專利名稱：形狀記憶超材料及其制備方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及超材料領(lǐng)域，更具體地說，涉及一種形狀記憶超材料及其制備方法。
背景技術(shù)：
超材料是一種新型材料，是由非金屬材料制成的基材和附著在基材表面上或嵌入在基材內(nèi)部的多個人造微結(jié)構(gòu)構(gòu)成的?；目梢蕴摂M地劃分為矩形陣列排布的多個方形基材單元，每個基材單元上附著有一個人造微結(jié)構(gòu)從而形成一個超材料單元，整個超材料即是由數(shù)十萬、百萬甚至上億的這樣的超材料單元組成的，就像晶體是由無數(shù)的晶格按照一定的排布構(gòu)成的。每個超材料單元上的人造微結(jié)構(gòu)相同或者不完全相同。人造微結(jié)構(gòu)是組成一定幾何圖形的圓柱形或扁平狀金屬絲，組成的形狀為圓環(huán)形、“工”形等。由于人造微結(jié)構(gòu)的存在，每個超材料單元具有不同于基材本身的等效介電常數(shù)和等效磁導(dǎo)率，因此所有的超材料單元構(gòu)成的超材料對電場和磁場呈現(xiàn)出特定的響應(yīng)特性； 同時(shí)，對人造微結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)不同的具體結(jié)構(gòu)和形狀，可改變其單元的等效介電常數(shù)和等效磁導(dǎo)率，進(jìn)而改變整個超材料的響應(yīng)特性?，F(xiàn)有技術(shù)中，超材料的基材通常選用聚四氟乙烯或者陶瓷材料，其介電常數(shù)和磁導(dǎo)率均接近于空氣，因此對電磁場的影響較小，同時(shí)具有很好的強(qiáng)度，可適用在天線、雷達(dá)等各種通訊領(lǐng)域。但是，聚四氟乙烯和陶瓷質(zhì)脆易碎，對于已經(jīng)制造生產(chǎn)出來的超材料，其形狀是固定的，在有些需要形狀微調(diào)或變形的場合，例如室溫下為螺旋形、高于室溫二十度以上需要調(diào)整為平板形的情況下，現(xiàn)有基材材質(zhì)的超材料不能滿足這樣的需求。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明要解決的技術(shù)問題在于，針對現(xiàn)有技術(shù)的上述缺陷，提供一種在特定條件下能夠形變的形狀記憶超材料的制備方法。本發(fā)明解決其技術(shù)問題所采用的技術(shù)方案是提供一種形狀記憶超材料的制備方法。本發(fā)明的一種形狀記憶超材料的制備方法，包括如下步驟Si、用形狀記憶材料制成具有初始形狀的基材；S2、在所述基材上附著人造微結(jié)構(gòu)，得到超材料層；S3、為所述超材料層賦予變形，得到形狀記憶超材料，所述已變形的形狀記憶超材料在達(dá)到其形狀回復(fù)條件時(shí)，將回復(fù)成初始形狀。在本發(fā)明所述的形狀記憶超材料的制備方法中，所述基材的初始形狀為平板形。在本發(fā)明所述的形狀記憶超材料的制備方法中，所述步驟S3進(jìn)行了兩次，第一次賦形為半圓筒形或圓筒形，第二次將半圓筒形或圓筒形形狀記憶超材料賦形為螺旋形。在本發(fā)明所述的形狀記憶超材料的制備方法中，所述形狀記憶材料為熱致感應(yīng)型形狀記憶材料，具有固定相和可逆相。在本發(fā)明所述的形狀記憶超材料的制備方法中，所述熱致感應(yīng)型形狀記憶材料為
3苯乙烯-丁二烯共聚物，其固定相轉(zhuǎn)變溫度Tf為120°C，可逆相轉(zhuǎn)變溫度T,為60°C。在本發(fā)明所述的形狀記憶超材料的制備方法中，所述步驟Sl采用注塑成型工藝。在本發(fā)明所述的形狀記憶超材料的制備方法中，所述步驟S2采用光化學(xué)蝕刻工藝將人造微結(jié)構(gòu)印制到所述基材上。在本發(fā)明所述的形狀記憶超材料的制備方法中，所述人造微結(jié)構(gòu)為由金屬顆粒熔化排布的成具有幾何圖案的金屬線。在本發(fā)明所述的形狀記憶超材料的制備方法中，所述步驟S3的對超材料層賦予變形包括如下步驟S31、對所述超材料層升溫至溫度高于其可逆相轉(zhuǎn)變溫度而低于其固定相轉(zhuǎn)變溫度；S32、通過人工或機(jī)械將所述超材料層變形；S33、對所述超材料層迅速冷卻降溫，使所述超材料層凝固并保持變形后的形狀。本發(fā)明還提供一種形狀記憶超材料，包括由形狀記憶材料制成的基材和附著在所述基材上的人造微結(jié)構(gòu)，所述基材的形狀相對于被制造出來時(shí)的初始形狀被賦予了變形。實(shí)施本發(fā)明的形狀記憶超材料及其制備方法，具有以下有益效果由于采用形狀記憶材料作為基材，使得本發(fā)明的形狀記憶超材料同時(shí)兼有形狀記憶和特殊電磁響應(yīng)兩方面的功能，為超材料拓寬了新的應(yīng)用領(lǐng)域。


下面將結(jié)合附圖及實(shí)施例對本發(fā)明作進(jìn)一步說明，附圖中圖1是本發(fā)明的形狀記憶超材料的制備方法的流程框圖；圖2是圖1所示流程中步驟S3的詳細(xì)步驟圖；圖3是步驟S2制得的超材料層為平板形時(shí)的側(cè)視圖；圖4是圖3所示超材料層的主視圖；圖5是圖4所示超材料層變形為半圓筒形時(shí)的側(cè)視圖；圖6是圖4所示的超材料層變形為圓筒形時(shí)的側(cè)視圖；圖7是將圖3或圖4所示的超材料層進(jìn)一步變形為螺旋形時(shí)的側(cè)視圖。
具體實(shí)施例方式本發(fā)明將超材料特有的電磁響應(yīng)功能和形狀記憶材料的形狀記憶功能相結(jié)合，設(shè)計(jì)出一種形狀記憶超材料，并提供其制備方法。如圖5到7所示，本發(fā)明的形狀記憶超材料4包括基材1和附著在基材1上的人造微結(jié)構(gòu)2。傳統(tǒng)的基材1通常選用聚四氟乙烯、陶瓷等材料，本發(fā)明與之不同的是，采用形狀記憶材料作為基材1的材料。形狀記憶材料，顧名思義，即具有形狀記憶功能的材料，根據(jù)形狀記憶原理不同可以分為熱致感應(yīng)型、電致感應(yīng)型、光致感應(yīng)型、化學(xué)感應(yīng)型、磁致感應(yīng)型等幾類，后幾種材料都是基于熱致型形狀記憶材料的基本原理而設(shè)計(jì)的。無論屬于哪個種類，只要是非金屬或合金的形狀記憶材料均可用在本發(fā)明的超材料中作為基材1。熱致感應(yīng)型形狀記憶材料，是指該材料在一特定溫度下受外力作用而變形，變形后降溫冷卻從而將形狀固定，并在溫度升高到上述特定溫度時(shí)該材料將自動回復(fù)到變形前的形狀，這樣的材料就屬于熱致感應(yīng)型形狀記憶材料。通常，這里的特定溫度，與室溫之間的差值絕對值較大，至少在10攝氏度以上，以滿足形狀記憶材料在特定場合下的應(yīng)用。常用的熱致感應(yīng)型形狀記憶材料有1)聚對苯二甲酸乙二醇酯、聚降冰片烯、反式聚異戊二烯、苯乙烯-丁二烯共聚物、聚乙烯、乙烯-醋酸乙烯共聚物、聚四氟乙烯和聚氯乙烯等聚烯烴類形狀記憶材料；2)4,4' - 二苯甲烷二異氰酸酯/聚己內(nèi)酯/1，4 丁二醇、4，4’ - 二苯甲烷二異氰酸酯/聚四氫呋喃Λ，4 丁二醇、4，4，_ 二苯甲烷二異氰酸酯/聚己二酸丁二醇酯二元醇/三羥甲基丙烷等聚氨酯類嵌段形狀記憶材料；3)聚對苯二甲酸乙二醇酯H、聚己內(nèi)酯和聚乳酸等聚酯類形狀記憶材料。形狀記憶材料制成的基材1在其工作狀態(tài)下可以為任意所需的形狀，例如為螺旋形，如圖6所示，而被賦予變形前，在無內(nèi)應(yīng)力或內(nèi)應(yīng)力很小的自由狀態(tài)下制造出來的初始形狀為平板形，如圖3所示。當(dāng)溫度達(dá)到形狀回復(fù)溫度即上文中的特定溫度時(shí)，螺旋形的基材1將重新展開為平板形，從而實(shí)現(xiàn)某種功能。例如太陽能電池板，被運(yùn)送至太空中吸收太陽光能時(shí)需要展開為平板形以增大表面積吸收盡可能多的太陽光，而在運(yùn)送至太空的過程中為了減小運(yùn)輸體積則需要被收卷成螺旋形，這樣的太陽能電池板即可用本發(fā)明的形狀記憶超材料4來實(shí)現(xiàn)，一方面通過形狀記憶材料的基材1來實(shí)現(xiàn)達(dá)到一定溫度時(shí)自動展開，另一方面，基材1上的人造微結(jié)構(gòu)2與基材1共同對太陽發(fā)出的電磁波響應(yīng)而吸收熱能。人造微結(jié)構(gòu)2是在基材1變形前附著到基板上的。人造微結(jié)構(gòu)2通常為組成一定幾何圖案的金屬絲，例如“工”字形、雪花形、“十”字形、開口諧振環(huán)甚至其他任意形狀。金屬絲的存在，使得在電磁波穿過時(shí)能對電磁波產(chǎn)生電場和/或磁場響應(yīng)，從而使整個超材料體現(xiàn)出特有的電磁響應(yīng)特性，實(shí)現(xiàn)自然材料所不具有的特殊功能，例如吸波、匯聚或發(fā)散電磁波等。人造微結(jié)構(gòu)2通過蝕刻、離子刻、電鍍、印刷等方式附著在基材1上，每片基材1及其表面上的人造微結(jié)構(gòu)2構(gòu)成一個超材料層3，每個形狀記憶超材料4包括一個或多個這樣的超材料層3。本發(fā)明的形狀記憶超材料4的制備方法，如圖1所示，包括以下幾個步驟Si、用形狀記憶材料制成具有初始形狀的基材1 ；在這一步驟中，可選用的形狀記憶材料已在前文中有詳細(xì)描述，上述非金屬、非合金的熱致感應(yīng)型形狀記憶材料都可用在本發(fā)明中作為基材1。在實(shí)際操作中，常用的形狀記憶材料選用苯乙烯-丁二烯共聚物、二苯基甲烷二異氰酸酯與丁二醇的預(yù)聚物、聚降冰片烯之中的一種，優(yōu)選苯乙烯-丁二烯共聚物。熱致感應(yīng)型形狀記憶材料通常包括固定相和可逆相?？赡嫦嘧鳛閯討B(tài)平衡實(shí)現(xiàn)形狀記憶的部分，通常為無定形的橡膠態(tài)與玻璃態(tài)的轉(zhuǎn)變、結(jié)晶的熔融與重結(jié)晶。固定相可以是處于其熔點(diǎn)Tm或玻璃轉(zhuǎn)化溫度Tg以下的分子纏繞互穿網(wǎng)絡(luò)，如高分子量的聚己酸內(nèi)酯 (PLC)和聚降冰片烯，這類聚合物形成具有物理交聯(lián)點(diǎn)的固定相，還可以是具有交聯(lián)結(jié)構(gòu)的非結(jié)晶區(qū)域，如最早發(fā)現(xiàn)的形狀記憶高分子交聯(lián)聚乙烯，形成化學(xué)交聯(lián)的固定相。例如對于上述優(yōu)選的苯乙烯-丁二烯共聚物，其固定相是聚苯乙烯結(jié)晶部分，可逆相是丁二烯部分，固定相由固態(tài)熔化為液態(tài)的轉(zhuǎn)變溫度Tf為120°C左右，可逆相的轉(zhuǎn)變溫度 ；為60°C左右。要將形狀記憶材料制成基材1，為了使基材1內(nèi)應(yīng)力小，通常采用注塑成型或澆注成型，將液態(tài)的形狀記憶材料注入成型機(jī)的型腔中，此時(shí)液態(tài)材料的溫度應(yīng)該明顯高于Tf，通常在125 135°C之間，確保材料能自由流動內(nèi)應(yīng)力小，注入型腔后通過自然冷卻或水冷使之凝固，得到具有初始形狀的基材1?；?薄的話可以先通過澆注或注塑成型制成厚板，然后壓延成型得到薄板。初始形狀可以是平板形，或者其他任意形狀，根據(jù)實(shí)際需要而定，只要設(shè)計(jì)不同形狀的型腔即可。步驟Sl完成、制得具有初始形狀的基材1后，進(jìn)行一下步驟S2、在所述基材1上附著人造微結(jié)構(gòu)2，得到超材料層3，如圖3、圖4所示；步驟S2可以采用蝕刻或電鍍實(shí)現(xiàn)。這里的蝕刻工藝，通常是指光化學(xué)蝕刻 (photochemical etching)，類似于PCB的制作，即先在基材表面沉積一層金屬箔層，通過曝光制版、顯影后，將要蝕刻區(qū)域的保護(hù)膜去除，在蝕刻時(shí)該區(qū)域的金屬接觸化學(xué)溶液，被溶解腐蝕，余下的為具有一定幾何形狀圖案的金屬線，即為人造微結(jié)構(gòu)2。如果采用蝕刻工藝，應(yīng)該避免用于蝕刻的化學(xué)溶劑與基材1反應(yīng)，以免破壞基材1 的表面光滑度、甚至破壞基材1的整體結(jié)構(gòu)和形狀。步驟S2也可采用印刷工藝印制到基材1上。類似于傳統(tǒng)的打印機(jī)，將一定粒度范圍的金屬粉末顆粒放置于一打印機(jī)器中，在需要設(shè)置人造微結(jié)構(gòu)2的區(qū)域，將金屬顆粒推到基材1的該區(qū)域上并加熱融化，是金屬顆粒融化成一體形成一條金屬絲線，形成“打印” 人造微結(jié)構(gòu)2的效果。如果采用印刷工藝，應(yīng)該注意的是，將金屬顆粒加熱使之融化的溫度應(yīng)低于形狀記憶材料的固定相轉(zhuǎn)化溫度即固定相的熔點(diǎn)，以避免材料熔化變形；或者，金屬顆粒加熱和凝固的速度應(yīng)該極快，在熱量沒有傳導(dǎo)至基材1之前已完成“打印”人造微結(jié)構(gòu)2的動作。采用印刷工藝制作人造微結(jié)構(gòu)2的具體工藝，還可以參考專利“Fabrication of electronic components in plastic”(申請?zhí)?EP20060752653，發(fā)明人 David Victor Thiel 和 Neeli Madhusudanrao)，其采用壓花機(jī)(embossing machine)在塑料基材 1 上印制具有一定幾何圖案的導(dǎo)電人造微結(jié)構(gòu)2。這個發(fā)明專利說明本發(fā)明的步驟S2是可行的。依次制得各個人造微結(jié)構(gòu)2，則基板及其上的人造微結(jié)構(gòu)2共同構(gòu)成一個超材料層3。制得超材料層3后將進(jìn)行如下步驟S3、為所述超材料層3賦予變形，得到形狀記憶超材料4。賦予變形，簡稱賦形，就是用外力驅(qū)使超材料層3變形為不同于初始形狀的另一形狀，例如螺旋形。熱致感應(yīng)型形狀記憶材料特有的形狀記憶效應(yīng)來源于其特殊結(jié)構(gòu)，其固定相轉(zhuǎn)變溫度Tf (固定相的Tg或Tm)高于可逆相轉(zhuǎn)變溫度 ；(可逆相的Tg或Tm)，而且要求可逆相的Tg或Tm在室溫之上，室溫條件下可逆相與固定相均處于玻璃態(tài)或者結(jié)晶態(tài)，鏈段運(yùn)動受到限制。當(dāng)溫度高于 ；而低于Tf時(shí)，可逆相的分子鏈有足夠的能量作構(gòu)象變化，鏈段運(yùn)動加劇，宏觀表現(xiàn)為結(jié)晶相的熔融或玻璃態(tài)到高彈態(tài)的轉(zhuǎn)變。此時(shí)，材料可在外力或其他因素作用下產(chǎn)生形變，而固定相此時(shí)仍處于結(jié)晶態(tài)或玻璃態(tài)，分子被其相互間物理作用固定，阻止分子鏈產(chǎn)生滑移，抵抗形變，可逆相與固定相之間的作用，抑制了鏈的塑性移動而產(chǎn)生回形狀記憶效應(yīng)。賦形的材料進(jìn)行降溫處理，可逆相的形變被固定，鏈段運(yùn)動受限，則可逆相重新回到玻璃態(tài)或結(jié)晶態(tài)，并且材料以此形狀穩(wěn)定存在。當(dāng)外界對賦形后的形狀記憶材料賦予刺激條件，該材料將會產(chǎn)生形狀回復(fù)的過程。即，再次升溫后，分子鏈由于熵彈性作用而發(fā)卷曲，固定相的回彈力得到釋放，形變回復(fù)，即恢復(fù)到步驟Sl中的初始形狀。本發(fā)明的超材料層3，屬于超材料的范圍，由于基材1上附著有金屬的人造微結(jié)構(gòu) 2，能夠?qū)﹄姶挪óa(chǎn)生響應(yīng)，使得材料內(nèi)部生熱，在達(dá)到一定溫度后就會發(fā)生形狀回復(fù)直到初始形狀。形狀記憶材料中優(yōu)選熱導(dǎo)率低的材料，使得熱量不容易擴(kuò)散，生熱溫度高，形狀回復(fù)較快。因此，進(jìn)行步驟S3，是為了使超材料在應(yīng)用到實(shí)際環(huán)境中，一旦環(huán)境條件達(dá)到其形狀回復(fù)條件時(shí)，將恢復(fù)成初始形狀。對于熱致感應(yīng)型形狀記憶材料，其形狀回復(fù)條件即為形狀回復(fù)溫度。形狀回復(fù)溫度，也是為超材料層3賦形時(shí)的溫度，其值不低于可逆相轉(zhuǎn)變溫度 ； 而不高于固定相轉(zhuǎn)變溫度Tf，此時(shí)的可逆相處于玻璃態(tài)。因此，如圖2所示，步驟S3可以分如下步驟進(jìn)行S31、對步驟S2得到的超材料層3升溫至形狀回復(fù)溫度；S32、通過人工或機(jī)械將所述超材料層3變形；S33、對所述超材料層3迅速冷卻降溫，使所述超材料層3凝固并保持變形后的形狀。如圖5、圖6所示，步驟S32中通過沖壓的方式可將平板形的超材料層3變形為半圓筒形或者圓筒形。若超材料層3 —次變形不能達(dá)到所需的形狀例如太陽能電池板的螺旋形時(shí)，可以通過多次變形來實(shí)現(xiàn)。例如，先進(jìn)行一次步驟S31、S32、S33將超材料層3沖壓變形為圓筒形或半圓筒形，然后再進(jìn)行一次步驟S31、S32、S33將圓筒形或半圓筒形超材料4手工變形成螺旋形，如圖7所示。需要說明的是，本發(fā)明的形狀記憶材料并不僅限于上文所述的熱致感應(yīng)型材料， 還可利用其他形狀記憶材料例如磁致感應(yīng)型、光致感應(yīng)型形狀記憶材料，它們用與步驟Si、 S2完全相同的方法制得超材料層3后，在進(jìn)行步驟S3時(shí)，被賦形的環(huán)境條件或形狀回復(fù)條件不再是溫度而是磁場、光照。例如當(dāng)形狀記憶材料為光致感應(yīng)型材料時(shí)，步驟S3應(yīng)該分如下步驟進(jìn)行S31、對步驟S2得到的超材料層3進(jìn)行光照；S32、通過人工或機(jī)械將所述超材料層3變形；S33、對所述超材料層3停止光照，使所述超材料層3凝固并保持變形后的形狀。這樣得到的超材料也屬于本發(fā)明的形狀記憶超材料4。采用本發(fā)明的形狀記憶超材料4，利用其人造微結(jié)構(gòu)2的設(shè)計(jì)，能夠?qū)崿F(xiàn)對電磁波的特殊響應(yīng)，例如能夠用作透鏡、波束壓縮器(beam compressor)、波束轉(zhuǎn)換器(beam shifter)、天線、吸波材料等微波領(lǐng)域；而本發(fā)明中形狀記憶材料作為基材1，將進(jìn)一步擴(kuò)展超材料的應(yīng)用范圍和應(yīng)用環(huán)境，例如前文所述的太陽能電池板。另一例子又如，超材料可以作為防電磁波輻射的開關(guān)，超材料的基材1為磁致感應(yīng)型形狀記憶材料，在沒有電磁波輻射或輻射強(qiáng)度低的時(shí)候基材1成彎折狀而未接觸開關(guān)觸片，使開關(guān)斷開；而當(dāng)接收到較強(qiáng)的電磁波時(shí)，磁場激勵使形狀記憶材料生熱而變形，變形后與開關(guān)觸片接觸，開關(guān)導(dǎo)通， 則人們可以判斷有較強(qiáng)的電磁波輻射。 本發(fā)明的其他應(yīng)用實(shí)例還有很多，本文不再一一列舉。凡是符合本發(fā)明步驟的方法和采用本發(fā)明的方法制得的形狀記憶超材料，均屬于本發(fā)明保護(hù)范圍之內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種形狀記憶超材料的制備方法，其特征在于，包括如下步驟51、用形狀記憶材料制成具有初始形狀的基材；52、在所述基材上附著人造微結(jié)構(gòu)，得到超材料層；53、為所述超材料層賦予變形，得到形狀記憶超材料，所述已變形的形狀記憶超材料在達(dá)到其形狀回復(fù)條件時(shí)，將回復(fù)成初始形狀。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的形狀記憶超材料的制備方法，其特征在于，所述基材的初始形狀為平板形。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的形狀記憶超材料的制備方法，其特征在于，所述步驟S3進(jìn)行了兩次，第一次賦形為半圓筒形或圓筒形，第二次將半圓筒形或圓筒形形狀記憶超材料賦形為螺旋形。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的形狀記憶超材料的制備方法，其特征在于，所述形狀記憶材料為熱致感應(yīng)型形狀記憶材料，具有固定相和可逆相。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的形狀記憶超材料的制備方法，其特征在于，所述熱致感應(yīng)型形狀記憶材料為苯乙烯-丁二烯共聚物，其固定相轉(zhuǎn)變溫度Tf為120°C，可逆相轉(zhuǎn)變溫度T, 為 60 0C ο
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的形狀記憶超材料的制備方法，其特征在于，所述步驟Sl采用注塑成型工藝。
7.根據(jù)權(quán)利要求4所述的形狀記憶超材料的制備方法，其特征在于，所述步驟S2采用光化學(xué)刻蝕工藝將人造微結(jié)構(gòu)印制到所述基材上。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的形狀記憶超材料的制備方法，其特征在于，所述人造微結(jié)構(gòu)為由金屬顆粒熔化排布的成具有幾何圖案的金屬線。
9.根據(jù)權(quán)利要求4所述的形狀記憶超材料的制備方法，其特征在于，所述步驟S3的對超材料層賦予變形包括如下步驟531、對所述超材料層升溫至溫度高于其可逆相轉(zhuǎn)變溫度而低于其固定相轉(zhuǎn)變溫度，此時(shí)形狀記憶材料中的可逆相處于玻璃態(tài)；532、通過人工或機(jī)械將所述超材料層變形；533、對所述超材料層迅速冷卻降溫，使所述超材料層凝固并保持變形后的形狀。
10.一種形狀記憶超材料，其特征在于，包括由形狀記憶材料制成的基材和附著在所述基材上的人造微結(jié)構(gòu)，所述基材的形狀相對于被制造出來時(shí)的初始形狀被賦予了變形。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種形狀記憶超材料的制備方法，包括如下步驟S1、用形狀記憶材料制成具有初始形狀的基材；S2、在所述基材上附著人造微結(jié)構(gòu)，得到超材料層；S3、為所述超材料層賦予變形，得到形狀記憶超材料，所述已變形的形狀記憶超材料在達(dá)到其形狀回復(fù)條件時(shí)，將回復(fù)成初始形狀。本發(fā)明還涉及一種采用本發(fā)明方法制得的形狀記憶超材料。由于采用形狀記憶材料作為基材，使得本發(fā)明的形狀記憶超材料同時(shí)兼有形狀記憶和特殊電磁響應(yīng)兩方面的功能，為超材料拓寬了新的應(yīng)用領(lǐng)域。
文檔編號H01Q15/00GK102480014SQ20111012097
公開日2012年5月30日 申請日期2011年5月11日 優(yōu)先權(quán)日2011年5月11日
發(fā)明者劉若鵬, 法布里齊亞, 趙治亞 申請人:深圳光啟創(chuàng)新技術(shù)有限公司, 深圳光啟高等理工研究院