專利名稱：斷路器用滅弧室的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及ー種用于低壓斷路器的滅弧室，尤其涉及一種用于框架式的低壓斷路器。
背景技術(shù)：
滅弧室是斷路器上的重要組成部件，直接影響斷路器的短路性能。目前框架式低壓斷路器的滅弧室主要采用柵片滅弧。其滅弧室的結(jié)構(gòu)主要由引弧片，滅弧柵片，滅焰片，滅弧罩組成。其中滅弧柵片多為ー組平行的鐵片組成。其形狀對 滅弧室的性能有很大的影響。對于交流電弧，現(xiàn)業(yè)界較多使用弧隙介質(zhì)強(qiáng)度恢復(fù)理論，為有效增強(qiáng)電弧的介質(zhì)恢復(fù)能力，要求滅弧室能將電弧引入滅弧室，并能將弧有效切斷，散熱效果好。目前對其設(shè)計有兩種理念，一種如現(xiàn)有上科所DW45系列滅弧室公知技術(shù)I (如圖3所示)，其為窄角滅弧，柵片形狀與觸頭系統(tǒng)之間形成的空腔較大，觸點到引弧ロ的距離約為觸點到金屬柵片上端部總距離的五分之三處。其特點為分?jǐn)嗟亩搪冯娏餍?，散熱效果不好，滅弧室易擊穿，但其分?jǐn)嗪蠼^緣性良好。還有ー種如ABB，GE、西門子系列滅弧室為寬角滅弧(公知技術(shù)2)，柵片形狀與觸頭系統(tǒng)之間的距離短，其特點為分?jǐn)嗟亩搪冯娏鞔螅嵝Ч?，滅弧室絕緣性良好，分?jǐn)嗪蠼^緣性降低，材料成本大。

發(fā)明內(nèi)容
為了克服上述缺點，滿足市場對斷路器高分?jǐn)嗟囊?，本發(fā)明提供ー種新的滅弧系統(tǒng)。為完成本發(fā)明的目的，本發(fā)明采取的技術(shù)方案是ー種斷路器用滅弧室，包括位于滅弧室頂部的滅弧罩、位于滅弧室左右兩邊的側(cè)壁、安裝在左右側(cè)壁之間的ー組滅弧柵片，滅弧罩與滅弧柵片之間設(shè)有滅焰片。其特征在于所述ー組滅弧柵片在滅弧室側(cè)壁之間呈交錯排列在ー邊側(cè)的滅弧柵片的前端設(shè)有引弧片滅弧柵片的上部棱邊交叉形成的夾角呈鈍角，其交叉處延伸至引弧ロ。進(jìn)ー步地滅弧室安裝到斷路器中后，其斷路器的觸點到引弧ロ的距離為斷路器的觸點到滅弧柵片根部總距離的五分之ニ至五分之三之間。滅弧柵片的上部棱邊至底部棱邊為圓弧過渡。左右側(cè)壁的下端設(shè)有產(chǎn)氣板。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明可明顯提高斷路器的短路分?jǐn)嗄芰Γ焖僖?，有效保護(hù)主觸頭。


圖I是公知技術(shù)I、公知技術(shù)2、本發(fā)明對照圖圖2是本發(fā)明滅弧室結(jié)構(gòu)圖
圖3是公知技術(shù)I滅弧室結(jié)構(gòu)圖。圖中I第一滅弧柵片，2第二滅弧柵片，3引弧片，4滅焰片，5滅弧罩，6產(chǎn)氣板，7側(cè)壁，8引弧口，9滅弧柵片上部棱邊，10滅弧柵片底部棱邊。
具體實施例方式下面結(jié)合附圖對本發(fā)明作詳細(xì)說明。本發(fā)明為一種斷路器的滅弧室，如圖2所示，它主要包括滅弧柵片1，滅弧柵片2，引弧片3，滅焰片4，滅弧罩5，產(chǎn)氣板6，上下側(cè)壁7，引弧口 8，滅弧柵片上部棱邊9，滅弧柵片底部棱邊10。其中 滅弧罩5位于滅弧室頂部，上下側(cè)壁7位于滅弧室兩側(cè)，一組滅弧柵片I、滅弧柵片2安裝在上下側(cè)壁之間，滅焰片4設(shè)在滅弧罩與滅弧柵片之間。一組滅弧柵片中的滅弧柵片I在兩側(cè)壁之間交錯排列。在一邊側(cè)的滅弧柵片的前端設(shè)有引弧片3。滅弧柵片的上部棱邊交叉形成的夾角呈鈍角，其交叉處延伸至引弧口 8。滅弧室安裝到斷路器中后，斷路器的觸點到引弧口的距離為斷路器的觸點到滅弧柵片根部總距離的五分之二至五分之三之間(約為二分之一)。滅弧柵片的上部棱邊至底部棱邊為圓弧過渡。左右側(cè)壁的下端設(shè)有產(chǎn)氣板6。滅弧柵片I和滅弧柵片2在滅弧室內(nèi)均起切割電弧的作用，只是安裝位置及形狀不同，滅弧柵片上有引弧口，在安裝時需交錯布置。引弧片3在短路分?jǐn)嘀袑㈦娀∫翜缁∈覂?nèi)，滅弧柵片I，滅弧柵片2，引弧片3排列如圖示與側(cè)壁7鉚接。滅焰片4放于滅弧罩5內(nèi)，通過螺釘與側(cè)壁7連接。產(chǎn)氣板6鉚于側(cè)壁7的前部。在斷路器分?jǐn)喽搪冯娏鲿r，電弧通過引弧片進(jìn)入滅弧室，并通過滅弧柵片I和滅弧柵片2迅速切斷電弧，且其上的引弧口能起到拉長電弧的作用。從而達(dá)到提高斷路器短路分?jǐn)嗄芰Φ哪康?。圖I所示為公知技術(shù)I、公知技術(shù)2與本發(fā)明的對照圖，其反應(yīng)了滅弧室與觸頭系統(tǒng)的配合情況。從結(jié)構(gòu)上看，在斷路器體積一定的情況下，本發(fā)明較之公知技術(shù)1，增加了滅弧柵片的面積，由此可增強(qiáng)電弧的散熱性能本發(fā)明較之公知技術(shù)2，增設(shè)了引弧口，可以有效引弧，且滅弧柵片I在側(cè)壁之間交錯布置，可使電弧磁路發(fā)生畸變，拉長電弧，利于滅弧。本發(fā)明增加了滅弧室的空腔體積，減小了電弧進(jìn)入滅弧室的壓力。經(jīng)試驗證明，裝有該滅弧室的斷路器在分?jǐn)喽搪冯娏鲿r，在提升短路分?jǐn)嗄芰坝行ПＷo(hù)觸頭方面具有良好的表現(xiàn)。需要申明的是，上述實施例僅用于對本發(fā)明進(jìn)行說明而非對本發(fā)明進(jìn)行限制，因此，對于本領(lǐng)域的技術(shù)人員來說，在不背離本發(fā)明精神和范圍的情況下對它進(jìn)行各種顯而易見的改變，都應(yīng)在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。
權(quán)利要求
1.ー種斷路器用滅弧室，包括位于滅弧室頂部的滅弧罩、位于滅弧室左右兩邊的側(cè)壁、安裝在左右側(cè)壁之間的ー組滅弧柵片，滅弧罩與滅弧柵片之間設(shè)有滅焰片，其特征在于: 所述ー組滅弧柵片在滅弧室側(cè)壁之間呈交錯排列 在ー邊側(cè)的滅弧柵片的前端設(shè)有引弧片 滅弧柵片的上部棱邊交叉形成的夾角呈鈍角，其交叉處延伸至引弧ロ。
2.如權(quán)利要求I所述的斷路器用滅弧室，其特征在干 滅弧室安裝到斷路器中后，斷路器的觸點到引弧ロ的距離為斷路器的觸點到滅弧柵片根部總距離的五分之ニ至五分之三之間。
3.如權(quán)利要求I或2所述的斷路器用滅弧室，其特征在于 滅弧柵片的上部棱邊至底部棱邊為圓弧過渡。
4.如權(quán)利要求I所述的斷路器用滅弧室，其特征在干 左右側(cè)壁的下端設(shè)有產(chǎn)氣板。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種斷路器的滅弧室，包括位于滅弧室頂部的滅弧罩、位于滅弧室左右兩邊的側(cè)壁、安裝在左右側(cè)壁之間的一組滅弧柵片，滅弧罩與滅弧柵片之間設(shè)有滅焰片。其特征在于所述一組滅弧柵片在滅弧室側(cè)壁之間呈交錯排列在一邊側(cè)的滅弧柵片的前端設(shè)有引弧片滅弧柵片的上部棱邊交叉形成的夾角呈鈍角，其交叉處延伸至引弧口。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明可明顯提高斷路器的短路分?jǐn)嗄芰?，快速引弧，有效保護(hù)主觸頭。
文檔編號H01H73/18GK102768925SQ20111011652
公開日2012年11月7日 申請日期2011年5月6日 優(yōu)先權(quán)日2011年5月6日
發(fā)明者南寅, 張炎 申請人:北京人民電器廠有限公司