專利名稱：Tft、包括tft的陣列基板及制造tft和陣列基板的方法
技術領域：
本發(fā)明涉及容易實現(xiàn)大尺寸顯示裝置的薄膜晶體管(TFT)、包括TFT的陣列基板及其制造方法。
背景技術：
諸如有機發(fā)光顯示裝置和液晶顯示(LCD)裝置之類的平板顯示裝置，被制造在形成有薄膜晶體管(TFT)、電容器以及包括用于連接TFT和電容器的配線的圖案的基板上。 TFT被用作切換通過布置在基板上的導線提供的信號的開關器件，以控制每個像素的操作， 并且用作驅動像素的驅動器件。一般而言，TFT包括有源層，有源層包括被摻有高濃度雜質(zhì)的源區(qū)和漏區(qū)以及形成在源區(qū)與漏區(qū)之間的溝道區(qū)。另外，TFT包括與有源層絕緣并被安置為與溝道區(qū)對應的柵電極以及分別接觸源區(qū)和漏區(qū)的源電極和漏電極。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的各方面提供容易實現(xiàn)大尺寸顯示裝置的薄膜晶體管(TFT)、包括該TFT 的陣列基板及其制造方法。根據(jù)本發(fā)明的一方面，提供一種薄膜晶體管(TFT)，包括有源層，包括源區(qū)、漏區(qū)和溝道區(qū)，所述有源層包括多個摻雜區(qū)和至少一個非摻雜區(qū)；第一金屬構件，被布置在所述有源層上以與所述源區(qū)和所述漏區(qū)中的每一個的部分對應；上絕緣層，被布置在所述第一金屬構件上，所述上絕緣層被暴露所述第一金屬構件的部分的一對接觸孔穿透；柵電極，被布置為與所述有源層的溝道區(qū)對應；以及第二金屬構件，用于將所述源區(qū)和所述漏區(qū)中的每一個電連接至外部元件。所述有源層的與所述第一金屬構件對應的部分可以是所述至少一個非摻雜區(qū)之一。所述有源層的與所述柵電極對應的部分可以是所述至少一個非摻雜區(qū)之一。所述第二金屬構件可以接觸所述第一金屬構件的暴露部分，并且所述第二金屬構件可以填充并覆蓋所述接觸孔中的每一個。所述第一金屬構件可以包括鉬(Mo)、鈦(Ti)和Mo-Ti之一。所述第一金屬構件可以包括與所述第二金屬構件相同的材料。所述有源層可以包括多晶硅。所述柵電極可以包括包括透明導電材料的第一柵電極；以及被布置在所述第一柵電極上的第二柵電極。根據(jù)本發(fā)明的另一方面，提供一種包括薄膜晶體管(TFT)的顯示裝置的陣列基板，所述TFT包括第一有源層，被布置在所述陣列基板上，所述第一有源層包括源區(qū)、漏區(qū)和溝道區(qū)，所述第一有源層包括多個摻雜區(qū)和至少一個非摻雜區(qū)；金屬構件，在所述第一有源層上被布置在與所述源區(qū)和所述漏區(qū)中的每一個對應的位置處；上絕緣層，被布置在所述金屬構件上，所述上絕緣層被暴露所述金屬構件的部分的一對接觸孔穿透；柵電極，被布置在與所述第一有源層的溝道區(qū)對應的位置處；以及源電極和漏電極，用于將所述源區(qū)和所述漏區(qū)中的每一個電連接到外部元件。所述第一有源層的與所述金屬構件對應的部分可以是所述至少一個非摻雜區(qū)域之一。所述第一有源層的與所述柵電極對應的部分可以是所述至少一個非摻雜區(qū)域之一。 所述源電極和所述漏電極中的每一個可以接觸所述金屬構件的暴露部分中的對應暴露部分，并且其中所述源電極和所述漏電極中的每一個可以填充并覆蓋所述接觸孔中的對應接觸孔。所述金屬構件可以包括鉬(Mo)、鈦(Ti)和M0-Ti合金之一。所述金屬構件可以包括與所述源電極和所述漏電極相同的材料。所述有源層可以包括多晶硅。所述柵電極可以包括包括透明導電材料的第一柵電極；以及被布置在所述第一柵電極上的第二柵電極。所述陣列基板還可以包括電容器，該電容器包括第二有源層，被布置在與所述第一有源層相同的層水平中；第一電極，被布置在所述第二有源層上并且被布置在與所述金屬構件相同的層水平中；以及第二電極被布置為面對所述第一電極，所述第二電極包括與所述第一柵電極相同的材料。所述第一電極可以包括與所述金屬構件相同的材料。所述陣列基板還可以包括像素電極，所述像素電極包括與所述第一柵電極相同的材料，所述像素電極可以被布置在與所述第一柵電極相同的層水平中。所述源電極和所述漏電極可以包括包括透明導電材料的第一源電極和第一漏電極；以及被布置在所述第一源電極和所述第一漏電極上的第二源電極和第二漏電極。所述陣列基板還可以包括像素電極，所述像素電極包括與所述第一源電極和所述第一漏電極相同的材料。根據(jù)本發(fā)明的又一方面，提供一種制造薄膜晶體管(TFT)的方法，包括在基板上形成半導體層和金屬層；通過圖案化所述半導體層和所述金屬層，形成包括源區(qū)、漏區(qū)和溝道區(qū)的有源層以及與所述源區(qū)和所述漏區(qū)中的每一個的部分對應的金屬構件；形成覆蓋所述有源層和所述金屬構件的絕緣層；在所述絕緣層上形成柵電極以與所述溝道區(qū)對應；通過所述絕緣層對所述有源層的不與所述金屬構件對應的部分進行摻雜；以及在所述絕緣層中形成一對接觸孔，其中所述金屬構件的部分被所述接觸孔中的每一個暴露。形成所述有源層和所述金屬構件可以包括通過使用半色調(diào)掩模同時形成所述有源層和所述金屬構件。 所述方法還可以包括形成源電極和漏電極以填充和覆蓋所述接觸孔并接觸所述金屬構件。根據(jù)本發(fā)明的再一方面，提供一種制造顯示裝置的陣列基板的方法，所述方法包括在基板上形成半導體層和金屬層；通過圖案化所述半導體層和所述金屬層形成薄膜晶體管(TFT)有源層、電容器有源層、金屬構件和第一電極，所述金屬構件與所述TFT有源層的源區(qū)和漏區(qū)中的每一個的部分對應，所述第一電極被布置在所述電容器有源層上；形成絕緣層以覆蓋所述TFT有源層、所述金屬構件、所述電容器有源層和所述第一電極；在所述絕緣層上形成柵電極和第二電極，所述柵電極與所述TFT有源層的溝道區(qū)對應，所述第二電極與所述電容器的所述第一電極對應；通過所述絕緣層對所述TFT有源層的部分進行摻雜；并且在所述絕緣層中形成一對接觸孔，其中所述金屬構件的部分被所述接觸孔暴露。圖案化所述半導體層和所述金屬層可以包括通過使用半色調(diào)掩模同時形成所述 TFT有源層、所述電容器有源層、所述金屬構件和所述第一電極。所述方法還可以包括形成源電極和漏電極以覆蓋和填充所述一對接觸孔中的相應接觸孔，所述源電極和所述漏電極中的每一個可以接觸所述金屬構件。所述方法還可以包括形成像素電極，形成所述柵電極、 所述第二電極和所述像素電極可以包括在所述絕緣層上同時形成第一柵電極、所述像素電極和所述第二電極，所述第一柵電極、所述像素電極和所述第二電極中的每一個由相同的透明導電材料組成；并且在所述第一柵電極上形成第二柵電極。所述方法還可以包括形成像素電極，形成所述像素電極、所述源電極和所述漏電極可以包括同時形成由相同透明導電材料組成的所述像素電極以及第一源電極和第一漏電極，其中所述第一源電極和所述第一漏電極覆蓋所述接觸孔中的相應接觸孔并接觸所述金屬構件；并且在所述第一源電極和所述第一漏電極上形成第二源電極和第二漏電極。


通過參照以下結合附圖進行考慮時的詳細描述，本發(fā)明的更完整的認識及其許多附加的優(yōu)點將容易顯而易見，同時變得更好理解，附圖中，相同的附圖標記表示相同或類似的部件，其中圖IA至圖IG是示出根據(jù)本發(fā)明實施例的制造薄膜晶體管(TFT)的方法的截面圖；圖2A至圖2G是示出根據(jù)本發(fā)明實施例的制造包括TFT和電容器的顯示裝置的基板的方法的截面圖；圖3是根據(jù)本發(fā)明實施例的包括TFT和電容器的顯示裝置的截面圖；以及圖4是根據(jù)本發(fā)明另一實施例的包括TFT和電容器的顯示裝置的截面圖。
具體實施例方式現(xiàn)在將詳細參照實施例，其中實施例的示例被示出在附圖中。而且，在描述實施例時，由于關于相關公知功能或配置的詳細描述會減損本發(fā)明實施例的要點的清楚性，因此它們將被省略。附圖中，為了清楚起見，層和區(qū)域的厚度被放大。還應當理解，當一層被提到在另一層或基板“上”時，該層可以直接在該另一層或基板上，或者中間層也可以存在?，F(xiàn)在轉向圖IA至圖1G，圖IA至圖IG是示出根據(jù)本發(fā)明實施例的制造薄膜晶體管 (TFT)的方法的截面圖。參見圖1A，緩沖層11、半導體層12和金屬層13以敘述的順序順次形成在基板10 上?；?0可以是透明基板，并且可以由包含SiA作為主要成分的玻璃或透明塑料制成。為了使基板10變得平滑并防止雜質(zhì)滲透，包括S^2和/或SiNx的緩沖層11被形成在基板10上?？商娲兀诰彌_層非必要時可以通過省略緩沖層11直接在基板10上形成半導體層12。半導體層12可以是通過沉積非晶硅然后使非晶硅結晶成多晶硅而形成的結晶的多晶硅。非晶硅可以通過使用各種技術來結晶，例如快速熱退火(RTA)技術、固相結晶(SPC)技術、準分子激光退火(ELA)技術、順次橫向固化(SLQ技術或焦耳熱誘導結晶 (JIC)技術。在JIC技術中，可以使用從金屬層13產(chǎn)生的焦耳熱。緩沖層11和半導體層12可以通過各種沉積技術形成，例如等離子體增強化學氣
7相沉積(PECVD)技術、常壓化學氣相沉積(APCVD)技術或低壓化學氣相沉積(LPCVD)。金屬層13被形成在半導體層12上。金屬層13可以由鉬(Mo)、鈦(Ti)或Mo-Ti 合金制成。另外，金屬層13可以由與在隨后操作中將形成的源/漏電極相同的材料制成。現(xiàn)在參見圖1B，光刻膠層14被涂覆在堆疊有緩沖層11、半導體層12和金屬層13 的基板10的整個表面上。用于圖案化的掩模M位于基板10上方，然后具有預定波長帶的光被照射到光刻膠層14上以對光刻膠層14進行曝光。掩模M可以是半色調(diào)掩模(half-tone mask,下文中，被稱之為“半色調(diào)掩模M”)，半色調(diào)掩模包括半透射部分M3、光透射部分Ml 和光阻擋部分M2。半色調(diào)掩模M的半透射部分M3被設置成與TFT的半導體層12的溝道區(qū)以及源區(qū)和漏區(qū)的外邊緣對應。根據(jù)當前實施例，使用用于清除暴露于光的部分的正性光刻膠(PR)。然而，本領域普通技術人員應當理解，可以改為使用負性冊。現(xiàn)在參見圖1C，半導體層12和金屬層13通過使用光刻膠層14作為蝕刻掩模被蝕刻。在圖IB的光刻膠層14的感光部分被清除之后，光刻膠層14的與半色調(diào)掩模M的光透射部分Ml對應的部分通過顯影被清除，并且光刻膠層14的分別與光阻擋部分M2和半透射部分M3對應的部分保留以形成光刻膠圖案114。在這種情況下，光刻膠圖案114的與半透射部分M3對應的部分的厚度可以比光刻膠圖案114的與光阻擋部分M2對應的部分的厚度小。光刻膠圖案114的與半透射部分M3對應的部分和與光阻擋部分M2對應的部分的厚度比可以根據(jù)在掩模M的半透射部分M3中使用的材料的厚度或組分比來控制。光刻膠圖案114被用作掩模，并且形成在基板10上的半導體層12和金屬層13經(jīng)歷由蝕刻裝置進行的第一蝕刻。在這種情況下，可以使用濕蝕刻技術或干蝕刻技術。當使用干蝕刻技術時，可以使用等離子體蝕刻技術、反應性離子蝕刻(RIE)技術、反應性濺射蝕刻技術、反應性離子束磨削(milling)技術等等。當使用濕蝕刻技術時，半導體層12和金屬層13可以由能夠同時蝕刻半導體層12和金屬層13的蝕刻劑來蝕刻，或者可替代地可以由不同蝕刻劑分別蝕刻。半導體層12和金屬層13被蝕刻以生成預定的圖案，使得圖案的尺寸根據(jù)TFT的尺寸來確定，并且半導體層12和金屬層13被形成為具有尺寸相同的一致圖案。光刻膠圖案114下面的結構，即半導體層12和金屬層13，將被形成在TFT的有源層 112和金屬構件(或導線)113中?，F(xiàn)在參見圖1D，半導體層12和金屬層13經(jīng)歷使用光刻膠圖案114作為蝕刻掩模的第二蝕刻。在該第二蝕刻中，金屬層13的與掩模M的半色調(diào)部分M3對應的部分被蝕刻， 使得包括溝道區(qū)C的有源層112可以被形成，同時將金屬導線113布置在與有源層112的源區(qū)S和漏區(qū)D對應的位置處。溝道區(qū)C的長度可以根據(jù)TFT的尺寸和用途來確定。根據(jù)當前實施例，金屬導線113被形成為使得金屬導線113的邊緣可以與有源層 112的邊緣分隔開預定的距離?？商娲?，金屬導線113可以被形成為使得金屬導線113的邊緣可以與有源層112的邊緣齊平?，F(xiàn)在參見圖1E，光刻膠圖案114的保留在金屬導線113上的部分被清除。有源層112包括源區(qū)S、漏區(qū)D和溝道區(qū)C。源區(qū)S和漏區(qū)D的位置可以被顛倒。金屬導線113 在隨后的步驟中用作蝕刻停止物(etch stop)，并且防止有源層112由于在絕緣層中形成接觸孔的隨后操作中可能發(fā)生的過蝕刻而被損壞，其中源電極和漏電極將被形成在接觸孔中。另外，金屬導線113用作歐姆接觸層以減小有源層與源電極和漏電極中的每一個之間的接觸電阻?，F(xiàn)在參見圖1F，第一絕緣層15被堆疊在形成有源層112和金屬導線113的基板 10的整個表面上。第一絕緣層15可以通過使用PECVD技術、APCVD技術、LPCVD技術或ERC 技術沉積諸如SiOx或SiNx之類的無機材料來形成。第一絕緣層15可以包括單層或多層， 并且可以用作柵極絕緣層。柵電極16被形成在第一絕緣層15上以與有源層112的溝道區(qū)C對應。柵電極16 可以由選自鋁(Al)、鉬(Pt)、鈀(Pd)、銀(Ag)、鎂(Mg)、金(Au)、鎳(Ni)、釹(Nd)、銥(Ir)、 鉻(Cr)、鋰(Li)、鈣(Ca)、鉬(Mo)、鈦(Ti)、鎢(W)和銅(Cu)組成的組中的至少一種材料制成。然后，柵電極16用作自對準離子植入掩模，并且有源層112通過使用諸如離子注入技術之類的技術被摻有離子雜質(zhì)，以便形成有源層112中的源電極和漏電極的歐姆區(qū)域。該離子摻雜可是III族元素或V族元素。作為摻雜的結果，有源層112的不與柵電極16和/或金屬導線113對應的部分被摻有離子雜質(zhì)。也就是說，有源層112的溝道區(qū)C與源區(qū)S之間的邊界區(qū)域A、溝道區(qū)C與漏區(qū)D之間的邊界區(qū)域A'、源區(qū)S的外部區(qū)域B以及漏區(qū)D的外部區(qū)域B'被摻有離子雜質(zhì)。因此，形成在有源層112中的歐姆區(qū)域包括摻雜的多晶硅薄膜和非摻雜的多晶硅薄膜。 在一個變體中，源區(qū)S的外部區(qū)域B和漏區(qū)D的外部區(qū)域B'可以改為保持未摻有離子雜質(zhì)。在另一變體中，金屬導線113的厚度可以被制造得薄得足以允許摻雜雜質(zhì)通過，源區(qū)S 和漏區(qū)D的形成在金屬導線112之下的部分也可以被摻雜。溝道區(qū)C與源區(qū)S之間的邊界區(qū)域A的摻雜范圍以及溝道區(qū)C與漏區(qū)D之間的邊界區(qū)域A'的摻雜范圍，可以根據(jù)溝道區(qū)C的長度來確定?？商娲兀谛纬傻谝唤^緣層15和形成柵電極16之間，可以使用相反極性的摻雜劑來執(zhí)行初步摻雜操作，使得溝道區(qū)C可以被摻雜?，F(xiàn)在參見圖1G，第二絕緣層17被形成在形成有柵電極16的基板10的整個表面上，接觸孔被形成通過第二絕緣層17和第一絕緣層15，然后源電極18和漏電極19被形成。 第二絕緣層17被形成為基本上比第一絕緣層15厚，使得在柵電極16與源電極和漏電極中的每一個之間具有足夠的絕緣。第二絕緣層17可以通過使用旋涂技術由選自聚酰亞胺、聚酰胺、丙烯樹脂、苯并環(huán)丁烯(benzocyclobutene)和酚醛樹脂組成的組中的至少一種有機絕緣材料制成。第二絕緣層17可以由與第一絕緣層15相同的無機絕緣材料以及有機絕緣材料制成，或者可替代地可以通過交替地形成有機絕緣材料和無機絕緣材料來形成。然后，接觸孔Hl和H2被形成在第一絕緣層15和第二絕緣層17中。一旦接觸孔 Hl和H2形成，通過使用金屬導線113作為蝕刻停止物暴露金屬導線113的一部分。因此， 金屬導線113被第一絕緣層15圍繞，并且金屬導線113的部分通過接觸孔Hl和H2被暴露。分別與有源層112的源區(qū)S和漏區(qū)D對應的源電極18和漏電極19在填充接觸孔 Hl和H2的同時覆蓋第二絕緣層17。源電極18和漏電極19可以由與柵電極16相同的材料制成，即選自 Al、Pt、Pd、Ag、Mg、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、Li、Ca、Mo、Ti、W 和 Cu 組成的組中的至少一種材料，但不限于此。因此，源電極18和漏電極19可以改為由其它各種導電材料制成。源電極18和漏電極19部分地接觸形成在有源層112上的金屬導線113，并且將有源層112的源區(qū)和漏區(qū)電連接至外部器件。另外，源電極18和漏電極19之一可以電連接至顯示裝置的像素電極(未示出)?，F(xiàn)在轉向圖2A至圖2G，圖2A至圖2G是示出根據(jù)本發(fā)明實施例的制造包括TFT和電容器的顯示裝置的基板的方法的截面圖?，F(xiàn)在參見圖2A，緩沖層21、半導體層22和金屬層23可以以敘述的順序順次形成在基板20上?；?0可以是透明基板，并且可以由包含SW2作為主要成分的玻璃或透明塑料制成。為了使基板20變得平滑并防止雜質(zhì)滲透，包括S^2和/或SiNx的緩沖層21被形成在基板20上?？商娲兀谡J為緩沖層21非必要時可以通過省略緩沖層21直接在基板20上形成半導體層22。半導體層22通過沉積非晶硅然后使非晶硅結晶成多晶硅而形成。非晶硅可以通過使用各種技術來結晶，例如RTA技術、SPC技術、ELA技術、SLS技術或JIC技術。在JIC 技術中，從金屬層23產(chǎn)生的焦耳熱可以用于使半導體層22結晶。緩沖層21和半導體層 22可以通過諸如PECVD技術、APCVD技術或LPCVD技術之類的各種沉積技術來形成。金屬層23可以由Mo、Ti或Mo-Ti合金制成。另外，金屬層23可以由與在隨后操作中形成的源 /漏電極相同的材料制成?，F(xiàn)在參見圖2B，光刻膠層M被涂覆在堆疊有緩沖層21、半導體層22和金屬層23 的基板20的整個表面上。用于圖案化的掩模M被位于基板20上，然后具有預定波長帶的光被照射到光刻膠層對上以對光刻膠層M進行曝光。掩模M可以是半色調(diào)掩模(下文中， 被稱之為“半色調(diào)掩模M，，)，半色調(diào)掩模M包括半透射部分M3以及光透射部分Ml和光阻擋部分M2。半色調(diào)掩模M的半透射部分M3被設置成與TFT的半導體層22的溝道區(qū)以及TFT 的源區(qū)和漏區(qū)的邊緣對應?，F(xiàn)在參見圖2C，半導體層22和金屬層23通過使用光刻膠層M作為蝕刻掩模被蝕刻。在圖2B的光刻膠層M的感光部分通過顯影光刻膠層M的部分被清除之后，TFT區(qū)域“T”的光刻膠圖案12 和電容器區(qū)域“Cap”的光刻膠圖案124b保留。在這種情況下， 光刻膠層M的與半色調(diào)掩模M的光透射部分Ml對應的部分被清除，并且光刻膠層M的分別與光阻擋部分M2和半透射部分M3對應的部分保留。光刻膠圖案12 和124b被用作蝕刻掩模，并且形成在基板20上的半導體層22 和金屬層23經(jīng)歷由蝕刻裝置進行的第一蝕刻。在這種情況下，可以使用濕蝕刻技術或干蝕刻技術。半導體層22和金屬層23可以被同時蝕刻，或者可替代地，半導體層22和金屬層 23可以被順次蝕刻。半導體層22和金屬層23被蝕刻以生成預定的圖案，使得這些圖案的尺寸根據(jù)TFT 區(qū)域“T”中的TFT的尺寸來確定，并且半導體層22和金屬層23被蝕刻以生成預定的圖案， 使得這些圖案的尺寸根據(jù)電容器區(qū)域“Cap”中的電容器的尺寸來確定。在第一蝕刻之后， 在TFT區(qū)域“T”中并且在電容器區(qū)域“Cap”中，半導體層22和金屬層23以具有相同尺寸的圖案被形成。光刻膠圖案12 和124b下面的結構，即半導體層22和金屬層23，將被形成為 TFT的第一有源層12 和金屬導線123a以及電容器的第二有源層122b和第一電容器電極 123b。
現(xiàn)在參見圖2D，半導體層22和金屬層23經(jīng)歷通過使用光刻膠圖案12 和124b 作為蝕刻掩模的第二蝕刻。當半導體層22和金屬層23在第二次被蝕刻時，僅僅TFT區(qū)域T 被蝕刻，因為第二有源層122b和電容器區(qū)域“Cap”的第一電容器電極12 并不被額外圖案化。金屬層23的形成在光刻膠圖案12 下面的部分在第二蝕刻中被蝕刻為使得包括溝道區(qū)C的第一有源層12 可以被形成并且使得金屬導線123a也可以形成為與第一有源層 122a的源區(qū)S和漏區(qū)D對應。金屬導線123a被形成為使得金屬導線123a的邊緣可以與第一有源層12 的邊緣分隔開與外部區(qū)域B和B'對應的預定的距離?？商娲?，金屬導線123a可以改為被形成為使得金屬導線123a的邊緣可以與第一有源層12 的邊緣齊平?，F(xiàn)在參見圖2E，光刻膠圖案12 和124b的保留在TFT區(qū)域“T”的金屬導線123a 和電容器區(qū)域“Cap”的第一電容器電極12 上的部分，在第二蝕刻之后被清除。第一有源層12 包括源區(qū)S、漏區(qū)D和溝道區(qū)C。源區(qū)S和漏區(qū)D的位置可以被顛倒。金屬導線123a用作蝕刻停止物，并且防止第一有源層12 由于在絕緣層中形成接觸孔以允許形成源電極和漏電極的隨后操作中可能發(fā)生的過蝕刻而被損壞。另外，金屬導線123a用作歐姆接觸層。現(xiàn)在參見圖2F，第一絕緣層25被形成在形成有TFT區(qū)域“T”的第一有源層12 和金屬導線123a以及電容器區(qū)域“Cap”的第二有源層122b和第一電容器電極12 的基板20的整個表面上。第一絕緣層25可以通過使用PECVD技術、APCVD技術、LPCVD技術或 ERC技術沉積諸如SiOx或SiNx之類的無機材料來形成。第一絕緣層25可以包括單層或多層。另外，第一絕緣層25在用作電容器的介電層的同時可以用作TFT的柵極絕緣層。TFT區(qū)域“T”的柵電極^a和電容器區(qū)域“Cap”的第二電容器電極^b被形成在第一絕緣層25上。與第一有源層12 的溝道區(qū)C對應的第一柵電極^a'以及與第二有源層122b對應的第二電容器電極26b被形成在第一絕緣層25上。第一柵電極^a'和第二電容器電極26b可以同時產(chǎn)生，可以由相同材料制成，可以具有相同厚度，并且可以由選自ΙΤ0、IZO、ZnO或In2O3組成的組中至少一種透明材料制成。然后，第二柵電極^a"被形成在第一柵電極沈^上以形成包括第一柵電極 26a‘和第二柵電極^a"的組合的柵電極沈^第二柵電極可以由選自Al、Pt、Pd、 Ag、Mg、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、Li、Ca、Mo、Ti、W和Cu組成的組中的至少一種材料制成。柵電極^a和第二電容器電極^b可以通過以敘述的順序順次堆疊用于形成第一柵電極和第二電容器電極26b的導電層以及用于形成第二柵電極^a"的導電層，然后清除導電層的形成在第二電容器電極26b上的部分來形成。一旦柵電極^a的形成完成，柵電極26a就用作自對準離子植入掩模，并且TFT區(qū)域“T”的第一有源層12 通過使用諸如離子注入技術之類的技術被摻有離子雜質(zhì)，以便形成源區(qū)和漏區(qū)的歐姆區(qū)域。離子雜質(zhì)可以是III族或V族元素。作為摻雜的結果，TFT區(qū)域“T”中的不與柵電極26a和/或金屬導線123a對應的部分，即B、B'、A*A'，被摻有離子雜質(zhì)。換句話說，第一有源層12 的溝道區(qū)C與源區(qū)S之間的邊界區(qū)域A、溝道區(qū)C與漏區(qū)D之間的邊界區(qū)域A'、源區(qū)S的外部區(qū)域B以及漏區(qū)D的外部區(qū)域B'被摻有離子雜質(zhì)。因此，形成在第一有源層12 中的歐姆區(qū)域包括摻雜的多晶硅薄膜部分和非摻雜的多晶硅薄膜部分。在上述的一個變體中，源區(qū)S的外部區(qū)域B和漏區(qū)D的外部區(qū)域B'可以一直未被摻有離子雜質(zhì)。溝道區(qū)C與源區(qū)S之間的邊界區(qū)域A的摻雜范圍以及溝道區(qū)C與漏區(qū)D之間的邊界區(qū)域A'的摻雜范圍，可以根據(jù)溝道區(qū)C的長度來確定。在另一變體中，如果金屬導線123a的厚度薄得足以允許摻雜雜質(zhì)通過，則TFT區(qū)域“T”的第一有源層12 中不與柵電極26a對應的所有部分連同電容器區(qū)域“Cap”的第二有源層122b —起可以同時被摻有摻雜雜質(zhì)?？商娲?，電容器區(qū)域“Cap”的第二有源層 122b和TFT區(qū)域“T”的第一有源層12 可以在不同的時刻被摻雜而不是同時被摻雜，可以利用不同的摻雜劑被摻雜，并且摻雜劑的濃度可以被調(diào)整為彼此不同。在又一變體中，如果金屬導線123a的厚度薄得足以允許離子雜質(zhì)通過，則第一有源層12 的與金屬導線123a 對應的部分可以被摻有摻雜雜質(zhì)，而電容器區(qū)域“Cap”的第二有源層122b可以不摻有摻雜雜質(zhì)。在這些變體的每個中，應當進一步認識到，溝道區(qū)C可以被稍微地摻有與其它摻雜區(qū)域相比具有不同極性的雜質(zhì)，溝道區(qū)C的這種摻雜發(fā)生在形成第一絕緣層25之后并且在形成柵電極26a之前?，F(xiàn)在參見圖2G，第二絕緣層27被形成在形成有柵電極、第二電容器電極26b 和第一絕緣層25的基板20的整個表面上，然后接觸孔Hl和H2被形成在第一絕緣層25和第二絕緣層27中，再然后源電極觀和漏電極四被形成。第二絕緣層27可以由與第一絕緣層25相同的無機絕緣材料以及有機絕緣材料制成，或者可替代地，可以通過交替地形成有機絕緣材料和無機絕緣材料來形成。第二絕緣層27可以通過使用旋涂技術由選自聚酰亞胺、聚酰胺、丙烯樹脂、苯并環(huán)丁烯和酚醛樹脂組成的組中的至少一種有機絕緣材料制成。第二絕緣層27被形成為具有足夠的厚度。具體來說，第二絕緣層27被形成為具有比第一絕緣層25的厚度更厚的厚度，并且起到TFT的柵電極^a與源/漏電極觀和四之間的層間絕緣層。在形成第二絕緣層27之后，接觸孔Hl和H2被形成在第一絕緣層25和第二絕緣層27中。一旦接觸孔Hl和H2形成，由于金屬導線123a被用作蝕刻停止物，金屬導線123a 的部分就被暴露。一旦接觸孔Hl和H2形成，金屬導線123a的暴露部分就被第一絕緣層25 環(huán)繞。分別與第一有源層12 的源區(qū)S和漏區(qū)D對應的源電極28和漏電極四在填充接觸孔Hl和H2的同時覆蓋第二絕緣層27。源電極觀和漏電極四可以由與第二柵電極 26a"相同的材料制成，即選自 Al、Pt、Pd、Ag、Mg、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、Li、Ca、Mo、Ti、W 禾口 Cu 組成的組中的至少一種材料，但不限于此。因此，源電極觀和漏電極四可以改為由其它各種導電材料制成。源電極觀和漏電極四之一可以電連接至顯示裝置的像素電極(未示出)?，F(xiàn)在轉向圖3，圖3是根據(jù)本發(fā)明實施例的包括TFT和電容器的顯示裝置的截面圖。與圖2G的顯示結構不同，圖3的顯示裝置進一步包括位于像素區(qū)域PX中的像素電極 36c以給發(fā)光器件加電?，F(xiàn)在參見圖3，顯示裝置包括分別形成在TFT區(qū)域“T”、像素區(qū)域 PX和電容器區(qū)域“Cap”中的TFT、發(fā)光器件和電容器。TFT和電容器通過使用與制造圖IA 至圖2G的TFT和電容器的方法相同的方法來制造，因此將省略其詳細的描述。為了使基板30變得平滑并防止雜質(zhì)滲透，包括SW2和/或SiNx的緩沖層31被形成在基板30上。如果認為非必要，則可以省略緩沖層31。TFT包括第一有源層132a、柵電極36a以及源電極38和漏電極39。第一有源層13 可以由多晶硅制成，并且可以通過沉積非晶硅，然后通過使用激光束或焦耳熱使非晶硅結晶成多晶硅來形成。金屬導線133a被形成在第一有源層13 上以與源區(qū)S和漏區(qū)D中的每一個對應。金屬導線133a可以由Mo、Ti或Mo-Ti合金制成。金屬導線133a通過防止第一有源層 132a由于在絕緣層35中形成接觸孔Hl和H2的隨后操作中可能發(fā)生的過蝕刻被損壞而用作蝕刻停止物，同時用作歐姆接觸層。通過使用由半色調(diào)掩模圖案化的光刻膠層對多晶硅和金屬層的堆疊層執(zhí)行第一蝕刻和第二蝕刻，包括溝道區(qū)C的第一有源層13 被形成，同時形成與源區(qū)S和漏區(qū)D中的每一個對應的金屬導線133a。金屬導線133a的邊緣可以與第一有源層13 的邊緣分隔開，或者可替代地，金屬導線133a的邊緣可以與第一有源層13 的邊緣齊平。第一絕緣層35被插入在柵電極36a與第一有源層13 之間，以便將柵電極36a 與第一有源層13 絕緣。柵電極36a包括第一柵電極36a'和第二柵電極36a"。第一柵電極36a'由透明導電材料制成。柵電極36a和金屬導線133a可以用作離子植入掩模，并且第一有源層13 的不與柵電極36a和金屬導線133a對應的部分通過使用諸如離子注入之類的技術被摻有離子雜質(zhì)，以便形成由TFT以及源電極和漏電極使用的歐姆區(qū)域。離子雜質(zhì)可以是III族或V族元素。第一有源層13 的溝道區(qū)C與源區(qū)S之間的邊界區(qū)域A、 溝道區(qū)C與漏區(qū)D之間的邊界區(qū)域A'、源區(qū)S的外部區(qū)域B以及漏區(qū)D的外部區(qū)域B'被摻有離子雜質(zhì)。在這種情況下，源區(qū)S和外部區(qū)域B和漏區(qū)D的外部區(qū)域B'可以改為不被摻雜。如果金屬導線133a的厚度足夠薄，使得摻雜雜質(zhì)可以穿過，則第一有源層13 的與金屬導線133a對應的部分也可以被摻雜。源電極38和漏電極39可以通過填充并覆蓋形成在第一絕緣層35和第二絕緣層 37中的接觸孔Hl和H2來形成。源電極38和漏電極39中的每一個部分地接觸金屬導線 133a。另外，源電極38和漏電極39分別與第一有源層13 的源區(qū)S和漏區(qū)D對應。另外， 源電極38和漏電極39可以由與金屬導線133a相同的材料制成。電容器包括第二有源層132b、第一電容器電極133b和第二電容器電極36b。第二有源層132b和第一有源層13 可以同時形成在相同層水平上，并且可以由相同材料制成。 第一絕緣層35是插入在第一電容器電極13 與第二電容器電極36b之間的介電層。第一電容器電極13 和TFT的金屬導線133a可以由相同的材料制成，并且可以同時生成。另外，第二電容器電極36b和TFT的第一柵電極36a'可以由相同材料制成，并且可以同時生成。如果第一電容器電極13 的厚度足夠薄，使得摻雜劑可以穿過，則第二有源層132b連同TFT的第一有源層13 —起可以同時被摻有相同的摻雜劑或不同的摻雜劑。發(fā)光器件包括由透明導電材料制成的像素電極36c。像素電極36c、TFT的第一柵電極36a'以及電容器的第二電容器電極36b可以由相同的材料制成，并且可以同時生成。第二絕緣層37被形成在基板30的整個表面上，以覆蓋像素電極36c，并且開口 H3被形成在第二絕緣層37中以暴露像素電極36c的部分。如果顯示裝置是有機發(fā)光顯示裝置，則發(fā)光器件是有機發(fā)光器件(EL)。盡管在圖 3中未示出，但包括發(fā)射層和陰極的有機層可以形成在開口 H3內(nèi)的像素電極36c上。現(xiàn)在轉向圖4，圖4是根據(jù)本發(fā)明另一實施例的包括TFT、電容器和發(fā)光器件的顯示裝置的截面圖?，F(xiàn)在參見圖4，顯示裝置包括分別形成在TFT區(qū)域“T”、像素區(qū)域PX和電容器區(qū)域“Cap”中的TFT、發(fā)光器件和電容器。TFT和電容器通過使用與制造圖IA至圖2G 的TFT和電容器的方法相同的方法制造，因此將省略其詳細的描述。為了使基板40變得平滑并防止雜質(zhì)滲透，包括SW2和/或SiNx的緩沖層41被形成在基板40上。如果認為非必要，則可以省略緩沖層41。TFT包括第一有源層142a、柵電極46a以及源電極48和漏電極49。第一有源層 14 可以由多晶硅制成，并且可以通過沉積非晶硅然后通過使用激光束或使用焦耳熱使非晶硅結晶成多晶硅來形成。金屬導線143a被形成在第一有源層14 上以與源區(qū)S和漏區(qū) D中的每一個對應。金屬導線143a可以由Mo、Ti或Mo-Ti合金制成。金屬導線143a后來用作歐姆接觸層，同時通過防止第一有源層14 由于在絕緣層47和45中形成接觸孔Hl 和H2的隨后操作中可能發(fā)生的過蝕刻被損壞而用作蝕刻停止物。通過使用由半色調(diào)掩模生成的光刻膠圖案對包括多晶硅和金屬層的堆疊執(zhí)行第一和第二蝕刻步驟，層的堆疊被圖案化以生成包括溝道區(qū)C的第一有源層142a，同時使金屬導線143a與源區(qū)S和漏區(qū)D中的每一個對應。金屬導線143a的邊緣可以向內(nèi)與第一有源層14 的邊緣分隔開?？商娲?，金屬導線143a的邊緣可以改為與第一有源層14 的邊緣齊平。第一絕緣層45被插入在柵電極46a與第一有源層14 之間，以將柵電極46a與第一有源層14 絕緣。柵電極46a包括第一柵電極46a'和第二柵電極46a〃。第一柵電極46a'由透明導電材料制成。柵電極46a和金屬導線143a被用作摻雜掩模，并且第一有源層14 的不與柵電極46a和金屬導線143a對應的部分通過使用諸如離子注入之類的技術被摻有離子雜質(zhì)，以便形成由TFT以及源電極和漏電極使用的歐姆區(qū)域。離子雜質(zhì)可以是III族或V族元素。第一有源層14 的溝道區(qū)C與源區(qū)S之間的邊界區(qū)域A、溝道區(qū)C與漏區(qū)D之間的邊界區(qū)域A'、源區(qū)S的外部區(qū)域B以及漏區(qū)D的外部區(qū)域B'被摻有離子雜質(zhì)?？商娲?，源區(qū)S的外部區(qū)域B和漏區(qū)D的外部區(qū)域B'可以不被摻雜。而且可替代地，如果金屬導線143a的厚度薄得足以允許摻雜雜質(zhì)穿過，則第一有源層14 的與金屬導線143a對應的部分也可以被摻雜。源電極48和漏電極49可以通過填充并覆蓋形成在第一絕緣層45和第二絕緣層 47中的接觸孔Hl和H2形成。源電極48和漏電極49分別與第一有源層14 的源區(qū)S和漏區(qū)D對應。在圖4的實施例中，源電極48包括第一源電極48a和第二源電極48b，并且漏電極49包括第一漏電極49a和第二漏電極49b。第一源電極48a和第一漏電極49a可以由諸如ΙΤ0、ΙΖ0、Ζη0或In2O3之類的透明導電材料制成，并且都可以接觸金屬導線143a的部分。電容器包括第二有源層142b、第一電容器電極143b和第二電容器電極46b。第一絕緣層45是插入在第一電容器電極14 與第二電容器電極46b之間的介電層。第一電容器電極14 和TFT的金屬導線143a可以由相同的材料制成，并且可以同時生成。另外，第二電容器電極46b和TFT的第一柵電極46a‘可以由相同材料制成，并且可以同時生成。如果第一電容器電極14 的厚度薄得足以允許摻雜劑穿過，則第二有源層142b和TFT的第一有源層14 可以同時摻有相同的摻雜劑或不同的摻雜劑。發(fā)光器件包括由透明導電材料制成的像素電極50。像素電極50可以形成在形成于第二絕緣層47中的開口 H3中。像素電極50、TFT的第一源電極48a和第一漏電極49a 可以由相同的材料制成，并且可以同時生成。如果顯示裝置是有機發(fā)光顯示裝置，則發(fā)光器件是有機發(fā)光器件(EL)。盡管在圖 4中未示出，但包括發(fā)射層和陰極的有機層可以形成在開口 H3中的像素電極50上。至此，頂柵型TFT已作為示例被描述。然而，本發(fā)明的實施例還可以應用于底柵型 TFT，因此將省略其詳細描述。根據(jù)本發(fā)明一個或多個實施例的TFT可以應用于各種顯示裝置，例如有機發(fā)光顯示裝置和液晶顯示(LCD)裝置。另外，為了圖示說明的方便，示出了單TFT和單電容器，然而，本發(fā)明的一個或多個實施例并不限于此，并且根據(jù)本發(fā)明一個或多個實施例的顯示裝置可以包括多個TFT和多個電容器。在根據(jù)本發(fā)明的一個或多個實施例的TFT中，與源區(qū)和漏區(qū)中的每一個對應的金屬導線被形成在多晶硅薄膜的有源層上，并且用于減小與有源層的接觸電阻，同時在接觸孔被形成在覆蓋的絕緣層中時用作蝕刻停止物。有源層的歐姆層包括位于溝道區(qū)兩端的摻雜區(qū)域以及位于金屬導線下面的非摻雜區(qū)域和/或與柵電極對應的區(qū)域。因此，當根據(jù)本發(fā)明一個或多個實施例的TFT被應用于各種顯示裝置時，大尺寸的顯示裝置可以容易地實現(xiàn)。盡管已參照本發(fā)明的示例性實施例具體示出并描述了本發(fā)明，但本領域普通技術人員應當明白，在不背離以下權利要求所限定的本發(fā)明的精神和范圍的情況下，可以在形式和細節(jié)方面做出各種改變。
1權利要求
1.一種薄膜晶體管，包括有源層，包括源區(qū)、漏區(qū)和溝道區(qū)，所述有源層包括多個摻雜區(qū)和至少一個非摻雜區(qū)；第一金屬構件，被布置在所述有源層上以與所述源區(qū)和所述漏區(qū)中的每一個的部分對應；上絕緣層，被布置在所述第一金屬構件上，所述上絕緣層被暴露所述第一金屬構件的部分的一對接觸孔穿透；柵電極，被布置為與所述有源層的溝道區(qū)對應；以及第二金屬構件，用于將所述源區(qū)和所述漏區(qū)中的每一個電連接至外部元件。
2.根據(jù)權利要求1所述的薄膜晶體管，其中所述有源層的與所述第一金屬構件對應的部分是所述至少一個非摻雜區(qū)之一。
3.根據(jù)權利要求1所述的薄膜晶體管，其中所述有源層的與所述柵電極對應的部分是所述至少一個非摻雜區(qū)之一。
4.根據(jù)權利要求1所述的薄膜晶體管，其中所述第二金屬構件接觸所述第一金屬構件的暴露部分，并且其中所述第二金屬構件填充并覆蓋所述接觸孔中的每一個。
5.根據(jù)權利要求1所述的薄膜晶體管，其中所述第一金屬構件包括選自Mo、Ti和 Mo-Ti合金組成的組中的材料。
6.根據(jù)權利要求1所述的薄膜晶體管，其中所述第一金屬構件包括與所述第二金屬構件相同的材料。
7.根據(jù)權利要求1所述的薄膜晶體管，其中所述有源層包括多晶硅。
8.根據(jù)權利要求1所述的薄膜晶體管，其中所述柵電極包括包括透明導電材料的第一柵電極；以及被布置在所述第一柵電極上的第二柵電極。
9.一種顯示裝置的陣列基板，包括薄膜晶體管，其中所述薄膜晶體管包括第一有源層，被布置在所述陣列基板上，所述第一有源層包括源區(qū)、漏區(qū)和溝道區(qū)，所述第一有源層包括多個摻雜區(qū)和至少一個非摻雜區(qū)；金屬構件，在所述第一有源層上被布置在與所述源區(qū)和所述漏區(qū)中的每一個對應的位置處；上絕緣層，被布置在所述金屬構件上，所述上絕緣層被暴露所述金屬構件的部分的一對接觸孔穿透；柵電極，被布置在與所述第一有源層的溝道區(qū)對應的位置處；以及源電極和漏電極，用于將所述源區(qū)和所述漏區(qū)中的每一個電連接到外部元件。
10.根據(jù)權利要求9所述的顯示裝置的陣列基板，其中所述第一有源層的與所述金屬構件對應的部分是所述至少一個非摻雜區(qū)域之一。
11.根據(jù)權利要求9所述的顯示裝置的陣列基板，其中所述第一有源層的與所述柵電極對應的部分是所述至少一個非摻雜區(qū)域之一。
12.根據(jù)權利要求9所述的顯示裝置的陣列基板，其中所述源電極和所述漏電極中的每一個接觸所述金屬構件的暴露部分中的對應暴露部分，并且其中所述源電極和所述漏電極中的每一個填充并覆蓋所述接觸孔中的對應接觸孔。
13.根據(jù)權利要求9所述的顯示裝置的陣列基板，其中所述金屬構件包括選自Mo、Ti和Mo-Ti合金組成的組中的材料。
14.根據(jù)權利要求9所述的顯示裝置的陣列基板，其中所述金屬構件包括與所述源電極和所述漏電極相同的材料。
15.根據(jù)權利要求9所述的顯示裝置的陣列基板，其中所述有源層包括多晶硅。
16.根據(jù)權利要求9所述的顯示裝置的陣列基板，其中所述柵電極包括 包括透明導電材料的第一柵電極；以及被布置在所述第一柵電極上的第二柵電極。
17.根據(jù)權利要求16所述的顯示裝置的陣列基板，進一步包括電容器，該電容器包括 第二有源層，被布置在與所述第一有源層相同的層水平中；第一電極，被布置在所述第二有源層上并且被布置在與所述金屬構件相同的層水平中；以及第二電極，被布置為面對所述第一電極，所述第二電極包括與所述第一柵電極相同的材料。
18.根據(jù)權利要求17所述的顯示裝置的陣列基板，其中所述第一電極包括與所述金屬構件相同的材料。
19.根據(jù)權利要求16所述的顯示裝置的陣列基板，進一步包括像素電極，所述像素電極包括與所述第一柵電極相同的材料，所述像素電極被布置在與所述第一柵電極相同的層水平中。
20.根據(jù)權利要求9所述的顯示裝置的陣列基板，其中所述源電極和所述漏電極包括 包括透明導電材料的第一源電極和第一漏電極；以及被布置在所述第一源電極和所述第一漏電極上的第二源電極和第二漏電極。
21.根據(jù)權利要求20所述的顯示裝置的陣列基板，進一步包括像素電極，所述像素電極包括與所述第一源電極和所述第一漏電極相同的材料。
22.一種制造薄膜晶體管的方法，包括 在基板上形成半導體層和金屬層；通過圖案化所述半導體層和所述金屬層，形成包括源區(qū)、漏區(qū)和溝道區(qū)的有源層以及與所述源區(qū)和所述漏區(qū)中的每一個的部分對應的金屬構件； 形成覆蓋所述有源層和所述金屬構件的絕緣層； 在所述絕緣層上形成柵電極以與所述溝道區(qū)對應；通過所述絕緣層對所述有源層的不與所述金屬構件對應的部分進行摻雜；以及在所述絕緣層中形成一對接觸孔，其中所述金屬構件的部分被所述接觸孔中的每一個暴露。
23.根據(jù)權利要求22所述的制造薄膜晶體管的方法，其中形成所述有源層和所述金屬構件包括通過使用半色調(diào)掩模同時形成所述有源層和所述金屬構件。
24.根據(jù)權利要求22所述的制造薄膜晶體管的方法，進一步包括形成源電極和漏電極以填充和覆蓋所述接觸孔并接觸所述金屬構件
25.一種制造顯示裝置的陣列基板的方法，所述方法包括 在基板上形成半導體層和金屬層；通過圖案化所述半導體層和所述金屬層形成薄膜晶體管有源層、電容器有源層、金屬構件和第一電極，所述金屬構件與所述薄膜晶體管有源層的源區(qū)和漏區(qū)中的每一個的部分對應，所述第一電極被布置在所述電容器有源層上；形成絕緣層以覆蓋所述薄膜晶體管有源層、所述金屬構件、所述電容器有源層和所述第一電極；在所述絕緣層上形成柵電極和第二電極，所述柵電極與所述薄膜晶體管有源層的溝道區(qū)對應，所述第二電極與所述電容器的所述第一電極對應；通過所述絕緣層對所述薄膜晶體管有源層的部分進行摻雜；并且在所述絕緣層中形成一對接觸孔，其中所述金屬構件的部分被所述接觸孔暴露。
26.根據(jù)權利要求25所述的制造顯示裝置的陣列基板的方法，其中圖案化所述半導體層和所述金屬層包括通過使用半色調(diào)掩模同時形成所述薄膜晶體管有源層、所述電容器有源層、所述金屬構件和所述第一電極。
27.根據(jù)權利要求25所述的制造顯示裝置的陣列基板的方法，進一步包括形成源電極和漏電極以覆蓋和填充所述一對接觸孔中的相應接觸孔，其中所述源電極和所述漏電極中的每一個接觸所述金屬構件。
28.根據(jù)權利要求25所述的制造顯示裝置的陣列基板的方法，進一步包括形成像素電極，其中形成所述柵電極、所述第二電極和所述像素電極包括在所述絕緣層上同時形成第一柵電極、所述像素電極和所述第二電極，所述第一柵電極、所述像素電極和所述第二電極中的每一個由相同的透明導電材料組成；并且在所述第一柵電極上形成第二柵電極。
29.根據(jù)權利要求27所述的制造顯示裝置的陣列基板的方法，進一步包括形成像素電極，其中形成所述像素電極、所述源電極和所述漏電極包括同時形成由相同透明導電材料組成的所述像素電極以及第一源電極和第一漏電極，其中所述第一源電極和所述第一漏電極覆蓋所述接觸孔中的相應接觸孔并接觸所述金屬構件；并且在所述第一源電極和所述第一漏電極上形成第二源電極和第二漏電極。
全文摘要
一種薄膜晶體管(TFT)、包括TFT的陣列基板及制造TFT和陣列基板的方法。所述TFT包括有源層和金屬構件，所述金屬構件與所述有源層的源區(qū)和漏區(qū)中的每一個的部分對應，并且被布置在所述有源層上，所述金屬構件的部分接觸所述有源層的所述源區(qū)和所述漏區(qū)以及源電極和漏電極，并且所述有源層的與在所述有源層的金屬構件下面的部分對應的部分并不被摻雜。
文檔編號H01L21/77GK102280488SQ201110113640
公開日2011年12月14日 申請日期2011年4月28日 優(yōu)先權日2010年6月9日
發(fā)明者盧大鉉, 金成虎 申請人:三星移動顯示器株式會社