器件和使用于電子器件的導(dǎo)電線絕緣的方法；進(jìn)一步涉及形成有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)的薄膜晶體管 (TFT)的柵電極和電泳器件的方法。
背景技術(shù)：
根據(jù)本領(lǐng)域的現(xiàn)狀，沒有將絕緣材料例如氟化有機(jī)聚合物直接圖案化的便利方法。此處使用的術(shù)語“絕緣材料”理解為具有約2. OMV/cm或更大的擊穿電壓的材料。因此， 期望提供利用合算的技術(shù)例如噴墨印刷將絕緣材料例如氟化有機(jī)聚合物圖案化的方法。例如，在有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)顯示器的制造中，可以將包含有機(jī)電致發(fā)光材料的液體油墨施加到OLED顯示器的像素區(qū)域上。然而，由于油墨濕潤的問題，例如，許多噴墨圖案化方法中使用提結(jié)構(gòu)以提供所需的圖案，以減少油墨溢流到OLED顯示器的相鄰像素區(qū)域中。然而，該提結(jié)構(gòu)的制造需要在光刻過程中使用光致抗蝕劑，隨后用一個(gè)或多個(gè)氟化過程以產(chǎn)生有效的工作提，其包括機(jī)械障以及親水性和疏水性區(qū)域的圖案。因此，利用提結(jié)構(gòu)以避免油墨溢流的方法導(dǎo)致更大量的過程操作。

發(fā)明內(nèi)容
此處描述的一些實(shí)施方式提供一種制造包括提結(jié)構(gòu)的電子器件的方法，其需要較少量的步驟，其中通過利用合算的技術(shù)例如噴墨印刷將絕緣層例如氟化有機(jī)聚合物直接圖案化是可能的，以及提供利用該方法制造的電子器件—些實(shí)施方式包括使制造許多方便的結(jié)構(gòu)簡單的圖案化方法，其減少過程操作， 并增加電子器件的性能和顯示元件的占空因數(shù)。采用該新技術(shù)，可以制造用于隨后的印刷方法的校準(zhǔn)(alignment)結(jié)構(gòu)，例如在有機(jī)顯示器的制造中。通過使用圖案化的氟化有機(jī)聚合物作為用于隨后涂布的自校準(zhǔn)(非濕潤)層減少過程操作是另外的益處。此外，圖案化方法的實(shí)施方式是輥對輥(roll-to-roll)相容的，因此，柔性襯底可以此加工。一些實(shí)施方式還提供制造電子器件的方法，包括在襯底上施加包含有機(jī)絕緣材料的有機(jī)絕緣層，并通過施加有機(jī)溶劑至有機(jī)絕緣層，將有機(jī)絕緣層圖案化。在一些實(shí)施方式中，將有機(jī)溶劑施加至涂布有官能層例如聚合物和含氟聚合物的有機(jī)絕緣層表面上。在一些實(shí)施方式中，優(yōu)選通過噴墨印刷例如作為液滴流施加有機(jī)溶劑。施加的有機(jī)溶劑溶解一些有機(jī)絕緣材料，并且由于有機(jī)溶劑的液滴的動能，溶解材料的溶液橫向流動。隨后的溶劑液滴溶解相同區(qū)域中更多的有機(jī)絕緣材料，從而使該區(qū)域變薄并形成第一凹槽、孔、空穴或凹口。如此產(chǎn)生的高度濃縮的溶液具有足夠的動能以從絕緣層中形成的所產(chǎn)生的第一凹槽離開。因?yàn)橛袡C(jī)溶劑具有低沸點(diǎn)，該有機(jī)溶劑快速蒸發(fā)， 并且溶解的絕緣材料迅速固化，在沒有施加溶劑的第二區(qū)域中積聚，從而增加在第二區(qū)域處的有機(jī)絕緣材料層的厚度。第二區(qū)域在第一凹槽附近、周圍或與第一凹槽相鄰。因此，由于積聚的有機(jī)絕緣材料，在第二區(qū)域上形成突起。例如有機(jī)絕緣積聚的材料可以用于覆蓋導(dǎo)電線，或作為用于隨后的過程的提。通過利用氟化絕緣體和氟化溶劑，可以非常容易產(chǎn)生自裝配結(jié)構(gòu)，而且用該方法，圖案化的配件可以支持隨后的圖案化方法。隨后，可以利用有機(jī)溶劑完全或部分除去有機(jī)絕緣材料。或者，有機(jī)絕緣材料可以通過施加有機(jī)溶劑從第一區(qū)域部分除去，然后利用等離子體蝕刻完全除去。導(dǎo)電層可以在圖案化的有機(jī)絕緣層上形成，并用作導(dǎo)電線、柵電極、像素電極、電容器電極等。該方法的實(shí)施方式可以進(jìn)一步包括在襯底上形成第一導(dǎo)電層。然后，在第一導(dǎo)電層上形成有機(jī)絕緣層，并通過施加有機(jī)溶劑至有機(jī)絕緣層，圖案化有機(jī)絕緣層，以暴露第一導(dǎo)電層。可以進(jìn)一步在暴露的第一導(dǎo)電層上形成電致發(fā)光層。因此，第一導(dǎo)電層可以用作發(fā)光器件的像素電極?；蛘?，在第一導(dǎo)電層上形成有機(jī)絕緣層，然后通過部分除去有機(jī)絕緣層，以不暴露第一導(dǎo)電層，圖案化有機(jī)絕緣層。然后，可以在圖案化的有機(jī)絕緣層上形成第二導(dǎo)電層。第一導(dǎo)電層、有機(jī)絕緣層和第二導(dǎo)電層可以是包括一對電容器電極和介電質(zhì)的電容器器件。總而言之，提供了一種簡單和快速的單步驟圖案化方法，以在涂布材料上實(shí)現(xiàn)幾種結(jié)構(gòu)，其特別適用于有機(jī)電子器件，其可以進(jìn)一步形成在柔性襯底上。有機(jī)器件如OLED 顯示器或有機(jī)薄膜晶體管(OTFT)電路包含許多不同的有源和無源部件，其優(yōu)選以低成本生產(chǎn)。該新技術(shù)容許以簡單的方法生產(chǎn)許多這些有源和無源部件，其性能改善且過程操作量減少。此外，一些實(shí)施方式提供電子器件，其包括襯底、在襯底上形成并且包含有機(jī)絕緣材料的有機(jī)絕緣層，其中有機(jī)絕緣層包括具有第一凹槽的第一區(qū)域，和具有至少一個(gè)突起壁的第二區(qū)域，其中該至少一個(gè)突起壁是第一凹槽壁的延長線。此處使用的術(shù)語“突起”是指與還沒有施加有機(jī)溶劑的有機(jī)絕緣層相比，具有較厚有機(jī)絕緣層的區(qū)域。在第一區(qū)域中的有機(jī)絕緣層的厚度由于向其施加有機(jī)溶劑而減小以形成第一凹槽，并且來自第一區(qū)域的溶解的有機(jī)絕緣材料積聚在與第一區(qū)域相鄰的第二區(qū)域上以形成突起。第二區(qū)域可以包括多個(gè)突起，并且第二凹槽可以通過該多個(gè)突起形成。通過將有機(jī)溶劑施加到有機(jī)絕緣層，完全或部分除去第一區(qū)域的有機(jī)絕緣材料，從而從有機(jī)絕緣層的初始厚度減小有機(jī)絕緣層的厚度。相反，因?yàn)榈诙疾弁ㄟ^有機(jī)絕緣層上的突起形成，第二凹槽中有機(jī)絕緣層的厚度通常等于或大于有機(jī)絕緣層的初始厚度。因此，第二凹槽的底部具有比第一凹槽的底部厚的有機(jī)絕緣層。電子器件可以進(jìn)一步包括布置在襯底和有機(jī)絕緣層之間的第一導(dǎo)電層。有機(jī)器件可以進(jìn)一步包括在第一凹槽和/或第二凹槽中形成的第二導(dǎo)電層，和/或由一個(gè)或多個(gè)突起密封。第二導(dǎo)電層可以用作柵電極、像素電極、導(dǎo)電線、電容器電極等。
根據(jù)第一方面，提供一種制造電子器件的方法，包括形成包括有機(jī)絕緣材料的至少一層。該方法包括提供襯底；在襯底上施加包含有機(jī)絕緣材料的有機(jī)絕緣層；并將有機(jī)溶劑直接施加到有機(jī)絕緣層上。使用有機(jī)溶劑導(dǎo)致直接圖案化方法，其需要較少量的用于制造顯示器用提結(jié)構(gòu)的過程操作量，其中提結(jié)構(gòu)用于沉積溶解的有機(jī)電致發(fā)光材料的隨后噴墨印刷過程。優(yōu)選地，通過在每個(gè)第一區(qū)域中施加有機(jī)溶劑，有機(jī)絕緣層的有機(jī)絕緣材料厚度在多個(gè)第一區(qū)域中減小，其中沒有有機(jī)溶劑施加到第二區(qū)域或多個(gè)第二區(qū)域上，其中每個(gè)第二區(qū)域定義為相鄰的第一區(qū)域之間的區(qū)域。優(yōu)選地，設(shè)置每個(gè)第一區(qū)域，以形成有機(jī)電致發(fā)光顯示器的像素區(qū)域，并設(shè)置每個(gè)第二區(qū)域，以形成有機(jī)電致發(fā)光顯示器的非像素區(qū)域。因此，可以通過直接圖案化方法制造包含多個(gè)像素區(qū)域的提結(jié)構(gòu)。設(shè)置第一區(qū)域/ 像素區(qū)域，以形成用于油墨(待印刷的)的機(jī)械障，使得例如在OLED顯示器制造期間，可避免油墨溢流到相鄰的像素區(qū)域。因此，優(yōu)選每個(gè)第一區(qū)域通過第二區(qū)域與相鄰的第一區(qū)域分開，并且每個(gè)第二區(qū)域中有機(jī)絕緣層的有機(jī)絕緣材料的厚度大于相鄰的第一區(qū)域中有機(jī)絕緣層的有機(jī)絕緣材料的厚度。優(yōu)選將有機(jī)溶劑施加到以矩陣(matrix)排列的多個(gè)第一區(qū)域上。或者，可將有機(jī)溶劑施加到通常相互平行排列的多個(gè)線狀第一區(qū)域上，其中設(shè)置每個(gè)線狀第一區(qū)域以在有機(jī)電致發(fā)光顯示器的水平或垂直方向上延伸，并且其中每對相鄰的線狀第一區(qū)域通常以相互均勻的距離布置。在其上施加溶劑的第一區(qū)域中絕緣層的厚度減小，并且由于溶解的絕緣材料積聚，鄰近的第二區(qū)域的厚度進(jìn)一步增加。該提結(jié)構(gòu)可以包括比像素區(qū)域高直至十倍的屏障。 因此，優(yōu)選施加有機(jī)溶劑，使得每個(gè)第二區(qū)域中有機(jī)絕緣層的有機(jī)絕緣材料的厚度比相鄰第一區(qū)域中有機(jī)絕緣層的有機(jī)絕緣材料的厚度大至少約兩倍，更優(yōu)選約五倍，更加優(yōu)選約八倍?？梢杂冒ㄒ韵碌膮?shù)控制其上施加有機(jī)溶劑的第一區(qū)域中有機(jī)絕緣層的層厚度的精確減小有機(jī)絕緣層的材料、有機(jī)絕緣層的起始厚度、溶劑、第一區(qū)域中施加的溶劑量、以及第一區(qū)域的表面尺寸。通過合適的選擇上述參數(shù)，可完全除去第一區(qū)域中的有機(jī)絕緣材料，或僅降低第一區(qū)域中有機(jī)絕緣材料的厚度。通過控制上述參數(shù)，還可控制第一區(qū)域和第二區(qū)域中有機(jī)絕緣材料的厚度比例。因?yàn)閷⑻峤Y(jié)構(gòu)用于制造有機(jī)電致發(fā)光顯示器，優(yōu)選設(shè)置第一區(qū)域使得兩個(gè)相鄰第一區(qū)域中心之間的間距或距離為約10 μ m至約150 μ m，更優(yōu)選為約30 μ m至約80 μ m。根據(jù)第二方面，提供一種制造有機(jī)電致發(fā)光顯示器的方法。該方法包括提供襯底； 在襯底上施加第一電極層，其中第一電極層優(yōu)選為陽極層；將有機(jī)絕緣材料的有機(jī)絕緣層施加到第一電極層上；將有機(jī)溶劑施加到多個(gè)第一區(qū)域或像素區(qū)域上，從而從像素區(qū)域溶解并且完全除去有機(jī)絕緣材料，使得在像素區(qū)域中暴露第一電極層。此外，在每個(gè)像素區(qū)域中施加有機(jī)電致發(fā)光層，并在有機(jī)電致發(fā)光層上形成第二電極。此外，優(yōu)選封裝整個(gè)顯示器，以防止水分和氧氣使有機(jī)電致發(fā)光材料惡化。優(yōu)選，通過噴墨印刷或旋涂，將由有機(jī)電致發(fā)光材料組成的有機(jī)電致發(fā)光層施加到每個(gè)第一電極層上。此外，如果使用氟化有機(jī)絕緣材料，優(yōu)選通過浸漬將有機(jī)電致發(fā)光材料施加到每個(gè)第一區(qū)域或像素區(qū)域的第一電極層上。根據(jù)第三方面，提供一種制造導(dǎo)電線的方法。該方法包括提供襯底；將絕緣材料的有機(jī)絕緣層施加到襯底上；將至少一個(gè)導(dǎo)電線施加到有機(jī)絕緣材料的有機(jī)絕緣層上；并
6將有機(jī)溶劑施加至鄰近至少一個(gè)導(dǎo)電線的至少部分區(qū)域，從而在其上施加溶劑的區(qū)域的邊緣和/或外部上積聚溶解的絕緣材料，從而用溶解的有機(jī)絕緣材料部分或完全覆蓋和包封至少一個(gè)導(dǎo)電線。因此，提供一種非常容易的用于包封導(dǎo)電線的方法。如已經(jīng)提及的，可以通過選擇有機(jī)絕緣材料和/或其厚度、有機(jī)溶劑、溶劑量和/或其上施加溶劑的表面積，容易地控制通過施加有機(jī)溶劑從其上施加溶劑的區(qū)域轉(zhuǎn)移至鄰近區(qū)域或邊緣區(qū)域的積聚材料量。為了包封導(dǎo)電線，優(yōu)選形成至少一個(gè)導(dǎo)電線，其寬度為約1 μ m至約200 μ m,高度為約 0. 03 μ m至約3 μ m。更優(yōu)選，至少一個(gè)導(dǎo)電線的寬度為約5 μ m至約50 μ m,高度為約0. 1 μ m 至約2μπι。此外，優(yōu)選其上施加有機(jī)溶劑的區(qū)域與至少一個(gè)導(dǎo)電線的距離為約ΙΟμπι至約 50 μ m,更優(yōu)選為約20 μ m至約40 μ m,和在垂直于至少一個(gè)導(dǎo)電線縱軸的方向上的寬度為約50 μ m至約500 μ m，更優(yōu)選為約IOOym至約300 μ m。此外，還可一次包封兩個(gè)或多個(gè)導(dǎo)電線。為了包封兩個(gè)平行導(dǎo)電線，將有機(jī)溶劑施加到導(dǎo)電線之間的區(qū)域上。因此，在有機(jī)絕緣材料的有機(jī)絕緣層上形成沿著第一方向延伸的至少兩個(gè)平行導(dǎo)電線，并將有機(jī)溶劑施加至該至少兩個(gè)導(dǎo)電線之間的區(qū)域的至少部分上，從而溶解其上施加有機(jī)溶劑的區(qū)域中有機(jī)絕緣材料，并同時(shí)進(jìn)一步用溶解和積聚的絕緣材料覆蓋至少兩個(gè)平行導(dǎo)電線。優(yōu)選，形成至少兩個(gè)平行導(dǎo)電線，寬度為約10 μ m至約50 μ m,更優(yōu)選為約20 μ m至約40 μ m,高度為約0. 03 μ m至約3 μ m,更優(yōu)選為約0. 1 μ m至約2 μ m，其中相鄰平行導(dǎo)電線之間的距離為約 70 μ m至約500 μ m,更優(yōu)選約100 μ m至約400 μ m。此外，優(yōu)選其上施加有機(jī)溶劑的區(qū)域與至少兩個(gè)平行導(dǎo)電線的每個(gè)具有約10 μ m至約50 μ m的距離，更優(yōu)選為約20 μ m至約40 μ m, 和其上施加有機(jī)溶劑的區(qū)域在垂直于導(dǎo)電線軸的方向上寬度為約50 μ m至約500 μ m,更優(yōu)選為約100 μ m至約400 μ m。此外，可形成另外的導(dǎo)電線，其沿著不同于已經(jīng)通過上述施加有機(jī)溶劑而覆蓋有絕緣材料的導(dǎo)電線的方向延伸。更優(yōu)選，在包封導(dǎo)電線上形成的另外導(dǎo)電線具有垂直于包封導(dǎo)電線方向延伸的方向。此處使用的術(shù)語“在第二層上施加第一層，，或“在第二層上布置第一層，，或“在第二層上形成第一層”或“在第二層上方形成第一層”是指直接布置在第二層上的第一層，以及其中至少一個(gè)第三層布置在第一和第二層之間的結(jié)構(gòu)。根據(jù)第四方面，通過將有機(jī)溶劑施加到有機(jī)絕緣材料的有機(jī)絕緣層上，可以容易地制造有機(jī)薄膜晶體管陣列。該方法包括提供襯底；施加包括源極、半導(dǎo)體材料的溝道區(qū)域和漏極的多個(gè)功能層；并用有機(jī)絕緣材料的有機(jī)絕緣層覆蓋功能層。然后，對于每個(gè) TFT，在位于每個(gè)TFT溝道區(qū)域上方的區(qū)域中，將柵電極層施加在有機(jī)絕緣層上。然后，在鄰近柵電極的第一區(qū)域中施加有機(jī)溶劑，從而積聚材料，其用來自第一區(qū)域的溶解的有機(jī)絕緣材料包封柵電極。其中施加有機(jī)溶劑的第一區(qū)域形成第一凹槽。優(yōu)選，形成的有機(jī)絕緣層的厚度為約0. 1 μ m至約2 μ m，更優(yōu)選為約0. 5 μ m至約1. 5 μ m,形成至少一個(gè)柵電極，其寬度為約10 μ m至約300 μ m,高度為約0. 3 μ m至約3 μ m，至少一個(gè)柵電極和其中施加有機(jī)溶劑的區(qū)域之間的距離約10 μ m至約50 μ m,更優(yōu)選為約20 μ m至約40 μ m。根據(jù)第五方面，提供一種顯示器，其包括連接至像素電極的薄膜晶體管。在襯底上形成多個(gè)功能層，其包括源極、溝道區(qū)域、漏極和像素電極，且有機(jī)絕緣層形成以覆蓋功能層。然后，將有機(jī)溶劑施加至像素電極位于其中的有機(jī)絕緣層的第一區(qū)域或像素區(qū)域，從而在對應(yīng)于相鄰源極層和相鄰漏極層的第二區(qū)域中積聚有機(jī)絕緣材料，從而形成突起?？梢酝ㄟ^將有機(jī)溶劑施加至鄰近第二區(qū)域的兩個(gè)第一區(qū)域，形成多個(gè)突起。因此，可通過有機(jī)絕緣層的第二區(qū)域中的相鄰?fù)黄鹦纬傻诙疾?，其相?yīng)于溝道區(qū)域。在每個(gè)第二凹槽中形成柵電極。此外，優(yōu)選從其上施加有機(jī)溶劑的第一區(qū)域溶解并完全除去有機(jī)絕緣材料，從而形成多個(gè)像素區(qū)域。優(yōu)選，在多個(gè)柵電極的每個(gè)上形成鈍化層。優(yōu)選形成有機(jī)絕緣層，其厚度為約0. 1 μ m至約2 μ m，更優(yōu)選為約0. 5 μ m至約1. 5 μ m,至少一個(gè)凹槽和其中施加有機(jī)溶劑的相鄰第一區(qū)域之間的距離為約50 μ m至約500 μ m,更優(yōu)選為約100 μ m至約400 μ m。根據(jù)第六方面，提供一種制造至少一個(gè)電容器的方法，其中可以通過控制介電層的厚度調(diào)節(jié)電容器的電容。該方法包括提供襯底；在襯底上施加第一電容器電極；并在第一電容器電極上施加有機(jī)絕緣層。有機(jī)絕緣層可以用作插入電容器電極之間的介電層。優(yōu)選形成厚度約1 μ m至約5 μ m的有機(jī)絕緣層。為了控制電容器的介電層厚度，將有機(jī)溶劑施加到第一電容器電極位于其中的第一區(qū)域的部分上，優(yōu)選施加到整個(gè)第一區(qū)域上，從而減小有機(jī)絕緣材料的厚度。在減小有機(jī)絕緣材料的厚度后，在第一區(qū)域的至少部分上的有機(jī)絕緣層上形成第二電容器電極。優(yōu)選，覆蓋第一電容器電極的材料厚度減小至約50μπι 到約lOOODm，更優(yōu)選為約50μπι至約500Dm。優(yōu)選，各自形成第一電容器電極和第二電容器電極，其長度為約50 μ m至約500 μ m,寬度為約50 μ m至約500 μ m。根據(jù)第七方面，多個(gè)功能層在在襯底上形成，并以矩陣排列，每個(gè)功能層包括源極、溝道區(qū)域和漏極。用有機(jī)絕緣層覆蓋功能層，并在溝道區(qū)域位于其中的第一區(qū)域中施加有機(jī)溶劑，從而減小有機(jī)絕緣材料的厚度。優(yōu)選，在第一區(qū)域中有機(jī)絕緣材料上形成柵電極。優(yōu)選，覆蓋溝道區(qū)域的有機(jī)絕緣材料減小至厚度為約50 μ m至約lOOOnm，更優(yōu)選為約 50 μ m至約500nm。優(yōu)選，各自形成溝道區(qū)域，其長度為約5 μ m至約500 μ m,寬度為約IOym 至約500 μ m。根據(jù)第八方面，提供一種制造用于顯示應(yīng)用的像素限定層的方法。制造優(yōu)選以矩陣排列的多個(gè)像素限定層的方法包括提供襯底；將第一電極施加到襯底上；在第一電極上施加有機(jī)絕緣層；并將有機(jī)溶劑施加進(jìn)入多個(gè)第一區(qū)域或像素區(qū)域，從而在多個(gè)像素區(qū)域中暴露第一電極層，并在鄰近多個(gè)像素區(qū)域的區(qū)域中積聚溶解的有機(jī)絕緣材料，從而形成像素限定層。優(yōu)選，相鄰第一區(qū)域或像素區(qū)域之間的間距為約ΙΟμπι至約150μπι，更優(yōu)選為約40 μ m至約100 μ m,該間距為相鄰像素區(qū)域中心之間的距離。根據(jù)第九方面，提供在絕緣層中制造接觸孔、通孔和/或透孔的方法。該方法包括提供襯底，在襯底上施加有機(jī)絕緣層；將有機(jī)溶劑施加到其中待形成接觸孔的有機(jī)絕緣層的第一區(qū)域上。為了減小接觸孔的阻抗，提供等離子體蝕刻處理，優(yōu)選在微波等離子體裝置中使用氬等離子體?？梢栽诎鄠€(gè)優(yōu)選以矩陣排列的接觸孔的整個(gè)襯底上進(jìn)行等離子體處理。等離子體處理進(jìn)行約10秒至約120秒。功率優(yōu)選為約20W至約100W。氣流優(yōu)選為約IOccm至約50ccm。電極距離優(yōu)選為約15mm至約75mm。壓力優(yōu)選為約0. 01毫巴至約0. 1毫巴。襯底溫度優(yōu)選為室溫。以下概述適用于第一至第九方面。優(yōu)選，有機(jī)絕緣層包括有機(jī)絕緣材料，其完全由有機(jī)絕緣材料形成。優(yōu)選，通過旋涂、浸涂、絲網(wǎng)印刷或膠印形成有機(jī)絕緣層。優(yōu)選，形成厚度為約0. Ιμπι至約3μπι的有機(jī)絕緣層。優(yōu)選，有機(jī)絕緣層包括有機(jī)絕緣材料，其在其上施加有機(jī)絕緣層的整個(gè)襯底上具有均勻的厚度。有機(jī)絕緣材料可以包括選自聚乙烯基苯酚、聚乙烯醇、聚乙烯、聚苯乙烯、聚(甲基丙烯酸甲酯)、聚(甲基丙烯酸丁酯)、聚(甲基丙烯酸環(huán)己酯)、聚異丁烯和聚丙烯的材料。氟化有機(jī)聚合物可以用作有機(jī)絕緣層的有機(jī)絕緣材料。有機(jī)絕緣材料可以包括選自聚六氟丙烯、氟化聚對二甲苯、氟化聚芳基醚酮、氟化聚烷基醚、氟化聚酰胺、氟化的乙烯 /丙烯共聚物、聚(1，2_ 二氟亞甲基)全氟四氫呋喃和聚四氟乙烯的材料。有機(jī)溶劑可以為非極性溶劑。優(yōu)選，有機(jī)溶劑包括選自二氯甲烷、四氫呋喃、二甲苯、正己烷、甲苯、環(huán)己烷、苯甲醚、3，4_ 二甲基苯甲醚、1，2-二氯苯、四氫化萘、1，2，4_三甲基苯、1，2，3_三甲基苯、1，3，5_三甲苯、苯甲酸甲酯、苯甲酸乙酯、全氟庚烷、全氟辛烷、全氟壬烷、全氟癸烷、全氟十一烷、全氟十二烷、全氟十氫化萘、全氟甲基十氫化萘、全氟二甲醚、全氟四氫呋喃、全氟甲基四氫呋喃、全氟乙基四氫呋喃、全氟二丙醚、全氟二異丙醚、全氟乙基丙基醚、全氟2-丁基四氫呋喃、全氟化的飽和叔胺、廿七氟三丁胺和甲氧基九氟丁烷的溶劑。


通過參考附圖詳細(xì)描述示范性實(shí)施方式，本發(fā)明的上述和其它特征和優(yōu)點(diǎn)將變得更加明顯，其中圖1A-1D圖解可以用于制造有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)的襯底的提結(jié)構(gòu)的實(shí)施方式的剖面圖；圖2A-2D圖解可以用于制造OLED的襯底上提結(jié)構(gòu)的制造方法的實(shí)施方式；圖3A-3E圖解制造OLED的方法的實(shí)施方式；圖4A-4E圖解包封兩個(gè)平行導(dǎo)電線的方法的實(shí)施方式；圖5A-5F圖解制造連接至像素電極的多個(gè)有機(jī)薄膜晶體管的方法的實(shí)施方式；圖6、7A和7B圖解制造電泳顯示器的方法的實(shí)施方式；圖8A-8G圖解制造OLED的方法的另一個(gè)示范實(shí)施方式；圖9A和9B圖解制造電容器的方法的實(shí)施方式；圖IOA和IOB圖解制造有機(jī)薄膜晶體管的方法的實(shí)施方式；圖IlA和IlB圖解制造像素限定層的方法的實(shí)施方式；和圖12A-12E圖解制造多個(gè)接觸孔的方法的實(shí)施方式。
具體實(shí)施例方式在下文中，參考附圖更充分地描述某些實(shí)施方式，其中附解了示范實(shí)施方式。 通常，應(yīng)該注意，為了清楚，附圖標(biāo)記沒有附著于每個(gè)附圖中的每個(gè)元件，而是僅在第一次顯示元件時(shí)列出附圖標(biāo)記。因此，應(yīng)理解具有相同影線的元件代表相同功能的元件。圖IA至ID是在有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)的制造中使用的襯底上提結(jié)構(gòu)的實(shí)施方式的剖面圖。圖1A-1D中，水平軸的單位是μπι，垂直軸的單位是μπι。圖IA顯示可以用于制造OLED的襯底的提結(jié)構(gòu)的實(shí)施方式的剖視圖。圖IB顯示圖IA的襯底的提結(jié)構(gòu)的放大圖。為了獲得可以用于OLED制造過程的具有提結(jié)構(gòu)的襯底， 圖解的實(shí)施方式提供其上施加有機(jī)絕緣材料的有機(jī)絕緣層的支撐襯底。為了獲得提結(jié)構(gòu)， 將有機(jī)溶劑(未示出)施加到多個(gè)第一區(qū)域4上，其限定OLED制造過程中的像素區(qū)域，如圖IB中所示。有機(jī)溶劑(未示出)溶解像素區(qū)域中的有機(jī)絕緣材料，并在鄰接像素區(qū)域的第二區(qū)域5中積聚溶解的有機(jī)絕緣材料。第二區(qū)域5的特征為非像素區(qū)域。取決于施加的有機(jī)溶劑量和相鄰的像素區(qū)域之間的距離，非像素區(qū)域5可以包含有機(jī)絕緣材料的單脊 (single ridge)(參見圖IC和1D)，或有機(jī)絕緣材料的雙脊(參見圖IA和1B)。此外，非像素區(qū)域5中可形成非常陡峭的突起或脊，其中突起具有可比像素區(qū)域4中有機(jī)絕緣材料的厚度高直至十倍的高度。此外，可從像素區(qū)域4完全除去有機(jī)絕緣材料，或僅減小并控制像素區(qū)域4中的層厚度至一定量。圖2A-2D圖解在可以用于制造OLED的襯底上制造提結(jié)構(gòu)的方法的實(shí)施方式。首先參考圖2A，提供襯底1，其通常優(yōu)選由玻璃或塑料襯底形成，并且優(yōu)選包括平坦的上表面。 參考圖2B，在襯底1上施加有機(jī)絕緣層2。優(yōu)選，有機(jī)絕緣層2具有在整個(gè)襯底1上大體均勻的厚度。參考圖1C，將有機(jī)溶劑3施加到有機(jī)絕緣層2的多個(gè)第一區(qū)域4上，每個(gè)第一區(qū)域相應(yīng)于像素區(qū)域。有機(jī)溶劑3通過溶解第一區(qū)域4的有機(jī)絕緣材料形成第一凹槽gl。然后，在第一區(qū)域4和/或鄰接第一區(qū)域4的第二區(qū)域5的邊緣上積聚溶解的有機(jī)絕緣材料， 以形成至少一個(gè)突起P。參考圖2D，第一區(qū)域4中的厚度減小相應(yīng)于施加的有機(jī)溶劑3的量。如圖2D中左側(cè)第一區(qū)域4所示，層厚度已經(jīng)減小，但是沒有從左側(cè)第一區(qū)域4完全除去有機(jī)絕緣材料。然而，由于使用施加至右側(cè)第一區(qū)域4的較大量的有機(jī)溶劑3，已從由此第一區(qū)域4完全除去有機(jī)絕緣材料。相鄰第一區(qū)域4之間的區(qū)域形成第二區(qū)域5，其包含積聚的絕緣材料。由于溶解的有機(jī)絕緣材料的積聚，在第二區(qū)域5上形成多個(gè)突起P。因此， 隨著施加有機(jī)溶劑，第二區(qū)域5的層厚度增加，同時(shí)第一區(qū)域4的層厚度降低。此處，第一區(qū)域4相應(yīng)于像素區(qū)域，第二區(qū)域5相應(yīng)于非像素區(qū)域。圖3A-3E圖解制造OLED的方法的實(shí)施方式。首先，提供襯底1，如圖3A所示。然后，將第一電極6，例如氧化錫銦(ITO)層施加到襯底1上，如圖:3B所示，和用有機(jī)絕緣層2 覆蓋第一電極層6，如圖3C所示。然后，將有機(jī)溶劑(未示出)施加到有機(jī)絕緣層2的多個(gè)第一區(qū)域4上。優(yōu)選，將有機(jī)溶劑施加到有機(jī)絕緣層2的第一區(qū)域4上，其相應(yīng)于各自的像素區(qū)域，并且以矩陣排列。控制有機(jī)溶劑的量，使得從第一區(qū)域4完全溶解并除去有機(jī)絕緣材料，從而在每個(gè)第一區(qū)域4中暴露第一電極層6。因此，每個(gè)第一區(qū)域4包括第一凹槽gl。如圖3D所示，由于溶解的有機(jī)絕緣材料積聚在其上，鄰接第一區(qū)域4的有機(jī)絕緣層2的第二區(qū)域5包括突起P。在本實(shí)施方式中，第二區(qū)域5可以相應(yīng)于非像素區(qū)域。根據(jù)本實(shí)施方式，通過施加有機(jī)絕緣層2和將有機(jī)溶劑施加到其中層厚度減小或完全除去的各個(gè)區(qū)域上的操作，可以容易地進(jìn)行在非像素區(qū)域中由絕緣材料組成的提結(jié)構(gòu)的圖案化。因此，可以避免成本大的過程操作，例如光刻蝕過程。如圖3E所示，可以通過施加有機(jī)電致發(fā)光層7和第二電極8完成有機(jī)電致發(fā)光器件。任選地，可以在第一電極6和有機(jī)電致發(fā)光層7之間形成空穴傳輸層20。圖4A-4E圖解包封兩個(gè)平行導(dǎo)電線的方法的實(shí)施方式。顯示器例如OLED裝置在晶體管、電容器和發(fā)光二極管之間包括多個(gè)導(dǎo)電線例如數(shù)據(jù)線、柵極線和連接線。特別地， 在交叉導(dǎo)電線的情況下，可以包封至少一個(gè)導(dǎo)電線，以防止交叉導(dǎo)電線之間的短路。根據(jù)圖解的實(shí)施方式，提供用于顯示器的襯底1，如圖4A所示。然后，在襯底1上施加有機(jī)絕緣層2。如圖4C所示，將至少一個(gè)導(dǎo)電線9施加到有機(jī)絕緣層2上。圖解的實(shí)施方式包含總共三個(gè)導(dǎo)電線9。為了包封左側(cè)和中間的導(dǎo)電線9，在左側(cè)和中間的導(dǎo)電線9之間的第一區(qū)域4中施加有機(jī)溶劑(未示出)。參考圖4D，有機(jī)溶劑溶解第一區(qū)域4中的有機(jī)絕緣材料，以形成第一凹槽gl。然后，溶解的有機(jī)絕緣材料在導(dǎo)電線9的周圍部分，即沒有施加有機(jī)溶劑的第二區(qū)域中積聚，以形成突起P，從而用有機(jī)絕緣材料包封左側(cè)和中間導(dǎo)電線9。在完全包封左側(cè)和中間導(dǎo)電線9后，可以進(jìn)一步施加交叉導(dǎo)電線9’，如圖4E所示。上述方法優(yōu)選用于制造有機(jī)電致發(fā)光顯示器。圖5A-5F圖解制造連接至像素電極的多個(gè)有機(jī)薄膜晶體管(OTFT)的方法的實(shí)施方式。每個(gè)OTFT包括源極11、包含半導(dǎo)體材料的溝道區(qū)域12、漏極13、有機(jī)絕緣層2和柵電極15。為了合算地制造包含多個(gè)OTFT的結(jié)構(gòu)，提供襯底1，如圖5A所示，其中OTFT各自連接至每個(gè)像素電極14。如圖5B和5C所示，在襯底1上形成多個(gè)源極11、漏極13、像素電極14和溝道區(qū)域12。在整個(gè)襯底1上施加有機(jī)絕緣層2，從而覆蓋多個(gè)源極11、溝道區(qū)域12、漏極13和像素電極14。然后，如圖5E所示，在位于每個(gè)OTFT的溝道區(qū)域12上的區(qū)域上在有機(jī)絕緣層2上形成各個(gè)柵電極15。為了暴露各個(gè)像素電極14并包封各個(gè)柵電極 15，將有機(jī)溶劑(未示出)施加到由像素電極14限定的多個(gè)第一區(qū)域4上。有機(jī)溶劑溶解第一區(qū)域4中的絕緣材料，從而暴露像素電極14，并進(jìn)一步在像素部分的周圍第二區(qū)域中， 例如在柵電極15位于其中的部分中積聚有機(jī)材料，從而包封柵電極15。圖6、7A和7B圖解制造電泳顯示器的方法的實(shí)施方式。圖6圖解電泳顯示器的一個(gè)像素的上視圖，該電泳顯示器包括以矩陣排列的多個(gè)像素，其中每個(gè)像素包括0TFT，其包含源極11、漏極13、位于源極11和漏極13之間的溝道區(qū)域12、和與溝道區(qū)域12絕緣的柵電極15。柵電極15連接至多個(gè)掃描線中的一個(gè)，源極11連接至多個(gè)數(shù)據(jù)線21中的一個(gè)， 其中電泳顯示器包含多個(gè)互相交叉的數(shù)據(jù)線21和掃描線15’，從而限定多個(gè)像素。此外，每個(gè)像素包括像素電極14。圖7A圖解包括OTFT的第一種結(jié)構(gòu)，其中OTFT包括源極11、溝道區(qū)域12、連接至像素電極14的漏極13和柵電極15。僅漏極連接至像素電極14。通過關(guān)于圖5的上述方法，或關(guān)于圖8的下述方法，可獲得第一種結(jié)構(gòu)。此外，如圖7A所示，提供第二種結(jié)構(gòu)，其包括柔性襯底22、活性電泳層23和保護(hù)或粘附層M。如圖7B所示，通過在圖7A中所示的第一種結(jié)構(gòu)上形成第二種結(jié)構(gòu)，制造電泳顯示器。因此，電泳顯示器包含多個(gè)像素，每個(gè)像素包括OTFT和電泳發(fā)光器件。OTFT包含源極 11、溝道區(qū)域12、漏極13和柵電極15，其中源極11連接至多個(gè)數(shù)據(jù)線21 (圖6)中的一個(gè)， 柵電極15連接至多個(gè)柵極線或選擇線中的一個(gè)。電泳顯示器包括像素電極14、保護(hù)或粘附層對、活性電泳層23和柔性襯底22。此外，電泳顯示器從圖7B中頂部可以包括面電極 (facing electrode)、第二層，但是沒有附圖標(biāo)記。圖8A-8G圖解制造OLED的方法的另一個(gè)示范實(shí)施方式。OLED具有包括OTFT的像素區(qū)域，其中OTFT連接至像素電極14。首先，如圖8A至8C所示，提供襯底1，并且對于每個(gè)像素區(qū)域，在襯底1上形成源極11、漏極13、由半導(dǎo)體材料組成的溝道區(qū)域12和像素電極14，以形成每個(gè)像素。然后，如圖8D所示，在整個(gè)襯底1上施加有機(jī)絕緣層2，從而覆蓋多個(gè)源極11、溝道區(qū)域12、漏極13和像素電極14。如圖8E中所示，有機(jī)絕緣層2可以包括位于像素電極14上的第一區(qū)域4，和位于源極11、溝道區(qū)域12和漏極13上的第二區(qū)域5。 回到圖8D，將有機(jī)溶劑(未示出)施加到有機(jī)絕緣層2的多個(gè)第一區(qū)域4上，從而暴露像
11素電極14。因此，每個(gè)第一區(qū)域4包括其中暴露像素電極14的第一凹槽gl。在鄰接第一區(qū)域4的第二區(qū)域5上積聚溶解的有機(jī)絕緣材料。因此，第二區(qū)域5包括其中有機(jī)絕緣層 2的厚度增加的突起P。此外，通過來自相鄰第一區(qū)域4的溶解的有機(jī)絕緣材料的積聚，第二區(qū)域5可以包括至少兩個(gè)突起P，從而在至少兩個(gè)相鄰?fù)黄餚之間形成第二凹槽g2。第二區(qū)域5形成雙脊結(jié)構(gòu)，在其中間部分包括第二凹槽g2。參考圖8F，在第二凹槽g2中形成柵電極15。如圖8G所示，在柵電極15上施加鈍化層17。圖8G中所示的結(jié)構(gòu)可以用于有機(jī)電致發(fā)光顯示器、電泳顯示器等的進(jìn)一步制造過程操作。上述方法優(yōu)選用于制造OLED顯不器。圖9A和9B圖解制造電容器的方法的實(shí)施方式。通常，為了制造有源矩陣有機(jī)電致發(fā)光顯示器，每個(gè)像素電路包含至少一個(gè)電容器。因此，對于有機(jī)電致發(fā)光顯示器，制造多個(gè)電容器?？梢詮膬蓚€(gè)電容器電極之間的非常薄的絕緣層產(chǎn)生大電容。然而，根據(jù)施加絕緣層的常規(guī)方法，難以控制絕緣層的厚度至非常低的量。本方法的實(shí)施方式容許形成有機(jī)絕緣層，其中通過利用有機(jī)溶劑可以減少和控制厚度至所需量。如圖9A所示，提供包括第一電容器電極18的襯底1。然后，在第一電容器電極18 上形成有機(jī)絕緣層2。為了減小有機(jī)絕緣層2的厚度，將有機(jī)溶劑(未示出)施加至有機(jī)絕緣層2的第一區(qū)域4，從而減小和控制層厚度至所需量。然后，如圖9B所示，將第二電容器電極19施加至第一區(qū)域4，從而形成電容器。該電容器優(yōu)選用于制造有源矩陣有機(jī)電致發(fā)
光顯不器。圖IOA和IOB圖解制造有機(jī)薄膜晶體管的方法的實(shí)施方式。為了制造有源矩陣有機(jī)電致發(fā)光顯示器，對于每個(gè)像素制造多個(gè)薄膜晶體管。為了獲得在整個(gè)有源矩陣有機(jī)電致發(fā)光顯示器上的均勻亮度，期望形成具有均勻電特性的多個(gè)有機(jī)薄膜晶體管，還期望在整個(gè)襯底1上形成與溝道區(qū)域12具有均勻距離的柵電極15，其通過柵極絕緣層絕緣。如圖IOA所示，襯底1包含源極11、包含半導(dǎo)體材料的溝道區(qū)域12和漏極13。然后，在襯底1上施加有機(jī)絕緣層2，以覆蓋源極11、溝道區(qū)域12和漏極13。有機(jī)絕緣層2厚度大于約Ιμπι。然后，在位于溝道區(qū)域12上方的第一區(qū)域4中，在層上施加有機(jī)溶劑(未示出)，從而減小并控制有機(jī)絕緣層2的厚度至小于約1 μ m。如圖IOB所示，在施加有機(jī)溶劑的有機(jī)絕緣層2的第一區(qū)域4中形成第一凹槽gl，并在沒有施加有機(jī)溶劑的鄰接第一區(qū)域4的第二區(qū)域5中形成突起P。然后，將柵電極15施加到第一凹槽gl上。上述制造有機(jī)薄膜晶體管的方法優(yōu)選用于制造有機(jī)電致發(fā)光顯示器。圖IlA和IlB圖解制造像素限定層的方法的實(shí)施方式。在有源矩陣有機(jī)電致發(fā)光顯示器的制造過程中，通常期望形成像素限定層。根據(jù)圖解的實(shí)施方式，提供包括第一電極6的襯底1。如圖IlA所示，在第一電極 6上施加有機(jī)絕緣層2。然后，將有機(jī)溶劑(未示出)施加至有機(jī)絕緣層2的第一區(qū)域4。 第一區(qū)域4相應(yīng)于有源矩陣有機(jī)電致發(fā)光顯示器中像素區(qū)域。如圖IlB所示，有機(jī)溶劑溶解第一區(qū)域4中的有機(jī)絕緣材料，從而形成第一凹槽gl并在第一凹槽gl底部暴露第一電極6。在鄰接第一區(qū)域4的第二區(qū)域5上積聚溶解的有機(jī)絕緣材料，以形成突起P，因此形成像素限定層。上述形成像素限定層的方法優(yōu)選用于制造有源矩陣有機(jī)電致發(fā)光顯示器。通常， 有機(jī)電致發(fā)光顯示器包含以矩陣排列的多個(gè)像素，每個(gè)像素包含至少一個(gè)有機(jī)薄膜晶體管，其中有機(jī)薄膜晶體管的源極連接至數(shù)據(jù)線，有機(jī)薄膜晶體管的柵電極連接至有機(jī)電致發(fā)光顯示器的選擇線，其中薄膜晶體管的漏極連接至像素電極。每個(gè)像素進(jìn)一步包括面電極和有機(jī)電致發(fā)光層。如上所述，每個(gè)像素可以進(jìn)一步包括像素限定層，此外，可期望在絕緣層中布置接觸孔，例如以連接漏極與像素電極。圖12A-12E圖解根據(jù)本發(fā)明制造多個(gè)接觸孔的方法的實(shí)施方式。提供優(yōu)選包括玻璃或塑料的襯底1，并在整個(gè)襯底1上施加有機(jī)絕緣層2。然后，如圖12C所示，在有機(jī)絕緣層2上將有機(jī)溶劑3施加到其中需要接觸孔/通孔的第一區(qū)域4上。因此，在施加有機(jī)溶劑3的有機(jī)絕緣層2的第一區(qū)域4中形成第一凹槽gl，并在沒有施加有機(jī)溶劑且鄰接第一區(qū)域4的第二區(qū)域5中形成突起P。如圖12D所示，因?yàn)榻佑|孔中殘留少量的有機(jī)絕緣材料，有時(shí)沒有從其中需要接觸孔的區(qū)域完全除去有機(jī)絕緣層2。為了減小接觸孔的阻抗，進(jìn)行等離子體刻蝕處理以提供圖12D中所示結(jié)構(gòu)。因此，從接觸孔完全除去有機(jī)絕緣層2。此處提供一種制造包括提結(jié)構(gòu)的電子器件的方法，該方法需要較少量的步驟。特別地，通過使用有機(jī)溶劑形成提結(jié)構(gòu)，包括例如氟化有機(jī)聚合物的有機(jī)絕緣層的直接圖案化是可能的。因此，可以容易地形成提結(jié)構(gòu)，用于在需要提結(jié)構(gòu)的電子器件例如OLED的制造中隨后的印刷過程。此外，該方法的實(shí)施方式是輥對輥相容的，因此可加工柔性襯底。雖然已經(jīng)特別展示并描述某些實(shí)施方式，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員可以理解在不脫離本公開內(nèi)容的精神和范圍的情況下，可以進(jìn)行形式和細(xì)節(jié)上的多種變化，本發(fā)明范圍由所附權(quán)利要求限定。
權(quán)利要求
1.一種電子器件，包含襯底；和有機(jī)絕緣層，其包括施加到襯底上的有機(jī)絕緣材料，其中有機(jī)絕緣層包含具有第一凹槽的第一區(qū)域和具有突起壁的第二區(qū)域，其中該突起壁是第一凹槽壁的延長線。
2.權(quán)利要求1的電子器件，其中第二區(qū)域包含多個(gè)突起和由相鄰?fù)黄鹦纬傻牡诙疾?，并且第二凹槽中有機(jī)絕緣層的厚度大于第一凹槽中有機(jī)絕緣層的厚度。
3.權(quán)利要求1的電子器件，進(jìn)一步包括在襯底上的第一導(dǎo)電層。
4.權(quán)利要求1的電子器件，進(jìn)一步包括在第一凹槽中形成的第二導(dǎo)電層。
5.權(quán)利要求1的電子器件，進(jìn)一步包含由突起包封的第二導(dǎo)電層。
6.權(quán)利要求2的電子器件，進(jìn)一步包含在第二凹槽中形成的第二導(dǎo)電層。
7.權(quán)利要求3的電子器件，其中第一導(dǎo)電層選自電容器電極、像素電極、面電極、柵電極和導(dǎo)電線。
8.權(quán)利要求4的電子器件，其中第二導(dǎo)電層選自電容器電極、像素電極、面電極、柵電極和導(dǎo)電線。
9.權(quán)利要求5的電子器件，其中第二導(dǎo)電層選自電容器電極、像素電極、面電極、柵電極和導(dǎo)電線。
10.權(quán)利要求6的電子器件，其中第二導(dǎo)電層選自電容器電極、像素電極、面電極、柵電極和導(dǎo)電線。
11.一種制造有機(jī)電致發(fā)光顯示器的方法，該方法包括提供襯底；將源極、溝道區(qū)域、漏極和像素電極施加到襯底上；施加包括有機(jī)絕緣材料的有機(jī)絕緣層，以覆蓋源極、溝道區(qū)域、漏極和像素電極；和通過將有機(jī)溶劑施加至相應(yīng)于像素電極上表面的有機(jī)絕緣層的第一區(qū)域，除去第一區(qū)域的有機(jī)絕緣材料。
12.權(quán)利要求11的方法，其中通過將有機(jī)溶劑施加至第一區(qū)域，除去第一區(qū)域的有機(jī)絕緣材料，以暴露像素電極。
13.權(quán)利要求11的方法，進(jìn)一步包括等離子體蝕刻，以暴露像素電極。
14.權(quán)利要求11的方法，進(jìn)一步包括在相應(yīng)于溝道區(qū)域上表面的有機(jī)絕緣層的第二區(qū)域上形成柵電極。
15.權(quán)利要求14的方法，其中將有機(jī)溶劑施加到第一區(qū)域上，以溶解有機(jī)絕緣材料，和在有機(jī)絕緣層上已形成柵電極后，溶解的有機(jī)絕緣材料覆蓋柵電極。
16.權(quán)利要求14的方法，其中將有機(jī)溶劑施加到第一區(qū)域上，以溶解有機(jī)絕緣材料，和溶解的有機(jī)絕緣材料積聚在鄰接第一區(qū)域的第二區(qū)域上，從而，在積聚的有機(jī)絕緣材料上形成柵電極。
17.一種有機(jī)電致發(fā)光顯示器，包含襯底；在襯底上形成的源極、溝道區(qū)域、漏極和像素區(qū)域；和包括有機(jī)絕緣材料并在襯底上形成以覆蓋溝道區(qū)域的有機(jī)絕緣層，其中有機(jī)絕緣層的第一區(qū)域包括暴露像素電極的第一凹槽，有機(jī)絕緣層的第二區(qū)域包括突起壁，其是第一凹槽壁的延長線。
18.權(quán)利要求17的有機(jī)電致發(fā)光顯示器，其中第二區(qū)域的突起位于溝道區(qū)域上，并且第二區(qū)域進(jìn)一步包含由突起包封的柵電極。
19.權(quán)利要求17的有機(jī)電致發(fā)光顯示器，其中第二區(qū)域包括多個(gè)突起和由相鄰?fù)黄鹦纬傻牡诙疾?，第二凹槽中有機(jī)絕緣層的厚度大于第一凹槽中有機(jī)絕緣層的厚度。
20.權(quán)利要求19的有機(jī)電致發(fā)光顯示器，其中第二區(qū)域的第二凹槽位于的溝道區(qū)域上表面上，且進(jìn)一步包括在第二凹槽上形成的柵電極。
21.制造有機(jī)薄膜晶體管陣列的方法，該方法包括提供襯底；施加包括源極、半導(dǎo)體材料的溝道區(qū)域和漏極的多個(gè)功能層；用有機(jī)絕緣材料的有機(jī)絕緣層覆蓋功能層；對于每個(gè)薄膜晶體管，在位于每個(gè)薄膜晶體管的溝道區(qū)域上方的區(qū)域中，將柵電極層施加在有機(jī)絕緣層上；并在鄰近柵電極的第一區(qū)域中施加有機(jī)溶劑，從而積聚材料，其用來自第一區(qū)域的溶解的有機(jī)絕緣材料包封柵電極，其中施加有機(jī)溶劑的第一區(qū)域形成第一凹槽。
22.制造至少一個(gè)電容器的方法，該方法包括提供襯底；在襯底上施加第一電容器電極；在第一電容器電極上施加有機(jī)絕緣層；將有機(jī)溶劑施加到第一電容器電極位于其中的第一區(qū)域的部分上或整個(gè)第一區(qū)域上，從而減小有機(jī)絕緣材料的厚度；和在減小有機(jī)絕緣材料的厚度后，在第一區(qū)域的至少部分上的有機(jī)絕緣層上形成第二電容器電極。
全文摘要
提供一種電子器件及其制造方法，該電子器件包括堤結(jié)構(gòu)。制造電子器件的方法需要較少量的步驟，并包括利用合算的技術(shù)例如噴墨印刷直接圖案化絕緣層如氟化有機(jī)聚合物層是可能的。
文檔編號H01L51/52GK102280579SQ20111011269
公開日2011年12月14日 申請日期2007年12月13日 優(yōu)先權(quán)日2006年12月13日
發(fā)明者喬爾格·費(fèi)希爾, 阿瑟·瑪西婭, 馬庫斯·謝迪格 申請人:三星移動顯示器株式會社