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      一種基于超材料的電磁波束調(diào)制方法

      文檔序號:7000755閱讀:235來源:國知局
      專利名稱:一種基于超材料的電磁波束調(diào)制方法
      一種基于超材料的電磁波束調(diào)制方法
      技術(shù)領(lǐng)域
      本發(fā)明涉及電磁波技術(shù)領(lǐng)域,特別涉及一種基于超材料的電磁波束調(diào)制方法。背景技術(shù)
      隨著科學(xué)技術(shù)的不斷發(fā)展,電磁波技術(shù)逐漸深入到人們的生活中,例如通訊、飲食、交通、網(wǎng)絡(luò)等方面。超材料作為一種新興材料,由于具有天然材料所不具備的超常物理性質(zhì),可以對電場、或者磁場、或者電場和磁場同時進行響應(yīng),從而在電磁波技術(shù)的應(yīng)用中扮演著重要的角色。超材料對電場的響應(yīng)取決于超材料的介電常數(shù),而對磁場的響應(yīng)取決于超材料的磁導(dǎo)率。因此通過對超材料空間中每一點的介電常數(shù)與磁導(dǎo)率的控制,可以實現(xiàn)對電磁波的控制?,F(xiàn)有技術(shù)中,通過電磁透鏡天線或者反射天線對電磁波束進行調(diào)制。但是在對現(xiàn)有技術(shù)的研究和實踐過程中,發(fā)明人發(fā)現(xiàn)現(xiàn)有技術(shù)中采用的電磁波束調(diào)制設(shè)備體積大、對形狀也有很高的要求,難以靈活設(shè)計。

      發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是提供一種基于超材料的電磁波束調(diào)制方法,能夠靈活的對超材料空間中的電磁參數(shù)進行精確的控制,實現(xiàn)對電磁波束的調(diào)制。為解決上述技術(shù)問題,本發(fā)明一實施例提供了一種基于超材料的電磁波束調(diào)制方法,包括根據(jù)折射率與電磁參數(shù)之間的關(guān)系,獲取電磁波束按預(yù)設(shè)方向偏折所對應(yīng)的電磁參數(shù)分布曲線;以電磁參數(shù)均勻分布的材料為基板,根據(jù)所述電磁參數(shù)分布曲線在所述基板上布孔,對所述電磁波束進行調(diào)制。與現(xiàn)有技術(shù)相比,上述技術(shù)方案具有以下優(yōu)點通過已知的折射率與電磁參數(shù)之間的關(guān)系,得出電磁波束按預(yù)設(shè)方向偏折所對應(yīng)的電磁參數(shù)分布曲線,然后根據(jù)電磁參數(shù)分布曲線在電磁參數(shù)均勻分布的基板上布孔,從而可以控制基板上布孔區(qū)域的電磁參數(shù)分布,實現(xiàn)對電磁波束的調(diào)制,設(shè)計靈活,簡單方便。

      為了更清楚地說明本發(fā)明實施例中的技術(shù)方案,下面將對實施例描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹,顯而易見地,下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實施例,對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講,在不付出創(chuàng)造性勞動性的前提下,還可以根據(jù)這些附圖獲得其它的附圖。圖1是本發(fā)明實施例一提供的一種基于超材料的電磁波束調(diào)制方法流程圖;圖2是本發(fā)明實施例二提供的一種基于超材料的電磁波束調(diào)制方法流程圖;圖3是本發(fā)明實施例二提供的布孔后的基板對平行電磁波進行發(fā)散的示意圖4是本發(fā)明實施例三提供的一種基于超材料的電磁波束調(diào)制方法流程圖;圖5是本發(fā)明實施例三提供的布孔后的基板對平行電磁波進行會聚的示意圖; 圖6是本發(fā)明實施例提供的布孔后的基板對平行電磁波進行發(fā)散的示意圖7是本發(fā)明實施例提供的布孔后的基板對平行電磁波進行會聚的示意圖。
      具體實施方式下面將結(jié)合本發(fā)明實施例中的附圖,對本發(fā)明實施例中的技術(shù)方案進行清楚、完整地描述,顯然,所描述的實施例僅僅是本發(fā)明一部分實施例,而不是全部的實施例。基于本發(fā)明中的實施例,本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有作出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其它實施例,都屬于本發(fā)明保護的范圍。首先,為了本領(lǐng)域技術(shù)人員更好的理解本發(fā)明的技術(shù)方法,首先對本發(fā)明的技術(shù)方案進行簡要介紹由于電磁波的折射率η與成正比關(guān)系(其中ε為介電常數(shù),μ為磁導(dǎo)率),當電磁波束由一種介質(zhì)傳播到另外一種介質(zhì)時,電磁波束會發(fā)生折射,因此,當物質(zhì)內(nèi)部的介電常數(shù)和磁導(dǎo)率,即電磁參數(shù)分布非均勻時,電磁波束就會發(fā)生偏折。本發(fā)明技術(shù)方案根據(jù)所需電磁波束偏折方向,以及η與成正比的關(guān)系,得到電磁參數(shù)分布曲線,然后根據(jù)該電磁參數(shù)分布曲線在均勻介質(zhì)基板上布孔的方式,通過改變孔內(nèi)填充材料與基板材料的體積比,改變介質(zhì)基板的電磁參數(shù)分布,當有電磁波束通過介質(zhì)基板時,電磁波束就會按照所需的方向偏折,從而實現(xiàn)對電磁波束的調(diào)制。實施例一、參見圖1,為本發(fā)明實施例一提供的一種基于超材料的電磁波束調(diào)制方法流程圖,該電磁波束調(diào)制方法包括如下步驟SlOl 根據(jù)折射率與電磁參數(shù)之間的關(guān)系,獲取電磁波束按預(yù)設(shè)方向偏折所對應(yīng)的電磁參數(shù)分布曲線。其中,電磁參數(shù)包括介電常數(shù)和磁導(dǎo)率。其中,電磁參數(shù)分布曲線為拋物線,或者類似拋物線的曲線。其中,基板可以為陶瓷、云母、高分子材料、或者金屬氧化物。S102 以電磁參數(shù)均勻分布的材料為基板,根據(jù)電磁參數(shù)分布曲線在基板上布孔, 對電磁波束進行調(diào)制。其中,孔的橫截面為任意形狀,各孔內(nèi)所填充的材料種類可以相同或者不同。打孔之后的基板形成新的超材料,其電磁參數(shù)分布會改變,當有電磁波束經(jīng)過該超材料時,電磁波束會沿著預(yù)設(shè)的方向會聚或發(fā)散。本實施例中,通過已知的折射率與電磁參數(shù)之間的關(guān)系,得出電磁波束按預(yù)設(shè)方向偏折所對應(yīng)的電磁參數(shù)分布曲線,然后根據(jù)電磁參數(shù)分布曲線在電磁參數(shù)均勻分布的基板上布孔,從而可以控制基板上布孔區(qū)域的電磁參數(shù)分布,實現(xiàn)對電磁波束的調(diào)制,設(shè)計靈活,簡單方便。實施例二、參見圖2,為本發(fā)明實施例二提供的一種基于超材料的電磁波束調(diào)制方法流程圖, 該電磁波束調(diào)制方法包括如下步驟
      S201 根據(jù)折射率與電磁參數(shù)之間的關(guān)系,獲取電磁波束按預(yù)設(shè)方向發(fā)散所對應(yīng)的電磁參數(shù)分布曲線。其中,電磁參數(shù)分布曲線為開口向上的拋物線,或者與開口向上的拋物線類似的曲線。S202 根據(jù)S201步驟獲得的電磁參數(shù)分布曲線,在基板上按照從中間位置到兩邊位置孔內(nèi)填充材料與基板材料的體積比不斷減小的條件布孔,對電磁波束進行發(fā)散。具體的,在基板上按照如下條件布孔在基板上的每個帶狀區(qū)域內(nèi),孔內(nèi)填充材料與基板材料的體積比從中間位置到兩邊位置不斷減??;在每個帶狀區(qū)域內(nèi)兩個相鄰的第一區(qū)域與第二區(qū)域滿足第一區(qū)域的孔內(nèi)填充材料與基板材料的體積比從Xl連續(xù)減小到χ2, 第二區(qū)域的孔內(nèi)填充材料與基板材料的體積比從χ3連續(xù)減小到χ4,且滿足χ2 < χ3。其中,在基板上布孔之前,還包括預(yù)設(shè)孔內(nèi)填充材料的介電常數(shù)小于基板材料的介電常數(shù),孔內(nèi)可以填充相同種類的材料或者不同種類的材料,只要孔內(nèi)填充材料后電磁參數(shù)分布,與電磁波束按預(yù)設(shè)方向發(fā)散所對應(yīng)的電磁參數(shù)分布曲線相對應(yīng)即可,在具體的實施過程中根據(jù)具體的要求進行選擇。其中孔的直徑一般在λ /10與λ之間,其中λ為電磁波的波長。可以理解的是,在基板上布孔時,當孔的體積大時,孔的數(shù)量的密度相應(yīng)的減小, 當孔的體積小時,孔的數(shù)量的密度相應(yīng)的增大。本實施例中,已知的折射率與電磁參數(shù)之間的關(guān)系,得出電磁波束按預(yù)設(shè)方向偏折所對應(yīng)的電磁參數(shù)分布曲線,然后根據(jù)電磁參數(shù)分布曲線在電磁參數(shù)均勻分布的基板上布孔,通過改變孔內(nèi)填充材料與基板材料的體積比例,實現(xiàn)對電磁波的發(fā)散,設(shè)計靈活, 簡單方便。實施例三、參見圖3,為本發(fā)明實施例三提供的一種基于超材料的電磁波束調(diào)制方法流程圖, 該電磁波束調(diào)制方法包括如下步驟S301 根據(jù)折射率與電磁參數(shù)之間的關(guān)系,獲取電磁波束按預(yù)設(shè)方向會聚所對應(yīng)的電磁參數(shù)分布曲線。其中,電磁參數(shù)分布曲線為開口向下的拋物線;或者與開口向下的拋物線類似的曲線。S302 根據(jù)S301步驟獲得的電磁參數(shù)分布曲線,在基板上按照從中間位置到兩邊位置孔內(nèi)填充材料與基板材料的體積比不斷增大的條件布孔,對電磁波束進行會聚。具體的,在基板上按照如下條件布孔在基板上的每個帶狀區(qū)域內(nèi),孔內(nèi)填充材料與基板材料的體積比從中間位置到兩邊位置不斷增大;在每個帶狀區(qū)域內(nèi)兩個相鄰的第一區(qū)域與第二區(qū)域滿足第一區(qū)域的孔內(nèi)填充材料與基板材料的體積比從Xl連續(xù)增大到x2, 第二區(qū)域的孔內(nèi)填充材料與基板材料的體積比從x3連續(xù)增大到x4,且滿足x2 > x3。其中,在基板上布孔之前,還包括預(yù)設(shè)孔內(nèi)填充材料的介電常數(shù)小于基板材料的介電常數(shù),孔內(nèi)可以填充相同種類的材料或者不同種類的材料,只要孔內(nèi)填充材料后電磁參數(shù)分布,與電磁波束按預(yù)設(shè)方向會聚所對應(yīng)的電磁參數(shù)分布曲線相對應(yīng)即可,在具體的實施過程中根據(jù)具體的要求進行選擇。其中孔的直徑一般在λ /10與λ之間,其中λ為電磁波的波長。
      可以理解的是,在基板上布孔時,當孔的體積大時,孔的數(shù)量的密度相應(yīng)的減小, 當孔的體積小時,孔的數(shù)量的密度相應(yīng)的增大。本實施例中,已知的折射率與電磁參數(shù)之間的關(guān)系,得出電磁波束按預(yù)設(shè)方向偏折所對應(yīng)的電磁參數(shù)分布曲線,然后根據(jù)電磁參數(shù)分布曲線在電磁參數(shù)均勻分布的基板上布孔,通過改變孔內(nèi)填充材料與基板材料的體積比例,實現(xiàn)對電磁波的會聚,設(shè)計靈活,簡單方便。實施例四、參見圖4,為本發(fā)明實施例四提供的一種基于超材料的電磁波束調(diào)制方法流程圖, 該電磁波束調(diào)制方法包括如下步驟S401 根據(jù)折射率與電磁參數(shù)之間的關(guān)系,獲取電磁波束按預(yù)設(shè)方向發(fā)散所對應(yīng)的電磁參數(shù)分布曲線。其中,電磁參數(shù)分布曲線為開口向上的拋物線;或者與開口向下的拋物線類似的曲線。S402 根據(jù)S401步驟獲得的電磁參數(shù)分布曲線,在基板上按照從中間位置到兩邊位置孔內(nèi)填充材料與基板材料的體積比不斷增大的條件布孔,對電磁波束進行發(fā)散。具體的,在基板上按照如下條件布孔在基板上的每個帶狀區(qū)域內(nèi),孔內(nèi)填充材料與基板材料的體積比從中間位置到兩邊位置不斷增大;在每個帶狀區(qū)域內(nèi)兩個相鄰的第一區(qū)域與第二區(qū)域滿足第一區(qū)域的孔內(nèi)填充材料與基板材料的體積比從Xl連續(xù)增大到 x2,第二區(qū)域的孔內(nèi)填充材料與基板材料的體積比從x3連續(xù)增大到x4,且滿足x2 > x3。其中,在基板上布孔之前,還包括預(yù)設(shè)孔內(nèi)填充材料的介電常數(shù)大于基板材料的介電常數(shù),孔內(nèi)可以填充相同種類的材料或者不同種類的材料,只要孔內(nèi)填充材料后電磁參數(shù)分布,與電磁波束按預(yù)設(shè)方向發(fā)散所對應(yīng)的電磁參數(shù)分布曲線相對應(yīng)即可,在具體的實施過程中根據(jù)具體的要求進行選擇。其中孔的直徑一般在λ /10與λ之間,其中λ為電磁波的波長??梢岳斫獾氖?,在基板上布孔時,當孔的體積大時,孔的數(shù)量的密度相應(yīng)的減小, 當孔的體積小時,孔的數(shù)量的密度相應(yīng)的增大。本實施例相對于實施例二,孔內(nèi)填充材料的介電常數(shù)大于基板材料的介電常數(shù)。實施例五、參見圖5,為本發(fā)明實施例五提供的一種基于超材料的電磁波束調(diào)制方法流程圖, 該電磁波束調(diào)制方法包括如下步驟S501 根據(jù)折射率與電磁參數(shù)之間的關(guān)系,獲取電磁波束按預(yù)設(shè)方向會聚所對應(yīng)的電磁參數(shù)分布曲線。其中,電磁參數(shù)分布曲線為開口向下的拋物線;或者與開口向下的拋物線類似的曲線。S502 根據(jù)S501步驟獲得的電磁參數(shù)分布曲線,在基板上按照從中間位置到兩邊位置孔內(nèi)填充材料與基板材料的體積比不斷減小的條件布孔,對電磁波束進行會聚。具體的,在基板上按照如下條件布孔在所述基板上的每個帶狀區(qū)域內(nèi),孔內(nèi)填充材料與基板材料的體積比從中間位置到兩邊位置不斷減?。辉诿總€帶狀區(qū)域內(nèi)兩個相鄰的第一區(qū)域與第二區(qū)域滿足第一區(qū)域的孔內(nèi)填充材料與基板材料的體積比從Xl連續(xù)減小至Ijx2,第二區(qū)域的孔內(nèi)填充材料與基板材料的體積比從x3連續(xù)減小到x4,且滿足x2<x3。其中,在基板上布孔之前,還包括預(yù)設(shè)孔內(nèi)填充材料的介電常數(shù)大于基板材料的介電常數(shù),孔內(nèi)可以填充相同種類的材料或者不同種類的材料,只要孔內(nèi)填充材料后電磁參數(shù)分布,與電磁波束按預(yù)設(shè)方向會聚所對應(yīng)的電磁參數(shù)分布曲線相對應(yīng)即可,在具體的實施過程中根據(jù)具體的要求進行選擇。其中孔的直徑一般在λ /10與λ之間,其中λ為電磁波的波長??梢岳斫獾氖?,在基板上布孔時,當孔的體積大時,孔的數(shù)量的密度相應(yīng)的減小, 當孔的體積小時,孔的數(shù)量的密度相應(yīng)的增大。本實施例相對于實施例三,孔內(nèi)填充材料的介電常數(shù)大于基板材料的介電常數(shù)。參見圖6,為本發(fā)明實施例提供的布孔后的基板對平行電磁波進行發(fā)散的示意圖。如圖所示基板的帶狀區(qū)域601存在8個折射率連續(xù)變化的子區(qū)域。第一個區(qū)域的折射率從nl連續(xù)減小到π2,第二個區(qū)域的折射率從π3連續(xù)減小到η4,第三個區(qū)域的折射率從η5連續(xù)減小到η6,第四個區(qū)域的折射率從π7連續(xù)減小到η8,其中η2 < η3,η4 < η5, η6 < η7 ;第五個區(qū)域的折射率從η8連續(xù)增大到η15,第六個區(qū)域的折射率從η14連續(xù)增大到η13,第七個區(qū)域的折射率從η12連續(xù)增大到nil,第八個區(qū)域的折射率從nlO連續(xù)增大到n9,其中nl5 >nl4,nl3 >nl2,nll >η10。當平行電磁波入射時,基板上布孔后所得的超材料具有上述折射率分布規(guī)律時,出射電磁波均向第四個區(qū)域與第五個區(qū)域的交界處發(fā)散。本發(fā)明中各個子帶狀區(qū)域內(nèi)的超材料的折射率既可以為線性連續(xù)變化,也可以為非線性連續(xù)變化。參見圖7,為本發(fā)明實施例提供的布孔后的基板對平行電磁波進行會聚的示意圖。如圖所示基板的帶狀區(qū)域701存在8個折射率連續(xù)變化的子區(qū)域。第一個區(qū)域的折射率從nl連續(xù)增大到π2,第二個區(qū)域的折射率從n3連續(xù)增大到η4,第三個區(qū)域的折射率從η5連續(xù)增大到η6,第四個區(qū)域的折射率從η7連續(xù)增大到η8,其中η2 > η3,η4 > η5, η6 > η7 ;第五個區(qū)域的折射率從η8連續(xù)減小到η15,第六個區(qū)域的折射率從η14連續(xù)減小到η13,第七個區(qū)域的折射率從η12連續(xù)減小到nil,第八個區(qū)域的折射率從nlO連續(xù)減小到n9,其中nl5 <nl4,nl3 <nl2,nll <η10。當平行電磁波入射時,基板上布孔后所得的超材料具有上述折射率分布規(guī)律時,出射電磁波均向第四個區(qū)域與第五個區(qū)域的交界處會聚。本發(fā)明中各個子帶狀區(qū)域內(nèi)的超材料的折射率既可以為線性連續(xù)變化,也可以為非線性連續(xù)變化。以上針對基板上的孔內(nèi)填充材料的介電常數(shù)小于基板的介電常數(shù)情況列舉實施例進行了描述,在具體的實施過程中,并不限于的孔內(nèi)填充材料的介電常數(shù)小于基板的介電常數(shù)。當?shù)目變?nèi)填充材料的介電常數(shù)大于基板的介電常數(shù),可以根據(jù)上述實施例得出相對應(yīng)的實施例,此處不再贅述。以上對本發(fā)明實施例進行了詳細介紹,本文中應(yīng)用了具體個例對本發(fā)明的原理及實施方式進行了闡述,以上實施例的說明只是用于幫助理解本發(fā)明的方法及其核心思想; 同時,對于本領(lǐng)域的一般技術(shù)人員,依據(jù)本發(fā)明的思想,在具體實施方式
      及應(yīng)用范圍上均會有改變之處,綜上所述,本說明書內(nèi)容不應(yīng)理解為對本發(fā)明的限制。
      權(quán)利要求
      1.一種基于超材料的電磁波束調(diào)制方法,其特征在于,包括根據(jù)折射率與電磁參數(shù)之間的關(guān)系,獲取電磁波束按預(yù)設(shè)方向偏折所對應(yīng)的電磁參數(shù)分布曲線;以電磁參數(shù)均勻分布的材料為基板,根據(jù)所述電磁參數(shù)分布曲線在所述基板上布孔, 對所述電磁波束進行調(diào)制。
      2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其特征在于,根據(jù)所述電磁參數(shù)分布曲線在所述基板上布孔之前,還包括預(yù)設(shè)在所述基板上布的孔內(nèi)所填充材料的介電常數(shù)小于所述基板的介電常數(shù)。
      3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法,其特征在于,根據(jù)所述電磁參數(shù)分布曲線在所述基板上布孔,包括當所述電磁參數(shù)分布曲線為開口向上的拋物線或者類似拋物線的曲線時,在所述基板上按照如下條件進行布孔在所述基板上的每個帶狀區(qū)域內(nèi),孔內(nèi)填充材料與基板材料的體積比從中間位置到兩邊位置不斷減小;在每個帶狀區(qū)域內(nèi)兩個相鄰的第一區(qū)域與第二區(qū)域滿足第一區(qū)域的孔內(nèi)填充材料與基板材料的體積比從Xl連續(xù)減小到x2,第二區(qū)域的孔內(nèi)填充材料與基板材料的體積比從x3連續(xù)減小到x4,且滿足x2 < x3。
      4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法,其特征在于,對所述電磁波束進行調(diào)制,包括對所述電磁波進行發(fā)散。
      5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法,其特征在于,根據(jù)所述電磁參數(shù)分布曲線在所述基板上布孔,包括當所述電磁參數(shù)分布曲線為開口向下的拋物線或者類似拋物線的曲線時,在所述基板上按照如下條件進行布孔在所述基板上的每個帶狀區(qū)域內(nèi),孔內(nèi)填充材料與基板材料的體積比從中間位置到兩邊位置不斷增大;在每個帶狀區(qū)域內(nèi)兩個相鄰的第一區(qū)域與第二區(qū)域滿足第一區(qū)域的孔內(nèi)填充材料與基板材料的體積比從Xl連續(xù)增大到x2,第二區(qū)域的孔內(nèi)填充材料與基板材料的體積比從x3連續(xù)增大到x4,且滿足x2 > x3。
      6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法,其特征在于,對所述電磁波束進行調(diào)制,包括對所述電磁波束進行會聚。
      7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其特征在于,根據(jù)所述電磁參數(shù)分布曲線在所述基板上布孔之前,還包括預(yù)設(shè)在所述基板上布的孔內(nèi)所填充材料的介電常數(shù)大于所述基板的介電常數(shù)。
      8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法,其特征在于,根據(jù)所述電磁參數(shù)分布曲線在所述基板上布孔,包括當所述電磁參數(shù)分布曲線為開口向上的拋物線或者類似拋物線的曲線時,在所述基板上按照如下條件進行布孔在所述基板上的每個帶狀區(qū)域內(nèi),孔內(nèi)填充材料與基板材料的體積比從中間位置到兩邊位置不斷增大;在每個帶狀區(qū)域內(nèi)兩個相鄰的第一區(qū)域與第二區(qū)域滿足第一區(qū)域的孔內(nèi)填充材料與基板材料的體積比從Xl連續(xù)增大到x2,第二區(qū)域的孔內(nèi)填充材料與基板材料的體積比從x3連續(xù)增大到x4,且滿足x2 > x3。
      9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法,其特征在于,對所述電磁波束進行調(diào)制,包括對所述電磁波進行發(fā)散。
      10.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法,其特征在于,根據(jù)所述電磁參數(shù)分布曲線在所述基板上布孔,包括當所述電磁參數(shù)分布曲線為開口向下的拋物線或者類似拋物線的曲線時,在所述基板上按照如下條件進行布孔在所述基板上的每個帶狀區(qū)域內(nèi),孔內(nèi)填充材料與基板材料的體積比從中間位置到兩邊位置不斷減?。辉诿總€帶狀區(qū)域內(nèi)兩個相鄰的第一區(qū)域與第二區(qū)域滿足第一區(qū)域的孔內(nèi)填充材料與基板材料的體積比從Xl連續(xù)減小到χ2,第二區(qū)域的孔內(nèi)填充材料與基板材料的體積比從x3連續(xù)減小到χ4,且滿足χ2 < χ3。
      11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法,其特征在于,對所述電磁波束進行調(diào)制,包括對所述電磁波束進行會聚。
      12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其特征在于,所述基板上的各孔中所填充的材料種類相同或者不同。
      全文摘要
      本發(fā)明實施例提供了一種基于超材料的電磁波束調(diào)制方法,包括根據(jù)折射率與電磁參數(shù)之間的關(guān)系,獲取電磁波束按預(yù)設(shè)方向偏折所對應(yīng)的電磁參數(shù)分布曲線;以電磁參數(shù)均勻分布的材料為基板,根據(jù)所述電磁參數(shù)分布曲線在所述基板上布孔,對所述電磁波束進行調(diào)制。以靈活對超材料空間中的電磁參數(shù)進行精確的控制,進而實現(xiàn)對電磁波束的調(diào)制。
      文檔編號H01Q15/00GK102480015SQ201110121008
      公開日2012年5月30日 申請日期2011年5月11日 優(yōu)先權(quán)日2011年5月11日
      發(fā)明者劉若鵬, 張賢高, 繆錫根, 趙治亞 申請人:深圳光啟創(chuàng)新技術(shù)有限公司, 深圳光啟高等理工研究院
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