專利名稱：一種薄膜晶體管陣列基板結(jié)構(gòu)及制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及液晶顯示技木，尤其涉及ー種薄膜晶體管(TFT)陣列基板結(jié)構(gòu)及制造方法。
背景技術(shù)：
薄膜晶體管液晶顯不器(TFT-LCD,Thin F ilm Transistor Liquid CrystalDisplay)具有體積小、功耗低、無輻射等特點(diǎn)，近年來得到了迅速發(fā)展，在當(dāng)前的平板顯示器市場中占據(jù)了主導(dǎo)地位，也得到了廣泛的應(yīng)用，其應(yīng)用范圍幾乎涵蓋了當(dāng)今信息社會的主要電子產(chǎn)品，如液晶電視、高清晰度數(shù)字電視、電腦、手機(jī)、PDA、GPS、車載顯示、投影顯示、攝像機(jī)、數(shù)碼相機(jī)、電子手表、計(jì)算器、電子儀器、儀表、公共顯示和虛幻顯示等。TFT-IXD—般由液晶面板(IXD panel)、驅(qū)動電路以及下面的背光源組成，其中，液晶面板是TFT-LCD中最重要的部分，它是在兩塊玻璃基板之間注入液晶，四周用封框膠封上，在兩塊玻璃板上分別貼敷偏振方向相互垂直的偏振片構(gòu)成。其中，液晶面板上面的玻璃板是彩色濾光片(C/F，Color Filter)，由紅、綠、藍(lán)(R、G、B)三原色濾光片構(gòu)成像素，在彩色濾色片上鍍上透明的共用電極，液晶面板下面的玻璃板為TFT陣列基板，鍍有大量矩陣式排列的薄膜晶體管以及ー些周邊電路。現(xiàn)在制作TFT-IXD吋，一般將紅、綠、藍(lán)三像素和遮光層做在C/F上，然后通過對盒エ藝，把TFT陣列基板和C/F基板結(jié)合到一起。黑矩陣是用來遮擋漏光區(qū)域的光線，一般形成在TFT-IXD的C/F上，其材料為不透光的材料。對于TFT-IXD來說，TFT陣列基板以及制造エ藝決定了 TFT-IXD的產(chǎn)品性能、成品率和成本。為了有效地降低TFT-IXD的成本、提高成品率，TFT-IXD陣列基板的制造エ藝逐步得到簡化，從開始的七次構(gòu)圖(7mask)エ藝已經(jīng)發(fā)展到基于狹縫光刻技術(shù)的四次構(gòu)圖(4mask)エ藝?，F(xiàn)在制作TFT-IXD —般采用四次構(gòu)圖エ藝，而結(jié)合光刻膠剝離技術(shù)制作TFT-LCD的三次構(gòu)圖エ藝良品率低，生產(chǎn)成本高，不利于生產(chǎn)應(yīng)用。并且，傳統(tǒng)的TFT-IXD制作エ藝，一般先形成金屬氧化物半導(dǎo)體，然后再形成源漏金屬電極，這樣，在形成源漏金屬電極吋，會對先形成的金屬氧化物半導(dǎo)體層造成破壞，從而嚴(yán)重地影響TFT-LCD的性能。

發(fā)明內(nèi)容
有鑒于此，本發(fā)明的主要目的在于提供ー種TFT陣列基板結(jié)構(gòu)及制造方法，以解決現(xiàn)有制作エ藝在形成源漏金屬電極時，對先形成的半導(dǎo)體層造成破壞，從而嚴(yán)重影響TFT-LCD性能的問題。為達(dá)到上述目的，本發(fā)明的技術(shù)方案是這樣實(shí)現(xiàn)的本發(fā)明提供了ー種TFT陣列基板的制造方法，所述方法包括A、在玻璃基板上沉積透明導(dǎo)電薄膜層和源漏金屬層，并通過構(gòu)圖エ藝形成包含有源電極、漏電極、數(shù)據(jù)掃描線以及透明像素電極的圖形；B、在步驟A所得到的基板上沉積半導(dǎo)體層，并通過構(gòu)圖エ藝形成包含有半導(dǎo)體層圖案的圖形；C、在步驟B所得到的基板上沉積柵極絕緣層，并依次沉積柵金屬膜，通過構(gòu)圖エ藝形成包含有柵電極和柵極掃描線的圖形，完成TFT陣列基板的制造。在上述方案中，所述在玻璃基板上沉積透明導(dǎo)電薄膜層和源漏金屬層之前，所述步驟A還包括在所述玻璃基板上沉積保護(hù)層。在上述方案中，所述在玻璃基板上沉積透明導(dǎo)電薄膜層和源漏金屬層之前，所述步驟A還包括在所述玻璃基板上形成包含有黑矩陣的圖形，并分別形成包含有R像素、B像素、G像素的圖形。 在上述方案中，所述在玻璃基板上形成包含有黑矩陣的圖形，并分別形成包含有R像素、B像素、G像素的圖形之后、以及在玻璃基板上沉積透明導(dǎo)電薄膜層和源漏金屬層之前，所述步驟A還包括在所述玻璃基板上涂敷有機(jī)平坦層，在所述有機(jī)平坦層上沉積保護(hù)層。在上述方案中，所述沉積柵極絕緣層，為采用等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積法(PECVD)連續(xù)沉積兩層?xùn)艠O絕緣層，其中，與所述半導(dǎo)體層接觸的一層沉積速度低于另ー層的沉積速度。在上述方案中，所述通過構(gòu)圖エ藝形成包含有源電極、漏電極、數(shù)據(jù)掃描線以及透明像素電極的圖形，為通過一次灰色調(diào)或半色調(diào)掩模板曝光顯影和多部刻蝕エ藝，形成包含有源電極、漏電極、數(shù)據(jù)掃描線以及透明像素電極的圖形。本發(fā)明還提供了ー種TFT陣列基板結(jié)構(gòu)，所述陣列基板包括玻璃基板、源電極、漏電極、數(shù)據(jù)掃描線、透明像素電極、半導(dǎo)體層圖案、柵電極和柵極掃描線，所述半導(dǎo)體層圖案在所述玻璃基板上形成所述源電極、漏電極、數(shù)據(jù)掃描線、以及透明像素電極之后形成。在上述方案中，所述陣列基板還包括保護(hù)層，所述保護(hù)層在形成所述源電極、漏電極、數(shù)據(jù)掃描線、透明像素電極之前，沉積在所述玻璃基板上。在上述方案中，所述陣列基板還包括黑矩陣、R像素、B像素、和G像素，其中，在形成所述源電極、漏電極、數(shù)據(jù)掃描線、透明像素電極之前，所述黑矩陣形成在所述玻璃基板上，并形成所述R像素、B像素、和G像素。在上述方案中，所述陣列基板還包括有機(jī)平坦層和保護(hù)層，其中，在形成所述黑矩陣、R像素、B像素、和G像素之后，所述有機(jī)平坦層涂敷在所述玻璃基板上，所述保護(hù)層沉積在所述有機(jī)平坦層上。在上述方案中，所述源電極、漏電極、數(shù)據(jù)掃描線以及透明像素電極通過一次灰色調(diào)或半色調(diào)掩模板曝光顯影和多部刻蝕エ藝形成。本發(fā)明的TFT陣列基板結(jié)構(gòu)及制造方法，通過先形成源漏電極，再形成半導(dǎo)體層的エ藝流程，以避免形成源漏電極時對半導(dǎo)體層造成破壞而影響TFT-LCD的性能；同時，此結(jié)構(gòu)可以通過一次構(gòu)圖エ藝同時形成源漏金屬電極和透明像素電極，比傳統(tǒng)的TFT陣列基板制作エ藝節(jié)省了一次構(gòu)圖エ藝，可以通過三次構(gòu)圖エ藝完成整個TFT陣列基板的制作，不需要結(jié)合光刻膠剝離技術(shù)，制作エ藝簡單、良品率高，并且，能節(jié)約設(shè)備投資，提升生產(chǎn)效率。


圖I為本發(fā)明TFT陣列基板制造方法的實(shí)現(xiàn)流程圖；圖2為本發(fā)明實(shí)施例一中步驟I所得到基板的平面圖；圖3為本發(fā)明實(shí)施例一中步驟I所得到基板在平行于柵線的截面即圖2在AA’截面上的截面圖；圖4為本發(fā)明實(shí)施例一中步驟2所得到基板的平面圖；圖5為本發(fā)明實(shí)施例一中步驟2所得到基板在平行于柵線的截面即圖4在AA’截面上的截面圖；
圖6為本發(fā)明實(shí)施例一中步驟3所得到TFT陣列基板的平面圖；圖7為本發(fā)明實(shí)施例一中步驟3所得到TFT陣列基板在平行于柵線的截面即圖6在AA’截面上的截面圖；圖8為本發(fā)明實(shí)施例ニ中步驟I所得到基板的平面圖；圖9為本發(fā)明實(shí)施例ニ中步驟I所得到基板在平行于柵線的截面即圖8在AA’截面上的截面圖；圖10為本發(fā)明實(shí)施例ニ中步驟2所得到基板的平面圖；圖11為本發(fā)明實(shí)施例ニ中步驟2所得到基板在平行于柵線的截面即圖10在AA’截面上的截面圖；圖12為本發(fā)明實(shí)施例ニ中步驟3所得到基板的平面圖；圖13為本發(fā)明實(shí)施例ニ中步驟3所得到基板在平行于柵線的截面即圖12在AA’截面上的截面圖；圖14為本發(fā)明實(shí)施例ニ中步驟4所得到基板的平面圖；圖15為本發(fā)明實(shí)施例ニ中步驟4所得到基板在平行于柵線的截面即圖15在AA’截面上的截面圖；圖16為本發(fā)明實(shí)施例ニ中步驟5所得到TFT陣列基板的平面圖；圖17為本發(fā)明實(shí)施例ニ中步驟5所得到TFT陣列基板在平行于柵線的截面即圖16在AA’截面上的截面圖。
具體實(shí)施例方式本發(fā)明的基本思想是在制造TFT陣列基板時，先形成源漏電極，再形成半導(dǎo)體層，從而避免形成源漏電極時對半導(dǎo)體層造成破壞而影響TFT-LCD的性能。本發(fā)明所提供的TFT陣列基板制造方法，如圖I所示，所述方法主要包括以下步驟步驟101，在玻璃基板上沉積透明導(dǎo)電薄膜層和源漏金屬層，并通過構(gòu)圖エ藝形成包含有源電極、漏電極、數(shù)據(jù)掃描線以及透明像素電極的圖形；步驟102，在步驟101所得到的基板上沉積半導(dǎo)體層，并通過構(gòu)圖エ藝形成包含有半導(dǎo)體層圖案的圖形；步驟103，在步驟102所得到的基板上，連續(xù)沉積柵極絕緣層，并依次沉積柵金屬膜，并通過構(gòu)圖工藝形成包含有柵電極和柵極掃描線的圖形，完成TFT陣列基板的制造。其中，所述構(gòu)圖工藝包括涂覆光刻膠、曝光、顯影、刻蝕、剝離等工序。這里，所述在玻璃基板上沉積透明導(dǎo)電薄膜層和源漏金屬層之前，所述步驟A還可以包括在所述玻璃基板上沉積保護(hù)層。這里，所述在玻璃基板上沉積透明導(dǎo)電薄膜層和源漏金屬層之前，所述步驟A還可以包括在所述玻璃基板上形成包含有黑矩陣的圖形，并分別形成包含有R像素、B像素、G像素的圖形。這里，所述在玻璃基板上形成包含有黑矩陣的圖形，并分別形成包含有R像素、B像素、G像素的圖形之后、以及在玻璃基板上沉積透明導(dǎo)電薄膜層和源漏金屬層之前，所述步驟A還可以包括在所述玻璃基板上涂敷有機(jī)平坦層，在所述有機(jī)平坦層上沉積保護(hù)層。之后，再沉積上透明導(dǎo)電薄膜層和源漏金屬層，并形成包含有源電極、漏電極、數(shù)據(jù)掃描線以及透明像素電極的圖形。實(shí)際應(yīng)用中，可以通過三次構(gòu)圖工藝分別形成R像素、B像素、G 像素。其中，所述沉積柵極絕緣層，為采用等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積法(PECVD)連續(xù)沉積兩層?xùn)艠O絕緣層，其中，與所述半導(dǎo)體層接觸的一層沉積速度低于另一層的沉積速度。具體地，所述通過構(gòu)圖工藝形成包含有源電極、漏電極、數(shù)據(jù)掃描線以及透明像素電極的圖形，為通過一次灰色調(diào)或半色調(diào)掩模板曝光顯影和多部刻蝕工藝，形成包含有源電極、漏電極、數(shù)據(jù)掃描線以及透明像素電極的圖形。相應(yīng)地，本發(fā)明還提供了一種TFT陣列基板結(jié)構(gòu)，所述陣列基板包括玻璃基板、源電極、漏電極、數(shù)據(jù)掃描線、透明像素電極、半導(dǎo)體層圖案、柵電極和柵極掃描線，所述半導(dǎo)體層圖案是在所述玻璃基板上形成所述源電極、漏電極、數(shù)據(jù)掃描線、以及透明像素電極之后形成的。其中，所述陣列基板還可以包括保護(hù)層，所述保護(hù)層在形成所述源電極、漏電極、數(shù)據(jù)掃描線、透明像素電極之前，沉積在所述玻璃基板上。其中，所述陣列基板還可以包括黑矩陣、R像素、B像素、和G像素，其中，在形成所述源電極、漏電極、數(shù)據(jù)掃描線、透明像素電極之前，所述黑矩陣形成在所述玻璃基板上，并形成所述R像素、B像素、和G像素。這里，所述陣列基板還可以包括有機(jī)平坦層和保護(hù)層，其中，在形成所述黑矩陣、R像素、B像素、和G像素之后，所述有機(jī)平坦層涂敷在所述玻璃基板上，所述保護(hù)層沉積在所述有機(jī)平坦層上。具體地，所述源電極、漏電極、數(shù)據(jù)掃描線以及透明像素電極通過一次灰色調(diào)或半色調(diào)掩模板曝光顯影和多部刻蝕工藝形成。實(shí)施例一本實(shí)施例提供了一種有源驅(qū)動TFT陣列基板的制造方法，本實(shí)施例中TFT陣列基板的制造方法，具體工藝流程包括步驟I、首先，在玻璃基板I上采用PECVD連續(xù)沉積厚度為500 ~ 2000 A的保護(hù)層8 ;然后通過濺射或熱蒸發(fā)的方法沉積上厚度約為300 ~ 1500 A的透明導(dǎo)電薄膜層和厚度約為2000 ~ 3000 A源漏金屬層；通過一次灰色調(diào)或半色調(diào)掩模板曝光顯影和多部刻蝕工藝之后，形成源電極6、漏電極7、數(shù)據(jù)掃描線9以及透明像素電極5，其平面圖和截面圖分別如圖2、圖3所示。這里，沉積保護(hù)層8時，可以選用氧化物、氮化物或者氧氮化合物，對應(yīng)的反應(yīng)氣體可以選用SiH4、NH3> N2或SiH2Cl2、NH3> N2 ;保護(hù)層8是無機(jī)絕緣層，可以更好地保護(hù)后面的金屬氧化物半導(dǎo)體層，提高金屬氧化物半導(dǎo)體層的穩(wěn)定性能。這里，透明像素電極5—般為納米銦錫金屬氧化物(ITO, Indium Tin Oxides),也可以是其它的金屬及金屬氧化物；源電極6/漏電極7所采用的材料可以是Cr、W、Ti、Ta、Mo、Al、Cu等金屬和合金,可以是單層也可以是多層。本步驟中，在沉積透明像素電極前，先在玻璃基板上沉積一層保護(hù)層，該保護(hù)層能夠保護(hù)TFT溝道，避免TFT溝道直接與玻璃基板接觸，形成不好的界面。步驟2、在完成步驟I后的基板I上，通過濺射或熱蒸發(fā)的方法，在源電極6和漏電極7之間以及上方沉積上厚度約為100 ~ 4000 A的半導(dǎo)體層，通過一次構(gòu)圖工藝形成半導(dǎo) 體層圖案4，其平面圖和截面圖分別如圖4、圖5所示。這里，半導(dǎo)體層4可以是非晶IGZ0，也可以是其他的金屬氧化物。本步驟在第二次構(gòu)圖工藝中形成半導(dǎo)體層圖案，使得半導(dǎo)體層圖案可以做到精細(xì)，避免產(chǎn)生不良；半導(dǎo)體層使用寬禁帶寬度金屬氧化物半導(dǎo)體如IGZ0，使得可見光照射該半導(dǎo)體層時不會產(chǎn)生光電流，在后面的制作流程中也就不需要使用遮光層，有利于簡化制作工藝，降低制作成本。步驟3、在完成步驟2的基板上，采用PECVD連續(xù)沉積厚度為1000 ~ 4000人的柵極絕緣層3，然后依次沉積上厚度為4000 ~ 15000A的柵金屬膜，最后，通過一次構(gòu)圖工藝形成柵電極2和柵極掃描線10。至此，完成TFT陣列基板的制造，制造出的TFT陣列基板的平面圖和截面圖分別如圖6、圖7所示。這里，柵金屬膜可以采用濺射或熱蒸發(fā)的方法來進(jìn)行沉積。柵金屬膜可以選用Cr、W、Cu、Ti、Ta、Mo、等金屬或合金,還可以通過由多層金屬組成的柵金屬層來代替。這里，沉積柵極絕緣層3時，可以選用氧化物、氮化物或者氧氮化合物、對應(yīng)的反應(yīng)氣體可以為SiH4, NH3, N2或SiH2Cl2, NH3, N2 ;柵金屬膜可以選用Cr、W、Cu、Ti、Ta、Mo等金屬或合金，也可以由多層金屬組成的柵金屬層來代替。這里，柵極絕緣層3可以是一層，也可以是兩層。當(dāng)柵極絕緣層3為兩層時，柵極絕緣層3中與半導(dǎo)體層接觸的一層沉積速度低于另一層的沉積速度，如此，可以使得柵極絕緣層3與半導(dǎo)體層形成很好的界面，有利于提高TFT性能，同時又可以提高生產(chǎn)效率。本實(shí)施例中，通過第一次構(gòu)圖工藝來形成源漏電極和透明像素電極，避免在形成半導(dǎo)體層之后再形成源漏電極和透明像素電極而對所形成的半導(dǎo)體層造成破壞；并且，使用三次構(gòu)圖工藝完成整個TFT陣列基板的制作，不需要與光刻膠剝離技術(shù)結(jié)合，制作工藝簡單，良品率聞。實(shí)施例二本實(shí)施例提供了一種集成有彩膜部分結(jié)構(gòu)的TFT陣列基板的制造方法，具體工藝流程包括步驟I、首先，通過一次構(gòu)圖工藝在玻璃基板I上形成黑矩陣(BM，BlackMatrix) 11，平面如圖8所示，截面如圖9所示；這里，圖8、以及圖9中的黑矩陣只遮擋了數(shù)據(jù)線、源漏電極、溝道等，但在實(shí)際應(yīng)用中，黑矩陣還會將柵線處也遮擋起來。這里，黑矩陣的材料可以是金屬，如Cr，也可以是有機(jī)物。BM材料可以更換，用gate金屬、SD金屬等。黑矩陣的材料還可以是普通樹脂或感光樹脂，當(dāng)采用感光樹脂時，只需沉積材料，曝光、顯影即可，感光樹脂本身有光刻膠的感光特性。步驟2、在完成步驟I的玻璃基板I上通過三次構(gòu)圖工藝分別形成R像素12、B像素、G像素13，其平面圖和截面圖分別如圖10、圖11所示。R像素12、B像素、G像素13還可以采取噴墨或者印刷等方法形成。步驟3、在完成步驟2的玻璃基板I上通過一次旋涂的方式涂敷一層5000 ~25000 A的有機(jī)平坦層14 ;然后在有機(jī)平坦層14上采用PECVD連續(xù)沉積厚度為500 ~ 2000 A的保護(hù)層8 ;再通過濺射或熱蒸發(fā)的方法沉積上厚度約為300~1500 A的透明導(dǎo)電薄膜層和厚度約為2000 ~ 3000 A源漏金屬層；通過一次灰色調(diào)或半色調(diào)掩模板曝光顯影和多部刻蝕工藝之后，形成源電極6、漏電極7、數(shù)據(jù)掃描線9以及透明像素電極5，其平面圖和截面圖分別如 圖12、圖13所示。這里，透明像素電極5—般為IT0，也可以是其它的金屬及金屬氧化物；源電極6/漏電極7所采用的材料可以選用Cr、W、Ti、Ta、Mo、Al、Cu等金屬和合金,可以是單層也可以
是多層。這里，沉積保護(hù)層8時，可以選用氧化物、氮化物或者氧氮化合物，對應(yīng)的反應(yīng)氣體可以選用SiH4、NH3> N2或SiH2Cl2、NH3> N2 ;保護(hù)層8是無機(jī)絕緣層，可以更好地保護(hù)后面的金屬氧化物半導(dǎo)體層，提高金屬氧化物半導(dǎo)體層的穩(wěn)定性能。保護(hù)層是絕緣性更好的無機(jī)絕緣層，可以是Si的氮化物和氧化物，也可以是A1203等金屬氧化物絕緣層。這里，有機(jī)平坦層14可以使玻璃基板I表面平坦化，同時可以起到絕緣的作用。本步驟中，在沉積透明像素電極前，先在玻璃基板上沉積一層保護(hù)層，該保護(hù)層能夠保護(hù)TFT溝道，避免TFT溝道直接與玻璃基板接觸，形成不好的界面。步驟4、在完成步驟3后的基板上，通過濺射或熱蒸發(fā)的方法沉積上厚度約為100-4000 A的半導(dǎo)體層，通過一次構(gòu)圖工藝形成半導(dǎo)體層圖案4，其平面圖和截面圖分別如圖14、圖15所示。這里，半導(dǎo)體層可以是非晶IGZ0，也可以是其他的金屬氧化物。本步驟，半導(dǎo)體層使用寬禁帶寬度金屬氧化物半導(dǎo)體如IGZ0，使得可見光照射該半導(dǎo)體層時不會產(chǎn)生光電流，在后面的制作流程中也就不需要使用遮光層，有利于簡化制作工藝，降低制作成本。步驟5、在完成步驟4后的基板上，采用PECVD連續(xù)沉積厚度為1000 ~4000 A的柵極絕緣層3 ;然后采用濺射或熱蒸發(fā)的方法依次沉積上厚度為4000 ~ 15000人的柵金屬膜；再通過一次構(gòu)圖工藝依次形成柵極2和柵極掃描線。至此，完成集成有彩膜集的TFT陣列基板的制造，制造出的TFT陣列基板的平面圖和截面圖分別如圖16、圖17所示。這里，沉積柵極絕緣層3時，可以選用氧化物、氮化物或者氧氮化合物、對應(yīng)的反應(yīng)氣體可以為SiH4, NH3, N2或SiH2Cl2, NH3, N2 ;柵金屬膜可以選用Cr、W、Cu、Ti、Ta、Mo等金屬或合金，也可以由多層金屬組成的柵金屬層來代替。
這里，柵極絕緣層3可以是一層，也可以是兩層。在柵極絕緣層3為兩層時，柵極絕緣層3中與半導(dǎo)體層接觸的一層沉積速度低于另一層的沉積速度，如此，可以使得柵極絕緣層3與半導(dǎo)體層形成很好的界面，有利于提高TFT性能，同時又可以提高生產(chǎn)效率。這里，柵金屬膜可以選用Cr、W、Cu、Ti、Ta、Mo、等金屬或合金,還可以通過由多層金屬組成的柵金屬層來代替。本實(shí)施例中，采用構(gòu)圖工藝將紅、綠、藍(lán)三像素直接做在TFT陣列基板上，由于構(gòu)圖工藝的精度一般在5um左右，遠(yuǎn)大于對盒的精度(對盒精度一般在3_)，從而可以大幅度提高LCD的開口率。此外，本實(shí)施例先形成源漏電極和像素電極，然后再形成半導(dǎo)體層，可 以減少形成源漏電極對半導(dǎo)體層的破壞。以上所述，僅為本發(fā)明的較佳實(shí)施例而已，并非用于限定本發(fā)明的保護(hù)范圍。
權(quán)利要求
1.一種薄膜晶體管(TFT)陣列基板的制造方法，其特征在于，所述方法包括 A、在玻璃基板上沉積透明導(dǎo)電薄膜層和源漏金屬層，并通過構(gòu)圖工藝形成包含有源電極、漏電極、數(shù)據(jù)掃描線以及透明像素電極的圖形； B、在步驟A所得到的基板上沉積半導(dǎo)體層，并通過構(gòu)圖工藝形成包含有半導(dǎo)體層圖案的圖形； C、在步驟B所得到的基板上沉積柵極絕緣層，并依次沉積柵金屬膜，通過構(gòu)圖工藝形成包含有柵電極和柵極掃描線的圖形，完成TFT陣列基板的制造。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述TFT陣列基板的制造方法，其特征在于，所述在玻璃基板上沉積透明導(dǎo)電薄膜層和源漏金屬層之前，所述步驟A還包括 在所述玻璃基板上沉積保護(hù)層。
3.根據(jù)權(quán)利要求I所述TFT陣列基板的制造方法，其特征在于，所述在玻璃基板上沉積透明導(dǎo)電薄膜層和源漏金屬層之前，所述步驟A還包括 在所述玻璃基板上形成包含有黑矩陣的圖形，并分別形成包含有R像素、B像素、G像素的圖形。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述TFT陣列基板的制造方法，其特征在于，所述在玻璃基板上形成包含有黑矩陣的圖形，并分別形成包含有R像素、B像素、G像素的圖形之后、以及在玻璃基板上沉積透明導(dǎo)電薄膜層和源漏金屬層之前，所述步驟A還包括 在所述玻璃基板上涂敷有機(jī)平坦層，在所述有機(jī)平坦層上沉積保護(hù)層。
5.根據(jù)權(quán)利要求I至4任一項(xiàng)所述TFT陣列基板的制造方法，其特征在于，所述沉積柵極絕緣層，為 采用等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積法(PECVD)連續(xù)沉積兩層?xùn)艠O絕緣層，其中，與所述半導(dǎo)體層接觸的一層沉積速度低于另一層的沉積速度。
6.根據(jù)權(quán)利要求I至4任一項(xiàng)所述TFT陣列基板的制造方法，其特征在于，所述通過構(gòu)圖工藝形成包含有源電極、漏電極、數(shù)據(jù)掃描線以及透明像素電極的圖形，為 通過一次灰色調(diào)或半色調(diào)掩模板曝光顯影和多部刻蝕工藝，形成包含有源電極、漏電極、數(shù)據(jù)掃描線以及透明像素電極的圖形。
7.—種TFT陣列基板結(jié)構(gòu)，所述陣列基板包括玻璃基板、源電極、漏電極、數(shù)據(jù)掃描線、透明像素電極、半導(dǎo)體層圖案、柵電極和柵極掃描線，其特征在于，所述半導(dǎo)體層圖案在所述玻璃基板上形成所述源電極、漏電極、數(shù)據(jù)掃描線、以及透明像素電極之后形成。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述TFT陣列基板結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述陣列基板還包括保護(hù)層，所述保護(hù)層在形成所述源電極、漏電極、數(shù)據(jù)掃描線、透明像素電極之前，沉積在所述玻璃基板上。
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述TFT陣列基板結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述陣列基板還包括黑矩陣、R像素、B像素、和G像素，其中，在形成所述源電極、漏電極、數(shù)據(jù)掃描線、透明像素電極之前，所述黑矩陣形成在所述玻璃基板上，并形成所述R像素、B像素、和G像素。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述TFT陣列基板結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述陣列基板還包括有機(jī)平坦層和保護(hù)層，其中，在形成所述黑矩陣、R像素、B像素、和G像素之后，所述有機(jī)平坦層涂敷在所述玻璃基板上，所述保護(hù)層沉積在所述有機(jī)平坦層上。
11.根據(jù)權(quán)利要求7至10任一項(xiàng)所述TFT陣列基板結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述源電極、漏電極、數(shù) 據(jù)掃描線以及透明像素電極通過一次灰色調(diào)或半色調(diào)掩模板曝光顯影和多部刻蝕工藝形成。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種TFT陣列基板的制造方法，所述方法包括A、在玻璃基板上沉積透明導(dǎo)電薄膜層和源漏金屬層，并通過構(gòu)圖工藝形成包含有源電極、漏電極、數(shù)據(jù)掃描線以及透明像素電極的圖形；B、在步驟A所得到的基板上沉積半導(dǎo)體層，并通過構(gòu)圖工藝形成包含有半導(dǎo)體層圖案的圖形；C、在步驟B所得到的基板上，連續(xù)沉積柵極絕緣層，并依次沉積柵金屬膜，并通過構(gòu)圖工藝形成包含有柵電極和柵極掃描線的圖形，完成TFT陣列基板的制造。本發(fā)明還公開了一種TFT陣列基板結(jié)構(gòu)，采用本發(fā)明能避免形成源漏電極對半導(dǎo)體層造成破壞，可通過一次構(gòu)圖工藝同時形成源漏金屬電極和透明像素電極，制作工藝簡單、良品率高，且能節(jié)約設(shè)備投資，提升生產(chǎn)效率。
文檔編號H01L27/12GK102768989SQ20111011766
公開日2012年11月7日 申請日期2011年5月6日 優(yōu)先權(quán)日2011年5月6日
發(fā)明者劉翔, 薛建設(shè) 申請人:京東方科技集團(tuán)股份有限公司